Filmes de Óxido de Índio Dopado Com Estanho Depositados Por Magnetron Sputtering

LARISSA RODRIGUES DAMIANI
FILMES DE XIDO DE NDIO DOPADO COM ESTANHO

DEPOSITADOS POR MAGNETRON SPUTTERING
Dissertao
apresentada
Escola
Politcnica da Universidade de So Paulo

para a obteno do ttulo de Mestre em
Engenharia Eltrica
rea de concentrao: Microeletrnica
Orientador: Prof. Livre-Docente

Ronaldo Domingues Mansano
So Paulo
2010
LARISSA RODRIGUES DAMIANI
FILMES DE XIDO DE NDIO DOPADO COM ESTANHO

DEPOSITADOS POR MAGNETRON SPUTTERING
Dissertao
apresentada
Escola
Politcnica da Universidade de So Paulo

para a obteno do ttulo de Mestre em
Engenharia Eltrica
rea de concentrao: Microeletrnica
Orientador: Prof. Livre-Docente

Ronaldo Domingues Mansano
So Paulo
2010
Este exemplar foi revisado e alterado em relao verso original, sob

responsabilidade nica do autor e com a anuncia de seu orientador.
So Paulo, 14 de janeiro de 2010.
Assinatura do autor ___________________________
Assinatura do orientador _______________________
FICHA CATALOGRFICA
Damiani, Larissa Rodrigues

Filmes de xido de ndio dopado com estanho depositados
por magnetron sputtering / L.R. Damiani. -- ed.rev. -- So Paulo,
2010.
112 p.
Dissertao (Mestrado) - Escola Politcnica da Universidade
de So Paulo. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrnicos.
1. Filmes finos 2. Processos de microeletrnica I. Universidade de So Paulo. Escola Politcnica. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrnicos II. t.
Dedico este trabalho aos meus pais.
AGRADECIMENTOS
Agradeo, em primeiro lugar, ao meu amigo e orientador Prof. Dr. Ronaldo Domingues
Mansano por todo apoio, conhecimento, pacincia e compreenso dispensados,
principalmente nos momentos de maior dificuldade.
Aos grandes amigos que encontrei ao longo destes anos e que tanto me ajudaram: Marina
Sparvoli, Juliana Cardoso, Michel Veiga, Peter Polak, Luiz Rasia, Alex Nunes e Sergio
Lopera.
Ao amigo e conselheiro Prof. Dr. Roberto Koji Onmori, que esteve presente desde o incio,
sempre que precisei, e sem o qual eu talvez no tivesse seguido o caminho que escolhi.
Ao Prof. Dr. Marcos Massi, pelo carinho e ateno dispensados no meu Exame de
Qualificao.
Ao Prof. Dr. Jose Fernando Diniz Chubaci do LACIFID-IFUSP, por todo o apoio tcnico e
moral.
Ao Prof. Dr. Luis da Silva Zambom, pela ajuda geral, tanto na utilizao da sala limpa quanto
em mtodos de caracterizao.
Aos tcnicos do LSI-EPUSP Nelson Ordonez, Carlos Arajo e Rubens Pereira pela pacincia
e carinho.
Ao tcnico do IFUSP Antnio Carlos Silveira pelas conversas, risadas e dicas preciosas.
Ao amigo lvaro Diego Maia e ao Prof. Dr. Alain Quivy, do LNMS-IFUSP, pela ajuda e
ateno.
Prof. Dr. Maria Ceclia Salvadori, do LFF-IFUSP, pela ajuda com as medies de EDX.
A todos os alunos de graduao e de ps-graduao da EPUSP com os quais tive contato e
que tanto me ensinaram.
minha famlia, que sempre me incentivou e me trouxe muito amor.
Aos meus amigos de infncia e adolescncia, que ainda hoje esto presentes em minha vida.
CAPES e Comisso de Bolsas, pelo apoio financeiro.
RESUMO
O xido de ndio dopado com estanho um semicondutor degenerado de alta transparncia no

espectro visvel e alta condutncia eltrica. Por suas propriedades, ele utilizado como
eletrodo transparente em diversas aplicaes. Algumas destas aplicaes exigem que os
filmes sejam depositados sobre substratos polimricos, que degradam em temperaturas acima
de 100 C. Por este motivo, mtodos de deposio que utilizam baixas temperaturas so
necessrios. O objetivo deste trabalho o desenvolvimento de tcnicas de deposio de filmes
de xido de ndio dopado com estanho, em baixas temperaturas (< 100 C), pelo mtodo de
magnetron sputtering de rdio fequncia. Filmes foram obtidos sobre substratos de silcio,
vidro e policarbonato, e suas propriedades fsicas, eltricas, pticas, qumicas e estruturais
foram analisadas por perfilometria, elipsometria, curvas corrente-tenso, prova de quatro
pontas, medidas de efeito Hall, difratometria de raios-X e espectrofotometria. Filmes
depositados sobre silcio e vidro tiveram resistividade eltrica mnima da ordem de 10-4 .cm,
enquanto a resistividade do filme obtido sobre policarbonato foi da ordem de 10-3 .cm. A
transmitncia ptica mdia no espectro visvel das amostras variou de 66 a 87 %. Do ponto de
vista estrutural, as amostras tenderam a apresentar fase amorfa e cristalina, com orientao
preferencial ao longo da direo [100]. De modo geral, as amostras obtidas de 75 a 125 W
tiveram as melhores propriedades para serem utilizadas em aplicaes que exijam eletrodos
transparentes, considerando aspectos eltricos e pticos.
Palavras-chave: xido de ndio dopado com estanho. xidos condutores transparentes.

Filmes finos. Sputtering.
ABSTRACT
Indium-tin oxide is a degenerate semiconductor that shows high transmittance in the visible
region of the spectrum and high electrical conductance. Because of its properties, this material
is used as transparent electrode in a wide variety of applications. Some of these applications
demand the indium-tin oxide layer to be deposited over polymer substrates, which degrade at
temperatures above 100 C. Because of this degradation problem, deposition methods at low
temperatures are needed. The purpose of this work is the development of low temperature
(< 100 C) indium-tin oxide deposition processes by radio frequency magnetron sputtering
method. Thin films were deposited over silicon, glass and polycarbonate substrates, and their
physical, electrical, optical, chemical and structural properties were analyzed by surface high
step meter, ellipsometry, current-voltage curves, four-point probe analysis, Hall effect
measurements, X-ray diffractometry and spectrophotometry. Films deposited over silicon and
glass substrates showed minimal electrical resistivity in the order of 10-4 .cm, while the
resistivity of the film obtained over polycarbonate was in the order of 10-3 .cm. The average
transmittance in the visible spectrum varied over the range 66 to 87 %. According to the
structural study, the films present both amorphous and crystalline phases, with crystallites
showing preferential orientation along the [100] direction. In general, films deposited with
power varying over the range 75 to 125 W showed the best results to be applied as transparent
electrodes, considering electrical and optical aspects.
Keywords: Indium-tin oxide. Transparent conductive oxides. Thin films. Sputtering.
LISTA DE FIGURAS
Figura 1 - Ligao inica que representa a forma estequiomtrica do xido de ndio

(In2O3), mostrando os eltrons da camada de valncia do ndio (3 eltrons) e do
oxignio (6 eltrons)................................................................................................. 24
Figura 2 - Luz incidente, refletida e transmitida por uma amostra......................................... 30
Figura 3 - Exemplo de obteno do band gap ptico (Eopt) por meio do grfico de
absorbncia em funo do comprimento de onda ..................................................... 33
Figura 4 Estrutura tpica de uma clula solar orgnica, onde o ITO funciona como
anodo (adaptada) ..................................................................................................... 37
Figura 5 Estrutura de um OLED fabricado com ITO como anodo (adaptada) ................... 38
Figura 6 - Clula de cristal lquido, usada na fabricao de LCDs, usando eletrodos de
ITO (adaptada) ........................................................................................................ 39
Figura 7 Funcionamento de uma clula tpica de cristal lquido (adaptada) ....................... 40
Figura 8 Exemplo de funcionamento de tela sensvel ao toque resistiva (adaptada) .......... 41
Figura 9 - Equipamento de RF magnetron sputtering utilizado para a deposio dos
filmes de ITO ........................................................................................................... 44
Figura 10 Cmara do sistema de RF magnetron sputtering utilizado para depositar os
filmes de ITO ........................................................................................................... 46
Figura 11 - Alvo de ITO da Kurt J. Lesker Company utilizado para a deposio de
filmes por sputtering ................................................................................................ 46
Figura 12 - Esquema de funcionamento da prova de quatro pontas, usada para medir a
resistncia de folha das amostras (adaptada) ............................................................ 51
Figura 13 - Degrau formado entre o substrato e o filme de ITO, usado para medidas de
espessura por perfilometria....................................................................................... 52
Figura 14 - Esquema das amostras de ITO com contatos de alumnio depositados por
evaporao trmica................................................................................................... 53
Figura 15 - Contatos de prata e fios de cobre feitos sobre os filmes de ITO em amostras
de 5 x 5 mm.............................................................................................................. 54
Figura 16 - Taxa de deposio em funco da PRF para fluxo de argnio em 5 mTorr,
com destaque da equao da reta de ajuste linear dos pontos experimentais
(DREXP) .................................................................................................................... 59
Figura 17 Resistncia de folha e resitividades das amostras de ITO/Si obtidas com PRF
variando de 25 a 100 W. Para PRF = 25 W, foi condiderada a amostra obtida com
TD = 120 min............................................................................................................ 61
Figura 18 - Espectro de contagens em funo da energia obtido pelo microscpio
eletrnico de varredura para as amostra de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W. ........... 62
Figura 19 - Porcentagem atmica (considerando apenas In, Sn e O) em funo da PRF
para as amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de 25 a 100 W ....................... 63
Figura 20 - Difrao de raios-X de 20 a 65 para amostras de ITO/Si obtidas com PRF =
75 e 100 W............................................................................................................... 64
Figura 21 - Difrao de raios-X de 20 a 65 para amostras de ITO/Si obtidas com PRF =
25 e 50 W................................................................................................................. 65
Figura 22 Espessura e erro relativo da espessura em funo do tempo de deposio
para amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a
120 min .................................................................................................................... 67
Figura 23 - Espessura e erro relativo da espessura em funo do tempo de deposio
para amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min..... 68
Figura 24 Resistncia de folha e erro relativo da resistncia de folha em funo do
tempo de deposio para amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD
variando de 30 a 120 min.......................................................................................... 70
Figura 25 Resistividade das amostras de ITO/Si com PRF = 75 W e TD variando de 30
a 120 min ................................................................................................................. 70
Figura 26 - Resistncia de folha e erro relativo da resistncia de folha em funo do
tempo de deposio para amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e TD
variando de 30 a 120 min.......................................................................................... 71
Figura 27 - Resistividade das amostras de ITO/Si com PRF = 75 W e TD variando de 30
a 120 min ................................................................................................................. 71
Figura 28 Porcentagem atmica em funo da espessura para amostras de ITO/Si
obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min ........................................... 72
Figura 29 Densidade (N) e mobilidade () de portadores das amostras de ITO/Vidro
obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min ........................................... 74
Figura 30 - Difrao de raios-X das amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD
variando de 30 a 120 min.......................................................................................... 74
Figura 31 - Difrao de raios-X das amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e
TD = 120 min............................................................................................................ 75
Figura 32 Curvas I-V das amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD variando
de 30 a 120 min........................................................................................................ 76
Figura 33 Porcentagem de transmitncia ptica (%T) em funo do comprimento de
onda () das amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30
a 120 min, assim como a transmitncia mdia (%Ta) calculada para o espectro
visvel (380 < < 750 nm)........................................................................................ 78
Figura 34 Porcentagem de transmitncia mdia no espectro visvel (%Ta) em funo
da espessura (t), em comparao com a resistividade () das amostras obtidas
com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min ....................................................... 78
Figura 35 - Grfico do coeficiente de absoro () em funo do comprimento de onda
() para as amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a
120 min, destacando para 550 nm.......................................................................... 79
Figura 36 - Grfico do coeficiente de extino () em funo do comprimento de onda
para as amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a
120 min, destacando para 550 nm .......................................................................... 80
Figura 37 - Absorbncia ptica em funo da energia (E) das amostras de ITO/vidro
obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min, com a indicao do
band gap ptico obtido pela extrapolao da reta...................................................... 81
Figura 38 Figura de mrito das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e TD
variando de 30 a 120 min.......................................................................................... 82
Figura 39 Resistncia de folha e resistividade em funo da PRF para amostras de
ITO/Vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W............................................... 86
Figura 40 - Resistncia de folha e resistividade em funo da PRF para amostras de
ITO/Si obtidas com PRF variando de 100 a 200 W..................................................... 87
Figura 41 - Porcentagem atmica das amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de
100 a 200 W ............................................................................................................. 88
Figura 42 - Densidade e mobilidade de portadores das amostras de ITO/Vidro obtidas
com PRF variando de 100 a 200 W ............................................................................ 89
Figura 43 Difrao de raios-X das amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 175 W e
200 W e ITO/Vidro obtida com PRF = 200 W ........................................................... 90
Figura 44 - Difrao de raios-X das amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 100, 125 e
150 W ...................................................................................................................... 91
Figura 45 - Curvas I-V das amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de 100 a
200 W ...................................................................................................................... 92
Figura 46 - Porcentagem de transmitncia ptica (%T) em funo do comprimento de

onda () das amostras de ITO/vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W,
assim como a transmitncia mdia (%Ta) calculada para o espectro visvel
(380 < < 750 nm)................................................................................................... 93
Figura 47 - Grfico do coeficiente de absoro () em funo do comprimento de onda
() para as amostras de ITO/vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W,
destacando para 550 nm ........................................................................................ 94
Figura 48 - Grfico do coeficiente de extino () em funo do comprimento de onda
para as amostras de ITO/vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W,
destacando para 550 nm......................................................................................... 94
Figura 49 - Absorbncia ptica das amostras de ITO/vidro obtidas PRF variando de 100
a 200 W, com a indicao do band gap ptico obtido pela extrapolao da reta........ 95
Figura 50 - Figura de mrito das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF variando de
100 a 200 W ............................................................................................................. 96
Figura 51 - Porcentagem de transmitncia ptica (%T) em funo do comprimento de
onda () da amostra de ITO/Lexan obtida com PRF = 75 W e TD = 90 min,
assim como a transmitncia mdia (%Ta) calculada para o espectro visvel
(380 < < 750 nm)................................................................................................... 99
LISTA DE TABELAS
Tabela 1 - Descrio da finalidade das solues utilizadas para a limpeza dos substratos. .... 43
Tabela 2 - Parmetros da primeira srie de deposies, de ITO/Si com PRF de
25 a 100 W............................................................................................................... 47
Tabela 3 - Parmetros da segunda srie de deposies, de ITO/Si e ITO/vidro com
PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min e de ITO/Lexan com PRF = 75 W e
TD = 90 min.............................................................................................................. 48
Tabela 4 - Parmetros da terceira srie de deposies, de ITO/Si e ITO/vidro com PRF
de 100 a 200 W ........................................................................................................ 49
Tabela 5 Espessura, rugosidade mdia e rugosidade pico-vale das amostras de ITO/Si
obtidas de 25 a 100 W .............................................................................................. 58
Tabela 6 Espessura e ndice de refrao obtidos por elipsometria das amostras de
ITO/Si obtidas com PRF variando de 25 a 100 W ...................................................... 59
Tabela 7 - Resistncia de folha e resistividade das amostras de ITO/Si com PRF variando
de 25 a 100 W ......................................................................................................... 61
Tabela 8 - Porcentagem atmica dos filmes de ITO/Si de obtidos com PRF variando de
25 a 100 W............................................................................................................... 63
Tabela 9 - Espessura, erro quadrtico da espessura, rugosidade mdia e rugosidade picovale das amostras de ITO/Si e ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e diferentes
tempos de deposio................................................................................................. 66
Tabela 10 - Espessura e ndice de refrao obtidos por elipsometria das amostras de
ITO/Si obtidas com PRF = 75 W ............................................................................... 68
Tabela 11 - Resistncia de folha e resistividade das amostras de ITO/Si e ITO/vidro
obtidas PRF = 75 W................................................................................................... 69
Tabela 12 Porcentagem atmica dos filmes de ITO/Si obtidos com PRF = 75 W e TD
variando de 30 a 120 min.......................................................................................... 72
Tabela 13 - Densidade e mobilidade de portadores das amostras de ITO/Vidro obtidas
com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min ....................................................... 73
Tabela 14 - Figura de mrito das amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD
variando de 30 a 120 min, juntamente com os parmetro utilizados no clculo ......... 82
Tabela 15 Espessura, rugosidade mdia e rugosidade pico-vale das amostras de

ITO/Si e ITO/Vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W ................................ 84
Tabela 16 - Espessura e ndice de refrao obtidos por elipsometria das amostras de
ITO/Si obtidas com PRF variando de 100 a 200 W .................................................... 85
Tabela 17 Resistncia de folha e resistividade das amostras de ITO/Vidro e ITO/Si
obtidas com PRF variando de 100 a 200 W ................................................................ 85
Tabela 18 Porcentagem atmica das amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de
100 a 200 W ............................................................................................................. 88
Tabela 19 Densidade e mobilidade de portadores das amostras de ITO/Vidro obtidas
com PRF variando de 100 a 200 W ............................................................................ 88
Tabela 20 Figura de mrito das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF variando de
100 a 200 W ............................................................................................................. 96
Tabela 21 Espessura, rugosidade mdia e rugosidade pico-vale das amostras de
ITO/Lexan e ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD = 90 min ............................. 97
Tabela 22 Resistncia de folha e resistividade das amostras de ITO/Lexan e
ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD = 90 min .................................................... 98
Tabela 23 - Figura de mrito das amostras de ITO/Lexan e ITO/vidro obtidas com
PRF = 75 W e TD = 90 min, juntamente com os parmetro utilizados no clculo........ 99
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
ATO
Antimony Tin Oxide
AZO
Aluminum Zinc Oxide
CRT
Cathode Ray Tube
DC
Direct Current
FTO
Fluorine Tin Oxide
GZO
Gallium Zinc Oxide
ITO
Indium Tin Oxide
IZO
Indium Zinc Oxide
LCD
Liquid Crystal Display
LVDT
Linear Variable Differential Transformer
OLED
Organic Light Emitting Diode
P3HT
Poly(3-hexylthiophene)
PCBM
Phenyl C61 Butyric Acid Methyl Ester
PEDOT
Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)
PET
Poly(ethylene terephthalate)
PLD
Pulsed Laser Deposition
p-Si
Silcio dopado tipo p
PSS
Poly(styrenesulfonate)
RF
Radio Frequency
TCO
Transparent Conductive Oxide
LISTA DE SMBOLOS
Graus Celcius
Ohm
Metro
Condutividade eltrica
Densidade de portadores livres
Carga do eltron
Mobilidade de portadores livres
Siemen
Resistividade
RS
Resistncia de folha
Resistncia eltrica
Comprimento da estrutura tridimensional
Ast
Seo transversal da estrutura tridimensional
W0
Largura da estrutura tridimensional
Espessura do filme
sq
Quadrado
r
v
r
E
Quadrado
Velocidade de arraste dos portadores
Volt
Segundo
Coeficiente de absoro
Transmitncia ptica
Comprimento de onda
Coeficiente de extino
ndice de refrao real
Velocidade da luz em um determinado meio
Velocidade da luz no vcuo
nf
ndice de refrao do filme
ns
ndice de refrao do substrato
Campo eltrico
ndice de refrao imaginrio
Radiao refletida
Intensidade de luz transmitida
I0
Intensidade de luz incidente
%T
Porcentagem de transmitncia ptica
Absorbncia ptica
Eopt
Band gap ptico
Eg
Band gap intrnseco
mr *
Massa efetiva reduzida
Constante de Planck
eV
Eltron-volt
Frequncia de oscilao do fton incidente
RA
Rugosidade mdia
RRMS
Rugosidade RMS
RPV
Rugosidade pico-vale
yi
Ordenada de afastamento vertical
nmero de pontos considerados
ymx
Pico mais alto
ymn
Vale mais baixo
ngulo
Figura de mrito
Ta
Transmitncia mdia na faixa do espectro visvel
VDC
Potencial negativo DC autoinduzido
Polegada
PRF
Potncia de rdio frequncia
TF
Temperatura final do substrato
Watt
TD
Tempo de deposio
DP
Densidade de potncia
dT
Dimetro do alvo
Marca registrada
Espaamento entre pontas internas
F*
Fator de correo geomtrico para resistncia de folha
Newton
ngstron
I-V
Corrente-tenso
Hall
Campo eltrico produzido por efeito Hall
Densidade de corrente
Densidade de fluxo magntico
R Hall
Coeficiente Hall
Ampre
Tesla
Difrao de Bragg
ngulo de incidncia
ngulo de espalhamento
Distncia interplanar dos planos cristalogrficos
nr
Ordem de reflexo
DREXP
Taxa de deposio experimental
min
Minuto
DR
Taxa de deposio
Grau
%t
Erro quadrtico relativo da espessura
Erro quadrtico absoluto da espessura
%RS
Erro quadrtico relativo da resistncia de folha
%Ta
Porcentagem de transmitncia mdia no espectro visvel
Energia
SUMRIO
1.
INTRODUO ..................................................................................................20
2.
REVISO DA LITERATURA ............................................................................22
2.1.
xidos condutores transparentes (TCOs)........................................................................................... 22
2.2.
xido de ndio dopando com estanho (ITO)....................................................................................... 23
2.3.
ITO em relao a outros materiais condutores transparentes .......................................................... 24
2.3.1.
Propriedades ..................................................................................................................................... 25
2.3.1.1.
Condutividade e resistividade ................................................................................................ 25
2.3.1.2.
Resistncia de folha................................................................................................................. 26
2.3.1.3.
Densidade de portadores livres.............................................................................................. 27
2.3.1.4.
Mobilidade de portadores livres ............................................................................................ 27
2.3.1.5.
Coeficiente de absoro e coeficiente de extino ................................................................ 28
2.3.1.6.
ndice de refrao ................................................................................................................... 29
2.3.1.7.
Transmitncia e absorbncia ptica ..................................................................................... 30
2.3.1.8.
Band gap ptico ....................................................................................................................... 31
2.3.1.9.
Rugosidade .............................................................................................................................. 33
2.3.1.10.
Cristalinidade .......................................................................................................................... 34
2.3.2.
Figura de mrito ............................................................................................................................... 35
2.3.3.
Principais aplicaes de filmes de ITO ........................................................................................... 36
2.3.3.1.
Clulas solares.............................................................................................................................. 37
2.3.3.2.
LEDs orgnicos ............................................................................................................................ 38
2.3.3.3.
Clulas de cristal lquido ............................................................................................................. 39
2.3.3.4.
Telas sensveis ao toque ............................................................................................................... 40
2.3.3.5.
Janelas conservadoras de energia .............................................................................................. 41
MATERIAIS E MTODOS ................................................................................42
3.
3.1.
PROCESSOS DE FABRICAO ...................................................................42
3.1.1.
Limpeza dos substratos......................................................................................................................... 42
3.1.1.1.
Silcio............................................................................................................................................. 43
3.1.1.2.
Vidro ptico e policarbonato ...................................................................................................... 43
3.1.2.
Deposio por magnetron sputtering via fonte RF .............................................................................. 44
3.1.2.1.
Deposio de ITO sobre silcio variando potncia RF de 25 a 100 W ..................................... 47
3.1.2.2.
Deposio de ITO sobre Vidro, ITO sobre silcio e ITO sobre policarbonato variando o
tempo de deposio de 30 a 120 minutos ...................................................................................................... 48

3.1.2.3.
Deposio de ITO sobe vidro e ITO sobre silcio variando a potncia RF de 100 a 200 W .. 49
3.2.
Caracterizao dos filmes..................................................................................................................... 49
3.2.1.
Prova de quatro pontas (RS) ................................................................................................................. 50
3.2.2.
Perfilometria (t, RA, RPV)....................................................................................................................... 51
3.2.3.
Curvas I-V.............................................................................................................................................. 52
3.2.4.
Efeito Hall (, N) ................................................................................................................................... 53
3.2.5.
Elipsometria (t, n).................................................................................................................................. 55
3.2.6.
Espectrofotometria UV-Vis-NIR ......................................................................................................... 55
3.2.7.
Microanlise .......................................................................................................................................... 56
3.2.8.
Difratmetro de Raios-X ...................................................................................................................... 56
RESULTADOS E DISCUSSES ........................................................................58
4.
4.1.
Deposio de ITO/Si variando potncia RF de 25 a 100 W ............................................................... 58
4.1.1.
Perfilometria ..................................................................................................................................... 58
4.1.2.
Elipsometria ...................................................................................................................................... 59
4.1.3.
Prova de quatro pontas .................................................................................................................... 60
4.1.4.
Microanlise...................................................................................................................................... 62
4.1.5.
Difrao de raios-X .......................................................................................................................... 63
4.2.
Deposio de ITO sobre vidro e ITO sobre silcio a com potncia RF = 75 W variando o tempo de
deposio .............................................................................................................................................................. 65
4.2.1.
Perfilometria ..................................................................................................................................... 66
4.2.2.
Elipsometria ...................................................................................................................................... 67
4.2.3.
4.2.4.
Microanlise...................................................................................................................................... 71
4.2.5.
Efeito Hall ......................................................................................................................................... 73
4.2.6.
Difrao de Raios-X ......................................................................................................................... 74
4.2.7.
Curvas I-V......................................................................................................................................... 76
4.2.8.
Transmitncia ptica ....................................................................................................................... 77
4.2.8.1.
Coeficiente de absoro .......................................................................................................... 79
4.2.8.2.
Coeficiente de extino ........................................................................................................... 80
4.2.8.3.
4.2.9.
4.3.
Band gap ptico ....................................................................................................................... 81
Figura de mrito ............................................................................................................................... 82

Deposio de ITO sobre vidro e ITO sobre silcio com potncia RF variando de 100 a 200 W ..... 83
4.3.1.
Perfilometria ..................................................................................................................................... 83
4.3.2.
Elipsometria ...................................................................................................................................... 84
4.3.3.
4.3.4.
Microanlise...................................................................................................................................... 87
4.3.5.
Efeito Hall ......................................................................................................................................... 88
4.3.6.
Difrao de Raios-X ......................................................................................................................... 89
4.3.7.
Curvas I-V......................................................................................................................................... 91
4.3.8.
4.3.8.1.
Coeficiente de absoro .......................................................................................................... 93
4.3.8.2.
Coeficiente de extino ........................................................................................................... 94
4.3.8.3.
Band gap ptico ....................................................................................................................... 95
4.3.9.
Figura de mrito ............................................................................................................................... 96

Deposio de ITO sobre policarbonato (Lexan ) com potncia RF = 75 W ................................... 97
4.4.
4.4.1.
Perfilometria ..................................................................................................................................... 97
4.4.2.
4.4.3.
4.4.4.
Figura de mrito ............................................................................................................................... 99
5.
CONCLUSES ................................................................................................101
6.
TRABALHOS FUTUROS.................................................................................102
PUBLICAES ......................................................................................................103
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ......................................................................104
20
1. INTRODUO
O xido de ndio dopado com estanho (ITO, do termo em ingls Indium-Tin Oxide)
um material semicondutor degenerado de alto band gap, transparente faixa visvel do
espectro solar, que pertence a uma classe de materiais denominada xidos condutores
transparentes (TCOs, de Transparent Conductive Oxides).
Estes xidos transparentes tm a propriedade de refletir radiao eletromagntica na
regio do infravermelho e de possuir baixa resistividade eltrica (geralmente da ordem de
10-4 .cm), o que os torna bons condutores eltricos. Devido s suas propriedades intrnsecas,
filmes de TCOs so comumente utilizados como eletrodos transparentes em diversos
dispositivos optoeletrnicos, como diodos emissores de luz orgnicos (OLEDs) 1, clulas
solares 2, janelas inteligentes (smart windows) 3, janelas refletoras de calor 4, etc.
Dentre os TCOs, o ITO ainda o mais usado e conhecido, sendo utilizado em
ambiente industrial tanto para recobrimento de vidros quanto para construo de dispositivos
eletrnicos. Suas propriedades foram amplamente estudadas no mundo todo, sendo o ITO o
TCO mais utilizado no meio acadmico. No Brasil, no entanto, ainda h poucos grupos de
pesquisa dedicados obteno de filmes finos de ITO, apesar de haver muitos pesquisadores
que utilizam lminas comerciais para a fabricao dos dispositivos mencionados
anteriormente.
Camadas de ITO podem ser produzidas atravs de diversas tcnicas de deposio,
como magnetron sputtering de corrente contnua (DC)
pirlise
e rdio frequncia (RF) 6, spray
e laser pulsado (PLD) 8. Dentre estes mtodos, o magnetron sputtering uma das
tcnicas mais atrativas, devido boa reprodutibilidade dos filmes e possibilidade de

deposio uniforme sobre grandes reas. Os principais fatores que influenciam na deposio
de filmes de ITO por magnetron sputtering so a potncia eltrica, a temperatura do substrato
e a presso parcial de gs de processo 9. A maioria dos filmes depositada por meio de
sputtering reativo, caracterizado por uma pequena porcentagem de gs reativo (comumente
oxignio ou hidrognio) adicionada ao gs inerte (argnio) no processo de deposio. Com

estes parmetros otimizados, possvel conseguir camadas de altssima transmitncia ptica
(> 90%) e baixa resistividade (da ordem de 10-4 a 10-5 .cm). No entanto, em deposies que
utilizam alvos cermicos, possvel utilizar apenas argnio como gs de processo 6,10.
Processos de magnetron sputtering so tipicamente realizados com substratos
aquecidos a temperaturas maiores do que 200 C, j que esta condio permite melhores
21
resultados em termos de transparncia e condutividade. No entanto, certas aplicaes, como

clulas solares orgnicas e dispositivos sobre substratos polimricos 10, requerem deposies
em baixas temperaturas (< 100 C), pois altas temperaturas podem danificar o dispositivo ou o
prprio substrato 6. Por isso, o aprimoramento de tcnicas de deposio sem aquecimento
intencional do substrato se torna necessrio para atender esta demanda.
O objetivo deste trabalho desenvolver tcnicas de deposio de ITO, em baixas
temperaturas, pelo mtodo de RF magnetron sputtering. Parmetros como a densidade de
potncia RF, taxa e tempo de deposio e tipo de substrato foram variados, a fim de observar
os parmetros ideais de obteno dos filmes com suas melhores propriedades eltricas e
pticas.
A qualidade das lminas obtidas foi analisada atravs da caracterizao fsica,
qumica, ptica, eltrica e estrutural das mesmas. Foram desenvolvidos processos de

deposies de filmes finos de ITO sobre substratos de silcio tipo p, vidro ptico e
policarbonato, atravs de parmetros controlados.
Este trabalho est dividido em 5 captulos. No captulo 2, apresentada a reviso da
literatura pertinente ao trabalho, com uma introduo a condutores transparentes, conceitos
bsicos sobre ITO, tcnicas de deposio e principais aplicaes. No captulo 3 descrito
todo o procedimento experimental deste trabalho, desde a preparao das amostras at os
mtodos de utilizao dos equipamentos de anlise. No captulo 4 so apresentados os
resultados obtidos atravs das tcnicas de caracterizao visando analisar a influncia dos
parmetros de deposio nas caractersticas dos filmes. No captulo 5 so apresentadas as
principais concluses do trabalho. Por fim, no captulo 6 so sugeridos trabalhos futuros
capazes de aprimorar e complementar este estudo.
22
2. REVISO DA LITERATURA
Neste captulo, apresentada a reviso bibliogrfica sobre filmes de xido de ndio

dopado com estanho, destacando suas principais propriedades, alm de exemplos das
principais aplicaes deste tipo de filme. Tambm so abordados outros tipos de TCOs e o
que est sendo feito hoje na pesquisa e na indstria.
2.1. xidos condutores transparentes (TCOs)
xidos condutores transparentes, como o prprio nome sugere, so xidos que,

quando depositados na forma de filmes finos, tornam-se transparentes faixa visvel do
espectro solar e tm a capacidade de conduzir corrente eltrica, ao contrrio da maioria dos
materiais transparentes, que se comportam como isolantes eltricos.
TCOs so semicondutores degenerados, ou seja, apresentam na camada de conduo
uma quantidade de eltrons prxima de um metal devido alta concentrao de portadores
livres do material.
O primeiro documento sobre a obteno de um TCO foi publicado em 1907, onde
Badeker
11
relatou que um filme de cdmio metlico obtido por sputtering sofreu oxidao
trmica devido ao recozimento em ambiente atmosfrico. O filme tornou-se transparente ao

ser oxidado, mas manteve-se eletricamente condutor. Desde ento, estes filmes vm sendo
estudados,
lista
de
materiais
com
caractersticas
semelhantes
aumentou
consideravelmente, assim como a qualidade dos filmes obtidos. No entanto, o xido de

cdmio (CdO) no extensamente utilizado devido sua alta toxicidade e potencialidade
cancergena 12, apesar de ainda ser estudado 13.
Dentre os TCOs mais utilizados, tanto na rea acadmica quanto industrialmente,
esto o xido de zinco (ZnO) dopado, xido de estanho (SnO2) dopado e o xido de ndio
(In2O3) dopado.
O xido de zinco normalmente dopado com alumnio (ZnO:Al, conhecido como
AZO)
14
, glio (ZnO:Ga, ou GZO)
15
ou ndio (ZnO:In, ou IZO)
16
. O xido de estanho
comumente encontrado com dopagem por flor (SnO2:F, chamado de FTO)
17
ou antimnio
23
(SnO2:Sb, ou ATO)
18
. O xido de ndio, normalmente dopado com estanho (In2O3:Sn, ou
ITO), ser discutido na seo 2.2. Todos estes materiais apresentam condutividade tipo n.
Portanto, atualmente de extremo interesse que se desenvolvam outros tipos de TCOs
que apresentem condutividade tipo p, j que isto possibilita a formao de junes p-n
transparentes. Alguns estudos foram feitos baseados na dopagem tipo p dos xidos de ndio,
zinco
19
e estanho
20
, mas sem grandes sucessos devido condutividade tipo n intrnseca
destes materiais. Recentemente, alguns estudos promissores foram feitos com outros tipos de
TCOs, como CuAlO2
21
, NiO
22
e SrCu2O2
23
. No entanto, estes filmes ainda no so
produzidos com qualidade ptica e eltrica comparvel dos TCOs tipo n.
2.2. xido de ndio dopado com estanho (ITO)
O ITO (In2O3:Sn) um semicondutor degenerado tipo n transparente ao espectro

visvel. A camada de filme depositado deve conter alta densidade de portadores para conduzir,
mas uma populao excessiva de portadores produz absoro ptica. Portanto, em geral,
maiores condutividades eltricas so obtidas com menor transmisso na regio visvel 24.
O xido de ndio puro (sem dopagem por estanho) um material que exibe
comportamento isolante na forma estequiomtrica In2O3, mostrada na Figura 1. No entanto,
quando preparado com deficincia de oxignio, pode alcanar um alto nvel de dopagem
tipo n devido aos defeitos intrnsecos, como vacncias de oxignio
25
. Devido a esta
propriedade, o xido de ndio no-estequiomtrico um material intrinsecamente tipo n. No

caso do ITO, quando o xido de ndio tambm dopado por estanho, este atua como uma
impureza doadora, por se tratar de um elemento tetravalente (estanho) dopando um elemento
trivalente (ndio).
Portanto, dois mecanismos de gerao de eltrons condutores so possveis em filmes
de ITO. O primeiro se d atravs das lacunas de oxignio na estrutura do xido de ndio, que
fornecem no mximo 2 eltrons livres
26
, formando estruturas do tipo In2O3-x. O segundo
acontece por meio da substituio randmica de ons In3+ por ons Sn4+, provendo um eltron
camada de conduo 27, formando molculas In2-xSnxO3. Portanto, filmes de ITO devem ser
estruturas no-estequiomtricas, o que permite que os filmes sejam bons condutores.
24
Figura 1 - Ligao inica que representa a forma estequiomtrica do xido de ndio (In2O3), mostrando os
eltrons da camada de valncia do ndio (3 eltrons) e do oxignio (6 eltrons).
H um limite mximo de estanho que pode ser adicionado ao ITO, j que o estanho
no s prov eltrons, mas tambm reduz a mobilidade dos mesmos. O nvel adequado de
dopagem por estanho , em mdia, de 5 a 10 % 28. O limite de vacncias de oxignio tambm
deve ser controlado, pois a deficincia de oxignio no filme, alm de prover eltrons livres,
diminui a transmitncia ptica do mesmo.
2.3. ITO em relao a outros materiais condutores transparentes
Dentre todos os TCOs conhecidos, o ITO o mais estudado e utilizado. A razo pela
qual ele to popular deve-se principalmente tima combinao de transparncia e
condutividade, que ainda no foi superada por outros materiais.
No entanto, sua escolha no feita confortavelmente, pois o ITO um material
relativamente caro em relao aos outros TCOs disponveis
29
. Isto devido escassez do
ndio, principal elemento de sua composio qumica. A principal demanda de ndio se deve
ao seu uso como TCO, sendo que, atualmente, cerca de 84 % do consumo mundial de ndio
destinado produo industrial de LCDs 30.
Estuda-se hoje, portanto, materiais mais abundantes e baratos capazes de substituir o
ITO, sem que haja comprometimento no desempenho dos dispositivos. Estes materiais
incluem outros xidos transparentes condutores (como os citados na seo 2.1), nanotubos de
carbono
31
(que so promissores para aplicaes como clulas solares por possurem a
propriedade de transmitir radiao eletromagntica tambm na faixa do infravermelho, onde o

ITO normalmente reflete)
32
e polmeros condutores como PEDOT:PSS (que apresentam
25
propriedades mecnicas favorveis para serem utilizados em dispositivos flexveis, apesar da

ainda baixa condutividade) 33.
2.3.1. Propriedades
So discutidas neste subitem as principais propriedades relevantes s caractersticas

dos filmes de ITO, destacando a definio e a importncia de cada uma, assim como
resultados de trabalhos anteriores obtidos na literatura.
2.3.1.1.
Condutividade e resistividade
Condutividade eltrica () definida como a medida da habilidade de um material de

conduzir corrente eltrica, definida de modo a no depender da geometria 34. De acordo com a
equao de Boltzmann, a condutividade de um material semicondutor dada pela eq.(1).
= Ne
cm
(1)
onde N representa a densidade de portadores livres, a mobilidade dos portadores e e a carga

do eltron 35. Portanto, a condutividade diretamente proporcional densidade e mobilidade
de portadores.
A resistividade (), parmetro comumente encontrado na literatura para designar
propriedades eltricas dos filmes, expressa como o inverso da condutividade, de acordo com
a eq.(2). define a capacidade de um material de se opor passagem de corrente eltrica.
[.cm]
(2)
26
Para aplicaes de filmes de ITO como eletrodos transparentes, desejvel ter

resistividade da ordem de pelo menos 10-3 .cm, mas filmes com resistividade da ordem de
at 10-5 .cm j foram reportados na literatura 36.
Altos valores de condutividade implicam em baixa emisso trmica, o que favorvel
a aplicaes como isolante trmico de janelas e estruturas similares.
O nvel de dopagem por estanho e a quantidade de oxignio na composio do filme
afetam notavelmente a condutncia. Em geral, quanto mais oxignio houver, mais resistivo o
filme se torna, de acordo com o que foi explicado na seo 2.2.
2.3.1.2.
Resistncia de folha
A resistncia de folha (RS) um parmetro de caracterizao eltrica que indica o

valor da resistncia do filme por superfcie de rea quadrada qualquer.
Considerando uma estrutura tridimensional, a resistncia eltrica (R) de dada poro
do material dada pela eq.(3), onde L o comprimento e Ast a rea de seo transversal.
R =
L
Ast
[]
(3)
Ast pode ser dividida em largura (W0) e espessura do filme (t), como mostra a eq.(4).
[ ]
Ast = W0 t cm 2
(4)
Substituindo (4) em (3), e considerando que L = W0 para termos um quadrado, temos a

relao descrita na eq.(5).
R = R S =

t sq
(5)
27
Portanto, RS expressa como a razo entre a resistividade do material e a espessura do

filme. Como para qualquer superfcie quadrada R = Rs, a unidade de Rs . Para evitar
confuso entre R e RS, a resistncia de folha geralmente especificada em /sq (ou /).
Em geral, o valor de RS diminui conforme a espessura do filme aumenta, pois a
resistividade do material tende a se manter constante, embora tambm seja influenciada. No
entanto, a eq.(5) aponta a necessidade de baixa resistividade para atingir baixo valor de Rs, a
no ser que t tenha um valor muito alto. Tal camada, na maioria dos casos, absorveria muita
luz, diminuindo muito a transmitncia ptica 37.
Em certas aplicaes, como em eletrodos para diodos emissores de luz (LEDs),
desejvel que os filmes de ITO tenham um baixo valor de RS, pois isto pode possibilitar uma
melhor coleta dos portadores 38.
Os valores de RS encontrados na literatura variam consideravelmente, de 5 a 200 /.
2.3.1.3.
Densidade de portadores livres
A densidade de portadores (N) expressa o nmero de partculas livres portadoras de

carga eltrica por unidade de volume. No caso de semicondutores tipo n, como o ITO, os
portadores em questo so os eltrons.
Altos valores de N favorecem o aumento da condutividade do material, de acordo com
a eq.(1). No entanto, a transmitncia ptica geralmente prejudicada, pois densidade alta de
portadores sugere que h pouco oxignio na composio do filme, j que as vacncias de
oxignio contribuem para a gerao de portadores na banda de conduo.
Para filmes de ITO, valores da ordem de 1020 a 1021 cm-3 so comumente encontrados
na literatura
39
. Estes altos valores permitem que os filmes de ITO sejam utilizados como
condutores em aplicaes que exijam eletrodos transparentes.
2.3.1.4.
Mobilidade de portadores livres
A mobilidade de portadores livres () indica a facilidade com que os portadores se

movimentam, e definida como a constante de proporcionalidade entre a velocidade de
28
r
r
arraste dos portadores ( v ) e o campo eltrico ( E ) que os coloca em movimento, de acordo
com a relao mostrada na eq.(6) 40.
r
v cm 2
= r
E V .s
(6)
Portanto, altos valores de favorecem o aumento da condutividade do material, com

mostra a eq.(1). A densidade de portadores em filmes de ITO normalmente alta, mas a
mobilidade (5 70 cm2/V.s) bem menor do que a de semicondutores convencionais, como o
silcio. Por este motivo, a condutividade dos filmes ainda significantemente menor do que a
condutividade de metais tpicos.
A razo pela qual a mobilidade destes filmes baixa a presena, em grande
concentrao, de defeitos estruturais, como vacncias, tomos intersticiais e contornos de
gro. Estes defeitos atuam como centros de espalhamento e aprisionamento de eltrons
41
Portanto, a mobilidade de portadores uma das propriedades eltricas mais delicadas de

serem controladas e previstas, devido grande influncia sofrida por diversos fatores que
caracterizam o filme.
Em geral, h um aumento no valor de com uma melhora na cristalinidade dos filmes
devido reduo do espalhamento devido a defeitos. No entanto, pode tender a diminuir
com o aumento de N, pois uma grande densidade de portadores geralmente implica em alta
concentrao de vacncias no filme.
2.3.1.5.
Coeficiente de absoro e coeficiente de extino
O coeficiente de absoro () descreve a extenso a que a intensidade de um feixe de

energia reduzida ao passar por um material 34 em dado comprimento de onda. Portanto, para
filmes transparentes, deve ser relativamente baixo no espectro visvel.
Conhecendo-se a espessura do filme (t), pode ser encontrado atravs da anlise de
transmitncia ptica (T), de acordo com a eq.(7).
( ) =
ln T ( )
cm 1
t
(7)
29
De acordo com trabalhos anteriores, filmes de ITO apresentam valores de da ordem

3
de 10 cm-1 para comprimentos de onda prximos de 550 nm
42
(ponto do espectro de luz
visvel de maior sensibilidade do olho humano).

O coeficiente de extino () proporcional ao coeficiente de absoro () em dado
comprimento de onda (), de acordo com a eq.(8).
( ) =
( )
4
(8)
Para filmes no absorventes, deve ser prximo de zero (da ordem de 10-2) na faixa
do espectro visvel.
2.3.1.6.
ndice de refrao
Quando a luz passa de um meio material para outro meio, duas coisas podem ocorrer.
A primeira a mudana da velocidade da luz. A segunda a mudana da direo de
propagao, quando a incidncia no oblqua. A passagem da luz de um meio para outro se
chama refrao.
ndice de refrao (n) uma relao entre a velocidade da luz (v) em um determinado
meio e a velocidade da luz no vcuo (c) 43, como mostra a eq.(9).
n=
c
v
(9)
Para filmes de ITO, o ndice de refrao apresenta valores em torno de 2,

independente do comprimento de onda (dentro do espectro visvel) da luz aplicada
44,45
. Esta
propriedade permite que filmes de ITO sejam usados como camadas antirrefletoras sobre
substratos de silcio, pois a relao entre os ndices de refrao do substrato e do filme para tal
aplicao dada pela eq.(10).
30
n f = ns
(10)
onde nf o ndice de refrao do filme e ns o ndice de refrao do substrato. Para o silcio,
ns 4 45.
Para filmes com alto coeficiente de absoro, o ndice de refrao deve ser denotado
como um nmero imaginrio n, dado pela eq.(11), onde o coeficiente de extino do
material 46.
n' = n(1 i )
(11)
Se o valor de for desprezvel em relao ao valor de n, geralmente ele

desconsiderado. Como filmes de ITO devem possuir pouca absoro no espectro visvel, seu
ndice de refrao geralmente expresso apenas pela parte real.
2.3.1.7.
Transmitncia e absorbncia ptica
Figura 2 - Luz incidente, refletida e transmitida por uma amostra
31
A transmitncia ptica (T) a medida da quantidade de radiao eletromagntica

incidente, em um especfico comprimento de onda (), que atravessa um meio,
desconsiderado a radiao refletida (R) e a radiao absorvida, de acordo com a Figura 2.
T definida, portanto, como a razo entre a intensidade de luz transmitida (I) e a
intensidade de luz incidente (I0)
34
. A transmitncia comumente expressa em porcentagem
(%T), como mostrado na eq.(12).
T ( ) =
%T ( ) I ( )
=
100
I 0 ( )
A absorbncia ptica A um logaritmo na base decimal do inverso de T
(12)
34
, e ser
usada neste trabalho para a determinao do band gap ptico. A expressa de acordo com a
eq.(13).
I ( )
A( ) = log
(
)
I
0
(13)
Os valores de transmitncia ptica para filmes de ITO devem ser os mais altos
possveis na regio do espectro visvel (380 < < 750 nm), sendo que bons filmes possuem
%T > 80%.
Em geral, a espessura das camadas aumenta proporcionalmente absoro do
material, diminuindo assim sua transmitncia. Isto atribudo ao espalhamento ptico
causado por caminhos pticos mais longos 47.
A quantidade de oxignio no filme tambm um fator importante. Quanto mais
oxignio, mais transparente o filme se torna devido ao preenchimento das vacncias de
oxignio do filme 48.
2.3.1.8.
Band gap ptico
Em geral, os filmes de ITO so transparentes na regio visvel at a absoro

fundamental comear, em comprimentos de onda prximos energia correspondente do band
gap ptico (Eopt). O relativamente alto valor de Eopt devido ao efeito Burstein-Moss 49.
32
O efeito Burstein-Moss resulta do princpio da excluso de Pauli, e visto em

semicondutores como um aumento do band gap com o aumento da concentrao de
portadores. A mudana ocorre porque a energia de Fermi fica na banda de conduo para
semicondutores degenerados tipo n. Os estados ocupados bloqueiam a excitao ptica ou
trmica. Consequentemente, o band gap muda para uma energia maior 50. O efeito dado pela
relao apresentada na eq.(14) 51.
E opt
2 h 2 3N
Eg =
2m r*
2/3
[eV ]
(14)
Onde Eg, mr* e h so o band gap intrnseco, a massa efetiva reduzida e a constante de
Planck, respectivamente. Sabe-se que o aumento na borda de absoro tambm devido ao
aumento de desordens em filmes semicondutores. Por isso, em geral, amostras amorfas
apresentam valores de band gap ptico inferiores ao de filmes policristalinos 52.
Da teoria de bandas do estado slido, o bang gap de transio direta pode ser descrito
em funo da energia de fton incidente, de acordo com a eq.(15), onde h a constante de
Planck e a frequncia de oscilao 51.
(h ) 2 h E opt
(15)
Uma forma mais simples de se obter Eopt feita com o grfico da absorbncia por
meio da extrapolao da reta formada no eixo de absoro ultravioleta do material com o eixo
de comprimento de onda, como mostrado na Figura 3 53, retirada da literatura, que mostra o
grfico de absorbncia de uma amostra de SnO2. Eopt ento obtido por meio da eq(16), onde
h a constante de Planck, c a velocidade da luz no vcuo e comprimento de onda. No
exemplo, Eopt resulta em 3,4 eV.
E opt =
hc
[eV ]
(16)
33
Figura 3 - Exemplo de obteno do band gap ptico (Eopt) por meio do grfico de absorbncia em funo
do comprimento de onda 53
Valores de Eopt para filmes de ITO encontrados na literatura variam de 3,2 a

4,14 eV 54, sendo que a maioria dos trabalhos aponta valores em torno de 3,6 eV
2.3.1.9.
44
Rugosidade
A rugosidade o conjunto de irregularidades, isto , pequenas salincias (picos) e

reentrncias (vales) que caracterizam uma superfcie. H vrias formas de medir a rugosidade
de um filme 55. As principais so as medidas da rugosidade mdia aritmtica (RA), rugosidade
mdia quadrtica (RRMS) e rugosidade pico-vale (RPV) 56.
RA o tipo de rugosidade mais conhecido e utilizado, e definido como a mdia
aritmtica dos valores absolutos das ordenadas de afastamento vertical (yi), dos pontos do
perfil de rugosidade em relao linha mdia, dentro do percurso de medio, onde z o
nmero de pontos considerados. Este parmetro fornece uma boa descrio geral da variao
de altura da superfcie. Matematicamente, RA dada pela eq.(17).
34
RA =
1 z
yi
z i =1
[nm]
(17)
RRMS representa o desvio-padro da distribuio dos pontos de afastamento vertical da
superfcie, e , portanto, um parmetro importante para descrever a superfcie. Este parmetro

mais sensitivo do que RA a grandes variaes da linha mdia, e apresentado na eq.(18).
RRMS =
1 z 2
yi
z i =1
[nm]
(18)
RPV denota a diferena entre o pico mais alto (ymx) e o vale mais baixo (ymn) dentro do
percurso de medio, de acordo com a eq.(19).

R PV = y mx y mn [nm]
(19)
Para aplicaes de filmes de ITO como eletrodos para OLEDs, por exemplo, o
controle da rugosidade da superfcie essencial. Como as camadas orgnicas funcionais so
depositadas diretamente no filme, a superfcie do ITO transferida a qualquer camada
orgnica subsequente. A utilizao de altas temperaturas (de 300 a 500 C) na deposio ou
no recozimento geralmente aumenta a rugosidade dos filmes de ITO
57
. Por isso, tcnicas
deposio que utilizam baixas temperaturas so mais aconselhadas.

A reduo do tamanho do gro em estruturas policristalinas ou a formao de um
filme amorfo tambm so favorveis para atingir uma superfcie com baixa rugosidade 57.
Valores da literatura para RA variam consideravelmente, de 1 a 28 nm
44,47
dependendo dos processos de deposio utilizados. Para filmes comerciais, RA tem valores na
faixa de 0,5 1,0 nm, RRMS varia de 0,7 1,2 nm e RPV varia de 8 16 nm 58.
2.3.1.10. Cristalinidade
A cristalinidade dos materiais diz respeito disposio dos tomos ou molculas

constituintes nas trs direes do espao. Filmes de ITO podem ser amorfos (em que os
35
constituintes no possuem ordenao espacial) ou policristalinos (compostos por vrios

cristalitos, de diversos tamanhos e orientaes).
O arranjo dos tomos no substrato depende da energia que lhes fornecida pela
temperatura ou pela transferncia do momento quando os tomos chegam ao substrato. Logo,
acredita-se que o aumento da temperatura do substrato assim como o aumento da potncia RF
(o qual promove maior energia cintica aos tomos e/ou molculas que chegam ao filme em
formao) contribuam para uma maior cristalizao dos filmes e um aumento no tamanho dos
cristalitos 59.
As melhores propriedades eltricas de filmes de ITO so obtidas no estado
policristalino, presumidamente devido ativao do dopante, j que em filmes amorfos, ons
Sn4+ no substituem ons In3+, e em muitos casos se combinam com oxignio, formando um
complexo neutro. No entanto, mesmo no estado amorfo, materiais base de In2O3 possuem
alta mobilidade de eltrons livres, que tende a aumentar com a cristalinidade 60.
Os picos de maior intensidade esperados para estruturas policristalinas de ITO so 2
30,5 e 2 35,4, referentes aos picos (222) e (400) de In2O3, respectivamente. Outros
picos encontrados para In2O3 so 2 21 (211), 2 51 (440) e 2 60,7 (622) 61. O pico
de difrao (222) indica uma orientao cristalogrfica preferencial ao longo da direo [111],
enquanto o pico (400) indica orientao preferencial ao longo da direo [100]. Embora no
exista consenso na literatura, em geral, filmes depositados por sputtering tm orientao
preferencial ao longo da direo [100] devido alta energia das partculas pulverizadas do
alvo (5 10 eV) em relao a outros mtodos de deposio 62.
2.3.2. Figura de mrito
Figura de mrito () uma expresso numrica usada para caracterizar o desempenho

de materiais ou dispositivos em relao a outros do mesmo tipo. Portanto, deve relacionar
os parmetros mais significativos performance do dispositivo em questo.
Como um TCO eficiente deve exibir alta condutividade eltrica combinada baixa
absoro de luz visvel independentemente da aplicao desejada, uma figura de mrito
simples e eficaz para medir a eficincia de camadas transparentes condutoras foi proposta por
Haake 63, e dada pela eq.(20).
36
[ ]
Ta10
1
RS
(20)
onde Ta a transmitncia mdia na faixa do espectro visvel e RS a resistncia de folha.

Ta elevada dcima potncia para que haja maior equilbrio entre transmitncia e
resistncia de folha. Apenas a razo entre os dois parmetros favoreceria RS, e atingiria seus
valores mximos apenas com filmes de espessuras muito altas.
Esta figura de mrito amplamente utilizada na literatura
64,65,66
, e ser usada neste
trabalho para medir a eficincia dos filmes de ITO depositados sobre substratos transparentes,
j que este trabalho no visa uma aplicao especfica.
Valores para filmes comerciais encontram-se geralmente na ordem de 10-2 -1, sendo
que quanto mais alto for o valor de , melhor a qualidade do filme, levando em conta
apenas duas das principais propriedades pticas e eltricas.
No entanto, outras caractersticas como rugosidade do filme, uniformidade da
espessura e nvel de reflexo ptica na regio do infravermelho podem ser de grande
importncia na escolha do melhor filme, dependendo da aplicao a qual a amostra de ITO se
destina. Portanto, deve-se considerar o valor de apenas como referncia, e no como um
fator decisivo para afirmar qual o filme de melhor qualidade.
2.3.3. Principais aplicaes de filmes de ITO
So mostrados aqui exemplos das principais aplicaes para filmes finos de ITO.
Todos os exemplos foram retirados da literatura, sendo que os dispositivos aqui mostrados
no so fabricados neste trabalho. Todos os dispositivos que utilizam substrato de vidro
podem tambm ser fabricados com qualquer outro substrato transparente.
37
2.3.3.1. Clulas solares
Uma estrutura tpica de clula solar orgnica utilizando heterojuno mostrada na

Figura 4 67. Neste exemplo, os ftons provenientes da luz solar devem atravessar a camada de
vidro, a camada de ITO e a camada de transporte de lacunas (PEDOT:PSS), sendo assim
absorvidos pela camada ativa (heterojuno P3HT/PCBM). Com a absoro de luz pela
camada ativa, so produzidos excitons, pares eltron-lacuna conectados entre si e, portanto,
impossibilitados de se movimentarem separadamente. Para gerar portadores de cargas livres,
os excitons devem ser desassociados 68. A assimetria das funes de trabalho do anodo (ITO)
e catodo (LiF/Al) cria um campo eltrico interno, de forma que lacunas se movimentam em
direo camada de ITO e eltrons sigam em direo camada LiF/Al. Conectando
externamente os eletrodos, uma corrente eltrica gerada 67.
Figura 4 Estrutura tpica de uma clula solar orgnica, onde o ITO funciona como anodo (adaptada) 67
Em clulas solares de ITO sobre silcio, o ITO atua como camada antirrefletora devido
ao seu ndice de refrao (esta propriedade comentada na seo 2.3.1.6). Por meio de sua
alta condutividade, o ITO tambm aprimora a coleta de corrente nestes dispositivos 69.
Em 2008, a empresa americana Konarka comeou a produzir industrialmente painis
solares flexveis, que utilizam clulas solares orgnicas sobre substratos polimricos. Os
painis so, em geral, portteis e dobrveis, e podem ser usados para recarregar equipamentos
eletrnicos 70.
38
2.3.3.2. LEDs orgnicos
Diodos orgnicos emissores de luz (OLEDs) so dispositivos feitos pelo

posicionamento de uma camada orgnica eletroluminescente (ou camada emissiva) entre dois
eletrodos de funes de trabalho diferentes, normalmente um anodo transparente (ITO) e um
catodo metlico (Al). Camadas orgnicas adicionais podem ser utilizadas para diferentes
funes, como camadas de transporte de portadores 71.
Um exemplo de OLED fabricado com anodo de ITO apresentado na Figura 5
72
Com a aplicao de uma tenso eltrica aos eletrodos, lacunas e eltrons so injetados na
camada eletroluminescente Alq3 (tris(8-hidroxiquinolina)alumnio). Quando estes so
recombinados, so formados excitons que emitem luz visvel. A cor da luz emitida depende
do material eletroluminescente utilizado na fabricao do dispositivo. Neste exemplo,
emitida apenas luz verde.
Figura 5 Estrutura de um OLED fabricado com ITO como anodo (adaptada) 72
Displays de tela plana feitos de OLEDs so fabricados comercialmente por empresas
como Kodak
73
, que utiliza estes displays principalmente em cmeras digitais. A Sony foi a
pioneira na comercializao de televisores de OLEDs, em 2007, com o modelo XEL-1, de

11 74. A Samsung apresentou, em 2008, o prottipo do primeiro televisor de 40 de alta
definio (1920 1080 pixels) que tambm utiliza a tecnologia 75. Alm disso, estes displays
j so encontrados em celulares, players de msica e vdeo e nos mais diversos aparelhos
eletrnicos.
39
2.3.3.3. Clulas de cristal lquido
As clulas de cristal lquido so utilizadas na fabricao de displays de cristal lquido

(LCDs). Ao contrrio dos OLEDs, no so capazes de produzir luz prpria, necessitando de
uma fonte de luz para formarem imagens.
A clula consiste basicamente em uma camada de cristal lquido que se encontra entre
duas camadas de substrato transparente recoberto com ITO e duas camadas polarizadoras de
luz, nas extremidades, como mostrado no exemplo da Figura 6 76. Tambm h duas camadas
de alinhamento que direcionam as molculas de cristal lquido em um ngulo capaz de deixar
a luz passar pelos dois polarizadores.
Figura 6 - Clula de cristal lquido, usada na fabricao de LCDs, usando eletrodos de ITO (adaptada) 76
Portanto, no estado OFF (sem aplicao de voltagem nos eletrodos), a luz

transmitida, passando pelos dois polarizadores. No estado ON (quando uma tenso aplicada
aos eletrodos de ITO), as molculas de cristal lquido so foradas na direo do campo
eltrico, o que impede a passagem da luz pelo segundo polarizador. O funcionamento de uma
clula de cristal lquido apresentado na Figura 7 76.
Comercialmente, os LCDs comearam a ser produzidos na dcada de 90, substituindo
gradualmente os displays de tubo de raios catdicos (CRT). Hoje, representam cerca de 80%
do mercado mundial, incluindo pequenos displays de aparelhos eletrnicos, monitores de
laptops e desktops e tambm televisores
77
. No entanto, espera-se que LCDs sejam
substitudos por displays de OLEDs no futuro, pois estes consomem menos energia por
gerarem luz prpria 78 e apresentam um maior contraste na imagem.
40
Figura 7 Funcionamento de uma clula tpica de cristal lquido (adaptada) 76
2.3.3.4. Telas sensveis ao toque
Telas sensveis ao toque (mais conhecidas pelo termo em ingls touch screens) so
dispositivos que permitem ao operador ativar uma mudana de programa ou hardware pelo
toque em um local especfico da tela. Estes displays so muito utilizados em terminais de
consulta e em caixas eletrnicos de bancos.
H vrios tipos de tela sensvel ao toque, como resistiva, capacitiva e de
infravermelho. Dentre elas, a mais simples e mais utilizada a resistiva.
Um exemplo de touch screen resistiva mostrado na Figura 8
79
. A tela consiste de
duas camadas condutoras transparentes (ITO, no exemplo) separadas por uma camada de
spacer dots, que impedem as camadas condutoras de se encostarem quando no h presso na
tela. Geralmente, o substrato usado no painel flexvel (PET, no exemplo). Quando um

objeto pressiona o painel, as duas camadas de ITO se conectam, criando um contato eltrico
entre as camadas. Este contato registrado como evento de toque por um controlador 79,80.
41
Figura 8 Exemplo de funcionamento de tela sensvel ao toque resistiva (adaptada) 79
2.3.3.5. Janelas conservadoras de energia
Janelas conservadoras de energia so basicamente vidros recobertos por um material

transparente (como o ITO), que tm a propriedade de transmitir radiao visvel e refletir
radiao infravermelha. Portanto, praticamente todo o espectro visvel proveniente dos raios
solares admitido, mas a maior parte do calor irradiado pelos objetos aquecidos no interior
no capaz de deixar o ambiente. Isto ajuda a reduzir custos com aquecimento em pases
frios 81.
42
3. MATERIAIS E MTODOS
Neste captulo so apresentados os mtodos e equipamentos utilizados para a obteno

e caracterizao das amostras, assim como o procedimento experimental realizado para a
deposio das lminas de ITO sobre substratos de silcio, vidro ptico e policarbonato.
3.1. Processos de fabricao
So abordados aqui os processos de fabricao utilizados para a obteno dos filmes

de ITO sobre diferentes substratos.
3.1.1.
Limpeza dos substratos
Antes de iniciar as deposies por sputtering, necessrio fazer a limpeza das lminas
utilizadas como substratos para as camadas de ITO, com o intuito de remover impurezas que
possam comprometer a qualidade dos filmes.
Foram utilizados trs tipos de substrato: silcio tipo p, orientao (100), com 75 mm de
dimetro, 360 m de espessura com resistividade entre 1-10 .cm; vidro ptico B270 Scotch
com 1 mm de espessura e dimetro de 75 mm; policarbonato Lexan , com 4 mm de
espessura e rea de 25 cm2.
Na Tabela 1, descrita a funo de cada reagente usado no processo 82. A gua usada
nas solues seguintes deionizada (gua DI), com resistividade de 18,2 M.cm. A
deionizao feita para que ons, sais, metais e outras substncias sejam removidas, provendo
gua com um nvel altssimo de pureza para a operao de processos 83.
43
Tabela 1 - Descrio da finalidade das solues utilizadas para a limpeza dos substratos.
Soluo
4H2SO4 + 1H2O2
20H2O + 1HF
4H2O + 1H2O2 + 1NH4OH
Finalidade
Remoo de gordura da superfcie dos substratos
Remoo do xido nativo (SiO2) das lminas de silcio
Remoo de gordura e metais do grupo 1B e 3B (Cu, Ag, Zn,
Cd)
3.1.1.1.Silcio
Para a limpeza das lminas de silcio, foi adotada a seguinte sequncia, denominada
limpeza piranha:
lavagem em gua DI corrente (5 minutos, em temperatura ambiente).
4H2SO4 + 1H2O2 (10 minutos a 115 C).
20H2O + 1HF (at a lmina sair seca da soluo, em temperatura ambiente).
3.1.1.2.Vidro ptico e policarbonato
A seguinte receita foi adotada para a limpeza das lminas virgens de vidro ptico:
4H2O + 1H2O2 + 1NH4OH (10 minutos a 80 oC).
Secagem com jato de nitrognio.
44
3.1.2.
Deposio por magnetron sputtering via fonte RF
Neste trabalho, um equipamento de RF magnetron sputtering planar projetado e

montado no Laboratrio de Sistemas Integrveis da EP-USP, mostrado na Figura 9, foi
utilizado para a deposio dos filmes finos.
Este mtodo de deposio por plasma considerado como um dos mais apropriados
para a deposio de filmes de ITO, devido boa reprodutibilidade dos filmes e possibilidade
de deposio uniforme sobre grandes reas 9.
Figura 9 - Equipamento de RF magnetron sputtering utilizado para a deposio dos filmes de ITO
Em um equipamento de RF sputtering planar, o substrato posicionado em uma

cmara de baixa presso entre dois eletrodos. O processo iniciado em uma descarga
luminescente, produzida na cmara de vcuo por uma fonte de potncia RF (de
freqncia = 13,56 MHz), sob presso de processo controlada por fluxo de gs (geralmente
argnio). Um potencial negativo DC (VDC) autoinduzido pelo plasma, utilizado para
direcionar os ons para a superfcie do catodo, onde se encontra o alvo (um bloco do material
que se deseja depositar). O VDC gerado por meio da aplicao do sinal RF nos eletrodos, que
gera o plasma. O plasma atua como um retificador que produz uma tenso negativa mdia no
45
menor dos dois eletrodos, que onde se encontra o alvo. O anodo, regio onde se encontra o
substrato, fica aterrado 84.
Devido ao bombardeamento de ons Ar+ produzidos na descarga, ocorre a eroso do
alvo, fenmeno conhecido como pulverizao catdica (ou sputtering). A ionizao dos
tomos de argnio no plasma se processa pelas colises com eltrons. Para se aumentar a
eficincia desta ionizao, pode-se confinar os eltrons perto do alvo por meio de um forte
campo magntico, mantido entre a superfcie do catodo e o alvo. Eltrons oriundos do plasma
fazem caminhos espiralados e viajam distncias muito maiores antes de atingir o alvo do que
fariam sem a presena do campo, e fazem, portanto, muito mais colises com tomos de
argnio na regio 85.
Neste caso, a tcnica denominada magnetron sputtering, e tem como objetivo
aumentar a taxa de deposio do processo e permitir que sejam feitos processos de deposio
em baixas presses (da ordem de 10-3 Torr). Um esquema da cmara do sistema de sputtering
similar ao utilizado neste trabalho mostrado na Figura 10. A conexo de vcuo, indicada na
figura, ligada a uma bomba turbomolecular capaz de evacuar a cmara at a ordem de
10-7 Torr.
Foi utilizado um alvo de sputtering circular da Kurt J. Lesker Company com 99,99 %
de pureza, composio 90 % In2O3 e 10 % SnO2 em porcentagem de massa, 6 de dimetro e
0,25 de espessura, idntico ao mostrado na Figura 11 86.
Previamente a cada deposio, a cmara foi evacuada a uma presso de fundo da
ordem de 10-6 Torr (aproximadamente 5.10-6 Torr). A presso de processo adotada foi de
5,0 0,5 mTorr, controlada pela vazo de gs, a 24 1 sccm. Argnio puro foi usado como
gs de processo, caracterizando-o como no-reativo. Os substratos foram posicionados a
10 cm de distncia do alvo.
Em nenhum caso houve aquecimento intencional dos substratos, e os processos
iniciaram com temperatura prxima a 20 C. No entanto, pde-se constatar atravs do
termopar acoplado cmara que os substratos foram aquecidos a, no mximo, 100 C durante
o processo, sendo a temperatura diretamente proporcional potncia de rdio frequncia (PRF)
aplicada e ao tempo de processo. Esta temperatura considerada baixa para processos de
deposio por sputtering, e est de acordo com o objetivo do trabalho, que visa o
desenvolvimento de tcnicas de deposio em baixas temperaturas. O termopar acoplado ao
equipamento deve ser desligado durante o processo e religado apenas quando a PRF
desligada. A temperatura medida na superfcie do substrato, ou seja, na superfcie oposta
46
do filme depositado. Por isso, a medida da temperatura final do substrato (TF) de cada
processo estimada com um erro de 10%.
Em parte da superfcie de cada lmina, foi posicionado um fragmento de outro
substrato qualquer, com o intuito de deixar um degrau entre o substrato e o filme depositado,
tornando possvel a medio da espessura do filme atravs da perfilometria.
Figura 10 Cmara do sistema de RF magnetron sputtering utilizado para depositar os filmes de ITO
Figura 11 - Alvo de ITO da Kurt J. Lesker Company utilizado para a deposio de filmes por sputtering
47
3.1.2.1. Deposio de ITO sobre silcio variando potncia RF de 25 a 100 W
Esta primeira srie de deposies visa determinao da influncia da potncia de

rdio frequncia (PRF) na obteno de camadas de ITO utilizando o equipamento de
sputtering em questo. A faixa de potncia escolhida varia de 25 a 100 W. O substrato
escolhido para esta etapa foi o silcio, por ser um substrato de superfcie pouco rugosa e livre
de contaminaes, o que torna mais simples a caracterizao das lminas. Por ser um
substrato opticamente absorvente, dada nfase s propriedades eltricas.
A partir desta srie, foi possvel fazer o levantamento da taxa de deposio,
composio qumica e propriedades pticas, eltricas e estruturais dos filmes, como ser
discutido posteriormente.
Na Tabela 2 so mostrados os parmetros de deposio utilizados, que so a potncia
RF (PRF) empregada e o tempo de deposio (TD) de cada processo, assim como o potencial
negativo (VDC) aplicado ao catodo durante a deposio e a temperatura final (TF) de cada
experimento. tambm apresentado o clculo da densidade de potncia (DP) em relao
rea do alvo, calculada a partir do dimetro do alvo (dT), de acordo com a eq.(21).
DP =
4 PRF W
(d T ) 2 cm 2
(21)
Tabela 2 - Parmetros da primeira srie de deposies, de ITO/Si com PRF de 25 a 100 W
Substrato PRF (W)

Silcio
DP (W/cm2)
TD (min.) TF (C) VDC (V)

30,00,5
202
-28,00,5
25,00,5 0,1370,003
120,00,5
303
-28,00,5
501
0,2740,005 30,00,5
404
-471
751
0,4110,005 30,00,5
758
-621
1002
0,550,01
30,00,5
808
-721
Para PRF = 25W, uma amostra com tempo de deposio TD = 120 minutos foi obtida
devido baixssima espessura obtida no filme depositado em 30 minutos. Isto dificulta a
medida da espessura da lmina por perfilometria, e inviabiliza a utilizao deste parmetro
nos substratos transparentes utilizados neste trabalho, devido rugosidade dos substratos ser
bem mais alta do que a rugosidade das lminas de silcio.
48
3.1.2.2. Deposio de ITO sobre Vidro, ITO sobre silcio e ITO sobre
policarbonato variando o tempo de deposio de 30 a 120 minutos
De acordo com os resultados da caracterizao da primeira srie de deposies (seo

3.1.2.1), que sero comentados posteriormente na seo 4.1, foram depositados filmes sobre
substratos de vidro ptico. Novas amostras de ITO sobre silcio tambm foram obtidas, com o
intuito de facilitar a caracterizao e analisar se o processo possui uma boa reprodutibilidade.
Com as amostras de vidro, anlises diferentes foram feitas devido transparncia do
substrato, como ser comentado na seo 4.2.
O objetivo desta srie de deposies avaliar a influncia da espessura dos filmes em
suas diversas propriedades, assim como avaliar a influncia exercida pelo substrato na
qualidade dos filmes e confirmar a possibilidade de deposio sobre substratos polimricos.
Para isso, foi adotada uma potncia fixa de 75 W, com a variao do tempo de deposio de
cada processo. Filmes foram obtidos sobre vidro e silcio para facilitar a caracterizao dos
mesmos. Para o tempo de 90 min, foi tambm depositado um filme sobre o substrato
polimrico Lexan . Os processos adotados aqui esto apresentados na Tabela 3.
A sequncia do processo de deposio descrita na seo anterior foi mantida,
utilizando aproximadamente 5.10-6 Torr de presso de fundo, 5 mTorr de presso de processo
e 100% argnio como gs de processo.
O tempo de deposio (TD) de cada processo, o potencial negativo (VDC) aplicado ao
catodo, a temperatura final (TF) de cada experimento e o clculo da densidade de potncia
(DP) em relao rea do alvo so mostrados na Tabela 3. Os pequenos desvios no potencial
aplicado ao catodo para cada processo foram associados a variaes na PRF ajustada
inicialmente, devido potncia refletida pelo equipamento durante o processo. No entanto, os
desvios so pequenos e no comprometem a reprodutibilidade das lminas obtidas.
Tabela 3 - Parmetros da segunda srie de deposies, de ITO/Si e ITO/vidro com PRF = 75 W e TD

variando de 30 a 120 min e de ITO/Lexan com PRF = 75 W e TD = 90 min
Substrato
PRF (W)
DP (W/cm2)
TD (min.)
TF (C)
Vidro/Si
Vidro/Si
Vidro/Si/Lexan
Vidro/Si
751
751
751
751
0,4110,005
0,4110,005
0,4110,005
0,4110,005
30,00,5
60,00,5
90,00,5
120,00,5
707
758
808
858
Vidro
-671
-661
-661
-681
VDC (V)
Si
Lexan
-671
-671
-671 -661
-661
-
49
3.1.2.3. Deposio de ITO sobe vidro e ITO sobre silcio variando a potncia
RF de 100 a 200 W
Com a base da caracterizao dos processos anteriores, foi desenvolvida uma nova
sria de deposies para avaliar a influncia de potncias mais altas, de 100 a 200 W. O
tempo de cada deposio foi calculado por meio da eq.(29) (seo 4.1.2)para que os filmes
obtivessem espessuras similares. Filmes foram obtidos sobre silcio e vidro para que fosse
possvel a caracterizao ptica completa, j que esperado uma piora nas caractersticas
pticas devido menor proporo de oxignio em filmes obtidos com potncias altas.
A seqncia do processo de deposio descrita na seo anterior foi mantida,
utilizando aproximadamente 5.10-6 Torr de presso de fundo, 5 mTorr de presso de processo
e 100 % argnio como gs de sputtering.
A potncia RF (PRF) empregada, tempo de deposio (TD) de cada processo, o
potencial negativo (VDC) aplicado ao catodo durante a deposio, a temperatura final (TF) de
cada experimento e o clculo da densidade de potncia (DP) em relao rea do alvo so
mostrados na Tabela 4.
Tabela 4 - Parmetros da terceira srie de deposies, de ITO/Si e ITO/vidro com PRF de 100 a 200 W
Substrato
PRF (W)
DP (W/cm2)
TD (min.)
TF (C)
Vidro/Si
Vidro/Si
Vidro/Si
Vidro/Si
Vidro/Si
1002
1252
1503
1753
2003
0,550,01
0,680,01
0,820,02
0,960,02
1,100,02
44,00,5
34,00,5
28,00,5
24,00,5
21,00,5
808
808
859
909
909
VDC (V)
Vidro
Si
-771
-771
-961
-961
-1091
-1091
-1212
-1212
-1352
-1352
3.2. Caracterizao dos filmes
So discutidas aqui as tcnicas utilizadas para a caracterizao dos filmes de ITO

obtidos sobre diversos substratos.
50
3.2.1. Prova de quatro pontas (RS)
O equipamento utilizado para a realizao de medidas de resistncia de folha (RS) dos

filmes foi a prova de quatro pontas FPP-5000 da Veeco. Com ele, possvel realizar medidas
em lminas de at 6 de dimetro.
O aparelho, que tem seu funcionamento ilustrado na Figura 12, possui quatro pontas
de prova alinhadas, que entram em contato com a superfcie da amostra no momento da
medio.
Uma corrente aplicada nas duas pontas externas, e a tenso sobre as pontas internas
ento medida. As pontas tm espaamento B idntico entre si.
Com este equipamento, possvel realizar diversas medidas eltricas, assim como
espessura e tipo de portadores do filme. Neste trabalho, a prova de quatro pontas foi utilizada
para a obteno da resistncia de folha das camadas, que definida como a resistncia eltrica
de uma rea quadrada do filme, independente da dimenso do quadrado. A resistncia de
folha dada pela eq.(22).
RS = F *
V
I sq
(22)
onde F* o fator de correo geomtrico para a resistncia de folha. Para o caso presente, em
que a medida feita com quatro pontas dispostas linearmente, igualmente espaadas, a
corrente sendo injetada pelas duas pontas da extremidade e a queda de potencial sendo
medidas nas pontas internas, o fator de correo F* apresentado na eq.(23) 87.
F* =
ln(2)
= 4,532
(23)
51
Figura 12 - Esquema de funcionamento da prova de quatro pontas, usada para medir a resistncia de
folha das amostras (adaptada) 87
3.2.2. Perfilometria (t, RA, RPV)
Para medidas de espessura e rugosidade das amostras, foi utilizado o perfilmetro

Dektak 3030 da Veeco.
O funcionamento do equipamento d-se eletromecanicamente, por meio da varredura
da superfcie do filme por uma agulha com ponta de diamante. A agulha ligada
mecanicamente a um LVDT (Linear Variable Differential Transformer), um dispositivo
eletromecnico que produz uma tenso de sada proporcional posio de um ncleo mvel.
medida que a mesa de alta preciso move a amostra, a ponta faz a varredura do
filme. Variaes na espessura do filme fazem com que a agulha seja movida verticalmente.
Sinais eltricos correspondentes aos movimentos da agulha so produzidos medida que a
posio do ncleo do LVDT muda. Um sinal analgico proporcional variao de posio
produzido pelo LVDT e convertido em sinal digital por um conversor analgico/digital. Os
sinais digitais da medida so ento plotados em um grfico no monitor do equipamento,
podendo ser manipulados, medidos e impressos.
Para que sejam possveis medidas de espessura atravs do perfilmetro, necessrio
que haja um degrau formado pelo filme de ITO e o substrato na amostra, de acordo com a
Figura 13.
52
Para isso, uma pequena rea dos substratos das amostras obtidas por sputtering foi
mascarada com a sobreposio de outra lmina de silcio, impedindo que o filme de ITO fosse
depositado em toda a superfcie dos substratos.
Figura 13 - Degrau formado entre o substrato e o filme de ITO, usado para medidas de espessura por
perfilometria
Como o filme depositado na faixa de encontro entre a o substrato e a lmina de

mascaramento possui espessura um pouco maior do que no resto da rea do substrato, a
varredura foi feita com alguns milmetros de comprimento.
Todas as medidas de espessura foram realizadas com a utilizao dos seguintes
parmetros: 2 mm de comprimento de varredura, 0,1 mN de fora da ponta, velocidade mdia
(aproximadamente 40 m/s), 1310 k de range vertical de medida e perfil de medida de
subida de degrau.
Para medidas de rugosidade, os seguintes parmetros foram adotados: 500 m de
comprimento de varredura, 0,1 mN de fora da ponta, velocidade baixa (aproximadamente
10 m/s) e 655 k de range vertical de medida.
3.2.3. Curvas I-V
O levantamento das curvas I-V das amostras de ITO sobre silcio foi feito atravs de
um picoampermetro pA meter/DC 4140B, da HP. O equipamento pode aplicar tenses de
40 a 40 V na amostra atravs de uma ponta posicionada em cima do contato onde se deseja
aplicar a tenso. Para este trabalho, foram utilizadas tenses de 2 a 2 V. A gerao do grfico
I-V feito por software atravs da medio da corrente presente na base da amostra. Por
53
caracterstica do equipamento, devem ser depositados contatos ser de alumnio para diminuir
a resistncia da ponta e manter a rea de aplicao do campo constante.
Aps a deposio das lminas, contatos cilndricos de alumnio de dimetro igual a
1 mm foram depositados por evaporao trmica, com a auxlio de uma mscara, na
superfcie dos filmes de ITO. Uma camada de alumnio foi depositada pela mesma tcnica de
deposio na superfcie do substrato. Esta configurao, mostrada na Figura 14, permite a
obteno das curvas I-V das amostras de cima pra baixo, ou seja, com tenso sendo aplicada
nos pontos de alumnio e corrente sendo medida na base.
Figura 14 - Esquema das amostras de ITO com contatos de alumnio depositados por evaporao trmica
3.2.4. Efeito Hall (, N)
Com a utilizao de uma fonte de potncia MPS-50 e de um controlador de circuito

Van der Pauw modelo H-50, ambos da Advanced Energy, foram obtidas medidas de
densidade de portadores (N) e mobilidade de portadores ().
O efeito Hall ocorre quando um material condutor ou semicondutor est imerso em um
forte campo magntico perpendicular direo da corrente eltrica que percorre o material. O
efeito consiste na produo de uma diferena de potencial entre as superfcies opostas do
material na direo transversal s do campo e da corrente. O campo eltrico produzido, E Hall ,

associado diferena de potencial, pode ser obtido do produto apresentado na eq.(24), onde
j a densidade de corrente, B a densidade de fluxo magntico e R Hall uma constante
chamada coeficiente Hall 34.
E Hall = R Hall j B
(24)
54
A partir da determinao de R Hall , a concentrao de portadores e a mobilidade de

portadores so derivadas das relaes descritas na eq.(25) e eq.(26), onde e a carga do
eltron e a resistividade.
N=
(25)
e R Hall
1
Ne
O mtodo de medida de efeito Hall proposto por Van der Pauw
(26)
88
comumente
utilizado para medir resistncia de folha, densidade de portadores, mobilidade de portadores e

tipo de portadores. Para a realizao das medidas, necessrio que quatro contatos hmicos
sejam posicionados simetricamente em fragmentos das amostras, que tambm devem ter
geometria simtrica para que erros de medida sejam reduzidos. Os contatos foram feitos com
cola de prata e fios de cobre, de acordo com a geometria mostrada na Figura 15.
Figura 15 - Contatos de prata e fios de cobre feitos sobre os filmes de ITO em amostras de 5 x 5 mm.
Para a realizao das medidas, foi aplicada uma corrente de 3 mA e um campo

magntico de 0,35 T, e a espessura de cada uma das amostras (medida por perfilometria e
elipsometria) foi fornecida atravs do software do equipamento para que fossem realizados os
clculos dos parmetros.
55
3.2.5. Elipsometria (t, n)
A espessura t das amostras foi medida a princpio por perfilometria, por meio do
degrau deixado entre o filme e o substrato. No entanto, pode haver uma ligeira variao de t
na regio do degrau em relao ao restante da superfcie do filme. Portanto, a anlise por
elipsometria, realizada em regies centrais das lminas, garante um resultado mais preciso da
espessura das amostras.
A elipsometria um mtodo de caracterizao ptico no destrutivo que permite
medir o ndice de refrao (n) e o coeficiente de extino () de um substrato e tambm a
espessura (t) e o ndice de refrao de filmes finos transparentes sobre um substrato altamente
absorvente, cujos valores de n e sejam conhecidos.
O equipamento utilizado um Rudolph Research Auto-EL NIR3, que trabalha com
trs comprimentos de onda (405,0; 632,8 e 830,0 nm) proporcionados por uma fonte de
lmpada algena com filtros interferenciais, que passa atravs de um polarizador circular
(para obter um feixe de polarizao circular e de intensidade mxima). Essa polarizao
circular , em seguida, transformada em polarizao linear por um polarizador. Finalmente, a
luz chega sobre a amostra. Aps reflexo, a luz passa por um analisador, e depois atravs de
um filtro selecionando apenas o comprimento de onda desejado, isso para evitar qualquer
perturbao da luz ambiente. Enfim, a luz chega sobre o fotodetetor. O mtodo consiste em
avaliar as mudanas no estado de polarizao da luz causada pela reflexo na superfcie da
amostra 89.
Para a realizao das medidas, necessria a indicao de parmetros aproximados de
t e n dos filmes. Foram indicadas as medidas de espessura previamente obtidas por
perfilometria e ndice de refrao = 2, condizente com a literatura.
3.2.6. Espectrofotometria UV-Vis-NIR
Com a utilizao do espectrofotmetro CARY 500, da Varian, foram obtidos os

espectros de absoro e transmisso das pelculas de ITO depositadas sobre substratos
transparentes.
56
O espectrofotmetro um equipamento geralmente utilizado para fazer medidas de

transmitncia, absorbncia e reflectncia. Na configurao utilizada para medidas de
transmitncia (e tambm absorbncia), a medida se d atravs de uma fonte de radiao, que
emite sobre a superfcie da amostra ondas eletromagnticas de comprimentos de onda
especficos, e de um fotodetetor, que capta a intensidade de energia luminosa que conseguiu
atravessar a amostra. O clculo da transmitncia feito por software, de acordo com a eq.(12),
e o grfico de %T em funo do aplicado automaticamente gerado.
No equipamento utilizado, ocorre a mudana de detetor em = 800 e 1200 nm. Por
isso, pode haver algumas falhas no grfico nas faixas prximas a esses comprimentos de
onda.
3.2.7. Microanlise
Para as medidas de porcentagem atmica dos elementos constituintes dos filmes de

ITO, foi utilizado um microscpio eletrnico de varredura 6460LV, da Jeol.
O funcionamento do equipamento se d atravs de um feixe de eltrons que emitido
sobre as amostras, excitando os tomos que as compem. Quando estes voltam ao seu estado
fundamental, ftons so emitidos com energias caractersticas do tomo. Os ftons so
identificados de acordo com sua energia e coletados pelo detector de raios-X localizado
dentro da cmara de vcuo. O espectro relativo ao nmero de contagens em funo da energia
so ento gerados, identificando os elementos qumicos presentes na amostra 89.
3.2.8. Difratmetro de Raios-X
Para as medidas de difrao de raios-X, foi utilizado um difratmetro Ultima +, da

Rigaku, com fonte de raios-x de cobre e monocromador ajustado para radiao Cu K. O
cristal utilizado o mosaico de grafite.

A difrao de raios-X ocorre quando h interferncia construtiva no processo de
espalhamento dos ftons pelos tomos de uma estrutura cristalina. Esquematizando a estrutura
peridica dos cristais por planos cristalogrficos, tem-se condies de difrao ou reflexo de
57
Bragg (B) quando h a relao mostrada na eq.(27) (onde I e R so os ngulos de incidncia

e de espalhamento) e a relao apresentada na eq.(28), onde d a distncia interplanar dos
planos cristalogrficos e nr a ordem de reflexo (nr = 1 para 1 ordem, nr = 2 para 2 ordem,
etc). A eq.(28) conhecida como lei de Bragg.
B = I = R
(27)
2dsen = n r
(28)
A lei de Bragg implica, quando satisfeita, que a diferena de caminho ptico entre os
feixes espalhados pelos diversos planos cristalogrficos igual ao comprimento de onda ou
a um mltiplo dele. Nas direes tais em que essa relao no se verifica, a interferncia entre
as ondas espalhadas destrutiva e no se observa intensidade de espalhamento.
O cristal, orientado de tal maneira a satisfazer a eq.(27), utilizado como analisador
do espectro de emisso de raios-X. Numa varredura do ngulo, o cristal atua como um filtro
que reflete apenas a radiao com comprimento de onda que satisfaz a lei de Bragg.
O software que opera o difratmetro de raios-X gera automaticamente o grfico de
intensidade em funo do ngulo 2, sendo que os picos esperados para filmes de ITO foram
discutidos na seo 2.3.1.10.
58
4. RESULTADOS E DISCUSSES
Neste captulo so apresentados os resultados da caracterizao fsica, eltrica, ptica,

qumica e estrutural de todas as amostras obtidas neste trabalho.
4.1. Deposio de ITO/Si variando potncia RF de 25 a 100 W
Nesta seo, so discutidos os resultados da caracterizao das amostras de ITO

depositadas sobre Si obtidas com PRF variando de 25 a 100 W, obtidas na primeira srie de
deposies, descrita na seo 3.1.2.1.
4.1.1. Perfilometria
Os resultados da espessura (t), rugosidade mdia (RA) e rugosidade pico-vale (RPV)

obtidos por perfilometria para as amostras de ITO/Si encontram-se na Tabela 5. Tambm
foram obtidas as rugosidades do substrato de silcio.
Tabela 5 Espessura, rugosidade mdia e rugosidade pico-vale das amostras de ITO/Si obtidas de
25 a 100 W
Substrato
PRF (W)
Substrato
25
Silcio
50
75
100
TD (min)
30
120
30
30
30
t (nm)
28,510,06
1581
110,90,9
1681
1981
RA (nm)
1,810,01
2,70,2
2,90,3
2,70,3
3,10,4
3,40,6
RPV (nm)
7,20,2
173
182
183
182
214
Pelos resultados, percebe-se que PRF no exerce influncia muito significativa nas
rugosidades das amostras. No entanto, a rugosidade tende a aumentar discretamente com o
aumento de PRF, provavelmente devido temperatura de deposio ligeiramente mais
elevada, o que causa uma melhora na cristalinidade das amostras. Espessuras mais altas
tambm tendem a resultar em rugosidades maiores.
59
4.1.2. Elipsometria
Os resultados da espessura (t) e ndice de refrao (n) obtidos por meio da

elipsometria para as amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de 25 a 100 W encontramse na Tabela 6. Com base nestes resultados, foi obtida a taxa de deposio de cada PRF
empregada, como mostrado na Figura 16.
Tabela 6 Espessura e ndice de refrao obtidos por elipsometria das amostras de ITO/Si obtidas com
PRF variando de 25 a 100 W
PRF (W)
Substrato
TD (min.)
30
120
30
30
30
25
50
75
100
t (nm)
29,050,02
114,10,2
99,30,1
159,00,2
201,10,3
n
3,850,01
1,900,01
1,970,01
2,000,02
1,940,01
1,970,01
Taxa de deposio (nm/min)
7
ITO/Si
25 a 100 W
6
5
4
3
2
DREXP = 0,076 PRF - 0,683
1
0
0
25
50
75
100
Potncia RF (W)
Figura 16 - Taxa de deposio em funco da PRF para fluxo de argnio em 5 mTorr, com destaque da
equao da reta de ajuste linear dos pontos experimentais (DREXP)
Foi traada uma reta de ajuste dos pontos experimentais, e a equao da taxa de
deposio experimental (DREXP) foi obtida, como apresenta a eq.(29).
60
nm
DR EXP = 0,076 PRF 0,683
min
(29)
Como previsto, a taxa de deposio aumenta linearmente de acordo com o aumento da

PRF, devido ao maior bombardeamento do alvo
90
. Os desvios no padro linear podem ser
causados pela variao de presso que ocorre dentro da cmara ao longo da deposio,
causada pelo eventual desvio do fluxo de gs de processo (j que a presso controlada por
fluxo de gs).
A taxa de deposio proporcional presso de processo. Este tipo de comportamento
usualmente visto em processos de deposio por sputtering, pois um aumento na presso
causa um maior bombardeamento de ons de argnio na superfcie do alvo, causando uma
maior pulverizao do material
91
. Os erros nas medidas de espessura dos filmes,
demonstrados na tabela, tambm devem influenciar no desvio do padro esperado.

A reta de ajuste linear no passa pela origem do grfico porque h uma potncia
mnima requerida para a formao do plasma no sistema de vcuo. Portanto, abaixo desta
potncia mnima, no h taxa de deposio, o que resulta em um coeficiente linear na equao
da reta.
A partir da eq.(29), possvel estimar a taxa de deposio de processos feitos com
potncias diferentes das empregadas neste experimento, desde que a presso (5 mTorr) e o gs
de processo (100% argnio) sejam os mesmos, assim como o substrato (silcio). No entanto,
mesmo para as mesmas condies, a taxa de deposio pode assumir um padro no linear
para potncias mais altas devido ao aumento de temperatura no substrato, que tende a
aumentar a taxa de deposio 62.
4.1.3. Prova de quatro pontas
Os resultados de resistncia de folha (RS) obtidos pela prova de quatro pontas, j com
o fator de correo considerado, so apresentados na Tabela 7. Tambm mostrada a
resistividade () das amostras, calculada de acordo com a eq.(5), comentada na seo 2.3.1.2.
As espessuras utilizadas para os clculos foram as obtidas por elipsometria, e foram
considerados apenas os valores mdios das medidas. A Figura 17 mostra os resultados de RS e
61
graficamente, sendo que para PRF = 25 W, foi considerada a amostra obtida com
TD = 120 min.
Tabela 7 - Resistncia de folha e resistividade das amostras de ITO/Si com PRF variando de 25 a 100 W
TD (min.)
30
120
30
30
30
PRF (W)
25
50
75
100
t (nm)
29,05
114,1
99,3
159,0
201,1
RS (/)
109,20,1
377,10,4
246,00,3
36,00,1
326,30,7
(.cm)
3,2x10-4
4,3x10-3
2,4x10-3
5,7x10-4
6,5x10-3
8.0x10
-3
7.0x10
-3
6.0x10
-3
5.0x10
-3
4.0x10
-3
3.0x10
-3
150
100
2.0x10
-3
1.0x10
-3
400
Resistncia de folha (/sq)

Resistividade (.cm)
350
300
RS (/sq)
200
ITO/Si
50
(.cm)
250
0.0
0
25
50
75
100
PRF (W)
Figura 17 Resistncia de folha e resitividades das amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de 25 a
100 W. Para PRF = 25 W, foi condiderada a amostra obtida com TD = 120 min
Pelos resultados da Tabela 7, nota-se que os menores valores de resistividade foram

encontrados para as amostras de PRF = 25 W (30 min) e 75 W. No entanto, possvel que o
substrato de silcio tenha influenciado a medida da prova de quatro pontas de 25 W (30 min),
devido baixa espessura (29 nm) da camada de ITO. Alm disso, como j havia sido
comentado anteriormente, este parmetro de deposio invivel para deposio sobre os
substratos transparentes usados neste trabalho.
Espera-se que o valor da resistividade dos filmes diminua conforme a PRF aumenta,
pois estruturalmente, possveis estruturas cristalinas dos filmes de ITO so beneficiadas por
potncias mais altas 90.
No entanto, observa-se que a maior resistividade foi encontrada para a amostra de
100 W, que apresentou resistividade de folha muito mais alta do que as outras amostras. Uma
62
possvel causa para este fenmeno a baixa aderncia do filme ao substrato, que pode ter
ocorrido devido a uma falha na limpeza do substrato.
4.1.4. Microanlise
Os resultados da microanlise para as amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de

25 a 100 W so apresentados na
Tabela 8, indicando a porcentagem atmica de oxignio (O), ndio (In) e estanho (Sn)
na composio dos filmes de ITO, alm das contaminaes por carbono (C) e nitrognio (N).
Na Figura 18, so mostrados os espectros obtidos durante as medidas. Para uma melhor
visualizao dos resultados, o grfico da porcentagem atmica em funo da PRF aplicada
mostrado na Figura 19, considerando apenas os elementos constituintes dos filmes de ITO (In,
Sn e O).
Figura 18 - Espectro de contagens em funo da energia obtido pelo microscpio eletrnico de varredura
para as amostra de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W.
perceptvel uma maior concentrao de oxignio e menor concentrao de dopantes

para amostras depositadas em baixas potncias. Do ponto de vista qumico, esta anlise sugere
que, dentro da faixa de potncia adotada, filmes depositados com PRF = 25 W tenham a pior
caracterstica eltrica (baixa condutividade) e a melhor caracterstica ptica (alta
transmitncia), enquanto filmes depositados com PRF = 100 W tenham a melhor caracterstica
63
eltrica e a pior caracterstica ptica. No entanto, a amostra obtida a 100 W foi a mais
resistiva, como comentado na seo 4.1.3.
Tabela 8 - Porcentagem atmica dos filmes de ITO/Si de obtidos com PRF variando de 25 a 100 W
PRF (W) TD (min.) O (%) In (%) Sn (%)

30
82,5
17,5
25
120
80,7
18,0
1,3
50
30
78,0
19,8
2,2
75
30
70,4
26,0
3,6
100
30
68,0
28,2
3,8
80
ITO/Si
Porcentagem atmica (%)
70
60
O
In
Sn
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
PRF (W)
Figura 19 - Porcentagem atmica (considerando apenas In, Sn e O) em funo da PRF para as amostras de
ITO/Si obtidas com PRF variando de 25 a 100 W
4.1.5. Difrao de raios-X
Os grficos de intensidade em funo do ngulo 2 obtidos pela anlise de difrao de

raios-X para as amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de 25 a 100 W so mostrados
na Figura 20 e na Figura 21.
O pico de difrao encontrado em 2 = 32,9 refere-se incorporao de ndio
metlico na composio do filme, de acordo com Kobayashi et al
92
. Isto atribudo
ausncia de oxignio no gs de sputtering, que fez com que a deposio se fizesse em um

estado no completamente oxidado. Segundo Ryabova et al
93
, o mesmo pico encontrado
64
para estruturas de Sn3O4, que poderiam ter sido formadas devido no incorporao do
dopante. No entanto, o pico foi associado ao ndio metlico devido apario do mesmo em
todas as amostras, inclusive na amostra obtida com PRF = 25 W e TD = 30 min, que no possui
estanho em sua composio, de acordo com os resultados da microanlise, apresentados na
seo 4.1.4.
Os picos de maior intensidade esperados para estruturas policristalinas de ITO so
2 = 30,5 e 2 = 35,4, referentes aos planos cristalogrficos (222) e (400) de In2O3,
respectivamente. No entanto, como os picos no foram observados para amostras obtidas com
PRF variando de 25 a 75 W, conclui-se que a estrutura destes filmes de ITO no apresenta
perfil policristalino. Isto esperado para filmes depositados por sputtering em baixas
temperaturas e baixas potncias.
Intensidade (u.a.)
ITO/Si
In
In2O3
(101)
(400)
In2O3
In2O3
(211)
In2O3
In2O3
(440)
(622)
(431)
PRF = 100 W
PRF = 75 W
20
25
30
35
40
45
50
55
60
2 ()
Figura 20 - Difrao de raios-X de 20 a 65 para amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 e 100 W
Percebe-se que a intensidade do pico em 2 = 32,9 aumenta de 25 W a 75 W. Isto

condizente com o resultado da microanlise, que aponta aumento da porcentagem de ndio na
composio dos filmes proporcionalmente PRF.
A amostra de PRF = 100 W teve um padro diferente das demais. Pode-se observar
picos cristalogrficos tambm em 2 = 21,4, 35,4, 45,6, 50,9 e 60,6, indicando uma
ordenao cristalina de In2O3 nos planos (211), (400), (431), (440) e (622), respectivamente.
Isto provavelmente devido maior energia cintica dos tomos e/ou molculas que chegam
ao substrato na formao do filme para potncias mais elevadas, mesmo em baixas
65
temperaturas. Estes resultados coincidem com o conceito de que maiores potncias favorecem
a cristalinidade dos filmes.
In
(101)
PRF = 50 W
PRF = 25 W (30 min)
Intensidade (u.a.)
PRF = 25 W (120 min)
ITO/Si
20
25
30
35
40
45
50
55
60
2 ()
Figura 21 - Difrao de raios-X de 20 a 65 para amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 25 e 50 W
Geralmente, energias mais altas tendem a pulverizar clusters do material, enquanto

energias mais baixas pulverizam tomos separadamente. Isto explica por que, para a amostra
de PRF = 100 W, a intensidade do pico referente ao ndio metlico diminuiu. Provavelmente, a
quantidade de ndio metlico menor nesta amostra.
Segundo os resultados da anlise de difrao de raios-X, a amostra de PRF = 100 W
deveria ter as melhores caractersticas eltricas, devido ao incio da incorporao do dopante
no filme. No entanto, como j comentado anteriormente, esta amostra no se apresentou
dentro dos padres esperados.
4.2. Deposio de ITO sobre vidro e ITO sobre silcio a com potncia RF = 75 W
variando o tempo de deposio
Nesta seo so discutidos os resultados da caracterizao das lminas obtidas com

PRF = 75 W a partir dos processos de deposio descritos na seo 3.1.2.2, com o intuito de
analisar a influncia da espessura nas caractersticas dos filmes. Para amostra de ITO/Si,
66
anlises de propriedades eltrica, qumica e de elipsometria foram feitas. Para as amostras de

ITO/vidro, a caracterizao ptica foi mais detalhada devido transparncia do substrato.
Na Tabela 9 so apresentados os resultados da anlise de perfilometria realizado nas

amostras de ITO/Si e ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min. A
tabela mostra a espessura (t), o erro quadrtico relativo da espessura (%t), a rugosidade
mdia (RA) e a rugosidade pico-vale (RPV).
Tabela 9 - Espessura, erro quadrtico da espessura, rugosidade mdia e rugosidade pico-vale das
amostras de ITO/Si e ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e diferentes tempos de deposio
Substrato
Vidro
Silcio
TD (min)
Substrato puro
30
60
90
120
Substrato puro
30
60
90
120
t (nm)
1973
34917
51428
67547
1852
37016
44021
61038
%t (%)
1,5
4,9
5,4
7,0
1,1
4,3
4,7
6,2
RA (nm)
5,50,1
3,20,4
3,40,2
3,10,2
3,40,6
1,80,1
2,40,2
2,20,3
2,70,6
2,60,5
RPV (nm)
28,90,8
183
242
232
263
7,20,3
14,50,4
213
254
244
Os resultados da perfilometria indicam que a rugosidade dos filmes de ITO depende

da rugosidade do substrato onde foram depositados. Como o substrato de vidro ptico possui
rugosidade muito alta, aconselhvel que seja depositada uma camada de planarizao entre
o substrato e o filme pra aplicaes que exijam a superfcie do filme pouco rugosa.
As espessuras mdias obtidas para amostras de ITO/Si so prximas s esperadas, de
acordo com o grfico da taxa de deposio em funo de PRF, apresentado na seo 4.1.2.
Para as amostras de vidro, as espessuras tambm no se mostraram muito discrepantes, apesar
de se apresentarem, de forma geral, um pouco mais altas do que as de silcio. De acordo com
Chebotareva et al
94
, isto ocorre porque as ligaes qumicas do ITO, que so inicas, tm
uma maior afinidade com o substrato de vidro do que com o de silcio, geralmente resultando
em espessuras maiores para filmes depositados sobre vidro, mesmo que com processos
idnticos.
67
O erro absoluto da espessura (t) tende a aumentar com o aumento da espessura,

sugerindo que filmes mais finos tm uma melhor uniformidade. Para uma melhor
comparao, mostrado na Figura 22 o erro relativo da espessura (%t) e a espessura (t) em
funo do tempo de deposio para as amostras de ITO/Vidro. Apesar de t ser alto para
espessuras maiores, os valores mdios de t terem apresentado um padro bem linear.
800
7
700
6
5
500
400
ITO/Vidro
PRF = 75 W
300
Espessura (nm)
t relativo (%)
200
%t (%)
t (nm)
600
1
0
20
40
60
80
100
120
TD (min)
Figura 22 Espessura e erro relativo da espessura em funo do tempo de deposio para amostras de
ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
4.2.2. Elipsometria
A elipsometria foi feita apenas para as amostras depositadas sobre silcio, pois o
equipamento idealmente utilizado para medir filmes depositados sobre substratos
opticamente absorventes no comprimento de onda utilizado ( = 632,8 nm). Os resultados de
espessura (t), erro quadrtico relativo da espessura (%t) e ndice de refrao (n) para
amostras obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min so mostrados na Tabela 10.
De acordo com os resultados da elipsometria, nota-se que os valores de espessura e de
ndice de refrao das amostras esto dentro da faixa de valores esperada, confirmando a
reprodutibilidade dos resultados. Nota-se que n tende a aumentar com o aumento da
espessura, mas ainda assim fica em torno de 2.
68
Tabela 10 - Espessura e ndice de refrao obtidos por elipsometria das amostras de ITO/Si obtidas com
PRF = 75 W
Substrato
TD (min)
Substrato puro
30
60
90
120
Silcio
t (nm)
201,60,3
35513
48019
65027
%t (%)
0,1
3,6
3,8
4,1
n
3,85
1,94
2,05
2,33
2,28
Na Figura 23 so apresentados o erro relativo da espessura (%t) e a espessura (t) em

funo do tempo de deposio para as amostras de ITO/Vidro. Apesar de do erro quadrtico
absoluto (t) ser alto para espessuras maiores, os valores mdios de t terem apresentado um
padro bem linear. Os resultados obtiveram padro parecido com as amostras de ITO/Vidro,
mostrados na Figura 22.
700
600
3
t (nm)
400
%t (%)
500
ITO/Si
PRF = 75 W
300
Espessura (nm)
t relativo (%)
200
0
20
40
60
80
100
120
TD (min)
Figura 23 - Espessura e erro relativo da espessura em funo do tempo de deposio para amostras de
ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
So mostrados na Tabela 11 os valores de resistncia de folha (RS) obtidos pela prova

de quatro pontas e o valor da resistividade (), calculado por meio da eq.(5) (comentada na
seo 2.3.1.2) para amostra depositadas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min.
69
Tambm apresentado o erro quadrtico relativo das medidas de resistncia de folha (%RS).
Para o clculo de das amostras, foram utilizados os valores mdios de espessura e
resistncia de folha.
Tabela 11 - Resistncia de folha e resistividade das amostras de ITO/Si e ITO/vidro obtidas PRF = 75 W
Substrato
Vidro
Silcio
TD (min)
30
60
90
120
30
60
90
120
t (nm)
197
349
514
675
201,6
355
480
650
RS (/)
701
33,10,7
252
14,30,5
32,70,2
12,10,2
7,80,1
8,30,2
%RS (%)
1,4
2,1
8,0
3,4
0,6
1,6
1,2
2,4
(.cm)
1,4x10-3
1,2x10-3
1,2x10-3
9,6x10-4
6,6x10-4
4,3x10-4
3,7x10-4
5,4x10-4
Nota-se que as amostras ITO/vidro apresentaram valores de resistncia de folha e

resistividade mais elevados do que as de ITO/Si. Isto provavelmente devido alta
rugosidade do substrato, j que a condutividade eltrica dos filmes de ITO afetada
negativamente pelo espalhamento dos portadores em superfcies rugosas
95
. Sabe-se tambm
que impurezas metlicas contidas nos substratos de vidro podem se difundir para a camada de
ITO, aumentando a resistividade de filmes de ITO/vidro comparados a filmes depositados em
substratos mais puros
96
. Os resultados reforam a idia de que um substrato planarizado
apresentaria caractersticas melhores para os parmetros utilizados. Tambm possvel que

haja influncia do substrato de silcio nas medidas de RS.
Utilizando os valores da Tabela 11, so apresentados na Figura 24 os resultados de RS
para amostras de ITO/Si, para uma melhor visualizao dos resultados. Tambm mostrado o
erro quadrtico relativo das medidas de resistncia de folha (%RS), mostrando que filmes
com valores mais baixos de espessura tendem a apresentar valores de RS mais uniformes.
Percebe-se que RS tende a diminuir com o aumento da espessura at valores prximos
de t = 500 nm. Para espessuras maiores, RS tende a permanecer com um valor constante. Em
consequncia, tende a diminuir suavemente (levando em considerao que o range de
variao do valor de pequeno em relao ao range de variao de RS) apenas at este valor
de espessura, como mostrado no grfico da Figura 25.
70
35

RS relativo (%)
30
3
20
15
ITO/Si
PRF = 75 W
%RS (%)
RS (/sq)
25
10
5
200
300
400
500
0
700
600
t (nm)
Figura 24 Resistncia de folha e erro relativo da resistncia de folha em funo do tempo de deposio
para amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
-4
7.0x10
Resistividade
-4
6.5x10
ITO/Si
PRF = 75 W
-4
6.0x10
(.cm)
-4
5.5x10
-4
5.0x10
-4
4.5x10
-4
4.0x10
-4
3.5x10
200
300
400
500
600
700
t (nm)
Figura 25 Resistividade das amostras de ITO/Si com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
O grfico de RS e %RS em funo da espessura para amostras de ITO/Vidro

apresentado na Figura 26, e para as mesmas amostras mostrada na Figura 27. Os
resultados demonstraram quase os mesmos padres das amostras de ITO/Si, a no ser pelo
fato de que no chegou ao ponto de aumentar. Provavelmente, se amostras com espessuras
maiores fossem obtidas, o mesmo fenmeno ocorreria devido estabilizao de RS.
71
75
10

RS relativo (%)
70
65
60
55
RS (/sq)
45
ITO/Vidro
PRF = 75 W
40
35
%RS (%)
50
30
25
20
15
1
10
200
300
400
500
600
700
t (nm)
Figura 26 - Resistncia de folha e erro relativo da resistncia de folha em funo do tempo de deposio
para amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
-3
1.4x10
Resistividade
-3
1.4x10
ITO/Vidro
PRF = 75 W
-3
1.3x10
-3
1.3x10
-3
(.cm)
1.2x10
-3
1.2x10
-3
1.1x10
-3
1.1x10
-3
1.0x10
-3
1.0x10
-4
9.5x10
-4
9.0x10
200
300
400
500
600
700
t (nm)
Figura 27 - Resistividade das amostras de ITO/Si com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
4.2.4. Microanlise
So apresentados na Tabela 12 os resultados de porcentagem atmica em funo da

espessura (t) para as amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120
min, mostrando a porcentagem de oxignio (O), ndio (In) e estanho (Sn) na composio dos
filmes. A Figura 28 mostra graficamente os resultados.
72
Tabela 12 Porcentagem atmica dos filmes de ITO/Si obtidos com PRF = 75 W e TD variando de
30 a 120 min
Substrato
TD (min)
30
60
90
120
Silcio
t (nm)
201,6
355
480
650
O (%)
77,3
67,8
65,7
67,1
In (%)
20,8
28,7
30,8
30,3
Sn (%)
1,9
3,5
3,5
2,6
80
70
60
50
ITO/Si
PRF = 75 W
O
In
Sn
40
30
20
10
0
200
300
400
500
600
700
t (nm)
Figura 28 Porcentagem atmica em funo da espessura para amostras de ITO/Si obtidas com
PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
Nota-se que a amostra obtida a PRF = 75 W e TD = 30 min (em processo idntico

amostra obtida na primeira srie de deposies) obteve resultado muito parecido com o
apresentado na seo 4.1.4 para a amostra correspondente. Com o aumento da espessura, o
filme tende a apresentar mais metais (In e Sn) em sua composio, similarmente ao que
aconteceu com o aumento da PRF no processo anterior. A partir da amostra de t = 480 nm, a
porcentagem atmica pareceu estabilizar, mudando pouco com o aumento da espessura.
Talvez por isso a resistividade dos filmes passe a aumentar aps esta espessura para as
amostras de ITO/Si, como foi apresentado na Figura 25, da seo 4.2.3.
Os resultados da porcentagem de oxignio nos filmes se mostrou similar aos
resultados da resistncia de folha (RS), tambm apresentados na seo 4.2.3 (Figura 24),
mostrando que a quantidade de oxignio na composio do filme influencia diretamente as
caractersticas eltricas das amostras.
73
4.2.5. Efeito Hall
Na Tabela 13, so apresentados os valores de densidade de portadores (N) e

mobilidade de portadores () para as amostras de ITO/vidro.
Tabela 13 - Densidade e mobilidade de portadores das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e
TD variando de 30 a 120 min
Substrato
Vidro
TD (min)
30
60
90
120
t (nm)
197
349
514
675
N (cm-3)
3,2x1020
2,3x1020
2,9x1020
8,9x1019
(cm2/V.s)
10,4
17,9
13,9
56,4
Os valores de N e afetam diretamente a condutividade do material, de acordo com a

eq.(1). Pela anlise dos resultados, observa-se que o aumento da espessura, em geral, favorece
a mobilidade e prejudica a concentrao de portadores. O aumento de N no favorecido por
baixas espessuras, possivelmente pela quantidade elevada de oxignio que se incorpora ao
filme durante a deposio. No entanto, este padro no seguido to diretamente.
favorecida pela diminuio da concentrao devido maior facilidade de movimentao dos
portadores, mas no a ponto de compensar as perdas causadas na condutividade.
Os valores de se mostraram anlogos melhora da cristalinidade do filme,
aumentando muito com o surgimento do pico (400) para a amostra obtida com TD = 120 min,
como ser comentado na seo 4.2.6. No entanto, o filme ainda parece estar na fase amorfa
em sua maior parte. Uma melhora na cristalinidade do material provavelmente favoreceria as
medidas de efeito Hall, pois permitiria que a concentrao de portadores aumentasse com a
ativao dos dopantes sem prejudicar tanto a mobilidade, que seria favorecida pela reduo do
espalhamento de portadores por defeitos.
74
3.5x10
20
70
-3
-3
3.0x10
20
60
2.5x10
20
50
2.0x10
20
1.5x10
20
1.0x10
20
5.0x10
19
40
(cm /V.s)
N (cm )
Densidade de portadores (cm )

2
Mobilidade de portadores (cm /V.s)
ITO/Vidro
PRF = 75 W
30
20
10
200
300
400
500
600
700
t (nm)
Figura 29 Densidade (N) e mobilidade () de portadores das amostras de ITO/Vidro obtidas com
PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
4.2.6. Difrao de Raios-X
Na Figura 30 apresentado o grfico de intensidade em funo do ngulo 2 obtido

pela anlise de difrao de raios-X para as amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD
variando de 30 a 120 min.
ITO/Si
PRF = 75 W
In
(101)
TD = 30 min
TD = 60 min
TD = 90 min
Intensidade (u.a.)
TD = 120 min
t = 201,6 nm
t = 355 nm
t = 480 nm
In2O3
(400)
t = 650 nm
20
25
30
35
40
45
50
2 ()
Figura 30 - Difrao de raios-X das amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD variando de
30 a 120 min
75
Pela anlise do grfico, percebe-se o mesmo pico (101) de ndio metlico em 2 33,
discutido na seo 4.1.5, apenas para as amostras obtidas com TD = 30 e 60 min. Nota-se que
a intensidade do pico (101) diminui com o aumento de TD . Isto provavelmente devido ao
aumento da temperatura do processo (de acordo com a Tabela 3), que facilita a oxidao do
ndio metlico. Para TD = 90 min, no foi observado nenhum pico de difrao (apenas uma
banda amorfa), e para TD = 120 min, observado apenas o pico em 2 = 35,4, associado ao
plano (400) de In2O3, indicando orientao preferencial ao longo da direo [100].
Logo, o aumento da espessura favorece a cristalinidade de filmes de ITO obtidos com
uma PRF fixa. Segundo Kim et al
97
, isto ocorre porque, na interface com o substrato,
formado um filme de ITO de estrutura amorfa, e apenas aps uma espessura crtica, a fase
cristalina se desenvolve no topo da fase amorfa. Essa espessura crtica depende das condies
em que os filmes foram depositados, tendendo a diminuir com o aumento da temperatura de
processo e potncia empregada.
O grfico de intensidade em funo do ngulo 2 obtido pela anlise de difrao de
raios-X para a amostra de ITO/vidro obtida com TD = 120 min mostrado na Figura 31.
ITO/Vidro
ITO/Si
PRF = 75 W
Intensidade (u.a.)
TD = 120 min
In2O3
(400)
t = 675 nm
t = 650 nm
20
25
30
35
40
45
50
2 ()
Figura 31 - Difrao de raios-X das amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD = 120 min
Para comparao, foi apresentado tambm o espectro da amostra obtida em silcio com
as mesmas condies de processo (que j havia sido apresentado na Figura 30, mas com
escala diferente). Os filmes de ITO/vidro com espessuras menores no apresentaram nenhum
pico, apenas a banda amorfa caracterstica, e por isso no foram apresentados.
76
Atravs da observao do grfico, nota-se que as amostras apresentam apenas uma

larga banda, tpica de filmes amorfos de ITO 98, indicando que a fase amorfa existe para estas
condies de deposio, independente do substrato. Para as duas amostras, possvel observar
o pico (400) de In2O3, porm com intensidades diferentes. Isto indica que h mais cristalitos
orientados na direo [100] para o filme de ITO/Si, mostrando que o filme se torna cristalino
mais facilmente quando depositado sobre silcio.
Gao et al
99
reportou que filmes de ITO depositados em temperatura ambiente sobre
substratos de vidro necessitam de espessuras maiores para se tornarem policristalinos do que

filmes depositados sobre silcio, usando os mesmos parmetros de deposio. Shigesato et
al 100 depositou filmes de ITO por DC magnetron sputtering em vidro utilizando parmetros
semelhantes aos usados nestas amostras, e conseguiu estruturas policristalinas para amostras
com espessuras a partir de 170 nm, com melhoras na cristalinidade conforme o aumento da
espessura (170-330 nm). A alta rugosidade do substrato de vidro em relao do silcio uma
possvel causa pela qual a cristalizao do filme se torna mais difcil.
Portanto, conclui-se que energias e espessuras mais altas so necessrias para a
formao de filmes policristalinos de ITO sobre substratos de vidro.
4.2.7. Curvas I-V
-3
2.0x10
ITO/Si
PRF = 75 W
0.0
Corrente (A)
-3
-2.0x10
TD = 30 min
TD = 60 min
-3
-4.0x10
TD = 90 min
TD = 120 min
-3
-6.0x10
-3
-8.0x10
-2
-1.0x10
-2
-1
Tenso (V)
Figura 32 Curvas I-V das amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
77
O contato entre ITO e um semicondutor pode ser caracterizado como hmico ou

retificador. Contatos hmicos so definidos como contatos metal-semicondutor, com curva
I-V linear. Neste tipo de contato, a corrente flui em ambas as direes. O contato retificador,
tambm conhecido como contato Schottky, corresponde ao contato no qual a corrente apenas
flui em uma direo 101.
Saim et al
102
utilizou contatos retificadores de ITO/p-Si para a fabricao de clulas
solares de heterojuno, onde o ITO atua como material tipo n e camada antirrefletora . Sueva
et al
103
fabricou diodos ITO/p-Si para atuarem como detector de nutron. No entanto, h
relatos de trabalhos, como os de Malik et al 104 e Ashok et al 105, que fabricaram diodos com a
estrutura ITO/n-Si. O tipo de contato formado, portanto, depende do mtodo e dos parmetros
de deposio empregados.
Para as amostras obtidas com PRF = 75 W, o comportamento dos contatos ITO/p-Si
parecido com o de um diodo de juno, onde a corrente flui em apenas uma direo.
observada uma grande variao na resistncia de acordo com a tenso aplicada. Portanto,
observado um contato retificador. Como a tenso aplicada pela camada de ITO (de acordo
com a Figura 14, da seo 3.2.3), os diodos tendem a conduzir com a aplicao de tenso
negativa. No entanto, no h um padro definido nas curvas obtidas em funo do tempo de
deposio empregado.
4.2.8. Transmitncia ptica
O grfico da porcentagem de transmitncia ptica (%T) em funo do comprimento de

onda () e o clculo da porcentagem de transmitncia mdia (%Ta) no espectro visvel
(380 < < 750 nm) das amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a
120 min so mostrados na Figura 33. Foram apresentados apenas os espectros relativos aos
filmes de ITO, sendo que as perdas por absoro e reflexo devidas ao substrato foram
subtradas do grfico. Se tivessem sido consideradas, as perdas causadas pelo substrato de
vidro ptico causam uma reduo de aproximadamente 10 % na %T das amostras, para o
espectro visvel.
Tambm possvel notar que a borda de absoro ptica baixa, se comparada a
trabalhos anteriores de amostras amorfas
51
. Isto indica que os filmes possuem boa
78
transmitncia para baixos valores de no espectro visvel, e sugere que os valores de Eopt
destas amostras sejam altos, comparveis aos de filmes policristalinos.
100
%T (%)
80
t = 197 nm
ITO/Vidro
PRF = 75 W
60
t = 349 nm
t = 514 nm
t = 675 nm
40
%Ta (30 min) = 86,8 %
TD = 30 min
%Ta (60 min) = 82,7%
TD = 60 min
%Ta (90 min) = 82,4%
20
%Ta (120 min) = 78,7 %
TD = 90 min
TD = 120 min
0
400
600
800
1000
1200
1400
(nm)
Figura 33 Porcentagem de transmitncia ptica (%T) em funo do comprimento de onda () das

amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min, assim como a
transmitncia mdia (%Ta) calculada para o espectro visvel (380 < < 750 nm)
Na Figura 34, so apresentados os resultados de porcentagem de transmitncia mdia

no espectro visvel (%Ta), considerando a faixa 380 < < 750 nm, em funo da espessura (t).
Para comparao, foram tambm apresentados os dados de resistividade ().
88
Trasmitncia mdia (%)

Resistividade (.cm)
1.4x10
-3
1.3x10
-3
1.2x10
-3
1.1x10
-3
1.0x10
-3
9.0x10
-4
86
%Ta (%)
82
80
78
200
300
400
500
600
(.cm)
84
700
t (nm)
Figura 34 Porcentagem de transmitncia mdia no espectro visvel (%Ta) em funo da espessura (t), em
comparao com a resistividade () das amostras obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min
79
Nota-se que a transmitncia mdia tende a decrescer com o aumento da espessura. No

entanto, o decrscimo provavelmente seria maior caso os filmes no tendessem a incorporar
menos oxignio sua composio com o aumento da espessura, como foi discutido na seo
4.2.4. Os grficos de %Ta e apresentam padres muito parecidos, confirmando o conceito de
que altos valores de transmitncia, de forma geral, resultam em piores caractersticas eltricas.
A partir do grfico de %T, foram obtidos os grficos do coeficiente de absoro (),
mostrado na Figura 35, e do coeficiente de extino (), mostrado na Figura 36, de acordo
com as equaes (7) e (8) comentadas na seo 2.3.1.5.
4.2.8.1.
A partir da observao da Figura 35, percebe-se que coeficiente de absoro () da

amostra TD = 30 min apresenta-se bem mais elevado do que o das outras amostras, sendo que
a tendncia diminuir com o aumento da espessura.
30000
550(30 min) = 11703 cm
25000
-1
(cm )
20000
-1
TD = 30 min
550(60 min) = 1584 cm
-1
TD = 60 min
550(90 min) = 1215 cm
-1
TD = 90 min
550(120 min) = 942 cm
-1
TD = 120 min
15000
ITO/Vidro
PRF = 75 W
10000
5000
0
400
600
800
1000
1200
1400
(nm)
Figura 35 - Grfico do coeficiente de absoro () em funo do comprimento de onda () para as

amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min, destacando para 550 nm
Isto no condizente com o conceito de que maiores espessuras geram maior absoro
nos filmes de ITO, mesmo que, para = 550 nm (ponto do espectro de luz visvel de maior
sensibilidade do olho humano), o valor de %Ta seja mais alto para amostra de TD = 30 min. O
80
resultado tambm no condiz com a provvel quantidade de oxignio das amostras,

mostrando menor absoro para a amostra de menor TD que, de acordo com os resultados
anteriores (seo 4.2.4), produz filmes com maior concentrao de oxignio. Isto indica que,
neste trabalho, o espalhamento ptico causado por caminhos pticos mais longos de acordo
com o aumento da espessura o principal motivo pelo qual o valor de %Ta se mostra
decrescente em relao ao aumento de t.
4.2.8.2.
Analisando a Figura 36, nota-se que os valores de para filmes obtidos com os
parmetros apresentados no passam de 0,1 para o espectro visvel, justificando as medidas do
ndice de refrao feitas por elipsometria, que considera apenas a parte real. Como esperado,
os valores de para a amostra de TD = 30 min mantiveram-se mais elevados, devido sua
maior absoro ptica. No entanto, todos os filmes apresentam coeficientes de extino
tpicos de filmes transparentes.
0.20
TD = 30 min
550(30 min) = 0,051
TD = 60 min
550(60 min) = 0,007
0.15
TD = 90 min
550(90 min) = 0,005
TD = 120 min
550(120 min) =0,011

0.10
ITO/Vidro
PRF = 75 W
0.05
0.00
400
600
800
1000
1200
1400
(nm)
Figura 36 - Grfico do coeficiente de extino () em funo do comprimento de onda para as amostras de

ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min, destacando para 550 nm
81
4.2.8.3.
Band gap ptico
O band gap ptico das amostras de ITO/vidro, apresentado na Figura 37, foi obtido
atravs da extrapolao da reta presente no grfico da absorbncia em funo da energia (E).
De acordo com a borda de absoro observada no grfico de %T das amostras (Figura 33),
esperava-se que os valores de Eopt aumentassem com a espessura. Isto de fato foi observado.
Absordncia ptica
TD = 30 min
TD = 60 min
TD = 90 min
TD = 120 min
Eopt = 4,02 eV
ITO/Vidro
PRF = 75 W
1
Eopt = 3,58 eV
Eopt = 3,37 eV
Eopt = 3,26 eV
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
E (eV)
Figura 37 - Absorbncia ptica em funo da energia (E) das amostras de ITO/vidro obtidas com
PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min, com a indicao do band gap ptico obtido pela extrapolao
da reta
A densidade de portadores, que tendeu a cair com o aumento da espessura, tambm

pode ter proporcionado uma vantagem no Eopt para amostras de menor espessura devido ao
efeito Burstein-Moss.
Para filmes amorfos (comparados a filmes cristalinos de espessuras similares),
geralmente Eopt apresenta valores menores devido aos defeitos presentes, que aumentam a
borda de absoro ptica e diminuem e a transmitncia para comprimentos de onda prximos
aos do ultravioleta. No entanto, todos os valores de Eopt encontram-se condizentes com a
literatura, apresentando valores altos.
No geral, os valores de Eopt aumentam de acordo com o aumento de %Ta, sugerindo
que filmes que possuem altos valores de Eopt tenham melhores caractersticas pticas. Isto
tambm pode ser observado neste experimento.
82
As figuras de mrito () das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e TD

variando de 30 a 120 min, obtidas atravs da eq.(20) (descrita na seo 2.3.2), so
apresentadas na Tabela 14, juntamente com os parmetros utilizados para o clculo. Os
parmetros so resistncia de folha (RS) e transmitncia mdia no espectro visvel (Ta).
Tambm h uma coluna com os valores de Ta j elevados dcima potncia (Ta10), para
comparao. notvel que, apesar de mais baixos, os valores de Ta10 apresentam variao
muito maior, se comparados aos de Ta. Isto possibilita que os valores eltricos (RS) e pticos
(Ta10) utilizados no clculo tenham importncia similar na figura de mrito.
Tabela 14 - Figura de mrito das amostras de ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a
120 min, juntamente com os parmetro utilizados no clculo
Substrato
TD (min)
30
60
90
120
Vidro
Rs (/)
70
33,1
25
14,3
Ta10
0,243
0,150
0,144
0,091
Ta
0,868
0,827
0,824
0,787
(-1)
3,47x10-3
4,53x10-3
5,76x10-3
6,36x10-3
Os valores de tenderam a aumentar proporcionalmente ao aumento da espessura das

lminas, como apresentado graficamente na Figura 38.
-3
-1
Figura de mrito ( )
6.5x10
-3
6.0x10
-3
-1
( )
5.5x10
-3
5.0x10
-3
4.5x10
ITO/Vidro
PRF = 75 W
-3
4.0x10
-3
3.5x10
-3
3.0x10
200
300
400
500
600
700
t (nm)
Figura 38 Figura de mrito das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a
120 min
83
Levando em considerao apenas dois dos principais parmetros pticos e eltricos,

conclui-se que a amostra obtida com TD = 120 min possui caractersticas melhores para ser
utilizada como eletrodo transparente.
No entanto, vlido lembrar que, por ser um clculo simples que envolve apenas dois
parmetros, no deve ser considerado um dado decisivo para a escolha da melhor amostra,
e sim ser analisado como referncia.
4.3. Deposio de ITO sobre vidro e ITO sobre silcio com potncia RF variando de
100 a 200 W
Sero discutidos aqui os resultados da caracterizao das lminas obtidas com PRF
variando de 100 a 200 W a partir dos processos de deposio descritos na seo 3.1.2.3, com
o intuito de analisar a influncia de altas potncias nas caractersticas dos filmes. Para amostra
de ITO/Si, anlises de propriedades eltrica, qumica e de elipsometria foram feitas. Para as
amostras de ITO/vidro, a caracterizao ptica foi mais detalhada devido transparncia do
substrato.
So mostrados na Tabela 15 os resultados da anlise de perfilometria realizado nas

amostras de ITO/Si e ITO/vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W. A tabela mostra a
espessura (t), a rugosidade mdia (RA) e a rugosidade pico-vale (RPV).
Os tempos de deposio, que foram calculados de acordo com o grfico apresentado
na Figura 16 (seo 4.1.2), indicavam que os filmes teoricamente teriam espessuras em torno
de 300 nm. Isto de fato ocorreu para as amostras de ITO/Si, com exceo da amostra obtida a
PRF = 150 W. O desvio da espessura foi atribudo a erros no processo de deposio, e no
PRF aplicada.
No entanto, para as amostras de ITO/Vidro, todas os filmes obtiveram espessuras em

torno de 400 nm. Isto pode ocorrer porque as ligaes qumicas do ITO, que so inicas, tm
uma maior afinidade com o substrato de vidro do que com o de silcio, geralmente resultando
84
em espessuras maiores para filmes depositados sobre vidro, mesmo que com processos
idnticos 94. Apesar de o resultado ter se apresentado diferente do esperado, o objetivo do
experimento era obter valores similares de t para as amostras obtidas sobre o mesmo
substrato, o que no foi muito comprometido.
Tabela 15 Espessura, rugosidade mdia e rugosidade pico-vale das amostras de ITO/Si e ITO/Vidro
obtidas com PRF variando de 100 a 200 W
Substrato
Vidro
Silcio
PRF (W)
Substrato puro
100
125
150
175
200
Substrato puro
100
125
150
175
200
t (nm)
39019
41021
38019
42015
41020
29016
30021
2579
29013
31012
RA (nm)
5,50,1
3,10,4
3,00,3
3,40,4
4,30,5
4,10,3
1,8
2,00,3
2,20,2
1,90,1
2,20,3
2,50,1
RPV (nm)
28,90,8
251
212
222
252
291
7,2
111
121
141
141
161
Para as amostras de ITO/Si, os valores de rugosidade tenderam a aumentar

discretamente com o aumento da PRF, apesar de o padro no estar bem definido. Isto
observado especialmente para RPV. Isto pode estar atribudo mudana das caractersticas
estruturais das amostras de acordo com o aumento de PRF.
4.3.2. Elipsometria
A elipsometria foi feita apenas para as amostras depositadas sobre silcio, pois o
equipamento idealmente utilizado para medir filmes depositados sobre substratos
opticamente absorventes no comprimento de onda utilizado ( = 628 nm). Os resultados de
espessura (t), erro quadrtico absoluto da espessura (t) e ndice de refrao (n) para amostras
obtidas com PRF variando de 100 a 200 W so mostrados na Tabela 16. Observa-se que os
valores de n no se apresentam dependentes da PRF aplicada. Como foi observado
anteriormente (seo 4.2.2), os valores de n parecem aumentar com o aumento da espessura,
mas no tendem a variar muito.
85
Tabela 16 - Espessura e ndice de refrao obtidos por elipsometria das amostras de ITO/Si obtidas com
Substrato
Silcio
PRF (W)
Substrato puro
100
125
150
175
200
t (nm)
30015
30017
2434
3089
3279
n
3,85
2,30
2,22
2,03
2,27
2,35
Na Tabela 17 so mostrados os valores de resistncia de folha (RS) obtidos pela prova

de quatro pontas e o valor da resistividade (), calculado por meio da eq.(5) (comentada na
seo 2.3.1.2) para amostra depositadas com PRF = 75 W e TD variando de 30 a 120 min. Para
o clculo de das amostras, foram utilizados os valores mdios de espessura e resistncia de
folha. A Figura 39 mostra os resultados de RS e para as amostras de ITO/Vidro, e a
Figura 40 mostra os mesmos resultados para amostras de ITO/Si.
Espera-se que o valor da resistividade dos filmes diminua conforme a PRF aumenta,
pois possveis estruturas cristalinas dos filmes de ITO so beneficiadas por potncias mais
altas
90
. Tambm foi observada a tendncia de menor incorporao de oxignio em filmes
depositados a potncias altas (seo 4.1.4).
Tabela 17 Resistncia de folha e resistividade das amostras de ITO/Vidro e ITO/Si obtidas com PRF
variando de 100 a 200 W
Substrato
Vidro
Silcio
PRF (W)
100
125
150
175
200
100
125
150
175
200
t (nm)
390
410
380
420
410
300
300
243
308
327
RS (/)
29,70,3
9,30,2
8,50,2
8,00,2
7,510,06
10,240,04
7,250,03
7,280,04
7,130,03
6,400,08
(.cm)
1,2x10-3
3,8x10-4
3,2x10-4
3,4x10-4
3,1x10-4
3,1x10-4
2,2x10-4
1,8x10-4
2,2x10-4
2,1x10-4
Os valores de RS e se mostraram muito parecidos, devido similaridade da espessura

das amostras. Para os filmes de ITO/Vidro, houve uma grande melhora nas caractersticas
86
eltricas a partir de PRF = 125 W, que se manteve relativamente estvel para potncias mais
altas. Para as amostras de ITO/Si, os resultados foram mais uniformes, mas mantiveram o
mesmo padro. Esta anlise sugere que, do ponto de vista eltrico, energias maiores (aumento
da PRF e, consequentemente, da temperatura do substrato) so favorveis para deposies de
filmes de ITO sobre vidro, pois possvel que, nestas condies, haja menor influncia da
rugosidade do substrato nas caractersticas eltricas.
Estes resultados reforam que as caractersticas eltricas da amostra de ITO/Si obtida
com PRF = 100 W na primeira srie de deposies (discutidas na seo 4.1.3) no se
mostraram condizentes com o padro obtido na literatura e nas outras amostras deste trabalho.
35

Resistividade (.cm)
30
20
ITO/Vidro
t 400 nm
-3
1.0x10
-3
8.0x10
-4
6.0x10
-4
4.0x10
-4
2.0x10
-4
15
(.cm)
RS (/sq)
25
1.2x10
10
0
100
120
140
160
180
200
PRF (W)
Figura 39 Resistncia de folha e resistividade em funo da PRF para amostras de ITO/Vidro obtidas
com PRF variando de 100 a 200 W
87
11
-4
3.0x10
-4
2.5x10
-4
2.0x10
-4
1.5x10
-4

Resistividade (.cm)
10
(.cm)
ITO/Si
t 300 nm
RS (/sq)
3.5x10
6
100
120
140
160
180
200
PRF (W)
Figura 40 - Resistncia de folha e resistividade em funo da PRF para amostras de ITO/Si obtidas com
4.3.4. Microanlise
Na Tabela 18 so apresentados os resultados de porcentagem atmica em funo da

PRF aplicada para as amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de 100 a 200 W,
mostrando a porcentagem de oxignio (O), ndio (In) e estanho (Sn) na composio dos filmes
de ITO/Si obtidos com PRF variando de 100 a 200 W. A anlise foi feita apenas para amostras
depositadas sobre silcio devido maior pureza do substrato. A Figura 41 mostra
graficamente os resultados.
Como havia sido observado anteriormente (seo 4.1.4), a incorporao de oxignio
tende a decrescer e a incorporao dos metais tende a crescer com o aumento da PRF aplicada.
No entanto, a variao muito mais discreta para estas potncias, e a partir de PRF = 150 W,
os valores tendem a estabilizar. Isto sugere que as mudanas nas caractersticas eltricas e
pticas dos filmes a partir de uma PRF crtica (prxima de 150 W, para estas amostras)
ocorrem principalmente por fatores estruturais dos filmes ou pelo tipo de ligaes qumicas
formada.
88
Tabela 18 Porcentagem atmica das amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de 100 a 200 W
Substrato
PRF (W)
100
125
150
175
200
Silcio
t (nm)
300
300
243
308
327
O (%)
67,7
69,0
64,8
65,3
65,3
In (%)
29,4
28,3
31,9
31,6
31,7
Sn (%)
2,9
2,7
3,3
3,1
3,0
70
60
ITO/Si
t 300 nm
O
In
Sn
50
40
30
20
10
0
100
125
150
175
200
PRF (W)
Figura 41 - Porcentagem atmica das amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de 100 a 200 W
4.3.5. Efeito Hall
Na Tabela 19, so apresentados os valores de densidade de portadores (N) e

mobilidade de portadores () para as amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF variando de 100
a 200 W.
Tabela 19 Densidade e mobilidade de portadores das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF variando
de 100 a 200 W
Substrato
Vidro
PRF (W)
100
125
150
175
200
t (nm)
390
410
380
420
410
N (cm-3)
6,6x1020
4,4x1021
3,9x1021
2,3x1021
1,3x1021
(cm2/V.s)
12,4
10,3
12,7
20,0
21,3
89
5.5x10
21
5.0x10
21
4.5x10
21
4.0x10
21
3.5x10
21
3.0x10
21
2.5x10
21
2.0x10
21
1.5x10
21
1.0x10
21
5.0x10
20
24
-3
22
20
18
16
(cm /V.s)
N (cm )
-3
Densidade de portadores (cm )

2
Mobilidade de portadores (cm /V.s)
14
12
ITO/Vidro
t 400 nm
100
120
140
160
180
10
200
PRF (W)
Figura 42 - Densidade e mobilidade de portadores das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF variando
de 100 a 200 W
Percebe-se que, com exceo da amostra obtida com PRF = 125 W, as amostras
tendem a apresentar valores de mobilidade mais altos com o aumento da PRF. Isto est ligado
melhora na cristalinidade do material, favorecendo a mobilidade pela reduo do
espalhamento de portadores por defeitos nos filmes. Isto ser observado na seo 4.3.6. Os
valores de N tenderam a ser contrrios aos de , resultando em resistividades similares.
4.3.6. Difrao de Raios-X
Na Figura 43 e na Figura 44 so apresentados os grficos de intensidade em funo do

ngulo 2 obtido pela anlise de difrao de raios-X para as amostras de ITO/Si obtidas com
PRF variando de 100 a 200 W e tambm da amostra de ITO/Vidro com PRF = 200 W.
Pela anlise do grfico, percebe-se o mesmo pico (101) de ndio metlico em 2 33,
discutido na seo 4.1.5, apenas para as amostras de ITO/Si obtidas com at 175 W. Isto
refora a idia de que potncias maiores tendem a pulverizar molculas do material do alvo, e
no tomos individualmente. De forma geral, pode-se notar que a intensidade do pico (101)
diminui com o aumento da PRF.
Para todas as amostras observado o pico em 2 = 35,4, associado ao plano (400) de
In2O3, indicando orientao preferencial ao longo da direo [100].
90
Para a amotra de ITO/Si obtida com PRF = 200 W, tambm possvel observar o
surgimento do pico (222) em 2 = 30,5, tambm muito encontrado na literatura, indicando
orientao ao longo da direo [111]. Tambm para esta amostra, a intensidade do pico de
ndio metlico muito baixa, e a banda amorfa presente tem sua intensidade muito reduzida,
indicando que a maior parte do filme se encontra em estado policristalino.
Outros dois picos, (411) e (211) foram observados para as amostras de ITO/Si, mas
no se mostraram condizentes com o aumento da PRF.
A amostra de ITO/Vidro apresenta apenas o pico de baixa intensidade (400) e uma
banda amorfa, indicando que maior parte do filme ainda se encontra em estado amorfo. Isto
condiz com os resultados obtidos anteriormente para amostras de ITO/Vidro, que mostram
uma grande dificuldade de cristalizao, provavelmente devido alta rugosidade do substrato.
In2O3
Intensidade (u.a)
(400)
In2O3
t 400 nm
In2O3
(211)
ITO/Vidro - 200 W
ITO/Si - 200 W
ITO/Si - 175 W
In2O3
(222)
(411)
t 300 nm
In
(101)
t 300 nm
20
25
30
35
40
45
50
2 ()
Figura 43 Difrao de raios-X das amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 175 W e 200 W e ITO/Vidro
obtida com PRF = 200 W
91
ITO/Si
t 300 nm
In2O3
In
(101) (400)
In2O3
Intensidade (u.a)
In2O3
(411)
(211)
20
150 W
125 W
100 W
25
30
35
40
45
50
2 ()
Figura 44 - Difrao de raios-X das amostras de ITO/Si obtidas com PRF = 100, 125 e 150 W
4.3.7. Curvas I-V
Na Figura 45 apresentado o grfico de curvas I-V para as amostras de ITO/Si obtidas

com PRF variando de 100 a 200 W. Os contatos de ITO/p-Si tenderam a se tornar hmicos
com o aumento da PRF, mas este padro no observado linearmente. Os resultados tambm
no se mostram anlogos aos de densidade de portadores, apresentados na seo 4.3.5.
Como j havia sido discutido na seo 4.2.7, ainda no claro o comportamento dos
contatos de ITO/p-Si, havendo grandes variaes nos trabalhos encontrados na literatura, e
com grande dependncia no mtodo e nos parmetros de deposio empregados. Para este
trabalho, potncias de 75 W se mostraram eficientes para fabricar contatos retificadores de
ITO/p-Si, mas no potncias mais altas.
92
-2
1.0x10
PRF = 100W
PRF = 125W
-3
Corrente (A)
5.0x10
PRF = 150W
PRF = 175W
PRF = 200W
0.0
ITO/Si
t 300 nm
-3
-5.0x10
-2
-1.0x10
-2
-1
Tenso (V)
Figura 45 - Curvas I-V das amostras de ITO/Si obtidas com PRF variando de 100 a 200 W

onda () das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W mostrado na
Figura 46. Foram plotados apenas os espectros relativos aos filmes de ITO, sendo que as
perdas por absoro e reflexo devidas ao substrato foram subtradas do grfico. Se tivessem
sido consideradas, as perdas causadas pelo substrato de vidro ptico causariam uma reduo
de aproximadamente 10% na %T das amostras, para o espectro visvel.
Nota-se que a transmitncia ptica tende a diminuir no espectro visvel com o aumento
da PRF, mesmo com os filmes tendo porcentagens atmicas parecidas. Isto sugere que
energias maiores causem mais absoro nos filmes, mesmo para espessuras e porcentagem
atmicas similares. Uma possvel causa para o padro observado que haja mais ligaes
metlicas nos filmes obtidos com PRF mais altas, pois as amostras se tornaram visivelmente
mais acinzentadas de acordo com o aumento da PRF.
A partir do grfico de %T, foram obtidos os grficos do coeficiente de absoro (),
mostrado na Figura 46, e do coeficiente de extino (), mostrado na Figura 47, de acordo
com as equaes (7) e (8) comentadas na seo 2.3.1.5.
93
100
ITO/Vidro
t 400 nm
%T (%)
80
60
40
%Ta (100 W) = 82,6 %
PRF = 100 W
%Ta (125 W) = 75,9 %
PRF = 125 W
%Ta (150 W) = 70,3 %
PRF = 150 W
%Ta (175 W) = 70,2 %
20
%Ta (200 W) = 66,6 %
PRF = 175 W
PRF = 200 W
0
400
600
800
1000
1200
1400
(nm)
Figura 46 - Porcentagem de transmitncia ptica (%T) em funo do comprimento de onda () das

amostras de ITO/vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W, assim como a transmitncia mdia
(%Ta) calculada para o espectro visvel (380 < < 750 nm)
4.3.8.1.
Observando a Figura 47, percebe-se uma maior absoro ptica para potncias mais
altas, independentemente da espessura do filme. Isto indica que o aumento da energia de
deposio causou maior absoro ptica neste trabalho, mesmo com resultados de
porcentagem atmica parecidos. Como foi discutido na seo anterior, apesar de a
porcentagem atmica das amostras serem semelhantes, talvez haja mais ligaes metlicas
nas amostras de maior PRF, o que contribui para o aumento da absoro ptica dos filmes.
94
30000
100 W
125 W
150 W
175 W
200 W
-1
550100 W = 4231 cm
-1
550125 W = 4192 cm
25000
-1
550150 W = 8550 cm
-1
550175 W = 9487 cm
20000
-1
(cm )
-1
550200 W = 12821 cm
15000
10000
5000
ITO/Vidro
t 400 nm
0
400
600
800
1000
1200
1400
(nm)
Figura 47 - Grfico do coeficiente de absoro () em funo do comprimento de onda () para as

amostras de ITO/vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W, destacando para 550 nm
4.3.8.2.
0.20
550100 W = 0,019
550125 W = 0,018
0.15
ITO/Vidro
t 400 nm
550150 W = 0,037
550175 W = 0,042
550200 W = 0,056
0.10
100 W
125 W
150 W
175 W
200 W
0.05
0.00
400
600
800
1000
1200
1400
(nm)
Figura 48 - Grfico do coeficiente de extino () em funo do comprimento de onda para as amostras de

ITO/vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W, destacando para 550 nm
95
Analisando a Figura 48, nota-se que os valores de para filmes obtidos com os
parmetros apresentados no passam de 0,1 para o espectro visvel, justificando as medidas do
ndice de refrao feitas por elipsometria, que considera apenas a parte real.
Como esperado, os valores de para a amostras obtidas com PRF maiores mantiveramse mais elevados, devido sua maior absoro ptica. No entanto, todos os filmes apresentam
coeficientes de extino tpicos de filmes transparentes.
4.3.8.3.
Band gap ptico
O band gap ptico das amostras de ITO/vidro, apresentado na Figura 37, foi obtido
atravs da extrapolao da reta presente no grfico da absorbncia em funo da energia (E).
Como a borda de absoro observada no grfico de %T (Figura 46) das amostras era similar,
esperava-se que os valores de Eopt fossem similares, com vantagem aos filmes de maior %Ta.
Absorbncia ptica
PRF = 100 W
PRF = 125 W
3
PRF = 150 W
PRF = 175 W
3,82 eV
PRF = 200 W
3,58 eV
3,49 eV
3,46 eV
1
3,42 eV
ITO/Vidro
t 400 nm
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
E (eV)
Figura 49 - Absorbncia ptica das amostras de ITO/vidro obtidas PRF variando de 100 a 200 W, com a
indicao do band gap ptico obtido pela extrapolao da reta
No geral, os valores de Eopt aumentam de acordo com o aumento de %Ta, sugerindo

que filmes que possuem altos valores de Eopt tenham melhores caractersticas pticas. Isto
tambm pode ser observado neste experimento.
96
As figuras de mrito () das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF variando de 100
a 200 W, obtidas atravs da eq.(20) (descrita na seo 2.3.2), so apresentadas na Tabela 20,
juntamente com os parmetros utilizados para o clculo. Os parmetros so resistncia de
folha (RS) e transmitncia mdia no espectro visvel (Ta). Tambm h uma coluna com os
valores de Ta j elevados dcima potncia (Ta10), para comparao. A Figura 50 mostra
graficamente os resultados de em funo da PRF.
Tabela 20 Figura de mrito das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W
Substrato
TD (min)
100
125
150
175
200
Vidro
Rs (/)
29,7
9,3
8,5
8,0
7,51
Ta
0,826
0,759
0,703
0,702
0,666
Ta10
0,148
0,063
0,029
0,029
0,017
(-1)
4,98x10-3
6,77x10-3
3,41x10-3
3,63x10-3
2,26x10-3
-3
7.0x10
-1
Figura de mrito ( )
-3
6.5x10
-3
6.0x10
-3
ITO/Vidro
t 400 nm
5.5x10
-1
( )
-3
5.0x10
-3
4.5x10
-3
4.0x10
-3
3.5x10
-3
3.0x10
-3
2.5x10
-3
2.0x10
100
125
150
175
200
PRF (W)
Figura 50 - Figura de mrito das amostras de ITO/Vidro obtidas com PRF variando de 100 a 200 W
Nota-se que resultados melhores foram obtidos para as amostras de potncias mais
baixas na faixa de potncia adotada, devido grande absoro ptica causada pelas potncias
maiores. A amostra obtida a PRF = 125 W mostrou os melhores resultados neste experimento,
dosando qualidades eltricas e pticas satisfatoriamente.
97
No entanto, vlido lembrar que, por ser um clculo simples que envolve apenas dois
parmetros, no deve ser considerado um dado decisivo para a escolha da melhor amostra,
e sim ser analisado como referncia.
4.4. Deposio de ITO sobre policarbonato (Lexan ) com potncia RF = 75 W
Nesta seo, so apresentadas apenas as principais anlises eltricas e pticas para o

filme de ITO/Lexan obtido com PRF = 75 W e TD = 90 min, com o intuito de justificar as
deposies em baixas temperaturas. A amostra comparada amostra de ITO/Vidro obtida
com os mesmos parmetros de deposio.
So apresentados na Tabela 9 os resultados da anlise de perfilometria realizado nas

amostras de ITO/Lexan e ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e TD = 90 min. A tabela mostra
a espessura (t), a rugosidade mdia (RA) e a rugosidade pico-vale (RPV).
Tabela 21 Espessura, rugosidade mdia e rugosidade pico-vale das amostras de ITO/Lexan e ITO/vidro
obtidas com PRF = 75 W e TD = 90 min
Substrato
Lexan
Vidro
TD (min)
Substrato puro
90
Substrato puro
90
t (nm)
49220
51428
RA (nm)
14,50,5
221
5,50,1
3,10,2
RPV (nm)
743
834
28,90,8
232
Pelos resultados, nota-se que o substrato polimrico tem uma rugosidade bem mais
elevada do que o substrato de vidro, influenciando assim na rugosidade dos filmes. Por este
motivo, as caractersticas eltricas do filme de ITO/Lexan so prejudicadas. A taxa de
deposio no se mostrou muito alterada devido mudana do substrato.
98
Na Tabela 22 so mostrados os valores mdios de resistncia de folha (RS) obtidos

pela prova de quatro pontas e o valor da resistividade (), calculado por meio da eq.(5)
(comentada na seo 2.3.1.2) para as amostras de ITO/Lexan e ITO/vidro obtidas com
PRF = 75 W e TD = 90 min. Para o clculo de das amostras, foram utilizados os valores
mdios de espessura e resistncia de folha.

Tabela 22 Resistncia de folha e resistividade das amostras de ITO/Lexan e ITO/vidro obtidas com
PRF = 75 W e TD = 90 min
Substrato
Lexan
Vidro
TD (min)
90
90
t (nm)
492
514
RS (/)
623
252
(.cm)
3,1x10-3
1,2x10-3
notvel que o valor da resistncia de folha da amostra de ITO/Lexan se mostrou

muito mais elevado em relao amostra de ITO/Vidro. Isto foi atribudo rugosidade do
substrato, j que a condutividade eltrica dos filmes de ITO afetada negativamente pelo
espalhamento dos portadores em superfcies rugosas. Em consequncia, o valor de
resistividade tambm se mostrou mais elevado devido s espessuras similares. No entanto, os
valores se encontram na mesma ordem de grandeza.

onda () e o clculo da porcentagem de transmitncia mdia (%Ta) no espectro visvel
(380 < < 750 nm) da amostra de ITO/Lexan obtida com PRF = 75 W e TD = 90 min so
mostrados na Figura 51. Foram apresentados apenas os espectros relativos aos filmes de ITO,
sendo que as perdas por absoro e reflexo devidas ao substrato foram subtradas do grfico.
Se tivessem sido consideradas, as perdas causadas pelo substrato de vidro ptico causam uma
reduo de aproximadamente 15% na %T das amostras, para o espectro visvel.
99
A transmitncia mdia desta amostra (%Ta = 83,5 %) foi muito parecida com a
amostra de ITO/Vidro correspondente (%Ta = 82,4 %). Presume-se que o substrato no
influencie na absoro ptica do filme depositado.
100
%T (%)
80
ITO/Lexan
PRF = 75 W
60
TD = 90 min
%Ta = 83,5 %
40
Transmitncia ptica (%)

20
0
400
600
800
1000
1200
1400
(nm)
Figura 51 - Porcentagem de transmitncia ptica (%T) em funo do comprimento de onda () da amostra

de ITO/Lexan obtida com PRF = 75 W e TD = 90 min, assim como a transmitncia mdia (%Ta) calculada
para o espectro visvel (380 < < 750 nm)
As figuras de mrito () das amostras de ITO/Lexan e ITO/Vidro obtidas com

PRF = 75 W e TD = 90 min, obtidas atravs da eq.(20) (descrita na seo 2.3.2), so
apresentadas na Tabela 23, juntamente com os parmetros utilizados para o clculo. Os

parmetros so resistncia de folha (RS) e transmitncia mdia no espectro visvel (Ta).
Tambm h uma coluna com os valores de Ta j elevados dcima potncia (Ta10), para
comparao.
Tabela 23 - Figura de mrito das amostras de ITO/Lexan e ITO/vidro obtidas com PRF = 75 W e
TD = 90 min, juntamente com os parmetro utilizados no clculo
Substrato
Lexan
Vidro
TD (min)
90
90
Rs (/)
62
25
Ta
0,835
0,824
Ta10
0,164
0,144
(-1)
2,64x10-3
5,76x10-3
100
Como a transmitncia mdia das amostras foi parecida, foi maior para a amostra de
ITO/Vidro devido ao seu menor valor de RS. No entanto, mostra-se na mesma ordem de
grandeza, e apresenta valor parecido a outras amostras de ITO/Vidro obtidas anteriormente
neste trabalho (ver sees 4.2.9 e 4.3.9).
Conclui-se, portanto, que possvel depositar filmes de ITO sobre substratos
polimricos utilizando estes parmetros.
101
5. CONCLUSES
Filmes finos de ITO foram depositados sobre substratos de silcio e vidro ptico pela
tcnica de RF magnetron sputtering, com potncia RF variando de 25 a 100 W em ambiente
inerte (100% argnio). Os substratos no foram intencionalmente aquecidos, caracterizando o
processo como sendo de baixa temperatura. Caractersticas eltricas, fsicas, pticas, qumicas
e estruturais dos filmes foram analisadas.
Foram obtidas amostras de ITO/Si e ITO/vidro com resistividade mnima na ordem de
10-4 .cm e uma amostra de ITO/Lexan com resistividade na ordem de 10-3 .cm. A mudana
na resistividade de acordo com o substrato foi atribuda rugosidade e s impurezas contidas
nos substratos. De modo geral, a quantidade de oxignio na composio dos filmes influencia
diretamente as caractersticas eltricas das amostras, com a tendncia de possuir menor
resistividade filmes com menor concentrao de oxignio. Maiores espessuras tambm
melhoram as propriedades eltricas pela reduo da resistncia de folha. As melhores
caractersticas eltricas foram observadas para amostras obtidas com 200 W de potncia RF.
A anlise das caractersticas pticas feita para amostras de ITO/vidro e ITO/Lexam
mostra que, dentro da faixa do espectro visvel, os filmes de ITO (subtraindo a absoro
ptica dos substratos) tm transmitncia ptica de 66 a 87 %. De acordo com o ndice de
absoro calculado, o aumento na potncia RF aumenta tambm a absoro ptica do
material. A espessura das amostras tambm se mostrou relevante s caractersticas pticas,
sendo que o aumento da absoro acontece proporcionalmente ao aumento da espessura. As
melhores caractersticas pticas foram observadas para amostras obtidas com 75 W de
potncia RF.
Do ponto de vista estrutural, as amostras tenderam a apresentar fase amorfa e
cristalina, com orientao preferencial ao longo da direo [100]. De forma geral, o aumento
da potncia RF propicia a transio da fase amorfa para a fase cristalina, e pode ser observada
uma melhora nas caractersticas eltricas com o incio do surgimento dos picos. Esta melhora
no foi observada para as caractersticas pticas dos filmes.
De modo geral, as amostras obtidas de 75 a 125 W tiveram as melhores propriedades
para serem utilizadas em aplicaes que exijam eletrodos transparentes, considerando
aspectos eltricos e pticos.
102
6. TRABALHOS FUTUROS
Como sugesto para trabalhos futuros, seria interessante uma anlise mais detalhada
da rugosidade das amostras, atravs da caracterizao por microscpio de fora atmica
(AFM, Atomic Force Microscope) devido grande impreciso da rugosidade obtida por
perfilometria. Tambm podem ser feitas anlises de ligaes qumicas por espectroscopia
FTIR (Fourier Tranform Infrared).
Pode-se tambm explorar a influncia de diferentes espessuras em amostras obtidas
com potncias de 100 e 125 W (que apresentaram resultados satisfatrios), assim como um
estudo mais detalhado da influncia da composio qumica e de diferentes potncias nas
caractersticas pticas dos filmes, j que alguns resultados no se apresentaram condizentes
com o esperado.
Seria til tambm um melhor estudo sobre filmes de ITO depositados sobre substratos
polimricos, destacando as limitaes impostas aos processos devido fragilidade dos
substratos, incluindo anlises do stress causado nos substratos pela pulverizao catdica.
Como h necessidade hoje de encontrar substitutos ao ITO, tambm interessante um
estudo sobre a deposio de outros tipos de TCOs e outros materiais transparentes condutores,
103
PUBLICAES
Trabalhos completos publicados em anais de congressos:

DAMIANI, L. R. ; MANSANO, R. D. . Deposition and Characterization of Indium-Tin Oxide
Thin Films Deposited by RF Sputtering. 22nd Symposium on Microelectronics Technology
and Devices. Microelectonics Technology and Devices SBMICRO 2007, v. 9. p. 251-258.
Resumos expandidos publicados em anais de congressos:

RASIA, L. A. ; MANSANO, R. D. ; DAMIANI, L. R. ; VIANA, C. E. ; ORDONEZ, N. ;
ZAMBOM, L. S. . Electrical and mechanical properties of ITO thin films investigated by
cantilever deflection technique. VII Encontro da SBPMat, 2008.
DAMIANI, L. R. ; MANSANO, R. D. . Deposition and characterization of indium-tin-oxide
thin films deposited by RF sputtering. 13th International Conference on Solid Films and
Surfaces (ICSFS-13), Bariloche, 2006.
Resumos publicados em anais de congressos:
DAMIANI, L. R. ; MANSANO, R. D. . Study of the properties of magnetron sputtered

indium-tin oxide thin films. In: 11th International Conference on Advanced Materials ICAM
2009.
DAMIANI, L. R. ; MANSANO, R. D. ; MEDEIROS, M. S. . Thickness dependence of the
properties of magnetron sputtered indium-tin oxide thin films. In: XXXII Encontro Nacional
de Fsica da Matria Condensada, 2009.
DAMIANI, L. R. ; MANSANO, R. D. . Influncia do tratamento trmico em lminas de ITO
depositadas por sputtering RF. In: XI Escola brasileira de Estrutura Eletrnica, 2008.
DAMIANI, L. R. ; MANSANO, R. D. ; MEDEIROS, M. S. . Deposio e caracterizao de
filmes de ITO por sputtering RF. In: XI Escola brasileira de Estrutura Eletrnica, 2008.
DAMIANI, L. R. ; MANSANO, R. D. . Deposition of indium-tin oxide thin films using RF
reactive sputtering. In: XXXI Encontro Nacional de Fsica da Matria Condensada, 2008.
104
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
ZHU, F.; ZHANG, K.; GUENTHER, E.; JIN, C. S. Optimized indium tin oxide contact
for organic light emitting diode applications. Thin Solid Films 363, 314-317 (2000).
SCHULZE, K.; MAENNIG, B.; LEO, K. Organic solar cells on indium tin oxide and
aluminum doped zinc oxide anodes. Applied Physics Letters 91, 073521 (2007).
SESHADRI, V.; PADILLA, J.; BIRCAN, H.; RADMARD, B.; DRAPER, R.; WOOD, M.;
OTERO, T. F.; SOTZING, G. A. Optimization, preparation, and electrical short
evaluation for 30 cm2 active area dual conjugated polymer electrochromic windows.
Organic Electronics 8, 367-381 (2007).
4
HAMBERG, I.; GRANQVIST, C. G. Optical properties of transparent and heatreflecting indium tin oxide films: The role of ionized impurity scattering. Appl. Phys.
Lett. 44, 721 (1984).
LIN, H.; YU, J.; LOU, S.; WANG, J.; JIANG, Y. Low Temperature DC Sputtering
Deposition on Indium-Tin Oxide Film and Its Application to Inverted Top-emitting
Organic Light-emitting Diodes. J. Mater. Sci. Technol. 24, 179-182 (2008).
6
CHU, J. B.; ZHU, H. B.; XU, X. B.; SUN, Z.; CHEN, Y. W.; HUANG, S. M. RF
magnetron sputtered indium tin oxide thin films for application in solar cells.
Nanoelectronics Conference, 2008. INEC 2008. 2nd IEEE International, 728-731 (2008).
7
ROZATI, S. M.; GANJ, T. Transparent conductive Sn-doped indium oxide thin films
deposited by spray pyrolysis technique. Renewable Energy 29, 1671-1676 (2004).
8
IZUMI, H.; ADURODIJA, F. O.; KANEYOSHI, T.; ISHIHARA, T.; YOSHIOKA, H.;
MOTOYAMA, M. Electrical and structural properties of indium tin oxide films
prepared by pulsed laser deposition. Journal Of Applied Physics 91, 1213-1218 (2002).
9
DAS, R.; ADHIKARY, K.; RAY, S. The role of oxygen and hydrogen partial pressures
on structural and optical properties of ITO films deposited by reactive rf-magnetron
sputtering. Applied Surface Science 253, 60686073 (2007).
10
YIN, X.; TANG, W.; WENG, X.; DENG, L. Energy band calculation of amorphous
indium tin oxide films on polyethylene terephthalate substrate with indirect transition. J.
Phys. D: Appl. Phys. 42, 025104 (2009).
11
BDEKER, K. ber die elektrische Leitfhigkeit und die thermoelektrische Kraft

einiger Schwermetallverbindungen. Annalen der Physik 327, 749-766 (1907).
12
AUSTRALIAN GOVERNMENT. Cadmium and compounds fact sheet. Disponvel em:

< http://www.npi.gov.au/database/substance-info/profiles/17.html#health>. Acesso em: 5 de
outubro de 2009.
105
13
ZHOU, Q.; JI, Z.; HU, B.; CHEN, C.; ZHAO, L.; WANG, C. Low resistivity transparent
conducting CdO thin films deposited by DC reactive magnetron sputtering at room
temperature. Materials Letters 61, 531534 (2007).
14
KIM, Y. S.; TAI, W. P. Electrical and optical properties of Al-doped ZnO thin films by
solgel process. Applied Surface Science 253, 49114916 (2007).
15
YAMADA, T.; NEBIKI, T.; KISHIMOTO, S.; MAKINO, H.; AWAI, K.;
NARUSAWA, T.; YAMAMOTO, T. Dependences of structural and electrical properties
on thickness of polycrystalline Ga-doped ZnO thin films prepared by reactive plasma
deposition. Superlattices and Microstructures 42, 6873 (2007).
16
ILICAN, S.; CAGLAR, Y.; CAGLAR, M.; YAKUPHANOGLU, F. Electrical

conductivity, optical and structural properties of indium-doped ZnO nanofiber thin film
deposited by spray pyrolysis method. Physica E 35, 131138 (2006).
17
YADAV, A. A.; MASUMDAR, E. U.; MOHOLKAR, A. V.; RAJPURE, K. Y.;

BHOSALE, C. H. Effect of quantity of spraying solution on the properties of spray
deposited fluorine doped tin oxide thin films. Physica B 404, 18741877 (2009).
18
ZHANG, D.; TAO, L.; DENG, Z.; ZHANG, J.; CHEN, L. Surface morphologies and
properties of pure and antimony-doped tin oxide films derived by solgel dip-coating
processing. Materials Chemistry and Physics 100, 275280 (2006).
19
GOLSHAHI, S.; ROZATI, S.M.; MARTINS, R.; FORTUNATO, E. P-type ZnO thin film
deposited by spray pyrolysis technique: The effect of solution concentration. Article in
press. Thin Solid Films (2009).
20
NI, J.; ZHAO, X.; ZHENG, X.; ZHAO, J.; LIU, B. Electrical, structural,
photoluminescence and optical properties of p-type conducting, antimony-doped SnO2
thin films. Acta Materialia 57, 278285 (2009).
21
DONG, G.; ZHANG, M.; ZHAO, X.; LI, Y.; YAN, H. Influence of working gas pressure
on structure and properties of CuAlO2 films. Journal of Crystal Growth 311, 12561259
(2009).
22
JANG, W. L.; LU Y. M.; HWANG, W. S.; CHEN, W. C. Electrical properties of Lidoped NiO films. Article in press. Journal of the European Ceramic Society (2009).
23
PAPADOPOULOU, E.L.; VISKADOURAKIS, Z. A.; PENNOS, A.V.; HUYBERECHTS,

G.; APERATHITIS, E. The effect of deposition parameters on the properties of SrCu2O2
films fabricated by pulsed laser deposition. Thin Solid Films 516, 14491452 (2008).
24
CERAC, inc. ITO. Indium-Tin Oxide For Optical Coatings. Disponvel em:
<http://www.cerac.com/pubs/proddata/ito.htm> Acesso em: 6 de junho de 2008.
25
JIMENEZ, L. C.; MNDEZ, H. A.; PEZ, B. A.; RAMREZ, M. E.; RODRGUES, H.

Production and characterization of indium oxide and indium nitride. Braz. J. Phys. 36,
1017-1020 (2006).
106
26
TAHAR, R. B. H.; BAN, T.; OHYA, Y.; TAKAHASHI, Y. Tin doped indium oxide thin
films: Electrical properties. J. Appl. Phys. 83, 2631-2645 (1998).
27
FRANZ, G.; LANGE, B.; SOTIER S. Characterization of sputtered indium tin oxide
layers as transparent contact material. Journal of Vacuum Science and Technology A 19,
2514-2521 (2001).
28
DIAMOND COATINGS. Indium Tin Oxide for transparent EMC shielding and AntiDisponvel
em:
static
applications.
<http://www.diamondcoatings.co.uk/datasheet/emc_ito_presentation.pdf>. Acesso em: 2 de
setembro de 2009.
29
NANOMARKETS. Indium tin oxide and alternative transparent conductor markets.

Disponvel em:
<http://www.researchandmarkets.com/reports/687028/indium_tin_oxide_and_alternative_tran
sparent>. Acesso em: 3 de agosto de 2009.
30
PARK, K.S.; SATO, W.; GRAUSE, G.; KAMEDA, T.; YOSHIOKA, T. Recovery of
indium from In2O3 and liquid crystal display powder via a chloride volatilization
process using polyvinyl chloride. Thermochimica Acta 493, 105108 (2009).
31
YU, X.; RAJAMANI, R.; STELSON, K. A.; CUI, T. Carbon nanotube-based

transparent thin film acoustic actuators and sensors. Sensors and Actuators A 132, 626
631 (2006).
32
ROWELL, M. W.; TOPINKA, M. A.; MCGEHEE, M. D.; PRALL, H. J.; DENNLER, G.;
SARICIFTCI, N. S.; HU, L.; GRUNER, G. Organic solar cells with carbon nanotube
network electrodes. Applied Physics Letters 88, 233506 (2006).
33
HAU, S. K.; YIP, H. L.; ZOU, J.; JEN, A. K. Y. Indium tin oxide-free semi-transparent
inverted polymer solar cells using conducting polymer as both bottom and top
electrodes. Organic Electronics 10, 14011407 (2009).
34
RODITI, I. Dicionrio Houaiss de Fsica. Instituto Antnio Houaiss, (2005).
35
EDWARDS, P. P.; PORCH, A.; JONES, M. O.; MORGAN, D. V.; PERKS, R. M. Basic
materials physics of transparent conducting oxides. Dalton Transactions, 2995-3002
(2004).
36
MINAMI, T. Transparent conductive oxide semiconductors for transparent electrodes.

Semicond. Sci. Technol. 20, S35S44 (2005).
37
38
HAACKE, G. Transparent conducting coatings. Ann. Rev. Mater. Sci. 7, 73-93 (1977).
PORCH, A.; MORGAN, D. V.; PERKS, R. M. Electromagnetic absorption in

transparent conducting films. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 95, 4734-4737 (2004).
107
39
HAMBERG, I.; GRANQVIST, G.G. Evaporated Sn-doped In2O3 films: Basic optical
properties and applications to energy-efficient windows. J. Appl. Phys. 60, R123-R159
(1986).
40
OLIVEIRA,
N.
Efeito
Hall.
Disponvel
em:
http://www.fis.ufba.br/~edmar/fis101/roteiros/Efeito_Hall.pdf. Acesso em: 20 de janeiro de
2009.
41
KESHMIRI, S. H.; REZAEE-ROKNABADI, M.; ASHOK, S. A novel technique for

increasing electron mobility of indium-tin-oxide transparent conducting films. Thin Solid
Films 413, 167170 (2002).
42
ANGUITA, J. V.; THWAITES, M.; HOLTON, B.; HOCKLEY, P.; RAND, S.;
HAUGHTON, S. Room temperature growth of indium-tin oxide on organic flexible
polymer substrates using a new reactive-sputter deposition technology. Plasma Processes
and Polymers 4, 48-52 (2007).
43
E-FSICA.
ndice
de
refrao.
Disponvel
em:
http://efisica.if.usp.br/otica/basico/refracao/indice_refracao/ Acesso em: 15 de novembro de
2008.
44
NGAFFO, F. F.; CARICATO, A. P.; FAZZI, A.; FERNANDEZ, M.; LATTANTE, S.;
MARTINO, M.; ROMANO, F. Deposition of ITO films on SiO2 substrates. Applied
Surface Science 248, 428-432 (2005).
45
CHEEK, G.; GENIS, A.; DUBOW, J. B. Antireflection properties of indium tin oxide
(ITO) on silicon for photovoltaic applications. Appl. Phys. Lett 35, 495-497 (1979).
46
MAXWELL. ndice de refrao. Disponvel em: <http://www.maxwell.lambda.ele.pucrio.br/cgi bin/PRG_0599.EXE/3662_3.PDF?NrOcoSis=6743&CdLinPrg=pt>. Acesso em: 20

de dezembro de 2008.
47
GUILLN, C.; HERRERO, J. Polycrystalline growth and recrystallization processes in

sputtered ITO thin films. Thin Solid Films 510, 260-264 (2006).
48
CHEN, M. C.; CHEN, S. A. Influence of oxygen deficiency in indium tin oxide on the
performance of polymer light-emitting diodes. Thin Solid Films 517, 27082711 (2009).
49
ZHANG, B.; DONG, X.; XU, X.; WANG, X.; WU, J. Electrical and optical properties of
ITO and ITO:Zr transparent conducting films. Materials Science in Semiconductor
Processing 10, 264-269 (2007).
50
IMPERIAL COLLEGE LONDON. Moss-Burstein Effect. Disponvel em:

<http://www3.imperial.ac.uk/pls/portallive/docs/1/24311696.RTF>. Acesso em: 5 de janeiro
de 2009.
51
GUPTA, R. K.; GHOSH, K.; PATEL, R.; KAHOL, P. K. Effect of substrate temperature
on opto-electrical properties of Nb-doped In2O3 thin films. Journal of Crystal Growth 310,
4336-4339 (2008).
108
52
KIM, J. H.; AHN, B. D.; LEE, C. H.; JEON, K. A.; KANG, S. H.; KIM, G. H.; LEE, S. Y.
Enhancement in electrical and optical properties of indium tin oxide thin films using a
pulsed laser deposition at room temperature by two-step process. Thin Solid Films 515,
3580-3583 (2007).
53
CARDOSO, W. S.; LONGO, C.; DE PAOLI, M. A. Preparao de eletrodos

opticamente transparentes. Quim. Nova 28, 345-349 (2005).
54
KIM, H.; HORWITZ, J. S.; PIQUE, A.; GILMORE, C. M.; CHRISEY, D. B. Electrical
and optical properties of indium tin oxide thin films grown by pulsed laser deposition.
Applied Physics A 69, 447-450 (1999).
55
CEFET
MG.
Rugosidade
das
superfcies.
Disponvel
em:
<http://74.125.45.132/search?q=cache:oJ0cS311wkgJ:academicos.cefetmg.br/admin/downloa
ds/2104/aula%2520de%2520Rugosidades.doc+rugosidade&hl=en&ct=clnk&cd=3&gl=br>.
Acesso em: 19 de dezembro de 2008.
56
Gadelmawla, E. S.; Koura M. M.; Maksoud, T. M. A.; Elewa, I. M.; Soliman, H. H.

Roughness parameters. Journal of Materials Processing Technology 123, 133-145 (2002).
57
QI, Z. CHEN, X.; FAN, C.; CHAI, W. Low temperature processing of high conductivity
and high transparency indiumtin-oxide/Ag alloy/indiumtin-oxide multilayered thin
films. Journal of Materials Processing Technology 209, 973-977 (2009).
58
TAK, Y. H.; KIM, K. B.; PARK, H. G.; LEE, K. H.; LEE, J. R. Criteria for ITO (indiumtin oxide) thin film as the bottom electrode of an organic light emitting diode. Thin Solid
Films 411, 12-16 (2002).
59
SILVA, L. F.; LEITE, D. M. G.; PEREIRA, A. L. J.; Silva, J. H. D. Influncia dos

parmetros de deposio sobre a estrutura dos filmes de Ga(1-x)Mn(x)As:H crescidos
por sputtering. Congresso Brasileiro de Engenharia e Cincia dos Materiais (2006).
60
ROGOZIN, A.; VINNICHENKO, M.; SHEVCHENKO, N.; KREISSIG, U.; KOLITSCH,

A.; MLLER, W. Real-time evolution of electrical properties and structure of indium
oxide and indium tin oxide during crystallization. Scripta Materialia 60, 199202 (2009).
61
FLORES-MENDOZA, M. A.; CASTANEDO-PEREZ, R.; TORRES-DELGADO, G.;

MARN, J. M.; ZELAYA-ANGEL, O. Influence of the annealing temperature on the
properties of undoped indium oxide thin films obtained by the solgel method. Thin
Solid Films 517, 681-685 (2008).
62
MENG, L. J.; SANTOS, M.P. Properties of indium tin oxide films prepared by rf
reactive magnetron sputtering at different substrate temperature. Thin Solid Films 322,
5662 (1998).
63
HAAKE, G. New figure of merit for transparent conductors. Appl. Phys. 47, 4086-4089
(1976).
109
64
NISHA, M.; ANUSHA, S.; ANTONY, A.; MANOJ, R.; JAYARAJ, M. K. Effect of
substrate temperature on the growth of ITO thin films. Applied Surface Science 252,
14301435 (2005).
65
YOU, Y. Z.; KIM, Y. S.; CHOI, D. H.; JANG, H. S.; LEE, J. H.; KIM, D. Electrical and
optical study of ITO films on glass and polymer substrates prepared by DC magnetron
sputtering type negative metal ion beam deposition. Materials Chemistry and Physics 107,
444448 (2008).
66
AKKAD, F. E.; PUNNOOSE, A.; PRABU, G. Properties of ITO films prepared by rf

magnetron sputtering. Applied Physics A 71, 157-160 (2000).
67
SHAH, V. G.; WALLACE, D. B. Low-cost Solar Cell Fabrication by Drop-on-Demand

Ink-jet Printing. Proc. IMAPS 37th Annual International Symposium on Microelectronics
(2004).
68
INSTITUTE OF SCIENCE IN SOCIETY. Organic solar power. Disponvel em:

< http://www.i-sis.org.uk/OSP.php>. Acesso em: 03 de setembro de 2009.
69
MONTESDEOCA-SANTANA, A.; JIMNEZ-RODRGUEZ, E.; MARRERO, N.;

GONZLEZ-DAZ, B.; BORCHERT, D.; GUERRERO-LEMUS, R. XPS characterization
of different thermal treatments in the ITO-Si interface of a carbonate-textured
monocrystalline silicon solar cell. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B (2009).
70
.
KONARKA.
Konarka
power
plastic
products.
Disponvel
em:
<http://www.konarka.com/index.php/power-plastic/power-plastic-products/>. Acesso em: 15
de outubro de 2009.
71
IT - INSTITUTO DE TELECOMUNICAES. Organic Light Emitting Diodes

(OLEDs). Disponvel em: <http://www.lx.it.pt/~alcacer/TM_Group/OLEDs.pdf>. Acesso
em: 02 de setembro de 2009.
72
SEKI, S.; WAKANA, M.; KASAHARA, Y.; SEKI, Y.; KONDO, T.; WANG, M.;
UCHIDA, T.; HAGA, K.; SAWADA, Y. Fabrication of organic light-emitting devices
with indiumtin-oxide anode prepared by spray chemical vapor deposition. Jpn. J. Appl.
Phys. 46, 68376841 (2007).
73
KODAK.
About
KODAK
OLED
Technology.
Disponvel
em:
<http://www.kodak.com/eknec/PageQuerier.jhtml?pq-path=1473/1683&pq-locale=en_US>.
Acesso em: 12 de outubro de 2009.
74
LEMON,
S.
Sony
Unveils
First
OLED
TV.
Disponvel
em:
<http://www.pcworld.com/article/137884/sony_unveils_first_oled_tv.html>. Acesso em: 20
de outubro de 2009.
110
75
OLED-DISPLAY.NET. OLED Television. Disponvel

display.net/oled-television>. Acesso em: 20 de outubro de 2009.
em:
<http://www.oled-
76
K-ENG. LCD. Disponvel em: <http://www.k-eng.co.kr/en/biz_01.htm>. Acesso em: 15 de

outubro de 2009.
77
SANG-SOO, K. New Evolutionary Theory in LCD Market. Disponvel em:

<http://www.koreatimes.co.kr/www/news/biz/2009/10/234_14688.html>. Acesso em: 04 de
setembro de 2009.
78
NICHOLLS, C. Panasonic confirms OLED to replace LCD in future. Disponvel em:

<http://www.current.com.au/2008/05/29/article/RXKLVDONVA.html>. Acesso em: 26 de
outubro de 2009.
79
TOUCHSCREEN GUIDE. Various Resistive Touchscreen Technologies.

Disponvel em: <http://www.touchscreenguide.com/touchscreen/res.html>. Acesso em: 20 de
outubro de 2009.
80
NEXTWINDOW. Optical Touch: How it differs from other technologies.

Disponvel em: <http://www.nextwindow.com/optical/comparison.html>. Acesso em: 25 de
outubro de 2009.
81
LAMPERT, C. M. Heat mirror coatings for energy conserving windows. Solar Energy
Materials 6, 1-41 (1981).
82
TURATTI, L. G. WTProcess: Uma ferramenta para ensino de microfabricao.

Dissertao (Mestrado) Unicamp, Campinas (2003).
83
HUDACK, J. Safety in the microelectronics fabrication clean room. Disponvel em:

<http://www.ece.uncc.edu/research/clean_room/safety/safety.pdf>. Acesso em: 10 de julho de
2008.
84
WASA, K.; HAYAKAWA, S. Handbook of sputter deposition technology. Noyes

Publications, 97-98 (1992).
85
HEAVENS, O. S. Optical Properties of Thin Solid Films. Courier Dover

Publications, 17 (1991).
86
KURT J. LESKER Company. Indium Tin Oxide (ITO) (In2O3/SnO2, 90/10 wt%)
Circular
Sputtering
Targets.
Disponvel
em:
<http://www.lesker.com/newweb/deposition_materials/depositionmaterials_sputtertargets_1.c
fm?pgid=in3>. Acesso em: 28 de junho de 2008.
87
OKA,
M.
M.
Medida
de
quatro
pontas.
Disponvel
em:
<http://www.lsi.usp.br/%7Edmi/manuais/QuatroPontas.pdf> Acesso em: 12 de junho de
2008.
88
VAN DER PAUW, L. J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of
discs of arbitrary shape. Philips Res. Repts. 13, 1-9 (1958).
111
89
MEDEIROS, M. S. Fabricao de elementos pticos difrativos de modulao completa.

Dissertao de mestrado, Universidade de So Paulo, So Paulo (2007).
90
YU, H. H; HWANG, S. J; TSENG, M. C; TSENG, C. C. The effect of ITO films

thickness on the properties of flexible organic light emitting diode. Optics
Communications 259, 187193 (2006).
91
SUNDARAM, K. B.; BLANCHARD, J. Southeastcon '97. Deposition and annealing

studies of indium tin oxide films. 'Engineering new New Century'., Proceedings. IEEE, 230232 (1997).
92
KOBAYASHI, H; ISHIDA, T; NAKAMURA, K; NAKATO, Y; TSUBOMURA, H.

Properties of indium tin oxide films prepared by the electron beam evaporation method
in relation to characteristics of indium tin oxide/silicon oxide/silicon junction solar cells.
J. Appl. Phys. 72, 5288-5293 (1992).
93
RYABOVA, L. A.; SALUN, V. S.; SERBINOV, I. A. Transparent conductive films of

In2O3 Sn prepared by the pyrolysis method. Thin Solid Films 92, 327-332 (1982).
94
CHEBOTAREVA, A. B.; UNTILA, G. G.; KOST, T. N.; JORGENSEN, S.; ULYASHIN,

A. G. ITO deposited by pyrosol for photovoltaic applications. Thin Solid Films 515,
85058510 (2007).
95
LEE, J.; JUNG, H.; LIM, D.; YANG, K.; SONG, W.; YI, J. Effects of bias voltage on the
properties of ITO films prepared on polymer substrates. Thin Solid Films 480-481, 157161 (2005).
96
YU, Z.; LI, Y.; XIA, F.; ZHAO, Z.; XUE, W. Properties of indium tin oxide films
deposited on unheated polymer substrates by ion beam assisted deposition. Thin Solid
Films (2009).
97
KIM, D. H.; PARK, M. R.; LEE, H. J; LEE, G. H. Thickness dependence of electrical

properties of ITO film deposited on a plastic substrate by RF magnetron sputtering.
Applied Surface Science 253, 409411 (2006).
98
GAO, M. Z.; SHI, H. G.; JOB, R.; LI, F. S.; FAHRNER, W. R. Substrate Dependence of
Properties of Sputtered ITO Films. Chin.Phys.Lett. 22, 1228-1231 (2005).
99
GAO, M. Z.; JOB, R.; XUE, D. S.; FAHRNER, W. R. Thickness dependence of

resistivity and optical reflectance of ITO films. Chin. Phys. Lett. 25, 1380-1383 (2007).
100
SHIGESATO, Y.; KOSHI-ISHI, R.; KAWASHIMA, T.; OHSAKO, J. Early stages of

ITO deposition on glass or polymer substrates. Vacuum 59, 614-621 (2000).
101
ZHOU, J. Indium Tin Oxide (ITO) deposition, patterning and Schottky contact
fabrication. Dissertao de mestrado, Rochester New York (2005).
112
102
SAIM, H.B.; CAMPBELL, D. S. Properties of indium-tin-oxide (ITO) /silicon

heterojunction solar cells by thick-film techniques. Solar Energy Materials 15, 249-260
(1987).
103
SUEVA, D.; GEORGIEV, S. S.; NEDEV, N.; TONEVA, A.; CHIKOV, N. A neutron
detector based on an ITO/p-Si structure. Vacuum 58, 308-314 (2000).
104
MALIK, O.; HIDALGA-W, F.J.; ZIGA-I, C.; RUIZ-T, G. Efficient ITOSi solar
cells and power modules fabricated with a low temperature technology: Results and
perspectives. Journal of Non-Crystalline Solids 354, 24722477 (2008).
105
ASHOK, S.; SHARMA, P. P.; FONASH, S. J. Spray-deposited ITO silicon SIS

heterojunction solar cells. IEEE Trans. Electron Dev. 27, 725-730 (1980).

Filmes de Óxido de Índio Dopado Com Estanho Depositados Por Magnetron Sputtering

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Filmes de Óxido de Índio Dopado Com Estanho Depositados Por Magnetron Sputtering

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

LARISSA RODRIGUES DAMIANI

FILMES DE XIDO DE NDIO DOPADO COM ESTANHO

Politcnica da Universidade de So Paulo

Orientador: Prof. Livre-Docente

LARISSA RODRIGUES DAMIANI

FILMES DE XIDO DE NDIO DOPADO COM ESTANHO

Politcnica da Universidade de So Paulo

Orientador: Prof. Livre-Docente

Este exemplar foi revisado e alterado em relao verso original, sob

Assinatura do autor ___________________________

Assinatura do orientador _______________________

Damiani, Larissa Rodrigues

Dedico este trabalho aos meus pais.

O xido de ndio dopado com estanho um semicondutor degenerado de alta transparncia no

Palavras-chave: xido de ndio dopado com estanho. xidos condutores transparentes.

Keywords: Indium-tin oxide. Transparent conductive oxides. Thin films. Sputtering.

Figura 1 - Ligao inica que representa a forma estequiomtrica do xido de ndio

Figura 46 - Porcentagem de transmitncia ptica (%T) em funo do comprimento de

Tabela 15 Espessura, rugosidade mdia e rugosidade pico-vale das amostras de

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS

Antimony Tin Oxide

Aluminum Zinc Oxide

Cathode Ray Tube

Fluorine Tin Oxide

Gallium Zinc Oxide

Indium Tin Oxide

Indium Zinc Oxide

Liquid Crystal Display

Linear Variable Differential Transformer

Organic Light Emitting Diode

Phenyl C61 Butyric Acid Methyl Ester

Pulsed Laser Deposition

Silcio dopado tipo p

Transparent Conductive Oxide

Densidade de portadores livres

Mobilidade de portadores livres

Comprimento da estrutura tridimensional

Seo transversal da estrutura tridimensional

Largura da estrutura tridimensional

ndice de refrao real

Velocidade da luz em um determinado meio

Velocidade da luz no vcuo

ndice de refrao do filme

ndice de refrao do substrato

ndice de refrao imaginrio

Intensidade de luz transmitida

Intensidade de luz incidente

Porcentagem de transmitncia ptica

Band gap ptico

Band gap intrnseco

Massa efetiva reduzida

Frequncia de oscilao do fton incidente

Ordenada de afastamento vertical

nmero de pontos considerados

Pico mais alto

Vale mais baixo

Transmitncia mdia na faixa do espectro visvel

Potencial negativo DC autoinduzido

Potncia de rdio frequncia

Temperatura final do substrato

Espaamento entre pontas internas

Fator de correo geomtrico para resistncia de folha

Campo eltrico produzido por efeito Hall