Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
ELETRNICA ANALGICA
PRTICAS DE LABORATRIO
PROFESSORES:
MONITOR:
SUMRIO
pginas
APRESENTAO ................................................................................................................................ 1
PRTICA N 01 CURVA CARACTERSTICA DO DIODO ............................................................ 2
PRTICA N 02 RETIFICADORES MONOFSICOS DE MEIA ONDA E ONDA
COMPLETA SEM E COM FILTRO CAPACITIVO............................................................................. 6
PRTICA N 03 FONTE DE TENSO REGULADA A DIODO ZENER...................................... 12
PRTICA N 04 CURVAS CARACTERSTICAS DO TRANSISTOR TBJ .................................. 16
PRTICA N 05 TBJ OPERANDO COMO CHAVE....................................................................... 20
PRTICA N 06 TBJ OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS................................... 24
PRTICA N 07 CURVAS CARACTERSTICAS DO TRANSISTOR FET .................................. 28
PRTICA N 08 FET OPERANDO COMO CHAVE ...................................................................... 32
PRTICA N 09 FET OPERANDO COMO AMPLIFICADOR DE SINAIS .................................. 38
PRTICA N 10 CIRCUITOS COM AMPLIFICADORES OPERACIONAIS ............................... 42
PRTICA N 11 APLICAES PRTICAS COM LM741 ............................................................ 46
PRTICA N 12 FILTROS ATIVOS ................................................................................................ 52
PRTICA N 13 FONTE AUXILIAR REGULADA A TRANSISTOR COM
PROTEO DE CURTO-CIRCUITO ................................................................................................. 56
PRTICA N 14 CIRCUITOS REGULADORES INTEGRADOS .................................................. 60
PRTICA N 15 MODULAO PWM COM LM 555 ................................................................... 64
ESTRUTURA PARA FORMATAO DOS RELATRIOS ............................................................ 68
APRESENTAO
A apostila de prticas de Laboratrio referente Disciplina de Eletrnica Analgica
consiste: edio, estruturao e adequao das prticas antigas do laboratrio. As novas
prticas incluem tima didtica, organizao e clareza, as quais contornam problemas e
dvidas sugeridas por alunos e professores que utilizaram o material durante os semestres
anteriores a 2011/I.
Sendo assim, apresentado o objetivo geral: fortalecer o incentivo ao aprendizado e
moldar o perfil do estudante direcionado rea de estudo da eletrnica; e de forma
semelhante so apresentados os objetivos especficos: adequar aplicao prtica o
contedo da disciplina, criar roteiros conforme o contedo ministrado semanalmente e
impor estrutura lgica na elaborao da prtica.
Uma organizao da estrutura dos roteiros de prtica foi estabelecida de modo que
um encaminhamento lgico durante a realizao do experimento possa ser seguido.
Aos alunos, este trabalho pretende contribuir de forma satisfatria no processo de
ensino-aprendizagem, de modo que literaturas complementares possam ser utilizada em
complementao ao processo de ensino.
As prticas foram elaboradas sob superviso dos professores citados neste
documento com a finalidade de contribuir na formao dos futuros engenheiros eletricistas
da Universidade Federal do Cear UFC.
Id
Vfo
Rav
Rav =
Vf N Vf O
If N
(1)
Vd = Vf O + Rav . Id
(2)
p D (t ) = Id .Vd = Vf O . Id + Rav . Id 2
(3)
Pd med (t ) =
1
. p D (t ) . dt
T 0
(4)
(5)
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 2.
Id
+A -
R1
0...10 A
Vi
D1 V Vd
0...2 V
-
0
Figura 2 - Esquemtico a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir apresentada a seguinte especificao:
Vi
= 0 a 2,7 [V]
IfMAX
= 0,90 [A]
VfN
= 0,70 [V]
D1
1N4007
[Diodo selecionado].
Voltmetro (1);
Ampermetro (1); e
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar o valor das resistncias comercial, bem como a potncia dissipada; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e
preencher a Tabela 1 para os resultados simulados.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional monte o circuito experimental. Mantenha a fonte Vi desligada.
b) Ligue a fonte Vi e ajuste a tenso desta de modo que a corrente medida pelo ampermetro seja a
exigida na Tabela 1, mea a tenso Vd com o voltmetro e preencha a Tabela 1.
Tabela 1. Resultados experimentais e simulados.
Id (A)
Vd (V) Simulado
Vd (V) Experimental
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
0,80
0,90
7. QUESTIONRIO
a) Traar as curvas I=f(v) simulada e experimental utilizando a Tabela 1.
b) Determinar a resistncia mdia Rav referente s curvas I = f(v) simulada e experimental traadas
anteriormente.
c) Como a temperatura influencia na curva caracterstica do diodo?
d) Determine a temperatura da juno do diodo fazendo uso das caractersticas trmicas do diodo
adotado, onde deve ser considerada a temperatura ambiente de 25C para I(A) igual a 0,8 A (como
aproximao utilize a curva experimental obtida) conforme a Tabela 1.
e) Comente a respeito dos resultados obtidos com o experimento e seu respectivo circuito simulado
correspondente.
f) Pesquise a respeito dos tipos de diodos: Schottky, Tunnel e Varicap.
8. APNDICE
[V]
2. Consideraes:
IdM := 0.9
[A]
Vd := 0.7
[V]
[]
Radot := 18
Padot := 0.25 [W]
[resistncia adotada]
[potncia dissipada no resistor]
3. Anlise terica:
i. determinando resistncia e potncia
Vi Vd
R1 :=
R1 = 2.222
IdM
[]
[W]
PR1 = 1.8
( Vi Vd)
( Vi Vd)
Radot
Radot
= 0.222
[W]
n := ceil
IdM
P adot Radot
Radot
n=8
Vo EF = 0,5 . (Vs PK Vd )
1
Vo EF =
Vo EF =
. (Vs PK Vd )
(2)
. (Vs PK 2 .Vd )
(3)
2
1
2
(1)
Ro =
Vo EF
Po
(4)
(5)
(6)
C=
Io
fr . VC
(7)
C=
Io
2 . fr . VC
(8)
2
Vo MED
Po
(9)
Ro =
DVC
Vsmax
Vsmin
Vomed
2p
3p
4p
t (w.t )
- Vsmax
Tc
Figura 1. Forma de onda da tenso na carga em um retificador de meia onda com filtro
capacitivo.
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
Os esquemticos dos circuitos experimentais so apresentados na Figura 2.
D1
Id
+
Lp
Vrms
Rs
2
0...0.2 A
Ro
+A
0...0.2 A
Io
Vs
Rs
1
Ls
Vp
D1
Id
+A
Ls
Lp
Io
+
C-
Vo Vrms
Ro
0...20 V
0...20 V
(b)
(a)
Id
D1 Rs
Id
1
Lp
Vrms
+
V Vo
Lp
+
Ls
Ro
Vrms
Ls
Rs
Vo
-
Ls
Ls
Io
+
Io
D2
D2
(c)
D1
(d)
+
C
-
Ro
Vo
-
Id
Id
D2
D1
Ls
Io
Lp
Rs
Vrms
Ro
Io
Vo
-
Ls
D2
D1
Ls
Lp
+
C Ro
-
Rs
Vrms
Ls
D4
D3
D4
(e)
+
Vo
D3
(f)
Figura 2. Esquemticos a serem montados durante o experimento: (a) retificador de meia onda,
(b) retificador de meia onda com filtro capacitivo, (c) retificador de onda completa com derivao,
(d) retificador de onda completa com derivao e filtro capacitivo, (e) retificador de onda
completa em ponte e (f) retificador de onda completa em ponte com filtro capacitivo.
4. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:
Vrms = 220
[V]
Po
[W]
[Potncia na carga].
= 0,5
Vs
= 12
[V]
fr
= 60
[Hz]
[Freqncia da rede];
Vd
= 0,70 [V]
VC
= 15%.VsMAX
D1,D2,D3,D4
1N4007
[Diodo retificador].
Voltmetro (1);
Ampermetro (1);
Osciloscpio (1).
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os componentes utilizados (resistores e capacitores);
b) Conforme a Tabela 1, determinar teoricamente o valor das grandezas exigidas; e
c) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e
preencher a Tabela 1.
Nota1: durante a simulao utilize a funo K_linear do ORCAD para o acoplamento magntico
das indutncias do lado primrio Lp e do secundrio Ls para o transformador (no primrio assumir
uma indutncia de 1H e determinar a indutncia no secundrio, fazendo uso da Eq.(10)).
2
Vp ef . Ls = Vs ef . Lp
(10)
6. PROCEDIMENTO
a) A partir dos esquemticos apresentados na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional, monte cada um dos circuitos retificadores. Mantenha a alimentao AC desligada.
b) Ligue a alimentao AC; para cada circuito retificador montado, utilizando um multmetro,
mea as grandezas experimentais exigidas na Tabela 1 e preencha os campos correspondentes.
c) Para cada circuito retificador, com a ponteira de tenso do osciloscpio e sua referncia
corretamente posicionada, verifique o tempo de conduo do diodo (Tc) para o circuito retificador
correspondente.
Nota2: As grandezas Id1EF, Id1MED, VC, Tc e VdPIV devem ser medidas utilizando o osciloscpio.
Nota3: A Tabela 1 deve ser replicada para cada circuito retificador analisado.
Nota4: Devido impossibilidade da medio de corrente eficaz em um dado diodo de forma direta
com o multmetro disponvel, acrescenta-se um resistor (Rs) de baixa resistncia (1/0,25W) e
tolerncia reduzida (< 5%) em srie com o diodo escolhido (conforme visto na Figura 2), em
seguida fazendo uso do osciloscpio verificada a forma de onda da tenso no resistor que
proporcional a corrente que circula no diodo (medio indireta).
Tabela 1. Resultado terico, simulado e experimental.
Circuito
Retificador
Simulado
Experimental
Id1MED [A]
Id1EF [A]
IoMED [A]
_
VoMED [V]
VC [V]
Tc [ms]
VdPIV [V]
7. QUESTIONRIO
a) Comente a respeito do tempo de conduo (Tc) verificado em cada circuito retificador e faa um
comparativo dos resultados obtidos entre as demais grandezas utilizando a Tabela 1.
b) Comente a respeito dos resultados obtidos em cada um dos circuitos retificadores montados
experimentalmente e compare com o seu equivalente simulado atentando para as grandezas
presentes na Tabela 1.
c) Analisando o circuito da Figura 2(f), suponha que o diodo D3 se danifique quando operando em
regime permanente. Na 1 situao, o componente comporta-se como um elemento de impedncia
infinita; e na 2 situao, o componente comporta-se como um elemento de baixa impedncia.
Anlise o comportamento do circuito para ambas as situaes impostas. Apresente as formas de
onda de tenso na carga.
10
d) Comente o motivo pelo qual foi adotada a medio indireta na determinao da corrente eficaz
no diodo e no a medio direta utilizando o ampermetro AC convencional.
e) Para as Figuras 2(e) e 2(f), explique o motivo da discrepncia entre os valores medidos
experimentalmente: Id1MED e IoMED; a partir da forma de medio utilizada.
f) Pesquise a respeito da Ponte de Graetz.
g) Pesquise a respeito dos diodos utilizados em circuitos retificadores: Standard Recovery, Fast
Recovery e Ultra Fast Recovery.
8. APNDICE
[W]
[potncia na carga]
2. Consideraes:
Vs := 12
[V]
fr := 60
[Hz]
[freqncia da rede]
Vd := 0.7
[V]
VC% := 15%
[taxa de ondulao]
Vomed_msc = 5.174
[V]
Voef_msc = 8.135
[V]
Romsc = 132.366
[]
[resistncia de carga]
Romsc :=
Voef_msc
Po
VdPIV_msc := 2 Vs
componentes adotados:
VCmcc = 2.441
2 Vs Vd 0.5 VCmcc
Voef_mcc := Vomed_mcc
[V]
Vomed_mcc = 15.05
[V]
Voef_mcc = 15.05
[V]
Romcc = 453.021
[]
[resistncia de carga]
Comcc = 226.872
[uF]
[capacitncia de filtro]
VdPIV.mcc = 33.941
[V]
Romcc :=
Comcc :=
Vomed_mcc
Po
Po
Vomed_mcc fr VCmcc
VdPIV.mcc:= 2 2 Vs
componentes adotados:
10
11
12
+
Vrms
Lp
DR
Ls
DZ
transformador
abaixador
retificao
filtragem
tenso CC
regulada
-
regulao
Rs MIN =
Ro MIN =
Rv (%) =
ViMAX Vz
Iz MAX IoMIN
Vz
Vz
Vi MIN
Rs MIN
(1)
(2)
Iz MIN
* 100
(3)
13
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental apresentado na Figura 2.
Io
Rs
D1
+
Vrms
Lp
+A
Ls
Vs
0...0.2 A
Iz
C
+
-
Dz
RL Ro
10k
-
Vo
0...20 V
Vrms = 220
[V]
Vo
= 5,1
[V]
Po
= 500
fr
= 60
[Hz]
[Freqncia da rede];
Vs
= 12
[V]
Vd
= 0,70 [V]
VC
= 15%.VsMAX
IzMIN
Dz
1N4733A;
D1
1N4007
[Diodo selecionado].
Voltmetro (1);
Ampermetro (1);
Osciloscpio (1).
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os componentes comerciais utilizados (resistores e capacitores);
b) Conforme a Tabela 1, determinar teoricamente o valor das grandezas exigidas; e
c) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e
preencher a Tabela 2.
14
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional, monte o circuito experimental. Mantenha a alimentao AC desligada.
b) Ligue a alimentao AC, para o circuito experimental sem carga, preencha a Tabela 1 com as
especificaes dos componentes determinadas e as grandezas medidas experimentalmente.
c) Acrescentando uma carga Ro, inicialmente em um valor mximo de resistncia, preencha a
Tabela 2 com os valores de tenso e corrente, conforme indicado nesta tabela.
Smbolo
Capacitor
Resistor
Rs
Anlise do circuito retificador de meia onda com filtro e diodo zener sem carga
Circuito
Retificador
Grandeza
Experimental
IzMED [A]
-
VoMED [V]
VC [V]
VdPIV [V]
Vo (V) Terico
Vo (V) Simulado
Vo (V) Experimental
15
7. QUESTIONRIO
a) Determine a regulao de tenso na carga para os resultados experimentais e simulados na
Tabela 2 e esboce a curva de regulao de tenso na carga em funo do aumento da carga.
b) A partir dos resultados da Tabela 2 traar as curvas Vo=f(Io) (simulada e experimental) e
comente a respeito do comportamento grfico obtido.
c) Explique o comportamento do diodo zener na regio de ruptura inversa.
d) Analisando o circuito da Figura 2, suponha que o capacitor C seja retirado do circuito em um
dado instante aps o circuito ter atingido regime permanente. Anlise e explique o comportamento
do circuito para esta situao imposta fazendo uso de simulao. Apresente as formas de onda de
tenso na carga.
e) Pesquise a respeito do regulador shunt programvel TL431.
f) Comente a respeito do comportamento das curvas apresentadas na Figura 3.
8. APNDICE
16.25V
15.00V
13.75V
V(C)
12.5V
10.0V
7.5V
V(Rs)
5.0V
2.5V
0V
V(Ro)
200mA
100mA
0A
250ms
300ms
400ms
I(Ro)
Time
500ms
16
2. INFORMAO TERICA
Estando o Transistor Bipolar de Juno (TBJ) NPN polarizado na configurao emissor
comum, conforme ilustrado na Figura 1; um par de curvas caractersticas necessrio para
descrever o comportamento do componente nesta configurao: uma curva para o circuito de
entrada ou base-emissor e a outra curva para o circuito de sada ou coletor-emissor (estas curvas
so amplamente encontradas nas folhas de especificao do componente). As curvas caractersticas
so apresentadas na Figura 2.
IC
Ic
Ib
B
VBE
VCE
Ib
Ie
IE
(a)
(b)
17
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 3.
Icc
Rc
0...0.2 A
100
Ibb Rb
Vbb
100k
+ A -
+
V
-
Q1
0...2 mA
Vcc
0...20 V
0
Figura 3. Esquemtico a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:
Vcc
= 0 a 15 [V]
Ibb
Q1
BC546
Voltmetro (1);
Ampermetro (2); e
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados;
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 3 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional, monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vcc e Vbb desligadas.
b) Ligue a fonte de tenso Vbb e conecte-a ao circuito de entrada de forma a polarizar a juno
base-emissor do TBJ e regule a tenso desta fonte de modo a ajustar o valor de corrente Ibb
medida por um ampermetro ao exigido; com outra fonte de tenso Vcc varivel, ligue e conecte-a
ao circuito de sada e regule a tenso desta fonte de modo a ajustar o valor da tenso Vce medida
por um voltmetro ao exigido e com um segundo ampermetro mea a corrente no coletor Icc
obtida. Este procedimento deve ser repetido e os campos da Tabela 1 preenchidos.
c) Determinar o ganho do transistor experimentalmente.
18
40
60
80
0,5
1
3
Vce (V)
5
10
15
7. QUESTIONRIO
a) Traar a curva de sada Ic = f(Vce) de um TBJ: experimental e simulada.
8. APNDICE
20mA
Ib (100uA)
Ib (80uA)
15mA
Ib (60uA)
Ic(V)
10mA
Ib (40uA)
5mA
Ib (20uA)
0A
0V
5V
10V
15V
Vce(V)
19
20
2. INFORMAO TERICA
Fazendo uso da curva caracterstica do circuito de sada ilustrada na Figura 1, pode-se
projetar o circuito de tal forma que o TBJ tipo NPN comporte-se como uma chave, onde se notam
as regies de operao do componente quando em corte e quando em saturado. Em regime de
saturao forte, admite-se um ganho de corrente de projeto reduzido de tal forma que um pequeno
valor de corrente aplicado a base sature instantaneamente o componente.
Saturao
Corte
Vbb Vbe
Ib
(1)
Vcc VceSATU
. Ib
(2)
Rb =
Rc =
21
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 2.
Ic
Rc
Ib
Rb
Q1
Vcc
Vbb
0
Figura 2 - Esquemtico a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:
Vcc
= 12
[V]
Vbb
= 2,2
[V]
Hfe = = 30
Ib
VceSAT = 0,3
[V]
fc
= 10
Q1
BC546
= 100 [uA]
[Transistor utilizado].
Osciloscpio (1);
Multmetro (1); e
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes e preencher o Quadro 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vbb e Vcc desligadas.
22
b) Ligue a fonte Vbb, ajuste corretamente a sua tenso e aplique este sinal ao circuito de entrada de
forma a polarizar a juno base-emissor do TBJ, mantendo assim uma corrente de base
considerada; com outra fonte de tenso Vcc, ajuste a tenso desta para o valor considerado, aplique
ao circuito de sada e observe com o osciloscpio as formas de onda de tenso em Rc e nos
terminais Coletor-Emissor. Em seguida, esboce as formas de onda experimental para as grandezas
Vbb, Vce e VRc no Quadro 1.
t( )
Vce(V)
t( )
VRc(V)
t( )
7. QUESTIONRIO
a) Traar as formas de onda de tenso experimental e simulada para o TBJ: Vbb, Vce e VRC.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traadas em (a) tomando como referncia o
comportamento do circuito e a curva caracterstica do circuito de sada.
c) Determine as perdas de conduo do TBJ usando a curva caracterstica Ic = f(Vce).
d) Pesquisar a respeito dos tipos de encapsulamento.
e) Pesquisar a respeito das principais especificaes do TBJ encontradas na folha de dados dos
fabricantes de modo que o componente trabalhe como chave.
f) Pesquise aplicaes que fazem uso do TBJ funcionando como chave.
8. APNDICE
23
24
2. INFORMAO TERICA
Fazendo uso da configurao de polarizao por divisor de tenso, o TBJ capaz de
amplificar pequenos sinais. Durante a etapa de projeto, uma seqncia de passos deve ser seguida
de forma a facilitar a anlise e a compreenso do circuito. Primeiramente, faz-se uso da anlise CC
como forma de dimensionar os valores dos componentes do circuito para um ponto de operao
corretamente escolhido; em seguida, fazendo uso da anlise AC (anlise de pequenos sinais)
determinam-se os diversos parmetros do circuito (ganho de tenso, ganho de corrente, impedncia
de entrada e impedncia de sada). So ilustrados nas Figuras 1(a), (b) e (c) o circuito amplificador
adotado, o circuito necessrio anlise CC e o circuito adotado anlise AC (fazendo uso do
modelo de pequenos sinais do TBJ), respectivamente.
Vcc
R1
+
-
Rc
Vcc
R1
Rc
Cc
0
R3
C1
Q1
Q1
RL
Vi
R4
R2
Re
Ce
R2
(b)
(a)
B
R3
ii
Vi
R1
R2
C
io
ib
R4
Re
rp
.ib
ro
Rc
RL
E
0
(c)
Figura 1. (a) Circuito amplificador, (b) circuito utilizado para anlise CC e (c) circuito utilizado
para anlise AC.
Nota1: Nota-se que ao circuito da Figura 1(a) so acrescentados os resistores 3 e 4, fato que se
justifica pela necessidade de medio da corrente de entrada no circuito durante a anlise
experimental, como forma de serem comparados os parmetros de pequenos sinais obtidos por
anlise terica, simulao e experimento.
25
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental tratado na Figura 2.
+ Vcc
-
R1
Rc
Cc
R3
1 -C1
+
1k
10u
Q1
+ -
10u
Vi
R4
1k
R2
Re + Ce
- 22u
RL
10k
0
Figura 2 - Esquemtico a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:
Vcc
= 20
[V]
Vc
= 8 a 10 [V]
Vth
=5
[Tenso Thvenin];
Ib
= 100 [uA]
Pd
= 0,15 [W]
[Potncia dissipada];
Vce
=8
[V]
Vi
= 100
[mV]
fc
= 10
Q1
BC546
[V]
Osciloscpio (1);
Multmetro (1); e
26
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados necessrios a polarizao CC; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional monte o circuito experimental proposto. Mantenha a fonte Vcc desligada.
b) Com o sinal de tenso Vi corretamente calibrado, conecte-o ao circuito de entrada de tal forma
que o sinal AC aplicado ao circuito (ponto 1) seja amplificado na sada (ponto 2). Ligue e ajuste a
fonte de tenso Vcc ao valor indicado. Fazendo uso do osciloscpio: mea a tenso (pico a pico) no
ponto 1, mea a tenso (pico a pico) no ponto 2, e finalmente mea a tenso (pico a pico) sobre o
resistor R3. Preencha a Tabela 1.
Simulado
Experimental
Ponto 1
Ponto 2
Resistor R3
Parmetros do modelo de pequenos sinais
Terico
Simulado
Experimental
Av (ganho de tenso)
Ai (ganho de corrente)
Zi (impedncia de entrada)
Zo (impedncia de sada)
7. QUESTIONRIO
a) Apresente as formas de onda nos pontos 1 e 2 (Figura 2), e comente os resultados.
27
e) Fazendo referncia a uma aplicao do TBJ como amplificador de sinais, apresente um circuito
amplificador de udio utilizando TBJs e descreva o seu funcionamento.
8. APNDICE
20mV
0V
-20mV
V(ponto1)
4.0V
0V
-4.0V
V(ponto2)
10V
5V
0V
9.0ms
9.1ms
V(Coletor)
9.2ms
9.3ms
Time
9.4ms
9.5ms
28
2. INFORMAO TERICA
O transistor MOSFET tipo N polarizado corretamente e o smbolo grfico so ilustrados na
Figura 1. Um par de curvas caractersticas necessrio para descrever o comportamento do
componente: uma curva de dreno e a uma curva de transferncia (estas curvas so amplamente
encontradas nas folhas de especificao do componente), as quais so apresentadas na Figura 2.
ID
n
n
I G=0
VGS
+
-
SS
VDS
IS
S
S
n
29
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 3.
Id
0...0.2 A
Rd
Rg
+
Vgs
Q1
1Meg
--
Vcc
+
V Vds
- 0...20 V
0
Figura 3 - Esquemtico a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:
Vcc
= 0 a 12 [V]
Vgs
= 1 a 2,1 [V]
Pd
= 0,7
Q1
2N7000
[W]
Voltmetro (1);
Ampermetro (1); e
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados;
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
30
b) Ligue a fonte Vgs e ajuste o sinal de tenso, aplique-o aos terminais G e S do MOSFET de
modo a polariz-lo e regule a amplitude do sinal de modo a ajustar o valor da tenso ao exigido;
ligue a fonte Vcc, conecte-a ao circuito e regule a tenso desta fonte de modo a ajustar o valor da
tenso Vds medida por um voltmetro ao exigido e com um ampermetro mea a corrente no dreno
Id obtida. Este procedimento deve ser repetido e os campos da Tabela 1 preenchidos.
0,1
0,2
0,3
0,5
1,5
1,5
1,7
1,8
Vgs(V)
1,9
22
2,1
7. QUESTIONRIO
a) Traar as curvas Id = f(Vds) e Id = f(Vgs) do MOSFET: experimental e simulada.
8. APNDICE
31
1.3A
Vg = 3V
1.0A
Id(A)
Vg = 2,4V
0.5A
Vg = 2,2V
Vg = 2V
0A
0V
Vg = 1,8V
2V
4V
6V
8V
10V
Vds(V)
Figura 4 - Curva caracterstica de sada Id = f(Vds) obtida em simulao.
32
2. INFORMAO TERICA
Uma aplicao dos transistores MOSFET de potncia bastante comum em circuitos de
processamento de energia, onde os estados de corte e de saturao devem ser definidos. Circuitos
auxiliares capazes de acionar tais chaves so necessrios, de modo a permitir que circuitos de sinais
controlem circuitos de potncia elevada.
Estando o MOSFET trabalhando como chave e aplicada uma tenso dreno-fonte maior ou
igual tenso de limiar (Vgsth), os fenmenos de armazenamento ou recombinao dos portadores
minoritrios, que caracterizam os aspectos capacitivos eletrostticos e de depleo, vo determinar
seu comportamento em comutao, conforme a Figura 1. Portanto, as cargas a remover so das
capacitncias intrnsecas, razo pela qual durante a comutao so exigidas correntes de porta
elevada, quando so desejados tempos de comutao reduzidos mesmo em operao em baixa
freqncia, de modo a minimizar a potncia perdida na comutao. A capacitncia de entrada
definida como a soma entre as capacitncias gate-dreno (Cgd) e gate-source (Cgs), e a
capacitncia de sada a capacitncia dreno-source (Cds).
Cgd D
M1
Cds
Cgs
S
33
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 2.
+
-
R5
R1
120
Ie 3
Vcd
Q3
0
Id 1
R4
VC2
R6
D1
R2
ID
Vgate
M1
22
Ic 2
+
-
Vcc
VE1
R3
680
Q2
Vdreno
Q1
D2
R7
10k
Vpulse
0
Vcc
= 15
[V]
Vcd
= 15
[V]
Hfe = = 40
Id1
= 400
[mA]
[Corrente de gatilho];
Vbe
= 0,7
[V]
Vpulse = 2,7
[V]
fc
= 10
D1
UF4007
D2
1N5246
M1
IRF 540
[Mosfet de Potncia];
Q2
Q1, Q3
Osciloscpio (1);
Multmetro (1);
34
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados e
esboar algumas formas de onda pertinentes (VC2, VE1, Vgate e Vdreno) no Quadro 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e anlise dos resultados obtidos no prlaboratrio monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vcd e Vcc desligadas.
b) Com o sinal de tenso Vpulse corretamente calibrado, aplique-o ao circuito de modo a polarizar
a juno base-emissor de Q2, mantendo assim uma corrente de base pulsada; ligue a fonte de
tenso Vcd e a conecte ao circuito de controle, ajuste a tenso desta para o valor considerado e
verifique com o osciloscpio as formas de onda de tenso em VC2, VE1 e Vgate. Em seguida,
ligue a fonte de tenso Vcc e a conecte ao circuito de potncia, ajuste a tenso desta para o valor
considerado e verifique com o osciloscpio a forma de onda de tenso em Vdreno. Esboce as
formas de onda experimentais requeridas no Quadro 1.
t( )
VE1(V)
t( )
t( )
Vgate(V)
Vdreno(V)
t( )
35
7. QUESTIONRIO
a) Traar as formas de onda de tenso experimental e simulada: VC2, VE1, Vgate e Vdreno.
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traadas em (a) do item (7) tomando como
referncia o comportamento do circuito.
c) Determine a perda total do MOSFET em simulao.
8. APNDICE
Clculo das perdas para MOSFET de potncia.
100
50
0
-20
3.14995ms
3.15000ms
3.15005ms
3.15010ms
3.15015ms
3.15020ms
Time
iD ,vDS
VCC
(a)
ID
VDSsat
0
tr
(b)
Figura 3 Perdas: (a) entrando em conduo e (b) detalhes.
36
100
50
0
-20
3.479285ms
3.479600ms
3.480000ms
3.480400ms
3.480796ms
Time
(a)
iD ,vDS
VCC
ID
VDSsat
0
tf
(b)
iD (t ) = I D
t
I Deff
t
1 on
1 on 2
2
=
(iD (t ) ) dt =
I D dt = I D on
TS 0
TS 0
TS
2 t
2
PMOS (cond ) = RDS I Deff = RDS I D on
TS
iD (t ) =
ID
t
tr
vDS (t ) = VCC
p MOS (t ) = iD (t ) vDS (t )
t
PMOS ( on )
1 r
= p MOS ( on ) dt
TS 0
PMOS ( on ) =
1
VCC I D t r f S
2
iD (t ) = I D
vDS (t ) = VCC
ID
t
tf
p MOS (t ) = iD (t ) vDS (t )
tf
PMOS ( off )
1
= p MOS ( off ) dt
TS 0
PMOS ( off ) =
1
VCC I D t f f S
2
37
38
2. INFORMAO TERICA
Fazendo uso da configurao de polarizao por divisor de tenso, o MOSFET capaz de
amplificar pequenos sinais. Durante a etapa de projeto, uma seqncia de passos deve ser seguida
de forma a facilitar a anlise e a compreenso do circuito. Primeiramente, faz-se uso da anlise CC
como forma de dimensionar os valores dos componentes do circuito para um ponto de operao
corretamente escolhido; em seguida, fazendo uso da anlise AC (anlise de pequenos sinais)
determinam-se os diversos parmetros do circuito (ganho de tenso, ganho de corrente, impedncia
de entrada e impedncia de sada). So ilustrados nas Figuras 1(a), (b) e (c) o circuito amplificador
adotado, o circuito necessrio anlise CC e o circuito adotado anlise AC (fazendo uso do
modelo T com resistncia rO), respectivamente.
Vcc
R1
+
-
Rd
Vcc
R1
Rd
Cd
0
R3
C1
Q1
Q1
RL
Vi
R4
R2
Rs
Cs
R2
(b)
(a)
G
R3
ii
Vi
R1
D
i
ig =0
R4
Rs
R2
id
ro
1/gm
Rd
RL
(c)
Figura 1 - (a) Circuito amplificador, (b) circuito utilizado para anlise CC e (c) circuito utilizado
para anlise AC.
Nota: Nota-se que ao circuito da Figura 1(a) so acrescentados os resistores 3 e 4, fato que se
justifica pela necessidade de medio da corrente de entrada no circuito durante a anlise
experimental, como forma de serem comparados os parmetros de pequenos sinais obtidos por
experimento, simulao e anlise terica.
39
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental tratado na Figura 2.
+ Vcc
-
R1
Rd
Cd
D
R3
1 -C1
+
1k
10u
+ -
Q1 10u
G
+ Vi
R4
1k
R2
Rs + Cs
- 22u
RL
10k
0
Figura 2 - Esquemtico a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:
Vcc
= 20
[V]
Vd
= 8 a 10 [V]
Vgs
= 1,8
[V]
[Tenso no gate-source];
Pd
= 0,7
[W]
Vds
=8
[V]
Vi
= 100 [mV]
fc
= 10
Q1
2n7000
Osciloscpio (1);
Multmetro (1); e
40
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados necessrios a polarizao CC; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional monte o circuito experimental proposto. Mantenha a fonte Vcc desligada.
b) Com o sinal de tenso Vi corretamente calibrado, conecte-o ao circuito de entrada de tal forma
que o sinal AC aplicado ao circuito (ponto 1) seja amplificado na sada (ponto 2). Ligue a fonte
Vcc. Fazendo uso do osciloscpio: mea a tenso (pico a pico) no ponto 1, mea a tenso (pico a
pico) no ponto 2, e finalmente mea a tenso (pico a pico) sobre o resistor R3. Preencha a Tabela 1.
Simulado
Experimental
Ponto 1
Ponto 2
Resistor R3
Parmetros do modelo de pequenos sinais
Terico
Simulado
Experimental
Av (ganho de tenso)
Ai (ganho de corrente)
Zi (impedncia de entrada)
Zo (impedncia de sada)
7. QUESTIONRIO
a) Apresente as formas de onda experimentais nos pontos 1 e 2 (Figura 2), e comente os resultados.
41
8. APNDICE
40mV
0V
-40mV
4.0V
V(ponto1)
0V
-4.0V
12V
V(ponto2)
8V
4V
9.0ms
V(dreno)
9.2ms
9.4ms
9.6ms
Time
9.8ms
10.0ms
42
2. INFORMAO TERICA
Um amplificador operacional ideal um amplificador de alto ganho, com banda-passante
ilimitada. O amplificador operacional real normalmente construdo recorrendo utilizao de
sub-circuitos, compostos por transistores TBJ e ou FET como componentes ativos, de modo a
reunir em uma nica pastilha circuitos elaborados. Algumas limitaes de ordem fsica (ganho
infinito, necessidade de correntes ou tenses de polarizao, realimentao e no linearidades, entre
outros) vo condicionar as caractersticas de operao estvel. Circuitos de compensao interna
so projetados de modo a reduzir o ganho em malha aberta (AVD) com o aumento da freqncia,
garantindo assim a estabilidade. Em aplicaes prticas, comum o uso de componentes passivos
(resistores e capacitores, entre outros) conectados externamente ao AMP-OP, de modo a reduzir o
ganho de tenso do circuito a um valor bastante reduzido (ganho em malha fechada, ACE),
acarretando assim a uma srie de benefcios como: o ganho de tenso do amplificador mais
estvel e preciso, o qual estabelecido por componentes externos; a impedncia de entrada do
circuito assume um valor maior em relao ao AMP-OP isolado; a impedncia de sada do circuito
assume um valor menor em comparao ao AMP-OP isolado; e a resposta em freqncia do
circuito ocupa uma faixa maior do espectro de freqncia.
O grfico do ganho em funo da freqncia (Av = f(fs)) obtido a partir de um circuito com
AMP-OP, ilustrado na Figura 1, trata o comportamento do ganho de tenso, quando um sinal de
tenso senoidal com amplitude definida e freqncia varivel aplicado entrada. A freqncia
tratada no eixo das abscissas em escala logartmica e o ganho tratado no eixo das ordenadas em
[V/V]; comumente o ganho tratado em decibis [dB], conforme a Eq. (1).
Av [V/V]
A VD
0,707.A VD
1
0
f 1 fs [Hz]
fc
Av = 20 . log(|
Vo
|)
Vi
(1)
43
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 2.
RL 0
Vi
+
-
V+
LM741
6
+
-
Vcc
Vo
0
C1
R0 +
10k -
VVsin
Vcc
RF
0
0
Figura 2 - Esquemtico a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAES, CONSIDERAES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir so apresentadas as seguintes especificaes:
Vcc
= 15
[V]
Vsin
=1
fs
= 100 a 1M
C1
LM 741
[V]
Multmetro (1);
Osciloscpio (1);
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional, monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vcc desligadas.
Nota1: aconselhvel utilizar resistores com tolerncia reduzida para os elementos RF e RL.
44
b) Utilizando as resistncias RF=10k e RL=1k, aplique ao ponto (Vi) o sinal de tenso senoidal
com tenso pico-a-pico constante e freqncia definida na Tabela 1. Ligue as fontes Vcc e mea a
tenso no ponto Vo com o osciloscpio e determine a resposta em freqncia para o ganho do
AMP-OP (Av).
c) Obtenha a freqncia de corte (fc) e a freqncia para ganho unitrio (f1) do AMP-OP.
d) Repetir os passos (b) e (c) do item (6), para as resistncias RF=22k e RL=1k.
100
300
700
1k
3k
7k
10k
30k
70k
100k
200k
300k
700k
1M
Vi (Vpp)
Vo (Vpp)
Av (V/V)
Av (dB)
Fs (Hz)
Vi (Vpp)
Vo (Vpp)
Av (V/V)
Av (dB)
Fc (Hz)
F1 (Hz)
45
8. APNDICE
5.0V
0V
-5.0V
450ms
460ms
Vi(1Vpp)
Vo
470ms
480ms
490ms
500ms
Time
Frequncia de 100 Hz
500mV
0V
-500mV
910.82us
912.00us
Vi(1Vpp)
Vo
914.00us
916.00us
Time
Frequncia de 1 MHz
Figura 3 Formas de onda obtidas em simulao (com RF=10k e RL=1k) para as frequncias
de 100 Hz e 1 MHz.
46
2. INFORMAO TERICA
Diversos circuitos analgicos e circuitos digitais fazem uso AMP-OP em aplicaes que
exigem a manipulao de sinais, tais como: comparao, amplificao e integrao, entre outras; de
modo a explorar suas caractersticas construtivas.
Um modelo equivalente de um AMP-OP ideal, descrito por um circuito esquemtico,
ilustrado na Figura 1. Verificam-se alguns elementos essenciais ao modelo ideal: impedncia de
entrada (Ri), impedncia de sada (Ro) e o ganho de tenso (Av).
VRi
2e6
V+
Av
Ro
+ +
- 75
E
0
Vo
GAIN = 200
Figura 1- Modelo ideal LM 741.
Como forma de limitar o ganho componente em malha aberta elementos externos so
conectados ao AMP-OP, contribuindo assim para um ganho limitado em malha fechada.
apresentado na Figura 2 um modelo equivalente ao modelo real do LM741 utilizado em simulao.
U1
3
V+
7
OUT
LM741
4
V-
OS2
5
6
1
OS1
47
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 3.
V-
V2
Va
Va
Vo1
+
7
6
3
Vb
Ro
10k
(b)
(a)
RF
RF
VRL
Va
VRL
Vo3
V+
Va
RL1
V+
2
RL2
V-
Vcc
1
Vo5
+
7
V+
(e)
6
3
+
-
Vb
(d)
V4
Ro
10k
RF
Va
Vo4
(c)
Ro
10k
Ro
10k
7
V+
V+
Vo2
Ro
10k
5
0
+
Vcc
-
Vo
3
0
Ro
10k
V+
(f)
Figura 3. Esquemticos a serem montados durante o experimento: (a) seguidor, (b) comparador,
(c) amplificador inversor, (d) amplificador no-inversor, (e) somador inversor e (f) detalhe da
alimentao do integrado.
48
Vcc
= 15
[V]
Av
=2
C1
LM 741
Va
=6
[V]
fa
=1
Vb
= -2
[V]
[AMP-OP utilizado];
[Tenso de pico a pico do sinal senoidal];
[Tenso contnua].
Voltmetro (1);
Osciloscpio (1);
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes no Quadro 1.
49
t( )
Vo2(V)
t( )
Vo3(V)
t( )
Vo4(V)
t( )
Vo5(V)
t( )
7. QUESTIONRIO
a) Apresente as formas de onda experimentais e simuladas obtidas.
b) Para cada um dos circuitos apresentados na Figura 2 determine a expresso para o ganho de
tenso (Av) em forma literal, em funo das tenses aplicadas s portas e resistncias do circuito.
c) Para os resultados experimentais e simulados obtidos, faa um breve comentrio.
d) Utilizando o modelo ideal do LM741 apresentado na Figura 1, apresente e justifique os
resultados de simulao obtidos referente ao esquemtico (e) da Figura 3.
e) Para o circuito do amplificador diferencial apresentado na Figura 4 (tambm conhecido como
amplificador diferenciador de instrumentao), determine a expresso que relaciona a tenso de
sada (Vo) em funo da corrente (Is) e das resistncias do circuito.
50
R4
0
R3
Va
Is
Vb
Rs
+Vcc
U1
7
3
+
6
R1
Vo
4
0
R5
R2
51
52
2. INFORMAO TERICA
Diversos circuitos de potncia e circuitos de sinais fazem uso de filtros. Os filtros so
circuitos adicionais, cuja funo permitir a banda passante em determinadas faixas de freqncia
e atenuar as demais, de modo a limitar e ou definir a sua dinmica caracterstica ao longo do
espectro de freqncia. Os filtros ativos utilizam um Amplificador Operacional (AMP-OP), que
acrescido ao filtro RC (filtro passivo), cuja funo ajustar o ganho e isolamento de sinal, de modo
a manter as caractersticas em freqncia do filtro passivo constante.
So apresentadas na Figura 1 as caractersticas de resposta em freqncia pertencentes aos
filtros de 1 ordem: passa-baixas e passa-altas; na Figura 2 so mostrados os esquemticos dos
circuitos respectivos; e as Eqs. (1) e (2) definem a freqncia de corte (fc) do filtro RC e o ganho
de tenso DC do amplificador operacional (AvAO).
40
20
20
0
20
20
40
10
100
3
1.10
4
1.10
5
1.10
10
100
mdulo
3
1.10
4
1.10
5
1.10
4
1.10
5
1.10
mdulo
100
0
50
50
90
10
100
3
1.10
4
1.10
5
1.10
10
fase
(a)
100
3
1.10
fase
(b)
Figura 1- Resposta em freqncia para os filtros ativos: (a) passa-baixas e (b) passa-altas.
fc =
1
2 . . R . C
(1)
RF
RL
(2)
Av AO = 1 +
53
O filtro passa-baixas permite a passagem apenas das componentes do sinal com freqncia
abaixo da freqncia de corte e o filtro passa-altas permite a passagem apenas das componentes do
sinal com freqncia acima da freqncia de corte. notado na Figura 1 ganho de tenso unitrio.
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 2.
RL
RF
+VCC
-VCC
Vi'
C1
7 V+
Vcc
Ro
C +VCC
Vsin
-VCC
Vi'
10k
4 V-
Vi
Vo
Vsin
Vi
-VCC
Vcc
2 4 V-
RF
RL
+ C1
7 V+
R +VCC
Vo
Ro
10k
(a)
(b)
Vcc
= 15
[V]
Vsin
=1
fs
= 100 a 1M
[Hz]
C1
LM 741
[AMP-OP utilizado].
[V]
Voltmetro (1);
Osciloscpio (1);
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Identificar na Figura 2, o tipo de filtro (passa-baixas ou passa-altas).
b) Determinar a freqncia de corte (fc) do filtro e a freqncia de ganho unitrio (f1) do conjunto
AMP-OP mais filtro RC (filtro ativo) para cada configurao.
54
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional, monte os circuitos experimentais propostos. Mantenha as fontes Vcc desligadas.
Nota2: aconselhvel utilizar resistores com tolerncia reduzida para os elementos RF e RL.
b) Utilizando C=1 nF e R=10 k, aplique ao ponto (Vi) o sinal de tenso senoidal com tenso picoa-pico constante e freqncia definida na Tabela 1, mea a tenso nos pontos Vo e Vi com o
osciloscpio e determine a resposta em freqncia para o ganho do filtro ativo (Av).
c) Verifique as freqncias de corte (fc) do filtro e ganho unitrio (f1) do filtro ativo.
d) Repetir os passos (b) e (c), com C=1 nF e R=22 k para ambos os circuitos.
100
300
700
1k
3k
7k
10k
30k
70k
100k
200k
300k
700k
1M
Vi (Vpp)
Vo (Vpp)
Av (V/V)
Av (dB)
Fs (Hz)
Vi (Vpp)
Vo (Vpp)
Av (V/V)
Av (dB)
Fc (Hz)
F1 (Hz)
55
8. APNDICE
R2 := 56K
foh := f 10
foh = 2 10
f
f
oh
10
[Hz]
Rt := 1000
Co :=
Co = 7.958 10
2 Rt foh
[F]
Vo( s ) := 1 +
R1
1
+
Co
Rt
20
20 log Vo( s )
)
0
20
10
100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
10
100
1 .10
1 .10
1 .10
1 .10
180
arg Vo( s)
90
50
100
150
56
2. INFORMAO TERICA
A maioria das fontes de baixa potncia utiliza a tenso regulada em um diodo zener para
alimentar cargas resistivas. A fonte de tenso regulada a diodo zener utiliza um resistor de potncia
em srie, capaz limitar a corrente fornecida carga e ao diodo, de tal forma que a tenso na sada
permanea constante, desde que sejam obedecidas as especificaes de projeto. Algumas
desvantagens obtidas nesta fonte podem ser citadas: perdas no resistor de potncia, perda da
regulao com aumento da carga e aplicao limitada aos circuitos de sinais, entre outras. Com o
simples acrscimo de um transistor TBJ, uma pequena corrente regulada injetada na base pode ser
amplificada no termina de coletor e controlar a corrente drenada por uma carga; diferentes circuitos
auxiliares podem ser desenvolvidos como forma de tornar o dispositivo mais robusto, onde so
citados: circuito de proteo contra curto-circuito, proteo contra sobre tenso e circuitos com
realimentao em tenso/corrente, diversos outros.
O princpio de funcionamento da fonte regulada a transistor com proteo de curto-circuito
ilustrado pelo diagrama de blocos na Figura 1, onde a tenso na sada amostrada por um
circuito, que prov uma tenso de realimentao para ser comparada com uma tenso de referncia,
que resulta na atuao de um elemento de controle.
Ve
(entrada
no-regulada)
Elemento
de controle
Tenso de
referncia
Circuito
comparador
Vo
(sada
regulada)
Circuito de
amostragem
57
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 2.
18k
Ve
Io
15
Q1
R1
Rs
R2
Q2
Led
C1
10uF
D1
D2
+A
0...0.2 A
+
R4
10k
Ro
Vo
0...20 V
R3
D3
Ve
= 15
[V]
Vo
= 10
[V]
[Tenso na sada];
Po
= 0,5
[W]
[Potncia de sada]; e
Icc
= 60
[mA]
= 150
Q1
BD139
[Transistor de ganho];
Q2
BC546
D1
D1N5240
D2, D3
1N4148
[Transistor standard].
Voltmetro (1);
Ampermetro (1); e
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores utilizados; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
58
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional, monte o circuito experimental proposto. Mantenha a fonte Ve desligada.
b) Ligue a fonte Ve e com um ampermetro conectado a carga, ajuste a corrente de sada para os
valores definidos na Tabela 1, mea a tenso na carga (Ro) e preencha a Tabela 1.
10
15
20
30
40
50
60
70
80
Vo (V)
Simulado
Vo (V)
Experimental
7. QUESTIONRIO
a) Traar as curvas de ganho Vo = f(Io): experimental e simulada.
b) Comparar as curvas traadas em (a) do item (7) e explique seus resultados.
c) Explique detalhadamente o comportamento dos componentes internos fonte quando um curtocircuito aplicado sada. Justifique sua resposta por meio de simulao.
d) Apresente o procedimento de clculo necessrio especificao dos componentes do circuito.
e) Comente a funo dos diodos D2 e D3 no circuito.
f) Pesquise a respeito da configurao Darlington e de que forma ela pode ser aplicada ao circuito
da Figura 2.
g) Explique o comportamento do circuito apresentado na Figura 3, ressaltando a funo de cada
componente do circuito.
8. APNDICE
Q1
Ve
Vo
Rsc
+VCC
R1
Q2
R2
+
Dz
RL
U1
R3
-VCC
59
60
2. INFORMAO TERICA
Os circuitos reguladores de tenso integrados so capazes de transferir de forma bastante
eficiente a potncia para a carga alimentada, onde tal transferncia se d por pulsos de tenso que
so filtrados de modo a produzir uma tenso CC uniforme. tratada na Figura 1 uma representao
em blocos do regulador de tenso com trs terminais, comumente encontrada.
Tenso diferencial
sada-entrada
IN
Corrente
de carga
Io
OUT
Regulador de
tenso
Ve
Tenso
de entrada
no-regulada
GND
Vo
Tenso de
sada regulada
-
Carga
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 2.
C2
+VCC
+
Vcc
0
+
-
Vcc
-VCC
1 IN OUT
GND
C1
1u
C2
100n
R3
10k
Ro
R2
4.7k
Vo1
0...20 V
0
0
+VCC
R1
4.7k
0 -VCC
VC1 4 - 2
6
+3
7
V+
Q1
Io1
+A
+ 0...0.2 A
R4
10k
Ro
Vo2
0...20 V
- Io2+
A
0...0.2 A
61
Vcc
= 12
[V]
Vo
=5
[V]
Po
= 0,5
[W]
C1
LM741
[Amplificador operacional];
C2
LM7805
[Regulador integrado]; e
Q1
BD136
[Transistor de potncia].
Voltmetro (2);
Ampermetro (2); e
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores utilizados; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional, monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vcc desligadas.
b) Ligue as fontes Vcc. Com um ampermetro conectado a carga, ajuste a corrente de sada para os
valores definidos na Tabela 1, mea a tenso na carga (Ro) e preencha a Tabela 1.
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
62
7. QUESTIONRIO
a) Explique detalhadamente o comportamento do circuito e trace as curvas Vo=f(Io): simulada e
experimental para cada uma das sadas.
b) Comparar as curvas traadas em (a) do item (7) e explique seus resultados.
c) Consultando a folha de dados do regulador LM7805 adotado durante a prtica, comente a
respeito das principais caractersticas de operao, bem como os limites de operao.
d) Utilizando um nico regulador LM7805, como possvel obter na sada uma tenso regulada
superior a 5V? (dica: pesquise na folha de dados do componente).
e) Para uma tenso Vcc = 5V refaa o Procedimento, tpico (6), apresente e comente os resultados
de simulao obtidos.
f) Fazendo uso do regulados ajustvel LM317, um circuito proposto a ser simulado apresentado
na Figura 3. Determine as resistncias de ajuste (Radj) e de carga (Ro) para uma tenso de sada (Vo)
de 10V e potncia drenada pela carga de 5W. Fazendo uso de simulao, apresente as formas de
onda Vo e Io e comente seus resultados.
8. APNDICE
D1
1N4148
U1
2
LM317K
IN
OUT
ADJ
Io
3
R1
240
1
Vcc
20Vdc
+
Ro
D2
1N4148
C1
0.1u
C2
1u
Radj
R2
10k
Vo
Cadj
1n
-
V1
V1 = 9
V2 = 0
TD = 90m
TR = 290m
TF = 10m
PW = 100m
PER = 490m
63
64
2. INFORMAO TERICA
O integrado LM 555 um dispositivo bastante estvel na obteno de osciladores e
temporizadores. Utilizado em uma aplicao de temporizador, o tempo pode ser precisamente
mensurado por resistores e capacitores externos. Na operao astvel como oscilador, a freqncia
de operao e a razo cclica so controladas por dois resistores externos e um capacitor. O circuito
pode ser sincronizado e resetado por formas de onda retangular. O circuito de sada possui ma fonte
de corrente limitada a 200 mA ou um drive para circuitos TTL (dependendo do modelo).
Algumas aplicaes com este integrado so citadas: preciso no tempo, gerao de pulsos,
tempo seqencial, gerao de tempo deslocado (adiantados ou atrasado), modulao por largura de
pulso, modulao por posio de pulso e gerador de rampa linear, entre outras.
Fazendo uma aplicao do integrado no modo astvel, ilustrada na Figura 1 a
configurao externa das resistncias, nota-se que o tempo de carga do capacitor (C) dado pelas
resistncias R1+R2 e o tempo de descarga dado pela resistncia R2; estes tempos de carga e
descarga so tratados nas Eqs. (1) e (2), respectivamente; verifica-se que a mnima razo cclica
limitada a 50% e o perodo total de oscilao tratado na Eq. (3).
+Vcc
R1
4
7
R2
RL
LM555
3
RL
6
5
10nF
0
65
t1 = 0.693.( R1 + R2 ).C
(1)
t 2 = 0.693. R2 . C
(2)
T = t1 + t 2 = 0.693. ( R1 + 2 R2 ). C
(3)
D = 1
f =
R2
R1 + 2.R2
(4)
1.44
( R1 + 2.R2 ). C1
(5)
3. ESQUEMTICO DO CIRCUITO
O esquemtico do circuito experimental ilustrado na Figura 2.
Vcc
R1
Vpulse
4
7
6
5
D1
D2
R2
2
LM555
3
1
C1
C2
1n
0
0
Vout
M1
R3
10K
Vcc
= 15
[V]
fc
= 40
> 98
[%]
VPULSE = 2,5
[V]
fPULSE = 120
[Hz]
DPULSE = 40
[%]
D1 e D2
1N4148
[Diodos utilizados]; e
M1
LM555
[Integrado temporizador].
66
Osciloscpio (1);
5. ANLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informaes apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental necessrio:
a) Determinar e especificar os resistores utilizados; e
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemtico apresentado na Figura 2 e dos resultados obtidos durante a anlise
computacional, monte o circuito experimental proposto. Mantenha a fonte Vcc desligada.
Nota: as formas de onda experimentais obtidas a seguir so teis na resoluo do item 7 letra (b).
b) Ligue a fonte Vcc. Conecte uma das ponteiras do osciloscpio no pino 6 do integrado, observe a
forma de onda, mea os tempos de carga e descarga do capacitor C1, e preencha a Tabela 1.
c) Conecte uma das ponteiras do osciloscpio no pino 3 (Vout) do integrado, conecte a outra
ponteira do osciloscpio no pino 4 (VPULSE), observe o que acontece, mea a razo cclica e a
freqncia do sinal experimental na sada (Vout), e preencha a Tabela 1.
Simulado
Experimental
Simulado
Experimental
7. QUESTIONRIO
a) Explique detalhadamente o comportamento do circuito.
b) Explique o comportamento das formas de onda obtidas durante o item 6 letras (b) e (c), e
compare com as formas de ondas simuladas equivalentes .
c) Consultando a folha de dados do regulador LM555 adotado durante a prtica, comente a respeito
das principais caractersticas de operao, bem como os limites de operao.
67
d) Utilizando um nico regulador LM555 na configurao astvel, como possvel obter na sada
um sinal com razo cclica inferior a 50% (dica: pesquise na folha de dados do componente).
e) Pesquise uma aplicao (fora a mencionada no item 2) que utilize o LM 555 em um gerador de
rampa linear.
8. APNDICE
3.0V
3.0V
2.0V
2.0V
1.0V
1.0V
0V
0V
V(pulse)
V(pulse)
20V
20V
10V
10V
0V
0V
-10V
0s
V(out)
50ms
Time
100ms
-10V
91.25ms 92.00ms
V(out)
94.00ms
Time
95.25ms
68