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Comando Igbt
Comando Igbt
VDS RDSon
Quanto menor a resistência,
melhor o transistor
ID RDSon
D
O diodo intrínseco é lento.
Ele pode ser eliminado com
G dois diodos externos
VGS S
Existe um valor máximo de tensão VGS que pode ser aplicada ao MosFet
acima da qual ocorre destruição do transistor. O circuito equivalente
entre o “Gate” e o “Source” pode ser modelado como um capacitor.
G
Ordem de grandeza: nF (Ciss) S
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Fontes de alimentação c.c.-c.a
Transistores IGBT
1. O controle do transistor IGBT é feito aplicando-se uma tensão VGE > VTH
para condução e VGE < VTH para bloqueio;
2. A tensão de “threshold” VTH é da ordem de uns 3V a 5V;
3. A impedância de entrada de um transistor IGBT é muito elevada;
4. A condução é feita por portadores minoritários;
5. A máxima tensão VGE é de +20V e a mínima é de -20V;
6. Geralmente, o transistor IGBT é comandado com uma tensão de +15V para
condução e uma tensão negativa menor que -5V para o bloqueio.
7. No processo de fabricação não aparece o diodo em anti-paralelo com o
transistor. Quando presente, trata-se de um diodo com características
compatíveis com os tempos de chaveamento do IGBT;
8. Há dois tipos construtivos de IGBT: PT (“Punch Through”) e NPT (“Non
Punch Through”). Nos transistores do tipo NPT, o coeficiente de
temperatura da queda de tensão VCE é positivo o que simplifica o
paralelismo destes IGBTs;
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Fontes de alimentação c.c.-c.a
“Current tail”
MosFet x IGBT
MOSFET IGBT
1. Condução portadores majoritários 1. Condução portadores minoritários
• Menor queda de tensão • Maior queda de tensão
• Nenhum atraso devido ao • Saturação dinamica e cauda de
tempo de vida dos portadores corrente
• Conduz em ambas direções • Conduz apenas em um sentido
• Comportamento resistivo na • Comportamento não linear na
condução condução
2. Diodo Intrinseco 2. Ausência de diodo intrínseco
• Elevado tempo de recuperação
3. Boa capacidade de Avalanche 3. Não suporta Avalanche
4. Não é a prova de curto-circuito 4. Geralmente a prova de curto-circuito
MosFet x IGBT
Disparo do transistor
Disparo do transistor
Bloqueio do transistor
Bloqueio do transistor
vGS(t)
VDRV
A potência da fonte do
circuito de comando é dada
pela expressão:
Pg VDRV * QG * f
VGEoff
Pg ( VGE )* ( Q )* f
VGE VGE ( on ) VGE ( off )
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Fontes de alimentação c.c.-c.a
A carga do capacitor
que alimenta o circuito
de comando do
transistor superior, é
feita através do
interruptor inferior e do
diodo de “Bootstrap”.
Proteção de curto-circuito
Proteção ativa:
1. Medição da corrente atravessando o transistor através de um
sensor de corrente ou shunt;
2. Medição da queda de tensão nos terminais do transistor,
verificando a desaturação do transistor.
Proteção de curto-circuito
Proteção por desaturação
Proteção de curto-circuito
Proteção por medição de corrente
Proteção de curto-circuito
Proteção por medição de corrente
O SenseFet possui um
terminal através do qual é
possível medir a corrente do
transistor.
Proteção de curto-circuito
Proteção de curto-circuito
Tipo 1
Proteção de curto-circuito
Tipo 2
Proteção de curto-circuito
Soluções:
1. Na presença de um curto-
circuito, limitar a derivada da
corrente de gate no momento
de desligamento do
transistor.
2. Na presença de um curto-
circuito, reduzir inicialmente a
tensão VGS ou VGE, de modo a
reduzir a corrente de curto-
circuito e depois bloqueiar
rapidamente o transistor.
Proteção de curto-circuito
dV
I DV / DT CGD
dt
Soluções:
1. Baixar a impedância de saída
do driver dos transistores
(Rdriver);
2. Usar uma tensão negativa
para garantir o bloqueio do
transistor. A máxima tensão
devido ao dV/dt é igual a
tensão negativa mais a
tensão de “threshold”.
“Aplicação de optoacopladores”
Optoacopladores convencionais não possuem blindagem de Faraday e não
são adequados a aplicações de comando de transistores MosFets e IGBTs.
“Aplicação de optoacopladores”
Blindagem de Faraday
Referências
1. Site do prof. Javier Sebastián Zúñiga, Universidade de Oviedo, Curso de
Sistemas de Alimentación, http://www.uniovi.es/ate/sebas/
2. Site da Semikron, http://www.semikron.com
3. “Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits”,
Lazlo Balogh, http://focus.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf
4. “CDV/DT Induced Turn-on in Synchronous Buck Regulators”, Thomas Wu,
http://www.irf.com/technical-info/whitepaper/syncbuckturnon.pdf
5. “Drive Circuits for Power MOSFET and IGBTs”, B. Maurice & L. Wuidart,
http://www.st.com/stonline/books/pdf/docs/3703.pdf
6. “MOSFET/IGBT Drivers Theory and Applications”, Abhijit D. Pathak,
http://www.ixysrf.com/pdf/switch_mode/appnotes/5mosfet_driver_theory_and_a
pplications.pdf
7. “Using Monolithic High Voltage Gate Drivers”, A. Merello & A. Rugginenti & M.
Grasso, http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt04-4.pdf
8. “IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor) Differences between MOSFET and
IGBT”, http://paginas.fe.up.pt/~fff/Homepage/Ficheiros/Siemens_IGBT_caract.pdf