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Intro Duca o
Intro Duca o
Controle e Automação I
http://www.dee.feis.unesp.br/docentes/?id=105
Prof. Dr. Flávio Alessandro Serrão Gonçalves
E-mail: flavioasg@sorocaba.unesp.br
Resistividade (ρ)
• Condutor: ρ = 10-6 Ω-cm (cobre)
l
• Isolante: ρ = 10+12 Ω-cm (mica) R=ρ
• Semicondutor: ρ = 50 Ω-cm (Germânio) A
ρ = 50x103 Ω-cm (Silício)
Materiais Semicondutores
• Materiais Semicondutores
– Evolução da Fabricação de Materiais Semicondutores
• Alto grau de pureza (1: 10 bilhões).
• Inserção de impurezas (1:1 milhão) em uma wafer de silício:
– Transformar condutor ruim em ótimo;
– Dopagem: processo de fabricação que altera as características do
material, por meio da modificação da pureza pela inserção de outros
componentes “impurezas”) ;
• Boro ou Alumínio : 3 átomos na camada de valência;
• Fósforo: 5 átomos na camada de valência;
– Germânio e Silício
• Materiais com estruturas cristalinas singulares;
• Átomos tetravalentes : possuem 4 elétrons na camada de valência;
• Dopagem Æ Materiais do tipo P e do tipo N;
Ligações: Material do tipo P e Material do tipo N
Ge
Si
Ga As
Si C
Trabalho 1: Pesquisar e entregar um comparativo das principais
características, intensidade de utilização e aplicações.
Diamante
Formato: 1 Folha Æ Sugestão Tabela
V
INTERRUPTOR IDEAL (S)
• Tempos de comutação nulos (entrada em condução e bloqueio instantâneo);
• Resistência nula em condução;
• Resistência infinita quando bloqueado.
I I
Operação em dois quadrantes
Operação em um quadrante com corrente bidirecional
♦ Diodos (bloqueio reverso) ♦ MOSFET
♦ SCR (bloqueio direto) ♦ SCR + diodo em anti- V
V
♦ Transistor Bipolar paralelo
♦ IGBT ♦ IGBT + diodo em anti-
paralelo
♦ Transistor Bipolar + diodo
em anti-paralelo
I I
Operação em dois quadrantes
com tensão bidirecional Operação em quatro
quadrantes
♦ SCR (bloqueio direto e
reverso) V ♦ Arranjo de diodos com V
♦ Transistor Bipolar + diodo transistores bipolares
em série
Interruptor para Operação em Quatro Quadrantes
Implementações:
1 1
1
i i ii
11 l + +
+ i
(-)
(-)
v v v
v
(+)
(+) - - -
0 0 0 0
Evolução temporal dos principais
dispositivos semicondutores
MOSFETs Silicon-Carbide
MCTs
IGBTs
MOSFETs
BJTs
1950 60 70 80 90 2000 10
Aumento da potência
107
106 IGBT
POTENCIA (V·A)
MCT
105
104
103 MOSFET
102
1980 84 88 92 Ano
Potência (versus) freqüência
SCR
107
106
POTENCIA (V·A)
105 GTO
104
Potência
Controlável 10
5
[kVA]
SCR
10 4 SCR : Silicon Controlled Rectifier
GTO GTO : Gate Turn-off Thyristor
MCT : MOS Controlled Thyristor
MCT SI Thy SI Thy : Static Induction Thyristor
10 3
BPT : Bipolar Power Transistor
IGBT : Insulated Gate Bipolar
IGBT Transistor
10 2
MOSFET : MOS Field-Effect
Transistor
BPT
10 1
MOSFET
10-1
10 -1 10
0
10 1 10
2
10 4 10 5 10 6
Freqüência de Operação [kHz]
i v
A C
Cátodo (C)
Característica Volt-Ampère
i Polarização Direta (Condução)
Polarização
R VS
Direta
1
rT redução da resistência da região de depleção
VRRM IR
v
V(TO)
Polarização A C
Reversa
Injeção de portadores minoritários
Características Dinâmicas do Diodo de Potência
v(t)
VFP
Onde: t
VS
VFP: Máxima tensão direta na
Bloqueio
entrada em condução indutivo
ton Qr
Tipos de Diodos de Potência
Tensão em Tempo
Componente Máxima Tensão Corrente Média
Condução Recuperacão
Diodos Rápidos
1N3913 400 V 30 A 1,1 V 400 ns
SD453N25S20PC 2500 V 400 A 2,2 V 2 μs
Diodos
Ultra-rápidos
MUR815 150 V 8A 0,975 V 35 ns
MUR1560 600 V 15 A 1,2 V 60 ns
RHRU100120 1200 V 100 A 2,6 V 60 ns
Diodos Schottky
MBR6030L 30 V 60 A 0,48 V
444CNQ045 45 V 440 A 0,69 V
30CPQ150 150 V 30 A 1,19 V
Transistor Bipolar De Potência (BPT)
Base Emissor
(B)
Base
(E)
Emissor
♦Região Ativa:
Boa regulação de corrente e
elevadas perdas em condução.
♦Região de Corte:
IB = 0
♦Em condução:
IB > IC / β
IC
β : Ganho de Corrente IB
I Csat
βF : Ganho forçado
I Bsat
♦Região Quase-Saturação
Reduzido valor de VCE em condução.
Para IB ≥ IBsat e IC ≤ ICsat
Garante-se que: VCE ≤ VCEsat. ♦Região de Forte-Saturação
Operação com: βF de 5 a 10. Elevados tempos envolvidos durante o
O ganho β reduz rapidamente para elevadas bloqueio (aumento tempo “estocagem”).
correntes.
♦Como interruptor: Região de quase-
saturação (em condução) e corte (bloqueio).
Limites de Operação Segura para o BPT
• Carga Resistiva
vCC
RL
iC(t)
+
iB(t) RB
vCE(t)
+
vS(t) vBE(t) - -
+
-
(1) Bloqueio
(2) Atraso de entrada em condução (carga
capacitância base-emissor)
(3) Tempo de subida da corrente.
(4-5) Em condução
(6) Atraso do bloqueio (Tempo de “estocagem”)
(descarga da capacitância base-emissor).
(7) Tempo de descida da corrente
(8-9) Bloqueado ....
• Extração de corrente reversa de base reduz o
tempo de “estocagem”. ton t o ff
Conclusões Gerais para o BPT
Q1
Q2
D
E
O MOSFET de Potência
(G)
Gate
Fonte
(Source)
(S)
Característica Volt-Ampère
• Entrada em Condução
VGS >> VGS(th)
tipicamente: 10 ≤ VGS ≤ 20
• Bloqueio
VGS < VGS(th)
• A resistência em Condução
(RDSon) possui coeficiente de temperatura
positivo, facilitando a operação em paralelo
de MOSFETS.
• Região ôhmica: Região de interesse para
operação como interruptor.
• Circuito de Comando, com características
• Região Ativa: Regulação de corrente melhor de fonte de tensão, mais simples do que
do que o BPT. aqueles para o BPT (comando com carac-
terísticas de fonte de corrente).
• Região Corte: VGS < VGS(th)
- VGS(th), tensão (G-S) mínima para entrada
em condução.
Características Dinâmicas para os MOSFETs
Gate cDS
Cgs VDS
10% 90% (VDD)
ID
(VDD)
ID VDS(on)
90% 10%
(S) tr tf
td(on) ton td(off) toff
Coletor
Características Estáticas e Dinâmicas do IGBT
Características Estáticas VGE Características Dinâmicas
90%
IC
t • td(off): Retardo no bloqueio
90% 90% corrente
de cauda
• tf: Tempo de descida de IC
10% 10%
td(off)
tic tfc
t Obs: A corrente de cauda pode
td(on) tr tf envolver 20% de toff, limitando
ton toff o aumento da freqüência de
operação.
• Comando com características de fonte
V
de tensão (similar ao MOSFET) v A (t)
CE
Módulos
CM400HA-12E 600 V 400 A 2,7 V 0,3 μs
CM300HA-24E 1200 V 300 A 2,7 V 0,3 μs
• As aplicações para o IGBT normalmente encontram-se para elevados níveis de tensão VCE (500 a 1700 V)
e elevadas potências (1-1000 kW), 1998.
•IGBTs com coeficiente positivo de temperatura facilitam o paralelismo.
•IGBTs com coeficiente negativo de temperatura apresentam reduzidas perdas em condução.
•Circuitagem de controle muito simples (similar aos MOSFETs).
•Mais lentos do que os MOSFETs, contudo, mais rápidos do que os BPTs, GTOs e SCRs.
•Freqüências típicas de utilização: Comutação dissipativa: 3-30 kHz
(1998) Comutação não dissipativa: até 200 kHz
TIRISTORES (Diodo PNPN, SCR, TRIAC, DIAC, GTO)
Definição IEC: Tiristor é qualquer dispositivo semicondutor biestável, contendo três ou mais
junções (P-N), com capacidade de conduzir ou bloquear uma corrente num ou nos dois sentidos.
I
T1
T2 P+ N P N+
A C
(C) Cátodo
C
de volts.
Polarização
• IBO : ordem de centenas de μA. Inversa
Q2
Q1
Q2
Gate (G) Q1 Gate
vAC
E 90% E IRM
10% E t E2
td tf
E2 +ΔV
ton
baixas freqüências.
t
O Triodo CA (TRIAC)
O TRIAC
Circuito Equivalente
Tp2
Símbolo
Terminal G2
Principal 2 SCR1
(Tp2) Construção Básica
G1 SCR2
Tp2
Gate
Tp1
(G) Terminal
Principal 1 N
P
N
P
Tp2
• O TRIAC permite o controle de N N
SCR1 G
corrente nas duas direções.
P N G2
G1 N P Tp1
P N
• Equivalente à dois SCRs conectados N P
SCR2
em anti-paralelo.
Tp1
O TRIAC
-VD -VH
+VH +VD V
• V ≥ VD → Condução
-IH
• Permite corrente nos —I>0 (1o Quadrante)
dois sentidos. Operação
• V ≤ -VD → Condução 3o Quadrante
O GTO: Tiristor especialmente projetado de modo que a corrente de gate possa alterar de modo
apreciável a corrente de manutenção (IH), permitindo o bloqueio pelo gate.
O processo de entrada em condução é análogo ao SCR.
(A) Ânodo
I
(G)
Gate
Cátodo
(C)
Dispositivos
Diodo Potência BPT MOSFET IGBT SCR GTO
Característica de Ataque ----- Em corrente Em tensão Em tensão Em corrente Em corrente
Potência envolvida no Média para
----- Muito Baixa Muito Baixa Média para Elevada Elevada
comando Elevada
Complexidade do Circuito
----- Elevada Muito Baixa Muito Baixa Baixa Elevada
de Comando
Média para Média para
Densidade de Corrente Média Elevada para Baixa Elevada Elevada
Elevada Elevada
Máxima Tensão
Média Média Média para Baixa Média para Elevada Elevada Elevada
Suportável
Média para
Freqüência de Operação Baixa para Média Elevada Média para Baixa Baixa Baixa
Elevada
Perdas nas comutações Baixa para Média para
Muito Baixa Média para Elevada Elevada Elevada
(circuitos convencionais) Média Elevada