UNIVERSIDADE FEDERAL DO VALE DO SO FRANCISCO

COLEGIADO DE ENGENHARIA ELTRICA

Disciplina: Laboratrio de Circuitos Eltricos II Prtica 04
Prof.: Dr. Adeon Ceclio Pinto

Ansio Dario
Franciclei Soares
Gilson Borges
Rodolfo Nunes

RELATRIO
Circuitos Retificadores

Juazeiro BA
08 11 2010
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SUMRIO
1. INTRODUO 22. TEORIA 32.1. SEMICONDUTORES 32.2. DIODOS 32.3.
CIRCUITOS RETIFICADORES COM DIODOS 52.3.1. Retificador de Meia
1

Onda, Carga Resistiva 52.3.2. Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo
62.3.3. Retificador de Onda Completa, Carga Resistiva 82.3.4. Retificador de
Onda Completa, com Filtro Capacitivo 93. EXPERIMENTO 93.1. MATRIAS
UTILIZADAS 103.2. VALORES UTILIZADOS 103.3. CLCULOS TEORICOS
103.4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTO 113.4.1. Retificador de meia onda
113.4.2. Retificador onda completa 13CONCLUSO 15BIBLIOGRAFIA 16

INTRODUO

A energia eltrica, hoje disponvel em grande quantidade graas s extensas redes de

distribuio, apresenta-se sob a forma de Corrente Alternada Senoidal, em geral
de 220V ou 110V (valores eficazes)* e frequncia de 50 ou 60 Hz (FURLAN,
2010). A obteno de corrente contnua, a partir da corrente alternada disponvel,
indispensvel nos equipamentos eletrnicos. Para que esses equipamentos possam
operar necessrio que a tenso da rede eltrica seja reduzida, retificada e filtrada
para os valores aceitveis pelos equipamentos (DARI, 2010).
Os circuitos ou sistemas destinados a transformar corrente alternada em contnua so chamados Conversores CA-CC. A reduo da tenso da rede para os valores
utilizados pelo equipamento geralmente feito com o uso de transformadores de
tenso. A etapa de retificao realizada com o uso de dispositivos chamados diodos
retificadores, e filtragem feita com filtros que utilizam capacitores (FURLAN,
2010).

TEORIA

2.1

2.1. SEMICONDUTORES

Um semicondutor um material que, dependendo da tenso eltrica aplicada, pode

ser um condutor (deixando a corrente eltrica passar) ou pode ser um isolante
(bloqueando a corrente eltrica). Os materiais mais utilizados como base na
construo do semicondutor o germnio (Ge) ou o silcio (Si), ambos possuem
quatro eltrons livres em sua camada de valncia. Com isso, eles conseguem
formar at quatro ligaes do tipo covalente (TORRES, 2002).
Quando adicionados materiais qumicos (impurezas) que possuam cinco eltrons livres (fsforo, antimnio ou arsnio) ou que possuam trs eltrons livres (boro,
ndio ou glio) na estrutura cristalina do germnio ou silcio, haver um eltron sobrando ou faltando (TORRES, 2002).
Nesse processo de dopagem se o material possuir eltrons sobrando em sua
estrutura chamado material do Tipo N ou Impurezas doadoras. E quando o
material tiver faltando eltrons (ou lacunas) chamado material do Tipo P ou
impurezas aceitadoras (TORRES, 2002).

2.2

2.2. DIODOS

O tipo simples de semicondutor e usual o diodo de juno, constitudo por um

pedao de material tipo P unido com um pedao do tipo N e tem a funo de
permitir a passagem de carente eltrica em um s sentido, bloqueando a corrente
em sentido oposto, como mostra a figura 1 e 2 (TORRES, 2002).
Figura 1. Estrutura interna de um diodo polarizado
Ou seja, para fazer com que eltrons livres consigam circular dentro de um
diodo necessrio vencer a barreira de potencial. Se o diodo for polarizado diretamente, isto , o material tipo N ligado ao negativo da fonte e o material do
tipo P ligado ao positivo da fonte, os eltrons livres repelem os eltrons presente
dentro do material tipo N, forando-os em direo juno, diminuendo a barreira
de potencial, at que os eltrons consigam atravessar a juno (figura 1). Esse momento ocorre normalmente quando a tenso da fonte estive na faixa de 0,3 0,7
dependendo da composio do semicondutor (TORRES, 2002).
Figura 2 Estrutura interna de um diodo inversamente polarizado
J quando o diodo est polarizado inversamente, os eltrons livres do material tipo N tendem a ir para o polo positivo da fonte em vez de atravessarem
o diodo (figura 2). Isso faz com que a barreira de potencial aumente, consequentemente, nenhuma corrente circulada no diodo (TORRES, 2002). Nos de
circuito representado pelo smbolo:
Figura 3: Simbolo diodo simples
Assim, quando o nodo (A) estiver a um potencial positivo em relao ao Ctodo
(K), o dodo conduz e a corrente ter o sentido (convencional) indicado pela
seta. Nestas condies diz-se que o dodo est diretamente polarizado. Quando o
nodo estiver a um potencial negativo em relao ao Ctodo, o dodo no conduz e a

corrente, que teria o sentido contrrio ao da seta, no autorizada a passar. Nestas

condies diz-se que o dodo est inversamente polarizado (MARIANO, 2010a).
Figura 4: Aplicao de didos como retificadores de tenso
Alm desta funo o diodo pode ser aplicado em vrias aplicaes importantes,
uma delas como retificador, pea fundamental na converso de tenso alternada
em tenso continua, visualizado na figura 4 (TORRES, 2002).

2.3

2.3. CIRCUITOS RETIFICADORES COM DIODOS

Analisando as curvas caractersticas de um diodo ideal e de um diodo real,

mostrados na figura 5.
Figura 5. Grfico caracterstico do diodo de juno
Observa-se que, dentro de certas limitaes, as duas curvas so bem semelhantes.
O fator de escala para correntes no sentido negativo est exagerado, e a queda de
tenso no sentido direto (da ordem de 1 V) pode ser desprezada em primeira anlise
na maioria dos circuitos. J a ruptura da juno do diodo ocorre em tenses reversas
elevadas nas quais o diodo no deve ser utilizado para retificar (FURLAN, 2010).
2.3.1. Retificador de Meia Onda, Carga Resistiva No circuito mostrado
na figura 6, a corrente na resistncia de carga R s circula num sentido, embora
a tenso v(t) aplicada ao circuito seja alternada (senoidal). A corrente s circula
quando o tenso do ponto A for mais elevado que o tenso do ponto B acrescido
de vD1 ( tenso direta aplicada no diodo durante a conduo), ou seja v (t) > vD1 ,
quando o diodo se acha em plena conduo. Nesta situao, a tenso (v (t) vD1 ) fica
toda aplicada na resistncia de carga e a corrente dada por i (t) = (v (t)vD1 )/R
. Quando v (t) < vD1 , o diodo bloqueia completamente o fluxo da corrente.
Como no h queda de potencial atravs da resistncia de carga, toda a tenso fica
aplicada no diodo (i (t) = 0) (FURLAN, 2010).
Figura 6. Circuito retificador de 1/2 onda com carga resistiva.

2.3.2. Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo O circuito

mostrado na figura 7 apresenta o que chama-se de filtragem que, no caso,
consiste na eliminao de variaes bruscas na tenso v(t) sobre a carga resistiva R
graas presena do capacitor C que age como amortecedor (FURLAN, 2010).
Figura 7. Retificador de meia onda com filtro capacitivo.
Considerando que o capacitor esteja inicialmente descarregado. Ao chegar
o primeiro semicrculo positivo de v(t), o diodo D1 conduzir corrente eltrica,
colocando C e R diretamente em contato com a tenso v(t), a menos de vD1 .
Enquanto v(t) estiver aumentando, o diodo estar conduzindo, a corrente na
resistncia ser i (t) = (v (t) vD1 )/R e o capacitor vai se carregando at atingir
a tenso mxima (Vp vD1 ). Quando v (t) atinge o mximo e comea a cair, a
carga em C tenta voltar, o que impedido pelo bloqueio do diodo. A carga do
capacitor no tem alternativa seno descarregar exponencialmente atravs de R,

enquanto a tenso no outro lado do diodo vai caindo at atingir o pico negativo
de v (t). Nesse instante, a tenso inversa sobre o diodo mxima, sendo igual a
aproximadamente 2 Vp (FURLAN, 2010).
O diodo s volta a conduzir quando v (t) iguala vR (t) e o capacitor ento se
carrega novamente ao mximo, at que ocorra novo bloqueio.
A corrente no diodo em regime permanente, chamada de corrente de pico repetitivo, dada por:
iD1 = iC + iR
Sendo que a tenso da fonte:
v (t) = VP sin t
A corrente no capacitor:
iC (t) = C

d[v (t) vD1 ]

dt

E no resistor:
iR (t) =

v (t) vD1
R

Portanto,
VP
vD1
(RCcos t + sin t )
R
R
A tenso mdia no capacitor:
iD1 (t) =

IC =

(t2 < t < t1 )

dV
dQ
=C
CdV f
dt
T

VC = RCdV f = (VP vD1 )

2RCf (VP vD1 )

dV
=
2
1 + 2RCf

2.3.3. Retificador de Onda Completa, Carga Resistiva O circuito da

figura 8 permite conduo em R nos dois semiciclos da senide, o que significa que
para uma mesma tenso de entrada v(t) a corrente mdia o dobro da que tnhamos
no circuito anterior.
Figura 8. Circuito retificador de onde completa com ponte de diodos.
Quando v (t) > 2 vD (pois agora temos dois diodos em srie), os diodos D1
e D3 conduzem, o que automaticamente bloqueia D2 e D4 . Ou seja, D1 cria
um caminho de corrente entre o terminal superior de R e a tenso em A e D3 cria
um caminho de corrente entre R e a tenso em B. Portanto, na resistncia R temos
uma tenso vR (t) = v (t) 2vD e a corrente ser dada por i (t) = (v (t) 2vD ) /R
(FURLAN, 2010).
E quando 2vD < v (t) < 2vD , nenhum diodo conduz e portanto i (t) = 0. Em
outro caso, (t) < 2vD , isto , o diodo D2 conduz bloqueando D1 e o diodo D4
6

conduz tambm, bloqueando D3. A corrente passa pelo caminho formado por
D2, R e D4, passando pela resistncia no mesmo sentido que o anterior. Agora
vale a relao vR (t) = v (t) 2vD (FURLAN, 2010).
Como normalmente VP  vD , a tenso reversa mxima em cada diodo aproximadamente|
VP |.
2.3.4. Retificador de Onda Completa, com Filtro Capacitivo O valor
mdio da tenso de sada, calculado de forma anloga ao caso de retificador de meia
onda com filtro capacitivo, :
VS =

4RCf (VP 2v D1 )
1 + 4RCf

3. EXPERIMENTO

Nesta prtica ser realizado um experimento, que tero como base os circuitos
abaixo:
:
Figura 9. Retificador de meia onda
Figura 10. Retificador de onda completa
Analisando o circuito da figura 1 e 2, calculando teoricamente as tenses na
carga para as situaes, com e sem capacitor de filtro. Posteriormente construir o
circuito e analisar utilizando o osciloscpio para compara com os valores encontrados.

3.1

3.1. MATRIAS UTILIZADAS

1. Placa de circuito analgico AB09;

2. Fonte de tenso CA de 0-5 VRMS;
3. Osciloscpio digital de 2 canais;
4. Cabos Conectores;
5. Cmara fotogrfica;

3.2

3.2. VALORES UTILIZADOS

1. Circuito retificador meia onda, figura 9:

2. R = 100 k?
3. f = 60 Hz

4. V rms = 5 VRMS
5. C = 1F
6. Um Diodo de juno (vd = 1 V olts, valor abstrato);
7. Circuito retificador onda completa, figura 10:
8. R = 100 k?
9. f = 60 Hz
10. V rms = 5 VRMS
11. C = 1F
12. Quatro Diodos de juno (vd = 1 V olts, valor abstrato);

3.3

3.3. CLCULOS TEORICOS

1. Circuito de retificador meia onda, carga resistiva:

2. Frequncia: w = 2f = 2 60 = 377rad/s

3. Tenso de pico da fonte: VP = VRM S 2 = 7, 07 V olts

4. Tenso da Fonte: v (t) = 7, 07cos 377t vots V=7, 070
5. Tenso no Resistor: VR = 7, 070 1 = 6, 07 V olts
6. Corrente quando a senide est no semicrculo positivo (v (t) > vd ):
i (t) =

6, 07
cos 377t = 0, 6cos 377t mA
100 103

1. Circuito de retificador meia onda, com Filtro Capacitivo:

2. Transformao fasorial do capacitor: Xc = 1/jwC = 2, 65j k?
3. Corrente em regime permanente:
I=

7, 07 1
= 0, 061, 52 mA
100 103 2, 65j 103

4. A corrente no capacitor em regime permanente:

(0, 061, 52 ) 103 (100 103 )
= 0, 0593 mA
100 103 2, 65j 103


5. A tenso no resistor: VR = (0, 0593 )103 100 103 = 5, 983 V
IR =

6. A tenso mdia do Capacitor:

Vc =

2 100 103 106 60 6, 07

= 5, 6 V olts
1 + 2 100 103 106 60

1. Circuito de retificador onda completa, com carga resistiva:

2. Tenso no resistor, quando v (t) > 2v d : VR = 7, 07 2 = 5, 07 V olts
3. Tenso no resistor, quando v (t) < 2v d : VR = 7, 07 2 = 9, 07 V olts
1. Circuito de retificador onda completa, com Filtro Capacitivo:
2. A tenso mdia de sada:
VS =

3.4

4 100 103 106 60 5, 07

= 4, 87 V olts
1 + 4 100 103 106 60

3.4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTO

3.4.1. Retificador de meia onda

1. Conecte a fonte de alimentao CA 0-5 V nos ponto m e ponto c.
2. Conecte os cabos entre os pontos e & j
3. Conecte o canal 1 do osciloscpio entre os pontos i & n e observe a forma
de onda retificada no resistor de carga.
4. Medido a tenso na resistncia de carga VP = 7 V olts
5. Agora conecte os pontos i & I.
6. Medido a tenso sada filtrada Vp = 6, 58 V olts
Figura 11: Tela Osciloscpio retificador meia onda
Figura 12: Tela Osciloscpio retificador meia onda com capacitor
3.4.2. Retificador onda completa
1. Conectando a fonte de alimentao CA 0-5 V nos pontos g & c.
2. Conecte os cabos entre os pontos b & d e h & f para completar o circuito
do retificador de onda completa e tambm conecte os pontos a & m/no.
3. Conecte os cabos entre os pontos e & j
4. Conecte o canal 1 do osciloscpio entre os pontos j & n e observe a forma
de onda retificada no resistor de carga
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5. Utilizando o prprio osciloscpio mea a tenso na resistncia de carga VP =

7 V olts.
6. Agora conecte os pontos i & I.
7. Medido a tenso sada filtrada Vp = 6, 33 V olts
Figura 13: Tela Osciloscpio retificador meia onda
Figura 14: Tela Osciloscpio retificador onda Completa, com Filtro
Capacitivo

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CONCLUSO

Analisando os valores tericos com os valores mostrados no osciloscpio pode-se

determinar que o circuito retificador de meia onda resistivo s condiz corrente
quando a senide est no semicrculo positivo, de modo, que a tenso de sada fique
variando no intervalo de (0 - VP) Volts com uma frequncia f/2 da fonte, sendo
que a outra metade da frequncia a corrente ser zero (pulsante). J a meia o
retificar de meia onda com filtro capacitivo permite que quanto menor for a
descarga do capacitor durante o bloqueio do diodo, menor ser a queda de tenso
nos seus terminais.
No retificador com onda completa, ser sempre o semicrculo positivo da
senide, durante a frequncia da fonte de tenso. E utilizando na onda completa
um capacitor permite transforma a onda pulsante em uma tenso continua, porm
tendo uma pequena oscilao que ser menor do que o retificador de meia onda.

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BIBLIOGRAFIA

ALEXANDER, C. K.; SADIKU, M. N. O. Fundamentos de Circuitos Eltricos. Traduo Gustavo Guimares Parma. 1. ed. So Paulo: Bookman, 2003.
858 p. ISBN 85-3630-249-6.
TORRES, Gabriel. Fundamentos de Eletrnica. 1. ed. Rio de Janeiro:
Axcel Books, 2002. 230 p. ISBN 85-7323-173-4.
MARIANO, Jos Fernando M. L. Introduo a Eletrnica: O Transistor Bipolar. Guia de Laboratrio. A.D. de Fsica, Universidade do Algarve. Portugal,
2010. Disponvel em: <http://w3.ualg.pt/jmariano/introelec /iae transistor 1.pdf>.

FUNLAN, Rogrio. Capitulo 1. http://www.lsi.usp.br/roseli/w

-Teoria-1-Retif.pdf. 2010

DARI, Toginho Filho. http://www.uel.br/cce/fisica/docentes/

6 af117b38.pdf

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