Tecnologia de Circuitos Integrados

Introduo.
Fundamentos Semicondutores. Tecnologias de Fabrico de Circuitos Integrados. Fsicos dos Dispositivos

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS).

Componentes Disponveis. Etapas de Fabrico. Layout.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores
Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma substncia, a distribuio e disposio desses tomos pode ser ordenada e organizada constituindo o que se designa por estrutura cristalina. O Germnio, o Silcio e o AsGa possuem uma estrutura cristalina cbica como mostrado na seguinte figura.
tomo de silcio

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores
Nessa estrutura cristalina, cada tomo (representado por Si na figura do prximo slide) une-se a outros quatro tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro electres de valncia de um tomo compartilhado com um electro do tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois electres. Um semicondutor intrnseco um semicondutor no estado puro. temperatura de zero graus absolutos (-273C) comporta-se como um isolante, mas temperatura ambiente (20C) j se torna um condutor porque o calor fornece a energia trmica necessria para que alguns dos electres de valncia deixem a ligao covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns electres livres no semicondutor.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores
O nmero de portadores livres existente num semicondutor intrnseco no suficiente para a sua utilizao no fabrico de dispositivos electrnicos. Assim, no fabrico destes dispositivos as propriedades de conduo do semicondutor intrnseco so modificadas por processos de dopagem, obtendo-se o respectivo semicondutor extrnseco. Um semicondutor extrnseco pode ser do tipo p ou do tipo n consoante o tipo de dopante (ou impureza) utilizado.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores
A introduo de tomos pentavalentes (como o Arsnio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream electres livres no seu interior. Como esses tomos fornecem (doam) electres ao cristal semicondutor eles recebem o nome de impurezas dadoras ou tomos dadores. Todo o cristal semicondutor, dopado com impurezas dadoras designado por semicondutor do tipo N (N de negativo, referindo-se carga do electro).

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores
A introduo de tomos trivalentes (como o ndio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream lacunas livres no seu interior. Como esses tomos recebem (ou aceitam) electres eles so denominados impurezas aceitadoras ou tomos aceitadores. Todo o cristal puro semicondutor, dopado com impurezas aceitadoras designado por semicondutor do tipo P (P de positivo, referindo-se falta da carga negativa do electro).

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores
Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto em maioria designando-se por portadores maioritrios da corrente elctrica. Os electres, por sua vez, esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios da corrente elctrica. Para este semicondutor a concentrao de lacunas pp aproximadamente igual concentrao de dopantes num semicondutor deste tipo, NA, ou seja:

pp = N A
Para este semicondutor a concentrao de portadores do tipo n muito menor verificando-se a relao:

np =

ni2 NA

sendo ni2 a concentrao total de portadores no semicondutor.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores
Num semicondutor extrnseco do tipo N os electres esto em maioria designando-se por portadores maioritrios da corrente elctrica. As lacunas (que so a ausncia de um electro), por sua vez, esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios da corrente elctrica. Para este tipo de semicondutor tem-se:

nn = N D

pn =

ni2 ND

sendo nn a concentrao de electres, pn a concentrao de lacunas e ND a densidade de dopantes num semicondutor extrnseco do tipo n. O produto pp np = constante = ni2, sendo ni = n = p, no semicondutor intrnseco.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores
Numa juno p-n algumas lacunas passam para o lado n e alguns electres para o lado p, por difuso. Aps a difuso estes portadores passam a ser minoritrios e recombinam-se rapidamente. Assim, estabelece-se na juno p-n uma tenso 0 dada por:

0 = VT ln

NA ND ni2
pp

Concentrao de Portadores

VT =

kT 26 mV a 25 C, q
np p

nn Regio de Depleo

sendo k a constante de Boltzmann, T a temperatura e q a carga do electro.

pn n

Tecnologia de Circuitos Integrados

Fundamentos Fsicos dos Dispositivos Semicondutores
Ao se aplicar na juno uma diferena de potencial V diferente de zero, na interface das regies do tipo p e do tipo n, que provoca uma diferena de potencial igual a (0V), estabelece-se um campo elctrico E. A corrente que atravessa a juno, I, composta por lacunas da regio p e por electres da regio n que tm energia suficiente para atravessar a barreira de potencial da juno.
np p n pn pp nn Regio de Depleo Concentrao de Portadores

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologias de Fabrico de Circuitos Integrados
OS circuitos integrados (ICs) so circuitos electrnicos implementados numa nica pastilha de um material semicondutor (geralmente silcio) tambm designados por circuitos monolticos ou por chips. A teoria dos circuitos integrados remonta a 1925 com o aparecimento do transstor-MOS (Metal-xido-Semicondutor) sendo apenas o primeiro circuito integrado desenvolvido nos anos 50 por Jack Kilby da Texas Instruments e por Robert Noyce da Fairchild Semiconductor. No entanto, problemas de controlo de qualidade e a utilizao de alguns materiais permitiram a sua comercializao apenas nos anos 70. Os circuitos integrados so utilizados numa enorme variedade de dispositivos nomeadamente, em microcomputadores, equipamento de vdeo e udio, telefones celulares, relgios, aplicaes biomdicas, electrnica de automveis, etc..

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologias de Fabrico de Circuitos Integrados
Importncia dos Circuitos Integrados: So mais fiveis e robustos. So mais pequenos e leves. Tm uma menor dissipao de potncia. Apresentam menores capacidades parasitas = velocidade mais elevada. A integrao reduz o custo de fabrico no necessitam praticamente de interveno humana.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologias de Fabrico de Circuitos Integrados
Lei de Moore
Gordon Moore: fundador da Intel. co-

Previu que o nmero de transstores por integrado iria crescer exponencialmente (duplicando a cada 18 meses). A evoluo exponencial da tecnologia um processo natural: e.g. Steam Engines - Dynamo Automobile.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologias de Fabrico de Circuitos Integrados
Os circuitos integrados so geralmente classificados pelo nmero de transstores e de outros componentes electrnicos que contm: SSI (Small-Scale Integration): at 100 componentes electrnicos. MSI (Medium-Scale Integration): de 100 a 3 000 componentes electrnicos. LSI (Large-Scale Integration): de 3 000 a 100 000 componentes electrnicos. VLSI (Very Large-Scale Integration): de 100 000 a componentes electrnicos. 1 000 000

ULSI (Ultra Large-Scale Integration): mais de 1 000 000 de componentes electrnicos. ASICs Application-Specific Integrated Circuits.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologias de Fabrico de Circuitos Integrados
Tecnologias de fabrico:
Bipolar. pMOS substrato do tipo p. nMOS substrato do tipo n. De fcil integrao com a BiCMOS. CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) - Permite um processo do tipo n e do tipo p e a definio de tubos finos de um destes tipos. BiCMOS. GaAs. A tecnologia de ICs foi inicialmente dominada pela tecnologia bipolar, sendo substituida nos anos 80 pela tecnologia CMOS. No final da dcada de 80 surgiu a tecnologia BiCMOS que rene as vantagens e as possibilidades de ambas as tecnologias. Apresenta, no entanto, um elevado custo.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologias de Fabrico de Circuitos Integrados

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Componentes Disponveis
Condensadores de boa preciso relativa +/- 0,1 a 0,4% e de razovel preciso absoluta (5 a 20%). Resistncias de polisilcio e de difuso com boa linearidade mas com preciso absoluta muito m (+/- 20 a 50%). Dodos de juno. Transstores NMOS e PMOS com ptimas caractersticas em termos de velocidade e de preciso. Transstores bipolares NPN ou PNP dependendo, respectivamente, se o substrato tipo P ou tipo N. Fraco ganho de corrente e mau desempenho devido existncia de um colector parasita ligado ao substrato.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Etapas de Fabrico Preparao do substrato:

Substrato Bolacha ou pastilha de um cristal de silcio intrnseco com

400-600 m de espessura e devidamente polida. Vrios materiais so depositados sobre o Semicondutor que constitui o substrato durante o processo de fabrico nomeadamente, o xido isolante e os Metais condutores (MOS). O silcio o semicondutor mais barato mas tambm existem tecnologias que utilizam GaAs e SiGe.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Etapas de Fabrico
Oxidao Processo qumico no qual, por exemplo, o silcio reage com o oxignio formando-se o dixido de silcio (SiO2). Difuso Processo que corresponde ao movimento dos tomos de zonas de grande concentrao para zonas de baixa concentrao Mtodo de dopagem. Implatao Inica Mtodo de dopagem superficial: os ies de materiais dopantes so acelerados por um campo elctrico e ao chocarem com a superfcie do material ficam retidos na respectiva rede cristalina. Deposio Qumica em Fase Vapor (CVD Chemical-Vapor Deposition) Processo pelo qual gases reagem quimicamente originando a deposio de um slido num substrato.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Etapas de Fabrico
Metalizao geralmente efectuada por um processo de pulverizao catdica (sputtering). Fotolitografia Gerao de mscaras fotogrficas (negativo com o tamanho real) para as diferentes etapas de fabrico do IC. Estas mscaras permitem proteger da luz incidente zonas de um material fotorresistente depositado sobre a superfcie do substrato. As zonas de material fotorresistente no protegidas alteram as suas propriedades. O material fotorresistente no modificado retirado da superfcie do substrato com uma soluo qumica adequada, obtendo-se o molde necessrio para o processo de fabrico que se segue.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Etapas de Fabrico
Encapsulamento No final do processo os chips so encapsulados em caixas cermicas ou plsticas com pinos metlicos.

(a) Um encapsulamento (package) duplo linear de 8 pinos. (b) Um encapsulamento para montagem superficial de 16 pinos.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Etapas de Fabrico de Transstores NMOS e PMOS
(a) Difuso do Fsforo (1 mscara) (b) Definio das regies activas (2 mscara)

Legenda:

O Silcio um semicondutor (4 electres de valncia). p- Silcio levemente dopado com P ou AS (impureza penta-valente). p+ Silcio fortemente dopado com P ou AS (impureza penta-valente). n- Silcio levemente dopado com B (impureza tri-valente). n+ Silcio fortemente dopado com B (impureza tri-valente). Poli-Silcio um condutor fraco (maior resistividade que o alumnio).

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Etapas de Fabrico de Transstores NMOS e PMOS
(c) Oxidao (d) Porta de Poli-Silcio (3 mscara)

(e) (4 mscara)

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Etapas de Fabrico de Transstores NMOS e PMOS
(f) (5 mscara) (g) Contactos (6 mscara)

(h) Metalizao (7 mscara)

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Etapas de Fabrico de Transstores NMOS e PMOS

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Tipos de Resistncia em CMOS

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Tipos de Resistncia em CMOS

Processo utilizado para resistncias de valor elevado definio de tubos finos.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Tipos de Condensador em CMOS

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS)

Dodos em CMOS

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS) Transstores numa Tecnologia BiCMOS

Transstor PNP Lateral

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS)
Layout Representao grfica dos componentes do circuito e das suas interligaes.

Ferramentas de CAD (Computer-Aided Design)

Quando o layout est terminado as ferramentas de CAD permitem, recorrendo a uma ferramenta auxiliar, validar o circuito (DRC Design-Rule Checker). Finalmente, a ferramenta gera as mscaras para o processo de fabrico do IC.

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS)
Exemplo do layout de uma porta inversora:

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS)
Exemplo do layout de uma porta inversora corte transversal do respectivo IC:

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS)
Mscaras geradas para o fabrico da porta inversora:

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS)
Mscaras geradas para o fabrico da porta inversora:

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS)
Mscaras geradas para o fabrico da porta inversora:

Tecnologia de Circuitos Integrados

Tecnologia Metal-xido-Semicondutor (MOS)
Exemplo de um IC