CST em Aut.

Industrial 1/2013

Eletrnica Industrial

Eletrnica de
Potncia
Prof. Sergio Alencar

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Parte 1
Introduo Eletrnica
de Potncia

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Definies bsicas

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O que Eletrnica de Potncia?

Eletrnica de potncia a rea da
eletrnica que se ocupa do
processamento da energia eltrica
visando obter maior eficincia e
qualidade.
Eletrnica de potncia baseiam-se
na utilizao de dispositivos
semicondutores operados em
regime de chaveamento para
realizar o controle do fluxo de
energia e a converso de formas
de onda de tenses e correntes
entre fontes e cargas.

Controle

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Quais dispositivos semicondutores?

Transistores de potncia
SCR (Retificador Controlado de Silcio)
DIACs
TRIACs
GTOs
IGBTs

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Para qu usar eletrnica de potncia?

Converso de energia (fontes de alimentao);
Acionamentos de Mquinas Eltricas (Inversores de
freqncia, Acionamento de motores CC/CA);
Controladores Industriais (Acionamento de cargas de
potncia elevada).

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Um pouco de Histria ....

A primeira revoluo comeou
em 1948 com a inveno do
transistor de silcio, por
Bardeen, Brattain e Schockley
da Bell Telephone Laboratories;
Em 1956 a Inveno do
transistor disparvel PNPN,
definido como tiristor ou
retificador controlado de silcio
( SCR - Silicon Controled
Rectifier), pela Bell Tel. Labs.

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Histria da Eletrnica de Potncia

A segunda revoluo comeou em 1958 com o
desenvolvimento comercial do tiristor, pela
General Electric Company.
O desenvolvimento dos novos interruptores e da
microeletrnica nos possibilita trabalhar em
elevadas potncias com rendimentos cada vez
melhores.
Obs: O nome Tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores
Obs:
multicamadas, que operam em regime de chaveamento.

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Histria da Eletrnica de Potncia

Nos prximos 30 anos a eletrnica de
potncia dar forma e condicionar a
eletricidade, em algum lugar na linha de
transmisso, entre sua gerao e todos os
seus usurios.

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Histria da Eletrnica de Potncia

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Aplicaes da
Eletrnica de Potncia

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Aplicaes da Eletrnica de Potncia

Controle de sistemas de
aquecimento;
Controle de luminosidade;
Controle de mquinas
eltricas;
Sistemas de propulso de
veculos.

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Outras Aplicaes da Eletrnica de Potncia

Sistemas de corrente contnua em alta tenso
(high voltage direct-current HVDC);
Controle Analgico
e/ou Digital

Dispositivos/Circui-Dispositivos/Circui
tos Eletrnicos

Equipamentos de
Potncia
Estticos/Rotativos

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Aplicaes abordadas na disciplina ....

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Aplicaes abordadas na disciplina ....

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Viso Geral dos

Componentes
Utilizados

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Lista dos Dispositivos Semicondutores abordados...

Diodos de Potncia;
Transistores de juno bipolar (BJTs);
MOSFETs de potncia;
Transistores Bipolares de porta isolada
(IGBTs);
Transistores de induo esttica (SITs).
Tiristores (SCR - primeiro tiristor, TRIACs,
etc).

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Caractersticas dos Diodos de Potncia

O diodo conduz quando esta
polarizado diretamente, isto ,
quando a tenso do Anodo
superior a (tenso) do Ctodo;
O bloqueio se da quando a
corrente que por ele (diodo)
circula se anula;
A corrente de fuga aumenta
com a faixa de tenso.

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Tipos de Encapsulamentos
Tipo ROSCA ou rosquevel (do ingls stud
ou stud-mounted);
Tipo DISCO ou encapsulamento prensvel
ou disco de hquei (do ingls disk ou press
pak ou hockey puck)

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Classificao dos Diodos de Potncia

Genricos, de uso geral, so fornecidos em
at 3000 V, 3500 A e tempo de recuperao
reversa trr de 10 s;
Alta velocidade ou recuperao rpida, so
fornecidos em at 3000 V, 1000 A e valores
tpicos de trr de 0,1 e 5,0 s;
Diodos Schottky (very fast), com trr da
ordem de nano-segundos.

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Caractersticas dos Transistores

Os BJTs, apresentam trs terminais cbe
sendo normalmente operados como
interruptores na configurao emissor
comum devido as suas caractersticas
normalmente utilizado em conversores que
operam at 1200 V, 400 A e 10 kHz;
Os MOSFETs, so utilizados em potncias
relativamente baixas, na faixa de 1000 V, 50
A e dezenas de quilohertz;

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Caractersticas dos Transistores

Os IGBTs, so transistores de potncia

controlados por tenso. Eles so
inerentemente mais rpidos que os
BJTs, mas no to rpidos quanto os
MOSFETs sento fornecidos em at 1200
V, 400 A podendo operar em freqncias de at 20 kHz;

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Caractersticas dos Transistores

O Transistor de induo esttica SITs
similar a um JFET. Possui baixo rudo,
baixa distoro e capacidade de potncia
em altas freqncias de udio. Sento
fornecidos em at 1200 V, 300 A
podendo operar em freqncias de at
100 kHz; Usados em udio, VHF/UHF e
microondas;

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Tiristores

Tiristor de comutao forada;

Tiristor comutado pela rede;
Tiristor de desligamento pelo gatilho, GTO;
Tiristor de conduo reversa, RCT;
Tiristor de induo esttica, SITH;

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Estrutura do Tiristor

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Estrutura do Tiristor

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Outros tiristores especiais

Tiristor de desligamento
auxiliado pelo gatilho, GATT;
Retificador controlado de
silcio, controlado por luz,
LASCR;
Tiristores controlados por
MOS, MCTs.

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Classificao dos tiristores

Os tiristores de comutao natural ou pela
rede podem operar at 6000 V e 3500 A;
Os tiristores de alta velocidade, neste caso
apresentam tempos de desligamento da
ordem de 10 a 20 s e valores de tenso de
1200 V e corrente de 2000 A.

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Classificao dos tiristores

Os tiristores de conduo reversa RCT e de
desligamento auxiliado pelo gatilho GATTs so
amplamente utilizados para chaveamento em
alta velocidade, em especial em aplicaes de
trao (trens urbanos)
Um RCT pode ser considerado como um SCR
com um diodo em anti-paralelo, 2500 V, 1000
A (400 A em condu-o reversa) e apresentam
tempos de cha-veamento da ordem de 40 s.

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Classificao dos tiristores

Os GATTs so fornecidos em at 1200 V e 400 A,
com uma velocidade de chaveamento de 8 s.
Os LASCR, retificadores controlados de silcio
controlados por luz so fornecidos em at 6000
V e 1500 A , com uma velocidade de
chaveamento de 200 a 400 s, so apropriados
para sistemas de alta potncia HVDC.

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Classificao dos tiristores

Os TRIACs so amplamente utilizados no
controle de cargas CA de baixa potncia;
Os GTOs e os tiristores de induo esttica
SITHs so tiristores autodesligveis. So
ligados e desligados pela aplicao de um
curto pulso positivo e negativo respectivamente. Os GTOs so fornecidos em at
4000V e 3000 A.

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Classificao dos tiristores

Os SITHs, cujos valores nominais podem ser to
altos, como 1200V e 300 A, tm expectativa de
aplicao em conversores de mdia potncia,
com uma freqncia de vrias centenas de quilohertz e alm da faixa de freqncia dos GTOs;
Os MCTs podem ser ligados por um pequeno
pulso de tenso negativa na porta MOS e viceversa em relao ao seu nodo, fornecidos em
at 1000 V e 100 A, como um GTO mas ...

Principais Caractersticas dos Dispositivos de Potncia

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Principais Aplicaes dos Dispositivos de Potncia

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Caractersticas e
Simbologia dos
Dispositivos de
Potncia

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Redes de dados e comunicao

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