Projeto 1 Fundamentos de Semicondutores Autor: Marco Antnio Santana de Assuno

Considere os mdulos de potncia da Infineon / Eupec como o BSM30GP60. Estes mdulos possuem um sensor de temperatura, como indicado em seus datasheets. Consideraes: O sensor construdo a partir de uma pea de Si; O semicondutor no degenerado.

a) Descrever o sensor de temperatura includo nos mdulos de potncia: O sensor de temperatura includo nos mdulos de potncia um termistor, tipo de sensor que exibe uma variao no valor de sua resistncia em funo da temperatura qual exposto. O termistor utilizado nos mdulos BSM30GP60 do tipo NTC (Negative Temperature Coefficient), o que significa que a variao da resistncia do dispositivo com a temperatura segue uma curva cujo coeficiente de inclinao negativo, fazendo com que a resistncia do sensor diminua mediante um aumento de temperatura. As principais caractersticas do NTC utilizado so apresentadas na Tabela 1.
Mn. Resistncia nominal Desvio de R100 Potncia dissipada B-value Tc = 25C Tc = 100C, R100 = 493 Tc = 25C

( )

Tp. 5 3375

Max. 5 20 k % mW k

R25 R/R P25

-5 -

Tabela 1 - Valores caractersticos NTC.

A Figura 1, extrada do datasheet do componente, apresenta a caracterstica de operao do NTC para a faixa de operao de 0 a 150C.

Figura 1 - Caracterstica de temperatura do NTC.

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b) Caracterizar a sensibilidade do sensor (dR/dT) presente nos mdulos de potncia na faixa de temperatura especificada: Utilizando o modelo exponencial do NTC, com o valor de B fornecido na folha de dados do componente, possvel derivar a expresso apresentada na Tabela 1, de forma a obter dR/dT.
=

Fixando os valores de R1 (5k), T1 (298,15K) e B (3375K), de acordo com aqueles valores fornecidos no datasheet do componente, possvel derivar a funo acima em funo da temperatura, obtendo-se: )( = [ ( ) ]

c) Indicar dimenses e dopagem para um sensor capaz de substituir o sensor includo nestes mdulos de potncia: Um sensor capaz de substituir aquele includo nos mdulos de potncia deve ser capaz de apresentar uma curva de resistividade versus temperatura semelhante curva do sensor que se prope substituir, dentro da sua faixa de operao. Para o sensor dos mdulos BSM30GP60, a faixa de operao est restrita quela apresentada na Figura 1, ou seja, 0 a 150C. O sensor proposto ser um resistor, cuja resistividade dever variar em funo da temperatura, de forma a se obter uma curva caracterstica semelhante quela apresentada pelo sensor do mdulo. Para a construo do novo sensor, ser utilizada uma pea de silcio intrnseco, para a qual sero definidos grau de dopagem e dimenses. Para todos os clculos desenvolvidos aqui, considera-se que o semicondutor encontra-se no degenerado e que os tomos dopantes esto totalmente ionizados. Alm disso, assume-se que o material esteja em condio de equilbrio. Assim, a resistividade do material pode ser obtida por meio da equao abaixo. = 1[( + ]) Para computarmos o valor de , faz-se necessrio obtermos valores para as termos , , n e p, todos variveis com a temperatura. Em [1] apresentado um algoritmo que nos permite realizar o computo de valores das mobilidades e em funo da temperatura. Contudo, nos resta ainda definir os valores dos portadores minoritrios n e p. Nas condies apresentadas, possvel obtermos os valores dos portadores minoritrios atravs do uso da relao de neutralidade de carga, juntamente com a lei de ao das massas. Para tanto, utilizaremos as relaes abaixo. = 2 + ( 2) + =

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As equaes apresentadas para clculo dos portadores minoritrios apresentam um termo , variante em funo da temperatura. A referncia [1], mais uma vez nos fornece um algoritmo que possibilita o clculo deste parmetro. Desta forma utilizando o algoritmo apresentado no Apndice A deste trabalho, foram plotadas as curvas que podem ser vistas no Grfico 1.

Grfico 1(a) - Resistividade x Temperatura para dopagem com material tipo "D" (vrias concentraes).

Grfico 1(b) - Resistividade x Temperatura para dopagem com material tipo "A" (vrias concentraes).

Analisando os Grficos 1(a) e 1(b), possvel selecionarmos a ordem de grandeza da dopagem a ser empregada. Como pode ser observado, para as diversas concentraes de dopagens testadas, com a

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reduo da temperatura, aparece um ponto de inflexo nas curvas de resistividade. A partir desse ponto, o dispositivo passa a se comportar como um PTC, adquirindo um coeficiente positivo de temperatura. Assim, a fim de evitar um comportamento anormal do dispositivo prximo a seu limite inferior de temperatura, optaremos por uma concentrao de dopagem de 1x1010. Pela mesma razo, optaremos por dopar o silcio com uma substncia tipo A. Agora, deveremos definir as dimenses do dispositivo. Consideraremos que o dispositivo projetado dever ter o mesmo valor de R25 que o NTC do mdulo apresentado, ou seja, dever apresentar uma resistncia de 5k a 25C. Consultando o Grfico 1(b), na dopagem selecionada, obtemos o valor da resistividade do NTC projetado temperatura de 25C. Para essa temperatura, o valor de 4,5x105.cm. Dado que a relao entre resistncia, resistividade, comprimento do dispositivo e sua rea dada pela equao abaixo, utilizamos o valor de resistividade obtida a 25C e estipulamos L (comprimento) = 0,01cm e A (rea) = 1cm2, de forma a se obter R25=5k. O Grfico 2 apresenta a caracterstica de temperatura para o NTC projetado.

Grfico 2 - Caracterstica de temperatura para o NTC projetado.

e) Considerando a sensibilidade como figura de mrito, melhor utilizar dopagem baixa ou alta neste tipo de dispositivo? Como pode ser observado nos Grficos 1(a) e 1(b), a dopagem influencia diretamente na sensibilidade do sensor. Tendo como figura de mrito apenas a sensibilidade, o uso de dopagens mais baixas se justifica, por conferirem ao dispositivo maior sensibilidade.

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f) Quais os limites de temperatura mnimo e mximo de operao do sensor proposto? Conforme mostra o Grfico 3, os limites tericos de operao para o sensor proposto so: 0C (mnimo) e aproximadamente 1700C (mximo), dado que estes seriam os pontos a partir dos quais o sensor passaria a se comportar com um coeficiente positivo de temperatura. Contudo, o limite mximo de operao apenas terico, pois para temperaturas acima de 200C os valores de resistncia assumidos pelo resistor passam a ser muito baixos, podendo prejudicar o processo de interpretao das leituras do sensor. Alm disso, preciso levar em conta que para temperaturas mais elevadas, mesmo no semicondutor dopado, voltariam a predominar as caractersticas intrnsecas do material.

Grfico 3 - Operao do sensor em uma faixa de temperatura estendida.

g) Comparar o sensor proposto com aquele presente nos mdulos de potncia acima citados. O Grfico 4 compara o sensor proposto com o presente nos mdulos de potncia. possvel notar que o sensor original dos mdulos de potncia apresenta melhor resposta s variaes de temperatura, devido sua curva caracterstica mais suave. Alm disso, os limites de operao do sensor original so mais amplos. Acredita-se que as diferenas observadas se devem, principalmente, s diferenas nas metodologias utilizadas na concepo dos dois sensores.

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Grfico 4 - Comparao entre o sensor proposto e o sensor original dos mdulos (resposta temperatura).

Referncias Bibliogrficas [1] Pierret, Robert F., Semiconductor Device Fundamentals. Addison-Wesley Publishing Company, 1996. [2] Notas de aula da disciplina Conversores Estticos Trifsicos de Mdia Tenso. UFMG, 2013.

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APNDICE A
- Cdigo Fonte %Calculo da variao da resistividade do material em funo da temperatura. %Considera-se a variaao da concentrao intrnseca de portadores %em funo da temperatura. %Considera-se apenas a adio de um tipo de dopante por vez. %Adaptao dos algoritmos propostos nos exerccio 2.4(a) e 3.1 de [1]. %Material: Silcio. clear all; %Dopant Concentrations: N1 = 1.0e10; N2 = 1.0e11; N3 = 1.0e12; N4 = 1.0e14; N5 = 1.0e15; %Constants: k = 8.617e-5; A = 2.510e19; Eex = 0.0074; q = 1.6e-19; %Temperature range definition: T = [200:0.5:500]; %Fit Parameters (A300): NDref = 1.3e17; NAref = 2.35e17; unmin = 92; upmin = 54.3; un0 = 1268; up0 = 406.9; an = 0.91; ap = 0.88; %Temperature Exponents (n): n_Nref = 2.4; n_umin = -0.57; n_un0 = -2.33; n_upo = -2.23; n_a = -0.146; %Band Gap x T: EG0 = 1.17; a = 4.730e-4; b = 636; EG = EG0-a.*(T.^2)./(T+b); %Effective mass ratio (mnr = mn*/m0, mpr = mp*/m0): mnr = 1.028 + (6.11e-4).*T - (3.09e-7).*T.^2; mpr = 0.610 + (7.83e-4).*T - (4.46e-7).*T.^2;

%-------------------------------------------------------------------------%Computation of ni:

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ni = A.*((T./300).^(1.5)).*((mnr.*mpr).^(0.75)).*exp(-(EG-Eex)./(2.*k.*T));

%-------------------------------------------------------------------------%Computation of n and p as a function of ni (considering dopant as donor): n1 = ((N1./2) + (((N1./2)^2 + ni.^2).^(1/2)));%for a concentration N1. p1 = (ni.^2)./n1 n2 = ((N2./2) + (((N2./2)^2 + ni.^2).^(1/2)));%for a concentration N2. p2 = (ni.^2)./n2 n3 = ((N3./2) + (((N3./2)^2 + ni.^2).^(1/2)));%for a concentration N3. p3 = (ni.^2)./n3 n4 = ((N4./2) + (((N4./2)^2 + ni.^2).^(1/2)));%for a concentration N4. p4 = (ni.^2)./n4 n5 = ((N5./2) + (((N5./2)^2 + ni.^2).^(1/2)));%for a concentration N5. p5 = (ni.^2)./n5

%-------------------------------------------------------------------------%Mobility Calculation: [aux1,aux2] = size(T); un1 = [1:aux2];%Mobility for a dopant concentration up1 = [1:aux2]; un2 = [1:aux2];%Mobility for a dopant concentration up2 = [1:aux2]; un3 = [1:aux2];%Mobility for a dopant concentration up3 = [1:aux2]; un4 = [1:aux2];%Mobility for a dopant concentration up4 = [1:aux2]; un5 = [1:aux2];%Mobility for a dopant concentration up5 = [1:aux2]; for i = 1:aux2 NDref_i = NDref*((T(i)/300)^n_Nref); NAref_i = NAref*((T(i)/300)^n_Nref); unmin_i = unmin*((T(i)/300)^n_umin); upmin_i = upmin*((T(i)/300)^n_umin); un0_i = un0*((T(i)/300)^n_un0); up0_i = up0*((T(i)/300)^n_upo); ap_i = ap*((T(i)/300)^n_a); an_i = an*((T(i)/300)^n_a); un1(i) = unmin_i + un0_i/(1+(N1/NDref_i)^an_i); up1(i) = upmin_i + up0_i/(1+(N1/NAref_i)^ap_i); un2(i) = unmin_i + un0_i/(1+(N2/NDref_i)^an_i); up2(i) = upmin_i + up0_i/(1+(N2/NAref_i)^ap_i); un3(i) = unmin_i + un0_i/(1+(N3/NDref_i)^an_i); up3(i) = upmin_i + up0_i/(1+(N3/NAref_i)^ap_i); un4(i) = unmin_i + un0_i/(1+(N4/NDref_i)^an_i); up4(i) = upmin_i + up0_i/(1+(N4/NAref_i)^ap_i); un5(i) = unmin_i + un0_i/(1+(N5/NDref_i)^an_i); up5(i) = upmin_i + up0_i/(1+(N5/NAref_i)^ap_i); end

of N1. of N2. of N3. of N4. of N5.

%-------------------------------------------------------------------------%Resistivity calculation: %Computation considering the dopant as a donor: ro_n1 = 1./(q.*((un1.*n1) + (up1.*p1)));%For a dopant concentration of N1. ro_n2 = 1./(q.*((un2.*n2) + (up2.*p2)));%For a dopant concentration of N2. ro_n3 = 1./(q.*((un3.*n3) + (up3.*p3)));%For a dopant concentration of N3.

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ro_n4 = 1./(q.*((un4.*n4) + (up4.*p4)));%For a dopant concentration of N4. ro_n5 = 1./(q.*((un5.*n5) + (up5.*p5)));%For a dopant concentration of N5. %Computation considering the dopant as a acceptor: %(Here the values of n and p are exchanged.) ro_p1 = 1./(q.*((un1.*p1) + (up1.*n1)));%For a dopant ro_p2 = 1./(q.*((un2.*p2) + (up2.*n2)));%For a dopant ro_p3 = 1./(q.*((un3.*p3) + (up3.*n3)));%For a dopant ro_p4 = 1./(q.*((un4.*p4) + (up4.*n4)));%For a dopant ro_p5 = 1./(q.*((un5.*p5) + (up5.*n5)));%For a dopant

concentration concentration concentration concentration concentration

of of of of of

N1. N2. N3. N4. N5.

%-------------------------------------------------------------------------%Plot Results: close; %Convertendo a temperatura para oC: T1 = T-273.15; subplot(2,1,1); semilogy(T1,ro_n1,T1,ro_n2,T1,ro_n3,T1,ro_n4,T1,ro_n5); grid on; axis([0 150 10 1e6]); xlabel('T (oC)'); ylabel('Resistividade (ohm.cm)'); title('Resistividade x Temperatura (Dopagem tipo "D")'); subplot(2,1,2); semilogy(T1,ro_p1,T1,ro_p2,T1,ro_p3,T1,ro_p4,T1,ro_p5); grid; axis([0 150 10 1e6]); xlabel('T (oC)'); ylabel('Resistividade (ohm.cm)'); title('Resistividade x Temperatura (Dopagem tipo "A")'); clear all; clc;