“Diodo

Aula teórica 1:

semicondutor ”

Dr. José A. Chaljub Duarte

JACHD 1
Resistencia (V vs I)

JACHD 2
Diodo ideal
semejante

JACHD 3
Diodo ideal

JACHD 4
Diodo ideal

JACHD 5
 Retificação>> A corrente circula em um só sentido pela
carga

10V

10V

5V
0V

0V

-10V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms -5V
V(V1:+)
Time
D1 0s
V(D1:2)
10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms

Time

V1 D1N4148
R1
1k

0 0

JACHD 6
 Como construir um
dispositivo com uma
característica semelhante
ao diodo ideal?

JACHD 7
isoladores, semicondutores e condutores:

Bandas de energía

JACHD 8
semicondutor com impurezas doadoras

JACHD 9
semiconductores

JACHD 10
União pn não polarizadaa

JACHD 11
União pn polarizada em inverso

JACHD 12
União pn polarizada em direto

JACHD 13
 Característica VI da união pn

voltagem de joelho dv/dt=-2.5mV/C

corrente de fuga (se duplica por
cada 10C )
JACHD 14
Efeitos da temperatura

JACHD 15
Modelo analítico da característica VI

VD
VT
I D  I o (e  1)

T K
VT   26mV a T ambiente
11600
JACHD 16
Aproximação linear de segmentos da
característica VI

Circuito equivalente

JACHD 17
Aproximação linear de segmentos da característica VI
(desprezar a voltagem de joelho)

Circuito equivalente

JACHD 18
Resistência estática

JACHD 19
Resistência dinâmica

JACHD 20
Do modelo analítico se obtém:

VD
VT
I D  I o (e  1)
VT
rd 
VT 
T K 
ID
11600

JACHD 21
Aproximação considerando a rd

Circuito equivalente

JACHD 22
Reta de carga : Método gráfico

JACHD 23
Efeitos capacitivos da união pn

JACHD 24
CD e CT em função da diferença de potencial
aplicada à união

Região de trabalho dos Varicap

JACHD 25
Região de ruptura

JACHD 26
Diodo zener

2da conferencia (inicio) 27

Diodo zener

JACHD 28
LED

JACHD 29
Fotodiodo: para VD negativo
y /VD/>>VT
Gerado pela luz

VD

I D  I o (e VT
 1) ID  Io  IL
T K
VT 
11600 Gerados pelo calor

JACHD 30
 Diodo Schottky
União retificadora metal semicondutor.
Aluminio e Si tipo n

joelho ≈0,3V
maior velocidade de operação

JACHD 31
Parâmetros que especificam os fabricantes

 VRM Voltaje de pico inverso máximo

 VRM (de trabajo). Indica el máximo voltaje de pico inverso aplicable
de forma repetida.
 P disipación de potencia
 IR corriente inversa de saturación.
 VF caída de potencial en directo.
 CT capacidad de transición.
 Trr Tiempo de recuperación en inverso, Este parámetro es muy
importante en los diodos de conmutación. El paso del estado de
conducción al de no conducción de un diodo y viceversa, tiene
asociado un estado transitorio.

JACHD 32
Parâmetros que especificam os
fabricantes: Diodo rectificador

JACHD 33
Folha de dados : diodo
rectificador

JACHD 34
Folha de dados diodo de sinal 1N4148

JACHD 35
Folha de dados : diodos zener

JACHD 36
Diodo Schottky

JACHD 37
Folha de dados fotodiodos

JACHD 38