Considere a fonte de comente do citeuito da fig. 3.1, em que os MOSFETs tém K;=2,5 mA/V", K:=0,5 mAV", V,=-1V eV yas = 100 V. Lembre-se que, na regio de saturagio dos MOSFETS. ip = K (vos~ V9)" e que re= Va In. 8) Determine a corrente ea resisténcia de saida da fonte, Re Considere agora o cireuito da fig. 3.2, que utiliza uma fonte de ccomtente do tipo da analisada na alines anterior. Os BETS tém B= 200 V4 5y= 100 V. Lembre-se que, na regio activa dos BIT, Baw le/ Ves y= B/ Bae Fo= Valle bb) Caleule as correntes e tensdes continnas dos transistores. ATENCIO = Indepencentemente dos valores obrides na alinea b), tome para as alineas seguintes Icy = 0,15 A e Ioy=0,5 MA. (6). Determine os valores das resistencias de entrada de saida,R, eR, (ver fig. 3.2), 4) Calcule o valor do ganho de transcondutancia com a saida lo/% Para pequenos sinais e médias 16) Explique o que &0 efsito de modulagio da largura de base (ou de Early) qual é a sua consequéncia pritica Considere agora o esquema do amplificader desenhado abaixo e supouha que: + para o MOSFET de enriquscimento, canal p, ¥;=-2 V. K'= 0.58 mAN*e = 02. Recorde que. na 2008 de Samurago,aconente no MOSFET € daa por jp -K vas ~ Vai Gauws ~2 (Kl) + para o BIT, B = 100 = guar. com guarr=lo/ Vr Suponta ainda que, para ambos os tansisiores, pode considera r=" 8) Calculeas tenses e corentes continua, em todos 0 nds te ramos do site, ATENGIO. Nas alineas seguintes, suponha que guar=50mAV Snags =0.5 MAI @ ignore oefeito de corpo, 1) Caleule o valor do ganho, para pequenos sinais e médias Arequéncias, 4y=¥5/%5. ©) Determine os valores das resisténcias de entrada e de saida, Ry ¢ Ry CConsiderando agora o efeito de corpo: 44) Explique esse efeito. ©) Desenhe o esquema equivalente para sinal do andar de amplificasao coustiuido pelo MOSFET, substituindo-o pelo esquema em x e tendo em consideragao o efeito de corpo. 1) Caleule o novo valor do ganho ena tensio desse andar. 2). Calcule o valor minimo da amplitude de um sina sinusoidal na entrada que leva o MOSFET a entrar na regio designada por “triodo”, Justifique‘3. Considereo amplificador da fig. 3, em que os parimetes do MOSFET sto ¥;=-1'V e K=0.16mAV*, ¢ para 0 BIT. = 100. Revorde que, ua zona de satuagdo, a cosente no MOSFET € dada por ip =K (res- V7)" que Sa =2 (KI)! e que ara o BIT, B= g47-.c0m gq =le/ Vee Ve= 25 mV. Suponha que, para ambos, V= 4) Calcule as corentes¢tensdes continuas, nos virios ramos ¢ més do circuit. av ATENCAO : Nas alineas seguintes, independentemente dos valores ‘obtidos ma alinea anterior, suponhia que 1;=0,1mA ¢ 02230 MAY. 1b) Determine o valor maximo da resisténcia Roy por forma que © transistor T, se mantenha saturado, ©) Desenhe o esquema equivalente do eircuito para pequenos sinais de médias frequéncias e calcule os valores do ganho de tensto, v5 / ye daresisténcia de saa R, es 4) Considere agora que retira 0 condensador da fonte de Ty, eujo substrato esta ligado a + 12 Ve que 7, = gns/ m= 0.1. Desenkie 0 esquema equivalente para sinal do primeiro ‘andar (tmsistor T) ¢ determine o novo valor do Seu ganho, no ignorando o efeito de corp. ©) Explique, para 0 BIT, em que consisteo efeito de modilagao da largura da base e desenkie um grifico que ponha em evidéncia o significado da tensdo 7, dita tensio de Early 3. 0 amplificador representado na fig. 3 comesponde ao andar internéstio dum AmpOp. Em todo este problema, adiita que © AmpOp esta realimentado por forma a garantr a estabilizagio dos pontos de funcionamento de todos os tansstores, O transistor T; faz parte de uma fonte de coente (em espelho) que impde wma corrente de 05 mA. Considere para todos os transstores. = 200, Vynp=50°V path Ty € Vayu = 100 V para Ty € Ts. Recorde ve, B= go Fe, Com gw = Je/ Vre Ve= 25 mV. 4) Caleule as correntes e tensdes continua, nos varios ramos € nés, do cireuito, considerando que a tensto na saida, imposta pelo andar seguinte, & -1,4V e que a comente a este fomecida € esprezavel. Admite, como habitualmente, que as jungdes de ‘emissortém uma tensdo de 0.7 V, by Calcul a resisténeia de saida do ciccuito, Para este efeito,admita «que a base de Ty pode ser consierada una massa virtual para sinais. Considete também que a resistencia vista para montane da base de T, vale 6 MO (ver figura). 6) Determine os valores da resistencia de entrada do cizcuito e do sgambo de tensio, v/v, Cousidere que a esisténcia de entrada do andar seguinte €4 MO (ve igus). 4) Tendo em conta os baixos valores das comentes nos transistores, considerar que Var= 0.7 V pode ser uma aproximagdo grosseira. Determine 0s Valores reais de Var para Ty e Ts, admitindo que ie= 10" A. Recorde que Jo Igexp ae V9. shy 4. Considere o amplificador da fig. 4, em que os parimetros dos MOSFETs silo F;=1.5 V. K=0.25 mA/V2, V,=30V e 7 = gqi gu = 01. Recorde que, na Zona de saturagio, @ comente no MOSFET € dada por ¥ (as- Me que gq = 2 Ko) + a) Caleule as correntes ¢ fensdes continnss, nos vérios ramos e ns do circuit, D) Considere agora Z21-mA, independente do que obteve na alinea anterior. Desene 0 esquema equivalente do citeuito para pequenos sinais de médias frequencias e calcul 0 valor do ganho de tensa0, 14/¥ Considerando o efelto de corpo se for caso disso justificando, -ny,1. Consiere o amplificador da fig. 1, cujos tansstres tem Pp 100, Recorde we, 18) Desene esquems equivalente do ctcuito, para sins, sem substinir os transisioes pelos seus modelos caleule as resisténclas de entrada e de sida, 8, eR, indicadas na figura, Calcule © guuho de tensio, v,/, . parm pequenos sinals de médias fequéncias. (9) Addmita agora que o transistor Ts tem 7 100 V. Determine a resisténcia vista para dentro do colector de T; ¢ obtenha © nove valor da resisigncia de sai, R, Comente, € T, so NMOS de ‘SOV. Lembrese que 4 Isv, ATENCAO : Nas alineas seguintes, independentemente dos ‘valores obtidos na aliuea anterior, supouha que fj. =0.l mA. Go12= 02 MANY. 1b) Desene o esquema equivalente do cireuito, para sina, sex substtuir 0s tansistores pelos seus modelos e detemine, &s dias frequéncias. 0 ganho de tensdo do transistor Ty. ©) Determine © ganho de fensio do transistor T;, is médias frequéncias, tendo em atensio efeite de coxpo eo fact de Vso init Juv