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MATERIAIS ELTRICOS: COMPNDIO DE TRABALHOS VOLUME 6

SUMRIO ANLISE MICROSCPICA DO DIODO ZENER - Luiz Carlos Cavagnoli ..............558 DIODO SCHOTTKY - Larissa Andria Wagner Machado.......................................572 DIODOS SEMICONDUTORES - Rodrigo Alexssandre Budel.................................592 LED: DIODO EMISSOR DE LUZ - Daniel Motter ....................................................610 MENRISTOR, UM NOVO ELEMENTO PASSIVO - rika Suek ..............................633 APLICAO DA CIENCIA DOS MATERIAIS: DIODOS - Diogo Marujo.................641

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ANLISE MICROSCPICA DO DIODO ZENER Luiz Carlos Cavagnoli

1. INTRODUO Os componentes semicondutores so utilizados na sua diversidade nos circuitos eletrnicos. At o momento foram estudados teoricamente e realizadas montagens de circuitos envolvendo diodos semicondutores, resistores, capacitores e transformadores. Alm destes componentes, tambm so intensamente utilizados os diodos zener e os diodos emissores de luz (LED). De uma maneira geral, semicondutores so slidos nos quais temperatura de 0 K (zero Kelvin) seus eltrons preenchem todos os estados disponveis na banda de energia mais alta, isto a banda de valncia. Um fato conhecido na fsica do estado slido que a condutividade eltrica devida somente aos eltrons em bandas parcialmente cheias. Portanto a condutividade dos semicondutores temperatura ambiente causada pela excitao de uns poucos eltrons da banda de valncia para a banda de conduo. A quantidade de energia necessria para tirar um eltron da banda de valncia e 'libert-lo' na banda de conduo que determina se um slido ser um condutor, semicondutor ou isolante. Para um semicondutor esta energia em torno de 1eV (eltron-volt), para isolantes este energia dezenas de vezes maior. Nos condutores existem sempre bandas de energia semi-preenchidas, portanto no existe uma quantidade mnima de energia necessria para se 'libertar' seus eltrons. Nos semicondutores a condutividade no causada apenas pelos eltrons que conseguiram pular para a banda de conduo. Os buracos tambm chamados de lacunas que eles deixaram na banda de conduo tambm do contribuio importante. To importante que este buracos so tratados como partculas normais com carga positiva, oposta do eltron. Dentro dos elementos que utilizam esta dopagem esta o diodo. Diodo semicondutor um dispositivo ou componente eletrnico composto de cristal semicondutor de silcio ou germnio numa pelcula cristalina cujas faces opostas so dopadas por diferentes gases durante sua formao. o tipo mais simples de componente eletrnico semicondutor, usado como retificador de corrente eltrica. Dentro dos vrios tipos de diodos esta o Zener.

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Diodo Zener um tipo de diodo especialmente projetado para trabalhar na regio de avalanche, ou seja, na regio de ruptura de tenso reversa da juno PN. 2. OS MATERIAIS COMUNS Os materiais so constitudos por tomos, os quais so constitudos de ncleo e eletrosfera. No ncleo encontram-se os prtons e os nutrons, enquanto que na eletrosfera encontram-se os eltrons, distribudos em diversas camadas ou nveis. O nmero de eltrons varia de material para material. Com isto existe uma variao no nmero de eltrons da ltima camada (camada de valncia). Para que um tomo esteja estvel necessrio que a primeira camada possua dois eltrons e a ltima oito eltrons, para este ficar em condio estvel, como um gs nobre. Isto se consegue na natureza, muitas vezes atravs de doao e recepo de eltrons, ou atravs do compartilhamento de eltrons entre dois tomos de dois materiais, (covalncia). 3. OS SEMICONDUTORES Os materiais semicondutores so materiais, os quais possuem uma resistncia situada entre a dos materiais condutores e isolantes. Os principais materiais semicondutores utilizados na eletrnica so o Germnio (Ge) e o Silcio (Si), sendo este ltimo o mais utilizado. Recentemente est sendo investindo em pesquisas com materiais semicondutores para aplicao na eletrnica fabricado a partir do carbono, pesquisas estas que j obtiveram sucesso. Nos materiais semicondutores, a camada de valncia possui 4 eltrons, como o material tende a possuir oito eltrons na camada de valncia, e o elemento semicondutor s possui quatro, este acomoda os seus tomos, simetricamente entre si, constituindo uma estrutura cristalina, atravs de ligaes covalentes.

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FIGURA 1 Ligaes entre tomes de silcio. 3.1 FORMAO DOS ELEMENTOS TIPO P E N Devido a tendncia de transformar-se em uma estrutura simtrica, um material semicondutor quase no possui eltrons livres. Para se utilizar efetivamente os materiais semicondutores, so introduzidos elementos adicionais, nas estruturas cristalinas denominadas impurezas, atravs de processos de injeo ou difuso. Estas impurezas so elementos cujos tomos possuem trs ou cinco eltrons na camada de valncia. Estas impurezas so introduzidas dentro do material semicondutor em pequenas quantidades. A tendncia de formar uma estrutura simtrica faz com que os tomos de impurezas se acomodem de tal maneira que produzam eltrons livres, portanto que podem ser deslocados com facilidade (o quinto eltron de cada tomo da impureza). Ou a falta de eltrons no caso da adio de elementos com trs eltrons na ltima camada. 3.2 FORMAO DO MATERIAL TIPO P Ao realizar a dopagem do material semicondutor (Silcio ou Germnio) atravs da introduo de impurezas com trs eltrons na camada de valncia como o

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Alumnio, o ndio, o Boro ou o Glio, temos a formao de ligao covalente entre o material semicondutor e a impureza. Ao introduzir-mos um elemento deste tipo, numa das ligaes faltar um eltron, pois o elemento contribuiu com apenas trs eltrons. Esta falta de eltrons comporta-se como um material apto a receber eltrons (material com carga positiva), sendo assim este pode receber um eltron de outra unio.

FIGURA 2 Formao de lacunas em um semicondutor com impurezas tipo p

3.3 FORMAO DO ELEMENTO TIPO N Ao associarmos um elemento com cinco eltrons na ltima camada como o Antimnio, o Fsforo, ou Arsnio, ao material semicondutor, os mesmos iro formar ligaes covalentes, porm haver um eltron, que poder mover-se pela estrutura com maior facilidade, est formado o material com carga negativa.

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FIGURA 3 Formao de lacunas em um semicondutor com impurezas tipo n

FIGURA 4 conduo por por eltrons na banda de conduo e lacunas na banda de valncia. 3.4 INFLUNCIA DA TEMPERATURA NOS SEMICONDUTORES Nos condutores, um aumento na temperatura, ocasiona um aumento da resistncia oferecida a passagem da corrente eltrica. J nos semicondutores, acontece o contrrio, um aumento da temperatura ocasiona uma reduo da resistncia oferecida a passagem da corrente eltrica, devido a maior repulso causada na unio dos mesmos.

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FIGURA 5 Grfico da variao da resistencia em funo da temperatura para condutores e semicondutores. 3.5 ESTRUTURA CRISTALINA DOS SEMICONDUTORES Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma substncia, a distribuio e disposio desses tomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por estrutura cristalina. O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina cbica como mostrado na seguinte figura.

FIGURA 6 Estrutura cristalina do silcio. Nessa estrutura cristalina, cada tomo (representado por Si) une-se a outros quatro tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro

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electres de valncia de um tomo compartilhado com um eletron do tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois electres. Na prtica, a estrutura cristalina ilustrada na figura s conseguida quando o cristal de silcio submetido temperatura de zero graus absolutos (ou -273C). Nessa temperatura, todas as ligaes covalentes esto completas os tomos tm oito electres de valncia o que faz com que o tomo tenha estabilidade qumica e molecular, logo no h electres livres e, consequentemente o material comporta-se como um isolante. Um semicondutor intrnseco um semicondutor no estado puro. temperatura de zero graus absolutos (-273C) comporta-se como um isolante, mas temperatura ambiente (20C) j se torna um condutor porque o calor fornece a energia trmica necessria para que alguns dos electres de valncia deixem a ligao covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns eletron livres no semicondutor. H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares eletron-lacuna livres no interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs da energia trmica (ou calor). Outra maneira, consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor. Na prtica, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o nmero de electres livres seja bem superior ao nmero de lacunas, ou de um cristal onde o nmero de lacunas seja bem superior ao nmero de electres livres. Isto conseguido tomando-se um cristal semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele (dopagem), por meio de tcnicas especiais, uma determinada quantidade de outros tipos de tomos, aos quais chamamos de impurezas. Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco) este passa a denominar-se por semicondutor extrnseco. Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco), este passa a ser um semicondutor extrnseco. As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco podem ser de dois tipos: impurezas ou tomos dadores e impurezas ou tomos aceitadores. tomos dadores tm cinco eletron de valncia (so pentavalentes): Arsnio (AS), Fsforo (P) ou Antimnio (Sb).

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FIGURA 7 Arsnio pentavalente.

tomos aceitadores tm trs eletron de valncia (so trivalentes): ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou Alumnio (Al).

FIGURA 8 ndio trivalente.

4.DIODOS 4.1 A DOPAGEM DO DIODO SEMICONDUTOR E OS CRISTAIS P E N A dopagem no diodo feita pela introduo de elementos dentro de cristais tetravalentes, normalmente feitos de silcio e germnio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes, obter tomos com sete eltrons na camada de valncia, que necessitam de mais um eltron para a neutralizao (cristal P). Para a formao do cristal P, utiliza-se principalmente o elemento ndio. Dopando os cristais tetravalentes com elementos pentavalentes, obter-se- tomos neutralizados (com oito eltrons na camada de Valencia) e um eltrons excedente (cristal N). Para a formao do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento fsforo. Quanto maior a intensidade da dopagem, maior ser a condutibilidade dos cristais, pois suas estruturas apresentaro um nmero maior de portadores livres (lacunas e eltrons livres) e poucas impurezas que impedem a conduo da corrente eltrica. Outro fator que influencia na conduo desses materiais a temperatura. Quanto maior for sua temperatura, maior ser a condutibilidade pelo fato de que a energia trmica ter a capacidade de quebrar algumas ligaes covalentes da estrutura se

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desfaam, acarretando no aparecimento de mais portadores livres para a conduo de veculo embriagado. Aps dopadas, cada face dos dois tipos de cristais(P e N)ter uma determinada caracterstica diferente da oposta, gerando regies de conduo do cristal, uma com excesso de eltrons, outra com falta destes (lacunas), e entre ambas, haver uma regio de equilbrio por recombinao de cargas positivas e negativas, chamada de regio de depleo( qual possui uma barreira de potencial). 4.2 JUNO P-N, OU BARREIRA DE POTENCIAL Da mesma forma que os eltrons livres do cristal N se movimentam, as cargas positivas ou lacunas (buracos) conduzem corrente eltrica pelo fato de que uma lacuna ocupada por um eltron proveniente de uma corrente eltrica que passa sobre o cristal e que fora a criao de outra lacuna atrs de si. Entre as duas regies, uma de maioria negativa, outra de maioria positiva, existe uma terceira, esta de maioria neutra, isto , nem de carga negativa, nem de carga positiva, a juno entre ambas, chamada de regio neutra da juno P-N. Na regio neutra no h excesso de eltrons nem lacunas porque alguns eltrons do material tipo N se difundem pela juno e entram em combinao com algumas lacunas(buracos) do material tipo P, reciprocamente, algumas lacunas(buracos) se difundem pela juno e entram em combinao com alguns eltrons do material do tipo N. Com a passagem de lacunas para a camada N, gera-se um pequeno potencial eltrico positivo e com a passagem de eltrons livres para a camada P, gera-se um pequeno potencial eltrico negativo, gerando uma pequena tenso interna, por isso do nome barreira de potencial, que pode chegar aproximadamente a 0,3 volts nos diodos de germnio e 0,7 volts nos diodos de silcio. Essa barreira de potencial causa uma queda de tenso, interferindo na tenso sobre os outros componentes pertencentes ao mesmo circuito do diodo. Quando a tenso a que submetido o diodo ,alimentado por uma fonte geradora, menor que sua barreira de potencial(<0,3V ou <0,7V), a corrente eltrica baixssima pela oposio ao fluxo de portadores livres feita pela barreira de potencial, porm se a tenso a que for submetido o diodo for mais alta do que sua barreira de potencial, a corrente eltrica torna-se alta e a oposio dos portadores livres feita pela barreira de potencial pequena em relao a tenso de alimentao, sendo quase desprezvel.

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4.3 POLARIZAO DO DIODO

FIGURA 9 Polarizao direta e inversa do diodo. Grfico mostra a curva caracterstica do comportamento do diodo em sua polarizao direta e inversa A polarizao do diodo dependente da polarizao da fonte geradora. A polarizao direta quando o plo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o plo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de catodo). Assim, se a tenso da fonte geradora for maior que a tenso interna do diodo, os portadores livres se repeliram por causa da polaridade da fonte geradora e conseguiram ultrapassar a juno P-N, movimentando-os e permitindo a passagem de corrente eltrica. A polarizao indireta quando o inverso ocorre. Assim, ocorrer uma atrao das lacunas do anodo(cristal P) pela polarizao negativa da fonte geradora e uma atrao dos eltrons livres do catodo(cristal N) pela polarizao positiva da fonte geradora, sem existir um fluxo de portadores livres na juno P-N, ocasionando no bloqueio da corrente eltrica. Pelo fato de que os diodos fabricados no so ideais(contm impurezas), a conduo de corrente eltrica no diodo(polarizao direta) sofre uma resistncia menor que 1 ohm, que quase desprezvel. O bloqueio de corrente eltrica no diodo(polarizao inversa) no total devido novamente pela presena de impurezas, tendo uma pequena corrente que conduzida na ordem de microampres, chamada de corrente de fuga, que tambm quase desprezvel.

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4.4 TESTES COM O DIODO Os diodos, assim como qualquer componente eletrnico, operam em determinadas correntes eltricas que so especificadas em seu invlucro ou so dadas pelo fabricante em folhetos tcnicos.Alm da corrente, a tenso inversa(quando o diodo est polarizado inversamente) tambm um fator que deve ser analisado para a montagem de um circuito e que tem suas especificidades fornecidas pelo fabricante. Se ele for alimentado com uma corrente ou tenso inversa superior a que ele suporta, o doido pode danificar, ficando em curto ou em aberto. Utilizando de um ohmmetro ou um multmetro com teste de diodo, pode-se verificar se ele est com defeito. Colocando-se as ponteiras de prova desses aparelhos nas extremidades do doido(catodo e nodo), verifica-se que existe conduo quando se coloca a ponteira positiva no nodo e a negativa no catodo, alm de indicar isolao quando ocorre o inverso. Assim o diodo est em perfeitas condies de operao e com isso possvel a localizao do catodo e do nodo, porm se os aparelhos de medio indicarem conduo dos dois caminhos do diodo, ele est defeituoso e em curto. Se os aparelhos de medio indicarem isolao nos dois caminhos, ele tambm est defeituoso e em aberto. 4.5 DIODOS ZENER Quando a tenso inversa aplicada em um diodo atinge determinado valor, ocorre um efeito tipo ruptura. Nessa situao, o diodo passa a conduzir e pequenas variaes de tenso produzem grandes variaes de corrente, isto , a curva se torna praticamente vertical.

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FIGURA 10 Polarizao direta e inversa do diodo zener. Diodos comuns no devem operar nesse ponto sob pena de danificao. Mas possvel construir diodos que suportam essa condio, os chamados diodos zener. Detalhes do mecanismo da ruptura no se encaixam no contexto desta pgina. Comenta-se apenas que ela pode ocorrer devido ao "efeito avalanche" ou ao "efeito zener". Na prtica, ambos os efeitos esto presentes, mas o segundo predominante nos diodos zener. A tenso zener a tenso inversa que se mantm quase constante em uma ampla faixa de corrente. A Figura 10 deste tpico mostra o aspecto tpico da curva de um diodo zener com destaque na rea de polarizao inversa. Diodos zener comerciais so produzidos com tenses desde cerca de 4 volts at algumas centenas de volts. So amplamente utilizados para fornecer tenses de referncia (constantes) em fontes estabilizadas e outros circuitos.

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FIGURA 11 Circuito com diodo zener. O circuito da Figura 11 uma configurao bsica (notar o smbolo um pouco diferente do diodo de juno). O diodo zener deve operar sempre na polarizao inversa. Supe-se que a tenso zener do diodo seja por exemplo 5,6 V (um valor comercialmente disponvel). Se a tenso varivel da fonte (V) se mantm acima de 5,6 V, a tenso Vz do circuito ser sempre 5,6 V para qualquer valor da tenso da fonte. evidente que o valor de V no pode subir indefinidamente. Fica limitado pela corrente mxima (Iz max na Figura 01) que o diodo zener pode suportar. 4.5.1 EFEITO DE ZENER Ao aplicar ao dodo uma tenso inversa de determinado valor (VZ) rompida a estrutura atmica do dodo e vencida a zona neutra, originando assim a corrente elctrica inversa. Este efeito verifica-se geralmente para tenses inversas VR <5 Volt e o seu valor pode ser variado atravs do grau de dopagem (percentagem de impurezas) do silcio ou do germnio. 4.5.2 EFEITO DE AVALANCHE Para tenses inversas VR >7 Volt, a conduo do dodo explicada exclusivamente pelo efeito de avalanche. Quando se aumenta o valor da tenso inversa, aumenta tambm a velocidade das cargas elctricas (electres). A velocidade atingida pode ser suficiente para libertar electres dos tomos semicondutores, atravs do choque. Estes novos electres libertados e acelerados libertam outros, originando uma reaco em cadeia, qual se d o nome de efeito de avalanche. Para tenses inversas VR, entre 5V e 7V, a conduo do dodo explicada cumulativamente pelos dois efeitos (efeito de zener e efeito de avalanche).

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5. CONCLUSO Uma das principais aplicaes do diodo zener na implementao de reguladores de tenso. Conforme estudado, no se recomenda usar um regulador zener para regular diretamente a tenso da carga, pois a potncia do zener e do resistor srie seriam muito grandes. 6. REFERNCIAS CALLISTER JR, W. D. Cincia de Engenharia de Materiais: uma Introduo. Boylestad, R. L.; Nashelsky, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic_110.shtml http://www.mundofisico.joinville.udesc.b http://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo_zener

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DIODO SCHOTTKY Larissa Andria Wagner Machado

1. INTRODUO Os dispositivos semicondutores de potncia desempenham um papel fundamental nos sistemas eletrnicos. Alm de controlar valores elevados de potncia necessrio que haja um bom rendimento destes dispositivos, aumentando a eficincia dos equipamentos para o melhor aproveitamento da energia eltrica, visto que esse tambm um recurso limitado para os seres humanos.Estes dispositivos so aplicados em diversos tipos de sistemas, como ilustra a figura 1. que mostra os nveis de corrente e tenso para os diversos tipos de aplicaes. Para tenses abaixo de 100V, as principais aplicaes so: fontes de alimentao para computadores e telecomunicaes, e eletrnica automotiva.

FIGURA 1 - Nveis de tenso e corrente para diversos tipos de aplicaes de dispositivos de potncia O volume de dados processados pelos sistemas de informao, sistemas microprocessados, tem crescido muito nos ltimos tempos, com estes sistemas operando em freqncias cada vez maiores. Com o aumento da freqncia mais e mais corrente drenada, com os nveis de corrente crescendo quase na mesma

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velocidade da freqncia. Para diminuir a potncia dissipada nos dispositivos, necessrio diminuir a tenso de operao destes dispositivos. Outra rea que tem expandido muito nos ltimos tempos o uso de dispositivos de potncia em eletrnica automotiva, impulsionado pela introduo de sistemas de controle de potncia nas cargas que fazem parte do automvel (lmpadas, motores etc.). Estes sistemas operam em altas freqncias devido ao ganho de eficincia e reduo do tamanho de certos componentes, como indutores e transformadores para fontes chaveadas. Com isso h a necessidade de dispositivos semicondutores que operem em alta freqncia, que sejam capazes de conduzir elevadas correntes e suportar tenses relativamente altas. Assim, nos ltimos anos, tem havido um crescente interesse pelo dispositivo de dois terminais chamado de diodo de barreira Schottky, barreira de superfcie ou de portadores quentes. Cuja rea de operao est bastante relaciona com faixas de alta freqncia devido ao seu tempo de resposta rpido e sua figura de rudo reduzida. 2. O DIODO SCHOTTKY CONCEPES GERAIS O diodo Schottky, nos anos 70, foi desenvolvido para suprir os problemas associados com o diodo Pin ,apresenta alta quantidade de carga armazenada na transio da polarizao direta para a reversa resultando numa alta corrente de transitrio, da mesma ordem que a corrente na polarizao direta, este transitrio resulta numa dissipao de potncia que limita a freqncia de chaveamento deste dispositivo. J o diodo Schottky dispositivo apresenta uma queda de tenso em polarizao direta da ordem de 0,55V, reduzindo a potncia dissipada no estado de conduo direta do dispositivo, quando comparado com o diodo Pin, o qual apresenta uma queda de tenso da ordem de 1V nestas condies. Assim no h a necessidade de sistemas sofisticados de refrigerao, para que o componente no seja danificado. Alm disso, o diodo Schottky tem a vantagem de trabalhar em alta freqncia por no apresentar corrente de transitrio no chaveamento. Suas reas de atuao limitavam-se inicialmente a faixas de altas freqncias, devido ao seu tempo de resposta rpido e sua figura de rudo reduzida. Mais recentemente, no entanto, esse dispositivo tem sido cada vez mais empregado em fontes de potncia de baixa tenso/alta corrente e em conversores ac/dc. Outras reas de aplicao de dispositivo incluem sistemas de radar e lgica

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TTL Schottky para computadores, misturadores e detectores em equipamentos de comunicaes, instrumentao e conversores analgico-digitais. 2.1 CARACTERSTICAS A montagem dele bem diferente da juno p-n, convencional, pois uma juno de metal semicondutor criada, como mostra a Figura 2.

FIGURA 2 - Diodo de portadores quentes O semicondutor geralmente de silcio tipo n (embora, s vezes, o silcio tipo p seja utilizado), e so usados vrios tipos de metal, como molibdnio, platina, cromo ou tungstnio. O substrato altamente dopado para minimizar a resistncia srie do dispositivo e estabelecer um bom contato hmico no ctodo do diodo. Tcnicas de fabricao diferentes resultam em conjuntos diferentes de caractersticas para o dispositivo, como faixas ampliadas de freqncia de operao, nveis baixos de polarizao direta etc. Geralmente, a montagem do diodo Schottky resulta em uma regio de juno mais uniforme e com um nvel elevado de robustez. O contato metal semicondutor apresenta algumas caractersticas importantes como baixa queda de tenso quando em conduo, alta velocidade de comutao e carga de portadores minoritrios armazenada quase nula na comutao, o que proporciona sua utilizao em aplicaes de alta freqncia e sistemas que trabalham com baixo nvel de tenso. Em ambos os materiais (o metal e o semicondutor), o eltron o portador majoritrio. No metal, o nvel de portadores minoritrios (buracos ou vacncias)

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insignificante. Quando os materiais so unidos, os eltrons no material semicondutor de silcio do tipo n fluem de imediato para o metal agregado, estabelecendo um fluxo intenso de portadores majoritrios. Como os portadores injetados tm um nvel de energia cintica muito alta em comparao aos eltrons do metal, eles so geralmente chamados de portadores quentes. Na juno p-n convencional, existia a injeo de portadores minoritrios na regio de juno, mas agora, os eltrons so injetados em uma regio com a mesma pluralidade de eltrons. Os diodos Schottky so nicos, pois a conduo totalmente realizada pelos portadores majoritrios. O fluxo intenso de eltrons para o metal cria uma regio prxima superfcie de juno com depleo de portadores, no material de silcio, semelhante regio de depleo no diodo de juno p-n. Os portadores adicionais no metal estabelecem neste uma parede negativa, na fronteira entre os dois materiais. O resultado disso uma barreira na superfcie entre os dois materiais, impedindo qualquer fluxo de corrente. Ou seja, qualquer eltron (carga negativa) no material de silcio enfrenta uma regio de portadores livres e uma parede negativa na superfcie do metal. A aplicao de uma polarizao direta reduz a fora da barreira negativa atravs de atrao dos eltrons nessa regio pelo potencial negativo aplicado. O resultado o retorno do fluxo intenso de eltrons atravs da juno e o eu valor controlado pelo valor do potencial aplicado. A barreira na juno de um diodo Schottky menor que a dos dispositivos de juno p-n tanto na regio diretamente polarizada quanto na inversamente polarizada. Portanto, o resultado uma corrente mais alta para a mesma polarizao aplicada em ambas as regies. Esse efeito desejvel na regio diretamente polarizada, mas muito indesejvel na regio inversamente polarizada. Essa uma limitao nas caractersticas do diodo Schottky, a alta corrente reversa, resultando em baixos valores de tenso reversa de ruptura. Algumas tcnicas so utilizadas para aumentar o valor da tenso de ruptura, como a implementao de anel de guarda, tratamento da superfcie do silcio, ajuste nas caractersticas do processo de deposio do metal de contato Schottky, entre outras. Diodos com elevado valor de tenso de ruptura podem ser obtidos utilizando outros materiais semicondutores como o arseneto de glio (GaAs), carbeto de silcio (SiC), e outros, devido ao valor maior da banda de energia proibida. Porm para aplicaes de baixa tenso, menor que 100V, o diodo Schottky com substrato de

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silcio o mais adequado, devido ao menor custo do processo de fabricao e facilidade de trabalhar com o silcio em relao com esses outros materiais. Alguma caracterstica importante deste dispositivo a altura da barreira de potencial e corrente de conduo reversa. A altura da barreira de potencial (depleo), tambm chamada de barreira Schottky, determinam a queda de tenso direta no diodo para determinado valor de corrente de conduo. As figuras 3 e 4 mostram a influncia da altura da barreira nas caractersticas I x V direta e reversa do diodo.

FIGURA 3 - Curvas IXV de diodo Schottky para diferentes valores de altura de barreira Schottky

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FIGURA 4 - Curvas Log(I) x V reversa de diodo Schottky para diferentes valores de altura de barreira Schottky Outra caracterstica importante do diodo Schottky a possibilidade de operar em altas freqncias, j que a corrente neste dispositivo principalmente resultante do fluxo de portadores majoritrios. A figura 5 compara um diodo p-n e um diodo Schottky no chaveamento com uma onda quadrada de 5kHz.

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FIGURA 5 - Curvas de transitrio dos diodos p-n e schottky para onda quadrada de freqncia de 5khz. 3. CONTATO METAL-SEMICONDUTOR 3.1 ANLISE AO NVEL ATMICO O estudo das caractersticas do contato metal semicondutor pode ser feito atravs do diagrama de bandas de energia dos slidos. A figura 6 mostra o aspecto do diagrama de bandas do contato metal semicondutor ideal. A figura mostra que a funo trabalho do metal M maior que a funo trabalho do semicondutor S = ( + Ec) ou ainda, o nvel de Fermi do semicondutor est em um nvel mais alto de energia que o nvel de Fermi do metal. Neste caso, antes do contato fsico ser estabelecido, os eltrons do semicondutor esto em um nvel de energia mais alto que os eltrons do metal. Quando os materiais so ligados atravs de um fio condutor, o sistema busca a situao de equilbrio, onde os eltrons do semicondutor e do metal ficam num mesmo nvel de energia, igualando os nveis de Fermi dos materiais. Assim, eltrons da superfcie do semicondutor so transportados para o metal, deixando ons positivos para manter a neutralidade do sistema, formando uma regio de depleo. Nesta regio h uma concentrao menor de eltrons do que no substrato, resultando numa inclinao das bandas de energia, de valncia e de conduo, na regio de depleo. No caso de um

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semicondutor tipo n, as bandas de energia prxima superfcie, inclinam no sentido de que a banda de conduo se afaste do nvel de Fermi, indicando que a concentrao de eltrons nesta regio menor. Se distncia entre os materiais for menor, mais eltrons so transportados para o metal. O aumento da concentrao de eltrons que vieram do semicondutor faz com que a carga negativa da superfcie do metal aumente, e ao mesmo tempo os eltrons que deixaram o semicondutor aumentam a carga positiva da regio de depleo, aumentando a largura dessa regio. Com isso, o encurvamento das bandas de energia aumenta. A situao limite ocorre quando a distncia entre os materiais for nula e ento a quantidade mxima de eltrons foi transportada para o metal, resultando numa inclinao mxima das bandas de energia. Assim, pode se observar a formao de uma barreira de potencial que os eltrons devem vencer para passar do semicondutor para o metal. Observe que quanto maior for a funo trabalho do metal, maior ser a altura da barreira de potencial do metal para o semicondutor, pois neste caso os nveis de Fermi dos materiais ficam mais afastados.

FIGURA 6 - Diagrama de bandas da juno metal semicondutor em diferentes estados de superfcie,para semicondutor tipo n e metal com funo trabalho maior que do semicondutor. No caso da juno metal-semicondutor real, existe estados na superfcie do semicondutor, provenientes de defeitos cristalogrficos, incluindo a descontinuidade da rede, ou impurezas absorvidas na superfcie. A figura 7 mostra o diagrama de bandas da juno metal semicondutor com estados na superfcie. Pode se observar que estes estados esto espalhados na superfcie do semicondutor e possui um nvel neutro, o , ou seja, a posio que o nvel de Fermi deve ocupar para que a o estiver acima do nvel de carga efetiva dos estados de interface seja nula. Se

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Fermi, os estados da superfcie apresentam uma carga efetiva (QSS) positiva. No balano de cargas do sistema, carga no metal(QM), carga na regio de depleo(QD) e carga na superfcie(QSS), temos que: QM + QD + QSS = 0. Portanto se QSS tem valor positivo, QD tem valor menor para balancear a carga negativa na superfcie do metal. Com isso a largura da regio de depleo menor e conseqentemente o encurvamento das bandas de energia menor. Como a altura da barreira de potencial proporcional ao encurvamento das bandas, ela tambm menor. Essa reduo na barreira de potencial equivale ao nvel o ser puxado para baixo para se igualar ao nvel de Fermi. Se em outro caso o estiver abaixo do nvel de Fermi, os estados da superfcie apresentam uma carga efetiva negativa. Neste caso necessrio uma carga positiva, QD, maior para balancear a carga negativa. Dessa forma a regio de depleo e o encurvamento das bandas maior, resultando no aumento da altura da barreira de potencial. Se a densidade de estados na superfcie for muito alta, QSS ser suficiente para compensar a carga negativa do metal. Assim, para o caso em que nvel de Fermi fixo no nvel o, a altura da barreira de potencial independente da funo trabalho do metal, sendo funo das caractersticas da superfcie do semicondutor. Este caso conhecido como o limite de Bardeen.

FIGURA 7 - Nvel neutro ( o ) dos estados de superfcie A tabela 1 mostra a funo trabalho ( M) de alguns metais e a altura da barreira de potencial medida em barreiras Schottky formadas com Silcio (Si), Germnio (Ge) e Arseneto de Glio (GaAs).

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TABELA 1 - Funo de trabalho dos metais e a altura de barreira Schottky para alguns semicondutores
Ag M (V) n-Ge p-Ge n-Si p-Si n-GaAs p-GaAs 4,30 0,54 0,50 0,78 0,54 0,88 0,63 Al 4,25 0,48 0,72 0,58 0,80 Au 4,80 0,59 0,30 0,80 0,34 0,90 0,42 Cr 4,50 0,61 0,50 Ni 4,50 0,49 0,61 0,51 Pt 5,30 0,90 0,84 W 4,60 0,48 0,67 0,45 0,80 WSi2 0,65 -

3.2 TRANSPORTE DA CORRENTE ELTRICA ATRAVS DA JUNO Os principais agentes responsveis pelo transporte da corrente eltrica na juno - metal/semicondutor - so os portadores majoritrios, eltrons para semicondutores tipo n e lacunas para os semicondutores tipo p. O fluxo de corrente na juno resultado de vrios fenmenos de transporte de portadores: 1) emisso terminica, ou seja, transporte de portadores do semicondutor para o metal sobre a barreira de potencial; 2) tunelamento (efeito da mecnica quntica); 3) recombinao de portadores na regio de carga espacial; 4) injeo de portadores minoritrios do metal para o semicondutor, o que equivale ao movimento de eltrons do semicondutor para o metal, deixando uma lacuna no semicondutor que se recombina com um eltron na regio neutra. Para o caso de semicondutor moderadamente dopado operando em temperaturas moderadas (prximas da ambiente) a corrente eltrica na juno predominantemente dos eltrons que atravessam a juno sobre a barreira de potencial. Este fenmeno descrito pela teoria de emisso terminica e pela teoria da difuso. Uma sntese dessas duas teorias, emisso terminica e difuso, foi proposta por Crowell e Sze, denominada teoria difuso-terminica. Se os efeitos de espalhamento dos fnons, reflexo e tunelamento quntico forem includos na anlise da corrente na juno metal semicondutor, a expresso completa das caractersticas J-V dada pela equao 1.

(1) Onde a corrente de saturao JS dada pela expresso 2.

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(2) O termo A** a constante de Richardson para uma juno metal semicondutor real, ou seja, considera os efeitos qunticos e de espalhamento dos fnons. Esta constante calculada pela equao 3.

(3) Onde fP e fQ so respectivamente a probabilidade de um eltron ser emitido por cima da barreira de potencial e a razo entre a corrente que flui considerando os efeitos qunticos e a corrente que flui sem considerar tais efeitos. Para campos eltricos na faixa de 104 a 2.105 V/cm e o semicondutor com concentrao ND (dopagem do substrato) de 1016 cm-3, operando em temperatura ambiente (T=300K), A** 110 A/cm2/K2 para semicondutor tipo n e A** 30 A/cm2/K2 para semicondutor tipo p. Para semicondutores muito dopados ou para dispositivos operando em baixas temperaturas, a corrente de tunelamento torna-se o processo dominante no transporte da corrente eltrica na juno metal semicondutor. A alta dopagem faz com que o semicondutor seja degenerado e assim a largura da regio de depleo se torna muito pequena, ficando fcil o eltron tunelar atravs da barreira de potencial. Assim a expresso que calcula a corrente eltrica na juno metal semicondutor, considerando outros fenmenos de transporte de corrente, alm da emisso terminica, recebe o coeficiente n no denominador da exponencial da equao 1, chamado de fator de idealidade.

(4) E para V > (k.T/q) a exponencial fica muito maior do que 1 e assim a equao 4 pode ser aproximada para a equao 5

(5) O fator de idealidade dado pela equao 6

(6)

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O fator de idealidade um indicativo de quais processos atuam no valor total da corrente na juno. Para n=1, a corrente devido ao processo de emisso terminica e para n 1, outros processos contribuem no valor da corrente na juno. Quanto mais prximo de 1 for o fator de idealidade melhor o desempenho do dispositivo, pois os outros processos de transporte de corrente na juno, alm da emisso terminica, no so bem controlados, levando o dispositivo a apresentar caractersticas no desejveis, como por exemplo, alta corrente de fuga. O diodo de barreira Schottky um dispositivo cujo transporte de corrente devido aos portadores majoritrios. Porm para valores de tenso direta suficientemente alto aplicado na juno, ocorre um aumento na taxa de injeo de portadores minoritrios devido ao crescimento da componente de deriva que se torna muito maior que a componente de difuso da corrente na juno. Em dispositivos que operam com tenses baixas, este fenmeno no muito relevante, mas para dispositivos de potncia, a corrente devido injeo de portadores minoritrios pode representar uma significante parcela do valor total da corrente que atravessa a juno Schottky. 4. PROCESSO DE FABRICAO DOS DIODOS SCHOTTKY 4.1 OTIMIZAO As principais vantagens do diodo Schottky em relao a outros tipos de diodos so: operao em aplicaes de alta freqncia, devido ao no armazenamento de cargas minoritrias na comutao, e o baixo valor de tenso de joelho (V ) proporcionando uma baixa queda de tenso direta. Porm este tipo de dispositivo fabricado em substrato de silcio apresenta alta corrente reversa e baixa tenso de ruptura. Mas existem algumas tcnicas utilizadas no projeto deste diodo para melhorar seu desempenho, obtendo valores maiores de tenso de ruptura e diminuindo a corrente reversa, aumentando assim seu campo de aplicao. Algumas tcnicas utilizadas so: construo do dispositivo utilizando lminas com camada epitaxial de baixa dopagem, tcnicas de passivao de estados na superfcie da lmina de silcio onde feito o contato Schottky, utilizao de sobreposio de metal e anel de guarda, otimizao da relao rea/permetro do dispositivo e utilizao de grade de difuso p.

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A sobreposio de metal utilizada para suavizar a regio de depleo nas bordas do diodo Schottky, acabando com a terminao abrupta dessa regio que pode ser observada no diodo Schottky convencional (figura 8).

FIGURA 8 - Regio de depleo nas bordas do diodo Schottky Desta maneira a sobreposio de metal diminui a concentrao de linhas de campo eltrico nas bordas do dispositivo (figura 9). medida que a tenso de polarizao reversa aumenta, a regio sob a sobreposio de metal pode inverter, ou seja, ocorre um acumulo de lacunas nesta regio, fazendo com que a regio de depleo termine abruptamente nas bordas do dispositivo, como ocorre no diodo Schottky convencional. Desta forma o campo eltrico nesta regio sofre um aumento considervel, resultando na ruptura do diodo.

FIGURA 9 Diminuio da concentrao das linhas de campo nas bordas Outro mecanismo utilizado para resolver este problema a utilizao de anel de guarda formado por uma difuso p (Boro) em substrato tipo n. Neste caso o anel de guarda elimina a terminao abrupta nas bordas da regio do contato Schottky (figura 10), atravs da formao da regio de depleo da juno p/n. Alm disso, com o diodo polarizado diretamente h uma injeo de portadores minoritrios, lacunas da regio do anel de guarda, na regio de baixa dopagem da camada epitaxial, diminuindo a resistividade nesta regio, pois com o aumento da concentrao de lacunas na regio epitaxial, a concentrao de eltrons tambm deve aumentar mantendo a neutralidade de cargas na regio neutra. Porm esta

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estrutura apresenta a desvantagem de possuir tempo de recuperao reversa, na mudana de estado (conduzindo/cortado) do diodo e capacitncia parasita nas junes p/n.

FIGURA 10 Eliminao da terminao abrupta das bordas do contato A corrente de fuga do diodo Schottky esta relacionada com o permetro do dispositivo, pois a quantidade de defeitos existentes nas limitaes do dispositivo (resultantes do corte da lmina para encapsulamento dos dispositivos, tratamentos qumicos, gerao de portadores pelos estados de superfcie na lateral, etc) diretamente proporcional ao permetro do dispositivo construdo. Assim, quando estabelecida a rea do dispositivo, necessrio projet-lo para que ele possua o menor permetro possvel. A figura geomtrica que possui a menor relao permetro/rea o circulo, porm dispositivos de rea circular no so viveis economicamente devido grande perda da rea da lmina de silcio. Assim, a figura geomtrica que apresenta o melhor resultado o quadrado, j que para um mesmo valor de rea ele apresenta o menor permetro, comparado com outras figuras retangulares possveis de serem formadas. Alm de projetar dispositivos com o menor permetro possvel, o arredondamento dos cantos elimina o efeito das pontas, ou seja, a alta concentrao de campo eltrico nesta regio pode resultar em correntes de fuga. Assim arredondando os cantos do contato metlico, diminumos este efeito de degradao do dispositivo. Uma das causas da ruptura precoce do diodo Schottky o efeito da diminuio da barreira de potencial quando uma tenso reversa aplicada na juno Schottky. Para suprimir este efeito, pode ser utilizada uma grade de linhas paralelas de difuso tipo p ao longo do dispositivo conforme a figura 11.

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FIGURA 11 Utilizao de linhas paralelas de difuso do tipo p 5. ESTRUTURAS Existem vrias estruturas de diodo Schottky, desde o diodo Schottky convencional formado apenas por um contato metlico na superfcie do silcio, at estruturas mais complexas que possuem anel de guarda e sobreposio de metal para melhorar as caractersticas eltricas do dispositivo. O objetivo do projeto obter o processo de fabricao do diodo Schottky com nveis de corrente e tenso para aplicaes de potncia, baixa dissipao de energia e com estabilidade fsica em funo das etapas de recozimento durante o processo de fabricao. 5.1 DIODO SCHOTTKY CONVENCIONAL Nesta estrutura o diodo formado apenas por um contato metlico no semicondutor. Este tipo de dispositivo geralmente possui caractersticas I-V direta e reversa no muito boas, apresentando alta corrente de fuga e baixa tenso de ruptura.

FIGURA 12 Diodo schottky convencional 5.2 DIODO SCHOTTKY COM SOBREPOSIO DE METAL A sobreposio de metal utilizado nesta estrutura para eliminar os efeitos de borda para baixas tenses de polarizao reversa do diodo Schottky. Esta estrutura

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pode ser formada utilizando-se xido de silcio nas bordas do diodo para formar sobreposio de metal.

FIGURA 13 Diodo Schottky com sobreposio de metal 5.3 DIODO SCHOTTKY COM ANEL DE GUARDA Este diodo Schottky possui anel de guarda em sua estrutura para eliminar os efeitos de borda do dispositivo. O anel de guarda formado por uma difuso do tipo p no substrato tipo n. A juno p/n formada pelo anel de guarda e o substrato resolve o problema da terminao abrupta da regio de depleo na borda do diodo convencional, podendo assim o dispositivo trabalhar com tenses mais elevadas. Como este dispositivo possui alto valor de tenso de ruptura, ele o mais adequado para aplicaes de potncia.

Figura 14 Diodo Schottky com anel de guarda 5.4 DIODO SCHOTTKY COM GRADE DE LINHAS DE DIFUSO. Neste dispositivo, a grade formada por linhas paralelas de difuso do tipo p, ao invs de ter um anel de guarda na periferia do dispositivo como no caso anterior.

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Figura 15 - Diodo Schottky com linhas de difuso 6. ALGUNS PROCESSOS ENVOLVIDOS 6.1 LIMPEZA A limpeza das lminas de silcio fundamental num processo de microfabricao, pois nesta etapa so reduzidos, ao menor nmero possvel, a quantidade de impurezas e os contaminantes na superfcie do substrato de silcio onde ocorrero os processos subseqentes. As principais impurezas removidas por esta limpeza so: Gorduras, xido nativo, metais, ons alcalinos partculas. A qualidade e desempenho dos dispositivos dependem fortemente desta etapa no processo de fabricao. 6.2 OXIDAO TRMICA PARA OBTENO DE XIDO DE CAMPO O processo de oxidao do silcio uma das etapas fundamentais no processo de fabricao de dispositivos. O xido de silcio (SiO2 ) tem diversas funes como: - mscara contra difuso ou implantao de impurezas - isolao entre dispositivos (xido de campo) - dieltrico para estruturas MOS - isolao entre multinveis de metal As principais tcnicas para a obteno do xido so: - oxidao trmica (oxidao mida, oxidao seca e RTP - Rapid Thermal Process) - anodizao mida - deposio qumica em fase vapor (CVD) - oxidao por plasma

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O processo de oxidao trmica ocorre com a superfcie do silcio exposta em ambiente oxidante, formando uma camada de xido de Silcio, devido reao do oxignio com o silcio. H dois tipos de oxidao trmica: oxidao trmica mida e seca. O processo de oxidao mida realizado utilizando vapor dgua como espcie oxidante. Este processo de oxidao mais rpido que o processo de oxidao seca, porm o xido produzido poroso devido presena de hidrognio. Contudo o xido obtido atende as necessidades de aplicaes como xido de campo e xido de mascaramento. O processo de oxidao seca utiliza oxignio seco como espcie oxidante. Este processo de oxidao mais lento que o anterior, porm o xido obtido de melhor qualidade, mais denso, proporcionando uma densidade de cargas efetivas menor, necessrio em certas aplicaes. Junto com o oxignio pode ser utilizado o gs TCE (Tricloroetileno), ou outra fonte de cloro, que reage com certas impurezas como os ons alcalinos, principalmente o sdio que uma partcula mvel no xido. 6.3 OBTENO DA REGIO TIPO P E DOPAGEM NAS COSTAS DA LMINA PARA FORMAO DO CONTATO HMICO Regies dopadas no silcio podem ser obtidas atravs de processos de difuso ou de implantao inica das espcies dopantes. A tcnica de implantao inica proporciona melhor controle da profundidade de juno e da concentrao de dopantes, em comparao com a tcnica de difuso. Porm, o implantador de ons um aparelho de custo elevado e sua aplicao se torna primordial em aplicaes que necessitam de um alto grau de controle sobre estas variveis. Para a fabricao do diodo Schottky, a tcnica de difuso a mais apropriada, pela simplicidade do processo e baixo custo. Esta tcnica consiste basicamente na formao de um feixe de ons do elemento a ser implantado sendo manipulado, atravs de campos eletrostticos horizontais e verticais, para fazer uma varredura xy na lmina a ser implantada, obtendo assim uma concentrao uniforme de impurezas aps a implantao. A lmina fica dentro de um copo de Faraday conectado a um integrador de corrente eltrica. Desta forma cada on que entra dentro do copo de Faraday contado e assim podemos obter uma preciso muito grande do nmero de ons implantados na lmina. Dividindo o nmero de ons implantados pela rea da abertura do copo, podemos obter a concentrao de dopantes por unidade de rea.

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Os ons ao incidirem na superfcie da lmina iro penetrar na rede cristalina e se chocar com os ncleos dos tomos dessa rede, perdendo velocidade at atingir a posio de repouso. Em adio, ocorre freiamento pela interao entre os eltrons do on implantado e do material. Os choques nucleares resultam em defeitos na rede cristalina e dependendo da quantidade de defeitos resultantes da implantao, a matriz originalmente cristalina pode tornar-se amorfa. Alm disso, os ons implantados esto na forma intersticial na rede cristalina, e, portanto, precisam receber energia trmica para se tornarem substitucionais para se comportarem como dopantes no cristal. Assim, para eliminar os defeitos e ativar os dopantes implantados, aps a implantao inica feito um recozimento trmico em ambiente com gs inerte (N2). 6.4 OBTENO DA REGIO DE CONTATO METLICO O processo de liftoff pode ser utilizado para definir as regies de contato metlico no diodo Schottky. Esta tcnica consiste na deposio do fotorresiste sobre a superfcie da lmina e por processo fotolitografico, expor as regies da lmina onde sero estabelecidos os contatos metlicos. muito importante que o fotorresiste revelado tenha um perfil negativo, para que ao depositar o filme metlico, este apresente descontinuidade entre a superfcie da lmina e a superfcie do resiste. Desta maneira, ao removermos o fotorresiste, o metal sobre o fotorresiste removido junto, ficando somente o metal em contato com a superfcie da lmina. Na construo do diodo Schottky, a tcnica de liftoff utilizada para definir as regies de contato Schottky do diodo. Mas, alm da tcnica de liftoff, as regies de contato metlico podem ser definidas pelo processo de fotogravao convencional, assim como o usado para obter as regies de anel de guarda e contato Schottky. 7. CONCLUSO Atravs desse trabalho pode-se comprovar aplicaes da teoria estudada em sala de aula, para engenharia eltrica em especifico. A anlise dos princpios de funcionamento do diodo Schottky a um nvel subatmico deixou clara a importncia dos estudos sobre teoria de bandas em Matrias Eltricos. No fossem os estudos realizados nesta rea, no estaramos experimentando tanta evoluo na microeletrnica, e para sistemas de alta freqncia. Afinal, a velocidade dos computadores, por exemplo, depende da

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rapidez com que os seus diodos e transistores podem chavear, neste contexto que se encaixa o diodo Schottky. Pelo fato de no ter armazenamento de carga, o diodo Schottky se tornou pea fundamental da TTL Schottky, famlia de dispositivos digitais amplamente utilizados. Apesar de todas as limitaes que o dispositivo pode ter, o estudo dos materiais, processos de dopagem, obteno do contato metlico, entre outros, so importantssimos e podem muitas vezes corrigir os problemas. REFERNCIAS BOYLESTAD, Robert L. NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8.ed. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004. MALVINO, Albert Paul. Eletrnica: volume 1. 4.ed. So Paulo: Pearson Makron Books, 1997. SOUZA, Pablo Rodrigo. Estudos de processos de fabricao de diodo Schottky de potencia. Campinas, SP: [s.n.], 2003. COMPONENTES SEMICONDUTORES RPIDOS DE POTNCIA. Disponvel em < http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/htmlfile/harmo/fpcap3/cap3.html>. Acesso em 8 jul. 2008.

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DIODOS SEMICONDUTORES Rodrigo Alexssandre Budel

1. DIODOS SEMICONDUTORES 1.1 INTRODUO AOS SEMICONDUTORES Quando os tomos de silcio se combinam entre si para formar um slido, eles se arranjam numa configurao ordenada denominada cristal, as foras que mantm os tomos unidos so denominadas ligaes covalentes, no cristal, o tomo de silcio posiciona-se entre outros quatro tomos de silcio, cada vizinho a compartilhar um eltron com o tomo central. O tomo central passa a possuir ento oito eltrons na rbita de valncia e os oito eltrons no pertencem ao tomo central, so compartilhados pelos quatro tomos em volta. 1.2 BANDAS DE ENERGIA Quando os tomos de silcio se combinam para formar um cristal, a rbita de um eltron sofre a influncia das cargas dos tomos adjacentes, cada eltron tem uma posio diferente dentro do cristal, nenhum v exatamente a mesma configurao de cargas vizinhas, assim a rbita de cada eltron modificada. Os nveis de energia associados s rbitas formam nuvens ou bandas (Figura 1).

FIGURA 1 Bandas de energia de um condutor

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1.3 CONDUO EM CRISTAIS 1.3.1 A CONDUO NUM FIO DE COBRE Cada tomo de cobre possui um eltron livre, como cada eltron percorre uma rbita extremamente grande (alto nvel de energia), o eltron mal pode sentir a atrao do ncleo. Num pedao ou fio de cobre, os eltrons livres esto contidos numa banda de energia denominada banda de conduo, capazes de produzir correntes altas. 1.3.2 A CONDUO NUM CRISTAL DE SILCIO A Figura (a) mostra uma barra de silcio com extremidades metlicas e uma tenso externa estabelece um campo eltrico entre as extremidades dos cristais.

FIGURA 2 - (a) Circuito (b) Bandas de energia temperatura de zero absoluto. 1.4 ZERO ABSOLUTO No zero absoluto, todos os eltrons de valncia esto fortemente presos aos tomos de silcio, a participar das ligaes covalentes entre os tomos, a banda de conduo est vazia e no h corrente no silcio (Figura (b)). 1.5 ACIMA DO ZERO ABSOLUTO A energia trmica quebra algumas ligaes covalentes, isto , envia alguns eltrons da banda de valncia para a banda de conduo, sob ao do campo

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eltrico, estes eltrons livres movem-se para a esquerda e estabelecem uma corrente (Figura 2 (a)). Cada vez que um eltron bombeado para a banda de conduo, cria-se uma lacuna na banda de valncia. A banda de valncia j no se encontra saturada ou preenchida, cada lacuna na banda de valncia representa uma rbita de rotao disponvel. Quanto mais alta a temperatura, maior o nmero de eltrons de valncia empurrados para a banda de conduo e maior a corrente. temperatura ambiente (25C) a corrente pequena demais para ser utilizvel, um pedao de silcio no bom isolante nem bom condutor, por esta razo chamado semicondutor.

FIGURA 3 - (a) Fluxo de eltrons (b) Faixas de energia temperatura ambiente 1.6 SILCIO VERSUS GERMNIO O germnio, um outro elemento tetravalente, foi amplamente usado no incio do estudo dos semicondutores, temperatura ambiente, um cristal de silcio no possui praticamente eltrons livres, quando comparado a um cristal de germnio sob as mesmas condies. 1.7 CORRENTE DE LACUNAS Um semicondutor oferece dois trajetos para corrente, um associado a eltrons na banda de conduo e outro associado a eltrons na banda de valncia. Observe o mecanismo de conduo na banda de valncia ilustrado na figura (a).

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A lacuna na extremidade direita da figura (a) atrai o eltron em A. Apenas com uma pequena variao de energia o eltron de valncia em A pode se deslocar para a lacuna, sendo que a inicial desaparece e uma nova lacuna aparece no ponto A. A nova lacuna em A atrai o eltron de valncia em B, e quando o eltron deslocase para A, a lacuna desloca-se para B. Os eltrons de valncia podem continuar a deslocar-se ao longo do trajeto mostrado pelas setas, enquanto as lacunas deslocam-se no sentido oposto. Pelo fato de haver lacunas nas rbitas de valncia, h um segundo percurso ao longo do qual os eltrons podem se deslocar dentro do cristal. Na Figura 4 (b) ilustra-se a conduo de lacunas em termos de nvel de energia. A energia trmica bombeia um eltron da banda de valncia para a banda de conduo, abrindo-se uma lacuna. Com uma pequena variao de energia, o eltron de valncia em A pode se deslocar para a lacuna. Quando isto ocorre, a lacuna inicial desaparece e uma nova lacuna aparece em A. A seguir, um eltron de valncia em B pode se deslocar para a nova lacuna com uma pequena variao de energia. Com pequenas variaes de energia os eltrons de valncia podem se deslocar ao longo do trajeto indicado pelas setas. Isso equivale a um movimento da lacuna atravs da banda de valncia ao longo do trajeto ABCDEF.

FIGURA 4 - (a) Corrente de lacunas (b) Diagrama de energia para a corrente de lacunas.

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1.8 PARES ELTRON-LACUNA A aplicao de uma tenso externa ao cristal fora os eltrons a deslocaremse. Na figura 5 (a) h dois tipos de eltrons mveis, os eltrons da banda de conduo e os eltrons da banda de valncia, sendo que o movimento para a direita dos eltrons de valncia indica que as lacunas esto a se deslocar para a esquerda, em um semicondutor puro, as existncias de cada eltron na banda de conduo garante a existncia de uma lacuna na rbita de valncia de algum tomo, pode-se dizer ento que a energia trmica produz pares eltrons-lacunas. As lacunas agem como se fossem cargas positivas e por esta razo so Indicadas pelo sinal de mais na figura 5 (b). O Efeito Hall confirma o comportamento das lacunas como cargas positivas.

FIGURA 5 - Dois trajetos para a corrente. 1.9 RECOMBINAO Na Figura 5 (b) ocasionalmente a rbita da banda de conduo de um tomo pode interceptar a rbita da lacuna de um outro, freqente ento que um eltron da banda de conduo passe para uma lacuna, este desaparecimento de um eltron livre e de uma lacuna chamado recombinao, e quando ocorre a recombinao a lacuna desaparece, ocorrendo constantemente num semicondutor. A energia trmica

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incidente mantm a produo de novas lacunas a elevar os eltrons de valncia banda de conduo. O tempo mdio entre a criao e o desaparecimento de um par eltron-lacuna chamado meia vida, que varia de poucos nanosegundos at vrios microsegundos, dependendo de quo perfeita a estrutura do cristal, dentre outros fatores. 1.10 DOPAGEM Um cristal de silcio puro um semicondutor intrnseco, para a maioria das aplicaes, no h eltrons livres nem causas suficiente num semicondutor intrnseco para produzir uma corrente utilizvel. A dopagem significa introduzir tomos de impurezas num cristal de modo a aumentar tanto o nmero de eltrons livres quanto o nmero de lacunas, o cristal passa a se chamar semicondutor extrnseco. 1.11 SEMICONDUTOR TIPO-N Para se conseguir eltrons da banda de valncia a mais, podem-se acrescentar tomos pentavalentes, que possui inicialmente 5 eltrons na rbita de valncia depois de formar ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos, o tomo pentavelente central possui um eltron a mais que sobra e como a rbita de valncia no pode conter mais de oito eltrons, o eltron que sobra precisa percorrer uma rbita da banda de conduo, na figura 6 (b), h um grande nmero de eltrons da banda de conduo produzido principalmente pela dopagem. H tambm algumas lacunas criadas pela energia trmica, o silcio dopado dessa forma denominado semicondutor tipo-n, onde n significa negativo, em um semicondutor tipo-n, os eltrons so denominados portadores majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios. Os tomos pentavalentes so denominados doadores, pois fornecem eltrons de banda de conduo. Exemplos: arsnio, antimnio e fsforo.

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FIGURA 6 Dopagem com impureza doadora. 1.12 SEMICONDUTOR TIPO-P Ao se utilizar uma impureza trivalente (3 eltrons na camada de valncia), apenas 7 eltrons se encontraro nas suas rbitas de valncia, e aparece uma lacuna em cada tomo trivalente. Um semicondutor dopado com uma impureza trivalente conhecido como semicondutor do tipo-p, onde a letra p significa positivo. Na figura, as lacunas de um semicondutor tipo-p excedem de longe os eltrons da banda de conduo, as lacunas so os portadores majoritrios enquanto que os eltrons da banda de conduo so os portadores minoritrios. tomos trivalentes so tambm conhecidos como tomos aceitadores porque cada lacuna que eles fornecem pode aceitar um eltron durante a recombinao. Exemplos: Alumnio, boro e glio.

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FIGURA 7 - Dopagem com impureza aceitadora 1.13 RESISTNCIA DE CORPO Um semicondutor dopado ainda possui resistncia eltrica, denominada resistncia de corpo, quando levemente dopado, possui resistncia de corpo alta, medida que a dopagem aumenta, a resistncia de corpo diminui. A resistncia de corpo tambm chamada resistncia hmica, uma vez que obedece a lei de Ohm. 1.14 O DIODO NO POLARIZADO possvel produzir um cristal com dopagem parte tipo-p e parte tipo-n, denominado cristal pn ou diodo (Figuras 8(a) e (b))., a primeira figura (a) mostra o cristal pn no instante de sua formao. O lado p possui vrias lacunas (portadores majoritrios) e o lado n possui vrios eltrons livres (tambm portadores majoritrios).

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FIGURA 8 - (a) Antes da difuso (b) Depois da difuso 1.15 CAMADA DE DEPLEO Devido repulso mtua, os eltrons livres no lado n difundem-se (espalham se) em todas as direes, sendo que alguns atravessam a juno, quando um eltron livre sai da regio n, a sua sada cria um tomo carregado positivamente (um on positivo) na regio n, o eltron, como um portador minoritrio na regio p, possui uma vida mdia curta. Logo aps penetrar na regio preenche uma lacuna, quando isso acontece, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente (um on negativo). Cada vez que um eltron difunde-se atravs da juno, ele cria um par de ons (Figura 8 (b)), ons esto fixos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente e no podem se deslocar livremente como os eltrons livres e as lacunas, medida que o nmero de ons aumenta, a regio prxima a juno fica totalmente esgotada de eltrons livres ou lacunas, a regio criada na juno chama-se camada de depleo. 1.16 BARREIRA DE POTENCIAL Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira a impedir o prosseguimento da difuso de eltrons livres atravs da juno, a intensidade da camada de depleo continua a aumentar com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. Nesse ponto, a repulso interna da camada de depleo interrompe a difuso dos eltrons livres atravs da juno, sendo a diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial.

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A 25C, esta barreira de potencial aproximadamente igual a 0,7V para os diodos de silcio (0,3V para os diodos de germnio). 1.17 POLARIZAO DIRETA A figura 9 (a) mostra um diodo ligado a uma fonte de tenso CC em polarizao direta, isto , com o terminal positivo da fonte ligado regio p e o lado negativo da fonte ligado regio n.

FIGURA 9 - (a) Polarizao direta (b) Bandas 1.18 CORRENTE DIRETA ALTA A polarizao direta produz uma alta corrente direta, e o terminal negativo da fonte repele eltrons livres da regio n em direo juno, esses eltrons, com energia adicional, podem atravessar a juno e encontrar as lacunas, combinando ocorre em distncias variveis a partir da juno, dependendo de at onde um eltron livre possa evitar o encontro com uma lacuna. As chances de recombinao so maiores perto da juno, e a medida que os eltrons encontram as lacunas, eles se tornam eltrons de valncia, e continuam a se deslocar para a esquerda atravs das lacunas do material p. Quando os eltrons de valncia atingem a extremidade esquerda do cristal, eles abandonam o cristal e escoam para o terminal positivo da fonte, no qual a histria de vida de um nico eltron que se desloca do terminal negativo para o terminal positivo da fonte ento, depois de deixar o terminal negativo, entra pela extremidade direita do cristal e o atravessa a regio n como um eltron livre, e a

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prxima juno, recombina-se e torna-se um eltron de valncia, atravessando a regio p com um eltron de valncia e depois de sair pela extremidade esquerda do cristal, segue para o terminal positivo da fonte. 1.19 BANDAS DE ENERGIA A Figura 9 (b) mostra como visualizar o fluxo em termos de bandas de Energia, a barreira de potencial d s bandas p um pouco mais de energia do que para as bandas n, um fluxo estvel de eltrons de banda de conduo desloca-se em direo juno e preenche as lacunas prximas juno, os eltrons capturados, agora eltrons de valncia, movem-se para a esquerda a formar um fluxo estvel atravs das lacunas na regio p, dessa forma obtm-se um fluxo contnuo de eltrons atravs do diodo, e a media que os eltrons livres desaparecem ao longe dos trajetos A e B, eles descem de um nvel mais alto de energia para um outro mais baixo, a irradiar energia na forma de calor ou luz. 1.20. POLARIZAO REVERSA a polarizao reversa o terminal positivo da fonte ligado regio n e o terminal negativo ligado regio p (Figura (a)).

FIGURA 10 (a)Polarizao reversa (b) Bandas de energia 1.21 CAMADA DE DEPLEO A polarizao reversa fora que os eltrons livres da regio n se afastem da juno em direo ao terminal positivo da fonte, as lacunas da regio p tambm se deslocam da juno para o terminal negativo, o afastamento dos eltrons e das

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lacunas deixa mais ons positivos e negativos prximos juno, respectivamente. Portanto, a camada de depleo fica mais larga, quanto maior a polarizao reversa, maior torna-se a camada de depleo e a camada de depleo pra de aumentar quando sua diferena de potencial se iguala tenso da fonte. 1.22 CORRENTE DE PORTADORES MINORITRIOS A energia trmica cria continuamente um nmero limitado de eltrons livres e de lacunas de ambos os lados da juno. Por causa dos portadores minoritrios aparece uma pequena corrente no circuito, a corrente reversa produzida pelos portadores minoritrios chamada corrente de saturao e designada por IS. O nome saturao relaciona-se ao fato de que no h mais corrente que a produzida pela energia trmica e somente um aumento de temperatura pode aumentar IS. Possui o seu valor dobrado para cada aumento de 10C na temperatura, um diodo de silcio possui um valor de IS muito maior que um diodo de germnio. uma das razes pelas quais o silcio domina o campo dos componentes semicondutores. 1.23 CORRENTE DE FUGA SUPERFICIAL Alm da corrente reversa h uma pequena corrente na superfcie do cristal, esta outra componente da corrente reversa denominada corrente de fuga superficial, simbolizada por IFS. produzida por impurezas na superfcie do cristal que criam trajetos hmicos para a corrente, da mesma forma que a corrente produzida termicamente, a corrente de fuga superficial extremamente pequena. 1.24 CORRENTE REVERSA Os datasheets dos fabricantes de diodos costumam englobar IS e IFS numa nica corrente reversa IR, geralmente especificada para um dado valor de tenso reversa VR e de temperatura ambiente TA. Exemplo: para o Diodo 1N914 IR = 25nA para VR = 20V e TA=25C. 1.25 TENSO DE RUPTURA Se a tenso reversa for aumentada at certo ponto, atinge-se a tenso de ruptura do diodo, e ocorre que para diodos retificadores, a tenso de ruptura geralmente maior que 50V, atingida a tenso de ruptura, o diodo passa a conduzir intensamente, a figura 11 (a) mostra um eltron produzido termicamente, e uma

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lacuna na camada de depleo, devido polarizao reversa, o eltron livre empurrado para a direita, ganhando velocidade, quanto maior a polarizao reversa, mais rpido desloca-se o eltron, que pode colidir com um eltron de valncia, e se estiver com energia o suficiente, formam-se dois eltrons livres, no qual eltrons livres podem se acelerar e desalojar outros eltrons de valncia at ocorrer a maior avalanche possvel e por causa do grande nmero de eltrons livres, o diodo conduz intensamente.

FIGURA 11 - Ruptura (a) portadores minoritrios na camada de depleo (b) eltron livre atinge eltron de valncia (c) Dois eltrons livres No sendo permitido na maioria dos diodos que se chegue ao rompimento. Um projeto conveniente mantm a tenso reversa do diodo sempre abaixo da tenso de ruptura, no existe nenhum smbolo padro para a tenso de ruptura reversa, podendo haver diversas verses: V(BR): tenso de ruptura, BV: tenso de ruptura, PRV: tenso reversa de pico, PIV: tenso inversa de pico, VRWM: tenso reversa mxima de trabalho, VRM: tenso reversa mxima entre outras. Alguns fabricantes informam especificaes da tenso reversa para cc e ca. 1.26 EXTREMIDADES DO CRISTAL DO DIODO SEMICONDUTOR E OS CRISTAIS P e N. A dopagem no diodo feita pela introduo de elementos dentro de cristais tetravalentes, normalmente feitos de silcio e germnio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes, obter tomos com sete eltrons na camada de valncia, que

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necessitam de mais um eltron para a neutralizao (cristal P). Para a formao do cristal P, utiliza-se principalmente o elemento ndio . Dopando os cristais tetravalentes com elementos pentavalentes, obter-se- tomos neutralizados (com oito eltrons na camada de valncia) e um eltron excedente (cristal N). Para a formao do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento Fsforo. Quanto maior a intensidade da dopagem, maior ser a condutibilidade dos cristais, pois suas estruturas apresentaro um nmero maior de portadores livres (lacunas e eltrons livres) e poucas impurezas que impedem a conduo da corrente eltrica. Outro fator que influencia na conduo desses materiais a temperatura. Quanto maior for sua temperatura, maior ser a condutibilidade pelo fato de que a energia trmica ter a capacidade de quebrar algumas ligaes covalentes da estrutura se desfaam, acarretando no aparecimento de mais portadores livres para a conduo de veculo embriagado. Aps dopadas, cada face dos dois tipos de cristais(P e N)ter uma determinada caracterstica diferente da oposta, gerando regies de conduo do cristal, uma com excesso de eltrons, outra com falta destes (lacunas), e entre ambas, haver uma regio de equilbrio por recombinao de cargas positivas e negativas, chamada de regio de depleo( qual possui uma barreira de potencial). Por meio da Fsica do estado slido, os pesquisadores descobriram ento, que a estrutura atmica de certos materiais como o Germnio ou o Silcio continha alguns eltrons livres os quais escapavam, deixando buracos ou vacncias de cargas na matriz do cristal. Assim formatada a chamada camada de contorno ou juno P-N, permitia o fluxo da corrente em apenas uma direo aps a aplicao de uma corrente alternada entre os dois pontos de contatos no cristal. Basicamente, este tipo de diodo feito pelo homem consiste em conformar a estrutura atmica do Germnio adicionando-se a sua matriz pequenas quantidades de impurezas conhecidas como DOPE. Estas impurezas so tomos de diversos elementos qumicos, geralmente metais, os quais tm a sua prpria configurao eletrnica. Assim, por exemplo, enquanto alguns elementos qumicos como o Fsforo, o Arsnico, e o Antimnio tm 5 eltrons na sua rbita externa por outro lado o Alumnio, o ndio, o Glio ou o Boro somente 3. Estes tomos so chamados de doadores ou receptores respectivamente devido a sua capacidade de doar ou receber eltrons. Ao adicionarem-se estas impurezas na matriz do cristal de Germnio, obtm-se dois tipos de estrutura

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cristalina: uma mistura contendo excesso de eltrons livres, tambm chamada de Germnio negativo e, outra com falta de eltrons, chamada de Germnio positivo. Agora, ou juntar-se estes dois tipos de estrutura ou seja, o Germnio P e N, ocorre uma transferncia de carga eltrica na camada de contorno da juno P-N. Desta forma, o cristal P e N tem um excesso e falta de eltrons respectivamente. Estas cargas repelem-se entre si evitando-se uma posterior difuso de eltrons e buracos no cristal, gerando ao mesmo tempo, uma diferena de potencial. Na realidade este tipo de arranjo cristalino opera como um retificador, ou seja, quando uma tenso positiva em relao ao cristal P aplicada ao cristal N, a mesma aumentada sem qualquer fluxo de corrente. Por outro lado, se uma tenso negativa aplicada ao cristal N, neutralizada, permitindo o aparecimento de uma pequena tenso de forma que a mesma induz o movimento de eltrons continuamente. Tem-se, assim, a formao de um diodo cujo cristal ou material semicondutor o Germnio. Em princpio, o diodo de contato pontual era quase idntico aos primitivos detectores a cristal. Sua estrutura consistia de uma pequena bolacha de Germnio, onde em sua face plana era feito o contato por meio de um fio de Tungstnio espiralado, semelhante ao princpio do bigode de gato inventado por Pickard. O diodo de Germnio quando comparado ao seu congnere terminico, tinha vrias vantagens como ausncia do filamento, tamanho e custo reduzido, uma vez que podia atuar tanto como elemento detector como comutador. Assim foi largamente empregado nos primeiros tipos de televisores e computadores. Entretanto, como visto o diodo contato pontual nada mais era do que uma verso melhorada do primitivo detector a cristal. Desta maneira, foram logo substitudos por dispositivos mais avanados, os chamados diodos sem contato, cujo principio operacional estava agora intimamente ligado na conformao de espessuras uniformes das junes, diretamente no material semicondutor. 1.27 JUNO P-N, OU BARREIRA DE POTENCIAL. Da mesma forma que os eltrons livres do cristal N se movimentam, as cargas positivas ou lacunas(buracos) conduzem corrente eltrica pelo fato de que uma lacuna ocupada por um eltron proveniente de uma corrente eltrica que passa sobre o cristal e que fora a criao de outra lacuna atrs de si. Entre as duas regies, uma de maioria negativa, outra de maioria positiva, existe uma terceira, esta

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de maioria neutra, isto , nem de carga negativa, nem de carga positiva, a juno entre ambas, chamada de regio neutra da juno P-N. Na regio neutra no h excesso de eltrons nem lacunas porque alguns eltrons do material tipo N se difundem pela juno e entram em combinao com algumas lacunas (buracos) do material tipo P, reciprocamente, algumas lacunas(buracos) se difundem pela juno e entram em combinao com alguns eltrons do material do tipo N. Com a passagem de lacunas para a camada N, gera-se um pequeno potencial eltrico positivo e com a passagem de eltrons livres para a camada P, gera-se um pequeno potencial eltrico negativo, gerando uma pequena tenso interna, por isso do nome barreira de potencial, que pode chegar aproximadamente a 0,3 volts nos diodos de germnio e 0,7 volts nos diodos de silcio. Essa barreira de potencial causa uma queda de tenso, interferindo na tenso sobre os outros componentes pertencentes ao mesmo circuito do diodo. Quando a tenso a que submetido o diodo ,alimentado por uma fonte geradora, menor que sua barreira de potencial(<0,3V ou <0,7V), a corrente eltrica baixssima pela oposio ao fluxo de portadores livres feita pela barreira de potencial, porm se a tenso a que for submetido o diodo for mais alta do que sua barreira de potencial, a corrente eltrica torna-se alta e a oposio dos portadores livres feita pela barreira de potencial pequena em relao a tenso de alimentao, sendo quase desprezvel. 1.28 POLARIZAO DO DIODO A polarizao do diodo dependente da polarizao da fonte geradora. A polarizao direta quando o plo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P (chamado de anodo) e o plo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N (chamado de catodo). Assim, se a tenso da fonte geradora for maior que a tenso interna do diodo, os portadores livres se repeliram por causa da polaridade da fonte geradora e conseguiram ultrapassar a juno P-N, movimentando-os e permitindo a passagem de corrente eltrica. A polarizao indireta quando o inverso ocorre. Assim, ocorrer uma atrao das lacunas do nodo (cristal P) pela polarizao negativa da fonte geradora e uma atrao dos eltrons livres do catodo (cristal N) pela polarizao positiva da fonte geradora, sem existir um fluxo de portadores livres na juno P-N, ocasionando no bloqueio da corrente eltrica. Pelo fato de que os diodos fabricados no so ideais (contm impurezas), a conduo de corrente eltrica no diodo (polarizao direta) sofre uma resistncia

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menor que 1 ohm, que quase desprezvel. O bloqueio de corrente eltrica no diodo (polarizao inversa) no total devido novamente pela presena de impurezas, tendo uma pequena corrente que conduzida na ordem de microampres, chamada de corrente de fuga, que tambm quase desprezvel. 1.29 TESTES COM O DIODO Os diodos, assim como qualquer componente eletrnico, operam em determinadas correntes eltricas que so especificadas em seu invlucro ou so dadas pelo fabricante em folhetos tcnicos. Alm da corrente, a tenso inversa(quando o diodo est polarizado inversamente) tambm um fator que deve ser analisado para a montagem de um circuito e que tem suas especificidades fornecidas pelo fabricante. Se ele for alimentado com uma corrente ou tenso inversa superior a que ele suporta, o doido pode danificar, ficando em curto ou em aberto. Utilizando de um ohmmetro ou um multmetro com teste de diodo, pode-se verificar se ele est com defeito. Colocando-se as ponteiras de prova desses aparelhos nas extremidades do doido(catodo e nodo), verifica-se que existe conduo quando se coloca a ponteira positiva no nodo e a negativa no catodo, alm de indicar isolao quando ocorre o inverso. Assim o diodo est em perfeitas condies de operao e com isso possvel a localizao do catodo e do nodo, porm se os aparelhos de medio indicar conduo dos dois caminhos do diodo, ele est defeituoso e em curto. Se os aparelhos de medio indicarem isolao nos dois caminhos, ele tambm est defeituoso e em aberto. 1.30 USOS O fenmeno da condutividade em um s sentido aproveitado como um chaveamento da corrente eltrica para a retificao de sinais senoidais, portanto, este o efeito diodo semicondutor to usado na eletrnica, pois permite que a corrente flua entre seus terminais apenas numa direo. Esta propriedade utilizada em grande nmero de circuitos eletrnicos e nos retificadores. Os retificadores so circuitos eltricos que convertem a tenso CA (AC) em tenso CC (DC). CA vem de Corrente alternada, significa que os eltrons circulam em dois sentidos, CC (DC), Corrente contnua, isto circula num s sentido.

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A certa altura o potencial U, formado a partir da juno n e p no deixa os eltrons e lacunas movimentarem-se, este processo d-se devida assimetria de cargas existente. 1.31 TIPOS DE DIODOS SEMICONDUTORES Os diodos so projetados para assumir diferentes caractersticas: diodos retificadores so capazes de conduzir altas correntes eltricas em baixa freqncia, diodos de sinal caracterizam-se por retificar sinais de alta freqncia, diodos de chaveamento so indicados na conduo de altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das caractersticas dos materiais e dopagem dos semicondutores h uma gama de dispositivos eletrnicos variantes do diodo:

FIGURA 12 Diferentes tipos de diodos. 2. REFERNCIAS Malvino, P. Eletrnica, volume 1, McGraw-Hill, So Paulo, 1986. http://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo http://www.fazano.pro.br/port95.html

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LED: DIODO EMISSOR DE LUZ Daniel Motter

1. INTRODUO Diodo emissor de luz um caso especial de diodo, onde nele, devido ao material envolvido em sua construo, h uma grande emisso de energia na forma de uma determinada freqncia, que pode ser tanto na faixa do espectro visvel, quanto no infravermelho. Os diodos compostos de matrias como o silcio e o germnio, que so os materiais que compem os dispositivos semicondutores mais utilizados na engenharia, tambm apresentam uma parte de sua energia emitida na forma de ftons, mas esta insignificante e nem pode ser notada. Os LEDs so as lmpadas promissoras, pois apresenta aspectos muito favorveis em questo de consumo de energia e impacto ambiental. 2. HISTRICO As pesquisas relacionadas aos diodos emissores de luz decorreram da seguinte forma: Em 1920 foi criado o primeiro LED pelo russo Oleg Vladimirovich Losev, onde seus estudos foram divulgados em revistas cientficas alems, russas e britnicas, mas sua descoberta no gerou uma utilizao prtica para os LEDs nas dcadas seguintes; 41 anos depois, os cientistas Bob Biard e Gary Pittman, trabalhando na Texas Instruments, descobriram o LED infravermelho, que emite radiao infravermelha a se passar uma corrente em GaAs (arsenieto de glio); No ano seguinte o primeiro espectro visvel prtico, com uma emisso da freqncia da luz vermelha, foi desenvolvido por Nick Holonyak Jr, enquanto trabalhava na General Company. Holonyak visto como o pai do diodo emissor de luz; No incio da dcada de 70 M. George Craford, um antigo aluno de graduao Holonyak, inventou o primeiro LED amarelo e melhorou o brilho do LED vermelho alaranjado por um fator de dez;

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Em fevereiro de 2008, na Universidade Bilkent, na Turquia, foi constatado uma luz visvel de 300 lumens por watt de eficincia de um LED. 3. TEORIA BSICA LED (Light-Emitting Diode) um dispositivo semicondutor de juno p-n, onde a polaridade da tenso externa aplicada, a constituio e a dopagem dos materiais envolvidos influenciam na emisso da luz. Isto , influencia na emisso de ondas de diferentes freqncias (ou comprimentos de onda), que pode ser ondas como o infravermelho os do espectro visvel. Para uma apresentao completa da teoria bsica deste dispositivo, ser necessrio mostrar como ocorre a conduo eltrica em materiais. Para isso, determinaremos este fenmeno para materiais condutores, isolantes e principalmente para os materiais semicondutores, onde ser abordado o diodo (dispositivo semicondutor de juno p-n), e os LEDs, que so um caso especifico de diodo. 4. CARACTERSTICAS ELTRICAS 4.1 MATERIAIS CONDUTORES Materiais condutores so metais que apresentam uma estrutura cristalina e esto ligados uns aos outros pelos seus respectivos eltrons de valncia, na chamada ligao metlica. As ligaes metlicas nos metais slidos permitem o movimento livre dos eltrons de valncia, uma vez que eles so partilhados por muitos tomos, no estando ligados a um tomo especfico. Os eltrons de valncia podem ser vistos como constituindo uma nuvem de carga eltrica em torno de cernes positivos (ncleo). Ser apresentado o modelo de bandas de energia dos eltrons em metais slidos, o qual permite compreender o mecanismo da conduo eltrica nos metais. Consideraremos o metal sdio, pois apresenta uma estrutura eletrnica relativamente simples. Nos tomos isolados, os eltrons esto ligados aos ncleos e podem apenas ocupar nveis bem definidos de energia e devem obedecer ao principio da excluso de Pauli, sendo que os orbitais devem ser preenchidos de acordo com suas regras, onde apenas deve haver dois tomos por nvel.

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Os 11 eltrons do tomo neutro de sdio distribuem-se colocando dois no nvel 1s, dois no nvel 2s, seis no nvel 2p e um no nvel 3s, como esta indicado na figura 1.a. Os eltrons nos nveis mais baixos (1s1, 2s2, 2p6) esto fortemente ligados e constituem os eltrons de cerne do tomo de sdio (figura 1b). O eltron exterior 3s1 pode participar na ligao com outros tomos e designa-se por eltron de valncia.

FIGURA 1: (a) Princpio Nveis de energia num tomo isolado de sdio. (b) Arranjo dos eltrons num tomo de sdio. Numa amostra slida de sdio, os tomos esto prximos e tocam uns nos outros. Os eltrons de valncia encontram-se deslocados (figura 2a) e inter-atuam; as suas rbitas interpenetram-se de tal modo que os nveis de energia originais, bem definidos, separam-se uns dos outros e originam bandas de energia mais largas (figura 2b). Os eltrons interiores no originam bandas, pois esto protegidos ou blindados pelos eltrons de valncia. Cada eltron de valncia numa amostra de sdio, por exemplo, tem de estar, de acordo com o principio da excluso de Pauli, num nvel de energia ligeiramente diferente. Assim, se houver N tomos de sdio na amostra, onde N pode ser um nmero enorme, haver na banda 3s, N nveis de energia 3s1 que diferem ligeiramente. Cada nvel de energia designa-se por estado. Na banda de energia de valncia, os nveis esto to prximos que formam uma banda continua de energia.

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FIGURA 2: (a) Eltrons de valncia deslocados numa amostra de metal sdio (b) Nveis de energia numa amostra de metal sdio. No sdio metlico h sobreposio entre as bandas de energia 3s e 3p, mas como h apenas um eltron 3s no tomo de sdio, a banda 3s est somente semipreenchida (figura 3a).

FIGURA 3: a) Sdio (3s1) b) Magnsio (3s2) c) Alumnio (3s2 3p1) Em conseqncia, necessria muito pouca energia para excitar os eltrons do sdio desde os nveis ocupados mais altos at os nveis desocupados mais baixos (as bandas de valncia e de conduo esto sobrepostas). Por esse motivo, o sdio um bom condutor, j que basta uma quantidade muito pequena de energia para nele originar uma corrente de eltrons. O cobre, a prata e o ouro tambm tem bandas s exteriores semi-preenchidas.

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No magnsio metlico, o nvel 3s esta preenchido com dois eltrons. Mas a banda de 3s se sobrepe banda 3p, o que permite que alguns dos eltrons passem para essa banda, originando uma banda combinada 3sp parcialmente preenchida (figura 3b). No obstante de a existncia de uma banda 3s totalmente preenchida, o magnsio um bom condutor. Analogamente, o alumnio que tem uma configurao 3s23p2 tambm um bom condutor, porque a banda 3p parcialmente preenchida se sobrepe banda preenchida 3s (figura 3c). 4.2 MATERIAIS ISOLANTES Nos isoladores, os eltrons so fortemente ligados aos tomos onde as ligaes inicas ou covalentes intervm, e no so livres para que possam conduzir eletricidade, a menos que oferea-lhes uma energia superior a Eg, que o hiato de energia entre a banda de valncia superior cheia e a banda de conduo inferior vazia. A energia Eg pode ser da ordem de 6 a 7 eV no diamante puro, que um timo isolante e seus eltrons esto fortemente presos em ligaes covalentes tetradricas sp3 . A figura 4 apresenta o modelo da banda de energia em um isolante.

FIGURA 4 - Banda de energia de um material isolante. 4.3 MATERIAIS SEMICONDUTORES Os semicondutores podem ser separados em dois grupos, semicondutores intrnsecos e extrnsecos. 4.3.1 SEMICONDUTORES INTRNSECOS: mecanismos de conduo eltrica. Os semicondutores so materiais cujas condutividades eltricas se situam entre as dos metais (bons condutores) e dos isoladores (maus condutores). Os

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semicondutores intrnsecos so semicondutores puros, cuja condutividade eltrica determinada pelas suas propriedades condutoras prprias ou intrnsecas. Os elementos puros silcio e germnio so materiais semicondutores intrnsecos. Estes elementos, que pertencem ao grupo 14 da Tabela Peridica, tm estrutura cbica do diamante com ligaes fortemente direcionais (figura 5). Os tomos esto ligados tetraedricamente na rede cristalina por pares de eltrons em orbitais ligantes hbridas sp3. Nesta estrutura, cada tomo de silcio ou germnio contribui com quatro eltrons de valncia.

FIGURA 5 - Estrutura cristalina cbica do diamante. Sobre a conduo eltrica em semicondutores intrnsecos, sabemos que os eltrons ligantes no podem mover-se atravs da rede cristalina e, portanto, no podem conduzir eletricidade a menos que seja fornecida energia suficiente para excit-los para fora das suas posies ligantes, j que estes no possuem eltrons livres como os condutores, e sim, utilizam seus quatro eltrons de valncia para fazer as ligaes covalentes. Quando fornecida uma quantidade crtica de energia a um eltron de valncia, capaz de excit-lo para fora de sua posio ligante, ele transforma-se em um eltron livre de conduo, ao mesmo tempo em que se origina um buraco positivamente carregado na rede cristalina. Na conduo dos semicondutores, tanto o eltron quanto o buraco atuam como transportadores de carga. Um buraco uma carga positiva de igual mdulo carga do eltron. No diagrama de bandas de energia dos semicondutores intrnsecos (Si ou Ge, por exemplo), os eltrons ligantes do cristal covalentemente ligado ocupam nveis de energia na banda de valncia, a qual est quase completamente preenchida a 20 C.

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FIGURA 6 - Diagrama de bandas de energia de um semicondutor intrnseco. Acima da banda de valncia est o hiato de energia proibida, na qual no a estados de energias permitidos. No silcio a 20 o hiato de 1,1eV. Acima do hiato C, de energia, encontra-se uma banda de conduo praticamente vazia. 4.3.2 SEMICONDUTORES EXTRNSECOS Os semicondutores extrnsecos so solues slidas substitucionais muito diludas, nas quais os tomos de impurezas dissolvidas tm caractersticas de valncia diferentes dos tomos da rede cristalina dos solventes. Nestes semicondutores, as concentraes de tomos de impurezas adicionados situam-se habitualmente no intervalo entre 100 e 1000 partes por milho. 4.3.2.1 Semicondutores extrnsecos do tipo n (negativo) Quando um tomo de impureza de um elemento do grupo 15 (fsforo, por exemplo) substituir um tomo de silcio, que um elemento do grupo 14, haver um eltron em excesso para alm dos quatro necessrios para estabelecer as ligaes covalentes tetradricas da rede do silcio (figura 7. b).

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FIGURA 7 - (a) Estrutura do silcio puro. (b) Estrutura do silcio dopado com Fsforo (c) Quando o eltron em excesso vai para a banda de conduo, o fsforo adquire uma carga positiva. Este eltron extra encontra-se fracamente ligado ao ncleo positivamente carregado do fsforo, com uma energia de ligao de 0,044 eV a 27 logo, C, necessria apenas uma energia de 0,044 eV para retirar o eltron extra, permitindolhe participar na conduo eltrica. Sobre aplicao de um campo eltrico, o eltron extra transforma-se em um eltron livre, capaz de conduzir corrente, e o tomo de fsforo fica ionizado adquirindo uma carga positiva (figura 7c). . 4.3.2.2 Semicondutores extrnsecos do tipo p (positivo) Mesmo procedimento que para semicondutores extrnsecos do tipo n, mas nesse caso, ao invs de substituirmos um tomo de silcio por um elemento da famlia 15, iremos substituir por uma da famlia 13, como o Boro. Isso causar a falta de um eltron nos orbitais ligantes, e aparece um buraco na estrutura de ligao do silcio (figura 8).

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FIGURA 8: Estrutura de silcio dopada com boro. Logo, as formas extrnsecas n e p dos semicondutores so representadas na figura 9 para n (negativa) e na figura 10 para forma p (positiva).

FIGURA 9: semicondutor do tipo

FIGURA 10: semicondutor do tipo p

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5. DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES 5.1 O DIODO DE JUNO P-N EM EQUILBRIO Consideraremos um caso ideal, em que se forma uma juno juntando semicondutores de silcio do tipo p e do tipo n. Antes de se formar a juno, os dois tipos de semicondutores so eletricamente neutros. No material do tipo p, os buracos so transportadores majoritrios e os eltrons so transportadores minoritrios. No material do tipo n, os eltrons so os transportadores majoritrios e os buracos os minoritrios. Aps juno dos materiais do tipo n e p, os transportadores majoritrios na juno ou prximo dela difundem-se atravs da juno e recombinam-se (figura 11). Uma vez que os ons formados na juno ou prximo dela so fisicamente maiores e mais pesados que os eltrons e buracos, eles permaneceram nas respectivas redes do silcio.

FIGURA 11: Diodo de juno p-n indicando-se a difuso para a juno dos portadores majoritrios em uma situao de equilbrio. Aps algumas recombinaes dos transportadores majoritrios na juno, o processo cessa, pois os eltrons so impedidos de atravessar a juno para o

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material do tipo p, devido repulso dos ons negativos. O mesmo acontece para os buracos. Os ons imveis da juno do origem a uma zona isenta ou despejada de transportadores majoritrios designada por regio de depleo. Em condio de equilbrio, isto , sem potencial externo aplicado ao dispositivo, a uma diferena ou barreira de potencial que impede o fluxo de transportadores positivos. 5.2 O DIODO DE JUNO P-N POLARIZADO INVERSAMENTE Caso em que se aplica uma tenso externa com o positivo da fonte no material tipo n e a o negativo no material de tipo p (figura 12).

FIGURA 12: diodo polarizado inversamente. Para estas ligaes, os eltrons (transportadores majoritrios) do material tipo n so atrados para o terminal positivo da fonte, afastando-se da juno. O mesmo ocorre para os buracos (portadores majoritrios no material tipo p) no material do tipo p. Eles so atrados pelo negativo da fonte, tambm se afastando da fonte. O movimento destes portadores majoritrios em ambos os materiais causa um aumento da largura da regio de depleo, isso faz com que no haja corrente

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transportada pelos portadores majoritrios, apenas uma corrente de fuga pelos portadores minoritrios que quase desprezvel. 5.3 O DIODO DE JUNO P-N POLARIZADO DIRETAMENTE Se for aplicada uma tenso externa com o positivo da fonte no material tipo p e a o negativo no material de tipo n (figura 13).

FIGURA 13: diodo polarizado diretamente. Em polarizao direta, a barreira de energia na juno torna-se menor, o que permite que alguns eltrons e buracos atravessem a juno e se recombinem. Nesse tipo de polarizao, a entrada de eltrons da fonte se da pelo material negativo do diodo. Por cada eltron que atravessa a juno e se recombina com um buraco, a outro eltron vindo da bateria. Por outro lado, por cada buraco que se recombina com um eltron no material do tipo n, h formao de um novo buraco por cada eltron que abandona o material do tipo p, movendo-se para o terminal positivo da fonte. Como a barreira de energia que se opem corrente de eltrons reduzida quando a juno p-n esta polarizada, a uma passagem aprecivel de corrente.

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Se no tivssemos considerado sendo um caso ideal, levaramos em conta as correntes geradas pelos portadores minoritrios, e o grfico de um diodo polarizado reversa e diretamente seria o seguinte.

FIGURA 14: Diodo com a influncia dos portadores minoritrios. 6. FUNCIONAMENTO DO LED Hoje em dia, os mostradores digitais esto em todas as partes, dos relgios de cabeceira aos fornos de microondas, e seria difcil passar sem os raios invisveis da luz infravermelha que controlam as portas dos elevadores e fazem funcionar o controle remoto dos receptores de televiso. Em quase todos esses casos, a luz emitida por uma juno p-n funcionando como um diodo emissor de luz (LED - LightEmitting Diode). A seguir ser apresentado como uma juno p-n pode emitir luz. Considere primeiro um semicondutor simples. Quando um eltron da extremidade inferior da banda de conduo preenche um buraco na extremidade superior da banda de valncia (um fenmeno conhecido como recombinao), uma energia Eg igual diferena entre os dois nveis liberada. No silcio, germnio, e

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muitos outros semicondutores, esta energia se manifesta na forma de vibraes da rede cristalina. Em alguns semicondutores, porm, a energia pode ser emitida como um fton de energia hf, cujo comprimento de onda dado por: = Para que um semicondutor emita uma quantidade razovel de luz, preciso que haja um grande numero de recombinaes. Isto no acontece em um semicondutor puro porque, temperatura ambiente, o nmero de par eltron-buraco relativamente pequeno, e dopar o semicondutor no resolve este problema. Um semicondutor do tipo n contm um grande nmero de eltrons, mas no existem buracos suficientes para se recombinar com todos esses eltrons; um semicondutor tipo p contm um grande nmero de buracos, mas no existem eltrons suficientes para se recombinar com todos esses buracos. Assim, nem um semicondutor puro nem um semicondutor dopado geram luz suficiente para serem usados em aplicaes praticas. O que precisamos de um semicondutor nos quais eltrons e buracos estejam presentes na mesma regio, em grandes nmeros. Podemos obter um dispositivo com esta propriedade polarizando diretamente uma juno p-n fortemente dopada (figura 15). Neste caso, a corrente i que atravessa a juno serve para injetar eltrons no lado n e buracos no lado p. Estes eltrons e buracos se encontram nas proximidades do plano de juno e se recombinam em grandes nmeros, produzindo uma boa intensidade luminosa.

FIGURA 15: LED polarizado diretamente.

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Alguns LEDs comerciais projetados para emitir luz visvel so feitos de arsenieto de glio (lado n) e arsenieto fosfeto de glio (lado p). Um arranjo no qual do lado p existem 60 tomos de arsnio e 40 tomos de tomos de fsforo para cada 100 tomos de glio, resulta em uma energia Eg de 1,8 eV, que corresponde luz vermelha. Usando diferentes propores de arsnio, fsforo e outros elementos (como o alumnio), possvel fabricar LEDs que emitem luz de praticamente qualquer cor, incluindo o infravermelho. Cada vez que um eltron faz a recombinao com uma carga positiva, energia potencial eltrica convertida em energia eletromagntica. Para cada recombinao de uma carga negativa e uma positiva, um quantum de energia eletromagntica emitido na forma de um fton de luz com uma freqncia caracterstica do material semicondutor, geralmente uma combinao de elementos qumicos como o glio, arsnio e fsforo. Ento o LED um diodo que emite luz quando energizado. Em qualquer juno p-n polarizada diretamente, existe, dentro da estrutura e prximo principalmente da juno, uma recombinao de eltrons e buracos. Esta recombinao exige que a energia do eltron livre no ligado seja transferida para um outro estado. Em todas as junes p-n do semicondutor, parte desta energia ser emitida na forma de calor e parte na forma de ftons. No silcio e germnio, a maior parte na forma de calor, e a luz emitida insignificante. Em outros materiais, como fosfeto de arsenieto de glio (GaAsP) ou fosfeto de glio (GaP), o numero de ftons da energia luminosa suficiente para criar uma fonte de luz bem visvel. Em funo do tipo de energia que liberada podem se distinguir dois tipos de recombinao: Recombinao no radiante na qual a maioria da energia de recombinao se libera como energia trmica e a recombinao radiante, a maioria da energia de recombinao se libera em forma de luz. 6.1 MATERIAIS UTILIZADOS NOS LED A cor da luz emitida pelo LED depende unicamente do material e do processo de fabricao (principalmente da dopagem de impurezas). A seguinte figura mostra as cores que podem ser obtidas para diferentes materiais usados.

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FIGURA 16 - Gama de cores segundo o material semicondutor do LED. Na tabela 1 aparecem alguns exemplos de materiais utilizados junto com as cores que estes materiais irradiam. TABELA 1 - Materiais utilizados na fabricao de alguns LED, comprimento de onda da luz emitida. MATERIAL COMPRIMENTO COR DE ONDA AsGa InGaAsP AsGaAl AsGaP InGaAlP CSi 904 nm 1300 nm 750 850 nm 590 nm 560 nm 480 nm Infravermelho Infravermelho Vermelho Amarelo Verde Azul

7. CARACTERSTICAS E VANTAGENS DOS LEDs As caractersticas intrnsecas dos LEDs fazem com que estes dispositivos sejam a melhor alternativa como fontes de luz convencionais, e eles fornecer uma ampla gama de utilizao. Algumas caractersticas sero sitadas:

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7.1 TAMANHO PEQUENO Um LED pode ser extremamente pequeno e mesmo assim proporcionar um feixe de luz alto, diferente de outros tipos de lmpadas. 7.2 BAIXO CONSUMO DE ENERGIA: Os LEDs tm um muito baixo consumo de eletricidade. Geralmente, um LED concebido para funcionar h uma tenso de 2 a 3.6V e 0,02 a 0.03A, isto significa que necessrio mais do que 0.1W para operar. 7.3 LONGA VIDA Com uma tenso nominal de funcionamento e atmosfera apropriada, LEDs tm uma vida til de aproximadamente 100.000 horas. 7.4 ALTA EFICINCIA LUMINOSA E BAIXA EMISSO DE CALOR Os LEDs podem converter quase toda a energia utilizada em luz, onde apresenta alta eficincia luminosa e baixa emisso de calor. Um dos melhores LEDs do mercado hoje em dia quase duas vezes to eficiente como um filamento de tungstnio das lmpadas incandescentes, em relao a intensidade de luz por unidade de potencia gasta. 7.5 PROTEGER O MEIO AMBIENTE Os LEDs no so fabricados com materiais txicos, ao contrrio com as lmpadas fluorescentes que contenham mercrio e colocou um risco de contaminao. O LED pode ser totalmente reciclado. 8. TIPOS DE ENCAPSULAMENTOS Existem basicamente quatro tipos de encapsulamento, indexado pela sua cor. 8.1 TRANSPARENTE OU GUA CLARA utilizado em alta potncia para LEDs de emisso, uma vez que o objetivo destes LEDs acender indicar algo, apenas.

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8.2 COLORIDAS OU DE COR Similar ao acima, mas colorido com a cor de emisso semelhante ao substrato de algumas garrafas de vidro.

8.3 DIFUSO OU DIFUSA Os LEDs tm uma caracterstica mais opaca do que o anterior, e so coloridos com as cores de emisso. As pequenas partculas em suspenso de tamanho microscpico so responsveis por desviar a luz, este tipo de embalagem acrescenta muitos ngulos de viso, devido as reflexes causadas pelas partculas. 8.4 LCTEA OU LEITOSA Este tipo de embalagem uma difusa, mas no coloridas, elas so amplamente utilizadas em embalagens bicolores ou LEDs multicoloridos. O LED bicolor composto por um ctodo comum e dois nodos (trs terminais) ou dois LEDs colocados em oposio (dois terminais). muito importante notar que em todos os casos, o substrato do LED o que determina a cor de emisso e no encapsulamento. 9. COMPARAO ENTRE LMPADAS As lmpadas mais utilizadas so as: incandescentes, halgenas, fluorescentes tubulares, fluorescentes compactas e de LEDs. 9.1 INCANDESCENTES

FIGURA 17 Lmpada Incandescente

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TABELA 2 Caractersticas da lmpada incandescente Consumo Fluxo luminoso Vida til Preo Eficincia luminosa Na casa ecolgica 60 W 900 lumens 1000 horas $ 15 lumens/watt No recomendada

Inventadas por Thomas Edison, so as mais antigas, mais baratas e mais usadas. So as que mais consomem energia e tm a menor vida til. Desperdiam muita energia em forma de calor, para aquecer o filamento de tungstnio. Lmpadas incandescentes devem ser evitadas em uma casa ambientalmente correta. 9.2 HALGENAS

FIGURA 18 Lmpada halgenas TABELA 3 Caractersticas da lmpada halgenas Consumo Fluxo luminoso Vida til Preo Eficincia luminosa Na casa ecolgica 50 W 900 lumens 2000 horas $$ 18 lumens/watt No recomendada

Introduzidas no mercado mais recentemente, produzem uma luz branca e brilhante. Tem consumo relativo um pouco menor e so mais durveis do que as incandescentes. No so lmpadas indicadas ambientalmente corretas.

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9.3 FLUORESCENTES TUBULARES

FIGURA 19 Lmpada fluorescente tubular TABELA 4 Caractersticas da lmpada fluorescente tubular Consumo Fluxo luminoso Vida til Preo Eficincia luminosa Na casa ecolgica 20 W 1000 lumens 7500 horas $$ 50 lumens/watt recomendada

No devem ser quebradas e seu descarte exige coleta especial porque utilizam mercrio em sua fabricao. Para funcionar, precisa de reator e starter, o que representa um custo adicional. So lmpadas de baixo consumo de energia e vida til longa. No apresenta impacto ambiental considervel. 9.4 FLUORESCENTES COMPACTAS

FIGURA 20 Lmpada fluorescente compacta

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TABELA 5 Caractersticas da lmpada fluorescente compacta Consumo Fluxo luminoso Vida til Preo Eficincia luminosa Na casa ecolgica 15 W 900 lumens 8000 horas $$$ 60 lumens/watt Altamente recomendada

Mais recentes no mercado, so uma evoluo das fluorescentes tubulares. Alm da vida til longa e do baixo consumo apresentam outras vantagens: podem ser rosqueadas nos mesmos bocais das lmpadas incandescentes, no precisam de reator e starter e, por serem compactas, se adaptam a uma variedade maior de luminrias. A desvantagem delas ainda o preo, bem mais alto que o das incandescentes. O investimento inicial maior, mas compensado pela vida til longa e pela economia de energia eltrica. No devem ser quebradas e exigem coleta de resduos especial por causa do mercrio presente nos tubos. Altamente recomendadas em relao a impacto ambiental. 9.5 LEDS

FIGURA 21 Lmpada de LEDs

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TABELA 6 Caractersticas da lmpada LEDs Consumo Fluxo luminoso Vida til Preo Eficincia luminosa Na casa ecolgica 1.5 W 300 lumens 50000 horas $$$$ 200 lumens/watt Altamente recomendada

As lmpadas de LEDs so formadas por LEDs agrupados e representam a nova promessa da indstria para reduzir o consumo de energia com iluminao. Essas lmpadas ainda so bem caras, mas tm uma durabilidade altssima e baixssimo consumo de energia. Essas lmpadas no so fabricadas com materiais txicos, e pode ser totalmente reciclada. 10. INOVAES TECNOLGICAS H vrias inovaes tecnolgicas na rea de iluminao relacionada aos diodos emissores de luz. Sero apresentadas duas consideradas verdadeiramente importantes em relao ao futuro. 10.1 OLED O OLED (Organic Light-Emitting Diode), Diodo orgnico emissor de uma tecnologia criada pela Kodak em 1980 e que promete telas planas muito mais finas, leves e baratas que as atuais telas de LCD. A idia usar diodos orgnicos, compostos por molculas de carbono que emitem luz ao receberem uma carga eltrica. A vantagem que ao contrrio dos diodos tradicionais, essas molculas podem ser diretamente aplicadas sobre a superfcie da tela, usando um mtodo de impresso. Acrescentados os filamentos metlicos que conduzem os impulsos eltricos a cada clula, est pronta uma tela a um custo extremamente baixo. 10.2 EMISSO DE ULTRAVIOLETA Mas agora essas pequenas lmpadas de estado slido comeam a avanar em outras fronteiras. Cientistas da empresa japonesa NTT conseguiram fabricar LEDs capazes de emitir luz com o menor comprimento de onda j observado em

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qualquer semicondutor - entre 200 e 300 nanmetros, ou seja, na regio do ultravioleta profundo. A luz ultravioleta largamente utilizada para a esterilizao de objetos mdicos e at da gua potvel. E ela capaz tambm de destruir dioxinas e as molculas estveis dos perigosos PCBs (bifenilas policloradas), compostos altamente danosos ao meio-ambiente. J existem LEDs disponveis comercialmente, capazes de emitir luz na faixa do azul e do ultravioleta, mas at um comprimento de onda de 365 nanmetros, ou seja, ainda na faixa do quase-infravermelho. Estes LEDs so feitos de nitreto de glio (GaN). J os novos LEDs ultravioleta so fabricados com nitreto de alumnio (AlN). O grande feito dos cientistas japoneses foi descobrir uma forma de dopar o AlN, que at agora tinha se mostrado altamente resistente a um aumento dos dopantes. 11. REFERNCIAS BOYLESTAD R. L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004. HALLIDAY David; RESNICK Robert; WALKER Jearl. Fundamentos da Fsica. 6ed. Rio de Janeiro: LTC, 2003.v.4. SMITH Willian F. Princpios de Cincia e Engenharia dos Materiais. 3ed. Portugal: Mc GRAW-HILL, 1996. SCHMIDT Walfredo. Materiais eltricos: Condutores e Semicondutores. 2ed. So Paulo: Edgard Blucher, 1998. v.2.

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MENRISTOR, UM NOVO ELEMENTO PASSIVO rika Suek

1. INTRODUO Em 1971 um engenheiro da Universidade de Berkerley, Dr. Leon Chua1, pensou que deveria haver um quarto tipo de elemento passivo eltrico, um tipo de resistor com memria. Mas at aquele momento no se sabia ao certo como montar este tipo de elemento. O qual foi possvel ser construdo, 37 anos aps os seus primeiros estudos, com a contribuio da grandiosa nanotecnologia. No laboratrio da Hewlett-Packard (HP). Dos teoremas de circuitos, os trs bsicos elementos passivos so definidos atravs de relaes entre duas de quatro variveis de circuitos, denominadas: corrente (i), tenso (v), carga eltrica (q) e fluxo magntico aos elementos: Resistncia- v=Ri (relao entre v e i); Capacitncia- q=CV (relao entre carga q e v); IndutnciaB B.

quando combinadas

dois a dois geram seis possibilidades de relaes. Nas quais trs delas se devem

=Li (relao entre

B=v.t

Be

i);
Be

As outras relaes se devem s explicaes da teoria de Fluxo magntico(relao entre

B

q, dadas por:

e v);

Carga Eltrica- q=i.t (relao entre q e i); Restando apenas uma relao, a de carga com o fluxo magntico, a qual ser descrita pela caracterstica do novo elemento passivo: MemresistnciaB=M.q

(relao entre

e q);

Um dos pioneiros da teoria de circuitos no lineares. Exps suas teorias em: "Memristor - The missing circuit element." IEEE Trans. Circuit Theory CT-18, 507-519 (1971).

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FIGURA 1 - Os quatro elementos passivos fundamentais de circuitos Desta relao ir surgir um elemento parecido a um tipo de resistor no-linear com a idia de se ter uma memria acoplada a este resistor, a qual exerceria uma funo de memria ativa para quando se desligar um circuito esperando que todas as suas tenses e correntes armazenadas sejam nulas e em seguida lig-lo novamente este resistor saber o quanto de corrente passou no instante anterior ao desligamento da chave. O que levou continuidade dos estudos de Leon Chua foram as pesquisas de Stanley Williams e sua equipe no laboratrio da Hewlett-Packard (HP) ao trabalhar com a eletrnica molecular e verificar que havia comportamentos inesperados e totalmente diferentes em seus dispositivos que dificilmente seriam explicados pelos atuais elementos, o que os levou a encontrar o artigo de Leon Chua. Para um melhor entendimento de como funciona um memristor utilizada a mesma analogia que feita para um resistor: um tubo pelo qual uma certa quantidade de gua(eletricidade) escoa dentro dele. No caso do resistor a largura do tubo anloga a resistncia quanto mais gua passar pelo tubo maior ser a resistncia desse tubo, com o tamanho do tubo sempre constante para um dado resistor, diferenciando um resistor de outro pelos tamanhos dos tubos. Para o memristor o tamanho deste tubo varivel, se uma quantidade de gua for empurrada para dentro do tubo em uma determinada direo, o tubo aumenta de tamanho, tornando menos resistivo. Se a gua for empurrada na outra direo o tamanho do tubo ser reduzido, aumentando a resistncia. Quando o fluxo de gua para de passar o tamanho do tubo no ir ser modificado, permanecer o mesmo do anterior. Quando a gua voltar a escoar dentro deste tubo, a largura inicial do tubo

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ser a mesma que aquela obtida anteriormente ao desligamento da passagem de gua. O comportamento da memresistncia j tinha sido observado h mais de 50 anos atrs, e h 37 anos foi demonstrada teoricamente por Chua, e na prtica foi construdo um dispositivo com muitos transistores, capacitores e ampliadores, para fazer o mesmo efeito de um nico memristor. Que foi criado nos ltimos anos com o auxlio da nanotecnologia.

FIGURA 2 - Imagem feita em microscpio de fora atmica, mostrando 17 memristores lado a lado. Acredita-se que este novo elemento pode ser a chave para as to almejadas redes neurais realistas, ao invs das artificiais, muito utilizada na rea de Inteligncia Artificial. 2. ESTRUTURA DO MEMRISTOR Os memristores so nano fios com 50 nanmetros de largura, o que compreende cerca de 150 tomos. Os nano fios so formados por duas camadas de dixido de titnio conectadas a condutores. Quando uma corrente eltrica aplicada a um deles, a resistncia dos outros se altera.

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FIGURA 3 - imagem microscpica de 17 memristores. William encontrou um memristor ideal de dixido de titnio, material de pintura branca e filtro solar. Como silcio, o dixido de titnio que um semicondutor, em seu estado puro altamente resistivo. Contudo, ele pode ser dopado com outros elementos para faz-lo muito condutivo. O TiO2, dopado no fica estacionrio em um alto campo eltrico, ele tende a derivar na direo da corrente eltrica. Tal mobilidade um veneno para um transistor comum, mas resulta exatamente no efeito desejado em um memristor. A colocao de um nvel de tenso atravs de um filme fino de semicondutor TiO2 dopado apenas de um lado, causa a diminuio da resistncia eltrica. O deslocamento de corrente eltrica em outra direo ento empurrar o dopante para trs, aumentado assim resistncia eltrica do TiO2. A natureza microscpica do fato destes dispositivos alternarem as resistncias e o transporte de carga em tais dispositivos atualmente encontra-se em debate. Mas uma proposta dada pelo fato de que histerese requerer mais ou menos um arranjo eletrnico que modula a corrente eletrnica. Baseado nisso, nos consideramos um filme fino de semicondutor de espessura D, entre dois contatos de meta, como mostra a figura abaixo. A resistncia total desde dispositivo determinada por dois resistores variveis conectados em srie, onde as resistncias so dadas pelo total comprimento D do dispositivo. Especificamente, a pelcula de semicondutor possui uma regio com alta concentrao de dopantes (considerada como sendo ons positivos), possuindo baixa resistncia (Ron), e a outra resistncia possui aproximadamente zero de concentrao de dopantes e alta resistncia (Roff).

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FIGURA 4 - filme fine de TiO2 com seus terminais e representaes. 3. EQUACIONAMENTO DA MEMRESISTNCIA Como comentado nas sees anteriores, a caracterstica deste dispositivo se deve ao fluxo magntico e a quantidade de carga eltrica que atravessa os terminais do memristor como dado na equao a seguir:

Sabe-se, atravs da Lei da Induo de Faraday, que o fluxo magntico dado por uma integral no tempo da tenso eltrica, e a carga eltrica a integral no tempo da corrente eltrica. Escrevendo a equao de maneira mais conveniente temos:

Com a equao acima temos ento que a memresistncia apenas a resistncia eltrica dependente de carga eltrica. Tem-se na frmula a seguir a memresistncia em funo do tempo: V(t)=M(q(t))i(t) Com as observaes de que, se M(q) for uma constante, ento obteremos a Lei de Ohm (V=RI). Se M(q) for no-trivial, contudo, a equao no ser equivalente, pois q e M(q) iro variar com o tempo. Logo, a equao descrita acima revela que a memresitncia define uma relao linear entre tenso e corrente, desde que a carga seja invariante no tempo. Com corrente alternada, contudo, pode revelar a dependncia linear na operao do circuito induzindo uma tenso mensurvel sem o movimento da rede de cargas eltricas. To logo que a mxima carga de q no ir causar modificaes em M. Alm do mais, se nenhuma corrente for aplicada em seus terminais o memresistor esttico.E a base para que um memresistor haja da forma como se tivesse uma memria acoplada a um resistor se deve seguinte anlise: Se I(t)=0, encontraremos v(t)=0 e um M(t) constante.

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Analisando agora as caractersticas de consumo de energia eltrica, temos uma similaridade com o resistor: P(t)=i(t)v(t)=i2(t)M(q(t)) Quando a variao de M(q(t)) for relativamente pequena, quando o elemento estiver sujeito a uma corrente alternada, o memristor parecer como sendo um resistor eltrico, se M(q(t)) aumentar rapidamente, tanto a corrente eltrica quanto o consumo de energia eltrica vo parar rapidamente. 4. DIXIDO DE TITNIO-TiO2 O dixido de titnio tambm conhecido como xido de titnio (IV) ou titnia. Este elemento no encontrado puro na natureza, deve ser extrado de minrios como a ilmenita. um material semicondutor muito utilizado como pigmento em microeletrnica, sua grande faixa de atuao se deve ao aumento nos estudos na rea da nanotecnologia, pois este material possui alto ndice de refrao, alta transmitncia e estabilidade qumica. Este xido polimrfico, pode ser obtido em trs formas cristalinas: Rutilo: um mineral usualmente tetragonal de hbito prismtico, geralmente com cristais maclados.

FIGURA 5 - Anatase:um mineral tetragonal de hbito octadrico

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FIGURA 6 - Brookita:um mineral ortorrmbico Para entende um pouco mais sobre os memristores deve-se estudar tambm como um material semicondutor se comporta e como se d a sua dopagem. 5. COMPORTAMENTO DE SEMICONDUTORES O Dixido de Titnio um semicondutor, o que significa que este tipo de material possui uma diferena de um gap de energia menor que de um material isolante, mas maior da que de um material condutor, ou seja, sua condutividade no to fcil como a de um material condutor, mas acontece. Para se aumentar a condutividade de um material semicondutor feito a sua dopagem ou eleva-se a temperatura em que ele est exposto,pelo fato de que um aumento da temperatura de um semicondutor pode resultar em um aumento substitucional do numero de eltrons livres no material. Sabe-se que materiais intrnsecos so semicondutores cuidadosamente refinados para se obter a reduo de impurezas a um nvel muito baixo. So to puros quanto permite a tecnologia moderna. Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem chamado de material extrnseco. Dependendo do tipo de substancia a ser colocada na estrutura do material tem-se material do tipo p ou n. Material do tipo p tem a lacuna como portador majoritrio e o eltron como portador minoritrio. Um material do tipo n o eltron chamado de portador majoritrio e a lacuna chamada de portador minoritrio. de suma importncia saber que a concentrao de impurezas em semicondutores intrnsecos normalmente menor que 1 ppm. J os materiais extrnsecos podem conter de 100 a 1000 ppm de impurezas.

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6. CONCLUSO A maior dificuldade ao formular o presente trabalho deu-se ao fato de que as publicaes destes artigos sobre o memristor foram feitas h apenas dois meses atrs, com informaes enxutas para apenas explicar o que seria este elemento e como funciona, sem muitos detalhes na sua construo. Outra dificuldade aconteceu pelo fato de que tais artigos esto escritos em ingls, o que dificultou a compreenso de algumas palavras cientficas. Com a presente pesquisa foi possvel concluir que o avano nos estudos da nanotecnologia ir nos auxiliar na criao de novos componentes com mais eficincia do que os elementos j existentes. Se com apenas trs elementos fundamentais passivos atualmente existentes j so construdos uma infinidade de eletrnicos, o que esperaremos daqui a alguns anos com a descoberta deste novo elemento? 7. REFERNCIAS Leon O. Chua, Memristor - The Missing Circuit Element. IEEE Transactions on Circuit Theory, September 1971. INOVAES TECNOLGICAS. Memristor: cientistas comprovam existncia do quarto componente eletrnico fundamental. Disponvel em:< http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=memristor-cientistas-comprovam-existencia-do-quarto-componente-eletronicofundamental&id=010110080502> Acesso em: 05 de julho,2008. Revista: Nature Physics.Dmitri B. Strukov, Gregory S. Snider, Duncan R. Stewart, R. Stanley Williams. The missing memristor found. 1 de maio,2008 .Vol.: 453, 80-83 WIKIPEDIA. Memristor. Disponvel em :< http://en.wikipedia.org/wiki/Memristor > Acesso em: 1 de julho,2008. Michael Kanellos. HP makes memory from a once-theoretical circuit . Disponvel em: <http://news.cnet.com/8301-10784_3-9932054-7.html?hhTest=1 > Acesso em:7 de julho,2008.

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APLICAO DA CIENCIA DOS MATERIAIS: DIODOS Diogo Marujo

1. INTRODUO O objetivo principal deste trabalho o estudo das aplicaes da cincia dos materiais em engenharia. O foco do trabalho ser em diodos, dispositivo semicondutor muito utilizado na engenharia eltrica. Diodo semicondutor um dispositivo ou componente eletrnico composto de cristal semicondutor de silcio ou germnio numa pelcula cristalina cujas faces opostas so dopadas por diferentes gases durante sua formao. o tipo mais simples de componente eletrnico semicondutor, usado como retificador de corrente eltrica. 2. DOPAGEM DO DIODO SEMICONDUTOR E OS CRISTAIS P E N A dopagem no diodo feita pela introduo de elementos dentro de cristais tetravalentes, normalmente feitos de silcio e germnio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes, obter tomos com sete eltrons na camada de valncia, que necessitam de mais um eltron para a neutralizao (cristal P). Para a formao do cristal P, utiliza-se principalmente o elemento ndio . Dopando os cristais tetravalentes com elementos pentavalentes, obter-se- tomos neutralizados(com oito eltrons na camada de valncia) e um eltron excedente (cristal N). Para a formao do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento Fsforo. Quanto maior a intensidade da dopagem, maior ser a condutibilidade dos cristais, pois suas estruturas apresentaro um nmero maior de portadores livres(lacunas e eltrons livres) e poucas impurezas que impedem a conduo da corrente eltrica. Outro fator que influencia na conduo desses materiais a temperatura. Quanto maior for sua temperatura, maior ser a condutibilidade pelo fato de que a energia trmica ter a capacidade de quebrar algumas ligaes covalentes da estrutura se desfaam, acarretando no aparecimento de mais portadores livres para a conduo de veculo embriagado. Aps dopadas, cada face dos dois tipos de cristais(P e N)ter uma determinada caracterstica diferente da oposta, gerando regies de conduo do

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cristal, uma com excesso de eltrons, outra com falta destes (lacunas), e entre ambas, haver uma regio de equilbrio por recombinao de cargas positivas e negativas, chamada de regio de depleo( qual possui uma barreira de potencial).

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FIGURA 1 - Juno P-N, ou barreira de potencial. Da mesma forma que os eltrons livres do cristal N se movimentam, as cargas positivas ou lacunas(buracos) conduzem corrente eltrica pelo fato de que uma lacuna ocupada por um eltron proveniente de uma corrente eltrica que passa sobre o cristal e que fora a criao de outra lacuna atrs de si. Entre as duas regies, uma de maioria negativa, outra de maioria positiva, existe uma terceira, esta de maioria neutra, isto , nem de carga negativa, nem de carga positiva, a juno entre ambas, chamada de regio neutra da juno P-N. Na regio neutra no h excesso de eltrons nem lacunas porque alguns eltrons do material tipo N se difundem pela juno e entram em combinao com algumas lacunas(buracos) do material tipo P, reciprocamente, algumas lacunas(buracos) se difundem pela juno e entram em combinao com alguns eltrons do material do tipo N. Com a passagem de lacunas para a camada N, gera-se um pequeno potencial eltrico positivo e com a passagem de eltrons livres para a camada P, gera-se um pequeno potencial eltrico negativo, gerando uma pequena tenso interna, por isso do nome barreira de potencial, que pode chegar aproximadamente a 0,3 volts nos diodos de germnio e 0,7 volts nos diodos de silcio. Essa barreira de potencial causa uma queda de tenso, interferindo na tenso sobre os outros componentes pertencentes ao mesmo circuito do diodo. Quando a tenso a que submetido o diodo ,alimentado por uma fonte geradora, menor que sua barreira de potencial(<0,3V ou <0,7V), a corrente eltrica baixssima pela oposio ao fluxo de portadores livres feita pela barreira de potencial, porm se a tenso a que for submetido o diodo for mais alta do que sua barreira de potencial, a corrente eltrica torna-se alta e a oposio dos portadores livres feita pela barreira de potencial pequena em relao a tenso de alimentao, sendo quase desprezvel.

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3. POLARIZAO DO DIODO

FIGURA 2 Polarizao direta e inversa do diodo. O grfico mostra a curva caracterstica do comportamento do diodo em sua polarizao direta e inversa A polarizao do diodo dependente da polarizao da fonte geradora. A polarizao direta quando o plo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o plo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de catodo). Assim, se a tenso da fonte geradora for maior que a tenso interna do diodo, os portadores livres se repeliram por causa da polaridade da fonte geradora e conseguiram ultrapassar a juno P-N, movimentando-os e permitindo a passagem de corrente eltrica. A polarizao indireta quando o inverso ocorre. Assim, ocorrer uma atrao das lacunas do anodo(cristal P) pela polarizao negativa da fonte geradora e uma atrao dos eltrons livres do catodo(cristal N) pela polarizao positiva da fonte geradora, sem existir um fluxo de portadores livres na juno P-N, ocasionando no bloqueio da corrente eltrica. Pelo fato de que os diodos fabricados no so ideais(contm impurezas), a conduo de corrente eltrica no diodo(polarizao direta) sofre uma resistncia menor que 1 ohm, que quase desprezvel. O bloqueio de corrente eltrica no diodo(polarizao inversa) no total devido novamente pela presena

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de impurezas, tendo uma pequena corrente que conduzida na ordem de microampres, chamada de corrente de fuga, que tambm quase desprezvel. 4. UTILIDADE O fenmeno da condutividade em um s sentido aproveitado como um chaveamento da corrente eltrica para a retificao de sinais senoidais, portanto, este o efeito diodo semicondutor to usado na eletrnica, pois permite que a corrente flua entre seus terminais apenas numa direo. Esta propriedade utilizada em grande nmero de circuitos eletrnicos e nos retificadores. Os retificadores so circuitos eltricos que convertem a tenso CA (AC) em tenso CC (DC). CA vem de Corrente alternada, significa que os eltrons circulam em dois sentidos, CC (DC), Corrente contnua, isto circula num s sentido. A certa altura o potencial U, formado a partir da juno n e p no deixa os eltrons e lacunas movimentarem-se, este processo d-se devida assimetria de cargas existente. 5. TIPOS DE DIODOS SEMICONDUTORES Os diodos so projetados para assumir diferentes caractersticas: diodos retificadores so capazes de conduzir altas correntes eltricas em baixa freqncia, diodos de sinal caracterizam-se por retificar sinais de alta freqncia, diodos de chaveamento so indicados na conduo de altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das caractersticas dos materiais e dopagem dos semicondutores h uma gama de dispositivos eletrnicos variantes do diodo:

FIGURA 3 Diferentes tipos de diodo.

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5.1 LED LED a sigla em ingls para Light Emitting Diode, ou Diodo Emissor de Luz. O LED um diodo semicondutor (juno P-N) que quando energizado emite luz visvel. A luz no monocromtica (como em um laser), mas consiste de uma banda espectral relativamente estreita e produzida pelas interaes energticas do eltron. O processo de emisso de luz pela aplicao de uma fonte eltrica de energia chamado eletroluminescncia. Em qualquer juno P-N polarizada diretamente, dentro da estrutura, prximo juno, ocorrem recombinaes de lacunas e eltrons. Essa recombinao exige que a energia possuda por esse eltron, que at ento era livre, seja liberada, o que ocorre na forma de calor ou ftons de luz. No silcio e no germnio, que so os elementos bsicos dos diodos e transistores, entre outros componentes eletrnicos, a maior parte da energia liberada na forma de calor, sendo insignificante a luz emitida (devido a opacidade do material), e os componentes que trabalham com maior capacidade de corrente chegam a precisar de irradiadores de calor (dissipadores) para ajudar na manuteno dessa temperatura em um patamar tolervel. J em outros materiais, como o arseneto de glio (GaAs) ou o fosfeto de glio (GaP), o nmero de ftons de luz emitido suficiente para constituir fontes de luz bastante eficientes. A forma simplificada de uma juno P-N de um LED demonstra seu processo de eletroluminescncia. O material dopante de uma rea do semicondutor contm tomos com um eltron a menos na banda de valncia em relao ao material semicondutor. Na ligao, os ons desse material dopante (ons "aceitadores") removem eltrons de valncia do semicondutor, deixando "lacunas" (ou buracos), portanto, o semicondutor torna-se do tipo P. Na outra rea do semicondutor, o material dopante contm tomos com um eltron a mais do que o semicondutor puro em sua faixa de valncia. Portanto, na ligao esse eltron fica disponvel sob a forma de eltron livre, formando o semicondutor do tipo N. Os semicondutores tambm podem ser do tipo compensados, isto , possuem ambos os dopantes (P e N). Neste caso, o dopante em maior concentrao

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determinar a que tipo pertence o semicondutor. Por exemplo, se existem mais dopantes que levariam ao P do que do tipo N, o semicondutor ser do tipo P. Isso implicar, contudo, na reduo da Mobilidade dos Portadores. A Mobilidade dos Portadores a facilidade com que cargas n e p (eltrons e buracos) atravessam a estrutura cristalina do material sem colidir com a vibrao da estrutura. Quanto maior a mobilidade dos portadores, menor ser a perda de energia, portanto mais baixa ser a resistividade. Na regio de contato das reas, eltrons e lacunas se recombinam, criando uma fina camada praticamente isenta de portadores de carga, a chamada barreira de potencial, onde temos apenas os ons "doadores" da regio N e os ons "aceitadores" da regio P, que por no apresentarem portadores de carga "isolam" as demais lacunas do material P dos outros eltrons livres do material N. Um eltron livre ou uma lacuna s pode atravessar a barreira de potencial mediante a aplicao de energia externa (polarizao direta da juno). Aqui preciso ressaltar um fato fsico do semicondutor: nesses materiais, os eltrons s podem assumir determinados nveis de energia (nveis discretizados), sendo as bandas de valncia e de conduo as de maiores nveis energticos para os eltrons ocuparem. A regio compreendida entre o topo da de valncia e a parte inferior da de conduo a chamada "banda proibida". Se o material semicondutor for puro, no ter eltrons nessa banda (da ser chamada "proibida"). A recombinao entre eltrons e lacunas, que ocorre depois de vencida a barreira de potencial, pode acontecer na banda de valncia ou na proibida. A possibilidade dessa recombinao ocorrer na banda proibida se deve criao de estados eletrnicos de energia nessa rea pela introduo de outras impurezas no material. Como a recombinao ocorre mais facilmente no nvel de energia mais prximo da banda de conduo, pode-se escolher adequadamente as impurezas para a confeco dos LEDS, de modo a exibirem bandas adequadas para a emisso da cor de luz desejada (comprimento de onda especfico). Funcionamento A luz emitida no monocromtica, mas a banda colorida relativamente estreita. A cor, portanto, dependente do cristal e da impureza de dopagem com que o componente fabricado. O LED que utiliza o arseneto de glio emite radiaes infravermelhas. Dopando-se com fsforo, a emisso pode ser vermelha ou amarela,

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de acordo com a concentrao. Utilizando-se fosfeto de glio com dopagem de nitrognio, a luz emitida pode ser verde ou amarela. Hoje em dia, com o uso de outros materiais, consegue-se fabricar LEDS que emitem luz azul, violeta e at ultravioleta. Existem tambm os LEDS brancos, mas esses so geralmente LEDS emissores de cor azul, revestidos com uma camada de fsforo do mesmo tipo usado nas lmpadas fluorescentes, que absorve a luz azul e emite a luz branca. Com o barateamento do preo, seu alto rendimento e sua grande durabilidade, esses LEDS tornam-se timos substitutos para as lmpadas comuns, e devem substitu-las a mdio ou longo prazo. Existem tambm os LEDS brancos chamados RGB (mais caros), e que so formados por trs "chips", um vermelho (R de red), um verde (G de green) e um azul (B de blue). Uma variao dos LEDS RGB so LEDS com um microcontrolador integrado, o que permite que se obtenha um verdadeiro show de luzes utilizando apenas um LED. Em geral, os LEDS operam com nvel de tenso de 1,6 a 3,3V, sendo compatveis com os circuitos de estado slido. interessante notar que a tenso dependente do comprimento da onda emitida. Assim, os LEDS infravermelhos geralmente funcionam com menos de 1,5V, os vermelhos com 1,7V, os amarelos com 1,7V ou 2.0V, os verdes entre 2.0V e 3.0V, enquanto os LEDS azuis, violeta e ultra-violeta geralmente precisam de mais de 3V. A potncia necessria est na faixa tpica de 10 a 150 mW, com um tempo de vida til de 100.000 ou mais horas. Semforo de LED com contador regressivo, em Po-SP, Brasil Como o LED um dispositivo de juno P-N, sua caracterstica de polarizao direta semelhante de um diodo semicondutor. Sendo polarizado, a maioria dos fabricantes adota um "cdigo" de identificao para a determinao externa dos terminais A (anodo) e K (catodo) dos LEDS. Nos LEDS redondos, duas codificaes so comuns: identifica-se o terminal K como sendo aquele junto a um pequeno chanfro na lateral da base circular do seu invlucro ("corpo"), ou por ser o terminal mais curto dos dois. Existem fabricantes que adotam simultaneamente as duas formas de identificao. Nos LEDS retangulares, alguns fabricantes marcam o terminal K com um pequeno "alargamento" do terminal junto base do componente, ou ento deixam esse terminal mais curto.

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Mas, pode acontecer do componente no trazer qualquer referncia externa de identificao dos terminais. Nesse caso, se o invlucro for semitransparente, pode-se identificar o catodo (K) como sendo o terminal que contm o eletrodo interno mais largo do que o eletrodo do outro terminal (anodo). Alm de mais largo, s vezes o catodo mais baixo do que o anodo. Os diodos emissores de luz so empregados tambm na construo dos displays alfas-numricos. H tambm LEDS bicolores, que so constitudos por duas junes de materiais diferentes em um mesmo invlucro, de modo que uma inverso na polarizao muda a cor da luz emitida de verde para vermelho, e vice-versa. Existem ainda LEDS bicolores com trs terminais, sendo um para acionar a juno dopada com material para produzir luz verde, outro para acionar a juno dopada com material para gerar a luz vermelha, e o terceiro comum s duas junes. O terminal comum pode corresponder interligao dos anodos das junes (LEDS bicolores em anodo comum) ou dos seus catodos (LEDS bicolores em catodo comum). Embora normalmente seja tratado por LED bicolor (vermelho+verde), esse tipo de LED na realidade um "tricolor", j que alm das duas cores independentes, cada qual gerada em uma juno, essas duas junes podem ser simultaneamente polarizadas, resultando na emisso de luz alaranjada. Geralmente, os LEDS so utilizados em substituio s lmpadas de sinalizao ou lmpadas pilotos nos painis dos instrumentos e aparelhos diversos. Para fixao nesses painis, comum o uso de suportes plsticos com rosca. Como o diodo, o LED no pode receber tenso diretamente entre seus terminais, uma vez que a corrente deve ser limitada para que a juno no seja danificada. Assim, o uso de um resistor limitador em srie com o LED comum nos circuitos que o utilizam. Tipicamente, os LEDS grandes (de aproximadamente 5 mm de dimetro, quando redondos) trabalham com correntes da ordem de 12 a 30 mA e os pequenos (com aproximadamente 3 mm de dimetro) operam com a metade desse valor. Os LEDS no suportam tenso reversa (Vr) de valor significativo, podendo-se danific-los com apenas 5V de tenso nesse sentido. Por isso, quando alimentado por tenso C.A., o LED costuma ser acompanhado de um diodo retificador em antiparalelo (polaridade invertida em relao ao LED), com a finalidade de conduzir

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os semi-ciclos nos quais ele - o LED - fica no corte, limitando essa tenso reversa em torno de 0,7V (tenso direta mxima do diodo), um valor suficientemente baixo para que sua juno no se danifique. Pode-se adotar tambm uma ligao em srie entre o diodo de proteo e o LED.

FIGURA 4 Tamanho de LED. 5. 2 DIODO ZENER Diodo Zener um tipo de diodo especialmente projetado para trabalhar na regio de avalanche, ou seja, na regio de ruptura de tenso reversa da juno PN. O diodo Zener difere do diodo convencional pelo fato de receber uma dopagem (tipo N ou P) maior, o que provoca a aproximao da curva na regio de avalanche ao eixo vertical. Isto reduz consideravelmente a tenso de ruptura e evidencia o efeito Zener que mais notvel tenses relativamente baixas (em torno de 5,5V). Desta forma, qualquer diodo que seja projetado para operar na regio de avalanche (mesmo que no seja a baixas tenses) denominado de diodo Zener. A seguir mostrado um esquema do funcionamento do diodo zener:

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FIGURA 5 Diodo Zener (esquemtico). Uma polarizao inversa abaixa a descontinuidade do lado n da juno e eleva a descontinuidade do lado p. Pequena corrente flui nas partes (a) e (b) porque h poucos eltrons na banda de conduo (BC) do lado p, ou seja, poucos eltrons servindo como transportadores. (c) Quando a voltagem se torna grande o suficiente, uma avalanche de eltrons pode se mover diretamente da banda de valncia (BV) do lado p da juno para a banda de conduo do lado n. Se a voltagem inversa for diminuda, a situao retroage para (b) e (a), e apenas correntes desprezveis fluiro nesses sentidos. Essa voltagem incidental pode ser calibrada. O diodo Zener pode funcionar polarizado diretamente ou inversamente. Quando est polarizado diretamente, funciona como outro diodo qualquer, no conduz enquanto a tenso aos seus terminais for inferior a 0,6 V (diodo de silcio) e a partir desta tenso comea a conduzir, primeiro pouco e depois cada vez mais depressa, sendo no linear a curva de crescimento da corrente com a tenso. Por esse fato, a sua tenso de conduo no nica, sendo considerada de 0,6 ou 0,7 V. Qualquer diodo inversamente polarizado praticamente no conduz desde que no ultrapasse a tenso de ruptura. Na verdade, existe uma pequena corrente inversa, chamada de "corrente de saturao" e devida unicamente gerao de pares de elctro-lacuna na regio de carga espacial, temperatura ambiente. No diodo Zener acontece a mesma coisa. A diferena que, no diodo convencional, ao atingir uma determinada tenso inversa, a corrente inversa aumenta bruscamente (efeito de avalanche) e a dissipao trmica acaba por destruir o dispositivo, no sendo possvel inverter o processo. No diodo Zener, por outro lado, ao atingir uma tenso chamada de Zener (geralmente bem menor que a tenso de ruptura de um

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diodo comum), o dispositivo passa a permitir a passagem de corrente bem maiores que a de saturao inversa, mantendo constante a tenso entre os seus terminais. Cada diodo Zener possui uma tenso de Zener especfica como, por exemplo, 5,1 V, 6,3 V, 9,1, 12v e 24v. Quanto ao valor da corrente mxima admissvel, existem vrios tipos de [diodo]. O valor indicado o da potncia. Por exemplo, existem diodos Zener de 400 mW, 1W alm de outros valores. O valor da corrente mxima admissvel depende desta potncia e da tenso de Zener. por isso que o diodo Zener se encontra normalmente associado com uma resistncia em srie, destinada precisamente a limitar a corrente a um valor admissvel.

5.3 DIODO SCHOTTKY Diodo Schottky um tipo de diodo que utiliza o efeito Schottky na semiconduo. Seu nome uma homenagem ao fsico alemo Walter Schottky. Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato direto com um semicondutor, como indicado na figura abaixo. O metal usualmente depositado sobre um material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte metlica ser o anodo e o semicondutor, o catodo. Numa deposio de Al (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do semicondutor tipo N migraro para o metal, criando uma regio de transio na juno. Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos materiais) esto em trnsito. O seu chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos bipolares, uma vez que no existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio apenas refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N tem uma dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perda de conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V. A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas quais as quedas sobre os retificadores so significativas.

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FIGURA 6 Diodo Schottky. 5.4 FOTODODO Um fotodiodo um componente eletrnico e um tipo de fotodetector. uma juno PN designada para responder a uma entrada tica. Fotodiodos possuem uma "janela" ou uma conexo de fibra tica, responsvel por deixar a luz passar e incidir na parte sensvel do dispositivo. Tambm pode ser usado sem a "janela" para detectar raios ultravioleta ou raios-x. Fotodiodos podem ser usados tanto na polarizao reversa quanto na polarizao direta. Na polarizao direta, a luz que incide sobre o fotodiodo faz a corrente transcorrer atravs do dispositivo, levando-a a ir para o sentido frontal. Isso conhecido como o efeito fotoeltrico, e a base das clulas de captao de energia solar - alis, uma clula de captao de energia solar apenas um monte de grandes, e baratos, fotodiodos. Diodos geralmente possuem uma altssima resistncia quando a polaridade revertida. Essa resistncia reduzida quando a luz, em uma apropriada freqncia, brilha na juno. Se iluminarmos uma juno p-n reversamente polarizada, a corrente varia quase linearmente com o fluxo luminoso. Este efeito aproveitado no fotodiodo semicondutor. Este dispositivo formado de uma juno p-n recoberta por um plstico transparente, como mostra a figura ao lado. Com exceo de uma janela sobre a juno, as demais partes so pintadas de preto ou encapsuladas em um invlucro metlico. O dispositivo completo extremamente pequeno e suas dimenses so milimtricas. Se aplicarmos tenses reversas, alm de poucos dcimos de volt, obteremos uma corrente quase constante. A corrente que obtemos colocando o dispositivo no escuro corresponde corrente de saturao reversa devida gerao trmica dos

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portadores minoritrios. Se um feixe de luz incide sobre a superfcie, novos pares eltron-lacuna sero gerados. O fotodiodo p-n particularmente a verso melhorada n-p-n e encontram muitas aplicaes na leitura de altas velocidades das perfuradoras de cartes e fitas de computadores, sistema de deteco de luz, leitura da trilha sonora de um filme, chaves operadas por luz, linhas de produo contendo objetos que interrompam um fluxo luminoso, etc.

FIGURA 7 Fotodiodo. 5.5 VARICAP Os diodos de capacitncia varivel, vasistores ou varicaps como tambm so chamados, so diodos de silcio que aproveitam uma propriedade importante das junes quando polarizadas no sentido inverso e o componente no conduz a corrente. Na figura ao lado temos o smbolo e o aspecto de um diodo deste tipo. O que ocorre que, quando o diodo no conduz, sendo polarizado no sentido inverso, as partes do material semicondutor onde a corrente pode atuar, funcionam como as placas de um capacitor e a juno como um dieltrico. O interessante que se variando a tenso neste componente, os portadores de carga que se recombinam na juno podem aproximar-se ou afastarse mudando assim a capacitncia do componente. O diodo se comporta ento como um capacitor, em que podemos controlar a capacitncia variando a tenso inversa aplicada: menor tenso ter maior capacitncia. Esta propriedade, faz com que o diodo varicap seja usadoem lugar dos capacitores variveis no circuito de sintonia de muitos tipos de aparelhos.

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FIGURA 8 Varicap ou varistor.

5.6. OLED Organic Light-Emitting Diode ou diodo orgnico emissor de luz uma tecnologia criada pela Kodak em 1980 e que promete telas planas muito mais finas, leves e baratas que as atuais telas de LCD. A idia usar diodos orgnicos, compostos por molculas de carbono que emitem luz ao receberem uma carga eltrica. A vantagem que ao contrrio dos diodos tradicionais, essas molculas podem ser diretamente aplicadas sobre a superfcie da tela, usando um mtodo de impresso. Acrescentados os filamentos metlicos que conduzem os impulsos eltricos a cada clula, est pronta uma tela a um custo extremamente baixo. A idia usar diodos orgnicos, compostos por molculas de carbono que emitem luz ao receberem uma carga eltrica. A vantagem que ao contrrio dos diodos tradicionais, essas molculas podem ser diretamente aplicadas sobre a superfcie da tela, usando um mtodo de impresso. Acrescentados os filamentos metlicos que conduzem os impulsos eltricos a cada clula, est pronta uma tela a um custo extremamente baixo. Uma das principais caractersticas da tela orgnica que ela possui luz prpria. Com isto no necessita de luz de fundo ou luz lateral, (backlight ou sidelight) e ocupa menos espao, dois fatores que tornam a tecnologia muito interessante para uso em computadores de mo e laptops. Outra importante caracterstica que por emitir luz prpria cada OLED quando no polarizado torna-se obscuro obtendo-se assim o "preto real", diferentemente do que ocorre com LCDs que no conseguem obstruir completamente a luz de fundo e ainda neste caso no h consumo de energia para a modulao de luz de fundo.

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Alm destas vantagens as telas OLED possuem baixos tempos de resposta (uma das principais desvantagens do LCD), podem ser visualizadas de diversos ngulos (180), tm contraste muito melhor (de 1000:1 contra 100:1 das telas LCD no escuro), suportam melhor o calor e o frio, alm de ser produzidas de forma mais simplificada e usando menos materiais do que os LCDs. Alguns fabricantes preferem chamar a tecnologia OEL de OLED (Organic Light-Emitting Diode). Uma desvantagem em utilizar essa tecnologia e sua facilidade em decomporse em locais de alta umidade. Tendo que ser hermeticamente encapsulados para que fatores externos no afetem o aparelho. Na figura a seguir, podemos observar a estrutura de um OLED.

FIGURA 9 OLED. 5.7 DIODO TNEL O diodo tnel ou diodo Esaki um tipo de diodo semicondutor extremamente rpido, que opera na casa dos GHz, atravs da utilizao dos efeitos da mecnica quntica. Recebeu o nome do fsico Leo Esaki, que em 1973 recebeu o Prmio Nobel em Fsica pela descoberta do efeito tnel utilizado neste tipo de diodo semicondutor.

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Ele funciona somente na rea de resistncia negativa, somente quando temse uma tenso muito prxima de zero (chamada de avalanche, do diodo zener), ou seja, ele s funciona como diodo tnel quando polarizado reversamente, quando polarizado diretamente ele funciona como qualquer outro diodo. A sua rea de funcionalmente somente quando a tenso "considerada" negativa. 5.8 SCR SCR (do ingls Silicon Controled Rectifier - Retificador Controlado de Silcio) um componente eletrnico semicondutor de quatro camadas. Composto, geralmente, por trs terminais, dois dos quais formam um diodo bipolar (um anodo e o outro catodo), e o terceiro terminal constitui um gate (porta), atravs do qual se efetua o "disparo" do dispositivo. A construo de quatro camada demonstrado que o direito conhecido como um Silicon Controlled Rectifier, ou SCR. Para formar-lo, temos que adicionar uma ligao tipo-p regio prxima ao ctodo. Esta ligao conhecida como o gate. Se aterrarmos tanto o ctodo e o gate, e aplicarmos uma tenso positiva para o anodo, no ir atuar fluxo atravs deste dispositivo. Isto est em harmonia com a base do diodo. Neste caso, porm, no vamos permitir que a tenso aplicada no anodo a ultrapasse o SCR breakover de tenso. Assim, se nada acontecer, o SCR continuar a ser desligado indefinidamente. No entanto, se agora aplicarmos uma pequena tenso positiva para o gate de modo a levar em frente o vis catdicos juno, o dispositivo ir se transformar totalmente a imediatamente. Novamente, isto , uma conseqncia do comportamento da base diodo. A diferena que ns podemos controlar rigorosamente o tempo e tenso aplicada no gate se for.

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FIGURA 10 SRC. 6. JUNO PN Denomina-se juno P-N estrutura fundamental dos componentes eletrnicos comumente denominados semicondutores, principalmente diodos e transistores. formada pela juno metalrgica de dois cristais. geralmente Silcio (Si) e (atualmente menos comum) Germnio (Ge), de natureza P e N, segundo sua composio a nvel atmico. Estes dois tipos de cristais so obtidos ao se dopar cristais de metal puro intencionalmente com impurezas, normalmente algum outro metal ou composto qumico. 6.1 SILCIO PURO OU INTRNSECO Os cristais de Silcio so formados a nvel atmico por uma estrutura cristalina baseada em ligaes covalentes que se produzem graas aos 4 eltrons de valncia do tomo de Silcio. Cabe tambm mencionar as lacunas ou buracos que so o lugar deixado pelo eltron quando abandona a camada de valncia e torna-se um eltron livre, isto o que se conhece com pares eltron-lacuna e sua criao se deve temperatura segundo as leis da termodinmica. Em um semicondutor puro (intrnseco), temperatura constante, o nmero de lacunas igual ao nmero de eltrons livres. 6.2 SILCIO EXTRNSECO TIPO "P" Um semicondutor tipo P obtido atravs do processo de dopagem, adicionando-se um certo tipo de composto, normalmente trivalente, isto , com 3 eltrons na camada de valncia, ao semicondutor para aumentar o nmero de portadores de carga livres (neste caso positivas, lacunas).

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O propsito da dopagem tipo P criar abundncia de lacunas. No caso do silcio, uma impureza trivalente deixa uma ligao covalente incompleta, fazendo que, por difuso, um dos tomos vizinhos ceda-lhe um eltron completando assim suas quatro ligaes. Assim os dopantes criam as lacunas. Cada lacuna est associada com um on prximo carregado negativamente, portanto o semicondutor mantm-se eletricamente neutro. Entretanto quando cada lacuna se move pela rede, um prton do tomo situado na posio da lacuna se v "exposto" e logo se v equilibrado por um eltron. Por esta razo uma lacuna comporta-se como uma carga positiva. Quando um nmero suficiente de aceitadores de carga so adicionados, as lacunas superam amplamente a excitao trmica dos eltrons. Assim, as lacunas so os portadores majoritrios, enquanto os eltron so os portadores minoritrios nos materiais tipo P. Os diamantes azuis (tipo IIb), que contm impurezas de boro (B), so um exemplo de semicondutor tipo P que se produz de maneira natural. 6.3 SILCIO "EXTRNSECO" TIPO "N" Um Semicondutor tipo N obtido atravs do processo de dopagem em que se adiciona um composto, normalmente pentavalente, isto , com 5 eltrons na camada de valncia, ao semicondutor para aumentar o nmero de portadores de carga livres (neste caso negativos, eltrons livres). Quando o material dopante adicionado, este aporta seus eltrons mais fracamente ligados aos tomos do semicondutor. Este tipo de agente dopante tambm conhecido como material doador j que cede um de seus eltrons ao semicondutor. O propsito da dopagem tipo N o de produzir abundncia de eltrons livres no material. Para ajudar a entender como se produz a dopagem tipo N considere-se o caso do silcio (Si). Os tomos do silcio tm uma valncia atmica de quatro, portanto forma-se uma ligao covalente com cada um dos tomos de silcio adjacentes. Se um tomo com cinco eltrons de valncia, tais como os do grupo VA da tabela peridica (ex: fsforo (P), arsnico (As) ou antimnio (Sb)), se incorpora rede cristalina no lugar de um tomo de silcio, ento este tomo ter quatro ligaes covalentes e um eltron no ligado. Este eltron extra d como resultado a formao de eltrons livres, o nmero de eltrons no material supera amplamente o nmero de lacunas, neste caso os eltrons so portadores majoritrios e as lacunas portadores

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minoritrios. Pelo fato de que os tomos com cinco eltrons de valncia tm um eltron extra para "dar" eles so chamados tomos doadores. Note-se que cada eltron livre no semicondutor nunca est distante de um on dopante positivo imvel, e o material dopado tipo N geralmente tem uma carga eltrica lquida final igual a zero. Ao unir ambos os cristais, manifesta-se uma difuso de eltrons do cristal N ao P (Je). Ao se estabelecer estas correntes aparecem cargas fixas em uma zona em ambos os lados da juno, zona que recebe diferentes denominaes como barreira interna de potencial, zona de carga espacial, de esgotamento ou empobrecimento, de esvaziamento, etc. A medida que progride o processo de difuso, a zona de carga espacial vai aumentando sua largura aprofundando-se nos cristais em ambos os lados da juno. A acumulao de ons positivos na zona N e de ons negativos na zona P, cria um campo eltrico (E) que atuar sobre os eltrons livres da zona N com uma determinada fora de deslocamento, que se opor corrente de eltrons e terminar por det-los. Este campo eltrico equivalente a dizer que aparece uma diferena de tenso entre as zonas P e N. Esta diferena de potencial (V0) de 0,7 V no caso do silcio e 0,3 V se os cristais so de germnio. 6.3 POLARIZAO DIRETA DA JUNO P-N Para que um diodo esteja polarizado diretamente, temos que conectar o plo positivo da bateria ao anodo (zona P) do diodo e o plo negativo ao catodo (zona N). Nestas condies podemos observar que:

O plo negativo da bateria repele os eltrons livres do cristal N, de maneira que estes eltrons se dirigem juno P-N. O plo positivo da bateria atrai os eltrons de valncia do cristal P, isto equivalente a dizer que empurra as lacunas para a juno P-N. Quando a diferena de potencial entre os bornes da bateria maior que a diferena de potencial na zona de carga espacial P, os eltron livres do cristal N, adquirem a energia suficiente para saltar at as lacunas do cristal P, as quais previamente foram deslocadas para a juno P-N.

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Uma vez que um eltron livre da zona N salta zona P atravessando a zona de carga espacial, cai em uma das muitas lacunas da zona P convertendo-se em eltron de valncia. Uma vez que isto ocorre o eltron atrado pelo polo positivo da bateria e se desloca de tomo em tomo at chegar ao final do cristal P, atravs do qual introduz-se no fio condutor e chega bateria.

Neste caso, a bateria diminui a barreira de potencial da zona de carga espacial (cedendo eltrons livres zona N e atraindo eltrons de valncia da zona P), permitindo a passagem da corrente de eltrons atravs da juno; isto , o diodo polarizado diretamente conduz a eletricidade. 6.4 POLARIZAO INVERSA DA JUNO P-N Neste caso o plo negativo da bateria conectado zona P e o plo positivo zona N, o que faz aumentar a zona de carga espacial, e a tenso nesta zona at que se alcana o valor da tenso da bateria.

O plo positivo da bateria atrai os eltrons livres da zona N, os quais saem do cristal N e se introduzem no condutor no qual se deslocam at chegar bateria. A medida que os eltrons livres abandonam a zona N, os tomos pentavalentes que antes eram neutros, ao verem-se desprendidos de seu eltron no orbital de conduo, adquirem estabilidade (8 eltrons na camada de valncia, ver semicondutor e tomo) e uma carga eltrica lquida de +1, o que os faz converterem-se em ons positivos.

O plo negativo da bateria cede eltrons livres aos tomos trivalentes da zona P. Recordemos que estes tomos s tm trs eltrons de valncia, e uma vez s ligaes forem formadas covalentes com os tomos de silcio, tm somente 7 eltrons de valncia, sendo o eltron que falta denominado lacuna. Acontece que quando estes eltrons livres cedidos pela bateria entram na zona P, caem dentro destas lacunas com o que os tomos trivalentes adquirem estabilidade (8 eltrons em seu orbital de valncia) e uma carga eltrica lquida de -1, convertendo-se assim em ons negativos.

Este processo se repete e de novo at que a zona de carga espacial adquire o mesmo potencial eltrico da bateria.

Nesta situao, o diodo no deveria conduzir a corrente; no obstante, devido ao efeito da temperatura formar-se-o pares eltron-lacuna em ambos os lados da

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juno produzindo-se uma pequena corrente (da ordem de 1 A) denominada corrente inversa de saturao. Alm disso, existe tambm uma corrente denominada corrente superficial de fugas a qual, como o prprio nome indica, conduz uma pequena corrente pela superfcie do diodo; j que na superfcie, os tomos de silcio no esto rodeados de suficientes tomos para realizar as quatro ligaes covalentes necessrias para obter estabilidade. Este faz com que os tomos da superfcie do diodo, tanto da zona N como da P, tenham lacunas em seus orbitais de valncia e por isto os eltrons circulam sem dificuldade atravs deles. No obstante, assim como a corrente inversa de saturao, a corrente superficial de fugas desprezvel. 7. CONCLUSO Ao termino deste trabalho podemos concluir que o estudo da cincia dos materiais muito importante, pois atravs dela que novos equipamentos so criados e melhorados. Como exemplo, podemos destacar o Oled, que foi desenvolvido aps muitos estudos de materiais. 8. REFERCIAS BOYLESTAD, R. e NASHEKSKI, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 6a Edio, Editora Prentice-Hall do Brasil, 1999. MALVINO, A. P. e LEACH, D. P. Eletrnica Digital - Princpios e Aplicaes, Vol. 1, So Paulo: Editora McGraw-Hill, 1987. WIKIPEDIA. A ENCICLOPEDIA LIVRE. Disponvel http://pt.wikipedia.org/wiki/Semicondutor Acesso em: 25 junho 2008 em: