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Conliguraçóo de Circuitos
Características do transistor
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iW^^l I o Circuitos Práticos
MANUAL DE TRANSISTORES
MANUAL DE
TRANSISTORES
CARACTERÍSTICAS BÁSICAS
RENATO ANDRADE
EDIÇÕES DE OURO
DIREITOS RESERVADOS
MCMLXV
Publicado e impresso por
TECNOPRINT GRÁFICA
RIO DE JANEIRO, GB.
... feição gráfica cada vai melhor
... vem também procurando impel*
mir aos seus lançamentos um nível
cultural superior... do grande nú
mero de livros já editados a maioria,
talvez, é de alto padrão.
ELETRÔNICA — RÁDIO — TV
pelas
"EDIÇÕES DE OURO"
CRISTAL DE GERMÂNIO
£ím átomo de germânio, em estado normal, compreende
um núcleo positivo e 32 elétrons distribuídos em órbitas
elípticas, conforme ilustra a fig. 1. Os elétrons em suas ór
bitas gravitam ao redor do núcleo e o conjunto toma um
aspecto muito parecido com um sistema solar em miniature.
Fig. 1
Os elétrons que se movimentam na órbita exterior cha
mam-se elétrons de valência, dependendo dos mesmos as
propriedades químicas do germânio.
O átomo ilustrado na fig. 1, por exemplo, possui quatro
elétrons de valência; por isso, chama-se tetravalente.
MANUAL DE TRANSISTORES 17
Quando o átomo perde um elétron (carga negativa) fica
carregado positivamente; mas quando adquire um elétron
fica carregado negativamente.
Quando o germânio se apresenta em estado puro, trata
-se de uma substância isolante. Para tomá-lo condutor, é
preciso deslocar um elétron de uma órbita estável para outra
órbita adjacente, necessitando, para isso, considerável ener
gia. Mas, se o germânio é impuro, êste reclama menos ener
gia.
Quando a impureza aplicada no germânio possui ^inco
elétrons de valência, quatro dêles permanecem “ligados” aos
correspondentes elétrons de valência. O quinto elétron, no
entanto, mantém-se livre e disponível, podendo deslocar-se;
resultando, daí, um excesso de carga negativa.
Mas, se a impureza dispõe apenas três elétrons de va
lência, êstes unir-se-ão a outros três elétrons de valência
do germânio, permanecendo o quarto dêstes em situação de
receber um elétron de um átomo vizinho. Se êste átomo
ceder um elétron, ficará em seu lugar uma imagem positiva
do elétron ou uma lacuna, como é mais conhecido. Esta la
cuna, por sua vez, poderá vir a ser ocupada por um elétron
de outro átomo, ficando agora neste átomo uma lacuna, e
assim sucessivamente. Por causa disso, também se diz que
as lacunas deslocam-se tôda vez que são submetidas a um
campo elétrico. Tal deslocamento, verifica-se, então, em sen
tido contrário ao daquele efetuado pelos elétrons.
O átomo que permanece com uma lacuna, em virtude de
ter perdido um elétron, apresenta carência de uma carga ne
gativa.
Quando o germânio está constituído de átomos com ex
cesso de cargas negativas, diz-se que é do tipo N (negativo).
Quando, no entanto, carece de cargas negativas ou possui la
cunas — o que é o mesmo — denomina-se do tipo P (posi
tivo).
Para tornar o germânio do tipo N, é preciso adicionar-
-lhe fósforo ou antimônio. Para fazê-lo do tipo P, é neces
sário adicionar-lhe bório ou alumínio.
COMBINAÇÕES P e N
DE UM TRANSISTOR MODERNO
TIPOS DE TRANSISTORES
Os transistores mais usuais constam de três elétrodos,
c.e forma a substituir a válvula tríodo nas suas principais
aplicações práticas. Isto não implica existirem transistores té-
jrodos, pêntodos e até multieletródicos que desempenham
várias funções, simultaneamente.
Os transistores dividem-se em dois tipos gerais, a saber:
tipo junção e tipo contato de ponta ou puntiforme, de con
formidade com o método de construção.
TRANSISTORES DE JUNÇÃO
Os transistores de junção classificam-se em:
Tipo PNP que consta de duas pastilhas de germânio do
tipo P tendo inserida entre ambas uma outra pastilha
de germânio, mas do tipo N, conforme mostra a fig. 3;
Tipo NPN consistindo de duas pastilhas de germânio do
tipo N apresentando entre ambas uma pastilha de ger
mânio do tipo P, tal como ilustra a fig. 4.
Fig. 3
22 RENATO ANDRADE
c
Fig. 4
Fig. 6
A fig. 6 mostra a constituição interna dêste tipo de tran
sistor. O cristal de germânio com 2x2x1 mm é do tipo N
e atua como “base”.
O transistor de junção PNP equivale ao transistor pun-
tiforme de base N bastante melhorado de modo a tomá-lo
indicado para operar em freqüências mais elevadas do que
aquêle outro.
TRANSISTOR TÉTRODO
O transistor também pode possuir vários elétrodos, a
exemplo da válvula eletrônica.
Se fôr acrescentado no transistor um segundo elétrodo
emissor, por exemplo, permanecendo o coletor situado entre
os dois emissores, tem-se constituído o tipo de transistor
chamado tétrodo, muito aplicado nas funções de misturador.
Os dois sinais que devem ser misturados são então envia
dos a êstes dois elétrodos; obtendo-se o resultado final no
coletor.
MANUAL DE TRANSISTORES 25
O transistor do tipo tétrodo é construído conforme ilus
tra a fig. 7, no qual a segunda base, B2, constitui o quarto
elétrodo, conforme pode ser apreciado. Quando esta segunda
base não se encontra polarizada em relação à base Bl, o
comportamento da unidade é idêntico ao de um transistor
---- ( •• 0----
T BRBS1
Fig. 7
convencional de três elétrodos. Mas, se a base B2 fôr cone-
tada a um potenciômetro, a fim de permitir variar a pola
rização (fig. 8), verifica-se uma modificação no comporta-
Fig. 8
RENATO ANDRADE
mento do transistor. Nestas condições, quando B2 é posi
tiva com relação a Bl, as lacunas, injetadas pelo emissor E,
concentram-se em Bl e só atua metade da região da junção
E-B (fig. 9).
Fig. 9
Quando, no entanto, a base B2 é negativa em relação à
Bl, a região inteira da junção emissor-base (E-B) injetará
lacunas que são atraídas por B2 e concentradas na região
superior da junção, segundo esclarece a fig. 10.
Em ambos os casos, porém, parte das lacunas injetadas
pelo emissor é captada pelos elétrons excedentes da base de
tipo N.
•dC—
Fig. 10
O deslocamento de lacunas depende da tensão de pola
rização aplicada à base B2 e seu trajeto é maior ou menor
de conformidade com o valor desta tensão e ao número de
lacunas captado pelos elétrons localizados na base.
MANUAL DE TRANSISTORES 27
transistor pêntodo
&
Fig. 11 Fig. 12
No primeiro caso apontado acima, permite misturar dois
sinais distintos; amplificando um dêles, de conformidade com
a polarização aplicada à base B2. Em se tratando porém
de um pêntodo provido de dois coletores, o transistor admi
te, segundo a polarização impressa ã base B2, o desdobra
mento de um determinado sinal de modo a enviá-lo ao cole
tor Cl ou C2, após amplificá-lo convenientemente. Desta ma
neira, consegue-se uma amplificação em contrafase com o
emprêgo de um transistor pêntodo único — o que equivale
a uma válvula eletrônica duplo-tríodo. A fig. 13 ilustra um
circuito típico desta condição.
Fig. 13
28 RENATO ANDRADE
Além dos transistores descritos até aqui, a indústria de
semicondutores fabrica outros tipos especiais, destinados a
aplicações específicas. Por exemplo: os transistores chama
dos barreira superficial, efeito de campo ou unipolar, desvio
e base difusa, entre vários outros, os quais deixam de ser
abordados para não nos afastarmos da índole dêste Manual.
CONFIGURAÇÃO DE CIRCUITOS
O transistor admite três configurações de circuito, a sa
ber: base comum, emissor comum e coletor comum, igual
mente conhecidas como base à massa, emissor à massa e co
letor à massa, respectivamente.
Aqui, o têrmo comum ou massa alude ao elétrodo do
transistor que é geral aos circuitos de entrada e de saída.
As três configurações mencionadas acima assemelham-
-se bastante àquelas dos amplificadores equipados com vál
vulas eletrônicas e conhecidas como grade à massa, cátodo
à massa e placa à massa.
Fig. 15
A configuração de emissor comum (fig. 15) é quase aná
loga ao circuito de cátodo à massa, adotado nos amplifica
dores que fazem uso de válvulas eletrônicas.
Esta configuração é muito preferida, porque além de
prover amplificação de tensão e de corrente ainda propor
ciona um ganho de potência alto e um ganho de corrente
médio (200 a 100).
Aplica-se o sinal de entrada entre base e massa; en
quanto a saída é obtida entre coletor e massa. Nesta confi
guração há uma inversão de fase de 180 graus.
A configuração de coletor comum (fig. 16) equivale a
disposição de placa à massa, nos amplificadores equipados
com válvulas eletrônicas. Emprega-se quando há necessida
de de ajustar uma entrada de impedância alta a uma saída
de impedância baixa.
MANUAL DE TRANSISTORES 31
ílg. 16
O ganho de tensão é menor do que a unidade, apesar
de oferecer um ganho de corrente médio (20 a 100) e um
ganho de potência baixo. Não há inversão de fase do sinal.
O quadro sinóptlco, reproduzido adiante, dá uma idéia
da diferenciação das três configurações apreciadas acima.
CONFIGURAÇÃO
i*b
BASE
Fig. 17
pela rêde equivalente de três terminais ilustrada na fig. 17.
Os resistores Re, Rb e Rc simbolizam as resistências de
emissor, base e coletor, respectivamente. A resistência de
base (Rb), depende da resistividade da pastilha de germânio.
Não obstante, tôdas as componentes têm efeito direto sôbre
as resistências de entrada e de saída do transistor, conforme
indica o quadro reproduzido a seguir.
Base comum Re + Ro Rc + Rb
Emissor comum Rb 4~ Re Rc Re
Coletor comum Rb -f- R Re + Rb
MANUAL DE TRANSISTORES 35
Dada a polarização adotada para polarizar os transisto
res, o emissor, com polarização direta, oferece uma resistên
cia muito baixa — 300 ohms, aproximadamente. Como a po
larização do coletor é em sentido inverso a resistência é
muito alta, variando entre 10 000 a 1 megohm.
Por causa disso, considera-se que o transistor oferece um
ganho de resistência (còletor-emissor), representado aritmè-
ticamente como se segue:
Ganho de resistência = Resistência de coletor/R^istên-
cia de emissor.
Como o transistor é um componente eletrônico operado
mediante corrente, esta é considerada como variável inde
pendente, na determinação das características. Isto significa
que para estabelecer as características em questão deve va
riar-se a corrente de coletor ou de emissor, anotando-se a
tensão de coletor ou a tensão de emissor resultante.
Êste método é inteiramente aquêle empregado no caso
de válvulas de rádio. Neste, varia-se a tensão de placa e
considera-se a respectiva corrente de grade.
No transistor, as características encontram-se represen
tadas pela tensão em função da corrente com respeito a uma
corrente de base constante. Na válvula eletrônica, as carac
GANHO DE POTÊNCIA
Esta característica do transistor decorre da amplificação
de corrente. O ganho de potência define-se como a relação
entre a potência do sinal de entrada e a potência do sinal de
saída, em função do fator de amplificação de corrente e do
tipo adotado de configuração de circuito.
O ganho de potência varia em relação com as impe*
dâncias de saída e entrada e com o quadrado de alfa do
transistor.
AMPLIFICADORES CLASSES A e B
Em um amplificador classe A, a tensão contínua de pola
rização é tal que há corrente de coletor durante o ciclo com
pleto de excitação. Nestas condições, a tensão do coletor não
é afetada pelo sinal.
Para um sinal de entrada senoidal, a eficiência máxima
de um amplificador classe A é 50%, teòricamente. Tal rendi
mento depende da potência utilizada na estabilização.
O ganho de potência é função do ganho de corrente, da
impedância de entrada e da impedância de carga.
Em um amplificador classe B, as tensões aplicadas são
de molde a que sòmente os semiciclos do sinal de entrada
é que são amplificados. Durante os instantes que não há
excitação aplicada, a corrente mantém-se quase nula e a
potência dissipada é zero, aproximadamente.
.Esta condição de corte de corrente, no entanto, é conse
guida de dois modos. No primeiro, o transistor é polarizado
de modo a se verificar no coletor uma corrente alta sob
uma tensão relativamente baixa aplicada ao referido elétrodo
(ponto A assinalado na fig. 19). Dêste modo, o transistor, na
configuração de circuito com base comum, amplifica o semi-
ciclo negativo do sinal. No segundo caso, o transistor é pola
rizado de forma a se registrar no coletor uma corrente rela
tivamente baixa sob uma tensão relativamente alta nesse
mesmo elétrodo (ponto B indicado na fig. 19). Assim, o com
ponente amplifica o semiciclo positivo do sinal de entrada
40 RENATO ANDRADE
Fig. 19
A primeira situação, apesar de proporcionar pouca efi
ciência, apresenta certas vantagens, quando são utilizados
transistores do tipo puntiforme.
Em se tratando, porém, de transistores do tipo de junção,
é preferida a segunda condição, quase sempre.
Como o transistor polarizado para operar em classe B
sòmente amplifica a metade do ciclo da tensão de entrada,
é preciso o emprêgo de dois transistores dispostos em con-
trafase, a fim de completar a onda senoidal.
Todavia, na prática, raramente é adotado o circuito teó
rico do amplificador classe B. O emissor, via de regra, está
polarizado ligeiramente abaixo do ponto de corte para evitar
a distorção, embora com algum prejuízo na eficiência.
Podem ser apontadas agora, em linhas gerais, as vanta
gens da amplificação em classe A e da amplificação em
classe B.
Em classe A, o amplificador apenas necessita de um
transistor no estágio de saída, não causando distorção a va
riação na resistência do emissor. Todavia, o amplificador em
classe A está sujeito a apresentar considerável distorção
harmônica.
MANUAL DE TRANSISTORES 41
Num amplificador em classe B, a dissipação de potência
é quase nula, durante a ausência de sinal de entrada — ca
racterística que o faz econômico.
Nesta classe de operação com saída em contrafase obser-
va-se na carga a eliminação dos harmônicos pares e da com
ponente contínua — características de importância capital.
No projeto de amplificadores de potência a transistores
é impossível seguir os mesmos critérios geralmente adota
dos nos amplificadores equipados com válvulas eletrônicas.
Naqueles, as características do circuito de coletor deper^em,
em grande parte, da impedância do circuito de emissor ou
da impedância do circuito de base.
Como é sabido, as características de funcionamento do
transistor de potência variam de acordo com a temperatura
a que o componente está submetido. Como grande parte dos
transistores está sujeita às variações do calor ambiente —
vinte a trinta graus centígrados ou setenta a 90 graus Fah
renheit, em média —, o projeto de um circuito com transis
tores dessa classe deve prever um método de compensação
de temperatura. Nesse sentido, o processo mais simples e
usualmente utilizado consiste em ligar um resistor em série
com o emissor, a fim de produzir uma realimentação de
corrente e controlar a polarização do componente.
Mas, não é a temperatura o único fator que exerce in
fluência no comportamento do transistor.
Um dêles é a máxima tensão permissível no coletor, por
exemplo. Numa classe B, a tensão no coletor atingirá o dôbro
da tensão da batería de alimentação. Por isso, a tensão desta
fonte não deve exceder a metade da máxima tensão permis
sível no coletor.
Outro fator, igualmente importante, é aquêle que diz
respeito à máxima corrente de coletor, pois qualquer valor
excessivo é capaz de ocasionar uma variação de ganho de
corrente, provocando uma distorção exagerada.
Por fim, a variação de resistência no circuito emissor
também pode prejudicar o funcionamento do transistor. Numa
classe B, a resistência do circuito emissor é elevada no
início de cada semiciclo; diminuindo, ràpidamente, à me
dida que vai aumentando a amplitude instantânea do sinal.
Isto causa uma distorção, que é tanto maior quanto maior
a amplitude do sinal aplicado.
CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR
Para a formação das junções P-N no transistor, a indús
tria de semicondutores emprega várias técnicas. Veja-se, por
exemplo, o caso do transistor de tipo PNP, fabricado pelo
processo denominado junção por liga.
A fabricação dêste transistor tem início com um lingote
de germânio, extremamente delgado (3 x 3 x 1/2mm),
íite, depois de adaptado num suporte apropriado, recebe, em
oada face, grânulos de índio aplicados por meio de pressão.
O conjunto é em seguida introduzido e mantido num forno
Btd ter lugar a fusão do índio e constituir uma liga com o
Sirmânio; formando uma região de tipo P no germânio de
po N. A fig. 20 mostra detalhes desta técnica de fabricação.
Fig. 20
44 RENATO ANDRADE
O transistor fabricado por êste meio oferece um ganho
satisfatório nas aplicações de áudio. Por isso, é usado nos
projetos dessa classe de amplificadores cuja potência de
saída é moderada.
O transistor, no entanto, não se recomenda para aplica
ção nos amplificadores de radiofreqüência que operam a
freqüências altas, pois os grânulos de índio, sendo relativa
mente grandes, causam uma capacitância elevada entre co
letor e base, tomando o transistor inestável, inerentemente.
dá o mesmo não ocorre com o transistor submetido à
técnica de fabricação chamada junção por difusão. Neste
caso, o lingote de. germânio é colocado num forno e a impu
reza destinada a formar a junção P ou N (índio ou antimô-
nio, conforme o caso) admite-se vaporizada no material den
tro do forno e em quantidades controladas. Como só é expos
ta uma das faces do lingote de cada vez, a impureza penetra
no interior do material e se difunde uniformemente, pro
duzindo o tipo de junção desejada. A fig. 21 dá uma idéia
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
r
2524 Pot PT 120 -30 -25
2525 Pot PT - - 200 50 30
2527 AF 5P5 - — 50 35 100
2H28 AF 5P5 - - 50 30 100
2N29 AF 5P5 - - 50 35 30
2530 RF PT 2 7,1 100 30 7
2531 RF PT 2 100 30 7
2532 RF PT 2,7 11,5 50 40 8
2533 AF PT 30 8,5 7
2534 FI P5P 0,6 100 50 -25 -8
2535 FI NPN 0,8 100 50 25 8
2536 AF PNP — 100 50 -20 -8
2537 AF PNP - 63 50 -20 -8
2538 AF PNP - 40 50 -20 -8
2539 AF PNP - 180 70 -25 -
2540 AF PNP - 25 70 -25 -
2541 AF PNP — 100 50 -25 -15
2N42 AF - P5P — 4,5 70 -25 —
2543 AF PNP 0,5 50 240 -30 -300
2544 AF P5P 0,5 22 240 -30 -300
2545 AF PNP 0,5 - 155 -25 -10
2546 AF PNP 1,6 50 -25 -15
2547 AF PNP 50 -35 -20
2548 AF PNP - 50 -35 -20
2549 AF PNP - 50 -35 -20
2552 RF PT - 120 50 8
2553 Osc PT — — 50 8
2554 AF PNP 100 200 -45 -10
2555 AF PNP 89 200 -45 -10
2556 AF PNP 79 200 -45 -10
2557 Pot PNP 5 — -60 -500
2559 Pot PNP 56 180 -25 -200
2560 Pot PNP 56 180 -25 -200
2561 Pot PNP 56 180 -25 -200
2562 AF P5P 50 -35 -20
2563 AF PNP 0,6 89 100 -22 -10
MANUAL DE TRANSISTORES 53
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Bete)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
C0L.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
||
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
|
29193 RP NPN 2 5,6 50 15
2 9194 RP 9P9 2 5,6 50 15
29195 AP P9P - 200 100 -12
2N196 AP P9P - 63 100 -25
2N197 AP PNP — 56 100 -25
2U198 AP PNP - 40 100 -25
29199 AP PNP - 25 100 -25
29200 AP PNP - 56 100 -30
29204 AP PNP - 126 100 -30
29205 AP PNP - 40 100 -30
29206 AP PNP 0,8 47 75 -30 -50
29207 AP PNP 2 65 50 -12 -20
29207A AP PNP 2 65 25 -20 -20
2920TB AP PNP 2 65 25 -20 -20
29211 RP PNP 2 30 50 -10 -50
29212 RP NPN 4 13 50 10 50
29213 RF NPN 0,01 80 150 25 100
29214 Pot NPN 0,6 20 125 25 75
29215 AP PNP 0,7 45 150 -30 -50
29216 PI NPN 2 20 50 15 50
29217 AP PNP - 32 150 -25 -70
29218 PI PNP 6,8 32 80 -16 -15
29219 RP PNP 10 40 80 -16 -15
29220 AP PNP 0,8 148 50 -10 -2
29222 AF PNP - 22 - —
29223 AP PNP 0,6 50 100 -18 -150
29224 Pot PNP 0,5 75 250 -25 -150
29225 Pot PNP 0,5 75 250 -25 -150
29226 Pot PNP 0,4 55 250 -30 -150
29227 Pot PNP 0,4 55 250 -30 -150
29228 Pot NPN 0,6 14 50 25 50
29229 AP NPN 0,55 25 50 12 40
29231 RP PNP 20 - 9 -4,5 -3
29232 RP PNP 30 - 9 -4,5 -3
29233 PI NPN — - 50 10 50
29234 Pot PNP 0,008 - 25000 -30 -3000
MANUAL DE TRANSISTORES 57
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
C0L.-EMIS.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(mHz)
(Beta)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
•
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
C0L.-EMIS.
BASE-COL.
MAX. DISP.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇAO
"tf<ü
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
C0L.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
r-
29639 Pot PNP — 25000 -40 -5000
29640 RF PNP 42 25 80 -34 -10
29641 FI PNP 42 25 80 -34 -10
29642 RF PNP 42 25 80 -34 -10
29647 AP NPN - 500 100 25 50
29649 AP NPN - 500 100 18 50
29650 AP PNP 2 125 200 -15 -250
29651 AP PNP 2,5 160 200 - -250
29652 AP PNP 3 200 200 - -250
29653 AP PNP 2 125 200 - -250
29654 AP PNP 2,5 160 200 - -250
29655 AP PNP 3,5 200 200 - -250
29656 AP NPN 4000 60 -500
29657 AP NPN - 4000 100 -500
29665 Pot PNP 0,02 35000 -80 -500
29669 Pot PNP 0,5 - -30 -3000
29674 Pot PNP 1,1 300 -75 -2000
29675 Pot PNP 1000 -75 -2000
29676 Pot PNP - 6500 -30 -3000
29677 Pot PNP - 1500 -30 -15000
29678 Pot PNP - 1500 -30 -15000
29680 AP PNP - 150 -20 -150
29696 RP NPN 80 600 60 -
29697 RP NPN 80 600 60
29698 RP NPN 70 800 120 -
29699 VHP NPN 180 600 120 -
.29700 UHF PNP 500 14 75 -25 -50
29705 UHF PNP 300 300 -15 -10
29734 VHP NPN 125 500 80 100
29735 VHP NPN 150 500 80 100
29736 VHP NPN 175 500 80 100
29749 RP itPN 75 200 45 50
29750 RP NPN 40 5,6 200 30 50
29751 RP NPN 30 3,2 200 20 50
29768 VHP PNP 175 35 -12 -100
29769 UHF PNP 900 - 35 -12 -100
MANUAL DE TRANSISTORES 65
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSAO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
I
2N871*. VHF NPN 130 500 100 -
2N902^ PI NPN 6 150 45 25
2N903 RP NPN 13 150 45 25
2N904 RP NPN 11 150 45 25
2N9O5 PI NPN 8 150 45 25
2N906 RP NPN 13 150 45 25
2N907 RP NPN 30 150 45 20
2N9O8 RP NPN 45 150 45 20
2N9O9 VHP NPN 160 400 60 -
2N910 VHP NPN 60 500 100 -
2N911 VHP NPN 50 500 100 -
2N912 VHP NPN 40 500 100 -
,‘2N919 UHP NPN 400 1200 25 220
, 2N920 UHP NPN 400 1200 25 220
,<2N921 UHP NPN 400 1200 50 220
. 2N922 UHP NPN 400 1200 50 220
2N923 AP PNP 0,8 150 -40 -50
2N924 AP PNP 0,8 150 -40 -50
2N925 AP PNP 0,8 150 -50 -50
2N926 AP PNP 0,8 150 -50 -50
2N927 AP PNP 0,8 150 -70 -50
2N928 AP PNP 0,8 150 -70 -50
2N929 VHP NPN 80 300 45
2N93O VHP NPN 80 300 45 -
2N934 AP PNP - 150 -13 -200
2N939 AP PNP - 250 -35 -100
2N940 AP PNP - 250 -35 -100
2N941 RP PNP 12 250 -25 -50
2N942 RP PNP 10 250 -25 -50
2N943 AP PNP 1 250 -40 -50
2N944 AP PNP 1 250 -40 -50
2N945 AP PNP 1 250 -50 -50
2N946 AP PNP 1 250 -80 -50
2N960 UHP PNP 460 150 -15
2N961 UHP PNP 460 150 -12 -
.2N962 UHP PNP 460 150 -12 —
MANUAL DE TRANSISTORES 67
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
'ri
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
o
CLASSE
S
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
C0L.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MÁX. DISP.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
PQ
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Bete)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MÁX. DISP.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
<D
PQ
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
C0L.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
NHO co r .
ASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
l
0
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSAO
FREQ. CORTE
GANH0 COR.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
NHO co r .
MÁX. DISP.
ASE-COL.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
l
PQ
0
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
COL. EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÁO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
MÁX. DISP.
C0L.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
2’5
CLASSE
TIPO
c
PQ
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANH0 COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
3N22 RF NPN 15 - 0
3N23 RF NPN 50 - - 30 5
3N29 pp NPN 40 3,2 50 6 20
3N3O y NPN 80 3,2 50 6 20
3N31 RF NPN 80 3,2 50 6 20
3»34 RF NPN 100 125 30 20
3*35 RF NPN 150 125 30 20
3N36 RF NPN 50 30 6 20
3N37 RF NPN 90 30 6 20
3N45 Pot PNP 0,6 1000 -60 -12000
3N46 Pot PNP 0,3 1000 -80 -12000
3*47 Pot PNP 0,5 1000 -40 -12000
3N48 Pot PNP 0,3 1000 -60 -12000
3N49 Pot PNP 0,6 - -35 -15000
3*50 Pot PNP 0,3 - -50 -15000
3*51 Pot PNP 0,5 - -25 -15000
3N52 Pot PNP 0,3 - -40 -15000
3*54 RF NPN 150 18 30
3*57 RF NPN - 150 18 30
2SA12 FI PNP 7 32 80 -16 -15
2 SAI 3 FI PNP 7 32 80 -12 -15
2SA14 FI PNP 6 22 80 -16 -15
2SA15 RF PNP 12 32 80 -16 -15
2SA16 RF PNP 12 32 80 -12 -15
2SA17 RF PNP 19 10 80 -12 -15
2 SAI 8 RF PNP 19 - 80 -21 -15
2SA19 RF PNP 50 63 15 -12 -2
2SA20 RF PNP 55 90 12 -12 -2
2SA21 RF PNP 55 126 15 -12 -2
2SA22 RF PNP 12 3 50 -20 -25
2SA23 FI PNP 8 20 100 -20 -25
2SA24 RF PNP 100 — 60 -30 -10
2SA26 FI PNP 6 125 -20 -50
2SA3O RF PNP 10 14 70 -12 -10
2SA31 FI PNP 5 70 70 -12 -10
RENATO ANDRADE
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
TIPO
3
0
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
r
7
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Bete)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÁO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MÁX. DISP.
C0L.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
FREQ. CORTE
«22
APLICAÇAO
CO
o
(mHz)
1—( . .—.
X. D
(mW
COL
H . >
CLASSE
td M cq • kJ
TIPO
Xo
0W
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MÀX. DISP.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
C0L.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
2SB245 0,5 -80 -l«0
2SB246 0,35 -25 -2000
2SB247 0,35 -35 -2000
2SB24Ô -25 -2000
2SB249 0,35 -40 -2000
2SB25O 0,35 -20 -2000
2SB251 0,35 -20 -2000
2SB252 0,35 -50 -2000
2SB253 0,35 -35 -2000
2SB254 -35 -600
2SB255 -25 -600
2SB256 -115 -600
2SB25Ô 1,5 -75 -19000
2SB259 1,5 -45 -15000
2SB260 1»5 -20 -15000
2SB261 30 65 -20 -30
2SB262 15 65 -20 -30
2SB263 15 200 -30 -150
2SB264 1 70 -25 -50
2SB271 - 600 -25
2SB272 - 600 -25
2SB273 - 600 -18
2SB29O 1 65 -30
1 -40
2SB291 150 -25 -150
2SB292 X — -130 -10000
2SB296 1»5 — -130 -10000
2SC11 6 55 18 24
2SC13 — 65 18 40
2SC14 - 65 18 40
2SC3O 160 1500 60
2SC31 140 1500 60
2SC32 180 1500 60
2SC33 180 150 45 -
2SC42 20 50000 150 5000
2SC44 20 - 50000 150 5000 1
98 RENATO ANDRADE
MAX. TENSAO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MAX. DISP.
MAX. COR.
BASE-COL.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mA)
COL.
(mW)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSAO
FREQ. CORTE
GANH0 COR.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. DISP.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
200 AF NPN 9 50 30 5
201 AF NPN 1,1 19 50 30 5
202 AF NPN 1,3 49 50 30 5
210 AF NPN - 50 30 5
220 FI NPN - - 50 30 5
221 FI NPN — - 50 30 5
222 FI NPN - - 50 30 5
223 RF NPN - - 50 30 5
300 AF PNP - 9 50 -30 -10
301 AF PNP - 19 50 -30 -10
350 AF PNP - - 50 -30 —
700 RF NPN - - 50 30 -
903 AF NPN 3 - 75 30 10
904 AF NPN 3 - 75 30 10
905 AF NPN 3 - 75 30 10
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MÁX. DISP.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Bete)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÁO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
C0L.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
1
GFT42O8/8O Pot PNP 0,01 - - -80 -4000
GFT4608/40 Pot PNP 0,012 -40 -4000
GFT46O8/6O Pot PNP 0,012 - - -60 -4000
GFT46O8/8O Pot PNP 0,012 - - -80 -4000
GT-1 AP PNP 0,8 20 125 -9
GT-2 AP PNP 0,9 40 125 -9 -
GT-3 AP PNP 1 60 125 -9 -
GT-11 HP PNP 4 30 100 -9 -
GT-12 RP PNP 6 60 100 -9
GT-13 RP PNP 9 100 100 -9
GT-14 AP PNP 28 70 -25
GT-20 AP PNP - 45 70 -25
GT-24 AP PNP - 45 40 -6 -
GT-31 AP PNP 0,8 - 125 -15 -100
GT-3 2 AP PNP 0,9 - 125 -15 -100
GT-33 AP PNP 1 - 125 -15 -100
GT-34 AP PNP - 63 150 -25 -100
GT-35 AP PNP - 100 150 -25 -
GT-3 8 AP PNP - 40 -6 -
GT-40 AP PNP 2,5 100 -15 -100
GT-41 AP PNP 4 100 -15 -100
GT-42 PI PNP 6 100 -15 -100
GT-43 PI PNP 9 100 -15 -100
GT-44 AP PNP 2,5 100 -25 -100
GT-45 AP PNP 4 100 -25 -100
GT-46 PI PNP 6 100 -25 -100
GT-47 PI PNP 9 100 -25 -100
GT-66 Pot PNP - 50 -12 -20
GT-74 AP PNP - 125 150 -25 -200
GT-75 AP PNP - 160 150 -25 -200
GT-81 AP PNP - 125 150 -25 -200
GT-82 AP PNP - 195 150 -25 -200
GT-83 AP PNP - 45 150 -25 -200
GT-87 AP PNP - 28 150 -25 -200
GT-88 AP PNP - 65 150 -25 -200
MANUAL DE TRANSISTORES 109
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSAO
FREQ. CORTE
NHO co r .
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
ASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
l
PQ
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
BASE-COL
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSAO
FREQ. CORTE
GANH0 COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
e-
0<^29 Pot PNP 0,2 — 13000 -32 -6000
0C-30 Pot PNP 0,3 36 7000 -16 -1400
OC-35 Pot PNP 0,2 13000 -32 -6000
00-36 Pot PNP 0,2 - 13000 -32 -6000
OC-44 RP PNP 15 100 80 -15 -5
OC-45 PI PNP 6 50 80 -15 -5
OC-46 FI PNP 3 30 83 -20 -100
OC-47 FI PNP 4,5 50 83 -20 -100
OC-53 AP PNP 35 10 -7 -10
OC-54 AF PNP - 55 10 -7 -10
OC-55 AF PNP - 80 10 -7 -10
00-56 AP PNP - - 10 -7 -10
OC-57 AF PNP 1,4 35 10 -3 -5
00-58 AF PNP 1,6 35 10 -3 -5
OC-59 AF PNP 2,2 50 10 -3 -5
00-60 AF PNP 1,6 100 10 -3 -5
OC-65 AF PNP 0,45 30 25 -10 -10
00-66 AF PNP 0,5 50 25 -10 -10
00-70 AF PNP 0,45 70 120 -30 -10
00-71 AP PNP 0,5 , 45 120 -30 -10
00-72 AF PNP 0,35 50 120 -30 -125
OC-73 AP PNP 0,5 45 120 -30 -10
00-74 Pot PNP 1,5 65 500 -2a -300
OC-75 AP PNP 0,75 90 120 -30 -10
00-76 AF PNP 0,9 45 125 -30 -125
00-77 AF PNP 0,35 45 125 -60 -125
00-79 AP PNP 0,008 60 120 -26 -300
00-80 Pot PNP 2 150 550 -32 -300
00-83 AF PNP 0,85 — 160 -32 -500
00-84 AF PNP 1 - 160 -32 -500
00122 AP PNP 1,3 - 300 -32 -500
00123 AF PNP 1,5 - 300 -50 -500
OC-139 PI PNP 3,5 25 100 -20 -200
0C-140 FI PNP 4,5 25 100 -20 -250
OC-141 FI PNP 9 25 100 -20 -200
OC-169 RF PNP 70 100 50 -20 -10
MANUAL DE TRANSISTORES 115
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTfe
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
-
APLICAÇAO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
-1^
00-170 RF PNP 70 100 50 -20
OC-171 RF PNP 70 100 50 -20 -10
0C-200 AP PNP 1 250 -25 -50
00-201 FI PNP 4 250 -25 -50
00-202 PI PNP 4 100 -15 -50
00-203 AF PNP 1 100 -60 -50
00-204 AF PNP 1,5 125 -32 -250
OC-2O5 AF PNP 1.5 125 -60 -250
OC-2O6 AF PNP 1.5 125 -32 -250
00-303 AP PNP 0,7 100 67 -15 -50
OC-3O4 AF PNP 0,8 125 67 -15 -50
00-305 AF PNP 1,5 160 67 -8 -50
OC-3O6 AF PNP 0,8 125 67 -15 -50
00-307 AF PNP 0,9 - 125 -32 -250
00-308 AF PNP 0,9 - 125 -35 -250
ÓC-309 AF PNP 0,9 - 125 -60 -250
00-318 AF PNP 1,5 - 227 -20 -300
00-331 AF PNP 1 4 30 -7 -30
00-341 AF PNP 1 4 30 -7 -30
00-342 AF PNP 1 4 30 -7 -30
OC-343 AF PNP 1,5 4 30 -7 -30
00-361 AF PNP 1 2,2 30 -7 -30
00-362 AF PNP 1 2,2 30 -7 -30
00-363 AF PNP 1,2 2,2 30 -7 -30
00-364 AF PNP 2,5 18 30 -7 -30
OC-39O FI PNP 4,5 65 -15 -40
00-400 FI PNP 7 65 -15 -40
00-410 FI PNP 12 65 -15 -40
OC-43O AF PNP — 240 -10 -50
00-440 AF PNP - 240 -30 -50
00-445 AF PNP - 240 -50 -50
OC-45O AF PNP - 240 -75 A -50
00-460 AP PNP - 240 -10 >50
00-463 AF PNP - 240 -10 -50
OC-465 AF PNP - 240 -20 -50
00-466 AF PNP - 240 -10 -50
116 RENATO ANDRADE
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
BASE-COL.
MAX. DISP.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
f
00^68 AP PNP - 240 -10 -50
OC-469 AP PNP - - 240 -32 -50
00-470 AP PNP - - 240 -30 -50
00-480 AP PNP - - 240 -125 -50
OC-6O2 AP PNP 1 100 50 -20 -50
OC-6O3 AP PNP 1,1 100 50 -20 -50
OC-6O4 AP PNP 1,2 175 50 -30 -50
0C-612 PI PNP 6 30 -17 -
00-613 PI PNP 10 30 -17 -
00-614 RP PNP 45 30 -25 -
0C-615 RP PNP 80 30 -25 -
0C-700 AP PNP 1,7 330 -25 -50
00-701 AP PNP 1 330 -80 -50
0C-702 AP PNP 2,2 330 -25 -50
OC-7O3 AP PNP 0,5 330 -80 -50
0C-704 AP PNP 5 330 -3 -50
OD-6O3 Pot PNP - - -40 -3000
OD-65O Pot PNP 0,1 - -60 -15000
0D-651 Pot PNP 0,1 - -60 -15000
0D-652 Pot PNP 0,1 - -60 -15000
0S-13 FI PNP 8 15 -30 -2
0S-14 PI PNP 8 150 -30 -50
PADT-20 RP PNP 70 83 -20 -10
PADT-21 RP PNP 70 83 -20 -10
PADT-22 RP PNP 70 83 -20 -10
PADT-23 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-24 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-25 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-26 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-27 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-28 VHP PNP 220 100 -35 -10
♦PADT-30 VHP PNP 220 100 -35 -10
PADT-31 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-35 RP PNP 175 200 -50 -30
PADT-40 VHP PNP 300 94 -20 -50
MANUAL DE TRANSISTORES 117
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MÁX. DISP.
COL.-EMIS.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
||
MÁX. TENSÁO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
|
sRj213 Pot PNP 0,2 - -40 -3000
SFT-214 Pot PNP 0,2 - -60 -3000
SFT-221 AF PNP 1,3 225 -30 -250
SFT-222 AF PNP 2 225 -30 -250
SFT-223 AF PNP 3 225 -30 -250
SFT-226 FI PNP 5,5 150 -40 -250
SFT-227 FI PNP 7,5 150 -30 -250
SFT-228 RF PNP 12 150 -24 -250
SFT-232 AF PNP 0,3 450 -40 -1000
SFT-233 AF PNP 0,3 450 -60 -1000
SFT-234 AF PNP 0,3 450 -80 -1000
SFT-235 AF PNP 0,3 450 -100 -1000
SFT-237 AF PNP 2 150 -15 -100
SFT-238 Pot PNP 0,3 - -40 -6000
SFT-239 Pot PNP 0,3 - -60 -6000
SFT-240 Pot PNP 0,3 - -80 -6000
SFT-241 AF PNP 1,6 225 -45 -500
SFT-242 AF PNP 2,5 225 -45 -500
SFT-243 AF PNP 2 225 -60 -500
SFT-25O Pot PNP 0,2 - -80 -3000
SFT-251 AF PNP 1,3 225 -30 -150
SFT-252 AF PNP 2 225 -30 -150
SFT-253 AF PNP 3 225 -30 -150
SFT-259 FI NPN 5 150 20 250
SFT-26O FI NPN 9 150 20 250
SFT-261 RF NPN 13 150 20 250
SFT-265 Pot TNP 0,3 - -40 -15000
SFT-266 Pot PNP 0,3 -• -40 -15000
SFT-267 Pot PNP 0,3 - -80 -I5OOO
SFT-306 AP PNP 3 80 150 -18 -100
SFT-3O7 FI PNP 7 90 150 -18 -100
SFT-308 RF PNP 13 150 -18 -100
SFT-315 RF PNP 30 - 150 -40 -10
SFT-316 RF PNP 50 - 120 -20 -10
SFT-317 RF PNP 40 - 150 -20 -10
SFT-319 RF PNP 30 - 150 -20 -10
MANUAL DE TRANSISTORES 119
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
MAX. DISP.
BASE-COL.
C0L.-EMIS.
MAX. COR.
3
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
Q
TIPO
ã
c
SPT-320 RP PNP 35 150 -20 -iqZ
SFT-321 AP PNP 1.3 200 -24 -250
SPT-322 AP PNP 1,6 200 -24 -250
SFT-323 AP PNP 2,6 200 -24 -250
SFT-351 AP PNP 1.2 200 -24 -250
SFT-352 AP PNP 1,6 200 -24 -250
SPT-353 AP PNP 2,4 200 -24 -250
SPT-354 RP PNP 55 120 -20 -10
SPT-357 RP PNP 70 120 -20 -10
SPT-358 RP PNP 70 120 -20 -10
SO-1 RP PNP 20 20 -5 -5
SO-2 RP PNP 10 15 -3 -5
SO-3 RP PNP 30 20 -5 -5
ST-1O6 Pot PNP 0,006 -60 -15000
ST-1O7 Pot PNP 0,006 -80 -15000
ST-108 Pot PNP 0,005 -60 -15000
ST-1O9 Pot PNP 0,005 -80 -15000
ST-11O Pot PNP 0,003 -60 -15000
ST-111 Pot PNP 0,003 -80 -15000
ST-112 Pot PNP 0,003 -60 -15000
ST-4O2 Pot NPN - 60 3000
ST-403 Pot NPN - 45 3000
ST-44O Pot NPN 4 60 2000
ST-45O Pot NPN 4 2000
ST-721 RP NPN 20 250 45 25
ST-722 RP NPN 23 250 45 25
ST-723 RP NPN 28 250 45 25
ST-1242 PI NPN 8 150 40 25
ST-1243 RP NPN 20 150 40 25
ST-1244 RP NPN 20 150 40 25
ST-1290 RP NPN 20 150 20 25
ST-1506 RF NPN 30 300 30
ST-1543 AP NPN 30 6 5
ST-5O6O Pot NPN - 50
ST-5061 Pot NPN - - - 80 -
120 RENATO ANDRADE
MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
C0L.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.
MÁX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
•
s£r6510 Pot NPN .20 -
ST-B511 Pot NPN 40
ST-6512 Pot NPN 40 —
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
-*$0
TF-80/30 Pot PNP -32
TF-8O/6O Pot PNP - — -64 -2500
TF-80/80 Pot PNP - - -80 -3000
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
í|
MAX. TENSÃO
GANHO COR.*
FREQ. CORTE
BASE-COL.
COL.-EMIS.
MAX. DISP.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL. EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇAO
(mHz)
(Beta)
(mW)
(mA)
COL.
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE
GANHO COR.
BASE-COL.
MAX. DISP.
COL.-EMIS.
MAX. COR.
APLICAÇÃO
(Beta)
(mHz)
(mW)
COL.
(mA)
COL.
(V)
CLASSE
TIPO
Circuito Págs.
TR-1
RECEPTOR PARA ONDAS MÉDIAS
TR-2
RECEPTOR COM TRÊS TRANSISTORES
—Ondas Médias—
TR-3
RECEPTOR COM UM DÍODO E DOIS TRANSISTORES
—Ondas Médias—
LI — Supertena OM-lOO
Cl — 410 mmfd.; variável
C2 — 0,002 mid.; capacitor
cerâmica
C3 — 10 mfd.; capacitor ele-
trolítico
RI — 22 000 ohms; 1/2 watt;
resistor
R2 — 500 000 ohms; potenciô-
metro
R3 — 100 000 ohms; 1/2 watt;
resistor
TI — “Willkeson” 6505 ou
6510
DET — 1N64 ou similar
VI, V2 — CK-722; 2N107 ou
equivalente
S — Interruptor simples
Bateria sêca, 3 volts
TR-4
RECEPTOR COM DÍODO E QUATRO TRANSISTORES
—Ondas Médias—
TR-5
AMPLIFICADOR FONOGRÁFICO
TR-6
ÁUDIO-AMPLIFICADOR
TR-7
ÁUDIO-AMPLIFICADOR DE POTÊNCIA
—Saída: 15 watts—
TR-8
MISTURADOR COM QUATRO CANAIS DE ENTRADA
—Entrada de baixa impedância—
■i
TR-9
AMPLIFICADOR PARA TELEFONE
TR-10
MICROFONE TRANSISTORIZADO
—Saída: 0,4 volt—
TR — 2N109 ou similar
resistor PB — Interruptor "push-bot-
— 1200 ohms; 1/2 watt;
2 2
ton”, SPST
resistor B — Batería sêca, 9 volts
— 8 200 ohms; 1/2 watt; J — Jaque fone, miniatura
resistor
Cl — 50 mid.; 6 volts; ele- Alto-falante de 21/2”;
trolitico 10 ohms; tipo IP
C2 — 50 mid.; 15 volts; ele- Caixa de plástico:
trolltico 3” x 2 3/8” x 1 3/8”
BIBLIOGRAFIA
MÁGICAS
ELETRÔNICA, RÁDIO E TV
AUTOMÓVEL
MÚSICA
COMÉRCIÔ
CONTABILIDADE
DESENHO
BELEZA E ELEGÂNCIA
ARQUITETURA
ALAGOAS
PARÃ MACEIÓ;
BELÉM: rua do Comércio, 258
aví Padre Eutiquio, 207