AULA Nº 1

ELETRÔNICA DIGITAL
Introdução
o
ados
Eletrônica
desta
nº 1 daaula
antação disciplina
histórica
Digital
letrônica Digital
Eletrônica Digital
no
da circuitos
etências
rempetências
em fim
disciplinadigitais ao nível da
gerais
daespecificas
disciplina
os
Eletrônica
pulso
ereensão
petências
e de e gerais
digitais
integrados
Digital
aplicação
digitais de:
os programáveis
 Eletrônica
imentos
petênciasespecíficos Digital
específicas
s fundamentais de:
de circuitos digitais
icas
ação
nciais
e
máveis
ACs (CMOS,
EEPROM
e
e (latch NMOS,
geradores
ADCs)
(PLDs)
SR, BiCMOS,
flip-flop
de pulsos
D e TTL, Sch
JK)
especiais (portas de transmissão e dinâ
çãoEletrônica Digital
campo
às
equisitos
a metal/óxido/semicondutor
seguintes
deAplicada disciplinas
(EET001)
olar
icondutor
de junção
de junção
(BJT)
 Eletrônica
ção às seguintes
equisitos
Lógicos
Digital
disciplinas
(EEC101)
ógicos
os sequenciais
combinacionais
 Eletrônica Digital
ld
uitos
ircuitos
ível Tocci.
com
J. no Digitais
transístores
Sistemas
ambiente
bibliográficas
rama aula Com Digitais
FPGA,
bipolares
virtual
principais
a aula 3ª MOS
-daedisc
.louste
Prentice
Gulbenkian.
Hall do Brasil.
Lisboa.
 entam lucros elevados nos últi
Perspectiva
eletrônica históri
ainda é um
Faturação em $M durante os 3
primeiros meses de 2015

da
e 2016 das 20 maiores empresas
da industria da microeletrônica,
foundries incluídas ústria
do
do Perspectiva históri
(à esquerda
deenisto deve-se emàcima), W. H. Bratta
invenção do t
Invenção:
monstração:1947
23 de Dezembro de 1948
ita em cima) e W. B. Shockley (em baixo
 Perspectiva históri
rge mais tarde o primeiro “circ
ventor:
Invenção:
Jack
6 de
Kilby
Fevereiro
(Texas de
Instruments)
1959
 Perspectiva
nolitico
enção(2D)
do com
primeiro históri
transistôres, resistore
circuito real
onectividade
Patente:
entor: Robert
Julho
entre
Noyce
de 1959
componentes
(Fairchild Semicon
es e interconexões no corpo semicond
 Moore
Gordon

Noyce
Robert
Perspectiva
ricado o primeiro históri
circuito inte
ntendo funções
ojetista:
Fabrico:Jay
Jay Last 26 delógicas simples
Last
Maio
(Fairchild (flip-flo
de 1960Semiconduc
ecnologia RTL

rico
es de microdispositivos
Perspectiva
militares
aeronauticas (mic
históri
das
de
Is bordo da Apolo
as funções lógicas remonta a
o: Perspectiva
nstrado
ohn) em
31Atalla,
OSFET Maio
de“surge1959
Dawon
de
em1960
históri
Kahng
cena”
anão
té eram
câmara
inícios
imeira a suficientemente
Perspectiva
limpa
dos não
surgir históri
comprometia
anos 80 o
cnologia
ra
m na bipolar
profundidade (3D)
superfície do por implantação
wafer para ió
integração em CMOS
 Perspectiva históri
eção em corte ilustrando um tr
 Perspectiva
ra total
eção emdo wafer
corte
históri
ilustrando um N
525 m
20 m
itos
slarPerspectiva
analógicos
microondas
decontinua históri
tendo aplicações
 Perspectiva históri
MOS predomina em aplicações
 icroprocessador inventado em
históri
Microprocessador de 4 bits

Perspectiva
clock a 740 kHz (Tmin=1.35 s)
Ciclo de instrução a 10.8 s (8T)
fotografia Potencia dissipada: 0.75 W
2300 transistôres

4004 com caixa DIP

Intel’s logo (1971)
04
Iniciais do Federico Faggin
 de
históri
microprocessador
Perspectiva
clock a 2.5 GHz (Tclock = 400 ps)

v2
4 núcleos (cores)
Cache interna de 8 MByte

on E3-1265L
Potência dissipada: 45 W!

moderno
Xeon E3-1265L v2
em caixa LGA 1155
 Circuitos
alas
integrad
de integração
conta o número de portas ló
rface
adito
Circuitos
disponibilizam
com oacesso
integrado
integrad
ao exterior
exterior
é uma do circuito
pastilha d
 Após o fabrico, o Circuito Integrado fica coberto por uma ca
dieletrica de proteção, estando expostos apenas os bonding

Circuitos integrad
 (2) O exterior de onde está o CI
é a caixa (encapsulamento,
package)

Circuitos integrad
rface com o exterior
 Circuitos integrad
ermite o manuseamento do circuito integrado sem dani
rface com o exterior
Nr de transistôres
dos circuitos
integrados aumentaria

futuro
de 100%, ao mesmo
custo, a cada

de Moore
18 a 24 meses

O
- A evolução está próxima dos limites físicos
- Em CMOS não é possível ter comprimento canal <28nm

ite da tecnologia
futuro
- Caso específico da Global Foundries
(1) Menor processo CMOS: 28nm
(2) Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI): 22nm
(3) Fin-FET: 14nm
O
(4) Existem planos para converter as instalações Fab 8
para produzir a nova geração FinFET a 7nm
 nºEletrônica
aula
2
afundamentais Digital
de circuitos dig
Até à próxima aula.