01lan Workshop Palestra

Tamanho de gro e textura dos aos eltricos
de gro no-orientado
Fernando J. G. Landgraf, Rubens Takanohashi e Marcos F. de Campos
Instituto de Pesquisas Tecnolgicas do Estado de S. Paulo CEP 05508-901, S. Paulo, SP
Depto. de Engenharia Metalrgica e de Materiais, Escola Politcnica da Universidade de So Paulo

Av. Prof. Mello Moraes, 2463, CEP 05508-900, So Paulo SP
*
Resumo
Foi feita uma reviso do efeito das variveis de processamento na evoluo microestrutural dos aos
eltricos no-orientados dos tipos semiprocessado e totalmente processado, focalizando seus efeitos no
tamanho de gro e na textura finais, pois essas so duas das mais importantes caractersticas
microestruturais a afetar as propriedades magnticas desses materiais. Partindo da microestrutura dos
lingotes, investigou-se a evoluo microestrutural ao longo da laminao a quente, da laminao a frio, da
recristalizao e do crescimento de gro, sempre abordando seus efeitos na permeabilidade e nas perdas
magnticas.
Palavras-chave: Aos eltricos, textura, perdas magnticas.
Contato: e-mail: landgraf@ipt.br
TAMANHO DE GRO E TEXTURA DOS AOS ELTRICOS DE GRO NO-ORIENTADO
1. Introduo
Aos para fins eletromagnticos ou aos eltricos
so materiais de grande relevncia para a
indstria mundial. 300.000 t de aos eltricos
foram consumidas no Brasil em 1999 [1]. So
utilizados principalmente em motores eltricos e
transformadores. O rendimento energtico dessas
mquinas eltricas depende da permeabilidade e
das "perdas magnticas" devido dissipao de
energia associada excitao em corrente
alternada.
O tamanho de gro tem um efeito muito forte nas
perdas magnticas. Quanto maior o tamanho de
gro, menor a parcela histertica das perdas, mas
cresce a parcela chamada "anmala", fazendo
com que exista um tamanho de gro timo, entre
100 e 150 m [2]. A Figura 1 exemplifica esse
comportamento, mostrando a variao das perdas
magnticas medidas a 1,5T e 60 Hz.
Figura 1- Efeito do tamanho de gro nas perdas

magnticas totais (Pt), perdas histerticas (Ph),
perdas clssicas (Poc) e perdas anmalas (Pa) de
um ao com 2%Si [3].
A textura dos aos eltricos afeta o desempenho
desses equipamentos, devido forte anisotropia
de propriedades magnticas. muito mais fcil
magnetizar o ferro na direo <100> do que em
qualquer outra direo, pois o eixo de
magnetizao espontnea nos cristais de Fe- o
<001>. A pior direo para a magnetizao a
<111>. A Figura 2 mostra curvas de
magnetizao para as direes <100>, <110> e
<111>.
Figura 2- Curvas de magnetizao de ferro em 3

direes distintas de um monocristal de ferro [4].
Os aos para transformadores se beneficiaram da
descoberta, feita por Norman P. Goss em 1934
[5], de um processo que gera uma textura
cristalogrfica muito intensa em aos siliciosos, a
textura (110)[001], tambm chamada de
orientao Goss. So aos conhecidos como aos
eltricos de gro orientado. As chapas
apresentam tipicamente uma espessura menor do
que 0,35 mm, tamanho de gro mdio maior do
que 5 mm (ou seja, apenas um gro na espessura
da chapa. Como naquela textura existe apenas
uma direo <100> paralela direo de
laminao, as propriedades magnticas so muito
boas na direo de laminao e ruins nas outras
direes, incluindo a direo transversal. Assim,
o corte e a montagem das chapas num
transformador devem ser projetados para que o
fluxo magntico seja conduzido paralelamente
direo de laminao das chapas.
Os motores eltricos, por outro lado, so
mquinas em que o campo magntico aplicado
paralelamente superfcie da chapa, mas
mudando continuamente de direo. Para esse
tipo de aplicao, utilizam-se os "aos eltricos
de gro no-orientado". A nomenclatura
errnea, pois na verdade esses aos tambm
apresentam textura. De acordo com a anisotropia
de propriedades magnticas em funo das
diferentes direes cristalogrficas, sabe-se qual
seria a textura terica ideal para este tipo de
aplicao. O ideal seria dispor de materiais com
textura do tipo {100}<0vw>, ou seja, todos os
gros com planos {100} paralelos superfcie da
chapa e direes <100> presentes em todas as
direes no plano da chapa. Essa orientao
tambm conhecida como fibra <100> paralela
direo normal da chapa. Entretanto, os aos
hoje disponveis no tm essa textura, pois ainda
no foi descoberto um processo comercial que
produza a textura ideal. Muitas vezes observamse aos eltricos de gro no-orientado [6] com
um componente Goss pronunciado, pois essa
orientao tem pelo menos uma direo de fcil
magnetizao paralela superfcie da lmina. A
conscincia mundial da necessidade de conservar
a energia torna o tema textura em aos eltricos
ainda mais relevante, pois aproximadamente
50% da energia eltrica produzida anualmente
utilizada por motores de trao. Os principais
fabricantes de motores eltricos tm pressionado
as siderrgicas para conseguir aos com
melhores desempenhos magnticos e assim
aumentar a eficincia dos motores. Os ltimos
anos do sculo XX assistiram a importantes
avanos no condicionamento da textura dos aos
eltricos de gro no-orientado.
uma propriedade que depende quase que

1
exclusivamente da textura.
Existem duas classes de aos eltricos de gro

no-orientado: os semiprocessados e os aos
totalmente processados. Os aos de gro noorientado totalmente processados tm sua textura
final desenvolvida na prpria usina siderrgica,
que entrega o material na condio recozida Os
aos semiprocessados so fornecidos com um
pequeno encruamento, suficiente para que o
recozimento final (feito aps o puncionamento
do formato final da lmina pelo usurio final)
leve a um tamanho de gro da ordem de 100-150
m. A textura final produzida durante o
recozimento final. Outros fenmenos ocorrem
durante o recozimento final, como a
descarbonetao e a eliminao de tenses
residuais [7].
Figura 3- Efeito do ngulo de corte nas perdas a

1,5T, 60 Hz e na induo B50 de ao 3%Si. [8].
1.72
Ptotal
1.70
3.4
1.68
3.2
B50 (T)
1.64
3.0
1.62
Ptotal (W/kg)
1.66
B50
1.60
2.8
1.58
1.56
0
20
40
60
80
100
ngulo ( )
Os dados apresentados na Figura 3 exemplificam

a importncia da textura nas propriedades
magnticas. Tanto a variao de perdas como a
variao de B50 em funo do ngulo so direta
conseqncia da presena de componentes de
textura que geram anisotropia, em especial
componentes Goss (110) [001] sempre
observadas na textura de recristalizao de aos
eltricos [7]. O ponto de mnimo para B50 e
mximo de perdas (em torno de 55o, ver Figura
3) explicado pela presena de componentes
Goss (110)[001], conforme pode ser notado na
Figura 4, a qual foi construda segundo um
mtodo descrito em mais detalhes em [7].
Os avanos no controle da textura ainda so

feitos por mtodos essencialmente empricos. Os
limitados conhecimentos cientficos sobre a
nucleao da recristalizao, associados falta
de clareza sobre os efeitos das heterogeneidades
da deformao, ainda so uma barreira enorme
para o modelamento da evoluo da textura na
recristalizao.
A Figura 3 mostra o efeito nas propriedades
magnticas do ngulo entre a direo de
aplicao do campo magntico e uma direo do
sistema de referncia do material, no caso a
direo de laminao; as propriedades
magnticas abordadas foram as perdas totais a
1,5T, 60Hz, e a permeabilidade. A
permeabilidade expressa de diferentes
maneiras, uma delas atravs da propriedade
conhecida como B50, o valor da induo atingido
com um campo magntico de 50 A/cm, por ser
B50 praticamente independe do tamanho de

gro, da distribuio de incluses ou da
espessura da amostra, mas afetado pelas
tenses mecnicas, incluindo as introduzidas
pela deformao plstica. Como interessa-nos a
textura dos materiais recozidos, essa varivel
pode ser excluda.
B50 em funo do ngulo. Ao com 2% Si

2,2
(100)
2,0
(310)
B (T)
1,8
1,6
(111)
1,4
(211)
(110)
1,2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ngulo (graus)
Figura 4- B50 em funo do ngulo para os planos descritos na Tabela 1 [9], [7].
Tabela 1- Planos do Fe- para os quais foram

efetuados clculos.
Plano
Conveno de direes
0o
90o
(100)
[100]
[010]
(310)
[100]
[0 3 1]
(110)
[100]
[011]
(211)
[ 1 11]
[01 1 ]
(111)
[ 2 11]
[0 1 1]
2. A composio qumica dos aos

eltricos
Para atender a diferentes demandas de qualidade
e custo, os aos eltricos so produzidos numa
gama de composies qumicas que os diferencia
dos demais aos, at mesmo dentre as diferentes
classes de aos eltricos. Seu teor de carbono

final tem de ser abaixo de 0,003%, mas podem
ser produzidos com carbono abaixo em torno de
0,06%, se for descarbonetado no recozimento
final realizado aps o corte final das lminas. A
tendncia atual produzi-los com carbono
abaixo de 0,003%. A classe de menor custo tem
silcio na faixa dos milsimos e alumnio da
ordem de 0,04%. O efeito benfico da adio de
silcio e alumnio - aumentar a resistividade
eltrica - faz com que esses elementos sejam
usados em at 3,5 e 0,5%, respectivamente, mas
com sensvel aumento de custo. Essa gama de
composies qumicas faz com que existam
importantes diferenas quanto ao efeito do
processamento na textura final. Cunha [10]
confirmou os resultados de Shimanaka [11] de
que o aumento do alumnio para teores da ordem
de 1% praticamente eliminou a fibra gama e
fortaleceu componentes prximos fibra cbica
de aos com 3%Si.
As impurezas que formam incluses de nitretos,
sulfetos e xidos, alm de seu efeito deletrio
direto nas propriedades magnticas, afetam-nas
tambm indiretamente atravs de seu efeito no
tamanho de gro e na textura. O efeito das
incluses na textura dos aos de gro orientado
muito importante, mas pouco ser discutido aqui.
O efeito nos aos no-orientados pequeno: a
localizao da deformao plstica em torno das
incluses torna essas regies stios privilegiados

de nucleao, mas sem qualquer orientao
preferencial, tendo um efeito aleatorizante na
textura. S a precipitao de nitretos de alumnio
logo antes ou durante a recristalizao torna
importante o efeito das incluses na textura.
3. Sntese dos fatores que afetam o
tamanho de gro e a textura nos aos
para fins eletromagnticos
A maioria das aplicaes dos aos para fins
2
eletromagnticos utiliza chapas laminadas de
espessura abaixo de 0,7 mm. So aos
3
produzidos por lingotamento contnuo, seguido
de laminao a quente, laminao a frio e
recozimento.
O tamanho de gro e a textura final so gerados
no
ltimo
recozimento,
resultado
de
recristalizao e crescimento de gro. A textura
da recristalizao controlada principalmente
pelas orientaes dos ncleos recristalizados
[12], que crescem numa matriz formada por
cristais deformados que sofreram rotaes
durante a laminao a frio. A textura da
recristalizao parece carregar uma herana da
textura do material no estado anterior a
laminao a frio, ou seja, a textura da bobina
laminada a quente. Com isso, necessrio
discutir todo o processamento dos aos eltricos
para entender os fatores que controlam sua
textura.
Um dos objetivos do controle da textura dos aos
eltricos evitar a presena de gros com o
plano {111} paralelo superfcie da chapa (essa
fibra denominada {111}<uvw>, <111>//DN ou
fibra gama). Ao contrrio, essa exatamente a
fibra objetivada nas chapas de ao para
estampagem [13]. Com isso, a literatura sobre
textura de aos para estampagem mostra
Este trabalho no abordar as aplicaes de

barras de ao baixo carbono e inoxidveis em
rels.
3
Durante a dcada de 90, praticamente

desapareceram os aos efervescentes e capeados,
produzidos por lingotamento convencional, que
foram at ento muito usados em motores
eltricos, por sua maior velocidade de
recristalizao. impossvel produzir esse tipo
de ao por lingotamento contnuo.
exatamente o que deve ser evitado na textura dos

aos eltricos, e vice-versa.
4. A estrutura bruta de solidificao

Os aos com alto teor de silcio no sofrem
transio delta-gama-alfa no resfriamento. Com
isso, sua estrutura bruta de solidificao tem uma
zona colunar bem definida, podendo ocupar
quase toda a espessura da placa, de mais de 20
cm. Os gros colunares crescem, mantendo a
direo <100> paralela direo de crescimento,
o que faz com que a zona colunar tenha uma
textura prxima textura ideal dos aos para
motores, <100>//DN. Os gros colunares do
lingotamento contnuo no so exatamente
perpendiculares superfcie da placa; eles tm
uma inclinao da ordem de 11% [14]. No
existem referncias na literatura sobre o efeito
dessa forte textura da estrutura bruta de
solidificao das placas de lingotamento
contnuo na textura final, mas o tema j est
sendo investigado em associao com a nova
tecnologia do lingotamento contnuo de tiras
[15].
A ocorrncia das transies delta-gama-alfa nos
aos com teor de silcio abaixo de 2% elimina a
regio colunar e minimiza a textura da estrutura
bruta de solidificao.
5. Evoluo da textura durante a
laminao a quente
A laminao a quente tem por objetivo reduzir a
espessura do material, que parte de uma placa de
mais de 200 mm e produz uma chapa bobinada
de aproximadamente 2 mm de espessura. A
textura da bobina laminada a quente (BQ) tem
influncia na textura final do ao, mas poucos
trabalhos abordaram essa questo [16], [7]. Por
outro lado, vrios aspectos da microestrutura do
final da laminao a quente tm efeito
importante na textura final, tais como o tamanho
de gro e a partio do carbono e nitrognio
entre a soluo slida e os precipitados.
Existem grandes diferenas de processamento
associadas variao da temperatura ao longo do
processo, devido ao emprego de equipamentos
diferentes. O mais comum o uso de trens de
laminao, como no caso da CSN e Usiminas,
enquanto a Acesita dispe de um laminador
reversvel com reaquecimento nos dois lados do
laminador (Steckel). Outra fonte de variao do
processo est associada aos variados teores de
5
silcio (de zero a 3,5%) e carbono (de 0,005 a

0,08%), que afetam as fases em equilbrio.
Deformao
na
regio
de
recristalizao de , acima de Ar3;
A maior parte das atenes da literatura costuma

se voltar ao controle das temperaturas de
reaquecimento das placas, do final de laminao
e da temperatura de bobinamento, com o
objetivo de controlar o tamanho de gro e forar
a precipitao de nitretos na bobina laminada a
quente (BQ).
Deformao na regio +;
Deformao na regio .
O final da laminao a quente pode ocorrer no

campo austentico, no campo bifsico e no
campo ferrtico, dependendo da composio
qumica do ao e da temperatura de final de
laminao, como mostra a Figura 5. Por
exemplo, um ao com 1,3%Si, cujo Ar1 930oC
[17], quando terminada a laminao a 910oC
mostra gros de ferrita deformada, e o
encruamento cresce significativamente quando a
temperatura est abaixo de 750oC. Quando a
laminao concluda no campo austentico, o
material fica tipicamente com fraca fibra gama,
fracos componentes {110}<110> e Goss e
intensidade moderada de fibra alfa [17].
Na prtica, as possveis condies de laminao
podem atravessar as seguintes regies (ver
Figura 6 [18]:
Deformao na regio de recristalizao de

;
no-
A Figura 7 foi originalmente elaborada [18] para

descrever a evoluo de textura em aos baixocarbono IF (intersticial free, livres de
intersticiais) para estampagem, mas aplica-se
tambm aos aos eltricos, em especial os aos
com baixos teores de Si e Al.
Normalmente, o material proveniente da regio
de recristalizao de apresenta grande tamanho
de gro (ver Figura 6). O tamanho de gro tende
a ser menor se a laminao a quente atravessa as
regies de no-recristalizao de e + . Os
eventos que ocorrem nessas regies so
discutidos em maiores detalhes por [18] e
ilustrados pela Figura 7, que deve ser observada
juntamente com a Figura 6. Notar na Figura 7
que a regio de recristalizao de pode atingir
950oC.
A presena de elementos de liga altera as regies
e as temperaturas onde ocorrem as fases e .
Deve-se mais uma vez ressaltar que o Si (e
tambm o Al) costuma ser usualmente utilizado
nestes materiais. Um ao com 2,5%Si no passa
por transformaes de fase, ferrtico desde a
solidificao.
Figura 5- Diagrama Fe-Si. a) Regio rica em Fe do diagrama Fe-Si; b) o efeito da adio de 0,07% C nessa
regio do diagrama (conforme Crangle, apud [4]).
Figura 6- Diagrama esquemtico ilustrando os estgios do processo de laminao controlada e as mudanas

na microestrutura em cada estgio [18].
Quanto menor a temperatura de final de laminao a quente, ou seja, quanto mais intensa a deformao no
campo ferrtico, fortalece-se a fibra alfa, especialmente o componente {100}<011> e menos intensa a fibra
gama [16]. De qualquer maneira, a textura bem semelhante quela da laminao a frio.
Com relao precipitao de nitretos, existe uma cultura tradicional, oriunda do processamento de aos
semiprocessados tipo ABNT 1006 acalmado que aps laminao a frio costumava ser recozido em caixa, a
temperaturas da ordem de 630oC. Naquele caso, era importante ter baixa temperatura de reaquecimento de
placa - para reduzir a dissoluo dos nitretos - e alta temperatura de bobinamento, para garantir a
precipitao dos nitretos de alumnio antes da laminao a frio, como mostra a Figura 8 [19]. Esses
precipitados criam deformaes localizadas em tornos deles, na laminao a frio, tendo um efeito
aleatorizante na textura de recristalizao. Outro objetivo desse processamento era garantir a ausncia de
precipitao de nitretos durante o recozimento em caixa, processo clssico de garantir forte textura {111}
[20].
Esse efeito menos crtico nos aos semiprocessados produzidos com recozimento contnuo (aps a
laminao a frio), pois a temperatura mais alta do recozimento faz com que a recristalizao ocorra antes da
precipitao dos nitretos.
Para os aos totalmente processados, tambm importante manter baixa a temperatura de reaquecimento de
placas e alta a temperatura de bobinamento para garantir que os nitretos e sulfetos sejam bem grosseiros
(maiores que 2 m), visando facilitar o crescimento de gro no recozimento final.
O tamanho de gro da BQ tem grande efeito na textura final dos aos eltricos, mas como esse efeito se
realiza na recristalizao aps a laminao a frio, isso ser discutido em mais detalhe no item 7.2.
7
Textura de recristalizao
da austenita ()
{100} <001>
Textura de transformao da
austenita () para ferrita ()
{100} <011>
Textura de deformao
{110} <112>
Acentua-se com o decrscimo da

temperatura final na regio de
no recristalizao de
Acentua-se com a reduo do

tamanho de gro austentico e
aumento da velocidade de
resfriamento
{112} <111>
Textura de transformao da
austenita () para ferrita ()
{322} <113>
{113}~{4 4 11} <110>
Acentua-se bastante com a

adio de solutos
substitucionais como Mn e Ni
{554} <225>
Acentua-se devido presena

de pequenas quantidades de
Nb, V
Se diminuir a temperatura
final, atingindo regio
(+)
Relativamente
insensitiva ao tamanho
de gro de e
velocidade de
resfriamento
Acentua-se pouco com a
adio de solutos
substitucionais como Mn
e Ni
{112}~{223} <110>
Deformao da ferrita ()
Fibra <111>//DN
(ou {111}<uvw>)
Fibra <110>//DL
(desde {111} <011> at {100}<011>)
Durante a recristalizao da ferrita () a fibra <111>//DN tende a aumentar sua intensidade em

detrimento da fibra <110>//DL
Principais motivos:
1) energia armazenada na deformao elevada para gros {111}, o que favorece sua nucleao
2) cintica de crescimento de gros {111} mais rpida
Figura 7- Diagrama esquemtico mostrando o efeito de diversas variveis de processamento na textura de

aos baixo carbono, segundo [18].
Figura 8- Efeito do teor de alumnio, da temperatura de reaquecimento e da temperatura de bobinamento na

permeabilidade de aos eltricos. [19]
que muitas patentes foram depositadas nos anos
80 e 90 ligadas a diferentes estratgias de
crescimento de gro final da bobina quente [21].
Dados os muitos condicionantes descritos
anteriormente, no surpresa que a literatura
traga poucos e variados dados da textura dos
materiais antes da laminao a frio, ou seja, a
textura da BQ. Alguns dados de textura de BQ
laboratorial podem ser encontrados em [7].
Kestens [16] mostrou que uma BQ comercial
belga tem um componente {100}<011> muito
forte (25 vezes o aleatrio) em um ao 0,4 %Si e
0,3%Al., conforme mostra a Figura 9. Pode
haver considervel variao na textura ao longo
da espessura da bobina laminada a quente.
Evidncias apontam para um forte componente
Goss na superfcie dos aos produzidos pela
Acesita [22].
6. Evoluo da
laminao a frio
textura
durante
6.1 As heterogeneidades microestruturais

da laminao a frio
A heterogeneidade da deformao foi
reconhecida primeiramente por Barrett (1939)
[23], que argumentou que heterogeneidades
desse tipo contribuam para a inabilidade de
prever o comportamento do encruamento e das
mudanas de orientao durante a deformao.
Seguindo aquele autor, os gros deformados
subdividem-se em regies dentro das quais a
orientao cristalina constante, mas
significativamente diferente da orientao
presente em qualquer outra regio naquele gro.
Barrett chamou essas regies de "bandas de
deformao.

Figura 9- (a) Corte da ODF para phi2=45o (notao de Bunge, Nveis de intensidade relativa 1-3-5-7-9-1215-20-25) (b) figura de plo (110) obtidas em ao 0,4%Si e 0,3%Al antes da laminao a frio. [16]
Estudos da dcada de 60 mostram o efeito da
deformao na microestrutura de monocristais.
Naqueles trabalhos, observa-se uma rotao de
partes do monocristal em relao normal ao
plano da chapa formando estruturas de
discordncias como bandas de transio, bandas
de deformao e microbandas. De acordo com
Walter e Koch [24], durante a deformao de
monocristais, uma parte do gro sofre rotao
num sentido e outra parte no sentido oposto,
gerando, na interface, uma regio de
acomodao dessas rotaes, chamada de banda
de transio. As regies que sofreram rotao
so chamadas de bandas de deformao; existe
uma nica orientao dentro destas. Doherty [25]
mostrou que dentro de um nico gro de um
material policristalino deformado plasticamente
pode haver vrias bandas de deformao ou,
como preferiu Doherty, bandas-matriz. A Figura
10 mostra que as bandas A1, A2, A3 e A5,
apesar de espacialmente separadas, tm
orientao bem semelhante, prximas de [100],
enquanto as bandas A2 e A4 esto prximas de
[111] e A6 de [411]; as linhas escuras entre as
bandas seriam as bandas de transio (Doherty
no usou esse nome).
Walter e Koch [24] mostraram que as bandas de
transio apresentam sub-bandas, com contornos
de baixo ngulo e diferenas de orientao da
ordem de 2 entre cada uma delas. A diferena de
orientao entre duas bandas de deformao
vizinhas, que pode chegar a 30o, acumulada
a)
10
pelos contornos de baixo ngulo do interior da

banda de transio. Naquela srie de
experimentos de Walter e Koch, dentre as
orientaes do interior da banda de transio,
encontrava-se a orientao inicial antes da
deformao plstica. A posterior nucleao da
recristalizao ocorreu exatamente nessa
orientao.
A equipe do Dr. Niels Hansen, do Riso National
Laboratories da Dinamarca, costuma identificar
diferenas mais sutis entre microbandas, paredes
de alta densidade de discordncias (dense
dislocation walls), bloco de clulas e outros em
estruturas vistas em metais cbicos de face
centrada [26]. Outro termo encontrado banda
de cisalhamento intragranular (in-grain shear
bands) [27]. Essas bandas de cisalhamento
dentro dos gros so muito similares s
encontradas
em
materiais
deformados
observados por microscopia ptica ou eletrnica
de varredura. No extremo da complicao de
nomes, alguns autores usam o mesmo termo para
evidncias diversas. Visando sistematizar
algumas das diferenas de nomenclatura, partiuse de esboo de Gorelik [28], que ilustra algumas
diferentes estruturas formadas no interior dos
gros durante a deformao plstica. provvel
que a subestrutura seja mais complexa do que a
esquematizada na Figura 11, podendo haver mais
de um tipo de microbandas, conforme
apresentado por Bay e Hansen [29].
b)
Figura 10- Ferro de tamanho de gro grosseiro com 40% de compresso. O eixo de compresso normal ao
plano da micrografia. Atacada com nital. b) O eixo de compresso das vrias bandas matriz vistas no gro
A em uma amostra de ferro com 40% de compresso. (Inokuti e Doherty, 1978 apud Doherty [25]).
Figura 11- Subestruturas formadas durante

deformao plstica de ao (Gorelik [28]). (1
banda de deformao, 2 microbandas, 3
regies de contorno de gro, 4 regies de
incluso).
A Tabela 2 compara a nomenclatura adotada por
diversos autores para as regies 1 e 2 da figura
anterior, tais como Walter e Koch [24], Gorelik
[28], Niels Hansen [26], Dillamore [30], Hu [31],
Doherty [25], Barnett e Jonas [27] de acordo
com a legenda da Figura 11.
A microscopia ptica permite identificar o
surgimento
de
linhas
inclinadas
a
aproximadamente 30 a 45o da direo de
laminao (provavelmente associadas s bandas
de transio anteriormente descritas) com
aproximadamente 20% de deformao. Por
microscopia de varredura possvel identificar

essas linhas, em alguns gros, j quando =0,09
[32]. O ngulo que essas linhas fazem com a
direo de laminao continua prximo a 35o
mesmo quando a deformao aumenta, at com
=1,5. Murakami e outros [33] mostraram que as
"bandas de cisalhamento" de monocristais de Fe3%Si laminados formavam-se com 28% de
reduo
de
rea,
num
ngulo
de
aproximadamente 30o com a direo de
laminao. Aumentando a deformao, a rotao
do cristal fez o ngulo das bandas iniciais
diminuir, mas novas bandas formaram-se a
aproximadamente 30o.
6.2 A textura da laminao

Se, por um lado, a textura de laminao a frio
dos metais CCC relativamente insensvel ao
material e parmetros de processo [34], por outro
lado as heterogeneidades da deformao na
laminao a frio tm grande efeito na textura de
recristalizao.
Basicamente, a laminao a frio de chapas de ao
refora a fibra alfa (componentes que tm a
direo <110> paralela direo de laminao) e
a fibra gama (componentes que tm um plano
(111) paralelo superfcie, como mostra a Figura
1 (99Hut). Entretanto, a textura de recristalizao
nascer de heterogeneidades dessa textura de
laminao).
Tabela 2- Diferentes nomenclaturas para as estruturas 1 e 2 apresentadas na Figura 11.

Autor
Regio 1
Regio 2
Gorelik [28]
Banda de deformao
Microbanda
Walter e Koch [24]
Banda de deformao
Banda de transio
Dillamore, Morris, Smith,

Hutchinson [30]
Banda de deformao
Banda de transio
Doherty [25]
Banda matriz
Banda de deformao
Hu [31]
Banda matriz
Microbanda
11
Hansen e Bay [29]
Bloco de clulas
Microbandas de primeira e segunda gerao
Barnett e Jonas [27]
______________
Banda de cisalhamento intragranulares
Dunkle e Goodenow [35] mostraram que a

permeabilidade magntica final dos aos
semiprocessados varia bastante com o grau de
reduo a frio, conforme Figura 12. A
permeabilidade cresce com redues crescentes
entre 30 e 70%, para cair rapidamente com
redues acima disso. J Lee e outros [36]
obtiveram permeabilidade crescente com
deformaes de at 78%. Cunha e Paolinelli [3]
afirmaram que a reduo de espessura tpica na
laminao a frio dos GNO, na Acesita, de 75%.
Como a espessura final especificada pelo
cliente final, o grau de reduo na laminao a
frio uma varivel que afeta a espessura
desejada na laminao a quente.
2700
7,5
7
2500
2400
6,5
2300
2200
2100
2000
PERDAS, W/kg
PERMEABILIDADE, G/Os
2600
5,5
1900
1800
20
40
60
80
5
100
REDUO A FRIO, %
Figura 12- Efeito do grau de reduo a frio na

permeabilidade e perdas aps recozimento final.
(adaptado de [35]) ( - permeabilidade ;
perdas).
Tschiptschin e colaboradores [22] investigaram o
efeito do grau de deformao na textura de ao
2%Si. Constataram que, partindo de uma bobina
laminada a quente com forte textura Goss e cubo
na face, quanto maior o grau de deformao a
frio, mais se reforam os componentes
{100}<011> e (211)[110], enquanto o
componente Goss sofre sensvel reduo.
6.3 Laminao cruzada ou cross-rolling

Aos com textura {100}<001> ou {100}<011>
tambm so chamados de duplamente
orientados. Estes aos podem, em princpio, ser
12
empregados tanto em transformadores (em

substituio aos aos GO) como em motores (em
lugar dos GNO).
Um dos mtodos de produzir a textura cubo-naface a laminao cruzada ou cross-rolling
(por exemplo, certos autores [37], [38] sugerem
trs laminaes, sendo a segunda na direo
perpendicular da primeira, e a terceira na
mesma direo que a primeira, como mtodo de
produzir aos duplamente orientados com textura
otimizada.
A patente original obtida por Bitter na dcada de
30, relativa laminao cruzada ou crossrolling, menciona um processo que leva a um
ao com melhores propriedades a 45o da direo
de laminao [39]. A textura de laminao de
aos consiste basicamente de componentes
{111} e um componente <110>//DL. A
laminao cruzada (ou cross-roling) resulta em
um componente {001}<110> muito forte porque
o componente original <110>//DT rotaciona-se
inteiramente para este novo componente [40]. As
propriedades magnticas sero timas a 45o da
direo de laminao, devido a esse componente
{001}<110>. Uma variante da laminao
cruzada mencionada por TALOWSKI et al.
[41], que sugerem laminar aos GO (pois este
apresenta <110>//DT).
A laminao cruzada parece ser invivel
comercialmente. Entretanto, o princpio que est
por trs desse mtodo poderia ser utilizado, com
o problema reduzindo-se a outro: gerar um
componente <110>//DT sem uso do crossrolling. Depois de ser laminado, um
componente {001}<110> tenderia a se formar
nesse material.
6.4 Laminao em duas etapas

Alguns dos aos eltricos GNO totalmente
processados comercialmente [2], [42], [43],
incorporam a laminao a frio em duas etapas,
sendo tipicamente uma reduo forte na primeira
etapa (seguida de recristalizao) e uma reduo
fraca na segunda. Aparentemente, a laminao
em duas etapas tem como um de seus objetivos
Figura 13- Anisotropia em chapas de aos

totalmente processados [44].
Uma segunda vertente do processo de laminao
em duas etapas aquela que utiliza um
recozimento intermedirio de baixa temperatura
seguido de pequena reduo final, em torno de
15%. Esse procedimento mencionado em
patente europia [45]] e discutido por
TAKASHIMA et al. [43], que sugerem utilizar a
laminao a frio em duas etapas para produzir
uma pronunciada textura {100}<210>, com
interrupo da recristalizao aps a primeira
etapa (aps 60% em frao volumtrica
recristalizada). Na primeira etapa a espessura foi
reduzida de 2,2 mm para 0,5 mm (77%) e na
segunda etapa de 0,5 mm 0,44 mm (12%).
Nesse caso, gros com maior energia
armazenada (e orientao desfavorvel) teriam
recristalizado, enquanto gros com menor
energia armazenada seriam poupados [43]. A
temperatura ideal para a recristalizao
interrompida seria 650oC [43].
6.5 A "laminao de encruamento" dos

aos semiprocessados
A laminao de encruamento ("temper rolling"
ou "skin pass", em lngua inglesa) aplicada nos
aos semiprocessados com o objetivo principal
de condicionar a microestrutura para obter
tamanho de gro da ordem de 100-150 m aps
o recozimento final. Para isso, aplica-se uma
deformao de 4 a 8%. Segundo a literatura, esse
grau de deformao situa-se na regio onde as
discordncias j esto formando emaranhados,
mas ainda no formaram clulas [46], [47].
importante notar que o uso da expresso "skin
pass" leva algumas pessoas a imaginar que a
deformao se concentra apenas na superfcie da
chapa. As evidncias de que, no recozimento

posterior, a recristalizao inicia-se um pouco
mais cedo na superfcie sinal de que o
encruamento deve ser um pouco maior na
superfcie, mas a diferena deve ser mnima. A
Figura 14 mostra que mesmo uma deformao de
apenas 0,5% penetra em toda a espessura da
chapa. A variao da dureza HV (carga de 50g),
com o grau de deformao, em diferentes
distncias a partir da superfcie da chapa menor
que a incerteza da medida, na faixa de 5
unidades Vickers. Tampouco se v, por
microscopia ptica, qualquer evidncia de um
encruamento na superfcie da chapa, conforme
exemplificado na Figura 15. Nota-se que o
aumento da deformao aumenta continuamente
a dureza em toda a espessura da lmina.
160
dureza HV0,05
reduzir a anisotropia [44]. Segundo a Figura 13,

um ao submetido laminao a frio em duas
etapas apresenta menor anisotropia.
155
150
30
145
80
140
160
135
240
130
0
10
% deformao
Figura 14- Efeito da intensidade de deformao

na dureza de ao 2,3% Si a vrias distncias da
superfcie (30, 80, 160 e 240 m, uma lmina de
espessura 470m).
A deformao concentra-se nos gros de maior
fator de Taylor, tipo <111>//DN, como
mostraram Shimazu e colaboradores [48]. Rollett
e colaboradores [49] tambm mostraram
variaes de textura com 10% de deformao. A
variao de B50 com o grau de deformao pode
ser vista na Figura 16 [7].
A diminuio do B50 (Figura 16) deve ser
atribuda
principalmente
ao
efeito
do
encruamento (e aumento da densidade de
discordncias). Entretanto, a anlise de textura
nas amostras da figura acima mostrou que a
intensidade da fibra {111} <uvw> aumentou
consideravelmente devido deformao plstica.
Assim, como os planos {111} so os mais
desfavorveis para as propriedades magnticas,
uma parte do efeito da laminao no B50 deve ser
creditada ao aumento da frao relativa destes
planos (ou seja, piora da textura).
13
Figura 15- Micrografia da superfcie da amostra de ao 2%Si com 8% de alongamento. As marcas de

microdureza (10 g) mostram que a variao maior entre gros de diferentes orientaes do que da
superfcie (esquerda) para o centro.
Aps recozimento final, Dunkle e Goodnow [35]
indicam que a permeabilidade sobe entre 1 e 8%
de deformao e fica num patamar acima dessa
deformao, conforme mostra a Figura 17.
de gro final da recristalizao. Como gros de

diferentes orientaes acumulam diferentes gruas
de encruamento, o fator de Taylor uma das
ferramentas fundamentais para auxiliar a
interpretar dados de textura de recristalizao.
7. A Recristalizao
bem conhecida a importncia do grau de
encruamento anterior na cintica e no tamanho
1,78
Long.
1,76
Transv
1,74
(B
T)
50
1,72
1,70
10
15
% red u o
Figura 16- Evoluo da induo B50, em funo do grau de reduo. Redues de 0%, 4%, 7%, 12% e 19%.
Sees longitudinal e transversal [7].
14
2800
9,0
2600
8,6
2400
8,2
2200
7,8
2000
7,4
1800
7,0
1600
6,6
1400
6,2
0
12
PERDAS, W/k g
PERM EABIL IDA DE, G/Os
16
ENC RUA M ENT O, %
Figura. 17- Efeito do grau de reduo da laminao de encruamento nas perdas e permeabilidade a 1,5T
(bola cheia refere-se a perdas, bola vazia a permeabilidade). (adaptado de [35]).
A Figura 18 apresenta o coeficiente M de Taylor
calculado para todas as orientaes possveis em
cristais CCC. A partir dessa figura, extrada a
seguinte seqncia de energia armazenada
durante a deformao:
E{110}<001> < E{001} <110> < E{112}<uvw> < E{111} <uvw>
< E{110} <110>
O crescimento de subgro (altos graus de
deformao) favorece orientaes com maior
energia armazenada, enquanto o processo
"SIBM" (baixos graus de deformao) favorece
orientaes com menor energia armazenada.
7.1 A recristalizao do recozimento

contnuo
O recozimento contnuo tornou-se o mtodo
predominante no recozimento de chapas
laminadas a frio. A Acesita j o usa h dcadas; a
CSN instalou seu recozimento contnuo em fins
dos anos 90 enquanto a Usiminas instalou o seu
recentemente. A mudana do recozimento em
caixa para o recozimento contnuo foi benfica
para
a
textura
dos
aos
eltricos
semiprocessados, resultando numa melhora de
B50 de 1,66 para 1,72 T e de permeabilidade 1,5
de 1450 para 2400 [50].
Figura 18- Mapa do coeficiente M de Taylor, calculado seguindo o modelo full-constraint. Seo 2=45o.
Notao de Bunge [13].
15
cintica de recristalizao muito lenta,

praticamente s recuperam, e so finalmente
consumidos por gros nucleados em outras
regies, enquanto os gros fragmentados da fibra
gama, com grandes diferenas de orientao,
desenvolvem colnias de gros recristalizados.
De acordo com Hutchinson [12], o mecanismo
principal de nucleao parece ser o crescimento
anormal de subgros de orientao bastante
diferente da matriz circundante que, portanto,
mantm alta mobilidade enquanto cresce. Esses
subgros
devem
ter-se
originado
em
heterogeneidades
como
as
bandas
de
cisalhamento intragranulares [53] ou prximo
aos contornos de gro, associados a
empilhamento de discordncias. Existem
indicaes fortes de que h diferenas entre as
texturas dos gros nucleados nesses diferentes
stios: nos contornos de gro formam-se gros
tipo <111>//DN e nas bandas formam-se gros
do tipo Goss [13].
O
Recozimento
contnuo
dos
aos
semiprocessados feito em torno de 700oC, por
5 minutos, resultando em tamanho de gro da
ordem de 10 m. Os aos totalmente processados
so em geral recozidos em temperaturas mais
altas, por algumas dezenas de segundos. A
Figura 19 [51] mostra que o tamanho de gro
recristalizado no depende da temperatura de
recozimento, conforme uma das leis da
recristalizao [52]. A figura mostra tambm
que o tempo necessrio para completar a
recristalizao diminui exponencialmente com o
aumento da temperatura.
Um dos fenmenos mais interessantes e
sistemticos da mudana de textura na
recristalizao a diminuio de intensidade do
componente {100}<011>. A textura dos ncleos
formados quando a recristalizao atinge 10% da
frao volumtrica j tem forte semelhana com
a textura final da recristalizao. Essa nucleao
preferencial ocorre dentro das fragmentadas
subestruturas de alta energia ou prximas aos
contornos dos gros da fibra gama. A
recristalizao dos aos no se inicia ao mesmo
tempo em todos os lugares. Os gros
{100}<011>, por terem baixo fator de Taylor,
encruam pouco e costumam ter poucas bandas e
subestrutura de discordncias [34]. Assim, sua
A taxa de aquecimento, no recozimento

contnuo, muito alta, mas variaes dela podem
alterar significativamente a textura. No caso de
aos baixo-carbono no-ligados, a reduo da
taxa de aquecimento abaixo de 5oC/s pode
reduzir pela metade a razo entre gros (222) e
gros (100) [54].
TG recristalizado
tempo
100000
50
no completou recristalizao
10000
40
log t (s)
30
100
10
20
1
10
Tamanho de gro (m)
1000
0.1
0.01
500
600
700
800
900
1000
T ( C)
Figura 19- Tamanho de gro e tempo necessrio para completar a recristalizao primria em funo da
temperatura, mostrando que o tamanho de gro recristalizado no varia com a temperatura. Ao 3,25%Si.
Adaptado de [51].
16
Observando o grfico da fibra {111}//superfcie

na Figura 20 [32], nota-se que a recristalizao
trouxe uma reduo sensvel do componente
{111}<110> (a 0o) e uma reduo menor no
componente {111}<211> (a 30o), assim como,
no grfico da fibra <110>//RD, nota-se, com a
recristalizao, a grande reduo do componente
{100}<011> (a 0o). Esses dois comportamentos
so tipicamente encontrados durante o
processamento dos aos baixo-carbono.
Essa seqncia no mostrou nenhum reforo do

componente Goss na recristalizao, como se
nota na fibra <100>//rd (rd = "rolling direction"
= direo de laminao), em que a intensidade da
amostra RZ idntica a LF, para o plano (110).
Esse comportamento muito sensvel ao
tamanho de gro da BQ. No caso acima, o
tamanho de gro era 20 m. Para aumentar o
componente Goss, necessrio aumentar o
tamanho de gro da BQ.
<100> // rd
(100) // superf.
3,5
<110>
(110)
<110>
<130>
2,5
<130>
(100)
(100)
2,5
Int.
rel.
<010>
LQ
LF
RZ
1,5
Int. 1,5
rel.
LQ
LF
RZ
1
0,5
0,5
0
-10 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
0
-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
100
ngulo
ngulo
<110> // rd
(111) // superf.
(223)
(001)
(111)
(110)
4
Int.
rel.
LQ
LF
RZ
Int.
rel.
LQ
LF
RZ
<110>
0
-10 0
<011>
<231>
<121>
<112>
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
ngulo
0
-
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 10
ngulo
Figura 20- Cortes das ODFs segundo algumas fibras relevantes, mostrando a evoluo da textura entre
laminao a quente (LQ), laminao a frio (LF) e recozimento intermedirio (RZ), para ao com
0,5%Si+Al. [32].
17
[17] mostraram que o efeito do recozimento da

BQ depende da sua estrutura no final da LQ.
Quanto maior a temperatura de final de LQ, no
campo ferrtico, menos encruado estar o
material, mais SIBM ocorrer e mais intenso o
componente {100}<011>. Quando T < (Ar1 100o C), mais ocorre recristalizao por
crescimento de subgro, que enfraquece os
componentes de textura. interessante notar que
esse mecanismo no funciona no recozimento
aps a laminao de encruamento.
7.2 Efeito do tamanho de gro da BQ na

textura da recristalizao.
O efeito benfico do aumento do tamanho de
gro da BQ na textura e propriedades magnticas
dos aos eltricos foi o grande tema dos anos 90,
sempre baseado no conceito de que isso favorece
a formao de bandas de transio, que refora o
componente Goss na recristalizao. A
nucleao em bandas de transio j tinha sido
observada por muitos autores [24], mas a
identificao da sistemtica nucleao de gros
Goss nessas bandas uma das poucas evidncias
reprodutveis no estudo da textura de
recristalizao [55].
Outro efeito importante da presena de tamanho

de gro da BQ a ocorrncia de
heterogeneidades de tamanhos de gro na
recristalizao aps a laminao a frio,
associados a aglomerados de gros de mesma
orientao, conforme mostra a Figura 21 [56].
importante atentar para o efeito do

recozimento na textura da BQ. Chang e Hwang
a)
b)
c)
Figura 21- a) Microscopia eletrnica de varredura da amostra com tamanho de gro inicial de 500 m
laminada a frio e totalmente recristalizada; b) Imagem das orientaes cristalogrficas dos gros da
microestrutura apresentada em (a) atravs da identificao dos padres de Kikuchi. Cada colorao
corresponde a uma orientao cristalogrfica; c) Imagem do ndice de qualidade dos padres de Kikuchi.
Os contornos vermelhos correspondem a uma diferena de orientao cristalogrfica entre os gros maior
do que 15 e os contornos azuis correspondem a uma diferena de orientao cristalogrfica entre os gros
menor que 15[56].
18
7.3 A recristalizao no recozimento aps a

laminao de encruamento
O nico motivo de aplicar a laminao de
encruamento de 4 a 8% de alongamento nos aos
eltricos semiprocessados permitir a obteno
de tamanho de gro entre 100 e 150 m no
recozimento final. O grau de deformao a
varivel crtica que vai controlar o tamanho de
gro final e a cintica do processo, como mostra
a Figura 22 [57]. A temperatura de recozimento
no afeta o tamanho de gro final, como mostra a
Figura 23, mas afeta muito o tempo necessrio
para completar o fenmeno [58], que em suas
etapas intermedirias mostra gros grandes
consumindo os gros pequenos da matriz,
conforme mostra a Figura 24.
H quem chame esse fenmeno de "crescimento
de gro", pois afinal o gro pequeno no incio e
grande no final [59]. H quem chame de
"crescimento
anormal
de
gros"
(ou
"Recristalizao secundria" [49], [57]),
seguindo a nomenclatura dada numa srie de
artigos de um grupo de Torino ([60] e outros),

pois a microestrutura intermediria mostra
gros grandes crescendo sobre gros pequenos.
H quem chame de crescimento anormal
induzido por deformao, reconhecendo a
importncia da deformao prvia [61]. E, por
fim, h os que seguem a tradio de Robert
Mehl,
que
chama
de
recristalizao
primria.[62].
Os diferentes processos de recristalizao e
crescimento de gro so classificados conforme
o potencial termodinmico (driving-force) que
origina o processo [63]. Se o potencial a
energia armazenada na deformao, o
mecanismo denominado recristalizao
primria. Se o potencial a diminuio de
energia de superfcie, existem duas diferentes
denominaes, conforme a distribuio de
tamanhos de gro durante o crescimento:
crescimento normal de gro (distribuio normal
de tamanhos de gro) ou crescimento anormal de
gro (distribuio bimodal de tamanhos de gro),
sendo este tambm chamado de recristalizao
secundria.
Figura 22- Efeito do grau de reduo e do tempo de recozimento a 788oC no tamanho de gro mdio. [57].
19
tamanho de gro (microns)
250
600C, 70h
200
760C, 15 min
150
100
50
0
0
10
12
14
16
18
20
reduo de rea (%)
Figura 23- Efeito do grau de deformao no tamanho de gro de aos efervescentes aps recozimentos a
600 e 760OC [58].
Figura 24- Microestrutura de material com 2%

de deformao, recozido a 755o C por 260
minutos, mostrando estrutura bimodal [60].
Aumento 65x.
Segundo as leis da recristalizao primria [52],
quanto maior a deformao, menor o tamanho de
gro de final, exatamente como que se v na
Figura 23. Isto porque, aumentando-se a energia
armazenada na deformao, maior o nmero de
ncleos de incio de recristalizao, maior o
nmero de gros recristalizados, e menor o
tamanho de gro final. No h porque estranhar
que pequenas deformaes produzam um
tamanho de gro final maior que o tamanho
inicial. Isso conhecido h muito tempo - Dutra
historiou detalhadamente a evoluo
dessa
discusso [64] - e Robert Mehl, que estudou a
cintica da recristalizao primria usando,
dentre outros materiais, um ao 1%Si com 4% de
deformao, cujo tamanho de gro final era
centenas de vezes maior que o tamanho de gro
inicial [62].
20
Um dos resultados desse processo de

recristalizao primria a forma dos gros aps
o recozimento final dos aos semiprocessados.
Como os contornos de gro de poucos ncleos
avanam consumindo os gros originais, quando
dois desses gros se encontram, cessa o
movimento. Os contornos de gro finais ficam,
portanto, irregulares, ondulados, refletindo a
complexa interface de encontro entre esses gros.
A Figura 25 exemplifica esse aspecto,
comparando a microestrutura recristalizada do
ao semiprocessado aps 2 h a 760oC com a
microestrutura tpica de um ao silcio
totalmente processado. Essa configurao
bastante estvel, permanecendo assim ondulada
mesmo aps 6 ou 8 h de recozimento a 760o C.
A evoluo da textura nesse processo foi pouco
investigada. Nos baixos graus de deformao, o
mecanismo de migrao de contornos de gro
induzido por deformao ou SIBM (StrainInduced Grain-Boundary Migration) deve ter
preponderncia.
A
pequena
deformao
provocar mais deformao nos gros de alto
fator de Taylor, que seriam consumidos pelos
gros com menor fator de Taylor (orientaes
com menor energia armazenada durante a
deformao). Existem evidncias de um aumento
no componente Goss [48], que tem baixo fator de
Taylor, mas diminui a intensidade dos gros
{001}<110>, que tambm tm baixo fator de
Taylor, e mantm-se a forte fibra gama, de alto
fator de Taylor, indicando que esse no o
mecanismo
predominante.
Rollett
e
colaboradores [49] chegaram a essas concluses
investigando um ao com 1%Si, 0,3%Al, com
10% de alongamento.
(a)
(b)
Figura 25- Comparao do aspecto dos gros aps recozimento final num ao semiprocessado (a) e num
ao totalmente processado (b).
De Campos [7] analisou o efeito de diferentes
recozimentos sobre um mesmo material,
comparando a textura e as suas propriedades
magnticas. Uma amostra de ao no-ligado
semiprocessado com 6% de reduo (amostra
S/R) foi submetida a dois tratamentos trmicos
diferentes ("C" e "E"). Seus ciclos trmicos so
semelhantes (a 730-780oC, por 1 ou 2 horas). A
Tabela 3 mostra valores de B50 tanto na
longitudinal quanto na transversal, indicando que
a amostra "E" tem propriedades muito melhores
que a amostra "C". As Figuras 26, 27 e 28
mostram ODFs das trs condies, encruada e
com os recozimentos "C" e "E". Esses dados so
raros, na literatura, pois no fcil obter bons
Tabela 3- Valores de Induo B25 e B50, permeabilidade
"E". [7]
P15/60 T
(W/kg)
P15/60 L
(W/kg)
B25 T
(T)
B25 L
(T)
resultados de textura de amostras com tamanho

de gro maiores que 100 m. A amostra S/R
(Figura 26) apresenta uma fibra <111>//DN com
alta intensidade e o componente (522)
em fraca intensidade.
[0 1 1]
A amostra "C" (Figura 27) contm: (110) [1 1 6] ,

{320}<001>, {100}<011>, fibra <111>//DN
com mximos em {111}<211> e {111}<110>.
Na amostra "E" (Figura 28), observa-se
(110) [ 4 4 1] ,
{100}<037>,
{210}<123>,
(110) [1 1 5] e fibra <111>//DN com mximo

em {111}<211>.
15
e tamanho de gro para as amostras S/R, "C" e
B50 T
(T)
B50 L
(T)
15 T
15 L
TG
(m)
S/R
19,8
20,4
1,59
1,58
1,71
1,72
697
625
12
10,8
10,8
1,61
1,68
1,70
1,77
1611
2843
103
10,8
10,6
1,61
1,64
1,69
1,73
1346
1859
210
21
2=0
2=0
2=0
Figura 26- Amostra S/R. ODF, sees
2=45
Figura 27- Amostra "C". ODF, sees
2=45
Figura 28- Amostra "E". ODF, sees
2=45
22
. Notao de Bunge. [7]
A comparao entre a amostra S/R e as amostras

"C" e "E" mostra que, aps a recristalizao, a
intensidade da fibra {111}<uvw> diminuiu, o
ponto de mximo dessa fibra deslocou-se de
{111}<110> para {111}<211>, e componentes
prximos a Goss surgiram, como por exemplo
(110) [1 1 5] .
A presena de componentes Goss ou prximos
desta (Figuras 27 e 28) explica o surgimento de
forte anisotropia com propriedades melhores na
direo longitudinal das amostras recristalizadas.
As duas texturas so muito semelhantes entre si,
no permitindo explicar as diferenas de
propriedades magnticas entre elas. Uma das
hipteses para explicar a inconsistncia a
possvel presena de gradiente de textura na
espessura das amostras.
8. Evoluo da textura no crescimento de
gro
O recozimento contnuo dos aos totalmente
processados pode ser feito em temperaturas altas,
pois a presena de altos teores de silcio aumenta
sua resistncia mecnica em alta temperatura.
Conforme foi mostrado na Figura 19, o tamanho
de gro recristalizado varia muito pouco com a

temperatura, mas por outro lado ocorre um
grande crescimento de gro mesmo em tempos
muito curtos. Cunha e Paolinelli [3] mostraram o
acentuado crescimento de gro do ao com
2%Si, com 75% de reduo de rea na laminao
a frio, aps 35 segundos de recozimento
contnuo em temperaturas variando de 700 a
1000oC, conforme Figura 29.
Figura 29- Efeito da temperatura de recozimento

no tamanho de gro final de ao com 2%Si [3]
Figura 30- Variao da intensidade de alguns componentes de textura durante recozimento em caixa de ao
baixo carbono previamente laminado. (MICHALAK e HU apud [65]. (grfico redesenhado por
HUMPHREYS; HATHERLY (1996)).
23
A Figura 30 mostra a evoluo das intensidades

dos planos {111}, {110} e {100}com a
temperatura de recozimento, indicando as
temperaturas onde ocorre apenas recristalizao
e onde ocorre tambm crescimento de gro.
Nota-se ali que o crescimento de gro traz o
fortalecimento dos componentes {111} e reduo
de {110} e {100} [65], [66].
Cunha e Paolineli [3] mostraram, na Figura 31,
que o valor de B50 mximo na condio
recristalizada, sendo que o crescimento de gro
(que ocorre nos ciclos acima de 700oC) trouxe
uma reduo de 1,74 para 1,72T. Segundo os
autores, essa variao pode ser associada ao
crescimento da fibra gama. Notar que a reduo
das perdas est associada ao crescimento de gro
e no mudana da textura.
Tschiptschin e colaboradores [22] examinaram o
resultado de recozimento a 900oC na textura
daqueles aos com 2%Si e diferentes graus de
deformao a frio. A textura obtida seguramente
resultado da recristalizao e crescimento de
gro. Observaram o desaparecimento do
componente {100}<011>, reforo do (211)[110]
e de Goss, crescente com o aumento do grau de
reduo.
9. Crescimento anormal dos gros ou
Recristalizao Secundria
Adota-se aqui o significado restrito da expresso
"recristalizao secundria", ou seja, o
crescimento anormal de gros cujo potencial
termodinmico apenas a reduo de energia de
superfcie (excluindo, portanto, o fenmeno
tratado no item 7.3). Esse fenmeno raro nos
aos eltricos de gro no-orientado, mas o
fenmeno principal de gerao da forte textura
Goss nos aos eltricos de gro orientado.
Ocorre associado a um forte componente
(111)[121] na recristalizao primria e
presena de precipitados de MnS e, em certos
24
casos, de AlN, que dificulta o crescimento de

gro normal. Quando o aumento da temperatura
no recozimento final leva a dissoluo desses
precipitados, uns poucos gros de orientao
Goss crescem s custas dos gros do componente
principal, levando a tamanho de gro final da
ordem de vrios milmetros e com forte textura
Goss. Esse assunto est fora do escopo da
presente reviso.
Uma das formas de obter texturas particulares
atravs de recristalizao secundria aproveita a
forte interferncia da interface metal-atmosfera,
quando o tamanho de gro tem tamanho prximo
ao da espessura da chapa. O mtodo de Assmus
et al [67] para obter textura cubo-na-face por
meio de recristalizao secundria baseia-se no
principio de que a exposio de planos
cristalinos de maior densidade atmica
atmosfera minimiza a energia total do sistema
[39].
No reticulado CCC, a menor energia de
superfcie segue a relao {110} < {100} < {111}.
Entretanto, pequenas contaminaes fazem a
energia de superfcie decrescer para todos os
planos, porm de maneira desigual. Controlando
o tipo de contaminao, por meio da atmosfera
usada durante a recristalizao, possvel alterar
a relao acima para {100} < {110} . Muitos
problemas dificultam a obteno da sonhada
textura cubo-na-face por este mtodo. Durante a
dcada de 60 houve grandes expectativas com
mtodo de Assmuss, mas as dificuldades
operacionais no permitiram seu aproveitamento
prtico [39]. Entretanto, essa vertente continua
sendo explorada: Krause e Popovic [68]
obtiveram textura (001)[uvw] recozendo ao
baixo carbono a 1150o C em atmosfera de
hidrognio contendo 20ppm de H2S, Nakano e
colaboradores [69] obtiveram textura semelhante
em lminas de 30m de espessura .
1,76
2500
16
1,74
14
W1.5 (W/kg)
1,72
12
1500
10
1000
1,70
W1.5
J50
1.5
1,68
1,66
J50 ( T )
1.5
2000
1,64
6
1,62
500
4
500
1,60
600
700
800
900
1000
Temperature (C)
Figura 31- Variao das perdas a 1,5T (W1.5), polarizao J50 (praticamente igual a B50) e permeabilidade a
1,5T (1,5) [3].
development on non-oriented electrical steel
sheets. J. Magn. Mat., v. 26, p. 57-64, 1982.
10. Agradecimentos
O presente trabalho deve muito a duas
contribuies acadmicas recentes, a tese de
doutorado de Marcos Flvio de Campos [7] e a
dissertao de mestrado de Rubens Takanohashi
(em andamento), e s discusses geradas durante
os cursos sobre "Aos Eltricos e Aos
Siliciosos" organizados anualmente pelo
Laboratrio de Metalurgia do P e Materiais
Magnticos
do
Instituto
de Pesquisas
Tecnolgicas do Estado de So Paulo (IPT).
Os autores agradecem Fapesp (Projeto
Temtico 99/10796-8) ao CNPq e Secretaria de
Cincia e Tecnologia do Governo de So Paulo,
pelo apoio s equipes envolvidas. MF de
Campos agradece FAPESP, processo no
01/09122-4.
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Tamanho de gro e textura dos aos eltricos

Depto. de Engenharia Metalrgica e de Materiais, Escola Politcnica da Universidade de So Paulo

Contato: e-mail: landgraf@ipt.br

TAMANHO DE GRO E TEXTURA DOS AOS ELTRICOS DE GRO NO-ORIENTADO

Figura 1- Efeito do tamanho de gro nas perdas

Figura 2- Curvas de magnetizao de ferro em 3

Fernando J. G. Landgraf, Rubens Takanohashi e Marcos F. de Campos

uma propriedade que depende quase que

Existem duas classes de aos eltricos de gro

Figura 3- Efeito do ngulo de corte nas perdas a

Os dados apresentados na Figura 3 exemplificam

Os avanos no controle da textura ainda so

B50 praticamente independe do tamanho de

TAMANHO DE GRO E TEXTURA DOS AOS ELTRICOS DE GRO NO-ORIENTADO

B50 em funo do ngulo. Ao com 2% Si

Tabela 1- Planos do Fe- para os quais foram

2. A composio qumica dos aos

classes de aos eltricos. Seu teor de carbono

Fernando J. G. Landgraf, Rubens Takanohashi e Marcos F. de Campos

incluses torna essas regies stios privilegiados

Este trabalho no abordar as aplicaes de

Durante a dcada de 90, praticamente

exatamente o que deve ser evitado na textura dos

4. A estrutura bruta de solidificao

TAMANHO DE GRO E TEXTURA DOS AOS ELTRICOS DE GRO NO-ORIENTADO

silcio (de zero a 3,5%) e carbono (de 0,005 a

A maior parte das atenes da literatura costuma

O final da laminao a quente pode ocorrer no

Deformao na regio de recristalizao de

A Figura 7 foi originalmente elaborada [18] para

Fernando J. G. Landgraf, Rubens Takanohashi e Marcos F. de Campos

Figura 6- Diagrama esquemtico ilustrando os estgios do processo de laminao controlada e as mudanas

TAMANHO DE GRO E TEXTURA DOS AOS ELTRICOS DE GRO NO-ORIENTADO

Acentua-se com o decrscimo da

Acentua-se com a reduo do

{113}~{4 4 11} <110>

Acentua-se bastante com a

Acentua-se devido presena

Durante a recristalizao da ferrita () a fibra <111>//DN tende a aumentar sua intensidade em

Fernando J. G. Landgraf, Rubens Takanohashi e Marcos F. de Campos

Figura 7- Diagrama esquemtico mostrando o efeito de diversas variveis de processamento na textura de

Figura 8- Efeito do teor de alumnio, da temperatura de reaquecimento e da temperatura de bobinamento na

6.1 As heterogeneidades microestruturais

TAMANHO DE GRO E TEXTURA DOS AOS ELTRICOS DE GRO NO-ORIENTADO

pelos contornos de baixo ngulo do interior da

Fernando J. G. Landgraf, Rubens Takanohashi e Marcos F. de Campos

Figura 11- Subestruturas formadas durante

microscopia de varredura possvel identificar

6.2 A textura da laminao

Tabela 2- Diferentes nomenclaturas para as estruturas 1 e 2 apresentadas na Figura 11.

Walter e Koch [24]

Dillamore, Morris, Smith,

TAMANHO DE GRO E TEXTURA DOS AOS ELTRICOS DE GRO NO-ORIENTADO

Hansen e Bay [29]

Microbandas de primeira e segunda gerao

Barnett e Jonas [27]

Banda de cisalhamento intragranulares

Dunkle e Goodenow [35] mostraram que a

Figura 12- Efeito do grau de reduo a frio na

6.3 Laminao cruzada ou cross-rolling

empregados tanto em transformadores (em

6.4 Laminao em duas etapas

Fernando J. G. Landgraf, Rubens Takanohashi e Marcos F. de Campos

Figura 13- Anisotropia em chapas de aos