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Curso: Tecnologia em Análise de Sistemas Informatizados


Matéria: Arquitetura de Computadores 1 ± 1º Período
Professor: Guilherme Azeredo

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Novembro/ 2010
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As memórias são as responsáveis pelo armazenamento de dados e instruções


em forma de sinais digitais em computadores. Para que o processador possa
executar suas tarefas, ele busca na memória todas as informações necessárias ao
processamento.

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Mostrar os principais tipos de memória existentes e seu uso.

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A memória ROM (ReadOnlyMemory) é uma memória somente de leitura, ou


seja, suas informações são gravadas pelo fabricante uma única vez e após isso não
podem ser alteradas ou apagadas, somente acessadas. Em outras palavras, são
memórias cujo conteúdo é gravado permanentemente. A memória armazena três
programas: BIOS, POST e Setup.

è [ (Basic Input Output System - Sistema Básico de Entrada e Saída)

É o programa que está gravado dentro da memória ROM (que é um chip)


do micro. Ele ³ensina´ ao processador da máquina a operar com os dispositivos
básicos do PC, como o vídeo em modo texto, o disco rígido e aunidade de disquete .

è ˜ (Power On Self Test - Auto-testeao Ligar)

Programa executado toda a vez em que o micro é ligado. Entre outras coisas, ele
inicializa o vídeo, conta a memória e, ao seu término, mostra um quadro de
configurações contendo uma lista da configuração de hardware da máquina.

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É o programa onde fazemos os ajustes de data, hora, configuração de dispositivos,


etc. Fica armazenado em uma memória de configuração, também conhecida como
CMOS.
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Tem sua gravação feita por aparelhos especiais que trabalham através de uma
reação física com elementos elétricos.Os dados gravados na memória PROM não
podem ser apagados ou alterados.

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Os dados gravados na memória EPROM pode ser apagados pelo uso de radiação
ultra violeta permitindo sua reutilização. É o tipo de memória ROM geralmente
usado para armazenar a BIOS do computador.

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Tipo similar à EPROM. Seu conteúdo pode ser apagado aplicando -se uma voltagem
específica aos pinos de programação. Portanto, pode ter seu conteúdo modificado
eletricamente, mesmo quando já estiver funcionando num circuito eletrônico.

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Memória flash semelhante às EEPROMs. São mais rápidas e de menor custo. É um


tipo de chip de memória para BIOS de computador que permite que esta seja
atualizada através de softwares apropriados. Essa atualização pode ser feita por
disquete ou até mesmo pelo sistema operacional. Tudo depend e dos recursos que o
fabricante da placa-mãe em questão disponibiliza. A diferença da Flash-ROM para a
EEPROM é que na Flash-ROM não é possível apagar somente um determinado
endereço dentro da memória e reprogramar apenas um dado, isto é, na Flash -ROM
é necessário reprogramar toda a memória, mesmo quando desejamos alterar
apenas um único dado.

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No circuito Mask-ROM, o programa é gravado durante o processo de
fabricação do chip, daí o seu nome (o programa é gravado na máscara de
fabricação do chip).

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Algumas vezes também são citados como memória ROM, pois armazenam
informações que não podem ser alteradas.

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A memória RAM é um tipo de circuito integrado onde dados e programas podem ser
armazenados. Este tipo de memória é volátil, isto é, o seu conteúdo é apagado
quando a sua alimentação é cortada. É por este motivo que
os computadores possuem sistemas de memória de massa, tais como discos rígido
e disquetes, para que programas e dados não sejam perdidos quando desligamos o
micro.
É na memória RAM que o processador busca instruções e dados para serem
processados. Quando você "roda" um programa, o que normalmente ocorre é a
transferência deste programa de um sistema de memória de massa (disco rígido,
disquete, CD-ROM, etc) para a memória RAM, e então o processador busca as
instruções e dados a serem processados na memória RAM.
O circuito de memória RAM pode ser construído com uma enorme gama
detecnologias, tais como FPM, EDO, SDRAM e DDR-SDRAM.
Atualmente os circuitos de memória RAM são soldados a pequenas placas
chamadas módulos de memória, que por sua vez são instaladas na placa-
mãe do computador.

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O tipo de placa e conector usados para a memória RAM nos computadores de


mesa evoluíram com o passar dos anos. Os primeiros modelos foram patenteados,
o que significou que os diversos fabricantes de computadores des envolveram
placas de memória que somente podiam funcionar com seus sistemas específicos.
Então surgiu o SIMM (single in-linememory module). Essa placa de memória usava
um conector de 30 pinos, e seu tamanho era de aproximadamente 9 x 2 cm. Na
maioria dos computadores, você tinha de instalar os SIMMs em pares com
capacidade e velocidade iguais. Isto porque a largura do barramento é maior que
um único SIMM. Por exemplo, você podia instalar dois SIMMs de 8 megabytes (MB)
para conseguir uma memória total de 16 megabytes de RAM. Cada SIMM podia
enviar 8 bits de dados de uma vez, enquanto o barramento de sistema podia
manipular bits de uma vez. Já as placas SIMM mais modernas, um pouco maiores
(aproximadamente 11 x 2,5 cm), usavam um conector de 72 pinos para aume ntar a
capacidade de transferência, o que permitia memórias RAM de até 256 MB.
Conforme os processadores aumentaram em velocidade e capacidade de
transferência, a indústria adotou o novo padrão de módulo de memória, o DIMM
(dual in-linememory module). Com um enorme conector de 168 pinos ou 184 pinos
e um tamanho de 14 x 2,5 cm, as DIMMs variam em capacidade de 8 MB a 1 GB
por módulo e podem ser instaladas sozinhas (e não em pares). A maioria dos
módulos de memória do PC e os módulos para os sistemas Mac G5 opera com 2,5
volts, enquanto os sistemas Mac G4 mais antigos, em geral, usam 3,3 volts. Um
outro padrão, o módulo de memória RIMM (Rambus in-linememory module), é
comparável em tamanho e configuração de pinos à DIMM, mas usa um barramento
de memória especial para aumentar muito a velocidade.
Muitas marcas de notebooks usam módulos de memória proprietários, mas
vários fabricantes usam a memória baseada na configuração de módulo de
memória SODIMM (smalloutline dual in -linememory module). As placas SODIMM
são pequenas (aproximadamente 5 x 2,5 cm) e têm 144 ou 200 pinos. A capacidade
varia de 16 MB a 1 GB por módulo. Para conservar espaço, o computador Apple
iMac usa placas SODIMMs em vez das tradicionais DIMMs. Os notebooks menores
usam até mesmo DIMMs menores, conhecidas como MicroDIMMs, que têm 144 ou
172 pinos.

Existem dois tipos comuns de memória RAM: DRAM e SRAM.


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São as memórias do tipo dinâmico e geralmente são armazenadas em cápsulas


CMOS (ComplementaryMetal Oxide Semiconductor). É um tipo de memória de
acesso direto que armazena cada bit de dados num condensador ou Capacitor. O
número de elétrons armazenados no condensador dete rmina se o bit é considerado
1 ou 0. Como vai havendo fuga de elétrons do condensador, a informação acaba
por se perder, a não ser que a carga seja refrescada periodicamente. Aliás o nome
DRAM vem desta operação de refrescamento. A memória DRAM tem de
ser refrescada de forma dinâmica, constantemente, ou perde o que está guardando.
O aspecto negativo de todo esse refrescamento é que leva tempo e deixa a
memória lenta. Embora esse fenômeno da perda de carga não ocorra nas memórias
SRAM. Memórias desse tipo possuem capacidade alta, isto é, podem comportar
grandes quantidades de dados. No entanto, o acesso a essas informações costuma
ser mais lento que o acesso à memórias estáticas. As memórias do tipo DRAM
costumam ter preços bem menores que as memórias do tipo estático. Isso ocorre
porque sua estruturação é menos complexa, ou seja, utiliza uma tecnologia mais
simples, porém viável.
As células de memória são gravadas em uma pastilha de silício em uma série de
colunas (bitlines) e linhas (wordlines). O cruzamento de um bitline e um wordline
constitui o endereço da célula de memória;

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$c*˜ c ) c*c˜ c  c ) #cc

É o modelo mais antigo de método de transferência de dados de memória


posterior a outras memórias mais regulares, é usado em máquinas 486 e Pentiuns.
As memórias que utilizam este padrão são encontradas em velocidades de 80, 70 e
60 ns. O principal diferencial deste padrão esta no ciclo de acesso à memória. O
acesso começa com a ativação do sinal RAS, que seleciona a linha na matriz da
memória. Em seguida o sinal CAS é ativado selecionando assim a coluna de onde
se encontra o dado desejado. Nas próximas bus cas, o sinal RAS é mantido,
selecionando apenas a coluna. Isso faz com que os próximos acessos sejam mais
rápidos, pois a linha já é conhecida, por isso, leituras de dados seqüenciais
funcionarão bem neste método.

$c c) c-  c c c ) #cc

Tecnologia que permite à memória DRAM encurtar o caminho de transferência


de dados entre a memória e a CPU. Ela pode iniciar um novo acesso de uma nova
posição sem perder seu conteúdo anterior que fica armazenado em sua saída de
dados em uma memória secundaria. Este novo acesso pode ser iniciado antes que
o processador termine a leitura, dado, por isso o numero de ciclos para leitura é
reduzido. Isso só ocorre porque o dado anterior não será perdido, fazendo com que
o processador consiga recuperar os dados com segurança. A tecnologia utilizada é
a mesma da FPM. Seleciona-se primeiro a linha e após a coluna, contudo os sinais
não são estabilizados logo após a utilização impedindo que uma nova solicitação
seja feita. No caso da EDO, este tempo de espera de estabilidade dos sinais não
acontece, pois o novo acesso inicia antes mesmo da leitura do dado terminar
completamente.

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Tipo de memória EDO RAM que melhora sua velocidade por poder acessar sem
latência endereços contíguos de memória. Isto é possível, pois o próximo endereço
na memória a ser requisitado é o próximo endereço físico da memória. Este tipo de
memória pode ser considerado um tipo melhorado da memória do tipo EDO.

$c ) c./*/c ) #cc

Um novo tipo de Fast DRAM. Ela apresenta ótimos resultados e possui


performance para competir com as Srams. O tempo de acesso pode ficar entre 8 e
10ns. O que difere a SDRAM das memórias FPM e EDO é q quantidade de matrizes
de capacitores que ela possui. A SDRAM possui duas matrizes contra uma da
memória FPM e EDO. Com isso, a SDRAM se torna teoricamente 37,5% mais
rápida que a EDO e 75% mais rápida que a FPM. Esta tecnologia DRAM usa um
relógio sincronizado com o da CPU, eliminando assim atrasos de temporização e
também faz com que a recuperação de dados seja mais eficiente. Teoricamente
funcionaria a 124 MHz, porem não ultrapassa 83 MHz. Não são adequadas para
placas que usam barramento de 100 MHz. A SDRAM é construída com arquitetura
superescalar semelhante aos microprocessadores "pipeline d". Os chips SDRAM são
construídos em múltiplos e independentes blocos de acesso, proporcionando
acesso de um segundo bloco antes do fim de processamento do primeiro. Isto
incrementa drasticamente a performance da leitura e escrita na memória. Há vários
tipos de memórias derivadas da SDRAM. Dentre elas estão:

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São memórias com vários aperfeiçoamentos em relação a SDRAM, um deles é o
funcionamento estável em bus de 100 MHz. Com o surgimento da PC -100, a
SDRAM começou a ser chamada de PC-66. Há basicamente dois tipos de memória
PC-100. A diferenças esta na latência do sinal CAS (que mede quantos pulsos de
clock são necessários para ler um dado na memória). Existe as de 2 pulsos do clock
e as de 3 pulsos do clock de latência.

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Ou Memória de Acesso Aleatório Dinâmica de Taxa de Transferência Dobrada.


Este é um tipo de memória SDRAM que trabalha com transferência de dados de
duas vezes o ciclo do clock, que pode chegar a transferir 2,4 Gigabytes por segundo
da memória para o processador, e vice-versa, com o barramento de velocidade de
aproximadamente 200 MHz. As memórias DDR são muito similares às memórias
Sdrams convencionais. Seus pentes possuem 184 pinos, 16 a mais que as
memórias tradicionais, que possuem 168, Sua voltagem foi reduzida de 3.3v para
2.5v, o que, alem gerar menos calor, reduz o consumo, e a torna ideal para o
seguimento de Notebooks.
A memória DDR SDRAM alcança uma largura de banda maior que a da SDR
SDRAM por usar tanto a borda de subida quanto a de descida do clock para
transferir dados, realizando efetivamente duas transferências por ciclo de clock.
Com os dados sendo transferidos 8bytes por vez, a DDR SDRAM fornece uma taxa
de transferência de: [freqüência do barramento da memória] × 2 (pois é uma taxa
dupla) × [número de bytes transferidos]. Assim, com uma fr eqüência de barramento
de 100 MHz, a DDR SDRAM fornece uma taxa de transferência máxima de 1600
MB/s.
As frequencias de clock das memorias DDR são padronizadas pelo JEDEC.

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†  †  significa que o tráfego é de dois dados por pulso de
clock. O número ½ simboliza o conjunto de melhorias do novo padrão.
Várias confusões se devem à leitura de notícias antigas e especulações
anteriores ao lançamento das mesmas, e ao fato dos chips enviarem aos
buffers de saída da memória 4 dados à metade do clock real dos módulos.
Porém os módulos continuam sendo DDR, o que fica bastante claro quando
percebemos que as taxas de trasmissão máxima teórica se mantém. Uma DDR
e uma DDR2 possuem taxa de transmissão máxima e teórica de 3.2Gbps.
Ao contrário das DDR clássicas, no qual a terminação resistiva se localizava
na placa mãe, nas DDR2 o ODT está presente no próprio módulo, diminuindo
assim a interferência eletromagnética. Esta é uma das características que
permitem um desempenho maior desse modelo.
Os novos chips possuem mais subdivisões internas (banks, que não devem
ser confundido com outras definições de banco de memória). Agora são 4 ou 8
bancos, diferente do antigo padrão que possuia apenas 2 ou 4.
A subdivisão de chips é muito importante para a utilização de um técnica
chamada Bank Interleave. Como usamos memórias dinâmicas que precisam
ser recarregadas constantemente, durante o processo de recarga a memória
não pode ser acessada. Ao utilizarmos esta técnica quando acessamos um
banco (uma fração de chips), os outros bancos são recarregados (as outras
frações dos chips), minimizando assim a possibilidade de acesso a um banco
que esteja em processo de re carga.

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As memórias DDR são comumente encontradas nas freqüências de 266 MHz,


333 MHz e 400 MHz. Por sua vez, o padrão DDR2 trabalha com as freqüências de
400 MHz, 533 MHz, 667 MHz e 800 MHz (esses eram os tipos existentes até o
fechamento deste artigo). Na verdade, tanto no caso da memória DDR quanto no
caso da memória DDR2, esses valores correspondem à metade. A explicação para
isso é que ambos os tipo s podem realizar duas operações por ciclo de clock.
Grossamente falando, é como se a velocidade dobrasse.
Em relação à velocidade como um todo, é necessário também considerar o
"CAS Latency" (latência do CAS - ColumnAddressStrobe). Em poucas palavras,
trata-se do tempo que a memória leva para fornecer um dado solicitado. Assim,
quanto menor o valor da latência, mais rápida é a "entrega".
Nas memórias DDR, a latência pode ser de 2, 2,5 e 3 ciclos por clock. Nas
memórias DDR2, a latência vai de 3 a 5 ciclos de clock. Isso significa que, nesse
aspecto, a memória DDR2 é mais lenta que a DDR? Na prática não, pois as demais
características do padrão DDR2, especialmente seus valores de freqüência,
compensam essa desvantagem.
Há ainda um recurso nas memórias DDR2 que deve ser citado: o
AdditionalLatency (AL) ou "latência adicional". Esta é usada para permitir que os
procedimentos ligados às operações de leitura e escrita sejam feitos até "expirar" o
tempo da latência do CAS mais a latência adicional. É como se houves se um
aumento do prazo para tais operações. Assim, a medição da latência deve
considerar a soma desses dois parâmetros para se obter um total.

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A memória DDR2 conta com um recurso conhecido como On-DieTermination


(ODT). Trata-se de uma tecnologia que praticamente evita erros de transmissão de
sinal. Para compreender a utilidade disso é necessário conhecer a chamada
"terminação resistiva".
Os sinais elétricos sofrem um efeito de retorno quando chegam ao final de um
caminho de transmissão. Grossamente falando, é como se a energia batesse numa
parede no final de seu caminho e voltasse, como se fosse uma bola. Esse efeito
também pode ocorrer no "meio do caminho", por motivos diversos, como trechos
com impedância diferente. No caso das memórias, esse problema, conhecido como
"sinal de reflexão", pode significar perda de desempenho e necessidade de
retransmissão de dados.
Nas memórias DDR esse problema foi tratado através de um método que reduz o
sinal de reflexão por meio de resistores que são adicionados à placa -mãe. É desse
dispositivo que vem o nome "terminação resistiva".
No padrão DDR2, a terminação resistiva na placa-mãe não se mostrou eficiente,
pelas características físicas desse tipo de memória. Diante desse prob lema, foi
necessário estudar alternativas e então surgiu o ODT. Nessa tecnologia, a
terminação resistiva fica dentro do próprio chip de memória. Com isso, o caminho
percorrido pelo sinal é menor e há menos ruídos, isto é, menos perda de dados. Até
a placa-mãe acaba se beneficiando dessa tecnologia, já que um componente deixa
de ser adicionado, reduzindo custos de desenvolvimento. Esse é mais um motivo
pelo qual a memória DDR2 não é compatível com o padrão DDR.
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A memória DDR3é um padrão para memórias RAM que está sendo
desenvolvida para ser a sucessora das memórias DDR2 SDRAMë
Ela aparece com a promessa de reduzir em 40% o consumo de energia
comparadas aos módulos de memórias DDR2 comercializadas actualmente, devido
à sua tecnologia de fabrico de 90 [nanômetros] (90nm), permite baixas taxas de
operação de consumo e baixas voltagens (1.5 Volt, comparado com as DDR2 que
consomem 1.8V até 2.1V, ou as DDR´s comuns de 2.5V). Transístores " "
ou "portão duplo" serão usados para reduzir as taxas de consumo actuais.
As DDR3 apresentam um buffer de 8bits, onde as DDR2 usam 4 bits, e as DDR
2 bits.
Teoricamente, estes módulos podem transferir dados à taxa de relógio efectiva
de 400 a 800 MegaHertz ( MHz) (para uma largura de banda de relógio simples, de
800 a 1600 Mhz), comparadas com as DDR2 e suas taxas actuais de 200 a 625
MHZ (400 a 1250 MHz) ou DDR's e a sua taxa de 100 a 200 MHz (200 a 400 MHz).
Actualmente, tais requisitos de largura de banda têm sido do mercado das placas de
vídeo, onde vasta troca de informação entre os buffers é requerida, logo, a DDR3
pode ser uma boa escolha para os fabricantes de GPU.
Protótipos foram anunciados no ano de 2005. Supostamente, a Intel afirmou seu
anúncio preliminar de que espera estar preparada para oferecer suporte para as
DDR3 perto do fim do ano de 2007. Já a AMD em seus planos para o futuro indica
que adotará as memórias DDR3 no começo de 2008.
Em Agosto de 2006, a Samsung anuncia suas memórias DDR3, na qual seus
relógios vão de 800 a 1333 MHz. Também, promete que em 2007 chegará a uma
taxa de relógio de 1600 MHZ, transferindo a 25.6 GB/s. Em relação à capacidade de
armazenamento não houve tanto avanço, mantendo a capacidade entre os 256MB e
2GB.
As memórias GDDR3, com nome similar, mas com tecnologia totalmente
diferente, já estão em uso há anos nas melhores placas de vídeo conhecidos da
NVIDIA e ATI Technologies e são parte também do sistema de memória do Xbox
360 da Microsoft, e muitas vezes aparecem nestes casos referências incorretas às
DDR3.
è º ºº  º#cc
Esta tecnologia é desenvolvida pela empresa Rambus Inc., e é bastante rápida,
porém requer mudanças no controlador de memória e interface memória/sistema. A
RDRAM utiliza um canal estreito de alta largura de banda (bandwith), que chegam a
transmitir dados com uma velocidade 10 vezes maior que outra memória DRAM
padrão. Ela visa diminuir a falha de página na cache, fazendo com que o tempo de
espera diminua. Ela foi desenvolvida para funcionar com processadores de 1
Gbytes. Atualmente elas são utilizadas apenas em algumas máquinas de jogos e
em aplicações gráficas muito intensivas.

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A RAM estática usa uma tecnologia totalmente diferente. Na RAM estática, uma
forma de flip-flop contém cada bit de memória. Um flip -flop para uma célula de
memória utiliza 4 ou 6 transistores mais alguns fios, mas nunca tem de ser
refrescado. Isto torna a RAM estática significativamente mais rápida que a RAM
dinâmica. Entretanto, como ela tem mais componentes, ocupa também muito mais
espaço em um chip que uma célula de memóri a dinâmica. Portanto, você pode
ter menos memória por chip, o que torna a RAM estática muito mais cara.
A RAM estática é rápida e cara, enquanto a DRAM é mais barata e mais lenta. A
RAM estática é usada para se criar cache de velocidade compatível com a CPU,
enquanto a DRAM se constitui no grande sistema de memória RAM.
Originalmente, os chips de memória nos computadores de mesa (desktops) usavam
uma configuração de pinos chamada de encapsulamento em linha dupla (DIP - Dual
InlinePackcage). Esta configuração de pinos podia ser soldada em orifícios na
placa-mãe do computador ou encaixada a um soquete soldado à placa-mãe. Este
método funcionou muito bem enquanto os computadores operavam com alguns
megabytes ou menos de memória RAM. Mas como a necessidade de memória
cresceu, o número de chips buscando espaço na placa -mãe aumentou.
Tipos de SRAM :
$c)./*/c) c
Este tipo de SRAM começou sendo utilizada a partir do 80386. Memórias rápidas
porem utiliza wait states. Opera em freqüência acima de 33Mhz e tem tempo de
acesso de 20 a 12 ns.
$c./*/c[c) cc
Considerada o melhor tipo de memória SRAM para computadores de até 66Mhz de
freqüência de operação do barramento local. Isto ocorre, pois não necessitam a
utilização de wait states. Seu tempo de acesso esta entre 12 e 8,5 ns.
$c˜˜&/ c[c) cc
Este tipo se comunica com barramentos de até 133Mhz e não utiliza wait states.
Seu tempo de acesso esta entre 8 a 4,s ns.
Encapsulamentos de Memória
Quando falamos de encapsulamento de memória estamos nos referindo a forma
de como seus circuitos são construídos. A forma escolhida implicará na quantidade
de pinos que a memoria terá, a velocidade de acesso aos dados , no tamanho da
palavra etc. Com a evolução dos tipos de encapsulamentos, alguns tipos não são
mais utilizados para determinadas funções, contudo cada tipo tem sua utilidade.

A seguir, são mostrados os tipos de encapsulamento de memórias mais usados


nos PCs:

$c ˜c !c c& ˜


' # - Este tipo de encapsulamento é o mais antigo para
as memórias. Era utilizados em máquinas XT e 286. O material utilizado é o plástico
e a cerâmica que protegem o chip e facilitam a dissipação do calor. O chip era
soldados diretamente na placa mãe, ou em alguns casos, encaixados em soquetes
disponíveis na placa. Devido a este sistema de encaixe, esta memória trazia muitas
dificuldades de manutenção, chegando a impossibilitar a substituição de chips
danificados. Os encapsulamentos mais comuns possuem 14, 16, 18, 20, 22, 24, 28,
40 e 48 pinos que estão entre 5 e 15mm de largura e 20 a 50mm de comprimento.
Este tipo de encapsulamento como foi visto, é antigo, porem é utilizado ainda por
alguns circuitos integrados, mas não em memórias.
- ˜˜c  !c  c & c ˜ c ˜
' # - Este tipo de encapsulamento é uma
variação do DIP. A diferença é que o encapsulamento SIPP não é soqueteado nem
soldado na placa mãe. O SIPP possui circuitos integrados do tipo DIP associados
em conjunto e soldados em uma placa com 30 terminais. Este tipo te agrupamento é
conhecido como ³módulo ou pente de memória´, dei xando assim de ser chamado de
Chip de memória. Foram usados em 286 e nos primeiros 386;
-  c  !c  c &  "  !# - o encapsulamento SIMM é uma
evolução do padrão SIPP. Foi o primeiro tipo a usar um slot (um tipo de conector de
encaixe) para sua conexão à placa-mãe.
Existiram 2 tipos de Encapsulamento SIMM de acordo com o seu número de
pinos. São eles:
è  $cc
Este tipo melhora o sistema de encaixe do encapsulamento SIPP. Ao invés de
ser encaixado num soquete DIM, as memórias são encaixadas em um slot de 30
pinos. Esta placa representa os dados com 8 bits, devido a isso se faz necessário a
utilização de 4 placas de memória para representar um dado de 32 bits.
è  $2cc
Este tipo aumenta o numero de pinos do encapsulamento SIMM -30. Passa de 30
para 72 pinos. Com este aumento, cada memória pode representar dados de 32
bits, com isso, utilizando apenas uma placa de memória, os sistemas baseados em
486 podem funcionar. Já para os Pentiuns, são necessárias duas placas para
representar 64 bits.
è  c  !c c& c "c  !#cc
Esse é o padrão de encapsulamento que surgiu após o tipo SIMM. Muito utilizado
em placas-mãe de processadores Pentium II, Pentium III e em alguns modelos de
Pentium 4 (e processadores equivalentes de empresas concorrentes), o padrão
DIMM é composto por módulos de 168 pinos. As memórias DIMM estão divididas
basicamente em dois tipos: as SDRAM-SDR (Single Data Rate) e SDRAM-DDR
(Double Data Rate). São classificadas também de acordo com a quantidade de vias
que possuem, por exemplo, a SDRAM-SDR que possui 168 vias e a SDRAM-DDR
que possui 184 vias. Ao contrário das memórias SIMM, estes módulos possuem
contatos em ambos os lados do pente, e daí lhes vem o nome (DIMM é a sigla de
Double Inline Memory Module). São módulos de 64 bits, nao necessitando mais
utilizar o esquema de ligação das antigas SIMM's, a paridade.
Os pentes de memória DIMM empregam um recurso chamado ECC
(ErrorCheckingandCorrection - detecção e correção de erros) e tem capacidades
mais altas que o padrão anterior: de 16 a 512 MB. As memórias do tipo SDRAM
utilizam o encapsulamento DIMM.
 c(c c
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É uma memória intermediária entre a memória RAM e o processador.
A memória cache surgiu quando se percebeu que as memórias não
conseguiam mais acompanhar a velocidade do processador fazendo com que
às vezes este tivesse que esperar por dados da memória RAM para então
continuar a trabalhar.
Se a situação já era complicada na época dos computadores mais
antigos, pode-se imaginar como estariam as máquinas de hoje em dia se uma
solução não fosse encontrada.
A memória cache veio para solucionar este problema, pois é um tipo de
memória extremamente rápida a qual armazena os dados usados com maior
freqüência pelo processador. Dessa forma o acesso à memória RAM, muito
mais lenta se comparada à cache, é feito com menor freqüência, melhorando
muito o desempenho do computador.
Sempre que executamos um programa, ele utiliza algum espaço na
memória cache para melhorar o tempo de resposta. No entanto, ao
encerrarmos os aplicativos, nem sempre eles liberam o espaço que estava
send usado NA MEMÓRIA. Ao fazer a limpeza de cache, os dados que não
estão sendo mais usados são apagados, liberando o espaço para que outros
aplicativos possam utilizar a memória.
Tipos de memória Cache:
è 
%&!c
Uma pequena porção de memória estática presente dentro do processador.Em
alguns tipos de processador, como o Pentium 2, o L1 é dividido, em dois níveis:
dados e instruções, que "dizem" o que fazer com os dados. A partir do Intel 486,
começou a se colocar a L1 no próprio chip [processador]. Geralmente tem entre
16KB e 512KB. O AMD Semprom 2600+ possui 64KB de cache L1;
è 
%&c
Possuindo o Cache L1 um tamanho reduzido e não apresentando uma solução
ideal, foi desenvolvido o cache L2, que contém muito mais memória que o cache
1.Ela é mais um caminho para que a informação requisitada não tenha que ser
procurada na lenta memória principal.Alguns processadores colocam essa cache
fora do processador, por questões econômicas, pois uma cache grande implica num
custo grande , mas há exceções, como no Pentium II, por exemplo, cujas caches l1
e l2 estão no mesmo cartucho que está o processador;
è 
%&c
Terceiro nível de cache de memória. Inicialmente utilizado pelo AMD K6 -III (por
apresentar o cache L2 integrado ao seu núcleo) utilizava o cache externo presente
na placa-mãe como uma memória de cache adicional. Ainda é um tipo de cache
raro. Ainda, pois a complexidade dos processadores atuais, com suas áreas
chegando a milhões de transístores por micrômetros ou picômetros de área, ela
será muito útil.

 c( c c  cc


#
A memória secundária ou memória de massa é usada para gravar grande
quantidade de dados, que não são perdidos com o desligamento do computador,
por um período longo de tempo. Exemplos de memória de massa incluem o disco
rígido e mídias removíveis como o CD-ROM, o DVD, o disquete e o pen drive.

 c(c c !c


A memória virtual é um recurso que permitem ao processador usar o disco
rígido para gravar dados caso a memória RAM se esgote.Utilizando este recurso,
mesmo que a memória RAM esteja completamente ocupada, o programa será
executado, porém muito lentamente, devido à lentidão do disco rígido. Devido a
essa cópia de dados acontecer automaticamente para o HD, os usuários não
percebem o que está acontecendo. É como se a máquina tivesse espaço de RAM
ilimitado, mesmo que só disponha de 32 megabytes instalados. Isso também traz
grande benefício econômico, uma vez que esse espaço no disco rígido é muito mais
barato do que os chips da memória RAM.
A velocidade de leitura/escrita de um disco rígido é muito mais lenta do
que a da RAM, e sua tecnologia não é ajustada para acessar pequenas quantidades
de dados de cada vez. Se o seu sistema depende muito da memória virtual, você
notará uma queda significativa no desempenho. A chave é ter RAM suficiente para
lidar com tudo isso simultaneamente assim, o único momento em que a lentidão da
memória virtual é observada é quando existe uma pequena pausa na mudança de
tarefas. Quando é este o caso, a memória virtual é perfeita.
Porém, quando não é este o caso, o sistema operacional terá que trocar
constantemente informação entre a RAM e o disco rígido. Isso é chamado de
thrashing (degradação), e pode deixar seu computador incrivelmente lento.
A área do disco rígido que armazena a memória RAM é chamada de
arquivo de paginação (page file). Ela armazena páginas da RAM no seu disco
rígido, e o sistema operacional move os dados sucessivamente entre o arquivo de
paginação e a RAM. Em uma máquina com o Windows instalado, o arquivo de
paginação usa a extensão swp.

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Podemos concluir que as memórias, além de necessárias para o
armazenamento e processamento de dados, são muito importantes para o
funcionamento do computador. E, com o avanço da tecnologia, a tendência é de
que o tamanho físico das memórias diminua cada vez mais e aumente a capacidade
de armazenamento.

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è Sites acessados em 14 e 15/11/2010.
è http://www.ufpa.br/dicas/mic/mic-memo.htm
è http://www.clubedohardware.com.br/dicionario/termo/355
è http://www.clubedohardware.com.br/dicionario/termo/226
è http://www.clubedohardware.com.br/dicionario/termo/151
è http://www.clubedohardware.com.br/dicionario/termo/239
è http://www.clubedohardware.com.br/dicionario/termo/94
è http://www.clubedohardware.com.br/dicionario/termo/69
è http://www.clubedohardware.com.br/dicionario/termo/93
è http://www.dinx.com.br/2009/08/diferenciando -os-tipos-de-memorias-
rom-ram-secundarias/
è http://www.baixaki.com.br/tecnologia/831 -libere-a-memoria-cache-de-
seu-computador-com-facilidade.htm
è www.guiadohardware.net/termos/ memoria-cache
è www.guiadohardware.net/tutoriais/ memoria-flash/
è http://www.gdhpress.com.br/hmc/leia/index.php?p=intro -3
è http://fabiovsmelo.blogspot.com/2007_10_01_archive.html
è http://informatica.hsw.uol.com.br/memoria -virtual.htm
è http://informatica.hsw.uol.com.br/cache1.htm
è http://informatica.hsw.uol.com.br/memoria -do-computador1.htm
è http://informatica.hsw.uol.com.br/memoria -do-computador3.htm
è http://informatica.hsw.uol.com.br/memoria -rom1.htm
è http://pt.wikipedia.org/wiki/Computador#Mem.C3.B3ria_prim.C3.A1ria
è http://pt.wikipedia.org/wiki/Cache
è http://pt.wikipedia.org/wiki/Mem%C3%B3ria_flash#Sistema_de_Arquiv
os_Flash
è http://www.infowester.com/processadores1.php
è http://www.clubedohardware.com.br/artigos/158/2
è http://informatica.hsw.uol.com.br/memoria -ram1.htm
è http://www.infowester.com/processadores1.php
è http://ossegredosdainformatica.blogspot.com/2009/07/qual -e-funcao-
desse-componente-parte-7.html

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Audicéia de Jesus Florentino
Rejane Andreza Oliveira
Thaís PlatanaOrtigoza

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