Aula 5: Chaves Semicondutoras de Potncia O MOSFET

Eletrnica Industrial

1. O transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico

(MOSFET):
O transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET) de potncia com capacidade
aprecivel de conduo de corrente e de tenso de bloqueio, ou seja, potencialmente
capaz de ser utilizado em aplicaes de Eletrnica de Potncia encontra-se disponvel
desde o incio da dcada de 80. Este dispositivo tem-se tornado largamente utilizado
como transistor de potncia e, de fato tem substitudo o transistor bipolar de potncia
em muitas aplicaes, especialmente naquelas em que grande velocidade de
chaveamento necessria.
Os MOSFETs operam sob diferentes mecanismos fsicos que os transistores
bipolares e uma clara compreenso destas diferenas essencial para a efetiva utilizao
de ambos.
O MOSFET uma chave de atuao rpida em nveis de potncia. Diferentemente
do transistor bipolar, que controlado por corrente, o MOSFET um dispositivo
controlado por tenso. A Figura 35 mostra o smbolo que representa o MOSFET. Neste
diagrama pode-se observar a existncia de trs terminais denominados de dreno (D),
porta (P) e fonte (F). De acordo com esta figura os terminais principais conectados ao
circuito de potncia so os terminais dreno e fonte, sendo que a corrente no transistor
flui no sentido dreno-fonte quando uma tenso positiva aplicada no terminal porta.

Figura 35 Diagrama do MOSFET de potncia.

A. Princpio de funcionamento
A estrutura bsica do MOSFET lateral de baixa potncia mostrada na Figura 36
e utilizada para ilustrar o mecanismo de funcionamento do MOSFET. As regies n+ da
fonte (source - S) e do dreno (drain - D) encontram-se difusas ou implantadas num
substrato de silcio tipo P relativamente pouco dopado, e uma fina camada de Dixido
de Silcio isola a porta (gate - G), normalmente construda de Alumnio, da superfcie

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de silcio. Nenhuma corrente flui entre as regies do dreno e da fonte sem que um canal
n seja formado entre eles, uma vez que ambos tm em seu caminho duas junes pn
opostas e conectadas em srie.

Figura 36 Estrutura do MOSFET lateral.

Quando uma tenso positiva com relao fonte aplicada porta, cargas
positivas so criadas no metal (Alumnio). Em resposta a estas cargas, cargas negativas
so induzidas na regio de silcio prxima a porta. Isto resulta na formao de uma
regio de depleo contendo uma fina camada de eltrons mveis. Pode-se dizer que a
aplicao de uma tenso positiva na porta inverte uma poro do silcio tipo P,
formando um canal n com baixa resistncia aos eltrons. Este canal n permite que a
corrente flua livremente entre os terminais do dreno (D) e da fonte (S).
Observa-se que, de acordo com o que foi descrito acima, um importante
parmetro nos MOSFETs a tenso limiar definida como VGS(Th). Este parmetro
corresponde a menor tenso positiva aplicada porta do MOSFET que capaz de
induzir um canal n. Com uma tenso inferior a VGS(Th) aplicada a porta o MOSFET
permanece bloqueado.
Esta estrutura mostrada na Figura 36 uma estrutura horizontal, ou lateral, que
possui graves limitaes associadas com o aumento da rea de substrato, o que a torna
economicamente invivel para utilizao em grandes correntes. Para aplicaes onde
nveis de correntes maiores so necessrios a estrutura vertical, conhecida como
VDMOS preferida, Figura 37.

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Figura 37 Estrutura do VDMOS, MOSFET vertical.

Na primeira observao da Figura 37, parece no existir modo algum para que a
corrente circule entre os terminais do dreno e da fonte. No existe meio para que haja
uma injeo de portadores minoritrios na regio onde encontra-se o silcio tipo P
atravs do terminal da porta, pois este isolado da regio tipo P. Entretanto, tal como no
MOSFET lateral, a aplicao de uma tenso positiva na porta converter uma poro do
silcio abaixo da porta em um canal tipo n, o qual conecta o terminal da fonte com o
terminal do dreno.
Muitos aspectos da estrutura do MOSFET podem ser observados. Primeiramente,
a fonte construda por milhes de pequenas reas com formato de polgonos que esto
conectadas em paralelo e circundadas pela regio da porta. A forma geomtrica da
regio da porta tem influncia na resistncia de conduo do MOSFET. Em segundo
lugar, existe um transistor bipolar npn parasita entre os terminais da fonte e do dreno,
como mostrado na Figura 37. A regio tipo P serve como base deste transistor parasita.
Para reduzir a probabilidade deste transistor permanecer em conduo, a regio P
curto-circuitada com a regio da fonte atravs da sobreposio destas regies durante a
fabricao do MOSFET. Como resultado disto, forma-se um diodo parasita conectado
entre os terminais fonte e dreno, conforme mostrado na Figura 37. Este diodo pode ser
muito til em algumas aplicaes como, por exemplo, em fontes de telecomunicao,
onde conversores CC-CC isolados do tipo full-bridge so largamente utilizados. Em
terceiro lugar, existe uma sobreposio entre a metalizao da porta e a regio n-. Esta
sobreposio tem dois propsitos: o primeiro melhorar a condutividade da regio n-

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formando uma camada de acumulao e ajudando a minimizar a resistncia de

conduo; o segundo manter a curvatura na regio de depleo quando o MOSFET
esta bloqueado, evitando que a regio de depleo torne-se muito estreita e a capacidade
de bloquear tenses do MOSFET seja reduzida. A Figura 38 mostra estes fenmenos.

(a)
(b)
Figura 38 Fenmenos da estrutura do MOSFET. (a) Camada de acumulao; (b) Camada de
depleo.

B. Curva caracterstica.
A curva caracterstica do MOSFET mostrada na Figura 39. Para assegurar uma
queda de tenso dreno-fonte pequena em seu estado de conduo, minimizando as
perdas, a tenso aplicada porta deve possuir um valor elevado, normalmente 15 V.
Este valor de tenso suficiente para garantir que o transistor opere na regio de
resistncia constante, onde a corrente de dreno seja limitada acima da corrente de carga
definida pelo circuito. Todavia, a mxima tenso permitida no terminal porta fica em
torno de 20 V. Tenses acima deste valor podem causar danos irreparveis ao transistor.
O dixido de silcio que isola a porta do corpo do transistor um isolante com
corrente de fuga praticamente desprezvel. Uma vez que a carga da porta estabelecida,
no existe mais corrente de porta. Portanto, pode-se dizer que o MOSFET apresenta um
ganho muito grande entre a potncia do circuito de controle e os terminais do transistor.
A ausncia de carga armazenada no interior do dispositivo fornece a possibilidade
de um chaveamento mais rpido do que dos demais transistores. A resistncia de
conduo do MOSFET uma funo do valor da tenso de ruptura direta destes
dispositivos. Assim, os MOSFETs so largamente utilizados para tenses abaixo de
500V,

apresentando

caractersticas

incomparavelmente

superiores

que

outros

dispositivos nesta faixa de tenso. Todavia, para tenses mais elevadas, as perdas em
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conduo dos MOSFETs comprometem o seu desempenho.

(a)

(b)

Figura 39 Caracterstica iD versus vDS do MOSFET de potncia. (a) Terico; (b) MOSFET
IRFP460 (20A/600V).

Em alguns casos o diodo intrnseco torna-se um obstculo, pois o seu tempo de

recuperao reversa equivale ao tempo de recuperao reversa de um diodo genrico e,
portanto, este diodo deve ser evitado em aplicaes como inversores de tenso que
comutem em altas freqncias acima de 10 kHz.
O MOSFET de potncia pode ser controlado diretamente de circuitos
microeletrnicos (CMOS). Acima de aproximadamente 100 V as perdas em conduo
dos MOSFETs tornam-se maiores do que as perdas de conduo dos transistores
bipolares, entretanto, como as perdas em comutao (chaveamento) dos MOSFETs so
muito menores, os MOSFETs ainda apresentam maior eficincia.
O MOSFET tem um coeficiente de temperatura positivo, permitindo com que a
conexo em paralelo destes dispositivos seja relativamente simples.

C. Limitaes e rea de operao segura.

O MOSFET apresenta duas tenses que no devem ser excedidas, so elas:
VGS(Max) e BVDSS. A mxima tenso porta-fonte (VGS(Max)) determinada pelo fato de
que o xido SiO2 que isola a porta no pode ser quebrado pela aplicao da tenso
positiva na porta. Valores tpicos para VGS(Max) ficam em torno de 20 e 30 V. Deve-se

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observar que alm da fonte de tenso utilizada pelo circuito de acionamento (drive)
cargas estticas podem provocar surtos de tenso que podem superar o valor de VGS(Max)
vindo a danificar o dispositivo semicondutor. Por outro lado, a mxima tenso drenofonte (BVDSS) a maior tenso que o MOSFET pode suportar sem que ocorra a sua
ruptura por avalanche da juno pn formada entre a regio do dreno e a regio P do
MOSFET.
A rea de Operao Segura (SOA) de um MOSFET mostrada na Figura 40.
Trs fatores determinam a SOA do MOSFET: a sua mxima corrente de dreno, ID(Max); a
temperatura de juno, Tj, a qual governada pela dissipao de potncia do
dispositivo; e a tenso mxima suportada pelo dispositivo, BVDSS. Deve-se observar que
o MOSFET no apresenta segunda ruptura como os transistores bipolares de potncia.

Figura 40 rea de Operao Segura do MOSFET de potncia.

D. Caractersticas estticas.
Exceto em altas freqncias, quase toda a potncia dissipada em um MOSFET
ocorre quando o dispositivo encontra-se em conduo. A potncia instantnea dissipada
dada por,

PMOSFET ( on ) = I 0 2 rDS ( on )

(5.34)

A resistncia de conduo possui vrios componentes, entretanto, para tenses

BVDSS maiores que algumas centenas de volts, a resistncia Rd predominante. Uma
estimativa otimista da resistncia especfica (.cm2) do MOSFET dada por,
Rd A = 3 10 7 BVDSS

(5.35)

Onde A a rea transversal por onde a corrente de dreno (iD) circula.

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Figura 41 Distribuio da resistncia de conduo do MOSFET de potncia.

E. Caractersticas dinmicas.
Os MOSFETs so intrinsecamente mais rpidos do que os transistores bipolares
porque no h excesso de portadores minoritrios para ser movidos para dentro e para
fora do dispositivo quando este entra em conduo ou em bloqueio. As nicas cargas
que devem ser movidas so as cargas das capacitncias intrnsecas e da camada de
depleo, as quais so vistas na seco transversal do MOSFET mostrado na Figura 42.
Estas capacitncias podem ser modeladas pelo circuito equivalente do MOSFET, Figura
43, o qual vlido quando o MOSFET encontra-se em bloqueio ou na regio ativa.

Figura 42 Capacitncias intrnsecas do MOSFET de potncia.

A capacitncia entre o dreno e a fonte no includa no circuito equivalente pois

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esta no afeta as caractersticas de chaveamento do MOSFET. Todavia, esta

capacitncia deve ser considerada para projetos de circuitos de snubber e para o
levantamento das perdas do dispositivo.

(a)

(b)

(c)

Figura 43 Circuito equivalente do MOSFET de potncia.

A fonte de corrente controlada por tenso iD definida como,

0, para vGS < vGS (Th )

iD (t ) =
g m ( vGS vGS (Th ) ) , para vGS vGS (Th )

(5.36)

Este mtodo para considerar a corrente de dreno na regio ativa sugerido pelo
fato de que a curva de caracterstica de transferncia pode ser aproximadamente linear,
Figura 44.

(a)

(b)

Figura 44 Curva caracterstica de transferncia do MOSFET de potncia. (a) Terico; (b)

MOSFET IRFP460 (20A/600V).

A inclinao da curva de transferncia na regio ativa a prpria transcondutncia

gm.

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O MOSFET entra na regio hmica quando,

0 < vDS vGS vGS (Th )

(5.37)

Em fontes chaveadas onde vGS >> vGS (Th ) , quando o dispositivo esta em conduo,
o critrio para entrada na regio hmica pode ser simplificado como,
vDS vGS

(5.38)

Na regio hmica o modelo da fonte de corrente controlada no mais vlido e o

modelo passa a ser como mostrado na Figura 44(b). Uma resistncia rDS(on) includa no
modelo para computar as perdas hmicas, as quais surgem principalmente na regio n-.
Existem perdas ohmicas nas resistncias de conduo do canal n, mas estas so muito
menores se comparadas s perdas na regio n-.
Deve-se observar tambm que as capacitncias Cgs e Cgd no so constantes, mas
variam com a tenso atravs das mesmas. A variao mais significante ocorre com a
capacitncia Cgd porque a tenso atravs desta capacitncia, vDS apresenta uma excurso
muito maior do que a tenso aplicada na porta, ou seja, em Cgs.
F. Formas de onda de chaveamento.
Como foi feito com o circuito anlogo do transistor bipolar mostrado na Figura
30, a carga indutiva para o circuito da Figura 45(a) tambm modelada como uma fonte
de corrente constante I0 que se encontra em paralelo com o diodo de roda-livre Df. O
MOSFET substitudo pelo seu circuito equivalente para regio ativa (modelo). A porta
comandada por uma fonte de tenso VGG em srie com uma resistncia RG. Para
manter a anlise simples, considera-se que o diodo Df um diodo ideal, ou seja, no
apresenta corrente de recuperao-reversa.
As formas de onda para a entrada em conduo do MOSFET so mostradas na
Figura 45(b), onde a tenso da fonte VGG uma funo degrau que varia
instantaneamente seu valor para o instante t = 0.

0, para t < 0
vGG (t ) =
VGG , para t 0

(539)

Considera-se que VGG>>VGS(Th).

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(a)

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(b)

Figura 45 Formas de onda para entrada em conduo do MOSFET de potncia.

Durante o tempo de atraso de entrada em conduo (td(on)), a tenso vGS cresce de

zero at o valor VGS(Th) devido a corrente que flui atravs das capacitncias Cgs e Cgd,
Figura 46(a,b,c). A taxa de crescimento de vGS praticamente linear, embora vGS faa
parte de uma curva exponencial cuja constante de tempo seja definida por,

1 = RG ( Cgs + C gd 1 )

(5.40)

Aps alcanar o valor de VGS(Th) a tenso vGS continua a crescer. A corrente no

dreno iD passa a crescer (linearmente) de acordo com a curva caracterstica de
transferncia, Figura 44. Portanto, o circuito equivalente da Figura 43(a) usado, sendo
que o circuito completo e as formas de onda so mostradas na Figura 46(d,e,f). A
tenso dreno-fonte vDS permanece grampeada em Vd enquanto a corrente iD for menor
do que a corrente de carga I0, Figura 46(g,h,i). O tempo necessrio para que iD aumente
de zero at o valor de I0 definido como tempo de subida da corrente, tri. Uma vez que
o MOSFET esteja conduzindo toda a corrente de carga, mas ainda esteja na regio ativa,
a tenso vGS temporariamente grampeada ao valor VGS,Io. Este valor de tenso o valor
da curva caracterstica de transferncia (Figura 44) o qual necessrio para manter

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iD=I0. Neste momento toda a corrente da porta flui atravs de Cgd, isto faz com que a
taxa de decaimento de vDS seja dada por,

i
d
d
vDS = vdg = G
dt
dt
C gd

(5.41)

Onde,

iG =

VGG VGS , Io

(5.42)

RG

E, portanto,

V V
d
vDS = GG GS , Io
dt
RG C gd

(5.43)

O decaimento de vDS ocorre em dois intervalos distintos, tfv1 e tfv2. O primeiro

intervalo corresponde passagem do MOSFET atravs da regio ativa (Figura
46(j,k,l)), onde Cgd= Cgd1. O segundo intervalo corresponde passagem pela regio
hmica (Figura 46(m,n,o)), onde o circuito equivalente corresponde ao circuito da
Figura 43(b), e Cgd= Cgd2.
Uma vez que a tenso vDS completou sua queda, a tenso vGS no esta mais
grampeada e continua a crescer exponencialmente at alcanar seu valor final que
igual a VGG, Figura 46(p,q,r). A constante de tempo dada por,

2 = RG ( C gs + C gd 2 )

(5.44)

Simultaneamente a corrente na porta decai a zero com a mesma constante de

tempo.
Aps a corrente de porta (iG) ter decrescido at zero, o MOSFET encontra-se em
conduno, Figura 46(s,t,u).

(a)

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(b)

(c)

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(d)

(e)

(f)

(g)

(h)

(i)

(j)

(k)

(l)

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(m)

(n)

(o)

(p)

(q)

(r)

(s)

(t)

(u)

Figura 46 Etapas para entrada em conduo do MOSFET de potncia.

O processo de bloqueio do MOSFET envolve a seqncia inversa de eventos que

ocorrem durante a entrada em conduo. As formas de onda para o bloqueio so

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mostradas na Figura 47.

Figura 47 Formas de onda para bloqueio do MOSFET de potncia.

As formas de onda e os tempos de chaveamento variam e so dependentes do

valor da tenso VGG, a qual pode ser feita negativa para acelerar o processo de bloqueio.
Alm disto, o valor de RG pode ser feito diferente para entrada em conduo e para o
bloqueio.

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Exerccios para fixao do contedo da aula 5:

1. Desenhe a estrutura de um MOSFET lateral e descreva o funcionamento do

mesmo, antes e aps a aplicao de um potencial positivo no terminal porta.
2. O que tenso limiar VGS(Th) de um MOSFET?
3. Desenhe a estrutura de um MOSFET vertical e localize o transistor e o diodo
parasita presente nesta estrutura. Explique por que deve-se eliminar o
transistor bipolar parasita e onde o diodo parasita pode ser usado.
4. Qual o propsito da existencia de uma sobreposio entre a metalizao da
porta e a regio n-.
5. Desenhe a curva caracterstica do MOSFET, definindo as suas regies.
6. Alm da tenso de ruptura (BVDSS) qual outra tenso no deve ser excedida
em um MOSFET de potncia.
7. Desenhe a rea de operao segura de um MOSFET de potncia e descreva a
principal diferena entre esta e a rea de operao segura de um transistor
bipolar de potncia.
8.

A resistncia de conduo de um MOSFET funo de qual parmetro

limitador da SOA do MOSFET.

9. Esboe os circuitos equivalentes do MOSFET e definida as condies para

que os mesmos sejam utilizados.
10. Esboe as formas de onda do MOSFET durante sua entrada em conduo e
explique as etapas que ocorrem durante este processo.
11. Esboe a caracterstica iD versus vDS durante o processo de entrada em
conduo.

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