3 Transdutores Resistivos

3.1 Transdutores Potenciomtricos

basicamente um potencimetro, devidamente excitado (transdutor ativo segundo a nossa
definio prvia), no qual a tenso varivel obtida no cursor modificada em decorrncia da ao
de alguma varivel mecnica, tal como uma fora ou acelerao.
Este um tipo de transdutor considerado como um transdutor de grande variao de sinal
uma vez que a sada pode variar de 0 a prpria tenso da fonte de excitao.
Existem, na prtica, vrios tipos de potencimetros possveis de serem utilizados na
construo deste tipo de transdutor, sendo cada tipo responsvel pelas caractersticas finais do
mesmo.
A anlise no circuito nos mostra que
v
out
=v
in

R
L
// xR
p
R
L
// xR
p
+(1x)R
p
,
mas considerando R
L
=oR
p
v
out
=v
in

oR
p
xR
p
oR
p
+xR
p
oR
p
xR
p
oR
p
+xR
p
+(1x)R
p
v
out
=v
in

oxR
p
2
oxR
p
2
+o(1x)R
p
2
+x(1x)R
p
2
v
out
=v
in

ox
o+x(1x)
Porm seria desejvel que a sada expressasse somente o deslocamento x, isto
v
out
v
in
=x (caso obtido com
R
L
=
)
Se o erro relativo entre a funo de transferncia real e a ideal for definido como
erro=
(
v
out
v
in
)
real

(
v
out
v
in
)
ideal
(
v
out
v
in
)
ideal
ento
erro=
ox
o+x(1x)
x
x
erro=
x(1x)
o+x(1x)
Derivando-se a funo de erro com relao a x e igualando-a a zero, obtm-se a posio de
erro mximo
erro
x
=
| o+x(1x)(2x1)x(1x)(2x1)
|o+x(1x)
2
=0
erro
x
=
o( 2x1)+x(1x)(2x1)x(1x)(2x1)
|o+x(1x)
2
=0
erro
x
=
o(2x1)
| o+x(1x)
2
=0
logo
o(2x1)=0
x=0,5
Ento o maior erro, em relao ao valor ideal, ocorre quando o cursor est no meio do curso,
sendo que tal erro igual a
erro
mx
=erro
x=0,5
=
x(1x)
o+x(1x)
erro
mx
=
0,25
o+0,25
erro
mx
=
1
1+
o
0,25
erro
mx
=
1
1+4o
Ou seja, o erro mximo funo de , como esperado. Supondo-se
o=1
(
R
L
=R
p
) temos
erro
mx
=
1
1+4
=20%
Na figura abaixo so apresentadas as curvas de erro absoluto e relativo com relao a
posio x alm dos valores de v(out) para o caso ideal e real onde a vin=1V, R
L
=10k e R
P
=10k.
3.1.1 Exemplos de aplicaes
3.2 Termistores
So resistores sensveis temperatura, que normalmente apresentam coeficiente negativo de
resistividade (NTC).
(Sensors in Biomedical Applications, Fundamentals,Technology and Applications, Grbor
Harsnyi, CRC Press, 2000)
http://www.efunda.com/designstandards/sensors/thermistors/thermistors_theory.cfm
Os materiais classicamente utilizados na construo de termistores so semicondutores, uma
vez que a sua resistividade muito maior do que a resistividade dos metais condutores.
A resistncia de um termistor pode ser descrito aproximadamente por
R(T )=R
0
e

(
1
T

1
T
0
)
onde
R
0
a resistncia na temperatura de referncia
T
0
uma constante que depende do material de construo
T a temperatura em Kelvin
Tomando-se o logaritmo natural dos dois lados
ln | R(T )=

T


T
0
+ln| R
0

Chamando agora de recproco da temperatura

A=
1
T
ln |R(T )=AA
0
+ln| R
0

que uma funo linear de A (onde a inclinao da curva ln | R(T ) versus A ).

Na forma direta, a curva tpica de um termistor mostrada na figura abaixo, onde os valores
2000K at 5000K correspondem aos valores de .
(retirado da pgina da Epcos Electronic Parts and Components)
Em algumas aplicaes desejvel uma relao linear entre a resistncia e a temperatura.
Isto pode ser conseguido, para uma faixa limitada de temperatura, colocando-se um resistor fixo em
paralelo com o termistor. Embora isto acarrete uma reduo na sensibilidade do dispositivo, a
sensibilidade original do termistor relativamente alta, o que ainda garante um resultado final
satisfatrio.
(Retirado da Epcos Electronic Parts Components)
Rp=R
T

2T
+2T
A equao acima mostra uma regra simples para linearizao em torno de uma s
temperatura. Uma linearizao melhor pode ser obtida utilizando-se dois pontos. O valor do resistor
a ser colocado em paralelo pode ser determinado pensando-se inicialmente que o paralelo ser:
R=
R
P
R
T
R
P
+R
T
, onde
R
P
o resistor de compensao e
R
T
o termistor.
Diferenciando-se em relao a temperatura
R
T
=R
P

|
( R
P
+R
T
)
R
T
T
R
T

R
T
T
( R
P
+R
T
)
2

R
T
=R
P
2

R
T
T
( R
P
+R
T
)
2
a inclinao da curva resistncia versus temperatura.
Escolhe-se agora dois pontos da curva de R
T
versus temperatura de tal modo que eles
estejam a aproximadamente dos extremos (ponto 1 a do incio e o ponto 2 a do final).
Tentaremos agora impor uma igualdade entre as inclinaes de associao paralela nos
pontos 1 e 2, assumindo que todos os pontos no intervalo 1-2 tero tal inclinao. Ento
R
P
2

R
T1
T
( R
P
+R
T
)
2
=R
P
2

R
T2
T
( R
P
+R
T
)
2
como
R(T )=R
T
=R
0
e

(
1
T

1
T
0
)
=R
0
e

T
e

T
0
R
T
T
=R
0
e

T
0

T
2
e

T
)
R
T
T
=

T
2
R
0
e

(
1
T

1
T
0
)
R
T
T
=

T
2
R
T
ento
R
T1
T
=

T
1
2
R
T1
R
T2
T
=

T
2
2
R
T2
Logo
R
P
2

R
T1
T
1
2
( R
P
+R
T1
)
2
=R
P
2

R
T2
T
2
2
( R
P
+R
T2
)
2
( R
P
2
+2R
P
R
T1
+R
T1
2
)
R
T2
T
2
2
=( R
P
2
+2R
P
R
T2
+R
T2
2
)
R
T1
T
1
2
R
P
2
R
T2
T
1
2
+2R
P
R
T1
R
T2
T
1
2
+R
T1
2
R
T2
T
1
2
R
P
2
R
T1
T
2
2
2R
P
R
T2
R
T1
T
2
2
R
T2
2
R
T1
T
2
2
=0
supondo o cancelamento dos termos 2R
P
R
T1
R
T2
T
1
2
2R
P
R
T2
R
T1
T
2
2
, ento
R
P
2
( R
T2
T
1
2
R
T1
T
2
2
)=R
T2
2
R
T1
T
2
2
R
T1
2
R
T2
T
1
2
e
R
P
=
.
R
T2
2
R
T1
T
2
2
R
T1
2
R
T2
T
1
2
R
T2
T
1
2
R
T1
T
2
2
A figura abaixo mostra um grfico de R(T) linearizada por diferentes resistncias R
P
.
Os termistores podem operar em trs faixas distintas de funcionamento caracterizadas pelas
sua curva v x i. A figura abaixo mostra um exemplo de curva v x i de um dado termistor obtida a
temperatura constante.
(retirado da pgina da Epcos Electronic Parts and Components)
Na curva observa-se uma regio linear (onde o auto aquecimento desprezvel) utilizada
para medida de temperatura, uma regio de mximo e outra onde a tenso diminui com o aumento
de corrente. Esta regio pode ser utilizada em funo do auto aquecimento do transdutor
(limitadores de corrente, sensores de nvel para lquidos entre outros).
Uma especificao importante de um termistor sua constante de dissipao, definida como
a potncia (em miliwatts) que causa um aumento de 1C de auto-aquecimento, para uma dada
temperatura. Valores tpicos de tal constante so de 0,5 a 10mW/C, sendo a faixa tpica de
temperatura de -55C a 150C
Uma outra importante especificao a constante de tempo trmica, definida como o tempo
necessrio para o termistor atingir 63,2% da diferena entre as temperaturas inicial e final do seu
corpo, quando submetido a uma mudana abrupta da temperatura (idealmente uma funo
degrau), assumindo-se uma condio de potncia nula. Valores tpicos da constante de tempo
trmica vo de 1 a 50s.
3.2.1 Exemplos de aplicaes
3.3 Resistncias termmetro (RTD)
So resistncias dependentes da temperatura. Normalmente estas resistncias so obtidas a
partir de metais ou ligas metlicas. Costumam ser muito lineares, muito estveis e muito precisos.
(Measurement & Instrumentation Principles, Alan S Morris, Butterworth Heinemann, 2001)
Seu coeficiente de temperatura positivo e capaz de operar em uma faixa de temperatura
muito maior que a dos termistores. Os materiais resistivos exibem uma variao da resistncia com
a temperatura porm nem todos possuem caractersticas estveis. Os materiais mais utilizados para
este tipo de sensor so a platina, o nquel e o cobre cuja equao caracterstica e seus coeficientes
so apresentados a seguir.
R
T
=R
o
(1+o(T T
0
)+(TT
0
)
2
+(T T
0
)
3
+...)
Para o caso da Platina entre 0 e 850
o
C temos:

Pt
= 3907x10
-6
/K;
Pt
= -0.5768408x10
-6
/K
2
Para o caso do Nquel entre -50 e 180
o
C temos:

Ni
= 5470x10
-6
/K;
Ni
= 0.639x10
-5
/K
2
;
Ni
= 0.69x10
-8
/K
2
Para o caso do Cobre entre -50 e 180
o
C temos:

Cu
= 4260x10
-6
/K (linear)
Estes transdutores apresentam resistncia desde uma dezena de at dezenas de k. Assim
como nos termistores deve-se evitar correntes de autoaquecimento (normalmente da ordem de
20mA ou menos) e deformao fsica que podem fazer com que estes transdutores funcionem como
Strain-Gauges (mostrados a seguir). Estes transdutores apresentam resposta dinmica lenta, entre
0,5 e 5 segundos (aumenta com o encapsulamento) mas preciso de 0,01%, elevada sensibilidade,
comportamento razoavelmente linear em torno de um ponto de operao, sada estvel por longa
faixa de tempo. Observe que R
0
a resistncia
3.4 Ponte de Wheatstone
Vrios transdutores biomdicos so do tipo de pequenas variaes de sinal, sendo integrados
como parte de uma ponte de Wheatstone, um circuito bastante comum no desenvolvimento de
transdutores/sensores, e que merece uma reviso.
v
TH1
=v
Z
3
Z
3
+Z
4
Z
TH1
=
Z
3
Z
4
Z
3
+Z
4
v
TH2
=v
Z
2
Z
1
+Z
2
Z
TH2
=
Z
1
Z
2
Z
1
+Z
2
v
TH
=v
TH1
v
TH2
=v
(
Z
3
Z
3
+Z
4

Z
2
Z
1
+Z
2
)
Z
TH
=Z
TH1
+Z
TH2
=
(
Z
3
Z
4
Z
3
+Z
4
+
Z
1
Z
2
Z
1
+Z
2
)
Um caso de interesse existe quando todos os elementos da ponte so resistivos e iguais e
uma certa variao (desbalanceamento) ocorre em um dos braos, digamos o brao 4
Z
1
=Z
2
=Z
3
=R
Z
4
=R(1+A)
Neste caso teremos
v
TH
=v
(
R
R+R(1+A)

R
R+R
)
v
TH
=v
(
1
2+A

1
2
)
v
TH
=v
A
2(2+A)
assumindo pequenas variaes, isto A pequeno ( A2 )
v
TH
=v
A
4
R
TH
=
RR
R+R
+
RR(1+A)
R+R(1+A)
R
TH
=
R
2
+
R(1+A)
2+A
R
TH
=R
(
1
2
+
1+A
2+A
)
Assumindo A muito pequeno (muito menor do que 1)
R
TH
=R
Outro caso de interesse ocorre quando existe um desbalanceamento igual e oposto em
braos laterais
Z
1
=Z
2
=R
Z
3
=R(1A)
Z
4
=R(1+A)
Neste caso teremos
v
TH
=v
|
R(1A)
R(1A)+R(1+A)

R
R+R

v
TH
=v
|
(1A)
2

1
2

v
TH
=v
A
2
R
TH
=
RR
R+R
+
R(1A)R(1+A)
R(1A)+R(1+A)
R
TH
=
R
2
+
R(1A)(1+A)
2
Assumindo A muito pequeno (muito menor do que 1)
R
TH
=R
3.5 Strain Gauge
Alguns instrumentos biomdicos usam este tipo de transdutor no processo de converso de
sua varivel bsica. Transdutores de presso invasivos, normalmente montados em cateteres so
exemplos de tal fato.
Um strain gauge um elemento resistivo que produz uma mudana na sua resistncia
eltrica em funo de uma deformao mecnica (strain). So dispositivos que apresentam
pequenas variaes de sinal e que so normalmente utilizados com uma ponte de Wheatstone.
Lembrando que a resistncia deste fio
R=
jL
A
R
R
=

R
jL
A
R
R
=

j
(
jL
A
)

j
R
+

L
(
jL
A
)

L
R
+

A

(
jL
A
)

A
R
1=
L
A

j
R
+
j
A

L
R

jL
A
2

A
R
R=
L
A
j+
j
A
L
jL
A
2
A
Dividindo-se por
jL
A
R
R
=
(
L
A
j+
j
A
L
jL
A
2
A
)

A
jL
R
R
=
j
j
+
L
L

A
A
AR
R
=
Aj
j
+
AL
L

AA
A
Conseqentemente, a variao na resistncia do elemento causada por 3 fatores.
a) Mudana relativa do comprimento
b) Mudana relativa na seco transversal
c) Mudana relativa na resistividade
Podemos verificar que no se pode genericamente assumir que a resistividade constante.
Para elementos de seco transversal circular (grande maioria), a variao relativa da rea
est ligada a variao de dimetro.
AA
A
=
n(d+Ad )
2
nd
2
nd
2
AA
A
=
d
2
+2dAd+Ad
2
d
2
d
2
e considerando-se Ad
2
2dAd
AA
A
=
2dAd
d
2
AA
A
=
2Ad
d
Por outro lado a variao relativa de dimetro est relacionada com a variao relativa de
comprimento atravs de chamada razo de Poisson ( c ). Para fluidos incompressveis confinados
em tubo flexvel uma variao incremental de comprimento casada com uma variao
correspondente de dimetro (proporcional a
.d ) de modo a manter o volume constante. Neste caso
c=0,5 . Em slidos, no entanto, existe um substancial aumento no volume quando tenses
mecnicas so aplicadas, de tal modo que c=0,3 . Ento
Ad
d
=c
A L
L
, c=0,3 ou c=0,5 .
Logo, podemos escreve a variao relativa de resistncia como
AR
R
=
Aj
j
+
AL
L

AA
A
AR
R
=
Aj
j
+
AL
L

2Ad
d
AR
R
=
Aj
j
+
AL
L

2cAL
L
AR
R
=
AL
L
(1+2c)+
Aj
j
Definindo-se agora um fator de gauge (me) como
me=
AR/ R
A L/ L
, temos que
me=1+2c+
Aj/ j
AL/ L
Vrios materiais podem ser usados para a confeco de strain gauge, sendo que os mais usuais esto
a seguir.
Material Sensibilidade (S ou me)
Platinum (Pt 100%) 6,1
Platinum-Iridium (Pt 95%, Ir 5%) 5,1
Platinum-Tungsten (Pt 92%, W 8%) 4,0
Isoelastic (Fe 55.5%, Ni 36% Cr 8%, Mn 0.5%) * 3,6
Constantan / Advance / Copel (Ni 45%, Cu 55%) * 2,1
Nichrome V (Ni 80%, Cr 20%) * 2,1
Karma (Ni 74%, Cr 20%, Al 3%, Fe 3%) * 2,0
Armour D (Fe 70%, Cr 20%, Al 10%) * 2,0
Monel (Ni 67%, Cu 33%) * 1,9
Manganin (Cu 84%, Mn 12%, Ni 4%) * 0,47
Nickel (Ni 100%) -12,1
A tabela acima mostra que as variaes de resistncia AR/ R so bastante pequenas. Normalmente
obtm-se somente alguns poucos milivolts na sada de um transdutor strain gauge. Variaes maiores podem
ser obtidas com elementos como silcio, que um caso mais de piezoresistividade do que de variao de
resistividade.
A platina possui um relativamente grande AR/ R e pode ser usada em ambientes corrosivos, mais
apresenta variaes em funo da temperatura que introduzem erros por vezes inaceitveis. O seu valor de
me=6 deve-se majoritariamente a sua grande variao de resistividade. Uma vez que c=0,3
Aj
j
=4,4
AL
L
.
Para strain gauge feitos de mercrio confinado em tubos flexveis, o valor mximo de AR/ R
determinado majoritariamente pelo material do tubo (normalmente silicone). Para este material
Aj
j
0
e
c=0,5 e conseqentemente me=2.
Variaes de temperatura representam uma fonte e erro ambiental expressiva nos
transdutores strain gauge. Tais erros so divididos em erros de sensibilidade e erros de offset. Os
erros de sensibilidade podem ser corrigidos atravs do uso de um termistor em srie com a tenso
de excitao da ponte de Wheatstone. Na compensao de offset necessrio inicialmente
diferirmos os chamados strain gauge limitados e os no limitados. Os primeiros so dispositivos
montados em estruturas mecnicas que limitam deformao acima de um determinado valor. J os
no limitados so aqueles onde a deformao pode ser qualquer, inclusive assumindo valores que
podem causar a destruio dos mesmos. Os tipos no limitados so, normalmente, mais lineares que
os limitados.
3.6 Compensao pontes de Wheatstone
3.6.1 Variao das resistncias com a temperatura
Considere inicialmente um transdutor strain gauge montado na forma de uma ponte de
Wheatstone com somente um brao ativo como na figura abaixo.
O strain gauge apresenta coeficiente de variao de temperatura
R
, tal que sem tenso
mecnica aplicada o seu valor dado por
R
SG
=R
0
| 1+o
R
(T T
0
)=R
SG
+R
SG
(T )
.
A compensao de temperatura pode ser conseguida associando-se em srie ou em paralelo
com o elemento do brao ativo um termistor tal que, na associao srie
R
SG
(T )+R
T
(T )=0
R
0
o
R
(T T
0
)+R
C0
o
RC
(T T
0
)=0
onde
o
RC
deve ser negativo (termistor NTC negative temperature coefficient) e
R
C0
=R
0

o
R
o
RC
Neste caso a resistncia do brao ativo ser:
R
0
+R
0
o
R
(T T
0
)+R
C0
+R
C0
o
RC
(T T
0
)=R
0
+R
C0
R
0
+R
C0
=R
0

(
1+
o
R
o
RC
)
Na compensao em paralelo pode-se mostrar que
G
0
+G
C0
=G
0

(
1+
o
R
o
RC
)
e que a condutncia total do brao ativo pode ser dada por
G
0
+G
C0
=G
0
(
1+
o
R
o
RC
)
Podemos observar pelas duas opes que do ponto de vista da sensibilidade do strain gauge
importante que
o
R
o
RC
seja pequeno, a que pode ser obtida pela escolha adequada do termistor.
Uma soluo melhor e mais prtica, para os efeitos das variaes com temperatura o uso
de ponte de Wheatstone com 2 ou 4 braos ativos. Nestes casos, as variaes de resistncia devido a
temperatura tendem a se anular.
3.6.2 Resistncias de valor baixo com sensor distante
3.7 Transdutores piezoresistivos
Os dois tipos de transdutores anteriormente discutidos, potenciomtrico e strain gauge,
poderiam ser assim resumidos:
Potenciomtrico: possui grande variao de sada, necessita de eletrnica simples (ou
nenhuma), mas apresenta complexidade mecnica e geralmente ruidoso sob condies de vibrao
mecnica.
Strain gauge: possui pequena variao de sinal de sada, usualmente precisa de eletrnica de
amplificao e ou condicionamento de sinal, normalmente de construo ou montagem mais fcil,
pequeno e possui bom desempenho em ambientes no favorveis.
Os transdutores piezoresistivos representam uma tentativa de se combinar as melhores
caractersticas dos dois tipos anteriormente mencionados. So basicamente transdutores do tipo
strain gauge que apresentam grade variao de sada, requerem eletrnica de condicionamento
simples e de fcil incorporao ao projeto mecnico do instrumento.
Normalmente pensamos na lei de Ohm na sua forma simples e escalar onde
macroscopicamente a tenso e a corrente se correlacionam como v=ir . Porm, do ponto de vista
microscpio devemos relacionar o gradiente do potencial (ou campo eltrico) com a densidade de
corrente isto
V=E=Jj
Onde a equao de antenas s estar correta se o meio for considerado isotrpico.
Para o caso de materiais formados por estruturas cristalinas, teramos
E
1
=j
11
J
1
+j
12
J
2
+j
13
J
3
E
2
=j
21
J
1
+j
22
J
2
+j
23
J
3
E
3
=j
31
J
1
+j
32
J
2
+j
33
J
3
onde cada sobrescrito se refere a cada uma das direes ortogonais que definem o cristal.
O efeito piezoresistivo se refere a mudana de resistividade devido a tenso mecnica. Logo,
para o caso acima mencionado existiro, alm das tenses lineares, tenso de rotao e de
cisalhamento que tornaro a anlise bastante complexa. A despeito de tal fato ainda seria possvel
definirmos um fator de gauge.
me=
Aj/ j
AL/ L
Para barras de silcio tipo P com o eixo dominante na direo (1,1,1) teramos, por exemplo,
me
(1,1,1)
da ordem de 100 a 175, sendo tal valor dependente de dopagem. Uma vez que um strain
gauge de fio possui, me entre 2 e 6, pode-se dizer que um strain gauge de silcio muito mais
sensvel que este.