Aula 01

Semicondutores: reviso das

caractersticas e do funcionamento

Semicondutores
1- Diodo
2- Tiristor
3- Tiristor de corte comandado (GTO, gate turn off
thyristor)
4- Transistor bipolar (TJB)
5- Transistor de efeito de campo de potencia (MOSFET)
6- IGBT (Insulated gate bipolar transistor)
7- MCT (MOS controled Thyristor)

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Diodo
Tiristor
GTO
Transistor
bipolar

500 V, 10000 A
Lentos: 5000V, 5000 A,
tq=100uS
Rpidos: 2000V, 200 A,
tq=20uS
4500V, 1000 A
9000V, 9000 A (mdulos)
2000V, 2 a 10 A
1000V, 100 A

MOS FET
IGBT

100V 30 A
1000V, 6 A

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Diodo Curva caracterstica

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Diodo Limites de Operao

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Diodo Datasheet (1N4001)

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Diodo

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Diodo

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Diodo Transio

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Diodo Transio
Problemas em
frequncias mais altas
Circuito de proteo
para evitar oscilaes:

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Classificao dos Diodos

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Transistor
de juno
bipolar

Montagens bsicas do

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Transistor de Juno Bipolar
(TJB)

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Transistor de Juno Bipolar
(TJB)
CORTE
Se VBE < 0 e VCB < 0
Neste modo o transstor no tem corrente a percorr-lo.
Ib = Ic = 0
Ou seja, funciona como um circuito aberto entre os seus
terminais.

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Transistor de Juno Bipolar
(TJB)
SATURAO
Se VBE > 0 e VCB > 0
Neste caso, o transstor conduz corrente e como a juno coletor-base
polarizada diretamente, tem-se Ic < x Ib.
Considera-se que o transstor est plenamente saturado quando VCE = approx
0.2V.
Deste modo, o circuito exterior ao dispositivo que determina se est na Zona
Ativa direta ou na Saturao

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Transistor de Juno Bipolar
(TJB)

(1-)

ZONA ATIVA
DIRETA
Se VBE > 0 e
VCB < 0

=
+

=
(+

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Dispositivos Semicondutores de Potencia

rea de Operao Segura

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Transistor operando como chave

Perdas:
Pon = Vce(sat) x Ic
Poff= Vce X Ic == Vcc x Ileakage
Wsw-on = (Vcc x Ic max x tr)/6
Wsw-off = (Vcc x Icmax x tf)/6

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Exerccios

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Calcular a tenso V e corrente I nos circuitos abaixo:

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Desenhe o grfico de Vo X Vi
para o circuitos das Figuras
abaixo:

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Determinar RB e RE para a polarizao do transistor de Si, e ainda as potncias
dissipadas em RB e RE, para o circuito abaixo:

Dispositivos Semicondutores de Potencia

Determinar RC, RE , VCE e VCC para a polarizao do transistor de Si,
do circuito abaixo: