UNIVERSIDADE DO ESTADO DE SANTA CATARINA – UDESC

CENTRO DE CIÊNCIAS TECNOLÓGICAS – CCT

ENGENHARIA ELÉTRICA – ELE
DISCIPLINA: LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA - LEL
ALUNO: CAETANO PERUCHI DE PELLEGRIN
DIA: 06/08/2021

LABORATÓRIO 9 – CURVAS E CARACTERÍSTICAS DO MOSFET.

Obtenção dos parâmetros 𝝀𝒏 e 𝝀𝒑 :

Os circuitos abaixo foram simulados no software LTspice XVII. Os modelos do

MOSFET CD4007 adotados seguiram os parâmetros proporcionados no material
do professor Sérgio Franco. O Anexo A mostra as simulações do circuito
nMOSFET e o Anexo B as simulações do circuito pMOSFET.

𝑖𝐷 = 1 𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑖𝐷 ∗ 𝑅𝐷 𝑉𝑆𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑖𝐷 ∗ 𝑅𝐷
𝑉𝐷𝑆 = 10 − 1 𝑚 ∗ 5 𝑘 𝑉𝑆𝐷 = 10 − 1 𝑚 ∗ 5 𝑘
𝑉𝐷𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝑆𝐷 = 5 𝑉

|∆𝑉𝐷𝑆 | 1
𝑟0 = 𝜆=
|∆𝑖𝐷 | 𝑖𝐷 ∗ 𝑟0 − |𝑉𝐷𝑆 |

Corrente (𝑖𝐷 ) (mA) Tensão (𝑉𝐷𝑆 𝑜𝑢 𝑉𝑆𝐷 ) (V)

Canal 𝑟0 (kV/A) 𝜆 (mV^-1)
Normal Em curto Normal Em curto
n 1,001 1,169 4,993 10 29,80 40,311
p 1,002 1,152 4,989 10 33,41 35,185
Obtenção dos parâmetros 𝒌 e 𝑽𝒕 :
Com a montagem realizada de maneira análoga à anterior, obteve-se os valores
de corrente e tensão dos circuitos na faixa de 0,25 V a 5V. O Anexo C apresenta
a relação de valores para o circuito nMOSFET e o Anexo D as relações para o
circuito pMOSFET.

Utilizou-se do software Octave para a análise de tais valores a partir do comando

“polyfit”. O polinômio base adotado foi de grau 2, tomado pela expansão da
equação da corrente de dreno demonstrada abaixo.
𝑘
𝑖𝐷 = (𝑣 − |𝑉𝑡 |)²
2 𝑆𝐺
𝑘 2
𝑖𝐷 = (𝑣 − 2𝑣𝑆𝐺 𝑉𝑡 + 𝑉𝑡 ²)
2 𝑆𝐺
O código utilizado é apresentado no Anexo E. Em seguida as comparações dos
parâmetros polinomiais são mostradas a fim de associar com suas respectivas
incógnitas.
Para o nMOSFET: Para o pMOSFET:
kp kp
= 1.7926𝑒 − 04 = 1.5578𝑒 − 04
2 2
−𝑘𝑝 𝑉𝑡 = −3.5696𝑒 − 04 −𝑘𝑝 𝑉𝑡 = −3.9606𝑒 − 04
𝑘𝑝 2 𝑘𝑝 2
𝑉 = 1.4527𝑒 − 04 𝑉 = 1.8848𝑒 − 04
2 𝑡 2 𝑡
k n = 358,32 𝑢𝐴/𝑉² k p = 311,56 𝑢𝐴/𝑉²
Vtn = 996,20 𝑚𝑉 Vtp = 1,271 𝑉
Pós-relatório:

O experimento permitiu visualizar de forma prática o comportamento da corrente

de dreno frente as variações de tensão aplicadas sobre o MOSFET, assim como
as distinções para os dois tipos principais analisados: p e n.
Algumas dificuldades foram encontradas na construção do modelo do MOSFET
no simulador LTspice XVII, porém com a base material do professor Sérgio
Franco e devida pesquisa este problema foi solucionado.
De início o método de obtenção de parâmetros através de polinômios, simulados
com o uso do software Octace, aparentou certa desconexão com a equação
utilizada. Ainda assim, foi possível identificar o desentendimento teórico vs.
prático gerado.
As simulações realizadas também no Octave permitiram visualizar as diferentes
curvas de corrente em relação à tensão.
 Anexo A
Figura 1 – Dreno em operação normal (nMOSFET)
Figura 2 – Dreno em curto (nMOSFET)
 Anexo B
Figura 3 – Dreno em operação normal (pMOSFET)
Figura 4 – Dreno em curto (pMOSFET)
 Anexo C
Valores de Tensão e Corrente de dreno para o nMOSFET (Draft1.txt):

2.50e-001 5.099994e-013
5.00e-001 1.010000e-012
7.50e-001 1.510000e-012
1.00e+000 2.010000e-012
1.25e+000 9.843752e-006
1.50e+000 3.975000e-005
1.75e+000 9.028125e-005
2.00e+000 1.620000e-004
2.25e+000 2.554688e-004
2.50e+000 3.712500e-004
2.75e+000 5.099063e-004
3.00e+000 6.720000e-004
3.25e+000 8.580937e-004
3.50e+000 1.068750e-003
3.75e+000 1.304531e-003
4.00e+000 1.566000e-003
4.25e+000 1.853719e-003
4.50e+000 2.168250e-003
4.75e+000 2.510156e-003
5.00e+000 2.880000e-003
 Anexo D
Valores de Tensão e Corrente de dreno para o pMOSFET (Draft2.txt):

2.50e-001 5.099994e-013
5.00e-001 1.010000e-012
7.50e-001 1.510000e-012
1.00e+000 2.010000e-012
1.25e+000 2.510000e-012
1.50e+000 3.010000e-012
1.75e+000 9.949223e-006
2.00e+000 4.012500e-005
2.25e+000 9.101954e-005
2.50e+000 1.631250e-004
2.75e+000 2.569336e-004
3.00e+000 3.729375e-004
3.25e+000 5.116289e-004
3.50e+000 6.735000e-004
3.75e+000 8.590430e-004
4.00e+000 1.068750e-003
4.25e+000 1.303113e-003
4.50e+000 1.562625e-003
4.75e+000 1.847777e-003
5.00e+000 2.159063e-003
 Anexo E
Script Octave utilizado e parâmetros polinomiais obtidos:
clear all
close all
clc

c=load('Draft1.txt');
d=load('Draft2.txt');

x1=c(:,1);
y1=c(:,2);

x2=d(:,1);
y2=d(:,2);

p1 = polyfit(x1,y1,2)

p2 = polyfit(x2,y2,2)

p1 =

1.7926e-04 -3.5696e-04 1.4527e-04

p2 =

1.5578e-04 -3.9606e-04 1.8848e-04