Aula CM PE

Universidade Federal do Pará- UFPA
Programa de Pós-Graduação em Engenharia

de Infraestrutura e Desenvolvimento
Energético – PPGINDE
Disciplina: Ciência dos Materiais
Professor: Walber A. Nascimento

Ementa:
- Imperfeições nos sólidos cristalinos; Movimentos Atômicos

(difusão);
- Propriedades Mecânicas dos Materiais;
- Propriedades Térmicas dos Materiais; Propriedades Elétricas
dos Materiais;
- Propriedades Magnéticas dos Materiais; Propriedades
Ópticas dos Materiais;
- Corrosão e Degradação dos Materiais; Seleção de Materiais.
Referências:
Básica:
CALLISTER, Jr., W.D., Ciência e engenharia de materiais: uma introdução, 7. ed. Rio de
Janeiro: LTC, 2008.
SCHACKELFORD, J. F., Introduction to materials science for engineers, New York:
Macmillan Publishing Company, 1992.
Complementar:
VAN VLACK, l. H., Princípio de ciência e tecnologia dos materiais, Rio de Janeiro: Campus,
1984.
ASHBY, M.; JONES, D. Engenharia de materiais. v. 2, Rio de Janeiro: Campus, 2007.
SMITH, W.F. Princípios de ciência e engenharia dos materiais., Portugal: McGrawHill, 1998.
ASHBY, M.; JONES, D. Engenharia de materiais. v. 2, Rio de Janeiro: Campus, 2007.
Avaliação
→ Participação e interação nas aulas: 2,0 pontos.
→ Propor um projeto de pesquisa voltado a área de materiais da sua área

de atuação ou;
→ Propor o seu projeto já existente o adequando para pesquisa na área

de materiais: 8,0 pontos.
Contatos:
→ SIGAA
→ E-mail: wan@ufpa.br
→ Celular e what´s app: (91) 9 8531 2978

Ciência dos Materiais
Propriedade Elétrica dos Materiais

Comportamento Elétrico dos Materiais
As unidades para V, I e R são, respectivamente, volt (J/C), ampère (C/s) e

ohm (V/A).
em que J é a densidade de corrente — a corrente por unidade de área da

amostra I/A —
é a intensidade do campo elétrico, ou a diferença de voltagem entre dois

pontos dividida pela distância que os separa.
As várias estruturas possíveis de bandas eletrônicas nos sólidos a 0 K. (a) Estrutura de banda
eletrônica encontrada em metais como o cobre, em que existem, na mesma banda, estados
eletrônicos disponíveis acima dos estados preenchidos e adjacentes a esses estados
preenchidos. (b) Estrutura de banda eletrônica de metais como o magnésio, em que existe uma
superposição das bandas mais externas, preenchidas e vazias. (c) Estrutura de banda eletrônica
característica dos isolantes; a banda de valência preenchida está separada da banda de
condução vazia por um espaçamento entre bandas relativamente grandes (> 2 eV). (d) Estrutura
de banda eletrônica encontrada nos semicondutores, a mesma exibida pelos isolantes, exceto
pelo fato de que o espaçamento entre bandas é relativamente estreito (< 2 eV).
Ocupação dos estados eletrônicos (a) antes e (b) depois de uma excitação dos elétrons em um
metal.
Ocupação dos estados eletrônicos (a) antes e (b) depois de uma excitação dos elétrons da
banda de valência para dentro da banda de condução para um isolante ou semicondutor, no
qual tanto um elétron livre quanto um buraco são gerados.
n é o número de elétrons livres ou de condução por unidade de volume

(por exemplo, por metro cúbico) e |e| é a magnitude absoluta da carga
elétrica de um elétron (1,6 × 10 C)
–19
RESISTIVIDADE ELÉTRICA DOS METAIS
ρ0 e a são constantes para cada metal específico

ci é a fração atômica e A é uma constante independente da

composição, que é uma função tanto do metal hospedeiro quanto da
impureza.
Resistividade elétrica à temperatura ambiente em função da composição para ligas cobre-níquel.

Resistividade elétrica em função da

temperatura para o cobre e três ligas
cobre-níquel, uma das quais foi
deformada. As contribuições térmica,
das impurezas e das deformações
para a resistividade estão indicadas
para –100oC.
n é o número de elétrons livres ou de condução por unidade de

volume (por exemplo, por metro cúbico) e |e| é a magnitude
absoluta da carga elétrica de um elétron (1,6 × 10 C). p é o
–19
número de buracos por metro cúbico e μb é a mobilidade dos

buracos.
ni é conhecido como a concentração de

portadores intrínsecos.
Uma concentração de impurezas de um

átomo em cada 1012 átomos é suficiente
para tornar o silício extrínseco à
temperatura ambiente!!!
Concentração de portadores intrínsecos

(escala logarítmica) em função da
temperatura para o germânio e o silício.
Concentração de elétrons em função da

temperatura para o silício (do tipo n)
dopado com 1021 m–3 átomos de uma
impureza doadora e para o silício
intrínseco (linha tracejada).
Exemplos:
Um retificador, ou diodo, é um dispositivo eletrônico que permite que a corrente passe em

apenas uma direção; por exemplo, um retificador transforma uma corrente alternada em uma
corrente contínua.
Exemplos:
Os transistores, dispositivos semicondutores extremamente importantes nos circuitos

microeletrônicos atuais, são capazes de exercer dois tipos de funções principais:
→ Eles podem amplificar um sinal elétrico;
→Além disso, eles servem como dispositivos interruptores nos computadores para o
processamento e o armazenamento de informações.
Exemplos:
(a) Micrografia eletrônica de
varredura de um circuito integrado.
(b) Um mapa de pontos do silício no
circuito integrado acima, mostrando
as regiões em que os átomos de silício
estão concentrados. Silício dopado é o
material semicondutor a partir do
qual são feitos os elementos de um
circuito integrado. (c) Um mapa de
pontos do alumínio. O alumínio
metálico é um condutor elétrico e,
como tal, faz a ligação elétrica entre
os elementos do circuito. Ampliação
de aproximadamente 200X
→ Baterias recarregáveis;
→ Células de combustíveis que empregam eletrodos
poliméricos;
→ Fiações em aeronaves e em componentes aeroespaciais; Poliacetileno
→ Revestimentos antiestática para vestimentas, materiais
para filtragem eletromagnética;
→ Dispositivos eletrônicos (transistores e diodos);
→ Os polímeros eletroluminescentes estão sendo usados em
aplicações como painéis solares, mostradores de painéis.
Algumas vezes chamada de resistência à ruptura, representa a magnitude do campo elétrico

necessária para produzir a ruptura.
(a) Polarização eletrônica resultante da

distorção da nuvem eletrônica de um átomo
em razão de um campo elétrico.
(b) Polarização iônica resultante dos

deslocamentos relativos de íons eletricamente
carregados em resposta a um campo elétrico.
(c) Resposta de dipolos elétricos permanentes

(setas) à aplicação de um campo elétrico,
produzindo polarização de orientação.
Variação da constante dielétrica em função da frequência de um campo elétrico alternado. Estão

indicadas as contribuições das polarizações eletrônica, iônica e de orientação para a constante
dielétrica.
Exibem polarização espontânea — ou seja,

polarização na ausência de um campo
elétrico.
Até 120°C Após

deixa de existir.
Os capacitores feitos
a partir desses
materiais podem ser
significativamente
menores do que os
capacitores feitos a
partir de outros
materiais dielétricos.
→ Uso como transdutores entre as energias

elétrica e mecânica;
→ automotiva — balanceamento de rodas,
alarmes de cinto de segurança,
indicadores de desgaste da banda de
rolamento de pneus, portas sem chave e
sensores de air-bag;
→ computadores/eletrônica — microfones,
alto-falantes, microatuadores para discos
rígidos e transformadores de notebooks;
→ comercial/de consumo — cabeçotes de
impressoras jato de tinta, medidores de
(a) Dipolos no interior de um material deformação, soldadores ultrassônicos e
piezoelétrico. detectores de fumaça;
→ médica — bombas de insulina, terapia
(b) Uma voltagem é gerada quando o material é ultrassônica e dispositivos ultrassônicos
submetido a uma tensão de compressão. para remoção de catarata.

Aula CM PE

Enviado por

Dados do documento

Descrição original:

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Aula CM PE

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Universidade Federal do Pará- UFPA

Programa de Pós-Graduação em Engenharia

Disciplina: Ciência dos Materiais

Professor: Walber A. Nascimento

- Imperfeições nos sólidos cristalinos; Movimentos Atômicos

→ Participação e interação nas aulas: 2,0 pontos.

→ Propor um projeto de pesquisa voltado a área de materiais da sua área

→ Propor o seu projeto já existente o adequando para pesquisa na área

→ Celular e what´s app: (91) 9 8531 2978

Propriedade Elétrica dos Materiais

As unidades para V, I e R são, respectivamente, volt (J/C), ampère (C/s) e

em que J é a densidade de corrente — a corrente por unidade de área da

é a intensidade do campo elétrico, ou a diferença de voltagem entre dois

n é o número de elétrons livres ou de condução por unidade de volume

ρ0 e a são constantes para cada metal específico

ci é a fração atômica e A é uma constante independente da

Resistividade elétrica à temperatura ambiente em função da composição para ligas cobre-níquel.

Resistividade elétrica em função da

n é o número de elétrons livres ou de condução por unidade de

número de buracos por metro cúbico e μb é a mobilidade dos

ni é conhecido como a concentração de

Uma concentração de impurezas de um

Concentração de portadores intrínsecos

Concentração de elétrons em função da

Um retificador, ou diodo, é um dispositivo eletrônico que permite que a corrente passe em

Os transistores, dispositivos semicondutores extremamente importantes nos circuitos

→ Eles podem amplificar um sinal elétrico;

Algumas vezes chamada de resistência à ruptura, representa a magnitude do campo elétrico

(a) Polarização eletrônica resultante da

(b) Polarização iônica resultante dos

(c) Resposta de dipolos elétricos permanentes

Variação da constante dielétrica em função da frequência de um campo elétrico alternado. Estão

Exibem polarização espontânea — ou seja,

Até 120°C Após

→ Uso como transdutores entre as energias

Você também pode gostar