Eletrotcnica

ELETRNICA INDUSTRIAL

AULA 01
Dispositivos Semicondutores
de Potncia

Prof. George Cajazeiras

OBJETIVOS

Nesta aula, definimos como objetivos da aprendizagem os

seguintes aspectos:
Compreender o conceito de Eletrnica Industrial;
Conhecer os principais dispositivos semicondutores de potncia
utilizados na Eletrnica Industrial;
Conhecer a simbologia;
Compreender princpio de funcionamentos dos dispositivos;
Reconhecer as caractersticas dos dispositivos semicondutores
de potncia.

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INTRODUO
ELETRNICA INDUSTRIAL
Eletrnica Industrial rea da eletrnica e da engenharia
que estuda a forma de controlar a energia eltrica atravs de
dispositivos semicondutores de potncia. A compreenso dos
conceitos fundamentais, dos principais dispositivos e circuitos
compem a base tcnica necessria a formao do tcnico em
Eletrotcnica.
A aplicao na indstria estende-se ao acionamento de
bombas, compressores, ventiladores, mquinas ferramenta e entre
outros.

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INTRODUO
ELETRNICA INDUSTRIAL
Principais Dispositivos Semicondutores

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CAPTULO I AULA 01
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
DE POTNCIA
A escolha de uma chave de potncia para ser
empregada a um conversor est associada
principalmente potncia que ele deve controlar e
frequncia em que ele deve operar. Existem alguns
dispositivos que atualmente predominam na
aplicao em determinadas faixas de potncia e
frequncia de operao.

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DIODOS SEMICONDUTORES DE
POTNCIA
Os diodos de potncia so bastante empregados em circuitos de
eletrnica de potncia.
Operam como chaves em circuitos como: retificadores,
comutao em reguladores chaveados, isolao de tenso, conversores
de alta frequncia. A Fig. 1.1 mostra a simbologia do diodo
semicondutor.
A (anodo)

K (catodo)

Fig.1.1 simbologia do diodo semicondutor.

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DIODOS SEMICONDUTORES DE
POTNCIA
A caracterstica esttica de um diodo est
representada na Fig. 1.2. Em conduo, ele representado por
uma fora-eletromotriz, VTO, associada em srie com uma
resistncia, Rf.

Fig.1.2 caracterstica esttica de um diodo.

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DIODOS SEMICONDUTORES DE
POTNCIA
PERDAS EM CONDUO

Quando o diodo encontra-se em conduo, a potncia

dissipada em forma de calor dada por (1.1):
2
Pcond VTO .I AV rf .I RMS
.

(1.1)

Onde:
VTO - tenso direta;
IAV - corrente mdia;
IRMS - corrente eficaz;
rf
- resistncia de conduo.
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DIODOS SEMICONDUTORES DE
POTNCIA
Entrada em Conduo
Verifica-se a existncia de atraso para que o
diodo entre em conduo. Este o tempo de entrada em
conduo e pode variar de 0.1 a 1.5s. O valor de pico de
tenso em alguns casos pode alcanar valores prximos a 40V.
As perdas na entrada em conduo so representadas
por (1.2):

1
P VFP VF .I 0 .trf . f .
2

(1.2)

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DIODOS SEMICONDUTORES
DE POTNCIA
A Fig. 1.3 mostra as formas de onda de conduo de um diodo.

Fig.1.3 Formas de onda de

conduo de um diodo.
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DIODOS SEMICONDUTORES
DE POTNCIA
COMUTAO
O comportamento do diodo na operao de bloqueio pode ser
visto na Fig. 1.4

Fig.1.4 Comportamento
do diodo na operao de
bloqueio.

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DIODOS SEMICONDUTORES
DE POTNCIA
COMUTAO
Observe pela figura que o diodo s bloqueia quando a
carga de recuperao reversa, Qrr, acumulada devido
capacitncia presente na regio de polarizao direta e inversa,
se anula. O tempo necessrio para esta descarga chamado de
tempo de recuperao reversa, Trr. Qrr e Trr so dados pelo
fabricante.

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DIODOS SEMICONDUTORES
DE POTNCIA
COMUTAO
Observe pela figura que o diodo s bloqueia quando a
carga de recuperao reversa, Qrr, acumulada devido
capacitncia presente na regio de polarizao direta e inversa,
se anula. O tempo necessrio para esta descarga chamado de
tempo de recuperao reversa, Trr. Qrr e Trr so dados pelo
fabricante.
Os diodos podem ser classificados em rpidos e lentos
quanto ao tempo de recuperao reversa, Trr. Os rpidos
apresentam Trr < 200ns. J os diodos comuns apresentam Trr >
1s

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DIODOS SEMICONDUTORES
DE POTNCIA
TIPOS
- De uso geral:
Trr > 1s, indicados para baixa frequncia de chaveamento.
Aplicao: conversores de baixa frequncia.
- Rpidos:

Trr < 200ns, indicados para alta frequncia de chaveamento.

Aplicao: conversores CC/CC e CC/CA.

- Schottky:
Alm de baixo Trr, uma baixa tenso de polarizao direta,
aproximadamente de 0,25V.
Aplicao: corrente de fuga aumenta com a faixa de tenso e seus
valores nominais esto limitados a 100V, 300A.
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DIODOS SEMICONDUTORES
DE POTNCIA

Encapsulamentos

Fig.1.5 Encapsulamentos.

Fonte: http://www.semikron.com

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TRANSISTORES DE POTNCIA
O transistor bipolar de potncia um semicondutor que
apresenta controle de conduo mediante a manuteno de uma
corrente em sua base. Comparado aos transistores de baixa
potncia, apresentam maiores tenses diretas de bloqueio no
estado desligado, alta capacidade de conduo de corrente e
ganhos de corrente baixos, entre 2 e 20.
A Fig. 1.6 mostra a simbologia do transistor bipolar NPN.
C (coletor)

B (base)

E (emissor)

Fig.1.6 Simbologia do transistor bipolar NPN.

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TRANSISTORES DE POTNCIA
As caractersticas de sada (Vce x Ic) de um transistor de
potncia NPN em emissor comum so apresentadas na Fig. 1.7.

Fig.1.7 Caractersticas de
sada (Vce x Ic) de um transistor
de potncia NPN em emissor
comum .

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TRANSISTORES DE POTNCIA
Em aplicaes de potncia, p.ex. conversores estticos, o
transistor empregado como chave, ou seja, nas regies de corte e
saturao, pois a potncia dissipada no seria to significativa, j
que na saturao Vce 0 e no corte Ic 0, resultando em ambos os
casos Pc 0.
O corte obtido levando-se a corrente de base a zero ou
mesmo a um pequeno valor negativo. A saturao obtida com a
aplicao de corrente na base do transistor.

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TRANSISTORES DE POTNCIA
Com o intuito de diminuir o tempo de comutao, isto ,
tempo necessrio para mudana da saturao para o corte e viceversa, recomenda-se que a corrente de base seja apenas o suficiente
para manter o transistor saturado (quase saturao). Assim, quanto
menor o tempo de comutao, melhor o transistor para eletrnica de
potncia.

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TRANSISTORES DE POTNCIA
A Fig. 1.8 mostra o transistor bipolar de potncia MJ11028
da ON Semiconductor.
.

Fonte: http://onsemi.com
Fig.1.8 transistor bipolar de potncia MJ11028 da ON Semiconductor.
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MOSFET
MOSFET
(MetalOxideSemiconductor
Transistor), transistor de efeito de campo
O

semicondutor, um transistor de chaveamento rpido.

Field-Effect

metal-xido-

A Fig. 1.9 mostra a simbologia do MOSFET intensificao de canal N.

.

D (dreno)

G (porta)
S ( fonte)

Fig.1.9 Simbologia do MOSFET intensificao de canal N .

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MOSFET
O MOSFET um dispositivo controlado por tenso, funcionando
como uma chave fechada quando a tenso gate-source (Vgs)
suficientemente grande e, como uma chave aberta quando a tenso
Vgs est abaixo de um valor limiar.
A baixa potncia requerida no comando usada apenas para
carregar e descarregar as capacitncias intrnsecas de entrada.

Para que ele permanea ligado, necessria a aplicao contnua

da tenso Vgs com um valor apropriado. No h corrente no terminal
de gate, exceto durante os transitrios do estado ligado para o
desligado e vice-versa, ou seja, quando a capacitncia do gate est
comeando a carregar ou descarregar.

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MOSFET
O MOSFET possui as seguintes caractersticas:

Tempos de comutao extremamente curtos. Desse modo, podem

operar com frequncias mais elevadas;
Alta impedncia de entrada, entre gate e source. Assim, a potncia
consumida e a complexidade dos circuitos de comando so muito
menores e o ganho mais alto;
rea de operao maior;

Mais fcil de ser associado em paralelo, sobretudo porque a

resistncia em estado de conduo, RDSon, tem coeficiente positivo
de temperatura, isto , se a temperatura aumentar e RDSon aumenta.

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MOSFET
A Fig. 1.10 mostra o encapsulamento e as caractersticas
do MOSFET de potncia AUIRFS3107 da International
Rectifier.

Fig.1.10 encapsulamento e as
caractersticas do MOSFET de
potncia
AUIRFS3107
da
International Rectifier.

Fonte: http:// www.irf.com

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IGBT
O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), transistor
bipolar de porta isolada, um dispositivo que combina as
melhores caractersticas do transistor bipolar e do MOSFET.
Alm disso, apresenta alta impedncia de gate, necessitando de
pouca energia para chavear o dispositivo.
Apresenta tenso de conduo da ordem de 2 a 3V e
tenso de ruptura de at 1000V. Similarmente ao GTO, o IGBT
pode bloquear tenses reversas.
A Fig. 11 mostra a simbologia do IGBT canal N.
C (coletor)

G (porta)

Fig.1.11 Simbologia do IGBT

canal N.

E (emissor)

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IGBT
O IGBT possui as seguintes caractersticas:
Possui caractersticas de baixa queda de tenso no estado
ligado do transistor bipolar com as timas caractersticas de
chaveamento do MOSFET;

Preferncia sobre o MOSFET em aplicaes onde as perdas

por conduo podem degradar sua eficincia;
Velocidade de chaveamento maior que do transistor bipolar,
porm menor que a do MOSFET;
acionado por tenso, como o MOSFET e apresenta baixa
resistncia em estado de conduo, RDSon, como o transistor
bipolar.

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IGBT
A Fig. 1.12 mostra o encapsulamento e as caractersticas
do IGBT de potncia IRG6S330UPbF da International Rectifier.

Fig.1.12 Encapsulamento e as
caractersticas do IGBT de
potncia IRG6S330UPbF da
International Rectifier.

Fonte: http:// www.irf.com

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SCR
O SCR (Silicon Controlled Rectifier), retificador
controlado de silcio, um dispositivo semicondutor de quatro
camadas com estrutura PNPN com trs junes PN.
Possui trs terminais: anodo, catodo e gatilho (gate),
sendo este o elemento de controle.
A Fig. 1.13 mostra em (a) estrutura interna e (b) a
simbologia do SCR.
A
A (anodo)

P
N
G

Fig.1.13 (a) Estrutura interna

e (b) a Simbologia.

P
N

G (porta)
K (catodo)

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SCR

Curva Caracterstica do SCR.

IT
Regio de conduo
Corrente de direta mxima

ITM
Disparo por

Disparo sem

pulso no gate pulso no gate

Tenso de

Corrente de travamento

IL

Corrente de manuteno

IH

IG2 > IG1 > IG = 0

ruptura reversa

-VBD
-IR VT

Queda de

VAK2 VAK1

VBO

VAK

tenso direta
Corrente de

Tenso de

fuga reversa

ruptura direta

Regio de bloqueio

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SCR
Funcionamento
Polarizao direta da juno anodo-catodo com gate aberto
Mesmo que juno anodo-catodo esteja polarizada diretamente
(tenso de anodo positiva em relao ao catodo), se a juno gatecatodo no estiver polarizada diretamente, sua corrente apenas a de
fuga direta, diz-se, ento, que o SCR est na condio de bloqueio
direto (forward blocking) ou estado desligado (off-state).
Se a tenso entre anodo e catodo, VAK, atingir um valor muito
alto, ele passar a conduzir. Diz-se, ento, que atingiu a ruptura por
avalanche, sendo esta tenso chamada de tenso de ruptura direta
(forward breakover voltage, VBO), o SCR estar no estado de conduo
ou estado ligado (on-state). Observa-se que este mtodo no deve ser
utilizado comumente na prtica, pois requer valor bastante elevado de
tenso entre anodo e catodo, VAK, e pode danific-lo.
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SCR
Funcionamento
Polarizao direta das junes anodo-catodo e gate-catodo:
Na prtica, a VAK mantida abaixo da VBO e o SCR disparado
pela aplicao de um pulso positivo de corrente no gatilho, conseguido pela
polarizao direta da juno gate-catodo.
Se no momento do disparo houver uma corrente de anodo, IA,
maior de que a corrente travamento (latching current, IL), ele
permanecer em conduo mesmo que o pulso de corrente no gatilho seja
retirado, diz-se, ento, que ele est travado. Para destrav-lo, basta
reduzir a corrente de anodo, IA, a um valor abaixo da corrente de
manuteno (holding current, IH)). A corrente de manuteno da ordem
de miliampres e menor que a corrente de travamento.

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SCR
Funcionamento
Travamento do SCR
A ao de travamento pode ser explicada baseada no
circuito equivalente com dois transistores bipolares, um PNP e
outro NPN.
Fig. 1.14 mostra em (a) estrutura interna e em (b) circuito
equivalente com dois transistores bipolares do SCR.
A
A

IA = IT

P
N

Fig.1.14 (a) Estrutura interna

e (b) Circuito equivalente com
dois transistores bipolares do
SCR.

IB1 = IC2

Q1

P
G

IG

IC1
IB2

Q2

IK
K

(a)

(b)

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SCR

Funcionamento
Travamento do SCR
Injetando-se corrente na base (IG) do NPN (Q2), atravs da
polarizao direta da sua juno B-E, levando-o a saturao, assim,
haver corrente de coletor (IC2) do transistor NPN (Q2). Se o anodo
SCR estiver positivo, a juno E-B do transistor PNP (Q1) estar
diretamente polarizada, levando-o saturao, ento o transistor PNP
(Q1) alimentar com corrente de base (IC1) o transistor NPN (Q2),
mantendo sua corrente de base (IB2), dispensando a injeo de corrente
de base externa.
A
A

IA = IT

IB1 = IC2

Q1

P
G

IG

IC1
IB2

Q2

IK
K

(a)

(b)

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SCR
Formas de disparo do SCR
Por Pulso de Corrente no Gatilho (gate)

SCR disparado pela aplicao de um pulso

positivo de corrente no gatilho, conseguido pela

polarizao direta da juno gate-catodo. medida que a
corrente de gatilho aumenta, a tenso de bloqueio direta
diminui.

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SCR
Formas de disparo do SCR
Por Temperatura

medida que a temperatura de um SCR se eleva,

aumenta sua corrente de fuga, diminuem a tenso de
breakover, VBO e a corrente de manuteno podendo dispar-lo.

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SCR
Formas de disparo do SCR
Por Luz
A incidncia de luz em suas junes aumentar a formao de
pares lacunas-eltrons, aumentando a corrente de fuga, podendo
dispar-lo.
O LASCR (Light-Activated Silicon Controlled Rectifier) um
SCR ativado por luz, apresenta uma janela para recebimento de luz e
o gatilho usado para controle de sensibilidade de disparo.

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SCR
Formas de disparo do SCR
Por Tenso de Breakover (gate)

O SCR poder ser levado do estado de bloqueio para o

estado de conduo, sem aplicao de pulso no gatilho,
aplicando-se uma tenso em sentido direto que supere a
tenso de breakover mxima especificada pelo fabricante.

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SCR
Formas de disparo do SCR
Por Rudo

SCRs sensveis quanto ao disparo podem ser disparados

se o gatilho captar sinais de interferncia. Por exemplo: o SCR

TIC106. Para evitar este tipo de disparo, conecta-se um resistor
entre gate-catodo. A Fig. 1.15 mostra o SCR com resistor entre
gate-catodo para evitar disparo por rudo o resistor.
A

G
Fig.1.15 SCR com resistor entre

gate-catodo para evitar disparo por

rudo o resistor.

RGC
K
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SCR
Formas de disparo do SCR
Por dV/dt

Quando o SCR est no estado de bloqueio, se a taxa de

crescimento da tenso que entra anodo-catodo for alta, causar um
fluxo elevado de corrente, atravs dos capacitores das junes,
podendo ser suficiente para dispar-lo.
O valor desta corrente pode at danificar o SCR, devendo ser
protegido contra dV/dt elevado.

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SCR
Formas de disparo do SCR
Por dV/dt
Os fabricantes especificam seu valor mximo, por exemplo:
BT151-500 dV/dt = 130V/s . Associando-se ao SCR um circuito de
amortecimento, snubber, possvel reduzir a taxa de crescimento da
tenso. A Fig. 1.16 mostra o SCR com circuito snubber para evitar o
disparo por dV/dt.
A

Rs

Fig.1.16 SCR com circuito

snubber para evitar o disparo

por dV/dt.

G
Cs

Snubber

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SCR
Tipos de SCR
SCR de Controle de Fase

Operam, geralmente, com a frequncia da rede.

desligado por comutao natural. Utilizados em aplicaes de baixa
velocidade de chaveamento. Tempo de desligamento na faixa de 50
a 100s.

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SCR
Tipos de SCR
SCR de Chaveamento Rpido

Utilizados em aplicaes de chaveamento de alta

velocidade com comutao forada. Tempo de desligamento na
faixa de 5 a 50s.

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SCR
Especificaes de SCR
VDRM
VBO

Peak Repetitive Off State Forward Voltage

IDRM

Peak Forward Blocking Current

VRRM
VBD

Peak Repetitive Off State Reverse Voltage

IRRM

Peak Reverse Blocking Current

VTM

Peak On State Voltage

IH

Holding Current

IL

Latching Current

Tenso direta de pico repetitivo, no estado

desligado, aplicada em sentido direto. a
tenso de ruptura direta, dispara sem pulso
no gatilho.
Corrente direta mxima, no estado
desligado, quando o SCR est diretamente
polarizado.
Tenso reversa de pico repetitivo, no estado
desligado, aplicada em sentido reverso. a
tenso de ruptura reversa. Danifica o SCR.
Corrente reversa mxima.
Tenso mxima direta no estado ligado. a
queda de tenso direta entre anodo e
catodo quando o SCR est conduzindo.
Corrente de manuteno. o valor da
corrente de anodo abaixo do qual o SCR
comuta para o estado desligado.
Corrente de travamento. a mnima
corrente de anodo necessria para manter o
SCR no estado ligado (travado), logo aps
ter sido disparado e o pulso de gatilho ter
sido retirado.
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SCR
Encapsulamentos de SCR

Fig.1.17 Encapsulamentos
de SCR.

Fonte: http://www.semikron.com

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SCR

Encapsulamentos de SCR
Caractersticas do SCR - 2N650xG da ON Semiconductor

Fig.1.18 Caractersticas do SCR 2N650xG da ON Semiconductor.

Fonte: http://www.onsemi.com
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TRIAC
O TRIAC (Triode for Alternating Current), triodo de corrente
alternada, um componente que pertence famlia dos tiristores.
um dispositivo bidirecional em relao circulao da
corrente e normalmente empregado no controle de fase CA. Funciona
como dois SCRs conectados em antiparalelo com seus gatilhos em
conexo comum.
A Fig. 1.19 mostra em (a) estrutura interna, (b) a simbologia e
em (c) o circuito equivalente com dois SCRs do TRIAC.
MT2

MT1

MT2

N
Fig.1.19 (a) Estrutura interna,
(b) Simbologia e em (c) Circuito
equivalente com dois SCRs do
TRIAC.

N
G

MT1
G

MT2

MT1

(a)

(b)

(c)

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TRIAC
O TRIAC pode ser disparado por pulso positivo ou por pulso
negativo.

A sensibilidade varia de um quadrante de operao para outro,

normalmente operam no 1 e 3 quadrantes.
No 1 quadrante o MT2 e G, so positivos em relao ao MT1
a mais sensvel de todas, pois exige menor valor de corrente de
gatilho para o disparo, e no 3 quadrante o MT2 e G so negativos em
relao ao MT1.

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TRIAC
A Fig. 1.20 mostra as polarizaes de operao do TRIAC.
(+) MT2

(+) MT2

2 Quadrante

1 Quadrante
(-) IGT

(+) IGT
G

MT1

(-) MT2

MT1

(-) MT2

3 Quadrante

4 Quadrante

(-) IGT

(+) IGT
G

MT1

MT1

Fig.1.20 Polarizaes de operao do TRIACs.

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TRIAC
Curva caracterstica do TRIAC.
IT
Regio de conduo
Corrente de direta mxima

ITM
Disparo por

Disparo sem

pulso no gate pulso no gate

Tenso de

IG2 > IG1 >

IL

Corrente de travamento

IG = 0

ruptura reversa

IH

Corrente de manuteno

-VBO -VAK1 -VAK2

-VT
-IH

VT

-IL
IG = 0 > -IG1 > -IG2
Disparo sem

Disparo por

pulso no gate

pulso no gate

Regio de conduo

VAK2 VAK1

VBO

VAK

Tenso de
ruptura direta

-ITM

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TRIAC

Encapsulamentos de TRIAC
Caractersticas do TRIAC - BTA30 da ON Semiconductor

Fig.1.21 Caractersticas do TRIAC BTA30 da ON Semiconductor.

Fonte: http://www.onsemi.com
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TRIAC
Controle de Potncia com o TRIAC

Controle LIGA-DESLIGA: neste, a chave conecta a alimentao

CA carga durante alguns ciclos e depois se desconectam.
Controle de NGULO DE FASE: neste caso, a chave conecta a
alimentao CA carga durante parte de cada ciclo.

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TRIAC
Controle de Potncia com o TRIAC
A Fig. 1.22 mostra o circuito de um controlador de ngulo de
fase utilizando TRIAC.
0,5A 60W-220V

4k7
MT2

220V
60Hz

220k

DB3

TIC 206D
MT1
G

150nF
Fig.1.22 Controlador de ngulo de fase utilizando TRIAC.
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DIAC
O DIAC (Diode Alternative Current), diodo de corrente
alternada, um dispositivo semicondutor de trs camadas de dois
terminais e opera como dois diodos ligados em srie, de forma que
o catodo e um ligado ao catodo do outro.
Permite a conduo de corrente em ambos os sentidos,
desde que seja atingida sua tenso de disparo, o que torna possvel
sua utilizao em CA.
A Fig. 1.23 mostra a simbologia do DIAC.
MT2

Fig.1.23 Simbologia do DIAC.

MT1

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DIAC
Funcionamento
Quando o DIAC est submetido a uma tenso inferior a
VBO (tenso de breakover), tenso de disparo, permanece
bloqueado.
Aps atingir a tenso de disparo, VBO, entre 25V e
45V nos mais comuns, entra em estado de conduo. Nesse
instante, produz-se uma regio de resistncia negativa, isto ,
uma queda de tenso entre seus terminais resulta em aumento
de corrente, at que esta queda de tenso atinja um pequeno
valor e se mantenha praticamente constante.

Para comutar para o estado desligado (bloqueio),

necessrio reduzir a corrente que circula entre seus terminais a
um valor inferior corrente de manuteno, IH.
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DIAC
A Fig. 2.24 mostra a curva caracterstica e o
encapsulamento e a tabela as especificaes do DIAC DB3 da
DIOTEC.

Fig.1.24 curva caracterstica e

o encapsulamento e a tabela as
especificaes do DIAC DB3 da
DIOTEC..

DIAC - DB3
VBOmn
Tenso de Breakover
VBOmx
|VBO_direta VBO_reversa|
IF (direta) e IR (reversa)
Pmx
dV/dt

36V
28V
< 3.8V
10mA
150mW
10 V/s

Fonte: http://www.diotec.com
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GTO
O GTO (Gate Turn-Off ), tiristor de desligamento por
porta, um tiristor que pode ser disparado pela aplicao de um
pulso curto de corrente positiva de gatilho, e pode continuar
conduzindo mesmo que se retire esta corrente, como no SCR.
Entretanto, diferentemente do SCR, pode ser desligado
pela aplicao de um pulso curto de corrente negativa de gatilho.

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GTO
A durao do pulso de corrente negativa no gatilho da
ordem de s, mas deve ter uma grande amplitude, tipicamente da
ordem de grandeza da corrente de carga (de anodo). Na realidade,
a aplicao de um pulso negativo de corrente no gatilho faz com
que haja um aumento do valor da corrente de manuteno a ponto
desta superar a corrente de carga.
A Fig. 1.25 mostra a simbologia do GTO.
A (anodo)

G (porta)
K (catodo)
Fig.1.25 Simbologia do GTO.
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GTO
Possui as seguintes caractersticas vantagens:
No necessidade de circuitos de comutao forada, resultando
em reduo de custo, peso e volume;
Reduo de rudos acsticos e eletromagnticos, devido a no
utilizao de indutores de comutao;

Desligamento rpido (bloqueio), podendo operar com elevada

frequncia de chaveamento;
Possibilita maior eficincia dos conversores.

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GTO
Possui as seguintes caractersticas desvantagens:
Circuito de comando mais complexo que o dos tiristores, visto
que alm de permitir a aplicao de pulsos positivos e negativos
de corrente para disparo e bloqueio, respectivamente;
Exige circuito de proteo contra sobrecorrente quando, na
operao de bloqueio, seja exigida uma corrente superior a
mxima especificada pelo fabricante, denominada de mxima
corrente direta controlvel, ITGQ, que a mxima corrente de
carga em estado de conduo que pode ser desligada pelo
controle do gatilho. Geralmente, so utilizados snubbers para
proteger o componente no desligamento, principalmente contra
sobrecorrentes.
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GTO
Possui as seguintes caractersticas desvantagens:
Em estado de conduo, semelhante ao SCR, porm tem queda
de tenso mais alta, por exemplo, a queda tenso tpica de um
GTO de 500A e 1200V de 3,4V, j a de um SCR com as
mesmas caractersticas igual a 1,4V;
Na regio reversa, no apresenta uma capacidade de bloqueio
elevada (20V a 30V), obrigando a utilizao de um diodo em
antiparalelo com o anodo e o catodo;
Corrente de pico necessria para comut-lo elevada.

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GTO
Possui as seguintes caractersticas desvantagens:
Necessidade de circuito que limite a taxa de crescimento da
corrente e da tenso entre anodo e catodo, snubber;
As perdas de potncia so maiores que as do SCR, por causa
das perdas de conduo.
A Fig. 1.26 mostra o GTO com o circuito snubber e o diodo
em antiparalelo.

Fig.1.26 GTO com o circuito

snubber e o diodo em
antiparalelo.
Diodo em
antiparalelo

Snubber

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CONSIDERAES FINAIS

Nessa aula, foi conceituada a eletrnica industrial e

realizado o estudo dos principais dispositivos semicondutores
aplicados eletrnica de industrial, apresentando o princpio de
funcionamento, simbologia, especificao tcnica e aplicao
prtica, o que compreende o conhecimento necessrio para
desenvolvimento de aes de manuteno e projeto de aplicaes
prticas.

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