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C URSO TÉCNICO INTEGRADO DE MECATRÔNICA E LETRÔNICA I TEORIA DOS SEMICONDUTORES Professor Jônatas Roschild
C URSO TÉCNICO INTEGRADO DE MECATRÔNICA
E LETRÔNICA I
TEORIA DOS SEMICONDUTORES
Professor Jônatas Roschild

SUMÁRIO

Objetivos do estudo;

Trabalho de criação P&R (perguntas e respostas)

Histórico

Teoria dos Semicondutores

Estrutura Atômica Materiais Condutores e Isolantes Materiais Semicondutores Correntes nos Semicondutores Dopagem Materiais do Tipo P e do Tipo N Junção PN Polarizações Polarização Direta Polarização Reversa

 Polarização Direta  Polarização Reversa Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.

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O BJETIVOS DO ESTUDO

Conceituar os materiais semicondutores:

Identificar os níveis atômicos Descrever as características dos materiais semicondutores Listar os materiais semicondutores e as suas impurezas Analisar (brevemente) as características físicas e elétricas devido ao processo de dopagem

Explicar e analisar (brevemente) as características físicas e elétricas da junção PN quando:

Não polarizado Polarizado diretamente Polarizado reversamente

 Polarizado diretamente  Polarizado reversamente Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.

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TRABALHO DE CRIAÇÃO P&R

T RABALHO DE CRIAÇÃO P&R 4 Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof. Jônatas Roschild
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H ISTÓRICO

ENIAC 1943 - 17.000 Válvulas 5
ENIAC
1943 - 17.000 Válvulas
5

Antes dos Semicondutores

Válvula
Válvula
- 17.000 Válvulas 5  Antes dos Semicondutores Válvula Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores -

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H ISTÓRICO

O princípio

Transistores

discretos

1° Transistor 1947 6
1° Transistor
1947
6
O princípio Transistores discretos 1° Transistor 1947 6 Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.

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H ISTÓRICO

1° CI (Circuito Integrado) 1958

H ISTÓRICO  1° CI (Circuito Integrado) 1958 7 Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores -
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H ISTÓRICO  1° CI (Circuito Integrado) 1958 7 Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores -

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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

ESTRUTURA ATÔMICA

O átomo é eletricamente neutro A última órbita é chamada de órbita de valência

 A última órbita é chamada de órbita de valência  Um átomo é estável quando

Um átomo é estável quando sua órbita de valência contém 8 elétrons

quando sua órbita de valência contém 8 elétrons Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.

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8
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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

ESTRUTURA ATÔMICA

O átomo tende a se unir para se tornar estável

Ligações eletrovalentes

unir para se tornar estável  Ligações eletrovalentes  Ligações c ovalentes 9 Eletrônica I –

Ligações covalentes

 Ligações eletrovalentes  Ligações c ovalentes 9 Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.
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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

M ATERIAIS CONDUTORES E I SOLANTES

Materiais Condutores (menos que 4 elétrons na camada de valência)

Condutores (menos que 4 elétrons na camada de valência) Cobre 29 Prata 47 O u r

Cobre 29

(menos que 4 elétrons na camada de valência) Cobre 29 Prata 47 O u r o
(menos que 4 elétrons na camada de valência) Cobre 29 Prata 47 O u r o

Prata 47

que 4 elétrons na camada de valência) Cobre 29 Prata 47 O u r o 7

Ouro 79

10
10

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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

M ATERIAIS CONDUTORES E I SOLANTES

Materiais Isolantes (mais que 4 elétrons na camada de valência)

Isolantes (mais que 4 elétrons na camada de valência) Neon 10 11 Eletrônica I – Teoria

Neon 10

(mais que 4 elétrons na camada de valência) Neon 10 11 Eletrônica I – Teoria dos
11
11

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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

M ATERIAIS SEMICONDUTORES

Materiais Semicondutores (4 elétrons na camada de valência, chamados de tetravalentes)

na camada de valência, chamados de tetravalentes ) Material intrínseco = cristal de silício puro 12
na camada de valência, chamados de tetravalentes ) Material intrínseco = cristal de silício puro 12

Material intrínseco = cristal de silício puro

12
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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

CORRENTE NOS SEMICONDUTORES

Todo fluxo eletrônico é energético

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EMICONDUTORES  Todo fluxo eletrônico é energético 13 Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.

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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

CORRENTE NOS SEMICONDUTORES

Par elétron-lacuna:

Cada elétron livre que surge deixa um vazio em seu lugar. A esse vazio damos o nome de lacuna. A lacuna pode ser considerada uma carga positiva. O elétron é uma carga negativa. Num cristal semicondutor, existe uma constante geração de pares elétrons-lacunas e sucessivas recombinações. Ainda assim o cristal semicondutor é eletricamente neutro. Com a aplicação de uma diferença de potencial pode haver circulação de corrente elétrica através dos pares elétrons-

lacunas.

corrente elétrica através dos pares elétrons- lacunas . Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.

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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

DOPAGEM

Através da dopagem se altera as características físicas e elétricas dos cristais semicondutores. A dopagem consiste em substituir átomos tetravalentes por trivalentes e pentavalentes. Esses átomos são denominados impurezas. O semicondutor dopado é denominado impuro (extrínseco). O processo de dopagem aumenta o grau de

condutibilidade do cristal, reduzindo sua resistência

elétrica.

do cristal, reduzindo sua resistência elétrica. Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.

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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

M ATERIAL DO TIPO P

O material semicondutor do Tipo P é dopado através da substituição de átomos de silício por trivalentes

(Boro, Alumínio, Gálio)

de silício por trivalentes (Boro, Alumínio, Gálio) 16 Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.
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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

M ATERIAL DO TIPO P

O número de lacunas é muito maior que de elétrons

Lacunas são portadores majoritários de carga

Elétrons são portadores minoritários de carga

Íons receptores são os átomos de impureza

de carga  Íons receptores são os átomos de impureza 17 Eletrônica I – Teoria dos
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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

M ATERIAL DO TIPO N

O material semicondutor do Tipo N é dopado através da substituição de átomos de silício por

pentavalentes (Fósforo, Antimônio)

de silício por pentavalentes (Fósforo, Antimônio) 18 Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.
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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

M ATERIAL DO TIPO N

O número de elétrons é muito maior que de lacunas

Elétrons são portadores majoritários de carga

Lacunas são portadores minoritários de carga

Íons doadores são os átomos de impureza

de carga  Íons doadores são os átomos de impureza 19 Eletrônica I – Teoria dos
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19

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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

J UNÇÃO PN

Na junção dos materiais acontece o processo de difusão

Difusão é a recombinação do excesso de elétrons na borda do

material do tipo N com o excesso de lacunas na borda do

material do tipo P.

N com o excesso de lacunas na borda do material do tipo P. Eletrônica I –
N com o excesso de lacunas na borda do material do tipo P. Eletrônica I –

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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

J UNÇÃO PN

Na região de depleção não há portadores por causa das recombinações

Nesta região surge um campo elétrico que impede a

passagem de elétrons do lado N para o lado P

Esse impedimento é chamado barreira de potencial

No silício é em torno de 0,6 V a 0,7 V

potencial  No silício é em torno de 0,6 V a 0,7 V 21 Eletrônica I
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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

POLARIZAÇÃO DA J UNÇÃO PN

Polarização Reversa (VD < 0 V)

J UNÇÃO PN  Polarização Reversa (V D < 0 V) O pólo positivo da fonte

O pólo positivo da fonte atrai os elétrons do lado N, gerando mais íons positivos, e o pólo negativo da fonte fornece elétrons para se recombinarem com as lacunas do lado P, gerando mais íon negativos

O excedente de íons aumenta a região de depleção, portanto

aumentando a barreira de

potencial proporcionalmente à tensão reversa da fonte

A junção PN comporta-se como uma elevada resistência, isto é, praticamente como um circuito

aberto

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isto é, praticamente como um circuito aberto 22 Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.

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TEORIA DOS S EMICONDUTORES

POLARIZAÇÃO DA J UNÇÃO PN

Polarização Direta (VD > 0,7 V)

J UNÇÃO PN  Polarização Direta (V D > 0,7 V) A junção PN comporta-se como

A junção PN comporta-se como uma baixa resistência, isto é, praticamente como um curto-circuito

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A aplicação da polarização direta “forçará” os elétrons do material do tipo N e as lacunas do material do tipo P a se recombinarem com os

íons próximos da fronteira, de forma

a diminuir a região de depleção

Com a diminuição da região de depleção começa um fluxo intenso

de elétrons do lado do tipo N em

direção ao pólo positivo da fonte, portanto, de lacunas do lado do tipo P para o pólo negativo da fonte

de lacunas do lado do tipo P para o pólo negativo da fonte Eletrônica I –

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BIBLIOGRAFIA

Algumas figuras são da web, e outras são do livro:

Boylestad, Nashelsky. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

circuitos. Prentice Hall.

Também utilizei seu conteúdo como referência para elaboração desta apresentação.

Além do livro do Boylested também utilizei:

Malvino, Albert Paul. Eletrônica. Vol1, Prentice Hall.

Markus, Otávio. Ensino Modular: Sistemas analógicos circuitos com Diodos e Transistores. Érica.

– circuitos com Diodos e Transistores. Érica. Eletrônica I – Teoria dos Semicondutores - Prof.

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