Universidade Federal da Bahia

Escola Politcnica
Departamento de Engenharia Eltrica

Disciplina: Eletrnica de Potncia (ENGC48)

Tema: Dispositivos para Eletrnica de Potncia

Prof.: Eduardo Simas
eduardo.simas@ufba.br

Aula 8
DEE

Sumrio

Principais dispositivos para Eletrnica de Potncia

Diodos

Transistores

Tiristores

Aplicaes

DEE

2/80

1. Dispositivos Semicondutores

DEE

3/80

Principais Dispositivos Semicondutores

Diodo de Potncia:

Transistor Bipolar
de Potncia:

MOSFET de Potncia:

Tiristor (SCR):

TRIAC:

GTO (Gate Turn

Off Thyristor):

IGBT: (Insulated Gate

Bipolar Transistor)

MCT (MOS controlled

Thyristor)

DEE

4/80

Principais Dispositivos Semicondutores

Os dispositivos so

escolhidos considerando a
potncia mxima e a

frequncia de chaveamento
necessrias para a
aplicao

DEE

Tratamento Trmico e Termoqumico dos Aos

5/80

2.Diodos de Potncia

DEE

6/80

Diodos de Potncia

Os diodos de potncia so provavelmente o dispositivo semicondutor mais

simples utilizado em aplicaes da Eletrnica de Potncia.

Simbologia

Encapsulamentos

Curva Caracterstica

A -> Anodo
K -> Catodo

Quando:
VA > VK (VAK > 0) -> polarizao direta -> conduo
VA < VK (VAK < 0) -> polarizao reversa -> bloqueio

DEE

7/80

Diodos de Potncia

Estrutura interna bsica de um diodo semicondutor (juno P-N):

Regio de
depleo

DEE

8/80

Diodos de Potncia
Estrutura interna:
-

O lado N dividido em dois, com

diferente intensidade da dopagem.
A regio N- tem menor intensidade de
impurezas dopantes e permite ao
componente suportar tenses mais
elevadas pois diminui o campo eltrico
na regio de transio.
As regies externas so fortemente
dopadas gerando contatos com
caractersticas ohmicas (e no
semicondutoras).

DEE

9/80

Diodos de Potncia
Caractersticas estticas:

Vo -> Tenso de conduo

IR -> Corrente reversa

VRR -> Tenso de ruptura reversa

r -> Resistncia interna para pol. direta

r=

DEE

V
I

10/80

IF -> Corrente de pol. direta

Diodos de Potncia

VON -> Tenso de conduo

VR-> Tenso de pol. reversa
Qrr -> Carga acumulada

Caractersticas dinmicas:

Diodos de potncia
apresentam um tempo
finito (no-nulo) para passar
do estado desligado (pol.
reversa) para o estado
ligado (polarizao direta) e
vice-versa.

Sobre-tenso durante o
ligamento (VFP)!

Pico de corrente reversa no

desligamento (Irr) !

DEE

11/80

Diodos de Potncia
Caractersticas dinmicas Transitrio p/ conduo:

Portadores so injetados na regio de depleo diminuindo

a barreira de potencial.

O excesso de portadores produz aumento na corrente (t1).

O pico de tenso direta (VFP) produzido devido a

caractersticas internas ao diodo como:

capacitncia produzida na regio de depleo quando

polarizada reversamente;

resistncia equivalente da regio N-;

indutncia da pastilha de silcio

VFP pode chegar a algumas dezenas de volts

DEE

12/80

Diodos de Potncia
Carac. dinmicas Transitrio p/ bloqueio:

Durante t3 o excesso de portadores na juno

gradualmente reduzido.

O intervalo trr = t4 + t5 chamado tempo de recuperao

reversa.
di R
diR t rr
I rr =
t =
dt 4 dt S+ 1

sendo:

S=

t5
t4

Do grfico temos:
1
Qrr I rr t rr
2

ento:

diR t 2rr
Qrr =
dt 2 (S+ 1 )

Substituindo chega-se a:
trr =
DEE

2Qrr (S +1 )
diR / dt

I rr =

2Qrr diR / dt
S +1

13/80

Diodos de Potncia

Transitrio para bloqueio com diferentes fatores de atenuao:

Recuperao suave

Recuperao abrupta
Observao: ta=t4 e tb=t5

DEE

14/80

Perdas em Diodos de Potncia

Perdas:

Perdas no estado ligado:

Perdas no estado desligado:

Perdas no chaveamento:

Total:

DEE

t ON
P Ligado= V F I F
T
tOFF
P Desligado= V R I R
T

PComutao =

V F ( max) I F ( max ) tComutao

Perdas= P Ligado+ P Desligado+ P Comutao

fS

Sendo:
VF = tenso direta
IF = corrente direta
VR = tenso reversa
IR = corrente de fuga
fs = frequncia de chaveamento
15/80

Diodos de Potncia
Exemplo:

Considerando que o fabricante de um diodo informou os valores a seguir:

Taxa de queda da corrente = 20 A/s

Tempo de recuperao reversa = 5 s

Encontre a corrente de pico reversa sabendo que t 4 >> t5 (recuperao

abrupta).

DEE

16/80

Diodos de Potncia
Exemplo:

Considerando que o fabricante de um diodo informou os valores a seguir:

Taxa de queda da corrente = 20 A/s

Tempo de recuperao reversa = 5 s

Encontre a corrente de pico reversa sabendo que t 4 >> t5 (recuperao

abrupta).
Resoluo:
Como t4 >> t5 , ento S 0, assim:

diR t rr2
Qrr =
= 1 / 2 20 A / s ( 5 )2 = 50 C
dt 2

A
I rr = 2Qrr diR / dt = 20 2 50 C = 44,72 A
s
DEE

17/80

Diodos Schottky

DEE

O diodo Schottky formado

pela juno de um filme
fino de metal com um
semicondutor (que
normalmente do tipo n).

18/80

Diodos Schottky

As caractersticas de retificao i-v so semelhantes s de um diodo de

potncia formado por uma juno p-n.

Entretanto apresenta caractersticas particulares se comparado a um

diodo de juno p-n como:

DEE

Tenso de conduo mais baixa (0,3 a 0,4 V)

Maior corrente de fuga reversa

Tenso de bloqueio entre 100 e 200 V

Maior velocidade na mudana de estados

Menor pico de tenso durante o ligamento

19/80

Diodos de Potncia
Circuitos snubber para diodos de potncia:

No processo de recuperao reversa podem

aparecer picos de tenso em diodos de potncia.

Estes picos podem danificar o dispositivo.

Os circuitos amaciadores (snubbers) so utilizados

para proteo dos diodos de potncia.

Capacitor -> estabiliza a tenso:

Resistor -> dissipa energia

DEE

20/80

3. Transistores Bipolares de Potncia

DEE

21/80

TBJ de Potncia

Os TBJs de potncia tm sido tradicionalmente utilizados em diversas

aplicaes onde necessrio o chaveamento de potncia em altas e baixas

frequencias.

Recentemente, com o avano da tecnologia de fabricao de semicondutores,

os transistores de efeito de campo metal-xido (MOSFET) e os transistores

bipolares de porta isolada (IGBT) vm gradualmente substituindo os TBJ em

algumas aplicaes.

DEE

22/80

TBJ de Potncia

Estrutura orientada na
vertical maximiza a rea da

Simbologia

seo transversal.

As resistncias eltrica e
trmica so minimizadas.

Os nveis de dopagem e as
larguras das camadas

influenciam nas
caractersticas do dispositivo.

Estrutura interna
DEE

23/80

TBJ de Potncia

O coletor tem dois nveis de dopagem distintos (de modo semelhante ao diodo de
potncia).

A largura das camadas do coletor determina o nvel de tenso de ruptura do

dispositivo.

Pode ser dos tipos

DEE

NPN

ou

PNP:

24/80

TBJ de Potncia
Princpio de operao (tipo NPN):

H uma juno PN entre a base e o emissor e outra entre a

base e o coletor.

Quando a juno B-E est diretamente polarizada (VBE > 0), um fluxo de portadores
de carga (eltrons e lacunas) estabelecido entre a base e o emissor.

Como a regio da base fina, os portadores acabam sendo atrados para a juno
coletor emissor que est inversamente polarizada (VBC > 0) e enfraquecendo a

regio de depleo.

Desse modo estabelecido um fluxo de portadores entre o coletor e o emissor.

DEE

25/80

TBJ de Potncia
Princpio de operao:

A corrente de emissor dada por:

sendo: VT=KT/q e o coeficiente de emisso

A corrente de coletor uma frao da corrente de emissor:

Como iE = iC+iB :

DEE

26/80

TBJ de Potncia
Curvas de operao
(emissor-comum):

DEE

Em aplicaes de chaveamento o TBJ opera entre as regies

de corte (corrente IC nula para qualquer valor de VCE) e de
saturao (alta corrente IC para baixos valores de VCE).

27/80

TBJ de Potncia
Curvas de operao :
TBJ de potncia vertical

A regio de quase-saturao
s existe nos diodos de

potncia devido regio de

baixa dopagem no coletor.

BVSUS: tenso de ruptura com IC > 0

BVCEO: tenso de ruptura com IB = 0
BVCBO: tenso de ruptura com IB < 0

DEE

28/80

TBJ de Potncia
ConexoDarlington:

Devido suas caractersticas construtivas os TBJ de

potncia em geral apresentam baixo ganho de corrente
(5 a 10 vezes).

Quanto um maior ganho necessrio pode-se utilizar

um par Darlington:

= 1x 2 + 1 + 2

DEE

29/80

TBJ de Potncia
Regio de Operao Segura (Safety Operation Area SOA)
Indica os valores de tenso e corrente que podem ser aplicados ao dispositivo:

DEE

Polarizao
direta

Polarizao
reversa

30/80

TBJ de Potncia
Caractersticas
dinmicas: Carga
Resistiva

Sendo:

ton = td + tn : tempo de ativao

toff = ts + tf : tempo de desativao

td : tempo de atraso devido ao

efeito capacitivo da juno B-E
tn : tempo de subida de Ic
tS : tempo necessrio p/ neutralizar
os portadores da juno C-B
tf : tempo de descida de Ic

DEE

31/80

TBJ de Potncia
Caractersticas dinmicas: Carga Indutiva

Com cargas indutivas a corrente apresenta um

atraso em relao tenso aplicada na base.

produzida uma corrente de base negativa

durante o desligamento do dispositivo.

DEE

32/80

TBJ de Potncia
Perdas:

As perdas podem acontecer no

chaveamento, durante a
conduo e no estado desligado

Quando a frequencia de chaveamento baixa as perdas na conduo so mais

significativas:

PDesligado VCC I C(Fuga) tDesligado f S

PLigado VCE(SAT) I C tLigado f S

As perdas no chaveamento aumentam com

a frequencia de comutao:

Pcomutao
DEE

VCC I C(MAX)
6

fS

VCC : tenso de polarizao do coletor

IC(max) : mxima corrente IC
: durao do transitrio de
chaveamento (=ton ou =toff)
fS : freq. de chaveamento
33/80

TBJ de Potncia

DEE

34/80

TBJ de Potncia
Circuitos de acionamento da base:

Exemplo

Um pulso positivo em 1 leva T1 conduo,

carregando o capacitor com a tenso do diodo zener
e produzindo uma corrente positiva na base do TP .
Um pulso negativo em 1 leva T2 conduo (e T1 ao
corte ), criando um caminho para a descarga do
capacitor, que gera um pulso de corrente negativa na
base do TP, acelerando seu desligamento

DEE

35/80

TBJ de Potncia
Exemplo: Considerando que no circuito a seguir VCC=200V, RC=20 e
VCE(sat)=0,9V, encontre as perdas no TBJ para:
a)fs=120Hz, ton=1s e toff=1,5s

b)fs=5kHz, ton=1s e toff=1,5s

Considere a corrente de fuga no estado bloqueado
aproximadamente igual a zero e um ciclo de trabalho d=0,8.

DEE

36/80

TBJ de Potncia
Exemplo: Considerando que no circuito a seguir VCC=200 V, RC=20 e
VCE(sat)=0,9V, encontre as perdas no TBJ para:
Resoluo:

a)fs=120Hz, ton=1s e toff=1,5s

1/fs = Ts = TLigado + TDesligado + Tcomut sendo Ts o perodo entre os
chaveamentos assim: Ts= 8,3333 ms d = TLigado /(Ts - Tcomut)

TLigado = (8,3333 0,0025) x 0,8 = 6,6646 ms

Perdas = PLigado + Pcomut :

PLigado VCE(SAT) I C tLigado f S

DEE

Pcomutao

VCC I C(MAX)
6

fS
37/80

TBJ de Potncia
Exemplo:

PLigado VCE(SAT) I C tLigado f S

>> Perdas no estado ligado:

sendo:

IC =
ento:

VCC VCE(SAT)
RC

200 0,9
= 9,955A
20

PLigado 0,9 9,955 6,6646 103 120 7,17 W

>> Perdas na comutao:
como:

I C( MAX ) =
DEE

VCC 200
=
= 10 A
RC
20

Pcomutao

VCC I C(MAX)

ento:

Pcomutao

fS

200 10

2,5 106 120 = 0,1W

6
38/80

TBJ de Potncia
Exemplo: Total de perdas:

Perdas= P Ligado+ P Comutao= 7,17+ 0,10= 7,27W

>> Repetindo o problema para o item b) fs=5kHz, ton=1s e toff=1,5s chega-se a:

Ts= 20 s TLigado =(20 2,5) x 0,8 = 14 s

PLigado 0,9 9,955 14 106 5000 0,627W

Pcomutao

200 10

2,5 106 5000 = 4,167W

6

Perdas = PLigado + PComutao = 0,627 + 4,167 = 4,794W

DEE

39/80

TBJ de Potncia
Aplicaes:

Acionamento de um
motor de corrente
contnua:

DEE

40/80

4. Transistores de Efeito de Campo de

Potncia

DEE

41/80

MOSFET de Potncia

Com os avanos na tecnologia de fabricao de semicondutores, MOSFETs com

considervel capacidade de conduo de corrente no estado ligado e bloqueio de
tenso no estado desligado comearam a ser produzidos em larga escala a partir
da dcada de 1980.

Os MOSFETs passaram a ser amplamente utilizados em substituio aos TBJs

principalmente em aplicaes onde requerida alta frequncia de chaveamento.

Diferente do BJT, o MOSFET pertence a uma classe de dispositivos UNIPOLARES,

pois utilizam apenas os portadores majoritrios para conduo.

So intrinsecamente mais rpidos que os TBJs pois no apresentam excesso de

portadores minoritrios a serem removidos durante os transitrios de ligamento e

desligamento, as nicas cargas a serem removidas so das capacitncias internas.

DEE

42/80

Simbologia

MOSFET de Potncia
Canal-n

Caractersticas:
Estrutura interna de
um MOSFET canal-n

O gate est isolado

do corpo pelo SiO2.
Canal-p

O MOSFET de potncia utiliza uma estrutura de canal

vertical para aumentar a capacidade de potncia.

DEE

n+ : 1019 cm-3 (alta dopagem)

n- : 1014 cm-3 (baixa dopagem)
p : 1016 cm-3 (mdia dopagem)

43/80

MOSFET de Potncia
Curvas de

Operao:

DEE

44/80

MOSFET de Potncia
Funcionamento:

Bloqueio

Duas junes p-n, no h passagem de corrente qualquer que seja a polarizao.

DEE

45/80

MOSFET de Potncia
Funcionamento:

Efeito de
campo.

Um capacitor
de alta
qualidade
formado.

DEE

46/80

MOSFET de Potncia
Funcionamento:

Conduo

A corrente de dreno controlada a partir da tenso aplicada na porta !

DEE

47/80

MOSFET de Potncia
Transitrios de chaveamento:

Circuito utilizado para analisar os

transitrios de chaveamento:

Acionamento de uma carga

indutiva.

DEE

48/80

MOSFET de Potncia
Transitrios de chaveamento:

Desligado Ligado:

No h pico de corrente nem

atraso de resposta como no TBJ.

DEE

49/80

Perdas no MOSFET de Potncia

Perdas:

Perdas no estado ligado:

Perdas no estado desligado:

P Ligado=

t ON
2
I D R DS(ON )
T

t OFF
P Desligado= V DS( MAX ) I DSS
T

PComutao =

V DS( max ) I D t Comutao

fS

Perdas no chaveamento:

Total:

Comparando com o TBJ, o MOSFET apresenta menor perda durante o chaveamento,

Perdas= P Ligado+ P Desligado+ P Comutao

porm maior perda no estado ligado.

DEE

50/80

MOSFET de Potncia

Exemplo: Considerando que um MOSFET tem os seguintes parmetros: RDS(ON)=0,3 , ciclo

de trabalho 50%, ID=6 A, VDS=100V, t(off-on)=100 ns e t(on-off)=200 ns e que a frequncia de
chaveamento 40 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.

DEE

51/80

MOSFET de Potncia

Exemplo: Considerando que um MOSFET tem os seguintes parmetros: RDS(ON)=0,3 , ciclo

de trabalho 50%, ID=6 A, VDS=100V, t(off-on)=100 ns e t(on-off)=200 ns e que a frequncia de
chaveamento 40 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.
Resposta:

Ts = 1/fs = 25 s

d = TLigado /(Ts - Tcomut)

Como o ciclo de trabalho d=0,5 -> tLigado = 0,5 x (25 0,1 0,2) = 12,35 s
62 0,3 12 , 35 10 6
PON =
= 5, 33 W
25 10 6

100 6 300 10 9
PCOMUTAO =
40 10 3= 1,2W
6
DEE

100 2 10 3 12 , 35 10 6
POFF =
= 0, 099 W
25 10 6

PTOTAL = 5,33+ 0.099+ 1,2= 6,629 W

52/80

5. Transistores Bipolares de Gate

Isolado (IGBT)

DEE

53/80

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Mescla caractersticas de baixa queda de tenso no estado ligado (do TBJ) com o
excelentes caractersticas de chaveamento (do MOSFET).

Os IGBTs vem substituindo os MOSFET em aplicaes de alta tenso onde as

perdas de conduo precisam ser mantidas em valores baixos.

Embora a velocidade de chaveamento dos IGBT seja maior que a dos TBJ, so
inferiores alcanada pelos MOSFET.

O IGBT acionado por tenso (assim como o MOSFET) e apresenta baixa

resistncia no estado ligado (como o TBJ).

DEE

54/80

IGBT
Simbologia

Modelo equivalente

Estrutura interna

DEE

55/80

IGBT

Caractersticas estticas:

DEE

56/80

IGBT
Perdas:

Perdas no estado ligado:

Perdas no chaveamento:

Perdas no estado desligado:

Total:

DEE

P Ligado= V CE (sat ) I C(avg ) T Ligado f S

PComutao

VCE( max ) I C(MAX)

6

fS

PComutao VCC I C(Fuga) TDesligado f S

Perdas= P Ligado+ P Comutao+ P Desligado

57/80

6. Tiristores

DEE

58/80

Tiristores

Tiristor o nome dado a uma famlia de

semicondutores que apresenta uma

estrutura com 4 camadas (pnpn);

Operam em regime chaveado

(controlado pelo terminal de gate);

So capazes de suportar altos valores

de tenso e corrente (entre os terminais

de anodo e catodo).

IA

VAK
-

IG
Simbologia

Estrutura
interna

DEE

59/80

Tiristores

O tiristor mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio Silicon

Controlled Rectifier);

Outros tiristores:

TRIAC (tiristor triodo bidirecional);

DIAC

GTO (tiristor comutado pela porta);

LASCR (SCR ativado pela luz).

DEE

60/80

Funcionamento Bsico

Corrente majoritria: A-K;

Bloqueio para tenso reversa (VAK<0 J1 e J3 reversamente polarizadas e J2

diretamente polarizada);

A conduo para tenso direta (VAK>0 J1 e J3 diretamente polarizadas e J2

reversamente polarizada) est condicionada existncia de uma corrente

positiva no gate (IG>0 diminuio da barreira de J2 , permitindo a passagem

da corrente, que se mantm mesmo na ausncia de I G).

Sentido de
conduo

DEE

Dispositivos Semicondutores Eduardo Simas

61/80

Modelo Equivalente com 2 Transistores

VAK<0 no h conduo pois as junes dos dois

transistores esto reversamente polarizadas.

VAK>0 necessrio que VG>0 para iniciar a

conduo.

Uma vez que a corrente IA comea a circular, VG no

mais necessria para manter a conduo

Modelo equivalente
com dois transistores
DEE

62/80

Modos de Disparo de um Tiristor

Corrente positiva no gate: modo mais usual de disparo. A barreira J2

atenuada pela corrente de gate, o que leva conduo se VAK>0.

Tenso: em polarizao positiva, a alta taxa de variao (dV/dt) pode levar o

tiristor conduo. Em alguns casos, a tenso direta pode iniciar (na

ausncia da corrente de gate) um processo de avalanche que leva

conduo.

Temperatura: altas temperaturas levam ao aumento da corrente de fuga

numa juno pn reversamente polarizada (J2).

Energia Radiante: energia radiante incidindo e penetrando no cristal pode

elevar o nmero de portadores livre (eltrons e lacunas) levando
conduo. Este o princpio utilizado no LASCR.
DEE

63/80

Curva Caracterstica Tenso-Corrente

Vbr Tenso de ruptura reversa;

IL Corrente mnima de disparo;

Vbo Tenso de ruptura direta;

Von Tenso de conduo.

DEE

64/80

Parmetros Bsicos de Tiristores

Mxima corrente de anodo (Iamax);
Mxima temperatura de operao (Tjmax);
Resistncia trmica (Rth);

Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt);

Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt);
Corrente de manuteno de conduo (IH);

Corrente de disparo (IL);

Tempo de disparo (ton);
Tempo de desligamento (toff);

Corrente de recombinao reversa (Irqm).

DEE

65/80

Associao de Tiristores

Embora os tiristores possam atingir altos valores de tenso e corrente

(~ 5kV / 4kA), em alguns casos preciso utilizar mais de um dispositivo

para elevar a capacidade de trabalho.

Associao em paralelo: aumenta a capacidade de conduo de corrente

do conjunto.

Associao em srie: aumenta o valor da tenso mxima que pode ser

aplicada ao conjunto.

DEE

66/80

Circuitos de Acionamento (Disparo)

O terminal de gate tem limites de dissipao de potncia muito menores

que os de anodo e catodo.

Para o acionamento podem ser utilizados circuitos de desacoplamento:

Ou circuitos micro-processados (por exemplo para acionamentos por PWM)

DEE

67/80

Retificador Controlado de Silcio (SCR)

um dos tipos mais comuns de tiristor (em alguns casos os termos SCR

e tiristor so usados como sinnimos).

Encapsulamentos
DEE

68/80

Tiristor Comutado pelo gate (GTO)

Estrutura de 4 camadas tpica dos tiristores.

Funcionamento semelhante ao do SCR, porm pode ser levado ao estado de

bloqueio (desligado) pela aplicao de uma corrente negativa na porta (gate).

Conduo

Desligamento

DEE

69/80

Tiristor Comutado pelo gate (GTO)

Embora criado desda a dcada de 1960, no era muito utilizado devido ao

baixo desempenho.

Com a evoluo nos processos de fabricao de dispositivos

semicondutores :

Maiores valores nominais de tenso e corrente

Aumento na utilizao do GTO .

Desvantagens do GTO:

Podem no apresentar adequado bloqueio de tenso reversa.

Para no haver chaveamento indesejado conveniente manter as

correntes de gate (positiva conduo ou negativa bloqueio).

DEE

70/80

Tiristor Triodo Bidirecional (TRIAC)

capaz de conduzir nos dois

sentidos;

O disparo condicionado
aplicao de tenso no gate;

O pulso de chaveamento deve

ter a mesma polaridade da
polarizao do dispositivo.

limitado a frequncias de
operao mais baixas.
Simbologia

Estrutura
interna

DEE

71/80

Tiristor Triodo Bidirecional (TRIAC)

Caracterstica V-I: Conduo nos dois

sentidos.

Modelo equivalente: dois SCRs conectados

em anti-paralelo.

Curva Caracterstica

DEE

72/80

Tiristor Diodo Bidirecional (DIAC)

O nico modo de levar o DIAC ao estado ligado

exceder a tenso de disparo.

Pode ser ligado com tenses positivas ou negativas.

Os DIACs so utilizados em circuitos de disparo de SCRs

ou TRIACs.
Curva Caracterstica

Estrutura
interna

nodo 1

nodo 2
Simbologia

DEE

73/80

Aplicaes (SCR)
Retificadores Controlados:

Utilizados na converso AC-DC com controle de potncia:

Retificador monofsico de
meia onda controlado

Sendo o ngulo de disparo

DEE

74/80

Aplicaes (Transistores / GTO)

Converso DC-DC:

Conversor Abaixador
(Step-down ou Buck)

DEE

75/80

Aplicaes (Transistores / GTO)

Inversores (converso DC-AC):

DEE

Inversor de fonte de tenso (VSI) monofsico em meia ponte

76/80

Aplicaes (SCR + Transistores / GTO)

Controle de Motores AC:

Sistema de controle de velocidade de motor de induo

DEE

77/80

Aplicaes (DIAC e TRIAC)

Controle de Iluminao:

Circuito simples para controle da iluminao (dimmer)

DEE

78/80

Exerccios de Fixao (parte 1 de 2):

1.

Compare os diversos semicondutores de potncia considerando a potncia mxima e a frequncia de chaveamento.

2.

Comente a respeito da estrutura interna de um diodo de potncia e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.

3.

Considerando um circuito com um diodo de potncia em srie com um resistor de 100 sendo alimentado por uma fonte de tenso em onda
quadrada ( 300V) de frequncia igual a 1kHz e ciclo de trabalho 50%, sabendo que o tempo de recuperao reversa de 2 s, a taxa de subida
de corrente 40 A/micro s, a taxa de queda de corrente 30 A/s, calcule as perdas no dispositivo considerando que VF=1,1V e IR = 0,2 mA.

4.

Compare o diodo Schottky com o diodo de potncia de juno p-n.

5.

Comente a respeito da estrutura interna de um transistor bipolar de potncia e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.

6.

Para o circuito da Figura 1, sabendo que VCC = 150 V, VCE (sat) = 0,9 V, VBE(sat) = 1,1 V, RC = 100 e RB = 1 k, sabendo que a tenso VB uma onda
quadrada simtrica, encontre o valor mximo necessrio para produzir a configurao de polarizao em saturao (conforme especificado).

7.

Para o transistor da questo 06, encontre a perda no dispositivo se a frequncia do sinal VB for 2 kHz e o ciclo de trabalho 60%. Considere que os
tempos de ligamento e desligamento do dispositivo so respectivamente 0,5 s e 0,9 s e que a corrente de fuga aproximadamente 0,1 mA.

8.

Comente a respeito da estrutura interna de um MOSFET de potncia e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.

9.

Considerando que um MOSFET tem os seguintes parmetros: RDS(ON)=0,4 , ciclo de trabalho 80%, ID=7 A, VDS=170V, t(off-on)=130 ns e t(on-off)=150
ns e que a frequncia de chaveamento 30 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.

Figura 1

Figura 2

10. Repita a questo 09 para uma frequncia de chaveamento igual a 300 Hz e compare os resultados obtidos.
11. Comente a respeito da estrutura interna de um IGBT e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.
12. No circuito da Figura 2, Vs = 220 V, RL = 10 , fs = 1 kHz e d= 0,6. Considerando as caractersticas do IGBT: tON = 2,5 s, tOFF = 1 s e VCE (sat) = 2 V,
determine:
a. A corrente mdia na carga.
b. As perdas no dispositivo.
DEE

79/80

Exerccios de Fixao (parte 2 de 2):

13. Compare os transistores TBJ de potncia, MOSFET de potncia e IGBT em termos das perdas , dos tempos e transitrios
de chaveamento.

+
Vs
-

14. Compare os diversos dispositivos tiristores estudados considerando a estrutura interna, o funcionamento, as curvas
caractersticas, etc.
15. Um SCR tem os seguintes valores nominais: tenso nodo-ctodo no estado ligado 1,5 V, tenso porta-ctodo no
estado ligado 0,6 V. Considerando o circuito da Figura 3 e que a tenso VIN = 4 V, determine a perda de potncia total no
estado ligado.

Figura 3

16. A perda de potncia durante o chaveamento num SCR pode ser estimada a partir de Pchav = (Vbloq x IDireta x tchav x fs)/6 .
Considerando ainda o circuito da Figura 3, se uma fonte em onda quadrada (Vs) de 100 V e frequncia 250 Hz
conectada ao resistor RL, estime as perdas de chaveamento sabendo que tON = 5 s, tOFF = 25 s e que o SCR disparado
uma vez a cada dois ciclos da tenso.
17. Esboce a forma de onda da tenso na carga do circuito da questo 16 sabendo que o SCR disparado com um atraso de
0,5 ms em relao subida da tenso de alimentao.

Leitura indicada:

Rashid, Muhammad H. Power Electronics Handbook, Devices, Circuits and Applications, Segunda Edio, Elsevier, 2007.

Mohan, Undeland and Robins, Power Electronics, Converters, Applications and Design, Wiley

Pomilio, Jos Antenor. Eletrnica de Potncia , Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao, UNICAMP, 1998,
Revisado em 2002.

A. Ahmed. Eletrnica de Potncia. Prentice Hall, 2006.

Algumas figuras utilizadas nesta apresentao foram retiradas das referncias citadas acima.
DEE

80/80