05 Par Diferencial

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO
Universidade Técnica de Lisboa
Electrónica Geral
Par Diferencial
Par Diferencial com Transistores

Bipolares
-VEE
Modo diferencial e Modo Comum

As duas entradas do par diferencial são as tensões vB1 e vB2.
V V
VC  B1 B 2 VD  VB1  VB 2
2
Par diferencial com entrada de modo comum
As correntes dos dois colectores são

exactamente iguais.
Em cada colector IC=IE
Em que 
Par diferencial com entrada diferencial de

grande amplitude
Existindo uma entrada diferencial

de amplitude razoavelmente
elevada (vD=1 V) a corrente
passará toda por um dos
transistores.
Note-se que:
vB1=vC+vD/2=0,5+0,5 V
vB2=vCvD/2=0,50,5 V

grande amplitude
Neste caso as entradas são:
vB1=vC+vD/2=0,50,5 V
vB2=vCvD/2=0,5+0,5 V
Note-se que o transistor que
conduz toda a corrente não deve
chegar a saturar.

pequena amplitude
Considerando que a fonte

de corrente I é ideal, a soma
das correntes nos dois
emissores mantém-se igual
a I.
Correntes de colector em modo diferencial

iC  I S evBE / uT iC   I S evBE  / uT
iC iC  I S vBE / uT
I EE  I E  I E     (e  evBE  / uT )
  
vD  vBE  vBE 
I EE I EE
iC  iC  
 evD / uT  e vD / uT
iC  iC   I EE  I EE
iC  iC   I EE /  quando vD  
Correntes de colector em modo diferencial
I=IEE
Ganho
Pode considerar-se que a zona linear de funcionamento corresponde a vD = uT
No ponto de equilíbrio vD=0 :
v D
iC  g m vBE , vBE  vBE  

iC g m I EE /  I EE
  
vD  uT uT
v   RC iC
v  v   RC (iC  iC  )
v   RC iC 
Ganho
Os ganhos medidos na tensão de cada colector e na diferença de tensões

serão:
I EE
v   RC vD
uT
I EE
v  v  v   RC  vD
uT
I EE
v   RC vD
uT
Linearização da Característica por Colocação de Resistências

nos Emissores
iC1  iC 2  I
vD  vB1  vB 2  Re (iC1  iC 2 )
Desprezando vB1  vB 2 face a Re (iC1  iC 2 )
I  iC1  iC 2
vD
 iC1  iC 2
Re
Resulta por soma e subtacção
I vD
iC1  
2 2 Re
I vD
iC 2  
2 2 Re
Linearização da Característica por Colocação de Resistências

nos Emissores
Separação, num circuito com simetria geométrica

nos modos comum e diferencial
MODO COMUM
A resistência central pode ser dividida em duas, que por estarem

em paralelo terão um valor óhmico duplo.
MODO DIFERENCIAL
Na resistência central não há corrente, e pode ser retirada do circuito.

Resultado Final por Sobreposição
É necessário lembrar que o princípio da sobreposição decorre da

linearidade. Em dispositivos não lineares é necessário ter cuidado a
aplicá-lo.
Par Diferencial Completo para PFR

Meio Par Diferencial para PFR

Par diferencial completo em regime incremental

para o modo diferencial
Dada a simetria basta considerar uma metade do circuito
Considetando a saída no colector do transistor da esquerda o ganho será:
vc1
Ad    g m ( RC // ro )
vd / 2
MODO COMUM
Quando
consideramos o
modo comum temos
de conhecer a
resistência da fonte
de corrente.
Também aqui se pode dividir o circuito em duas metades
Ao dividir REE em duas

partes passa a ter-se
2REE, porque
REE=2REE//2REE
Par diferencial completo em regime incremental

para o modo comum
Também aqui basta considerar meio circuito
Desprezando ro o ganho
fica idêntico ao ganho de
um andar em emissor
comum com resistência de
emissor:
RC RC
Ac   
r  (1  )2 REE 2 REE
Factor de Rejeição de Modo Comum

(Common Mode Rejection Ratio)
O factor de rejeição de modo comum é definido como a razão entre o

ganho em modo diferencial e o ganho em modo comum: Ad/Ac.
A tensão de saída em modo comum é medida no colector de um dos

transistores, pois a tensão entre os dois colectores é nula.
Definindo o ganho em modo diferencial como Advc1/vd tem-se
g m RC
Ad 
2
O factor de rejeição de modo comum (CMRR) valerá:
Ad
CMRR   g m REE
Ac

MOS
(Modo Comum)
I
vD1  vD 2  VDD  RD
2
I
 K (VGS  Vt )2  VGS  Vt  I / 2 K
2
vS  vC  VGS
A tensão vC só pode estar dentro

de uma dada gama para que os
transistores funcionem na
saturação e a fonte de corrente
funcione correctamente.
Par Diferencial com Transistores MOS

(Modo Comum)
Ao especificar o valor da corrente I, fica

imediatamente definida a tensão VGS.
I
 K (VGS  Vt )2  VGS  Vt  I / 2 K
2
vS  vC  VGS
Para que os transistores estejam na

saturação:
I
vDS  (VGS  Vt )  VDD  RD  vS  VGS  Vt 
2
I
 VDD  RD  vC  VGS  VGS  Vt 
2
I
 vC  VDD  RD  Vt
2

(Modo Comum)
Para que a fonte de corrente funcione

convenientemente a tensão aos seus
terminais deve ser superior a um dado valor
mínimo.
vS  (VSS )  VFCmín  vC  VGS  VSS  VFCmín 

 vC  VGS  VSS  VFCmín

MOS
(Modo Diferencial)
Qual a tensão vd que é

necessário aplicar para que
toda a corrente I passe no
transistor da esquerda?
A condição iD1=I permite
obter vGS1.

(Modo Diferencial)
iD1  I  K (vGS1  Vt )2  vGS1  Vt  I / K
Designamos por VODvGS1Vt, a tensão de

“overdrive” na situação de equilíbrio em
que iD1=I/2. Assim:
vGS1  Vt  2 VOD
vd  vGS1  vS =Vt  2 VOD  Vt  2 VOD

Operação com Sinal de Alto Nível
Para caracterizar este tipo de funcionamento vai ser necessário estabelecer as

expressões das correntes de dreno para cada um dos dois transistores:
2
I I vd  vd / 2 
iD1   1  
2 VOD 2  VOD 
2
I I vd v /2
iD 2   1  d 
2 VOD 2  VOD 
Operação com Sinal de Alto Nível
Para caracterizar este tipo de funcionamento vai ser necessário estabelecer as

expressões das correntes de dreno para cada um dos dois transistores:
Perto da situação de equilíbrio o

comportamento é
aproximadamente linear e pode
fazer-se
I I vd
iD1  
2 VOD 2
I I vd
iD 2  
2 VOD 2
I
em que g m 
VOD
Controle da Zona de Funcionamento Linear

Ganho Diferencial em Regime de Sinal de

Baixo Nível
Ganho de Modo Comum em Regime de

Sinal de Baixo Nível e Factor de Rejeição
de Modo Comum
Par Diferencial com saída unilateral
Quando se tem um encadeamento

de amplificadores diferenciais só o
primeiro andar necessita de ter a
saída diferencial para obter um
elevado CMRR.
Com saída unilateral poder-se-ia
usar uma montagem como a
representada, mas o ganho fica
reduzido a metade.
Utilizando cargas activas o ganho
pode ser muito elevado pois a
carga pode ter uma elevada
resistência dinâmica.
Carga Activa Utilizando um Espelho de Corrente
A utilização de um espelho de corrente

como representado permite ter, na
saída unilateral, um ganho idêntico ao
que se obteria com saída diferencial.
No entanto a montagem é muito
sensível às assimetrias dos
componentes pelo que é sempre
necessário introduzir uma malha de
realimentação, que não estudaremos
aqui.
Situação de Equilíbrio
Situação de equilíbrio, com um

ponto de funcionamento em
repouso exactamente igual nas
duas metades.
No transistor Q3 a tensão VDS é
igual à tensão VGS. A tensão
VDS em Q4 é igual à tensão VDS
em Q3.
Comportamento Dinâmico
Como as entradas são

diferenciais as variações de
corrente em Q1 e Q2 têm
sentidos contrários.
O espelho de corrente obriga
a que as variações de
corrente em Q1 (e Q3) sejam
iguais às variações de Q4.

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Par Diferencial com Transistores

Modo diferencial e Modo Comum

Par diferencial com entrada de modo comum

As correntes dos dois colectores são

Par diferencial com entrada diferencial de

Existindo uma entrada diferencial

Par diferencial com entrada diferencial de

Neste caso as entradas são:

Par diferencial com entrada diferencial de

Considerando que a fonte

Correntes de colector em modo diferencial

Correntes de colector em modo diferencial

Pode considerar-se que a zona linear de funcionamento corresponde a vD = uT

No ponto de equilíbrio vD=0 :

Os ganhos medidos na tensão de cada colector e na diferença de tensões

Linearização da Característica por Colocação de Resistências

Linearização da Característica por Colocação de Resistências

Separação, num circuito com simetria geométrica

A resistência central pode ser dividida em duas, que por estarem

Na resistência central não há corrente, e pode ser retirada do circuito.

Resultado Final por Sobreposição

É necessário lembrar que o princípio da sobreposição decorre da

Par Diferencial Completo para PFR

Meio Par Diferencial para PFR

Par diferencial completo em regime incremental

Dada a simetria basta considerar uma metade do circuito

Considetando a saída no colector do transistor da esquerda o ganho será:

Também aqui se pode dividir o circuito em duas metades

Ao dividir REE em duas

Par diferencial completo em regime incremental

Também aqui basta considerar meio circuito

Factor de Rejeição de Modo Comum

O factor de rejeição de modo comum é definido como a razão entre o

A tensão de saída em modo comum é medida no colector de um dos

Par Diferencial com Transistores

A tensão vC só pode estar dentro

Par Diferencial com Transistores MOS

Ao especificar o valor da corrente I, fica

Para que os transistores estejam na

Par Diferencial com Transistores MOS

Para que a fonte de corrente funcione

vS  (VSS )  VFCmín  vC  VGS  VSS  VFCmín 

Par Diferencial com Transistores

Qual a tensão vd que é

Par Diferencial com Transistores MOS

iD1  I  K (vGS1  Vt )2  vGS1  Vt  I / K

Designamos por VODvGS1Vt, a tensão de

vd  vGS1  vS =Vt  2 VOD  Vt  2 VOD

Operação com Sinal de Alto Nível

Para caracterizar este tipo de funcionamento vai ser necessário estabelecer as

Operação com Sinal de Alto Nível

Para caracterizar este tipo de funcionamento vai ser necessário estabelecer as

Perto da situação de equilíbrio o

Controle da Zona de Funcionamento Linear

Ganho Diferencial em Regime de Sinal de

Ganho de Modo Comum em Regime de

Par Diferencial com saída unilateral

Quando se tem um encadeamento

Carga Activa Utilizando um Espelho de Corrente

A utilização de um espelho de corrente

Situação de equilíbrio, com um

Como as entradas são