IRF 640 O MOSFET IRF 640 mostrado na figura 1 a seguir:

A figura 2 seguinte mostra o diagrama esquemtico interno do MOSFET IRF 640:

A partir da observao das figuras anteriores e posicionando o MOSFET na posio indicada na folha de dados, pode-se identificar seus terminais:

Terminal 1: GATE (G); Terminal 2: DRENO (D); Terminal 3: SOURCE (S);

As principais aplicaes deste MOSFET so: chaveamento de altas corrente, fontes de potncia de alimentao ininterrupta, conversores DC/DC para telecomunicaes, indstria e equipamentos de iluminao, entre outras. tpico de 0.150, suporta

As principais caractersticas so descritas abaixo:

altas variaes de tenso, capacitncias intrnsecas muito baixas, cargas de gate mnimas.

Os parmetros principais apresentados no datasheet do IRF 640 so: ( ( ( ) ) ( ) ) ( )

Algumas caractersticas eltricas:

Smbolo

Parmetros

Condies de teste

Mnimo

Tpico

Mximo

Tenso de ruptura dreno-fonte Tenso de gate nulo Corrente de dreno ( )

200

10

Corte gate Corrente (

( )

) 2V 3V 0,15 4V 0,18

Tenso limiar gate

Resistncia esttica dreno-fonte

Corrente de dreno estado ligado

18A