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Aula-16 Memórias Elisete IDA
Aula-16 Memórias Elisete IDA
Montagem e
Manutenção de
Computadores
Instrutor:
Luiz Henrique Goulart
16ª AULA
OBJETIVOS:
MEMÓRIAS
EVOLUÇÃO
FREQÜÊNCIA
TECNOLOGIA
BARRAMENTO
TEMPO/ACESSO
ARMAZENAMENTO
BANCO DE MEMÓRIA
PC--66
PC 66 533 MB/S
PC--100
PC 100 800 MB/S
PC--133
PC 133 1.066 MB/S
MEMÓRIA DIMM DDR – 184 VIAS
FREQÜÊNCIA TRANSFERÊNCIA DE
MEMÓRIA
MHZ DADOS
PC--800 (RIMM
PC (RIMM 1600) 800 1.600 MB/s
MEMÓRIA RIMM 184 VIAS
TRANSFERÊNCIA DE
MEMÓRIA FREQÜÊNCIA MHZ
DADOS
PC3--8500
PC3 DDR3--1066
DDR3 8.500 MB/S
PC3--10666
PC3 DDR3--1333
DDR3 10.666 MB/S
PC3--12800
PC3 DDR3--1600
DDR3 12.800 MB/S
SLOTS PARA MEMORIA DIMM DDR(184
VIAS) E DDR2/DDR3(240 VIAS)
ENCAIXES DIFERENTES
DIMM - SDR
DIMM - DDR
DIMM - DDR2
MEMÓRIA DUAL CHANNEL
ARQUITETURA DE MEMÓRIA CHAMADA
DUAL CHANNEL (DUPLO CANAL).
DOIS MÓDULOS DE MEMÓRIA
IDÊNTICOS, AMBOS DO TIPO DDR400,
OPERAM EM PARALELO PARA OFERECER
DESEMPENHO EQUIVALENTE A 800 MHZ,
DOBRANDO A TAXA DE TRANSFERÊNCIA
DE DADOS DA MEMÓRIA.
PROCESSADORES COM FSB DE 800, 1066
E 1333 MHZ, SOMENTE AS MEMÓRIAS EM
DUPLO CANAL PERMITEM OBTER O
DESEMPENHO MÁXIMO.
SLOTS PARA MEMÓRIAS – DDR
DUAL CHANNEL
A MEMÓRIA IDEAL
PARA O PROCESSADOR
PENTIUM 4/FSB400 E DDR266
Gargalo = 34%
Eficiência= 66%
Chipset
266 MHz
2100 MB/S
PENTIUM 4/FSB400 E DDR333
Gargalo = 17%
Eficiência= 83%
Chipset
333 MHz
2700 MB/S
PENTIUM 4/FSB400 E DDR400
Sem Gargalo
Eficiência= 100%
Chipset
400 MHz
3200 MB/S
CELERON/FSB533
CELERON /FSB533 E DDR266
Gargalo = 50%
Eficiência= 50%
Chipset
266 MHz
2100 MB/S
PENTIUM 4/FSB533 E DDR400
Gargalo = 25%
Eficiência= 75%
400 MHz
3200 MB/S
PENTIUM D/FSB800 E DDR400
EM DUPLO CANAL
Sem Gargalo
Eficiência= 100%
400 MHz
6400 MB/S
ATHLON XP/FSB 400 MHZ E DDR400
Sem Gargalo
Eficiência= 100%
Chipset
400 MHz
3200 MB/S
TECNOLOGIAS DE MEMÓRIA RAM
FPM (FAST PAGE MODE)
ACESSO LENTO.
RAMBUS
TECNOLOGIA PROPRIETÁRIA DA EMPRESA RAMBUS.
TEMPO DE ACESSO
TEMPO QUE A MEMÓRIA LEVA PARA
ENTREGAR UM DADO SOLICITADO.
QUANTO MENOR O TEMPO MELHOR.
MEDIDO EM:
NANOSEGUNDOS (ns)
LATÊNCIA DO CAS (CL)
LATÊNCIA ADICIONAL (AL)
UTILIZAR MÓDULOS DE MEMÓRIA
COM MESMO TEMPO DE ACESSO EM
UM MESMO MICRO.
TEMPO DE ACESSO
NANOSEGUNDOS =
BILHONÉSIMO DE SEGUNDO
1 NS = 1SEG/1.000.000.000
SIMM
80 A 100 NS
30 VIAS
SIMM
50 A 70 NS
72 VIAS
DIMM (SDR) 7 A 12 NS
168 VIAS 2/3 CAS
DIMM (DDR)
2/2,5/3 CAS
184 VIAS
RIMM
2/3 CAS
184 VIAS
DIMM (DDR2 E DDR3) 3/4/5 CAS
240 VIAS 0/1/2/3/4/5 AL
MEMÓRIAS: ARMAZENAMENTO
ARMAZENAMENTO POR
MÓDULOS
MÓDULO
SIMM
256 KB A 4 MB
30 VIAS
SIMM
4 MB A 64 MB
72 VIAS
DIMM (SDR)
16 MB A 512 MB
168 VIAS
DIMM (DDR)
64 MB A 1 GB
184 VIAS
RIMM
64 MB A 512 MB
184 VIAS
DIMM (DDR2 E DDR3)
128 MB A 2 GB
240 VIAS
PERGUNTAS MAIS COMUNS
NÃO RECOMENDÁVEL
PERGUNTAS MAIS COMUNS
POSSO MISTURAR MÓDULOS COM
TECNOLOGIAS DIFERENTES (EDO
E SDRAM?
EMBORA POSSA ATÉ FUNCIONAR,
NÃO É RECOMENDÁVEL, DEVIDO À
QUESTÃO DO DESEMPENHO. ALÉM
DISSO PODEM OCORRER OS
MESMOS PROBLEMAS DE MISTURAR
MEMÓRIAS COM TEMPO DE ACESSO
DIFERENTES.
PERGUNTAS MAIS COMUNS
O MICRO FICARÁ MAIS RÁPIDO SE EU INSTALAR
MAIS MEMÓRIA RAM?
NÃO RECOMENDÁVEL
PERGUNTAS MAIS COMUNS
O QUE É LATÊNCIA DE CAS?
SUA PLACA-
PLACA-MÃE DEVERÁ
POSSUIR SLOTS DE MEMÓRIAS
DDR2.
PERGUNTAS MAIS COMUNS
O QUE ACONTECERÁ SE A
MEMÓRIA ESTIVER MAL
ENCAIXADA?