JAKSON MIRANDA FONSECA

ALGUMAS CONTRIBUIC OES AO ESTUDO DO GRAFENO E DOS ISOLANTES TOPOLOGICOS

Tese apresentada ` a Universidade Federal de Vi cosa, como parte das exig encias do Programa de P osGradua c ao em F sica, para obten c ao do t tulo de Doctor Scientiae.

VIC OSA MINAS GERAIS - BRASIL 2012

A todos aqueles que tornaram poss vel a realiza c ao deste trabalho; aos que me incentivaram por achar que eu fosse capaz; e` aqueles que me incentivaram, ainda mais, por achar que eu n ao fosse capaz; em especial ` a minha fam lia, a qual eu dedico este trabalho.

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Agradecimentos
A todos que contribu ram para que eu pudesse realizar este trabalho. A toda minha fam lia (esposa, pai, m ae, irm ao,. . .). Todos voc es foram de fundamental import ancia para que este trabalho se concretizasse em especial minha esposa Gisele. Ao meu orientador, Winder por tudo, por acreditar que sou capaz, pelo incentivo, pela paci encia, pela orienta c ao e pelas oportunidades. Por me ensinar n ao s o f sica, mas valores que um homem deve carregar por toda sua vida, por mostrar a Natureza de uma forma diferente e pelas discuss oes e trocas de id eias excepcionais. Aos professores Winder A. Moura-Melo, Afr anio P. Rodrigues, Oswaldo Del Cima, Daniel H.T. Franco e Lucas M ol, pelas discuss oes, trabalhos, troca de id eias, orienta c oes e cursos. Ao departamento de f sica da UFV, professores, funcion arios e colegas de p os-gradua c ao. A todos amigos que, para n ao ser injusto, prero n ao citar nomes. Aos colegas de p os-gradua c ao pelas discuss oes e almo cos, pelas perguntas sempre pertinentes e pela ajuda para entendermos a f sica. A UFV e a cidade de Vi cosa por me acolher durante todos estes anos e a UFV-CRP por colaborar com a conclus ao do meu doutorado. A todos aqueles que se dedicaram a ci encia e transmitiram suas descobertas para que outros pudessem compartilhar do conhecimento cient co. Por m, mas n ao de menor grado agrade co ao povo brasileiro por me dar a oportunidade de estudar em uma universidade p ublica e em especial ao povo das Minas Gerais, pelo apoio nanceiro concedido atrav es da Funda c ao de Amparo a Pesquisa do Estado de Minas Gerais (Fapemig) durante o tempo que tive bolsa.

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Sum ario
Nota c oes e Conven c oes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Abstract . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Introdu c ao e Motiva c ao 1 Grafeno: uma breve introdu c ao 1.1 1.2 1.3 Propriedades elementares do grafeno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . F ermions de Dirac no grafeno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Intera c ao spin- orbita no grafeno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . vi vii viii 1 13 13 18 26 32 32 34 38 46 52

2 Isolantes Topol ogicos: uma breve introdu c ao 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 Isolantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . O efeito Hall quantizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Isolante spin Hall quantizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Isolantes Topol ogicos em 3D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Resposta Eletromagn etica dos IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3 Espalhamento dos portadores de carga no grafeno induzidos por defeitos na rede 3.1 Din amica dos portadores de carga em uma folha de grafeno n ao simplesmente conexa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Din amica dos portadores de carga na presen ca de defeitos pentagonais e heptagonais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 60 60

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4 Isolante Topol ogico C onico 4.1 4.2 4.3 Efeito Hall no IT c onico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Efeito magnetoel etrico topol ogico e gravita c ao . . . . . . . . . . . . . . . . Cargas imagem induzidas no cone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

76 77 82 87 91 99 103

5 Isolantes Topol ogicos com dom nios magn eticos na superf cie 6 Conclus oes e perspectivas A A equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes

A.1 F ermions em 2+1 dimens oes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 A.2 Solu c oes da equa c ao de Dirac em 2+1 dimens oes . . . . . . . . . . . . . . . 108 B Isolantes Topol ogicos e Teoria de Campos Topol ogica 111 117

C Gravita c ao em (2+1) Dimens oes

C.1 Equa c oes de campo cl assicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117 C.2 Efeito Aharonov-Bohm gravitacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122 C.3 Equa c ao de Dirac em um cone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124 Refer encias Bibliogr acas 126

Nota c oes e Conven c oes

O sistema de unidades SI e utilizado nas principais equa c oes. Em equa c oes onde as unidades n ao prejudicam a compreens ao, unidades naturais s ao usadas, assim, por exemplo, = c = 1;

, h e c correspondem a constante de Planck dividida por 2 , a constante de Planck e a velocidade da luz no v acuo respectivamente.

representa as matrizes de Pauli, x , y e z . Indices gregos , , , . . . assumem os valores 0, 1, 2; ndices latinos i, j, k, . . . assumem os valores 1, 2; A conven c ao de soma de Einstein e utilizada: ndices contra dos em um mesmo termo de uma equa c ao devem ser somados. x e padr ao para as coordenadas espa co-temporais em 2+1 dimens oes x = (t, r) = (t, x, y ) e os operadores diferenciais s ao = (t , x , y ), = (t , x , y ), x =
x

, . . ..

EHQI = Efeito Hall Quantizado Inteiro. EHQS = Efeito Hall Quantizado de Spin. ISHQ = Isolante Spin Hall Qu antico. TCT = Teoria de Campos Topol ogica. Outras deni c oes e termos que aparecem s ao esclarecidos ao longo do texto.

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Resumo
FONSECA, Jakson Miranda, D.Sc., Universidade Federal de Vi cosa, fevereiro de 2012. Algumas contribui c oes ao estudo do Grafeno e dos Isolantes Topol ogicos. Orientador: Winder Alexander de Moura Melo. Coorientadores: Afr anio Rodrigues Pereira, Lucas Alvares da silva Mol e Daniel Heber Teodoro Franco.

Nesta tese s ao estudados grafeno e isolantes topol ogicos. No caso do grafeno e considerado o espalhamento das quasepart culas por defeitos topol ogicos representados por buracos, pent agonos e hept agonos. No caso de buracos os desvios de fase da fun c ao de onda s ao obtidos e em baixas concentra c oes s ao irrelevantes para o transporte eletr onico, determinando uma contribui c ao negligenci avel para a resistividade. Quando pent agonos e hept agonos s ao introduzidos na rede e a corrente fermi onica e restrita para mover pr oxima a estes, essa e espalhada com um angulo que depende do n umero de defeitos e do lado que a corrente passa. O efeito magnetoel etrico topol ogico e considerado em um isolante topol ogico c onico quando uma carga q est a pr oxima do apice. A corrente Hall induzida na superf cie do considerado tamb cone e determinada. E em um efeito Aharonov-Bohm gravitacional nesta geometria onde as componentes da fun c ao de onda ganham um desvio de fase quando transportadas paralelamente em torno do apice do cone. Uma corrente movendo-se em dire c ao ao apice (ou base) do cone aparece devido a este efeito, levando a uma polariza c ao el etrica do isolante topol ogico c onico. Este efeito pode ser detectado, por exemplo, por meio da carga Hall acumulada pr oxima ao apice. Tamb em e analizada a modica c ao induzida no espectro dos estados superf ciais quando o isolante topol ogico e coberto por um ferromagneto com magnetiza c ao tipo-v ortice. S ao considerados a possibilidade de estados discretos ligados e espalhados e e encontrado que uma massa n ao e induzida diretamente para os portadores superciais. vii

Abstract
FONSECA, Jakson Miranda, D.Sc., Universidade Federal de Vi cosa, February, 2012. Some contributions to study of Graphene and Topological Insulators. Adviser: Winder Alexander de Moura Melo. Co-Advisers: Afr anio Rodrigues Pereira, Lucas Alvares da silva Mol and Daniel Heber Teodoro Franco.

In this thesis we study graphene and topological insulators. In the case of graphene, we study the scattering of quasiparticles by topological defects, represented by holes, pentagons and heptagons. For the case of holes, we obtain the phase shift and found that at low concentration they appear to be irrelevant for the electron transport, giving a negligible contribution to the resistivity. Whenever pentagons and heptagons are introduced into the lattice and the fermionic current is constrained to move near one of them we realize that such a current is scattered with an angle that depends on the number of pentagons and on the side the current taken. We consider the topological magnetoelectric eect on a conical topological insulator when a point charge q is near the cone apex. The Hall current induced on the cone surface is determined. We also study a kind of gravitational Aharonov-Bohm eect in this geometry and realize a phase diference betwen the components of the wavefunctions upon closed parallel transport around the cone tip. Concretely, a net current owing towards cone apex (or botton) shows up, yielding electric polarization of the conical topological insulator. Such an eect may be detected, for instance, by means of the net accumulated Hall charge near the apex. We also analyzed the modication induced on the surface spectrum when a topological insulator is coated with an ferromagnet with magnetization like-vortex. We consider the possibility of bound discrete states and unbound continuous states and found that a mass is not directly induced in the surface carriers.

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Introdu c ao e Motiva c ao
A F sica da Mat eria Condensada (FMC) e a parte da F sica que estuda sistemas de muitas part culas, nos estados condensados, s olidos ou l quidos. Quando se estuda sistemas de muitas part culas (da ordem de 1023 ) novos conceitos f sicos e novas leis f sicas que governam o comportamento coletivo desses sistemas podem surgir. Aspectos que permitem entender como a ordem emerge em tais sistemas constitu dos de simples part culas como ons, momentos magn eticos, atomos ou el etrons e, como eles interagem uns com os outros s ao objetivos de estudo da FMC [1]. As correla c oes entre as diversas part culas, atomos ou mol eculas que comp oem o sistema, podem conduzir a modos coletivos que possuem suas pr oprias excita c oes elementares (excita c oes acima do estado de mais baixa energia) as quais muitas vezes apresentam propriedades f sicas muito distintas daquelas observadas em part culas elementares conhecidas na natureza [2]. Por exemplo, em um s olido as excita c oes de mais baixa energia (ondas sonoras) s ao os movimentos coletivos dos atomos. Tais ondas s ao denominadas f onons e dessa forma um novo mundo governado por um novo tipo de part cula chamada f onon emerge, sendo as leis f sicas que descrevem as intera c oes entre essas novas part culas completamente distintas daquelas que descreviam os atomos constituintes do s olido original. Este e um dos muitos exemplos de fen omenos emergentes, onde o comportamento coletivo dos v arios graus de liberdade (el etrons e ons do s olido) fortemente interagentes e o respons avel por esses fen omenos. As leis que governam as quasepart culas e as excita c oes coletivas s ao muito diferentes das leis que governam os el etrons e ons originais [1]. Os paradigmas de Landau s ao largamente utilizados em FMC: a teoria dos l quidos de Fermi e a teoria da quebra de simetria (transi c oes de fase). A teoria do l quido de

Fermi descreve metais, isolantes, semicondutores, supercondutores, superu dos e materiais magn eticos. J a a teoria da quebra de simetrias de Landau nos diz que a exist encia de diferentes fases da mat eria est a associada ` a exist encia de diferentes simetrias em cada fase, sendo a transi c ao de fase uma transi c ao que muda a simetria. Assim a FMC descreve as diferentes fases da mat eria por meio de suas simetrias, sejam elas quebradas ou n ao. Por exemplo, a cristaliza c ao da agua em gelo quebra a simetria translacional, o ordenamento magn etico de spins quebra a simetria rotacional e a fase supercondutora quebra a simetria de calibre. Essa teoria descreve quase todas as fases conhecidas da mat eria tais como: s olida, superu dica, ferromagn etica, antiferromagn etica e supercondutora, bem como descreve todas as transi c oes de fase entre elas. Uma teoria de campos efetiva, geralmente chamada de teoria de Ginzburg-Landau pode ser formulada para descrever essas diferentes fases da mat eria. Tal teoria e determinada por propriedades gerais tais como a dimensionalidade e a simetria do par ametro de ordem que caracteriza a fase e determina uma descri c ao universal dos estados qu anticos da mat eria [3]. Por em, no in cio dos anos 80 um novo estado da mat eria conhecido como Efeito Hall Qu antico (EHQ) (inteiro e fracional) foi descoberto e vericou-se que os paradigmas de Landau n ao se aplicavam a este novo sistema, ensinando-nos que h a um novo princ pio organizacional da mat eria diferente dos discutidos acima chamado de ordem topol ogica [4, 5]. O EHQ ocorre quando el etrons connados a duas dimens oes s ao submetidos a um forte campo magn etico perpendicular ao plano do seu movimento e a um campo el etrico transverso ao campo magn etico. As orbitas dos el etrons s ao quantizadas nos chamados n veis de Landau. Se N n veis de Landau s ao cheios e o restante vazios, ent ao, um gap de energia separa os estados ocupados dos vazios, como em um material isolante, mas ao contr ario de um isolante um campo el etrico produz uma corrente ao longo das bordas do material, cujo sentido depende da orienta c ao do campo magn etico. Os estados da borda do material que conduzem esta corrente s ao diferente dos estados ordin arios da mat eria porque eles persistem mesmo na presen ca de impurezas e n ao se dissipam como em um condutor convencional. O EHQ veio a ser o primeiro exemplo de estado qu antico da mat eria que e topologicamente distinto de todos os estados da mat eria conhecidos previamente [5].

A quantiza c ao precisa da condutividade Hall e explicada pelo fato que ela e um invariante topol ogico: s o pode assumir valores inteiros, em unidades de e2 /h, independente dos detalhes do material, como sua forma geom etrica e tipo de a tomos constituintes [4]. Os matem aticos introduziram o conceito de topologia e seus invariantes para classicar diferentes objetos em classes amplas onde os detalhes geom etricos dos objetos n ao s ao importantes [6]. Por exemplo, superf cies bidimensionais s ao classicadas pelo n umero de buracos que elas possuem ou o seu genus. A superf cie de uma esfera e topologicamente equivalente ` a superf cie de um cubo ou um elips oide, pois um pode ser deformado suave e continuamente at e o outro, sem criar buracos na superf cie. Similarmente uma x cara de caf e e topologicamente equivalente a uma rosquinha com um furo no meio ou um toro, (gura 1), pois ambos podem ser deformados suavemente um no outro.

Figura 1:

Uma x cara de caf e e topologicamente equivalente a um toro pois ambos pos(Fonte:

suem o mesmo n umero de buracos (genus = 1) e podem ser deformados um no outro. skullsinthestars.com/2010/10/10/twisting-light-into-a-mobius-strip/.)

Do ponto de vista matem atico, a classica c ao topol ogica foca em distin c oes fundamentais entre as formas e descarta pequenos detalhes, sendo a deforma c ao suave do objeto (aquela que n ao rasga ou fura o objeto) o conceito fundamental para agrup a-lo de acordo com esta classica c ao. J a em f sica, pode-se considerar, por exemplo, Hamiltonianas de sistemas de muitas part culas com um gap de energia entre o estado fundamental e os estados excitados e o conceito de deforma c ao suave e denido como uma mudan ca adiab atica na Hamiltoniana ou em algum par ametro dela que n ao fecha o gap de energia [5]. Os estados topol ogicos da mat eria s ao estados caracterizados por certas quantida3

des que s ao topologicamente invariantes, no sentido denido acima [4]. O u nico estado topol ogico da mat eria conhecido at e 2005 era o EHQ, por em nos u ltimos anos foi proposto teoricamente que estados de borda condutores e protegidos topologicamente, como aqueles do EHQ, poderiam ser encontrados no contorno de isolantes bidimensionais ou na superf cie de isolantes tridimensionais com uma grande intera c ao spin- orbita. Tais materiais foram ent ao chamados de Isolantes Topol ogicos (IT), pois possuem um interior (bulk) que e isolante e estados condutores em sua borda que s ao invariantes sob pequenas deforma c oes do material [5]. Nestes materiais a intera c ao entre o spin dos el etrons e o campo magn etico criado pelos atomos (intera c ao spin- orbita) faz o papel de um campo magn etico externo. Como resultado desta intera c ao el etrons com spin de sinal oposto propagam em sentidos contr arios nas bordas do material. Estes estados da mat eria s ao invariantes sob Revers ao Temporal1 . Todos isolantes encontrados na natureza que s ao invariantes sob Revers ao Temporal e com um estado fundamental n ao degenerado se enquadram em duas classes topol ogicas distintas, uma trivial, onde os estados da superf cie2 s ao isolantes, e uma topologicamente n ao trivial, onde o interior do material possui um gap, sendo um isolante de banda, e os estados da superf cie s ao condutores com um gap nulo. Neste caso o transporte e realizado por f ermions de Dirac, que s ao part culas cuja rela c ao de dispers ao e linear, sendo, portanto descritas por uma equa c ao similar a equa c ao de Dirac em uma ou duas dimens oes3 . Note que em tais materiais a din amica dos portadores de carga superf ciais n ao e governada pela equa c ao de Schr odinger, mas sim por uma equa c ao semelhante a ` equa c ao de Dirac, que governa a din amica de part culas relativ sticas. Bons artigos de revis ao s ao as refer encias [9, 10, 11, 12, 13, 14, 15]. As propriedades topol ogicas de tais materiais se manifestam mais drasticamente quando a simetria de Revers ao Temporal e preservada no interior do material e violada em
1

Isto quer dizer que a Hamiltoniana que descreve o sistema e invariante sob tal opera ca o. Esta e uma

opera ca o que, classicamente, corresponde apenas a inverter o sentido de uxo do tempo t t. J a, quanticamente, ela e implementada no espa co de Hilbert por meio de um operador antiunit ario [7, 8]. 2 O termo superf cie usado aqui se refere a borda do material caso ele seja bidimensional ou ` a superf cie mesmo, caso ele seja tridimensional. 3 Aqui aparece um fen omeno de emerg encia pois f ermions com massa nula, que s ao distintos de todos os constituintes do material, emergem em sua superf cie.

sua superf cie, por exemplo, pela adi c ao de impurezas magn eticas na superf cie do material. Nesse caso o material torna-se isolante no interior e na superf cie, mas ainda e distinto de um isolante convencional. Por exemplo, as equa c oes de Maxwell que descrevem a din amica dos campos el etricos e magn eticos s ao drasticamente modicadas por um termo topol ogico nesse caso. Este termo topol ogico possui um coeciente que e quantizado, similarmente como no caso do EHQ [16]. A possibilidade de abrir um gap na superf cie do material quebrando a simetria de revers ao temporal leva a v arios efeitos surpreendentes como monopolos magn eticos induzidos no interior do material por uma carga el etrica externa [17], a possibilidade de se criar f ermions de Majorana devido a um efeito de proximidade a um supercondutor [18, 19], anyons4 [20], dentre outras propostas te oricas que podem ser u teis em eventuais aplica c oes destes materiais. Outro assunto, que tem atra do muito a aten c ao da comunidade cient ca nos u ltimos anos e foi agraciado com o Pr emio Nobel de F sica em 2010 e o grafeno. Grafeno e o nome dado a uma u nica camada de atomos de carbono densamente empacotados em uma rede hexagonal [21, 22, 23]. Este material tem sido estudado teoricamente por mais de sessenta anos [24, 25, 26], mas apenas como ponto de partida para se entender e descrever propriedades de compostos baseados em muitos atomos de carbono como diamante, grate, nanotubos e fulerenos, (veja a gura 2). Por muito tempo acreditou-se que cristais eminentemente bidimensionais n ao poderiam existir livremente na natureza sendo muito inst aveis termodinamicamente como argumentado por Landau e Peierls, h a mais de 70 anos. Por em, a descoberta do grafeno em 2004, por um grupo da Universidade de Manchester liderado por Andre Geim e Kostya Novoselov5 , utilizando uma t ecnica chamada clivagem micromec anica [28, 29] mostrou algo surpreendente: cristais bidimensionais existem e s ao est aveis em condi c oes ambientes. O
4

Anyons s ao part culas que possuem spin fracion ario distinto de m ultiplos de

e obedecem a uma

estat stica fracional. Quando duas part culas id enticas trocam de posi ca o ou uma gira em torno de outra a fun ca o de onda do sistema adquire uma fase ei , sendo que = para f ermions (estat stica fermi onica), = 2 para b osons (estat stica bos onica) e no caso de anyons pode assumir qualquer valor diferente de e 2 . 5 Os trabalhos de ambos os autores no desenvolvimento de t ecnicas para obten ca o de cristais bidimensionais culminou com o recebimento do Pr emio Nobel de 2010.

Figura 2: Esquerda: Grafeno mostrando os atomos de carbono arranjados em uma rede hexagonal que
pode ser visualizada como composta de duas sub-redes triangulares (c rculos verdes e vermelhos). Direita: Grafeno e a m ae de todos os outros al otropos do carbono, como mostrado na gura, a partir do grafeno se constr oi o fulereno, nanotubos e o grate. (Fonte: refer encias [27] e [21].)

m etodo de clivagem micromec anica permite obter folhas de grafeno de alta qualidade com at e 100m de tamanho. A estabilidade do grafeno em condi c oes ambientes e fascinante, pois o teorema de Mermim-Wagner [30] estabelece que n ao deve existir ordem de longo alcance em 2D em temperaturas nitas. De fato, em um cristal bidimensional o n umero de f onons diverge em baixas temperaturas e as amplitudes de deslocamento dos a tomos que comp oem o material, calculados em uma aproxima c ao harm onica, torna-se compar avel a ` dist ancia interat omica em qualquer temperatura nita, destruindo o material [21]. Assim uma membrana ex vel como o grafeno em um espa co tridimensional deveria se enrolar devido a `s utua c oes de longos comprimentos de ondas. Entretanto, estudos t em demonstrado que tais utua c oes podem ser suprimidas devido a acoplamentos anarm onicos (n ao-lineares) entre os modos de vibra c ao que curvam e esticam o material [21]. Desse modo, membranas cristalinas bidimensionais podem existir, mas devem ser onduladas ou enrugadas como na gura 3. Ap os sua descoberta, o interesse no grafeno cresceu substancialmente devido ao seu grande potencial de aplica c ao em eletr onica e outras areas [31]. Este potencial surge de suas propriedades eletr onicas excepcionais, n ao encontradas em nenhum outro material conhecido at e o momento. Uma de suas propriedades marcantes e que as excita c oes de mais 6

Figura 3: Ondula co es presentes no grafeno em qualquer temperetura nita para garantir sua estabilidade
bidimensional. (Fonte: nanotechweb.org.)

baixa energia se comportam como el etrons sem massa e possuem uma rela c ao de dispers ao linear entre energia e momento, sendo assim, descritas por uma equa c ao an aloga a ` equa c ao de Dirac para part culas sem massa em (2 + 1) dimens oes6 . Grafeno exibe transporte bal stico e um efeito Hall an omalo onde os n veis de Landau para estados com energia nula possuem metade da degeneresc encia dos demais n veis de Landau, com energia diferente de zero [23]. Este EHQ an omalo no grafeno e a evid encia mais direta para se concluir que os portadores s ao f ermions de Dirac sem massa (detalhes no cap tulo 1). Outra propriedade not avel no grafeno e a aus encia de localiza c ao por barreiras de potenciais como aquelas induzidas por impurezas [23]. Devido ao espectro linear dos portadores as barreiras se tornam transparentes n ao exibindo localiza c ao de Anderson como em condutores convencionais [23]. Grafeno tamb em fornece uma inesperada ponte entre a FMC e a Eletrodin amica Qu antica (QED), isto devido ` a descri c ao dos seus portadores de carga por meio de uma equa c ao semelhante ` a equa c ao de Dirac. V arios fen omenos preditos na QED [33, 32] e dif ceis de serem observados em altas energias podem ser observados no grafeno, por exem6

(2 + 1) dimens oes quer dizer 2 dimens oes espaciais e 1 temporal, sendo esta uma nota ca o mais comum

em Mec anica Qu antica Relativ stica [32, 2].

plo medindo suas propriedades eletr onicas, j a que a escala de energia no grafeno e bem menor que em altas energias [34]. V arias propostas para se testar alguns fen omenos preditos, mas ainda n ao observados na QED tem sido feitas; algumas j a realizadas conrmando as previs oes da QED no grafeno [34], enquanto outras ainda encontram-se sob investiga c ao como o paradoxo de Klein [35, 36, 34], polariza c ao do v acuo [37] e colapso at omico7 [38]. Todas estas propriedades discutidas acima fazem do grafeno e dos Isolantes Topol ogicos, materiais que podem vir a revolucionar a ci encia e a tecnologia nos pr oximos anos [31]. Talvez, as aplica c oes tecnol ogicas de curto prazo sejam na eletr onica, onde as possibilidades de aplica c oes destes materiais s ao imensas devido as suas propriedades extraordin arias. In umeras possibilidades como uxo de corrente sem dissipa c ao, corrente eletr onica spin-polarizada e controle de propriedades eletr onicas com luz colocam estes materiais como fortes candidatos a substituirem o sil cio nos dispositivos eletr onicos e instigam pesquisadores a criarem novos componentes eletr onicos que possam usufruir de tais propriedades. Recentemente, em 2010, pesquisadores da IBM (International Business Machines) constru ram um transistor de grafeno que bateu o recorde mundial de velocidade, operando a 300 GHz. Um outro grupo da IBM construiu um circuito integrado usando equipamentos industriais e componentes de grafeno [39]. O circuito consiste de um u nico transistor de grafeno com um par de indutores integrados em uma pastilha de carbeto de sil cio (SiC). O circuito funciona como um misturador de frequ encias, operando a 10 GHz. Misturadores de frequ encia s ao utilizados em sistema de comunica c ao por r adio, por exemplo, nas redes de comunica c oes sem os. O pr oximo passo da pesquisa ser a otimizar o transistor, para que ele opere a velocidades mais altas, e projetar circuitos mais complexos [39]. Propostas interessantes de aplica c ao do grafeno tamb em v em ocorrendo em a reas biol ogicas e biom edicas, como sua utiliza c ao na forma de suporte para o crescimento de ossos, na constru c ao de circuitos biol ogicos com neur onios e em sequenciamento de DNA [40, 41]. Neste u ltimo caso, a id eia e fazer um buraco na folha de grafeno, por exemplo,
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Paradoxo de Klein, polariza ca o do v acuo e colapso at omico s ao efeitos associados a natureza qu antica

e relativistica do el etron e do campo eletromagn etico s ao predi co es da eletrodin amica qu antica, por rm, no ambito de altas energias a observa ca o destes fen omemos requer uma escala alta de energias.

usando um feixe de el etrons e atravessar a ta de DNA por esse buraco e medir a corrente que ui entre as bordas da folha de grafeno, como mostra a gura 4. Quando as diferentes bases da ta de DNA atravessam a folha de grafeno a resist encia el etrica do material muda, mudando a corrente medida, dessa forma as utua c oes na corrente podem ser usadas para rapidamente sequenciar a ta de DNA [40]. Um fato que pode ser relevante na concretiza c ao desta proposta e que o buraco introduzido na folha implica numa contribui c ao irris oria para a resistividade, n ao tendo portanto, qualquer inu encia nos resultados de medida da corrente associados ` a ta de DNA. Que isso de fato ocorre e um dos resultados que obtivemos em artigo recente e ser a melhor discutido no Cap tulo 3 [27, 42].

Figura 4:

Proposta de m etodo para sequenciamento de DNA. Uma ta de DNA e passada por um

buraco feito na folha de grafeno e a corrente entre os contatos e medida, sendo que cada base nitrogenada do DNA muda o valor da corrente. (Fonte: refer encias [40] e [41].)

O impacto do grafeno e dos isolantes topol ogicos na comunidade cient ca pode ser avaliado pelo n umero de publi c oes e cita c oes da base de dados da Web of Science. Por exemplo, o primeiro artigo sobre grafeno, refer encia [28], publicado em 2004 na revista Science possui mais de 6000 cita c oes; palavras de busca como graphene retornam mais de 16.000 resultados. No caso dos IT, os artigos fundamentais que discutem o assunto em 2D possuem mais de 1000 cita c oes e palavras de busca como Topological Insulators, Quantum

Spin Hall Eect remetem mais de 4.000 resultados8 . Nesta Tese de Doutorado e feito um estudo do comportamento das quasepart culas do grafeno na presen ca de defeitos na estrutura cristalina do material, levando em considera c ao tr es tipos de defeitos: buracos, pent agonos e hept agonos. Todos esses defeitos podem ser incorporados por remover ou inserir alguns atomos de carbono na rede [27, 42]. Entender como estes defeitos modicam as propriedades de transporte do grafeno e crucial para se construir futuros dispositivos eletr onicos usando grafeno. A presen ca de defeitos pentagonais (ou heptagonais) induz uma curvatura local positiva (ou negativa) na folha de grafeno. Em algumas situa c oes, os portadores de carga se movendo na presen ca de defeitos pentagonais (heptagonais) e an alogo a f ermions se movendo em um espa co-tempo com (2 + 1) dimens oes na presen ca de uma massa puntiforme positiva (negativa). A analogia surge do fato de que a curvatura, ou campo gravitacional, produzida por uma massa puntiforme positiva (negativa) e id entica a ` curvatura produzida na folha de grafeno por defeitos pentagonais (heptagonais). Assim, pode-se empregar resultados da gravita c ao para analizar alguns efeitos relacionados aos portadores de carga na presen ca destes defeitos. Por exemplo, na presen ca de pent agonos e hept agonos encontramos que os desvios de fase dos portadores, movendo-se pr oximos destes defeitos, depende somente do n umero de pent agonos ou heptag onos na folha de grafeno e s ao id enticos para portadores das sub-redes A e B . J a no caso de buracos, que n ao induzem curvatura na folha de grafeno, os desvios de fase calculados para os el etrons espalhados mostram que em baixas concentra c oes tais defeitos s ao irrelevantes para o transporte de carga dando contribui c ao insignicante para a resistividade. Estes resultados fazem parte dos trabalhos originais desta Tese [27, 42] e ser ao amplamente discutidos posteriomente. Outro tema abordado nesta Tese, e o estudo da din amica dos portadores na superf cie de Isolante Topol ogicos tridimensionais na presen ca de campos el etricos e magn eticos externos ou induzidos por impurezas [43]. Como discutido anteriomente, a presen ca de impurezas magn eticas gera um gap de energia na rela c ao de dispers ao dos estados superciais tornando os el etrons de Dirac massivos. A presen ca de tais impurezas modica muito a
8

interessante salientar que os resultados de busca da Web Dados obtidos em 11 de janeiro de 2012. E

of Science s o englobam artigos publicados em revistas indexadas.

10

din amica dos portadores, como pode ser visto em trabalhos relacionados com o assunto [44, 45, 46, 47, 48]. Dessa forma, consideramos algumas congura c oes magn eticas na superf cie do material e analisamos quais os efeitos na din amica dos portadores [43]. Resultados obtidos mostram que uma congura c ao de campo magn etico na superf cie do IT tipo-v ortice n ao induz uma massa na rela c ao de dispers ao como no caso de um campo magn etico perpendicular ` a superf cie, mas cria um acoplamento de n veis de energia com o momento angular dos portadores e permite a possibilidade de estados eletr onicos ligados e espalhados na superf cie. Outro assunto em estudo e a possibilidade, e consequ encias, de se construir um IT em forma c onica e analizar efeitos como a resposta magnetoel etrica topol ogica nesta geometria, como a indu c ao de monopolos magn eticos [49], de modo similar ao que ocorre em uma superf cie plana, bem como, a possibilidade de um efeito do tipo Aharonov-Bohm associado ` a geometria do cone [49] como ocorre, por exemplo, no grafeno c onico [50]. Este u ltimo efeito e um efeito predito pela teoria da relatividade geral de Einsten em espa co-tempo com (2 + 1) dimens oes. A din amica dos portadores de carga na superf cie de um IT c onico e id entica a `quela de f ermions com massa nula no campo gravitacional de uma massa puntiforme em (2+1) dimens oes e alguns fen omenos, preditos por esta teoria, podem vir a ser observados em IT c onico. Particularmente, e feita uma predi c ao que a polariza c ao do IT c onico muda de sentido quando se considera cones com diferentes angulos de abertura [49]. Este efeito pode ser utilizado para se testar predi c oes da relatividade geral em (2+1) dimens oes e tamb em para se vericar as propriedades topol ogicas do IT c onico [49]. Esta Tese de Doutorado e organizada em seis cap tulos e tr es ap endices. Nos dois primeiros cap tulos s ao discutidos alguns aspectos b asicos sobre estrutura eletr onica e propriedades gerais do grafeno e dos Isolantes Topol ogicos. O material apresentado nestes cap tulos serve de background para a apresenta c ao dos resultados originais desta Tese nos cap tulos 3, 4 e 5. No cap tulo 3 os resultados obtidos no estudo do grafeno s ao discutidos. Este cap tulo e baseado nas duas publica c oes realizadas sobre este assunto [27, 42]. A partir do cap tulo 4 s ao discutidos os resultados obtidos no estudo dos IT tendo como foco o efeito magnetoel etrico topol ogico em um IT c onico [49]. J a no cap tulo 5 s ao discutidos

11

alguns resultados sobre a din amica dos portadores na superf cie do IT quando ela e coberta por um lme magn etico que possui uma magnetiza c ao tipo-v ortice [43]. No cap tulo 6 s ao apresentadas as conclus oes e perspectivas de trabalhos futuros desta Tese. Para tornar essa um pouco mais did atica e deixar o texto mais completo alguns t opicos que n ao s ao muito comuns em F sica da mat eria Condensada foram discutidos em tr es ap endices. No ap endice A e apresentada uma discuss ao sobre a teoria de Dirac do el etron em (2+1) dimens oes, sendo este assunto essencial para a compress ao da din amica dos portadores de carga no grafeno e nos IT. No ap endice B discute-se uma formula c ao alternativa a teoria de bandas na descri c ao dos IT que e a teoria de campos topol ogica. Esta formula c ao unica a descri c ao destes materiais de na presen ca de intera c oes ou desordem e no caso sem intera c ao reduz-se a teoria de bandas para IT. Por m no ap endice C e feita uma discuss ao sobre a Relatividade Geral de Einstein em (2+1) dimens oes. Este assunto e amplamente utilizado na obten c ao de alguns resultados dos cap tulos 3 e 4, merecendo assim especial aten c ao nesta Tese de Doutorado.

12

Cap tulo 1 Grafeno: uma breve introdu c ao

Grafeno e o primeiro material eminentemente bidimensional produzido em laborat orio. Ele e constitu do de atomos de carbono e possui propriedades de transporte distintas daquelas observadas em outros materiais. Seus portadores de carga, sob alguns aspectos, possuem um comportamento relativ stico que confere a este material um sistema que cria uma ponte entre f sica da mat eria condensada e f sica de altas energias, como Eletrodin amica Qu antica e Relatividade Geral. Neste cap tulo ser a apresentada uma introdu c ao a `s propriedades eletr onicas do grafeno indispens aveis para a compreens ao dos resultados obtidos e tamb em importantes para um bom entendimento dos isolantes topol ogicos.

1.1

Propriedades elementares do grafeno

Grafeno e constitu do por atomos de carbono arranjados em uma rede hexagonal

bidimensional (2D ), gura 1.1; pode, tamb em, ser visto como um plano de a tomos retirado do grate [28, 51]. A estrutura hexagonal do grafeno pode ser vizualizada como duas subredes triangulares superpostas ou como uma rede triangular com dois a tomos de carbono por c elula unit aria, veja a gura 1.1. Os atomos de carbono s ao ligados a seus vizinhos por meio de fortes liga c oes covalentes com uma dist ancia interat omica de a 1.42 A que

13

Figura 1.1: Rede hexagonal do grafeno mostrando suas sub-redes triangulares compostas pelos atomos
A e B . Os vetors a1 e a2 s ao os vetores da rede e os tr es vetores i ligam os atomos de uma sub-rede aos ` direita, seus tr es primeiros vizinhos da outra sub-rede. A e mostrada a primeira zona de Brillouin. b1 e b2 s ao os vetores da rede rec proca. Os cones de Dirac localizam-se nos pontos K e K . (Fonte: refer encia [23].)

confere ao material uma alta rigidez. Os vetores da rede podem ser escritos na forma [23]: a a1 = (3 , 3) , 2 a a2 = (3 , 3) . 2 (1.1)

Estes vetores geram qualquer uma das duas sub-redes triangulares do grafeno. A primeira zona de Brillouin do grafeno tamb em e hexagonal (gura 1.1) devido a ` simetria da rede, e os vetores da rede rec proca s ao dados por [23]: b1 = 2 (1 , 3) , 3a b2 = 2 (1 , 3) . 3a (1.2)

A zona de Brillouin do grafeno possui seis pontos onde a banda de val encia toca a banda de condu c ao, como pode ser visto na gura 1.2. Destes seis pontos apenas dois deles, chamados de K e K , s ao independentes, os demais sendo equivalentes a estes por opera c oes de simetria da rede. Estes pontos s ao mostrados na gura 1.1 e s ao de extrema import ancia na descri c ao do grafeno, como ser a visto posteriormente. Suas posi c oes no espa co rec proco s ao [23]: K= 2 1 1, 3a 3 , K = 2 1 1 , . 3a 3 (1.3)

14

Estes pontos s ao chamados de pontos de Dirac, pois como veremos posteriormente a descri c ao dos portadores de carga com momento pr oximo a estes pontos e feita pela equa c ao de Dirac em (2 + 1) dimens oes com massa nula. A descri c ao dos el etrons no grafeno e feita por meio de uma Hamiltoniana que descreve as fortes liga c oes qu micas existentes no grafeno. Considerando que os el etrons podem saltar entre os primeiros e segundos atomos vizinhos, a Hamiltonia toma a forma (considerando H = t
(a , i b , j + b , i a , j ) t

= 1):

(a , i a , j + b , i b , j + a , j a , i + b , j b , i ) (1.4) i,j , 1 2 1 , 2 ) que se encontra no

i,j ,

onde ai , ( a etron com spin ( = i , ) aniquila (cria) um el

s tio Ri da sub-rede A. Uma deni c ao equivalente a esta e usada para a sub-rede B com os operdores bi , . O par ametro t e chamado de energia de salto entre diferentes sub-redes e e dado aproximadamente por t 2, 8 eV e t e a energia de salto entre segundos vizinhos ou entre a tomos da mesma sub-rede. As bandas de energia obtidas desta Hamiltoniana foram investigadas pela primeira vez em 1947 por P. R. Wallace sendo dadas por [24]: E (k ) = t 3 + f (k) t f (k) , 3 3 ky a cos kx a . 2 2 (1.5) (1.6)

f (k ) = 2 cos( 3ky a) + 4 cos

O sinal + e para a banda de condu c ao e o sinal para a banda de val encia. Note que o espectro dos portadores e sim etrico em torno do valor E = 0 se o par ametro t for nulo. Isto quer dizer que existe uma simetria entre el etrons e buracos neste caso. No caso de t = 0 esta simetria e quebrada. Na gura 1.2 e mostrada a estrutura de bandas do grafeno com t e t diferentes de zero. Na mesma gura e mostrada uma amplia c ao das bandas de energia pr oximo a um dos pontos de Dirac onde as bandas se tocam. A dispers ao linear da estrutura de bandas pode ser obtida expandindo-se o espectro (1.5) em torno de um dos pontos de Dirac K ou K . Considerando k = K + q com |q | << |K | obt em-se: E (q ) = vF |q| + O[(q/K )2 ] , (1.7)

sendo q o momento eletr onico medido em torno do ponto de Dirac e vF e a velocidade de Fermi dada por vF =
3ta 2

1 106 m/s c/300. A velocidade de Fermi e a velocidade 15

Figura 1.2: Estrutura de bandas de energia do grafeno mostrando as bandas de val encia e condu ca o. A
amplia ca o em torno de um dos pontos onde as bandas se tocam mostra o espectro c onico linear sem gap em torno dessa regi ao. (Fonte: refer encia [52].)

m edia com a qual os portadores que se encontram na borda da superf cie de Fermi se deslocam. Esta velocidade n ao e constante para todos os portadores devido a utua c oes t ermicas, qu anticas e a intera c oes existentes entre os portadores de carga, mas seu valor desvia pouco do valor dado acima. Grafeno e um material muito peculiar que possui propriedades distintas dos demais sistemas de mat eria condensada. Em geral a rela c ao entre energia e momento eletr onico em cristais e dada pela rela c ao cl assica E (q ) = q 2 /2m , onde m e a massa efetiva dos portadores de carga. Esta rela c ao quadr atica entre energia e momento leva a uma velocidade de Fermi dependente da energia dos portadores, vF = k/m =
2E , m

sendo assim, a

velocidade dos el etrons muda consideravelmente com a energia, sendo esta situa c ao muito distinta daquela encontrada no grafeno onde a velocidade de Fermi e constante, indepedente da energia dos portadores. Outra peculiariedade do espectro linear do grafeno e que os portadores de carga n ao s ao descritos pela equa c ao de Schr odinger como nos sistemas que possuem uma dispers ao quadr atica. No grafeno a din amica dos portadores em baixas energias e descrita pela equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes para part culas com massa nula. Na pr oxima se c ao este fato ser a demonstrado. Uma consequ encia imediata deste es-

16

pectro linear do grafeno e que a massa c clotron dos portadores depende da raiz quadrada da densidade de estados eletr onicos. Em um tratamento semicl assico [53] a massa c clotron m e denida como: m = 1 A(E ) 2 E ,
E =E F

(1.8)

com A(E ) a area no espa co rec proco determinada pelas orbitas dos portadores na presen ca de um campo magn etico externo perpendicular a superf cie. Da rela c ao de dispers ao (1.7) obt em-se: A(E ) = q 2 = Esta equa c ao leva a massa c clotron dada por: m = kF EF = . 2 vF vF (1.10) E2 , 2 vF (1.9)

2 O momento de Fermi e relacionado a densidade de el etrons no grafeno por n = kF / , onde

est a incluida a contribui c ao dos dois pontos de Dirac e o spin dos portadores. A massa c clotron pode ser escrita em termos de n: m =

n . vF

(1.11)

Medidas da massa c clotron em fun c ao da densidade de el etrons podem ser utilizadas para se vericar a validade da equa c ao acima. A gura (1.3) mostra um ajuste de dados experimentais com a equa c ao (1.11). Este ajuste permite obter uma estimativa da velocidade de Fermi como sendo vF 106 m/s e do par ametro t 3 eV. A observa c ao desta de encia mais direta para a exist encia pend encia da massa c clotron com n constitui a evid de portadores de carga com massa nula e espectro linear no grafeno [51, 23]. Note que no caso de um espectro par abolico (ou quadr atico) como ocorre quando a descri c ao dos portadores e realizada por meio da equa c ao de Schr odinger a massa c clotron e constante, n ao dependendo de n. A densidade de estados eletr onicos no grafeno pode ser obtida analiticamente quando se considera t = 0 na equa c ao (1.4). Pr oximo aos pontos de Dirac, onde a dispers ao dos estados e linear a densidade de estados eletr onicos por c elula unit aria e dada por: (E ) = 2Ac |E | , 2 vF (1.12)

17

Figura 1.3: Massa c clotron no grafeno em fun ca o da densidade de portadores de carga n. Densidade de
portadores positiva corresponde a el etrons e negativa a buracos. m0 e massa do el etron livre e os c rculos correspondem a dados experimentais. (Fonte: refer encia [51].)

onde Ac ea area da c elula unit aria dada por Ac = 3 3a2 /2. A equa c ao acima inclui uma degeneresc encia de quatro devido ao spin dos portadores e a degneresc encia entre os dois cones de Dirac, tamb em chamada de degeneresc encia de vale.

1.2

F ermions de Dirac no grafeno

Devido ao fato do espectro de bandas do grafeno ser linear pr oximo aos pontos de

Dirac, a descri c ao efetiva dos portadores de carga (el etrons) neste sistema e muito peculiar e distinta da maioria dos sistemas de mat eria condensada. A din amica dos portadores para longos comprimentos de onda (ou baixas energias) e descrita pela equa c ao de Dirac para part culas com massa nula em (2+1) dimens oes [54, 23, 51, 55]. Para ver isto considere a Hamiltoniana (1.4) com t = 0. Seja a transformada de Fourier dos operadores aniquila c ao dada por: 1 an = Nc eikRn a(k ) ,
k

(1.13)

onde Nc e o n umero de c elulas unit arias, Rn a posi c ao dos atomos da sub-rede A e o ndice n indica a posi c ao dos atomos na rede. Usando esta transforma c ao o operador an pode ser escrito como uma soma de dois termos, que surgem da expans ao da soma de Fourier em 18

torno dos pontos de Dirac K e K . Esta expans ao e feita em torno destes pontos, pois e nessa regi ao do espectro que se localizam os estados de mais baixa energia. Esta expans ao da s erie de Fourier produz uma representa c ao para o campo an como uma soma de dois novos campos da forma: an ei(K +q)Rn a1 n (q ) + ei(K +q
)R n

a2 n (q ) ,

(1.14)

onde os ndices 1 e 2 referem-se aos pontos de Dirac K e K respectivamente, e o momento q (q ) e medido em rela c ao aos pontos de Dirac K (K ). Uma expans ao similar vale para os operadores de aniquila c ao da sub-rede B: bn ei(K +q)Rn b1 n (q ) + ei(K +q
)R n

b2 n (q ) ,

(1.15)

Considera-se que os novos campos introduzidos acima ai n e bi n (i = 1 , 2) variam de maneira muito lenta sobre a c elula unit aria da rede do grafeno. Para se obter uma teoria efetiva v alida pr oxima aos pontos de Dirac deve-se utilizar as representa c oes (1.14) e (1.15) na Hamiltoniana (1.4), considerando t = 0 e expandir os operadores at e ordens lineares nas posi c oes dos atomos Rn . Isto quer dizer que para o atomo localizado no s tio n considera-se sua contribui c ao na espans ao de Fourier acima apenas devido aos tr es s tios vizinhos que se localizam nas posi c oes Rn + i , sendo os i dados por (gura 1.1): a 1 = (1 , 3) , 2 Usando o fato que

a 2 = (1 , 3) , 2

3 = a(1 , 0) .

(1.16)

eK =

eK = 0, a Hamiltoniana (1.4) ca na forma: (1.17)

H = i vF

(r ) 1 (r) ] . (r ) 1 (r ) + 2 dxdy [ 1

com as matrizes de Pauli dadas por = (x , y ), = (x , y ) e os espinores =

(ai , bi )T e i = (a e constitu da de duas i , bi ), i = 1 , 2. Observe que a Hamiltoniana (1.17)

c opias da Hamiltoniana de Dirac em (2+1) dimens oes com massa nula, uma descrevendo a din amica dos portadores pr oximo ao ponto K e a outra pr oxima ao ponto K . A equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes descreve a din amica de f ermions, sendo uma equa c ao de onda relativ stica que possui invari ancia relativ stica sendo t pica de altas energias como na f sica da part culas elementares [33, 32]. Aqui surge uma peculiariedade 19

do grafeno que diferentemente da maioria dos sistema de mat eria condensada sua din amica em baixas energias e descrita por uma equa c ao de onda relativ stica e n ao pela equa c ao de Schr odinger, como a maioria dos sistemas. No ap endice A s ao apresentadas algumas propriedades desta equa c ao, uma vez que ela n ao e muito familiar em FMC. Na Hamiltoniana efetiva (1.17) aparece a quantidade vF = 3at/2 que e a velocidade de Fermi. A velocidade de Fermi n ao e uma velocidade limite para os portadores e nem uma velocidade invariante, o termo an alogo aqui e usado devido ao fato de que, se a Hamiltoniana fosse realmente a Hamiltoniana relativ stica de Dirac em (2 + 1)D a velocidade nesta equa c ao (1.17) deveria ser a da luz, por isso e preciso tomar um pouco de cuidado quando se diz que os portadores de carga s ao descritos por uma equa c ao de onda relativ stica. Utilizando uma linguagem de fun c oes de onda que descrevem um u nico portador de carga, os portadores que se encontram pr oximos ao ponto de Dirac K s ao descritos pela equa c ao de Dirac [23, 56, 57, 58, 59]: i = E = i vF , t (1.18)

sendo HK = vF q, q = i e as autoenergias E = vF q . Em forma matricial t em-se: 0 x iy A = E A . (1.19) i vF B B x + iy 0 A fun c ao de onda plana para a Hamiltoniana (1.18) e dada por: i (q )/2 e 1 eiqr = u (q)eiqr , K = 2 ei(q )/2 o para a banda de val encia, descrevendo buracos. J a os portadores que se encontram pr oximo ao ponto de Dirac K s ao descritos pela equa c ao: i = E = i vF , t x + iy 0 20
A B

(1.20)

com (q ) = arctan(qy /qx ) e o sinal + e para a banda de condu c ao, descrevendo el etrons, e

(1.21)

i vF

0 x iy

= E

A B

(1.22)

 , e as auto-energias E = vF q . A fun c ao de onda para os sendo HK = vF q = HK

portadores com momento q pr oximo a K e: i (q )/2 e 1 eiq r = u (q )eiq r . K = 2 ei(q )/2

(1.23)

Note que se a fase das fun c oes de onda acima for rodada por 2 , o que equivale a fazer a mudan ca (q ) (q ) + 2 os espinores mudam de sinal indicando uma fase de Berry de

. Esta fase de Berry n ao est a associada ao spin verdadeiro dos portadores de carga no grafeno, mas sim ao seu pseudospin. Dessa descri c ao v e-se que o grafeno e um semicondutor sem gap de energia (ou um semimetal). No caso de amostras puras e neutras o n vel de Fermi, que separa os estados ocupados dos vazios, se localiza em E = 0, que e exatamente a energia onde a banda de condu c ao toca a banda de val encia, veja a gura 1.2. As quasepart culas no grafeno (portadores de carga) podem ser vistas como el etrons que perderam sua massa ou neutrinos de massa nula que adquiriram a carga do el etron. Este espectro faz do grafeno um material com propriedades u nicas, que dentre outras caracter sticas possui uma massa efetiva nula, fato este que s o ocorre em cristais bidimensionais arranjados em uma rede hexagonal. Na rede hexagonal do grafeno, as duas componentes do espinor | descrevem o que e chamado de pseudospin e n ao o spin verdadeiro das quasepart culas. O pseudospin e um ndice indicando a contribui c ao de cada sub-rede triangular A e B para a din amica eletr onica do comum considerar sistema, sendo o pseudospin similar ao spin (up e down) do el etron. E os graus de liberdade das sub-redes (pseudospin) com a sub-rede A sendo o spin-up, |+ e a sub-rede B sendo o down, | , isto e: 1 0 |+ = ; | = . 0 1

(1.24)

Uma quantidade relevante para se caracterizar autofun c oes de part culas com massa

nula, como os portadores de carga no grafeno e a helicidade ou quiralidade das part culas que e a proje c ao do spin ao longo do momento. Na aus encia de um termo de massa, o operador de helicidade comuta com a Hamiltoniana de Dirac, sendo portanto um bom n umero qu antico. No caso do grafeno isto e denido como a proje c ao do pseudo spin dos 21

portadores ao longo do momento [23, 57]. O operador que dene a helicidade e: = q . h |q | (1.25)

Quando atuando na fun c ao de onda (1.20) ele determina h K = K o que signica que el etrons possuem helicidade positiva e buracos helicidade negativa. Quando se considera portadores pr oximos ao ponto K com fun c ao de onda (1.23) a helicidade se inverte, com el etrons tendo helicidade negativa e buracos positiva. A interpreta c ao f sica deste operador e que o pseudo spin dos portadores de carga descritos por e sempre, paralelo, ou antiparalelo ao momento q dos portadores [57]. Note que a quiralidade n ao e uma sime um bom tria exata do problema, ou seja, n ao e conservada em qualquer situa c ao, sendo h n umero qu antico para se descrever os portadores apenas enquanto a descri c ao efetiva (1.18) e (1.21) for v alida. Por exemplo, em uma situa c ao onde o acoplamento entre segundos vizinhos na rede do grafeno for importante, a descri c ao efetiva apresentada anteriormente ter a corre c oes proporcionais a q 2 e o operador de helicidade n ao mais comutar a com a Hamiltoniana. Outra situa c ao em que isso ocorre e na presen ca de um gap de energia que [56]. produz um termo de massa na Hamiltoniana de Dirac que n ao comuta com h Embora o espectro linear seja importante ele n ao eau nica caracter stica essencial do grafeno, que determina a descri c ao dos portadores por meio da equa c ao de Dirac. Quando a energia dos portadores e positiva, (acima de zero) os estados transportando corrente no grafeno s ao usuais, part culas carregadas negativamente como el etrons. Se a banda de val encia n ao est a completamente cheia, seus estados eletr onicos desocupados que possuem energia negativa comportam-se como quasepart culas carregadas positivamente (buracos na linguagem de F sica do estado s olido, que s ao vistos como os equivalentes dos p ositrons em mat eria condensada). No grafeno, el etrons e buracos s ao conectados, exibindo propriedades de simetria an alogas ` aquelas de conjuga c ao de carga na QED, em contraste com materiais usuais onde el etrons e buracos s ao descritos por duas equa c oes de Schr odinger diferentes que n ao possuem conex oes e apresentam massas efetivas diferentes [34]. El etrons s ao part culas elementares que possuem massa diferente de zero. No caso de s olidos, como no grafeno, a intera c ao entre os ons constituintes do material leva as part culas portadoras de carga a possuirem uma massa efetiva nula, que e um par ametro que 22

descreve como um el etron (ou um buraco), com um determinado vetor de onda, responde a campos de for ca aplicados. Quando a massa efetiva e nula, como no grafeno, signica que a velocidade dos el etrons permanece constante. As propriedades de transporte tornam-se ent ao mais parecidas com aquelas de part culas fundamentais com massa nula, como o f oton e o gr aviton. Uma vez que vF c, o grafeno e um sistema relativ stico lento ou uma vers ao da eletrodin amica qu antica (QED) com um acoplamento forte pois a constante de acoplamento no grafeno e2 / vF 2 e muito maior que o an alogo da constante de estrutura na da QED e2 / c 1/137. Todas estas propriedades fazem do grafeno um sistema muito interessante que possibilita uma maneira para se testar v arios fen omenos da QED [34, 60], a baixas energias. Dentre estes fen omenos um extremamente dif cil de se vericar em QED e facilmente realiz avel no grafeno e o paradoxo de Klein [35, 36]. Outro efeito peculiar, tamb em chamado de an omalo que ocorre no grafeno e o efeito Hall. Ele pode ser observado no grafeno em temperatura ambiente e revela de maneira not avel a presen ca de portadores de carga com massa nula [34, 61, 62, 56, 63]. Na presen ca de um campo magn etico externo os n veis de energia para os portadores de carga no grafeno s ao dados por (veja o ap endice A): En =
2 2eB vF (n + 1/2 1/2) ,

n = 0, 1, 2, 3, ... .

(1.26)

O sinal est a relacioando a quiralidade dos portadores de carga. Estes s ao os n veis de Landau para os portadores de carga. Note que em condutores com espectro parab olico a equa c ao de Schr odinger leva a uma sequ encia de n veis de Landau dada por En = c (n + 1/2), sendo c a frequ encia de rota c ao do el etron no campo magn etico (frequ encia c clotron). A gura 1.4 mostra a sequ encia de n veis de Landau no grafeno e em condutores usuais, bem como a condutividade Hall e a resisitividade longitudinal medidas no grafeno. Uma peculiariedade importante dos n veis de Landau (1.26) para f ermions com massa nula no grafeno e a exist encia de estados com energia nula. A presen ca destes estados leva a um efeito Hall an omalo no grafeno com uma condutividade Hall que possui quantiza c ao semi-inteira. Os patamares na condutividade Hall s ao espa cados em intervalos de e2 /h, por em no grafeno existem quatro tipos de de f ermions que contribuem para a 23

Figura 1.4: Esquerda: N veis de Landau em condutores com espectro parab olico e no grafeno (centro).
A sequ encia padr ao da energia dos n veis de Landau em fun ca o da densidade de estados e En n + 1/2, enquanto no grafeno esta sequ encia e En n. Note que existe um n vel de Landau em E = 0 com metade ` direita a sequ dos estados ocupados por buracos e metade vazia. A encia de patamares na condutividade Hall (xy ) em fun ca o da concentra ca o de portadores observada no grafeno e os picos na resistividade longitudianl (xx ). (Fonte: refer encia [63].)

condu c ao (2 em cada ponto de Dirac) e a condutividade deve ser multiplicada por quatro. Como o n vel com energia nula possui metade dos seus estados ocupados a sequ encia de patamares no grafeno e desviada por 1/2 levando ` a quantiza c ao an omala: xy = 4 1 e2 n+ , h 2 n = 0,12, 3, ... . (1.27)

Estes resultados est ao de acordo com os resultados experimentais mostrados na gura 1.4. A descobera deste efeito Hall com quantiza c ao semi-inteira no grafeno foi a evid encia mais direta da presen ca de f ermions de Dirac [34, 61, 62, 56, 63]. O n vel de Landau com energia nula no grafeno tem propriedades topol ogicas que garantem a sua estabilidade. Isto pode ser obtido do teorema do ndice de Atiyah-Singer [64, 34, 6] e diz, por exemplo que o n umero de estados com E = 0 quando expressos em termos do uxo magn etico total e um invariante topol ogico do sitema. Isso garante por exemplo que este efeito n ao e destru do pela presen ca de campos de calibre que se originam devido a tens oes e deforma co es da folha de grafeno [60, 65]. Os estados que possuem E = 0 s ao sempre quirais, por raz oes topol ogicas, e isto signica que no grafeno somente portadores da sub-rede A ou B contribuem para estes 24

estados, dependendo do sinal do campo magn etico externo [34]. Considerando-se o spin real das part culas portadoras de carga, no grafeno existem quatro tipos de portadores de carga, dois associados ` a sub-rede A (com spin up e down) e dois associados ` a sub-rede B . Assim, uma descri c ao completa da din amica dos portadores no grafeno pr oximo a qualquer um dos pontos de Dirac necessitaria de um spinor com quatro componentes1 . A descri c ao baseada nas equa c oes (1.18) e (1.21) n ao leva em conta o efeito do spin verdadeiro das part culas, e na aus encia de campos magn eticos externos fortes e uma aproxima c ao muito boa pois, devido ao pequeno n umero at omico do carbono, a intera c ao spin- orbita nesse material e muito fraca e pode ser tratada como uma pequena pertuba c ao. Na pr oxima se c ao discutiremos mais sobre esta intera c ao e veremos que ela leva a novos estados qu anticos da mat eria que possuem estabilidade topol ogica. Uma descri c ao efetiva do grafeno que inclua em uma mesma Hamiltoniana a contribui c ao dos dois pontos de Dirac para a din amica dos portadores, necessita de um espinor com quatro componentes. Observe que as Hamiltonianas (1.18) e (1.21) podem ser escritas na forma: HK (K ) = vF ( x qx y qy ) , (1.28)

onde o sinal + () se aplica ao vale K (K ). Introduzindo o pseudo spin entre vales no grafeno descrito pelo operador a Hamiltonia (1.28) acima pode ser escrita em uma forma compacta como: H = vF (1 x qx + z y qy ) . (1.29)

O espinor agora possui 4 componentes que descreve a contribui c ao das duas sub-redes e dos dois vales para a din amica dos portadores. descreve o pseudo spin associado as sub-redes A e B e o pseudo spin associado aos dois vales K e K . Em forma matricial o
1

Posteriormente, veremos que uma grande diferen ca entre grafeno e os estados superciais de um isolante

topol ogico reside no fato de que existe apenas um tipo de portador na superf cie dos isolantes topol ogicos e que a intera ca o spin- orbita nos isolantes topol ogicos e muito forte sendo indispens avel na sua descri ca o, entretanto ambos os materiais possuem um espectro de energia linear para os estados superf ciais o que rende uma din amica efetiva de portadores semelhante nos dois casos. Mais diferen cas e semelhan cas entre estes dois materiais ser ao discutidas na pr oxima se ca o

25

problema de autovalor H = E se torna: 0 qx iqy 0 0 qx + iqy 0 0 0 vF 0 0 0 qx + iqy 0 0 qx iqy 0

Esta formula c ao e interessante pois a teoria ca invariante sob Paridade e Revers ao Temporal. Estas duas opera c oes de simetria no grafeno causam uma troca entre os pontos de Dirac K e K [23].

A B A B

A B = E A B

(1.30)

1.3

Intera c ao spin- orbita no grafeno

A intera c ao entre o momento de dipolo magn etico produzido pelo spin do el etron

com o campo magn etico interno produzido pelo atomo e chamada de intera c ao spin- orbita. Este nome e devido ao fato do campo magn etico interno de um atomo ser uma consequ encia do momento angular orbital do el etron, assim, o acoplamento e entre o spin do el etron com seu momento angular orbital. Para atomos com poucos el etrons esta intera c ao e relativamente fraca, mas em atomos com muitos el etrons (grande n umero at omico Z) o campo magn etico interno pode tornar-se grande e a intera c ao pode ser forte. Este acoplamento entre o spin e o movimento orbital dos el etrons e um efeito relativ stico que pode ser obtido da teoria de Dirac para o el etron [32]. Em compostos de carbono, como no grafeno, esta intera c ao deve ser fraca pois o carbono e um elemento leve [23]. A Hamiltoniana de intera c ao spin- orbita pode ser escrita como [7]: HSO = e ( E p) = S ((x) p) , 4m2 c 4m2 c2 (1.31)

sendo S o operador de spin dos portadores S = 2 e (x) e o potencial el etrico produzido pelo n ucleo na orbita dos portadores. Esta intera c ao muito conhecida em f sica at omica e molecular e uma consequ encia natural da teoria de Dirac do el etron, mas em f sica at omica e molecular ou estado s olido ela e geralmente introduzida como uma pertuba c ao. Quando o potencial produzido pelo n ucleo at omico e central a intera c ao spin- orbita pode ser escrita 26

como: HSO = 1 1 d S L, 2m2 c2 r dr (1.32)

em que L e o momento angular orbital do el etron. A intera c ao spin- orbita desvia os n veis de energia dos el etrons quebrando a degeneresc encia entre as componentes up e down do spin. As duas componentes do spin acoplam com sinais opostos ao movimento orbital, fato este que traz consequ encias muito interessantes em s olidos onde esta intera c ao e forte. A intera c ao spin- orbita no grafeno leva a uma fase da mat eria que possui uma classica c ao topol ogica distinta de um isolante de banda [66]. Esta intera c ao leva ao Efeito Hall Quantizado de Spin (EHQS) onde spin e carga s ao transportados em estados met alicos sem gap na borda do material como no efeito Hall por em, a corrente de borda aqui e spin polarizada com cada componente do spin propagando-se em um sentido. De fato esta an alise realizada em 2005 [66] foi o ponto de partida para a pesquisa por materiais com forte intera c ao spin- orbita que exibem um EHQS. Uma descri c ao efetiva dos portadores de carga no grafeno pr oximo aos pontos de Dirac leva a Hamiltonianas 2 2 onde as componentes do espinor descrevem a contribui c ao de cada sub-rede para a condu c ao. Para se considerar a contribui c ao das duas sub-redes e dos dois vales (pontos de Dirac) a descri c ao efetiva seria por meio de uma Hamiltoniana 4 4 sendo a fun c ao de onda spinores com quatro componentes. Duas componentes para o ponto K (sub-redes A e B) e duas para o ponto K (sub-redes A e B) (2.15). Assim, existem quatro tipos de portadores no grafeno. Quando se considera a intera c ao entre o spin e a orbita dos portadores cada um dos quatro tipos de portadores de carga sofre uma intera c ao da forma (1.32) e a descri c ao completa do grafeno e feita por meio de uma Hamiltoniana 8 8 [67]. A Hamiltoniana que descreve a intera c ao spin- orbita no grafeno e dada por [66]: HSO = SO z Sz , (1.33)

onde o sinal + () e para os portadores associados ao ponto de Dirac K (K ), SO ea intensidade da intera c ao spin orbita. Sz e a matriz de Pauli representando o spin f sico (n ao o pseudo spin) dos el etrons no grafeno Sz = 2 z . A intera c ao spin- orbita no grafeno tem como efeito acoplar estados eletr onicos de diferentes sub-redes (A e B) com a mesma componente de spin (up ou down) e pertencendo ao mesmo ponto de Dirac (K ou K ). Desse 27

modo, a Hamiltoniana 8 8 pode ser reduzida a quatro Hamiltonianas 2 2 indepedentes, uma para spin up no ponto K (K ) e outra para spin down no ponto K (K ). De fato isto e poss vel porque [HSO , Sz ] = 0 implicando que as componentes do spin s ao separadamente conservadas neste sistema. Por exemplo a Hamiltoniana para portadores com spin up no ponto K e dada por [67]:
HK = (i vF + SO z )K =

SO i
+

i SO

( K) A ( K) B

Nesta equa c ao as matrizes de Pauli est ao associadas ao pseudo spin dos portadores, isto e, portadores das sub-redes A e B, ambos com spin up e = x iy . Esta Hamiltoniana possui todas as simetrias da Hamiltoniana livre do grafeno (1.18), (1.21) e pode estar presente na sua descri c ao. A intera c ao (1.33) leva a um desvio de energia nos estados eletr onicos dependente do spin dos portadores e possui sinais opostos para portadores em diferentes sub-redes, como pode ser visto na Hamiltoniana (1.34). O efeito desta intera c ao e a abertura de um gap de energia entre as bandas de condu c ao e val encia, como uma massa efetiva positiva para os portadores da sub-rede A e negativa para os portadores da sub-rede B. Estados eletr onicos com spin up e momento eletr onico q medido em rela c ao ao ponto K possuem energia dada por E (q) = 2SO [66, 67]. Este gap de energia gerado pela intera c ao spin- orbita possui sinais opostos nos dois pontos de Dirac. Este fato confere a esta fase com gap uma propriedade topol ogica distinta de uma fase com gap gerado por potenciais devido a substratos, tens oes ou campos aplicados, pois estes teriam o mesmo sinal nos dois cones de Dirac. Para conectar adiabaticamente estas duas fases com gap deve-se passar por um ponto cr tico onde o gap gerado pela intera c ao spin- orbita anula-se em um dos dois pontos de Dirac. Como estas duas fases com gap n ao podem ser conectadas adiabaticamente sem passar por um estado sem gap elas pertencem a fases topol ogicas distintas da mat eria. Isto e semelhante ao que ocorre no EHQI onde para conectar a fase Hall com um dado n ao v acuo deve-se passar por uma regi ao sem gap na borda do material, caso contr ario as duas fases (v acuo e EHQI) 28 ( vF q )2 + 2 SO onde

(1.34)

+ () se refere a banda de condu c ao (val encia). Observe que existe um gap de energia de

pertenceriam a mesma classe topol ogica. A Hamiltoniana de intera c ao (1.33) preserva a simetria de revers ao temporal (invariante), mas se ela for separada em duas, uma para cada componente Sz do spin, cada uma delas, separadamante, viola a simetria de revers ao temporal [66, 68]. Haldane [68] mostrou que cada uma destas duas Hamiltonianas gera gaps de energia com sinais opostos nos dois pontos de Dirac, como aqui, e que em temperaturas bem abaixo da escala de energia do gap isto leva a uma condut ancia Hall quantizada com sinais opostos para cada ponto de Dirac: xy = e2 . h (1.35)

Como os sinais dos gaps gerados por (1.33) possuem sinais opostos para spins opostos, um campo el etrico externo paralelo a folha de grafeno induz correntes el etricas tranversas opostas que se propagam em sentidos opostos, para spin up e down. Isto leva a uma corrente de spins caracterizada por uma condutividade Hall de spin dada por [66]:
s s Jx = xy Ey =

2e

( Jx Jx ),

s xy =

e . 2

(1.36)

A origem por tr az desta corrente spin-polarizada e a intera c ao spin- orbita que permite um mecanismo para se produzir um efeito Hall quantizado de spin e sem a presen ca de um campo magn etico externo. Esta fase da mat eria cou conhecida como Efeito Hall Quantizado de Spin (EHQS) e s ao novos estados topol ogicos da mat eria. A condutividade Hall para a corrente de carga nesse sistema e zero. No pr oximo cap tulo estes estados da mat eria ser ao discutidos e sua generaliza c ao para tr es dimens oes. No grafeno pode existir outro tipo de intera c ao spin- orbita, por exemplo, quando a simetria de invers ao e violada por meio da intera c ao com um substrato. Esta intera c ao e conhecida como Rashba e n ao traz modica c oes signicantes nas discuss oes acima, pois ela e muito mais fraca que a intera c ao (1.33) [66]. Como ocorre no EHQI onde a ordem topol ogica do bulk imp oe a presen ca de estados met alicos na borda, isto tamb em ocorre aqui no grafeno com a corrente de spin (1.36) [66]. S ao estes estados met alicos que ocorrem no contorno do material que distinguem ele de um isolante convencional que n ao possui estes estados. A gura 1.5 mostra as bandas de energia para uma ta de grafeno unidimensional onde a intera c ao spin- orbita e considerada. Estes 29

estados de borba n ao s ao quirais como ocorre no EHQI mas s ao spin polarizados com cada componente do spin propagando em uma dire c ao. Este estados conectam os diferentes pontos de Dirac e se cruzam no centro da zona de Brillouin. Eles s ao protegidos pela simetria de revers ao temporal no senso que formam um par de Kramers em kx = /a, cuja degeneresc encia n ao pode ser quebrada por pertuba c oes que n ao quebram a simetria T e espalhamento el astico contr ario ` a propaga c ao n ao pode ocorrer [66].

Figura 1.5: Bandas de energia de uma ta de grafeno unidimensional. Note a presen ca do gap de energia
nos cones de Dirac e a presen ca de dois estados sem gap que se cruzam no centro da zona de Brillouin em kx = /a. Estes s ao os estados met alicos da borda respons aveis pela corrente spin-polarizada. t eo par ametro que caracteriza a intensidade da intera ca o entre vizinhos na rede do grafeno e a intensidade relativa entre a intera ca o spin- orbita e a intera ca o entre vizinhos e da ordem de 0.03. (Fonte: refer encia [66].)

Apesar de produzir estes efeitos no grafeno a intera c ao spin- orbita (1.33) em compostos de grate e muito fraca, sendo estimada a 2SO 2.4 K. J a a intera c ao do tipo Rashba e ainda mais fraca 0.5 mK [66]. Dessa forma a observa c ao destes efeitos no grafeno se torna muito dif cil, por em foi este o ponto de partida para uma busca por materiais

30

que exibem este efeito mais pronunciadamente e tamb em a busca por generaliza c oes do EHQS em 3 dimens oes [5, 13, 14, 15, 12]. No pr oximo cap tulo este assunto ser a discutido detalhadamente. Existem muitos outros aspectos interessantes e importantes na f sica do grafeno que provavelmente tornaram este material excepcional em suas aplica c oes em eletr onica. Bicamadas de grafeno t em sido muito estudadas e possuem um espectro parab olico com part culas quirais e muito recentemente [69] foi reportado na literatura um estudo de tricamadas de grafeno, que possuem propriedades semelhantes a monocamadas ou bicamadas, dependendo da forma em que s ao empilhadas, mostrando que este material ainda possui muitas propriedades para revelar. Interessados em mais detalhes sobre as propriedades do grafeno devem consultar os bons artigos de revis ao [23, 56, 57, 58, 59, 21, 34].

31

Cap tulo 2 Isolantes Topol ogicos: uma breve introdu c ao

Isolantes topol ogicos s ao materiais isolantes no interior (bulk) e que possuem estados met alicos condutores na superf cie protegidos pela simetria de Revers ao Temporal [9]. Este novo estado da mat eria foi primeiramente predito para ocorrer em po cos qu anticos de materiais bidimensionais onde cou conhecido como Isolante Spin Hall Qu antico (ISHQ) [70, 71, 72]. Posteriormente os isolantes topol ogicos tridimensionais foram preditos teoricamente, como uma generaliza c ao do ISHQ e foram ent ao detectados experimentalmente [13]. Neste cap tulo ser a feita uma discuss ao deste novo estado da mat eria, que como o EHQ possui ordem topol ogica. Para tornar o texto mais did atico discuti-se primeiro alguns aspectos de isolantes e do EHQ. Depois considera-se os IT em 2 e 3 dimens oes e por m algumas propriedades eletromagn eticas dos IT.

2.1

Isolantes
O estado isolante e o estado mais b asico da mat eria. Os isolantes mais simples s ao

os isolantes at omicos onde todos os el etrons est ao ligados a seus atomos em camadas fechadas. Tais materiais s ao eletricamente inertes, pois e necess ario uma quantidade de energia relativamente elevada para fazer um el etron se deslocar. A mec anica qu antica explica este e outros estados da mat eria por meio da teoria de bandas de s olidos, que descreve a estru32

tura eletr onica dos materiais [53]. Esta teoria explora a simetria translacional do cristal para classicar os estados eletr onicos em termos do seu momento cristalino k denido em uma zona de Brillouin peri odica. A estrutura de bandas de um s olido e obtida da equa c ao de Schr odinger com um potencial U (r ) que possui a simetria da rede cristalina devido a invari ancia translacional:
2

2m

2 + U (r ) k (r) = Ek (r) .

(2.1)

Esta Hamiltoniana e chamada de Hamiltoniana de Bloch e os seus autoestados k (r ) denidos em uma u nica c elula unit aria do cristal s ao chamados de autoestados de Bloch. O teorema de Bloch estabelece que os autoestados de (2.1) s ao ondas planas multiplicadas por uma fun c ao un , k (r) que possui a periodicidade da rede cristalina: k (r) = eikr un , k (r ) . (2.2)

Os autovalores En (k ) da Hamiltoniana do cristal H (k ) denem as bandas de energia, que juntas formam a estrutura de bandas do cristal, sendo n um ndice que caracteriza a banda de energia. Cada estado eletr onico caracterizado por n e k pode ser ocupado por dois el etrons com diferentes orienta c oes de spin (up e down). Quando uma determinada quantidade destes n veis est a ocupada duas situa c oes distintas podem ocorrer. Na primeira delas uma certa quantidade de bandas podem ter todos os seus estados eletr onicos ocupados e as demais bandas completamente desocupadas. A diferen ca em energia entre o n vel ocupado mais alto e o mais baixo desococupado, isto e, a diferen ca em energia entre o topo da u ltima banda ocupada, chamada de banda de val encia e a base da primeira banda desocupada, chamada de banda de condu c ao e chamado de gap da banda. Neste caso quando a estrutura de bandas do s olido apresenta um gap ele e chamado de isolante (se a energia do gap for muito maior que kB T ) ou um semicondutor (se a energia do gap for compar avel a kB T ). A gura (2.1) mostra um esquema da estrutura de bandas para um isolante. Na segunda situa c ao um certo n umero de bandas pode estar parcialmente cheio. Quando isto ocorre a energia do mais alto estado ocupado coincide com a energia de Fermi e para cada banda parcialmente ocupada existe uma superf cie no espa co dos momentos eletr onicos k , que separa os estados ocupados dos vazios. O conjunto de todas 33

Figura 2.1: Esquema da estrutura de bandas de um isolante. O isolante e caracterizado por um gap
de energia separando os estados eletr onicos ocupados e vazios. Todos os el etrons s ao ligados a seus ons sendo o s olido inerte ao uxo de corrente. (Fonte: refer encia [10].)

estas superf cies constitui a superf cie de Fermi do s olido. Quando ocorre a aus encia de um gap entre os estados ocupados e vazios o s olido e dito ser um metal. esta situa c ao Alguns isolantes exibem um gap grande e outros um gap pequeno. Pode-se imaginar, ent ao, um processo que deforme a Hamiltoniana de um no outro sem fechar o gap de energia. Este processo dene uma classe de equival encia topol ogica entre diferentes estados isolantes da mat eria e, tais isolantes s ao todos equivalentes ao v acuo (que, de acordo com a teoria qu antica relativ stica de Dirac, tamb em possui um gap de energia para a cria c ao de um par el etron-p ositron [32]). Dentro deste ponto de vista (gap de energia) todos os isolantes s ao equivalentes. Por em, nem todos os estados com gap de energia s ao equivalentes ao v acuo. Os contra exemplos desta situa c ao s ao novos estados da mat eria que possuem propriedades fascinantes e que tem atra do muita aten c ao nos u ltimos anos. O mais simples destes estados e o efeito Hall quantizado.

2.2

O efeito Hall quantizado

O Efeito Hall Qu antizado Inteiro (EHQI) foi descoberto em 1980 [73, 4] e foi o

primeiro estado da mat eria a ter um gap de energia no interior, como um isolante de bandas,

34

mas que n ao e topologicamente equivalente ao v acuo, exibindo propriedades de transporte n ao-triviais [4]. Em particular a condut ancia transversal xy e quantizada em (com precis ao de uma parte por bilh ao) m ultiplos inteiros de e2 /h [4], apesar do gap de energia no bulk. A diferen ca entre um isolante de banda usual e o EHQ e uma propriedade topol ogica do manifold dos estados eletr onicos ocupados. A fun c ao de onda n,k (k ) que descreve os portadores de carga faz um mapeamento da zona de Brillouin, que em duas dimens oes possui a topologia de um toro (T 2 ), devido a periodicidade do momento eletr onico k , no espa co de Hilbert. Devido ao fato da topologia da zona de Brillouin n ao ser trivial e que surge a diferen ca entre um isolante como o v acuo (cuja topologia da zona de Brillouin e trivial) e o EHQI [4, 74, 75]. No efeito Hall a quantiza c ao das orbitas circulares dos el etrons devido ao campo magn etico externo leva aos n veis de Landau, que possuem energia Em = (m + 1/2) C , sendo C a frequ encia c clotron do movimento dos el etrons e m e inteiro. Os n veis de Landau podem ser vistos como bandas de energia para os el etrons e, se N n veis de Landau s ao preenchidos e o restante desocupados, um gap de energia separa os estados ocupados dos vazios, como em um isolante. Por em, nas bordas do material os el etrons possuem um movimento diferente daqueles do interior, porque as orbitas encontram a borda do material e n ao se fecham, pulando para outra orbita, veja o esquema na gura 2.2. Estes saltos na borda levam a estados eletr onicos que propagam pela borda do sistema em apenas uma dire c ao, sendo quirais e n ao possuem energia quantizada. Dado que estes estados n ao possuem gap de energia, s ao met alicos e quirais, eles podem conduzir corrente el etrica sem serem espalhados por impurezas, pois n ao h a estados propagando em sentido contr ario. Au nica op c ao para os el etrons e propagar no mesmo sentido e sem perda de energia na forma de calor, pois n ao podem ser espalhados. Todos estes fatos s ao respons aveis pela quantiza c ao da condutividade Hall: xy = N e2 , h N = 0, 1, 2, 3, . . . . (2.3)

Esta quantiza c ao foi medida com uma precis ao de uma parte em 109 e e uma manifesta c ao da natureza topol ogica de xy (um invariante topol ogico do sistema). Para discutir a diferen ca entre um isolante ordin ario e o EHQ, caracterizado pela 35

Figura 2.2: Esquema de estrutura de bandas do EHQ. Esquerda: o movimento circular dos el etrons, o
qual e interrompido na borda, onde os portadores conduzem sem dissipa ca o em um u nico sentido. Direita: esquema das bandas de energia mostrando o gap existente entre a u ltima banda completamente cheia e a pr oxima que est a completamente vazia e os estados de borda que ligam a banda de val encia a banda de condu ca o. (Fonte: refer encia [10].)

equa c ao (2.3), vamos falar um pouco mais sobre os estados de Bloch. Considere uma fun c ao de onda de Bloch, que pode ser escrita na forma (2.2). Um conceito de fundamental import ancia em mec anica qu antica e a chamada fase de Berry [76]. Considere um sistema qu antico que encontra-se no estado fundamental (considere-o n ao-degenerado), ent ao o teorema adiab atico estabelece que se a Hamiltoniana que descreve o sistema muda lentamente, o sistema permanece no seu estado fundamental tempo-dependente. Por em, Berry [76] mostrou que o estado do sistema pode adquirir uma fase adicional, chamada de fase geom etrica ou de Berry, al em da fase din amica do sistema. Ele mostrou que quando a Hamiltoniana do sistema muda adiabaticamente em um caminho fechado no espa co dos par ametros o estado do sistema adquire uma fase em rela c ao ao estado inicial dada por: = A dk , A = k | ik |k , (2.4)

que pode ser escrita como uma integral de superf cie da chamada curvatura de Berry F : F = A. (2.5)

Associada a ` curvatura de Berry existe uma quantidade invariante em um s olido, que pode ser escrita como: n=
bandas ocupadas

d2 k F =

d2 k
bandas ocupadas

u u k1 k2

u u k2 k1

(2.6)

36

sendo n um inteiro quantizado e u as fun c oes de Bloch (2.2). A u nica restri c ao para que n seja quantizado e que haja um gap de energia separando as bandas ocupadas das vazias. Isto foi demonstrado pela primeira vez em 1982 por Thouless, Kohmoto, Nightingale e Den Nijs [4, 74] e e conhecido como invariante TKNN pois eles mostraram que a condutividade Hall, xy , computada por meio da f ormula de Kubo para a condut ancia leva a mesma forma acima desde que N na equa c ao (2.3) seja idencado com n ou seja: xy e2 =n . h (2.7)

A quantidade n denida pela equa c ao (2.6) e um invariante topol ogico, uma vez que ele permanece invariante quando a Hamiltoniana varia suavemente, por exemplo, se algum par ametro da Hamiltoniana muda, de forma a aumentar ou diminuir o gap ou mesmo se pequenas pertuba c oes s ao introduzidas no sistema. n e tamb em chamado de n umero de Chern ou invariante de Chern, sendo este nome cunhado pelos matem aticos na teoria de brados, uma area da topologia alg ebrica que possui muitas aplica c oes nas teorias de calibre das part culas elementares e que vem constantemente sendo aplicada a ` f sica da mat eria condensada [4, 6]. Para entender um pouco melhor a id eia de invariante topol ogico considere o exemplo de uma superf cie bidimensional. Para qualquer superf cie 2D pode-se denir a sua curvatura gaussiana , que pode ser positiva, zero ou negativa. Para superf cies fechadas, como a esfera, o toro ou o cubo, a integral da curvatura gaussiana sobre toda a superf cie do s olido e um invariante topol ogico: dS = 2 (2 g ) , (2.8)

onde g e o genus da superf cie, que vale zero para a esfera e o cubo, um para o toro e coincide com o n umero de buracos da superf cie, em qualquer situa c ao. O genus e invariante sob deforma c oes suaves da superf cie, sendo que suave aqui quer dizer qualquer deforma c ao que n ao rasgue a superf cie [6]. Os estados met alicos da borda do material surgem de uma correspond encia entre o bulk e o contorno do material, sendo a topologia n ao trivial do bulk o que for ca a exist encia dos estado met alicos no contorno do material. Considere a interface entre um sistema que 37

est a no EHQI com, por exemplo n = 1 e o v acuo que possui n = 0. Para que o invariante topol ogico n mude e preciso que o sistema deixe de ser isolante e passe por uma regi ao com estados met alicos sem gap de energia, caso contr ario n dado pela equa c ao (2.6) n ao poderia mudar, assim, esse invariante garante a exist encia de estados met alicos superciais, pois n muda nessa regi ao. A rec proca tamb em e correta, ou seja, em regi oes onde existem estados met alicos o invariante topol ogico sempre deve mudar. A gura 2.3 abaixo mostra um esquema dessa situa c ao.

Figura 2.3: Esquerda: estados de borda sem gap na interface entre duas fases topologicamente distintas,
o efeito Hall com n = 1 e o v acuo que possui n = 0. Direita: esquema das bandas de energia do sistema mostrando o gap dos estados do bulk e os estados met alicos sem gap. (Fonte: refer encia [13].)

V arios outros aspectos do efeito Hall inteiro e tamb em fracion ario podem ser encontrados na literatura. Algumas refer encias did aticas sobre esse assunto s ao [4, 77, 78], outros aspectos mais formais como uma descri c ao em termos de teorias de campo topol ogicas e ordens topol ogicas podem ser encontradas em [79, 80, 81].

2.3

Isolante spin Hall quantizado

O EHQ discutido na se c ao anterior foi o primeiro exemplo de estado topol ogico da

mat eria. Em 2004, um novo estado da mat eria, que como o efeito Hall tamb em exibe 38

ordem topol ogica foi descoberto e denominado Estado Hall Qu antico de Spin (EHQS) ou simplesmente Isolantes Topol ogicos bidimensionais. Este novo estado da mat eria foi primeiramente predito para ocorrer em po cos qu anticos de materiais bidimensionais [70, 71, 72]. Posteriormente, em 2006 e 2007 ele foi obervado experimentalmente em po cos qu anticos de HgT e/CdT e [82]. Todos os estados isolantes encontrados na natureza, que preservam a simetria de Revers ao Temporal T e possuem um estado fundamental n ao degenerado podem ser classicados em duas fases topologicamente distintas. O estado da mat eria ISHQ possui uma classica c ao topol ogica que distingue-o de um isolante de bandas ordin ario. Esta fase e associada a um invariante topol ogico que possui uma classica c ao Z2 1 . Esta classica c ao Z2 denida para materiais que possuem sua din amica descrita por Hamiltonianas que s ao invariantes sob Revers ao Temporal e an aloga ` a classica c ao topol ogica do EHQI [83]. No EHQI a condutividade Hall viola a simetria de Revers ao Temporal, assim o invariante TKNN que caracteriza o estado Hall do sistema deve anular-se em sistemas que s ao invariantes sob T . Contudo, no cap tulo anterior vimos que a intera c ao spin- orbita no grafeno leva a um efeito Hall de spin que e invariante sob T , possue um gap de energia no bulk e estados met alicos na borda, que s ao spin polarizados [66]. Assim, vimos que a intera c ao spin- orbita possibilita a exist encia de fases topologicamente n ao triviais que preservam a Revers ao Temporal [66]. Para entender melhor este novo estado topol ogico considere a simetria de Revers ao Temporal para sistemas com part culas de spin 1/2. A simetria T e representada por um operador antiunit ario [7, 8] dado por: = eiSy / K , (2.9)

onde Sy e o operador de spin e K um operador que toma conjuga c ao complexa. Para el etrons que possuem spin 1/2, possui a propriedade 2 = 1. Isto leva a uma importante restri c ao no sistema conhecido como Teorema de Krammers [7, 8]. Todos autoestados de uma Hamiltoniana T invariante s ao ao menos duplamente degenerados. Isto acontece porque se existisse um autoestado | n ao degenerado deveria-se ter | = c| , para
1

Z2 e o grupo c clico de dois elementos 0 (par) e 1 ( mpar), o que siginica que esta classica ca o possui

duas fases distintas, uma topologicamente trivial (0) e outra n ao trivial (1).

39

alguma constante c. Isto signica que 2 | = |c|2| , o que n ao e poss vel pois |c|2 = 1. Assim os autoestados de uma Hamiltoniana T invariante devem ser ao menos duplamente degenerados com | e | linearmente indepedentes e com a mesma autoenergia. Na aus encia da intera c ao spin- orbita a degeneresc encia de Krammers e simplesmente a degeneresc encia entre as componentes up e down do spin [8], contudo quando h a intera c ao spin- orbita ela leva a consequ encias n ao triviais. Por exemplo, na estrutura de bandas em um sistema fermi onico que e invariante sob Revers ao Temporal os autoestados sempre existem aos pares com degeneresc encia dupla em alguns pontos da zona de Brillouin [83] Uma Hamiltoniana de Bloch, invariante sob Revers ao Temporal, deve satisfazer H (k)1 = H (k ) . (2.10)

Pode-se classicar topologicamente todas as Hamiltonianas de Bloch que possuem esta simetria e um gap de energia em uma mesma classe topol ogica, que permite deforma c oes sem que esse se feche. Para esta classe de Hamiltonianas o invariante TKNN e zero, pois a condutividade Hall viola T , contudo h a outro invariante topol ogico que pode assumir dois poss veis valores = 0 ou 1 [84]. A exist encia de duas classes topol ogicas pode ser entendida por meio da correspond encia entre o interior e o contorno do material. Na gura 2.4 e mostrado um esquema da estrutura de bandas da borda de um isolante de bandas bidimensional invariante sob T . Apenas metade da zona de Brillouin e mostrada (0 < kx < /a), pois a invari ancia temporal imp oe que a outra metade (/a < kx < 0) seja o reexo desta metade. Note o gap de energia entre a banda de condu c ao e de val encia no bulk do isolante. Nas bordas do material existem duas possibilidades, dependendo dos detalhes da Hamiltoniana podem existir estados com energia no interior do gap do bulk. Quando existem estados na borda com energia no interior do gap eles s ao duplamente degenerados nos momentos que s ao invariantes sob T , kx = 0 e /a. Estes s ao valores do momento eletr onico que satisfazem a condi c ao (2.10) pois devido a intera c ao spin- orbita apenas alguns valores discretos de k satisfazem esta condi c ao. Estes pontos s ao designados por a e b na gura 2.4 e longe destes pontos a intera c ao-spin o rbita quebra a degeneresc encia de Krammers dos estados eletr onicos [13, 8]. Os estados em kx = 0 e kx = /a podem se conectar de duas maneiras distintas. Eles 40

Figura 2.4: Dispers ao eletr onica entre dois pontos na borda do Isolante Topol ogico que possuem degeneresc encia de Krammers. Em (a) o n umero de estados da superf cie cruzando a EF entre os pontos a = 0 e b = /a e par e em (b) mpar. Quando um n umero mpar de estados cruza a energia de Fermi existem estados met alicos topologicamente protegidos no contorno do material. (Fonte: refer encia [13].)

podem se conectar com um n umero par de estados entre eles, como mostrado na esquerda da gura 2.4. Neste caso estes estados podem ser eliminados por pertuba c oes colocando-os fora do gap de energia. Isto ocorre quando a banda de energia cruza a superf cie de Fermi um n umero par de vezes entre os estados kx = 0 e /a. Por outro lado, se a banda de energia cruza a superf cie de Fermi um n umero mpar de vezes, como mostrado na direita da gura 2.4, estes estados de borda n ao podem ser eliminados por pertuba c oes [13]. Qual das alternativas acima ocorre depende da correspond encia entre o bulk e o contorno do material. Cada banda cruzando a energia de Fermi em kx possui seu parceiro degenerado de Krammers em kx , a correspond encia bulk-contorno relaciona o n umero de parceiros de Krammers que cruza a EF da borda do material NK , com a mudan ca do invariante Z2 atrav es da interface [13]: NK = mod 2 . (2.11)

Se o isolante possui NK par ( = 0), se encontra em uma fase topologicamente trivial e se NK for mpar ( = 1), est a no EHQS, que e um estado topologicamte n ao trivial e possui estados de borda topologicamente protegidos como aqueles do EHQI. 41

Em isolantes a reorganiza c ao de atomos na superf cie, ou a modica c ao de liga c oes qu micas pode introduzir estados superciais que possuem sua energia no gap da banda, mas s ao restritos a se moverem em torno da superf cie bidimensional. Estes estados geralmente s ao fr ageis e sua exist encia depende dos detalhes da geometria e da qu mica da superf cie [5]. Em contraste a isto em um IT os estados de superf cie s ao protegidos, isto e, sua exist encia n ao depende em como a superf cie do material e organizada, n ao depende da sua geometria e a explica c ao para isto e matem atica e se baseia no fato que a Hamiltoniana descrevendo os estados da superf cie e invariante sob pequenas pertuba c oes [5]. Existem v arias formula c oes matem aticas do invariante topol ogico [84, 83, 16, 85, 86]. Uma interessante [84], que pode ser generalizada para tr es dimens oes e que t em sido u til para identicar IT a partir da estrutura de bandas e baseado na matriz wmn (k ) = da a partir das fun c oes de Bloch dos estados ocupados |um (k ) . um (k )||un(k ) constru Desde que e antiunit ario e 2 = 1 t em-se w T (k ) = w (k ). Em um isolante existem quatro pontos especiais a na zona de Brillouin do bulk onde k e k coincidem e nesse caso w (a) e antissim etrica. O determinante de uma matriz antissim etrica e o quadrado de seu Pfaan, que permite denir a quantidade: a = Pf[w (a )] Det[w (a)] = 1 . (2.12)

O Z2 invariante e ent ao denido como:

4

(1) =

a .
a=1

(2.13)

Esta express ao pode ser generalizada para IT tridimensionais onde existem oito pontos especiais na zona de Brillouin. Quando o cristal possui alguma simetria extra, o c alculo de se torna mais simples, por exemplo, quando a componente Sz do spin e conservada [H , Sz ] = 0, o c alculo se torna mais simples, pois existe um EHQS para cada componente do spin [66]. Quando o cristal possui al em de Revers ao Temporal, simetria de Invers ao Espacial, nos pontos especiais a os autoestados de Bloch |um(a ) s ao tamb em autoestados da Paridade (P ) com autovalores m (a ) = 1. O invariante Z2 e obtido de (2.13) com: a =
m

m (a ) , 42

(2.14)

sendo o produto feito sobre todos os pares de Krammers das bandas ocupadas. O EHQS pode ser visualizado como duas c opias do EHQI, onde estados com spin opostos contra-propagam na borda do material. Como no EHQI em regi oes onde o invariante muda, como na interface entre o EHQS e o v acuo existem estados met alicos condutores (gura 2.5). Tais estados, chamados de helicais [87], em analogia com a

` esquerda interface entre um EHQS que possui = 1 e o Figura 2.5: Estados de borba no EHQS. A v acuo, = 0. Existem estados de borda met alicos que s ao spin polarizados, isto e, particulas com diferentes componentes up e down do spin propagam em sentidos opostos sendo os dois canais de propaga ca o ` direita um esquema da estrutura de bandas onde o gap conectados pela simetria de Revers ao Temporal. A do bulk do material e os estados met alicos da borda spin polarizados s ao mostrados. (Fonte: refer encia [13].)

correla c ao entre spin e momento de part culas com massa nula chamada de helicidade [2], e formam um condutor unidimensional que e essencialmente metade de um condutor ordin ario. Condutores ordin arios possuem el etrons com spin up e down propagando em ambas as dire c oes e s ao fr ageis, pois os estados s ao suscept veis a localiza c ao de Anderson mesmo na presen ca de desordem fraca. Em contraste a isto no EHQS os estados de borda n ao podem ser localizados nem na presen ca de desordem forte devido a ` simetria de Revers ao Temporal do sistema (desde que a impureza seja n ao magn etica) [84, 13]. Para entender isto considere uma impureza n ao magn etica na borda do EHQS. Esta 43

impureza pode causar espalhamento dos portadores em sentido contr ario a ` propaga c ao inicial, contudo, considere um portador com spin up. Para ser espalhado em sentido oposto a sua propaga c ao ele pode contornar a impureza de duas formas distintas e como apenas spin down pode propagar no sentido oposto, seu spin tem que rodar adiabaticamente de ou em cada um dos casos, como mostrado na gura 2.6. Consequentemente, os dois caminhos para o espalhamento diferem por uma rota c ao do spin dos el etrons de ( ) = 2 . A fun c ao de onda de f ermions com spin 1/2 como el etrons ganha um sinal negativo sempre que o spin e rodado por 2 [7, 8] o que leva a uma completa interfer encia destrutiva entre os dois caminhos espalhados. Se a impureza possui um momento magn etico, T e violada e as duas ondas reetidas n ao interferem destrutivamente. Neste sentido a robusteza dos estados de borda e protegida pela simetria de Revers ao Temporal [9, 14].

Figura 2.6: Espalhamento dos portadores na borda do EHQS. O espalhamento pode ocorrer de duas
formas distintas fazendo o spin dos portadores girar no sentido hor ario de ou no sentido antihor ario de . Os dois caminhos diferem por uma rota ca o do spin dos el etrons de 2 e interferem destrutivamente. (Fonte: refer encia [9].)

A primeira proposta te orica de IT bidimensional foi lmes ultranos de Bismuto [88], devido ao forte acoplamento spin- orbita neste material. Posteriormente foi proposto

44

que po cos qu anticos de HgT e comprimidos entre CdT e deveria ser um IT desde que a camada de HgT e fosse superior a um valor cr tico de dc 6.5nm [70]. Esta u ltima proposta te orica foi vericada experimentalmente e constitui o primeiro exemplo de IT bidimensional [82, 12]. A ess encia do EHQS em materiais reais pode ser obtida de modelos explicitos que s ao particularmente simples para se resolver [12, 14, 89]. O IT bidimensional HgT e/CdT e pode ser descrito por uma Hamiltoniana efetiva que e essencialmente uma expans ao em s erie de Taylor no vetor de onda k das intera c oes entre a banda de condu c ao com menor energia e a banda de val encia com maior energia. Explicitamente este modelo e dado por [12, 14, 89]:
M (k) A(kx + iky ) M (k) 0 0 0 0 M (k) A(kx + iky ) 0 0

2 2 2 2 sendo (k ) = C + D (kx + ky ) e M (k ) = M B (k x + ky ) e os par ametros A , B , C , D e M

A(kx iky ) H (k) = (k )144 + 0

0

, (2.15) A(kx iky )

M (k)

dependem da geometria do po co qu antico. O zero da energia neste modelo e localizado na borda da banda de val encia em k = 0. Este modelo e conhecido como modelo BHZ (Bernevig, Hughes e Zhang). O espectro de energia do bulk e dado por: E = (k )
2 + k 2 ) + M 2 (k ) . A2 (kx y

(2.16)

O gap entre as bandas e dado por 2M e o sinal + (-) est a associado com a banda de condu c ao (val encia). Para M/B < 0 os autoestados deste modelo descrevem um isolante trivial, (B e tipicamente negativo) e mudando a geometria do po co M torna-se negativo e as solu c oes do modelo BHZ descrevem um EHQS com estados de borda met alicos e um bulk isolante [9, 12, 14]. Um modelo efetivo para os estados de borda pode ser obtido do modelo BHZ projetando-se a Hamiltoniana efetiva do bulk (2.15) nos estados de borda e que s ao spin polarizados. Considerando a interface entre o EHQS e o v acuo como sendo o eixo y (IT localizado na regi ao x > 0) a Hamiltoniana efetiva que descreve os estados de borda 45

helicais e: Hborda = Aky z . (2.17)

Para po cos qu anticos de HgT e A 3.6 eV A [12] e a velocidade de Dirac dos estados de borda e dada por v = A/ 5.5 105 m/s. Outros aspectos dos IT bidimensionais podem ser encontrados nos excelentes artigos de revis ao [13, 12, 14].

2.4

Isolantes Topol ogicos em 3D

O estado da mat eria topologicamente n ao-trivial discutido na se c ao anterior pode

ser generalizado para 3 dimens oes [90]. Os IT tridimensionais foram preditos teoricamente para ocorrer em v arios materiais reais. O primeiro deles foi a liga Bi1x Sbx , predita para ser um IT para 0.07 < x < 0.22 [91]. Posteriormente um grupo da universidade de Princeton, liderado por Zahid Hasan fez a verica c ao experimental de que esta liga e de fato um IT utilizando uma t ecnica chamada de ARPES (angle resolved photoemission spectroscopy) [92, 93]. A segunda gera c ao de IT 3D foi predita teoricamente na refer encia [94], onde utilizando-se c alculos ab initio os compostos Bi2 Se3 , Bi2 T e3 e Sb2 T e3 foram preditos para serem IT. Esta segunda gera c ao possui uma estrutura topol ogica mais simples que a liga Bi1x Sbx e exibe suas propriedades topol ogicas mesmo em temperatura ambiente, no caso do Bi2 Se3 [13, 14]. Ela e composta de compostos estequiom etricos que possibilitam um grande desenvolvimento experimental, pois um composto estequiom etrico, diferentemente de uma liga, permite a obten c ao de amostras com alto grau de pureza. Observe que todos estes compostos que exibem uma estrutura topol ogica n ao-trivial possuem em sua composi c ao elementos qu micos pesados que exibem um forte acoplamento spin- orbita. A observa c ao experimental da segunda gera c ao do IT foi feita em 2009 [95, 13]. Estes materiais exibiram a potencialidade de apresentar seu comportamento topol ogico mesmo em temperatura ambiente, pois possuem um gap de energia no bulk grande. Por exemplo, o Bi2 Se3 possui um gap de 0.3eV (3600K ) o que potencializa este material para futuras aplica c oes [13]. Esta nova gera c ao possui uma estrutura de estados superciais com apenas um cone de Dirac mais simples que aquela do Bi1x Sbx que apresenta cinco [13]. 46

Os IT bidimensionais e tridimensionais preservam a simetria de Revers ao Temporal e consequentemente o invariante TKNN para estes materiais e zero. No caso dos bidimensionais vimos que existe um invariante que pode assumir dois valores que distingue os isolantes triviais dos IT. No caso dos IT tridimensionais existe um conjunto de quatro invariantes topol ogicos Z2 que podem ser utilizados para classicar o material (0 ; 1 , 2 , 3 ) [90, 83, 96]. Estes invariantes topol ogicos s ao calculados a partir das propriedades topol ogicas da estrutura de bandas do bulk do material. Cada um deles pode assumir um valor par (mod 2 = 0) ou mpar (mod 2 = 1), sendo por isso, chamada de simetria Z2 (grupo discreto de 2 elementos, 0 e 1). Assim em tr es dimens oes existem dezesseis fases topologicamente distintas de isolantes, por em dos quatro invariantes topol ogicos apenas 0 e robusto na presen ca de desordem, o que leva a apenas duas fases topologicas distintas, ario, tamb em poss veis de serem observadas, a 0 = 0 que corresponde a um isolante ordin chamada de Isolante Topol ogico fraco e a 0 = 1 chamada de Isolante Topol ogico forte ou apenas Isolante Topol ogico. Os invariantes topol ogicos (0 ; 1 , 2 , 3 ) podem ser entendidos com base na correspond encia bulk-contorno como no caso bidimensional. Os estados superciais de um cristal tridimensional podem ser descritos por um momento eletr onico k , que assume valores em um plano. H a quatro pontos denotados por 1, 2, 3, 4 na zona de Brillouin da superf cie de um material que s ao invariantes sob Revers ao Temporal e devido ao teorema de Krammers os estados eletr onicos nestes pontos devem ser pelo menos duplamente degenerados. Longe destes pontos a intera c ao spin- orbita quebra a degeneresc encia (veja a gura 2.7). Estes pontos especiais degenerados s ao pontos onde a banda de condu c ao toca a banda de val encia, como ocorre no grafeno, e s ao chamados de pontos de Dirac, devido ao fato da dispers ao dos estados eletr onicos pr oximos a estes pontos ser linear. A superf cie de Fermi do material pode cercar um n umero par ou mpar destes pontos em seu interior. Quando um n umero par destes pontos e cercado, o material possui 0 = 0 e e um isolante trivial. Mas quando o n umero desses pontos e mpar, o material possui 0 = 1, e exibe uma fase topol ogica n ao-trivial. Os dois casos s ao ilustrados na gura 2.7, onde tamb em e mostrado um ponto de Dirac.

47

Figura 2.7: Em (a) e mostrada a superf cie de um IT no espa co real e em (b) no espa co rec proco onde os
quatro pontos 1 2 3 4 , que possuem degener encia de Kramers, s ao mostrados. Note que em (b) a superf cie de Fermi engloba apenas um desses pontos e o respectivo cone de Dirac tamb em e mostrado. Em (c) e (d) s ao mostrados a estrutura de bandas entre dois pontos que apresentam degener encia de Kramers; em (c) um isolante trivial e em (d) um isolante topol ogico. (Fonte: refer encia [97].)

Uma formula c ao mat ematica simples para os invariantes topol ogicos tridimensionais surge como uma generaliza c ao daquela apresentada na se c ao anterior para os bidimensionais [90]. Em um cristal tridimensional existem oito pontos com momento cristalino a na zona de Brillouin do bulk que s ao invariantes sob Revers ao Temporal. O invariante 0 e denido como uma generaliza c ao de (2.13) [90, 14]:
8

(1)

=
a=1

a ,

(2.18)

onde os a s ao denidos pela equa c ao (2.12). Quando o cristal possui simetria de Invers ao Espacial ou Paridade existe outra express ao que simplica o c alculo, que e uma genera-

48

liza c ao de (2.19)[90, 14]: a =

m

m (a ) .

(2.19)

Como em 2D o produto aqui e feito sobre todos os pontos das bandas ocupadas que possuem degeneresc encia de Kramers [90, 14]. Existem outras formula c oes matem aticas destes invariantes [14], mas esta brevemente discutida aqui t em se mostrado a mais eciente para procurar por materiais que exibem fases topologicamente n ao triviais. Utilizando-se as simetrias dos cristais que s ao IT, como Bi2 Se3 , e poss vel construir hamiltonianas efetivas, v alidas em longos comprimentos de onda (ou baixas energias) que descrevem estes materiais. C alculos ab initio, ent ao, podem ser utilizados para ajustar os par ametros destes modelos efetivos que fornecem uma boa descri c ao anal tica [89, 14]. Todos os tr es isolantes topol ogicos da segunda gera c ao podem ser descritos por uma mesma Hamiltoniana efetiva, que mantendo apenas termos lineares e quadr aticos no momento eletr onico k e dada por [94, 89, 14, 9]:
M (k) A1 kz 0 A2 (kx + iky )

A1 kz M (k) A2 (kx + iky ) 0

0 A2 (kx iky ) M (k) A1 kz

2 2 2 2 sendo (k ) = C + D1 kz + D2 k e M (k ) = M B1 kz B2 k . Os par ametros A1 , A2 , B1 ,

H (k) = (k )144 +

A2 (kx iky ) 0 A1 kz M (k)

, (2.20)

B2 , C , D1 , D2 e M , dependem dos detalhes do material e podem ser obtidos ajustandose o espectro desta teoria efetiva com dados obtidos de c alculos ab initio [14, 94]. Esta teoria efetiva descreve todas as propriedades topol ogicas dos IT tridimensionais em baixas energias. Uma importante consequ encia da topologia n ao-trivial dos IT e a exist encia de estados topol ogicos na superf cie do IT. Estados estes que s ao protegidos pela topologia do sistema e sempre surgem em regi oes onde o invariante topol ogico 0 muda, como na interface entre um IT e o v acuo. A exist encia de estados superciais topol ogicos e uma das mais importantes propriedades dos isolantes topol ogicos podendo ser obtidos diretamente, a partir de c alculos ab initio, ou projetando-se a Hamiltoniana do bulk na superf cie do material. Ambos os m etodos levam ao mesmo resultado. No caso dos IT descritos pela 49

Hamiltoniana efetiva (2.20), considerando a superf cie do IT no plano x y e o bulk na regi ao z < 0, os estados superciais s ao descritos pela seguinte Hamiltoniana (considerando apenas termos lineares no momento eletr onico k ) [94, 14]: Hsup. = A2 ( x kx + y ky ) . (2.21)

Para A2 = 4.1 eV A, que e t pico para Bi2 Se3 , a velocidade de Fermi dos estados superf ciais e dada por vF = A2 / 6.2 105 m/s [94]. A teoria efetiva (2.21) e v alida no caso mais simples, em que o isolante topol ogico possui um u nico ponto de Dirac na superf cie. Esta teoria efetiva dos estados superciais ser a o ponto de partida para algumas an alises dos resultados apresentados nos cap tulos 4 e 5 [49]. No espa co f sico (2.21) e dada por: Hsup = i vF , (2.22)

com as matrizes de Pauli caracterizando o spin real dos estados superciais. Note que a rela c ao de dispers ao dos estados superciais nos isolantes topol ogicos tridimensionais assemelha-se ` a do grafeno. Por em, no grafeno existem quatro tipos de f ermions, devido a ` degeneresc encia de spin e vale [23], enquanto em isolantes topol ogicos h a apenas um tipo, que pode polarizar nas duas componentes do seu spin. A descri c ao efetiva dos estados eletr onicos superciais no IT e feita por meio de uma Hamiltoniana de Dirac em 2+1 dimens oes sem um termo de massa. No ap endice A s ao apresentados alguns detalhes da teoria de Dirac do el etron em 2+1 dimens oes. Para entender as propriedades f sicas destes estados superciais pode-se analisar a forma dos operadores de spin neste sistema [89, 14]. Quando projetados nos estados superciais os operadores de spin para a hamiltoniana (2.20) possuem matrizes de elementos entre estados dadas por: |Sx | = Sx0 x , |Sy | = Sy0 y e |Sz | = Sz 0 z com

Sx0 , Sy0 , Sz 0 constantes. Estas rela c oes demonstram que as matrizes de Pauli aparecendo em (2.22) s ao de fato proporcionais ao spin f sico das part culas na superf cie do IT [89, 14]. Os estados superciais dos IT tridimensionais descritos pela equa c ao (2.22) possuem um espectro linear e exibem uma textura helical de spin que possui dire c oes opostas na banda de val encia e de condu c ao como mostrado na gura 2.8.

50

Figura 2.8: Textura helical de spin dos estados superciais pr oximos ao centro da zona de Brillouin
de um IT tridimensional. Esquerda: A helicidade dos estados na banda de condu ca o e contr aria ` aquela dos estados da banda de val encia. Direita: Vis ao superior da textura de spin. O spin dos portadores e contido na superf cie do IT e correlacionado com seu momento k, sendo sempre perpendicular a ele e estados com momentos opostos k e k possuem spins opostos, devido ` a simetria de Revers ao Temporal. (Fonte: refer encia [89].)

Estes estados superciais possuem muitas propriedades interessantes. Por exemplo, um gap n ao pode ser aberto por impurezas n ao-magn eticas, isto e, por aquelas que n ao conduzam a ` viola c ao da simetria de Revers ao Temporal, T , j a que o Teorema de Kramers garante a exist encia dos pontos de Dirac. Por outro lado, impurezas magn eticas, que quebram T , podem abrir um gap nos estados superciais do material [47]. Esses estados suportam um movimento eletr onico em qualquer dire c ao ao longo da superf cie do IT tridimensional. O spin dos el etrons connados ` a superf cie do material e correlacionado com seu momento eletr onico de tal forma que o seu momento angular de spin e sempre perpendicular a k e ca contido na superf cie do IT. A revers ao temporal obriga estados com vetores de onda opostos k e k terem orienta c oes de spin opostas [13, 14].

interessante notar que diversas propriedades dos IT manisfestam-se mais expliE

citamente quando a simetria de Revers ao Temporal e preservada no interior do material (bulk), mas quebrada na sua superf cie. Quando isto ocorre os estados superciais podem adquirir um gap de energia e o material torna-se completamente isolante, no interior e na 51

superf cie. Isto pode ser feito pela aplica c ao de um campo magn etico externo ou por efeito de proximidade do IT a um material magn etico, por exemplo, cobrindo a superf cie do IT com um lme magn etico ordenado. Estes efeitos s ao descritos pela resposta eletromagn etica dos IT a campos externos [13, 14, 15].

2.5

Resposta Eletromagn etica dos IT

Assim como ocorre no efeito Hall, a estrutura topol ogica dos IT deve levar a coe-

cientes de resposta eletromagn etica quantizados. Esta resposta de um IT tridimensional e chamada de efeito magnetoel etrico topol ogico [16, 17, 14, 98], que ocorre quando a simetria de Revers ao Temporal e quebrada na superf cie, mas preservada no bulk. A origem f sica por traz deste efeito e a corrente Hall que existe na superf cie do IT quando a simetria T e quebrada. Vamos analisar este efeito. Au nica pertuba c ao indepedente do momento eletr onico k que pode ser adicionada na Hamiltoniana que descreve os estados superciais dos IT (2.22) e um termo de massa proporcional a z [14]. O termo de massa m z e mpar sob Revers ao Temporal (detalhes sobre isto podem ser encontrados no ap endice A), o que e esperado da estabilidade topol ogica dos estados de superf cie que possuem massa nula e s ao protegidos pela simetria T [14, 16]. Sempre que existe um gap nos estados superf ciais do IT, este e introduzido na equa c ao de Dirac por meio de um termo de massa, e ela ca na forma: Hsup = vF ( x kx + y ky ) + m z . (2.23)

Um termo de massa na equa c ao de Dirac viola tamb em a Invers ao Espacial ou Paridade e isto induz importantes consequ encias f sicas. Para ver a consequ encia desta viola c ao de Paridade basta acoplar a equa c ao de Dirac a um campo eletromagn etico externo e obter, por exemplo, por meio do c alculo da a c ao efetiva do sistema, a resposta eletromagn etica que este apresenta [99]. Quando se faz um c alculo como este obt em-se que um dos termos presente na a c ao efetiva e um termo de Chern-Simons da forma [99]: Sef [A] = 1 sgn(m) 8 d3 x A A + f (A, , m) , (2.24)

52

sendo que f (A, , m) representa a contribui c ao para Sef [A] dos termos que n ao violam a simetria de Paridade. A corrente eletr onica gerada no sistema pelo campo eletromagn etico externo representando pelo potencial vetor A e dada pela derivada funcional da a c ao efetiva em rela c ao ao campo A [99, 16]: j = 1 Sef [A] = sgn(m) A . A 4 (2.25)

Por exemplo, considere a componente x desta corrente, jx = 1 sgn(m)(0 Ay y A0 ) , 4 jx = 1 sgn(m)Ey . 4 (2.26)

Isto mostra que o sistema possui uma condutividade Hall dada por: xy = 1 e2 sgn(m) = sgn(m) 4 2h (2.27)
m |m|

onde na u ltima passagem as constantes h e e foram restauradas. A fun c ao sgn(m) =

assume os valores 1. Observe que a condut ancia Hall (2.27) para f ermions de Dirac em mesmo no caso para f ermions com massa nula, onde a simetria de Paridade e preservada,

importante notar que (2+1) dimens oes e igual a metade do quantum de condut ancia. E

na presen ca de um campo eletromagn etico externo a corrente Hall n ao e zero [99]. Pode-se mostrar tamb em que o fato da condutividade Hall para f ermions n ao ser nula e devido a uma estrutura topol ogica n ao trivial no espectro de energia. Mais detalhes podem ser encontrados nas refer encias [99, 16, 14]. A condut ancia Hall pode ser escrita na forma: xy = m e2 , |m| 2h (2.28)

de onde pode se ver que ela permanece nita mesmo no limite m 0. Assim a viola c ao da simetria de Revers ao Temporal (ou Paridade) na superf cie dos IT traz consequ encias f sicas surpreendentes [99, 16, 14] . Quando existe um campo magn etico perpendicular ` a supercie a quantiza c ao das orbitas eletr onicas leva a n veis de Landau e a um EHQ com condutividade Hall como a discutida anteriomente. Os n veis de Landau para el etrons de Dirac s ao especiais porque 53

sempre existe um n vel que possui energia nula [100], al em de uma simetria de part culaburaco, de modo que, a condutividade Hall e igual e oposta quando o n vel est a completamente cheio ou vazio. Como a condutividade Hall muda por e2 /h quando a energia de Fermi cruza um n vel de Landau a condutividade Hall na superf cie do isolante topol ogico possui quantiza c ao semi-inteira: xy = (n + 1/2) e2 , h n = 0, 1, 2, 3, . . . . (2.29)

Este tipo de fen omeno ocorre tamb em no grafeno, por em, l a a condutividade deve ser multiplicada por 4 devido ` a degeneresc encia entre spin e vale de tal forma que a condutividade observada ainda possui uma quantiza c ao inteira [23] como discutido na se c ao 1.2. Uma maneira pr atica de se quebrar a simetria de Revers ao Temporal na superf cie e preserv a-la no bulk e cobrindo a superf cie do IT com um lme magn etico no. Neste caso a degeneresc encia de Kramers e rompida pela intera c ao de troca entre os momentos magn eticos do lme e dos el etrons da superf cie. No caso mais simples esta intera c ao pode ser escrita na forma [44, 14]: Hint =
i

Ji Si ,

(2.30)

sendo Si o spin da impureza (ou subst ancia) magn etica que constitui o lme, a densidade de spins dos el etrons da superf cie do IT e Ji o acoplamento de troca. Este acoplamento gera um gap de energia no cone de Dirac, (gura 2.9) e pode ser descrito pela introdu c ao de uma massa na equa c ao de Dirac (2.22) como em (2.23) (veja a gura 2.9). Se a energia de Fermi encontra-se neste gap existe uma condutividade Hall semi-inteira quantizada, xy = e2 /2h, como ocorre na presen ca de um campo magn etico externo. Existe uma importante diferen ca entre o EHQI e aquele com quantiza c ao semiinteira que ocorre na superf cie de um IT que possui um gap magn etico. A principal diferen ca e que o u ltimo n ao pode ser medido por um experimento de transporte com corrente cont nua como no caso do EHQI [14]. Isto ocorre porque no EHQI existem estados de borda quirais que transportam a corrente e podem ser medidos. J a a superf cie de um IT 3D e sempre um manifold fechado, sem bordas e se toda a superf cie possui um gap produzido por impurezas magn eticas n ao existem estados de borda para transportar uma 54

Figura 2.9:

Ilustra ca o do cone de Dirac sem gap em Bi2 Se3 . Um gap abre devido a presen ca de

` direita impurezas magn eticas, fazendo com que os f ermions de Dirac na superf cie se tornem massivos. A a estrutura de bandas de Bi2 Se3 dopado com impurezas magn eticas observada utilizando ARPES onde pode se ver o gap. (Fonte: refer encia [101, 102].)

corrente [14]. Por outro lado quando existe uma parede de dom nio magn etico na superf cie do IT 3D a condut ancia Hall d a um salto devido a (2.28), pois em diferentes lados da parede a massa m e diferente [14]. A varia c ao da condut ancia Hall neste caso e e2 /h e existem estados quirais propagando-se ao longo da parede que podem ser medidos em experimentos de transporte, gura 2.10. A diferen ca entre o EHQI e o com quantiza c ao semi-inteira na superf cie do IT indica que este e um efeito topol ogico que quando detectado testa a resposta eletromagn etica do bulk dos IT 3D [98, 16], resposta esta chamada de efeito magnetoel etrico topol ogico. Resumidamente, este efeito consiste na magnetiza c ao do material quando um campo el etrico e aplicado e de uma polariza c ao quando um campo magn etico e aplicado. Este efeito ocorre justamente devido ao fato de existir uma corrente Hall na superf cie do material [98, 16, 14, 13, 17]. Para ver a rela c ao deste efeito com a corrente Hall na superf cie considere a geometria mostrada na gura 2.11, onde a lateral do IT cilindrico e coberta por uma impureza magn etica com ordem ferromagn etica de tal forma que, os estados da superf cie possuem um gap e exibem o efeito Hall com quantiza c ao semi-inteira. Quando um campo el etrico e aplicado paralelo ` a supef cie do IT uma corrente Hall circula ao longo

55

Figura 2.10: Duas situa co es distintas onde existe uma parede de dom nio magn etico na superf cie de um
IT. Esquerda: a magetiza ca o ferromagn etica possui orienta co es distintas em duas regi oes da superf cie do IT. Direita: a regi ao central do IT possui magnetiza ca o oposta ao restante criando uma parede de dom nio circular fechada. Nos dois casos estados quirais circulam ao longo da regi ao da parede de dom nio. (Fonte: refer encia [16, 14].)

da superf cie dada por [16, 14, 17]: m e2 j= n E, |m| 2h (2.31)

n e um vetor normal a superf cie e o sinal do termo de massa, m/|m|, e determinado pelo sentido da magnetiza c ao na superf cie do material. Essa corrente supercial e perpendicular ao campo el etrico e dever a induzir um campo magn etico paralelo a E . Esta resposta e equivalente a uma magnetiza c ao proporcional ao campo el etrico [16, 14, 13]: M = m e2 E. |m| 2h (2.32) De forma

Esta magnetiza c ao e uma resposta topol ogica ao campo el etrico aplicado.

an aloga, um campo magn etico externo polariza o material gerando, uma polariza c ao P , de origem topol ogica. Quando um campo magn etico externo e aplicado paralelamente ao eixo do cilindro (gura 2.11) ele deve iniciar com o valor zero at e o nal. Assim pela lei de Faraday um campo el etrico e induzido na superf cie do cilindro circulando em torno do eixo. Este campo induz uma corrente Hall paralela (ou antiparalela) ao eixo do cilindro proporcional a dB/dt. Consequentemente uma densidade de carga proporcional ao campo B externo e acumulada no topo e na base do cilindro criando uma polariza c ao de origem

56

Figura 2.11: Ilustra ca o da magnetiza ca o induzida por um campo el etrico em uma geometria cilindrica.
A magnetiza ca o aponta para fora da superf ice do IT e uma corrente que circula ao longo da superf cie e induzida pelo campo el etrico. A direita ilustra ca o da carga de polariza ca o induzida por um campo magn etico que produz uma polariza ca o do IT paralela ao campo magn etico. (Fonte: refer encia [16].)

topol ogica dada por [16]: P = m e2 B. |m| 2h (2.33)

Note que a resposta eletromagn etica topol ogica e quantizada em m ultiplos inteiros da constante de estrutura na = e2 / c. A resposta eletromagn etica completa do IT e dada pelas equa c oes de Maxwell em meios materiais com rela c oes constitutivas que incluem as contribui c oes topol ogicas para E e B discutidas acima [16, 14]: D = 0 E + P 2P3 0 cB , H= 1 B M + 2P3 0 cE , 0 (2.34) (2.35)

com P3 = m/2|m| = 1/2. Embora descritas aqui para o caso de uma geometria cil ndrica as rela c oes (2.31), (2.32) e (2.33) s ao v alidas para uma geometria arbitr aria qualquer [16]. Au nica generaliza c ao necess aria e trocar o termo m/2|m| por n + 1/2, com n um inteiro [16, 14, 17]. Uma teoria de campos topol ogica pode ser formulada para descrever o efeito magnetoel etrico topol ogico [16, 14, 17, 98, 13]. Esta teoria inclui um termo topol ogico na lagrangeana do campo eletromagn etico que possui a mesma forma que o termo que descreve

57

o axion em f sica de part culas [103]: L = EB. 4 2 (2.36)

Uma descri c ao desta teoria de campos para os IT e apresentada no ap endice B. Interessante notar que a teoria de campos topol ogica descreve de forma unicada o sistema mesmo na presen ca de intera c oes e desordem, o que n ao e muito simples na descri c ao por meio de teoria de bandas e que ela e v alida apenas no limite de baixas energias (longos comprimentos de onda) sendo uma teoria efetiva [16, 14, 17, 98, 13, 9]. Uma das consequ encias mais diretas do efeito magnetoel etrico topol ogico e a indu c ao de um par carga-monopolo magn etico, chamado de dyon como carga imagem, devido a presen ca de uma carga el etrica pr oxima a superf cie do IT [17]. Isto ocorre porque devido a presen ca do campo el etrico na superf cie do IT a corrente supercial produz um campo magn etico id entico aquele produzido por um monopolo magn etico no interior do material. Veja a gura 2.12.

Figura 2.12: Ilustra ca o da carga-monopolo imagem em um IT. A regi ao z < 0 e ocupada por um IT e
uma carga el etrica q e colocada em (0, 0, d). A congura ca o de campos na regi ao z > 0 e an aloga aquela produzida por um dyon em (0, 0, d) e na regi ao z < 0 por um dyon em (0, 0, d). No canto superior direito e mostrada a congura ca o de corrente na superf cie do IT devido a presen ca da carga q . (Fonte: refer encia [17].)

58

Outro efeito de origem topol ogica que permite detectar o efeito magnetoel etrico topol ogico e a chamada rota c ao topol ogica de Kerr e Faraday [104, 16]. Quando a luz linearmente polarizada propaga atrav es de um meio que quebra simetria de Revers ao Temporal, o plano de polariza c ao da luz transmitida pode girar, o que e chamado de efeito Faraday. Uma rota c ao similar ocorre para a luz reetida por uma superf cie que viola T , o que e chamado de efeito Kerr magnetico- otico. Como IT preservam T no bulk o efeito Faraday n ao ocorre, por em quando a simetria de Revers ao Temporal e quebrada na superf cie ocorrendo o efeito magnetoel etrico topol ogico, um efeito Kerr e Faraday diferentes ocorrem devido a resposta eletromagn etica topol ogica dos IT. Tanto a luz transmitida quanto a reetida possuem angulos de rota c ao de Kerr e Faraday que dependem das propriedades topol ogicas do bulk dos IT [104, 16]. Este efeito (rota c ao topol ogica de Kerr e Faraday) pode ser usado para observar as propriedades topol ogicas do bulk do material [104, 16]. Outros efeitos associados aos IT s ao discutidos nos artigos de revis ao [13, 14, 15, 11, 9].

59

Cap tulo 3 Espalhamento dos portadores de carga no grafeno induzidos por defeitos na rede
Neste cap tulo ser ao apresentados os resultados obtidos no estudo do comportamento dos portadores de carga na presen ca de defeitos na estrutura cristalina do grafeno. S ao considerados tr es tipos de defeitos: buracos, pent agonos e hept agonos. Estes podem ser incorporados na rede pela remo c ao ou inser c ao de alguns atomos de carbono. Entender como estes defeitos modicam as propriedades de transporte do grafeno e importante para a constru c ao de aparelhos eletr onicos baseados em grafeno, pois tais defeitos podem surgir naturalmente no processo de fabri c ao de tais estruturas. Este cap tulo e baseados nas refer encias [27, 42].

3.1

Din amica dos portadores de carga em uma folha de grafeno n ao simplesmente conexa
Uma das caracter sticas que atra ram muita aten c ao no grafeno foi o grande livre

caminho m edio dos portadores, o que tornou este material muito atraente para aplica c oes em eletr onica [21]. J a nos primeiros experimentos em temperatura ambiente, transporte

60

bal stico de at e 1m foram obervados [28]. Altas mobilidades1 da ordem de 15000 cm2 /Vs j a foram observados no grafeno, por em de um ponto de vista de aplica c oes em eletr onica e interessante obter valores ainda maiores [105]. Portanto entender o espalhamento dos portadores de carga em grafeno e de extrema relev ancia, tanto do ponto de vista te orico quanto do experimental para que se possa chegar a aplica c oes pr aticas do mesmo, como por exemplo em dispositivos eletr onicos. Vamos considerar o espalhamento dos portadores de carga em uma folha de grafeno n ao simplesmente conexa. No modelo cont nuo para o grafeno e considerado que h a um buraco de raio r0 cortado da folha de grafeno e localizado na origem. Desta forma as part culas se movem em uma superf cie bidimensional (2D ) dada por um manifold n aosimplesmente conexo que pode ser vizualizado como um defeito no material. Este modelo permite a investiga c ao dos efeitos do espalhamento como uma fun c ao do raio do buraco e pode dizer algo sobre a alta mobilidade dos portadores de carga no grafeno, fato este interessante tamb observado experimentalmente [51, 105]. E em comparar este caso com o espalhamento por um potencial de curto alcance, porque no caso do grafeno a contribui c ao de pequenos defeitos que produzem este tipo de potencial para a resistividade e extremamente menor que a contribui c ao de tais defeitos em materiais convencionais, em que o g as de el etrons bidimensional possui uma din amica n ao relativ stica [34, 105]. Um buraco circular na folha de grafeno pode ser visto como um potencial esfericamente sim etrico e considerando que n ao h a absor c ao de part culas pelo potencial, o u nico efeito do buraco (ou do potencial produzido pelo buraco) e produzir uma mudan ca de fase na fun c ao de onda que descreve os portadores de carga. O desvio de fase causado pelo potencial est a relacionado a intera c ao dos portadores de carga com o defeito que causa o potencial. Para determinar esse desvio de fase da fun c ao de onda espalhada, bem como a se c ao de choque para o espalhamento, e preciso resolver a equa c ao de Dirac (1.18) (ou 1.21) em (2+1) dimens oes, a qual descreve a din amica dos portadores de carga. Para o caso de
1

A mobilidade de portadores de carga e denida como sendo a raz ao entre a velocidade de deriva vd

atingida pelos portadores pelo campo el etrico aplicado, vd = E [53].

61

part culas de massa nula, esta pode ser escrita em uma forma covariante como abaixo: i (x) = 0, (3.1)

onde a derivada covariante e = [(1/vF )/t , /x , /y ], as matrizes s ao 0 = z , 1 = i y and 2 = i x , que obedecem as rela c oes = i , e o tensor m etrico de Minkowski, diag( ) = (+1, 1, 1) e e o s mbolo de Levi-Civita tridimensional (012 +1). A palavra covariante deve ser usada cuidadosamente neste contexto porque vF n ao e nenhuma velocidade invariante de Lorentz, sendo apenas um par ametro que depende do material, sendo o termo covariante usado apenas como refer encia a forma que a equa c ao e escrita. As solu c oes da equa c ao de Dirac livre, para part culas com massa nula podem ser expandidas em ondas planas, como discutido no ap endice A, mas usando-se a invari ancia rotacional que permite separar a vari avel , diagonalizando o momento angular, J = i

+ 2 3 , levando a ondas parciais com momento angular

1 ) , que assumem a forma, (n + 2

(r, t) = ei(n+ 2 2

3 )

un (r )eiEt/ .

(3.2)

As componentes do espinor radial un (r ), dadas por fn (r ) e gn (r ), satisfazem a ` equa c oes diferenciais ordin arias de primeira ordem acopladas: iE dgn (r ) n g n (r ) = fn (r ) , dr r vF dfn (r ) n + 1 iE + fn (r ) = g n (r ) , dr r vF (3.3) (3.4)

onde n = 0 , 1 , 2 , . . . e o n umero qu antico do momento angular. Estas equa c oes podem ser desacopladas levando a equa c oes de Bessel de ordem n e n + 1, para as componentes do espinor: d2 fn (r ) 1 dfn (r ) n2 2 + + k fn (r ) = 0 , dr 2 r dr r2 (n + 1)2 d2 gn (r ) 1 dgn (r ) 2 g n (r ) = 0 , + + k dr 2 r dr r2 sendo k =
E vF

(3.5)

(3.6)

> 0 (aqui considera-se apenas solu c oes com E > 0 que descrevem a din amica

eletr onica, sendo as solu c oes com E < 0 descrevendo a din amica dos buracos). Lembrando 62

que as componentes do espinor no grafeno descrevem a contribui c ao das sub-redes para a condu c ao, com o spin real das part culas n ao sendo considerado nessa primeira aproxima c ao de baixas energias. A solu c ao para a parte radial do espinor na regi ao fora do buraco (i.e., para r > r0 ) e dada por: u n (r ) = fn (r ) g n (r ) = B1n Jn (kr ) + B2n Nn (kr ) B3n Jn+1 (kr ) + B4n Nn+1 (kr ) , (3.7)

onde Jn e Nn s ao as fun c oes de Bessel do primeiro e do segundo tipo (fun c ao de Neumann), respectivamente e Bjn (j = 1 , 2 , 3 , 4) s ao constantes que devem ser determinadas pelas condi c oes de contorno e pela condi c ao de normaliza c ao que denem o problema, de um ponto de vista matem atico, completamente. De um ponto de vista f sico, as condi c oes de contorno corretas s ao determinadas impondo-se que o uxo de energia no interior do buraco seja nulo, uma regi ao ausente de graus de liberdade da rede. Consequentemente, os campos devem combinar-se de uma maneira que o uxo de energia das ondas incoming (aquelas que propagam em dire c ao ao buraco e comportam assintoticamente como eikr ) cancelam o uxo das ondas outgoing (propagando-se para fora do buraco). Recordando que no caso sem o buraco, t em-se (veja o ap endice A): B1n Jn (kr ) B3n Jn+1 (kr )

O desvio de fase n , e obtido comparando-se o comportamento assint otico r , das fun c oes de onda que descrevem os portadores na presen ca e na aus encia do potencial espalhador. No caso livre, na aus encia de um potencial espalhador, o limite assint otico da solu c ao (3.8) [106] e: uA n (r ) 2 n A , cos kr + n kr 2 4 (n + 1) 2 B , cos kr + n kr 2 4 (3.9)

u n (r ) =

(3.8)

uB n (r )

(3.10)

onde os ndices do espinor A e B representam as sub-redes do cristal. Impondo condi c oes de contorno de Neumann (NCC) nas fun c oes de onda, (3.7), na borda do buraco, 63
un r r =r 0

= 0,

obt em-se:

onde

u n (r ) =

B1n Jn (kr ) tan(tn (kr0 ))Nn (kr ) B3n Jn+1 (kr ) tan(tn+1 (kr0 ))Nn+1 (kr )
Jn (kr0 ) . tan[tn (kr0 )] = Nn (kr0 )

(3.11)

(3.12)

Os termos proporcionais ` a fun c ao de Bessel (Neumann) descrevem as ondas incidentes (espalhadas). Comparando-se seu comportamento assint otico com aqueles para ondas livres (sem o buraco na rede), equa c ao (3.9) e (3.10) obt em-se os desvios de fase. No limite assintotico, a fun c ao de onda espalhada un (r ) comporta-se como: uA n (r ) 2 n cos kr + tn (kr0 ) , kr 2 4 (3.13)

uB n (r )

2 (n + 1) cos kr + tn+1 (kr0 ) , kr 2 4

(3.14)

determinado o desvio de fase n da n- esima onda parcial que completamente determina o problema de espalhamento fermi onico:
A n = tn (kr0 ) , B n = tn+1 (kr0 ) .

(3.15) (3.16)

Os desvios de fase para os portadores das duas sub-redes s ao id enticos, apenas o momento angular n e n + 1 e diferente para os portadores associados a diferentes sub-redes. De fato deve-se obter apenas um desvio de fase para ambos os portadores de carga, pois a equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes possui apenas um grau de liberdade [107]. Para ser mais espec co considere a situa c ao em que existe uma pequena concentra c ao ndef de defeitos puntuais na folha de grafeno, com uma se c ao de espalhamento anglo-dependente, (). Ent ao a contribui c ao destes defeitos na rede para a resistividade, , l e-se [34, 105, 108]: = sendo: 1 = ndef vF (k F )
2

2
2 e2 vF N (EF ) (kF )

(3.17)

d
0

d () (1 cos ) , d

(3.18)

64

onde N (EF ) = 2kF / vF e densidade de estados no n vel de Fermi, considerando-se a degeneresc encia qu adrupla do grafeno entre spin e vale e kF e o vetor de onda de Fermi c ao de portadores de carga. e o livre caminho dado por kF = n, sendo n a concentra m edio para os portadores de carga. As equa c oes (3.17) e (3.18) s ao derivadas da equa c ao semi-cl assica de Boltzmann e n ao leva em considera c ao corre c oes devido a localiza c ao ou antilocaliza c ao dos portadores de carga. Estas corre c oes podem modicar os resultados apenas no caso qu antico extremo quando a resistividade e da ordem de h/e2 e a concentra c ao de defeitos na rede e muito pequena [109, 108]. Aqui caremos restritos ao caso >> h/e2 . A aplicabilidade das equa c oes (3.17) e (3.18) para f ermions de Dirac foi provada em [109], onde foi mostrado que longe dos pontos de Dirac, espalhamento entre bandas (espalhamento entre el etrons e buracos) resultam em corre c oes negligenci aveis para a condutividade [109, 105]. Para el etrons da sub-rede A a se c ao diferencial de choque em termos dos desvios de fase e dada por [34, 105]: 2 d () = d k
n = 2

tn (kr0 )ei .
n=

(3.19)

A equa c ao de Dirac (3.3) e (3.4) ou (3.5) e (3.5) tem uma importante simetria sob a troca f g , n n 1 que implica que tn = tn1 . Assim, a equa c ao (3.19) pode ser escrita na forma: d () 2 = d k
n = 2

tn (kr0 ) cos[(n + 1/2)] .

n=0

(3.20)

Para pequenas energias, kr0 1, que e t pico para os portadores no grafeno, t em-se:
A n = tn (kr0 )

(2n + 1)[(2n + 3)n (kr0 )2 ] (kr0 )2n+1 , [(2n + 1)!!]2 (2n + 3)(n + 1)

(3.21)

e assim o espalhamento dos estados eletr onicos em orbitais s (n = 0) domimam. Com as equa c oes (3.20) e (3.21) a contribui c ao das impurezas para a resistividade pode ser estimada como sendo ndef h e2 kk
F

(kr0 )6 .

(3.22)

Isto signica que o espalhamento induzido por pequenos buracos (com raio em torno de alguns angstrons, alguns espa camentos de rede, em baixa concentra c ao s ao irrelevantes 65

para o transporte eletr onico no grafeno, determinando uma contribui c ao negligenci avel para a resistividade. Para o caso de um potencial V (r ) = V0 para r < R0 e V (r ) = 0 para
2 r > R0 , a estimativa para a resistividade e (h/4e2 )ndef R0 , [34] , determinando tamb em

uma contribui c ao negligenci avel quando o raio do potencial R0 e da ordem de dist ancias interat omicas e a concentra c ao e pequena. Para um intuitivo entendimento do resultado (3.22) vamos recordar que a luz n ao sente obst aculos com tamanhos muito menores que o seu comprimento de onda. Como el etrons de Dirac com massa nula possuem a mesma rela c ao de dispers ao que a luz, comportando-se como tal em alguns aspectos (dualidade onda part cula), esta mesma interpreta c ao pode explicar os resultados para um potencial de curto alcance [105]. Os resultados obtidos acima para a resistividade est ao em acordo com aqueles apresentados na refer encia [105], onde os autores mostraram que ondula c oes intrinsecas da folha de grafeno criam um potencial espalhador de longo alcance, que levam a uma contribui c ao signicante para a resistividade e que podem explicar os dados experimentais existentes sobre a resistividade do grafeno [105]. Para mais detalhes sobre espalhamento dos portadores de carga por defeitos no grafeno veja, por exemplo [105, 110, 111, 108] e as refer encias citadas nestes trabalhos. Recentemente, nos trabalhos [40, 112], foi proposto que buracos na folha de grafeno poderiam ser utilizados para se fazer um sequenciamento de mol eculas de DNA. Na refer encia [112] os autores descrevem a fabrica c ao de buracos na folha de grafeno com di ametros entre 5 e 23 nanometros utilizando um feixe de el etrons. Como discutido na introdu c ao o m etodo de sequenciamento do DNA consiste em passar a ta atrav es do buraco e medir a corrente i onica ou de tunelamento que percorre a folha de grafeno. A medida que as bases do DNA v ao se deslocando pelo buraco esta corrente muda, possuindo valores diferentes para bases diferentes e pode-se fazer o sequenciamento do DNA [40, 112]. Considerando uma velocidade da ta de DNA de 10 nanosegundos por base permite uma resolu c ao capaz de sequenciar a ta [40]. Por em, o sequenciamento de DNA utilizando grafeno esbarra em diculdades, sendo a principal delas um grande ruido na corrente. Uma forma de reduzir este ruido e considerando buracos cada vez menores, por em o

66

controle do di ametro de buracos menores que 5 nanometros e dif cil. Mas, como discutido anteriormente, a contribui c ao para a resistividade devido a buracos de raios pequenos e negligenci avel, portanto, n ao e necess ario um conhecimento preciso do di ametro de tais defeitos para se calcular a corrente que percorre cada base nitrogenada. De fato, na literatura ainda n ao existia uma demostra c ao deste fato.

3.2

Din amica dos portadores de carga na presen ca de defeitos pentagonais e heptagonais

Ondula c oes na folha de grafeno s ao inevit aveis porque cristais bidimensionais s ao

extremamente ex veis e suaves, se curvando para serem est aveis. Folhas de grafeno s ao naturalmente curvas e este tipo de distor c ao conduz a uma mobilidade para os portadores que e independente da concentra c ao [105]. Quando o grafeno e crescido sobre um substrato como SiO2 a intera c ao com esse causa ondula c oes na folha de grafeno. Qualquer que seja a origem das ondula c oes no grafeno elas devem atuar como uma fonte de espalhamento adicional para os portadores. Dessa forma n os investigamos o espalhamento dos portadores de carga causado por ondula c oes c onicas. Estas deforma c oes podem ser incorporadas na rede no processo de fabrica c ao do grafeno, por exemplo, pela troca de um hex agono de atomos de carbono por um pent agono ou hept agono, ou seja, aus encia ou inser c ao de um atomo de carbono, e podem tamb em ser vistas como defeitos topol ogicos da rede, pois modicam a topologia das liga c oes qu micas na folha de grafeno [113, 114]. Defeitos topol ogicos na rede hexagonal do grafeno surgem ent ao como um resultado da remo c ao ou inser c ao de um ou v arios atomos de carbono na rede, sem afetar o n umero de liga c oes qu micas destes, que no grafeno s ao tr es [113, 114]. Assumindo que o tamanho dos defeitos topol ogicos e pequeno, o interesse ser a no estudo da inu encia de tais defeitos na din amica dos portadores, particularmente, no espalhamento dos portadores por tais defeitos [27, 42]. As considera c oes ser ao baseadas no modelo cont nuo (1.18) e (1.21) considerando os defeitos como puntiformes. Considere ent ao que defeitos pentagonais e heptagonais s ao introduzidos na rede.

67

A substitui c ao de um hex agono por outro pol gono com n = 6 nd lados, onde nd e um inteiro menor que 6, na rede sem afetar o n umero de liga c oes dos atomos de carbono, conduz ao encurvamento da folha de grafeno. Estes defeitos podem ser vistos como declina c oes da rede que adquire uma curvatura local. A acumula c ao de v arios defeitos pode levar a formas fechadas como fulerenos. Ane s com n < 6 lados (nd > 0) conduzem a uma estrutura com curvatura positiva, e pol gonos com n > 6 lados (nd < 0) conduzem a uma rede com curvatura negativa. Esta curvatura induzida existe somente pr oximo ao defeito, sendo que longe do defeito a folha de grafeno permanece plana, como no caso de superf cies c onicas que s ao planas fora do apice [50, 113, 114]. Inclus ao de um mesmo n umero de pent agonos (nd = 1) e hept agonos (nd = 1) mant em a folha plana em grandes escalas, mas introduz curvaturas pr oximas aos defeitos. Tal estrutura deve ser est avel e ter propriedades eletr onicas distintas daquelas apresentadas por folhas planas ou com somente pent agonos ou hept agonos [113]. Explorando a caracter stica 2D e a exibilidade do material, a id eia e propor um sistema onde um ou mais setores s ao excitados do grafeno e o restante e unido (Fig. 3.1). Em fato a liga c ao faltante de cada atomo de carbono da borda pode ser completada com a outra extremidade, assim, a folha de grafeno com um setor faltando, pode em princ pio ser covalentemente ligada. A nuclea c ao e o crescimento de estruturas de carbono curvas e bem entendida. A ocorr encia de pent agonos, que levam a defeitos (declina c oes 60 ) em uma rede de grate hexagonal e um elemento chave neste cen ario. Particularmente, considerando a simetria de uma folha de grate e o teorema de Euler, pode-se mostrar que somente cinco tipos de cones (incorporando de um a cinco pent agonos) podem ser feitos [115, 116]. No caso de um cone com nd > 0, o valor nd , (nd = 1 , . . . , 5) e relacionado ao a ngulo c onico que a superf cie do cone faz com seu eixo de simetria: sin = 1 nd . 6 (3.23)

A remo c ao de um setor da folha de grafeno introduz um d ecit de a ngulo no espa co como mostrado na gura 3.1 sendo o alcance angular da folha de grafeno dado por 0 < 2 (1 nd /6). Isto corresponde a remo c ao de setores de 60o , 120o, 180o , 240o e 300o 68

Figura 3.1: Removendo um setor angular 2 da folha de grafeno (esquerda) e identicando

as bordas (direita), resulta em um cone. O movimento dos portadores de carga em uma folha de grafeno c onica e equivalente aquele de uma part cula de Dirac de massa nula em um campo gravitacional de uma part cula de massa M est atica, em um espa co-tempo com (2 + 1)D . (Fonte:
refer encia [27]).

(nd = 1 , 2 , 3 , 4 e 5). O defeito pentagonal pode ser representado como um pseudo v ortice magn etico no apice do cone de grafeno, sendo o uxo do v ortice relacionado ao d ecit de angulo do cone (veja refer encia. [114]). Os cinco cones de grate mencionados anteriormente, poss veis de serem constru dos s ao dados por = 19.2 , 38.9 , 60 , 84.6, 112.9 e j a foram sintetizados e observados [115, 116, 117]. Cones com hept agonos possuem curvatura negativa e s ao obtidos por uma inser c ao de um setor angular na folha de carbono. Ent ao, se nd < 0, nd conta o n umero de tais setores inseridos na folha de grafeno. A proposta aqui e analisar a inu encia que tais estruturas de grafeno especiais podem induzir na fun c ao de onda dos portadores de carga (espinores). Tais inu encias podem criar novas perpectivas nas propriedades de transporte eletr onicas, que s ao determinadas pelas quasepart culas, restritas a se moverem na superf cie c onica. Como apenas a rede hexagonal do grafeno determina a rela c ao de dispers ao linear E = vF |p|, defeitos e distor c oes na rede devem ser minimizados sempre que poss veis quando construir os cones, ou seja, o n umero de setores inseridos ou removidos deve ser mantido um m nimo. Vamos considerar tamb em que o apice dos cones produzidos e puntiforme, o que de um ponto de vista experimental n ao e verdade, por exemplo, um pent agono cria um cone cujo apice e arredondado no ponto onde o pent agono se encontra. Como na se c ao anterior vamos considerar o espalhamento

69

dos portadores de carga no grafeno induzidos por estes defeitos topol ogicos. Para isso uma analogia entre defeitos topol ogicos em f sica da mat eria condensada e gravita c ao em (2 + 1) dimens oes espa co-temporais ser a utilizada [118] sempre que poss vel. Por exemplo, a din amica de portadores de carga em uma folha de grafeno c onica ideal e equivalente aquela de part culas de Dirac com massa nula em um campo gravitacional de uma massa puntiforme est atica em um espa co-tempo com (2 + 1)D [50, 119, 107]. No ap endice C e feita uma discuss ao da teoria da gravita c ao de Einstein em (2+1) dimens oes. Para estudar o problema de espalhamento dos portadores de carga no grafeno vamos considerar um dos mais simples manifolds curvos que e associado com a solu c ao de Schwarzschild em (2 + 1) dimens oes: um espa co-tempo localmente plano com propriedades globais n ao triviais. Gravita c ao em (2+1) dimens oes difere fundamentalmente da teoria em quatro dimens oes e exibe algumas caracterist sticas n ao usuais que podem ser deduzidas das propriedades das equa c oes de campo de Einstein e do tensor de curvatura de Riemann R [119, 120]. Em regi oes livres de mat eria (onde o tensor de energia-momento T anula-se), o espa co-tempo e localmente plano quando a constante cosmol ogica se anula. Contudo isto n ao signica que uma fonte massiva n ao tem efeitos gravitacionais: um feixe de luz passando por uma massa puntiforme ser a deetido [120, 121, 122, 123] e transporte paralelo em um circuito fechado em torno de uma massa puntiforme geralmente determina resultados n ao triviais [124, 125]. J a, enquanto a curvatura local se anula fora das fontes, h a efeitos globais n ao triviais. Por exemplo, considere uma massa puntiforme m localizada na origem em repouso. A solu c ao das equa c oes de campo de Einstein neste caso e dada pela m etrica: ds2 = dt2 dr 2 r 2 2 d2 , 0 r < , 0 < 2 , = 1 4GM . (3.24) (3.25)

Uma massa puntiforme m na origem cria um espa co-tempo localmante plano, mas com uma identica c ao global de coordenadas n ao-trivial que revela a presen ca de uma part cula puntiforme massiva [126]. A identica c ao e: (t , r , ) (t , r , + 2 (1 4GM )) . 70 (3.26)

A parte espacial da m etrica e aquela de um cone cujo angulo de abertura ( angulo que a superf cie faz com seu eixo de simetria) depende do valor da massa m sendo dado por: sin = 1 4Gm . Quanto maior a massa M mais pontiagudo e o cone. Para estudar o problema de espalhamento de f ermions de Dirac em um cone o sistema de coordenadas embebidas e mais conveniente porque a vari avel angular varia em todo o intervalo 0 < 2 [107]. Dessa forma, a decomposi c ao das fun c oes de ondas em ondas parciais com um momento angular bem denido e poss vel e a identica c ao dos desvios de fase se torna mais f acil, o que seria mais complicado se us assemos um sistema de coordenadas onde 0 < 2 , como o apresentado acima. N ao h a intera c ao, ou seja a equa c ao de onda que descreve os portadores de carga e livre, exceto que as derivadas s ao covariantes com rela c ao a m etrica do sistema de coordenadas embebidas. No sistema de coordenadas embebidas no espa co Euclidiano tridimensional r e estendem sobre todo o alcance 0 r , 0 2 , e descrevem um cone com a restri c ao z = ( 2 1)(x2 + y 2 ), sendo o elemento de linha dado por [107]: ds2 = dt2 2 dr 2 r 2 d2 . (3.28) (3.27)

Embora a situa c ao pare ca trivial, os atributos da fonte de gravita c ao (massa, spin se for o caso) s ao contidos nas propriedades globais das coordenadas planas. Todas as informa c oes residem em condi c oes de contorno n ao triviais que s ao cruciais no estudo do movimento de part culas puntiformes, neste espa co-tempo, tanto classicamente, como do ponto de vista qu antico [107, 127]. No caso de defeitos topol ogicos no grafeno o termo gravitacional 4GM deve ser identicado com , de forma que 2 (para 0 < < 1) determina o d ecit de a ngulo, medindo a magnitude do setor removido, onde 2 (para < < 0) conta o excesso de angulo associado com a inser c ao de um setor. O par ametro assume somente valores discretos devido a simetria da rede do grafeno como discutido ap os a equa c ao (3.23), sendo dado por: = nd , 6 e = 1 =1 71 nd . 6 (3.29)

Antes de analisar o espalhamento por defeitos c onicos (pent agonos e hept agonos) quanticamente, vamos fazer uma digress ao sobre o espalhamento dos portadores de carga como se eles fossem part culas cl assicas relativ sticas. A equa c ao cl assica de movimento determinada pela equa c ao da geod esica relativ stica para part culas em um cone l e-se: x + x = 0, onde o ponto signica diferencia c ao com respeito a qualquer coordenada x am que parametriza o caminho x ( ) e e a conex ao ou s mbolo de Christofell [107] (veja o ap endice C para mais detalhes). O angulo de espalhamento para o movimento das part culas em um cone pode ser obtido por integra c ao das equa c oes de movimento cl assicas e e dado por [107]: = ( 1 1) = nd , = 1 6 nd (3.30)

onde refere-se ao lado que a trajet oria dos portadores (corrente) passa, veja a gura 3.2. Note que o resultado acima e v alido para todos valores de apesar de o setor ser inserido ou removido da folha de grafeno. O angulo de espalhamento acima, apresentado no sistema de coordenadas embebidas, mede a deex ao do movimento assint otico no cone projetado no plano x y das coordenadas embebidas do espa co tridimensional. O resultado acima sugere que um pent agono ou hept agono pode ser usado para desviar a corrente planar no grafeno.

Para obter os desvios corretos (qu anticos) da corrente no grafeno temos que resolver a equa c ao de Dirac (1.18) (ou (1.21)) denida em um cone. Vamos considerar aqui que o espalhamento dos portadores de carga pelos defeitos pentagonais e heptagonais n ao misturam os portadores associados aos pontos de Dirac K e K , assim pode-se considerar o espalhamento dos portadores de carga associados a cada ponto de Dirac separadamente. Esta e uma boa aproxima c ao enquanto a descri c ao efetiva (1.18) e (1.21) for v alida, pois a conserva c ao da helicidade impede que portadores associados a um cone de Dirac espalhem em estados associados ao outro cone, pois eles possuem helicidades diferentes [23]. Em um sistema de coordenadas curvas a equa c ao de Dirac para os portadores pr oximo ao ponto K e dada por [107]: i Ea D = 0 , 72 (3.31)

+ x

+ x

Figura 3.2: Trajet orias cl assicas (azul e vermelho) das part culas espalhadas por hept agonos
(acima) e por pent agonos (abaixo). As trajet orias s ao o movimento assint otico do cone projetados no plano x y das coordenadas tridimensionais embebidas, veja o texto. (Fonte: refer encia [27].)
1 a onde D = + 1 ab , e a derivada covariante, ab = 4 [ , b ], e Ea e o dreibein em 2 ;ab

coordenadas (t, r, ). A conex ao de spin ;ab = ;ba pode ser escrita em tr es dimens oes como ;ab = abc c com abc o s mbolo de Levi-Civita como anteriormente [107]. A invari ancia rotacional do problema capacita-nos a escolher solu c oes de energia positiva que
1 ) : s ao autofun c oes do momento angular, com autovalor (n + 2 A u ( r ) 1 1 3 n eiEt/ , un (r )eiEt/ = ei(n+ 2 2 ) uB n (r )

(3.32)

onde n = 0, 1, 2, . . . . As solu c oes para E > 0, que descrevem a din amica dos el etrons na banda de condu c ao s ao [107]:
n uA n (r ) = (n ) J (r ) ,

(3.33)

73

n+1 uB J (r ). n (r ) = (n )

(3.34) sendo os dois sinais associados

Aqui, J e a fun c ao de Bessel de ordem

n (n

(1) ), 2

as duas componentes do espinor. n = 0, 1, 2 , . . . , = E/ vF , E > 0 , n = 1 e o mesmo sinal, tem que ser escolhido para as componentes superior e inferior de un (r ). Para 0 < 1 ou 0 < 1 (lembre-se que = 1 ) deve-se escolher n = sign(n+(1 )/2) = sign n , (sign 0 1) para ter ambas componentes regulares na origem. Note que a ordem das fun c oes de Bessel e fracion aria, estando associada ao d ecit ou excesso de a ngulo no espa co. Isto e uma consequ encia direta das condi c oes de contorno n ao triviais que os defeitos topol ogicos introduzem na coordenada angular . Ou nico efeito que estes defeitos podem causar na fun c ao de onda e modicar sua fase, pois n ao s ao capazes de criar nem absorver portadores de carga. Para obter os desvios de fase e necess ario obter a forma assint otica das fun c oes de Bessel (eles s ao id enticos para as componentes superior e inferior) que s ao dadas por [107]: n = n (1 ) (1 )n + 2 2 1 n n , 2 1 2 (3.35)

n 1 nd n , 2 6 nd 2 (1 ) 2 = sign n + . 2

n = sign n +

(3.36)

O desvio de fase depende do n umero de setores removido ou inserido na folha de grafeno, medidos por = 1 = 1 nd /6 e tamb em do momento angular dos portadores de carga. Os desvios de fase s ao id enticos para as duas componentes do espinor porque a equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes possui apenas um grau de liberdade, sendo assim h a apenas um desvio de fase [107]. Se < < 0, e preciso tomar um pouco de cuidado porque n = 1 dependendo do valor de (n + /2) (mas o desvio de fase permanece como acima) e o desvio de fase depende somente do n umero de setores (hept agonos) inseridos na folha de grafeno. Na 74

presen ca de hept agonos a din amica de portadores e id entica ao movimento de el etrons no campo gravitacional de uma massa negativa (embora n ao poss vel em gravita c ao, isto e realiz avel no presente contexto). Note que o desvio de fase (3.35) mede a deex ao do movimento assint otico no cone projetado no plano x y sendo qualitativamente id entico ao caso cl assico discutido anteriormente. Quando h a um pent agono na rede e a corrente fermi onica e restrita para passar em torno e sucientemente pr oximo dele, a corrente e espalhada pelo defeito com um angulo, que depende somente do n umero de setores removidos na folha de grafeno e no lado que a corrente passa (veja g. 3.2). Depois de passar pelo pent agono as trajet orias da corrente espalhada se cruzam e levam a uma gura de interfer encia que pode ser utilizada para se detectar a presen ca de tais defeitos na rede, por meio de uma experi encia tipoYoung. No caso de um hept agono a corrente e espalhada, mas as trajet orias divergem uma da outra. A presen ca de pent agonos ou hept agonos na folha de grafeno pode se manifestar como utua c oes na concentra c ao dos portadores de carga, modicando v arias de suas propriedades. Por exemplo, em uma folha de grafeno planar sabe-se que a intera c ao de el etrons entre sub-redes produz um campo magn etico efetivo que e proporcional em magnitude e dire c ao ao momento eletr onico medido a partir dos cantos da zona de Brillouin. Este campo efetivo, que atua no pseudospin pode ter importantes mudan cas no grafeno c onico, porque a intera c ao de um portador que estava previamente na sub-rede A dever a fazer ele tornar-se fora de fase com todas quasepart culas ocupando a sub-rede B . Os resultados apresentados anteriormente mostram que defeitos topol ogicos podem ser utilizados para se criar canais de corrente el etrica no grafeno ou dispositivos que dividem a corrente em v arios canais. Outros aspectos dos estudo de defeitos topol ogicos pentagonais e heptagonais no grafeno podem ser encontrados nas refer encias [50, 128, 129].

75

Cap tulo 4 Isolante Topol ogico C onico

Isolantes Topol ogicos invariantes sob Revers ao Remporal, possuem um gap de energia em seu interior e excita c oes com massa nula na superf cie com um n umero mpar de cones de Dirac. Quando a superf cie e coberta por um lme magn etico a simetria de revers ao temporal e quebrada e um gap de energia pode abrir tamb em na superf cie do IT. Neste caso a teoria efetiva de baixas energias dos estados superf ciais e completamente descrita pelo termo topol ogico na a c ao (2.36). Este termo descreve um EHQ na superf cie do IT. Sabe-se que o valor de = (2n + 1) determina uma condut ancia Hall quantizada dada por xy = (n + 1/2)e2 /h, sendo este EHQ na superf cie a origem f sica do efeito magnetoel etrico topol ogico [17]. Aqui prop oe-se uma investiga c ao desse efeito na superf cie de um cone, ou seja a id eia e considerar um IT na forma de um cone coberto com um lme magn etico, e investigar os efeitos de campos el etricos e magn eticos externos. Outros efeitos como a din amica dos portadores na superf cie e efeitos de diferen cas de fase entre as componentes up e down do espinor tamb em s ao de interesse e ser ao investigados [49]. Em particular e proposto um m etodo para se testar predi c oes da Gravita c ao de Einstein em (2+1) dimens oes medindo-se a polariza c ao do IT quando este se encontra na presen ca de um campo E externo, pois neste caso existe uma contribui c ao de origem geom etrica para P .

76

4.1

Efeito Hall no IT c onico

Vamos come car descrevendo a geometria c onica e algumas de suas peculiariedades.

Essa geometria e muito semelhante ` aquela de um espa co Euclidiano bidimensional. A curvatura e a tors ao s ao identicamente nulas em todos os pontos da superf cie, exceto no apice do cone, que possui uma singularidade. Assim, com excess ao do a pice, a superf cie de um cone pode ser descrita por meio de um sistema de coordenadas planas ( , ) = (r 1 /(1 ) , (1 )) onde (r , ) s ao as coordenadas polares usuais, veja a gura 4.1.

z
y

+q

(0 , 0 , d)

n
u 2 x v

y a

Figura 4.1: Esquerda: Remo ca o de um setor 2 do espa co Euclidiano bidimensional e identica ca o

das bordas u = v leva a um cone. Direita: Cone com eixo ao longo de z mostrando o angulo de abertura (que e relacionado a = 1 sin ), n e o vetor normal ` a superf cie. Tamb em e mostrada a congura ca o de carga el etrica para se estudar o efeito magnetoel etrico topol ogico discutido abaixo. (Fonte: refer encia [49].)

Outra forma de descrever um cone e por meio da equa c ao de sua superf cie. Para um cone circular reto com eixo ao longo de z , altura c e raio da base a a equa c ao dos pontos da superf cie e dada por: z =c c a x2 + y 2 = c r , tan (4.1)

sendo que, a base se localiza no plano x y . A segunda forma da equa c ao acima e escrita em coordenadas cil ndricas (r , , z ), sendo (tan = a/c) o angulo de abertura do cone (gura 4.1). 77

A din amica dos portadores de carga superciais em um IT nito foi discutida pela primeira vez na Ref. [130]. O autor argumenta que a descri c ao correta dos portadores de carga superciais e dada pela equa c ao de Dirac, escrita em um espa co curvo, de forma que a u nica modica c ao necess aria para a descri c ao dos portadores em um manifold nito e curvo, como uma esfera, e o acoplamento da equa c ao de Dirac ` a curvatura do espa co. Na presen ca de um campo magn etico externo existem estados quirais como em um IT plano e innito e um efeito Hall quantizado na superf cie do material. Para estudar as consequ encias do efeito magnetoel etrico topol ogico no cone considere um campo el etrico externo E aplicado na superf cie do cone, e que a superf cie do cone e coberta com um lme magn etico com magnetiza c ao perpendicular a ` superf cie em todos os seus pontos. Devido a presen ca do campo E haver a uma corrente Hall na superf cie do IT dada por: j= e2 n E. 2h (4.2)

O sinal depende do sentido da magnetiza c ao que cobre a superf cie relativo ao vetor normal n . Em coordenadas cil ndricas n =r cos + z sin . A partir daqui ser a considerado apenas o sinal positivo na equa c ao acima, ou seja M//n . Para efeitos de compara c ao e simplicidade considere primeiro um campo el etrico constante em todos os pontos da superf cie e apontado no sentido negativo do eixo z , E = E0 z , uma corrente supercial aparecer a em todos os pontos da superf cie circulando-a dada por j= e2 . E0 cos 2h (4.3)

Aqui eo angulo de abertura do cone. Observe que a corrente acima possui o mesmo valor em todos os pontos da superf cie do cone e possui o maior valor para = 0, pois neste caso a componente do campo el etrico paralela a superf cie assumiria seu valor m aximo. Note que se = /2 o cone se degenera em um plano e n ao existe corrente Hall induzida na superf cie, pois o campo externo torna-se perpendicular ` a superf cie e n ao d a contribui c ao para a corrente (4.3). Veja gura 4.2 que mostra um esbo co desta corrente. No caso de uma carga el etrica puntiforme, acima do apice do cone e localizada na

78

e2

0 j

2h 1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.5 1.0 1.5

Figura 4.2: Esbo co da corrente Hall induzida na superf cie do IT c onico em fun ca o do angulo de abertura
do cone, medido em radianos. A corrente e induzida por um campo el etrico externo constante paralelo ao eixo z.

posi c ao (0 , 0 , d) o campo el etrico e dado por: E= rr + (z d) z q , 2 2 40 (r + (z d) )3/2 (4.4)

Para pontos que est ao na superf e do cone as coordenadas r e z satisfazem ao v nculo (4.1). A corrente induzida na superf cie assume a forma q e2 [ r sin + (d z ) cos ] j= . 40 h [ r 2 + (z d)2 ]3/2 varia desde 0 at e c: j= q e2 [ (c z ) tan sin + (d z ) cos ] , 40 h [ (c z )2 tan2 + (z d)2 ]3/2 (4.6) (4.5)

Usando a equa c ao (4.1) esta corrente Hall pode ser escrita apenas em termos de z , que

Como fun c ao do angulo de abertura do cone , o valor m aximo dessa corrente Hall ocorre para = 0. Um esbo co da mesma em fun c ao do angulo de abertura do cone e mostrado na gura 4.3, em tr es posi c oes diferentes na superf cie do cone: na base, no meio e no a pice. Para = /2 os gr acos acima mostram que a corrente anula-se. Isto n ao e verdade. Estes gr acos foram obtidos da express ao (4.6) que n ao e bem denida para = /2 devido a singularidade na rela ` c ao (4.1), quando = /2. De fato, estas rela c oes s ao v alidas apenas para < /2. Quando = /2 a express ao que deve ser utilizada para fornecer o valor correto da corrente induzida e (4.5).

79

4 h 0 j e2 q 0.7 0.6

4 h 0 j e2 q 2.0

4 h 0 j e2 q 25

20 0.5 0.4 1.0 0.3 0.2 0.1 0.5 1.0 1.5 0.5 1.0 1.5 0.5 1.0 1.5 0.5 10 1.5 15

Figura 4.3: Corrente Hall induzida no cone em fun ca o do angulo de abertura do cone, medido em
` esquerda a corrente na base do cone, em z = 0, no centro a corrente no meio do cone, z = 0.5 radianos. A e a direita no apice, z = 1. Considerou-se aqui um cone com z = 1 e a carga localizada em (0 , 0 , 1.2).

Em fun c ao da coordenada z que varia desde a base do cone z = 0 at e seu a pice, a corrente Hall se torna maior pr oximo ao apice, exceto para cones com a ngulo de abertura pr oximo de /3, onde o m aximo da corrente ocorre um pouco abaixo do a pice. Um esbo co desse comportamento e mostrado na gura 4.4. No caso da corrente Hall induzida por um campo E constante (4.3) essa possui o mesmo valor em todos os pontos do cone, e no caso do campo el etrico gerado por uma carga e diferente, pois o campo possui valores diferentes em diferentes pontos do cone.

A carga el etrica e conservada na superf cie do IT c onico, ent ao, na presen ca de um campo el etrico que induz uma corrente Hall existe uma densidade de carga supercial relacionada a j por meio da equa c ao da continuidade: e2 n E) , = j = ( t 2h (4.7)

utilizando a propriedade ( n E) = n ( E ) e a lei de Faraday da indu c ao esta rela c ao pode ser escrita como: e2 e2 B = n ( E ) = n , t 2h 2h t de onde obt em-se: = e2 n B, 2h (4.9) (4.8)

onde B e o campo magn etico associado com a corrente Hall supercial (4.6). 80

4 h 0 j z e2 q 14 12

4 h 0 j z e2 q 12 10

10 8 8 6 4 2 z 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 6 4 2 z

4 h 0 j z e2 q 12 10 8 6 4

4 h 0 j z e2 q 4

1 2 z 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 z

Figura 4.4: Corrente Hall induzida no cone em fun ca o da dist ancia z medida ao longo de eixo de simetria
desde a base do cone z = 0 at e seu apice z = 1. Diferentes angulos de abertura do cone s ao considerados. Da esquerda para a direita t em-se = 6 , 30 , 60 e 75 . Apenas para cones com pr oximos de 60 o m aximo da corrente Hall n ao ocorre no apice.

Estas correntes induzidas na superf cie do IT s ao a origem do efeito magnetoel etrico topol ogico, assim surge a quest ao: qual a congura c ao de campo magn etico gerada por essas correntes e pode-se descrever tais campos por meio de fontes elementares do campo B como monopolos, dipolos ou linhas de cargas magn eticas? No trabalho [17] foi mostrado que no caso da interface plana e esf erica de um IT esse campo topol ogico B era descrito por um monopolo e uma linha de cargas magn eticas, respectivamente. Aqui, no caso c onico, a situa c ao e semelhante ` a esfera e esperamos que essas correntes induzidas possam ser descritas por uma linha de cargas magn eticas que se estende ao longo do eixo do cone. Posteriormente vamos discutir a obten c ao dos campos e cargas imagem no cone, sendo este um problema que ainda est a em aberto. Vamos agora considerar um efeito de origem geom etrica que existe em um cone e que pode possibilitar um teste da teoria de Einstein da gravita c ao em (2+1) dimens oes.

81

4.2

Efeito magnetoel etrico topol ogico e gravita c ao

Um IT c onico possibilita vericar algumas predi c oes da teoria de Einstein da gra-

vita c ao em (2+1) dimens oes, pois a din amica dos portadores de carga na superf cie do IT c onico e id entica ` aquela de f ermions sem massa no campo gravitacional gerado por uma massa puntiforme est atica em (2+1) dimens oes. Quando se considera um isolante topol ogico curvo e conveniente acoplar os graus de liberdade orbitais dos portadores de carga ` a curvatura da mesma maneira que o spin real das part culas de Dirac fazem em f sica de altas energias [130], isto porque o spin dos portadores a contido na superf cie, n ao enxergando a dimens ao perpendicular S = 2 superciais est a ` superf cie [130]. Dessa forma, a pr opria geometria do espa co j a e respons avel por uma mudan ca na estrutura eletr onica do material, mas no caso do cone isso s o ocorre no seu a pice, pois ele e livre de tor c ao e curvatura em todos os pontos fora do a pice, por em, podem existir efeitos globais associados ` a singularidade do apice. O IT c onico permite investigar outros efeitos associados a sua geometria. Por exemplo, quando um portador de carga d a uma volta completa em torno do a pice do cone a fun c ao de onda muda de sinal, pois el etrons adquirem uma fase de Berry de quando seu spin e rodado por 2 . Por em, no cone a fun c ao de onda dos f ermions adquire uma diferen ca de fase devido a geometria do espa co, assim os portadores na superf cie do IT c onico ganham al em de uma mudan ca de fase de Berry, outra mudan ca devido a geometria do espa co. Esse efeito e chamado de Aharonov-Bohm gravitacional, pois sua predi c ao foi feita para f ermions se movendo em um espa co-tempo de (2 + 1) dimens oes na presen ca do campo gravitacional gerado por uma massa puntiforme [124] (veja tamb em o ap endice C). Dessa forma, com um IT c onico, pode-se estudar propriedades de f ermions de Dirac com massa nula em um espa co que e localmente descrito pela m etrica de Minkowski, mas que possui efeitos globais n ao triviais que devem afetar as propriedades eletr onicas dos portadores superciais. Como uma primeira discuss ao sobre isto, consideremos o efeito que o transporte paralelo da fun c ao de onda em torno do apice causa nos espinores de Dirac que resulta no efeito Aharonov-Bohm gravitacional mencionado anteriormente. Este fen omeno pode ser 82

usado para se testar a teoria da Relatividade Geral em duas dimens oes espaciais. No caso de um IT c onico, bem como no Grafeno, o termo gravitacional 4GM deve ser substitu do pelo s mbolo que determina o d ecit de angulo igual a 2 , (veja a gura 4.1). A id eia e vericar qual a inu encia que a geometria c onica pode trazer na din amica dos portadores e na estrutura eletr onica do IT considerando que a din amica dos portadores em um IT c onico e id entica ` aquela de f ermions se movendo em um espa co-tempo com 2 + 1 dimens oes na presen ca de uma massa puntiforme M . A primeira an alise nesta dire c ao e examinar os efeitos de transporte paralelo ao redor do apice do cone na fun c ao de onda dos portadores. Estes efeitos podem ser obtidos por integrar as equa c oes de transporte paralelo [124]. Assim, os portadores superciais quando d ao uma volta completa em torno do apice experimentam uma mudan ca de fase na fun c ao de onda devido a geometria do espa co dada por [124] (detalhes no ap endice C): (2 ) = [cos( ) i z sin( )] (0) . (4.10)

Aqui e nas equa c oes que aparecem abaixo e considerada a m etrica (C.12), onde a vari avel angular possui todo o alcance 0 < 2 . Em termos das componentes do espinor essa mudan ca ca: 1 (2 ) 2 (2 ) exp(i sin ) 0 0 exp(i sin ) 1 (0) 2 (0)

Por exemplo, se | (0) e um estado que e descrito por uma mistura de componentes up e down do espinor: | (0) = p|+ + q | , p e q s ao constantes, ent ao: | (2 ) = pei sin |+ + qei sin | (4.13) (4.12)

(4.11)

e, portanto, depois do contorno completo em torno do apice as componentes up e down do espinor est ao fora de fase por 2 sin = 2 (1 ), que e exatamente o a ngulo que resta no espa co Euclidiano para os portadores se moverem. Observe que a diferen ca de fase entre as componentes do espinor se anulam quando o espa co e plano, = /2 ( = 1). Por outro 83

lado se = 0, a componente up do espinor ter a uma fase diferente da componente down. Este efeito pode manifestar-se por meio de utua c oes na concentra c ao de portadores de carga, que altera v arias propriedades f sicas e de transporte do IT. Assim, se for poss vel medir esta mudan ca de fase entre as componentes do espinor ou seu efeito nas propriedades de transporte dos portadores de carga, este sistema pode fornecer um lugar interessante para se testar algumas predi c oes da teoria da gravita c ao de Einstein em duas dimens oes espaciais. Testes semelhantes a estes podem ser feitos tamb em com grafeno [50, 27, 131]. Os efeitos preditos acima para a fun c ao de onda em um IT c onico podem ser mais facilmente detectados na corrente Hall induzida na superf cie do IT quando uma carga est a pr oxima ao apice, como discutido anteriormente. Quando o vetor j e transportado paralelamente ao redor do apice do cone suas componentes mudam, existindo uma mistura entre as componentes espaciais do vetor. A mudan ca nas compontes da densidade de corrente s ao dadas por [124] (veja tamb em o Ap endice C): 1 j (0) sin(2 ) jr (2 ) cos(2 ) r0 r , = r j (0) r sin(2 ) r0 cos(2 ) j (2 )

(4.14)

onde as condi c oes iniciais para se chegar a este resultado s ao = 0 quando r = r0 . r e s ao coordenadas polares na superf cie plana do cone. = sin est a relacionado ao a ngulo que a superf cie do cone faz com seu eixo de simetria (veja a Fig. 4.1). A corrente Hall induzida em todos os pontos por uma carga acima do apice do cone possui apenas a componente da superf cie do cone (4.6), mas a equa c ao (4.14) mostra que quando a corrente circula ao redor do apice e retorna a mesma posi c ao angular (mesmo ponto onde foi inicialmente criada) adquire uma componente radial r n ao formando um circuito fechado. Este efeito e uma consequ encia da topologia do cone (singularidade no a pice) e e predito pela gravita c ao e pode ser usado para vericar, em uma escala microsc opica, algumas predi c oes da teoria de Einstein da gravita c ao. Por exemplo, considere a corrente Hall induzida no ponto (r = r0 , = 0): , j (r0 , 0) = j (r0 , 0) (4.15)

ent ao, depois que esta corrente inicia seu movimento em torno do apice desenvolve uma componente radial. Ap os uma volta completa em torno do mesmo o novo vetor densidade 84

de corrente ser a dado por: j (r , 2 ) = r cos(2 ) sin(2 ) . j (r0 , 0) j (r0 , 0) r+ r0 r0 (4.16)

A corrente inicial j (r0 , 0) criada no ponto r0 e constante e ap os uma volta completa adquire uma componente radial que pode ser positiva, negativa ou nula. Quando = 1/2, ( = 300 ) esta componente torna-se nula e esta situa c ao corresponde a: = sin = 1 = 1 , 2 (4.17)

assim, = 1/2, signicando que exatamente metade do espa co Euclidiano foi retirado para se construir o cone como mostrado na gura 4.1. Quando < 1/2, ( < 300 ) a componente radial da corrente e positiva e a corrente circula em torno do cone em um movimento espiralado em dire c ao a base. Se por outro lado > 1/2, ( > 300 ) a componente radial da corrente e negativa, o que signica que a corrente circula em um movimento espiralado em dire c ao ao apice. O comportamento das componentes radial e angular da corrente ap os uma volta em torno do apice em fun c ao do angulo de abertura de cone e mostrado na gura 4.5.
r0 jr 2 j 0 6 5 0.5 4 3 2 1 0.5 1 1.0 1.5 1.0 0.5 0.5 1.0 1.5 j 2 j 0 1.0

Figura 4.5:

Componentes da corrente Hall induzida ap os transporte paralelo em torno do apice do

cone. Esquerda componente radial da corrente. Note que dependendo do angulo de abertura do cone esta componente e positiva, negativa ou nula. Direita componente angular da corrente que tamb em muda de sinal dependendo do angulo de abertura do cone.

Por exemplo considere um cone de IT cujo angulo de abertura e menor que 14, 5 e r de forma que a componenete da corrente sejam positivas ap os o transporte paralelo. Neste caso ap os um tempo longo haver a um ac umulo de carga negativa na base do cone e 85

de carga positiva em seu apice, o que corresponde macroscopicamente a uma polariza c ao P ao longo do eixo z , como mostrado na gura 4.6. Por outro lado se > 48, 6 o sentido da polariza c ao se inverte, pois a componente radial da corrente e negativa e ap os um tempo longo a polariza c ao e ao longo do eixo + z (Fig. 4.6). Dessa forma, pode-se testar a relatividade em duas dimens oes espaciais simplesmente vericando-se a dire c ao da polariza c ao el etrica no cone para diversos angulos de abertura. A determina c ao desta polariza c ao pode ser feita medindo-se a diferen ca de potencial entre a base e o a pice do cone.

Figura 4.6: Esquema da corrente Hall induzida na superf ice do cone quando trasnportada paralelamente
em torno do apice. Note a invers ao da polariza ca o induzida no cone para diferentes angulos de abertura, < 300 ` a esquerda e > 300 ` a direita. (Fonte: refer encia [49].)

H a tamb em uma polariza c ao el etrica e um desvio da corrente na superf cie do cone associado com a componente tangencial do campo el etrico na superf cie, mas este efeito pode ser eliminado considerando-se um campo el etrico externo normal a superf ce do cone e subtraindo da polariza c ao total aquela associada ` a natureza diel etrica do IT. Alguns resultados semelhantes a estes discutidos aqui j a haviam sido obtidos para cones de grate [50], por em nesse a implementa c ao destes efeitos que necessitam de uma corrente circulante e um pouco mais complexa que no IT, que como discutido acima pode ser facilmente implementada.

86

4.3

Cargas imagem induzidas no cone

As equa c oes de Maxwell junto com as rela c oes constitutivas (2.34) e (2.35) e as

condi c oes de contorno sobre os campos constituem um problema de valor de contorno completo. Para encontrar os campos el etricos e magn eticos em todos os pontos do espa co podemos usar o bem conhecido m etodo das imagens e determinar, por exemplo, qual a carga imagem associada ao campo magn etico topol ogico criado pela corrente induzida. Esse m etodo eu til em problemas onde existem cargas na presen ca de superf ces de contorno. O m etodo se baseia na id eia de se obter da geometria da situa c ao um conjunto de cargas com determinadas intensidades apropriadas ao problema e colocadas fora da regi ao de interesse, que simulem (reproduzam) as condi c oes de contorno do problema original. Estas cargas auxiliares s ao chamadas de cargas imagem e o m etodo que troca o contorno por uma regi ao maior e com cargas imagens e chamado m etodo das imagens [132]. Vamos utilizar esse m etodo bem conhecido para calcular potenciais, campos e cargas imagem no problema do cone com uma carga pr oxima a seu apice. A regi ao de interesse aqui e aquela externa ao cone de forma que as imagens devem estar todas localizadas no interior do cone. Tanto fora do cone como em seu interior, o rotacional e a diverg encia de ambos os campos se anulam (exceto em z = d) e assim podemos escrever os campos como gradientes de fun c oes escalares [132]: E (i) = E , B (i) = M ,
(i) (i)

(4.18) (4.19)

onde i = 1 , 2 refere-se as regi oes fora do cone e no interior do cone respectivamente. Como este problema possui simetria polar e conveniente expandir os potenciais em termos de Harm onicos esf ericos [132]. Considere o cone localizado na regi ao z < 0, estando seu apice na origem e o eixo z sendo seu eixo de simetria. A gura 4.7 mostra os detalhes da geometria do problema. O potencial produzido pela carga puntiforme q localizada em (0 , 0 , d) no ponto (r , , ) e dado por [132]: q (x) = 41
l r< P (cos ) , l+1 l r>

(4.20)

l=0

87

onde r< (r> ) e a menor (maior) das dist ancias d e r . Pl (cos ) e o polin omio de Legendre de ordem l e eo angulo entre o eixo +z e o vetor posi c ao r do ponto onde se deseja obter o potencial.

z (0, 0, d) 1 , 1 y x q

2 , 2

Figura 4.7: Ilustra ca o da geometria considerada para se calcular os campos e cargas imagem. O IT
c onico possui permissividade el etrica 2 e permeabilidade magn etica 2 e o espa co em torno do cone e ocupado por uma diel etrico de constantes 1 e 1 .

Considerando que o cone e um IT com permissividade el etrica 2 e permeabilidade magn etica 2 , o espa co em torno desse e um diel etrico com permissividade e permeabilidade dadas por 1 e 1 , respectivamente. As rela c oes constitutivas entre os campos no contorno do material s ao dadas pelas rela c oes (2.34) e (2.35). As condi c oes de contorno sobre os campos, quando escritas em termos dos potenciais permitem determinar as constantes Al , Bl , Cl e Dl . Considere primeiro as condi c oes de contorno sobre a componente normal do deslocamento el etrico: ( D1 D 2 ) n = . sendo n um vetor normal a superf cie do cone dado em coordenadas esf ericas por: . n = sin( + ) r + cos( + ) (4.22) (4.21)

Note que se = /2 ent ao n = z . O interior do cone e dado pelos pontos 0 r < , < , 0 < 2 e a superf cie e identicada por (r , = , ). Na 88

superf cie do cone, onde as condi c oes de contorno s ao aplicadas: . n = Em termos dos potenciais a condi c ao de contorno (4.21) se torna: (r , ) (r , ) (r , ) = 2 E c1 M . 1 E onde a rela c ao: (x) = (x) n , n (4.25)
(1) (2) (2)

(4.23)

(4.24)

e a rela c ao (4.9) foram utilizadas. A componente normal do vetor B e cont nua atrav es da interface, levando a condi c ao: (B1 B2 ) n = 0, M (r , ) M (r , ) = .
(1) (2)

(4.26)

(4.27)

As demais condi c oes de contorno s ao sobre as componentes tangenciais dos campos. Para o campo H s ao dadas por: n (H 1 H 2 ) = j , 1 M (r , ) 1 M (r , ) (r , ) = + c1 E . 1 r 2 r r E para a componente tangencial do campo el etrico: n (E1 E2 ) = 0 . E (r , ) E (r , ) = . r r
(1) (2) (1) (2) (2)

(4.28)

(4.29)

(4.30)

(4.31)

Vamos considerar d < r de forma que as express oes e rela c oes obtidas a partir deste ponto n ao s ao v alidas no apice do cone, mas pontos pr oximos a este podem sempre ser considerados, tomando-se d cada vez menor de forma que r possa sempre ser menor e mais pr oximo ao apice. Os potenciais el etricos e magn eticos na regi ao 1, fora do cone s ao escritos como:
(1) E (r

q , ) = 41

l=0

dl Pl (cos ) + r l+1 89

l=0

Al Pl (cos ) , r l+1

(4.32)

 (1) M (r ,

) =
l=0

Bl Pl (cos ) . r l+1

(4.33)

Na express ao do potencial el etrico o primeiro termo corresponde ao potencial produzido pela carga puntiforme q que se localiza em (0 , 0 , d) e o segundo termo e devido a cargas de polariza c ao (4.9) na superf cie do cone. Nestas express oes considera-se que o ponto de oberva c ao r e maior que todas as demais dist ancias do problema, caso contr ario estas expans oes podem divergir. Na regi ao fora do cone esta condi c ao e facilmente obtida. Por em, no interior do cone para um dado ponto r existem cargas de polariza c ao e correntes que contribuem para os potenciais que se encontram a dist ancias maiores e menores de r . Assim as expans oes do potencial nesta regi ao devem ser da forma:
(2) E (r ,

) =
l=0

Cl r l +

Dl Pl (cos ) . r l+1

(4.34)

M (r , ) =
l=0

(2)

El r l +

Fl Pl (cos ) . r l+1

(4.35)

As equa c oes (4.24), (4.27), (4.29) e (4.31) junto com as expans oes (4.32), (4.33),(4.34) e (4.35) n ao permitem determinar todas as constantes Al , Bl , Cl , Dl , El e Fl . Parece que este e um problema inconssistente para se resolver, pelo menos dessa forma. Este e um problema que ainda est a em aberto e esperamos em breve obter uma resposta satisfat oria a estas quest oes.

90

Cap tulo 5 Isolantes Topol ogicos com dom nios magn eticos na superf cie
Neste cap tulo continua-se a discuss ao dos resultados obtidos no estudo dos IT. A superf cie de um IT e um lugar excepcional para se estudar a f sica de f ermions de Dirac em (2+1) dimens oes devido a robusteza de seus estados. No grafeno, por exemplo, existem dois pontos de Dirac que podem ser distorcidos por tens oes, impurezas ou defeitos na rede. J a em IT que possui um n umero mpar de pontos de Dirac, apenas pertuba c oes que violam a simetria de Revers ao Temporal como impurezas magn eticas no material e que podem distorcer os pontos de Dirac, por exemplo, abrindo um gap de energia. Alguns trabalhos, como a refer encia [16], tamb em mostram que a presen ca de pertuba c oes que quebram a simetria de Revers ao Temporal na superf cie constituem a forma mais natural de revelar as propriedades topol ogicas desses f ermions. Quando a superf cie do IT e coberta por um lme magn etico um gap se abre para os estados da superf cie e se o n vel de Fermi se encontra no gap o material e isolante no bulk e na superf cie. A maneira mais natural para se fazer isto e com um lme cuja magnetiza c ao e perpendicular ` a superf cie do IT [44, 47, 133]. Os efeitos deste tipo de magnetiza c ao na superf cie dos IT tem sido bem estudados nos u ltimos anos [44, 45, 46, 47, 48, 133]. Uma situa c ao peculiar e diferente das anteriormente discutidas na literatura surge quando a superf cie do IT e coberta por um lme magn etico com uma magnetiza c ao de

91

plano f acil, paralela a superf cie do IT. Embora neste caso a simetria de Revers ao Temporal tamb em seja quebrada na superf cie do material, os estados de superf cie n ao adquirem uma massa diretamente, como no caso da magnetiza c ao perpendicular a superf cie e os estados de borda n ao s ao mais robustos. Aqui discute-se o caso em que a magnetiza c ao possui uma congura c ao do tipo-v ortice. Neste existe um acoplamento entre o momento angular dos portadores de carga com o momento magn etico da impureza, acoplamento este que leva a possibilidade de estados ligados, espalhados e modos com energia nula na superf cie do IT [49]. Vamos considerar o caso mais simples de um u nico cone de Dirac na superf cie do IT como ocorre em Bi2 Se3 , Bi2 T e3 ou Sb2 T e3 . Considere a surpef cie do IT 3D no plano x y e o bulk do material na regi ao z < 0. A Hamiltoniana efetiva que descreve os estados da superf cie neste caso e: H = H0 + Hint , sendo: H0 = vF k = vF (kx x + ky y ) , (5.2) (5.1)

Hint = J M (r ) .

(5.3)

Aqui est a associado com o spin dos el etrons da superf cie s(r) = (r ) (r) que interagem com o momento magn etico M (r) do lme magn etico que cobre a superf cie do IT1 por meio de uma intera c ao de troca de curto alcance. J e uma constante de acoplamento que determina a natureza do acoplamento, ferromagn etico (J > 0) ou antiferromagn etico (J < 0). Esta constante n ao ser a escrita explicitamente e ser a incorporada na deni c ao da magnetiza c ao com M = J M . Considerando Sb2 T e3 como um exemplo, pois ele pode ser dopado com vanadio, que e magn etico [44], o modelo efetivo (5.2) descreve bem este material com vF 3.7eV A e o acoplamento de troca entre os el etrons da superf cie e a impureza magn etica s ao da
1

Na literatura dos IT e comum chamar lmes magn eticos na superf cie do IT de impurezas que cobrem

a superf cie, e vamos manter esta monenclatura.

92

ordem de 0.1 0.5eV, dependendo da sobreposi c ao das fun c oes de onda que descrevem os estados superciais e essa impureza. A Hamiltoniana acima, (5.1) descreve o problema de impurezas magn eticas na superf cie de um IT. Ela ser a o ponto de partida para nossa an alise. Considere uma congura c ao tipo-v ortice, que e uma congura c ao bidimensional de momentos magn eticos que giram em torno de um centro comum, veja a gura 5.1, que mostra uma vis ao superior da superf cie do IT e da congura c ao magn etica na superf cie. Um v ortice pode desenvolver componentes de spin que pr oximas ao n ucleo apontam para fora do plano (out of plane). Estas componentes podem modicar a situa c ao discutida abaixo, pois uma componente da magnetiza c ao perpendicular ao plano do IT geraria um gap de massa para os portadores. Os efeitos de impurezas magn eticas com magnetiza c ao perpendicular a superf cie s ao bem entendidos [44] e n ao vamos discutir esta possibilidade.

y x
Figura 5.1: Esquema da magnetiza ca o tipo-v ortice na superf cie do isoloante topol ogico no plano x y .
O bulk do IT encontra-se na regi ao z < 0. (Fonte: refer encia [43].)

Uma magnetiza c ao M (r) tipo-v ortice constante em m odulo mas girando em torno de um n ucleo ou centro pode ser escrita em coordenadas polares (r , ) na forma: , M = M 93 (5.4)

e a Hamiltoniana (5.1) em coordenadas polares na forma matricial torna-se2 : 0 e

i r

Para resolver o problema de autovalores H = E e obter as autofun c oes e o espectro de energia dos portadores vamos explorar a simetria do problema e escrever o espinor na forma: (r ) = A(r ) B (r ) = eim f (r ) e
i(m+1)

H = i vF

ei
M vF

i r

M vF

i r

(5.5)

g (r )

sendo que as componentes do espinor f (r ) e g (r ) satisfazem a equa c oes diferenciais ordin arias acopladas dadas por: i i E m+1 M d g (r ) = + + f (r ) , dr r vF vF E m M d f (r ) = g (r ) , dr r vF vF (5.7) (5.8)

(5.6)

que podem ser reduzidas a uma u nica equa c ao diferencial ordin aria de segunda ordem para cada uma das componentes: d2 1 d m2 M 2m + 1 E 2 M 2 + + + f (r ) = 0 . 2v2 dr 2 r dr r2 vF r F (5.9)

A componente g (r ) do espinor satisfaz a uma EDO semelhante a esta, com a u nica diferen ca no termo
m2 r2

que no caso de g (r ) deve ser trocado por

(m+1)2 . r2

Por em, uma vez encontrada

a fun c ao f (r ) a outra componente do espinor pode facilmente ser obtida por meio da equa c ao (5.8), que estabelece um v nculo entre as componentes do espinor. A equa c ao (5.9) possui solu c ao anal tica em termos de fun c oes hipergeom etricas conuentes [134], e aparece em outros contextos de f sica sendo id entica, por exemplo, a ` parte radial da equa c ao de Schr odinger para um atomo de Hidrog enio bidimensional [134]. As autofun c oes e autovalores podem ser obtidos por simplesmente mapear um problema no outro. No caso do atomo de hidrog enio bidimensional, onde a din amica do
) em termos dos cartesianos ( Para se chegar a esta forma basta escrever os vetores unit arios ( r, x, y ) 0 ei 0 iei = e . e escrever os produtos: r = ei 0 iei 0
2

94

el etron e restrita a um plano mas os campos s ao tridimensionais os estados ligados (E < 0) possuem autoenergias dadas por [134]: En = me e4 Z2 , 2(n 1/2)2 2 n = 1, 2, 3, . . . , (5.10)

sendo Z o n umero at omico e n um n umero qu antico. Para mapear um problema no outro basta fazer a identica c ao: 2me EH2
2

E2 M 2 , 2v2 F

2me Ze2
2

M (2m + 1) . vF

(5.11)

As quantidades do lado esquerdo se referem ao problema do atomo de hidrog enio e as do lado direito ao IT. Existe a possibilidade de estados ligados com autovalores discretos que possuem E < 0 e estados espalhados cont nuos com E > 0 no IT. Para o caso dos estados ligados, as autoenergias dos portadores de carga s ao ent ao dadas por: E 2 (n , m) = M 2 1 (m + 1/2)2 , (n + |m| + 1/2)2 (5.12)

com n = 1 , 2 , 3 , . . ., inteiro, e |m| = 0 , 1 , 2 , . . . n 1. Considerando M > 0 resultados num ericos [135] mostram que quando 2m + 1 > 0 existem estados ligados para |E | < M , com espectro discreto de energia e para 2m + 1 < 0 n ao existem estados ligados. Para este u ltimo caso (2m + 1 < 0) e como se o v ortice repelisse os estados superciais, mas o espectro ainda e discreto. Esta conclus ao tamb em pode ser obtida das fun c oes de onda do problema, pois se 2m + 1 < 0 as autofun c oes n ao s ao normaliz aveis, o que leva a estados sicamente inaceit aveis. As autofun c oes radiais dos espinores podem ser dadas em termos das fun c oes hipergeom etricas. Para os estados ligados algumas autofun c oes radiais s ao: f10 (r ) = 10 e10 r/2 , (5.13)

20 f20 (r ) = (1 20 r )e20 r/2 , 3

2 21 re21 r/2 . f21 (r ) = 6

(5.14)

(5.15)

95

2 30 2 2 21 r/2 f30 (r ) = (2 430 r + 30 r )e . 2 5

(5.16)

sendo nm =

M 2m+1 . n1/2 vF

As autofun c oes g (r ) podem ser obtidas por meio da equa c ao

(5.8). Na gura 5.2 s ao mostrados esbo cos dos gr acos das quatro primeiras autofun c oes fn m (r ).

f10 r f20 r 0.4 0.4 0.3 0.2 0.2 5 0.1 0.2 10 15 20

r 5 10 15 20

0.4

f21 r 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 r 5 10 15 20

f30 r

1.5

1.0

0.5

r 5 10 15 20

Figura 5.2: Esbo co das quatro primeiras autofun co es para a componente up do spin dos portadores de
carga ligados pelo v ortice na superf cie do IT. Unidades e escalas arbitr arias. (Fonte: refer encia [49].)

Todas as autofun c oes que descrevem estados ligados decaem exponencialmente. Estas autofun c oes radiais s ao semelhantes aos polin omios de Laguerre que descrevem o a tomo de hidrog enio tridimensional, possuindo apenas alguns coecientes diferentes. Uma express ao geral para qualquer fn m (r ) pode ser obtida em termos da fun c ao hipergeom etrica conuente [134]. Os estados espalhados com E > 0 tamb em podem ser obtidos mapeando o problema, aqui considerado no atomo de hidrog eno bidimensional e pode-se obter, por exemplo, as 96

autofun c oes e os desvios de fase devido ao espalhamento. As autofun c oes radiais para os portadores com spin up s ao dadas por: fk m (r ) = ck m (2kr )|m| exp (ikr ) 1 F1 (i/k + |m| + 1/2 , 2|m| + 1 , i2kr ) . (5.17)

As constantes ck m s ao determinadas pela condi c ao de normaliza c ao da fun c ao de onda, 1 F1 e a fun c ao hipergeom etrica conuente e as quantidades k e s ao dadas por: k= E2 M 2 , M 2 (m + 1/2)2 = M (m + 1/2) , vF (5.18)

sendo que para que existam estados espalhados k deve ser real, o que implica que E > |M |. Os portadores de carga devem ent ao possuir uma energia maior que o m odulo do momento magn etico do v ortice. Ap os a obten c ao de alguns dos resultados discutidos acima foi encontrada na literatura a refer encia [135] que traz resultados semelhantes, por em nessa o foco dos autores est a na possibilidade de induzir campos de calibre na superf cie do IT, devido a efeitos externos induzidos por v ortices e skyrmions acoplados a mesma. Os autores tamb em argumentam que um v ortice na superf cie do IT, como o discutido aqui, induz um campo de calibre na din amica dos portadores. Sendo assim, e como se n ao existisse um v ortice na superf cie do IT e os portadores de carga sentissem a presen ca de um campo externo, cujo potencial vetor est a relacionado ao momento magn etico do v ortice [135]. Essa descri c ao e equivalente a apresentada nesta Tese, apesar de possuir um foco diferente. Mais detalhes podem ser obtidos na refer encia [135]. Uma magnetiza c ao tipo v ortice cobrindo a superf cie do IT possibilita a exist encia de modos com energia nula que s ao spin polarizados, estando a polariza c ao destes estados associada ao sentido de rota c ao da magnetiza c ao que cobre a superf cie, ou equivalentemente ao sinal da constante de acoplamento J . Estes estados s ao obtidos da solu c ao do problema de autovalor: H = 0 . (5.19)

No caso de onde M = JM > 0 as autofun c oes dos modos com energia nula s ao: (M/ vF )r 0 e , E = 0, (r ) = aei(m+1) (5.20) r m+1 1 97

sendo 2m + 1 < 0 para que as fun c oes de onda possam ser normaliz aveis (f sicas). A constantes de normaliza c ao e dada por: a = a(m) = 2M 2 (|2m + 1|!) vF 1
|m+1/2|+1/2

(5.21)

. Caso o acoplamento J seja ferroNote que os modos com energia nula possuem spin 1 2 magn etico (J < 0) o sentido da magnetiza c ao se inverte e os modos com energia nula ter ao spin 1 . Em todos os casos a carga destes estados com energia nula e um multiplo da carga 2 eletr onica: Q= d2 r j 0 = d2 r = 1 . (5.22)

Interessante o fato de que se o lme magn etico que cobre a superf cie for nito, n ao se estendento at e o innito como considerado acima, n ao existem modos com energia nula.

98

Cap tulo 6 Conclus oes e perspectivas

Vimos ao longo desta tese que Grafeno e Isolantes Topol ogicos s ao novos materiais que unem v arias areas da f sica e da matem atica na descri c ao e compreens ao de suas propriedades. O estudo de tais materiais permite, por exemplo, uma conex ao entre FMC, QED planar, Gravita c ao e Topologia. Nos u ltimos anos estes materiais tem atra do muito a aten c ao devido a suas propriedades distintas, sendo uma delas a descri c ao unicada dos dois por meio da equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes. Vimos que o espalhamento dos portadores de carga no grafeno devido a defeitos topol ogicos como buracos, pent agonos e hept agonos elucidam algumas propriedades do mesmo, como a sua alta mobilidade, que n ao depende de defeitos na rede como buracos. Em todos os casos os desvios de fase da fun c ao de onda dos portadores foram calculados e no caso de buracos na rede do grafeno detectou-se que tais defeitos n ao d ao contribui c ao para a resistividade do material. Quando ocorrem defeitos pentagonais ou hexagonais na rede os portadores s ao espalhados por um angulo que depende apenas do n umero de defeitos e do momento angular dos portadores. Desvios de trajet oria na corrente devido a esses defeitos podem ser detectadas por meio de um experimento de interfer encia como o de Young. Talvez estes efeitos podem ser utilizados para construir canais de corrente no grafeno em futuras aplica c oes. Outro ponto de vista de nossos resultados sobre grafeno e que este material permite explorar relatividade geral em duas dimens oes espaciais, uma vez que alguns dos efeitos discutidos aqui s ao preditos por esta teoria [50, 107, 124, 125] e utilizamos uma analogia entre o movimento dos portadores de carga em uma folha de grafeno c onica e aquele de 99

f ermions, no campo gravitacional de uma massa puntiforme em (2+1) dimens oes. No caso dos Isolantes Topol ogicos consideramos um IT com um formato c onico. Neste caso a din amica dos portadores difere daquela do material com uma superf cie plana, pois existem efeitos globais associados ao manifold onde os el etrons se movem. A corrente Hall induzida na superf cie do cone por uma carga puntiforme pr oxima ao seu a pice foi obtida e algumas de suas propriedades discutidas. Vimos que quando os portadores d ao uma volta completa em torno do apice adquirem al em de uma fase de Berry de , uma fase de origem geom etrica (ou gravitacional) associada ao d ecit de angulo do cone. Tanto a corrente quanto a fun c ao de onda sofrem este efeito, que s o ocorre devido a geometria do IT e devido ao fato dos portadores serem part culas de Dirac que se movem em um espa co bidimensional. Este efeito da geometria do espa co na din amica dos portadores, predito pela gravita c ao pode ser utilizado para se testar a Relatividade Geral de Einstein em um sistema de mat eria condensada de f acil realiza c ao como o IT [49]. Quando a superf cie do IT e coberta por um lme magn etico com uma magnetiza c ao de plano f acil formando um v ortice, a din amica dos portadores e drasticamente alterada, pois existem estados eletr onicos ligados e espalhados na superf cie, dependendo do momento angular e energia dos portadores. Este tipo de congura c ao n ao gera um gap de massa como no caso de uma magnetiza c ao perpendicular ao plano, apesar de tamb em violar a simetria de Revers ao Temporal, mas sim um acoplamento entre a magnetiza c ao do lme que cobre a superf cie e o momento angular dos portadores de carga que se movem na mesma. Este tipo de magnetiza c ao tamb em possibilita a exist encia de modos com energia nula na superf cie do IT que s ao spin polarizados. Como perspectivas de continua c ao do trabalho apresentado nesta tese mencionamos o c alculo das cargas imagem no problema de uma carga puntiforme pr oxima ao a pice do cone, discutido no Cap tulo 4. Para tal esperamos encontrar uma distribui c ao de cargas imagem que se comportam como multipolos de ordem fracional, como ocorre em um cone condutor [136]. Isto ocorre devido ao d ecit de angulo existente no espa co. Devido a exist encia do efeito magnetoel etrico topol ogico esperamos tamb em obter como carga imagem n ao apenas cargas el etricas, mas uma distribui c ao de cargas el etricas e magn eticas

100

para que possam dar conta das condi c oes de contorno, como ocorre, por exemplo em uma esfera [17]. Outra quest ao refere-se ao IT com um lme magn etico com magnetiza c ao tipov ortice, discutido no Cap tulo 5. Quantidades observ aveis ou mensur aveis das modica c oes do espectro eletr onico apresentadas podem tamb em ser obtidas a partir da densidade local de estados eletr onicos (DLEE) na superf cie do IT. A DLEE pode ser obtida da fun c ao de Green retardada da Hamiltoniana (5.5) por meio do seu tra co [137, 138] N (r , E ) =
2 Im Tr GR (r , r ; E ) , sendo o fator 2 devido a degeneresc encia de spin. Para um IT plano

sem defeitos ou impurezas descrito pela Hamiltoniana (5.2), a fun ca o de green retardada pode ser obtida analiticamente [138, 139]:
GR 0 (r , r ; E ) =

(r r ) iE H 0 (E | r r | ) + i H 1 (E | r r | ) , 4vF |r r |

sendo H0 e H1 as fun c oes de Hankel de ordem zero e primeira ordem, respectivamente. Na presen ca de potenciais espalhadores a fun c ao de Green pode ser expandida pertubativamente [137, 139]:
GR ( r , r ; E ) = GR 0 (r , r ; E ) + R dr GR 0 (r , r ; E )MG0 (r , r ; E ) + . . . .

e esperamos avaliar esta fun c ao de Green e fazer uma an alise da densidade de estados eletr onicos para o IT com uma magnetiza c ao tipo-v ortice em sua superf cie ainda para o caso dos estados espalhados e ligados. Quest oes interessantes surgem ao se pensar um anel (com raio externo e interno nitos) com magnetiza c ao tipo-v ortice na superf cie do IT. Por exemplo, qual a inu encia desta magnetiza c ao no espectro de energia e se c oes de espalhamento? Surgem tamb em quest oes relacionadas ao efeito Hall nas bordas desta congura c ao uma vez que existe uma parede de dom nios magn eticos nas bordas do anel mas a magnetiza c ao n ao e perpendicular e sim paralela a superf cie. Ser a que existem correntes spin polarizadas ao longo destas paredes de dom nio como no caso da magnetiza c ao perpendicular? H a ainda quest oes associadas a propriedades eletromagn eticas dos IT, como a propaga c ao da luz atrav es destes materiais e meios connantes da radia c ao feitos de paredes que s ao IT. E com rela c ao a excita c oes com spin fracion ario (anyons) na superf cie dos 101

IT tamb em parecem ter v arias quest oes para serem respondidas e muitas coisas para se explorar, por isso pretende-se tamb em estudar este assunto.

102

Ap endice A A equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes

Neste ap endice e feita uma breve revis ao de f ermions em (2 + 1) dimens oes com o intuito de fornecer um background para os leitores desta tese que n ao est ao familiarizados com este assunto. Destaca-se a import ancia e peculiariedade da dimensionalidade do espa co-tempo e as principais caracter sticas da equa c ao de Dirac que s ao importantes na descri c ao efetiva do Grafeno e dos estados superciais dos Isolantes Topol ogicos.

A.1

F ermions em 2+1 dimens oes

A diferen ca mais obvia entre f ermions em 3 + 1 dimens oes e em 2 + 1 aparece no

n umero de componentes do espinor . Em (3 + 1)D o espinor possui quatro componentes que descrevem as duas componentes do spin do el etron (up e down) e as duas componentes do spin do p ositron, a antipart cula do el etron. A mesma equa c ao descreve tanto part culas como antipart culas, uma peculiariedade de equa c oes de onda relativ sticas [33, 140]. Partindo de um ponto mais fundamental a equa c ao de Dirac em (2 + 1)D pode ser obtida da a c ao: ) = S ( , m ), d3 x( i (A.1)

103

sendo a medida da integral dada por d3 x = dxdydt integrada sobre todo o espa co-tempo. Note que esta a c ao e id entica ` a correspondente em (3 + 1)D, sendo a diferen ca na dimensionalidade das matrizes de Dirac. De fato pode-se obter a equa c ao de Dirac em um espa co-tempo com qualquer n umero de dimens oes partindo da a c ao acima que sempre ter a esta forma, diferindo apenas na medida de integra c ao e na dimensionalidade das matrizes . Em qualquer dimens ao as matrizes de Dirac devem satisfazer a a lgebra de Clifford: 1 0 0

{ , } = 2 ,

sendo em (2 + 1)D :

e a m etrica de Minkowiski em (2 + 1)D. A dimens ao p das matrizes de Dirac e denida de forma n ao amb gua apenas se o n umero de dimens oes do espa co-tempo D for par, sendo dada por: p = 2D/2 . (A.3)

= 0 1 0 0 0 1

(A.2)

Portanto em (1 + 1)D onde D = 2 t em-se p = 2 e as matrizes podem ser representadas pelas matrizes de Pauli. Em (2 + 1)D que e o caso de maior interesse aqui, pode-se usar duas representa c oes alternativas, uma em que as matrizes de Dirac s ao quadrimensionais e outra onde elas s ao bidimensionais. Na representa c ao bidimensional uma escolha padr ao para as matrizes de Dirac e: 0 1 1 0 , , 1 = i y = 0 = z = 1 0 0 1 a: = i . (A.5)

onde i (i = 1, 2, 3) s ao as matrizes de Pauli. As matrizes como denidas acima satisfazem

2 = i x =

0 i i 0

, (A.4)

a a Em (2+1) dimens oes, utilizando-se as equa c oes de Euler-Lagrange, para o espinor c ao (A.1) leva a equa c ao de Dirac [140]: (i m) (x) = 0 . 104 (A.6)

Note que existe uma soma de 0 a 2 no ndice aparecendo na equa c ao acima e =

1 c t

. Na representa c ao das matrizes de Dirac dadas por (A.4), o espinor possui

duas componentes: (x) = 1 (x) 2 (x) , (x) = 0 = ( (x) , (x)). 1 2 (A.7)

N ao existe um an alogo a 5 em 3 dimens oes, ou seja, n ao existem fermions quirais nesse mundo sendo tais objetos restritos a espa co-tempo com um n umero par de dimens oes. A equa c ao de Dirac (A.6) pode ser escrita em uma forma Hamiltoniana como a equa c ao de Schr odinger. Para isso considere-a escrita na forma: i 0 t = i + m (A.8)

multiplicando-se esta equa c ao pela esquerda por 0 e usando o fato que ( 0 )2 = 1 obt em-se: it = i 0 + 0 m (A.9)

Denindo dois novos operadores, chamados, em quatro dimens oes de operadores de Dirac obt em-se: 0 , que satisfazem as rela c oes de anti-comuta c ao: {i , k } = 2ik , { k , } = 0 ,
2 i = 2 = 1.

0 = z

(A.10)

(A.11)

ik assume os valores 0 se i = k e 1 se i = k . A equa c ao de Dirac assume a forma: i onde a Hamiltoniana possui a forma: H = i + m. Restaurando os fatores (A.13) = H , t (A.12)

e c a equa c ao de Dirac se escreve na forma Hamiltoniana como i = ic + mc2 , t 105 (A.14)

a qual assumindo a deped encia temporal do espinor como (x) = (r ) exp(iEt/ ) transforma-se no problema de autovalor usual da mec anica qu antica H = E . Este formalismo Hamiltoniano e importante para se obter a din amica de operadores e obter quantidades conservadas temporalmente. Vamos escrever explicitamente as matrizes e em termos das matrizes de Pauli para vermos que esta Hamiltoniana de fato coincide com aquela apresentada no estudo do grafeno e dos isolantes topol ogicos. Usando a rela c ao (A.8) e as deni c oes (A.4) obt em-se: 1 = 0 1 = x , 2 = 0 2 = y , 0 = z (A.15)

Usando estas representa c oes a Hamiltoniana de Dirac ca na forma: H = c( x px + y py ) + z mc2 . (A.16)

sendo p = i o operador momento linear. Em forma matricial a Hamiltoniana acima ca ( = c = 1): H= m px + ipy px ipy m . (A.17)

A corrente fermi onica em (2+1) dimens oes e denida como em (3+1) [7]: (x) (x) j (x) = (A.18)

sendo conservada, j = t j 0 + j = 0. A densidade de probabilidade j 0 e dada por 0 = |1 |2 + |2 |2 j 0 = e e positiva denida. J a a densidade de corrente j pode ser escrita como: , j = que descreve o uxo de probabilidade, sendo um vetor de duas componentes. As simetrias discretas de Paridade P e Revers ao Temporal T atuam de forma bem diferente que em (3+1) dimens oes. Tais simetrias s ao essenciais para se entender a f sica dos isolantes topol ogicos e algumas de suas propriedades. Vamos discutir como estas simetrias atuam na equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes. A transforma c ao de paridade e uma 106 (A.20) (A.19)

reex ao das coordenadas espaciais x x, por em em (2+1) dimens oes, caso atuasse desta forma esta transforma c ao seria equivalente a uma rota c ao pois teria determinante +1 sendo uma transforma c ao pr opria. A Paridade sendo uma transforma c ao impr opria (discreta) deve possuir determinante 1. Em (2+1) dimens oes a transforma c ao de Paridade consiste na reex ao de uma das coordenadas espaciais, qualquer uma delas e escolhemos como [127, 141]: P : (x , y ) (x , y ) . O espinor de Dirac (x) transforma-se sob paridade como: P (x)P 1 = x (t , x , y ) A Hamiltoniana de Dirac (A.16) transforma-se como: P H (px , py , m)P 1 = x H (px , py , m) x = px x x x py x y x + m x z x , P H (px , py , m)P 1 = px x + py y m z . (A.23) (A.22) (A.21)

Observe que o termo de massa viola a simetria de paridade da teoria de Dirac em (2+1) dimens oes. No caso da teoria com massa nula esta simetria e preservada. Considere agora a simetria de Revers ao Temporal. As coordenadas do espa co-tempo transformam-se como: T : (t , x , y ) (t , x , y ) , e o espinor de Dirac transforma-se: T (x)T 1 = y (t , x , y ) . (A.25) (A.24)

Como no caso da transforma c ao de Paridade, o termo de massa m z na Hamiltoniana de Dirac quebra a simetria sob Revers ao Temporal, sendo a teoria com massa nula invariante sob esta transforma c ao. O fato da Hamiltoniana de Dirac com massa violar a simetria de Paridade possui consequ encias f sicas fundamentais para o estudo dos isolantes topol ogicos. Algumas destas consequ encias est ao discutidas no Cap tulo 2.

107

A.2

Solu co es da equa c ao de Dirac em 2+1 dimens oes

Vamos apresentar algumas solu c oes da equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes que

s ao u teis no corpo da tese. Considere primeiro uma part cula livre em repouso. Neste caso a equa c ao de Dirac em forma Hamiltoniana (A.14) se torna: i = mc2 = z mc2 , t (A.26)

que pode ser facilmente integrada levando a duas solu c oes indepedentes para o espinor: 0 1 eimc2 t/ . eimc2 t/ , (A.27) 1 0 A interpreta c ao destas solu c oes e que uma decreve uma part cula com energia E = mc2 positiva e a outra descreve uma part cula com energia E = mc2 negativa, ou a antipart cula do el etron. Solu c oes de ondas planas da equa c ao (A.14) podem ser expandidas na forma: (x) = u(p)ei(Etpr)/ , (A.28)

2 2 4 com E = c2 (p2 c ao em termos de ondas planas para energia x + py ) + m c . A solu

positiva ca:

onde a condi c ao de normaliza c ao escolhida e = 2E , que permite tomar o limite de preciso tomar um pouco de cuidado ao se tomar o limite m 0, pois a massa nula. E interpreta c ao da teoria sem massa e muito diferente da massiva [107]. Na solu c ao (A.29) px + ipy = |p|ei0 = E 2 m2 c4 ei0 . O espinor solu c ao (A.29) e uma autofun c ao do momento linear e da energia. Outra forma de expressar a solu c ao para a part cula livre e obter solu c oes que diagonalizam o operador momento angular: J = i + z . 2 (A.30)

(x) =

E+

mc2

mc2 ei0

ei(Etpr)/ ,

(A.29)

Solu c oes que diagonalizam este operador J s ao ondas parciais que possuem mo-

108

mento angular total j = (n + 1/2) dadas por (considerando apenas E > 0): E + mc2 Jn (pr ) + 1 z ) iEt/ ei(n+ 1 2 2 e . (x) = i E mc2 Jn+1 (pr )

(A.31)

Jn (pr ) e a fun c ao de Bessel de ordem n sendo n um inteiro positivo, podendo ser tamb em

importante enfatizar que as solu 0. E c oes com energia positiva da equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes com m = 0, s ao espinores que possuem apenas um grau de liberdade, cujo spin e
1 2

. Uma consequ encia disto, apresentada no Cap tulo 3, e que na presen ca

de intera c oes apenas um u nico desvio de fase n e encontrado, pois s o existe um grau de liberdade para ser espalhado [127, 107]. Como um u ltimo exemplo de solu c ao da equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes vamos discutir a solu c ao na presen ca de um campo magn etico externo uniforme, constante e perpendicular ao plano x y . Considere m = 0, pois este caso e de interesse no estudo do grafeno e dos isolantes topol ogicos. A intera c ao com um campo eletromagn etico externo e obtida por meio do acoplamento m nimo [2, 32, 33] onde P P + eA, sendo A(x) o potencial vetor que descreve o campo eletromagn etico externo. O problema de auto-valor H = E torna-se no espa co dos momentos: c (P + eA) = E . (A.32)

Considerando o chamado calibre de Landau onde A = B (y , 0), t em-se duas equa c oes acopladas, uma para cada componente do espinor: c(px eBy/c + ipy )1 = E2 c(px eBy/c ipy )2 = E1 e eliminando a componente 1 do espinor esta equa c ao ca na forma: c2 (p2 2eBypx e2 B 2 y 2 eB )2 = E 2 2 . (A.35) (A.33) (A.34)

Esta equa c ao pode ser transformada por uma mudan ca de vari aveis e escolhendo-se a depend encia da fun c ao de onda em x como sendo uma onda plana na equa c ao diferencial que descreve o oscilador harm onico simples. As autofun c oes e as auto-energias dos el etrons 109

com E > 0, podem ser obtidas mapeando-se este problema no OHS e as autoenergias s ao dadas por [142, 23]: En = 2e c2 Bn , n = 0, 1, 2, 3, ... . (A.36)

Para os el etrons descritos pela componenete 1 do espinor, isto e, aqueles com spin +1/2 as autoenergias s ao: En = 2e c2 B (n + 1) , n = 0, 1, 2, 3, ... . (A.37)

As duas express oes anteriores podem ser escritas como: En = 2e c2 B (n + 1/2 1/2) , n = 0, 1, 2, 3, ... , (A.38)

onde o sinal + (-) est a associado com o spin do el etron 1/2 (1/2). As autofun c oes podem ser obtidas em termos dos polin omios de Laguerre [23]. Note que sempre existe um modo com energia nula para n = 0 estando isso associado com o efeito Hall an omalo no grafeno como descrito no Cap tulo 1.

110

Ap endice B Isolantes Topol ogicos e Teoria de Campos Topol ogica

Estados topol ogicos da mat eria como o Efeito Hall Quantizado (EHQ) e os Isolantes Topol ogicos (IT) podem ser descritos por meio de teorias de campo topol ogicas. Tais teorias s ao diferentes das teorias de campo que descrevem as intera co es fundamentais da natureza, como a de Maxwell que descreve o campo eletromagn etico e a de Einstein que descreve campos gravitacionais. Estas teorias dependem da geometria do espa co onde os campos vivem. Ao contr ario, em teorias de campo topol ogicas (TCT) os campos n ao dependem da geometria e sim da topologia do espa co onde vivem [5]. A primeira descri c ao de um estado topol ogico da mat eria por meio de uma TCT foi feita por Zhang no caso do EHQ [79, 80]. Outros aspectos tamb em foram investigados por Wen [81]. Tais teorias foram o ponto de partida para a constru c ao de uma teoria de campos topol ogica para IT [16, 14, 143]. Neste ap endice faremos uma breve descri c ao dessa teoria, pois ela esclarece alguns aspectos dos IT e tamb em na tentativa de deixar esta tese um pouco mais completa. No Cap tulo 2 discutimos a formula c ao dos IT em termos de uma teoria de bandas topol ogica. Tal teoria s o e v alida para sistemas n ao interagentes e sem desordem. J a uma formula c ao em termos de uma TCT em geral e v alida para sistemas interagentes, incluindo desordem e ela identica a resposta f sica associada com a ordem topol ogica [14, 16]. No

111

limite de um sistema n ao interagente, a teoria de campos topol ogica reduz-se a teoria de bandas topol ogica. Em condutores usuais o campo el etrico E e o campo magn etico B s ao quantidades bem-denidas e as equa c oes de Maxwell permitem determinar tais campos em qualquer regi ao do espa co-tempo, quando as fontes e J s ao especicadas. Na presen ca de meios materiais que podem polarizar e magnetizar, devido ` a presen ca de campos externos, as equa c oes de Maxwell devem ser suplementadas pelas rela c oes constitutivas, que relacionam a resposta do meio material quando campos externos s ao aplicados. Para meios materiais lineares tais rela c oes s ao simples e dadas por [132]: D = 0 E + P H= 1 B+M. 0 (B.1) (B.2)

A resposta de um condutor ` a aplica c ao de campos externos, como descrito acima, pode ser obtida da a c ao efetiva: S0 = 1 2 d3 xdt E 2 1 2 B (B.3)

sendo e a permissividade el etrica e a permeabilidade magn etica do meio, respectivamente. Essa a c ao depende da geometria do espa co-tempo onde se pretende estudar o comportamento dos campos e, para ver isso, considere-a escrita em termos do tensor campo eletromagn etico, F : S0 = 1/4 d3 xdtF F . A soma sobre os ndices repetidos e depende do tensor m etrico do espa co-tempo, ou seja, da geometria, pois F F = g g F F , sendo g a m etrica do espa co-tempo. Por outro lado, uma TCT n ao depende da m etrica do espa co-tempo, depende apenas da topologia dos campos que aparecem na a c ao. Como um exemplo mais simples considere o EHQ. A TCT que descreve este sistema e dada por [79, 80]: S [A] = C1 4 d2 x dtA A , (B.4)

sendo A (x) o potencial vetor que descreve o campo eletromagn etico externo. O coeciente C1 no caso geral e dado por: C1 = 3 d3 k Tr[ G G1 G G1 G G1 ] , (2 )2 112 (B.5)

G( k ) G( k , ) e a fun c ao de Green para uma u nica part cula do sistema avaliada em tempo imagin ario. No limite de um sistema sem intera c ao a fun c ao de Green G deve ser trocada pela fun c ao de Green livre G0 e integrando sobre a frequ encia a rela c ao (B.5) reduz-se ao invariante TKNN, discutido no cap tulo 2: C1 = 1 2 dkx dky F (k) , (B.6)

F = A.

(B.7)

A = k | ik |k .

(B.8)

A quantidade C1 e um inteiro. Todas as respostas do EHQ em baixas energias podem ser derivadas desta TCT, que descreve o sistema e e conhecida como teoria de Chern-Simons. Por exemplo, da a c ao efetiva (B.4) tomando-se a derivada funcional com rela c ao ao campo A obt em-se a corrente: j = C1 A . 2 (B.9)

As componentes espaciais desta corrente s ao dadas por: ji = C1 ij Ej , 2 (B.10)

enquanto a componente temporal e dada por: j0 = C1 ij C1 i Aj = B. 2 2 (B.11)

Isto e exatamente a resposta que o EHQ exibe, com condut ancia Hall dada por = C1 /2 , indicando que um campo el etrico induz uma corrente el etrica transversa e um campo magn etico induz um ac umulo de cargas no sistema. O termo cin etico de Maxwell em (2+1) dimens oes possui mais derivadas que o termo de Chern-Simons e portanto, em baixas energias (longos comprimentos de onda) n ao e t ao relevante. Assim, todas as respostas topol ogicas do EHQ est ao contidas na TCT (B.4). Esta teoria de Chern-Simons pode ser generalizada para qualquer espa co-tempo com um n umero mpar de dimens oes e e o ponto de partida para se construir uma generaliza c ao 113

do EHQ em (4+1) dimens oes que e invariante sob Revers ao Temporal. Este estado e um isolante invariante sob T , a partir do qual todos os casos em dimens oes mais baixas podem ser obtidos por redu c ao dimensional [16, 14]. Os detalhes deste procedimento podem ser obtidos nas refer encias [16, 14]. Vamos discutir o caso de mais interesse aqui, que s ao os IT tridimensionais. A a c ao efetiva que descreve isolantes em (3+1) dimens oes e dada por [16, 14]: S = 4 2 d3 xdtE B , (B.12)

onde = e2 / c 1/137 e a constante de estrutura na e e um par ametro de origem topol ogica, que distingue isolantes usuais (como o v acuo) para os quais = 0, e isolantes topol ogicos, caracterizados por (mod 2 ) = . O termo S depende somente da topologia do espa co e n ao da sua geometria. Isso pode ser visto mais facilmente se reescrevermos a a c ao correspondente em termos de F : S = 32 2 d3 xdt F F , (B.13)

a qual n ao depende da m etrica (geometria) do espa co-tempo, mas apenas da sua topologia (e da topologia do potencial A = ( , A)). A teoria de campo topol ogica (TCT) descrita acima e v alida para sistemas interagentes e descreve uma resposta magnetoel etrica quantizada chamada de efeito magnetoel etrico topol ogico e e id entica a outra proposta por Wilczek para descrever o Axion [103], por em nesta e um campo din amico. O campo el etrico E e invariante sob Revers ao Temporal e o campo magn etico B muda de sinal sob tal opera c ao; assim S , quebra a simetria de Revers ao Temporal comportando-se como um pseudoescalar. Contudo, para sistemas peri odicos existem dois valores de , dados por = 0 e = que preservam a simetria de Revers ao Temporal, j a que para sistemas todas as quantidades f sicas s ao invariantes por mudan cas de por 2 . A quantiza c ao do par ametro depende apenas da simetria T e da topologia do bulk do material. Tal quantiza c ao e universal e indepedente dos detalhes do material. Como pode assumir apenas dois valores e ele pode ser naturalmente denido como um par ametro de ordem topol ogica. Para sistemas interagentes e dado por [14]: = 2 3
1

du
0

d4 k Tr [G G1 G G1 G G1 G G1 ] , (2 )4 114

(B.14)

onde o momento k = (k1 , k2 , k3 ) e integrado sobre a zona de Brillouin tridimensional e a frequ encia k0 sobre todo o intervalo ( , ). G e a fun c ao de Gren para uma u nica part cula do sistema interagente e u e um par ametro que suaviza essa fun c ao, quando e obtida por redu c ao dimensional de 5 para 4 dimens oes. Se a simetria de Revers ao Temporal e violada o par ametro pode variar continuamente e pode ser adiabaticamente mudado de a 0. Isto e completamente diferente do que ocorre no EHQ onde o coeciente C1 e sempre um inteiro, indepedente de qualquer simetria do sistema. Quando esse e n ao interagente, a fun c ao de Green G deve ser trocada pela fun c ao de Green livre G0 e neste caso a integral (B.14) pode ser avaliada analiticamente [16, 14]. Note que quando S e escrita em termos do potencial vetor ela se anula, pois, E B e uma derivada total de forma que um valor constante de n ao possui efeito algum em eletrodin amica. Contudo em regi oes onde sofrer varia c oes, como na interface entre um isolante topol ogico, = e o v acuo, = 0, existe uma condutividade Hall associada com dada por xy = e2 /2h. A quantidade / e id entica ao invariante 0 discutido anteriormente que caracteriza um isolante topol ogico. Em (3+1) dimens oes o termo topol ogico (B.15) possui o mesmo n umero de derivadas que o termo de Maxwell, assim em uma descri c ao efetiva em baixas energias os dois termos s ao importantes e a teoria topol ogica que descreve o sistema e dada por: S = S0 + S = 1 2 d3 xdt E 2 1 2 B + 2 4 d3 xdtE B . (B.15)

Esta a c ao descreve a resposta eletromagn etica completa de um IT que leva a equa c oes de Maxwell modicadas [103, 16, 14], por em, tal resposta pode ser descrita pelas equa c oes de Maxwell convencionais suplementadas por rela c oes constitutivas modicadas, dadas por: D = 0 E + P 2P3 0 cB , H= 1 B M + 2P3 0 cE , 0 (B.16) (B.17)

sendo P3 = 1/2, o quantum de condut ancia Hall na superf cie do IT. Note que o efeito magnetoel etrico aparece nestas equa c oes, pois existe uma contribui c ao topol ogica para D devido a B e uma para H devido a E .

115

Apesar do termo de Maxwell ser importante na descri c ao efetiva dos IT tridimensionais existem experimentos que podem extrair apenas a contribui c ao topol ogica da a c ao (B.15). A resposta topol ogica do IT tridimensional e dada pela derivada funcional da a c ao (B.15) com respeito ao campo A : j = 1 A , 2 (B.18)

que e a resposta topol ogica de um isolante em (3+1) dimens oes. Essa resposta possui consequ encias f sicas interessantes, algumas discutidas no Cap tulo 2 e anteriormente neste ap endice. Dentre elas destacamos o efeito Hall na supercie de um IT onde varia e = 0. Outra e o efeito magnetoel etrico topol ogico. Um efeito interessante e o chamado efeito Witten que ocorre na presen ca de monopolos magn eticos. As componentes espaciais de (B.18) podem ser escritas na forma: j= t B, 2 (B.19)

assumindo que e espacialmente uniforme e possui uma varia c ao no tempo. Tomando a diverg encia de ambos lados desta equa c ao t em-se: j = t e = t B, 2 (B.20)

sendo e a densidade de carga el etrica. A diverg encia do campo magn etico fornece a densidade de monopolos magn eticos m e a equa c ao acima se integrada no espa co e no tempo fornece: Qe = Qm . 2 (B.21)

e a varia c ao temporal de integrada no tempo e Qm e a carga magn etica. Esta rela c ao foi derivada pela primeira vez em f sica de altas energias na Cromodin amica e agora surge no contexto dos IT [14, 16]. Uma TCT pode ser obtida para se descrever IT bidimensionais, fazendo-se o procedimento de redu c ao dimensional da teoria em (3+1) dimens oes, os detalhes podem ser encontrados nas refer encias [16, 14].

116

Ap endice C Gravita c ao em (2+1) Dimens oes

Neste ap endice e apresentada uma breve revis ao da teoria da gravita c ao de Einstein em espa co-tempo com (2+1) dimens oes (2 dimens oes espaciais e 1 temporal). S ao discutidos aqui alguns aspectos essenciais desta teoria que s ao utilizados nos cap tulos 3 e 4. O objetivo deste ap endice e deixar esta tese mais did atica, uma vez que o assunto abordado aqui n ao faz, na maioria das vezes, parte da forma c ao de um f sico da mat eria condensada, dessa forma este ap endice, junto com os demais torna a leitura desta tese acess vel a qualquer pessoa da area de mat eria condensada, bem como outras a reas como f sica de part culas.

C.1

Equa co es de campo cl assicas

A teoria cl assica da Relatividade Geral (RG) em (2+1)D difere fundamentalmente

da teoria em quatro dimens oes e exibe algumas caracterist sticas n ao usuais que podem ser deduzidas das propriedades das equa c oes de campo de Einstein e do tensor de curvatura de Riemann [119, 120, 144, 145, 146]. Em (2+1) dimens oes as equa c oes de campo de Einstein possuem a mesma forma que em (3+1) D [147, 148], a u nica diferen ca sendo no n umero de compontes do tensor m etrico e do tensor de Riemann. As equa c oes de campo s ao: 8G 1 R g R = 4 T . 2 c (C.1)

117

Os ndices e assumem os valores 0 , 1 e 2. Do lado esquerdo das equa c oes de campo (C.1) aparece a fonte de gravita c ao que e o tensor de energia-momento T . G e a constante de Newton da gravita c ao em (2+1) dimens oes e R = R

o escalar de curvatura. O tensor

de Ricci R = R e obtido do tensor de Riemann R como em (3+1) dimens oes. A diferen ca surge no n umero de componentes indepedentes que em (3+1) dimens oes s ao vinte, enquanto em (2+1) dimens oes s ao apenas seis. J a o tensor de Ricci possui o mesmo n umero de componentes indepedentes que o tensor de Riemann em (2+1) dimens oes e os dois s ao completamente equivalentes sendo relacionados por meio do tensor de Einstein [120, 127]: R = G , 1 G = R g R , 2 onde e o tensor completamente antisim etrico nos tr es ind ces com 0 1 2 = 1. O tensor m etrico g (x) possui dez componenetes em (3+1) dimens oes e seis em (2+1) dimens oes, por em em um espa co-tempo com d dimens oes, as excita c oes de um campo descrito por um tensor sim etrico como g (x) s ao descritas pela parte tranversal com tra co1 d(d 3) [127], nulo das componentes espaciais deste tensor sendo este n umero dado por 2

(C.2)

(n umero de componentes f sicas indepedentes deste tensor). Assim em (3+1) dimens oes g (x) possui duas componentes (ou dois graus de liberdade f sicos) e em (2+1) dimens oes este n umero e zero, ou seja, o campo gravitacional n ao possui din amica neste espa cotempo, isto quer dizer que, n ao existem ondas gravitacionais (ou gr avitons) no mesmo. De fato a for ca entre massas n ao e mediada por ondas gravitacionais classicamente e nem por gr avitons quanticamente. Mas isto n ao quer dizer que n ao h a intera c ao. A intera c ao entre fontes surge do fato que o espa co-tempo e localmente plano onde n ao h a massas, mas possui em larga escala uma estrutura topol ogica n ao-trivial que determina trajet orias n ao triviais para as part culas [126]. Observe que em regi oes onde G = 0 a equa c ao (C.2) implica que: R = 0 . (C.3)

O que mostra que de fato n ao existe um campo de gravita c ao nesta teoria, sendo o espa co118

tempo plano, sem curvatura, onde n ao existe mat eria nem energia, ou seja, onde o tensor de energia-momento T se anula. Curvatura s o existe se o tensor de Ricci n ao e nulo, ou seja se existe a presen ca de mat eria. Contudo, isto n ao signica que uma fonte massiva n ao tem efeitos gravitacionais: um feixe de luz passando por uma massa puntiforme ser a deetido [120, 121, 122, 123] e transporte paralelo em um circuito fechado em torno de uma massa puntiforme geralmente determina resultados n ao triviais [124, 125]. J a, enquanto a curvatura local se anula fora das fontes, h a efeitos globais n ao triviais como veremos posteriormente. Considere uma massa m das localizada na origem do sistema de coordenadas em (2+1) dimens oes. Qual a solu c ao das equa c oes de campo (C.1) na presen ca desta fonte? Este problema e o an alogo da solu c ao de Schwarzschild em (3+1) dimens oes [147, 148], mas existem diferen cas fundamentais entre as duas solu c oes. Para esta congura c ao de massa o tensor de energia-momento possui as componentes [120, 145]: T 00 = m 2 (r ) , T 0i = T ij = 0 , i, j = 1, 2 . (C.4)

Resolvendo-se as equa c oes de campo (C.1), na presen ca desta fonte, leva ao seguinte tensor m etrico, onde a parte espacial da m etrica est a escrita em coordenadas polares (r , ): 1 0 0 g (x) = 0 r 8Gm (C.5) . 0 0 0 r 8Gm

O elemento de linha deste espa co-tempo ca dado por, dx = (dt, dr, rd): ds2 = g (x)dx dx = dt2 r 8Gm (dr 2 + r 2 d2 ).

(C.6)

Como a curvatura deste espa co se anula em todos os pontos, exceto na origem onde a massa se encontra, pode-se fazer uma transforma c ao de coordenadas para coordenadas planas (, ): = r 14Gm , 1 4Gm (C.7) (C.8) (C.9)

= (1 4Gm) = , ds2 = dt2 d2 2 d2 . 119

Embora neste sistema de coordenadas a situa c ao pare ca trivial e preciso ter cuidado, pois a coordenada varia desde 0 at e 2 (1 4Gm). Existe um d ecit de a ngulo no espa co como planas onde g = , por em o pre co a ser pago para isso s ao as condi c oes de contorno n ao triviais sobre a coordenada angular onde, os pontos = 0 e = 2 (1 4Gm) devem ser identicados como sendo o mesmo ponto [119, 120, 144, 145, 146]. Resumindo, uma massa puntiforme m na origem cria um espa co-tempo localmante plano, mas com uma identica c ao global de coordenadas n ao-trivial que revela a presen ca de uma part cula puntiforme massiva [126]. A identica c ao e: (t , r , ) (t , r , + 2 (1 4Gm)) . (C.10)

sempre poss mostrado na gura C.1. E vel transformar a m etrica g (x) para coordenadas

A parte espacial da m etrica e aquela de um cone cujo angulo de abertura ( angulo que a superf cie faz com seu eixo de simetria) depende do valor da massa m sendo dado por: sin = 1 4Gm . (C.11)

Quanto maior a massa m mais pontiagudo e o cone. Outra forma de escrever esta m etrica que ser au til e a seguinte: ds2 = dt2 dr 2 r 2 2 d2 , 0 r < , 0 < 2 , = 1 4Gm . (C.12) (C.13)

Alternativamente, pode-se usar coordenadas embebidas no espa co Euclidiano tridimensional r e que extendem sobre todo o alcance 0 r , 0 2 , e descrevem um cone com a restri c ao z = ( 2 1)(x2 + y 2), sendo o elemento de linha dado por [107]: ds2 = dt2 2 dr 2 r 2 d2 . (C.14)

Embora em gravita c ao planar a situa c ao pare ca trivial como discutido anteriormente, os atributos da fonte de gravita c ao (massa, spin se for o caso) s ao contidos nas propriedades globais das coordenadas planas. Todas as informa c oes residem em condi c oes de contorno n ao triviais que s ao cruciais no estudo do movimento de part culas puntiformes neste espa co-tempo, tanto classicamente, como do ponto de vista qu antico [107, 127]. Em 120

Figura C.1:

Representa c ao geom etrica da parte espacial da me trica criada por uma massa

puntiforme localizada em V . O espa co e plano com um d ecit de angulo e as bordas r identicadas, o que gera um cone.

todo este ap endice estamos considerando que 4Gm 1. Para 4Gm > 1 o espa co muda completamente suas caracter sticas, tornando sua descri c ao complexa e para 4Gm = 1 o espa co torna-se um cilindro [126]. H a outras solu c oes apresentadas na literatura para as equa c oes de campo (C.1) que podem ser encontradas, por exemplo nas refer encias [120, 144, 145, 146]. N ao ser a discutida nenhuma outra solu c ao aqui, pois esta apresentada acima eau nica de interesse para compreender as discuss oes feitas nos cap tulos 3 e 4. Considere agora alguns efeitos que uma massa puntiforme est atica pode produzir no movimento de part culas em um espa co-tempo com m etrica (C.9). Considere uma part cula cl assica se movendo no espa co criado por uma massa puntiforme m est atica, cuja m etrica e dada por (C.6). Para estudar a intera c ao entre estas duas part culas e poss vel utilizar um sistema de coordenadas do centro de massa e as part culas se movem em torno do centro de massa em um potencial efetivo que descreve a intera c ao. O mesmo problema surge sem a redu c ao para o centro de massa, no limite em que a massa de uma das part culas e muito maior que a outra. Dessa forma e suciente considerar o problema de uma part cula teste com uma determinada massa movendo-se no campo produzido por uma part cula est atica na origem [126]. As equa c oes cl assicas de movimento s ao determinadas pela equa c ao da geod esica

121

[147, 148]: x + x = 0 x (C.15)

onde o ponto signica diferencia c ao com respeito a qualquer coordenada am que parametriza o caminho x ( ) [107]. e o chamado s mbolo (ou conex ao) de Christofell que e obtido da m etrica do espa co-tempo g (x) [147, 148]: 1 = g ( g + g g ) 2 (C.16)

Utilizando as coordenadas embebidas (C.14) as u nicas componentes n ao nulas da conex ao s ao:

2 1 2 2 = r ,

2 12 =

1 . r

(C.17)

As equa c oes cl assicas de movimento (C.15) podem ser integradas para determinar a posi c ao da part cula em fun c ao do tempo [107]. A partir destas equa c oes pode se obter o a ngulo de espalhamento da part cula teste [107, 126]: = 1 . (C.18)

O sinal se refere ao lado em que a part cula teste passa pela fonte, direito + ou esquerdo

facil entender este resultado, pois em coordenadas planas n . E ao existe espalhamento,

as trajet orias s ao linhas retas, por em, quando a identica ca o (C.10) e feita as trajet orias devem se curvar determinando o angulo de espalhamento acima. Note que o a ngulo de espalhamento n ao depende da energia nem do par ametro de impacto das part culas, uma vez que o que determina este e a identica c ao (C.10) [107, 126].

C.2

Efeito Aharonov-Bohm gravitacional

A teoria da gravita c ao em (2+1) dimens oes, embora pare ca uma teoria trivial, pois

o espa co-tempo e plano onde T anula-se possui efeitos n ao triviais interessantes. Um destes surge quando se considera o transporte paralelo de um espinor ou de um vetor em um circuito fechado em torno de uma fonte est atica. Este efeito e chamado de efeito AharonovBohm gravitacional [124, 125, 149], pois como no caso eletromagn etico a part cula sente os efeitos da presen ca da fonte (uma massa em gravita c ao ou um uxo de B no caso 122

eletromagn etico) sem se mover na presen ca dos campos de for cas criados por elas. Vamos analisar este efeito no caso gravitacional. Considere um espinor (x) que vive no espa co-tempo gerado por uma massa puntiforme est atica em (2+1) dimens oes. Considere um caminho x parametrizado por , x = x ( ). O transporte paralelo do espinor em e dado em termos do espinor em = 0 por: dx d dU 1 D =0= + = U . D d x d d (C.19)

Sendo a conex ao de spin que e uma matriz 2 2 e U e um elemento de SO (1, 1) que transforma a conex ao de spin de um sistema de coordenadas para outro [124]. A equa c ao (C.19) pode ser integrada fornecendo: a ( ) = Ua b b (0) . (C.20)

Utilizando-se a m etrica (C.12) pode-se calcular a conex ao de spin e a matriz U que fornece o resultado [124]: 1 = ( 1) z d , 2 U = e 2 (1) .
i z

(C.21)

Note que a conex ao tem a propriedade de se anular quando o espa co e plano = 1. Considerando um circuito fechado em torno da oriegm onde a massa m se encontra obt emse para o transporte paralelo do espinor [124, 125]: (2 ) = ei(1) (0) ,
z

(C.22)

(2 ) = [cos( 1) + i z sin( 1) ) (0) . Esta u ltima equa c ao pode tamb em ser escrita na forma:

(C.23)

1 (2 ) 2 (2 )

note que existe uma diferen ca de fase (efeito Aharonov-Bohm gravitacional) entre as duas componentes do espinor ap os o transporte paralelo em torno da massa. Se for um inteiro mpar este efeito se anula 123

exp(i( 1) ) 0

0 exp(i( 1) )

1 (0) 2 (0)

(C.24)

Similarmente as componentes espaciais de um vetor tamb em sentem os efeitos deste transporte paralelo em torno da massa. As equa c oes de transporte paralelo para um vetor [147, 148] podem ser integradas determinando [124, 125]: Vr (2 ) V (2 ) cos 2 r sin 2
1 r0

com as condi c oes iniciais de que quando = 0 t em-se r = r0 . A componente temporal do vetor Vt n ao muda por isso ela foi omitida. Note que no caso de vetores somente se = 1 n ao haver a efeito Aharonov-Bohm gravitacional. Espinores s ao mais sens veis que vetores para detectar tais efeitos em gravita c ao planar. Outra forma de se obter estes resultados que n ao necessita da integra c ao das equa c oes de transporte paralelo e por meio de produtos de caminhos ordenados da conex ao, que denem uma matriz de holonomia que fornece as transforma c oes de espinores e vetores acima [125].

sin 2

r cos2 r0

Vr (0) V (0)

(C.25)

C.3

Equa c ao de Dirac em um cone

Considere a equa c ao de Dirac em (2+1) dimens oes descrevendo um el etron que se

move em um espa co c onico. As autofun c oes e auto-energias desta part cula s ao obtidas da solu c ao da equa c ao de Dirac no cone. Em coordenadas curvas a equa c ao de Dirac torna-se: (i a Ea D mc2 ) (x) = 0 , (C.26)

onde Ea e o dreibein que faz a conex ao entre as coordenadas planas e curvas e D ea derivada covariante que pode ser escrita na forma [107]: 1 D = a a 2 (C.27)

A conex ao de spin e obtida do dreibein Ea e da sua inversa e b . No sistema de coordenadas embebidas (t , r , ) cuja m etrica e dada por (C.14), o dreibein e sua inversa s ao dados por: 1 0 0 1 0 0

Ea

= 0 cos 1 sin r 0 sin 1 cos r

1 1 = 0 cos sin 0 r sin r cos

(C.28)

124

A conex ao de spin e determinada pela rela c ao e a = a bc b e c . A u nica componente diferente de zero da conex ao de spin e: 0 = 1 . Com todas as deni c oes acima a equa c ao de Dirac (C.27) torna-se: i 0 t + r r 1 1 + m 2r r (C.30) (C.29)

onde r = cos 1 + sin 2 , = sin 1 + cos 2 . Todas as escolhas e conven c oes feitas aqui s ao tais que, sempre permitem tomar o limite m 0, obtendo a solu c ao para f ermions sem massa. A invari ancia rotacional da equa c ao de Dirac no cone (C.30) possibilita escolher solu c oes com energia positiva que s ao autofun c oes do momento angular com autovalor (n + 1/2) : (1) 2 E + mc un (r ) 1 1 z + 2 ) iEt/ ei(n+ 2 e . (x) = (2) 2 i E mc un (r )

(C.31)

Assim a equa c ao (C.30) se reduz a um sistema de duas equa c oes diferenciais ordin arias de primeira ordem acopladas, que podem ser resolvidas por meio das fun c oes de Bessel [106]. As solu c oes para E > mc2 (ou E > 0 no caso de massa nula) s ao:
n u(1) n (r ) = (n ) J + (r ) , n+1 u(2) J (r ) . n (r ) = (n )

(C.32) E 2 c2 m2 c4 / e

Aqui, =

n (n

+ (1 )/2 e a ordem das fun c oes de Bessel, =

n = 1 sendo que o mesmo sinal tem que ser escolhido para as duas componentes do espinor. Quando 0 < = 1, para se ter as duas componentes regulares na origem deve-se escolher n = sign(n + (1 )/2) = sign n, (sign 0 1). Observe que as fun c oes de Bessel s ao de ordem fracional, sendo justamente nesse ponto e em que entra a informa c ao sobre a massa que gera o cone. No caso de = 1 esta solu c ao recobre a apresentada no Ap endice A para o espa co plano.

125

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