Magnetoquimica

O estudo do efeito do campo magnetico em

compostos quimicos
B = 3
0
(H + M)
Iluxo Intensidade Magnetizao
Magnetico do campo
$usceptibilidade
$usceptibilidade magnetica
= M / H
$usceptibilidade molar
/
m
= m / 8
M = massa molar, 8 = densidade
Magnetismo
Diamagnetismo: repulso num campo magnetico
Observado em todos os materiais, e e resultado da
polarizao dos electres num campo magnetico
Paramagnetico: atraco num campo
magnetico
$O observado em sistemas com electres
desemparelhados
$usceptibilidade molar
/
m
(paramagnetico) - J0
3
/
m
(diamagnetico)
ei de Curie
Para sistemas paramagneticos
/
m
= C / 1
onde C = N 3
0
3
B
2
3
efectivo
2
/ 3k
ou 3
efectivo
= constante (/
m
1 )
J/2
$istemas paramagneticos
Lxemplos:
O
2
Radicais livres: H
.
CH
3
.
Ies de metais de transio: Mn(II), Ie(III), Cu(II)..
antanideos: 1b(III), Gd(III)...
Paramagnetism e momentos magneticos
Paramagnetismo e consequncia do efeito de
spin de um electro
Lxiste uma relao entre o momento
magnetico e os nmeros qunticos
Precisamos considerar o acopolamento dos
electres
copolamento de Russell-$aunders
copolamento spin-spin
$ = % m
s
copolamento orbit-orbit
= % m
l
copolamento spin-orbit
J = % (+$), +$-J)...(-$)
O simbolo do termo
(2$ + J)

J
(2$+J) a multiplicidade do spin
(2$+J) = J singuleto
= 2 dupleto
= 3 tripleto
= 4, S, 6.............
Relao entre 3
efectivo
e a estrutura
electrOnica
3
efectivo
= g {(J)(J+J)]

onde g = J + {J(J+J) + $($+J) (+J)] / 2J(J+J)

Lstado fundamental: Regras de Hund
Para o estado fundamental $ e o mximo possivel
tem o valor mximo com $ max
Para d
J
d
4
ou f
J
f
6
J = -$
Para d
6
-d
9
ou f
8
-fJ
3
J = +$
Lxemplo Gd(III)
Configuraao 4 f
7
1ermo
8
$
7/2
3
efectivo
(teOrico) 7,94
(exp) 7,9-8,0
Metais de transio
H supresso da parte orbital
L 0
J S
3
efectivo
= 2{$($+J)]
J/2
Lquao apenas ao spin
$ = n/2
Onde n e o nmero de electres
desemparelhados
e 3
efectivo
= {n(n+2)]
J/2
Momentos magneticos de metais de transio
Io
N electres
desemparelhado
s
3
apenas de spin
3
experimental
1i(III) J J,73 J,6S-J,79
V(III) 2 2,83 2,7S-2,8S
Cr(III) 3 3,87 3,70-3,90
Mn(III) 4 4,90 4,90-S,00
Ie(III) S S,92 S,70-6,00
Ie(II) 4 4,90 S,J0-S,70
Co(II) 3 3,87 4,30-S,20
Ni(II) 2 2,83 2,80-3,S0
Cu(II) J J,73 J,70-2,20
$pin alto e spin baixo
Com complexos octaedricos com configurao d
4
d
7
, existe
a possibilidade de duas configuraes: spin alto e spin
baixo
Isto tm influncia nos momentos magneticos observados.
Por exemplo com Co(III): 3d
6
Co(NH
3
)
6
Cl
3
diamagnetico
K
3
CoI
6

paramagnetico, 3
efectivo
= 4,9
1eoria de igaes de Valncia
O modelo considere que a ligao entre dois tomos
e covelente
H formao de ligaes covalentes pela
sobreposio das orbitais atOmicas (CO).
Cada orbital fica localizado entre dois tomos e tem
o mximo de dois electres.
Lxiste hibridizao dos orbitais do tomo central
para optimizar a sobreposio orbital
Hibridizao sp: geometria linear
Hibridizao sp
2
:
Geometria trigonal planar
Hibridizao sp
3
: geometria tetraedrica
Hibridizao sp
2
d : geometria planar
quadrada
Hibridizao sp
3
d : geometria trigonal
bipirmide
Hibridizao sp
3
d
2
: geometria
octaedrica
$imetrias dos orbitais ., e a
Orbital .
Orbitais
Orbitais a
Geometria octaedrica
Hibridizao sp
3
d
2
Os seis orbitais sp
3
d
2
vo nas direces dos
eixos x, y e z do complexo
Com esta configurao podemos ter
hibridizao sp
3
d
2
ou d
2
sp
3
Para a primeira serie dos metais de transio,
podemos fazer as seguintes hibridizaes:
3a
x
2
-y
2, 3a
z
2, 4., 4
x
, 4
y
, 4
z
(d
2
sp
3
)
ou
4., 4
x
, 4
y
, 4
z
, 4a
x
2
-y
2, 4a
z
2 (sp
3
d
2
)
Configurao d
6
Geometria O
h
d
2
sp
3
CoI
6

3-
Paramagnetico, 3
efectivo
= 4,9
4 electres desemparelhados
sp
3
d
2
Co(NH
3
)
6

3+
diamagnetico
Configurao d
8
Com a configurao d
8
,
complexos de
geometria tetraedrica e octaedrica so
paramagneticos e da geometria planar
quadrado so geralmente diamagneticos
Por exemplo
K
2
NiCl
4
3
efectivo
= 3,3J (300 K): 1
d
K
2
PtCl
4
diamagnetico: planar quadrado
Configurao d
8
1
d
sp
3


Paramagnetico
n = 2
3
efectivo
= {2(2x2)]
J/2
= 2,8
Configurao d
8
planar quadrado sp
2
d

n = 2
diamagnetico
Contribuio orbital
Lm alguns casos a supresso da contribuio orbital no e
completa e obtemos valores intermedios entre os valores
apenas de spin
Por exemplo K
3
Ie(CN)
6
, d
S
(spin baixo)
3
efectivo
= 2,3
Para d
J
3
apenas de spin
= J,73
Para d
2
3
apenas de spin
= 2,83
Isto e devida uma residual contribuio orbital
Contribuiao orbital
Lxiste contribuio orbital quando e possivel transformar um
orbital a outro por rotao,
Isto e para ocupao desigual dos orbitais d
xy
, d
yz
, d
zx
Neste caso o momento magnetico depende na temperatura
Por exemplo
K
2
NiCl
4
(geometria tetraedrica): 3
efectivo
=3,3J (303 K)
3,89 (80 K)
Ierromagnetismo e antiferromagnetismo
Quando os spins dos electres de sistemas
paramagneticos so prOximos (magneticamente
concentrada) o acoplomento entre os dipoles e
possivel que pode aumentar ((a) ferromagnetismo) ou
diminuir ((b) antiferromagnetismo) a suscptibilidade
magnetica. Ou pode ser um caso intermedio ((c)
ferrimagnetismo)
1emperaturas de Curie e de Neel
Lsses efeitos ocorrem em baixa de uma
temperatura critica: a tempertaura de Curie
(ferromagnetismo) ou de Neel
(antiferromagnetismo)
1
Curie
1
Neel
Ie J043 K Cr 47S K
Co J404 Cr
2
O
3
307 K
Ni 628 IeO J98 K
Gd 289
Propriedades electricas
Isoladores e condutores
Normalmente a conduo de um corrente electrica
em sOlidos e feita por electres
Podemos medir a conduo em termos da
condutividade (condutibilidade, 9 /$ cm
-J
)
electrica que e o inverso da resistncia
Dividimos materiais em:
Isoladores (log 9 A ., -6)
Condutores (log 9 K ., 2)
Lxemplos
Isoladores: quartzo, diamante, vidro, gBr
Condutores: Bi, Ie, g, Cu
1odos os metais so condutores electricos (e
termicos)
Podemos tratar a condutibilidade em termos da
1eoria das bandas
Group
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
H
0.32
He
0.93
Li
1.23
Be
0.9
B
0.82
C
0.77
N
0.75
O
0.73
F
0.72
Ne
0.71
Na
1.54
Mg
1.36
Al
1.18
Si
1.11
P
1.06
S
1.02
Cl
0.99
Ar
0.98
K
2.03
Ca
1.74
Sc
1.44
Ti
1.32
V
1.22
Cr
1.18
Mn
1.17
Fe
1.17
Co
1.16
Ni
1.15
Cu
1.17
Zn
1.25
Ga
1.26
Ge
1.22
As
1.2
Se
1.16
Br
1.14
Kr
1.89
Rb
2.16
Sr
1.91
Y
1.62
Zr
1.45
Nb
1.34
Mo
1.3
Tc
1.27
Ru
1.25
Rh
1.25
Pd
1.28
Ag
1.34
Cd
1.41
In
1.44
Sn
1.41
Sb
1.4
Te
1.36
I
1.33
Xe
1.31
Cs
2.35
Ba
1.98
La
1.25
HI
1.44
Ta
1.34
W
1.3
Re
1.28
Os
1.26
Ir
1.27
Pt
1.3
Au
1.34
Hg
1.49
Tl
1.48
Pb
1.47
Bi
1.46
Po
1.53
At
1.47
Rn
Fr Ra Ac RI Db Sg Bh Hs Mt Uun Uuu Uub
Lanthanides
Ce
1.65
Pr
1.65
Nd
1.64
Pm
1.63
Sm
1.62
Eu
1.85
Gd
1.61
Tb
1.59
Dy
1.59
Ho
1.58
Er
1.57
Tm
1.56
Yb
1.7
Lu
1.56
Actinides
Th
1.65
Pa
U
1.42
Np Pu Am Cm Bk CI Es Fm Md No Lr
Orbitais moleculares
Iormamos orbitais moleculares pela
sobreposiao de orbitais atOmicas da mesma
simetria
Dois orbitais s (por exemplo em hidrogenio)
vo combinar pare formar um orbital ligante
(9) e outro antiligante (9
*
)
Orbitais moleculares: a introduo de
electres
Depois da formao dos orbitais moleculares,
introduzimos electres, que no estado fundamental
vo para o orbital de menor energia
Por exemplo, para H
2
Lstabilizao energetica e curva de energia
potencial
energia de H
2
e inferior s energias de dois
tomos de hidrogenio, como indicada na
curva de energia potencial
Com trs orbitais atOmicos podemos ter outro
orbital no-ligante
Orbitais moleculares e a 1eoria das bandas
$e aumentamos o nmero de tomos a J0,
vamos formar J0 orbitais moleculares, S
ligantes e S antiligantes
$eparao energetica
Com um aumento do nmero de tomos, a separao
entre os orbitais vai diminuir e para um nmero
infinito podemos considerar sistemas quase
continuos (bandas) ligantes (valncia) e
antiligantes (conduo)
$eparao energetica (Hiato de energia)
seprao entre a banda de valncia e a
banda de conduo chama-se o hiato de
energia
Quando o hiato e grande e temos uma banda
de valncia completa o sistema e isolador
Quando h sobreposio da banda de valncia
e a banda de conduo ou a banda de
valncia e incompleta o sistema e condutor
Isoladores, semicondutores e condutores
$emicondutores
Lm alguns casos (como $i, Ge) existem propriedaes
intermedias onde so isoladores mas podem ser
activados por calor ou luz a ser condutores. Lsses
so semicondutores intrinsicos.
Podemos aumentar as propriedades como
semicondutores por dopagem com elementos de
grupo J3 (Ga, In..) ou JS (P, s..) que produzem
semicondutores tipo (positivo) ou tipo v
(negativo)
Dopagem III/V, II/VI
$i configurao electrOnica 3s
2
3p
2
Dopagem
Ga 4s
2
4p
J
tipo
s 4s
2
4p
3
tipo v
1ransistor
Utilizando uma juno
v podemos rectificar o
corrente electrico
(diodo)
1ambem podemos ter
sistemas mais
complicados em que
temos 3 electrodos
aser de Gas
preparado utilizando uma juno Ga-s (v)
$upercondutores
Com alguns sistemas a resistncia e zero abaixo uma
temperatura critica e a materia e completamente
diamagnetica. Por exemplo mercrio (1 < 4 K)
Cooper pairs e o efeito de Meissner
descrio das propriedades
envolve pares ligados de
electres de spins
diferentes (Cooper pairs)
Quando temos um iman em
cima do supercondutor
existe levitao magnetica:
o efeito de Meissner,
$upercondutores de alta temperatura
H interesse grande interesse para aplicaes
prticas (por exemplo em comboios de alta
velocidade ou aplicaes biomedicas) ter
supercondutores com temperatura de transio
acima de 77 K (ponto de ebulio de azoto liquido)
O primeiro composto deste tipo e o sistema no
estequeometrica
YBa
2
Cu
3
O
7-x
envolvendo Cu(II) e Cu(III)
Lstrutura
estrutura deste composto
(tipo Perovskite) e um
factor importante na
supercondutividade
O cristal tem uma simetria
reduzida (bidimensional
ou unidimensional)
Cor em compostos inorgnicos
Cor e geralmente a consequncia de absoro,
emisso ou disperso de luz
Lspectroscopia de absoro visivel-
ultraviolet (Lspectroscopia electrOnica)
Os espectros de absoro (ou emisso) na zona de
visivel-UV envolvem transies dos electres entre
os orbitais dos tomos ou das moleculas.
4 .2

;
;
;
;
;
;
;
;
S
0
S
1

Lspectroscopia e estrutura
Os espectros electrOnicos podem fornecer
informao sobre a estrutura electrOnica e
geometrica, por exemplo:
(a) Co(H
2
O)
6

2+
, (b) CoCl
4

2-
a b
ei de Beer-ambert-Bouger
I
t
= I
o
exp--bc
= - log 1 = -log = 1bc
absorvncia
1 transmitncia
1 coeficiente de absoro
molar (coeficiente de
extino)

9
-
Regras de seleco
1 e uma medida da probabilidade de uma transio
probabilidade de absoro para transies
electrOnicas depende nas seguintes regras de
seleco:
Regra de spin: $ = 0
Regra de aporte: permitida g u
proibida g g, u u
= I J
Regra de
spin
Regra da
aporte
1/ M
-J
cm
-J
Lxemplo
permitida permitida
J0
4
- J0
S
MnO
4
-
permitida proibida em
parte
J0
2
-J0
3
NiCl
4

2-
permitida proibida
J-J0
1i(H
2
O)
6

3+
proibida proibida
J0
-3
-J0
-4
Ie(H
2
O)
6

3+
1ransies entre o ligando e o metal
1ransferncia de carga entre o ligando e o metal
(M1C): exemplo MnO
4
-
00 500 600 700
0,0
0,2
0,
0,6
0,8
1,0
A
b
s
o
r
v

n
c
i
a
comprimento de onda (nm)
1ransferncia de carga entre o metal e o
ligando
Lxemplo Ru(bpy)
3

2+
1ransies localizados no metal
1ransies d-d para configurao spin alto:
d
J
, d
4
, d
6
, d
9
- uma banda de absoro, com
energia =
1i(H
2
O)
6

3+
00 500 600 700 800
0,00
0,01
0,02
0,03
A
b
s
o
r
v

n
c
i
a
comprimento de onda (nm)
teoria do campo do cristal
Neste modelo consideramos que a interaco
entre o ligando e o metal e electrosttica
O efeito vai ser uma repulso entre electres
dos ligandos e do metal, que vai aumentar
as energias das orbitais do metal devida a
repulso electrosttica (q
J
.q
2
/ r)
Orientao espacial das orbitais d
d
z
2
d
x
2
-y
2
d
xy
d
yz
d
xz
$imetria cbica
Para as geometrias octaedrica (Oh) e
tetraedrica (1d) as S orbitais ano vo
sofrer a mesma repulso e h
desdobramento da orbitais em 2 grupos
Desdobramento no campo do cristal
octaedrica
Orbitais do io livre e centro de
gravidade
s energias de todas as orbitais vo subir,
mas e conveniente assumir que a soma
algebrica das energias e zero, diz-se que
re.err,4.evtr4aer,ria,ae do conjunto de
novos niveis.
Para O
h
, as orbitais t
2g
vo ter energia -
2/S
o
inferior e os e
g
+3/S
o
superior s
orbitais do io livre

$pin alto e spin baixo

Para d
4
d
7
h duas configuraes
possiveis que dependem nos valores
relativos de
o
e a energia de repulso
interelectrOnica (P)
P >
o

o > P
Ie(NH
3
)
6
2+ (spin alto) Ie(CN)
6
4- (spin baixo):
t
2g
e
g
e
g
t
2g
$eparao do campo do cristal
O campo electrosttico de 6 ligandos na
geometria O
h
e superior ao campo de 4
ligandos na geometria 1
d
t = 4/9 o
Lm consequncia, todos os complexos
tetraedricos so do spin alto
O
h
e 1
d
O desdobramento no campo tetraedrico e o
inverso do que no campo octaedrico
Para 1
d
, as orbitais e vo ter energia -3/S
t
inferior e os t
2
+2/S
t
superios s orbitais
do io livre
1ambem a geometria tetraedrica no tem
centro de simetria e em consequncia os
coeficientes de absoro molar em
complexos tetraedricos so J0-S0 vezes
superiores aos dos complexos octaedricas
$eparao no campo do cristal

2
t
2g
e
g
a)
t
2
e
b)
Lspectros de absoro de complexos
octaedricos e tetraedricos
Complexos tetraedricos tm bandas a menor
energia (maior 2) e valores mais elevados de
1 do que complexos octaedricos
(a) Co(H
2
O)
6

2+
, (b) CoCl
4

2-
a b
1ratamento teOrico de transies d-d:
caso do campo fraco
Determinamos os estados do io livre e a
seguir observamos o efeito d desdobramento
no campo do cristal
No caso do campo fraco no h mudana do
spin (configurao do spin alto)
1ermos do estado fundamental do io
livre
Configurao eIectrnica Estado
fundamentaI
a
J
, a
9 2
D
a
2
, a
8 3

a
3
, a
7 4

a
4
, a
6 S
D
a
S 6

Desdobramento dos termos do io livre

em geometrias O
h
e 1
d
%ermo no io Iivre %ermo na geometria O
h
%ermo na geometria %
d

Jg

J
P 1
Jg
1
J
D Lg + 1
2g
L + 1
2

2g
+ 1
Jg
+ 1
2g

2
+ 1
J
+ 1
2
C
Jg
+ L
g
+ 1
Jg
+ 1
2g

J
+ L + 1
J
+ 1
2
L
g
+ 21
Jg
+ 1
2g
L + 21
J
+ 21
2

Jg
+
2g
+ L
g
+
1
Jg
+ 21
2g

J
+
2
+ L + 1
J
+
21
2
1ransies electrOnicas
Configurao d
J
geometria O
h
Io livre
2
D
1ermos no campo octaedrico
2
1
2g
e
2
L
g
Lstado fundamental
2
1
2g
_ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _
Diagrama de Orgel e espectro de absoro
visivel/ultravioleta de 1i(H
2
O)
6

3+
nergias: mximo 20 300 cm
-1
ombro 17 00

0
= 18 850 cm
-1
2
D
2
E
g
2
%
2g
Energia
00 500 600 700 800
0,00
0,01
0,02
0,03
A
b
s
o
r
v

n
c
i
a
comprimento de onda (nm)
, -
serie espectroquimica
Podemos arranja os valores de em series:
para ligandos, valores de
I
-
< Br
-
< Cl
-
< OH
-
< H
2
O < NH
3
< CN
-
que e independente do metal
e para metais
Mn
2+
< Ni
2+
< Co
2+
< Ie
2+
< Ie
3+
< Mn
4+
que e independente do ligando
Lfeitos no valor de
aumenta :
- com o estado de oxidao do metal
Co(I) < Co(II) < Co(III)
- quando passamos da primeira para a segunda e a
terceira series de metails de transio
Co(III) < Rh(III) < Ir(III)
Distoro de Jahn-1eller
distoro de Jahn-1eller existe em qualquer
molecula ou complexo no-linear que tem
degenerescncia orbital
Vai sofrer uma distoro geometrica para
evitar a degenerescncia
No caso do espectro de 1i(H
2
O)
6

3+
, a
separao da banda e devida a distoro de
Jahn 1eller nas orbitais e
g
Para os complexos dos metais de transio o
efeito de Jahn-1eller e mais importante com
a geometria octaedrica quando tm
ocupao desigual das orbitais e
g
, que vo
na direco das ligaes M- :
Lsses so as configuraes d
4
(spin alto),
d
7
(spin baixo) e d
9
Distoro de Jahn-1eller em Cu
6
2+
, x
x

2
x
2
-
2
O
h
D
4h
Lstrutura cristalogrfica de CuCl
2
Cristais de CuCl
2
:
N = 6
Comprimentos das ligaes
d
Cu-Cl
230 pm (quatro ligaes)
d
Cu-Cl
29S pm (duas ligaes)
Lspectro visivel/UV configurao d
9
Cu
6

2+
O
h
Io livre
2
D
1ermos do complexo
2
1
2g
e
2
L
g
Lstado fundamental
2
L
g
O diagrama de Orgel e invertido em relao a
d
J
oct e o spectro mostra uma transio
2
L
g
F
2
1
2g
J3 600 cm-J
CuCl
4

2-
1
d
Io livre
2
D
1ermos
2
1
2
e
2
L
Lstado fundamental
2
1
2
diagrama de rgel invertido em relao
a d
9
oct
1ransio
2
1
2
F
2
L ~ 7700 cm-J
Configuraes d
4
e d
6
1ermos dos ies livres
S
D
O
h
:
S
1
2g
,
S
L
g
1
d
:
S
L,
S
1
2
Para a mesma geometria
Diagrama de Orgel d
6
d
J
d
4
d
9
Geralmente d
n
d
S+n
Diagrama de Orgel para configuraes
d
J
, d
4
, d
6
, d
9
Configurao d
2
Repulso interelectrOnica
Lstados electrOnicos para a configurao d
2
.
(, B e C so parametros de Racah de repulso
interelectrOnica)
Estado Energia
J
$ + J4B + 7C
J
G + 4B + 2C
J
D 3B + 2C
3
P + 7B
3
I 8B
Diagrama de 1anabe-$ugano
Configurao d
2
oct
Diagrama de Orgel para configurao
d
2
oct

Energia

%
g
()

%
2g

%
g
(!)

2g

Parametros energeticos
o
, B,
interaca de configuraes
O espectro de V(H
2
O)
6

3+
Devida a sobreposio com
outras bandas de transferncia de
Carga, a transio
3
1
Jg
(I) F
3

2g
no e observada
Parametros de Racah e a
covalncia da ligao M-
Podemos obter B e C para os ies livres
experimentalmente utilizando
espectroscopia atOmica
Os valores obtidos para os complexos so
sempre inferiores aos do io livre
B
V(III) io livre
= 862 cm
-J
B
V(H2O)63+
= 663cm
-J
Covalncia da ligao M- e a
serie nefelauxetica
diferena devida aIgum grau de
covaIncia da Iigao que podemos
medir experimentaImente
.
compIexo

io Iivre
srie de ordem de . chama-se a srie
nefeIauxtica, e ordem da covaIncia
da Iigao M-L
Srie nefeIauxtica

-
> H
2
O > NH

> CI
-
Diagrama de Orgel para configuraes
d
2
, d
3
, d
7
, d
8
Lspectro de Ni(H
2
O)
6

2+
00 500 600 700 800
0,0
0,1
0,2
0,3
0,
0,5
A
b
s
o
r
v

n
c
i
a
comprimento de onda (nm)
Configuraes de spin baixo
rbitais para a geometria planar
quadrado
____ b
1g
____ a
1g
____ b
2g
____ ____ e
g
Geometria planar quadrado
PtCl
4

2+
Lm principio h trs transies
a
Jg
F b
Jg
b
2g
F b
Jg
e
g
F b
Jg
00 500 600 700 800
-0,02
0,00
0,02
0,0
0,06
0,08
0,10
0,12
0,1
0,16
0,18
0,20
A
b
s
o
r
v

n
c
i
a
comprimento de onda (nm)
1eoria das orbitais moleculares:
ligaes 9
ligante: 9
ntiligante: 9
*
H
2
HI
NH
3
igaes 6
O
2
Complexos de metais de transio
Dadores e aceitadores 6
Lfeito de ligaes 6 em complexos
octaedricos
Quando temos dadores 6 o efeito e reduzir o
valor de
o
Lxemplo CoI
6

3-
Quando temos aceitadores 6 o efeito e
aumentar o valor de
o
Lxemplo Co(CN)
6

3-
Lspectros de absoro dos lantanideos
Os lantanideos mostram, uma serie de bandas estreitas
de baixa coeficiente de aboro molar devida as
transies f-f entre os niveis J. Por exemplo Nd(III)
uminescncia dos lantanideos
s bandas estreitas nos espectros de luminescncia
dos lantanideos so importantes para aplicaes
desde fosfores para lampadas fluorescentes e
televises ate sondas em sistemas biolOgicas
50 500 550 600 650
0
200000
00000
600000
800000
1000000
1200000
100000
1600000
1800000


F
l
u
o
r
e
s
c
e
n
c
e

n
t
e
n
s
i
t

(
c
p
s
)
Wavelength (nm)
DNA+10
-
M Terbium()
DNA+10
-5
M Terbium()
10
-
M Terbium()
10
-5
M Terbium()