Eletrnica

Aula 04 - transistor
CIN-UPPE

Transistor

O transistor um dispositivo semicondutor que tem como funo

principal amplificar um sinal eltrico, principalmente pequenos
sinais, tais como:
Sinal de TV
Sinal de rdio
Sinal biolgico
...............
O primeiro transistor de juno foi inventado em 1951, por
Shockley.

Transistor

O transistor substituiu as vlvulas, anteriormente utilizadas

como dispositivos amplificadores de sinais, mas que
apresentavam desvantagens, tais como:
Alto aquecimento
Pequena vida til (alguns milhares de horas)
Ocupa mais espao que os transistores

A inveno do transistor permitiu uma revoluo na integrao

de funes em um nico componente, o circuito integrado.

Transistores

Vlvula

Primeiro transistor
comercial em silcio(1954)

Primeiro transistor de germnio

John Bardeen and Walter Brattain at
Bell Laboratories.(1947)

PDP-8 Primeiro
Microcomputador
Em transistor(1965)

4004 Primeiro
Microcomputador
Em CI (1971)

Evoluo da
complexidade
dos CIs

Transistor

Tipos
BJT Transistor de juncao bipolar
Bipolar (eltrons e buracos)
MOS Metal xido Silcio
Unipolar (eltrons)

Transistor de Juno (BJT) - NPN

Transistor de Juno (BJT) - PNP

Correntes no transistor

IE = IB + IC
Modelo Real

Modelo convencional

IC
IB

IC
IB

IE

IE

Transistor

O que torna o transistor interessante e til o fato de que a corrente

de coletor bem maior que a corrente de base.
Para um transistor tpico, 95% a 99% dos portadores da carga do
emissor so emitidos pelo coletor e constituem-nos quase toda a
corrente de coletor.

IC e ligeiramente menor do que IE

= IC / IE

0.95

O ganho de corrente de um transistor definido como a corrente

do coletor dividida pela corrente da base
= IC

/ IB

Transistor - caracterstcas
Transistores de baixa potncia tm ganho de corrente da ordem
de 100 a 200.

Transistores de alta potncia tm ganho de corrente da ordem
de 20 a 100.

Transistor - Configuraes

Emisor comum

Coletor comum

Base comum

Caractersticas

EC

CC

BC

Ganho de potncia

sim

sim

sim

Ganho de tenso

sim

no

sim

Ganho de corrente

sim

sim

sim

Resistncia de entrada

3.5K

580K

30K

Resistncia de sada

200K

3.5K

3.1M

sim

no

no

Mudana de fase da tenso

Transistor Emissor comum - caractersticas

Curva da base
IB = (VBB - VBE )/RB

IE = IB + IC

0.7V

VCE = VC VE

VCB = VC VB

Transistor Curvas do coletor

Joelho da curva

Corrente IC constante
(regio ativa) VBE =V
IB > 0
IC/IB = constante

Regio de saturao
VBE =V
IB > 0
IC/IB <

Regio de corte
VBE < V
IB = 0
IC IE 0

Tenso de ruptura

Transistor regies de operao

Modo de
operao

Juno EB
(emissor-base)

Juno BC
(emissor-coletor)

Aplicaes

Zona ativa

Polarizao
direta

Polarizao
inversa

Amplificadores

Zona de corte

Polarizao
inversa

Polarizao
inversa

Zona de
saturao

Polarizao
direta

Polarizao
direta

Interruptores,
Portas Lgicas,
Circuitos TTL,
etc.

Transistor Regio de saturao

Regio de saturao
Est regio representa a regio no qual a corrente do coletor
cresce bastante com o aumento da tenso entre o coletor e
emissor (0 a 1 V)
Nesta regio o diodo coletor base est diretamente polarizado.
O valor de resistncia da carga deve ser pequena bastante para
levar o transistor para a saturao, de forma que quase toda a
tenso da fonte aplicada na carga.

VBE =V
IB > 0
IC/IB <
VC=0,2V

VB=0,6V
VE=0V

carga

Transistor Regio de corte

Regio de corte
Nesta regio a corrente de base nula.
Existe apenas nesta configurao uma pequena corrente de fuga do
coletor.

VBE < V
IB = 0
IC IE 0
VC=10V
IC0mA
VBE<0,7V
VE=0V

Transistor Regio ativa

Regio ativa
Est regio representa a operao normal do transistor. Nesta
regio o diodo emissor est polarizado diretamente e o diodo
coletor inversamente polarizado.
Nesta regio, o coletor captura praticamente todos o eltrons que
o emissor est jogando na base.

VBE =V
IB > 0
IC/IB = constante
VC
VC> VB
IC
VBE>0,7V
VE=0V

Transistor Reta de carga - Polarizao

A reta de carga possui todos os pontos de operao do circuito,

considerando as caractersticas do transistor.
Ponto de saturao ponto onde a reta de carga intercepta a regio de
saturao das curvas do coletor.
Ponto de corrente Ic mxima do circuito
VCC=IC.RC+VCE

Ponto Q

Ponto de corte corrente Ic mnima do circuito

Polarizao de amplificadores
emissor comum

Transistores BJT

BJT Polarizao de amplificadores

base comum
Encontrar um ponto adequado
de operao com o mnimo de
Instabilidade possvel
Parmetros de instabilidade
temperatura
o ganho de corrente pode
variar bastante entre transistores

Vout=VCC-IC.RC, onde IC/IB=

Vout=VCC-. IB.RC, com IB=(VIN-Vf)/RB =>
Vout=VCC-.(RC /RB)(VIN-Vf)

Observe que a tenso de sada depende

diretamente de (ganho do transistor).

http://www.eng.fsu.edu/~ejaz/EEL3300L/lab8.pdf

BJT Polarizao de amplificadores

base comum
Tenso de sada em funo
da tenso de entrada. Vout
muda linearmente com
a
mudana de Vin, desde que os
outros
parmetros
so
constantes.

 Neste tipo de configurao a necessidade de mudana de transistores,




por exemplo, o 2N3904, que pode ter ganho entre 130-200, pode
acarretar mudanas significativas na amplificao do sinal.
Observe que a tenso de sada depende diretamente de (ganho do
transistor).
O transistor pode ir da regio ativa para a de saturao.
http://www.eng.fsu.edu/~ejaz/EEL3300L/lab8.pdf

Transistor Ponto de operao

(regio ativa)

RB = 300K

10 V

10 V

3,1

6,9

Considere VBE = 0,7V ; =

100

IB = (10-0,7)V/300K= 31A
IC = . IB => IC = 3,1 mA
VCE = 10-IC.RC => VCE = 10-3,1= 6,9 V

Laboratrio

Transistor - regio ativa

Operao em
Regio ativa

No ponto de operao:
IB = 10 A
IC = 1 mA
VCE = 5 V

Laboratrio

IB = 10 A + 5 A
15
10
5
2.5

7.5

Se IB varia, VBE tambm varia e conseqentemente

IC e VCE. Assim, com valor central no ponto de
operao:
IC + CE = 1.0 + 1.5 cos(t)
VCE + VCE = 5.0 2.5 cos(t)

IB = 10 A - 5 A

Se um sinal
senoidal de
amplitude 10A aplicado
base com o transistor neste
ponto de operao:
IB + IB = 10 A + 5 cos(t)

Polarizao (fonte de tenso comum)

Calcular Vout (VCE) no ponto de operao (Q) no circuito abaixo:

Out

In

O ponto de operao do circuito (ponto Q) pode ser

calculado a partir do clculo de RB, RC, VCC e ganho .
Observamos que VCE depende de diretamente.

Exemplo - Laboratrio

Calcular no circuito abaixo os valores

de RC, RB, considerando = 100, VCC
= 15 V, de forma que no ponto de
polarizao (Q), IC = 25 mA e VCE =
7.5 V.

Considerando os resultados obtidos

acima, qual ser o novo ponto Q
quando = 200.

BJT Polarizao de amplificadores

emissor comum (realimentao no emissor)
Calcular VOUT no ponto de operao (Q) no circuito abaixo:

considerando
Vf=VBE
IB=(VIN-Vf-IE.RE)/RB

temos que:

Assim, no ponto Q, Vout dado por:

Neste modelo de polarizao observamos que o valor do parametro no

Interfere significativamente se considerarmos certas relaes entre RB e RE

BJT Polarizao com divisor de tenso

Calcular VOUT no ponto de operao (Q) no circuito abaixo:

Equivalente Thevenin

VIN

VOUT

Encontrar VBB e RBB

Tenso na base

Resistncia equivalente

IB

Considerando: IE IC IB

VBB

VBE

IB deve ser pequena para no afetar a polarizao

Polarizao com realimentao

Em geral, devemos escolher um valor RB << RE para termos uma

condio de realimentao efetiva, ou seja, fazer com que a corrente
do coletor, e conseqentemente VCE, independam (muito) do ganho do
transistor, assim:

=>

=>

Observe que VCE independe do ganho

Polarizao com realimentao

Clculo do valor para VE:

Observe que VBE pode variar (0.6 a 0.8 V) para o silcio,
principalmente com o aumento da temperatura.

Assim para que esta oscilao VBE no interfira no circuito de
polarizao, devemos fazer com que a tenso no emissor seja
imune a est variao. Assim, se considerarmos a variao de
0.1 V, teramos:

Se VBE oscila em torno e 0.1 V, VE = IE.RE >> 0.1 V or VE > 10*0.1 = 1V

Polarizao
Calcular VOUT no ponto de operao (Q) no circuito abaixo:

I1 = IC+IB , como IC>>IB

I1 IC

VOUT =VCE

VIN
VBE

Se

ou

temos:
BE

Desde que IC independente de o ponto

de operao estvel.

Clculo de VCE (verificao do ponto de operao)

BE

BE

Laboratrio

Projetar um circuito estvel, com realimentao, com um ponto Q de

IC = 2.5mA e VCE = 7.5V. Considere entre 50 e 200.
Considere que o ponto Q se localiza no meio da curva da regio ativa
e que VCC = 2*VCE
Para:
na configurao realimentao simples via emissor;
na configurao realimentao divisor de tenso na base;
na configurao realimentao coletor-base.

2.5

7.5