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Reindustrializao
Passamos por tempos difceis nos ltimos anos em
vrios pases e no Brasil devido grande virada nas relaes comerciais, tendo como protagonista a China. Alm
disso, o que impactou muito foi a ascenso acelerada das
novas tecnologias impulsionadas pela informtica e telecomunicaes.
Hlio Fittipaldi
A partir de 2008 a crise americana agravou a situao
de diversos pases afetando muito a Europa, e tivemos
o aparecimento dos BRICs no cenrio internacional como as novas locomotivas
do mundo.
Na realidade brasileira, o que houve foi um encantamento com esta posio inusitada e os nossos polticos no fizeram o que tinha de ser feito.
H 25 anos a Constituio est para ser regulamentada, ou seja, precisa ser concluda pelo Congresso Nacional e no fazem nada. Perdeu-se a melhor poca para
se fazer as modificaes necessrias para o Brasil moderno e em desenvolvimento
a partir do incio dos anos 2000.
Mas, eis que surgem as manifestaes de massa contra todo este estado de coisas,
mantido pelas velhas instituies e partidos polticos que no representam mais
os nossos anseios. Rapidamente temos mudanas ocorrendo no mundo que,
mesmo com esta situao descrita, nos deixa esperanosos que dias melhores
esto mais perto de serem atingidos, do que imaginamos.
A cotao do dlar, em relao ao real, tem subido e a desvalorizao do nosso
dinheiro j possibilita aumentarmos as exportaes de vrios produtos, ao mesmo
tempo que deixamos de importar principalmente bens de consumo. A moeda
chinesa teve no ltimo ano uma pequena valorizao que, aliada aos aumentos
dos salrios dos seus trabalhadores e desvalorizao do real possibilita melhor
competitividade para a produo brasileira.
Assim, estimulados pelas novas condies e por eventuais ajuda, do governo com
incentivos a determinados setores, promovemos, aos poucos, a reindustrializao.
um processo muito lento, mas estamos a caminho. O brasileiro finalmente acordou e os polticos sero impiedosamente cobrados por todos ns.
Submisses de Artigos
Artigos de nossos leitores, parceiros e especialistas do setor sero bem-vindos em nossa revista. Vamos analisar cada
apresentao e determinar a sua aptido para a publicao na Revista Saber Eletrnica. Iremos trabalhar com afinco em
cada etapa do processo de submisso para assegurar um fluxo de trabalho flexvel e a melhor apresentao dos artigos
aceitos em verso impressa e online.
ndice
14
Tecnologia
10 Redes de Comunicao Usadas nas Aplicaes de
Controle de Movimento
14 Soldando CIs em Invlucros QFN
03
06
Editorial
Acontece
Desenvolvimento
20 Aplicando o MOSFET de forma a reduzir Indutncias e
Capacitncias Parasitas em Dispositivos Eletrnicos
Projetos
32 Projete um Rob com o LabVIEW
34 Aprenda como Projetar um Sistema de Controle:
Resposta em Frequncia para Sistemas de Controle
Parte 4
Componentes
46 Controladores Step-Down Duplos com Entrada
de Referncia Externa alcanam uma Preciso de
Regulao de 0,3%
ndice de anunciantes
Saber Educacional ....................................
Metering Smar t Grids .............................
Ta t o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Patola .......................................................
05
09
11
11
Globtek .............................................
ESC ....................................................
Cika .....................................................
N ov a S a b e r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17
19
25
45
acontece
Carro eltrico de 544 CV, da Mitsubishi Motors,
encara a tradicional corrida de Pikes Peak
A tradicional competio de Pikes Peak
teve um "silncio" inovador. O ronco dos
motores e a poluio dos combustveis
foram substitudos pela mais alta tecnologia eltrica do Mitsubishi iMiEV, que encara a prova pelo segundo ano consecutivo.
Silencioso, mas muito potente, esse
prottipo, baseado na verso de rua,
equipado com quatro motores eltricos de 100 kW cada, o que equivale a uma potncia total de 544 CV.
O Pikes Peak realizado anualmente
no Colorado, Estados Unidos, a prova
realizada nas estradas da montanha
com uma srie de ziguezagues e curvas
de alta velocidade.
A largada ocorre a 2.862 metros de altitude
e a chegada com 4.300 m, em um percurso com pouco mais de 19 quilmetros
e 156 curvas. O Mitsubishi iMiEV o
primeiro veculo eltrico a ser produzido
em grande escala no mundo, desde 2009.
De l para c, mais de 30.000 unidades
j foram vendidas, algumas unidades do
Mitsubishi iMiEV j circulam por grande
capitais, como So Paulo e Rio de Janeiro.
Tecnologia para o presente
Toda a tecnologia e o aprendizado adquiridos pela equipe de engenheiros e
mecnicos no Pikes Peaks so usados
no aprimoramento dos carros eltricos e na criao de novas e modernas
tecnologias
acontece
Protek Devices lana sua primeira famlia de fusveis chips
eletrnicos para sobrecorrente
A Protek Devices apresentou uma
famlia de fusveis chips eletrnicos
para sobrecorrente que se soma
extensa disponibilidade de linhas de
produtos de sobretenso da empresa.
Agora, a companhia pode fornecer s
fabricantes de design de eletrnicos
(EDM) uma nica fonte de solues
avanadas e de baixo custo de proteo de circuitos. Os novos fusveis de
sobrecorrente cobrem uma infinidade
de aplicaes, tais como telecomunicaes, informtica, eletroeletrnicos
e muito mais.
Os novos fusveis de sobrecorrente em
dispositivo de montagem em superfcie
(SMD) consistem de uma variedade
de tipos e tamanhos. Os nmeros de
pea para o pacote 0603 so PF0603F,
PF0603S e PF0603H. O PF0603F um
Produtos
Integrated Biometrics apresenta Sherlock, o menor,
mais leve e fino Sensor Appendix F Mobile ID
A Integrated Biometrics, LLC (IB)
anunciou outro ineditismo tecnolgico
com a certificao pelo FBI, dos Estados
Unidos, da sua novssima tecnologia
para impresses digitais. A equipe de
desenvolvimento da IB criou o novo
produto usando a tecnologia patenteada da empresa, Light Emitting Sensor
(LES), juntamente com um transistor
de pelcula fina (TFT).
A tecnologia LES utiliza uma pelcula
de polmero altamente elaborada,
interagindo com propriedades especficas da pele humana para imagens
luminescentes de impresses digitais.A
TFT captura a imagem no padro 500
PPI, exigido pelo FBI.
A combinao da tecnologia LES e do
transistor de pelcula fina (TFT) permite
redues de peso e imagem de at 95%,
quando comparada a outros produtos
servindo ao mesmo propsito.
A IB fornece sensores de impresso
digital customizados para mercados que
exigem solues biomtricas Appendix
F ou PIV071006 e, diferentemente
de outras tecnologias biomtricas de
impresso digital usadas com frequncia,
ela capaz de alcanar a mais alta qualidade de imagens sem comprometer a
espessura e o tamanho total do aparelho.
Esta capabilidade nica produziu o pri-
acontece
Amper prepara a entrega
de um novo equipamento
sem contato
Produtos
Roteadores TP-LINK promovem liberdade e qualidade de
conexo para usurios de internet
Devido evoluo tecnolgica dos
ltimos anos, cresce o nmero de
dispositivos que podem acessar a
internet, bem como a qualidade de
contedos audiovisuais e interao
social para compartilhamento de
informaes. Os consumidores fazem
uso simultneo de smartphones,
tablets e notebooks, alm de terem
nas residncias televisores do tipo
smart e at mesmo geladeiras
conectadas. Assim, nada melhor que
estes aparelhos estejam interligados
em um nico dispositivo inteligente:
os roteadores de acesso internet
para uso domstico (ou corporativo).
Quem d as dicas sobre o melhor
produto a ser utilizado o cliente,
conforme a necessidade de soluo
para conectar computadores, dispositivos portteis e eletroeletrnicos
que tm conexo internet. Caso a
acontece
Sandisk apresenta o carto MICROSDXC
de 64 GB mais rpido do mundo
A SanDisk Corporation, lder mundial
em solues de armazenamento de
memria flash, anunciou os cartes de
memria UHS-I SanDisk Extreme
microSDHCT e microSDXCT, ideais
para usurios que desejam uma rpida
memria expandida para os mais recentes smartphones, tablets e cmeras.
"O carto SanDisk Extreme microSDXC
permite aos usurios tirar mais proveito
de seus dispositivos," afirmou Susan Park,
diretora de marketing de produto e varejo da SanDisk. "Nossos cartes microSD
de alto desempenho e alta capacidade
permitem aos consumidores aproveitarem a alta qualidade em vdeo HD e
recursos de imagem nos mais recentes
smartphones, tablets e cmeras de ao."
O carto microSDXC equipado com as
mais rpidas velocidades disponveis no
mercado, com at 80 MB/seg de velocidade de leitura e at 50 MB/seg de gravao,
permitindo um desempenho mais veloz a
tecnologias
Redes de comunicao
usadas nas aplicaes de
Controle de
Movimento
O
A concorrncia global est pressionando
os fabricantes de dispositivos ou mquinas
a fornecerem equipamentos com alto rendimento e custos operacionais reduzidos. Os
crescentes custos de energia e a conscincia
ambiental esto levando os engenheiros a
desenvolverem projetos com um menor consumo de energia. Devido a isso, fabricantes
de equipamentos tm mudado a concepo
de mquinas simples para solues com
mltiplas finalidades atravs da adoo de
modernos sistemas de controle, algoritmos
sofisticados, integrao eletrnica high-end
e tecnologias de comunicao com estruturas
mecnicas.
Controle de movimento
essencial para os sistemas
mecatrnicos. Para otimizar
os sistemas mecnicos, os
fabricantes de mquinas muitas vezes
substituem peas mecnicas com solues
eletrnicas. Um exemplo a eliminao dos
eixos rgidos para executar operaes de
camming. Estes eixos so substitudos por
uma combinao de drives e motores que
dependem de um software de controle
para fornecer funcionalidade ao camming.
Tais sistemas e dispositivos so mecanicamente mais flexveis, mais fceis de manter
e menores. No entanto, estas mquinas
tambm contm mais componentes eletrnicos que requerem um controle complexo e determinstico e de comunicao
confivel.Veja as figuras 1 e 2.
Em um sistema tpico, o controlador
de movimento tem a maior parte da carga
de maior complexidade do sistema. Ao
manipular a sincronizao de mltiplos
eixos, esses controladores oferecem
engrenagens e funcionalidades camming,
Tendncias de Tecnologia
de Controle de Movimento
Tradicionalmente, as aplicaes de
controle de movimento utilizam um controlador de movimento dedicado e um controlador separado para controlar sistemas
mais complexos. O aumento de desempenho dos controladores de automao de
hoje, como controladores programveis
para automao ou controladores lgicos
programveis, est alimentando a tendncia
de integrar a funcionalidade do controlador
de movimento diretamente ao controlador
de automao e execut-lo como uma tarefa de alta prioridade entre outras tarefas
de automao.
tecnologias
Desde o incio de 1980, sistemas de
automao tm sido baseados em barramentos digitais para realizar tarefas como
transferncia de dados de processo e de
comunicao industrial. Comparados com
o barramento analgico, eles so mais
confiveis e robustos, especialmente para
a comunicao atravs de longas distncias.
Alm disso, as redes digitais simplificam
a fiao, pois permitem conectar vrios
elementos em srie ao invs de ligar cada
elemento individualmente. Isso resulta em
um cabeamento significativamente mais
barato e mais fcil de manter nos sistemas.
Devido aos requisitos de desempenho, por muitos anos a indstria
de movimento teve uma abordagem
diferente e se conectou a drivers via
barramento analgico, ou barramento
de movimento especfico. Este esquema
de comunicao adicional aumentou a
complexidade do sistema global. Com o
driver digital de alta performance e com
o barramento digital, agora, possvel
simplificar a arquitetura do sistema usando o mesmo barramento para controle
de movimento e controle de dados do
processo e, ao mesmo tempo, obter me-
tecnologias
Desempenho em
alta velocidade
Temporizao e
Sincronizao
Outro fator para alcanar o determinismo nas redes a responsabilidade do controlador master em
sincronizar com todos os dispositivos
slaves ao mesmo tempo em que usa
os clocks distribudos. De todos os
dispositivos slaves, um deles deve
conter o clock master que sincroniza
o clockdos outros dispositivos slaves.
Para a implementao da NI, o primeiro dispositivo slave designado com o
clock master, e o controlador master
envia uma mensagem de sincronizao
especial para ler o clock master em
cada ciclo de scan. Esta mensagem, em
tecnologias
Servomotores e
drivers EtherCat
Os servo-drivers EtherCAT da NI
combinam performance com flexibilidade, escalabilidade e potncia para
tecnologias
Invlucro QFN
Este artigo complementa o curso rpido
Retrabalho (rework) em Componentes SMD,
anteriormente publicado nas revistas Saber
Eletrnica 443, 444 e 445.
ttulo acima est parcialmente correto. O termo certo retrabalhando, que vem do ingls rework. Como
rework voc pode encontrar muita
informao boa em sites de lngua inglesa,
facilmente. Mas o retrabalho, no Brasil, ainda uma palavra pouco utilizada, e escrevi
soldando por ser mais comum e simples.
Este artigo vem complementar uma
srie de trs que fiz, nas edies nos 443,
444 e 445, que ainda, surpreendentemente,
so muito atuais e com bom contedo para
quem deseja se aprimorar em retrabalho
desde o seu incio. J naquela poca esses
artigos eram inovadores e, por incrvel que
parea, foram baseados em treinamentos
que fiz na LG Amaznia em Taubat, oito
anos antes!
Isso demonstra algumas coisas, a primeira que a Revista Saber Eletrnica est
publicando artigos de nvel bom a timo, e
em consonncia com as necessidades das
indstrias, mercado de trabalho e escolas
tcnicas, e com uma viso e estratgia de
futuro muito boas. J pensou uma empresa
de tecnologia saber oito anos antes sobre
o futuro? O mais incrvel que as indstrias,
escolas tcnicas, fabricantes e distribuidores
de ferramentas para retrabalho em SMD
tecnologias
h duas diferenas significativas: a primeira
o micro, os DFN so ainda um pouco
menores que os QFN; e a segunda diferena
a distribuio das conexes - nos DFN as
conexes so dispostas em apenas dois lados
do chip. Este invlucro muito utilizado em
circuitos integrados e semicondutores mais
simples em termos de conexes externas.
Observe na figura 2 os invlucros citados.
Repare que nessas figuras, tanto os QFN
quanto os DFN so apresentados com e
sem dissipador aterrado. Este dissipador a
rea metlica debaixo do CI. Observe tambm
as diferenas das duas partes de famlia QFN.
Para complicar mais um pouco h dois
tipos de QFN, considerando a sua rea e
formato dos pontos de soldagem. So elas: a
do tipo E e S. Os invlucros em QFN do tipo
E so mais simples de serem retrabalhados
do que os do tipo S, em princpio.
Atente para as figuras 3 e 4.Veja que no
tipo E a rea de soldagem se distribui sobre
um formato em L, aproveitando a rea lateral
do CI. No tipo S isso no acontece e o CI s
possui a rea inferior para soldagem.
A famlia QFN composta normalmente
de componentes quadrados. H excees
mas a grande maioria fabricada em formato
quadrado: 16x16, 32x32 terminais, etc. Poderia se questionar esta caracterstica pelo fato
de serem Quad Flat, mas flat significa plano.
H muitos (T)QFP que no so quadrados,
e sim retangulares.
Como curiosidade, na figura 5 apresentamos um diagrama esquemtico interno de
um CI em invlucro QFN em corte para
podermos observar suas partes e conexes.
Veja que a medida da altura do CI desenhado de 0,9 mm!
F3. QFN
tipo E.
F4. QFN
tipo S.
O CI em QFN e as
medidas do layout
tecnologias
quanto o seu layout. Isso para termos uma
ideia do espao disponvel para introduzirmos o ferro de solda e termos uma boa
sensibilidade da inclinao necessria em
funo do tipo de ponta de ferro de solda
que estamos utilizando, da geometria do
chip e do espao disponvel para a transferncia de calor suficiente para que seja
derretida a solda.
A recomendao de layout mais detalhada que encontrei est apresentada
parcialmente na figura 9.
Traduzindo e interpretando os itens
da tabela 1 temos as palavras: verso
(version), nmero de pinos (number of
pins), espaamento entre terminais (pitch),
comprimento dos terminais de soldagem
(Lead Pad Length), largura dos terminais de
solda (Lead Pad Width), largura do terminal
de dissipador (Thermal Pad Witdh), comprimento do terminal de dissipador (Termal Pad
Length), comprimento mximo do terminal
do CI (Maximum Component Lead Length) e
largura mxima do terminal do CI (Maximum
Component Lead Width).
Com estas informaes podemos dizer
que: temos um espao disponvel de pad
para fora do CI de 0,17 mm (comprimento
mximo do terminal do CI - comprimento
dos terminais de soldagem: 0,92 - 0,75).
Esta medida de 0,17 em toda a volta do
CI, considerando-se ainda que esteja muito
bem posicionado! Por causa disto tem tanto
profissional que no gosta de SMD, um
trabalho muito preciso e delicado que exige
muita concentrao. Esta informao pode
ser vista melhor na figura 10.
O retrabalho, parte 1:
Dessoldando
O retrabalho, parte 2:
Soldando um QFN
tecnologias
de fuso da solda, normalmente se voc estiver soldando com solda de baixo ponto de
fuso esta temperatura em torno de 180
C e o ajuste fica em at 220 C, na ponta
isolada, com a temperatura estabilizada.
Siga este procedimento com o pr-aquecedor desligado.Vire o chip em QFN
de terminais para cima, aplique um pouco
de fluxo, estanhe a ponta-faca da estao
de solda e enquanto isso aplique a solda
derretida nos terminais do CI. SEM fazer
fora alguma! To pouca fora que no
Version
Number of pins
A Pitch (mm)
B Lead pad length (mm)
C Lead pad width (mm)
D1 Thermal pad width (mm)
D2 Thermal pad length (mm)
Maximum component lead length (mm)
Maximum component lead width (mm)
4x4
E
16
0.65
0.92
0.37
2.0
2.0
0.75
0.37
S
16
0.65
0.92
0.37
2.0
2.0
0.75
0.37
9x9
E
64
0.5
0.69
0.28
7.1
7.1
0.5
0.3
S
64
0.5
0.69
0.28
7.1
T1.
7.1
Medidas
0.5
com seus
0.3
valores
em mm.
2013 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 471 I 17
tecnologias
com a quantidade suficiente para dois ou trs
terminais. Lembre-se que quanto mais solda
voc colocar, provavelmente mais solda voc
vai retirar. A quantidade de solda necessria
mnima. Este tempo de aquecimento desnecessrio pode danificar o seu CI!
Com o CI com seus terminais levemente estanhados e a placa limpa, posicione o
CI com a pina. O CI no vai ficar plano
em relao placa devido solda. Aplique
o fluxo tanto no chip como na placa. Ligue
o pr-aquecedor, aguarde alguns segundos
(veja a curva de aquecimento do chip), com
o soprador na mo de menor preciso,
aquea o conjunto. A fita kapton est no seu
lugar? Assim que a solda derreter abaixo do
chip ele vai se movimentar lentamente at
a sua posio final.
Utilize a pina na sua mo de maior
preciso e d super leves toques no chip
para ter certeza que a solda est derretida e
que o posicionamento est correto, observe numa lupa se for possvel. Depois de ter
esta certeza, afaste o soprador e desligue
o pr-aquecedor SEM mexer na mesa. Se
preferir pode aproximar novamente o soprador com um ajuste de temperatura bem
abaixo do que estava antes, isso importante para a estabilizao da temperatura e o
esfriamento da solda sem trincas, lembre-se
que a solda encolhe um pouquinho, quase
nada, na hora de se solidificar, mas isso pode
ser mais que suficiente para que ela trinque
e cause um mau contato que poderia ser
facilmente evitado.
No fcil ensinar estas habilidades
em textos escritos com fotografias e grficos. Sempre vale a pena reler os textos
dos outros artigos da Revista que escrevi
sobre o retrabalho, so mais de 12 pginas
com um excelente contedo. Pensamos
em uma apresentao em vdeo, mas ela
nunca te dir: Voc pode fazer to bem
quanto uma mquina. Apesar de sua experincia como tcnico, para este retrabalho a sua nota 2. Sem contar que h
um sem nmero de vdeos assustadores
que ensinam a por o dedo para segurar
o chip, colar o chip com fita crepe, etc.
H outros ainda que ensinam como soldar
de terminal em terminal, enquanto eu
aprendi a soldar 10 a 14 terminais por
segundo h mais de dez anos atrs!
H muitas diferenas em aprender
como hobby e aprender para ser profissional, lembre-se de procurar as melhores
F11. Curva especfica de soldagem e ressoldagem de um QFN 16, segundo seu fabricante.
Escala (soprador)
1
1,5
2
2,5
.......
C em 10 mm
C em 20 mm
C em 30 mm
C em 40 mm
T2. Mapeamento de
temperatura.
Par
te
Aplicando o MOSFET de 1
Desenvolvimento
Referencial Terico
de Campo Metal-xido-Semicondutor)
pertence a uma classe de dispositivos
semicondutores chamada de Transistores.
Ele possui trs terminais: um terminal de
controle chamado Gate (ou Porta), um
terminal de entrada chamado de Drain
(ou Dreno) e outro terminal de sada chamado Source (ou Fonte). E subdivide-se
em Tipo Depleo e Tipo Intensificao,
tendo cada um destes modos de operao
diferentes. E possuem na sua construo o
contato metlico do terminal de porta, que
separado do substrato por uma camada
isolante de dixido de Silcio SIO2.
Os mesmos autores ressaltam que
o MOSFET pode ser dividido em dois
tipos: MOSFET tipo Depleo e MOSFET tipo Intensificao. O segundo tem
vrias aplicaes na Eletrnica onde se
exige chaveamento em altas frequncias
e construo de portas lgicas. Como, por
exemplo, microprocessadores utilizados
em Notebooks com frequncia de 2 GHz
(dois bilhes de chaveamento por segundo) utilizam MOSFETs. A figura 1 mostra
mltiplas portas OR e NAND.
Capacitncia
De acordo com OMalley (1994), Capacitncia a medida da capacidade de
armazenar cargas nos condutores quando
separados por algum dieltrico.
Especificamente, se a diferena de
potencial entre os dois condutores de
volts (V) quando existe uma carga positiva
de Q coulombs em um condutor e uma
carga igual negativa no outro, o capacitor possui uma capacitncia descrita na
equao a seguir.
Desenvolvimento
Assim, percebe-se que a energia armazenada no depende da corrente no
capacitor.
Indutncia
Segundo Dorf e Svoboda (2008), a
Indutncia uma caracterstica intrnseca
que cada indutor possui de capacidade de
armazenamento de energia em forma de
campo magntico. A unidade de medida
de indutncia em SI o henry. E pode ser
definida pela equao:
Circuitos RL e RC
Segundo Dorf e Svoboda (2008), os circuitos RC e RL de primeira ordem contm
apenas um elemento de energia e so representados por equaes diferenciais de
primeira ordem. Ou seja, se o circuito tiver
apenas um indutor e nenhum capacitor
(ou apenas um capacitor e nenhum indutor) podem ser representados por uma
equao diferencial de primeira ordem.
Circuitos RLC
O circuito RLC tambm conhecido
como um circuito de segunda ordem, pois
possui dois elementos de armazenamento
de energia o capacitor e o indutor. Alm
disso, ele pode ser representado por uma
equao diferencial de segunda ordem.
Segundo Dorf e Svoboda (2008), a
ordem da equao diferencial que representa um circuito no mximo igual
soma do nmero de capacitores com o
nmero de indutores. Assim, um circuito
de segunda ordem pode conter, por exemplo, um capacitor e um indutor ou dois
capacitores e nenhum indutor.
Este tipo de circuito pode ser representado pela equao mostrada abaixo:
F4. Circuito RLC em srie usado para ilustrar a resposta a um degrau de um circuito desses.
Capacitncia e Indutncia
Parasitas em MOSFET
Em estudos de circuitos eletrnicos,
muitas das vezes, costuma-se ignorar o
tempo entre chaveamentos. Porm, na
prtica, comutaes nestes circuitos esto
longe de serem estticas, ou seja, no ocorrem instantaneamente e tampouco suas
sadas dependem apenas de suas entradas.
Assim, para ilustrar esta assertiva,
suponha que o circuito da figura 6 representa dois inversores em cascata. Se desprezarmos o tempo entre chaveamentos,
considerando uma disciplina esttica dos
dispositivos e de seu comportamento, tem-se uma resposta ideal como demonstrado
na figura 7. Contudo, o que de fato ocorre
que, na prtica, se observa uma sada
semelhante da figura 8.
Para explicar este comportamento
no ideal de circuitos lgicos digitais, a
compreenso da indutncia e capacitncia
fundamental. Por exemplo, de acordo
com Agarwal e Lang (2005), a capacitncia
Desenvolvimento
interna do MOSFET diretamente responsvel pela resposta no ideal vista na
figura 8. Portanto, pode-se representar um
modelo mais verossmil de dois inversores
em cascata conforme exibe a figura 9.
Sadiku (2003) relatou que, de acordo
com a Lei Circuital de Ampre, todo condutor de comprimento l ao ser percorrido
por uma corrente i gera ao redor de si
um campo magntico B. Assim, pode-se
observar na figura 9 a representao deste
campo magntico devido interconexo
entre circuitos. Muitas das vezes este efeito
desprezado. Contudo, hoje em dia, em
que se busca mais e mais mobilidade no
que diz respeito tecnologia de eletrnicos, tem-se uma tendncia muito grande
em se ter mais e mais circuitos por metro
quadrado, no sendo, portanto, este efeito
totalmente desprezvel.
Agarwal e Lang (2005) tambm afirmam que as interconexes entre circuitos
lgicos geram diferenas de potenciais
armazenando uma carga q, gerando um
campo eltrico E entre os terminais positivos e negativos. Alm disso, segundo eles,
a resistncia entre estas conexes no necessariamente zero. Assim, chegou-se a um
modelo de circuito eletrnico semelhante
ao da figura 10, onde se tem considerado a
resistncia parasita devida a interconexes,
a indutncia parasita devida ao campo
magntico criado pela corrente eltrica
que percorre o caminho fechado entre os
terminais, e a capacitncia parasita devida
a caractersticas internas do MOSFET e ao
campo eltrico criado pela diferena de
potencial nas conexes culminando-se, ento, em um modelo real de conexes entre
dispositivos e circuitos eletrnicos lgicos.
Metodologia
Segundo GIL (2002), a pesquisa definida como o procedimento racional e sistemtico que tem por objetivo proporcionar
respostas aos problemas que so propostos. A pesquisa requisitada quando no
se dispe de informao suficiente para
responder ao problema, ou ento quando
a informao disponvel se encontra em
tal estado de desordem que no possa ser
adequadamente relacionada ao problema.
O autor afirma ainda que a pesquisa
seja desenvolvida mediante os conhecimentos disponveis e a utilizao cuidadosa de mtodos, tcnicas e outros
Desenvolvimento
Alfonso Prez
alfaelectronica@hotmail.com
Traduo: Eutquio Lopez
A linguagem C#
Contador
F1. Novo
Projeto.
F3. Menu
Toolbox.
Desenvolvimento
F4. Propriedades
do projeto.
Temporizador
_timer.Interval = TimeSpan.
FromMilliseconds(1000);
F5. Contador
do projeto.
F6. Temporizador
do projeto.
F7. Relgio
do projeto.
F8. Cronmetro
do projeto.
_timer.Tick += new
EventHandler<object>(timer_tick);
}
private void StartTimer_Click(object
sender, RoutedEventArgs e)
{
_timer.Start();
}
private void StopButton_Click(object
sender, RoutedEventArgs e)
{
_timer.Stop();
_count = 0;
CountTextBlock.Text = _count.ToString();
}
}
Relgio
Desenvolvimento
public sealed partial class MainPage : Page
{
DispatcherTimer _timer = new
DispatcherTimer();
public MainPage()
{
this.InitializeComponent();
_timer.Interval = TimeSpan.
FromMilliseconds(100);
_timer.Tick += new
EventHandler<object>(timer_tick);
_timer.Start();
}
F9. Local
Machine.
F10. Ativando o
simulador.
Compile o programa. Selecione DEBUG > Start Debugging e teste o funcionamento dos botes. Um programa como
o da figura 7 seria executado.
Cronmetro
F11. Tablet
simulado.
TimerSpan uma estrutura que representa um intervalo de tempo. O mtodo de controle do boto: StartButton encarrega-se de armazenar o tempo quando
este evento acontece, e formata os dados
conforme a necessidade. Neste caso, foi
usado mm\\:ss\\.fff, representando:
minuto, segundo e milissegundo.
Projetos
Projete um
Evitar obstculos
A sada do algoritmo para evitar obstculos controla o duty cycle (ciclo de trabalho) do sinal PWM para cada motor. Por
exemplo, se o NIRo no detecta qualquer
obstculo em seu caminho, ele envia dados
para o FPGA, que informa o motor para se
mover para frente. Isto obtido ao enviar
o mesmo duty cycle para os dois motores.
Se o NIRo precisa virar, o duty cycle diferente para cada um dos motores.
Os comandos do duty cycle so enviados do processador Real-Time para
o FPGA, os comandos do duty cycle so
transformados em comandos digitais para
as pontes H. Cada ponte H utiliza quatro
sinais digitais e a combinao destes sinais
digitais direciona a corrente da bateria para
o motor. Dependendo dos sinais digitais
enviados para a ponte H, o motor vira
para frente ou para trs, ou simplesmente
no se move.
Concluso
Fabricante
Modelo
Controlador embarcado
Plataforma
Sensor IF
Ultrassnico
Ponte H
National Instruments
Robotics Connection
Sharp
Devantech
Solutions Cubed
sbRIO-9632
Traxster TM
GP2D12
SRF05
Simples Ponte H
T1. Lista de
Componentes.
Projetos
Dawn Tilbury
Bill Messner
Guilherme K. Yamamoto
Gustavo L. Peixinho
Renan M. Azevedo
National Instruments
Resposta em frequncia
Diagramas de Bode
Como observado acima, um diagrama
de Bode a representao da magnitude
e fase de G (j.w) (onde o vetor de frequncias w contm somente frequncias
positivas).
Abordagem grfica
com LabVIEW
Para ver o diagrama de Bode de
uma funo de transferncia, voc pode
usar o VI CD Bode, localizado na sesso
Frequency Response, da paleta Control
Design. Veja a figura 1.
Abordagem com
LabVIEW MathScript
Alternativamente, voc pode usar o
cdigo de arquivo m a seguir na janela
MathScript (Tools MathScript Window):
num = 50;
den = [1 9 30 40];
sys = tf(num,den);
bode(sys)
Resultado
Com qualquer uma das abordagens,
exibimos a funo de transferncia e os
diagramas de Bode para o sistema. A
figura 2 mostra o painel frontal do VI
que foi construdo na figura 1. Altere os
termos no numerador e denominador
para observar o efeito nos diagramas de
Bode do sistema.Observando os eixos dos
Margens de ganho
e de fase
F3. Um sistema em
malha fechada.
Projetos
Abordagem grfica
com LabVIEW
Para fazer isso em um VI, adicione um
segundo VI CD Construct Transfer Function
Model ao seu diagrama de blocos da figura
1. Crie uma entrada de constante ao terminal
do numerador e insira 100 na primeira clula
deste array. A seguir, adicione o VI CD Series
ao diagrama de blocos (da sesso Model
Interconnection da paleta Control Design)
e conecte ambos os modelos de funo de
transferncia s entradas do VI CD Series.
Conecte a sada Series Model do VI CD
Series aos VIs CD Bode e CD Draw Transfer
Function como anteriormente.
Observe a figura 5.
Abordagem com
LabVIEW MathScript
Se voc utilizou cdigo de arquivo m
para modelar o sistema, insira o comando
bode(100*sys) na janela MathScript.
Resultado
F4. Margens de
ganho de fase.
Abordagem grfica
com LabVIEW
Usando o VI da figura 1, substitua o
VI CD Bode com o VI CD Gain and Phase
Margin, encontrado na sesso Frequency
Response da paleta Control Design. Crie
indicadores para os terminais Magnitude
Plot, Phase Plot e Gain and Phase Margins.
Acompanhe na figura 7.
Abordagem com
LabVIEW MathScript
Alternativamente, voc pode usar o
comando margin na janela MathScript.
Resultado
Traar as margens de ganho e fase
retorna os grficos mostrados na figura 8.
Frequncia de
largura de banda
Abordagem grfica
com LabVIEW
Podemos usar um Simulation Loop
(da paleta Simulation) para simular a
resposta do sistema a entradas senoidais.
Utilize o diagrama de blocos exibido na
figura 10 para construir este sistema.
w = 0.3;
num = 1;
den = [1 0.5 1];
sys = tf(num,den);
t = 0:0.1:100;
u = sin(w*t);
[y,t] = lsim(sys,u,t);
plot(t,y,t,u)
Resultado
Devemos ter em mente que queremos visualizar a resposta em regime
estacionrio. Portanto, ignoramos a
resposta transitria quando olhamos
para estes diagramas. Veja a figura 11.
Observe que a sada (branco) segue a
Projetos
F8. Margens de
ganho e fase.
Abordagem grfica
com LabVIEW
Aumente a frequncia do sinal de entrada para 3, usando o controle do painel
frontal do seu VI.
Projetos
Resultado
F13. Um sistema em
malha fechada.
Desempenho em
malha fechada
F14. Diagramas
de Bode.
ento esta ser a abordagem que usaremos. Primeiro, vamos olhar o diagrama
de Bode. Use o VI da figura 1 (ou a janela
MathScript) para desenhar os diagramas
de Bode para a funo de transferncia
acima. Acompanhe na figura 14.
H vrias caractersticas do sistema
que podem ser lidas diretamente no
diagrama de Bode. Primeiro de tudo,
podemos ver que a frequncia de largura
de banda cerca de 10 rad/s. Uma vez
que a frequncia de largura de banda
grosseiramente a mesma que a frequncia natural (para um sistema de primeira
ordem deste tipo), o tempo de subida
1,8/BW =1,8/10 = 1,8 segundos. Isso uma
estimativa grosseira, ento diremos que o
tempo de subida cerca de 2 segundos.
A margem de fase para esse sistema
aproximadamente 95 graus. A relao
taxa de amortecimento = (margem de
fase)/100 somente vlida para margens fase de abaixo de 60 graus. Uma
vez que o sistema de primeira ordem,
no deve haver overshoot.O ltimo
ponto principal de interesse o erro de
regime estacionrio. Este erro tambm
pode ser lido diretamente no diagrama
de Bode. A constante (KP, KV ou KA)
encontrada a partir da interseco da
assntota da frequncia baixa com a
linha w=1. Apenas prolongue a linha
da baixa frequncia at a linha =1. A
magnitude neste ponto a constante.
Projetos
Uma vez que o diagrama de Bode desse
sistema uma linha horizontal a baixas
frequncias (inclinao = 0), sabemos
que este sistema do tipo zero. Portanto,
Abordagem grfica
com LabVIEW
Isso pode ser feito no LabVIEW usando o VI CD Step Response (da sesso
Time Response da paleta Control Design),
junto com o VI CD Feedback. Observe a
figura 16.
Abordagem com
LabVIEW MathScript
Alternativamente, voc pode adicionar duas linhas de cdigo na janela
MathScript:
F19. Controlador PI com
diagramas de Bode.
sys_cl = feedback(sys,1);
step(sys_cl)
Resultado
Abordagem grfica
com LabVIEW
Para fazer isso, crie modelos de sistemas para a planta e para controlador PI.
Conecte esses modelos em srie com o
VI CD Series, e construa os diagramas de
Bode para o modelo resultante usando o
VI CD Bode. Figura 18.
Abordagem com
LabVIEW MathScript
Alternativamente, voc pode usar
cdigo textual na janela MathScript para
modelar o sistema. Altere o seu cdigo
para adicionar um termo integral, mas
nenhum termo proporcional.
num = 10;
den = [1.25 1];
plant = tf(num,den);
numPI = 1;
denPI = [1 0];
contr = tf(numPI,denPI);
bode(contr * plant, logspace(0,2))
Resultado
O painel frontal que resulta do VI
na figura 18 est mostrado a seguir, na
figura 19.
Dos grficos aqui ou do MathScript,
vemos que a nossa margem de fase e frequncia de largura de banda so muito baixas.
Projetos
Adicionaremos ganho e fase com um
zero. Vamos colocar o zero em 1 no momento, e ver o que acontece.
num = 10;
den = [1.25 1];
plant = tf(num,den);
numPI = [1 1];
denPI = [1 0];
contr = tf(numPI,denPI);
bode(contr * plant, logspace(0,2))
Abordagem grfica
com LabVIEW
Altere o os controles do painel frontal
do seu VI de forma que os termos de Numerator 2 sejam 1,1.
Abordagem com o
LabVIEW MathScript
Modifique o seu cdigo para ficar
semelhante ao seguinte:
Resultado
Acompanhe na figura 20. Acontece
que o zero em 1 com um ganho unitrio
nos d uma resposta satisfatria. A nossa
margem de fase maior que 60 graus
(at menos overshoot que o esperado) e
Abordagem grfica
com LabVIEW
Altere os controles do seu VI de forma
que os termos de Numerator 2 sejam 5, 5.
Abordagem com
LabVIEW MathScript
Se voc estiver usando a janela MathScript, altere o numerador do controlador
usando o comando numPI = 5*[1 1], no
lugar do comando que foi usado anteriormente.
Resultado
Isso parece realmente bom. Vamos ver
a nossa resposta ao degrau e verificar os
nossos resultados. Observe a figura 21.
Abordagem grfica
com o LabVIEW
Como fizemos na figura 16, criamos
um sistema com um numerador de 1 e
adicionamos o VI CD Feedback e o VI
CD Step Response ao nosso diagrama
de blocos.
F21. Efeito de controlador
PI com ganho = 5.
Abordagem com o
LabVIEW MathScript
Alternativamente, podemos adicionar
as duas linhas a seguir janela MathScript:
sys_cl = feedback(contr * plant,1);
step(sys_cl)
Resultado
Componentes
Part Number
Reference Voltage
Output Voltage
0.6 V Internal
0.6 V to 5.5 V
0.6 V External
LTC3838-2 Ch.2 (e.g., with 0.1% Line1.5 V External
ar Technology Voltage References)
2.5 V External
*external resistor divider error not included
0.6 V to 5.5 V
1.5 V to 5.5 V
2.5 V to 5.5 V
Componentes
A preciso relativa melhora com o
incremento da referncia porque o erro
absoluto uma porcentagem menor
fora de uma tenso de referncia maior.
Isso contrasta com a programao da
tenso de sada pela realimentao do
VRNG = SGND
VRNG = INTVCC
VRNG CONTROL
VRNG (PIN(S)
39 mV to 61 mV
LTC3838-1
LTC3838-2
54 mV to 69 mV
30 mV/60 mV fixed
30 mV fixed only
single
no
24 mV to 36 mV
24 mV to 36 mV
T2. Especificaes
mximas.
Controlador LTC3838-1:
Referncia interna em ambos
canais
Componentes
dlp.indd 22
08/11/2012 16:27:11