Part number : DSEP15-06A - IXYS

Site de acesso: http://datasheet.octopart.com/DSEP15-06A-IXYS-datasheet-5384730.pdf

Grandeza
1) Max.
repetitive
blocking voltage

reverse

2) Max. non-repetitive reverse

blocking voltage
3) Maximum crest working
forward
and
reverse
voltages
4) Maximum Reverse Leakage
Current

Sm
b.
VRRM

VRSM
VRWM

IRM

5) Forward Voltage

VF

6) Average forward current

IFAV

7) Peak pulse current

IPP

8) Slope resistance

rF

9) Thermal resistance junction

RthJC

Descrio

Valor

o mximo valor de tenso que o diodo consegue

bloquear de forma repetitiva. Acime deste valor o
dispositivo pode sofrer danos permanentes devido a
temperatura.
o mximo valor de tenso reversa aplicada em um nico
pulso.
Corresponde ao mximo valor tenso aplicada quando em
funcionamento, tanto direto quanto reverso.

600V

um parmetro relacionado com a qualidade do material

ou integridade fsica do componente. Esta corrente a
medida da corrente formada pelos portadores minoritrios
de carga, sendo que quando seus valores ultrapassam os
valores especificados pelo fabricante, seu funcionamento
correto no pode ser garantido pelo fabricante.
o mximo valor de tenso direta suportado quando a
corrente est em seu valor mximo de funcionamento.
o mximo valor permitido de corrente direta quando a
temperatura do dispositivo mantida entre 25 e 75C.
Mximo valor de um pico de corrente na ordem de 10ms
que o dispositivo pode suportar sem se danificar.
o valor de resistncia do diodo utilizado para clculos de
perda de potncia.
a Resistencia oferecida ao fluxo de calor medida entra a

100 A

600V
600V

2,04A
15A
20A
15 m
1,6K/W

to case.
10) Thermal resistance case
to heat sink.
11) Total Power dissipation

RthCH
PD

12) Max. forward surge

current
13) Junction capacitance

IFSM

14) Max. reverse recovery

current

IRRM

15) Reverse recovery time

trr

16) RMS current per terminal

CJ

IFRMS

17) Junction temperature

TJ

18) Storage temperature

TSTG

19) Mounting torque

MD

20) Mounting force with clip

FC

juno do diodo e a sua capa de proteo. Neste caso a

medio feita sem um dissipador de calor.
a medida da resistncia ao fluxo de calor entre a capa
de proteo do diodo e seu dissipador de calor.
o mximo valor de potncia que o dispositivo capaz de
dissipar.
o mximo valor de corrente de meia onda senoidal no
repetitiva que o dispositivo consegue suportar.
a capacitncia que surge na juno dos materiais
semicondutores que formam o diodo. Sua importncia
aumenta em dispositivos de alta frequncia de trabalho
devido a formao de filtros de frequncia.
o mximo valor de corrente que surge quando a tenso
aplicada no diodo invertida. Tem tempo de durao dado
pelo tempo de recuperao reversa.
o tempo compreendido entre o incio do fluxo de
corrente reverso at o momento que tal fluxo vai a zero.
o mximo valor RMS de corrente que cada terminal do
diodo suporta quando sua temperatura de trabalho est
prximo a 25C.
Corresponde aos valores de temperatura que a juno do
diodo pode suportar durante o seu funcionamento.
Temperatura de armazenagem dos componentes. Coincide
com os valores de temperatura de juno.
o maior torque suportado pelo suporte do componente
quando este preso por meio de uma chave de fenda ou
equipamento semelhante.
Maior valor de fora que pode ser aplicada sobre o diodo
sem que este sofra danos fsicos durante uma montagem
em placa.

0,5K/W
95W
110A
12pF

5A

35ns
35A

55C a
150C
55C a
150C
0,6N.m

60N

21) Non-repetitive avalanche

Energy

EAS

22) Repetitive avalanche

current

IAR

o mximo de energia de avalanche que o dispositivo

consegue suportar durante um nico pulso com a temperatura
de juno iniciando a 25C.

0,1mJ
0,1A