THERMOELECTRIC AND TOPOLOGICAL

INSULATING PROPERTIES OF BI1-XSBX

AND (BI1-XSBX)2TE3 NANOWIRES
MODIFIED BY ION IMPLANTATION

OBJETIVO:

O objetivo desse trabalho compreender o

processo de crescimento dos nanofios de Bi2Te3,
explorar a caracterizao estrutural e a
verificao daspropriedades antes e aps a
implantao inica.

TERMELETRICIDADE

Consiste na gerao de correntes eltricas a

partir de gradietes de temperaturas.

Atualmente focada na busca de

materiais de elevado desempenho.

novos

A eficincia de um material termoeltrico

dada pelo ZT:

ISOLANTES TOPOLGICOS

Ocorrem devido a interao forte entre o spin dos

eltrons e a rbita eletrnica, interao spinrbita.

Seu interior apresenta um gap proibido de energia.

Suas superfcies so metlicas.
Caracterizado por um gap proibido de energia
entre

os

estados

eletrnicos

estados desocupados.

ocupados

os

TELURETO DE BISMUTO

Alta figura da ordem de mrito termeltrica

(ZT ~ 1)

Desempenho termeltrico
estruturas de nanofios

Intensamente investigados para a pesquisa de

um isolador topolgico eficiente

melhorado

em

MATERIAIS TERMOELTRICOS

Figura 1. Figura Mrito em alguns compostos.

MTODO TEMPLATE:

Figura 2. Imagem dos nanoporos de Alumina (Al2O3) obtida por AFM.

METODOLOGIA

Mtodo template

Sputtering

Eletrodeposio:

Soluo de 5 mM Bi e 7.5mm Te em 1M HNO3.

CLULA DE TRS ELETRODOS

Potenciostato
Eletrodo de Referncia

Eletrlito

Grafite

Figura 3. Esquema da clula.

Em geral, a deposio global de Bi2Te3

descrito por meio da seguinte reao
qumica:
2BI3++ 3HTeO+2+ 9H++ 18e---> Bi2Te3(S) +
6H2O

Figura 4. Esquema da eletrodeposio.

FASES DE CRESCIMENTO

Figura 5. Fases de crescimento dos nanofios.

COMPARAO DAS CORRENTES

3

2,5

1,5

AAO-1 com prata

AAO-2 com ouro
AAO-3 com ouro

0,5

0
-20

20

40

60

80

100

Tempo(minutos)

Imagem 6. Grfico corrente versus tempo

120

140

RESULTADOS

Potencial de -100mV.

Taxa de crescimento

rpido.

Superfcies rugosas.

No h homogeneidade

nas deposies.

RESULTADOS

Potencial de 0mV.

Taxa de crescimento
mais lenta.

Contornos mais

suaves.
Homogeneidade

depsitos.

nos

IRRADIAO E IMPLANTAO INICA

Mudar a estrutura de banda.

Concentrao de portadores ajustada pelo

doping de impurezas.

Aumentar o valor da figura mrito (ZT).

REFERNCIAS: