NP202 : Eletrônica Analógica I - 1º Semestre de 2013

Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto

3.1.4
3.1 – – Ponto Quiescente
Princípio de funcionamento (polarização)
RETA DE CARGA e PONTO DE OPERAÇÃO

Modelo
Exponencial

Curva característica

(Ponto de Operação)
E  VD  IDR
Reta de carga
E
VD  0  ID 
3 – DIODOS

R
ID  0  VD  E

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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3.1.5
3.1 – – Resistência
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
RESISTÊNCIA ESTÁTICA OU cc : RD

PONTO DE OPERAÇÃO OU
PONTO QUIESCENTE

IDQ Q

VDQ
RD 
IDQ
3 – DIODOS

VDQ
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3.1.5
3.1 – – Resistência
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
Exemplo 1.1: Para o diodo cuja curva característica é mostrada abaixo, determine
os valores da resistência estática para ID= 2 mA, ID = 20 mA e para VD= -10 V.
3 – DIODOS

Respostas
RD [Ω] 250
RD [Ω] 40

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

RD [MΩ] 10
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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3.1.5
3.1 – – Resistência
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
RESISTÊNCIA DINÂMICA OU ca: rd

CURVA
CARACTERÍSTICA
Ao ser submetido a uma Corrente
DO DIODO Alternada, superposta a uma Corrente
Contínua, o diodo apresenta um valor de
resistência que depende da variação da
TANGENTE A tensão e da corrente em torno do Ponto
CURVA de Operação. Esta resistência,
denominada Resistência Dinâmica (rd),
pode ser obtida por:

VD
3 – DIODOS

rd  Q
ID
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3.1.5
3.1 – – Resistência
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
RESISTÊNCIA DINÃMICA OU ca: rd

Curva característica
ID
Reta tangente a curva no ponto Q
VD
Ponto de Operação: Q (Quiescente)
ID2

Q
Q
I ID
Q
ID1 VD2  VD1
rd 
VD1 VD VD2 ID2  ID1
3 – DIODOS

VD2
VD
VD1 VD

rd 
ID
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3.1.5
3.1 – – Resistência
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
Exemplo 1.2: Para o diodo com as características abaixo, determine rd para ID = 2
[mA] e para ID = 25 [mA].

ΔVd2 = 0,80 - 0,78 = 0,02 [V]

3 – DIODOS

Respostas
rd [Ω] 27,5
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
ΔVd1 = 0,76 - 0,65 = 0,11 [V] rd [Ω] 2
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3.1.5
3.1 – – Resistência
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
RESISTÊNCIA DINÂMICA OU ca: rd

A partir da equação da curva característica temos:

q q
VD dI D q VD dI D q
ID  IS  e kTK η
 IS    IS  e kTK η
   ID
dVD kTK η dVD kTK η
I

dV D kT K η
rd  
dI D qI D
3 – DIODOS

26 mV  52 mV 
rd  rd 
IDQ mA  IDQ mA 
η 1;Tk  Tamb η 2;Tk  Tamb
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3.1.5
3.1 – – Resistência
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
Exemplo 1.3: Repita o Exemplo 1.2, a partir da equação da curva característica.

A diferença entre o método

gráfico e o analítico, na prática
em torno de 0,1 a 2 [Ω], se
deve à resistência do material
semicondutor (resistência de
corpo) e ao encapsulamento
do diodo (resistência de
contato).
3 – DIODOS

Respostas
rd [Ω] 26
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e rd [Ω] 1,04
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3.1.5
3.1 – – Resistência
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
RESISTÊNCIA ca MÉDIA: rav

ID

ID
VD
rav 
ID pt a pt
3 – DIODOS

VD
VD
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3.1.5
3.1 – – Resistência
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
Exemplo 1.4: Determine rav para o diodo cuja curva característica é mostrada
abaixo, na região compreendida entre ID igual 2 e 17 [mA] .

ΔId = 17 - 2 = 15 [mA]
3 – DIODOS

Respostas
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky rav [Ω] 5
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
ΔVd = 0,725 - 0,65 = 0,075 [V]
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3.1.6
3.1 – – Capacitância
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
CAMPO ELÉTRICO ENTRE PLACAS PARALELAS

Área da placa de metal (A)

Distância (d) Diferença de

potencial (V)

Linhas do campo elétrico

3 – DIODOS

Material dielétrico
de permissividade ε

Campo Elétrico entre Placas paralelas separadas por

duas Placas paralelas um material dielétrico
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3.1.6
3.1 – – Capacitância
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
CAPACITÂNCIA

Placa metálica de área A

Q A
d C 
V d
Dielétrico de permissividade 
3 – DIODOS

 1
Modelo para regime permanente senoidal: XC   j
2π  f  C
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3.1.6
3.1 – – Capacitância
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
CAPACITÂNCIA DE TRANSIÇÃO : CT

Na polarização reversa temos a CAPACITÂNCIA

DE TRANSIÇÃO : CT
d

- - + +
A(-) C(+)
P
-
-
-
-
+
+
+
+ N
anodo - - + + catodo
3 – DIODOS

Região de depleção ou transição  dielétrico

A
C 
d  potencial reverso =>  d =>  CT
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3.1.6
3.1 – – Capacitância
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
CAPACITÂNCIA DE DIFUSÃO : CD

Na polarização direta prevalece a CAPACITÂNCIA

DE DIFUSÃO : CD
A C
P N

VD - VBP
3 – DIODOS

-
+ ID = Imaj - Is
 Id =>  CD
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3.1.6
3.1 – – Capacitância
Princípio do Diodo
de funcionamento (polarização)
COMPORTAMENTO DA CAPACITÂNCIA DO DIODO

C (pF)
CT ou CD

10
A C

5 CD

CT
3 – DIODOS

VD

Para C fixa:  f => XC

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Instituto Superior para Tecnologias da Informação e Comunicação - ISUTIC
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3.1.7
3.1 – – Tempo de
Princípio de recuperação reversa
funcionamento (trr)
(polarização)
TEMPO DE RECUPERAÇÃO REVERSA

t1  instante no qual ocorre a

comutação(ligado p/ desligado)

Idireta Comutação ideal (desejada)

ts  tempo de armazenamento
3 – DIODOS

Ireversa tt  tempo de transição

trr  tempo de recuperação reversa
ts tt
trr = ts+ tt
trr
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3.1.7
3.1 – – Tempo de
Princípio de recuperação reversa
funcionamento (trr)
(polarização)
3 – DIODOS
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3.1.8
3.1 – – Folha dededados
Princípio (DATA SHEET)
funcionamento (polarização)
FOLHA DE ESPECIFICAÇÕES DO DIODO

Normalmente apresentada pelos fabricantes em duas formas: através de

uma folha com uma breve descrição das especificações básicas ou através
de gráficos, desenhos e tabelas com especificações completas.
Dados específicos que devem ser apresentados:
1 – Tensão direta VF (em corrente e temperatura específicas);
2 – Corrente direta máxima IF(av) (a uma temperatura específica), IFRM, IFSM;
3 – Corrente de saturação reversa IR (a uma tensão e temperatura
específicas);
4 – Tensão reversa nominal VBV (a uma temperatura específica);
5 – O valor máximo de dissipação de potência a uma temperatura
3 – DIODOS

específica;
6 – Valores de capacitâncias intrínsecas;
7 – Tempo de recuperação reversa trr;
8 – Faixa de temperatura de operação.
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3.1.8
3.1 – – Folha dededados
Princípio (DATA SHEET)
funcionamento (polarização)
3 – DIODOS

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3.1.8
3.1 – – Folha dededados
Princípio (DATA SHEET)
funcionamento (polarização)
3 – DIODOS

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