Diodos Semicondutores

- Materiais Semicondutores
Um semicondutor o material que tem um nvel de condutividade entre os extremos de um isolante e de um condutor. Quanto maior o nvel de condutividade, menor o nvel de resistncia. O termo resistividade usado para se comparar os nveis de resistncia dos materiais. A resistncia pode ser calculada:

R= .

l A

R = Resistncia em ohms = Resistividade em ohms/cm l = Comprimento do condutor em metros A = rea da seo reta do condutor

Valores tpicos de resistividade

Condutor

Semicondutor

Isolantes

= 10 6 / cm
(Cobre)

= 50 / cm
(Germnio)

= 1012 / cm
(Mica)

= 50.103 / cm
(Silcio)

Materiais semicondutores que foram cuidadosamente refinados, para se obter nveis de impureza muitos baixos, so chamados de materiais intrnsecos. Exemplo de silcio intrnseco:

Os tomos esto ligados por compartilhamento de eltrons, uma ligao covalente.

- Materiais extrnsecos tipos N e P

Um material extrnseco o semicondutor que sofreu o processo de dopagem (adicionamento de impurezas).

Tipo N
O material do tipo N criado quando o semicondutor dopado com uma impureza pentavalente (5 eltrons na camada de valncia), de modo que na ligao covalente, um eltron fique livre. Exemplo de silcio dopado com material tipo N:

Como se tem um eltron sobrando, a carga do material ser negativa (N).

Tipo P
O material do tipo P criado quando o semicondutor dopado com um impureza trivalente (3 eltrons na camada de valncia), de modo que na ligao covalente, exista uma lacuna, uma falta de eltrons. Exemplo de silcio dopado com material tipo P:

Como se tem a falta de um eltron, o material tende a atrair eltrons (carga negativa), por isso, se considera que a carga do material ser positiva (P).

- Juno PN
No espao entre os materiais, existe uma recombinao, ou seja, os eltrons livres do material N vo para as lacunas do material P, criando uma rea eletricamente neutra, como um isolante, chamada camada de depleo.

Polarizao reversa da juno PN

Plo negativo atrai as lacunas, que tem carga positiva. Plo positivo atrai os eltrons, que tem carga negativa. A corrente I desprezvel, uma vez que no h conduo, pois a rea neutra no foi rompida.

Polarizao direta da juno PN

Eltrons, com carga negativa, so repelidos pelo plo negativo. Lacunas com carga positiva, so repelidas pelo plo positivo. A aproximao de eltrons e lacunas rompe a rea eletricamente neutra, permitindo a passagem da corrente I.

De acordo com cada material, preciso um valor diferente de tenso para se quebrar a rea eletricamente neutra: Silcio: 0,7 V Germnio: 0,3 V

 Diodo ideal
A funo de um diodo conduzir corrente no sentido indicado pela seta no smbolo e agira como uma chave aberta para qualquer tentativa de estabelecer corrente no sentido oposto.
O diodo ideal se comporta como uma chave com capacidade de conduzir corrente em um nico sentido

Diretamente polarizado Nesse caso, Vf = 0 V, j que o diodo absorve toda a tenso, ento:

Rf =

0 Rf = 0 If

O diodo se comporta como um curto circuito na rea de conduo.

Reversamente polarizado Nesse caso, If = 0 A, j que o diodo absorve toda a tenso, ento:

Rf =

Vf Rf = 0

O diodo se comporta como um circuito aberto na rea de noconduo.

 Diodo real
Vo a tenso que se precisa
para quebrar a barreira da juno PN (0,7 V p/ silcio e 0,3 V p/ germnio). Vz a maior tenso reversa que o diodo pode receber antes de chegar na regio de avalanche, tambm chamada de regio zener, quando o diodo passa a conduzir, em sentido contrrio, uma corrente que cresce exponencialmente. A corrente de fuga, tambm chamada de corrente de saturao reversa, a corrente de valor extremamente baixo que existe na juno PN reversamente polarizada, devido a fuga de eltrons e lacunas, at que se atinja a tenso Vo ou a tenso Vz.

Efeito da temperatura
Se determinou experimentalmente que a corrente de saturao reversa Is ter sua amplitude praticamente dobrada para cada aumento de 10C na temperatura. Na regio zener, o aumento da temperatura provoca o aumento da tenso Vz.

Equao do diodo

Id = Is.(e K .Vd /Tk 1)

Is = Corrente de saturao reversa K = 11600/n onde n p/ germnio = 1 e n p/ silcio = 2 Tk = Tc (temperatura) + 273 Vd = Tenso aplicada (direta ou reversa)

Resistncia do diodo
Resistncia esttica Resistncia dinmica

Rd =

Vd Id

Rd =

Vd Id

Rd =

26mV Id

A equao que usa 26mV s vlida quando Id est na regio do aumento vertical da curva.

Os valores de resistncia apresentados at aqui valem somente para a juno PN (resistncia de corpo), e no incluem a resistncia entre o material semicondutor e condutor metlico (resistncia de contato). Para consider-la, basta se somar uma resistncia Rb (definida pelo fabricante):

Rd =

Vd + Rb Id

Rd =

Vd + Rb Id

Rd =

26mV + Rb Id

Potncia do diodo

Pd = Vd .Id
Capacitncia numa juno
Por conta do isolante que existe at que se atinja Vo ou Vz, os lados (P e N) armazenam cargas por um perodo de tempo, como um capacitor. A juno N armazena cargas negativas e a juno P armazena cargas positivas. Essa capacitncia, em polarizao reversa, chamada de capacitncia de transio (Ct) e em polarizao direta, de capacitncia de difuso (Cd). A capacitncia do diodo pode ser ignorada em frequncias mais baixas, j que a reatncia capacitiva (1/2fc) ser alta.

Tempo de recuperao reversa

Ao se desligar o diodo, espera-se que sua corrente caia imediatamente para zero, mas devido a necessidade dos eltrons e das lacunas voltarem ao lugar, surge uma corrente reversa, que existe por um tempo Ts. Num espao de tempo Tr, a corrente vai sendo rebaixada at zero. O tempo de recuperao reversa dado por: Trr = Ts + Tr

O plo negativo do diodo indicado por uma linha.

 Circuitos equivalentes do diodo

1. Linear Obtido quando se faz uma aproximao da curva do diodo usando segmentos de reta. No circuito, se obtm a resistncia do diodo na regio de inclinao vertical, colocando-a em srie com um diodo ideal, que mostra em qual sentido a corrente deve fluir. Uma fonte no valor de Vo deve ser adicionada reversamente, para indicar que a tenso atravs do sistema deve ser maior do que a da fonte, para que ao diodo conduza no sentido direto.

2. Simplificado Muitas vezes, o valor de Rd pequeno o suficiente para ele poder ser retirado do circuito.

3. Ideal Uma vez que Rd foi retirado, pode se considerar que a tenso aplicada reversamente (Vo) pode ser ignorada perto da tenso que ir ser aplicada diretamente.

 Diodo zener
O diodo zener um diodo que foi fabricado para trabalhar na regio de polarizao reversa. Sua tenso Vz pode ser controlada variando-se os nveis de dopagem. Ao contrrio do diodo comum, o zener conduz na direo oposta a da seta e no conduz na direo da seta.

Propriedades
O zener vai sempre agir como um regulador de tenso por conta do seu valor de tenso Vz, que vai estar em sentido contrrio ao da fonte:

O voltmetro vai mostrar uma tenso V1 de:

V 1 = V Vz
Por isso, o zener muito utilizado como regulador de tenso de sada.

 Diodo emissor de luz (LED)

Um LED um diodo que emite luz visvel quando energizado. Uma juno PN, quando energizada, libera energia na forma de calor. Um LED uma juno PN dopada com materiais diferentes, que ao serem energizados, libera energia na forma de luz. A luz do LED no muda, e pode ser controlada alterando-se os materiais de dopagem e seus nveis. A intensidade da luz emitida varia de acordo com a corrente aplicada. O LED suporta tenso direta to bem quanto qualquer diodo comum, mas pouco resistente a tenso reversa, em geral, suporta at 5 V nesse sentido. O LED, por conta da dopagem, possui uma queda de tenso que pode ser controlada pelo fabricante, assim como o zener

Simbologia
O smbolo parecido com o de um diodo comum. O led, como o diodo, conduz corrente somente no sentido da seta, ou seja, s existe emisso de luz quando est polarizado diretamente.

Os plos negativo e positivo no led so identificados pela diferena de tamanho dos contatos metlicos do componente: