Electrnica de Potncia

I. INTRODUO
No presente trabalho falar-se-a de transstores de efeito de campo ( FETS) semelhana dos
transstores bipolares, a tenso entre dois terminais do FET controla a corrente no terceiro
terminal. Analogamente, o FET pode ser usado, quer como amplificador, quer como interruptor e
tambm abordar-se-a sobre os rectificadores controlado de silicio fotoactivo (LASCR).
Ambos usados em electrnica para diferentes fins.

II. OBJECTIVOS GERAL

Dar a conhecer alguns componentes electrnicos para a consolidao da materia dada na

disciplina de electrnica de potncia
OBJECTIVOS ESPECFICOS
Falar do Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR);
Falar do principio de funcionamento do LASCR.;
Falar dos Trasstores de efeito de campo;
Falar dos diferentes tipos de FETS;
E outros por em frente abordar.

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1.0. TRANSSTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET)
1.1. Introduo
Os FETs foram inventados por Julius Edgar Lilienfeld em 1926 e por Oskar Heil em 1934.
Em 1960 John Atalla desenvolveu o mosfet baseado nas teorias de William Shockley sobre
efeito de campo. Apesar de o conceito bsico dos FETs ser conhecido desde os anos trinta, o
dispositivo s se tornou uma realidade prtica nos anos sessenta. Entretanto, a partir dos anos
setenta, um tipo particular de FET, o transstor de efeito de campo metal-xido-semicondutor
(MOSFET), tornou-se extremamente popular.
FET acronimo em ingles de field effect transistor ,transistor de efeito de campo, como o nome
diz, funciona atraves do efeito de um campo elctrico na juno. Este tipo de transistor tem
muitas aplicaes na area de amplificadores(operando fora da area linear), em chaves (operando
fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os fets tem como principal
elevada impiedncia podendo substituir transformdores em determinads situaes, alem disso
so usados para amplificar frequncias altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.
Comparados com os BJT, os transstores MOS podem ser fbricados muito mais pequenos (i.e.,
ocupando uma rea de silcio muito mais pequena na pastilha de circuito integrado), alm de o
seu processo de fabrico ser mais simples. Alm disso as funes lgicas digitais e de memria
podem ser implementadas com circuitos que usam exclusivamente MOSFETs (i.e., no so
necessrios nem resistncias nem dodos). Por estas razes, a maior parte dos circuitos
integrados-em-grande escala (VLSI) so actualmente realizados com tecnologia MOS. Apesar de
a famlia de dispositivos FET incluir muitos tipos diferentes, e vamos estudar vrios, a maior
parte do captulo dedicada ao JFET .
1.2. Composio
Os FETs podem ser compostos por germnio ou silicio combinados as pequenas quatidades de
fosfro e boro, que so substncias dopantes (isto , que alteram as carecteristicas elctricas).
Os transistores de silicio so mais utilizados atualmente, sendo que transistores de germnio so
usados somente para o controle de grandes potncias.
Um fet para o uso geral apresenta trs terminais: porta (gate),fonte(source) e dreno (drain), que
permitem seis formas de polarizao, sendo trs as mais usadas:

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Porta comum (porta ligada entrada e saida simultaneamente);

Fonte comum (fonte ligada entrada e saida simultaneamente);e,
Dreno comum (dreno ligada entrada e saida simultaneamente).

1.3. Categorias
O FET pode ser devidido em duas categorias:
Os JFETS e MOSFETS, que por sua vez a os MOSFETS se devidem em duas categorias:

MOSFET tipo intesificao;

MOSFET tipo depleo.

Os termos depleo e intensificao definem o seu modo basico de operao, enquanto o nome
MOSFET designa o transistor metal Oxido Semicondutor.
1.4. JFET
JFET (em ingls: junction gate field-effect transstor) ou FET de juno, um transstor de efeito
de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contacto
directo com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elctrica. Esses
materiais podem ser do tipo P (dopado positivamente) ou do tipo N (dopado negativamente)
dependendo da dopagem de seu canal, pois eles sempre sero o oposto. Com esses materiais
colocados em contacto directo com o canal, cria-se uma zona de depleo que influenciada
pelas tenses injectadas no Gate, fazendo com que elas se "abram" ou "fechem" mais,
influenciando assim na resistncia do canal do JFET.

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Fig.1 simbologia do JFET

1.4.1. Funcionamento
Para explicar o funcionamento consideremos o JFET canal N, Com o potencial de porta igual a
zero (VG=0 ou VGS=0), aplicando-se uma tenso entre o dreno e a fonte (VD ou VDS), surge
uma corrente iD, como indica a figura. O objetivo controlar a corrente iD que circula entre a
fonte e o dreno. Isto pode ser feito aplicando-se uma tenso na porta.
As figuras mostram as polaridades do JFET, e para cada caso contem a tenso entre Porta (G) e a
Fonte (s), tal que a Porta (G) esta inversamente polarizada. Esta a forma normal de ligao
dos JFETs. Os terminais de Dreno (D) e Fonte (S) so intermutveis, i.e. qualquer uma das
extremidades pode ser utilizada como fonte e a outra extremidade dreno.

Fig.1 a) Canal n
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Fig.1 b) canal
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1.4.2. Curvas Caracteristicas
Se a tenso de porta for fixada, digamos em

V GS=0 V

, e a tenso de dreno for variada, o

grfico da corrente de dreno em funo da tenso de dreno obtido,

I D V DS

, tendo

V GS

como parmetro. A Figura 2 mostra o circuito para obter as curvas caractersticas de dreno.
O grfico da figura 3 mostra a curva de dreno do JFET quando

V GS=0 V

e a tenso de dreno

varia, para um JFET (2N4393) canal N com VP=-2,81V.

Inicialmente com

V DS =0 V

a corrente de dreno ID tambm zero. Com

V DS

aumentando e

inicialmente bem menor do que VP o comportamento de uma resistncia, isto , se a tenso de

dreno dobrar de valor a corrente de dreno tambm dobra de valor. Dizemos que a regio de
operao chamada de regio hmica (o JFET se comporta como uma resistncia controlada
por

V GS .

medida que a tenso de dreno se aproxima da tenso de pinamento (V P) e o canal

se aproxima do estreitamento mximo, a curva comea a se inclinar (resistncia do dreno

aumenta). A corrente de dreno para VDS=VP denominada de IDSS, corrente na saturao. Se a
tenso de dreno aumentar alem desse valor a variao da corrente de dreno fica constante em
IDSS. Por exemplo para o transstor 2N4393 IDSS=30mA.
Dizemos que o dispositivo entrou na regio de saturao, regio de amplificao ou patamar. Se
a tenso de dreno aumentar mais ainda, eventualmente ser atingida uma tenso, VDSS para a qual
a juno PN sofrer ruptura.

Fig. 2 circuito para determinao da curva de dreno

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Fig.3 Curva caracterstica de dreno para

V GS =0 V

para JFET com VP=-2.8V

Se agora for aplicada uma tenso, de porta de digamos VGS=-1V, e o procedimento repetido,
isto , a tenso de dreno variada a partir de zero, ser obtida uma curva semelhante da
Figura 3 porem com um valor de corrente na saturao menor que IDSS. O valor de VDS que
provocar o pinamento ser menor, neste caso aproximadamente 1,8V. De uma forma geral o
valor de VDS que provoca o pinamento dado por:
O conjunto de curvas para os diferentes valores de VGS chamado de curvas caractersticas de
dreno, Figura 4.

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Fig.4 Curva caracterstica de dreno para diversos valores de VGS

1.4.3. Curva Caracterstica de Transferncia

As curvas caractersticas de transferncia relacionam a sada, corrente de dreno (ID), com a
entrada, tenso de porta (VGS). Essas curvas so obtidas para um valor de VDS, por exemplo
V DS =5

, Figura 5 O grfico de

I D V DS

chamado de curva caracterstica de transferncia,

pois transfere os valores de entrada para a sada, Figura 6.

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Fig.5 curva caracterstica de dreno

Fig.6 curva caracterstica de transferncia

Equao que relaciona corrente de dreno com tenso de porta dada aproximadamente por:

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V
I D =I DSS 1 GS
VP

Onde IDSS a corrente de dreno na saturao para VGS=0 e VP a tenso de pinamento.

1.4.4. Parmetros do JFET
Todo semicondutor caracterizado por parmetros os quais determinaro limites de operao e
valores de ganho, esses parmetros tambm so usados para modelar o componente.
1.4.4.1. Transcondutncia
Esse um importante parmetro de um FET, sendo definido por:
gm=

d I DS
d V GS

, Onde V DS =constante

ID

Derivando

I D =I DSS 1

V GS

em relao a
V GS
VP

na expresso:

Obtm-se a expresso da transcondutncia (gm) em funo de ID e VGS.

gm=

d I DS 2 I DSS
V
2 I DSS
ID
=
1 GS =

d V GS
VP
VP
|V P| I DSS

1.4.4.2. Resistncia de Sada

A resistncia de sada definida como sendo:
r 0=

d V DS V DS
=
d I DS I DS

, Com V GS=constante

1.4.5. Vantagens dos JFETS

I g=0

Alta impedncia de entrada,

Maior estabilidade de temperatura do que os TBJs;

Menores que os TBJs;
Facilidade de fabrico;
Os TBJs so bipolares - conduo de lacunas e electres;

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Os FETs so unipolares usam somente um tipo de transporte de corrente;

Menor rudo do que o TBJs.

2.0. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (LASCR)

sabido que a luz uma forma de energia eletromagntica de alta frequncia e, como tal ,
capaz de realizar o trabalho, se os objetos de aquecimento absorver , incentivando a gerao de
eletricidade , ou apenas tiro de dispositivos semi-condutores de conduo destinados para o
efeito.
Fototirstores : Este o caso de tiristores foto, em que gating realizada sempre que voc receber
um feixe de luz na juno de controle. LASCR Seu nome tcnico , o que significa "Luz ativado
SCR . " O terminal de gate deixado simplesmente como controle de sensibilidade do eletrodo.
Foto LASCR ou SCR Silicon Retificadores controlados para luz ( LASCR ) habilitado . Este
dispositivo activado por irradiao direta sobre a pastilha de silcio causado pela luz . Os pares
eltron-buraco que so criados devido a radiao produzida dedisparo atual sob a influncia de
um campo eltrico.A estrutura do porto projetado para fornecer sensibilidade suficiente para
fotografar, a partir de fontes de luz prticos (ou seja, LED e capacidade de atender a alta
di/dt

e dv /dt

). O LASRC so usados em aplicaes de alta tenso e corrente [ por

exemplo, a transmisso de dc- alta tenso ( HVDC ) e compensao de energia reactiva esttica
ou volt-amperes reativa ( VAR )].
A LASCR fornece isolamento eltrico completo entre a fonte de luz e tiro dispositivode
comutao conversor de energia , que flutua em um potencial to alto como algumas centenas de
kilovolts. A especificao da tenso de um LASCR pode chegar to alto kv

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como 4 a 1500 A,

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com uma potncia de tiro leve ,menos de 100 mW
e dv /dt

. O di/dt

tipicamente de 250 A /ms

pode ser to alta como 2000 V /ms .

2.1. LARSC
Este dispositivo ativado pela radiao direta de luz sobre a pastilha de silcio. Os pares eltronburaco que so criados devido a radiao produzida corrente de disparo sob a influncia de um
campo eltrico. A estrutura do porto projetado para fornecer sensibilidade suficiente para
fotografar, a partir de fontes de luz prticos (ou seja, LED e capacidade de atender a alta
di/dt

e dv /dt ). Num circuito pode ser reconhecido pelos smbolos mostrados na Figura 7.

Como tem trs terminais de porta (G ), nodo ( A), catodo ( K ) e uma janela transparente atravs
da qual a luz entra observada .

Fig.7 simbologia de LASCR

2.2.1. Aplicaes
O LASRC so usados em aplicaes de alta tenso e corrente, por exemplo, a transmisso de dcalta tenso ( HVDC ) e compensao de energia reactiva esttica ou volt-amperes reativa (VAR).
A LASCR fornece isolamento eltrico completo entre a fonte de tiro luz do conversor de energia
de comutao, que flutua em um potencial to alto como algumas centenas de kilovolts.
2.2.2. Equipamento utilizado em:
Alarmes antifurto;
Detectores de presena nas portas e elevadores;
Circuitos de controlo ptico em geral;
Rels;
Controle de Fase;
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Controle de Motores; e,
E uma variedade de aplicaes informticas.

2.2.3. Caractersticas
A especificao da tenso de um LASCR pode atingir at 4 kV
potncia de tiro leve menos de 100mw. O di/dt

1500

tipicamente de 250

A , com uma

A /ms

e dv /dt

pode ser to alta como 2000 V / ms . A frequncia de chaveamento de at 2 kHz, estes

tiristores geralmente tm conexes especiais para serem alimentadas com fibra ptica. A LASCR
fornece isolamento eltrico completo entre a fonte de tiro luz do conversor de energia de
comutao, que flutua em um potencial to alto como algumas centenas de kilovolts .

III. CONCLUSO
Aps elaborao do trabalho pode-se concluir que os FETs tem maior campo de
aplicabilidade comparado devido a seu controle de corrente que eh feito com tenso de porta
que consequentemente eh o requisito de accionamento do mesmo. E por ocupar menor
espao no circuito integrado.
Os LASCR so dispositivos usados em grande escala nos circuitos de potencia para sistemas
de HVDC.

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IV. BIBIOGRAFIA
[1] RASHID, M.H,Electrnica De Potncia Circuitos, Dispositivos E Aplicaes, Makron
Books, 1999, Brasil, SoPaulo.
[2] AHMED, A,Electrnica De Potncia, Prentice Hall, 2000, Brasil, So Paulo.

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ndice
I. INTRODUO............................................................................................................ 1
II. OBJECTIVOS GERAL................................................................................................. 1
OBJECTIVOS ESPECFICOS......................................................................................... 1
1.0. TRANSSTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET).............................................................2
1.1. Introduo............................................................................................................. 2
1.2. Composio........................................................................................................... 2
1.3. Categorias............................................................................................................. 3
1.4. JFET.................................................................................................................... 3
1.4.1. Funcionamento................................................................................................. 4
1.4.2. Curvas Caracteristicas......................................................................................... 5
1.4.3. Curva Caracterstica de Transferncia......................................................................6
1.4.4. Parmetros do JFET........................................................................................... 8
1.4.5. Vantagens dos JFETS.......................................................................................... 8
2.0. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (LASCR)..................................................9

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2.1. LARSC................................................................................................................... 9
2.2.1. Aplicaes........................................................................................................ 10
2.2.2. Equipamento utilizado em:.................................................................................... 10
2.2.3. Caractersticas.................................................................................................... 10
III. CONCLUSO......................................................................................................... 11
IV. BIBIOGRAFIA........................................................................................................ 12

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