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MANUAL DE TRANSISTORES
MANUAL DE
TRANSISTORES
CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

RENATO ANDRADE

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pelo número 372

EDIÇÕES DE OURO
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CONSTRUA SEU RÁDIO. Renato Andrade
PRIMEIRAS NOÇÕES DE RÁDIO. Renato Andrade
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RÁDIO POR PERGUNTAS E RESPOSTAS. N. Pereira
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ÍNDICE GERAL
INTRÓITO .................................................................................... 11
CONSIDERAÇÕES GERAIS .................................................. 13
Condutores, Semicondutores e Isolantes ................... 15
Cristal de Germânio ......................................................... 16
Combinações P e N ......................................................... 17
TIPOS DE TRANSISTORES ................................................ 21
Transistores de Junção ..................................................... 21
Transistor de Contato de Ponta ou Puntiforme .........
Transistor Tétrodo ............................................................
Transistor Pêntodo ...........................................................
CONFIGURAÇÃO DE CIRCUITOS .....................................
CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR ............................
Amplificação de Corrente ................................................
Ganho de Potência ...........................................................
Limite de Freqüência ................................... ..................
APLICAÇÃO DO TRANSISTOR ...........................................
Amplificadores Classes A e B .......................................
CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR ....................................... 43
DEFINIÇÕES .............................................................................. 45
TIPOS DE TRANSISTORES —Características Básicas 51
CIRCUITOS PRÁTICOS ............................................................. 127
BIBLIOGRAFIA ........................................................................... 139
INTRÓITO
A acolhida sem precedentes na História da Telecomunica­
ção dêste minúsculo componente eletrônico que é o Tran­
sistor veio colocá-lo na ordem do dia muito ràpidamente.
Ainda agora são anunciados novos tipos mais elaborados
destinados ao desempenho das mais distintas funções nos
circuitos de rádio, televisão, áudio, amplificação e equipamen­
tos correlatos.
A diversidade de tipos de transistores ora em uso com
tendência a aumentar ainda mais é enorme, causando uma
natural confusão entre profissionais e até simples amadores.
Diante da notória escassez de informações devidamente
coordenadas, o técnico, para repor ou substituir determina­
dos tipos de transistores, já se vê em sérios apuros quando
depende de dados referentes às condições de funcionamento
dêste valioso componente.
MANUAL DE TRANSISTORES é uma ajuda nesse sen­
tido. Representa meticuloso trabalho de compilação de re­
gimes, visando atender o radiotécnico e o videotécnico nas
dificuldades cotidianas. Contém as Características Básicas de
elevado número de transistores, antigos e modernos; colo­
cando, assim, ao alcance dos interessados as informações téc­
nicas tidas como as mais essenciais.
MANUAL DE TRANSISTORES é livro de consulta que
atende, satisfatòriamente, todos que lidam com transistores,
principalmente no setor da reparação.
John Bardeen e Walter Brattain, incumbidos das pesquisas práticas
sôbre o Transistor, ladeando William Shockley, que supervisionou e
dirigiu pessoalmente tôdas as fases experimentais do mais famoso
componente eletrônico aparecido últimamente.
CONSIDERAÇÕES GERAIS
■durante a Segunda Guerra Mundial, os engenheiros es­
pecializados em equipamentos de Radar perceberam que as
válvulas eletrônicas mostravam-se incapazes para o desem­
penho satisfatório de determinadas funções em freqüência
muito elevada.
A indústria de válvulas, para a qual mais uma vez foram
endereçados os primeiros apelos de auxílio, via-se agora na
eventualidade de cruzar os braços, completamente esgotada
nos seus recursos. Nem mesmo a viabilidade da adoção de
um espaçamento intereletródico incrivelmente diminuto se­
ria capaz de diminuir o tempo de trânsito dos elétrons entre
cátodo e ânodo o suficiente para atender as exigências im­
postas por freqüências daquela ordem.
Como então contornar o impasse, tècnicamente?
Foi ainda sob o impacto desta indagação dos engenheiros
que os cientistas especializados da "Bell Telephone” come­
çaram a atacar o problema volvendo suas vistas para o ar­
caico e Já superado cristal semicondutor e seu respectivo
"bigode de gato”.
Dêste modo, recrudesceram as investigações em tômo dos
semicondutores, agora favorecidas por mais de quatro dé­
cadas de familiarização com o comportamento dos elétrons
John Bardeen e Walter H. Brattain, físicos altamente
qualificados dos Laboratórios de Pesquisas da "Bell”, prin­
cipiaram a se dedicar ao assunto vivamente interessados em
solucioná-lo, ainda assistidos pessoalmente pelo diretor de
pesquisas, William Shockley.
14 RENATO ANDRADE

Desde logo, as investigações orientaram-se no sentido de


descobrir um medo que, mediante a influência de um cam­
po eletromagnético externo, sem contato com o material, fôsse
capaz de controlar convenientemente o insignificante supri­
mento de elétrons em disponibilidade num condutor.
Mas as primeiras experiências nesse terreno foram infru­
tíferas. O comportamento dos elétrons no semicondutor tei­
mava em desafiar o conhecimento dos três pesquisadores.
Novos rumos, então, tiveram de ser seguidos. John Bardeen,
incumbido da parte teórica, teve de submeter novos concei­
tos % análise de Brattain, encarregado da experimentação
prática.
Desta feita, no entanto, os resultados coroaram-se de êxi­
to, surgindo o Transistor no Mundo da Eletrônica como o
semicondutor amplificador.
O protótipo de transistor exibido por Bardeen e Brattain
foi aquêle chamado com muita propriedade contato de pon­
ta e que atualmente já está em desuso. Consiste êle num
diminuto bloco de germânio encerrado numa cápsula her-
mèticamente fechada e em cuja superfície permanecem apoia­
dos, sob pressão, duas delicadíssimas pontas de contato
(“bigode de gato”), separadas cêrca de 1/500 de polegada.
Êste primeiro tipo de transistor, bàsicamente, não passa
do conhecido e antigo díodo de cristal razoàvelmente aper­
feiçoado; distinguindo-se do tipo vulgarmente popularizado
por contar dois “bigodes de gato” em vez de um único. Com
a inclusão dêste segundo “bigode de gato” no componente,
êste tornou-se um semicondutor dotado da propriedade de
amplificar — o de que carecia aquêle outro.
Quando uma corrente é injetada num dêstes dois “bigo­
des”, toma-se possível exercer o controle do fluxo de cor­
rente, no outro “bigode”; à semelhança do que ocorre com
a válvula eletrônica cuja grade controla a circulação de
corrente entre cátodo e ânodo, no interior do bulbo.
O transistor trabalha frio e é um componente que con­
some pouquíssima energia, além do tamanho minúsculo que
o caracteriza — entre outras particularidades. Possui, não
obstante, apreciável rigidez mecânica e durabilidade quase
ilimitada.
Todavia, embora seja o sucedâneo da válvula eletrônica |
em numerosas aplicações até então atribuídas a esta últi- ,
ma, não é o seu substituto direto; para operar em seu lugar,
exige um circuito especial.
Os primitivos transistores do tipo de contato de ponta
apresentavam certo nível de ruído inerente, inconveniente
que desaconselhava aplicá-los em determinadas funções es­
pecificas, limitando-lhes o emprêgo.
MANUAL DE TRANSISTORES 15

Procurando sanar êste impasse, a “Bell” desenvolveu o


membro mais importante de tôda a família de transistores,
por ora, o transistor de junção» graças aos princípios teó­
ricos estabelecidos por William Shockley.
A moderna Engenharia Eletrônica já considera o tran­
sistor como o mais promissor "pau para tôda obra”.
À semelhança da válvula eletrônica que simboliza uma
fase muito importante da Eletrônica de ontem, o transistor
caminha a passos de gigante para figurar como símbolo da
Eletrônica de hoje.

CONDUTORES, SEMICONDUTORES E ISOLANTES

É sabido que as substâncias classificam-se em conduto­


res e isolantes, conforme a maior ou menor resistência opos­
ta à passagem livre da corrente elétrica.
Os átomos das substâncias condutoras possuem elétrons
livres — cargas negativas. Êstes podem deslocar-se de um
átomo para outro átomo da substância, uma vez submeti­
dos a um campo elétrico ou a uma diferença de potencial.
O deslocamento dêsses elétrons por um condutor constitui
o que vulgarmente se diz corrente elétrica.
Mas para isso é preciso aplicar uma diferença de po­
tencial entre as extremidades do condutor. Então, circula
uma corrente elétrica que outra coisa não é senão os elé­
trons em movimento no referido condutor.
Todavia, os átomos componentes das substâncias iso­
lantes não possuem elétrons livres. Seus átomos, ao contrá­
rio, encontram-se "ligados”. Por causa disso, quando se
aplica uma diferença de potencial nestas substâncias, não há
nenhum deslocamento eletrônico. Não há, por conseguinte,
circulação de corrente elétrica.
As substâncias ditas semicondutoras têm propriedades
intermediárias que as situam entre os condutores e os iso­
lantes. Não chegam a ser nem boas condutoras nem bons
isolantes. A rigor, são substâncias isolantes suscetíveis de
adquirirem propriedades de condutividade, quando submeti­
das a determinadas condições de trabalho.
Todo e qualquer processo que venha permitir os elétrons
“ligados” de um isolante se deslocarem converte o aludido
isolante em um semicondutor.
As substâncias cristalinas puras têm uma resistência mui­
to elevada; sòmente adquirem propriedades semicondutoras
quando são submetidas a altas temperaturas ou à influên­
cia de um campo magnético de freqüência muito elevada.
16 RENATO ANDRADE
Entretanto, algumas substâncias semicondutores cristalinas
impuras gozam de propriedades semicondutores, mesmo em
condições normais de temperatura. Dentre estas últimas, men-
cionam-se o silício, germânio, antimônio e o fósforo.
O cristal de germânio, porém, é aquêle que mais se
emprega na fabricação de transistores, atualmente.

CRISTAL DE GERMÂNIO
£ím átomo de germânio, em estado normal, compreende
um núcleo positivo e 32 elétrons distribuídos em órbitas
elípticas, conforme ilustra a fig. 1. Os elétrons em suas ór­
bitas gravitam ao redor do núcleo e o conjunto toma um
aspecto muito parecido com um sistema solar em miniature.

Fig. 1
Os elétrons que se movimentam na órbita exterior cha­
mam-se elétrons de valência, dependendo dos mesmos as
propriedades químicas do germânio.
O átomo ilustrado na fig. 1, por exemplo, possui quatro
elétrons de valência; por isso, chama-se tetravalente.
MANUAL DE TRANSISTORES 17
Quando o átomo perde um elétron (carga negativa) fica
carregado positivamente; mas quando adquire um elétron
fica carregado negativamente.
Quando o germânio se apresenta em estado puro, trata­
-se de uma substância isolante. Para tomá-lo condutor, é
preciso deslocar um elétron de uma órbita estável para outra
órbita adjacente, necessitando, para isso, considerável ener­
gia. Mas, se o germânio é impuro, êste reclama menos ener­
gia.
Quando a impureza aplicada no germânio possui ^inco
elétrons de valência, quatro dêles permanecem “ligados” aos
correspondentes elétrons de valência. O quinto elétron, no
entanto, mantém-se livre e disponível, podendo deslocar-se;
resultando, daí, um excesso de carga negativa.
Mas, se a impureza dispõe apenas três elétrons de va­
lência, êstes unir-se-ão a outros três elétrons de valência
do germânio, permanecendo o quarto dêstes em situação de
receber um elétron de um átomo vizinho. Se êste átomo
ceder um elétron, ficará em seu lugar uma imagem positiva
do elétron ou uma lacuna, como é mais conhecido. Esta la­
cuna, por sua vez, poderá vir a ser ocupada por um elétron
de outro átomo, ficando agora neste átomo uma lacuna, e
assim sucessivamente. Por causa disso, também se diz que
as lacunas deslocam-se tôda vez que são submetidas a um
campo elétrico. Tal deslocamento, verifica-se, então, em sen­
tido contrário ao daquele efetuado pelos elétrons.
O átomo que permanece com uma lacuna, em virtude de
ter perdido um elétron, apresenta carência de uma carga ne­
gativa.
Quando o germânio está constituído de átomos com ex­
cesso de cargas negativas, diz-se que é do tipo N (negativo).
Quando, no entanto, carece de cargas negativas ou possui la­
cunas — o que é o mesmo — denomina-se do tipo P (posi­
tivo).
Para tornar o germânio do tipo N, é preciso adicionar-
-lhe fósforo ou antimônio. Para fazê-lo do tipo P, é neces­
sário adicionar-lhe bório ou alumínio.

COMBINAÇÕES P e N

Quando se submete o germânio de tipo N a um campo


elétrico, a condução é efetuada mediante o deslocamento de
elétrons. Mas, se o germânio é do tipo P, então a condução
se faz por meio do deslocamento de lacunas.
18 RENATO ANDRADE
Quando o germânio do tipo N entra em contato com o
germânio do tipo P, ocorrem duas hipóteses. No primeiro
caso, se se aplicar ao germânio do tipo P uma tensão positiva
com respeito àquela do tipo N, os dêste último são atraídos
para P, pela tensão positiva, enquanto que as lacunas de
P (cargas positivas), são repelidas por N.
Nestas circunstâncias, basta uma pequena diferença de
potencial aplicada entre P e N para a corrente que atravessa
a superfície de contato ser relativamente intensa. É o que
está Vustrado em A da fig. 2 e êste sentido de condução
chama-se direto.
MANUAL DE TRANSISTORES 19
No segundo caso, se a tensfio aplicada ao germânio do
tipo P torna-o negativo com respeito ao tipo N, elétrons e
lacunas afastam-se da superfície de contato, convertendo-a
em isolante e sendo atravessada por uma corrente muito fra­
ca, conforme ilustra B da mesma fig. 2.
ESTRUTURA INTERNA

DE UM TRANSISTOR MODERNO
TIPOS DE TRANSISTORES
Os transistores mais usuais constam de três elétrodos,
c.e forma a substituir a válvula tríodo nas suas principais
aplicações práticas. Isto não implica existirem transistores té-
jrodos, pêntodos e até multieletródicos que desempenham
várias funções, simultaneamente.
Os transistores dividem-se em dois tipos gerais, a saber:
tipo junção e tipo contato de ponta ou puntiforme, de con­
formidade com o método de construção.

TRANSISTORES DE JUNÇÃO
Os transistores de junção classificam-se em:
Tipo PNP que consta de duas pastilhas de germânio do
tipo P tendo inserida entre ambas uma outra pastilha
de germânio, mas do tipo N, conforme mostra a fig. 3;
Tipo NPN consistindo de duas pastilhas de germânio do
tipo N apresentando entre ambas uma pastilha de ger­
mânio do tipo P, tal como ilustra a fig. 4.

Fig. 3
22 RENATO ANDRADE

c
Fig. 4

Qualquer que seja o tipo de transistor, êste apresenta,


no mínimo, três elétrodos; cada um dos quais ligado a um
lide terminal.
A pastilha de germânio situada entre as duas outras pas­
tilhas exteriores chama-se base
As pastilhas externas têm uma condutividade muito alta,
enquanto que a da pastilha interna é muito baixa.
Para o funcionamento correto do transistor, uma de suas
pastilhas externas é polarizada em sentido inverso com res­
peito à base, isto é, a tensão é aplicada de modo a que o
díodo, assim constituído, não se faça condutor. Esta pastilha
ou elétrodo polarizado dêste modo chama-se coletor.
Quanto à terceira pastilha ainda restante, esta é polari­
zada com respeito à base de maneira a que o díodo, com­
posto desta forma, se faça condutor. Êste elétrodo chama -
-se emissor. A diferença de potencial aplicada entre emissor
e base é muito menor do que aquela entre base e coletor.
As gravuras 3 e 4 ilustram os dois tipos de transistores
descritos acima, mostrando, igualmente, a polaridade e a
respectiva representação gráfica. Observe-se que as pasti­
lhas de germânio e suas respectivas polarizações constituem
dois díodos: um, polarizado em sentido inverso (não con­
dutor); outro, em sentido direto (condutor).
Suponha-se (fig. 3) o coletor polarizado negativamente
com respeito à base: enquanto o emissor estiver sem tensão,
a corrente coletor-base é muito pequena; mas tão logo seja
aplicada sua polarização positiva, produz-se uma corrente
entre o emissor e a base ao mesmo tempo que algumas
lacunas procedentes do emissor se deslocam para a base
e desta são atraídas pelo coletor, aumentando a corrente
coletor-base.
O díodo constituído pelo coletor e a base tem uma im-
pedância alta, enquanto que a impedância do emissor é
muito baixa. Por outro lado, a corrente que circula no co­
letor é controlada pela corrente do díodo emissor. Por isso
MANUAL DE TRANSISTORES 23
é que a inserção de uma impedância entre o coletor e a base
provoca uma queda de tensão relativamente elevada, bas­
tando apenas variar a corrente emissor-base. Assim, o dis­
positivo funciona como amplificador.
Agora, faça-se uma análise na disposição apresentada na
fig. 4. Nesta, enquanto o coletor está polarizado positivamen­
te com respeito à base, o emissor está polarizado negativa­
mente. Ao aplicar ao emissor uma tensão negativa, os elé­
trons ali encontrados livres deslocam-se para a base; e,
em parte, são atraídos pelo coletor, polarizado positivanwnte,
provocando um aumento na corrente de coletor. Se se inse­
rir no circuito dêste uma impedância alta, é possível conse­
guir uma tensão controlada pela corrente de emissor, fun­
cionando o transistor como amplificador, à semelhança do
caso anterior.

A fig. 5 compara o transistor do tipo NPN com o circuito


de uma válvula tríodo com grade à massa. A válvula pode
considerar-se como um díodo, constituída de um “emissor”
(cátodo) e de um “coletor” (placa). A corrente entre am­
bos é controlada pela tensão aplicada à base (grade), situa­
da entre o “emissor” e o “coletor” (sem consumo de cor­
rente).

TRANSISTOR DE CONTATO DE PONTA OU PUNTIFORME


Presentemente, está superado pelo transistor do tipo de
junção.
O transistor do tipo de contato de ponta, também cha­
mado puntiforme, consiste de um cristal semicondutor sôbre
o qual se apóiam duas pontas metálicas distanciadas cerca
de 0,005 mm.
24 RENATO ANDRADE
Enquanto uma ponta atua como “emissor”, injetando
elétrons ou lacunas na região da base; a outra age como
“coletor* procurando “extrair” elétrons ou lacunas daquela
região.
O “emissor” é polarizado em sentido direto e o “coletor”
em sentido inverso.

Fig. 6
A fig. 6 mostra a constituição interna dêste tipo de tran­
sistor. O cristal de germânio com 2x2x1 mm é do tipo N
e atua como “base”.
O transistor de junção PNP equivale ao transistor pun-
tiforme de base N bastante melhorado de modo a tomá-lo
indicado para operar em freqüências mais elevadas do que
aquêle outro.

TRANSISTOR TÉTRODO
O transistor também pode possuir vários elétrodos, a
exemplo da válvula eletrônica.
Se fôr acrescentado no transistor um segundo elétrodo
emissor, por exemplo, permanecendo o coletor situado entre
os dois emissores, tem-se constituído o tipo de transistor
chamado tétrodo, muito aplicado nas funções de misturador.
Os dois sinais que devem ser misturados são então envia­
dos a êstes dois elétrodos; obtendo-se o resultado final no
coletor.
MANUAL DE TRANSISTORES 25
O transistor do tipo tétrodo é construído conforme ilus­
tra a fig. 7, no qual a segunda base, B2, constitui o quarto
elétrodo, conforme pode ser apreciado. Quando esta segunda
base não se encontra polarizada em relação à base Bl, o
comportamento da unidade é idêntico ao de um transistor

---- ( •• 0----

T BRBS1

Fig. 7
convencional de três elétrodos. Mas, se a base B2 fôr cone-
tada a um potenciômetro, a fim de permitir variar a pola­
rização (fig. 8), verifica-se uma modificação no comporta-

Fig. 8
RENATO ANDRADE
mento do transistor. Nestas condições, quando B2 é posi­
tiva com relação a Bl, as lacunas, injetadas pelo emissor E,
concentram-se em Bl e só atua metade da região da junção
E-B (fig. 9).

Fig. 9
Quando, no entanto, a base B2 é negativa em relação à
Bl, a região inteira da junção emissor-base (E-B) injetará
lacunas que são atraídas por B2 e concentradas na região
superior da junção, segundo esclarece a fig. 10.
Em ambos os casos, porém, parte das lacunas injetadas
pelo emissor é captada pelos elétrons excedentes da base de
tipo N.

•dC—

Fig. 10
O deslocamento de lacunas depende da tensão de pola­
rização aplicada à base B2 e seu trajeto é maior ou menor
de conformidade com o valor desta tensão e ao número de
lacunas captado pelos elétrons localizados na base.
MANUAL DE TRANSISTORES 27
transistor pêntodo

Mediante a inserção de dois novos elétrodos no transis­


tor obtém-se o chamado transistor pêntodo. Êste tanto pode
ser fabricado constituído de duas bases, dois emissores e
um coletor (fig. 11) como compreendendo duas bases, dois
coletores e um emissor (fig. 12).

&

Fig. 11 Fig. 12
No primeiro caso apontado acima, permite misturar dois
sinais distintos; amplificando um dêles, de conformidade com
a polarização aplicada à base B2. Em se tratando porém
de um pêntodo provido de dois coletores, o transistor admi­
te, segundo a polarização impressa ã base B2, o desdobra­
mento de um determinado sinal de modo a enviá-lo ao cole­
tor Cl ou C2, após amplificá-lo convenientemente. Desta ma­
neira, consegue-se uma amplificação em contrafase com o
emprêgo de um transistor pêntodo único — o que equivale
a uma válvula eletrônica duplo-tríodo. A fig. 13 ilustra um
circuito típico desta condição.

Fig. 13
28 RENATO ANDRADE
Além dos transistores descritos até aqui, a indústria de
semicondutores fabrica outros tipos especiais, destinados a
aplicações específicas. Por exemplo: os transistores chama­
dos barreira superficial, efeito de campo ou unipolar, desvio
e base difusa, entre vários outros, os quais deixam de ser
abordados para não nos afastarmos da índole dêste Manual.
CONFIGURAÇÃO DE CIRCUITOS
O transistor admite três configurações de circuito, a sa­
ber: base comum, emissor comum e coletor comum, igual­
mente conhecidas como base à massa, emissor à massa e co­
letor à massa, respectivamente.
Aqui, o têrmo comum ou massa alude ao elétrodo do
transistor que é geral aos circuitos de entrada e de saída.
As três configurações mencionadas acima assemelham-
-se bastante àquelas dos amplificadores equipados com vál­
vulas eletrônicas e conhecidas como grade à massa, cátodo
à massa e placa à massa.

A configuração de base comum (fig. 14) corresponde ao


circuito de grade à massa empregado nos amplificadores
equipados com válvulas eletrônicas. No circuito em questão,
aplica-se o sinal de entrada entre emissor e massa e a saída
30 RENATO ANDRADE
é conseguida entre coletor e massa. Adota-se quando é pre­
ciso ajustar uma entrada de impedância baixa à uma saída
de impedância alta, tal como ocorre com as válvulas ele­
trônicas.
Como o sinal de entrada é aplicado ao emissor estando
a base à massa, não se verifica inversão de fase do sinal,
mas o ganho de corrente é menor que a unidade (1).

Fig. 15
A configuração de emissor comum (fig. 15) é quase aná­
loga ao circuito de cátodo à massa, adotado nos amplifica­
dores que fazem uso de válvulas eletrônicas.
Esta configuração é muito preferida, porque além de
prover amplificação de tensão e de corrente ainda propor­
ciona um ganho de potência alto e um ganho de corrente
médio (200 a 100).
Aplica-se o sinal de entrada entre base e massa; en­
quanto a saída é obtida entre coletor e massa. Nesta confi­
guração há uma inversão de fase de 180 graus.
A configuração de coletor comum (fig. 16) equivale a
disposição de placa à massa, nos amplificadores equipados
com válvulas eletrônicas. Emprega-se quando há necessida­
de de ajustar uma entrada de impedância alta a uma saída
de impedância baixa.
MANUAL DE TRANSISTORES 31

ílg. 16
O ganho de tensão é menor do que a unidade, apesar
de oferecer um ganho de corrente médio (20 a 100) e um
ganho de potência baixo. Não há inversão de fase do sinal.
O quadro sinóptlco, reproduzido adiante, dá uma idéia
da diferenciação das três configurações apreciadas acima.

CONFIGURAÇÃO

CIRCUITO IMPEDANCIA DE IMPEDANCIA DE


ENTRADA SAÍDA

Base comum BAIXÍSSIMA ALTÍSSIMA


Emissor comum BAIXA MÉDIA
Coletor comum ALTÍSSIMA BAIXÍSSIMA
DISPOSIÇÃO INTERNA DE UM TRANSISTOR
CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR
Quando estão em jôgo válvulas eletrônicas, os parâme­
tros básicos a considerar são em número de três, a saber:
tensão de placa, corrente de placa e tensão de grade; por­
quanto as válvulas são componentes sensíveis e operadas à
tensão.
Por conseguinte, ao abordar o funcionamento das vál­
vulas, todos os termos e fórmulas referem-se aos três parâ­
metros apontados acima. Para determinar suas caracterís­
ticas, varia-se a tensão de placa e/ou a tensão de grade,
anotando-se a corrente de placa obtida. A posse dêstes da­
dos permite estabelecer o ganho, transcondutância e outras
características.
Mas, como o transistor é um componente eletrônico sen­
sível à corrente e operado por meio da mesma, nas suas
características intervém mais dois parâmetros básicos de
modo a completar cinco, a saber: tensão de coletor, corrente
de coletor, corrente de base, tensão de emissor e corrente de
emissor. Êstes dois últimos comparam-se à tensão e corren­
te de cátodo encontrados na válvula de rádio, diferindo no
fato de independerem da tensão e da corrente de coletor.
Considerando êstes cinco parâmetros é que se consegue
obter os demais parâmetros correspondentes ao funciona­
mento do transistor. Dêste modo é possível determinar a
resistência estática do emissor (Re) dividindo a tensão pela
corrente de emissor; enquanto a resistência estática do cole­
tor (Rc) é encontrada dividindo a tensão pela corrente de
coletor.
Em se tratando de tensões C.C. e de audiofreqüências,
as componentes da resistência interna, tal como aparecem
nos três terminais do transistor, podem ser representadas
34 RENATO ANDRADE

EMISSOR O*- ■A/WWV » f WWV—-* COLETOR

i*b

BASE

Fig. 17
pela rêde equivalente de três terminais ilustrada na fig. 17.
Os resistores Re, Rb e Rc simbolizam as resistências de
emissor, base e coletor, respectivamente. A resistência de
base (Rb), depende da resistividade da pastilha de germânio.
Não obstante, tôdas as componentes têm efeito direto sôbre
as resistências de entrada e de saída do transistor, conforme
indica o quadro reproduzido a seguir.

RESISTÊNCIAS DE ENTRADA E SAÍDA

CIRCUITO RESISTÊNCIA DE RESISTÊNCIA DE


ENTRADA SAÍDA

Base comum Re + Ro Rc + Rb
Emissor comum Rb 4~ Re Rc Re
Coletor comum Rb -f- R Re + Rb
MANUAL DE TRANSISTORES 35
Dada a polarização adotada para polarizar os transisto­
res, o emissor, com polarização direta, oferece uma resistên­
cia muito baixa — 300 ohms, aproximadamente. Como a po­
larização do coletor é em sentido inverso a resistência é
muito alta, variando entre 10 000 a 1 megohm.
Por causa disso, considera-se que o transistor oferece um
ganho de resistência (còletor-emissor), representado aritmè-
ticamente como se segue:
Ganho de resistência = Resistência de coletor/R^istên-
cia de emissor.
Como o transistor é um componente eletrônico operado
mediante corrente, esta é considerada como variável inde­
pendente, na determinação das características. Isto significa
que para estabelecer as características em questão deve va­
riar-se a corrente de coletor ou de emissor, anotando-se a
tensão de coletor ou a tensão de emissor resultante.
Êste método é inteiramente aquêle empregado no caso
de válvulas de rádio. Neste, varia-se a tensão de placa e
considera-se a respectiva corrente de grade.
No transistor, as características encontram-se represen­
tadas pela tensão em função da corrente com respeito a uma
corrente de base constante. Na válvula eletrônica, as carac­

terísticas se expressam pela corrente em função da tensão


referida a uma tensão de grande constante. A fig. 18 ilustra
a semelhança e a diferença entre o transistor e a válvula
nesse particular.
36 RENATO ANDRADE
AMPLIFICAÇÃO DE CORRENTE
No transistor, a amplificação de corrente representa a
relação existente entre a variação de corrente do coletor e a
variação de corrente do emissor ou de base que a produz,
permanecendo a tensão de coletor constante.
O fator de amplificação de corrente depende da confi­
guração do circuito adotada com o transistor. No circuito
de base comum (fig. 14), a amplificação de corrente é me­
nor fo que a unidade, isto é, 1, porque nem todos os por­
tadores que abandonam o emissor conseguem atingir o co­
letor. Os portadores majoritários de corrente combinam-se
com alguns portadores minoritários na região de base, neu­
tralizando-os; enquanto no circuito de base fluem parte dos
portadores majoritários.
Esta é a diferença entre corrente de emissor e corrente
de coletor. Não se deve esquecer, no entanto, que os porta­
dores majoritários de corrente têm polaridade oposta àquela
dos minoritários.
No circuito com emissor comum, a amplificação de cor­
rente base-coletor é de valor muito mais elevado do que no
circuito com base comum, devido a circulação de uma cor­
rente pequena na região de base provocar grande fluxo de
corrente no coletor.

GANHO DE POTÊNCIA
Esta característica do transistor decorre da amplificação
de corrente. O ganho de potência define-se como a relação
entre a potência do sinal de entrada e a potência do sinal de
saída, em função do fator de amplificação de corrente e do
tipo adotado de configuração de circuito.
O ganho de potência varia em relação com as impe*
dâncias de saída e entrada e com o quadrado de alfa do
transistor.

LIMITE DTH FREQUÊNCIA


Os fatôres que determinam o limite de freqüência de
trabalho do transistor são de índoles diversas, tais como:
espessura da região semicondutora, natureza dos portadores
de corrente, tempo de trânsito dos elétrons ou das lacunas,
espaçamento intereletródico e capacitância dos elétrodos,
entre vários outros.
MANUAL DE TRANSISTORES 37
Todos, no entanto, representam papel da maior importân­
cia na limitação da freqüência máxima de funcionamento do
transistor.
Alguns dêstes fatôres estão interligados, isto é, depen­
dem das características de algum outro.
Chama-se tempo de trânsito o tempo que é atribuído à
corrente para esta circular do emissor ao coletor, através
do material semicondutor do transistor.
A natureza dos portadores de corrente, isto é, se se
trata de elétrons ou de lacunas, além de exercer inflqência
sôbre o tempo de trânsito, está, também, intimamente liga­
da com êste último.
Como o deslocamento das lacunas se opera mais lento
que o dos elétrons, se se aumenta a freqüência do sinal,
atinge-se, por fim, a um ponto que as lacunas em circulação
do emissor para o coletor mostram-se incapacitadas de acom­
panharem estas variações de sinal. È precisamente êste pon­
to que corresponde para as lacunas o limite superior de fre-
qüência — o que também é válido com referência aos
elétrons.
Se, durante o processo de fabricação do transistor, dis­
tancia-se a região de emissor um pouco mais da região de
coletor ou então se faz o semicondutor dotado de espessura
maior, também verifica-se um aumento no tempo de trân­
sito — o que reduz, por seu turno, o limite de freqüência do
componente.
Dada a proximidade entre os elétrodos na estrutura in­
terna do transistor, o componente apresenta uma capaci-
tância entre aquêles, a qual, devido a seu efeito derivador,
afeta o limite de freqüência da unidade.
Malgrado os fatôres apontados, a indústria, num entro-
samento perfeito com as últimas pesquisas no campo de
semicondutores, já pode fabricar transistores para funções
osciladoras, amplificadoras e comutadoras cujo limite de fre­
qüência alcança alguns milhares de megahertz. Estão neste
caso, por exemplo, os transistores simétricos, tyristores, tri-
nistores, transistores de avalancha, transistores de gancho,
para citar apenas alguns tipos mais recentes.
TRÊS TIPOS DE TRANSISTORES
APLICAÇAO DO TRANSISTOR

AMPLIFICADORES CLASSES A e B
Em um amplificador classe A, a tensão contínua de pola­
rização é tal que há corrente de coletor durante o ciclo com­
pleto de excitação. Nestas condições, a tensão do coletor não
é afetada pelo sinal.
Para um sinal de entrada senoidal, a eficiência máxima
de um amplificador classe A é 50%, teòricamente. Tal rendi­
mento depende da potência utilizada na estabilização.
O ganho de potência é função do ganho de corrente, da
impedância de entrada e da impedância de carga.
Em um amplificador classe B, as tensões aplicadas são
de molde a que sòmente os semiciclos do sinal de entrada
é que são amplificados. Durante os instantes que não há
excitação aplicada, a corrente mantém-se quase nula e a
potência dissipada é zero, aproximadamente.
.Esta condição de corte de corrente, no entanto, é conse­
guida de dois modos. No primeiro, o transistor é polarizado
de modo a se verificar no coletor uma corrente alta sob
uma tensão relativamente baixa aplicada ao referido elétrodo
(ponto A assinalado na fig. 19). Dêste modo, o transistor, na
configuração de circuito com base comum, amplifica o semi-
ciclo negativo do sinal. No segundo caso, o transistor é pola­
rizado de forma a se registrar no coletor uma corrente rela­
tivamente baixa sob uma tensão relativamente alta nesse
mesmo elétrodo (ponto B indicado na fig. 19). Assim, o com­
ponente amplifica o semiciclo positivo do sinal de entrada
40 RENATO ANDRADE

Fig. 19
A primeira situação, apesar de proporcionar pouca efi­
ciência, apresenta certas vantagens, quando são utilizados
transistores do tipo puntiforme.
Em se tratando, porém, de transistores do tipo de junção,
é preferida a segunda condição, quase sempre.
Como o transistor polarizado para operar em classe B
sòmente amplifica a metade do ciclo da tensão de entrada,
é preciso o emprêgo de dois transistores dispostos em con-
trafase, a fim de completar a onda senoidal.
Todavia, na prática, raramente é adotado o circuito teó­
rico do amplificador classe B. O emissor, via de regra, está
polarizado ligeiramente abaixo do ponto de corte para evitar
a distorção, embora com algum prejuízo na eficiência.
Podem ser apontadas agora, em linhas gerais, as vanta­
gens da amplificação em classe A e da amplificação em
classe B.
Em classe A, o amplificador apenas necessita de um
transistor no estágio de saída, não causando distorção a va­
riação na resistência do emissor. Todavia, o amplificador em
classe A está sujeito a apresentar considerável distorção
harmônica.
MANUAL DE TRANSISTORES 41
Num amplificador em classe B, a dissipação de potência
é quase nula, durante a ausência de sinal de entrada — ca­
racterística que o faz econômico.
Nesta classe de operação com saída em contrafase obser-
va-se na carga a eliminação dos harmônicos pares e da com­
ponente contínua — características de importância capital.
No projeto de amplificadores de potência a transistores
é impossível seguir os mesmos critérios geralmente adota­
dos nos amplificadores equipados com válvulas eletrônicas.
Naqueles, as características do circuito de coletor deper^em,
em grande parte, da impedância do circuito de emissor ou
da impedância do circuito de base.
Como é sabido, as características de funcionamento do
transistor de potência variam de acordo com a temperatura
a que o componente está submetido. Como grande parte dos
transistores está sujeita às variações do calor ambiente —
vinte a trinta graus centígrados ou setenta a 90 graus Fah­
renheit, em média —, o projeto de um circuito com transis­
tores dessa classe deve prever um método de compensação
de temperatura. Nesse sentido, o processo mais simples e
usualmente utilizado consiste em ligar um resistor em série
com o emissor, a fim de produzir uma realimentação de
corrente e controlar a polarização do componente.
Mas, não é a temperatura o único fator que exerce in­
fluência no comportamento do transistor.
Um dêles é a máxima tensão permissível no coletor, por
exemplo. Numa classe B, a tensão no coletor atingirá o dôbro
da tensão da batería de alimentação. Por isso, a tensão desta
fonte não deve exceder a metade da máxima tensão permis­
sível no coletor.
Outro fator, igualmente importante, é aquêle que diz
respeito à máxima corrente de coletor, pois qualquer valor
excessivo é capaz de ocasionar uma variação de ganho de
corrente, provocando uma distorção exagerada.
Por fim, a variação de resistência no circuito emissor
também pode prejudicar o funcionamento do transistor. Numa
classe B, a resistência do circuito emissor é elevada no
início de cada semiciclo; diminuindo, ràpidamente, à me­
dida que vai aumentando a amplitude instantânea do sinal.
Isto causa uma distorção, que é tanto maior quanto maior
a amplitude do sinal aplicado.
CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR
Para a formação das junções P-N no transistor, a indús­
tria de semicondutores emprega várias técnicas. Veja-se, por
exemplo, o caso do transistor de tipo PNP, fabricado pelo
processo denominado junção por liga.
A fabricação dêste transistor tem início com um lingote
de germânio, extremamente delgado (3 x 3 x 1/2mm),
íite, depois de adaptado num suporte apropriado, recebe, em
oada face, grânulos de índio aplicados por meio de pressão.
O conjunto é em seguida introduzido e mantido num forno
Btd ter lugar a fusão do índio e constituir uma liga com o
Sirmânio; formando uma região de tipo P no germânio de
po N. A fig. 20 mostra detalhes desta técnica de fabricação.

Fig. 20
44 RENATO ANDRADE
O transistor fabricado por êste meio oferece um ganho
satisfatório nas aplicações de áudio. Por isso, é usado nos
projetos dessa classe de amplificadores cuja potência de
saída é moderada.
O transistor, no entanto, não se recomenda para aplica­
ção nos amplificadores de radiofreqüência que operam a
freqüências altas, pois os grânulos de índio, sendo relativa­
mente grandes, causam uma capacitância elevada entre co­
letor e base, tomando o transistor inestável, inerentemente.
dá o mesmo não ocorre com o transistor submetido à
técnica de fabricação chamada junção por difusão. Neste
caso, o lingote de. germânio é colocado num forno e a impu­
reza destinada a formar a junção P ou N (índio ou antimô-
nio, conforme o caso) admite-se vaporizada no material den­
tro do forno e em quantidades controladas. Como só é expos­
ta uma das faces do lingote de cada vez, a impureza penetra
no interior do material e se difunde uniformemente, pro­
duzindo o tipo de junção desejada. A fig. 21 dá uma idéia

O transistor fabricado conforme esta técnica apresenta


uma capacitância de coletor baixa; porém o ganho é satisfa­
tório até em vários megahertz. O componente possui estabi­
lidade nas radiofreqüências altas, ao contrário da constru­
ção anterior. Por causa disso, é muito usado nas etapas de
R.F., nos receptores de radiodifusão.
Ambas as técnicas de fabricação, acima descritas em
linhas gerais, constituem apenas dois processos entre vários
outros métodos mais elaborados e adotados pela indústria de
transistores que não cabe abordar neste Manual.
DEFINIÇÕES
ACEITADOR — Diz-se do átomo de impureza que adicionado
no material semicondutor aumenta o número de lacunas
no material. Impureza aceitadora.
ALFA — Ganho de corrente entre emissor e coletor. No tran­
sistor do tipo puntiforme, às vêzes, excede a unidade; no
transistor do tipo junção, sempre é inferior a 1 (um).
AMPLIFICADOR A TRANSISTOR — Aquêle onde um ou mais
transistores encarregam-se de prover amplificação seme­
lhante àquela conseguida por meio de válvulas eletrô­
nicas.
AMPLIFICADOR CLASSE A — Aquêle que opera na região
linear da característica de coletor.
AMPLIFICADOR CLASSE B — Aquêle que opera sòmente du­
rante o semiciclo do sinal de entrada.
AMPLIFICADOR CLASSE AB — Aquêle que a tensão ou a
corrente de coletor é nula, menos da metade do ciclo do
sinal de entrada.
AMPLIFICADOR CLASSE C — Aquêle que a tensão ou a
coerente de coletor é nula, mais da metade do ciclo do
sinal de entrada.
ATOMO — Unidade mínima de qualquer elemento capaz de
combinar ou integrar uma reação química.
46 RENATO ANDRADE
BARREIRA — Região no semicondutor que delimita dois ma­
teriais de tipos diferentes. Junção.
BASE — Aquêle elétrodo no transistor que equivale à grade
na válvula eletrônica.
BASE COMUM — Técnica de operar o transistor na qual o
sinal de entrada é aplicado entre emissor e base do
componente e cuja saída é assegurada entre coletor e
base; conservando, em decorrência, a base do transistor
** comum aos circuitos de entrada e de saída. Base à massa.

BETA — Ganho de corrente entre base e coletor.


“BIGODE DE GATO” — Nome familiar dado a um delicado
fio metálico de ponta afilada que é encontrado na cons­
tituição interna do transistor puntiforme para estabelecer
um ponto de contato com o material semicondutor.
CÁPSULA — Invólucro de vidro, plástico, cerâmica, alumínio,
cobre ou ligas metálicas de vários feitios e tamanhos,
hermèticamente fechada, que aloja o semicondutor para
protegê-lo principalmente do calor e de choques mecâ­
nicos. Invólucro, caixa.
COLETOR — Aquêle elétrodo no transistor que equivale à
placa na válvula eletrônica.
COLETOR COMUM — Técnica de operar o transistor na qual
o sinal de entrada é aplicado entre base e coletor do com­
ponente e cuja saída é assegurada entre emissor e cole­
tor; conservando, em decorrência, o coletor comum aos
circuitos de entrada e de saída. Coletor à massa.
CONDUTIVIDADE — Diz-se daquela propriedade no semi­
condutor que expressa a facilidade da corrente circular
pelo material.
CONFIGURAÇÃO — Diz-se do tipo de circuito amplificador
de conformidade com o nome do elétrodo do transistor
que é especificamente comum à entrada e à base. Con­
figuração de base comum; configuração de emissor co­
mum; configuração de coletor comum.
CONTAMINAÇÃO — Técnica de adicionar impurezas de tipo
P ou N ao semicondutor, durante o processo de formação
do material.
MANUAL DE TRANSISTORES 47
CORRENTE DE BASE — Diz-se daquela que circula na
região de base do transistor.
CORRENTE INVERSA — Diz-se da C.C. de pequeno valor
que flui no componente submetido à polarização inversa.
CORRENTE DE COLETOR — Diz-se daquela que circula
na região de coletor do transistor.
CORRENTE DE EMISSOR — Diz-se daquela que circula na
região de emissor do transistor.
CORTE DE COLETOR — Aquela condição que implica não
haver circulação de corrente no circuito de coletor.
CURVA CARACTERÍSTICA — Gráfico ilustrativo do efeito
na variação do potencial aplicado à um elétrodo em fun­
ção da corrente dêste ou de outro elemento do transis­
tor, permanecendo constantes as demais condições de tra­
balho.
DESLOCAMENTO — Diz-se do movimento efetuado pelos
portadores de corrente no semicondutor, ocasionado pela
tensão aplicada.
ELÉTRON — Portador de corrente carregado negativamente.

EMISSOR — Aquêle elétrodo no transistor que equivale ao


cátodo na válvula eletrônica.

EMISSOR COMUM — Técnica de operar o transistor na qual


o sinal de entrada é aplicado entre base e emissor do
componente e cuja saída é assegurada entre coletor e
emissor; conservando, em decorrência, o emissor comum
aos circuitos de entrada e de saída. Emissor à massa.
FASE — Diz-se de duas tensões ou correntes da mesma
freqüência e que simultaneamente alcançam seus valô-
res máximos, positivos e negativos. Em fase.
FERRITE — Classe de compostos químicos alguns dos quais
são ferromagnéticos e possuem certas propriedades que
os tomam indicados para aplicação em componentes ele­
trônicos destinados a trabalhar em radiofreqüência.
48 RENATO ANDRADE
FREQUÊNCIA DE CORTE ALFA — Aquela à qual a ampli­
ficação de corrente (alfa) do transistor diminui 0,707 no
valor de sua freqüência baixa.
GANHO — Relação entre a saída e a entrada de um sistema,
tal como um amplificador, ambas expressas nas mesmas
unidades. O ganho, conseqüentemente, pode exprimir um
ganho de tensão, ganho de corrente ou ganho de potência.
GERMÂNIO — Classe de material semicondutor muito utili­
zado na fabricação de transistores.
IMPEDÂNCIA — Oposição total oferecida por um circuito à
circulação de uma corrente alternada através do mesmo
e que é igual à relação entre o valor eficaz da tensão
aplicada e o valor eficaz da corrente. A impedância é
uma propriedade complexa, compreendendo três compo­
nentes: 1’) resistência do circuito; 29> componente reativa,
devido à indutância do circuito; 39) outra componente
reativa, devido à capacitância do circuito; dependendo,
as duas últimas, do valor da freqüência.
IMPUREZA — Elemento químico estimulante que é adicio­
nado no semicondutor em quantidades controladas a fim
de formar o material de tipo P ou de tipo N.
IMPUREZA DOADORA — Diz-se daquela que libera elétrons,
cedendo-os como livres portadores de cargas negativas.
Quando uma impureza pentavalente, como o antimônio,
é adicionada no germânio, que é tetravalciite, cada átomo
de impureza provê um elétron livre. Doador.
INSTÁVEL — Diz-se do circuito ou componente eletrônico
quando suas condições são de tal ordem que o compor­
tamento no que tange à condução ou oscilação é sus­
cetível de grandes e súbitas flutuações.
LACUNA — Portador de corrente carregado positivamente;
vaga deixada pelo deslocamento do elétron.
LIGAÇAO DE VALÊNCIA — Aquela constituída entre os
elétrons de dois ou mais átomos; ligação entre o núcleo
do átomo e os elétrons em órbita.
PARAMETRO — Diz-se de uma quantidade variável cujo va­
lor determina ou afeta os valôres ou a relação de duas
ou mais quantidades.
MANUAL DE TRANSISTORES
POLARIZAÇAO DIRETA — Tensão aplicada à região P-N do
transistor de modo a propiciar a circulação de uma cor­
rente intensa.

POLARIZAÇAO INVERSA — Tensão aplicada no transistor


de forma a que o fluxo de corrente seja muito pequeno
ou quase nulo.
PORTADORES — Diz-se dos elétrons ou das lacunas que
conduzem corrente através do semicondutor. '
PORTADORES MAJORITÁRIOS — Diz-se dos elétrons, no
semicondutor de tipo N; das lacunas, no semicondutor de
tipo P.
PORTADORES MINORITÁRIOS — Diz-se das lacunas, no
semicondutor de tipo N; dos elétrons, no semicondutor
de tipo P.
RESISTTVIDADE — Diz-se daquela menor ou maior aptidão
que o semicondutor se opõe à circulação de corrente atra­
vés do material.
SELENIO — Classe de material semicondutor utilizado na
fabricação de alguns tipos de transistores.
SEMICONDUTOR — Diz-se da classe de material que não
é bom condutor nem bom isolante; sólido que apresenta
algumas propriedades encontradas nos condutores e nos
isolantes, simultâneamente; classe de material capaz de
conduzir corrente por meio de elétrons e de lacunas.
SEMICONDUTOR INTRÍNSECO — Aquêle que contém idên­
tico número de elétrons e de lacunas.
TEMPO DE TRANSITO — Aquêle requerido para o elétron
ou outro portador de carga circular entre dois elétro-
dos do transistor.
TRANSISTOR — Componente eletrônico constituído a base
de semicondutores, contendo três ou mais elétrodos base,
emissor e coletor são os principais. O germânio e o
silício são os materiais empregados com maior freqüên­
cia, como semicondutores; operando-se a condução por
meio de elétrons e de lacunas. Substitui o emprêgo da
válvula eletrônica em numerosas aplicações, vantajosa­
mente.
50 RENATO ANDRADE
TRANSISTOR DE CONTATO DE PONTA — Aquêle cuja base
é um material semicondutor de tipo P ou de tipo N no
qual o emissor e o coletor estão constituídos por pe­
quenas áreas de material de tipo oposto, formadas em
tômo das pontas de dois “bigodes de gato” que estão
situadas bem próximas. Tipo primitivo de transistor qua­
se em desuso, no momento. Transistor puntiforme.
TRANSISTOR DE TIPO JUNÇÃO — Aquêle constituído de
un^i pastilha de material semicondutor de tipo N dis­
posta entre duas pastilhas de semicondutor tipo P ou
vice-versa.
TRANSISTOR NPN — Diz-se daquele tipo junção constituído
de uma pastilha de material semicondutor de tipo P, si­
tuada entre duas pastilhas de tipo N.
TRANSISTOR PNP — Diz-se daquele tipo junção constituído
de uma pastilha de material semicondutor de tipo N,
situada entre duas pastilhas de tipp P.
TRANSISTORIZADO — Diz-se daquele dispositivo, instru­
mento ou equipamento eletrônico que é construído à
base de transistores.
UHF (Ultra High Frequency) — Faixa de radiofreqüências
que abrange 300 a 3 000 megahertz, correspondendo com­
primentos de onda de 1 a 10 centímetros. Freqüência
ultra-elevada.
VHF (Very High Frequency) — Faixa de radiofreqüências que
abrange 30 a 300 megahertz, correspondendo a comprimen­
tos de onda de 10 a 1 metro. Freqüência muito elevada.
TIPOS DE TRANSISTORES

Os tipos de transistores relacionados adiante são aquê-


les mais usuais nos circuitos de rádio, TV e afins. AO
A informação consignada baseia-se, inteiramente, nos
dados divulgados pelos diferentes fabricantes nacionais e
estrangeiros.
Nesta coordenação e compilação foram envidados todps
os esforços no sentido de assegurar a máxima exatidão.
As Características Básicas sòmente abrangem as seguin­
tes informações técnicas: freqüência de corte; ganho de cor­
rente base-coletor (emissor comum); máxima potência dissi­
pada no coletor; máxima tensão emissor-coletor; e, finalmen-?
te, máxima corrente de coletor.
Para maior conveniência de apresentação gráfica, foram
adotadas as seguintes notações de uso quase convencional:

AF = Audiofreqüência Pot = Audiofreqüência de Po­


RF = Radiofreqüência tência ' / ' •&
FI = Freqüência Intermediá­ Fot = Fototransistor 67- > ,
ria VHF = Very High Frequency
Osc = Oscilador UHF = Ultra High Frequency
Com = Comutação mHz = Megahertz
mW = Miliwatts

Na coluna onde se lê: CLASSE, a notação PT refere-se


a transistores do tipo de contato de ponta ou contato pun­
tiforme, como preferem alguns autores.
52 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

r
2524 Pot PT 120 -30 -25
2525 Pot PT - - 200 50 30
2527 AF 5P5 - — 50 35 100
2H28 AF 5P5 - - 50 30 100
2N29 AF 5P5 - - 50 35 30
2530 RF PT 2 7,1 100 30 7
2531 RF PT 2 100 30 7
2532 RF PT 2,7 11,5 50 40 8
2533 AF PT 30 8,5 7
2534 FI P5P 0,6 100 50 -25 -8
2535 FI NPN 0,8 100 50 25 8
2536 AF PNP — 100 50 -20 -8
2537 AF PNP - 63 50 -20 -8
2538 AF PNP - 40 50 -20 -8
2539 AF PNP - 180 70 -25 -
2540 AF PNP - 25 70 -25 -
2541 AF PNP — 100 50 -25 -15
2N42 AF - P5P — 4,5 70 -25 —
2543 AF PNP 0,5 50 240 -30 -300
2544 AF P5P 0,5 22 240 -30 -300
2545 AF PNP 0,5 - 155 -25 -10
2546 AF PNP 1,6 50 -25 -15
2547 AF PNP 50 -35 -20
2548 AF PNP - 50 -35 -20
2549 AF PNP - 50 -35 -20
2552 RF PT - 120 50 8
2553 Osc PT — — 50 8
2554 AF PNP 100 200 -45 -10
2555 AF PNP 89 200 -45 -10
2556 AF PNP 79 200 -45 -10
2557 Pot PNP 5 — -60 -500
2559 Pot PNP 56 180 -25 -200
2560 Pot PNP 56 180 -25 -200
2561 Pot PNP 56 180 -25 -200
2562 AF P5P 50 -35 -20
2563 AF PNP 0,6 89 100 -22 -10
MANUAL DE TRANSISTORES 53

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Bete)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N64 AT PNP 0,8 112 100 -15 -10


2N65 AP PNP 1,2 126 100 -12 -10
2K66 Pot PNP 0,2 — 1000 -40 -800
2M67 Pot PNP 14 2000 -25 -1500
2N68 Pot PNP Õ,4 14 2000 -1500
-25
2N69 AP - — — - -
2H71 Pot PNP 0,25 10 1000 -50 -250
2N72 RP PT 2,5 — 50 40 20
21176 PI PNP 1 50 50 -20 -10
2N77 AP PNP 0,7 160 35 -25 *15
2N78 RP NPN 5 22 65 15 20
2H79 AP PNP 0,7 160 35 -30 -50
2N80 AP PNP 50 -25 -8
2N81 AP PNP - 50 -20 -15
2N82 AP PNP - - 35 -20 -15
2N83 Pot PNP - - -60 -2000
2N84 Pot PNP - — - -45 -2000
2H85 Pot PNP 0,8 - 750 -45 -100
2N86 Pot PNP 0,8 - 750 -60 -100
2M87 Pot PNP 0,8 - 750 -30 -100
2N88 AP PNP 0,5 35 25 -12 -10
2K89 AP PNP 0,5 35 25 -12 -10
2H9O AP PNP 0,5 100 25 — —
2N94 PI NPN 3 18 30 20 5
2H95 Pot NPN 0,4 14 2500 25 1500
2N96 AP PNP 0,5 — 50 -30 -20
2N97 PI NPN 0,5 80 50 30 10
21198 PI NPN 0,8 220 50 40 10
2N99 PI NPN 2 220 50 40 10
2N100 PI NPN 2,5 460 25 25 5
2N101 Pot PNP 0,4 14 1000 -25 -1500
2N102 Pot NPN 0,7 14 1000 25 1500
2K1O3 PI NPN 0,75 45 50 35 10
2N104 AP PNP 0,7 45 150 -30 -50
2N1O5 AP PNP 0,75 126 35 -25 -15
2H106 AP PNP 0,8 25 100 -6 -10
54 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2H1CÍ7 AF PNP 0,6 20 50 -6 -10


2N108 Pot PNP 50 -20 -15
2N109 AP PNP - 32 150 -25 -70
2 NI 11 FI PNP 3 45 150 -15 -200
2N112 FI PNP 5 56 150 -15 -200
2N113 RP PNP 10 45 100 -6 -5
2K114 RP PNP 20 65 100 -6 -5
2N115 Pot PNP — 2000 -6 -1000
2N116 AP PNP 2 142 20 -10 -2
2N117 AP NPN 1 0,95 150 30 25
2N118 AP NPN 2 0,975 150 30 25
2N119 AP NPN 2 0,980 150 30 25
2N120 AP NPN 7 150 45 25
2N122 Pot NPN 8750 1400
2 NI 2 8 RP PNP 45 28 30 -4,5 -5
2N129 RP PNP 30 20 30 -4,5 -5
2N13O AP PNP 0,8 90 85 -22 -10
2N131 AP PNP 0,8 112 85 -15 -10
2N132 AP PNP 1,2 126 85 -12 -10
2N133 AP PNP 0,8 61 85 -15 -10
2N135 RP PNP 4,5 28 100 -12 -50
2N136 RP PNP 6,5 35 100 -12 -50
2N137 RP PNP 10 45 100 -6 -50
2N138 Pot PNP - 32 50 -12 -20
2N139 PI PNP 6,8 32 80 -16 -15
2N140 RP PNP 7 22 35 -16 -15
2N141 Pot PNP 0,4 7,9 4000 -30 -800
2N142 Pot NPN 0,4 20 4000 30 800
2N143 Pot PNP 0,4 20 4000 -30 -800
2 NI 4 4 Pot NPN 0,4 20 4000 30 800
2N145 PI NPN 0,4 32 65 20 5
2N146 PI NPN 45 65 20 5
2N147 PI NPN — 63 65 20 5
2N148 PI NPN 40 65 16 5
2N149 PI NPN 56 65 16 5
2N150 PI NPN - 80 65 16 5
MANUAL DE TRANSISTORES 55

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

C0L.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N151 AP PNP -4 -580


2H154 Pot PNP - - 2750 -25 -500
2N155 Pot PNP 0,15 32 8500 -30 -3000
2N156 Pot PNP 0,15 45 8500 -30 -3000
2B157 Pot PNP 0,1 8500 -60 -3000
2N158 Pot PNP 0,15 41 8500 -80 -3000
2 NI 60 PI NPN 4 50 150 40 25
2 NI 61 RP NPN 5 71 150 40 25
2N162 RP NPN 8 80 150 40 25
2H163 RP NPN 6 100 150 40 25
2N164 RP NPN 8 100 65 15 20
2N165 RP NPN 4 71 55 15 20
2N166 RP NPN 5 16 25 6 20
210.67 RP NPN 9 32 75 30 75
2N168 PI NPN 6 25 55 15 20
2N169 PI NPN 8 22 65 15 20
2JTL70 PI NPN 4 12,5 25 6 20
2H172 PI NPN 12,5 65 16 5
2K173 Pot PNP 0,6 100 40000 -60 -1300
2H174 Pot PNP 0,2 90 40000 -80 -1300
210.75 AP PNP 2 142 20 -10 -2
210.76 Pot PNP - 18 3000 -12 -600
210.78 Pot PNP - 28 3000 -12 -600
210.79 Pot PNP — 40 - -20 -60
210.80 AP PNP 0,7 71 150 -30 -25
2N181 AP PNP 0,7 51 250 -30 -38
2N182 PI NPN 2,5 25 100 25 10
210.83 PI NPN 5 40 100 25 10
2N185 Pot PNP 20 150 -20 -150
2N18ó Pot PNP 0,8 25 200 -25 -200
2K187 Pot PNP 1 f32 200 -15 -200
2N188 Pot PNP 1,2 40 200 -25 -200
2N189 AP PNP 0,8 71 75 -25 -50
2N190 AP PNP 1 90 75 -25 -50
210.91 AP PNP 1.2 112 75 -25 -50
2N192 AP PNP 1.5 142 75 -25 -50
56 RENATO ANDRADE

||

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

|
29193 RP NPN 2 5,6 50 15
2 9194 RP 9P9 2 5,6 50 15
29195 AP P9P - 200 100 -12
2N196 AP P9P - 63 100 -25
2N197 AP PNP — 56 100 -25
2U198 AP PNP - 40 100 -25
29199 AP PNP - 25 100 -25
29200 AP PNP - 56 100 -30
29204 AP PNP - 126 100 -30
29205 AP PNP - 40 100 -30
29206 AP PNP 0,8 47 75 -30 -50
29207 AP PNP 2 65 50 -12 -20
29207A AP PNP 2 65 25 -20 -20
2920TB AP PNP 2 65 25 -20 -20
29211 RP PNP 2 30 50 -10 -50
29212 RP NPN 4 13 50 10 50
29213 RF NPN 0,01 80 150 25 100
29214 Pot NPN 0,6 20 125 25 75
29215 AP PNP 0,7 45 150 -30 -50
29216 PI NPN 2 20 50 15 50
29217 AP PNP - 32 150 -25 -70
29218 PI PNP 6,8 32 80 -16 -15
29219 RP PNP 10 40 80 -16 -15
29220 AP PNP 0,8 148 50 -10 -2
29222 AF PNP - 22 - —
29223 AP PNP 0,6 50 100 -18 -150
29224 Pot PNP 0,5 75 250 -25 -150
29225 Pot PNP 0,5 75 250 -25 -150
29226 Pot PNP 0,4 55 250 -30 -150
29227 Pot PNP 0,4 55 250 -30 -150
29228 Pot NPN 0,6 14 50 25 50
29229 AP NPN 0,55 25 50 12 40
29231 RP PNP 20 - 9 -4,5 -3
29232 RP PNP 30 - 9 -4,5 -3
29233 PI NPN — - 50 10 50
29234 Pot PNP 0,008 - 25000 -30 -3000
MANUAL DE TRANSISTORES 57

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.

C0L.-EMIS.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(mHz)

(Beta)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N235 Pot PNP 0,007 — 25000 -40 -3000


2H236 Pot PNP 0,006 - 25000 -40 -3000
2K237 AP PNP 0,8 142 50 -10 -2
2S238 AP PNP - 71 50 -20 —
2N240 RP PNP 30 16 10 —6 -15
2N241 Pot PNP 1,3 56 200 -25 -200
2R241A AP PNP 1,6 60 180 -25 -200
2N242 Pot PNP 0,005 32 20000 -45 -2000
2N243 AP NPN - 32 750 60 60
2N244 AP NPN - 32 750 60 60
2N245 AP PNP 1 12 150 -30 -50
2N247 RP PNP 30 60 80 -35 -10
2N248 RP PNP 50 20 30 -25 -5
2N249 AP PNP - - 350 -25 -200
2N250 Pot PNP 0,0112 90 12000 -30 -2000
2N251 Pot PNP - 32 12000 -60 -2000
2N252 PI PNP - 25 30 -16 -5
2N253 PI NPN - 40 65 12 5
2N254 PI NPN - - 65 20 5
2N255 Pot PNP 0,2 40 15000 -15 -3000
2N256 Pot PNP 0,2 13 15000 -30 -3000
2N257 Pot PNP 0,007 32 2000 -40 -3
2N260 AP PNP 1,8 80 200 -10 -50
2N261 AP PNP 1,8 63 200 -75 -50
2N262 AP PNP 6 100 200 -10 -50
Com NPN 30 120 40 20
2N263
2N265
2N267
2N268
AP
RP
Pot
PNP
PNP
PNP
1,5
30
0,006
0.975
1Ô0
71
25
-
n
2000
-25
-12
-80
-50
-10
-3000
2N269 Com PNP 4 35 -25 -100
2N270 Pot PNP - 56 150 -25 -75
2N271 RP PNP 10 28 150 -10 -200
2N272 AP PNP 1 4 150 -24 -100
2N273 RP PNP - 28 150 -30 -100
2N274 RP PNP 30 180 80 -12 -10
2N277 Pot PNP 0,5 50 55000 -40 12000
58 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2H27f Pot PNP 0,5 50 55000 -40 -12000


2N279 AP PNP 0,3 32 150 -25 -70
2B280 AP PNP 0,7 45 150 -30 -150
2N281 AP PNP 0,35 32 150 -25 -70
2N282 AP PNP - 63 — -72 -125
2N283 AP PNP 0,7 45 150 -30 -50
2N284 AP PNP 45 - -30 -30
2N285 Pot PNP 0,006 80 25000 -40 -3000
2N290 Pot PNP 0,004 71 55000 -70 -12000
2N291 AP PNP - 35 180 -25 -200
2N292 PI NPN 5 18 65 15 20
2N293 PI NPN 8 25 65 15 20
2N297 Pot PNP 0,005 - 35000 -50 -5000
2N299 RP PNP 90 10 20 -4,5 -5
2N3OO RP PNP 85 - 20 -4,5 -5
2N3O1 Pot PNP - 45 11000 -20 -1»5
2N3O1A RP PNP - 75 12000 -60 -50
2N3O2 RP PNP 7 - 150 -10 -200
2N3O3 RP PNP 14 - 150 -10 -200
2N3O6 AP NPN 0,6 50 50 15 -
2N307 Pot PNP 0,003 12,5 10000 -35 -1000
2N3O8 PI PNP - 89 30 -20 -5
2N3O9 PI PNP - 112 30 -20 -5
2N31O PI PNP - 71 30 -30 -5
2N313 PI NPN 5 63 65 15 20
2N314 PI NPN 8 89 65 15 20
2N318 v Pot PNP 0,75 - 50 -12 -20
2N319 ' AP PNP 2 36 225 -20 -200
2N320 AP PNP 3 54 225 -20 -200
2N321 AP PNP 3 73 225 -20 -200
2N322 AP PNP 2 36 140 -16 -100
2N323 AP PNP 3 54 140 -16 -100
2N324 AP PNP 3 73 140 -16 -100
2N325 Pot PNP 0,15 40 12000 -35 -2000
2N326 Pot NPN 0,15 - 7000 35 2000
2N327 AP PNP 0,3 32 335 -50 -100
MANUAL DE TRANSISTORES 59

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

21328 AP PNP 0,35 40 335 -35 -fbo


2N329 AP PNP 0,6 50 335 -30 -100
2N33O AP PNP 0,5 32 335 -45 -50
2N331 AP PNP 160 200 -30 -200
2M332 AP NPN 10 5 150 45 25
21333 AP NPN 12 5 150 45 25
2N334 AP NPN 8 4,5 150 45 25
2N335 AP NPN 14 4,5 150 45 25
21336 AP NPN 15 4 150 45 25
2N337 RP NPN 30 55 125 45 20
21338 RP NPN 45 150 125 45 20
21339 AP NPN - 32 1000 55 60
21340 AP NPN — 32 1000 85 60
21341 AP NPN - 32 1000 125 60
21342 AP NPN - 32 1000 60 60
2B343 AP NPN - 32 1000 60 60
21344 RP PNP 30 33 40 -5 -5
21345 RF PNP 30 110 40 -5 -5
21346 RP PNP 60 10 40 -5 -5
2I35O Pot PNP 0,005 32 10000 -40 -3000
21351 Pot PNP 0,005 40 10000 -40 -3000
21352 Pot PNP 0,01 32 25000 -40 -2000
21353 Pot PNP 0,007 32 30000 -40 -2000
21354 AP PNP 8 - 150 -25 -50
21355 AP PNP 8 - 150 -10 -50
21359 AP PNP 1,2 140 150 -20 -200
21360 AP PNP 1 100 150 -20 -200
21361 AP PNP 0,8 70 150 -30 -200
21362 AP PNP 1 112 150 -10 -200
21363 AP PNP 0,8 50 150 -10 -200
21364 AP NPN 1 19 150 30 50
21365 AF NPN 1 - 150 30 50
21366 AP NPN 1 65 150 30 50
21367 AP PNP 0,3 79 100 -30 -50
21368 AP PNP
AP NPN
0,4 49 150
150 I-30
30 1 -50
50
2N369 0,5 55
60 RENATO ANDRADE


MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

C0L.-EMIS.
BASE-COL.

MAX. DISP.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2S3lO AF PNP 30 35 80 -24 -20


2N371 RF PNP 30 8 80 -24 -20
2N372 RF PNP 30 4,5 80 -24 -10
2H373 RF PNP 30 100 80 -24 -10
2N374 RF PNP 30 100 80 -24 -10
2N375 Pot PNP 0,007 — 45000 -60 -3000
2N376 Pot PNP 0,005 56 10000 -40 -3000
2N378 Pot PNP 0,005 - 50000 -40 -5000
2N379 Pot PNP 0,005 — 50000 -80 -5000
2N38O Pot PNP 0,007 - 50000 -60 -5000
2N3Ô1 Pot PNP 1,2 35 200 -25 -200
2N3Ô2 Pot PNP 1,5 45 200 -25 -200
2N383 Pot PNP 1,8 56 200 -25 -200
2N384 RF PNP 100 5,5 120 -30 -10
2N386 Pot PNP 0,007 12500 -60 -3000
2N387 Pot PNP 0,006 - 12500 -80 -3000
2N389 Pot NPN - 30 85000 60 2000
2N392 Pot PNP 0,006 70000 -60 -5000
2N398 Com PNP - 20 - -105 -
2N399 Pot PNP 0,008 45 25000 -40 -3000
2N400 Pot PNP - 100 25000 -40 -3000
2N401 Pot PNP 0,008 32 25000 -40 -3000
2N402 AF PNP 0,6 71 180 -20 -150
2N403 AF PNP 0,85 40 180 -20 -200
2N404 Com PNP 4 - 35 -25 -100
2N405 AF PNP 0,65 140 150 -18 -35
2N406 AF PNP 0,65 142 150 -18 -35
2N407 AF PNP - 45 118 -50 -70
2N408 AF PNP - 45 118 -60 -70
2N409 FI PNP 6,7 80 80 -13 -15
2N410 FI PNP tf 80 80 -13 -15
2N4H RF PNP 40 80 -13 -15
2N412 RF PNP 10 40 80 -13 -15
2N413 FI PNP 2,5 45 150 -15 -200
2N414 FI PNP 7 56 150 -15 -200
2N415 RF PNP 10 32 150 -10 -200
MANUAL DE TRANSISTORES 61

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇAO
"tf<ü

(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N416 RF PNP 10 10 150 -12 -300


2N417 RF PNP 20 22 150 -10 -200
2N418 Pot PNP 0,4 - 25000 -80 -5000
2N420 Pot PNP 0,4 3,2 25000 -45 -5000
2N422 AP PNP 0,8 80 150 -20 -100
2H448 FI NPN 5 14 65 15 20
2N449 FI NPN 8 16 65 15 20
2N460 AF PNP 1,2 50 200 -45 -400
2N461 AF PNP 1,2 71 200 -45 -400
2K463 Pot PNP 4 - 37500 -60 -5000
2N464 AF PNP 0,7 100 150 -40 -100
2N465 AF PNP 0,8 126 150 -30 -100
2N466 AF PNP 1 160 150 -20 -100
2N467 AF PNP 1,2 180 150 -15 -100
2N469 x Fot PNP 1 - 50 - -
2H471 RF NPN - 10 200 30 -
2N474 RF NPN - 20 200 30 -
2N479 RF NPN - 40 200 30 -
2M480 RF NPN - 40 200 45 -
2N481 RF PNP 3 150 -12 -20
2N482 FI PNP 3,5 150 -12 -20
2N483 FI PNP 5,5 150 -12 -20
2N484 FI PNP 10 150 -12 -20
2N485 FI PNP 7,5 150 -12 -10
2N486 FI PNP 12 150 -12 -10
2N489 AF NPN 0,9 600 60 -
2H490 AF NPN 0,7 600 60 -
2N491 AF NPN 0,8 600 60 -
2N492 AF NPN 0,7 600 60 -
2N493 AF NPN 0,7 600 60 -
25494 AF NPN 0,65 600 60 -
25495 RF PNP 8 150 -25 -50
25497 Pot NPN - 4000 60 500
25498 Pot NPN - 4000 100 500
25499 RP PNP - 3,2 30 -18 -50
25500 UHF PNP — 50 -15 —
RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

C0L.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N5<ft RF PNP 2,5 25 -15 -50


2N502 VHF PNP 200 2,5 25 -20 -
2N5O3 RF PNP 100 3,5 25 -20 -50
2N5O6 AF PNP 0,6 50 -40 -100
2N5O7 AF NPN 0,6 — 50 40 100
2N5OÔ Pot PNP 3,5 - 140 -16 -100
2N509 Pot PNP 750 - 225 -30 -40
2N514 Pot PNP 7 - 80000 -40 -25000
2N515 FI NPN 2 14 50 18 10
2N516 FI NPN 2 18 50 18 10
2N517 FI NPN 2 22 50 18 10
2N524 AF PNP 0,8 225 -30 -500
2N525 AF PNP 1 225 -30 -500
2N526 AF PNP 1,3 225 -30 -500
2N527 AF PNP 1,5 225 -30 -500
2N528 Pot PNP 2500 -40 —
2N529 AF PNP 2,5 100 -15 -
2N53O AF PNP 3 100 -15 -
2N531 AF PNP 3,5 100 -15 -
2N532 AF PNP 4 100 -15 -
2N533 AF PNP 4,5 100 -15 —
2N534 AF PNP 25 -50 -25
2N535 AF PNP 2 50 -20 -20
2N53Ô Pot PNP 0,008 10000 -80 —
2N539 Pot PNP 0,007 10000 -80 -
2N540 Pot PNP 0,006 10000 -80 —
2N543 RF NPN 15 200 45 -
2N544 RF PNP 30 32 80 -24 -10
2N553 Pot PNP 0,02 12000 -80 -4000
2N554 Pot PNP 0,008 10 10000 -40 -3000
2N558 Pot PNP 0,005 50 10000 -30 -3000
2N561 Pot PNP 0,5 18 50000 -50 -5000
2N563 AF PNP 0,8 - 150 -25 -300
2N564 AF PNP 0,8 - 120 -25 -300
2N565 AF PNP 1 - 150 -25 -300
2N566 AF PNP 1 — 120 -25 -300
MANUAL DE TRANSISTORES

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2H567 AF PNP 1,5 150 -25 -3<Jb


2K568 AF PNP 1,5 120 -25 -300
2H569 AF PNP 2 15Ó -25 -300
2N570 AF PNP 2 120 -20 -300
2N571 AF PNP 3 150 -10 -300
2N572 AF PNP 3 120 -10 -300
2N574 Pot PNP 0,006 25000 -60 -15000
2N575 Pot PNP 0,006 25000 -60 -15000
2H588 RF PNP - 30 -15 -50
2N591 AF PNP 0,7 112 50 -32 -20
2N605 RF PNP 10 120 -15 -
2N606 RF PNP - 18 120 -15 -

2N607 RF PNP - 32 120 -15 -


2N6O8 RF PNP — 56 120 -15 -
2N609 Pot PNP - 32 180 -20 -200
2N610 Pot PNP — 35 180 -20 -200
2N611 Pot PNP - 20 180 -20 -200
2N612 AF PNP 0,6 71 180 -20 -150
2N613 Pot PNP 0,85 40 180 -20 -200
2N614 FI PNP 3 20 125 -15 -150
2N615 FI PNP 5 50 125 -15 -150
2N616 FI PNP 9 10 125 -12 -150
2N617 RF PNP 7,5 32 125 -12 -150
2N618 Pot PNP 0,005 45000 -80 -300
2N622 AF NPN 0,3 50 400 50 50
2N624 RF PNP 12,5 10 100 -20 -10
2H626 Pot PNP 0,0001 - - -30 -3000
21(627 Pot PNP 0,0004 - - -30 -10000
2N628 Pot PNP 0,0004 - - -45 -10000
2N629 Pot PNP 0,0004 - - -60 -10000
2N630 Pot PNP 0,0004 - - -75 -10000
2N631 Pot PNP 1,2 36 170 -20 -50
2N632 Pot PNP 1 18 150 -24 -50
2H633 Pot PNP 0,8 18 150 -30 -50
2N637 Pot PNP - - 25000 -40 -5000
22(638 Pot PNP — |25000 |—40 | -5000
64 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

r-
29639 Pot PNP — 25000 -40 -5000
29640 RF PNP 42 25 80 -34 -10
29641 FI PNP 42 25 80 -34 -10
29642 RF PNP 42 25 80 -34 -10
29647 AP NPN - 500 100 25 50
29649 AP NPN - 500 100 18 50
29650 AP PNP 2 125 200 -15 -250
29651 AP PNP 2,5 160 200 - -250
29652 AP PNP 3 200 200 - -250
29653 AP PNP 2 125 200 - -250
29654 AP PNP 2,5 160 200 - -250
29655 AP PNP 3,5 200 200 - -250
29656 AP NPN 4000 60 -500
29657 AP NPN - 4000 100 -500
29665 Pot PNP 0,02 35000 -80 -500
29669 Pot PNP 0,5 - -30 -3000
29674 Pot PNP 1,1 300 -75 -2000
29675 Pot PNP 1000 -75 -2000
29676 Pot PNP - 6500 -30 -3000
29677 Pot PNP - 1500 -30 -15000
29678 Pot PNP - 1500 -30 -15000
29680 AP PNP - 150 -20 -150
29696 RP NPN 80 600 60 -
29697 RP NPN 80 600 60
29698 RP NPN 70 800 120 -
29699 VHP NPN 180 600 120 -
.29700 UHF PNP 500 14 75 -25 -50
29705 UHF PNP 300 300 -15 -10
29734 VHP NPN 125 500 80 100
29735 VHP NPN 150 500 80 100
29736 VHP NPN 175 500 80 100
29749 RP itPN 75 200 45 50
29750 RP NPN 40 5,6 200 30 50
29751 RP NPN 30 3,2 200 20 50
29768 VHP PNP 175 35 -12 -100
29769 UHF PNP 900 - 35 -12 -100
MANUAL DE TRANSISTORES 65

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N770 RP NPN 125 - 150 20 1($


2H771 VHP NPN 200 - 150 20 100
2N772 RP NPN 110 - 150 25 100
2N773 AP NPN - 18 65 20 100
2N774 AP NPN - 18 80 20 100
2N775 AP NPN - 18 150 20 100
2B776 AP NPN - 18 110 20 100
2N777 AP NPN - 18 130 20 100
2H778 AP NPN - 18 170 20 100
2B7Ô9 PI NPN 6 150 45 25
2M790 PI NPN 8 150 45 25
2H791 RP NPN 11 150 45 25
2K792 PI NPN 8 150 45 25
2B793 RP NPN 13 150 45 25
2H8O9 PI PNP 7 75 -30 -200
2K810 FI PNP 7 75 -30 -200
2N811 RF PNP 10 10 75 -30 -200
211812 RF PNP 10 10 75 -30 -200
2N813 RF PNP 20 22 75 -30 -200
2N814 RF PNP 20 22 75 -30 -200
2M815 FI NPN 8 5 75 25 200
2N816 PI NPN 8 5 75 25 200
2N817 FI NPN 2,5 75 30 400
2N818 FI NPN 2,5 75 30 400
2N819 PI NPN 5 75 30 400
2N820 FI NPN 5 75 30 400
2N84-6 UHF PNP 450 60 -15 -50
2N858 RF PNP 14 150 -40 -50
2N859 RF PNP 14 150 -40 -50
2N860 RP PNP 14 150 -25 -50
2N861 RP PNP 22 150 -25 -50
2N862 RF PNP 14 150 -15 -50
2N863 RF PNP 22 150 -15 -50
2N864 RF PNP 22 150 -6 -50
2N869 VHF PNP 150 360 -25 -
2N870 VHP NPN 110 500 100 -
66 RENATO ANDRADE

MAX. TENSAO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

I
2N871*. VHF NPN 130 500 100 -
2N902^ PI NPN 6 150 45 25
2N903 RP NPN 13 150 45 25
2N904 RP NPN 11 150 45 25
2N9O5 PI NPN 8 150 45 25
2N906 RP NPN 13 150 45 25
2N907 RP NPN 30 150 45 20
2N9O8 RP NPN 45 150 45 20
2N9O9 VHP NPN 160 400 60 -
2N910 VHP NPN 60 500 100 -
2N911 VHP NPN 50 500 100 -
2N912 VHP NPN 40 500 100 -
,‘2N919 UHP NPN 400 1200 25 220
, 2N920 UHP NPN 400 1200 25 220
,<2N921 UHP NPN 400 1200 50 220
. 2N922 UHP NPN 400 1200 50 220
2N923 AP PNP 0,8 150 -40 -50
2N924 AP PNP 0,8 150 -40 -50
2N925 AP PNP 0,8 150 -50 -50
2N926 AP PNP 0,8 150 -50 -50
2N927 AP PNP 0,8 150 -70 -50
2N928 AP PNP 0,8 150 -70 -50
2N929 VHP NPN 80 300 45
2N93O VHP NPN 80 300 45 -
2N934 AP PNP - 150 -13 -200
2N939 AP PNP - 250 -35 -100
2N940 AP PNP - 250 -35 -100
2N941 RP PNP 12 250 -25 -50
2N942 RP PNP 10 250 -25 -50
2N943 AP PNP 1 250 -40 -50
2N944 AP PNP 1 250 -40 -50
2N945 AP PNP 1 250 -50 -50
2N946 AP PNP 1 250 -80 -50
2N960 UHP PNP 460 150 -15
2N961 UHP PNP 460 150 -12 -
.2N962 UHP PNP 460 150 -12 —
MANUAL DE TRANSISTORES 67

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)
'ri

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
o

CLASSE
S
TIPO

2U964 UHF PNP 460 150 -15


2K965 UHF PNP 460 150 -12 > a
2N966 UHF PNP 460 150 -12
2N968 UHF PNP 320 150 -15
2N969 UHF PNP 320 150 -12
2N970 UHF PNP 320 150 -12
2N971 UHF PNP 320 150 -7
2N972 UHF PNP 320 150 -15
2N973 UHF PNP 320 150 -12
2N974 UHF PNP 320 150 -12
2N975 UHF PNP 320 150 -7
2N978 VHF NPN 50 330 30
2N981 VHF PNP 80 500 -80
2N985 UHF PNP 450 150 -15 -300
2N987 VHF PNP 100 5 85 -40
2N988 UHF NPN 300 3,5 1000 20 220
2N989 UHF NPN 300 2,5 1000 20 220
2N990 VHF PNP 70 5 85 -20 -
2N991 VHF PNP 70 4,5 85 -20 -
2N992 VHF PNP 70 3,2 85 -20 -
2N993 VHF PNP 70 2,5 85 -20 —
2N994 RF PNP - 200 -15 -150
2N1007 Pot PNP - - - -30 -3000
2N1010 AF NPN 2 - 20 10 2
2N1014 Pot PNP - 75 - -1,5 -1000
2N1015 Pot NPN 0,020 - 150000 30 7500
2N1016 Pot NPN 0,020 - 150000 30 7500
2N1021 Pot PNP - - 50000 -100 -5000
2N1022 Pot PNP - - 50000 -120 -5000
2N1023 VHF PNP 120 14 120 -40 -10
2 NI 02 4 AF PNP 1 - 250 -15 -100
2N1025 AF PNP 1 - 250 -35 -100
2N1O34 AF PNP 0,2 - 250 -50 -50
2N1O35 AF PNP 0,3 - 250 -50 -50
2N1O36 AF PNP 0,4 - 250 -50 -50
2N1037 AF PNP 0,3 250 -50 -50
68 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

C0L.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2H1047 Pot 5P5 — 80 500


2N1648 Pot 5P5 - - - 120 500
2N1049 Pot NPN - - - 80 500
251050 Pot NPN - - - 120 500
251052 Pot 5P5 7 - 5000 60 -
251054 Pot NPN 4 - 5000 125 —
2N1058 PI 5P5 6 16 50 20 50
251059 AP 5P5 0,8 25 180 20 100
2N1066 VHP P5P 120 14 120 -12 -1,5
2N1067 Pot 5P5 0,75 - 5000 30 500
251068 Pot NPN 0,75 - 10000 30 1500
251069 Pot 5P5 0,5 - 50000 45 4000
251070 Pot NPN 0,5 — 50000 45 4000
251086 PI 5P5 8 16 65 9 20
251087 PI NPN 8 20 65 9 20
251092 AP NPN 0,75 2000 30 500
251095 AP NPN 3 500 60 -
251096 AP 5P5 3 500 90 -
251097 Pot P5P - 140 -16 -100
251098 Pot P5P — 140 -16 -100
251099 Pot P5P — 30000 -80 -
251100 Pot P5P - 30000 -100 -
251101 Pot NPN - 180 15 100
251102 Pot NPN — 180 25 100
251105 Pot 5P5 - 180 25 100
251107 HP P5P 40 30 -16 -5
251108 RP PNP 35 30 -16 -5
251109 RP P5P 35 30 -16 -5
251110 RP P5P 35 30 -16 -5
251111 RP P5P 35 30 -20 -5
251114 RP 5P5 10 150 25 200
251115 PI P5P 5 150 -15 -125
251116 Pot 5P5 4 5000 60 -
251117 Pot 5P5 4* 5000 60 -
251118 RP PNP 21 150 -25 -50
251121 PI NPN 8 65 15 20
MANUAL DE TRANSISTORES 69

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MÁX. DISP.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N1141 UHP PNP 750 750 -35 -¥>o


2N1142 UHP PNP 600 — 750 -30 -100
2N1143 UHP PNP 480 - 750 -25 -100
2N1144 Pot PNP — - 140 -16 -100
2N1145 Pot PNP — — 14Ò -16 -100
2N1146 Pot PNP - - - -40 -15000
2N1147 Pot PNP — - — -40 -15000
2N1149 AP NPN 4 56 150 45 25
2N115O AP NPN 5 89 150 45 25
2N1151 AP NPN 8 89 150 45 25
2N1152 AP NPN 6 125 150 45 25
2N1153 AP NPN 7 130 150 45 25
2N1154 AP NPN — 32 750 50 60
2B1155 AP NPN — 32 750 80 50
2N1156 AP NPN - 32 750 120 40
210.157 Pot PNP — — - -60 -40000
2H1159 Pot PNP 0,01 - 20000 -80 -3000
210.160 Pot PNP 0,01 - 20000 -80 -5000
2N1162 Pot PNP - - 50000 -35 -25000
2N1163 Pot PNP - — 50000 -35 -25000
2N1164 Pot PNP - - 50000 -60 -25000
210.165 Pot PNP - - 50000 -60 -25000
2N1166 Pot PNP - — 50000 -75 -25000
2N1167 Pot PNP - - 50000 -75 -25000
210.168 Pot PNP 0,01 70 45000 -50 -5000
2N1169 Pot PNP - - - -45 -4000
2N1170 Pot PNP - - - -45 -4000
2B1172 Pot PNP - 50 - -40 -1500
210.175 PI PNP 4,2 - 200 -35 -200
210.176 Pot PNP - 300 -15 -300
210.177 RP PNP 140 — 80 -30 -10
2N1178 RP PNP 140 - 80 -30 -10
210.179 RP PNP 140 - 80 -30 -10
210.180 RP PNP 100 - 80 -30 -10
210.182 Pot PNP — — - -60 -5000
210.183 Pot PNP 0,5 — 1000 -20 -3000
70 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
PQ
TIPO

210.184 Pot PNP 0,5 1000 -20 -30001


2HX185 FI PNP 3 200 -45 -
2N1186 AP PNP 1,5 200 -60 í
2N1187 AF PNP 2 200 -60 -
2N1188 AF PNP 2,5 200 -60 -
2N1191 AF PNP 1,5 175 -40 -200
2N1192 AF PNP 2 175 -40 -200
2N1193 AF PNP 2,5 175 -40 -200 \
2N1194 FI PNP 3 - -45 -
2N1202 Pot PNP - -60 -3500
2N12O3 Pot PNP - - -70 -3500 ,
2N1206 Pot NPN 20 - 60 -
2N1207 Pot NPN 20 - 60 -■

2N12O8 Pot NPN - 85000 60 5000


2N1209 Pot NPN - 85000 45 5000
2N1210 Pot NPN - 60000 60 5000
2N1211 Pot NPN - 60000 80 500Ò
2N1217 FI NPN 6 75 20 25
2N1218 Pot NPN - - 45 2000
2N1222 AF PNP 2 - -30 -100
2N1224 RF PNP 30 5,5 120 -40 -10
2N1225 RF PNP 100 5,5 120 -40 -10
2N1226 RF PNP 30 5,5 120 -60 -10
2N1227 Pot PNP 50000 -30 -3000
2N1246 AF PNP 0,8 - 200 -25 -400
2N1247 AF PNP 1,5 - 200 -25 -400
2N1248 AF PNP 2 - 200 -25 -400
2N1249 AF PNP 2,5 - 200 -25 -400
2N1251 AF NPN 0,6 100 150 20 100
2N1264 AF PNP 3 - 50 -20 -50
2N1265 AF PNP 1 90 50 -10 -100
2N1266 AF PNP 1 10 80 -10 -
2N1267 AF NPN - 18 65 20 100
2N1268 AF NPN - 18 80 20 100
2N1269 AF NPN - 18 150 20 100
2N1270 AF NPN — 18 110 20 100
MANUAL DE TRANSISTORES 71

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Bete)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N1271 AF NPN - 18 130 20 100 •


2N1272 AF NPN - 18 170 20 100
2N1273 AF PNP 2 - 150 -15 -150
2N1274 AF PNP 2 - 150 -25 -150
2N1276 AF NPN 15 70 150 30 25
2N1277 AF NPN 15 90 150 30 25
2N1278 AF NPN 15 160 150 30 25
2N1279 AF NPN 15 180 150 30 25
2N12Ô5 RF PNP 100 13 120 -40 -10
2N1287 AF PNP 1 165 -20 -300
2N1291 Pot PNP - 20000 -30 -3000
2N1292 RF PNP 1 50 -20 -100
2N1293 Pot PNP - 20000 -60 -3000
2N1294 AF NPN 1 50 10 -
2N1295 Pot NPN - 20000 80 3000
2N1296 Pot NPN - - 60 3000
2N1297 Pot PNP - 30000 -100 -3000
2N1311 AF NPN 1,5 120 75 -
2N1312 AF NPN 2 120 50
2N1314 Pot PNP - 13000 -32 -3500
2N1319 AF PNP 6 120 -20 -400
2N132O Pot PNP - 23000 -35 -3000
2N1321 Pot NPN - 30 3000
2N1322 Pot PNP - 23000 -60 -3000
2N1323 Pot NPN - - 45 3000
2N1324 Pot PNP - 23000 -80 -3000
2N1325 Pot NPN - - 60 3000
2N1326 Pot PNP - 23000 -100 -3000
2N1328 Pot PNP - 23000 -35 -3000
2N1331 Pot PNP - 23000 -80 -3000
2N1333 Pot NPN - 23000 100 3000
2N1344 AF PNP 7 150 -15 -400
2N1345 AF PNP 10 150 -10 -400
2N1346 AF PNP 10 150 -12 -400
2N1347 AF PNP 5 150 -20 -400
2N134Ô AF PNP|5 200 -40 -400
72 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

COL.-EMIS.
MÁX. DISP.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
<D
PQ
TIPO

2N1349 AF PNP 5 200 -40 -400


2N135O AP PNP 8 200 -50 -400
2N1351 AF PNP 8 200 -40 -400
2N1352 AF PNP 2,5 150 -20 -200
2H1356 AF PNP 8 200 -30 -200
2N1358 Pot PNP - 150000 -80 -
2N1359 Pot PNP 0,01 90000 -50 -3000
2N1360 Pot PNP 0,008 90000 -50 -3000
2N1362 Pot PNP 0,01 90000 -100 -3000
2N1363 Pot PNP 0,008 90000 -75 -3000
2N1364 Pot PNP 0,01 90000 -100 -3000
2N1365 Pot PNP 0,008 90000 -100 -3000
2N1370 AF PNP 2 150 -25 -150
2N1371 AF PNP 2 150 -45 -150
2N1372 AF PNP 1,5 150 -25 -200
2N1373 AF PNP 1,5 150 -45 -200
2N1374 AF PNP 2 150 -25 -200
2N1375 AF PNP 2 150 -45 -200
2N1376 AF PNP 2 150 -25 -200
2N1377 AF PNP 2 250 -45 -200
2N1378 AF PNP 3 250 -12 -200
2N1379 AF PNP 3 250 -25 -200
2N1380 AF PNP 2 150 -12 -200
2N1381 AF PNP 2 150 -25 -50
2N1382 AF PNP 2 200 -25 -200
2N1383 AF PNP 1,5 200 -25 -200
2N1386 RF NPN 60 250 25 50
2N1387 RF NPN 60 250 30 50
2N1388 RF NPN 50 250 45 50
2N1389 RF NPN 25 5,5 250 50 50
2N1390 RF NPN 20 10 250 20 50
2N1392 AF PNP 1 - 50 -20 -
2N1393 AF PNP 3,4 - 50 -20 -
2N1394 AF PNP 1 — 50 -10 -
2N1395 RF PNP 30 172 120 -40 -10
2N1396 RF PNP 100 11 120 -40 -10
MANUAL DE TRANSISTORES 73

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

C0L.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N1397 RP PNP 120 12 120 -40 -10


2N1400 RP PNP 150 50 -30 -10
2N1401 RP PNP 100 50 -30 -10
2NI402 RP PNP - 35 -30 -5
2N1405 UHP PNP 1100 75 -30 -50
2N1406 UHP PNP 750 75 -30 -50
2N1408 AP PNP - 150 -50 -
2N1412 Pot PNP — 150000 -80 -15000
2N1413 AP PNP 3.2 200 -35 -200
2N1414 AP PNP 3,6 200 -35 -200
2N1415 AP PNP 4 200 -35 -200
2N1416 AP PNP 0,6 250 -18 -150
2N1417 AP NPN 11 100 150 15 -
2N1418 AP NPN 11 100 150 30 -
2N1420 RP NPN 130 2000 60 -
2N1425 PI PNP 33 80 -24 -10
2N1426 RP PNP 33 80 -24 -10
2N1428 RP PNP 18 100 -6 -50
2N1429 RP PNP 18 100 -6 -50
2N1430 Pot PNP 1,5 50000 -100 -
2N1431 AP NPN 180 25 100
2N1432 AP PNP - 80 -35 -10
2N1433 Pot PNP 5 - -50 -3500
2N1434 Pot PNP 5 - -50 -3500
2N1435 Pot PNP 5 - -50 -3500
2N1437 Pot PNP 0,15 - -80 -3000
2N1446 AP PNP 0,8 200 -25 -400
2N1447 AP PNP 1,5 200 -25 -400
2N1448 AP PNP 2 200 -25 -400
2N1449 AP PNP 2,5 200 -25 -400
2N1450 AP PNP 120 -30 -100
2N1451 AP PNP 1,5 200 -45 -400
2N1452 AP PNP 2,2 200 -45 -400
2N1469 AP PNP 2 250 -35 -100
2N1470 Pot NPN 1 60 1000
2N1471 AP PNP 5 200 -12 -200
74 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N14J4 AF PNP 1 250 -60 -100


2N1475 AF PNP 1 250 -60 -100
2N1476 AF PNP 1 250 -100 -100
2N1477 AF PNP 1 250 -100 -100
2N1478 AF PNP 8 250 -30 -500
2N1479 Pot NPN - 4000 60 1500
2N1480 Pot NPN - 4000 100 1500
2N1481 Pot NPN - 4000 60 1500
2N1482 Pot NPN - 4000 100 1500
2N1483 Pot NPN - 15000 60 3000
2N1484 Pot NPN - 15000 100 3000
2N14Ô5 Pot NPN - 15000 60 3000
2N1486 Pot NPN - 15000 100 3000
2N1487 Pot NPN - 60000 60 6000
2N1488 Pot NPN - 60000 100 6000
2N1489 Pot NPN - 60000 60 6000
2N1490 Pot NPN - 60000 100 6000
-2N1491 VHF NPN 250 4,5 500 30 50
2N1492 VHF NPN 275 4,5 500 60 50
2N1493 VHF NPN 300 3,2 500 100 50
2N1494 VHF PNP 320 500 -20 -500
.2N1495 VHF PNP 320 250 -40 -500
2N1496 VHF PNP 320 500 -40 -500
2N1501 Pot PNP 0,2 — -40 -3500
2N1502 Pot PNP 0,2 - -40 -3500
2N1504 Pot PNP 0,15 — -60 -3000
2N151O AF NPN - 75 75 20
2N1511 Pot NPN 1 - 60 8000
2N1512 Pot NPN 1 - 100 8000
2N1513 Pot NPN 1 - 60 8000
2N1514 Pot NPN 1 - 100 8000
2N1515 FI PNP 70 67 83 -20 -10
2N1516 RF PNP 70 100 50 -20 -10
2N1517 RF PNP 100 4 83 -20 -10
2N1524 RF PNP 33 45 80 -24 -10
2N1525 RF PNP 33 45 80 -24 -10
MANUAL DE TRANSISTORES 75

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N1526 RF PNP 33 35 80 -24 xlO


2N1527 RF PNP 33 35 80 -24 ÍLO
2N1528 RF NPN 20 150 25 10
2N1529 Pot PNP 0,01 90000 -30 -5000
2N153O Pot PNP 0,01 90000 -45 -5000
2N1531 Pot PNP 0,01 90000 -60 -5000
2N1532 Pot PNP 0,01 90000 -75 -5000
2N1533 Pot PNP 0,01 90000 -90 -5000
2N1534 Pot PNP 0,008 90000 -20 -5000
2N1535 Pot PNP 0,008 90000 -30 -5000
2N1536 Pot PNP 0,008 90000 -60 -5000
2N1537 Pot PNP 0,008 90000 -75 -5000
2N1538 Pot PNP 0,008 90000 -90 -5000
2N1539 Pot PNP 0,004 90000 -30 -5000
2N1540 Pot PNP 0,004 90000 -45 -5000
2N1541 Pot PNP 0,004 90000 -60 -5000
2N1542 Pot PNP 0,004 90000 -75 -5000
2N1543 Pot PNP 0,004 90000 -90 -5000
2N1544 Pot PNP 0,004 90000 -30 -5000
2N1545 Pot PNP 0,004 90000 -45 -5000
2N1546 Pot PNP 0,004 90000 -60 -5000
2N1547 Pot PNP 0,004 90000 -75 -5000
2N1548 Pot PNP 0,004 90000 -90 -5000
2N1549 Pot PNP 0,01 90000 -30 -15000
2N155O Pot PNP 0,01 90000 -45 -15000
2N1551 Pot PNP 0,01 90000 -60 -15000
2N1552 Pot PNP 0,01 90000 -75 -15000
2N1553 Pot PNP 0,006 90000 -30 -15000
2N1554 Pot PNP 0,006 90000 -40 -15000
2N1555 Pot PNP 0,006 90000 -60 -15000
2N1556 Pot PNP 0,006 90000 -75 -15000
2N1557 Pot PNP 0,005 90000 -30 -15000
2N1558 Pot PNP 0,005 90000 -40 -15000
2N1559 Pot PNP 0,005 90000 -60 -15000
2N1560 Pot PNP 0,005 90000 -75 -15000
2N1564 RF NPN 125 600 80 100
76 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2H15Í5 RF NPN 150 600 60 100


2N1566 RF NPN 175 600 80 100
2N1586 AF NPN 4 150 15 25
2N1587 AF NPN 4 150 30 25
2N1588 AF NPN 4 150 60 25
2N1589 FI NPN 6 150 15 25
2N159O FI NPN 6 150 30 25
2N1591 FI NPN 6 150 60 25
2N1592 FI NPN 7 150 15 25
2N1593 FI NPN 7 150 30 25
2N1594 FI NPN 7 150 60 25
2N16O9 Pot PNP 0,017 - -60 -1500
2N1610 Pot PNP 0,015 - -60 -1500
2N1611 Pot PNP 0,017 - -40 -1500
2N1612 Pot PNP 0,015 - -40 -1500
2N1613 RF NPN 160 800 75 -
2N1614 AF PNP 3 240 -65 -300
2N1616 Pot NPN 0,015 60000 60 5000
2N1617 Pot NPN 0,015 60000 80 5000
2N1618 Pot NPN 0,015 60000 100 5000
2N1619 Pot NPN 0,015 60000 - -
2N1620 Pot NPN 0,015 60000 100 5000
2K1623 AF PNP 0,1 250 -20 -50
2N1631 RF PNP 45 250 80 -34 -10
2H1632 RF PNP 45 250 80 -34 -10
2N1633 RF PNP 40 80 80 -34 -10
2N1634 RF PNP 40 80 80 -34 -10
2N1635 RF PNP 45 56 80 -34 -10
2N1636 RF PNP 45 56 80 -34 -10
2H1637 RF PNP 45 250 80 -34 -10
210.638 RF ?NP 40 70 80 -34 -10
210.639 RF PNP 45 70 80 -34 -10
210.640 AF NPN 0,4 - 250 50 50
210.641 AF PNP 0,8 - 250 -30 -50
2N1642 AF PNP 1,2 - 250 -30 -50
210.643 AF PNP 0,7 - 250 -25 -50
MANUAL DE TRANSISTORES 77

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

NHO co r .
ASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

l
0

2N1651 Pot PNP 100000 -60 -&5000


2M1652 Pot PNP 100000 -100 -25000
2N1653 Pot PHP 10Ó000 -120 -25000
2N1656 AP PNP 0,25 250 -150 -50
2N1658 Pot PNP 0,5 - -50 -1000
210.659 Pot PNP 0,5 - -40 -1000
2N1660 Pot NPN 0,025 - 60 2000
2N1661 Pot NPN 0,025 - 80 2000
2N1662 Pot NPN 0,025 - 100 2000
2H1663 RF NPN 150 150 20 100
2H1666 Pot PNP 0,2 - -60 -6000
2B1667 Pot PNP 0,2 - -32 -6000
2K1668 Pot PNP 0,2 - -32 -6000
2H1669 Pot PNP 0,2 - -32 -6000
2H1670 RP PNP 10 120 -100 -
2N1672 AP NPN 2 120 40 -
2N1673 AP PNP 5 80 -35 -10
2N1676 RP PNP 36 100 -4,5 -50
2H1677 RF PNP 36 100 -4,5 -50
2N1681 AP PNP 5 180 -30 -200
2N1683 RP PNP 80 150 -13 -100
2N1684 AF PNP 8 100 -25 -100
2N1685 FI NPN 12 100 25 100
2N1690 Pot NPN 40000 80 750
2N1691 Pot NPN 40000 120 750
2N1699 RF PNP 100 100 -40 -
2N1700 AF NPN 1,2 5000 60 1000
2B1701 Pot NPN 0,01 - 40 2500
2N1702 Pot NPN 0,01 - 40 5000
2N17O3 Pot NPN 0,01 - 40 5000
2H1704 AP NPN 5 500 45 50
2N1705 AF PNP 4 200 -18 -400
2N1706 AP PNP 3 200 -25 -400
2N1707 AP PNP 3 200 -30 -400
2N17O8 RP NPN 200 300 25 200
2N1726 RF PNP 150 60 -20 -50
78 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

,'2Nlf27 RP PNP 150 56 60 -20 -50


2N1728 RP PNP 150 100 60 -20 -50
2N1742 UHP PNP 1200 - 60 -20 -50
2N1743 UHP PNP 1200 60 -20 -50
2N1744 UHP PNP 1200 60 -20 -50
2N1745 UHP PNP 850 60 -20 -50
, .2N1746 VHP PNP 235 60 -20 -50
2N1747 RP PNP 200 60 -20 -50
2N1748 RP PNP 115 60 -25 -50
2N1749 RP PNP 115 75 -40 -50
2N175O RP PNP 50 15 -14 -5
2N1751 Pot PNP 2 90000 -80 25000
,2N1752 RP PNP 106 60 -12 -50
2N1754 RP PNP 75 50 -13 -100
2N1755 Pot PNP 0,015 -40 -3000
2N1756 Pot PNP 0,015 -55 -3000
2N1757 Pot PNP 0,015 -70 -3000
2N1758 Pot PNP 0,015 -80 -3000
2N1759 Pot PNP 0,015 -40 -3000
2N1760 Pot PNP 0,015 -55 -3000
2N1761 Pot PNP 0,015 -70 -3000
2N1762 Pot PNP 0,015 -80 -3000
2N1768 Pot NPN 1,25 40000 40 3000
2N1769 Pot NPN 1,25 40Ò00 55 3000
2N1779 AP NPN 5 100 25 100
2N1785 RP PNP 125 45 -10 -50
2N1786 RP PNP 125 45 -10 -50
.2N1787 RP PNP 125 45 -10 -50
2N1788 RP PNP 150 60 -35 -50
2N1789 RP PNP 150 60 -35 -50
2N1790 RP PNP 150 60 -35 -50
2N1808 AP NPN 4 150 25 300
2H18O9 Pot NPN 0,014 250000 50 30000
2N1810 Pot NPN 0,014 250000 100 30000
2N1811 Pot NPN 0,014 250000 150 30000
2N1812 Pot NPN 0,014 25OOOO 200 30000
MANUAL DE TRANSISTORES 79

MAX. TENSAO
FREQ. CORTE

GANH0 COR.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N1813 Pot NPN 0,014 250000 200 30&00


2N1814 Pot NPN 0,014 250000 250 30000
2N1816 Pot NPN 0,0145 250000 50 30000
2N1817 Pot NPN 0,0145 250000 100 30000
2N1818 Pot NPN 0,0145 250000 150 30000
2N1819 Pot NPN 0,0145 250000 200 30000
2N1823 Pot NPN 0,016 250000 50 30000
2N1824 Pot NPN 0,016 250000 100 30000
2N1825 Pot NPN 0,016 250000 150 30000
2N1826 Pot NPN 0,016 250000 200 30000
2N1837 RP NPN 175 2800 80 - '
2N1838 RP NPN 175 2800 45 -
2N1839 RP NPN 175 2800 45 -
2N1840 RP NPN 175 2400 25 -
2N1864 RP PNP 125 60 -20 -50
2N1865 VHP PNP 200 60 -20 -50
2N1866 VHP PNP 200 60 -35 -50
2N1867 VHP PNP 200 60 -35 -50
2N1868 UHP PNP 850 60 -20 -50
2N1886 Pot NPN 0,01 - 60 5000
2N1891 AP NPN - 150 25 300
2N19O5 Pot PNP 0,007 - -40 -10000
2U1906 Pot PNP 0,007 - -40 -10000
2N1907 Pbt PNP 0,02 - -100 -20000
2H19O8 Pot PNP 0,02 - -130 -20000
2N1917 FI PNP - 250 -25 -50
2N1918 PI PNP 10 250 -25 -50
2N1919 AP PNP 1 250 -40 -50
2N1920 AP PNP 1 250 -40 -50
2N1921 AF PNP 1 250 -50 -50
2H1922 AF PNP 1 250 -80 -50
2N1924 AF PNP 3 225 -60 -500
2N1925 AF PNP 3,5 225 -60 -500
2N1926 AF PNP 3,5 225 -60 -500
2H1969 FI PNP 10 150 -30 -400
2N1970 Pot PNP 0,01 |- I- ' -50 -15000
80 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

NHO co r .

MÁX. DISP.
ASE-COL.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

l
PQ
0

2N19Í1 Pot PNP 0,025 — -40 -4000


2N19BO Pot PNP 0,003 - -30 -15000
2H1981 Pot PNP 0,003 - -40 -15000
2N1982 Pot PNP 0,003 - -50 -15000
2N1983 RF NPN 50 600 50
2N1984 RF NPN 50 600 50
2K1985 RF NPN 50 600 50
2N1986 RF NPN 50 600 50
2H1987 RF NPN 50 600 50
2N1988 RF NPN 50 600 100
2N1989 RF NPN 50 600 100
2N1990 RF NPN 50 600 100
2N1991 RF NPN 50 600 30
2N1993 AF NPN 3 150 30 300
2N1994 AF NPN 3 150 30 300
2N1995 AF NPN 5 150 25 300
2N1996 AF NPN 8 150 20 300
2N1997 AF PNP 3 250 -45 -500
2N1998 AF PNP 6,5 250 -35 -500
2N1999 FI PNP 12 250 -30 -500
2N2000 AF PNP 2 300 -50 -750
2N2001 AF PNP 6 300 -30 -750
2N2002 AF PNP 0,8 250 -30 -100
2N2003 AF PNP 0,8 250 -30 -100
2N2004 AF PNP 0,8 250 -50 -100
2N2005 AF PNP 0,8 250 -50 -100
2N2006 AF PNP 0,8 250 -50 -100
2N2007 AF PNP 0,8 250 -60 -100
2N2015 Pot NPN 0,025 -50 -10000
2N2016 Pot NPN 0,025 65 10000
2N2017 Pot NPN 0,01 60 1000
2N2018 Pot NPN 0,01 125 2000
2N2O19 Pot NPN 0,01 140 2000
2N2020 Pot NPN 0,01 125 2000
2N2021 Pot NPN 0,01 140 2000
2N2032 Pot NPN - 85000 45 5000
MANUAL DE TRANSISTORES 81

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.
BASE-COL.

COL. EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2N2033 Pot NPN 0,0015 60 3000


2N2034 Pot NPN 0,0015 - 60 3000
2N2035 Pot NPN 0,0015 25000 60 3000
2N2O36 Pot NPN - 17500 1500
2K2038 Pot NPN - - 45 500
2N2039 Pot NPN - - 75 500
2N2040 Pot NPN - — 45 500
2N2041 Pot NPN - - 75 500
2N2042 AF PNP 0,5 200 -105 -200
2N2043 AF PNP 0,75 200 -105 -200
2N2048 VHF PNP 260 150 -20 -100
2N2061 Pot PNP — -10 -3000
2N2062 Pot PNP - -10 -3000
2N2063 Pot PNP - -20 -3000
2N2064 Pot PNP - -20 -3000
2N2O65 Pot PNP - -30 -3000
2N2066 Pot PNP - -30 -3000
2N2067 Pot PNP 0,007 -40 -3000
2N2068 Pot PNP 0,007 -70 -3000
2M2069 Pot PNP - -30 -12000
2N2070 Pot PNP - -60 -12000
2N2075 Pot PNP 0,01 -80 -15000
2N2076 Pot PNP 0,01 -70 -15000
2N2077 Pot PNP 0,01 -50 -15000
2H2078 Pot PNP 0,01 -40 -15000
2N2079 Pot PNP 0,01 -80 -15000
2N2080 Pot PNP 0,01 -70 -15000
2N2081 Pot PNP 0,01 -50 -15000
2N2082 Pot PNP 0,01 -40 -15000
2N2084 RF PNP 100 125 -40 -10
2N2085 AF NPN 8 150 33 500
2N2O9O VHF PNP 150 5 83 -20 -10
2N2092 RF PNP 10 100 -25 -10
2N2093 RF PNP 10 100 -25 -10
2N2096 VHF PNP 400 250 -25 -500
2N2097 VHF PNP 400 250 -40 -500
82 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÁO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2NK)99 VHF PNP 400 250 -25 -500


£N2100 VHP PNP 400 250 -40 -500
2N2102 Pot NPN - - 80 200
2N2104 AF PNP 60 800 -50 -600
2N21O5 RF PNP 50 800 -50 -600
2N2109 Pot NPN 0,014 250000 50 30000
2N2110 Pot NPN 0,014 250000 100 30000
2N2111 Pot NPN 0,014 250000 150 30000
2N2112 Pot NPN 0,014 250000 200 30000
2N2113 Pot NPN 0,014 250000 250 30000
2N2114 Pot NPN 0,014 250000 300 30000
2N2116 Pot NPN 0,014 25OOOO 50 30000
2N2117 Pot NPN 0,014 250000 100 30000
2N2118 Pot NPN 0,014 250000 150 30000
2N2119 Pot NPN 0,014 25OOOO 200 30000
2N2123 Pot NPN 0,016 250000 50 30000
2N2124 Pot NPN 0,016 250000 100 30000
2N2125 Pot NPN 0,016 250000 150 30000
2N2126 Pot NPN 0,016 25OOOO 200 30000
2N2137 Pot PNP 0,012 -20 -3000 ’
2N2138 Pot PNP 0,012 -30 -3000
2N2139 Pot PNP 0,012 -45 -3000
2N2140 Pot PNP 0,012 -60 -3000
2N2141 Pot PNP 0,012 -65 -3000
2N2142 Pot PNP 0,012 -20 -3000
2N2143 Pot PNP 0,012 -30 -3000
2N2144 Pot PNP 0,012 -45 -3000
2N2145 Pot PNP 0,012 -60 -3000
2N2146 Pot PNP 0,012 -65 -3000
2N2149 Pot PNP 0,08 -10 -50
2N2151 Pot PNP 0,002 -30 -3000
2N2152 Pot PNP 0,002 L. -30 -3000
2N2153 Pot PNP 0,002 -45 -3000
2N2154 Pot PNP 0,002 -60 -3000
2N2155 Pot PNP 0,002 -75 -3000
2N2156 Pot PNP 0,002 -30 -3000
MANUAL DE TRANSISTORES 83

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

MÁX. DISP.

C0L.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
2’5

CLASSE
TIPO

c
PQ

2N2157 Pot PNP 0,002 -45 -39OO


2N215Ô Pot PNP 0,002 - -60 -3000
2N2159 Pot PNP 0,002 - -75 -3000
2N2171 AP PNP 7,5 225 -50 -400
2N2172 AF PNP 8 200 -20 -400
2N2174 AF PNP 1 400 -45 -
2N2175 AF PNP - 100 -6 -50
2N2176 AF PNP - 100 -6 -50
2N2177 AF PNP 8 100 -6 -50
2N2178 AF PNP 8 100 -6 -50
2N2188 RF PNP 125 125 -40 -50
2N2189 RF PNP 150 125 -40 -50
2N2190 RF PNP 125 125 -60 -50
2N2191 RF PNP 150 125 -60 -50
2N2193 RF NPN - 800 60 1
2N2194 RF NPN - 800 60 1
2N2195 RF NPN 600 45 1
2N2196 Pot NPN 15 - 60 75
2N2197 Pot NPN 15 - 60 75
í2N2198 RF NPN 600 80 200
2N2201 Pot NPN 15 - 100 50
2N2202 Pot NPN 15 - 100 50
2N2203 Pot NPN 15 - 100 50
2N2204 Pot NPN 15 - 100 50
2N2205 RF NPN 200 300 25 200
2N2206 RF NPN 200 300 25 200
-2N2207 RF PNP 175 200 -50 -30
2N2212 Pot PNP - 60000 -120 -10000
2N2216 ' RF PNP 40 800 -150 -25O
2N2225 RF PNP 25 200 -15 -300
2N2226 Pot NPN 0,011 - 50 10000
2N2228 Pot NPN 0,011 - 150 10000
2N2230 Pot NPN 0,011 - 50 10000
2N2231 Pot NPN 0,011 - 100 10000
2N2232 Pot NPN 0,011 - 150 10000
2N2234 Pot NPN 0,1 - 20 1500
84 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2R2^35 Pot NPN 0,05 20 1500


2N2236 RP NPN 50 600 40 1500
2H2237 RF KPN 100 600 40 1500
2N2242 ■< VHP NPN 300 360 40 -
2H2260 AF PNP - 150 -30 -200
2H2261 AF PNP - 150 -30 -200
2H2262 AF PNP — 150 -30 -200
2H2266 Pot PNP - - -55 -5000
2R2267 Pot PNP - - -55 -5000
2K2268 Pot PNP - - -55 -5000
2R2269 Pot PNP - - -55 -5000
2N2282 Pot PNP 2,5 5000 -30 -3000
2M22Ô3 Pot PNP 2,5 5000 -60 -3000
2M2284 Pot PNP 2,5 5000 -100 -3000
2M2285 Pot PNP 1,5 100000 -60 -25000
2K2286 Pot PNP 1,5 100000 -100 -25000
2112287 Pot PNP 1,5 100000 -120 -25000
2N2288 Pot PNP 1 90000 -40 -10000
2R2289 Pot PNP 1 90000 -80 -10000
2N2290 Pot PNP 1 90000 -120 -10000
2N2291 Pot PNP 1 90000 -40 -10000
2N2292 Pot PNP 1 90000 -80 -10000
2N2293 Pot PNP 1 90000 -120 -10000
2N2294 Pot PNP 1 90000 -40 -10000
2H2295 Pot PNP 1 90000 -80 -10000
2N2296 Pot PNP 1 90000 -120 -10000
2H23O3 RF PHP 60 2000 -50 -150
2U2357 Pot PNP — 170000 -60 -50000
2B235Ô Pot PNP - 170000 -100 -50000
2K2359 Pot PNP — 170000 -120 -50Ô00
2H2426 AF PNP - 120 165 -32 -100
2H2428 AF PNP - 200 165 -32 -100
2H243O AF NPN - 100 165 15 100
2H2431 Pot PNP - 120 550 -32 -500
2N3OOO RF PNP 15 •• 150 -45 -400
MANUAL DE TRANSISTORES 85

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANH0 COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

3N22 RF NPN 15 - 0
3N23 RF NPN 50 - - 30 5
3N29 pp NPN 40 3,2 50 6 20
3N3O y NPN 80 3,2 50 6 20
3N31 RF NPN 80 3,2 50 6 20
3»34 RF NPN 100 125 30 20
3*35 RF NPN 150 125 30 20
3N36 RF NPN 50 30 6 20
3N37 RF NPN 90 30 6 20
3N45 Pot PNP 0,6 1000 -60 -12000
3N46 Pot PNP 0,3 1000 -80 -12000
3*47 Pot PNP 0,5 1000 -40 -12000
3N48 Pot PNP 0,3 1000 -60 -12000
3N49 Pot PNP 0,6 - -35 -15000
3*50 Pot PNP 0,3 - -50 -15000
3*51 Pot PNP 0,5 - -25 -15000
3N52 Pot PNP 0,3 - -40 -15000
3*54 RF NPN 150 18 30
3*57 RF NPN - 150 18 30
2SA12 FI PNP 7 32 80 -16 -15
2 SAI 3 FI PNP 7 32 80 -12 -15
2SA14 FI PNP 6 22 80 -16 -15
2SA15 RF PNP 12 32 80 -16 -15
2SA16 RF PNP 12 32 80 -12 -15
2SA17 RF PNP 19 10 80 -12 -15
2 SAI 8 RF PNP 19 - 80 -21 -15
2SA19 RF PNP 50 63 15 -12 -2
2SA20 RF PNP 55 90 12 -12 -2
2SA21 RF PNP 55 126 15 -12 -2
2SA22 RF PNP 12 3 50 -20 -25
2SA23 FI PNP 8 20 100 -20 -25
2SA24 RF PNP 100 — 60 -30 -10
2SA26 FI PNP 6 125 -20 -50
2SA3O RF PNP 10 14 70 -12 -10
2SA31 FI PNP 5 70 70 -12 -10
RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SA32 RF PNP 10 10 100 -25 -300


2SAJ5 FI PNP 6 10 100 -20 -25
2SA35 RF PNP 10 30 70 -16 -15
2SA36 FI PNP 10 30 70 -16 -15
2SA37 FI PNP 7,5 39 - -18 -5
2SA38 FI PNP 10 100 - -18 -5
2SA39 FI PNP 5,5 70 - -18 -5
2SA4O FI PNP 5 - 60 -25 -50
2SA41 RF PNP 11 - 130 -35 -40
2SA42 RF PNP 11 - 130 -45 -40
2SA43 RF PNP 40 - 70 -35 -10
2SA44 RF PNP 15 100 80 -15 -5
2SA49 FI PNP 10 100 60 -18 -5
2SA51 RF PNP 14 63 60 -18 -5
2SA52 FI PNP 7 39 60 -18 -5
2SA53 FI PNP 5 80 60 -18 -5
2SA54 VHF PNP 400 4 75 -20 -10
2SA55 FI PNP 6 50 80 -15 -5
2SA56 VHF PNP 300 - 150 -15 -
2SA57 RF PNP 85 6 55 -18 -5
2SA58 RF PNP 75 18 55 -18 -5
2SA6O RF PNP 55 - 55 -18 -5
2SA68 RF PNP 70 60 -20 -10
2SA69 RF PNP 70 - 60 -20 -10
2SA70 RF PNP 70 - 60 -20 -10
2SA71 RF PNP 100 - 100 -20 -10
2SA72 RF PNP 40 280 55 -18 -5
2SA73 RF PNP 35 70 55 -18 -5
2SA74 RF PNP 70 - 125 -50 -50
2SA75 RF PNP 30 - 125 -20 -50
2SA76 RF PNP 130 - 55 -18 -5
2SA77 RF PNP 110 - 55 -18 -18
2SA78 RF PNP 25 - 125 -40 -400
2SA8O RF PNP 35 15 80 -20 -10
2SA81 RF PNP 40 80 -20 -10
2SA82 RF PNP 40 - 80 -20 -10
MANUAL DE TRANSISTORES 87

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
TIPO

3
0

2SA83 RF PNP 25 70 80 -25 -W


2SA84 RF PNP 40 90 80 -25 -10
2SA85 RF PNP 50 45 80 -25 -10
2SA86 RF PNP 35 17 125 -45 -50
2SA87 RF PNP 100 5 80 -30 -10
2SA88 RF PNP 100 5 80 -30 -10
2SA89 RF PNP 100 5 80 -30 -10
2SA9O RF PNP 100 5 80 -30 -10
2SA92 RF PNP 50 17 55 -18 -5
2SA93 RF PNP 45 55 -18 -5
2SA94 RF PNP 45 80 -9 -
2SAI00 RF PNP 15 60 -40 -10
2SA101 RF PNP 15 60 -40 -10
2SAI02 RF PNP 25 60 -40 -10
2SAI03 RF PNP 35 60 -40 -10
2SA1O4 RF PNP 50 60 -40 -10
2SA1O5 RF PNP 75 35 -6 -10
2SA1O6 RF PNP 30 35 -6 -10
2SA107 RF PNP 20 35 -6 -10
2SA1O8 RF PNP 50 7 70 -20 -10
2SAI09 RF PNP 45 5,5 70 -20 -10
2SA110 RF PNP 40 10 70 -20 -10
2SAI11 RF PNP 30 - 70 -20 -10
2SAI12 RF PNP 20 5 70 -20 -10
2SA113 RF PNP 20 100 50 -34 -10
2SA114 RF PNP 20 100 50 -34 -10
2SA115 RF PNP 30 50 50 -34 -10
2SAI16 RF PNP 120 - 140 -30 -10
2SA117 RF PNP 110 - 140 -30 -10
2SAll8 RF PNP 100 5 80 -30 -10
2SA121 RF PNP 100 10 25 -15 -2
2SA123 RF PNP 100 55 25 -15 -2
2SA124 RF PNP 100 15 25 -15 -2
2SA125 RF PNP 100 25 25 -15 -2
2SA127 RF PNP 25 - 150 -70 -50
2SAI28 RF PNP 20 - 170 -40 -500
RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SA»29 RF PNP 20 170 -40 -500


2SA13O RF PNP 75 80 -9 -10
2SA131 RF PNP 50 80 -9 -10
2SA132 RF PNP 60 80 -9 -10
2SA133 RF PNP 45 80 -9 -10
2SAI34 RF PNP 150 80 -20 -10
2SA135 RF PNP 150 80 -20 -10
2SA136 FI PNP 10 35 -6 -10
2SA137 FI PNP 5 35 -6 -10
2SA138 FI PNP 15 80 -20 -25
2SA139 FI PNP 8 80 -30 -50
2SA141 FI PNP 5 3 80 -15 -15
2SA142 FI PNP 10 30 80 -15 -15
2SA143 RF PNP 15 30 80 -15 -15
2SA144 RF PNP 30 - 80 -15 -10
2SA145 FI PNP 6 - 83 -15 -10
2SAI46 FI PNP 20 70 60 -20 -10
2SAI47 RF PNP 30 60 -20 -10
2SA148 RF PNP 40 63 60 -20 -10
2SA149 RF PNP 50 60 -20 -10
2SA151 FI PNP 6 - 80 -9 -15
2SA152 FI PNP 10 40 80 -9 -15
2SA153 RF PNP 55 26 20 -15 -4
2SA154 RF PNP 45 64 20 -15 -4
2SA155 RF PNP 45 90 20 -15 -4
2SA156 RF PNP 45 125 20 -15 -4
2SA157 RF PNP 55 - 20 -15 -4
2SA159 RF PNP 50 65 20 -15 -4
2SA16O RF PNP 50 90 20 -15 -4
2SA167 FI PNP 8 40 100 -20 -30
2SA168 FI PNP 8 40 140 -20 -30
2SA175 RF PNP 85 7 55 -18 -5
2SA180 RF PNP 10 55 50 -15 -10
2SA181 FI PNP 5 40 50 -15 -10
2SA182 FI PNP 5 40 50 -15 -10
2SA183 «J PNP 16 70 50 -15 -10
MANUAL DE TRANSISTORES

r
7

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Bete)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SA188 FI PNP 10 30 80 -12


2SA189 FI PNP 6 30 80 -12
2SA190 RF PNP 30 10 60 -40 -10
2SA191 RF PNP 20 - 60 -40 -10
2SA192 RF PNP 12 25 80 -15 -15
2SA193 RF PNP 10 18 80 -15 -15
2SA194 FI PNP 8 30 80 -15 -15
2SA195 FI PNP 6 28 80 -15 -15
2SA201 FI PNP 8 30 -15 -5
2SA202 RF PNP 12 30 -15 -5
2SA2O3 FI PNP 5 30 -15 -5
2SA2O4 FI PNP 6 150 -30 -200
2SA2O5 FI PNP 5 200 -30 -200
2SA2O6 FI PNP 7 200 -30 -200
2SA2O7 RF PNP 12 200 -30 -200
2SA2O8 FI PNP 3 120 -20 -400
2SA2O9 FI PNP 5 120 -20 -400
2SA21O FI PNP 10 120 -20 -400
2SA211 FI PNP 4 120 -18 -100
2SA212 FI PNP 4 120 -25 -100
2SA213 RF PNP 140 15 -15 -2
2SA214 RF PNP 140 15 -15 -2
2SA215 RF PNP 140 15 -15 -2
2SA216 RF PNP 140 15 -15 -2
2SA217 RF PNP 18 120 -25 -100
2SA21Ô RF PNP 25 50 -20 -10
2SA219 RF PNP 40 50 -20 -10
2SA221 RF PNP 50 50 -20
2SA223 RF PNP 64 50 -20 —10
2SA224 RF PNP 80 50 -20 rlO
2SA226 RF PNP 95 50 -20 —1Q
2SA22Ô PF PNP 30 100 -80 -ÍO
2SA231 Pot PNP O9OO25 - -40 r40P
2SA232 Pot PNP 0t004 — -30
2SA236 Pot PNP 35 180 55 -18
2SA237 RF PNP 35 180 55 -18 -I 1
90 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SAÍ41 RP PNP 200 — 50 -20 -5


2SA242 VHF PNP 250 50 -20 -5
2SA243 VHF PNP 300 50 -20 -5
2SA244 VHF PNP 360 600 -25 -
2SA245 VHF PNP 42C 600 -25 —
2SA246 VHF PNP 270 130 -30 -30
2SA247 VHF PNP 200 130 -10 -30
2SA25O RF PNP 50 180 -100 -10
2SA251 RF PNP 50 50 -15 -50
2SA252 RF PNP 80 50 -15 -50
2SA254 FI PNP 10 30 55 -12 -10
2SA255 FI PNP 5 70 50 -12 -10
2SA256 RF PNP 60 7 55 -20 -10
2SA257 RF PNP 50 10 55 -20 -10
2SA25Ô RF PNP 40 - 55 -20 -10
2SA259 RF PNP 30 - 55 -20 -10
2SA266 RF PNP 60 - 80 -20 -10
2SA267 RF PNP 50 80 -20 -10
2SA268 RF PNP 40 80 -20 -10
2SA269 RF PNP 30 - 80 -20 -10
2SA270 RF PNP 50 10 80 -9 -10
2SA271 RF PNP 30 25 80 -9 -10
2SA272 RF PNP 20 100 80 -9 -10
2SA273 RF PNP 40 100 80 -34 -10
2SA274 RF PNP 30 80 80 -34 -10
2SA275 RF PNP 45 25 90 -34 -10
2SA279 RF PNP 80 - 120 -30 -30
2SA285 RF PNP 40 100 50 -18 -5
2SA286 RF PNP 50 30 50 -18 -5
2SA287 RF PNP 60 30 50 -18 -5
.2SA29O UHF PNP 700 80 -20 -10
2SA291 RF PNP 100 - 50 -20 -50
2SA3O4 FI PNP 4,5 - 65 -18 -40
2SA3O5 FI PNP 10 - 65 -18 -40
2SA3O8 UHF PNP 450 - 83 -20 -5
2SA3O9 UHF PNP 600 - 83 -20 -5
MANUAL DE TRANSISTORES 91

MÁX. TENSÁO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MÁX. DISP.

C0L.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SA31O ÜHF PNP 650 — 166 -32 -25


2SA313 RF PNP 40 - 60 -18 -5
2SA314 RF PNP 40 - 60 -18 -5
2SA315 RF PNP 55 — 60 -18 -5
2SÃ316 RF PNP 75 - 60 -18 -5
2SB12 AF PNP 0,8 15 50 -30 -50
2SB13 AF PNP 0,8 15 100 -30 -50
2SB14 AF PNP 0,8 15 100 -30 -50
2SB15 AF PNP 0,8 15 100 -60 -50
2SB16-A Pot PNP - 15 1800 -20 -600
2SB17A Pot PNP - 15 1800 -40 -600
2SB1ÔA Pot PNP - 15 1800 -80 -600
2SB19 Pot PNP - 15 5500 -16 -2500
2SB20 Pot PNP - 15 5500 -32 -2500
2SB21 Pot PNP - 15 5500 -60 -2500
2SB22 AF PNP - — 170 -25 -75
2SB23 AF PNP - - 40 -15 -10
2SB24 AF PNP - - 40 -15 -10
2 SB 2 5 Pot PNP - — 10000 -60 -1500
2SB26 Pot PNP - - 10000 -25 -1500
2SB27 Pot PNP 0,007 - 5000 -15 -500
2SB28 Pot PNP 0,007 - 5000 -15 -500
2SB29 Pot PNP 0,007 - 5000 -15 -500
2SB3O Pot PNP 0,007 - 5000 -15 -500
2SB31 Pot PNP 0,007 115 5000 -15 -500
2SB32 AF PNP - 100 100 -20 -50
2SB33 AF PNP - 30 100 -20 -50
2SB34 AF PNP - 45 300 -20 -150
2SB37 AF PNP - - 100 -30 -50
2SB38 AF PNP - 45 300 -30 -150
2SB39 AF PNP - 140 40 -10 -2
2SB40 AF PNP 1 - 80 -40 -100
2SB41 Pot PNP — - 8000 -40 -1200
2SB42 Pot PNP - - 8000 -60 -1200
2SB43 Pot PNP 1 - - -25 -50
02 RENATO ANDRADE

FREQ. CORTE
«22
APLICAÇAO
CO
o

(mHz)
1—( . .—.

X. D

(mW
COL
H . >

CLASSE
td M cq • kJ
TIPO

Xo
0W

2SB4» AP PNP - 80 -25 -50


2SB47 AF PNP - 200 80 -25 -50
2SB48 AP PNP 2,5 - 140 -16 -100
2 SB 49 AF PNP 3 - 140 -16 -100
2SB5O AP PNP 3,5 - 140 -16 -100
2SB51 AF PNP 2 - 200 -30 -200
2SB52 AF PNP 3 - 200 -30 -200
2SB53 Pot PNP 3 - 225 -45 -250
2SB54 AF PNP 1 250 125 -25 -50
2 SB5 5 AP PNP - 150 -60 -50
2SB56 AF PNP 1 - 150 -25 -50
2SB57 AP PNP 1 - 100 -30 -50
2SB59 AP PNP 1 - 150 -30 -100
2SB60 AF PNP 1 - 150 -20 -50
2SB61 Pot PNP 1 15 200 -30 -50
2SB62 Pot PNP 0,1 - 2000 -12 -500
2SB63 Pot PNP 0,3 - 2000 -12 -500
2SB64 Pot PNP - — -100 -6000
2SB66 AF PNP 15 100 -30 -50
2SB67 Pot PNP 1 25 350 -55 -150
2SB68 AF PNP - 50 -105 -100
2SB69 Pot PNP - - - -60 -6000
2SB73 AP PNP - 200 50 -10 -2
2SB74 AF PNP - - 80 -16 -15
2SB75 AF PNP - 45 150 -25 -70
2SB76 AF PNP - — 150 -12 -70
2SB77 AP PNP - - 150 -25 -70
2SB78 AP PNP - - 150 -12 -70
2SB79 Pot PNP — 58 250 -25 -70
2SB8O Pot PNP 30 4000 -25 -1000
2SB81 Pot PNP - 2000 -80 -500
2SB82 Pot PNP - 2000 -110 -500
2SB83 Pot PNP 0,4 - - -40 -3000
2SB84 Pot PNP 0,4 - - -60 -3000
2SB85 Pot PNP - - -25 -5000
2SB86 Pot PNP - • - -35 -5000
MANUAL DE TRANSISTORES 93

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SB87 Pot PNP — -50 -Í.000


2SB89 AP PNP 1 - 250 -25 -100
2SB9O AP PNP 1 180 40 -18 -5
2SB91 AP PNP 1 - 40 -18 -30
2SB94 AP PNP 1 - 150 -25 -50
2SB95 AP PNP 0,15 - 150 -25 -50
2SB96 Pot PNP — - - -32 -250
2SB97 AP PNP — - 40 -18 -5
2SB98 AP PNP - 20 125 -30 -100
2SB99 AP PNP — 20 125 -30 -100
2SB1OO AP PNP 1,2 - 125 -30 -50
2SB101 AP PNP - 125 -30 -50
2 SB 10 2 AP PNP 1,2 100 180 -30 -50
2SB1O3 AP PNP 1,2 45 125 -30 -100
2SB104 AP PNP 1,2 45 180 -30 -100
2SB105 Pot PNP 0,4 18 500 -30 -500
2 SB 10 6 Pot PNP 0,4 18 700 -30 -500
2SB107 Pot PNP 0,4 30 10000 -30 -2000
2SB1O8 Pot PNP 500 -40 -500
2SB1O9 Pot PNP - - 3000 -40 -500
2SB110 AP PNP 0,7 40 70 -25 -50
2SB111 AF PNP 0,7 57 70 -25 -50
2SB112 AF PNP 0,7 70 70 -25 -50
2SB113 AP PNP 0,7 80 70 -25 -50
2SB114 AP PNP 0,7 20 70 -25 -50
2SB115 AP PNP 0,7 22 70 -25 -50
2SB116 AP PNP 0,7 26 70 -25 -50
2SB117 AP PNP 0,7 — 70 -25 -50
2SB118 Pot PNP 0,2 - 2000 -32 -3000
2 SB 119 Pot PNP 0,2 — 2000 -32 -3000
2SB120 AP PNP 100 170 -32 -20
2SB121 AF PNP — — 50 -105 -100
2SB122 Pot PNP 0,25 - 10000 -80 -1500
2SB123 POt PNP 0,22 - 10000 -30 -5000
2SB124 POt PNP 0,3 70 40000 -60 -15000
2SB125 Pot PNP 0,2 70 40000 -36 -15000
94 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MÀX. DISP.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SB12.6 Pot PNP 0,004 12500 -32 -3500


2SB1F7 Pot PNP 0,004 12500 -32 -3500
2SB128 Pot PNP 12500 -80 -6000
2SB129 Pot PNP 12500 -80 -6000
2SB13O Pot PNP 0,2 - -32 -1500
2SB131 Pot PNP - -40 -1500
2SB132 Pot PNP - -60 -1500
2SB134 AP PNP 0,5 70 100 -25 -50
2SB135 AF PNP 0,7 70 100 -25 -50
2SB136 AP PNP - 100 -25 -50
2SB137 Pot PNP - 60 10000 -30 -2000
2SB13Ô Pot PNP - 50 10000 -60 -2000
2SB14O Pot PNP - 12000 -40 -1500
2SB141 Pot PNP 0,007 - 12000 -60 -1500
2SB142 Pot PNP 0,007 - 10000 -30 -1000
2SB143 Pot PNP 0,007 10000 -30 -1000
2SB144 Pot PNP 0,007 12000 -30 -1000
2SB145 Pot PNP 0,007 10000 -30 -1000
2SB146 Pot PNP 0,007 «• 10000 -30 -1000
2SB147 Pot PNP 0,007 - 10000 -60 -1500
2SB14Ò Pot PNP 0,3 - 40000 -80 -15000
2SB149 Pot PNP 0,15 - 25000 -40 -80000
2SB15O AF PNP 0,5 - 50 -105 -100 1
2SB153 AP PNP 70 150 -12 -70
2SB154 AF PNP - 70 150 -12 -70
2SB155 Pot PNP - - 450 -16 -300
2SB156 Pot PNP - - 450 -16 -300
2SB157 AP PNP 0,01 - 10 -7 -10
2SB158 AP PNP 0,01 - 10 -7 -10
2SB159 AP PNP 0,01 - 10 -7 -10
2SB16O AF PNP - 10 -7 -10
2SB161 AF PNP 0,65 14 125 -30 -100
2SB162 AP PNP 0*65 14 180 -30 -100
2SB163 AF PNP - 18 125 -30 -100
2SB164 AF PNP 1 30 180 -30 -100
2SB165 AF PNP 1 22 125 -30 -100
MANUAL DE TRANSISTORES 95

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SB166 AF PNP 1 63 180 -30 -J.00


2 SB 16 8 AP PNP 50 -9 -íoo
2SB169 AP PNP 50 -12 -20
2SB17O AP PNP 0,3 125 -30 -10
2SB171 AP PNP 0,5 125 -30 -50
2SB172 AP PNP 1 125 -32 -125
2SB173 AP PNP 0,5 125 -20 -10
2SB174 AP PNP 0,7 225 -20 -300
2SB175 AP PNP 0,6 125 -30 -10
2SB176 AP PNP 1,4 125 -32 -125
2SB177 AP PNP 1,4 125 -32 -125
2SB178 AP PNP 0,7 225 -20 -300
2SB1ÔO Pot PNP 18 4000 -40 -500
2SB181 Pot PNP 18 4000 -60 -500
2SB183 AP PNP 0,7 50 -12 -20
2SB184 AP PNP 12 50 -9 -100
2SB185 AP PNP 150 -25 -50
2SB186 AP PNP 150 -25 -50
2SB187 AP PNP 150 -25 -50
2SB188 AP PNP 150 -25 -50
2SB189 AP PNP 1 23 300 -25 -250
2SB19O AP PHP 100 100 -25 -50
2SB191 AP PNP 63 100 -25 -50
2SB192 AP PNP 60 100 -25 -50
2SB193 AP PNP 80 125 -30 -50
2SB196 AP PNP 500 -30 -200
2SB197 AP PNP 500 -30 -200
2SB198 AP PNP 500 -30 -200
2SB199 AP PNP 150 -12 -300
2SB200 AP PNP 45 230 -32 -400
2SB2O1 AP PNP 0,5 500 -32 -400
2SB202 AP PNP 45 230 -32 -400
2SB2O3 Pot PNP 0,003 -40 -15000
2SB2O4 Pot PNP 0,003 -40 -15000
2SB2O5 Pot PNP 0,003 -80 -15000
2SB2O6 Pot PNP 0,003 -80 -15000
96 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.
BASE-COL.

C0L.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SB2O7 Pot PNP 0,003 -100 -15000


2SB2Ô8 Pot PNP 0,003 - -100 -15000
2SB2O9 Pot PNP 0,003 -40 -15000
2SB21O Pot PNP 0,003 - -40 -15000
2SB211 Pot PNP 0,003 - -80 -15000
2SB212 Pot PNP 0,003 - -80 -15000
2SB213 Pot PNP 0,003 - -100 -15000
2SB214 Pot PNP 0,003 - -100 -15000
2SB215 Pot PNP — -100 -1500
2SB216 Pot PNP - -60 -1500
2SB217 Pot PNP - - -20 -1500
2SB219 AP PNP 1 12 225 -30 -200
2SB22O AP PNP 1,5 16 225 -30 -220
2SB221 AP PNP 2 22 225 -30 -200
2SB222 AP PNP 2,5 26 225 -30 -200
2SB223 AP PNP 3 28 225 -30 -200
2SB224 AP PNP 2 22 225 -45 -500
2SB225 AP PNP 2,5 225 -45 -500
2SB226 Pot PNP 3,3 225 -45 -500
2SB228 Pot PNP -35 -5000
2SB229 Pot PNP -40 -5000
2SB23O Pot PNP -50 -5000
2SB231 Pot PNP 1 -120 -6000
2SB232 Pot PNP -130 -6000
2SB233 Pot PNP -130 -6000
2SB234 Pot PNP •*180 -6000
2SB235 Pot PNP 0,23 -80 -15000
2SB236 Pot PNP 0,23 -60 -15000
2SB237 Pot PNP 0,23 -36 -15000
2SB238 Pot PNP 0,5 -40 -1000
2SB239 Pot PNP 0,5 -80 -1000
2SB24O Pot PNP 0,5 -40 -1000
2SB241 Pot PNP 0,5 -80 -1000
2SB242 Pot PNP 0,5 -30 -1000
2SB243 Pot PNP 0 5 * -1000
2SB244 3?
Pot PNP 0,5 |- -1000
MANUAL DE TRANSISTORES 97

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
2SB245 0,5 -80 -l«0
2SB246 0,35 -25 -2000
2SB247 0,35 -35 -2000
2SB24Ô -25 -2000
2SB249 0,35 -40 -2000
2SB25O 0,35 -20 -2000
2SB251 0,35 -20 -2000
2SB252 0,35 -50 -2000
2SB253 0,35 -35 -2000
2SB254 -35 -600
2SB255 -25 -600
2SB256 -115 -600
2SB25Ô 1,5 -75 -19000
2SB259 1,5 -45 -15000
2SB260 1»5 -20 -15000
2SB261 30 65 -20 -30
2SB262 15 65 -20 -30
2SB263 15 200 -30 -150
2SB264 1 70 -25 -50
2SB271 - 600 -25
2SB272 - 600 -25
2SB273 - 600 -18
2SB29O 1 65 -30
1 -40
2SB291 150 -25 -150
2SB292 X — -130 -10000
2SB296 1»5 — -130 -10000
2SC11 6 55 18 24
2SC13 — 65 18 40
2SC14 - 65 18 40
2SC3O 160 1500 60
2SC31 140 1500 60
2SC32 180 1500 60
2SC33 180 150 45 -
2SC42 20 50000 150 5000
2SC44 20 - 50000 150 5000 1
98 RENATO ANDRADE

MAX. TENSAO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MAX. DISP.

MAX. COR.
BASE-COL.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mA)
COL.
(mW)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SXJ49 VHP NPN 160 800 120


2SC5O PI NPH 12 100 20 200
.23063 VHP NPN 400 300 25 -
2SC73 HP NPN 20 30 15 5
2SC75 PI NPN 10 30 15 5
23076 PI NPN 10 30 15 5
23C77 PI NPN 10 30 15 5
2SC78 PI NPN 20 30 15 5
2SCÔ9 PI NPN 5 120 15 400
2SC90 PI NPN 7 120 25 400
2SC91 PI NPN 10 120 25 400
2SC121 HP NPN 25 250 45 25
2SC122 RP NPN 30 250 45 25
2SC123 RP NPN 35 250 45 25
2SC124 RP NPN 35 250 45 25
2SC15O Pot NPN 0,13 - 20 100
Pot NPN 0,16 - 100
2SC151
2SC152
,2SC160
2SC173
Pot
RP
RP
NPN
NPN
NPN
0,16
100
20
-
125
30
25
60
20
15
w
5
2SC175 PI NPN 10 30 15 5
2SC176 PI NPN 10 30 15 5
2SC177 PI NPN 10 30 15 5
2SC178 RP NPN 20 30 15 5
2SC191 RP NPN 50 250 60 10
2SC192 PI NPN 10 250 60 10
2SC193 RP NPN 30 250 60 10
2SC194 RP NPN 50 250 60 10
2SC195 PI NPN 10 250 30 10
2SC196 RP NPN 30 250 30 10
2SC197 RP NPN 50 250 30 10
2SD11 AP NPN 2,5 125 25 300
2SD19 AP NPN 150 25 300
2SD20 AF NPN - 150 25 300
2SD21 AF NPN - 150 25 300
2SD22 A. NPN 150 25 300
- -
MANUAL DE TRANSISTORES 99

MAX. TENSAO
FREQ. CORTE

GANH0 COR.
BASE-COL.

COL.-EMIS.
MAX. DISP.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

2SD23 AP NPN - 150 25 30C^


23D33 AP NPN - 30 150 20 50
2SD37 AP NPN - 45 150 20 50
2SD43 Pot NPN 1 - - 25 50
2SD44 AP NPN - 17 80 25 50
2SD61 AP NPN 1 - 100 30 100
2SD63 AP NPN 1 16 100 25 100
23D64 AP NPN 1 - 80 25 50
2SB65 AP NPN 1 - 80 25 50
23B66 AP NPN 0,8 - 80 25 50
2SU75 AP NPN - - 100 25 70
2SU77 AP NPN - - 100 25 70
2SD120 Pot NPN 0,0015 - - 40 1500
2SD121 Pot NPN 0,0015 - - 55 1500
2SD122 Pot NPN 0,0012 - - 40 3000
2SD123 Pot NPN 0.0012 - - 55 3000
2SD124 Pot NPN 0,001 - - 40 6000
2SD125 Pot NPN 0,001 - - 55 6000
3SOO2 HP NPN 100 - 125 30 20
33004 HP NPN 150 - 125 30 20
1092 PI NPN 10 - 125 30 25
U?2 PI NPN 10 - 125 30 25
12T2 PI NPN 10 - 125 30 25
1791 AP PNP - - 550 -35 -500
1891 RP PNP - - 550 -35 -500
2591 RP PNP 40 - 30 -11 -10
2691 RP PNP 25 - 30 -11 -10
2692 RP NPN 20 - 500 60 100
26920 RP NPN 20 - 2500 60 100
2892 RP NPN 20 - 500 30 100
2992 HP NPN 20 - 500 60 100
29920 RP NPN 20 - 2500 60 100
3591 AP PNP 4,5 28 50 -20 -50
3691 PI PNP 6,5 |I36 50 -10 -50
100 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

37T? FI PNP 10 45 50 -10 -50


38ÍI FI PNP 10 - 90 -20 -50
39T1 RF PNP 15 - 90 -14 -50
44T1 AF PNP 1,2 - 400 -45 -300
64H FI PNP 8 - 150 -30 -200
65T1 FI PNP 10 - 150 -30 -200
82T1 AF PNP 1 - 1200 -30 -1500

200 AF NPN 9 50 30 5
201 AF NPN 1,1 19 50 30 5
202 AF NPN 1,3 49 50 30 5
210 AF NPN - 50 30 5
220 FI NPN - - 50 30 5
221 FI NPN — - 50 30 5
222 FI NPN - - 50 30 5
223 RF NPN - - 50 30 5
300 AF PNP - 9 50 -30 -10
301 AF PNP - 19 50 -30 -10
350 AF PNP - - 50 -30 —
700 RF NPN - - 50 30 -
903 AF NPN 3 - 75 30 10
904 AF NPN 3 - 75 30 10
905 AF NPN 3 - 75 30 10

941T1 AF PNP 1,5 20 60 -24 -200


965TI AF PNP 1,5 180 60 -24 -50
9Ô7T1 AF PNP 1 12 60 -24 -200
9Ô8T1 AF PNP 1,2 16 60 -24 -50
99OT1 AF PNP 1 90 60 -24 -50
991T1 AF PNP 1,2 110 60 -24 -50
992T1 AF PNP 1,5 140 60 -24 -50

AC 10 5 AF PNP «. 400 -40 -1000


AC106 AF PNP - - 400 -40 -1000
AC107 AF PNP 2 - 80 -15 -10
AC108 AF PNP 1 • 30 -20 -50
MANUAL DE TRANSISTORES 101

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MÁX. DISP.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

AC1O9 AF PNP 1 30 -20 -5*


ACHO AF PNP 1 30 -20 -50
AC116 AF PNP 1,2 150 -30 -100
AC117 AF PNP 400 -30 -1000
AC12O AF PNP 1,5 210 -20 -300
AC121 AF PNP 1,5 210 -20 -300
AC122 AF PNP 1,2 60 -30 -50
AC123 AF PNP 1,2 150 -45 -100
AC124 AF PNP 400 -45 -100
ACL25 AF PNP - 50 -32 -30
AC126 AF PNP - 50 -32 -30
AC128 AF PNP - 150 -32 -150
AC13O AF NPN 2 145 20 100
ACZ1O AF PNP - 400 -70 -300
AJDZ11 Pot PNP 0,08 - -40 -15000
ADZ12 Pot PNP 0,1 - -60 -15000
AF1O1 RF PNP 14 30 -20
> AF102 RF PNP 180 50 -25 -10
AFIO 5 RF PNP 55 30 -25 -
AF114 RF PNP 75 50 -20 -10
AF115 RF PNP 75 50 -20 -10
AF116 RF PNP 75 50 -20 -10
AF117 RF PNP 75 50 -20 -10
AF118 RF PNP 175 250 -50 -30
AF124 RF PNP 75 63 -20 -10
AF125 RF PNP 75 63 -20 -10
AF126 RF PNP 75 63 -20 -10
AF127 RF PNP 75 63 -20 -10
AF129 RF PNP 150 50 -20 -10
AF13O RF PNP 150 50 -20 -10
AF131 RF PNP 75 3,6 50 -20 -10
AF132 RF PNP 75 20 50 -20 -10
AF133 RF PNP 100 — 50 -20 -10
AFZ1O RF PNP - - 150 -40 -100
AFZ11 RF PNP 100 - 50 -10 -10
-
102 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

, APZX2 RP PNP 200 50 -25 -10


ASY14 AP PNP 0,9 125 -80 -250
ASZ10 RP PNP 150 -50 -250
ASZ2O RP PNP 100 80 -40 -15
' ASZ21 VHP PNP 300 94 -20 -30
' ASZ3O RP PNP - 30 -50 -250
AUY1O Pot PNP 0,06 -75 -50
AUY11 Pot PNP - - -30 -2000
B177 Pot PNP -30 -3000
B178 Pot PNP - - -30 -3000
B179 Pot PNP - - -40 -3000
B1013 Pot PNP 0,0025 -25 -3000
B1O17 Pot PNP - -20 -3000
B1O22 AP PNP - 300 -15 -300
BIO85 Pot PNP 1,5 - -120 -2000
B1151 Pot PNP 0,4 - -25 -I5OOO
B1152 Pot PNP 0,4 - -25 -15000
B1154 AP PNP 1,5 400 -60
B1178 Pot PNP 1 -160 -10000
B1181 Pot PNP 2 - -25000
B1274 Pot PNP - — -40 -10000
BC1O73 Pot PNP 1,5 - -40 -10000
BCY1O AP PNP 2 300 -32 -125
BCY11 AP PNP 1,5 300 -60 -250
BCY12 AP PNP 2 300 -32 -250
BCY13 AP NPN - 450 60 200
BCY14 AP NPN - 450 100 200
BCY15 AP NPN - 450 60 300
BCY16 AP NPN - 450 100 300
BCY17 AP PNP 1,2 150 -30 -50
BCY18 AP PNP 2 150 -30 -50
BCY19 AP PNP - 150 -50 -50
BCY20 AP PNP - 150 -100 -50
BCZ10 AP PNP 1 250 -25 -50
BCZ11 AP PNP 3 - 250 -25 -50
MANUAL DE TRANSISTORES 103

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Bete)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

BCZ12 AP PNP 1 250 -60 -5P


BFTLO RP NPN 50 - 375 45
C103 AP PNP 1,2 250 -30 -50
C1O6 AP PNP 1,2 250 -30 -50
C118 AP PNP 1 250 -12 -50
0119 AP PNP 1 250 -12 -50
C201 AP PNP 0,4 250 -40 -50
0202 AP PNP 0,8 250 -25 -50
C301 AP PNP M 250 -70 -50
0302 AP PNP 0,8 250 -12 -50
0401 AP PNP 0,4 250 -40 -50
0402 AP PNP 0,4 250 -15 -50
CK4 AP PNP 4 80 -25 -100
CKL3 AP PNP 2,5 3 80 -18 -200
CKL4 PI PNP 7 6 80 -30 -100
0X16 PI PNP 10 10 80 -12 -200
CEL7 RP PNP 18 23 80 -10 -200
CK22 AP PNP 1,2 160 80 -20 -100
CK64 AP PNP 0,8 100 80 -29 -100
CK65 AP PNP 1 125 80 -24 -100
0X66 AP PNP 1,2 155 80 -20 -100
CK67 AP PNP 1,2 175 80 -15 -400
ÇX83 PI PNP 5,5 - 75 -12 -20
0X86 RP PNP 12 - 75 -12 -10
0X261 AP NPN 1,2 160 75 35 100
0X262 AP NPN 1,2 160 75 35 100
CX273 AP NPN 250 25 1000
0X277 AP NPN - 250 90 1000
0X311 Pot PNP 0,1 - -80 -3000
CK312 Pot PNP 0,1 - -100 -3000
CK313 Pot PNP 0,1 - -120 -3000
CK314 Pot PNP 0,1 - -150 -3000
CK315 Pot PNP 0,1 - -200 -3000
CK419 PI NPN 10 250 50 50
104 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÁO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

CK4-20 FI NPN 10 250 50 50


CK421 FI NPN 10 250 50 50
CK422 FI NPN 10 250 50 50
CK474 FI NPN 10 250 50 50
CK475 FI NPN 10 250 50 50
CK476 FI NPN 10 250 50 50
CK477 FI NPN 10 250 50 50
CE716 AF PNP - 100 -40 -4
CK721 AF PNP 0,8 45 180 -15 -10
CK722 AF PNP 0,7 22 180 -22 -10
CK725 AF PNP 0,9 90 180 -12 -10
CK727 AF PNP 0,8 35 180 -6 -10
CK751 AF PNP 0,35 50 120 -30 -125
CK759 FI PNP 6 50 80 -15 -5
CK760 FI PNP 5 40 30 -10 -5
CK761 FI PNP 10 45 30 -10 -5
CK762 RF PNP 20 65 30 -10 -5
CK766 RF PNP 15 100 80 -15 -5
CK79O AF PNP - 200 -45 -50
CK791 AF PNP - 200 -22 -50
CK793 AF PNP - 200 -22 -50
CST1789 Pot PNP 0,01 -120 -3000
CTP1002 Pot PNP - 25000 -60 -
CTP1003 Pot PNP - 25000 -60 -
CTP1004 Pot PNP - 25000 -40 -3000
CTP1005 Pot PNP - 25000 -40 -
CTP1006 Pot PNP - 25000 -40 -
CTP1032 AF PNP - 50 -25 -40
CTP1O33 AF PNP - 50 -25 -40
CTP1034 AF PNP - 50 -25 -40
CTP1104 Pot PNP - - -40 -3000
CTP1320 AF PNP - 50 -25 -40
CTP133O AF PNP - 50 -25 -40
CTP134O AF PNP - 50 -25 -40
MANUAL DE TRANSISTORES 105

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

DR126 AF PNP 25 50 -10 -41


DR128 AF PNP - 40 50 -10 -8
DR129 AF PNP 0,9 33 50 -25 -8
DR13O AF PNP 0,5 14 50 -25 -8
DR131 AF PNP 0,4 8 50 -25 -8
DR154 AF PNP 0,7 100 50 -25 -8
DR155 AF PNP 1,7 33 50 -25 -8
BT111O Pot NPN 0,06 - 30 500
DT1111 Pot NPN 0,06 - 60 500
DT1112 Pot NPN 0,06 - 100. 500
DT112O Pot NPN 0,12 - 30 500
DT1121 Pot NPN 0,12 - 60 500
PT1122 Pot NPN 0,12 - 100 500
ES3110 AF PNP 0,3 27 -30 -10
ES3111 AF PNP 0,4 27 -30 -10
ES3H2 AF PNP 0,6 27 -30 -10
ES3113 AF PNP 0,8 27 -30 -10
ES3114 AF PNP 1 27 -30 -10
ES3H5 AF PNP 1,5 27 -30 -10
ES3116 AF PNP 2 27 -30 -10
ES312O AF PNP 0,3 36 -30 -10
ES3121 AF PNP 0,4 36 -30 -10
ES3122 AF PNP 0,6 36 -30 -10
ES3123 AF PNP 0,8 36 -30 -10
ES3124 AF PNP 1 36 -30 -10
ES3125 AF PNP 1,5 36 -30 -10
ES3126 AF PNP 2 36 -30 -10
ES35O1 AF PNP - 36 -30 -10
F101 Pot NPN 1 - 30 4000
F102 Pot NPN 1 - 60 4000
F103 Pot NPN 1 - 100 4000
F104 Pot NPN 1 - 30 4000
F105 Pot NPN 1 - 60 4000
F106 Pot NPN 1 - 100 4000
F107 Pot NPN '1,5 — — 30 4000
106 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

noe Pot NPN 1,5 60 4000


F109 Pot NPN 1,5 — 100 4000
F11O Pot NPN 1,5 - 60 4000
Fill Pot NPN 1,5 - 60 7500
F112 Pot NPN 1 - 60 7500
F113 Pot NPN 1 - 60 7500
F114 Pot NPN 1,5 - 60 7500
GET3 AF PNP 1 55 100 -15 -250
GET4 AF PNP 1 50 50 -30 -70
GET5 AF PNP 1 - 200 -30 -350
GET6 AF PNP 1 50 50 -12 -50
GET15 AF PNP 0,95 70 600 -15 -350
GET16 AF PNP 0,9 60 600 -30 -350
GET20 AF PNP 1 80 600 -30 -500
G3T1O2 AF PNP 1.5 140 200 -30 -1000
GET1O3 AF PNP 1 100 200 -30 -1000
GET1O4 AF PNP 1 - 200 -30 -1000
GET1O5 AF PNP 1 - 800 -40 -1000
GET1O6 AF PNP 1 100 200 -15 -1000
GET11O AF PNP 1 - 800 -40 -1000
GET111 AF PNP 1 - 200 -60 -1000
GET113 AF PNP 1,5 140 200 -15 -1000
GET114 AF PNP 1 100 200 -15 -1000
GET115 AF PNP 1 20 800 -15 -1000
GET116 AF PNP 1 25 8Ò0 -30 -1000
GET12O AF PNP 1 800 -30 -1000
GET535 AP PNP 1 200 -30 -1500
GET536 AF PNP 1 200 -30 -1500
GET53Ô AF PNP 1 200 -60 -1500
GET571 Pot PNP 0,35 - -16 -12000
GET572 Pot PNP 0,35 - -32 -12000
GET573 Pot PNP 0,35 - -40 -12000
GET581 Pot PNP - -60 -6000
GET5Ô2 Pot PNP - -32 -6000
GET583 Pot PNP - - -32 -6000
MANUAL DE TRANSISTORES 107

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MÁX. DISP.
BASE-COL.

C0L.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

GET584 Pot PNP - - - -32 -6000


GED585 Pot PNP - - - -40 -4000
GET586 Pot PNP - - - -32 -3000
GET691 RP PNP 30 100 75 -20 -10
GET692 RP PNP 40 100 75 -20 -10
GET693 RP PNP 50 100 75 -20 -10
GET871 PI PNP 6 - 75 -15 -150
GET872 RP PNP 15 - 75 -15 -150
GET873 PI PNP 6 90 75 -15 -10
GET874 RF PNP 15 100 75 -15 -10
GET875 RF PNP 20 - 75 -15 -100
GFT2O/15 AP PNP 0,6 55 80 -15 -50
GFT2O/3O AP PNP 0,6 55 80 -30 -50
GFT21/15 AF PNP 1,1 160 80 -15 -50
GFT21/3O AP PNP 1,1 160 80 -30 -50
GFT25/15 AF PNP 0,85 100 80 -15 -50
GFT25/30 AF PNP 0,85 100 80 -30 -50
GFT32/15 AF PNP 0,5 - 125 -15 -300
GET32/3O AP PNP 0 5 40 125 -30 —
GFT32/6O AP PNP 0,5 40 125 -30 -
GFT34/15 AF PNP 0,6 125 -15 -300
GIT34/30 AF PNP 0,6 125 -30 -
GFT34/6O AF PNP 0,6 125 -60 -
GFT41 RP PNP 150 50 -8 -
GFT42 RF PNP 90 50 -15 -
GFT43 RF PNP 40 50 -15 -10
GFT44/15 RF PNP 10 50 -15 -
GFT3OO8/2O Pot PNP 0,35 -20 -3000
GFT3OO8/4O Pot PNP 0,35 -40 -3000
GFT3OO8/6O Pot PNP 0,35 -60 -3000
GÍT34O8/2O Pot PNP 0,4 -20 -3000
GFT34O8/4O Pot PNP 0,4 -40 -3000
GFT34O8/6O Pot PNP 0,4 -60 -3000
GFT43O8/4O Pot PNP 0,01 -40 -4000
GFT43O8/6O Pot PNP 0,01 -60 -4000
108 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

1
GFT42O8/8O Pot PNP 0,01 - - -80 -4000
GFT4608/40 Pot PNP 0,012 -40 -4000
GFT46O8/6O Pot PNP 0,012 - - -60 -4000
GFT46O8/8O Pot PNP 0,012 - - -80 -4000
GT-1 AP PNP 0,8 20 125 -9
GT-2 AP PNP 0,9 40 125 -9 -
GT-3 AP PNP 1 60 125 -9 -
GT-11 HP PNP 4 30 100 -9 -
GT-12 RP PNP 6 60 100 -9
GT-13 RP PNP 9 100 100 -9
GT-14 AP PNP 28 70 -25
GT-20 AP PNP - 45 70 -25
GT-24 AP PNP - 45 40 -6 -
GT-31 AP PNP 0,8 - 125 -15 -100
GT-3 2 AP PNP 0,9 - 125 -15 -100
GT-33 AP PNP 1 - 125 -15 -100
GT-34 AP PNP - 63 150 -25 -100
GT-35 AP PNP - 100 150 -25 -
GT-3 8 AP PNP - 40 -6 -
GT-40 AP PNP 2,5 100 -15 -100
GT-41 AP PNP 4 100 -15 -100
GT-42 PI PNP 6 100 -15 -100
GT-43 PI PNP 9 100 -15 -100
GT-44 AP PNP 2,5 100 -25 -100
GT-45 AP PNP 4 100 -25 -100
GT-46 PI PNP 6 100 -25 -100
GT-47 PI PNP 9 100 -25 -100
GT-66 Pot PNP - 50 -12 -20
GT-74 AP PNP - 125 150 -25 -200
GT-75 AP PNP - 160 150 -25 -200
GT-81 AP PNP - 125 150 -25 -200
GT-82 AP PNP - 195 150 -25 -200
GT-83 AP PNP - 45 150 -25 -200
GT-87 AP PNP - 28 150 -25 -200
GT-88 AP PNP - 65 150 -25 -200
MANUAL DE TRANSISTORES 109

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

GT-109 AP PNP - 25 150 -25 -aoo


GT-122 AF PNP - 125 150 -25 -200
GT-123 FI PNP 5 - 150 -20
GT-167 FI NPN 5 - 150 25 -
GT-222 AF PNP - 30 150 -12 -200
GT-229 AF NPN - 30 150 12 200
GT-364 AF NPN 1 - 150 30 -
GT-365 AF NPN 1 - 150 30 -
GT-366 AF NPN 1 - 150 30 -
GT-758 AF PNP 0,5 - 100 -20 -200
GT-760 FI PNP 10 35 150 -20 -200
GT-761 FI PNP 10 44 130 -30 -200
GT-762 FI PNP 10 50 130 -30 -200
GT-763 FI PNP 10 50 130 -30 -200
GT-792 FI NPN 4,8 - 100 20 -
GT-904 PI NPN 4 - 150 20 —
GT-905 PI NPN - - 150 20 -
GT-948 FI NPN 4 - 150 20 -
GT-949 AF NPN 0,7 - 150 30 -
GT-1604 AF PNP 0,5 - 90 -10 —
GT-1605 PI PNP 6,5 - 90 -15 -
GT-1606 PI PNP 10 - 90 -15 -
GT-1607 RF PNP 18 50 100 -10 -
GT-1608 PI NPN 4,5 18 125 - -
GT-1609 FI NPN 5 30 125 - -
GT-1644 AP PNP 2 - 225 -12 -
GT-5116 RF PNP 20 - 120 -15 -
GT-5117 RF PNP 40 - 120 -20 -
GT-5148 RF PNP 25 - 50 -3 -
GT-5149 RP PNP 100 - 50 -10 -
GT-5151 AF PNP 2,5 - 300 -60 -
GT-5153 RF PNP 10 - 300 -100 -
GTA-1 AF PNP 3 63 -15
GTA-2 PI PNP 7 - 63 -15 -
GTA-3 RP PNP 200 3 25 -15 -
no RENATO ANDRADE

MAX. TENSAO
FREQ. CORTE

NHO co r .

MAX. DISP.

COL.-EMIS.
ASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

l
PQ

GTE-1^ AP PNP 0,3 100 125 -30 -10


GrTE-2 AP PNP 0,3 - 125 -30 -250
GTL-1 Pot PNP - -30 -3000
GrTIr-3 Pot PNP 0,25 - -20 -3000
H-l Pot PNP 5000 -60 -3500
H-2 Pot PNP - 8500 -60 -3500
-
H-3
H-4
H-5
H-6
Pot
Pot
Pot
Pot
PNP
PNP
PNP
PNP
-
-
-
-
2000
2000
-
-60
-60
-
-
-3500
-3500
-3500
-3500
H-7 Pot PNP - - - -3500
HA-7516 AP PNP 1 1000 -90
HA-7517 AP PNP 1 1000 -110
HA-7518 AP PNP 1 1000 -60
HA-752O AP PNP 1,2 1000 -35
HA-7521 AP PNP 1,2 1000 -60 -100
HA-7530 AP PNP 1,2 400 -60 -100
HA-7531 AP PNP 1,2 400 -60 -100
HA-7540 AP PNP 0,8 400 -150 —
HA-7541 AP PNP 0,8 400 -90
HA-75.42 AP PNP 0 8 400 -110 -
HA-7543 AP PNP 0,8 400 -60 -
HA-7597 AP PNP 0,2 1000 -50 -50
HA-7598 AP PNP 0,3 1000 -50 -50
HA-7599 AP PNP 0,4 1000 -50 -50
HA-763O AP PNP 1 400 -40
HA-7631 AP PNP 1 400 -80
HA-7632: AP PNP 1 400 -40
HA-7633 AP PNP 1 400 -80
HA-7730 AP PNP 1 1000 -40
HA-7731 AP PNP 1 1000 -80 -
HA-7732 AP PNP 1 1000 -40
HA-7733 AP PNP 1 1000 -80
HA-9O7Ô RP PNP 25 275 -25 -
MANUAL DE TRANSISTORES ill

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR

MAX. DISP.

COL.-EMIS.
BASE-COL

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

HA-9079 RF PNP 25 - 275 -25


HA-9531 RF PNP 100 - 300 -50
,HA-9532 RF PNP 100 - 300 -50 -
HF-1 RF PNP 75 -20 -8
HF-2 RF PNP - - 75 -12 -8
HF-100 RF PNP 250 - 30 -15 -50
HF-200 RF PNP 320 3 30 -30 -50
IF-1 AF PNP 75 -25 -8
IF-2 AF PNP - - 75 -25 -8
IF-3 AF PNP - - 75 -25 -8
J-l AF PNP 150 -40 -10
J-2 AF PNP - - 150 -40 -10
J-3 AF PNP - - 150 -40 -10
JP-1 AF PNP - - 350 -45 -50
KGS-1OOO AF PNP 1 _■ 200 -10 -400
KGrS-1001 AF PNP 5 - 200 -15 -400
KGS-1002 FI PNP 8 - 200 -15 -400
KGS-1003 FI PNP 10 - 200 -15 -400
KG-S-1OO4 RF PNP 25 - 200 -10 -
KGS-1005 AF PNP 5 - 200 -30 -
MA-1 RF PNP 20 25 -6 -50
MA-2 RF PNP 20 - 20 -3 -50
MA-2 8 RF PNP 40 - 25 -6 -50
MM-486 VHF NPN 400 800 60
MM-487 VHF NPN 400 800 60
MM-488 VHF NPN 400 - 800 60 -
MM-511 VHF NPN 400 500 60 -
MM-512 VHF NPN 400 - 500 60 -
MM-513 VHF NPN 400 - 500 60 -
MP-5Ò0 Pot PNP 0,002 - - -45 -60000
MP-501 Pot PNP 0,002 - - -60 -60000
112 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

MP-$Ç2 Pot PNP: ro,oo2 - — -75 -60000


MP-503 Pot PNP 0,002 — - -90 -60000
MP-504 Pot PNP 0,002 - - -45 -60000
MP-505 Pot PNP 0,002 - - -60 -60000
MP-506 Pot PNP 0,002 - - -75 -60000
MP-507 Pot PNP 0,002 - - -90 -60000
,MT-708 VHP NPN 300 - 250 40 -
MT-743 VHP NPN 300 - 250 25 -
\$T-744 VHP NPN 300 - 250 25 -
MT-760 RP PNP 5 40 - -15 -10
MT-761 RP PNP 10 75 - -10 -10
MT-762 RP PNP 20 100 - -10 -10
MT-763 RP PNP. 30 120 - -6 -10
MT-764 RP PNP 25 200 - -20 -10
MT-914 VHP NPN 300 - 250 40 -
^flT-1613 RP NPN 160 - 250 75 -
NKT-121 RP PNP 15 75 -20 -500
NKT-122 PI PNP 7 - 75 -20 -500
NKT-123 PI PNP 3 - 75 -20 -500
NKT-124 RP PNP 15 - 75 -20 -500
NKT-125 PI PNP 7 - 75 -20 -500
NKT-126 PI PNP 3 - 75 -20 -500
NKT-127 RP PNP 15 - 75 -20 -500
NKT-128 PI PNP 7 - 75 -20 -500
NKT-129 PI PNP 3 - 75 -20 -500
NKT-141 RP PNP 15 - 125 -15 -500
NKT-142 PI PNP 8 - 125 -15 -500
NKT-143 PI PNP 3 - 125 -15 -500
NKT-144 PI PNP 3 - 125 -15 -500
NKT-221 AP PNP 1,5 - 300 -30 -500
NKT-222 AP PNP 1,5 - 180 -30 -500
NKT-223 AP PNP 1,5 - 180 -30 -500
NKT-224 AP PNP 1,5 — 180 -30 -500
NKT-225 AP PNP 1,5 - 180 -30 -500
NET-226 AP PNP 1,5 - 180 -30 -500
MANUAL DE TRANSISTORES 113

MAX. TENSAO
FREQ. CORTE

GANH0 COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

NKT-227 AP PNP 1,5 180 -60 -50^


NKT-228 AP PNP 1,5 180 -30 -500
NKT-3O1 Pot PNP 1 —60 -2000
NKT-302 Pot PNP 1 -60 -2000
NKT-401 Pot PNP 0,6 -80 -6000
NKT-4O2 Pot PNP 0,6 -80 -6000
NKT-403 Pot PNP 0,6 -80 -6000
NKT-404 Pot PNP 0,6 -60 -6000
NKT-5O1 Pot PNP 0,65 -60 -25000
NKT-502 Pot PNP 0,65 -30 -25000
NKT-503 Pot PNP 0,65 -60 -25000
NKT-504 Pot PNP 0,65 -30 -25OOO
, NS-38I VHP NPN 300 300 25 100
NS-382 VHP NPN 300 300 25 100
NS-383 VHP NPN 300 300 20 100
NS-384 VHP NPN 300 300 20 100
NS-430 RP NPN 80 500 10
NS-431 RP NPN 80 500 10
NS-432 RP NPN 80 500 10
NS-433 RP NPN 80 500 20
NS-434 RP NPN 80 500 20
NS-435 RP NPN 80 500 20
NS-436 RP NPN 80 500 45
NS-437 RP NPN 80 500 45
NS-438 RP NPN 80 500 45
NS-792 Pot NPN 0,15 — 60 1000
NS-793 Pot NPN 0,15 - 60 1000
OC-22 Pot PNP 2,5 200 14000 -32 -1000
OC-23 Pot PNP 2,5 200 14000 -24 -1000
00-24 Pot PNP 2,5 200 14000 -24 -1000
00-25 Pot PNP - - -40 -4000
00-26 Pot PNP 0,15 30 12500 -16 -3500
OC-27 Pot PNP 0,3 45 12500 -16 -3500
00-28 Pot PNP 0,2 13000 -60 -6000
114 RENATO ANDRADE '

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

e-
0<^29 Pot PNP 0,2 — 13000 -32 -6000
0C-30 Pot PNP 0,3 36 7000 -16 -1400
OC-35 Pot PNP 0,2 13000 -32 -6000
00-36 Pot PNP 0,2 - 13000 -32 -6000
OC-44 RP PNP 15 100 80 -15 -5
OC-45 PI PNP 6 50 80 -15 -5
OC-46 FI PNP 3 30 83 -20 -100
OC-47 FI PNP 4,5 50 83 -20 -100
OC-53 AP PNP 35 10 -7 -10
OC-54 AF PNP - 55 10 -7 -10
OC-55 AF PNP - 80 10 -7 -10
00-56 AP PNP - - 10 -7 -10
OC-57 AF PNP 1,4 35 10 -3 -5
00-58 AF PNP 1,6 35 10 -3 -5
OC-59 AF PNP 2,2 50 10 -3 -5
00-60 AF PNP 1,6 100 10 -3 -5
OC-65 AF PNP 0,45 30 25 -10 -10
00-66 AF PNP 0,5 50 25 -10 -10
00-70 AF PNP 0,45 70 120 -30 -10
00-71 AP PNP 0,5 , 45 120 -30 -10
00-72 AF PNP 0,35 50 120 -30 -125
OC-73 AP PNP 0,5 45 120 -30 -10
00-74 Pot PNP 1,5 65 500 -2a -300
OC-75 AP PNP 0,75 90 120 -30 -10
00-76 AF PNP 0,9 45 125 -30 -125
00-77 AF PNP 0,35 45 125 -60 -125
00-79 AP PNP 0,008 60 120 -26 -300
00-80 Pot PNP 2 150 550 -32 -300
00-83 AF PNP 0,85 — 160 -32 -500
00-84 AF PNP 1 - 160 -32 -500
00122 AP PNP 1,3 - 300 -32 -500
00123 AF PNP 1,5 - 300 -50 -500
OC-139 PI PNP 3,5 25 100 -20 -200
0C-140 FI PNP 4,5 25 100 -20 -250
OC-141 FI PNP 9 25 100 -20 -200
OC-169 RF PNP 70 100 50 -20 -10
MANUAL DE TRANSISTORES 115

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTfe

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
-
APLICAÇAO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

-1^
00-170 RF PNP 70 100 50 -20
OC-171 RF PNP 70 100 50 -20 -10
0C-200 AP PNP 1 250 -25 -50
00-201 FI PNP 4 250 -25 -50
00-202 PI PNP 4 100 -15 -50
00-203 AF PNP 1 100 -60 -50
00-204 AF PNP 1,5 125 -32 -250
OC-2O5 AF PNP 1.5 125 -60 -250
OC-2O6 AF PNP 1.5 125 -32 -250
00-303 AP PNP 0,7 100 67 -15 -50
OC-3O4 AF PNP 0,8 125 67 -15 -50
00-305 AF PNP 1,5 160 67 -8 -50
OC-3O6 AF PNP 0,8 125 67 -15 -50
00-307 AF PNP 0,9 - 125 -32 -250
00-308 AF PNP 0,9 - 125 -35 -250
ÓC-309 AF PNP 0,9 - 125 -60 -250
00-318 AF PNP 1,5 - 227 -20 -300
00-331 AF PNP 1 4 30 -7 -30
00-341 AF PNP 1 4 30 -7 -30
00-342 AF PNP 1 4 30 -7 -30
OC-343 AF PNP 1,5 4 30 -7 -30
00-361 AF PNP 1 2,2 30 -7 -30
00-362 AF PNP 1 2,2 30 -7 -30
00-363 AF PNP 1,2 2,2 30 -7 -30
00-364 AF PNP 2,5 18 30 -7 -30
OC-39O FI PNP 4,5 65 -15 -40
00-400 FI PNP 7 65 -15 -40
00-410 FI PNP 12 65 -15 -40
OC-43O AF PNP — 240 -10 -50
00-440 AF PNP - 240 -30 -50
00-445 AF PNP - 240 -50 -50
OC-45O AF PNP - 240 -75 A -50
00-460 AP PNP - 240 -10 >50
00-463 AF PNP - 240 -10 -50
OC-465 AF PNP - 240 -20 -50
00-466 AF PNP - 240 -10 -50
116 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
BASE-COL.

MAX. DISP.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

f
00^68 AP PNP - 240 -10 -50
OC-469 AP PNP - - 240 -32 -50
00-470 AP PNP - - 240 -30 -50
00-480 AP PNP - - 240 -125 -50
OC-6O2 AP PNP 1 100 50 -20 -50
OC-6O3 AP PNP 1,1 100 50 -20 -50
OC-6O4 AP PNP 1,2 175 50 -30 -50
0C-612 PI PNP 6 30 -17 -
00-613 PI PNP 10 30 -17 -
00-614 RP PNP 45 30 -25 -
0C-615 RP PNP 80 30 -25 -
0C-700 AP PNP 1,7 330 -25 -50
00-701 AP PNP 1 330 -80 -50
0C-702 AP PNP 2,2 330 -25 -50
OC-7O3 AP PNP 0,5 330 -80 -50
0C-704 AP PNP 5 330 -3 -50
OD-6O3 Pot PNP - - -40 -3000
OD-65O Pot PNP 0,1 - -60 -15000
0D-651 Pot PNP 0,1 - -60 -15000
0D-652 Pot PNP 0,1 - -60 -15000
0S-13 FI PNP 8 15 -30 -2
0S-14 PI PNP 8 150 -30 -50
PADT-20 RP PNP 70 83 -20 -10
PADT-21 RP PNP 70 83 -20 -10
PADT-22 RP PNP 70 83 -20 -10
PADT-23 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-24 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-25 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-26 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-27 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-28 VHP PNP 220 100 -35 -10
♦PADT-30 VHP PNP 220 100 -35 -10
PADT-31 RP PNP 70 100 -35 -10
PADT-35 RP PNP 175 200 -50 -30
PADT-40 VHP PNP 300 94 -20 -50
MANUAL DE TRANSISTORES 117

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MÁX. DISP.

COL.-EMIS.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

PADT-50 Pot PNP 60 — -75^


-75
PADT-51 RF PNP - - 83 -20
PADT-60 RF PNP - - 83 -35 -25
PT-612 Pot NPN 0,09 75 3000
PT-613 Pot NPN 0,09 - — 100 3000
PT-720 VHF NPN 350 - 1200 25 200
PT-850 VHP NPN 200 - 2000 120 -
R-2 AF PNP 1 30 -30 -10
R-3 AF PNP 2 - 30 -30 -10
R-212 RF PNP 10 - 150 -30 -400
SB-100 RF PNP 45 10
SB-344 RF PNP 50 20 20 -5 -5
SB-345 RF PNP 50 70 20 -5 -5
SB-346 RF PNP 75 10 20 -5 -5
SEC-1077 Pot NPN 50 2000
SEC-1078 Pot NPN - 100 2000
SEC-1079 Pot NPN - 50 2000
SEC-1080 Pot NPN 100 2000
SEC-1477 Pot NPN - 50
SEC-1478 Pot NPN 100
SEC-1479 Pot NPN 50
SEC-1480 Pot NPN - 100 -
SFT-124 AF PNP 1 350 -24 -500
SFT-125 AF PNP 2 350 -24 -500
SFT-130 AF PNP 1 550 -24 -500
SFT-131 AF PNP 2 550 -24 -500
SFT-143 AF PNP 1 350 -45 -500
SFT-144 AF PNP 1,8 350 -45 -500
SFT-145 AF PNP 1 550 -45 -500
SFT-146 AF PNP 1,8 550 -45 -500
SFT-212 Pot PNP 0,2 -30 -3OO9*
118 RENATO ANDRADE

||

MÁX. TENSÁO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

|
sRj213 Pot PNP 0,2 - -40 -3000
SFT-214 Pot PNP 0,2 - -60 -3000
SFT-221 AF PNP 1,3 225 -30 -250
SFT-222 AF PNP 2 225 -30 -250
SFT-223 AF PNP 3 225 -30 -250
SFT-226 FI PNP 5,5 150 -40 -250
SFT-227 FI PNP 7,5 150 -30 -250
SFT-228 RF PNP 12 150 -24 -250
SFT-232 AF PNP 0,3 450 -40 -1000
SFT-233 AF PNP 0,3 450 -60 -1000
SFT-234 AF PNP 0,3 450 -80 -1000
SFT-235 AF PNP 0,3 450 -100 -1000
SFT-237 AF PNP 2 150 -15 -100
SFT-238 Pot PNP 0,3 - -40 -6000
SFT-239 Pot PNP 0,3 - -60 -6000
SFT-240 Pot PNP 0,3 - -80 -6000
SFT-241 AF PNP 1,6 225 -45 -500
SFT-242 AF PNP 2,5 225 -45 -500
SFT-243 AF PNP 2 225 -60 -500
SFT-25O Pot PNP 0,2 - -80 -3000
SFT-251 AF PNP 1,3 225 -30 -150
SFT-252 AF PNP 2 225 -30 -150
SFT-253 AF PNP 3 225 -30 -150
SFT-259 FI NPN 5 150 20 250
SFT-26O FI NPN 9 150 20 250
SFT-261 RF NPN 13 150 20 250
SFT-265 Pot TNP 0,3 - -40 -15000
SFT-266 Pot PNP 0,3 -• -40 -15000
SFT-267 Pot PNP 0,3 - -80 -I5OOO
SFT-306 AP PNP 3 80 150 -18 -100
SFT-3O7 FI PNP 7 90 150 -18 -100
SFT-308 RF PNP 13 150 -18 -100
SFT-315 RF PNP 30 - 150 -40 -10
SFT-316 RF PNP 50 - 120 -20 -10
SFT-317 RF PNP 40 - 150 -20 -10
SFT-319 RF PNP 30 - 150 -20 -10
MANUAL DE TRANSISTORES 119

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

MAX. DISP.
BASE-COL.

C0L.-EMIS.

MAX. COR.
3

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
Q
TIPO

ã
c
SPT-320 RP PNP 35 150 -20 -iqZ
SFT-321 AP PNP 1.3 200 -24 -250
SPT-322 AP PNP 1,6 200 -24 -250
SFT-323 AP PNP 2,6 200 -24 -250
SFT-351 AP PNP 1.2 200 -24 -250
SFT-352 AP PNP 1,6 200 -24 -250
SPT-353 AP PNP 2,4 200 -24 -250
SPT-354 RP PNP 55 120 -20 -10
SPT-357 RP PNP 70 120 -20 -10
SPT-358 RP PNP 70 120 -20 -10
SO-1 RP PNP 20 20 -5 -5
SO-2 RP PNP 10 15 -3 -5
SO-3 RP PNP 30 20 -5 -5
ST-1O6 Pot PNP 0,006 -60 -15000
ST-1O7 Pot PNP 0,006 -80 -15000
ST-108 Pot PNP 0,005 -60 -15000
ST-1O9 Pot PNP 0,005 -80 -15000
ST-11O Pot PNP 0,003 -60 -15000
ST-111 Pot PNP 0,003 -80 -15000
ST-112 Pot PNP 0,003 -60 -15000
ST-4O2 Pot NPN - 60 3000
ST-403 Pot NPN - 45 3000
ST-44O Pot NPN 4 60 2000
ST-45O Pot NPN 4 2000
ST-721 RP NPN 20 250 45 25
ST-722 RP NPN 23 250 45 25
ST-723 RP NPN 28 250 45 25
ST-1242 PI NPN 8 150 40 25
ST-1243 RP NPN 20 150 40 25
ST-1244 RP NPN 20 150 40 25
ST-1290 RP NPN 20 150 20 25
ST-1506 RF NPN 30 300 30
ST-1543 AP NPN 30 6 5
ST-5O6O Pot NPN - 50
ST-5061 Pot NPN - - - 80 -
120 RENATO ANDRADE

MÁX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

C0L.-EMIS.
MÁX. DISP.
BASE-COL.

MÁX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO


s£r6510 Pot NPN .20 -
ST-B511 Pot NPN 40
ST-6512 Pot NPN 40 —

STC-1035 Pot NPN 30 7500


STC-1036 Pot NPN 30 7500
ST0-11Ò1 Pot NPN 60 6000
STC-1102 Pot NPN 100 6000
STC-1103 Pot NPN 60 6000
STC-1104 Pot NPN 100 6000
STC-1105 Pot NPN 30 7500
STC-1106 Pot NPN 30 7500
STC-1311 Pot NPN 80 1500
STC-1312 Pot NPN 120 1500
STC-1313 Pot NPN 80 1500
STC-1314 Pot NPN 120 1500
STC-1331 Pot NPN 80 1500
STC-1332 Pot NPN 120 1500
T-1000 AP PNP 0,6 70 250 -18 -150
T-1001 AP PNP 0,6 90 250 -18 -150
T-1003 AP PNP 0,6 - 250 -18 -150
T-IO33 RP PNP 50 - 30 -20 -50
T-10U RP PNP 40 - 30 -20 -50
T-1691 RP PNP 50 - 30 -20 -50
T-1796 AP PNP 0,5 - 150 -35 -200

TP-49 PI PNP 4 100 -15 -200


TP-65 AP PNP 0,7 - 25 -16 -15
TF-65/30 AP PNP 0,7 - 25 -32 -15
TF-66 AP ?NP 1 — 150 -16 -300
TF-66/30 AP PNP 1 - 150 -32 -300
TP-66/60 AP PNP 1 - 150 -64 -300
TF-78 Pot PNP — — — -16 -600
TF-78/30 Pot PNP - - - -32 -600
TP-78/60 Pot PNP - — - -64 -600
MANUAL DE TRANSISTORES 121

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

C0L.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

-*$0
TF-80/30 Pot PNP -32
TF-8O/6O Pot PNP - — -64 -2500
TF-80/80 Pot PNP - - -80 -3000

THP-35 AP NPN 3 150 30 25


THP-36 PI NPN 5 150 30 25
THP-45 Pot PNP — — -15 -2000
THP-46 Pot PNP - - -30 -2000
THP-47 Pot PNP - - -60 -2000
THP-61 AP NPN 2 150 15 25
THP-62 AP NPN 2 150 15 25
THP-106 RP NPN 10 150 30 25
TI-320 AP PNP 0f 4 100 -30 -50
TI-321 AP PNP 0,5 100 -30 -50
TI-363 AP PNP 150 -30 -50
TI-364 AP PNP - 150 -30 -50
TI-365 AP PNP — 150 -30 -50
TI-48O AP NPN 1 600 50 60
TI-481 AP NPN 1 600 80 60
TI-492 PI NPN 8 150 40 25
TI-493 RP NPN 20 125 40 20
TI-494 RP NPN 20 125 40 20
TI-495 RP NPN 20 125 40 20
TI-496 AP NPN 1 600 70 60
TK-2OC PI PNP 6 100 200 -30
TK-21C AP PNP 2 200 -30
TK-230 AP PNP 1 200 -50
TK-24C PI PNP 3,5 200 -30
TK-25C RP PNP 11 700 -20
TK-28C PI PNP 8 200 -26
TK-3OC PI PNP 6 200 -30
TK-31C RP PNP 11 200 -20
TK-33C RP PNP 5 150 -30
TK-34C RP PNP 11 150 -20
122 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.

COL.-EMIS.
MAX. DISP.
BASE-COL.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

TK>$5C AP PNP 2 — 200 -16


TK-36C FI PNP 3,7 200 -16
TK-37C FI PNP 7 200 -16
TK-38C RF PNP 12 200 -16
TK-40C AF PNP 1,8 200 -40
TK-41C AF PNP 1,1 200 -40
TK-42C AF PNP 1,2 200 -40
TK-44C AF PNP 0,5 150 -60
TK-45C AF PNP 1,4 200 -40
TK-46C AF PNP 0,5 200 -20
TK-47C AF PNP 0,5 200 -20
TK-4ÔC AF PNP 0,5 150 -60
TK-49C AF PNP 100 -20
TK-2OOA Pot NPN 0,05 - 40 500
TK-201A Pot NPN 0,1 — 40 500
TK-25OA RF PNP 100 500 -40 -
TK-251A RF PNP 100 500 -40 -
TK-254A AF PNP - 600 -25 -100
TK-257A AF PNP - 300 -20 -50
TK-4OOA Pot PNP 0,25 - -30 -10000
TK-4O1A Pot PNP 0,25 - -80 -10000
TK-4O2A Pot PNP 0,25 - -80 -10000
TK-4O3A Pot PNP 0,25 - -100 -7500
TR-34 AF PNP 1,6 150 -40 -150
TR-43 AF PNP 2,5 150 -45 -400
TR-44 AF PNP 2,5 150 -45 -400
TR-45 AF PNP 1,5 150 -45 -400
TR-81 AF PNP 160 150 -30 -200
TR-320 AF PNP 2,5 150 -30 -200
TR-321 FI PNP 3,1 150 -20 -200
TR-323 AF PNP 2,5 150 -16 -200
TR-383 AF PNP 1,8 200 -25 -200
TR-482 FI PNP 3,5 150 -14 -200
TR-5O8 FI PNP 3,5 150 -16 -200
TR-650 AF PNP 2 125 150 -45 -400
TR-653 AF PNP 2 125 150 -30 -400
MANUAL DE TRANSISTORES 123

í|

MAX. TENSÃO
GANHO COR.*
FREQ. CORTE

BASE-COL.

COL.-EMIS.
MAX. DISP.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

TR-721 PI PNP 3 - 150 -30 -^fo


TR-722 AP PNP 2,5 - 150 -30 -200
TB-764 RP PNP - 150 -30 -200
TS-7 PI PNP 4,5 35 125 -12 -25
TS-8 PI PNP 8,5 60 125 -6 -25
TS-13 AP PNP 0,8 55 125 -20 -25
TS-14 AP PNP 0,7 35 125 -20 -25
TS-15 AP PNP 0,75 40 125 -45 -25
TS-6O1 RP PNP — - 200 -12 -400
TS-602 RP PNP - 200 -12 -400
TS-6O3 RP PNP - - 200 -20 -400
TS-6O4 RP PNP - - 200 -20 -400
TS-609 Pot PNP 0,01 - - -40 -15000
TS-61O Pot PNP 0,004 - - -20 -5000
TT-5OO Pot NPN 0,025 - - 60 2000
TT-5O1 Pot NPN 0,025 - - 80 2000
IT-502 Pot NPN 0,025 - - 100 2000
TI-116-1 RP PNP 150 800 -60 -50
TX-116-2 RP PNP 150 800 -60 -50
TX-116-3 RP PNP 150 - 800 -60 -50
UST-722 AP PNP 100 165 -20
ÜST-76O PI PNP 5 - 150 -15 —
UST-761 RP PNP 10 - 150 -10
ÜST-762 RP PNP 20 - 150 -10
ÜST-763 RP PNP 30 - 150 -6
UST-764 RP PNP 25 - 150 -20 -
V6/2B AP PNP 3 75 -6 -30
V6/2BJ AP PNP 3 - 75 -6 -30
V6/4B PI PNP 5,5 - 75 -6 -30
V6/4BJ PI PNP 5.5 - 75 -6 -30
V6/8B RP PNP 10 - 75 -6 -30
V6/8BJ RP PNP 10 75 -6 -30
V1O/1S AP PNP - - 75 -10 -500
124 RENATO ANDRADE

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL. EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇAO

(mHz)

(Beta)

(mW)

(mA)
COL.
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

vio>*»sj AF PNP — 75 -10 -500


V10/2S AF PNP - - 75 -10 -500
V10/2SJ AF PNP - - 75 -10 -500
V1O/1SA AF PNP 0,6 20 125 -10 -30
V1O/3OA AF PNP 0,7 40 125 -10 -30
V1O/5OA AF PNP 1,2 — 125 -10 -30
V15/1ODP Pot PNP 0,2 - -15 -3000
V15/1OP Pot PNP 0,2 18 íopoo -15 -3000
V15/2ODP Pot PNP 0,2 — - -15 -3000
V15/2OIP Pot PNP 0,3 - -15 -2000
V15/2OP Pot PNP 0,2 24 10000 -15 -3000
V15/2OR RF PNP 30 - 30 -15 -12
V15/3ODP Pot PNP 0,2 - -15 -3000
V15/30P Pot PNP 0,2 38 10000 -15 -3000
V30/10DP Pot PNP 0,2 - — -30 -3000
V3O/1OP Pot PNP 0,2 18 10000 -30 -3000
V30/20DP Pot PNP 0,2 — - -30 -3000
V3O/2OIP Pot PNP 0,3 - - -30 -20,00
V3O/2OP Pot PNP 0,2 24 10000 -30 -3000
V3O/3ODP Pot PNP 0,2 - - -30 -3000
V3O/3OP Pot PNP 0,2 18 10000 -30 -3000
V6O/1ODP Pot PNP 0,2 - - -60 -3000
V6O/1OP Pot PNP 0,2 -60 -3000
V6O/2ODP Pot PNP 0,2 - — -60 -3000
V60/20IP Pot PNP 0,3 - — -60 -2000
V6O/2OP Pot PNP 0,2 - - -60 -3000
V6O/3ODP Pot PNP 0,2 - — -60 -3000
V6O/3OP Pot PNP 0,2 - - -60 -3000
X-2 AF NPN - 350 35 75
IA-101 FI PNP 5 35 90 -16
IA-102 FI PNP 8 60 90 -16
ZB-1O2 AF PNP - 30 90 -16
XB-1O3 AF PNP - 66 90 -16
ZC-1O1 AF PNP — 66 165 -16
IT-100 VHF PNP 300 - 200 -35 -
MANUAL DE TRANSISTORES 125

MAX. TENSÃO
FREQ. CORTE

GANHO COR.
BASE-COL.

MAX. DISP.

COL.-EMIS.

MAX. COR.
APLICAÇÃO

(Beta)
(mHz)

(mW)

COL.
(mA)
COL.

(V)
CLASSE
TIPO

' XT-200 ÜHF PNP 1000 - 250 -35 3^


ZT-20 RP NPN 70 350 20 " 50
ZT-21 RP NPN 70 350 20 50
ZT-22 RP NPN 70 350 45 50
ZT-23 RP NPN 70 350 45 50
ZT-4O RP NPN 70 300 20 50
ZT-41 RP NPN 70 300 20 50
ZT-42 RP NPN 70 300 45 50
ZT-43 RP NPN 70 300 45 50
ZT-696 RP NPN 40 600 60
ZT-697 RP NPN 50 600 60
ZT-142O RP NPN 30 600 60 -
ZT-1479 Pot NPN 1,5 60 1500
ZT-1480 Pot NPN 1,5 100 1500
ZT-1481 Pot NPN 1,5 60 1500
ZT-1482 Pot NPN 1,5 100 1500
ZT-1483 Pot NPN 1,25 60 3000
ZI-1484 Pot NPN 1,25 100 3000
ZT-1485 Pot NPN 1,25 60 3000
ZT-1486 Pot NPN 1,25 100 3000
ZT-1487 Pot NPN 1 60 6000
ZT-1488 Pot NPN 1 100 6000
CIRCUITOS PRÁTICOS r
Os circuitos reproduzidos esquemàticamente nas páginas
que se seguem exemplificam uma parcela ínfima dentre as
inúmeras aplicações práticas atribuídas aos transistores no
campo da Eletrônica em geral.
Êstes esquemas não representam preocupação de qual­
quer interêsse comercial. A inclusão no Manual visa exer­
citar os interessados objetivamente no trato com transisto­
res, unicamente. Por isso, são apresentados aquêles que foram
considerados da maior importância prática.
Todos os circuitos podem ser montados sem dificuldade.
A eficiência de cada um repousa, em grande parte, no em-
prêgo de indutores, transformadores, capacitores, registores
e alto-falantes de consagrada reputação comercial. Os com­
ponentes mencionados embaixo dos esquemas com a indica­
ção dos respectivos valôres encontram-se no comércio espe­
cializado local fàcilmente.

Circuito Págs.

Receptor Para Ondas Médias ................................................ 128


Receptor Com Três Transistores ......................................... 129
Receptor Com Um Díodo e Dois Transistores ................ 130
Receptor Com Um Díodo e Quatro Transistores ............ 131
Amplificador Fonográfico ................................ 132
Áudio-Amplificador .................................................................... 133
Audio-Amplificador de Potência ........................................... 134
Misturador com Quatro Canais de Entrada .................... 135
Amplificador Para Telefone .................................................... 136
Microfone Transistorizado ..................................................... 137
128 RENATO ANDRADE

TR-1
RECEPTOR PARA ONDAS MÉDIAS

A — Supertena OM-lOO R5 — 10 000 ohms; 0,5 * watt;


Cl — 410 mmfd.; variável resistor
C2 — 0,01 mid.; 150 volts, R6 — 220 ohms; 0,5 watt; re­
papel sistor
C3 — 0,05 mfd.; 150 volts; T1 — Transformador excita-
papel dor para prover 3 000
C4 — 0,001 mfd.; 150 volts; ohms de carga nos ter­
papel minais do primário
C5 — 10 mfd.; 9 volts; eletro- com 1000 ohms de car­
lítico ga nos terminais do
C6 — 10 mfd.; 3 volts; ele- secundário. Primário:
trolítico C.C. = 0,5 mA; resis-
C7 — 100 mfd.; 6 volts; ele- tência C.C. = 1500
trolítico ohms
RI — 0,1 megohm; 0,5 watt; T2 — Transformador de saí­
resistor da para prover 500
R2 — 50 ohms; 0,5 watt; re­ ohms de carga nos
sistor terminais do primário
R3 — 5 000 ohms; 0,5 watt; com o alto-falante es­
potenciômetro colhido conetado nos
R4 — 5 600 ohms; 0,5 watt; terminais do secundá­
resistor rio
MANUAL DE TRANSISTORES 129

TR-2
RECEPTOR COM TRÊS TRANSISTORES
—Ondas Médias—

RI — 2 500 ohms; potenciô- V2 — CK — 722; 2N107 ou


metro similar
R2 — 120 ohms; 1 watt; re­ S — Interruptor simples
sistor Bateria sêca de 3 volts

NOTA 1 — Antes de montar no circuito os indutores LI e


L2, os pedaços livres de fio Litz de que ambos estão
providos devem ser removidos.
NOTA 2 — Usar ANT 1, em se tratando de antena externa
longa ou recepção de emissoras locais de grande potên­
cia; usar ANT 2, no caso de um “chicote” como antena
ou para a recepção de radiodifusoras locais de potência
moderada.
130 RENATO ANDRADE

TR-3
RECEPTOR COM UM DÍODO E DOIS TRANSISTORES
—Ondas Médias—

LI — Supertena OM-lOO
Cl — 410 mmfd.; variável
C2 — 0,002 mid.; capacitor
cerâmica
C3 — 10 mfd.; capacitor ele-
trolítico
RI — 22 000 ohms; 1/2 watt;
resistor
R2 — 500 000 ohms; potenciô-
metro
R3 — 100 000 ohms; 1/2 watt;
resistor
TI — “Willkeson” 6505 ou
6510
DET — 1N64 ou similar
VI, V2 — CK-722; 2N107 ou
equivalente
S — Interruptor simples
Bateria sêca, 3 volts

OBSERVAÇÃO — Para melhorar a seletividade do circuito,


principalmente em localidades servidas por diversas emis­
soras, convém acrescentar à LI um enrolamento adicio­
nal. Êste (L2) constará de 50 espiras de fio esmaltado
n9 26 ou 28, bobinadas em duas ou três camadas sôbre
um tubo de cartão com 8 mm de diâmetro interno e
15 mm de comprimento que será adaptado à extremi­
dade superior de Ll, conforme ilustra a gravura repro­
duzida na página ao lado.
MANUAL DE TRANSISTORES 131

TR-4
RECEPTOR COM DÍODO E QUATRO TRANSISTORES
—Ondas Médias—

LI, L2 — Supertena OM-lOO R5 — 100 ohms; 1 watt; re­


Cl — 410 mid.; variável sistor
C2 — 0,002 mid.; mica R6 — 470 000 ohms; 1 watt;
C3 — 0,001 mid.; papel resistor
C4 — 1 mid.; papel (dois de R7 — 100 000 ohms; 1 watt;
0,5 mfd., em paralelo) resistor
C5 — 0,05 mfd.; papel T1 — “Willkason” 6510
C6 — 100 mfd.; 6 volts; ele- T2 — “Willkason” 6509
trolítico T3 — “Willkason” 6512
C7, C8 — 0,02 mfd ; papel VI, V2 — 2N406; GT-109; GT-
RI — 500 000 ohms; potenciô- -34; CK-721 ou similar
metro sem chave V3, V4 — 2 N 4 0 8; CK-722;
R2 — 10 000 ohms; potenciô- OC-72; 2N188A ou si­
metro com chave milar
R3 — 270 000 ohms; 1 watt; DET — 1N34 ou similar
resistor Bateria sêca de 6 volts
R4 — 47 000 ohms; 1 watt; re­ (4 pilhas de lantema
sistor em série)

NOTA — Usar ANT 1, em se tratando de antena externa


longa ou recepção de emissoras locais de grande
potência; usar ANT 2, no caso de um “chicote”
como antena ou para a recepção de radiodifusoras
locais de potência moderada.
132 RENATO ANDRADE

TR-5
AMPLIFICADOR FONOGRÁFICO

Cl — 0,01 mfd.; 150 volts; R10 — 33 ohms; 0,5 watt; re­


papel sistor
C2 — 1 mfd.; 12 volts, ele- T1 — Transformador excita*
trolítico dor com tomada cen­
C3 — 50 mfd.; 12 volts; ele- tral no secundário pa­
trolítico ra prover 3 000 ohms
C4 — 0,003 mfd.; 150 volts; de carga nos terminais
papel do primário com 5 000
C5 — 0,002 mfd.; 150 volts; ohms de carga nos ter­
papel minais do secundário.
C6 — 0,04 mfd.; 150 volts; Primário: C.C. - 1,5
papel mA; resistência C.
RI — 1 megohm; 0,5 watt; C. = 300 ohms. (Argon­
resistor ne tipo AR-154 ou si­
R2, R7 — 0,22 megohm; 0,5 milar nacional)
watt; resistor T2 — Transformador de saí­
R3 — 4 700 ohms; 0,5 watt; da com tomada cen­
resistor tral no primário para
R4 — 1 500 ohms; 0,5 watt; prover 550 ohms de
resistor carga nos terminais do
R5 — 5 000 ohms; 0,5 watt; primário com o alto-
potenciômetro -falante escolhido co*
R6 — 0,1 megohm; 0,5 watt; netado no secundário.
potenciômetro (Thordarson tipo TR-
R8 — 680 ohms; 0,5 watt; re­ -27 ou similar nacio­
sistor nal.) P Cápsula fono-
R9 — 27 ohms; 0,5 watt; re­ eráfica de cerâmica
sistor Bateria sêca, 9 volts
MANUAL DE TRANSISTORES 133

TR-6
ÁUDIO-AMPLIFICADOR

CÍ — 1 mfd.; 150 volts; papel T1 — Transformador excita-


C2 — 2 mfd.j 12 volts; ele- dor com tomada cen­
trolítico tral no secundário pa­
03 — 100 mfd.; 12 volts; ele- ra prover 25 000 ohms
trolítico de carga nos terminais
C4 — 0,05 mfd.; 150 "Olts; do primário com 300
papel ohms de carga nos
RI — 10 000 ohms; 0,5 watt; terminais do secundá­
potenciômetro rio. Primário: C.
R2 — 0,15 megohm; 0,5 watt; C. = 1 mA; resistência
potenciômetro
R3, R6 — 10 ohms; 0,5 watt; C.C. = 300 ohms. (Ar­
resistor gonne tipo AR-103 ou
R4, R7 — 10 000 ohms; 0,5 similar nacional)
watt; resistor T2 — Transformador de saí­
R5 — 0,27 megohm; 0,5 watt; da com tomada central
resistor no primário para pro­
R8 — 15 000 ohms; 0,5 watt; ver 300 ohms de carga
resistor nos terminais do pri­
R9 — 60 ohms; 0,5 watt; re­ mário com o alto-fa-
sistor lante escolhido cone-
R10 — 15 000 ohms; 0,5 watt; tado nos terminais do
resistor
Rll — 1 000 ohms; 0,5 watt; secundário. (Thordar-
resistor son tipo TR-22 ou si­
R12, R13 — 4,7 ohms; 0,5 milar nacional)
watt; resistor Batería sêca, 12 volts
134 RENATO ANDRADE

TR-7
ÁUDIO-AMPLIFICADOR DE POTÊNCIA

—Saída: 15 watts—

Cl, C2 — 0,01 mfd.; 150 volts; R4 — 220 ohms; 1 watt; re­


capacitor papel sistor
C3 — 1000 mfd.; 25 volts; R5 — 1 ohms; 1 watt; re­
eletrolítico sistor
RI — 2,7 ohms; 1 watt; re­ R6 — 1 ohms; 1 watt; re­
sistor sistor
R2 — 250 ohms; 1 watt; po­ T1 — Transformador excita-
tenciômetro dor de entrada
R3 — 2,7 ohms; 1 watt; re­ Alto-falante; 8 ohms;
sistor 15 watts
MANUAL DE TRANSISTORES 135

TR-8
MISTURADOR COM QUATRO CANAIS DE ENTRADA
—Entrada de baixa impedância—

■i

Rl, R7, R12, R17 — 1500


ohms; 1/2 watt;
sistor
R2, R6, Rll, R16 "330 000
ohms; 1/2 watt; re­
sistor
R3, R8, R13, R18 — 39 000
ohms; 1/2 watt; resis­
tor
R4, R9, R14, R19 — 20 000
ohms; potenciômetro
R5, R10, R15, R20 — 270
ohms; 1/2 watt; resis­
tor carvão
Cl, C3, C5, C7, C9, Cll, C13,
C15 — 5 mid.; 6 volts;
eletrolitico
C2, C8, C12, C16 — 50 mfd.;
6 volts; eletrolitico
C4, C6, C10, C14 — 10 a 50
mid.; 5 volts; eletroli­
tico
SI, S2, S3, S4 — Interruptor
de alavanca, SPST
JI, J2, J3, J4, J5 — Jaque mi-
crofone
Bl — Bateria sêca; 4,5 volts
VI, V2, V3, V4 — 2N133A OU
equivalente
Chassi de alumínio de
7” x 7„ x 2„
Painel de alumínio pa­
ra o chassi de 7” x 7”

NOTA — Para sòmente amplificar voz, suprimam-se os capa­


citares: C4, C6, C10 e C14, apresentados em linha
tracejada.
136 RENATO ANDRADE

TR-9
AMPLIFICADOR PARA TELEFONE

Cl — 0,005 mfd.; 50 volts; R10 — 270 ohms; 0,5 watt; re­


papel sistor
C2 — 50 mfd.; 12 volts; ele- Rll — 300 ohms a 25°C e 108
trolítico ohms a 50°C; termistor
C3 — 1 mfd.; 12 volts; ele- SI — Interruptor simples
trolítico T1 — Transformador excita-
C4, C6 — 10 mfd.; 12 volts; dor com tomada cen­
eletrolitico tral no secundário pa­
C5 — 0,01 mfd.; 50 volts; ra prover 9 000 ohms
papel de carga nos terminais
C7 — 0,04 mfd.; 50 volts; do primário com 9 000
papel ohms de carga nos
LI — Bobina captadora te­ terminais do secundá­
lefônica rio. (Argonne tipo AR-
RI — 0,1 meg hm; 0,5 watt: -103 ou similar na­
resistor cional)
R2, R3, R6 — 10 000 ohms; 0,5 T2 — Transformador de saí­
watt; resistor da com tomada cen­
R4 — 1 500 ohms; 0,5 watt; tral no primário para
resistor prover 750 ohms de
R5 — 0,1 megohm; 0,5 watt; carga nos terminais
potenciômetro do primário com o al­
R7 — 680 ohms; 0,5 watt; re­ to-falante escolhido co-
sistor netado nos terminais
R8 — 8 200 ohms; 0,5 watt; do secundário. (Argon­
resistor ne tipo AR-160 ou si­
R9 — 560 ohms; 0,5 watt; re­ milar nacional)
sistor Bateria sêca, 9 volts
MANUAL DE TRANSISTORES 137

TR-10
MICROFONE TRANSISTORIZADO
—Saída: 0,4 volt—

RI — 10 000 ohms; 1/2 watt; C3 — 10 mid.; 15 volts; ele-


resistor trolitico
— 68 000 ohms; 1/2 watt;
2

TR — 2N109 ou similar
resistor PB — Interruptor "push-bot-
— 1200 ohms; 1/2 watt;
2 2

ton”, SPST
resistor B — Batería sêca, 9 volts
— 8 200 ohms; 1/2 watt; J — Jaque fone, miniatura
resistor
Cl — 50 mid.; 6 volts; ele- Alto-falante de 21/2”;
trolitico 10 ohms; tipo IP
C2 — 50 mid.; 15 volts; ele- Caixa de plástico:
trolltico 3” x 2 3/8” x 1 3/8”
BIBLIOGRAFIA

No preparo dêste Manual foram compulsados, entre


numerosas fôlhas avulsas de Especificações Técnicas, revistas,
boletins de informações e catálogos industriais, os seguintes
autores:
Leonard Krugman — Fundamentals of Transistors
A. Coblins e H. Owens — Transistors and Apllications
L. P. Hunter — Handbook of Semiconductor Electronics
M. S. Kiver — Transistors in Radio and Television
J. A. Morton — The Transistor
GE — Transistors Manual
RCA — Semiconductor Products SCD — 108B; SCD-108C
W. W. Lenz e W. W. Cook — Transistor Fundamentals and
Applications
R. P. Turner — Transistors: Theory and Practice
RCA — Semiconductor Products Handbook HB-10
Eis alguns dos Volumes já publicados das
" EDIÇÕES DE OURO*

MÁGICAS

SI—167 QUEBRA CABEÇAS, MÁGICAS E PASSATEMPOS. Yantok


SL-170 MÁGICAS COM NÚMEROS. Túlio Gonik
SL-177 O LIVRO DAS MÁGICAS. Max Yantok
SL-179 MÁGICAS DE SALÁO. Prof. Nakaran
SL-18O APRENDA A FAZER MÁGICAS. Prof. K. Merlin
ES-4013 O CIRCO VEM AÍ (Diversão Maravilhosa)
ES-4015 COW-BOYS E ÍNDIOS (Diversão Maravilhosa)

ELETRÔNICA, RÁDIO E TV

CP-332 FORMULÁRIO DE ELETRÔNICA, RÁDIO E TELEVISÃO.


ES-343 CURSO RÁPIDO DE ELETRICIDADE. Alfonso Martignoni
CR-368 APRENDA RÁDIO (principiantes). Cabrera e Saba
CR-369 RÁDIO REPARAÇÕES. Cabrera
SL-370 MANUAL DE TRANSiSTORES. Renato Andrade
ES-371 CONSTRUA SEU RÁDIO. Renato Andrade
CP-373 PRIMEIRAS NOÇÕES DE RÁDIO. Renato Andrade
CR-375 COMO CONSERTAR UM APARELHO DE RÁDIO. N. Pereira
SL-376 O SUPERHETERODINO. N. Pereira
SL-377 RÁDIO POR PERGUNTAS E RESPOSTAS. N. Pereira
ES-378 A TELEVISÃO. N. Pereira
SL-381 RÁDIO PARA TODOS. S. Benjamin
SL-382 COMO FAZER UM TRANSISTOR. S. Benjamin
SL-383 COMO RESOLVER OS PROBLEMAS DO TRANSISTOR.
SL-384 CURSO RÁPIDO DE TV. S. Benjamin
.ES-387 MONTAGEM DE UM RECEPTOR DE RÁDIO. M. Machado

AUTOMÓVEL

CP 181 AUTOMÓVEL: ESCRAVO E SENHOR. W. N. Oliveira


SL-182 COMO CUIDAR DO SEU AUTOMÓVEL. Celso C. Fontes
SL-183 GUIA DO AUTOMOBILISTA. Paul D. A. Thiry
SL-184 APRENDA A DIRIGIR SÔZINHO. Eng. Albert Hiss
SL-186 ELETRICIDADE DO AUTOMÓVEL. Eng. Albert Hiss
SL-187 MANUAL PRÁTICO DO AUTOMÓVEL. Stockler Canabrava
SL-188 GUIA DO MECÂNICO DE AUTOMÓVEL. Flávio Vissoto
SL-189 ENGUIÇOS DO AUTOMÓVEL. Constantino Migilides
ANEDOTAS

SL-161 A MINHOCA É UM ABSURDO. Pedro Tudech


SL-162 MAMAE EU QUERO.... Jane
SL-163 GENTE ENGRAÇADA. Nestor de Holande
ES-164 TREZENTAS NOVAS HISTÓRIAS (Criança diz cada uma!)
^165 ANEDOTAS E HISTÓRIAS DE GENTE. Pedro Bloch
CRIANÇA D,z CADA umai Pedro Bloch
SL-lóíN^EDOTAS. Ivan Freitas
ES-175 ANEDOTAS NAO ENGORDAM. Pedro Tudech

MÚSICA

SL-111 ACORDEON SEM MESTRE. Wilson Nunes


SL-112 VIOLÃO SEM MESTRE. Wilson Nunéi
SL-113 APRENDA VIOLÃO. Nirinha Martins
SL-114 PIANO SEM MESTRE. Emery Trindade
SL-115 GAITA SEM MESTRE. Célio Bhering

COMÉRCIÔ

SL-17 TÉCNICA DE REDAÇÃO COMERCIAL. Helena Montezuma


SL-14Í MÉTODO DE DATILOGRAFIA SEM MESTRE. Ademar Neves
nSL-142 TAQUIGRAFIA SEM MESTRE. Fernando Trindade
SL-147 MANUAL PRÁTICO DO VENDEDOR. Bernardino Gomes
SL-152 MODELOS DE CARTAS COMERCIAIS. J. Gecê
ES-333 MANUAL DA SECRETÁRIA MODERNA. Helena Montezuma
CP-334 O QUE TODOS DEVEM SABER SÔBRE OS BANCOS.
ES-347 A EMPRÉSA -- Como Organizar e Dirigir. Antonio Ferreira

CONTABILIDADE

SL-137 INTERPRETAÇÃO E ANÁLISE DE BALANÇOS. Renato Silva


SL-138 CONTABILIDADE SEM MESTRE. Renato Silva
SL-139 COLETÂNEA DE TRUQUES E FRAUDES DA CONTABILI­
DADE. Renato Silva
SL-140 TABÉLA PRICE. Renato Silva
LEIS E DIREITO

SL-102 CONSTITUIÇÃO DOS ESTADOS UNIDOS DO BRASIL.


SL-1O3 CONHEÇA OS SEUS DIREITOS. Arimatéia dos Reis
SL-117 COMO FAZER UM TESTAMENTO. Toledo Piza
CP-225 O LIVRO DE BÔLSO DO ADVOGADO. Fernandes Quadra
ES-285 O EMPREGADO FRENTE ÀS LEIS TRABALHISTAS
SL-961 ANATOMIA DO VÍCIO. Waldir de Abreu

DESENHO

CP-121 MANUAL DE DESENHO DE LETRAS. José Couto


SL-122 A ARTE DE DESENHAR A MULHER. Arthur Zaidenberg
SL-123 COMO DESENHAR CARICATURAS. AAendez
QP-124 COMO DESENHAR A BICO DE PENA. Oliveira e Ciaria
ES-125 COMO DESENHAR CRIANÇAS. Genevieve Shimer
ES-126 COMO DESENHAR ANIMAIS DOMÉSTICOS. Rachel
SL-127 COMO GANHAR DINHEIRO COM O DESENHO. Rodrigues
SL.-128 COMO DESENHAR CABEÇAS. Rachel
CP-129 COMO DESENHAR ANIMAIS SELVAGENS. Rachel
-SL-13O COMO SOMBREAR DESENHOS. Carlos Velasco
-SL-393 COMO COMEÇAR A DESENHAR. Edmundo Rodrigues
CP-394 APRENDA A DESENHAR. José Steck
CP-409 COMO DAR MOVIMENTO AOS DESENHOS. José Steck
CP-412 COMO DESENHAR PAISAGENS. Carlos Velasco
ES-413 APRENDA A DESENHAR FIGURAS CÔMICAS. A. Thomaz
CP-415 COMO UTILIZAR A PERSPECTIVA NO DESENHO. Rodrigues
CP-416 COMO TORNAR-SE DESENHISTA DE PUBLICIDADE. E. R.
ÉS-418 COMO DESENHAR A FIGURA HUMANA. José Steck
ES-419 COMO DESENHAR MODAS. Rachel
ES-424 COMO DESENHAR FLORES, FRUTAS, PLANTAS E ÁRVO­
RES. Rachel
CP-425 APRENDA A COMBINAR CORES. Rachel
SL-427 COMO DESENHAR BICHOS. Ay I ton Thomaz
£S-428 MIL MODELOS PARA DESENHOS DE LETRAS. C. Oliveira
CR-6002 DESENHO E ANATOMIA. Victor Perard
HORTAS E QUINTAIS

SL 143 COMO FAZER E CUIDAR DO SEU JARDIM. M. Coutinho


SL 146 COMO CRIAR GALINHAS. Collatino Freitas
SL 148 COMO FAZER ENXERTOS EM PLANTAS. M. Coutinho
ES 406 COMO CULTIVAR HORTAS E POMARES. Eurico Santos

BOAS MANEIRAS - LAR

SL-84 ^fe^ENDA BOAS MANEIRAS. Dora Maria


CP-224 MIL REGRAS DE BOAS MANEIRAS. Maria C. Nickol
SL 252 A BOA DONA DE CASA. Vera Sterblitch
ES 294 COMO ORGANIZAR E DIRIGIR O SEU LAR. R. Cataldi
CP 298 COMO RECEBER AMIGOS E VISITAS. Madalena Teixeira
CP 1209 ETIQUÊTA SOCIAL. Iracema Castanho
SL-2015 COQUETÉIS, APERITIVOS, BEBIDAS

BELEZA E ELEGÂNCIA

SL-44 COMO EMAGRECER COMENDO. Edy Costa Leite


CP 52 COMO CUIDAR DA SUA BELEZA (Da Enciclopédia ELLE)
ES 53 GUIA MÉDICO DA MULHER. Dr. Irzag Amaral da Cunha
ES 56 COMO TORNAR-SE UMA MULHER SEDUTORA. M. Teixeira
CP-58 CONSELHOS DE ELEGÂNCIA E BELEZA. Monica W.
CP-60 GINÁSTICA PARA A MULHER MODERNA. N. Fischer
CR 245 FAÇA VOCÊ MESMA O SEU PENTEADO MODERNO.
ES 248 COMO OBTER E CONSERVAR A PELE PERFEITA. A. Cunha

ARQUITETURA

ES 197 COMO CONSTRUIR UMA CASA. Eng Roberto Chaves


LE 237 HISTÓRIA DA ARQUITETURA. Benjamin de Carvalho
CP-414 COMO TORNAR-SE UM DESENHISTA ARQUITETO. E. R.
CP-417 ESTILOS ARTÍSTICOS. Edmundo Rodrigues

SL • Sêlo de Ouro CR - Coroa de Ouro Se não encontrar em seu


ES - Estrêla de Ouro LE - Leão de Ouro revendedbr peça por
CP • Copa de Ouro PL - Palma de Ouro Reembôlso Postal à
CAIXA POSTAL, 1880-ZC-00 RIO DE JANEIRO, GB
Se não eiMHtrar em seu revendedor habitual, procure nos seguintes pontos:
GUBBBBARA (RIO) PARANÃ
CINELÂNDIA: CURITIBA:
ao lado da Pefumaria Carneiro rua 15 de Novembro, 423/7
AVENIDA: rua 15 de Novembro, 556
ed. Avenida Central, loja 4
CENTRO:
av. Marechal Floriano, 39
TIRADENTES:
BAHIA
hall do Cine Presidente
SALVADOR:
r. Honácio Cézar, 2-loja-Mercês
QUITANDA: pça. da Sé, 4
rua da Quitanda, 27 Estação Rodoviária - Box 4
COPACABANA: Pça. Ramos de Queiróz, 2-
rua Santa Clara, 33-D Plano Inclinado
FEIRA DE SANTANNA:
av. Senhor dos Passos, 957
são PAULO
SÃO PAULO:
rua Conselheiro Crispiniano, 403
hall do Cine Ipiranga RIO GRANDE 00 SUL
hall do Cine Piratininga PÔRTO ALEGRE:
Estação Rodoviária Galeria Rosário - loja 2H/1
Aeroporto de Congonhas hall de saída do Cine Ópera
CAMPINAS:
rua Barão de Jaraguá, 1036
MOGI DAS CRUZES: PARAÍBA
r. Dr. Deodato Wertheimer, 394
JOÃO PESSOA:
rua Duque de Caxias, 560-s/8
MINAS GERAIS CAMPINA GRANDE:
rua Irineu Joffily, 28
BELO HORIZONTE:
av. Amazonas, 471 - loja 3 -
Shopping Center
GOVERNADOR VALADARES: PERNAMBUCO
rua Bárbara Heliodora, 579 RECIFE:
rua 1.° de Março, 14 a 24
rua da Imperatriz, 17
MATO GROSSO
CAMPO GRANDE:
av. Afonso Pena, 259
CEARÃ
FORTALEZA:
GOIÁS rua Guilherme Rocha, 183
rua Guilherme Rocha, 335
GOIÂNIA:
av. Anhangüera, 87-E

ALAGOAS
PARÃ MACEIÓ;
BELÉM: rua do Comércio, 258
aví Padre Eutiquio, 207

AMAZONAS SANTA CATARINA


MANAUS: FLORIANÓPOLIS;
rua Henrique Martins, 164 rua Tiradentes, 58
o

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