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MEMRIAS










So Paulo
2013
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SUMRIO
1 Introduo.................................................................................................................3
2 RAM...........................................................................................................................4
2.1 SRAM.........................................................................................................................4
2.2 DRAM.........................................................................................................................4
2.2.1 FPM ...........................................................................................................................5
2.2.2 EDO............................................................................................................................5
2.2.3 BEDO.........................................................................................................................5
2.2.4 SDRAM......................................................................................................................5
2.2.5 RDRAM......................................................................................................................5
2.2.6 DDR/ DDR 2/ DDR 3..................................................................................................6
2.3 ROM...........................................................................................................................6
2.3.1 PROM.........................................................................................................................6
2.3.2 EPROM......................................................................................................................7
2.3.3 EEPROM....................................................................................................................7
2.3.4 FLASH MEMORY .....................................................................................................7
3.0 Referncias bibliogrficas.......................................................................................8







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1.0 INTRODUO
O objetivo deste trabalho apresentar as caractersticas principais que as
memrias atualmente possuem, buscando de uma maneira clara diferenci-las por
cada especificao e promover uma melhor interpretao do papel de cada
memria.





























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2.0 RAM (Random Acess Memory ou Memria de Acesso Aleatrio)
Memria RAM so tipos de memrias que armazenam dados e informaes que esto sendo
executadas em tempo de processamento, e ao serem desligadas perdem suas informaes, pois este tipo
de memria funciona a partir de pulsos eltricos. Quando usadas apenas para leitura, essa memria se
torna do tipo ROM, que so no volteis.
As memrias RAM tm caractersticas de leitura-escrita e por perderem seus dados na falta de energia, so
chamadas de volteis. Tanto a leitura e a escrita so feitas por meio de sinais eltricos. So apagveis e o
tempo de acesso est entre 50 e 80ns aproximadamente.
2.1 SRAM (Memria de acesso esttico)
A RAM ESTTICA ou SRAM um tipo de diviso tecnolgica da memria RAM, na qual ela
armazena dados enquanto houver energia sem a necessidade de os bits serem sempre atualizados. So
usadas para escrita e leitura.
Geralmente so utilizadas como memrias cache, por serem mais rpidas que as DRAM.
Pelo fato de perderem os dados na falta de energia, so memrias volteis. A capacidade de
armazenamento pequena e o preo dessas memrias elevado.
Quanto as caractersticas tm-se um tempo de acesso entre 5 e 20ns e uma
temporariedade transitrio. O processo de gravao dado por meio de configuraes das portas lgicas
de um flip-flop tradicional. So apagveis e essa operao feita eletricamente em nvel de byte.
2.2 DRAM (Memria de acesso dinmico)
um tipo de memria RAM de acesso direto. Pelo fato de a composio da DRAM ser feita
por clulas que armazenam dados como carga em capacitores e a ausncia e a presena de carga define
de o bit nvel lgico um ou zero, necessrio periodicamente atualizar os bits dessa memria, pois
sempre h a descarga.
So consideradas dinmicas por essa constante perda de carga armazenada mesmo com
alimentao eltrica contnua. Possui baixo custo e capacidade de armazenamento maior que a SRAM,
porm so mais lentas. Em relao s caractersticas desse tipo de memria temos um tempo de acesso
entre 50 e 80ns aproximadamente e sua temporariedade transitrio. uma memria voltil e apagvel,
usada tanto pra leitura quanto pra escrita.
Quanto ao processo de gravao, um sinal aplicado linha de bit, um sinal ento
aplicado linha do endereo, fazendo com que a carga seja transmitida para o capacitor.
A seguir alguns tipos de tecnologia de memrias DRAM.

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2.2.1 FPM RAM (FAST PAGE MODE RAM)
Tipo de memria assncrona e foi forma original da DRAM. Ela espera em todo o
processo de localizao de um bit de dados por linha e coluna e ento l o bit antes do incio do bit
seguinte. A taxa de transferncia mxima para o cache L2 de aproximadamente 176 MBps. Essas
memrias so encontradas com velocidades de acesso de 80, 70 e 60 ns, sendo as de 70 ns as mais
comuns.
2.2.2 EDO RAM (EXTENDED DATA OUTPUT RAM)
Essa memria, assncrona, no espera por todo o processamento do primeiro bit
antes de prosseguir para o prximo bit. Assim que o endereo do primeiro bit encontrado, a EDO DRAM
comea a procurar o prximo bit. Essa memria cinco por cento mais rpidas que a FPM. A taxa de
transferncia mxima para o cache L2 de aproximadamente 264 MBps. Apesar de j ultrapassado, este
tipo de memria ainda muito usado atualmente, sendo fabricado em velocidades de 70, 60 e 50 nanos,
com predominncia dos mdulos de 60 nanos. As memrias EDO so encontradas em mdulos de 72 vias.
2.2.3 BEDO RAM (BURST EXTENDED DATA OUTPUT RAM)
E um tipo de memria EDO melhorada, porm foi ofuscada pelo lanamento da
SDRAM. Sua principal caracterstica est no fato dessa memria ser mais rpida que a memria FPM e
EDO RAM, usando uma configurao na qual o primeiro dado pode demorar alguns pulsos de clocks,
porm os outros dados tero apenas 1 pulso. O Tempo de acesso dessa memria comum entre 80ns.
2.2.4 SDRAM (RAM DINMICA SNCRONA)
A DRAM Sncrona, diferente da DRAM tradicional troca dados com o processador
sincronizado com um sinal de clock externo e processando na velocidade do barramento do processador,
sem imposio de estados de espera, ou seja, a DRAM com acesso sncrono move dados para dentro e
para fora sob o controle do clock do sistema. Porm o primeiro acesso do ciclo to lento quanto a FPM e
EDO, uma vez que s a partir do segundo acesso que a memria comea a trabalhar com1 ciclo por
segundo. O registrador de modo e a lgica de controle associada outro recurso fundamental na diferena
entre DRAM tradicional, pois ele oferece um mecanismo para personalizar a SDRAM s necessidades
especficas do sistema. Atualmente pode ser encontrada no mercado essa memria com tempo de acesso
entre 15 e 18ns, com uma frequncia de clock em torno de 166 MHz e taxa de transferncia de 1,3GB/s.
2.2.5 RDRAM (RAMBUS DRAM)
Principal concorrente da SDRAM, a RDRAM possui chips encapsulados
verticalmente que podem ser endereados pelo barramento do sistema at 320 chips a uma taxa de
transferncia de 1,6 GB/s.
O barramento RDRAM oferece informaes de endereos e controle usando um
protocola assncrono, orientado a bloco. Ao invs de ser controlada por alguns sinais usados geralmente na
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memria DRAM, a RDRAM recebe uma solicitao de memria pelo barramento, onde a mesma contm o
endereo desejado, o tipo de operao e o nmero de bits presentes na operao.
Quanto s caractersticas tcnicas, temos uma frequncia de clock em torno de 600
MHz, uma taxa de transferncia de 4,8 GB/s e um tempo de acesso em torno de 12ns.
2.2.6 DDR/ DDR 2/ DDR 3
Como a SDRAM era limitada pelo fato de poder enviar dados ao processador uma
vez por ciclo de clock de barramento, foi criada a Double Data Rate SDRAM, com o objetivo de enviar
dados duas vezes por ciclo de clock do barramento. Isso acontece uma vez na transio de subida do pulso
de clock e uma vez na descida. Teoricamente a DDR pode transferir dados a uma taxa de clock de 200 a
600 MHz. Existem duas tecnologias de melhoria da DDR. A primeira dela, DDR 2, que traz consigo um
aumento na taxa de transferncia de dados aumentando a frequncia operacional do chip de RAM e
aumentando o buffer de pr busca de 2 bits para 4 bits. Geralmente um mdulo DDR2 trabalha com uma
taxa de transferncia de dados entre 400 e 1066 MHz. Por fim a DDR 3 foi introduzida em 2007 e como
tecnologia implementada o tamanho do buffer de pr busca vai para 8 bits e transfere a uma taxa de clock
de 800 a 1600 MHz.
2.3 ROM
A memria ROM (Read only memory) uma memria no voltil, que permite o acesso de
uma mquina apenas para a leitura de informaes, no possvel realizar gravaes ou apagar dados
nela, a no ser por processos especiais feitos por fabricantes e etc. Computadores pessoais geralmente
vm com uma memria ROM, que seria onde se localiza o software base do computador, a BIOS. A
memria ROM possui um tipo de acesso aleatrio. As ROM so mais lentas que as memrias RAM tendo
um tempo de acesso de aproximadamente 150 NS enquanto uma memria de tipo SDRAM tem um tempo
de acesso de cerca de 10 NS.
Existem outros tipos de memria ROM, porm todas elas compartilham duas
caractersticas: os dados armazenados nelas no so volteis e so imutveis ou requerem uma operao
especial para ser alterado.
2.3.1 PROM
A memria PROM (Memria ROM Programvel), tambm uma memria no
voltil, sendo uma varivel da memria ROM, nela possvel gravar uma informao, porm no possvel
remover ou alter-la, a gravao permanente. A informao nela gravada no deletada nem pelo
usurio nem pela mquina. O princpio de programao ou armazenamento de dados em uma PROM o
de destruir, com o uso de nveis de tenso, as ligaes semicondutoras existentes internamente nas
localidades onde se pretende armazenar o dado. importante saber que aps a programao a PROM
torna-se uma ROM.
Elas so utilizadas para guardarem programas ou informaes permanentemente,
geralmente atuando em consoles de videogames, celulares, dispositivos automotivos, dispositivos mdicos
implantveis e etc.

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2.3.2 EPROM
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) podem ser regravados vrias
vezes. Para apagar uma EPROM necessrio um dispositivo que emite certa frequncia de luz ultravioleta.
Em um circuito EPROM cada interseco entre linhas e colunas possui dois transistores, separados por
uma fina camada de xido, um chamado de porta flutuante e o outro de porta de controle. Para mudar o
valor da clula usamos um processo chamado tunelamento de Fowler-Nordheim, que altera a disposio
dos eltrons na porta flutuante. Essa tenso provoca o transistor de porta flutuante a agir como um canho
eletrnico. Os eltrons excitados so empurrados por meio do canho eletrnico e ficam presos no outro
lado da fina camada de xido, dando-lhe uma carga negativa. Esses eltrons carregados negativamente
atuam como uma barreira entre a porta de controle e a porta flutuante, o sensor de clula monitora o nvel
de carga que passa pela porta flutuante. Se o fluxo pela porta maior do que 50% da carga, ele ter o valor
1. Quando a carga que passa cai abaixo do limite dos 50%, o valor muda para 0.
2.3.3 EEPROM
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memoryi) so memrias
que podem ser alterada com apenas corrente eltrica, podemos fazer retornar ao normal os eltrons da
clula de uma EEPROM com aplicao localizada de um campo eltrico em cada clula os chips. Assim
obtemos algumas vantagens, como: no preciso remover os chips para serem regravados, no tem de ser
completamente apagados para se mudar uma parte especfica dele e alterar seu contedo no requer
qualquer outro equipamento adicional.
Nas EEPROMS os bytes so alterados um por vez, tornando-a uma memria verstil, porm muito lentas.
2.3.4 Memria Flash
Memria Flash uma EEPROM melhorada. Ela faz uso de uma fiao interna que
permite os que blocos de bytes sejam alterados de uma s vez. Assim melhorando a limitao da EEPROM,
tornando a memria flash muito mais rpida que uma EEPROM convencional.







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3.0 Referncias bibliogrficas
ARTIGO Memrias de computador. Disponvel em:
<http://www.qsl.net/py2ha/informatica/memorias/tipos.htm>. Acesso em: 30 Abr., 2013.
ARTIGO Read Only Memory: What are the types of ROM. Disponvel em: <
http://ecomputernotes.com/fundamental/input-output-and-memory/explain-read-only-
memory-what-are-the-types-of-rom> Acesso em: 04 Maio, 2013.
ARTIGO Webopedia: ROM. Disponvel em:
<http://www.webopedia.com/TERM/R/ROM.html> Acesso em: 04 Maio, 2013.
Csar, C.; Viana, C.O.; Frana, D.; Cardoso, D.N.; Lara, F.A. Memrias: Sistemas
Digitais. Disponvel em:< http://www.slideshare.net/DeniseLemos1/tipos-de-memrias-
7409745>. Acesso em: 30 Abr., 2013.
Mano, R. Organizao de Computador: Comunicao entre memria principal e UCP.
Curso tecnolgico de processamento de dados PUC-RIO, Rio de Janeiro, Mar. 1998.
Disponvel em: <http://wwwusers.rdc.puc-rio.br/rmano/comp9am.html/>. Acesso em: 30
Abr., 2013.
Stallings, W. Arquitetura e organizao de computadores. 8 Edio. So Paulo: Pearson
Pratice Hall, 2010. 624p.