UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR

DEPARTAMENTO DE FSICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

ESTUDO DOS EFEITOS DA ADIO DE

CHUMBO E BISMUTO NAS PROPRIEDADES
DIELTRICAS DA MATRIZ CERMICA
BiNbO4 E SUAS APLICAES EM RDIO
FREQUNCIA E ANTENAS

Autor: Jos Silva de Almeida

Orientador: Dr. Antnio Srgio Bezerra Sombra

Fortaleza, 18 de abril de 2011

UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR

DEPARTAMENTO DE FSICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO DE FSICA

ESTUDO DOS EFEITOS DA ADIO DE CHUMBO E BISMUTO NAS

PROPRIEDADES DIELTRICAS DA MATRIZ CERMICA BiNbO4 E SUAS
APLICAES EM RDIO FREQUNCIA E ANTENAS

Tese submetida Coordenao do Curso

de Ps-Graduao em Fsica da
Universidade Federal do Cear, como
requisito parcial para a obteno do grau
de Doutor em Fsica.

Autor: Jos Silva de Almeida

Orientador: Prof. Dr. Antnio Srgio Bezerra Sombra

Fortaleza, 18 de abril de 2011

A448e

Almeida, Jos Silva

Estudo dos Efeitos da Adio de Chumbo e Bismuto nas Propriedades
Dieltricas da Matriz Cermica BiNbO4 e suas Aplicaes em Rdio Frequncia
e Antenas / Jos Silva de Almeida, -- Fortaleza, 2011
132 f.: Il. ; enc
Orientador: Antnio Srgio Bezerra Sombra
Tese (Doutorado) Universidade Federal do Cear, Fortaleza, 2011
1. Fsica do Estado Slido. 2. Ressoadores Dieltricos. 3. Antenas.
I. Ttulo.
CDD 530.41

Dedicatria

Aos meus Pais

H pessoas que desejam saber s por saber, e isso curiosidade; outras, para
alcanarem fama, e isso vaidade; outras, para enriquecerem com sua cincia, e
isso um negcio torpe; outras para serem edificadas, e isso prudncia; outras,
para edificarem os outros, e isso amor! (So Toms de Aquino)

ii

Agradecimentos
Agradeo ao Departamento de Fsica da Universidade Federal do Cear,
pela oportunidade de realizar o doutorado nesta instituio e ao professor Dr.
Antnio Srgio Bezerra Sombra, pela orientao, incentivo e dedicao ao
desenvolvimento deste trabalho. Sou grato, de forma muito especial, aos
professores: Dr. Josu Mendes Filho e Dr. Paulo de Tarso Cavalcante Freire pelo
incentivo e apoio. Agradeo a todos os colegas do grupo de pesquisa LOCEM,
aos professores do curso de ps-graduao em Fsica, pela formao e incentivo
e a todos os servidores do Departamento de Fsica, em particular os funcionrios
da oficina mecnica, pela disponibilidade. Agradeo ao laboratrio de difrao de
raios-x, na pessoa do professor Dr. Jos Marcos Sasaki, pela disponibilidade de
realizao de dezenas de medidas. Sou grato aos colegas: Marcelo, Tatiana,
Roberval e Sara Rocha pelas contribuies ao longo deste trabalho e aos colegas
e professores do LOCEM pela amizade e companheirismo. Agradeo a todos os
colegas do curso de ps-graduao em Fsica da UFC (em especial: Apiano, Ana
Tereza, Bruno e Sara Honorato) e a todos aqueles que contriburam de forma
direta ou indireta para o desenvolvimento deste trabalho. Especiais
agradecimentos aos financiadores dos projetos do grupo de pesquisa LOCEM:
CNPq, CAPES, FUNCAP, Celstica do Brasil - LTDA, Air Force Office of Scientific
Research - AFOSR/USA e ORBISAT.

Fortaleza, Cear
18 de Abril de 2011

Jos Silva

iii

ndice
Resumo ............................................................................................................ vi
Abstract............................................................................................................ vii
Lista de Figuras.............................................................................................. viii
Lista de Tabelas.............................................................................................. xi
Lista de Siglas................................................................................................. xii
Motivao......................................................................................................... 1
Objetivos........................................................................................................... 2
1 Introduo ................................................................................................. 3
1.1 Eletrocermicas........................................................................................ 3
1.2 Ressoadores Dieltricos .......................................................................... 5
1.3 Cermicas de Niobato de Bismuto (BiNbO4)............................................ 6
Referncias ....................................................................................................... 9
2 Mtodos Experimentais ........................................................................... 13
2.1 Difrao de Raios X e Mtodo Rietveld .................................................. 13
2.2 Permissividade e Relaxao Dieltrica ................................................... 14
2.2.1 Condutividade Eltrica em Slidos ...................................................... 16
2.2.1.1 Conduo Inica ............................................................................... 18
2.2.1.2 Conduo Eletrnica ......................................................................... 20
2.2.2 Tempo de Relaxao Dieltrica ........................................................... 21
2.2.3 Espectroscopia de Mdulo eltrico ...................................................... 23
2.2.4 Coeficiente de Temperatura da Capacitncia ...................................... 23
2.3 Antenas Ressoadoras Dieltricas (ARD) ................................................ 25
2.3.1 Campos com ARD Cilndrica ............................................................... 29
2.4 Caracterizao Eltrica em Microondas ................................................. 31
2.5 Simulao Numrica ............................................................................... 34
2.5.1 Carta de Smith e Coeficiente de Reflexo ........................................... 34
2.5.2 Potncia de Radiao .......................................................................... 37
2.6 Microscopia Eletrnica de Varredura ...................................................... 39
Referncias ...................................................................................................... 41
3 Procedimento Experimental ................................................................... 46
iv

3.1 Sntese do BiNbO4 .................................................................................. 46

3.2 Difrao de Raios X ................................................................................ 47
3.3 Medidas das Propriedades Dieltricas ................................................... 47
3.4 Microscopia Eletrnica de Varredura ...................................................... 49
3.5 Medidas Dieltricas em Microondas ....................................................... 49
3.5.1 Preparao dos Ressoadores Dieltricos ............................................ 49
3.5.2 Mtodo Hakki e Coleman ..................................................................... 49
3.6 Configurao Experimental de uma ARD ............................................... 50
3.7 Simulao Numrica de uma ARD ......................................................... 50
Referncias ...................................................................................................... 52
4 Resultados e Discusses ........................................................................ 54
4.1 Anlise dos diagramas DRX e Densidade do BNO ................................ 54
4.2 Refinamento pelo Mtodo Rietvelt .......................................................... 56
4.3 Medidas Dieltricas Temperatura Ambiente ........................................ 58
4.4 Medidas Dieltricas em Funo da Temperatura ................................... 60
4.4.1 Distribuio do Tempo de Relaxao .................................................. 63
4.4.2 Mdulo Eltrico e Coeficiente de Temperatura da Capacitncia ......... 66
4.5 Microscopia Eletrnica de Varredura ...................................................... 78
4.6 Caracterizao Eltrica em Microondas ................................................. 83
4.7 Antenas Ressoadoras Dieltricas ........................................................... 86
4.8 Caractersticas de Radiao das ARD monopolo ................................... 96
Referncias .................................................................................................... 104
Concluses ................................................................................................... 106
Perspectivas Futuras ................................................................................... 107
Apndice ....................................................................................................... 108
A Artigos publicados em revistas internacionais ......................................... 108
B Trabalhos apresentados em Congressos ................................................ 109
C Participao em eventos ......................................................................... 112
Anexos .......................................................................................................... 113

Resumo
Neste trabalho, as propriedades estruturais e dieltricas da fase triclnica () de
BiNbO4 com adio de xidos (BNO:Y, Y=0,3,5,10% em peso de PbO, Bi2O3) foram
investigadas em funo da frequncia e da temperatura para uso em ressoadores
dieltricos e aplicaes em dispositivos de rdio frequncia e microondas. Nosso
interesse foi obter dieltricos cermicos com uma permissividade dieltrica alta
combinada com baixas perdas dieltricas e estabilidade trmica. Nas medidas realizadas
em temperatura ambiente de 25C obtivemos um alto valor da permissividade dieltrica
(r = 78,44) com o BNO5Pb (5% de PbO) em 100kHz e um baixo valor da tangente de
perda (tan = 2,19 x 10-4) com o BNO3Pb (3% de PbO) em 33,69MHz. Com variao de
temperatura e uma frequncia fixa de 100kHz, obtivemos um alto valor da permissividade
dieltrica com r =76,4 a 200C com o BNO5Pb e um baixo valor de perda dieltrica a
80C com o BNO3Bi (3% de Bi2O3), com valor de tg = 5,4 x 10-3. A medida do
coeficiente de temperatura da capacitncia (TCC) mostrou que a estabilidade trmica
capacitiva pode ser alcanada, em 1MHz com o aumento do nvel de adio de Bi ou Pb
at obtermos o TCC=0 ppm/oC. Para o BNO obtivemos um TCC=-55,06 ppm/oC que
dopado com 3% de Bi passou para TCC=+86,74 ppm/oC e dopado com 3% de Pb passou
para TCC=+208,87 ppm/oC. As medidas na faixa de microondas de 4-6 GHz foram
obtidas utilizando-se o mtodo Hakki-Coleman. Com o BNO sinterizado a 1025C por 3h,
obtivemos um produto do fator de qualidade pela frequncia de ressonncia (Qxf) igual a
1470,75 GHz e uma permissividade dieltrica ( r ) igual a 31,38. Neste estudo obtivemos
uma cermica BNO til para o desenvolvimento de capacitores cermicos, aplicaes em
dispositivos de rdio frequncia, dispositivos de microondas e desenvolvimento de
ressoadores dieltricos.

Palavras chaves: Capacitores, Rdio frequncia, Microondas, Dieltricos.

vi

Abstract
In this work, the structural and dielectric properties of triclinic phase () BiNbO4 with
oxide additions (BNO:Y, Y=0,3,5,10 wt.% of PbO, Bi2O3) were investigated as a function
of the frequency and temperature for use as dielectric resonators and applications in RF
and microwaves devices. Our interest is to obtain dielectric ceramics with a high dielectric
permittivity combined with low dielectric losses and thermal stability. In the measurements
accomplished at room temperature (25C) we obtained a high value of dielectric
permittivity for BNO5Pb (5% of PbO) with value of r = 78.44 at 100kHz and a low value
of loss tangent for BNO3Pb (3wt.% of PbO) with tan = 2.19 x 10-4 at 33,69MHz. For the
temperature varying and a fixed frequency of 100 kHz, we obtained a high value of
dielectric permittivity to r =76.4 at 200C with BNO5Pb and a low value of dielectric loss
at 80C to BNO3Bi (3wt.% of Bi2O3) with a value of tan = 5.4 x 10-3. The measurements
temperature coefficient of capacitance (TCC) showed that the thermal capacitive stability
can be reached, at 1MHz by increasing the addition level of Bi or Pb up to TCC=0ppm/C.
With BNO we have obtained a TCC=-55.06 ppm/C that doped with 3% of Bi moved up
for TCC=+86.74 ppm/C and doped with 3% of Pb it passed to TCC=+208.87 ppm/C.
The measurements in the microwave range of 4-6 GHz were obtained using the HakkiColeman method. For the BNO, sintering at 1025C for 3h, we obtained a product of
quality factor for the resonance frequency (Qxf ) equal to 1470.75 GHz and a dielectric
permittivity (r ) equal to 31.38. In this study we obtained a ceramic BNO useful for the
development of ceramic capacitors, radio-frequency device, microwave devices and
dielectric resonator developments.

Key words: Capacitors. Radio-frequency. Microwaves. Dielectric.

vii

Lista de Figuras
Fig. 2.1 Ilustrao esquemtica da blindagem de ons...................................... 18
Fig. 2.2 Ilustrao esquemtica da barreira de energia potencial. .................... 19
Fig. 2.3 Diferentes geometrias para os RD........................................................ 28
Fig. 2.4 Desenho das configuraes de campo da ARD cilndrica .................... 31
Fig. 2.5 Configurao de um RD entre as placas condutoras paralelas.............32
Fig. 2.6 Medida experimental de um ressoador padro .................................... 33
Fig. 2.7 Resistncias e Reatncias na carta de Smith........................................35
Fig. 2.8 Coordenadas convencionais de uma antena.........................................37
Fig. 3.1 Geometria da ARD cilndrica ................................................................ 51
Fig. 4.1 Diagrama de difrao de Raios-X do BNO calcinado ........................... 55
Fig. 4.2 Diagrama de difrao de Raios-X do BNO sinterizado..........................56
Fig. 4.3 Refinamento atravs mtodo Rietveld do BNO calcinado .................... 57
Fig. 4.4 Permissividade dieltrica em funo da frequncia para BNO............. 58
Fig. 4.5 Tangente de perda em funo da frequncia para BNO ...................... 59
Fig. 4.6 Permissividade dieltrica e tangente de perda com temperatura.. ....... 61
Fig. 4.7 Dados experimentais da constante dieltrica e tangente de perda ...... 62
Fig. 4.8 Tempo de relaxao do BNO; BNO3Pb; BNO5Pb e BNO10Pb............ 66
Fig. 4.9 Mdulo real em funo da frequncia para o BNO .............................. 67
Fig. 4.10 Mdulo imaginrio em funo da frequncia para o BNO ................. 68
Fig. 4.11 Grfico Cole-Cole na regio de relaxao do BNO ........................... 68
Fig. 4.12 Mdulo real em funo da frequncia do BNO3Pb............................. 69
Fig. 4.13 Mdulo Imaginrio em funo da frequncia do BNO3Pb.................. 69
Fig. 4.14 Grfico Cole-Cole na regio de relaxao do BNO3Pb...................... 70
Fig. 4.15 Mdulo real em funo da frequncia do BNO5Pb............................. 70
Fig. 4.16 Mdulo Imaginrio em funo da frequncia do BNO5Pb.................. 71
viii

Fig. 4.17 Grfico Cole-Cole na regio de relaxao do BNO5Pb...................... 71

Fig. 4.18 Mdulo real em funo da frequncia do BNO10Pb........................... 72
Fig. 4.19 Mdulo Imaginrio em funo da frequncia do BNO10Pb................ 72
Fig. 4.20 Grfico Cole-Cole na regio de relaxao do BNO10Pb.................... 73
Fig. 4.21 Energia de ativao do processo de relaxao do BNO..................... 76
Fig. 4.22 Energia de ativao do processo de relaxao do BNO3Bi................76
Fig. 4.23 Energia de ativao do processo de relaxao do BNO3Pb ............. .77
Fig. 4.24 Energia de ativao do processo de relaxao do BNO5Pb .............. 77
Fig. 4.25 Energia de ativao do processo de relaxao do BNO10Pb ............ 78
Fig. 4.26 Micrografias MEV da amostra BNO.....................................................79
Fig. 4.27 Micrografias MEV da amostra BNO10Bi............................................. 80
Fig. 4.28 Micrografias MEV da amostra BNO3Pb ............................................. 81
Fig. 4.29 Micrografias MEV da amostra BNO10Pb ........................................... 82
Fig. 4.30 Permissividade dieltrica do BNO na faixa de microondas ................ 85
Fig. 4.31 Tangente de Perda do BNO na faixa de microondas ......................... 85
Fig. 4.32 Perda de retorno para as ARD originrias do BNO ............................ 86
Fig. 4.33 Perda de retorno simulada e experimental do BNO ........................... 89
Fig. 4.34 Perda de retorno simulada e experimental do BNO5Bi ...................... 89
Fig. 4.35 Perda de retorno simulada e experimental do BNO10Bi. ................... 90
Fig. 4.36 Perda de retorno simulada e experimental do BNO5Pb ..................... 90
Fig. 4.37 Perda de retorno simulada e experimental do BNO10Pb ................... 91
Fig. 4.38 Impedncia real dos ressoadores dieltricos...................................... 93
Fig. 4.39 Impedncia imaginria dos ressoadores dieltricos ........................... 93
Fig. 4.40 Carta de Smith do BNO ...................................................................... 94
Fig. 4.41 Carta de Smith do BNO5Bi ................................................................. 94
Fig. 4.42 Carta de Smith do BNO10Bi ............................................................... 95

ix

Fig. 4.43 Carta de Smith do BNO5Pb................................................................ 95

Fig. 4.44 Carta de Smith do BNO10Pb.............................................................. 96
Fig. 4.45 Diagrama de radiao do BNO........................................................... 97
Fig. 4.46 Diagrama de radiao do BNO5Bi...................................................... 98
Fig. 4.47 Diagrama de radiao do BNO10Bi.................................................... 98
Fig. 4.48 Diagrama de radiao do BNO5Pb .................................................... 99
Fig. 4.49 Diagrama de radiao do BNO10Pb .................................................. 99
Fig. 4.50 Ganho total da ARD monopolo BNO.... ............................................ 101
Fig. 4.51 Ganho total da ARD monopolo BNO5Bi.... ....................................... 101
Fig. 4.52 Ganho total da ARD monopolo BNO10Bi.... ..................................... 102
Fig. 4.53 Ganho total da ARD monopolo BNO5Pb.......................................... 102
Fig. 4.54 Ganho total da ARD monopolo BNO10Pb........................................ 103

Lista de Tabelas
Tab. 4.1 - Identificao das amostras BNO e densidades........................................ 55
Tab. 4.2 - Parmetros estruturais do BNO................................................................ 57
Tab. 4.3 Propriedades dieltricas das cermicas BNO.......................................... 60
Tab. 4.4 Perda e permissividade dieltrica relativa com temperatura.................... 63
Tab. 4.5 Mdulo e tempo de relaxao mdio (c-c) para o BNO........................... 64
Tab. 4.6 Mdulo e tempo de relaxao mdio (c-c) para o BNO3Pb..................... 65
Tab. 4.7 Mdulo e tempo de relaxao mdio (c-c) para o BNO5Pb..................... 65
Tab. 4.8 Mdulo e tempo de relaxao mdio (c-c) para o BNO10Pb................... 65
Tab. 4.9 Valores de TCC em funo da frequncia............................................... 74
Tab. 4.10 Condutividade variando com temperatura............................................. 75
Tab. 4.11 Medidas em microondas das amostras BNO......................................... 84
Tab. 4.12 Medidas em microondas com diferena de temperatura....................... 84
Tab. 4.13 Frequncia de ressonncia e Largura de Banda................................... 87
Tab. 4.14 Perda de retorno das antenas ............................................................... 88
Tab. 4.15 Parmetros utilizados na simulao...................................................... 88
Tab. 4.16 Caractersticas da linha de transmisso................................................ 92
Tab. 4.17 Ganho, diretividade e eficincia de radiao....................................... 100

xi

Lista de Siglas
UFC Universidade Federal do Cear
MEV Microscopia Eletrnica de Varredura
TCC Temperature Coefficient of Capacitance (Coeficiente de Temperatura da
Capacitncia)
BNO Niobato de Bismuto
DRX Difrao de Raios X
RF Rdio Frequncia
ARD (Antena Ressoadora Dieltrica)
TE Transversal Eltrico
TM Transversal Magntico
EDX Energia Dispersiva de raios-X
HF High Frequency (Frequncia Elevada)
HFSS High Frequency Structure Simulator (Simulador de Estrutura de Alta
Frequncia)
UHF Ultra High Frequency (Frequncia Ultra-Elevada)

xii

Captulo I

Motivao
Neste trabalho, fomos motivados a utilizar o niobato de bismuto (BiNbO4)
como material cermico dieltrico por causa de sua alta permissividade dieltrica
e sua baixa perda. O uso deste tipo de material cermico proporciona uma
reduo no tamanho das antenas e uma boa integrao com circuitos de
microondas. Alm disso, as cermicas de niobato de bismuto possuem baixo
peso, ocupam um pequeno volume, possuem uma baixa temperatura de
sinterizao, os materiais constituintes so de fcil aquisio e a sua obteno
relativamente simples e de baixo custo.
A permissividade dieltrica relativa com valores elevados de grande
importncia em substratos cermicos para serem usados na fabricao de
dispositivos de microondas porque permitem a reduo das dimenses destes
dispositivos. Outro fator importante reduzir as perdas dieltricas de forma a
estreitar a largura de banda da antena baseada em materiais cermicos. Algumas
das caractersticas bsicas das cermicas dieltricas que so usadas em
ressoadores com frequncia na faixa de microondas so: um alto valor da
permissividade dieltrica relativa, um alto fator de qualidade Q para assegurar a
seletividade da frequncia de ressonncia, permitindo a reduo de rudos e
interferncias e um baixo valor da variao do coeficiente de temperatura da
frequncia de ressonncia (f).
O tamanho caracterstico de uma antena ressoadora dieltrica
proporcional ao comprimento de onda de operao no ressoador dieltrico D
dado pela equao:

D =

0
r

(1.1)
1

onde 0 o comprimento de onda no espao livre na frequncia de ressonncia, e

r a permissividade dieltrica do material [10]. Com isto vemos que, para termos
uma menor dimenso da antena necessrio um menor comprimento de onda de
operao no ressoador dieltrico que ser obtido somente quando tivermos um
valor elevado da permissividade dieltrica relativa. Tipicamente, o valor do fator
de qualidade que caracterizado pela tangente de perdas Q=1/tg, necessrio
para um ressoador dieltrico deve ser de Q>1000. A estabilidade trmica da
frequncia determina o grau de confiabilidade de um dispositivo de microondas,
quando esse dispositivo esteja sujeito a variaes de temperatura. Um material
cermico que tenha um baixo valor do coeficiente de temperatura da frequncia
de ressonncia mantm, portanto, a eficincia da antena com relao s
mudanas na temperatura do meio ambiente. A cermica niobato de bismuto
(BNO) possui um coeficiente de temperatura da frequncia de ressonncia mdio
em torno de

f 50 ppm/C. Assim, o BNO apresenta-se como um timo candidato

para aplicaes tecnolgicas como dispositivos de microondas, rdio frequncia e

antenas.

Objetivos
O presente trabalho tem como objetivo obter e caracterizar matrizes
cermicas para aplicao em dispositivos de rdio frequncia (RF), dispositivos
de microondas (MW) e antenas ressoadoras dieltricas cilndricas. Os requisitos
necessrios para o uso destes materiais como componentes de rdio frequncia,
microondas e antenas so diversos e dependentes do tipo de aplicao.
Podemos, entretanto, orientar o nosso objetivo na necessidade de que o material
cermico possua baixas perdas dieltricas e alta permissividade dieltrica (r).
Outro fator importante a estabilidade trmica da frequncia de ressonncia () e
da capacitncia (TCC), necessria em aplicao tecnolgica.
Nosso objetivo analisar as propriedades dieltricas e estruturais de
materiais cermicos base de niobato de bismuto e a aplicao desses materiais,
investigar as caractersticas no processo de sinterizao da cermica BNO
2

utilizando a adio dos xidos PbO e Bi2O3, analisar a relao entre as

temperaturas de sinterizao e as propriedades dieltricas da cermica BNO com
e sem a adio de xidos.

1 Introduo
1.1 Eletrocermicas
A evoluo das cermicas comuns para as cermicas avanadas ampliou o
significado da palavra cermica para o qual ela agora descreve "artigos slidos
que tm como componente essencial materiais inorgnicos no metlicos" [2].
Nesta tese, o termo cermica ser restrito aos materiais policristalinos,
inorgnicos, no metlicos que adquiram a sua resistncia mecnica atravs de
um processo de queima ou sinterizao.
Com o avano da cincia do processamento cermico e com o
desenvolvimento dos equipamentos eletro-eletrnicos as novas cermicas
ganharam grande importncia no grupo dos chamados novos materiais. Elas so
de especial interesse porque podem ser produzidas com larga gama de
propriedades distintas de acordo com o interesse. Elas so desenvolvidas com a
finalidade de satisfazerem necessidades particulares como uma maior resistncia
temperatura, boas propriedades mecnicas, propriedades eltricas especiais,
maior estabilidade qumica.
O termo eletrocermica utilizado para descrever os materiais cermicos
que possuem propriedades eltricas, magnticas, ou ticas especficas, podendo
atuar como isoladores, materiais ferroeltricos, cermicas altamente condutoras,
eletrodos, sensores e atuadores. Os materiais eletrocermicos de aplicao
tecnolgica

incluem

ferritas,

substratos

eletrnicos

para

capacitores

de

multicamadas, transdutores piezeltricos e termistores. O uso de cermica como

dieltrico para capacitores tem a desvantagem de que no so facilmente
preparadas em forma de placas finas e mesmo se isso for conseguido, so
extremamente frgeis. No entanto, a mica (um monocristal mineral silicato) tem
sido amplamente utilizada em capacitores e pode ser conseguida em placas
3

bastante estveis, mas a permissividade dieltrica desse material por ser de valor
baixo ( r ' < 10) tem limitado a sua utilizao [1]. A introduo de titnio ( r ' 100)
em 1930 [1] levou ao desenvolvimento de capacitores com valores na faixa de
1000 pF em tamanhos convenientes, mas com um elevado coeficiente de
temperatura negativo que compromete a estabilidade trmica capacitiva. A partir
de composies de titanatos e zirconatos obtiveram-se permissividades relativas
prximas a 30 com baixos coeficientes de temperatura. A situao foi alterada no
final da dcada de 1940 com o surgimento de cermicas com altas constante
dieltricas, baseadas em titanato de brio ( r ' 2000-10000). Pequenas placas ou
tubos, com espessura de 0,2 a 1,0 mm possibilitaram combinaes de
capacitncia e tamanho teis para muitas aplicaes [1].
O desenvolvimento dos transistores e circuitos integrados levou a uma
procura por alta capacitncia e pequena dimenso, o que foi conseguido com
estruturas monolticas de multicamadas. Nesses tipos de estruturas, so feitos
filmes finos de polmeros orgnicos preenchidos com cermica em p. Padres
de tintas metlicas so depositados como desejados para formar eltrodos. Os
filmes so empilhados e pressionados para formar blocos. Aps a queima da
matria orgnica e sinterizao, unidades robustas em multicamadas com
dieltricos de espessura abaixo de 5 m tm sido obtidas. Essas unidades
desempenham funes de acoplamento e desacoplamento entre circuitos
integrados semicondutores [1]. A estrutura monoltica de multicamada pode ser
aplicada a qualquer cermica dieltrica; e estruturas multicamadas so objetos de
desenvolvimento contnuo para uma variedade de aplicaes. Em especial, a
chamada tecnologia LTCC, "low temperature co-fired ceramic" intensamente
adotada para encapsulamento de dispositivos eletrnicos [1].
As cermicas compreendem cristalitos que podem variar em estrutura e
composio, bem como no tamanho, na forma e nas tenses internas s quais
esto sujeitos. Alm disso, as interfaces entre cristalitos so regies em que
ocorrem mudanas na orientao da rede cristalina, muitas vezes acompanhadas
por diferenas na composio e efeitos eltricos. Como consequncia, muito
difcil calcular precisamente o comportamento das cermicas [1].
O estudo das propriedades de monocristal dos principais componentes das
cermicas pode produzir resultados significativos sobre o comportamento das
4

cermicas. No entanto, o crescimento de monocristais geralmente uma tarefa

difcil e demorada e o estudo das complexidades das microestruturas a partir do
estudo dos seus correspondentes monocristais ainda muito incerto, para que
isso seja, de fato, um bom caminho para a compreenso da microestrutura das
cermicas [1].

1.2 Ressoadores Dieltricos

A existncia de ressoadores de microondas na forma de esferas dieltricas
e torides foi demonstrado teoricamente em 1939 por Richtinger [3], e seus
modos foram analisados inicialmente em 1960 por Okaya e Barash [4]. O termo
microonda se refere aos sinais alternados com frequncia entre 300 MHz e 300
GHZ [5], com um correspondente comprimento de onda entre =1m e =1mm,
respectivamente. Os sistemas de comunicao sem fio, usando microondas para
transportar informaes, tm evoludo cada vez mais. As microondas so capazes
de transportar mais informao do que as ondas de rdio devido a suas maiores
frequncias [6], que resultam em uma ampla largura de banda. Esses sistemas
incluem telefones celulares (900 MHz), internet sem fio (2,4 GHz) e comunicao
via satlite. Os mesmos utilizam componentes magnticos e dieltricos de
microondas, tais como os ressoadores para acoplagem, seleo e filtragem das
microondas.
O desenvolvimento de materiais cermicos de baixa perda no final de 1960
abriu caminho para o uso desses ressoadores dieltricos como componentes de
alto fator de qualidade Q (baixa perda) para aplicaes em circuitos, tais como
filtros e osciladores, oferencendo mais uma alternativa compacta para o guia de
onda ressoador de cavidade e uma tecnologia mais acessvel para integrao de
circuito impresso [7-9]. Para aplicaes nesses circuitos, os ressoadores
dieltricos so tipicamente moldados em formas cildricas utilizando-se materiais
com uma constante dieltrica relativamente alta (r 35), para manter a
compactao [10]. O estudo de ressoadores dieltricos como componentes de
antenas iniciou-se intensamente no comeo de 1980 com a investigao das
caractersticas das formas retangulares, cilndricas e hemisfricas por Long,
5

McAllister, e Shen [11-13]. Anlises dos modos ressonantes dessas formas,

padres de radiao e mtodos do modo de excitao tornaram evidente que
estes ressoadores dieltricos poderiam ser usados como antenas e oferecendo
uma alternativa nova e atrativa para os tradicionais radiadores de baixo ganho.
Nesta dcada viu-se tambm uma demonstrao do primeiro arranjo linear de
antenas ressoadoras dieltricas por Birand e Gelsthorp [14] e o primeiro arranjo
planar por Haneishi e Takazawa [15].
No comeo de1990, a nfase esteve sobre vrias investigaes na busca
de mecanismos para excitar as ARD e sobre aplicaes de vrias tcnicas
analticas ou numricas para determinao da impedncia de entrada e do fator
da qualidade (Q). Um nmero significativo desta caracterizao foi conseguido por
dois grupos de pesquisa; o primeiro grupo foi conduzido por Kishk, Glisson, e
Junker [16-18] e o outro grupo por Luk e Leung [19]. Grande parte do trabalho
inicial para caracterizar o desempenho dos componentes de antenas ressoadoras
dieltricas foi resumido em um artigo em 1994 por Mongia e Bhartia [20], que
tambm sugeriram padronizar a nomenclatura do modo e forneceram um conjunto
de equaes simples para determinar a frequncia ressonante e o fator de
qualidade para diversas formas de antenas ressoadoras dieltricas.

1.3 Cermicas de Niobato de Bismuto (BiNbO4)

Dieltricos usados em microondas foram amplamente investigados para o
uso de ressoadores e filtros nos sistemas de comunicao mveis e satlite.
Compostos de perovskita complexa tais como Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 (BZT) e
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 (BMT) apresentam excelentes propriedades dieltricas em
microondas [21,22]. Em contrapartida, so necessrias temperaturas de
sinterizao bastante altas (>1400 C) para se obter estes compostos cermicos.
Eles no so apropriados para serem usados em dispositivos de microonda de
multicamada por tecnologia LTCC por causa da alta temperatura. Dieltricos
usados em microondas com baixa temperatura de calcinao so necessrios
para uso de condutores com baixo ponto de fuso tais como prata e cobre. As
cermicas BiNbO4 (BNO) foram obtidas com uma baixa temperatura de
6

sinterizao [23]. Kagata et al. [24] relataram as propriedades das cermicas BNO
em microondas. A densificao das cermicas BNO sem a adio de xido de
baixo ponto de fuso difcil de ser obtida. Eles obtiveram a densificao com a
adio de V2O5 e CuO e encontraram uma permissividade dieltrica com valor de

r=43 e um produto do fator de qualidade pela frequncia de ressonncia de

Qxf=10000-17000 GHz. Estes pesquisadores obtiveram tambm, o coeficiente de
temperatura da frequncia de ressonncia

f >0 ppm/C com adio de V2O5 e f

<0 ppm/C com adio de CuO. Foi observado que o

f =0 ppm/C pode ser obtido

pela adio conjunta de CuO e V2O5 [24]. Cheng et al. obtiveram as cermicas
BiNbO4 com 0,5% (percentual em peso) de adio de CuO com propriedades:
permissividade dieltrica de r = 46, o produto do fator de qualidade pela
frequncia de ressonncia de Qxf = 10070 GHz (6,25 GHz) e o coeficiente de
temperatura da frequncia de ressonncia de

f = -20,8 ppm/C depois de calcinar

a 800C por 3h e sinterizar a 920C por 4h [25]. Huang et al. obteveram as

cermicas BiNbO4 com 0,5% (percentual em peso) de adio de CuO com
propriedades: permissividade dieltrica de r = 43,3; um produto Qxf = 13000 GHz
(6,3 GHz) e um

f 15 ppm/C depois de calcinar a 800C por 3h e sinterizar a

900C por 3h [26].

Recentemente, Liou et al. prepararam cermicas dieltricas de microondas
tais como BaTi4O9,(BaxSr1-x)(Zn1/3Nb2/3)O3, (Pb,Ca)(Fe0.5Nb0.5)1-xTixO3, Ba5Nb4O15,
Sr5Nb4O15, CaNb2O6, ZnNb2O6, e MgTiO3MgTi2O5 usando processo de reao
por sinterizao [2733].
O niobato de bismuto (BNO), um material dieltrico promissor, existe em
dois polimorfos, uma fase ortorrmbica () a baixa temperatura e uma fase
triclnica () a alta temperatura. Uma transio de fase irreversvel (no p) ocorre
da fase para a fase a 1020 C [34]. O BNO triclnico (fase em alta
temperatura) e o isoestrutural BTO (BiTaO4) foram primeiramente relatados por
Aurivellius em 1951 [35]. Posteriormente, Roth e Waring [36,37] publicaram a
existncia da modificao ortorrmbica, baixa temperatura (fase ), e os dados
de difrao de raios-x do p mostraram que a forma a baixa temperatura (abaixo
de 1000 C) est intimamente relacionada estrutura do SbTaO4. Da literatura
acima, podemos concluir que o BNO- tem um volume da clula unitria menor e
7

uma estrutura mais estvel do que o BNO- [38]. Subramanian e Calabrese [39]
relataram o crescimento de monocristais de BNO- em 1993 a partir de fluxo
BiOF abaixo de 900C. Eles relataram que a diferena estrutural entre as fases
e poderia explicar o carter da natureza irreversvel da transformao entre as
duas fases. As cermicas dieltricas base de bismuto so conhecidas como
materiais de baixa temperatura e tm sido estudadas para capacitores cermicos
de multicamadas [40]. Uma cermica BNO com propriedades dieltricas prticas
na frequncia de microondas, no entanto, foi desenvolvido por Kagata et al. [24].
Eles descobriram que as cermicas BNO so difceis de serem densificadas sem
adio de xido de baixo ponto de fuso. As propriedades dieltricas podem
variar amplamente entre os slidos e so uma funo da temperatura, frequncia
de campo aplicado, umidade, estrutura de cristal, e outros fatores externos. Para
funes capacitivas, necessria uma alta permissividade dieltrica relativa
juntamente com baixas perdas dieltricas. Dispositivos de multicamadas tm sido
desenvolvidos para reduzir o tamanho dos dispositivos de microondas em
sistemas de comunicao de rdio mvel [41].
Neste trabalho, utilizamos o niobato de bismuto (BNO) com a adio de
xido de bismuto (Bi2O3) e xido de chumbo (PbO) como base para se projetar e
obter substratos dieltricos cermicos com uma permissividade dieltrica alta
combinada com baixas perdas dieltricas. Esses substratos foram empregados
em dispositivos de antenas ressoadoras dieltricas cilndricas para operar na faixa
de frequncia de microondas compreendida entre 2,8-3,4 GHz. Tambm, foram
empregados em dispositivos de microondas compreendido na faixa de 4-6 GHz, e
em dispositivos de rdio frequncia. As caractersticas de sinterizao das
cermicas BNO com diferentes adies de PbO e Bi2O3 foram investigadas neste
estudo. Usamos as quantidades de xidos para baixar a temperatura de
sinterizao e melhorar as propriedades dieltricas das cermicas BNO. As
relaes entre as temperaturas de sinterizao e as propriedades dieltricas das
cermicas BNO com a adio dos xidos PbO e Bi2O3 foram investigadas neste
estudo.

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10

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11

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[41]

Di

Zhou,

Hong

Wang,

Xi

Yao,

Layered

complex

structures

of

Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7 and BiNbO4 dielectric ceramics, Materials Chemistry and

Physics, 105 (2007), pp. 151153.

12

Captulo II

2 Mtodos Experimentais

2.1 Difrao de Raios X e Mtodo Rietveld

A difrao de raios X um mtodo de anlise muito utilizado na
caracterizao de materiais. A caracterizao da estrutura cristalina com relao
s dimenses da clula unitria, a densidade e a distribuio atmica
importante para o controle do processo de fabricao. A difrao de raios X um
mtodo que possibilita a anlise qualitativa e quantitativa de fases, a
determinao da cristalinidade, os parmetros da rede cristalina, e as medidas de
tenso residual e textura [1]. A quantificao das fases uma etapa fundamental
na determinao da estrutura, propriedades e aplicaes de um material. A
anlise quantitativa de fases baseada no clculo das intensidades integradas
dos picos de difrao. Foram desenvolvidos vrios mtodos de anlise
quantitativa de fases como o mtodo de difrao por absoro, o mtodo da
comparao direta, o mtodo de matriz, o mtodo polimorfo, etc. [2,3]. A preciso
das intensidades de reflexo obtidas determinante para a eficincia destes
mtodos, alm, da utilizao de padres para construo de curvas de calibrao.
Rietveld (1969) [4] desenvolveu um mtodo para refinamento de estruturas,
que foi estendido posteriormente para aplicao na anlise quantitativa de fases.
O mtodo de Rietveld tem como caracterstica fundamental o ajuste de um
difratograma a um padro difratomtrico permitindo assim extrair informaes da
estrutura cristalina e informaes analticas dos materiais. Para a aplicao do
mtodo, necessrio que a estrutura cristalina de cada fase seja conhecida,
assim como dados de difrao de raios X ou nutrons por policristais. O mtodo
de Rietveld baseado na comparao entre um padro de difrao calculado e o
padro observado. O padro calculado obtido utilizando-se a clula unitria
como base para a definio das posies dos picos, as posies atmicas e
13

parmetros trmicos para definio das intensidades, uma funo analtica

variando com o ngulo de Bragg para descrever a forma e largura dos picos, e a
intensidade da radiao de fundo. Este padro calculado ento comparado ao
padro observado, ponto por ponto e os parmetros do modelo so ajustados
pelo mtodo dos mnimos quadrados [1].
Este mtodo tem como principal vantagem obteno de um padro de
difrao utilizando modelos matemticos, tornando desnecessria a preparao
de amostras padro para comparao das intensidades dos picos. O mtodo
permite a definio das posies e intensidades das reflexes de Bragg [1].
A convergncia definida atravs de alguns ndices que so calculados no
final de cada ciclo de refinamento e que ajudam na qualidade do refinamento a
ser finalizado. O que determina um bom refinamento a observao de que os
ndices no variam mais. Esses ndices so o R ponderado (Rwp) e o goodness
od fit (S). O Rwp o ndice que mostra se o refinamento est convergindo. Se
ele est diminuindo, ento o refinamento est sendo bem sucedido e no final do
refinamento ele no deve estar mais variando. Se Rwp est aumentando, ento
algum parmetro est divergindo do valor real. Ao trmino do refinamento, o
parmetro S deve estar prximo de 1. Ele dado por S=Rwp/Rexp, onde Rexp
o valor esperado para o Rwp.
A obteno de dados digitais por difratmetros automticos e a evoluo
dos mtodos de computao, estimulou o desenvolvimento do mtodo de
Rietveld. O programa para aplicao do mtodo tem sido constantemente
aperfeioado por vrios autores. A verso DBWS9411 a verso desenvolvida
por R. A. Young, A. Saktivel, T. S. Moss, C. O. Paiva Santos [5], em 1995. A
verso utilizada neste trabalho a verso DBWS9807.

2.2 Permissividade e Relaxao Dieltrica

Um capacitor de placas paralelas consiste em duas placas condutoras
paralelas de rea A, separadas por uma distncia d. Supondo que nenhum meio
material esteja presente na regio entre as placas podemos escrever [6,7]:

14

C0 = 0 . A / d
onde

(2.1)

0 representa a permissividade dieltrica do espao livre (8,8549 x 10-12

F/m).
Preenchendo-se o espao entre as placas de um capacitor com um material
dieltrico, a capacitncia aumentar por um fator numrico denominado de
permissividade dieltrica (r) do material introduzido. Para um capacitor com um
dieltrico a capacitncia escrita como:

C =

A
A
= 0 r
d
d

(2.2)

A permissividade uma constante fsica que descreve como um campo

eltrico afeta e afetado por um meio. A permissividade determinada pela
habilidade de um material de polarizar-se em resposta a um campo eltrico
aplicado e, dessa forma, cancelar parcialmente o campo dentro do material. Est
diretamente relacionada com a suscetibilidade eltrica. Por exemplo, em um
capacitor uma alta permissividade faz que a mesma quantidade de carga eltrica
seja guardada com um campo eltrico menor e, portanto, a um potencial menor,
levando a uma maior capacitncia do mesmo. A permissividade dieltrica uma
quantidade complexa [7] representada por

= ' j '' = ( r ' j r '') 0

(2.3)

Assim, podemos escrever a capacitncia na forma complexa (C*) como [7]

C = C ' jC '' = 0

A
( r ' j r '')
d

(2.4)

15

onde r ' a permissividade dieltrica real [6,7], e

r '' a parte imaginria negativa

indicando perdas de energia. Consequentemente, a perda em um dieltrico pode

ser atribuda a uma condutividade efetiva '' [8].
Em geral, uma onda propagando-se em um dieltrico sofre perdas, e a
permissividade do material j no pode ser representado por um valor real. Estas
perdas podem ser atribudas a um nmero de causas, incluindo conduo,
fenmenos de relaxao, ambos no dieltrico como tambm impurezas,
ressonncias moleculares, e estrutura molecular [9,10,11]. Assim, o dieltrico
deve ser representado por um valor complexo de acordo com a equao (2.3),
onde ' e '' so respectivamente, a parte real e imaginria da constante
dieltrica. Em um dieltrico, a razo ''/ ' (= / ') uma medida direta da
relao da corrente de conduo corrente de deslocamento. Para o principal
caso de interesse, onde h somente uma pequena perda condutiva, a
permissividade escrita frequentemente como

= ' 1 j

= ' (1 j tan )
'

(2.5)

onde a condutividade eltrica do material, tan = / ' , e o fator, tan ,

chamado de tangente de perda, comumente usado para caracterizar a perda
em comprimentos de onda na faixa de microondas e ondas milimtricas, embora
as perdas no possam ser devido apenas a conduo. Em geral, ' e '' so
funo da frequncia, embora eles possam ser considerados constantes sobre
uma faixa limitada de frequncia de interesse em muitas aplicaes [12-15]. As
propriedades dieltricas dispersivas podem tambm depender da temperatura.

2.2.1 Condutividade Eltrica em Slidos

A conduo eltrica de um material essencialmente governada pelo modo
como os portadores de carga so gerados e transportados [16-21]. A
condutividade eltrica pode ser classificada em trs categorias:
16

1. Condutividade intrnseca: portadores de carga so gerados no material

baseado somente em sua estrutura qumica.
2. Condutividade extrnseca: portadores de carga so gerados por impurezas no
material, que podem ser introduzidas atravs do processo de fabricao ou so
gerados deliberadamente por adio de dopantes no material para um propsito
especfico.
3. Condutividade por injeo-controlada: os portadores de carga so injetados no
material principalmente de eltrodos metlicos atravs da interface metal e
material.
A condutividade eltrica dada pela seguinte equao emprica [8]:

= 0 exp ( E / kT )

(2.6)

onde 0 o fator pr exponencial e E a energia de ativao.

A energia de ativao a barreira de energia para a condutividade
dependente do movimento dos ons no dieltrico. Ela pode ser obtida a partir da
determinao da condutividade medida em diferentes temperaturas. importante
notar que com o aumento da temperatura, h um acrscimo na condutividade.
Isto ocorre porque a temperatura tem uma influncia nas vibraes da rede que,
consequentemente, aumenta a capacidade de conduo do dieltrico [22].
Devido conduo eltrica envolver vrios processos de transporte, a
interpretao de 0 e E bastante incerta. A equao bsica para condutividade
eltrica total pode ser escrita como [8,21]

T = q ( n n + p p ) + q ( n + + n+ ) = el + ion

(2.7)

onde n e p so, respectivamente, as concentraes de eltrons e buracos; n e p

so, respectivamente, a mobilidade mdia dos eltrons e buracos; n- e n+ so,
17

respectivamente, a concentrao de ons negativos e positivos;

- e + so,

respectivamente, a mobilidade mdia de ons negativos e positivos; e el e ion

so, respectivamente, a condutividade eletrnica e inica [8]. Sob certas
condies, a conduo eltrica pode envolver conduo inica e eletrnica.

2.2.1.1 Conduo Inica

A conduo inica em slidos dieltricos envolve o transporte de ons que
tm um grande nmero de tomos em torno de suas vizinhanas. Um on com
uma carga q em um slido polarizar suas vizinhanas. Como resultado, os
tomos polarizados ou molculas se rearranjaro para formar um buraco de
dipolo, produzindo, um efeito de blindagem no on, como mostrado na figura 2.1.

Figura 2.1 Ilustrao esquemtica da blindagem de ons pela vizinhana

polarizada de molculas ou tomos [8].

Como a polarizao das vizinhanas reduz a energia eletrosttica do on, o

efeito pode ser considerado uma armadilha inica impedindo o movimento do on.
Isto equivalente criao de uma barreira potencial; um on deve se mover por
um processo de ativao de um poo potencial para outro transpondo a altura da
18

barreira, como mostrado na figura 2.2 (a). Um on no s polariza as vizinhanas,

mas tambm polarizado pelos dipolos de cargas opostas assim como se move
alm deles. Isto causa um aumento na altura da barreira potencial. Em resumo, a
interao entre ons e suas vizinhanas impede o movimento de ons. Isto
significa que, os ons precisam de energia para transpor a altura da barreira,
como tambm stios desocupados para os quais eles podem se mover. Vibrao
de ons envolvendo uma energia kT pode provocar ons e vacncias a trocar de
stios [8].

Figura 2.2 Ilustrao esquemtica da barreira de energia potencial impedindo o

transporte de uma vacncia de ction na rede: (a) na ausncia de um campo
ur
eltrico e (b) com um campo F aplicado [8].

19

2.2.1.2 Conduo Eletrnica

Materiais isolantes geralmente tm uma grande lacuna de energia entre a
banda de valncia e a banda de conduo (band gap maior que 5 eV), uma
grande concentrao de vrios estados localizados na banda de lacuna, e por
isso, uma baixssima condutividade. Considerando um cristal idealmente perfeito,
a concentrao intrnseca de eltrons n e de buracos p so iguais, e n cerca de
1,5 x 1010 cm-3 para uma banda de lacuna de 1,1eV (a largura da lacuna de
energia do silcio Eg =1,1 eV, caracterizando-o como um semicondutor) [8]. A
concentrao intrnseca de portadores dada por

n = p = ni = ( N c N v ) exp ( Eg / 2kT )
1/2

(2.8)

onde Nc e Nv so as densidades de estados efetivas nas bandas de conduo e

de valncia, respectivamente, Eg a energia da banda de lacuna, e k e T so a
constante de Boltzmann e a temperatura absoluta, respectivamente.
Para o mesmo cristal idealmente perfeito, Eg mudando de 1,1 eV para 5,0
eV (a largura da lacuna de energia do diamante Eg = 5,4 eV, um isolante ), ni
se reduzir a 3 x10-23 cm-3 de acordo com a equao 2.8 [8].
A condutividade eltrica definida como

= qun n

(2.9)

onde un a mobilidade do eltron e q a carga eletrnica.

Com base na equao (2.9), a condutividade eltrica intrnseca seria
desprezivelmente pequena se comparada aos valores finitos de para todos os
materiais isolantes reportados na literatura [23-25]. A condutividade do polietileno,
20

por exemplo, cerca de 10-17 (.cm)-1. Este simples clculo nos mostra que para
Eg 5 eV, a conduo eltrica extrnseca e a contribuio intrnseca pode ser
completamente excluda [8].

2.2.2 Tempo de Relaxao Dieltrica

A relaxao dieltrica estudada para reduzir as perdas de energia em
materiais usados em praticamente todas as importantes reas de materiais
isolantes e resistncia mecnica [7]. Uma anlise do processo de polarizao
aponta para as importantes equaes de Debye. O fenmeno da relaxao de
Debye comparado com outras funes de relaxao oriundas das teorias de
relaxao Cole-Cole, Davidson-Cole e Havriliak-Negami. Quando uma voltagem
aplicada a um dieltrico, por um tempo de durao suficientemente longo,
repentinamente afastada, a polarizao cai para o valor zero levando um intervalo
de tempo finito. Este o tempo requerido para os dipolos retornarem a uma
distribuio aleatria. Semelhantemente, a polarizao que segue a aplicao
sbita de uma voltagem, leva um intervalo de tempo finito antes de atingir seu
valor mximo. Este fenmeno descrito acima definido como relaxao dieltrica
[8].
A representao Cole-Cole trata-se de um mtodo de plotagem que
descreve a resposta de um material dieltrico para voltagens aplicadas em funo
da frequncia. O mtodo permite identificar os efeitos de relaxao observados
com processos atmicos e microestruturais. As equaes de Debye, baseadas
em um nico tempo de relaxao, no so suficientes para descrever os
fenmenos de relaxao para a maioria dos materiais dieltricos, como polmeros,
por exemplo [7,8]. Neste caso, a distribuio do tempo de relaxao ()
necessria para interpretar dados experimentais. Porm, para levar em conta o
efeito de uma distribuio de tempos de relaxao, Cole-Cole [26] propuseram um
diagrama de Argand, no qual r '' representado graficamente em funo de r ' ,
e em forma normalizada a constante dieltrica complexa, pode ser construda da
seguinte relao emprica [8]

21

 r r =

r s r
1
1 + ( j )

(2.10)

onde r a permissividade dieltrica complexa, rs e r so, respectivamente, a

permissividade dieltrica "esttica" e a " permissividade dieltrica " infinita ", a
frequncia angular, o tempo de relaxao mdio e um parmetro que
descreve a largura da distribuio da propriedade material (neste caso uma
distribuio do tempo de relaxao dieltrica no espao da frequncia), tendo um
valor 0 < < 1. A equao 2.10 a equao Cole-Cole que um modelo de
relaxao dieltrico. Com base na sugesto de Cole e Cole, a equao (2.10)
pode ser escrita como

1 + ( ) sin / 2
r ' r
=
r s r 1 + 2 ( )1 sin / 2 + ( )2(1 )

(2.11)

( ) cos / 2
r ''
=
r s r 1 + 2 ( )1 sin / 2 + ( )2(1 )

(2.12)

e a tangente de perda pode ser obtida por

tan =

r ''
=
r '

( r s r )( )

( r s r ) (1 + ( )

cos / 2

sin / 2 + r 1 + 2 ( )

sin / 2 + ( )

2 (1 )

(2.13)

quando = 0, as equaes 2.11 e 2.12 reduzem-se s equaes de Debye. A

curva de disperso com > 0 mais larga que no caso de um nico tempo de
relaxao, mas ainda simtrica em torno de = 1.

22

2.2.3 Espectroscopia de Mdulo Eltrico

A funo mdulo foi primeiramente introduzido por Schrama [27] e tem sido
usado por McCrum et. al. [28], Macedo et. al. [29,30], e Hodge e outros [31-34]. A
funo mdulo usualmente definida como M =M + jM e a permissividade
dieltrica complexa como * = M

-1

= - j . Alguns autores tm usado a

designao espectroscopia de mdulo para denotar a medio do sinal de M

versus . A funo mdulo pode ser escrita como [35]

M = 1/ [ ' j '']

(2.14)

de onde so obtidas as partes real e imaginria com a seguinte relao:

2
2
M' = '/ ( ') + ( '')

(2.15)

2
2
M''= ''/ ( ') + ( '')

(2.16)

2.2.4 Coeficiente de Temperatura da Capacitncia

Uma funo comum de circuitos dispor de um estado de ressonncia
preciso [36]. Da condio de ressonncia temos:

0 = ( LC )

1/2

(2.17)

diferenciando a equao 2.17 com respeito a temperatura, obtemos

1 0
1 1 L 1 C
=
+

0 T
2 L T C T

(2.18)

23

Na maioria das aplicaes uma tolerncia de ressonncia de 0,1% seria til

somente se a ressonncia fosse correspondentemente precisa, por exemplo, com
um Q em torno de 1000 (tg = 10-3). Assim, os capacitores de baixo TCC tambm
devem ser de baixa perda se eles forem de valor prtico em tais aplicaes [36].
Os parmetros que contribuem para o TCC podem ser identificados
considerando-se um capacitor de placas paralelas retangular com lados de
comprimento x e y e espessura z. Ento, sendo a capacitncia determinada por

C=

xy
(2.19)

e diferenciando a equao 2.19 com respeito a temperatura, obtemos

1 C 1 1 x 1 y 1 z 1
=
+
+

=
+ L
C T T x T y T z T T

(2.20)

ou

TCC = TC + L
em que TC

(2.21)

o coeficiente de temperatura da permissividade e

L o

coeficiente de expanso linear. A capacitncia pode mudar com a temperatura

no s por causa das dimenses do capacitor, mas tambm pelas mudanas
dieltricas da permissividade. A equao (2.21) deduzida sob a suposio de
que os coeficientes de expanso nas direes x, y e z so idnticos, isto , o
dieltrico tem caractersticas de expanso linear isotrpica.
Para entendermos a origem da variao da permissividade com a
temperatura, tomaremos a equao de ClausiusMosotti, [36]

r 1 N
=
r + 2 3 0

(2.22)

24

onde a polarizabilidade e N a densidade de partculas. Diferenciando a

equao 2.22 com respeito temperatura, obtemos

TC =

1 ( r 1)( r + 2 ) 1 1 N
=
+

T
3 r
T N T

(2.23)

com r 2 ,
fazendo,

( r 1)( r + 2 ) r
3 r

e utilizando a igualdade

1 N
1 V
=
= 3 L
N T
V T

(2.24)

onde V o volume contendo N unidades polarizveis, a equao 2.23 se reduz a

TC ~

r 1

3 L

3 T

(2.25)

Dieltricos que combinam eficincia volumtrica, um baixo TC com alta

permissividade tm sido pesquisados. Em muitos casos, o TC no zero, mas
seu valor pode ser controlado pela combinao de componentes com diferentes
valores de TC [36].

2.3 Antenas Ressoadoras Dieltricas (ARD)

Uma antena definida como um meio de radiao ou recepo de ondas
de rdio [38]. Em outras palavras, a antena uma estrutura de transio entre o
espao livre e um dispositivo de guia de ondas. O dispositivo de guia de ondas
feito de uma linha coaxial ou um tubo oco que usado para transportar a energia

25

eletromagntica da fonte de transmisso para a antena, ou da antena para um

receptor. Neste caso, temos uma antena transmissora e uma antena receptora.
A diretividade de uma antena definida como a razo da intensidade de
radiao em uma dada direo de uma antena pela intensidade de radiao
mdia sobre todas as direes. A diretividade uma medida que descreve
somente as propriedades direcionais da antena [38]. Matematicamente, a
diretividade pode ser escrita como

D=

U 4 U
=
U0
Prad

(adimensional)

(2.26)

onde U a intensidade de radiao (W/unidade de ngulo slido), U0 a

intensidade de radiao de uma fonte isotrpica (W/unidade de ngulo slido) e
Prad a potncia radiada total (W).
O ganho uma medida que descreve o desempenho de uma antena. O
ganho da antena est relacionado com a diretividade e uma medida que leva
em conta a eficincia da antena bem como sua capacidade direcional. O ganho
absoluto de uma antena em uma dada direo definido como a razo da
intensidade, em uma dada direo, pela intensidade de radiao que seria obtida
se a potncia de alimentao da antena fosse isotropicamente radiada. A
intensidade de radiao correspondente potncia isotropicamente radiada
igual potncia de alimentao da antena dividida por 4 e est relacionada pela
seguinte equao:

G = 4

U ( , )
Pin

(adimensional)

onde U(,) a intensidade de radiao e Pin a potncia de entrada total.

26

(2.27)

Por causa das caractersticas de uma antena e da operao de uma antena

ser dependente da geometria, uma ampla variedade de tipos e geometrias pode
ser desenvolvida [37,38]:
Antenas tradicionais de tubos ou fios metlicos so os tipos mais simples. As
de dipolo ou monopolo (montada em um plano de terra) so mais comumente
usadas em menores frequncias (HF - High Frequency at UHF Ultra High
Frequency) e possuem baixo ganho. Ambas so fceis de fabricar e de alimentar.
Antenas de abertura podem ter a forma de um guia de onda ou de uma
corneta com abertura quadrada, retangular, circular, elptica etc. So utilizadas
geralmente em naves espaciais e avies. As mesmas operam comumente nas
frequncias de microondas e possuem ganhos moderados.
Antenas impressas consistem de condutores impressos, na forma de
microlinha ou similares, sobre um substrato e, portanto, compatveis com a
tecnologia de circuitos planares para microondas. Essas antenas geralmente
operam em microondas e so de baixo ganho.
Antenas refletoras alcanam grandes ganhos por focalizar a radiao de uma
pequena fonte de alimentao com um grande refletor. Devido ao seu grande
tamanho, refletores normalmente operam nas frequncias de microondas. Um
exemplo a antena parablica.
Todas as antenas descritas acima so elementos unitrios. Contudo, existe
uma classe de antenas consistindo de um nmero de elementos de antena,
geralmente todos do mesmo tipo, arranjados em forma de grade. Pelo controle da
amplitude e da fase da excitao de cada elemento, o perfil de radiao da rede
pode ser controlado [44].
A antena ressoadora dieltrica (ARD) fabricada a partir de um material
com baixa perda e elevada permissividade dieltrica ( r ' ) na regio de
microondas. Geralmente esse material de composio cermica, sendo rotulado
de ressoador dieltrico (RD). Por conta de suas aplicaes tradicionais em
circuitos de microondas (cavidades ressoadoras, filtros e osciladores) [39], o RD
foi primeiramente tratado como um dispositivo para estocar energia ao invs de
um radiador. O estudo dos RD como elementos de antenas comeou na dcada
de 1980 com Long, McAllister e Shen [40-42], onde as principais formas
geomtricas (cilndrica, retangular, hemisfrica etc.) das amostras so utilizadas

27

at os dias atuais, como est ilustrado na Figura 2.3. Das geometrias estudadas a
cilndrica oferece grande flexibilidade de configuraes, onde a razo raio/altura
controla a frequncia de ressonncia ( f 0 ) e o fator de qualidade ( Q ) [43].

Figura 2.3 Diferentes geometrias para os RD, com as formas cilndrica, retangular,
hemisfrica, esfrica e as de baixo perfil: discos circulares e triangulares [43].

O modelo de uma ARD em uma geometria qualquer deve satisfazer vrias

especificaes, incluindo a frequncia de operao ( f 0 ), a distribuio de campo
dentro do ressoador, e do campo irradiado e tambm a largura de banda (BW).
Como o RD geralmente menor em tamanho, peso e custo do que uma cavidade
metlica equivalente pode-se incorpor-lo facilmente em circuitos integrados de
microondas e aplic-los em linhas de transmisso planar [37].
As perdas em funo do condutor so ausentes nestes materiais. Contudo,
as perdas dieltricas geralmente aumentam com o aumento da permissividade
dieltrica ( r ' ). Algumas das caractersticas das antenas ressoadoras dieltricas
(ARD) esto listadas a seguir [43,44],
O tamanho do ARD proporcional a 0 / r' , onde 0 o comprimento de
onda do espao livre no f 0 .
O fator de qualidade ( Q ) e o f 0 tambm so afetados pelo r' .

28

 Uma ampla faixa de r' de 8 a 100 ou superior pode ser utilizada, permitindo
um bom planejamento para o controle do tamanho fsico do ARD e de sua BW.
Os ARD podem ser construdos para operar em uma ampla faixa de
frequncias (de 1,3GHz at 40GHz).
Os mecanismos de alimentao so simples, flexveis e facilmente
controlados. Diferentes espcies de linha de transmisso so disponveis para o
acoplamento do ARD.
Vrios modos podem ser excitados com a ARD, os quais podem possuir
perfis similares a pequenos dipolos eltricos e magnticos. Permitindo diferentes
perfis de radiao. Quando comparada antena de micro-linha, A antena
ressoadora dieltrica possui maiores valores de BW (~10% para r' =10) [43]. Isso
ocorre devido antena de micro-linha irradiar somente atravs de duas fendas
estreitas, enquanto que na ARD ocorre irradiao ao longo da superfcie inteira,
exceto na parte aterrada.

2.3.1 Campos com ARD Cilndrica

Os campos de uma ARD cilndrica operando no modo TE01 podem ser
aproximadamente dados por [45-47]:

H z J 0 ( r ) cos
z
2h

(2.28)

H r J1 ( r ) sen
z
h
2

(2.29)

E J1 ( r ) cos z
2h

(2.30)

EZ = Er = H = 0

(2.31)

29

onde J 0 ( r ) e J1 ( r ) so funes de Bessel de primeira ordem e a soluo

para J 0 ( a ) = 0 .

Os campos TM01 so similares aos campos TE01 com alternao das

componentes do campo eltrico e magntico. Para o modo HE11 da ARD
cilndrica, as componentes do campo podem ser expressas como [44]:

cos
Ez J1 ( r ) cos z
2h sen
Er

(2.32)

J1 ( r )
cos
sen z
( r )
2h sen

(2.33)

sen
E J1 ( r ) sen z
2h cos

(2.34)

sen
H r J1 ( r ) cos z
2h cos
H

(2.35)

J1 ( r )
cos
cos
z
( r )
2h sen

(2.36)

Hz = 0 ,

(2.37)

onde a soluo para J1 ( a ) = 0 . A escolha de cos ou sen depende da

localizao do campo. Os campos para esses trs modos esto esboados na
figura 2.4.

30

Figura 2.4 Desenho das configuraes de campo da ARD cilndrica [44].

2.4 Caracterizao Eltrica em Microondas

A configurao adotada para medir as propriedades dieltricas dos RD est
apresentada na Figura 2.5, onde o RD colocado entre duas placas condutoras
paralelas e excitado por meio de uma sonda eltrica com acoplamento timo, e
outra sonda usada como dispositivo receptor para detectar o sinal proveniente
do ressoador. Dependendo da frequncia e da natureza da excitao do campo,
muitos modos so possveis nesse experimento [48]. Os modos do ressoador so
classificados em duas categorias principais; eltrico transverso (TE) e magntico
transverso (TM). Alm deles, pode aparecer o modo eletromagntico hbrido (HE)
[48]. Cada um desses trs grupos possui uma variedade infinita de modos
individuais. Os ndices subscritos em cada modo (TEmnp) se referem a variaes
31

nas direes azimutal (m = ), radial (n = r) e axial (p = z). O valor de no

subscrito pode vaiar de zero at um (para valores elevados de r' ). Geralmente,
os modos utilizados para aplicaes em que o ressoador o elemento radiante
so: TM01, TE01 e HE11 [44]. O modo de operao depende da geometria do
ressoador e do perfil da radiao solicitado [49].

Figura 2.5 Configurao de um RD cilndrico entre as placas condutoras paralelas

e as sondas.

A frequncia de ressonncia medida para um ressoador, com raio e altura

conhecidos, pelo mtodo de transmisso de um dado modo, preferencialmente o
TE011 [48]. O grfico da Figura 2.6 ilustra o perfil dos modos obtidos de um
analisador de rede para um ressoador dieltrico BNO, medido em nossos
laboratrios, onde os picos indicam as frequncias em que ocorrem as
ressonncias da amostra. Destes, o modo TE011 ou sua variante o tipo de
oscilao que carrega consigo a maior poro de energia, e por isso, o mais
adequado para aplicao em telecomunicao [50]. Com o valor da medida da
frequncia de ressonncia ( f r ) determina-se a permissividade dieltrica ( r' ), a
tangente de perda dieltrica ( tg E ) e o fator de qualidade ( Q ). Esse procedimento
foi primeiramente introduzido por Hakki e Coleman [51]. Para determinar a
permissividade dieltrica essencial encontrar as solues da equao de
campos eletromagnticos, obtida a partir das equaes de Maxwell. Estas foram
detalhadas por Kobayashi e Katoth [52]. Contudo, utiliza-se o software Courtney
parar realizar estes clculos, onde esto inseridas as equaes derivadas por
Hakki e Coleman [51], que tambm so capazes de determinar a tg E no mesmo
arranjo de placas paralelas. Courtney mediu o r' para vrios materiais e
encontrou resultados bastante consistentes. Ele pde estimar uma preciso de
32

1MHz para a medida de frequncia e um erro menor que 0,3% para o clculo do

r' [48].

Figura 2.6 Medida experimental da transmisso do ressoador BiNbO4 com o modo

de ressonncia transmitido TE011.
As propriedades eltricas, mecnicas e fsicas das cermicas usadas
comercialmente dependem acentuadamente da temperatura [53]. Como esses
materiais podem estar sujeitos a esse tipo de variao, torna-se imprescindvel
conhecer os limites trmicos de um material e qual a variao das propriedades
citadas em funo da temperatura e da sua capacidade de conduzir calor.
possvel observar o deslocamento da frequncia de ressonncia medida em
funo da temperatura do experimento, pois os valores de r' e tg E tambm se
alteram. Essa variao representada pelo coeficiente de temperatura da
frequncia de ressonncia ( f ) que determinado pela equao:

f =

1 f
[ ppm / C ]
fi T

(2.38)

33

onde f a diferena entre as frequncias final e inicial, T a variao de

temperatura e f i a frequncia de ressonncia no inicio do processo [50]. O f
dependente do coeficiente de dilatao trmica do material dieltrico [36].

2.5 Simulao Numrica

O programa HFSS (Ansofts High Frequency Sfructure Simulator) um
programa que calcula os parmetros S [54] de estruturas passivas e a
distribuio tri-dimensional dos campos dentro de uma estrutura. Os parmetros S
so relaes entre ondas que saem e entram nos portos do dispositivo a
caracterizar. O S11 o coeficiente de reflexo de entrada. O S12 o coeficiente de
transmisso, o S21 o coeficiente de transmisso inverso e o S22 o coeficiente
de reflexo da sada. O HFSS utiliza como base os mtodos de elementos finitos
(MEF). Este divide os objetos presentes no modelo em um grande nmero de
pequenas regies (elementos). Atravs do HFSS possvel estimar parmetros
importantes da antena, como diagramas de radiao, diretividade, ganho, dentre
outros.

2.5.1 Carta de Smith e Coeficiente de Reflexo

Embora, a matemtica associada s linhas de transmisso seja simples, a
resoluo de determinados problemas, pode envolver processos complexos e um
longo tempo, devido a quantidades complexas e um grande nmero de variveis.
A carta de Smith permite relacionar coeficientes de reflexo complexos com
impedncias complexas, e pode ser utilizada para a determinao de
impedncias, para a determinao do coeficiente de reflexo e de onda
estacionria. Na carta de Smith esto desenhadas circunferncias de resistncia
constante e de reatncia constante em nmero suficiente para permitir uma
preciso razovel na leitura de impedncias. Na figura 2.7 esto representadas
todas as impedncias onde cada circunferncia o lugar geomtrico de
impedncia com valor de resistncia e cada curva o lugar geomtrico
34

de impedncia com valor de reatncia. Para os valores positivos, as reatncias

so indutivas e correspondem s curvas localizadas acima do eixo real e para os
valores negativos, reatncias so capacitivas e correspondem s curvas
localizadas abaixo do eixo real. As resistncias so sempre positivas.

Reatncia

Resistncia

Figura 2.7 Resistncias e Reatncias na carta de Smith.

Sendo Z0 a impedncia caracterstica de uma linha de transmisso e
definindo a impedncia normalizada e o coeficiente de reflexo na forma
complexa, temos [54]

Z=

Z
= R + jX
Z0

(2.39)

= r + j i

(2.40)

Escrevendo o coeficiente de reflexo na forma polar, temos

= .e j

(2.41)
35

2
2
onde = r + i

e =arctg

i
r

Sendo a relao do coeficiente de reflexo com a impedncia dada por [54]

Z Z0
Z + Z0

(2.42)

Usando a equao 2.39 podemos reescrever a equao 2.42 como

Z 1
Z +1

(2.43)

Conhecendo o coeficiente de reflexo podemos calcular o coeficiente de

onda estacionaria de tenso (VSWR) que para um bom casamento de impedncia
geralmente necessrio ter um valor baixo, prximo de 1. O VSWR definido
como a razo da mxima voltagem pela mnima voltagem [54]

VSWR =

Vmax 1 +
=
Vmin 1

(2.44)

O VSWR uma importante especificao para todos os componentes de

microondas e pode ser medido por um analisador de rede. Um timo VSWR
ocorre quando ||=0 ou VSWR=1. Isto significa que toda a potncia transmitida
pela antena e no h reflexo. Tipicamente, VSWR2 aceitvel para muitas
aplicaes [54].
A perda de retorno e a eficincia de reflexo tambm so obtidas a partir do
coeficiente de reflexo pelas seguintes relaes [54]

RL(dB) = 20log

er = 1

(em dB)

(2.45)

(2.46)

36

2.5.2 Potncia de Radiao

A potncia radiada (ou recebida) por uma antena uma funo da posio
angular e da distncia radial da antena. Para distncias eletricamente grandes a
densidade de potncia diminui com 1/r2 em qualquer direo [54]. A variao da
densidade de potncia com a posio angular pode ser observada graficamente
pelo diagrama de radiao. Para distncias grandes (isto , campo distante ou
regies de ondas planas), os padres so independentes da distncia. Na figura
2.8 a antena tem os planos E e H com componentes de co-polarizao e
polarizao transversal. O plano E refere-se ao plano contendo o vetor campo
eltrico (E) e a direo de mxima radiao. O parmetro (E) a componente
da polarizao transversal. Similarmente, o plano H contm o vetor campo
magntico e a direo de mxima radiao [38,54].

Plano H

Plano E

Figura 2.8 Coordenadas convencionais de uma antena [54,55]

De acordo com Balanis [38] podemos escrever a potncia de radiao total
como:

Prad = ecd Pin

(adimensional)

(2.47)

37

onde ecd a eficincia de radiao da antena (adimensional) e Pin a potncia de

entrada total (aceita). A converso dos valores em dB para watts obtida
considerando-se a seguinte relao:

Pr ad (dB) = 10 log10 Pr ad (W )

(2.48)

A potncia radiada tambm est relacionada perda de retorno (RL) pela

equao [54]

RL = 10 log

Pin
Prad

(2.49)

De acordo com os padres da IEEE, o ganho no inclui perdas que surgem

do descasamento de impedncia (situao onde a impedncia do terminal de
transmisso ou recepo de um sistema no combinam entre si, resultando na
perda de potncia do sinal) [38]. A eficincia total da antena (e0) usada para
levar em conta as perdas nos terminais de entrada e na estrutura da antena [38].
Tais perdas podem ser devido a:
a) Reflexes por causa do descasamento entre linha de transmisso e antena
b) Perdas I2R (conduo e dieltrico)
Em geral a eficincia total pode ser escrita como:

e0 = ereced

(2.50)

onde

e0 = eficincia total (adimensional)

er = eficincia de reflexo (descasamento) = 1- 2
ec = eficincia de condutncia
ed = eficincia do dieltrico

38

(adimensional)

Em geral, ec e ed so muito difceis de serem calculados, mas podem ser

determinados experimentalmente. Mesmo atravs de medies experimentais
no podem ser separados, e geralmente mais conveniente escrever a equao
(2.50) como [38]

e0 = er ecd = ecd (1 )
2

(2.51)

onde ecd a eficincia de radiao da antena, que usada para relacionar o

ganho com a diretividade.

2.6 Microscopia Eletrnica de Varredura

O termo microestrutura utilizado para descrever as caractersticas
estruturais

encontradas

nos

materiais

poligranulares

(policristalinos

ou

polifsicos). As microestruturas podem ser caracterizadas pelo tipo, proporo e

composio das fases presentes, e pela forma, tamanho, distribuio e orientao
dos gros [56]. No estudo dos materiais cermicos, a anlise da microestrutura
empregada na tentativa de explicar diferentes propriedades e, consequentemente,
diferentes aplicaes para os materiais. Uma amostra de um material de mesma
composio qumica pode apresentar uma determinada propriedade bem superior
outra, mesmo que ambas tenham se submetido aparentemente ao mesmo
processamento. Este fato bastante comum na anlise dos materiais, quase
sempre encontra explicao ao estudar-se a microestrutura, observando-se, por
exemplo, o tamanho de gro, quantidade de fase vtrea, forma do poro,
caractersticas essas acessveis a tcnicas de anlise bastante simples [56].
O microscpio eletrnico de varredura [57] (MEV) uma ferramenta
poderosa devido alta capacidade de resoluo de imagens, permitindo-se
observar imagens com excelente resoluo [56]. A utilizao do MEV assistido
por micro-sonda EDX (Energy Dispersive X-ray) possibilita a anlise qumica
elementar pontual, representando um recurso de grande valia na investigao da
microestrutura [56]. A interao de um fino feixe de eltrons focalizado sobre a
rea ou o micro-volume a ser analisado gera uma srie de sinais que podem ser
39

utilizados para caracterizar propriedades da amostra [56]. Na microscopia

eletrnica de varredura os sinais de maior interesse referem-se usualmente s
imagens de eltrons secundrios e de eltrons retroespalhados, ao passo que na
micro-sonda eletrnica o sinal de maior interesse corresponde aos raios-X
caractersticos, resultantes do bombardeamento do feixe de eltrons sobre a
amostra, permitindo a definio qualitativa ou quantitativa dos elementos qumicos
presentes [57]. A versatilidade do microscpio eletrnico de varredura deve-se a
diversidade de interaes que ocorrem quando o feixe de eltrons atinge a
amostra. Estas interaes, avaliadas por diferentes detectores, fornecem
informaes sobre a composio, topografia, cristalografia, potencial eltrico e
campos magnticos locais, dentre outras [57].

40

Referncias
[1] Elizabeth Fancio, Aplicao do Mtodo de Rietveld para Anlise Quantitativa
de Fases dos Polimorfos da Zircnia por Difrao de Raios X, Instituto de
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44

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Microanalysis, 2 ed. New York, Plenum Press, 1992.

45

Captulo III

3 Procedimento Experimental
3.1 Sntese do BiNbO4
Para a sntese das cermicas preparadas neste trabalho, os materiais com
alto grau de pureza Bi2O3 (99,9% de pureza) e Nb2O5 (99,99% de pureza) foram
obtidos da Sigma-Aldrich. O niobato de bismuto (BNO) foi sintetizado usando-se a
tcnica padro de reao do estado slido: os reagentes xido de bismuto (Bi2O3)
e xido de nibio (Nb2O5) foram pesados em uma razo estequiomtrica
apropriada e misturados juntos em um almofariz e triturados por um pilo at que
a mistura ficasse uniforme. A mistura foi moda usando-se um moinho planetrio
(Fritsch Pulverisette 5) com uma velocidade de rotao de 370 rpm por um tempo
de 2 horas, usando-se bolas de ao para o processo de moagem. Os xidos
depois de serem misturados, foram calcinados em temperaturas de: 750; 850; 950
e 1050C por 3 horas, em seguida foram realizadas medidas de difrao de raios
x nas amostras calcinadas para confirmar a formao da fase do BNO. A fase do
BNO conseguida a 850C por processo de calcinao foi adicionada com
pequenas quantidades de PbO e Bi2O3 (0, 3, 5 e 10% em peso). Ento, as
amostras (BNO com e sem a adio de xidos) foram misturadas com 3% em
peso de adio de ligante PVA (polyvinyl alcohol,10 vol.%) para facilitar a
compactao das mesmas (ver tabela 4.1), e depois foram prensadas em formas
cilndricas a uma presso de 1500 kg/cm2 usando-se uma prensa hidrulica. Aps
este procedimento, as amostras foram submetidas a uma temperatura de
sinterizao de 1025C por 3 horas, cuja taxa de aquecimento foi 5C/min. Aps
esse processo, elas foram polidas usando-se uma lixa de papel de alta qualidade
para deixar suas faces lisas e paralelas. O mtodo de Archimedes foi usado para
se medir a densidade das amostras sinterizadas.

46

3.2 Difrao de Raios-X

Os difratogramas de raios-X foram obtidos com um difratmetro de raios X:
Rigaku Dmax-B, usando um detector de radiao Cu k (k = 0.1542 nm) com um
cintilmetro operando a 40 kV e 25 mA. As fases cristalinas dos ps calcinados e
das amostras sinterizadas foram varridas por um angulo de 2, na escala de 20
80 com uma taxa de varredura de 0.5o/min.
As fases foram identificadas pelo programa Philips XPert HighScore, em
conjunto com o banco de dados do Joint Committee for Powder Diffraction Studies
(JCPDS) e do International Center for Diffraction Data (ICDD), atravs da
comparao do difratograma com padres difratomtricos das fases individuais
disponibilizados nestes bancos de dados. Os difratogramas obtidos foram
refinados pelo mtodo Rietveld [1] utilizando o programa DBWS9807a [2,3].

3.3 Medidas das Propriedades Dieltricas

As medidas dieltricas da parte real ( r ) e imaginria ( r '' ) da
'

permissividade, assim como o fator de perda dieltrica ( tg E = r '' / r ' ), foram

realizadas utilizando o analisador de impedncia Agilent 4294A. A varredura em
frequncia foi na faixa de 100Hz at 100MHz em temperatura ambiente (25C).
Para a realizao das medidas em rdio frequncia, as amostras slidas sob
investigao, conformadas como discos, com dimetros e espessuras em torno
de 10 mm e 1,2 mm, respectivamente, tiveram suas superfcies lixadas e
recobertas por tinta prata condutora diluda (Joint Metal, tinta condutiva PFT,
Tipo 9045). Aps secagem temperatura ambiente, foram adicionados contatos
metlicos. Aps colagem dos contatos, foi realizada a secagem da tinta prata,
desta vez em estufa a 100 oC por 20 minutos, para cada superfcie do disco.
Com o intuito de analisar as propriedades dieltricas em funo da
frequncia e da temperatura, as medidas foram feitas na faixa de frequncia de
10-1 a 106 Hz, utilizando uma tenso de referncia de 2.0 V e uma faixa de
temperatura de 30 a 240 oC, obtida com um forno resistivo cilndrico comandado

47

atravs de um controlador Coel HW4200 com sensor de temperatura PT-100, de

preciso 0.1 oC. Aps atingir a estabilidade trmica em cada temperatura, num
tempo mdio de 20 min, o analisador varria a faixa de frequncia definida, num
tempo mdio de 10 min, capturando 20 pontos por dcada. Assim, para cada
amostra medida em 10 pontos de temperatura, foram necessrias cerca de 6 h
para a execuo das medidas, levando-se em conta o tempo de preparao do
equipamento. O equipamento permite as medidas diretas da parte real e da parte
imaginria da impedncia em funo da frequncia. A partir desses dados, os
demais parmetros foram determinados, levando-se em conta os parmetros
geomtricos da amostra. O coeficiente de temperatura da capacitncia (TCC) foi
obtido para as amostras circulares, em uma estufa comercial da marca Icamo
acoplada a um analisador de impedncia Solartron SI 1260. A capacitncia em
funo da frequncia foi medida de 30C at 100C. Os clculos dos valores de
TCC foram realizados a partir da seguinte equao:

TCC =

(C

T2

CT1

CT1 (T2 T1 )

(3.1)

onde CT1 a medida da capacitncia em 30C e CT2 o valor da capacitncia em

100C.
A energia de ativao (Ea) do processo de relaxao ativado por
temperatura foi calculada a partir dos valores das frequncias mximas em cada
curva de M''(f) em funo da temperatura pela equao:

f = f 0 e( Ea /kT )

(3.2)

onde f a frequncia mxima na amostra ( temperatura T ), f 0 um fator prexponencial que corresponde a frequncia inicial, k a constante de Boltzmann,
Ea a energia de ativao e T a temperatura (K). Os valores de Ea e f 0 foram
obtidos da curva de ln f versus 1/T .

48

3.4 Microscopia Eletrnica de Varredura

As fotomicrografias da superfcie das amostras slidas foram obtidas em
um microscpio eletrnico de varredura, Philips, modelo XL30, com detector de
Energia Dispersiva de raios-X (EDX), modelo EDAX-CDU Leap Detector,
operando com tenso de acelerao igual a 20 kV. A preparao das amostras
slidas no porta-amostra foi feita com tinta prata condutora. As amostras foram
recobertas (metalizadas) por finssima camada de carbono (BAL-TEC Carbon
Thread), em um depositor de camada condutora por evaporao BAL-TEC
modelo SCD050 Sputter Coater.

3.5 Medidas Dieltricas em Microondas

3.5.1 Preparao dos Ressoadores Dieltricos (RD)
Foram preparadas amostras de RD com o material BNO e com uma relao
geomtrica de 2:1 (dimetro e espessura, respectivamente). Essas dimenses
so desejveis para se obter um melhor acoplamento eletromagntico do modo
TE011 com o ressoador dieltrico e um maior confinamento da radiao,
aumentando assim o fator de qualidade. As dimenses reais das amostras em
mdia so: 18 mm de dimetro por 9 mm de espessura. O procedimento
empregado para a fabricao dos mesmos foi igual ao relatado no item 3.1.

3.5.2 Mtodo Hakki e Coleman

As propriedades dieltricas (permissividade dieltrica e perda dieltrica) na
regio de microondas foram deduzidas a partir da geometria das amostras e dos
valores de frequncia de ressonncia, utilizando o experimento desenvolvido por
Hakki e Coleman [4-7]. O analisador de rede Agilent N5230A foi empregado para
fazer os experimentos [4,8,9], o qual permitiu cobrir uma faixa de frequncia de 10
MHz a 20 GHz.
49

3.6 Configurao Experimental de uma ARD

Experimentalmente os ressoadores dieltricos so excitados por uma
antena monopolo (fio metlico) sobre um plano de terra [10-12]. A configurao
da DRA cilndrica pode ser observada nas Figuras 3.1 (a) e (b). O plano de terra
foi feito de cobre, com as dimenses de 35,5 cm x 30 cm x 2,14 mm. O RD foi
excitado com o modo HE11 por uma sonda proveniente de um cabo coaxial de 9
mm de comprimento. Essa sonda foi ligada ao plano de terra atravs de um
conector SMA. Na Figura 3.1 a ARD possui raio a, altura h e permissividade
'
dieltrica r [13,14]. O alimentador est localizado ao longo do eixo x, na posio

x=a e =0.
Para cada amostra foi obtido o parmetro experimental de impedncia e
perda de retorno. Diversos valores de impedncia de entrada e perdas de retorno
foram medidos para diferentes posies em relao ao excitador, para verificar a
influncia de lacunas de ar (gaps) indicados na figura 3.1 (c).

3.7 Simulao Numrica de Uma ARD

A simulao numrica foi realizada utilizando-se o software HFSS (High
Frequency Structure Simulator). Os valores da permissividade dieltrica e da
tangente de perda obtidos pelo mtodo Hakki-Coleman foram utilizados como
ponto de partida para simulao no HFSS.

50

(a)

(b)

(c)
Figura 3.1 Geometria da ARD cilndrica para excitar o modo HE11. (a) RD sobre o
plano de terra, (b) corte transversal explicitando os componentes da antena (RD,
sonda, plano de terra e cabo coaxial) e (c) lacunas (gaps) de ar lateral (e1) e
horizontal (e2).

51

Referncias
[1] Rietveld, H. M., Line Profiles of Neutron Powder Diffraction Peaks for Structure
Refinement, Acta Cryst., 22, 151, 1967.
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52

[13] Petosa, A., Dielectric Resonator Antenna Handbook, Norwood: Artech House,
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[14] Sethares, J. C., and J. Naumann, Design of Microwave Dielectric
Resonators, IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Vol. 14, No.
1, Jan. 1966, pp 2-7.

53

Captulo IV

4 Resultados e Discusses
4.1 Anlises dos Diagramas DRX e Densidade do BNO
A fase cristalina do p calcinado e das amostras sinterizadas foi identificada
por padres de difrao de raios X. Os diagramas da difrao de raios X
mostraram a formao da fase ortorrmbica da amostra BNO calcinada em
diferentes temperaturas, 850 C e 950 C por 3 horas, como mostra a figura 4.1. A
formao da fase triclnica foi obtida temperatura de 1050 C por 3 horas por
processo de calcinao. A figura 4.2 mostra que durante o processo de
sinterizao das amostras a 1025 C por 3h ocorreu uma transio da fase
ortorrmbica para uma fase triclnica. Nesta mesma figura podemos observar os
padres da difrao de raios X em vrias adies de PbO, onde a fase triclnica
identificada nas amostras com adies de 0, 3, 5 e 10 (% em peso). Sabe-se que
as cermicas BNO tm a fase ortorrmbica abaixo de 1020C que gradualmente
se transforma para a fase triclnica com o aumento de temperatura [1]. A tabela
4.1 mostra a identificao e a densidade relativa do BNO com e sem adies de
xidos. Para o BNO sem adio de xido, a densidade relativa foi de 93,75%. O
BNO com adio de Pb (5 % em peso) mostrou uma densidade relativa de
99,14%. Na literatura encontramos para o BNO com adio de xido de vandio
(0,5 % em peso de V2O5) uma densidade relativa ao redor de 98% relatado por
Wen-Cheng Tzou [2]. As adies de Pb e Bi aumentaram a densificao do BNO
mostrando que podem ser usadas para baixar a temperatura de densificao
desse material.

54

Tabela 4.1 Sumrio de identificao das amostras (BNO-) com % em peso para
as adies de xidos, ligante com % em peso e clculo das densidades.

Cdigo

Amostras

BNO

BINbO4

BNO3Pb

BiNbO4 + PbO
(3%)

PVA

BNO5 Pb

BiNbO4 + PbO
(5%)

PVA

BNO10 Pb BiNbO4 + PbO

(10%)

Ligante (3%)

d (teo.)( g / cm3 )

d (exp.)( g / cm3 )

Densidade
R e lativa(%)

6,56

6,15

93,75

6,75

6,47

95,85

6,95

6,79

99,14

6,92

6,87

97,69

6,61

6,25

94,55

6,89

6,59

95,64

6,87

6,57

95,63

PVA

BNO3Bi

BiNbO4 + Bi2O3
(3%)

PVA

BNO5 Bi

BiNbO4 + Bi2O3
(5%)

PVA

BNO10 Bi

BiNbO4 + Bi2O3
(10%)

PVA

Figura 4.1 Diagrama de difrao de Raios-X do BNO calcinado a 750, 850, 950 e
1050 C por 3 horas.
55

Figura 4.2 Diagrama de difrao de Raios-X do BNO sinterizado a 1025 C em

diferentes adies de PbO.

4.2 Refinamento pelo Mtodo Rietvelt

Os parmetros estruturais foram refinados pelo mtodo Rietveld atravs do
programa DBWS-9807a, usando os dados obtidos pelos difratogramas. A anlise
feita no BNO calcinado a 850 C por 3 horas mostrou a formao da fase com
sistema cristalino ortorrmbico. Foi confirmada atravs do refinamento Rietveld a
estrutura ortorrmbica do BNO com parmetros de rede atmica: a=5.6797,
b=11.7090, c= 4.9857, e volume da clula unitria= 331.573. Esses
parmetros de rede so similares aos relatados na literatura por R. Radha [3]. Os
valores utilizados para avaliar o progresso do refinamento e da concordncia
entre o perfil observado e calculado so os resduos obtidos a partir das
diferenas de intensidades observadas e calculadas. O resultado do refinamento
apresentado na tabela 4.2 est de acordo com as estimativas qualitativas. Os
picos de difrao foram obtidos, mantendo Rexp (valor do erro esperado) em
valor baixo. Os outros resduos (Rp, Rwp, s=Rwp/Rexp) apresentaram baixos
valores condizentes com Rexp, mostrando uma boa aproximao entre o padro
56

observado e o calculado. O resultado obtido para a estrutura refinada foi bastante

satisfatrio, tanto no que se refere aos parmetros que definem a estrutura, como
na definio do perfil e os parmetros instrumentais. Na figura 4.3 temos o grfico
do refinamento pelo mtodo Rietveld para a amostra BNO- (fase ortorrmbica)
calcinada a 850 C por 3 horas, onde os diagramas observado (obs), calculado
(calc) e diferena (obscalc) so mostrados.

Tabela 4.2 Parmetros estruturais da amostra BNO- refinada pelo Mtodo

Rietveld. BNO calcinado a 850C por 3 horas.
Parmetros Estruturais

5.6797

11.7090

4.9857

90

90

90

R P (%)
S

15,56

R WP ( % )
D W

20,02

R experado ( % )

10,77

0,35

Grupo Espacial

P N N A (52)

1,85

Figura 4.3 Refinamento atravs do mtodo Rietveld do BNO calcinado a 850 C

por 3h. Os padres observado (obs), calculado (calc) e a diferena (obscalc).

57

4.3 Medidas Dieltricas Temperatura Ambiente

As medidas dieltricas foram, primeiramente, realizadas em temperatura
ambiente (25C) numa faixa de frequncia de 100Hz-100MHz para a fase
triclnica das amostras BNO com adies de Bi2O3 e PbO. Essas amostras foram
obtidas por processo de sinterizao a 1025 C por 3 h e analisadas para a
aplicao em rdio frequncia. A permissividade dieltrica ( r ) e a tangente de
perda dieltrica (tg) foram obtidas para o BNO com adies variando de 0, 3, 5 e
10 % em peso. As figuras 4.4 (a) e 4.4 (b) mostram as curvas da permissividade
dieltrica ( r ) onde observamos uma disperso nos valores da permissividade
dieltrica na faixa de frequncia abaixo de 100kHz. Essa disperso maior nas
amostras com adio Pb que nas amostras com adio Bi. Para a frequncia de
100kHz, os maiores valores da permissividade dieltrica observados so para o
BNO5Bi e o BNO5Pb com valores de r = 59,54 e r = 78,44, respectivamente.
Esses valores so importantes porque permitem reduzir as dimenses fsicas do
capacitor.

Figura 4.4 Permissividade dieltrica relativa em funo da frequncia do BNO (a)

com adio de Bi2O3 e (b) com adio de PbO.
58

As figuras 4.5 (a) e 4.5 (b) mostram a tangente de perda em funo da

frequncia para a amostra BNO com diferentes adies onde o menor valor
observado ocorre para as amostras BNO5Bi e BNO3Pb em 33,69MHz com
valores de tg = 5,71 x10-4 e tg = 2,19 x10-4, respectivamente. Esses baixos
valores da tangente de perda dieltrica so importantes para funes capacitivas
porque permitem um baixo valor da variao do coeficiente de temperatura da
frequncia de ressonncia. A tangente de perda dieltrica da cermica BNO
relativamente alta para baixas frequncias e ela aumenta significativamente para
as amostras BNO5Bi, BNO5Pb e BNO10Pb. A tangente de perda dieltrica e a
permissividade dieltrica para as frequncias de 100kHz, 28MHz e 33,69MHz so
mostradas na tabela 4.3 para os valores com a adio de Bi e PB de onde
podemos concluir que os mais baixos valores da tangente de perda acontecem
para frequncias iguais ou superiores a 28MHz.

Figura 4.5 Tangente de perda em funo da frequncia do BNO (a) com adio
de Bi2O3 e (b) com adio de PbO.
59

Tabela 4.3 Propriedades dieltricas temperatura ambiente das amostras BNO

(fase triclnica). Tangente de perda ( tg ), permissividade dieltrica relativa ( r )
para algumas frequncias fixas.
100kHz

Amostras

28MHz

tg

33, 69MHz

tg

tg

BNO

24,56

7,33 x10-2

21,90

8,69 x10-3

21,75

7,80 x10-2

BNO3Bi

36,08

3,64 x10-2

32,96

4,87 x10-3

32,69

2,74 x10-2

BNO5 Bi

59,54

1,09 x10-2

56,08

2,21 x10-3

55,23

5,71 x10-4

BNO10 Bi

55,60

1,45 x10-2

52,25

7,05 x10-3

51,74

5,49 x10-3

BNO3Pb

48,84

2,32 x10-2

45,77

1,67 x10-3

45,19

2,19 x10-4

BNO5 Pb

78,44

6,26 x10-2

67,91

1,11 x10-2

66,61

8,85 x10-3

BNO10 Pb

72,73

7,16 x10-2

63,02

1,29 x10-2

62,02

1,07 x10-2

4.4 Medidas Dieltricas em Funo da Temperatura

As propriedades dieltricas do BNO- sinterizado a 1025C foram obtidas
em funo da temperatura com variao de 30 a 240 C, como mostrado na figura
4.6. Foi observado que aumentando-se a temperatura, a permissividade dieltrica
e a tangente de perda dieltrica, aumentam para as frequncias abaixo de
100kHz. A figura 4.6 (a) mostra a permissividade dieltrica relativa (r ) em funo

da temperatura onde observamos que para a temperatura de 240 C o mximo

valor alcanado r =114,18 para a frequncia de 1kHz. Subsequentemente, para

a tangente de perda dieltrica (tg), a figura 4.6 (b) mostra os valores mnimos de

tg =1,24 x 10-2 e de tg=1,62x10-3 para as frequncias de 100kHz e 1MHz,

respectivamente,

50C.

Observamos

uma

disperso

nos

valores

da

permissividade dieltrica e da tangente de perda dieltrica para as frequncias de

10Hz, 100Hz e 1kHz para as quais os mximos valores de tg
alcanados em 240 C.

60

r so

Figura 4.6 (a) Permissividade dieltrica relativa e (b) tangente de perda em funo
da temperatura do BNO sinterizado a 1025 C, dados experimentais.
A figura 4.7 (a) mostra a permissividade dieltrica em funo da frequncia
que permanece constante na faixa de frequncia de 1kHz-1MHz e a figura 4.7 (b)
mostra a tangente de perda (tg ) em funo da frequncia na qual os menores
valores observados so para as frequncias na faixa de 100kHz-1MHz. A
permissividade dieltrica e a tangente de perda dieltrica das amostras para a
frequncia na faixa de 100kHz esto listadas na tabela 4.4. Considerando as
amostras com adio de bismuto, encontramos o valor mais elevado da
permissividade dieltrica relativa para o BNO5Bi a 50C (r =61,05), e o mais

baixo valor da tangente de perda dieltrica (tg=5,40 x 10-3) para o BNO3Bi a

80C. Para as amostras com adio de chumbo, o maior valor da permissividade
dieltrica relativa foi para o BNO5Pb com valor de

r=76,40 a 200C e o menor

valor da perda dieltrica foi para o BNO3Pb a 50C com valor de tg =5,79x10-3.
Observamos na tabela 4.4 que com a adio de 3 e 5% em peso de Bi e com a
adio de 3% em peso de Pb conseguimos reduzir a tangente de perda dieltrica
do BNO.

61

Figura 4.7 Dados experimentais da (a) permissividade dieltrica relativa e (b)

tangente de perda em funo da frequncia e da temperatura do BNO sinterizado
a 1025 C.

62

Tabela 4.4 Tangente de perda ( tg ), permissividade dieltrica relativa (r) com

diferena de temperatura e frequncia de 100 kHz. Amostra BNO sinterizada a
1025 C e adies de xidos com % em peso.

Frequncia (100kHz )
Temperatura
(C)
50

80

150
180

200

BNO
r

tg

BNO3Bi
r

BNO5 Bi
r

BNO10 Bi
r

BNO3Pb
r

BNO5Pb
r

BNO10 Pb

55,07

61,05

57,49

48,82

74,05

68,31

tg

57,83
-2

-3

1,24 x10

5,49 x10

57,91

55,23
-2

-3

tg

-3

5.79 x10

1,35 x10

1.96 x10-2

60,93

57,38

49,23

73,94

67,92

5,40 x10

6,2 x10

58,23

55,99

60,82

6,38 x10

5,98 x10

1,24 x10

1,42 x10-2

57,48

50,68

75,21

69,21

6,65 x10

9,50 x10

1,53 x10

1,76 x10-2

58,48

56,40

60,82

57,53

51,28

75,93

69,97

7,79 x10

1,30 x10

6,89 x10

1,17 x10

1,70 x10

1,79 x10-2

58,68

56,62

60,86

57,55

51,65

76,40

70,41

3,64 x10

-3

7,79 x10

-2

1,91 x10

-2

7,31 x10

-2

-2

2.68 x10

-2

-2

-3

-2

8,72 x10

-2

-2

-3

-2

7,77 x10

-3

-3

-2

-3

1,87 x10

-2

-3

tg

7,55 x10

-3

-2

tg

6,52 x10

1,36 x10

-2

tg

r
tg

-2

1,61 x10

-2

-2

1,92 x10

4.4.1 Distribuio do Tempo de Relaxao

A distribuio do tempo de relaxao Cole-Cole (c-c) em funo da
temperatura est mostrada na tabela 4.5 juntamente com o mdulo infinito (M) e
o mdulo esttico (Ms) usados na anlise, para a amostra BNO sinterizada a 1025
C sem a adio de xidos. O tempo de relaxao foi obtido atravs do ajuste das
curvas do mdulo imaginrio (M) em funo do mdulo real (M) calculados
numericamente usando-se o modelo Cole e Cole representado pelas equaes
(2.11) e (2.12) do captulo 2. Com temperatura de 180C, o tempo de relaxao
Cole-Cole (c-c) obtido foi de 415s e aumentando a temperatura para 240C, o
tempo de relaxao obtido foi de 75 s, deste modo, observamos que o tempo de
relaxao diminui com o aumento da temperatura. A diminuio do tempo de
relaxao com o aumento da temperatura atribuda ao fato que a frequncia de
63

1,99 x10-2

jump (salto repentino), aumenta com o aumento da temperatura. A tabela 4.5

mostra os dados do referido ajuste numrico com o tempo de relaxao mdio (cc),

o parmetro , o mdulo esttico (Ms), o mdulo infinito (M) e as temperaturas

correspondentes. As tabelas 4.6-4.8 mostram a distribuio do tempo de

relaxao (c-c) em funo da temperatura obtida para o BNO3Pb, BNO5Pb e
BNO10Pb, respectivamente, onde podemos observar que houve um aumento nos
valores do tempo de relaxao considerando-se as adies e temperaturas. Em
180C temos um tempo de relaxao para o BNO de c-c = 415 s; para o
BNO3Pb de c-c = 700 s; para o BNO5Pb de c-c = 3300 s, e para o BNO10Pb
de c-c = 1600 s. Assim, conclumos que o processo de relaxao do BNO
tambm depende da adio do xido de chumbo em determinada faixa de
temperatura. A figura 4.8 mostra o tempo de relaxao em funo da temperatura
para as amostras citadas acima, na qual observamos a diminuio do tempo de
relaxao com a variao de temperatura para as diversas amostras e onde
observamos tambm o efeito da adio de Pb no processo de relaxao.

Tabela 4.5 Mdulo esttico ( M s ), infinito ( M ), parmetro de correo ( ) e

tempo de relaxao mdio (c-c) do BNO. Anlise numrica Cole-Cole,
temperatura de 180 240 C.

Temperatura (C)

Ms

( s)

180

8,64 x 10-6

1,73 x 10-2

43 x 10-2

415

190

9,05 x 10

-6

1,73 x 10

-2

43 x 10

-2

300

5,82 x 10

-6

1,73 x 10

-2

42 x 10

-2

225

6.35 x 10

-6

1,73 x 10

-2

41 x 10

-2

187

3,04 x 10

-6

1,72 x 10

-2

41 x 10

-2

139

2,09 x 10

-6

1,72 x 10

-2

40 x 10

-2

94

1,17 x 10

-6

1,72 x 10

-2

39 x 10

-2

75

200
210
220
230
240

64

Tabela 4.6 Mdulo esttico ( M s ), infinito ( M ), parmetro de correo ( ) e

tempo de relaxao mdio (c-c) do BNO3Pb. Anlise numrica Cole-Cole,
temperatura de 150 220 C.

( s)

Temperatura (C)

Ms

150

16,20 x 10-6

1,98 x 10-2

26 x 10-2

2200

1,97 x 10

-2

26 x 10

-2

1600

1,96 x 10

-2

24 x 10

-2

1000

1,95 x 10

-2

25 x 10

-2

700

1,95 x 10

-2

25 x 10

-2

500

1,94 x 10

-2

24 x 10

-2

300

1,93 x 10

-2

24 x 10

-2

200

23 x 10-2

180

4,12 x 10

-6

2,43 x 10

-6

1,96 x 10

-6

1,56 x 10

-6

0,90 x 10

-6

210

0,57 x 10

-6

220

0,46 x 10-6

160
170
180
190
200

1,92 x 10-2

Tabela 4.7 Mdulo esttico ( M s ), infinito ( M ), parmetro de correo ( ) e

tempo de relaxao mdio (c-c) do BNO5b. Anlise numrica Cole-Cole,
temperatura de 170 220 C.

( s)

Temperatura (C)

Ms

170

71,18 x 10-6

1,34 x 10-2

38 x 10-2

2300

-2

-2

3300
1200

-6

180

120,51 x 10

1,33 x 10

190

55,07 x 10-6

1,33 x 10-2

37 x 10-2

200

-6

1,33 x 10

-2

35 x 10

-2

900

1,32 x 10

-2

33 x 10

-2

600

1,32 x 10

-2

31 x 10

-2

360

210
220

23,65 x 10
0,65 x 10

-6
-6

13,32 x 10

37 x 10

Tabela 4.8 Mdulo esttico ( M s ), infinito ( M ), parmetro de correo ( ) e

tempo de relaxao mdio (c-c) do BNO10b. Anlise numrica Cole-Cole,
temperatura de 180 220 C.

( s)

Temperatura (C)

Ms

180

141,62 x 10-6

1,45 x 10-2

38 x 10-2

1600

190

-6

1,44 x 10

-2

37 x 10

-2

1100

-2

36 x 10

-2

900

176,22 x 10

-6

200

34,98 x 10

1,44 x 10

210

23,14 x 10-6

1,44 x 10-2

34 x 10-2

600

-2

-2

370

220

8,98 x 10

-6

1,43 x 10

65

31 x 10

Figura 4.8 Tempos de relaxao em funo da temperatura do BNO, BNO3Pb,

BNO5Pb e BNO10Pb.

4.4.2 Mdulo Eltrico e Coeficiente de Temperatura da Capacitncia

Nas figuras 4.9-4.11 temos os valores experimentais e numricos do
mdulo real (M) e do mdulo imaginrio (M) em funo da frequncia e da
temperatura para a amostra BNO sinterizada a 1025C for 3h. A variao de M e
M com a frequncia, mostrada nas figuras 4.9 e 4.10, ilustra esquematicamente
o comportamento de disperso tpico para polarizaes no regime de relaxao.
Observando a figura 4.9, notamos que os valores de M, aumentam com a
frequncia e alcanam um valor constante. No obstante, os picos da frequncia
de ressonncia das curvas de M'' esto deslocando-se com o aumento da
temperatura, indicando o aparecimento de um processo de relaxao. Os picos
de relaxao esto deslocados por causa do processo de relaxao. Esta
relaxao influenciada pelo efeito da polarizao interfacial, que gera
acumulao de carga eltrica ao redor das partculas cermicas, deslocando os
picos de relaxao [4-7].
Nas figuras 4.12-4.20 obtivemos as curvas, experimental e numrica, do
mdulo real (M) e imaginrio (M) em funo da frequncia e da temperatura
66

para as amostras: BNO3Pb, BNO5Pb e BNO10Pb onde observamos os

deslocamentos dos picos da frequncia de ressonncia das curvas de M''
considerando-se as diversas adies de Pb. Vemos tambm que foi possvel
obtermos as curvas de M'' em temperaturas mais baixas com BNO3Pb.

Figura 4.9 Mdulo real do BNO em funo da frequncia. Espectro da funo

mdulo experimental e simulado.

67

Figura 4.10 Mdulo imaginrio do BNO em funo da frequncia. Espectro da

funo mdulo experimental e simulado.

Figura 4.11 Grfico Cole-Cole na regio de relaxao indicada pelos semicrculos, do BNO. Espectro da funo mdulo experimental e simulado.
68

Figura 4.12 Mdulo real do BNO3Pb em funo da frequncia. Espectro da

funo mdulo experimental e simulado.

Figura 4.13 Mdulo imaginrio do BNO3Pb em funo da frequncia. Espectro da

funo mdulo experimental e simulado.

69

Figura 4.14 Grfico Cole-Cole na regio de relaxao indicada pelos semicrculos, do BNO3Pb. Espectro da funo mdulo experimental e simulado.

Figura 4.15 Mdulo real do BNO5Pb em funo da frequncia. Espectro da

funo mdulo experimental e simulado.

70

Figura 4.16 Mdulo imaginrio do BNO5Pb em funo da frequncia. Espectro da

funo mdulo experimental e simulado.

Figura 4.17 Grfico Cole-Cole na regio de relaxao indicada pelos semicrculos,

do BNO5Pb. Espectro da funo mdulo experimental e simulado.
71

Figura 4.18 Mdulo real em funo da frequncia do BNO10Pb. Espectro da

funo mdulo experimental e simulado.

Figura 4.19 Mdulo imaginrio em funo da frequncia do BNO10Pb. Espectro

da funo mdulo experimental e simulado.
72

Figura 4.20 Grfico Cole-Cole na regio de relaxao indicada pelos semicrculos,

do BNO10Pb. Espectro da funo mdulo experimental e simulado.
O coeficiente de temperatura da capacitncia (TCC) diminui com o aumento
da frequncia para a amostra BNO (veja tabela 4.9), vemos a mudana do valor
de TCC de +75,34 ppm/C para -2,63 ppm/C com mudana no valor da
frequncia de 1kHz para 100kHz. O valor de TCC muda para um maior valor
negativo com uma quantidade crescente de adio de Bi2O3 e PbO para a
frequncia de 1kHz. Observamos que para o BNO dopado com 3% em peso de
bismuto o valor de TCC muda de +70,95 ppm/C para -127,38 ppm/C com o
aumento da dopagem para 5% de bismuto (BNO5Bi) na frequncia de 100kHz.
Para o BNO com 3% de adio em peso de chumbo, o valor de TCC muda de
+142,28 ppm/C para -335,65 ppm/C com o aumento da adio para 5% de
chumbo (BNO5Pb) na frequncia de 100kHz. Para a frequncia de 1MHz (ver
tabela 4.9), observamos que o sinal do TCC muda, a partir da amostra BNO com
TCC = -55,06 ppm/oC para TCC = +86,74 ppm/oC (BNO3Bi) e para TCC =
+208,87 ppm/oC (BNO3Pb). Pode-se concluir que a partir do BNO, aumentandose a adio de Bi ou Pb, encontraremos uma concentrao onde teremos um

73

TCC=0 ppm/oC, que importante para aplicaes de materiais com temperatura

estvel como capacitores de alta frequncia.

Tabela 4.9 Valores de TCC em funo da frequncia com valores de 1kHz,

1412Hz, 100kHz e 1MHz, e a energia de ativao (Ea) das amostras BNO.
BNO

BNO3Bi

BNO5 Bi

BNO10 Bi

BNO3Pb

BNO5 Pb

BNO10 Pb

+75,34

-56,32

-288,64

-493,53

-667,82

-2207,28

-3239,25

(ppm/C)

+4,37

-28,71

-305,17

-450,06

-541,74

-1989,93

-2764,04

(ppm/C)

-2,63

+70,95

-127,38

-110,84

+142,28

-335,65

-549,87

(ppm/C)

-55,06

+86,74

-72,86

-42,34

+208,87

-275,17

-185,92

Ea ( eV )

0,55

0,64

0,65

0,67

0,67

TCC
(ppm/C)

f = 1kHz
TCC

f = 1412 Hz
TCC
f = 100kHz
TCC

f = 1MHz

Pela anlise da medida de condutividade eltrica obtida para as amostras

BNO, observou-se que o processo de conduo termicamente ativado, e o
parmetro que determinou o grau de variao da condutividade com a
temperatura foi a energia de ativao. Vemos na tabela 4.10 que a amostra BNO
sem a adio de xido apresentou valor de condutividade bem acima das
amostras com a adio de Pb, sendo comprovado que a adio de Pb pode ser
usado para controlar a condutividade (reduzindo a sua dependncia da
temperatura) neste tipo de material.

74

Tabela 4.10 Variao da condutividade em 1kHz de frequncia com temperatura.

BNO
ac (S.m-1)

BNO3PB
ac (S.m-1)

BNO5PB
ac (S.m-1)

BNO10Pb
ac (S.m-1)

1,53x10-6

9,07x10-7

7,77x10-7

6,63x10-7

190

1,79x10-6

1,19x10-6

1,00x10-6

8,60x10-7

200

2,05x10-6

1,54x10-6

1,28x10-6

1,13x10-6

210

2,37x10-6

1,99x10-6

1,64x10-6

1,47x10-6

220

2,76x10-6

2.54x10-6

2,22x10-6

1,98x10-6

Temperatura
(C)
180

Observamos nas figuras 4.21-4.25 o grfico de Arrhenius para as diversas

amostras. Com os dados de ajuste linear dessas curvas foram calculadas as
energias de ativao para as amostras e os valores so mostrados na Tabela 4.9
onde observamos que as amostras dopadas apresentaram um valor superior
energia de ativao do BNO que apresentou uma energia de Ea =0,55 eV que
menor se comparada a energia do BNO3Bi que de Ea =0,64 eV ou se
comparada a energia do BNO3Pb que de Ea =0,65. Essa pequena diferena na
energia de ativao do BNO provocado pela adio dos dopantes Bi e Pb ocorreu
provavelmente devido criao de uma barreira potencial impedindo o
movimento de ons, eltrons ou vacncias na rede. A energia de ativao a
energia que os ons precisam para transpor a altura da barreira, a energia
necessria para a criao de vacncias e a energia necessria para o movimento
de vacncias.

75

Figura 4.21 Grfico de Arrhenius dos picos de frequncias obtidos da parte

imaginria do mdulo eltrico e energia de ativao (Ea) da amostra BNO.

Figura 4.22 Grfico de Arrhenius dos picos de frequncias obtidos da parte

imaginria do mdulo eltrico e energia de ativao (Ea) do BNO3Bi.

76

Figura 4.23 Grfico de Arrhenius dos picos de frequncias obtidos da parte

imaginria do mdulo eltrico e energia de ativao (Ea) do BNO3Pb.

Figura 4.24 Grfico de Arrhenius dos picos de frequncias obtidos da parte

imaginria do mdulo eltrico e energia de ativao (Ea) do BNO5Pb.

77

Figura 4.25 Grfico de Arrhenius dos picos de frequncias obtidos da parte

imaginria do mdulo eltrico e energia de ativao (Ea) do BNO10Pb.

4.5 Microscopia Eletrnica de Varredura

As micrografias MEV das cermicas BNO sinterizadas a 1025C com
diferentes somas de Pb e Bi, foram investigadas e os resultados esto mostrados
nas figuras 4.26-4.29. O objetivo desta anlise foi observar a textura e porosidade
das amostras aps o processo de compactao e sinterizao. A figura 4.26
corresponde amostra preparada sem a adio de xido (BNO) na qual se
observa que h pouca porosidade e ela est distribuda aleatoriamente, sendo
preferencialmente intergranular evidenciando gros pequenos (<1m) e gros
grandes aleatoriamente distribudos.
As figuras 4.27-4.29 correspondem s amostras preparadas com adies
de Bi e Pb. A figura 4.27 mostra micrografias obtidas para a amostra sinterizada
BNO10Bi na qual observamos que praticamente no existe a presena de poros
na estrutura superficial. A figura 4.28 mostra micrografias obtidas para a amostra
sinterizada BNO3Pb na qual observamos a existncia de gros muito pequenos e
difceis de serem avaliados em sua estrutura interna.

78

Na figura 4.29 observamos a estrutura interna da amostra BNO10Pb que

mostra a existncia de aglomerados bem distribudos e uma microestrutura com
tamanho de gro entre 1 e 5 m.

Figura 4.26 Micrografias MEV da amostra BNO sinterizada 1025C.

79

Figura 4.27 Micrografias MEV da amostra BNO10Bi sinterizada 1025C.

80

Figura 4.28 Micrografia MEV da amostra BNO3Pb sinterizada 1025C.

81

Figura 4.29 Micrografias MEV da amostra BNO10Pb sinterizada 1025C.

82

4.6 Caracterizao Eltrica em Microondas

A constante dieltrica (r) e o fator de qualidade ( Q = 1 / tg ), com
frequncia de ressonncia de microondas na faixa de 4-6 GHz, foram obtidos pelo
mtodo ressonador dieltrico Hakki-Coleman que foi discutido no captulo 2 no
qual encontram-se as referncias sobre o mtodo. A permissividade dieltrica
(r) das cermicas BNO sinterizadas a 1025C por 3 horas, mudou com a
variao dos valores de adio de Bi e Pb, como mostra a figura 4.30.
Observamos que a adio dos xidos Bi e Pb aumentaram a tangente de perda
que pode ser visto na figura 4.31 onde o seu valor mais baixo para o BNO5Bi
com valor de tg=8,02 x10-3. Nas medidas mostradas na tabela 4.11, observamos
que a permissividade dieltrica (r) mudou entre BNO (r= 31,38) e BNO15Pb
(r= 31,41) e alcanou o mnimo para o BNO10Bi (r= 15,52). Na literatura,
reportado por Kagata et al. [2,8], encontramos
com adio de V2O5. Cheng tambm relatou

r= 43 obtido para o BNO mas,

r= 43,6 obtido para o BNO com

adio 0,5% em peso de CuO e sinterizado a 920C por 4h [9]. O valor do fator de
qualidade ( Q ) teve o mximo para o BNO ( Q =324,67) e diminuiu rapidamente
com o aumento da adio dos xidos como mostra a tabela 4.11, provavelmente
devido a uma reduo do tamanho de gro, tendo em vista que Kucheiko et al.
relataram que os valores de Q aumentam com o tamanho mdio de gro [10]. Por
causa do aumento do tamanho de gro, os poros e a rea do contorno de gro
diminuem, reduzindo as imperfeies da rede atmica e assim aumentando o
valor de Q [11]. Para melhorar o valor do fator de qualidade ( Q ), variamos a
temperatura de sinterizao do BNO entre 1010-1050C, de acordo com a tabela
4.12, e obtivemos um aumento no valor de Q = 689,70 a 1050C por 3 horas,
provavelmente devido aos tamanhos de gros que ficaram maiores e a superfcie
sinterizada exibindo menos poros causando a reduo dos defeitos cristalinos, e
assim, aumentando os valores de Q f r ( GHz ) .

83

Tabela 4.11 Medidas da permissividade dieltrica e fator de qualidade das

amostras sinterizadas a 1025 C por 3h. Largura de banda (BW) em -3dB.

BW (MHz)

f r ( GHz )

3,08 x10-3

31,38

15,2

4,53

124,69

8,02 x10-3

21,06

41,2

5,05

209,32

35,72

2,80 x10-2

15,52

164,8

5,86

BNO15 Bi

152,10

28,32

3,53 x10-2

18,17

189,7

5,37

BNO5 Pb

151,64

33,11

3,02 x10-2

27,34

139,3

4,58

-2

23,89

129,3

4,96

31,41

159,4

4,41

Amostras

Q f r ( GHz )

tg

BNO

1470,75

324,67

BNO5 Bi

629,68

BNO10 Bi

BNO10 Pb

192,25

38,76

2,58 x10

BNO15 Pb

122,86

27,86

3,59 x10-2

Tabela 4.12 Medidas da permissividade dieltrica e fator de qualidade do BNO

sinterizado em diferentes temperaturas por 3h. Largura de banda (BW) em -3dB.

Temperatura (C)

BW (MHz)

Q f r ( GHz )

1010

189,40

21,44

31,5

1048,82

1030

561,80

34,64

9,3

2412,40

1050

689,70

30,76

8,5

3094,77

84

Figura 4.30 Permissividade dieltrica do BNO sinterizado a 1025 C por 3h com

adio de Bi e Pb (% em peso) e com frequncia na faixa de 4GHz a 6GHz.

Figura 4.31 Tangente de perda do BNO sinterizado a 1025 C por 3h com adio
de Bi e Pb (% em peso) e com frequncia na faixa de 4GHz a 6GHz.

85

4.7 Antenas Ressoadoras Dieltricas (ARD)

Com o objetivo de validar os resultados experimentais foram realizadas
simulaes numricas utilizando o software HFSS (Ansofts High Frequency
Sfructure Simulator). Esperamos com isto, poder estimar parmetros importantes
da antena, como diagramas de radiao, diretividade, ganho, etc.
Para cada amostra, foram adquiridas a perda de retorno em funo da
frequncia e a impedncia de entrada atravs de um analisador de rede HP871
6ET, em torno do primeiro modo HE11. A perda de retorno das ARD em funo
da frequncia, simulada no HFSS, pode ser observada na Figura 4.32. Como
todas as amostras irradiaram com perda de retorno abaixo de -10dB, elas podem
ser utilizadas para fins comerciais e tecnolgicos [12]. Observando os resultados
simulados, pode-se perceber que todas as amostras produzidas apresentam
ressonncias na faixa de frequncia de 2,8 a 3,4 GHz, que a faixa de frequncia
de banda S, de acordo com o IEEE [18].

Figura 4.32 Perda de retorno para as ARD originrias do BNO. Resultado da

simulao numrica.

86

Uma observao importante na anlise do grfico da figura 4.32 que a

amostra BNO10Pb deslocou-se para uma menor frequncia de operao em
relao ao BNO por apresentar uma menor lacuna de ar vertical (e1). De maneira
semelhante, as amostras BNO5Pb, BNO5Bi e BNO10Bi deslocaram-se para uma
maior frequncia de operao, tambm, devido a uma lacuna de ar vertical (e1)
maior em relao lacuna de ar do BNO cujos valores podem ser vistos na tabela
4.15. Com esse sistema, possvel obter uma antena que opere na faixa de
frequncia de 2,8 a 3,3 GHz .
Os grficos da perda de retorno dos dados experimentais juntamente com
os obtidos por simulao numrica das ARD esto mostrados nas Figuras 4.334.37. possvel observar que a perda de retorno para os dados simulados est
de boa concordncia com os valores medidos na faixa de frequncia estudada. As
tabelas: 4.13 e 4.14 resumem as informaes mais importantes das curvas
mostradas nas figuras 4.33-4.37. A partir da tabela 4.13, pode-se observar que a
largura de banda a -10dB das antenas produzidas esto na faixa de 66 140
MHz de acordo com os dados experimentais, e essas antenas so classificadas
como antenas de banda larga. Com base nos resultados, pode-se observar erros
menores do que 1% para a estimar a frequncia de ressonncia. Na tabela 4.15
encontramos os parmetros utilizados na simulao com o HFSS onde o e1 a
lacuna de ar (gap) vertical correspondente a altura h da ARD cilindra e o e2 a
lacuna de ar entre a ARD e o plano terra.
Tabela 4.13 Frequncia de ressonncia ( f r ), Largura de Banda ( BW ) em -10dB
com valores experimentais (exp.) e simulados (Num.) das ARD estudas.

f r ( GHz )

BW (MHz)

Antenas

Exp.

Num.

Erro ( % )

Exp.

Num.

BNO

3,06

3,06

0,03

70,23

80,00

12,2

BNO5 Bi

3,29

3,29

0,08

140,18

144,00

2,65

BNO10 Bi

3,16

3,17

0,31

128,38

130,00

1,25

BNO5 Pb

3,09

3,09

0,06

92,63

103,00

10,07

BNO10 Pb

2,85

2,84

0,35

66,00

77,83

15,20

87

Erro ( % )

Tabela 4.14 Perda de retorno (em dB) das antenas. Dados experimentais e
simulados.
Perda de Retorno
Antenas

Exp.

Num.

Erro ( % )

BNO

-37,86

-37,85

0,03

BNO5 Bi

-35,48

-35,39

0,25

BNO10 Bi

-20,05

-19,71

1,7

BNO5 Pb

-25,98

-25,99

0,04

BNO10 Pb

-31,27

-30,91

1,15

Tabela 4.15 Parmetros utilizados na simulao com o HFSS.

Antenas

e1 (10-2mm)

e2 (10-2mm)

a (mm)

h (mm)

tg

BNO

10

8,21

8,25

31,38

3,08 x10-3

BNO5 Bi

15,6

65

8,92

9,06

21,06

8,02 x10-3

BNO10 Bi

11

40

9,04

9,02

15,52

2,80 x10-2

BNO5 Pb

12

16,5

8,71

8,70

27,34

3,02 x10-2

BNO10 Pb

8,6

3,7

8,60

8,61

23,89

2,58 x10-2

88

Figura 4.33 Perda de retorno simulada e experimental do BNO.

Figura 4.34 Perda de retorno simulada e experimental do BNO5Bi.

89

Figura 4.35 Perda de retorno simulada e experimental do BNO10Bi.

Figura 4.36 Perda de retorno simulada e experimental do BNO5Pb.

90

Figura 4.37 Perda de retorno simulada e experimental do BNO10Pb.

As figuras 4.38 e 4.39 mostram a impedncia de entrada experimental e
simulada para as amostras BNO com e sem dopantes. Atravs destas figuras,
percebe-se que a diferena entre experimento e simulao so pequenas. No
caso do BNO, por exemplo, o ajuste quase perfeito, possuindo apenas um
pequeno deslocamento na frequncia do pico de ressonncia, o que possibilita
uma pequena variao na intensidade da perda de retorno. As Figuras 4.40-4.44
exibem as cartas de Smith das amostras desenvolvidas, onde podemos observar
o ajuste entre as curvas experimentais e simuladas, e ver a influncia da perda na
proximidade das curvas de impedncia de entrada. Todas as amostras esto na
regio de baixa resistncia e so mais indutivas que capacitivas.
Atravs da carta de Smith determinamos a impedncia de entrada, o
coeficiente de reflexo e de onda estacionria para todas as amostras. Para o
BNO, primeiramente, localizamos a impedncia (Z=50,51-j6,65) na carta de
Smith, indicada no ponto A da figura 4.40 que uma regio capacitiva, e a
correspondente frequncia de ressonncia (3,06GHz) indicada na tabela 4.16. Em
seguida, normalizamos a impedncia Z pela impedncia caracterstica Z0=50 e
calculamos o coeficiente de reflexo usando as equaes do captulo 2.5.1. Para
91

o BNO, o mdulo do coeficiente de reflexo obtido foi de 0,07 significando que

houve uma baixssima perda por reflexo e que constitui um resultado importante
para muitas aplicaes. O ngulo de reflexo encontrado foi de -81,83 indicando
que est no sentido do gerador por causa do sinal negativo. A eficincia de
reflexo calculada foi de 99,56%. E o coeficiente de onda estacionria de tenso
foi VSWR=1,14 que uma importante especificao para todos os componentes
de microondas. Se obtivermos um VSWR=1, isto significa que toda a potncia
transmitida pela antena e no h reflexo. Para o BNO5Bi, o mdulo do
coeficiente de reflexo obtido foi igual a 0,02. O ngulo de reflexo encontrado foi
de 88,23 indicando que est no sentido da carga por ser positivo. A eficincia de
reflexo calculada foi de 99,95%. E o coeficiente de onda estacionria de tenso
foi VSWR=1,04. Os resultados obtidos para as amostras estudadas podem ser
vistos na tabela 4.16. Todos os valores obtidos de VSWR so 2 que
importante para muitas aplicaes [13].

Tabela 4.16 Caractersticas da linha de transmisso para os pontos observados

na carta de Smith das amostras estudadas.
Amostras

Ponto

R()

X ( )

Frequncia (GHz )

VSWR

ngulo ()

er (%)

BNO

50,51

-6,65

3,06

1,14

0.07

-81,83

99,56

BNO5 Bi

50,02

2,33

3,29

1,04

0.02

88,23

99,95

BNO10 Bi

51,24

9,40

3,17

1,20

0.09

77,35

99,14

BNO5 Pb

52,93

4,04

3,09

1,12

0.05

41,25

99,68

BNO10 Pb

50,29

2,31

2,84

1,05

0.02

81,36

99,95

92

Figura 4.38 Impedncia real experimental e simulada dos ressoadores dieltricos.

Figura 4.39 Impedncia imaginria, experimental e simulada dos ressoadores

dieltricos.
93

A
Figura 4.40 Carta de Smith do BNO com impedncia de entrada. Dados
experimentais e simulados.
B

Figura 4.41 Carta de Smith do BNO5Bi com impedncia de entrada. Dados

experimentais e simulados.
94

Figura 4.42 Carta de Smith do BNO10Bi com impedncia de entrada. Dados

experimentais e simulados.

Figura 4.43 Carta de Smith do BNO5Pb com impedncia de entrada. Dados

experimentais e simulados.

95

Figura 4.44 Carta de Smith do BNO10Pb com impedncia de entrada. Dados

experimentais e simulados.

4.8 Caractersticas de Radiao das ARD Monopolo

As caractersticas de radiao das antenas no puderam ser avaliadas
experimentalmente, por outro lado, as caractersticas de impedncia e as perdas
de retorno observados nos resultados experimentais esto bem prximas dos
resultados obtidos na simulao. Desta forma, pode-se aceitar que as
caractersticas de radiao estimadas pelo HFSS devem ser prximas
experimental.
A variao da densidade de energia pela posio angular determinada
pelo tipo e modelo da antena, e pode ser graficamente representada pelo perfil de
radiao. As figuras 4.45-4.49 mostram os perfis de radiao dos componentes E
e E, nos planos E e H, construdos a partir da simulao numrica do BNO com
5,10% em peso de Pb e Bi, respectivamente. A simetria dos perfis dos campos
est localizada no alimentador (= 0). Em um plano infinito, o comportamento da
antena monopolo deve ser simtrico (onidirecional) com o pico transmitido
horizontalmente (= 90) [14-16]. Podemos observar nos diagramas de radiao
96

das amostras vistos nas figuras 4.45-4.49, que a maior intensidade de radiao
encontra-se na direo = 0, e isto indica a operao da ARD no modo HE11.
Alm disso, observamos uma simetria dos campos em relao ao excitador ( =
0). A intensidade de radiao mxima no plano-E ( =0, =90) do BNO E
=3,41dB e pode ser visto na figura 4.45. A intensidade de radiao mxima no
plano-E ( =0, =90) do BNO5Bi E =3,85dB e est ilustrada na figura 4.46.
Conclui-se que a intensidade de radiao do BNO5Bi aumentou em 11,43% em
relao ao BNO. Para o BNO5Pb, a intensidade de radiao mxima foi de E
=3,33dB. Assim, podemos concluir que a intensidade de radiao do BNO5Pb
reduziu em 2,35% em relao ao BNO.

Figura 4.45 Diagrama de radiao do BNO, Plano - E (y-z, = 90), Plano H (xz, = 0)

97

Figura 4.46 Diagrama de radiao do BNO5Bi, Plano - E (y-z, = 90), Plano H

(x-z, = 0)

Figura 4.47 Diagrama de radiao do BNO10Bi, Plano - E (y-z, = 90), Plano H

(x-z, = 0).

98

Figura 4.48 Diagrama de radiao do BNO5Pb, Plano - E (y-z, = 90), Plano H

(x-z, = 0)

Figura 4.49 Diagrama de radiao do BNO10Pb, Plano - E (y-z, = 90), Plano

H (x-z, = 0).

99

A partir do diagrama de radiao, se calcula os padres de cada uma das

antenas, mostrados na Tabela 4.17. O ganho total mximo observado nas figuras
4.50-4.54, foi obtido com BNO5Bi com valor de G=6,22dB e a diretividade total
mxima com valor de D=6,36dB. Com a adio de 5% de Bi a eficincia de
radiao aumentou para 96,83% devido a uma pequena reduo na potncia de
entrada observada para o BNO5Bi. O ganho total mnimo foi obtido com
BNO10Pb com valor de G=5,45dB e a diretividade total mnima com valor de
D=5,74dB. Com a adio de 10% de Pb a eficincia de radiao foi reduzida para
93,46% devido a uma reduo na potncia radiada observada para o BNO10Pb.
Os resultados mostram que os valores de baixo ganho obtidos com as amostras
BNO tm aplicao em dispositivos de antenas onidirecionais de baixo ganho
(LGA) [17] para aplicao em sistemas de comunicaes via satlite, internet sem
fio, radar, forno de microondas, recepo de rdio, etc. [17,18]. A faixa de
frequncia de microondas corresponde ao intervalo entre 300MHz e 300GHz. A
maioria das aplicaes em microondas ocorrem na faixa de frequncia
compreendida entre 1GHz e 40GHz [12,18]. Uma das especificaes de ganho
para uma antena de baixo ganho LGA que so utilizadas em projetos de
espaonaves desenvolvidas pela agncia espacial americana NASA (National
Aeronautics and Space Administration), fica em torno de 6,3 dB que um valor
bem prximo dos nossos resultados [17].

Tabela 4.17 Ganho, diretividade, eficincia de radiao e potncia irradiada das

amostras (ngulo =0).
Antenas

G(dB)

D(dB)

ecd (%)

Prad (mW)

Pent (mW)

BNO

5,74

5,96

94,91

9,3

9,8

BNO5 Bi

6,22

6,36

96,83

9,36

9,67

BNO10 Bi

6,13

6,27

96,86

7,7

7,96

BNO5 Pb

5,96

6,13

96,17

8,75

9,1

BNO10 Pb

5,45

5,74

93.46

9,23

9,87

100

Figura 4.50 Ganho total da ARD monopolo BNO.

Figura 4.51 Ganho total da ARD monopolo BNO5Bi.

101

Figura 4.52 Ganho total da ARD monopolo BNO10Bi.

Figura 4.53 Ganho total da ARD monopolo BNO5Pb.

102

Figura 4.54 Ganho total da ARD monopolo BNO10Pb

103

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Soc., Vol. 75 (1992), pp. 25732575.
104

[12] Petosa, A., Dielectric Resonator Antenna Handbook, Norwood: Artech House,
2007.
[13] Kai Chang, RF and Microwave Wireless Systems, John Wiley & Sons, Inc.,
2000.
[14] Luk, K. M.; Leung, K. W., Dielectric Resonator Antennas, Hertfordshire,
England: Research Studies Press LTD, 2003.
[15] Constantine A. Balanis, Antenna Theory: Analysis and design, 1982
[16] Reaney, I. M.; Iddles, D., Microwave dielectric ceramics for resonators and
filters in mobile phone networks, Journal of the American Ceramic Society, v. 89,
n. 7, p. 2063-2072, jul. 2006.
[17] William A. Imbriale, Spaceborne Antennas for Planetary Exploration, Jet
Propulsion Laboratory California Institute of Technology, January, 2006.
[18] S. M. Wentworth, Fundamentos de Eletromagnetismo com Aplicaes em
Engenharia, LTC, 2006.

105

Concluses
Neste trabalho, as propriedades estruturais e dieltricas das cermicas
BNO:Y (Y=0, 3, 5, 10% em peso de Bi2O3, PbO), foram estudadas com o objetivo
de obtermos matrizes cermicas com alta permissividade dieltrica, baixas perdas
e estabilidade trmica para uso em componentes de rdio frequncia e
microondas. As cermicas BNO foram sinterizadas temperatura de 1025 C por
3 h e a formao da fase triclnica (BNO-) foi identificada por difrao de raios X.
Nas medidas feitas com o BNO em temperatura ambiente (25C), obtivemos uma
alta permissividade dieltrica com valor de r = 78,44 para o BNO5Pb em 100
kHz de frequncia e obtivemos uma baixa perda dieltrica com tg = 2,19 x10-4
para o BNO3Pb, em 33,69 MHz de frequncia. A perda dieltrica das cermicas
BNO relativamente alta a baixa frequncia por causa da perda condutiva, e ela
aumenta significativamente para as amostras: BNO5Bi, BNO5Pb e BNO10Pb.
As medidas das propriedades dieltricas das amostras BNO obtidas com
variao de temperatura em uma frequncia fixa de 100kHz, mostraram uma alta
permissividade dieltrica relativa com o BNO5Pb em 200C com valor de r =76.4
e uma baixa perda dieltrica com valor de tg = 5,4 x 10-3 para o BNO3Bi em
80C. Observamos que a perda dieltrica aumenta com a elevao da
temperatura em baixas frequncias. A estabilidade trmica capacitiva para o BNO
pode ser alcanada com a adio do nvel de dopagem de Bi ou Pb at obtermos
um TCC=0 ppm/oC. Obtivemos baixos valores de TCC com valores positivos e
negativos. Para a frequncia de 1MHz, observamos que o TCC muda de sinal de
-55,06 ppm/oC com o BNO para +86,74 ppm/oC com o BNO3Bi e para +208,87
ppm/oC com o BNO3Pb. Observamos que a energia de ativao (Ea) para a
amostra BNO foi menor se comparada com as amostras com dopagens. Esse
aumento na energia de ativao para as amostras com dopagens provocou uma
reduo na conduo inica mostrando que podemos usar os dopantes Bi e Pb
para controlar o processo de conduo.
Nas medidas realizadas em microondas na faixa de frequncia de 4-6 GHz,
obtivemos um Q x f = 1470,75GHz para o BNO. Aumentando a temperatura de
sinterizao do BNO para 1030C por 3h, conseguimos aumentar o fator de
qualidade obtendo um Q x f = 3094,77GHz. Nas simulaes feitas utilizando-se o
106

software HFSS para o projeto de antenas ressoadoras dieltricas monopolos

base de BNO, obtivemos uma perda de retorno abaixo de -10dB que importante
para o desenvolvimento de antenas e bons valores do coeficiente de onda
estacionria de tenso (VSWR) com valores de VSWR<2 que importante para
muitas aplicaes. As antenas propostas foram projetadas para operar em
microondas na faixa de frequncia de banda S, sendo obtidos resultados com
frequncias variando de 2,8GHz a 3,4GHz. Os resultados das amostras
estudadas so importantes para o desenvolvimento de capacitores cermicos,
para aplicaes em dispositivos de rdio frequncia e microondas, e para o
desenvolvimento de antenas ressoadoras dieltricas.

Perspectivas Futuras
Estudar as propriedades dieltricas do BNO com outros dopantes com o
objetivo de obter alta permissividade dieltrica, baixas perdas, estabilidade
trmica e baixo custo. Projetar e construir antenas micro fitas microstrip, filtros e
capacitores utilizando o BNO como base. Buscar inovao tecnolgica no mbito
da utilizao de novos materiais na construo de antenas eletricamente curtas
utilizando materiais cermicos de alta permissividade eltrica. Estudar compsitos
com BNO visando aplicaes tecnolgicas em microondas e antenas. Divulgar
novos resultados atravs de publicaes em peridicos indexados.

107

Apndice
Apndice A
Produo bibliogrfica
Artigos completos publicados em peridicos
1. Almeida, J. S., Fernandes, T. S. M., Sales, A. J. M., Silva, M. A. S., Jnior, G. F. M. P.,
RODRIGUES, H. O., SOMBRA, A. S. B.
Study of the structural and dielectric properties of Bi2O3 and PbO addition on BiNbO4 ceramic
matrix for RF applications. Journal of Materials Science. Materials in Electronics. Accepted:
27 October 2010, Published online: 13 November 2010.
2. Pires Jnior, G.F.M., Rodrigues, H.O., Almeida, J.S., Sancho, E.O., Ges, J.C., Costa, M.M.,
Denardin, J.C., Sombra, A.S.B.
Study of the dielectric and magnetic properties of Co2Y, Y-type hexaferrite (Ba2Co2Fe12O22)
added with PbO and Bi2O3 in the RF frequency range. Journal of Alloys and Compounds. ,
v.493, p.326 - 334, 2010.
3. Rodrigues, H.O., Pires Junior, G.F.M., Almeida, J.S., Sancho, E.O., Ferreira, A.C., Silva,
M.A.S., Sombra, A.S.B.
Study of the structural, dielectric and magnetic properties of Bi2O3 and PbO addition on BiFeO3
ceramic matrix. Journal of Physics and Chemistry of Solids. , p.1329 - 1336, 2010.
4. Pereira, F. M. M., Santos, M. R. P., Sohn, R. S. T. M., Almeida, J. S., Medeiros, A. M. L.,
Costa, M. M., SOMBRA, A. S. B.
Magnetic and dielectric properties of the M-type barium strontium hexaferrite (Ba x Sr1x Fe12O19)
in the RF and microwave (MW) frequency range. Journal of Materials Science. Materials in
Electronics. , v.20, p.408 - 417, 2009.
5. Costa, R.C.S., Bruno Costa, A.D.S., Freire, F.N.A., Santos, M.R.P., Almeida, J.S., Sohn,
R.S.T.M., Sasaki, J.M., Sombra, A.S.B.
Structural properties of CaTi1x(Nb2/3Li2/3)xO3 (CNLTO) and CaTi1x(Nb1/2Ln1/2)xO3 (Ln=Fe
(CNFTO), Bi (CNBTO)), modified dielectric ceramics for microwave applications. Physica. B,
Condensed Matter. , v.404, p.1409 - 1414, 2009.
6. Freire, F. N. A., Santos, M. R. P., Pereira, F. M. M., Sohn, R. S. T. M., ALMEIDA, J. S.,
Medeiros, A. M. L., Sancho, E. O., Costa, M. M., SOMBRA, A. S. B.
Studies of the temperature coefficient of capacitance (TCC) of a new electroceramic composite:
Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 (PFN)Cr0.75Fe1.25O3(CRFO). Journal of Materials Science. Materials in
Electronics. , v.20, p.149 - 156, 2009.
7. Santos, M R P, Freire, F N A, Sohn, R S T M, Almeida, J. S., Sancho, E O, Costa, A D S B,
Medeiros, A M L, Sombra, A S B
Electrical properties of the electroceramic composite in the microwave frequency range:
Pb(FeNb)O (PFN), CrFeO (CRFO). Physica Scripta. , v.78, p.065704, 2008.

108

Apndice B
Trabalhos publicados em anais de eventos (completo)
1. SALES, J. C., SARAIVA SOBRINHO, C., FERREIRA, A. C., FRAGA, W. B., FURTADO
FILHO, A. F. G., GUIMARAES, G. F., ALMEIDA, J. S., MENEZES, J. W. M., RODRIGUES, H.
O., SOMBRA, A. S. B.
SENSOR ACUSTO-PTICO INTEGRADO PARA O MONITORAMENTO DA TEMPERATURA
EM PROCESSOS INDUSTRIAIS In: V Congresso Nacional de Engenharia Mecnica, 2008,
Salvador -Ba.
V Congresso Nacional de Engenharia Mecnica. , 2008.
2. SALES, J. C., MENEZES, J. W. M., FRAGA, W. B., FERREIRA, A. C., GUIMARAES, G. F.,
SARAIVA SOBRINHO, C., ALMEIDA, J. S., FURTADO FILHO, A. F. G., SILVA, M. G.,
SOMBRA, A. S. B.
Acoplador Triplo Planar Simtrico de Fibras pticas Para Obteno de um meio Somador
Binrio In: II JORNADA NACIONAL DA PRODUO CIENTFICA EM EDUCAO
PROFISSIONAL E TECNOLGICA, 2007, So Lus.
II JORNADA NACIONAL DA PRODUO CIENTFICA EM EDUCAO PROFISSIONAL E
TECNOLGICA. , 2007.
3. MARCIANO, S. P., SALES, J. C., ALMEIDA, J. S., H. H. Barbosa Rocha, FRAGA, W. B.,
MENEZES, J. W. M., FERREIRA, A. C., SARAIVA SOBRINHO, C., FURTADO FILHO, A. F. G.,
SOMBRA, A. S. B.
Implementao de Porta Lgica (OR) Usando o Sinal Quase-Soliton Atravs de um (AOTF)
No Linear e Dispersivo Via a Modulao de Pulso por Amplitude (PAM) In: VII ENCONTRO
DE PESQUISA E PS-GRADUAO DO CEFETCE, 2007, Fortaleza.
VII ENCONTRO DE PESQUISA E PS-GRADUAO DO CEFETCE. , 2007.
4. MENEZES, J. W. M., FRAGA, W. B., FERREIRA, A. C., ALMEIDA, J. S., SOMBRA, A. S. B.
MEIO SOMADOR BINRIO COM APLICAES PTICAS In: VII Encontro de Ps-Graduao
e Pesquisa - UNIFOR, 2007, Fortaleza.
VII Encontro de Ps-Graduao e Pesquisa - UNIFOR. , 2007.
5. SOMBRA, A. S. B., Francisco Nivaldo Aguiar Freire, H. H. Barbosa Rocha, Manoel Roberval
Pimentel Santos, Rodrigo Carvalho Sousa Costa, ALMEIDA, J. S.
Radiofrequency (RF) Studies of Cr0.75Fe1.25O3/CaTiO3 Composite In: VI Encontro SBPMat
2007, 2007, Natal.
VI Encontro SBPMat 2007. , 2007.

Trabalhos publicados em anais de eventos (resumo)

1. Fernandes, T. S. M., MANGUEIRA, A. J. S., Almeida, J. S., Silva, M. A. S., Silva, A. C.
Fontenele, Sombra, A.S.B.
BiNbO4 Ceramics in Microwaves Synthesis and Characterization In: 11th International
Conference on Advanced Materials, 2009, Rio de Janeiro.
11th International Conference on Advanced Materials. , 2009.
2. Almeida, J. S., C. C. Silva, Fernandes, T. S. M., Silva, M. A. S., Sales, A. J. M., SOMBRA, A.
S. B.
Ceramics analysis BiNbO4 Doped with PbO and Bi2O3 to Microwave Device In: 2nd
International Meeting on Materials for Electronic Applications, 2009, Hammamet.
2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications. , 2009.

109

3. FRAGA, W. B., SALES, J. C., SARAIVA SOBRINHO, C., FERREIRA, A. C., GUIMARAES,
G. F., FURTADO FILHO, A. F. G., MENEZES, J. W. M., ALMEIDA, J. S., SOMBRA, A. S. B.
Anlise da Propagao, interaes e modulao de Solitons Espao-Temporais In: XXXI
Encontro nacional de Fsica da Matria Condensada, 2008, guas de Lindia.
XXXI Encontro nacional de Fsica da Matria Condensada. , 2008.
4. ALMEIDA, J. S., MENEZES, J. W. M., MANGUEIRA, A. J. S., SOMBRA, A. S. B., SALES, J.
C., FERREIRA, A. C., FRAGA, W. B., SARAIVA SOBRINHO, C., MARCIANO, S. P., FILHO, J.
M. S., RODRIGUES, H. O.
Asymmetric Fiber Optical couplers Analysis with Applications in All-Optical Logic Gates In: XXXI
Encontro nacional de Fsica da Matria Condensada, 2008, guas de Lindia.
XXXI Encontro nacional de Fsica da Matria Condensada. , 2008.
5. MELO, A. M., SALES, J. C., FERREIRA, A. C., FRAGA, W. B., GUIMARAES, G. F.,
SARAIVA SOBRINHO, C., FURTADO FILHO, A. F. G., RODRIGUES, H. O., MENEZES, J. W.
M., ALMEIDA, J. S., SOMBRA, A. S. B.
Chaveamento de Pulsos Soliton e Quase-Soliton numa Anlise de um Espelho ptico NoLinear In: XXXI Encontro Nacional de Fsica da Matria Condensada, 2008, guas de Lindia.
XXXI Encontro Nacional de Fsica da Matria Condensada. , 2008.
6. MENEZES, J. W. M., ALMEIDA, J. S., SOMBRA, A. S. B., SALES, J. C., FRAGA, W. B.,
FERREIRA, A. C., GUIMARAES, G. F., SARAIVA SOBRINHO, C., FURTADO FILHO, A. F. G.,
SILVA, M. G.
Circuito Somador Baseado num Acoplador No-Linear Simtrico de Fibras pticas In: XXXI
Encontro Nacional de Fsica da Matria Condensada, 2008, guas de Lindia.
XXXI Encontro Nacional de Fsica da Matria Condensada. , 2008.
7. RODRIGUES, H. O., SALES, J. C., FERREIRA, A. C., MENEZES, J. W. M., ALMEIDA, J. S.,
SOMBRA, A. S. B.
ESTUDO E CARACTERIZAO DE CERMICAS FERROMAGNTICAS PARA APLICAO
EM TELECOMUNICAES In: XIII Semana Universitria da UECE, 2008, Fortaleza.
V Feira de Cincia, Cultura, Tecnologia e Inovao do Estado do Cear. , 2008.
8. FERREIRA, A. C., SARAIVA SOBRINHO, C., SALES, J. C., FRAGA, W. B., FURTADO
FILHO, A. F. G., GUIMARAES, G. F., RODRIGUES, H. O., H. H. Barbosa Rocha, MARCIANO,
S. P., MENEZES, J. W. M., ALMEIDA, J. S., SOMBRA, A. S. B.
Non-Linear Directional Coupler Operating with PPM for Logical Devices in TDM Systems In:
XXXI Encontro nacional de Fsica da Matria Condensada, 2008, guas de Lindia.
XXXI Encontro nacional de Fsica da Matria Condensada. , 2008.
9. ALMEIDA, J. S., Sales, A. J. M., Morais Pires Jnior, G. F., Silva, M. A. S., Manoel Roberval
Pimentel Santos, RODRIGUES, H. O., SOMBRA, A. S. B.
Preparao e Caracterizao de Hexaferritas Tipo - Y Contendo Cobalto e Cobre In: XXVI
Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste, 2008, Recife.
XXVI Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste. , 2008.
10. Sales, A. J. M., ALMEIDA, J. S., da Rocha, M. J. S., Fernandes, T. S. M., FERREIRA, A. C.,
SALES, J. C., SOMBRA, A. S. B.
Sntese e Caracterizao de Cermicas BiNbO4 In: XXVI Encontro de Fsicos do Norte e
Nordeste, 2008, Recife.
XXVI Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste. , 2008.

110

11. SALES, J. C., MARCIANO, S. P., FILHO, J. M. S., FERREIRA, A. C., SARAIVA
SOBRINHO, C., ALMEIDA, J. S., SOMBRA, A. S. B.
Utilizao de Soliton de Segunda Ordem para Obteno de Porta Lgica Usando a Modulao
por Amplitude de Pulso em Fibras pticas In: XXXI Encontro Nacional de Fsica da Matria
Condensada, 2008, guas de Lindia.
XXXI Encontro Nacional de Fsica da Matria Condensada. , 2008.
12. Almeida, J. S., FRAGA, W. B., FURTADO FILHO, A. F. G., MENEZES, J. W. M.,
GUIMARAES, G. F., FERREIRA, A. C., SARAIVA SOBRINHO, C., SILVA, M. G., SOMBRA, A.
S. B., SALES, J. C.
Acopladores Duplos assimtricos para Gerao de um Circuito Meio Somador ptico In: XXV
Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste, 2007, Natal, RN.
XXV Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste. , 2007.
13. SALES, J. C., FILHO, J. M. S., MARCIANO, S. P., Almeida, J. S., SOMBRA, A. S. B.
Amplificao Raman de Pulsos Curtos em Fibras pticas com Ganho Peridico In: XXV
Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste, 2007, Natal, RN.
XXV Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste. , 2007.
Referncias adicionais : Brasil/Portugus. Meio de divulgao: Vrios

14. SALES, J. C., COSTA, J. R., SILVA, M. G., FERREIRA, A. C., FURTADO FILHO, A. F. G.,
ALMEIDA, J. S., SOMBRA, A. S. B.
FILTROS DE BRAGG PARA APLICAES EM COMUNICAES PTICAS In: XII Semana
Universitria - UECE, 2007, Fortaleza.
XII Semana Universitria - UECE. , 2007.
15. SALES, J. C., FERREIRA, A. C., FURTADO FILHO, A. F. G., ALMEIDA, J. S.
Identificao dos Impactos Ambientais Causados pela Indstria de Cermica Vermelha no
Estado do Cear In: 51 CONGRESSO BRASILEIRO DE CERMICA, 2007, Salvador.
51 CONGRESSO BRASILEIRO DE CERMICA. , 2007.
16. MENEZES, J. W. M., FRAGA, W. B., FURTADO FILHO, A. F. G., GUIMARAES, G. F.,
FERREIRA, A. C., SARAIVA SOBRINHO, C., Almeida, J. S., SALES, J. C., SILVA, M. G.,
SOMBRA, A. S. B.
Meio Somador Binrio Totalmente ptico In: XXV Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste,
2007, Natal, RN.
XXV Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste. , 2007.
17. SALES, J. C., FERREIRA, A. C., FURTADO FILHO, A. F. G., ALMEIDA, J. S.
Necessidade da Implantao de Controles para a Melhoria da Qualidade do Produto da
Cermica Vermelha no Cear In: 51 CONGRESSO BRASILEIRO DE CERMICA, 2007,
Salvador.
51 CONGRESSO BRASILEIRO DE CERMICA. , 2007.
18. SALES, J. C., MARCIANO, S. P., FILHO, J. M. S., Almeida, J. S., SOMBRA, A. S. B.
PORTAS LGICAS PTICAS OBTIDAS COM EFEITOS SPM E GVD, AGINDO JUNTOS NO
AOTF OPERANDO COM PULSOS DE LUZ DA ORDEM DE PICOSEGUNDOS (2PS) VIA
SINAL SOLITON In: XXV Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste, 2007, Natal, RN.
XXV Encontro de Fsicos do Norte e Nordeste. , 2007.

111

Apnd ice C
Participao em eventos
1. 13th International Conference on High Pressure semiconductor Physics, 2008. (Outra)

Totais de produo
Produo bibliogrfica
Artigos completos publicados em peridico.............................................................................. 7
Eventos
Participaes em eventos (encontro)........................................................................................ 1
Trabalhos publicados em anais de eventos..........................................................................

Citaes em bases bibliogrficas

SCOPUS Nmero total de citaes: 3; Nmero de trabalhos : 1Data : 03/09/2010
Nome(s) do autor utilizado(s) na consulta para obter o total de citaes:
ALMEIDA, J. S.

112

23

Anexos

113

J Mater Sci: Mater Electron

DOI 10.1007/s10854-010-0247-z

Study of the structural and dielectric properties of Bi2O3 and PbO

addition on BiNbO4 ceramic matrix for RF applications
J. S. Almeida T. S. M. Fernandes
A. J. M. Sales M. A. S. Silva G. F. M. P. Junior
H. O. Rodrigues A. S. B. Sombra

Received: 23 August 2010 / Accepted: 27 October 2010

Springer Science+Business Media, LLC 2010

Abstract In this paper, the structural and dielectric

properties of BNO (BiNbO4) was investigated as a function
of the external RF frequency and temperature. The BNO
Ceramics, prepared by the conventional mixed oxide
method and doped with 3, 5 and 10 wt. % Bi2O3PbO were
sintered at 1,025 C for 3 h. The X-ray diffraction patterns
of the samples sintered, shown the presence of the triclinic
phase (b-BNO). In the measurements obtained at room
temperature (25 C) was observed that the largest values of
dielectric permittivity (e0 r) at frequency 100 kHz, were for
the samples: BNO5Bi (5 wt. % Bi2O3) and BNO5Pb (5 wt.
% PbO) with values e0 r * 59.54 and e0 r * 78.44,
respectively. The smaller values of loss tangent (tan d)
were for the samples: BNO5Bi and BNO3Pb (3 wt. %
PbO) with values tan d * 5.71 9 10-4 and tan d *
2.19 9 10-4, respectively at frequency 33.69 MHz. The
analysis as a function of temperature of the dielectric
properties of the samples, obtained at frequency 100 kHz,
showed that the larger value of the relative dielectric permittivity was about e0 r * 76.4 at temperature 200 C for

BNO5Pb sample, and the value smaller observed of

dielectric loss was for BNO3Bi sample at temperature
80 C, with about tan d * 5.4 9 10-3. The Temperature
Coefficient of Capacitance (TCC) values at 1 MHz frequency, present a change of the signal from BNO
(-55.06 ppm/C) to the sample doped of Bi: BNO3Bi
(?86.74 ppm/C) and to the sample doped of Pb: BNO3Pb
(?208.87 ppm/C). One can conclude that starting from
the BNO one can increase the doping level of Bi or Pb and
find a concentration where one have TCC = 0 ppm/C,
which is important for temperature stable materials applications like high frequency capacitors. The activation
energy (H) obtained in the process is approximately
0.55 eV for BNO sample and increase with the doping
level. These samples will be studied seeking the development ceramic capacitors for applications in radio frequency
devices.

1 Introduction
J. S. Almeida  A. S. B. Sombra (&)
Physics Department, Federal University of Ceara, UFC,
Fortaleza, CE 60455-760, Brazil
e-mail: sombra@ufc.br
URL: www.locem.ufc.br
J. S. Almeida  T. S. M. Fernandes  A. J. M. Sales 
M. A. S. Silva  G. F. M. P. Junior  H. O. Rodrigues 
A. S. B. Sombra
Telecommunications and Materials Science and Engineering
Laboratory (LOCEM), Fortaleza, Brazil
T. S. M. Fernandes  A. J. M. Sales 
G. F. M. P. Junior  H. O. Rodrigues
Engineering Tele-Informatics Department (DETI), Federal
University of Ceara, UFC, Fortaleza, CE 60455-760, Brazil

BNO (BiNbO4) exists in two polymorphs, a low temperature orthorhombic (a) phase and a high temperature triclinic (b) phase. An irreversible (in powders) phase
transition occurs from the a phase to the b phase
at *1,020 C. The greatest interest in BNO is as a
promising dielectric material [1]. The triclinic BNO (high
temperature b phase) and the isostructural BTO (BiTaO4)
were first reported by Aurivellius in 1951 [2]. Subsequently
Roth and Waring [3, 4] reported the existence of the low
temperature orthorhombic modification (a phase), and
powder X-ray diffraction data showed that the low temperature form is closely related to that of stibotantalite-type
(SbTaO4) structure.

123

Journal of Alloys and Compounds 493 (2010) 326334

Contents lists available at ScienceDirect

Journal of Alloys and Compounds

journal homepage: www.elsevier.com/locate/jallcom

Study of the dielectric and magnetic properties of Co2 Y, Y-type hexaferrite

(Ba2 Co2 Fe12 O22 ) added with PbO and Bi2 O3 in the RF frequency range
G.F.M. Pires Jnior a,c, H.O. Rodrigues a,c, J.S. Almeida c, E.O. Sancho c, J.C. Ges c, M.M. Costa b, J.C. Denardin d
, A.S.B. Sombra c,
a

Departamento de Engenharia de Teleinformtica (DETI), Universidade Federal do Cear (UFC), CEP 60455-760, Fortaleza, Cear, Brazil
Departamento de Fsica, Universidade Federal de Mato Grosso (UFMT), Cuiab, Brazil
Laboratrio de Telecomunicaces e Cincias e Engenharia de Materiais (LOCEM), Departamento de Fsica, Universidade Federal do Cear (UFC), Caixa Postal 6030, CEP 60455-760,
Fortaleza, Cear, Brazil1
d
Universidad de Santiago de Chile, Departamento de Fsica, Avenida Ecuador 3493, Estacin Central, Santiago, Chile
b
c

a r t i c l e

i n f o

Article history:
Received 7 July 2009
Received in revised form
11 December 2009
Accepted 15 December 2009
Available online 24 December 2009
Keywords:
X-ray diffraction
Dielectric properties
Magnetic properties

a b s t r a c t
In this paper the magnetic and dielectric properties of Y-type hexaferrite (Co2 Y:Ba2 Co2 Fe12 O22 ) added
with 3, 5 and 10 wt.% of PbO and Bi2 O3 , obtained in a new procedure of the solid-state method, is presented. The analysis by X-ray diffraction (XRD) using the Rietveld renement conrmed the formation of
single-phase compound with a hexagonal crystal structure (a = b = 5.8560 and c = 43.4977 ; = = 90
and  = 120 ). SEM micrograph of the material shows an uniform distribution of grains throughout the surface of the samples. Detailed studies of the dielectric properties of Co2 Y, investigated in a wide frequency
range (100 Hz to 100 MHz) at room temperature by complex impedance spectroscopy (CIS) technique,
showed that these properties are strongly dependent on frequency and on the added level of the impurity. The effect of polyvinyl alcohol (PVA) and tetraethyl orthosilicate (TEOS) on the properties of Co2 Y
hexaferrite was also studied.
2010 Elsevier B.V. All rights reserved.

1. Introduction
Ferrite has attracted considerable attention for technological
application in a wide range of frequencies extending from radio
frequency to microwave [1]. Low cost, easy manufacturing, and
interesting electrical and magnetic properties make polycrystalline
hexaferrites one of the most important materials today [2]. Polycrystalline hexaferrites have very good dielectric properties that
depend on several factors such as processing conditions, sintering
temperature and time, chemical composition and substitution of
different ions [3,4].
They have been classied according to their structure into six
main classes: M-type or BaFe12 O19 , W-type or BaMe2 Fe16 O27 ,
X-type or Ba2 Me2 Fe28 O46 , Y-type or Ba2 Me2 Fe12 O22 , Z-type or
Ba3 Me2 Fe24 O41 and U-type or Ba2 Me2 Fe36 O60 where Me represents a divalent ion from the rst transition series [5]. Among them,
Y-type ferrite is constructed from basic units of hexagonal barium
M ferrite [6] and cubic spinel ferrites, which retain a hexagonal
structure, usually with the direction of magnetization parallel to

Corresponding author. Tel.: +55 85 33669340; fax: +55 85 33669333.

E-mail address: sombra@ufc.br (A.S.B. Sombra).
1
http://www.locem.ufc.br.
0925-8388/$ see front matter 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
doi:10.1016/j.jallcom.2009.12.094

the c-axis. However, if the metal Me = cobalt II, then Co2 Y is formed,
known as ferroxplana ferrite, so called because it possess an easy
plane (basal plane) of magnetization perpendicular to the c-axis [7].
The classical ceramics method for preparing Ba2 Me2 Fe12 O22
[8] ferrite requires a high calcination temperature, which
induces aggregation of the particles. Many physical properties of polycrystalline ferrites are very sensitive to the
microstructure. The bulk (grain) and grain boundary are the
two main components that determine the microstructure. Thus,
the information about the associated physical parameters of
the components that constitute the microstructure is important in understanding the overall properties of the materials
[9].
In this work, the dielectric properties were studied over a wide
range of frequency (100 Hz to 100 MHz) at room temperature by the
complex impedance spectroscopy (CIS) technique on Co2 Y added
with 3, 5 and 10 wt.% of PbO and Bi2 O3 . The magnetic characteristics were investigated and magnetic hysteresis loop, saturation
magnetization, remanent and coercive force were obtained. The
effect of polyvinyl alcohol (PVA) and tetraethyl orthosilicate (TEOS)
on the properties of Co2 Y hexaferrite was also studied. The study
of the dielectric properties in the RF range of frequency is important in view of applications of this hexaferrite for components in
RF circuits.

Journal of Physics and Chemistry of Solids ] (]]]]) ]]]]]]

Contents lists available at ScienceDirect

Journal of Physics and Chemistry of Solids

journal homepage: www.elsevier.com/locate/jpcs

Study of the structural, dielectric and magnetic properties of Bi2O3 and PbO
addition on BiFeO3 ceramic matrix
H.O. Rodrigues a,c, G.F.M. Pires Junior a,c, J.S. Almeida c, E.O. Sancho b,
A.C. Ferreira a,c, M.A.S. Silva c, A.S.B. Sombra c,n
a

ticaUFC, Caixa Postal 6007, CEP 60755-640, Fortaleza, Ceara

, Brazil
Departamento de Engenharia de Teleinforma
, Brazil
rgica e de MateriaisUFC, CEP 60.455-760, Campus do PiciBloco 714, Fortaleza, Ceara
Departamento de Engenharia Metalu
c
~ e Ciencia e Engenharia dos Materiais (LOCEM), Caixa Postal 6030, CEP 60455-760, Fortaleza, Ceara
, Brazil
rio de Telecomunicac- oes
Laborato
b

a r t i c l e in fo

abstract

Article history:
Received 12 June 2009
Received in revised form
12 March 2010
Accepted 19 May 2010

In this paper we studied the effects of Bi2O3 and PbO addition on BiFeO3 (BFO) ceramic matrix. The
structural, dielectric and magnetic properties of fteen BFO samples were discussed in view of possible
applications in RF and microwave devices. The present work also reports the preparation of the
samples. Polyvinyl alcohol (PVA) and tetraethyl orthosilicate (TEOS) were also added as a binder in the
fabrication procedure. The samples have been studied by X-ray powder diffraction (XRD), scanning
electron microscopy (SEM) and magnetic hysteresis measurements. Further, a study based on
impedance spectroscopy also has been done. Dielectric permittivity (e0 ) and dielectric loss (tan d)
were measured at room temperature in the frequency range 100 Hz10 MHz, as well as a.c.
conductivity. The Im[Z(f)] versus Re[Z(f)] plot has been obtained. The samples were investigated in
view of possible applications like miniaturized lters, diplexers and dielectric resonator antennas
(DRA). In the RF and MW frequency region, the application of magneto-dielectric and multiferroic
perovskite composite materials is desirable for the miniaturization of components.
& 2010 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Keywords:
A. Inorganic compounds
D. Electrical properties

1. Introduction
In recent decades there has been an increasing interest in
materials known as magnetoelectric multiferroics [15]. The
electric control on the ferromagnetism in these materials opens
a big eld of research in physics of condensed matter, with impact
on magnetic data storage, spintronics and high-frequency magnetic devices. However, the number of materials that exhibits this
property at room temperature is limited and there is a strong
dependence on specic conditions of the bulk synthesis [3]. The
choice of an organic binder is also important in view of the
possibility of the formation of coarsening that may be trapped
inside the pores, which may cause the development of states of
stress in the sample, degrading its magnetic permeability and
causing even total breakdown of the dielectric [6,7].
Perovskite-type materials (ABO3-type) have attracted considerable research interest owing to their simultaneous effects of
ferroelectricity, ferromagnetism (or antiferromagnetism), and
ferroelasticity, properties that qualify them as multiferroic
materials [8,9]. Magneto-dielectric perovskites are simultaneously

Corresponding author. Tel.: +55 85 33669334; fax: +55 33669332.

E-mail address: sombra@ufc.br (A.S.B. Sombra).
URL: http://www.locem.ufc.br (A.S.B. Sombra).

ferroelectric and exhibit magnetic ordering. In the case of

ABO3-type perovskite materials, it is known that the origin
of ferroelectricity is related to the shift of either site cations
A or B (or both) with respect to the oxygen octahedra along a
specic polarization direction [10].
One of the rare high temperature multiferroic systems, BiFeO3
(BFO, ferroelectric below 1103 K (TCE) and antiferromagnetic
below 653 K (TN)), unfortunately offers only comparably small
linear magnetoelectric (ME) coupling either in extremely strong
magnetic elds or in strained thin lms [9]. The electric
polarization is due to the relative shift of the Bi3 + , Fe3 + and O2 
ions along the [0 0 1]hex axis. The magnetic ordering is of
antiferromagnetic G-type [11] subject to a cycloidal modulation
of the 620 A period [12,13].
The commercial applications of these ceramics are not still
successful due to restrictions provided by the formation of
impurity phases and pores as well as mitigating the serious
leakage current-induced dielectric breakdown (typically breakdown at elds o100 kV/cm) [8].
The aim of the present work is to prepare polycrystalline BFO
samples and to study the structural, dielectric and magnetic
effects of Bi2O3 and PbO addition on the BiFeO3 ceramic matrix
and discuss the inuence of the addition and of the binder. The
samples were investigated in view of possible applications like
miniaturized lters, diplexers and dielectric resonator antennas

0022-3697/$ - see front matter & 2010 Elsevier Ltd. All rights reserved.
doi:10.1016/j.jpcs.2010.05.016

Please cite this article as: H.O. Rodrigues, et al., J. Phys. Chem. Solids (2010), doi:10.1016/j.jpcs.2010.05.016

J Mater Sci: Mater Electron (2009) 20:149156

DOI 10.1007/s10854-008-9673-6

Studies of the temperature coefficient of capacitance (TCC)

of a new electroceramic composite: Pb(Fe0.5Nb0.5)O3
(PFN)Cr0.75Fe1.25O3(CRFO)
F. N. A. Freire M. R. P. Santos F. M. M. Pereira R. S. T. M. Sohn
J. S. Almeida A. M. L. Medeiros E. O. Sancho M. M. Costa
A. S. B. Sombra

Received: 12 November 2007 / Accepted: 21 February 2008 / Published online: 12 March 2008
Springer Science+Business Media, LLC 2008

Abstract In this paper we did a study of the dielectric

properties: capacitance (C), dielectric permittivity(e), electric modulus(M) and dielectric loss(tanga)) in the radiofrequency(RF) and microwave (MW) frequency range as a
function of temperature and the temperature coefficient of
capacitance (TCC) of the composites [Pb(Fe1/2Nb1/2)O3
(PFN)]Z[CrYFe2-YO3(CRFO)]100-Z where Z = 0, 10, 50,
90 and 100%. The compounds were prepared by the powdersintering and the X-ray diffraction (XRD) was used in this
study using the Rietveld procedure. The X-ray analysis
shows that PFN phase is tetragonal where the CRFO phase

F. N. A. Freire
F. M. M. Pereira
Departamento de Qumica Organica e Inorganica, Universidade
Federal do Ceara, CEP 60455-760 Fortaleza, Ceara, Brasil
F. N. A. Freire
M. R. P. Santos
F. M. M. Pereira

R. S. T. M. Sohn
J. S. Almeida
A. M. L. Medeiros

E. O. Sancho
A. S. B. Sombra (&)
Laboratorio de Telecomunicacoes e Ciencia e Engenharia dos
Materiais (LOCEM), Departamento de Fsica, Universidade
Federal do Ceara, Caixa Postal 6030, CEP 60455-760 Fortaleza,
Ceara, Brasil
e-mail: sombra@fisica.ufc.br
URL: www.locem.ufc.br
F. N. A. Freire
Faculdade de Educacao,
Ciencias e Letras do Sertao Central Curso de Qumica,
Universidade Estadual do Ceara, CEP 63900-000 Quixada,
Ceara, Brasil
A. M. L. Medeiros
Departamento de Engenharia de Teleinformatica, Universidade
Federal do Ceara, CEP 60455-970 Fortaleza, Ceara, Brasil
M. M. Costa
Departamento de Fsica, Universidade Federal de Matogrosso,
Cuiaba, Brasil

belongs to a trigonal structure. The capacitance, dielectric

permittivity, electric modulus and loss were studied in the
frequency range of 100 Hz to 1GHz and temperature range
of 25100 C. The values of TCC for all the samples are
presenting positive values. The study of the electric modulus
(M) as a function of frequency and temperature lead to the
measurement of the activation energy (Eac), which is directed linked to the relaxation process associated to the
interfacial polarization effect in the samples. The study of the
electrical properties in the RF and MW range of frequencies
is important in view of possible applications of these composites as future components in RF and MW circuits.

1 Introduction
The current tendency in the electronic industry has been in
the direction of miniaturization in size and weight, and
high functionalization. In the case of the capacitor as
component for an electronic device, a multilayer ceramic
capacitor (MLCC) with high volume efficiency, low fabrication cost and high reliability is in demand [1].
Perovskite compounds can be treated as model material
because of the richness in physical properties and relatively
simple structure. These materials have found many applications, e.g.: computer memories, pyroelectric sensors,
piezoelectric transducers and mutilayered capacitors [2].
The use of composites objective to get new materials that can
substitute the effect of an electric circuit, thus being able to
be used as an antenna or another device in the radio-frequency (RF) or microwave (MW) region of the spectra. With
the progress of mobile wireless communication the compactness, power efficiency and affordability each time more
becomes requisite basic for new products that can be used in
the telecommunication [3].

123

J Mater Sci: Mater Electron

DOI 10.1007/s10854-008-9744-8

Magnetic and dielectric properties of the M-type barium

strontium hexaferrite (BaxSr1-xFe12O19) in the RF and microwave
(MW) frequency range
F. M. M. Pereira M. R. P. Santos R. S. T. M. Sohn J. S. Almeida
A. M. L. Medeiros M. M. Costa A. S. B. Sombra

Received: 23 October 2007 / Accepted: 8 May 2008

Springer Science+Business Media, LLC 2008

Abstract This paper presents results for the dielectric

permittivity (e0 ), dielectric loss (tg dE) dielectric permeability (l0 ) and magnetic loss (tg dM) in the radio-frequency
and microwave frequency range of BaxSr1-xFe12O19
hexaferrite (0 B x B 1). The samples were prepared by a
new route of the ceramic method. The magnetic permeability (l0 ) and magnetic loss (tg dM) measurements in the
range 100 MHz to 1.5 GHz, reveals that 1.32 B l0 B 1.68
for the permeability of BFO100 (BaFe12O19) and
1.16 \ l0 B 1.88 for SFO100 (SrFe12O19) in the range of
studied frequencies. The BFO100 sample presented lower
loss (tg dM = 4.10-3 at 1.5 GHz). The permittivity of
BFO100 and SFO100 in 1.5 GHz are, respectively 8.18 and
8.19, and in the 1 MHz are, respectively 52.04 and 19.09.
The samples presented coercive field in the range of
35 kOe and remanence magnetization in the range of

F. M. M. Pereira
Departamento de Qumica Organica e Inorganica, Universidade
Federal do Ceara, CEP 60455-760 Fortaleza, Ceara, Brazil
F. M. M. Pereira
M. R. P. Santos
R. S. T. M. Sohn

J. S. Almeida
A. M. L. Medeiros
A. S. B. Sombra (&)
Laboratorio de Telecomunicacoes e Ciencia e Engenharia de
Materiais (LOCEM), Departamento de Fsica, Universidade
Federal do Ceara, Caixa Postal 6030, CEP 60455-760 Fortaleza,
Ceara, Brazil
e-mail: sombra@ufc.br
URL: http://www.locem.ufc.br
A. M. L. Medeiros
Departamento de Teleinformatica (DETI), Universidade Federal
do Ceara, CEP 60455-760 Fortaleza, Ceara, Brazil
M. M. Costa
Departamento de Fsica, Universidade Federal de Matogrosso,
Cuiaba, Brazil

3336 emu/g. The subjects of paper were study the

dielectric and magnetic properties of the barium and
strontium hexaferrite, in view of applications as a material
for permanent magnets, high density magnetic recording
and microwave devices.

1 Introduction
The M-type hexaferrites MFe12O19 (M = Ba, Sr or Pb) are
important ferromagnetic oxides. Because their magnetic
properties these materials can be used as permanent magnets, recording media and as components in microwave and
high frequency devices [1] because of their high intrinsic
coercivity, large crystal anisotropy and low cost. Besides,
they are very stable and have high electrical resistivity [2].
The divalent ions (Ba, Sr and Pb) have approximately the
same ionic radii as the divalent oxygen ions and these
elements constitute the hexagonal M-type ferrites. The
mentioned family has traditionally served as permanent
magnets in applications for dielectric media.
The barium hexaferrite has great importance for the
modern society because they are component of a variety of
electronic devices used in means of magnetic recording,
communication, generation and distribution of electric
energy, automotive and medical equipments, besides they
be used as magneto in purifiers of water, eliminating certain metallic impurities, separator of mineral paramagnetic
in minerals and directionally of bunches of particles loaded
electrically (accelerators of particles) [311].
In any electro-electronic device that it requests in its
composition a permanent magneto, the barium hexaferrite
(BaFe12O19) have been used it is a material that present
properties strongly related to the microstructure and morphology, whereas the decrease in the size of the particle

123

ARTICLE IN PRESS
Physica B 404 (2009) 14091414

Contents lists available at ScienceDirect

Physica B
journal homepage: www.elsevier.com/locate/physb

Structural properties of CaTi1x(Nb2/3Li2/3)xO3d (CNLTO) and

CaTi1x(Nb1/2Ln1/2)xO3 (Ln Fe (CNFTO), Bi (CNBTO)), modied dielectric
ceramics for microwave applications
R.C.S. Costa a,b, A.D.S. Bruno Costa b, F.N.A. Freire a, M.R.P. Santos a, J.S. Almeida a,
R.S.T.M. Sohn a, J.M. Sasaki c, A.S.B. Sombra a,
a
, Caixa Postal 6030,
rio de Telecomunicac-
Laborato
oes e Ciencia e Engenharia dos Materiais (LOCEM), Departamento de Fsica, Universidade Federal do Ceara
, Brazil
CEP 60455-760, Fortaleza, Ceara
b
tica, CP 6007, Universidade Federal do Ceara
, CEP 60455-760, Fortaleza, Ceara
, Brazil
Departamento de Engenharia de Teleinforma
c
, Caixa Postal 6030, CEP 60455-760, Fortaleza, Ceara
, Brazil
rio de Raios-X, Departamento de Fsica, Universidade Federal do Ceara
Laborato

a r t i c l e in fo

abstract

Article history:
Received 30 October 2007
Accepted 24 December 2008

This paper presents an investigation of the structural characteristics of Nb1/2Bi1/2 (CNBTO), Nb1/2Fe1/2
(CNFTO) and Nb2/3Li1/3 (CNLTO) substitution into the B-site of calcium titanate ceramics. The modied
CaTiO3 (CTO) ceramics were prepared by the conventional solid-state method. The compounds were
investigated, by X-ray diffraction (XRD), energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDXS). The X-ray
analysis shows that all samples have an orthorhombic structure. The renement analysis of all samples
were also performed and discussed in this paper. For all studied samples, a Raman mode at 805 cm1
was detected and its intensity increases as the substitution increases. The dielectric permittivity and
loss at microwave frequencies (MW) were investigated. The CNLTO phase, present the highest dielectric
constant (k 35.8) at 3.9 GHz with loss (tg a 7  103). The lowest value of k 25.7 (f 4.8 GHz) and
tg a 3  103, was obtained for the CNFTO phase. These measurements conrm the possible use of
such material for microwave devices like dielectric resonator antennas.
& 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

PACS:
68.55.a
81.15.Cd
77.80._e
Keywords:
Calcium titanate (CTO)
Microwave ceramics

1. Introduction
The rapid growth of the wireless communication industry has
created a high demand for the development of small size, low
power loss, and temperature stable microwave components [1].
From the viewpoint of device designing, a good combination of a
high dielectric constant (k), a high quality factor (Q  f) value, and
a zero temperature coefcient of resonant frequency, tf, the lower
cost and smaller size of the individual components are the crucial
requirements for commercial applications [2,3].
Most of the microwave dielectric ceramics with high dielectric
constant have positive tf. Some titanate ceramics are of this kind,
for example, CaTiO3-based ceramics are attractive candidates for
use as dielectric resonators in wireless communication systems
[4], this ceramic exhibited dielectric properties of k 162,
Q  f 12.000 GHz e tfE850 ppm/1C [5]. To utilize this material
in a microwave circuit, the temperature coefcient should be
improved [6]. The effective way to achieve near-zero tf and optimize
Q  f value is compensating the large positive temperature
 Corresponding author. Tel.: 55 85 33669332; fax: 55 85 33669333.

E-mail address: sombra@sica.ufc.br (A.S.B. Sombra).

URL: http://www.locem.ufc.br (A.S.B. Sombra).
0921-4526/$ - see front matter & 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
doi:10.1016/j.physb.2008.12.037

coefcient values using the compounds having negative temperature coefcient values with high quality [5].
It is known that Perovskite-kind of formula Ca(X1/2Nb1/2)O3
has a negative tf, for example, Ca(Al1/2Nb1/2)O3 have the following
properties: tfE87 ppm/1C, and k 25, and Q  f 7500 GHz [7].
This paper reports on the dielectric properties of solid
solutions of three series, CaTi1x(Nb1/2Bi1/2)xO3 , CaTi1x(Nb1/2
Fe1/2)xO3 and CaTi1x(Nb2/3Li1/3)xO3d, respectively abbreviated as
CNBTOX, CNFTOX and CNLTOX. The structural analysis of
produced samples was studied using X-ray diffraction (XRD),
Raman and Infrared (IR) spectroscopy and microwave dielectric
properties.

2. Experimental methods
In this work, samples of CaTi1x(Nb1/2Bi1/2)xO3, CaTi1x(Nb1/2
Fe1/2)xO3 and CaTi1x(Nb2/3Li1/3)xO3d with x 0.1 and 0.2 were
synthesized from high purity (more than 99.9%) powders of
CaCO3, TiO2, Bi2O3 Li2O Fe2O3 and Nb2O5 using the conventional
solid-state reaction method.
The oxides and carbonate were weighed according to the
compositions of each sample. The mixtures were high-energy ball

IOP PUBLISHING

PHYSICA SCRIPTA

Phys. Scr. 78 (2008) 065704 (6pp)

doi:10.1088/0031-8949/78/06/065704

Electrical properties of the

electroceramic composite in the
microwave frequency range:
Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 (PFN)Cr0.75Fe1.25O3
(CRFO)
M R P Santos1 , F N A Freire1,2,3 , R S T M Sohn1 , J S Almeida1 ,
E O Sancho1,4 , A D S B Costa1,4 , A M L Medeiros1,4
and A S B Sombra1
1

Laboratrio de Telecomunicaes e Cincia e Engenharia dos Materiais (LOCEM),

Departamento de Fsica, Universidade Federal do Cear, Caixa Postal 6030, CEP 60455-760,
Fortaleza, Cear, Brazil
2
Departamento de Qumica Orgnica e Inorgnica, Universidade Federal do Cear, CEP 60455-760,
Fortaleza, Cear, Brazil
3
Faculdade de Educao, Cincias e Letras do Serto CentralCurso de Qumica/Universidade
Estadual do CearCEP 63900-000, Quixad, Cear, Brazil
4
Departamento de Engenharia de Teleinformtica, Universidade Federal do Cear,
CEP 60455-970, Fortaleza, Cear, Brazil
E-mail: sombra@fisica.ufc.br

Received 26 March 2008

Accepted for publication 25 September 2008
Published 19 November 2008
Online at stacks.iop.org/PhysScr/78/065704
Abstract
In this paper, a new electroceramic composite [Pb(Fe0.5 Nb0.5 )O3 (PFN)] Z [Cr0.75 Fe1.25 O3
(CRFO)]100Z (Z = 0, 10) is investigated in the microwave (MW) frequency range. The
dielectric permittivity and loss in the region of 48 GHz (G and H MW bands) were studied.
The performance of cylindrical resonator antennas based on CRFO100 and on PFN10 was
examined. The experimental and theoretical results of the dielectric resonator antenna (DRA)
such as return loss, bandwidth, input impedance and radiation patterns are in good agreement
for both composites: PFN10 (10% PFN + 90% CRFO) and CRFO100 (100% CRFO). A
numerical validation was made considering an air gap between the dielectric resonator and the
metallic conductors. The PFN10 matrix composite PFN10 (10% PFN + 90% CRFO) presents
the highest dielectric permittivity (9.9 at 4.44 GHz) and the lowest bandwidth (9.9%). The
CRFO100 phase (100% CRFO) presents a dielectric permittivity of 8.35 at 4.67 GHz and a
bandwidth of 11.8%. The HakkiColeman procedure was also used in this study. The
dielectric permittivity of 8.35 (tan = 1 103 ) at 7.94 GHz was obtained for CRFO100. The
PFN10 presents a dielectric permittivity of 10.17 (tan = 4.9 103 ) at 7.05 GHz. These
measurements confirm the possible use of such material for small DRAs.
PACS numbers: 77.22.d, 77.84.s

regions of the spectra [1]. MW resonators based on dielectric

material (DR) that present permittivity r > 20 are used in
MW devices, such as oscillators and filters [1]. Only recently
the frequency range of interest has gradually progressed to

1. Introduction
The dielectric properties of materials were studied with great
interest in the radio frequency (RF) and microwave (MW)
0031-8949/08/065704+06$30.00

2008 The Royal Swedish Academy of Sciences

Printed in the UK