Apostila Fundamentos de Tecnicas de Alta Tensao

UNIVERSIDADE ESTADUAL DO OESTE DO PARAN UNIOESTE
CENTRO DE ENGENHARIAS E CINCIAS EXATAS CECE

CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA
Fundamentos de tcnicas de
alta tenso
Jonas Roberto Pesente.
Foz do Iguau, 2004.
FUNDAMENTOS DE TCNICAS DE
ALTA TENSO
Apostila elaborada durante o projeto de

extenso do acadmico Jonas Roberto
Pesente, a fim de cumprir com as
atividades de extenso exigidas pela
Universidade do Oeste do Paran
Unioeste, para o ttulo de graduao em
Engenharia Eltrica.
Coordenador: Professor Marcelo Fabiano Latini
Foz do Iguau, 2004
DEDICATRIA
Dedico este trabalho minha me.
AGRADECIMENTOS
Agradeo o apoio, a disposio e a pacincia dos funcionrios do
laboratrio eletromecnico da UHE ITAIPU SMIL.DT, em especial ao
Engenheiro eletricista Geraldo Carvalho Brito Junior pela orientao e
principalmente pela amizade; ao tcnico em eletromecnica Jaci Florncio
de Souza presente nos experimentos e nas explicaes, ao Engenheiro
Eletrnico
Luiz
Marcelo
Gasparetto
pelo
auxlio
na
programao
entendimento dos algoritmos de comunicao, ao Engenheiro Jos Simo

Filho
por
proporcionar
realizao
dos
ensaios
viabilizando
os
equipamentos, ao Engenheiro Marcelo Latini por ser veculo de minha

estadia junto ao laboratrio eletromecnico de Itaipu e aos colegas e
futuros Engenheiros eletricistas Rafael, Fernando e Alysson pela amizade e
companhia. Alm desses nomes, toda a equipe laboratorial deve ser
agradecida e relembrada, mesmo que informalmente: Laerti, Borges,
Andr, Joo Carlos, Cristian, Neves, Edson (filosofo informal), Olivi, Walter,
Jlio, Paulo Nunes e a todos que minha memria insiste em no recordar
neste momento, mas que sero com certeza, relembrados dia aps dia,
durante minha carreira como profissional de eletricidade.
EPGRAFE
Question of science and progress dont speak as loud as my heart.

Coldplay
RESUMO
PESENTE, J. R. (2004). Fundamentos de tcnicas de alta tenso.
Atividade extracurricular (Extenso) Universidade Estadual do Oeste do
Paran UNIOESTE, Foz do Iguau, 2004.
As atividades desenvolvidas durante o perodo de extenso se

concentraram na montagem das bancadas, verificao das instalaes
fsicas e calibrao dos equipamentos: uma fonte de tenso DC 50 kV,
barramentos reduzidos que reproduzem barramentos energizados em alta
tenso, uma barra e um segmento de barra estatrica, um resistor e um
capacitor de potncia, um equipamento de medio de descargas parciais e
medidores de resistncia de isolamento (meggers). Primeiramente, foi feita
uma reforma das instalaes do laboratrio eletromecnico de propriedade
de
Itaipu
Binacional,
onde
esto
alojados
os
equipamentos.
Seqencialmente, foram construdas cercas de conteno com a fim de

garantir a segurana dos alunos e dos operadores, feitas as instalaes dos
equipamentos juntamente com a malha de aterramento. A apostila
formulada parte complementar da implantao do laboratrio e, visa tanto
reunio de vrios tpicos de importncia disciplina de tcnicas de alta
tenso oferecida aos alunos de Engenharia Eltrica da Universidade
Estadual do Oeste do Paran Unioeste, que cursam nfase em sistemas
de potncia, como a congruncia da teoria de tcnicas de alta tenso com a
prtica.
ABSTRACT
The activities done between May and September of 2004 got
concentrate in mounting the workbenches, physical installations and
calibration of the equipments of the high voltages lab, which are: a DC
Voltage Source-50 kV, reduced buses which express high voltage buses, a
full and a fragmented stators bar, a power resistor and a power capacitor, a
partial discharges tester, and meggers. First, a building reform was
performed in the Itaipu Binacionals electromechanic lab, where the high
voltages lab remain, then, retaining fences were build to yield security
guarantee to student and users, and finally, an earth network was made,
and the equipments installed were earthed. This work is a complementary
part of the labs construction, and has the purpose to be as much as an
assembly of the most important topics to the High Voltage Techniques
course available to the students of Electric Engineering in Univeridade
Estadual do Oeste do Paran Unioeste which course the Power Systems
emphasis, as a link of the theory to practice in high voltage techniques.
LISTA DE FIGURAS
Figura 2.1 Balana de toro utilizada por Coloumb. ______________________________________ 7
Figura 2.2- Polarizao nas extremidades do dieltrico ______________________________________ 9
Figura 2.3 - Refrao do campo eltrico, as linhas de campo podem ser observadas em branco _____ 10
Figura 2.4 a) e b) - Modelo do dispositivo e configurao do campo eltrico ____________________ 11
Figura 2.5 a) e b) - Modelo do dispositivo e configurao do campo eltrico correspondente _______ 12
Figura 2.6_________________________________________________________________________ 15
Figura 2.7_________________________________________________________________________ 16
Figura 2.8_________________________________________________________________________ 18
Figura 2.9_________________________________________________________________________ 18
Figura 2.10________________________________________________________________________ 19
Figura 2.11________________________________________________________________________ 20
Figura 2.12________________________________________________________________________ 21
Figura 2.13________________________________________________________________________ 28
Figura 2.14 - o campo eltrico entre os materiais no modificado quando um material condutor
colocado entre eles. _________________________________________________________________ 29
Figura 2.15________________________________________________________________________ 29
Figura 2.16 placas paralelas separadas por camadas de cristais e uma camada de ar____________ 31
Figura 2.17 linhas equipotenciais do capacitor do exemplo E-1._____________________________ 32
Figura 2.18 Exemplo E-2. ___________________________________________________________ 33
Figura 2.19 Resoluo de E-2, c)._____________________________________________________ 34
Figura 2.20________________________________________________________________________ 35
Figura 2.21 Representao de um dispositivo onde existe extra-rigidez. _______________________ 36
Figura 3.1 molcula com dipolo eltrico permanente H2O _________________________________ 38
Figura 3.2 Alinhamento das molculas com a aplicao do campo eltrico.____________________ 38
Figura 3.3 a) um atmo em sua configurao natural, b) com dipolo induzido.___________________ 39
Figura 3.4 mecanismo de polarizao dos dieltricos._____________________________________ 40
Figura 3.5 Polarizao inica, material sem o efeito do campo eltrico e sob efeito do campo eltrico.
_________________________________________________________________________________ 42
Figura 3.6 Polarizao por orientao de dipolos. _______________________________________ 43
Figura 3.7 Polarizao de cargas espaciais. ____________________________________________ 43
Figura 3.8 Polarizao versus freqncia. As polarizaes com resposta mais rpida prosseguem nas
freqncias mais elevadas.____________________________________________________________ 44
Figura 3.9_________________________________________________________________________ 44
Figura 3.10________________________________________________________________________ 46
Figura 3.11________________________________________________________________________ 47
Figura 3.12 Curvas tpicas mostrando a variao da resistncia de isolamento com o tempo para
isolamento de classe B. ______________________________________________________________ 50
Figura 3.13 Definio de fator de perdas. ______________________________________________ 51
Figura 3.14 Dieltrico ideal com fator de perdas igual a zero. ______________________________ 52
Figura 3.15 Variao do ngulo d com a temperatura, para materiais orgnicos. _______________ 55
Figura 3.16 Variao do fator de perdas de acordo com a temperatura do papel (orgnicos polares).55
Figura 3.17________________________________________________________________________ 57
Figura 3.18________________________________________________________________________ 58
Figura 3.19 Circuito esquemtico do Meghmetro _______________________________________ 59
Figura 3.20________________________________________________________________________ 60
Figura 3.21________________________________________________________________________ 60
Figura 3.22________________________________________________________________________ 61
Figura 3.23________________________________________________________________________ 63
Figura 3.24 a) e b), respectivamente ____________________________________________________ 64
Figura 3.25________________________________________________________________________ 68
Figura 3.26________________________________________________________________________ 68
Figura 3.27________________________________________________________________________ 69
Figura 3.28________________________________________________________________________ 69
Figura 4.1 Processo das descargas ___________________________________________________ 74
Figura 4.2-a, b e c exemplificando, respectivamente, o diagrama da Figura 4.1. _________________ 75
Figura 4.3 Fenmenos produzidos pelas descargas parciais. _______________________________ 76
Figura 4.4 Comparao entre sinais eltricos comuns e sinais gerados pelas DPs. _____________ 78
Figura 4.5 Representao de uma cavidade em um dieltrico: I corresponde poro defeituosa do
dieltrico e II corresponde a parte no-defeituosa._______________________________________ 79
Figura 4.6 Comportamento das DPs em uma cavidade. ___________________________________ 79
Figura 4.7 Circuito eltrico que representa o dieltrico. ___________________________________ 80
Figura 4.8 Circuito eltrico simplificado._______________________________________________ 80
Figura 4.9 Circuito com impedncia em srie com capacitor de acoplamento.__________________ 83
Figura 4.10 Circuito onde a impedncia de medio fica em srie com o OT. __________________ 83
Figura 4.11 Circuito utilizado quando tanto o lado de baixa do OT, quanto o capacitor esto isolados
da terra. __________________________________________________________________________ 84
Figura 4.12 Circuito de ensaio. ______________________________________________________ 84
Figura 4.13 Circuito com impedncia resistiva.__________________________________________ 85
Figura 4.14 Circuito com impedncia indutiva. __________________________________________ 85
Figura 4.15 Diagrama simplificado do circuito de ensaio. _________________________________ 86
Figura 4.16 Calibrao direta do circuito de ensaio.______________________________________ 87
Figura 4.17 Calibrao indireta do circuito de ensaio. ____________________________________ 88
Figura 4.18 Circuito de deteco de descargas parciais____________________________________ 90
Figura 4.19 Resposta ao impulso com impedncia igual RC. ______________________________ 91
Figura 4.20 Resposta ao impulso de tenso de uma impedncia RLC. ________________________ 92
Figura 4.21 Relao entre a tenso e a freqncia dos pulsos de Trichel.______________________ 95
Figura 4.22 Mecanismos de falhas nos slidos. __________________________________________ 96
Figura 5.1 Elementos de um gerador de alta tenso DC.__________________________________ 101
Figura 5.2 Forma de onda de um retificador monofsico de meia onda de alta tenso. __________ 103
Figura 5.3 Circuito dobrador de n estgios __________________________________________ 104
Figura 5.4 Formas de onda de um dobrador de n estgios.______________________________ 104
Figura 5.5 Sees transversais dos transformadores utilizados para testes em alta tenso. _______ 108
Figura 5.6 Utilizao de dois elementos em srie sobre um ncleo magntico _________________ 109
Figura 5.7 Diagrama esquemtico de transformadores em cascata. _________________________ 109
Figura 5.8 Circuitos srie-ressonantes. _______________________________________________ 111
Figura 5.9 Conversor de freqncia utilizado junto com o gerador de alta tenso. ______________ 113
Figura 5.10 -Forma de onda plena para o impulso de tenso. _______________________________ 114
Figura 5.11 - Onda de tenso escarpada na frente.________________________________________ 115
Figura 5.12 Circuito representativo de um Gerador de Marx ______________________________ 116
Figura 5.13 Forma de ligao para o ensaio de impulso. _________________________________ 116
Figura 5.14 Tenses normalizadas para ensaios de impulso. ______________________________ 117
Figura 6.1 Representao esquemtica de um medidor de esferas de centelhamento vertical. _____ 121
Figura 6.2 Modelo aceito do divisor de alta tenso.______________________________________ 127
Figura 6.3 Circuito equivalente do divisor resistivo de tenso, utilizado nas medies de alta tenso.
________________________________________________________________________________ 129
Figura 6.4 Modelo mais simplificado para o circuito do divisor resistivo de alta tenso._________ 131
Figura 6.5 Comparao entre as respostas ao degrau, de acordo com a Equao 6.7. __________ 132
LISTA DE TABELAS
Tabela 2.1 - Evoluo do expoente de "d" na Equao 2.1 ____________________________________ 7

Tabela 2.2 Comparao entre os valores das constantes. __________________________________ 23
Tabela 2.3 Propriedades de alguns dieltricos. __________________________________________ 27
Tabela 3.1 Comparativo entre os ensaios de resistncias de isolamento dos diferentes materiais
isolantes __________________________________________________________________________ 48
Tabela 3.2 Condio da isolao indicada pelas razes de absoro dieltrica e ndice de polarizao
pela aplicao de uma tenso de 500V CC._______________________________________________ 50
Tabela 3.3 Resistncia de isolamento diferentes temperaturas _____________________________ 65
Tabela 3.4 Fatores de correo ______________________________________________________ 66
Tabela 5.1 Capacitncias caractersticas de elementos de alta tenso. _______________________ 107
Tabela 6.1 Relaes mnimas de construo, parmetros A e B. ____________________________ 120
Tabela 6.2 Valores de tenso de acordo com a distncia entre esferas - 1 parte _______________ 122
Tabela 6.3 - Fatores de correo das tenses nas tabelas anteriores __________________________ 125
LISTA DE SIGLAS E ABREVIATURAS

ABNT Associao brasileira de normas tcnicas
FRA Frequency response analysis
FRF Funo de resposta em freqncia
IEC International Electrotechnical Commission
LIT Linear e invariante no tempo
MCPD Medio de correntes de polarizao e despolarizao
SMIL.DT Superintendncia de manuteno ingenera de laboratorio, Diretoria
tcnica
SOM Sistema de Operao e Manuteno
UHE Usina Hidreltrica
SUMRIO
INTRODUO
1.1
CONSIDERAES INICIAIS
1.2
PESQUISAS DESENVOLVIDAS PELO LABORATRIO ELETROMECNICO
1
1
DA ITAIPU BINACIONAL
1.3
ESTRUTURA DOS CAPTULOS
CONCEITOS INTRODUTRIOS.
2
2.1
INTRODUO
2.2
CARGA ELTRICA
2.3
LEI DE COLOUMB
2.4
MTODO EXPERIMENTAL UTILIZADO POR COULOMB
2.5
INFLUNCIA DO MEIO
2.6
CAMPO ELTRICO
2.7
REFRAO DO CAMPO ELTRICO
10
2.8
CAMPO ELTRICO EM QUINAS E BORDAS
10
2.9
SUSCEPTIBILIDADE ELTRICA UMA VISO MICROSCPICA
12
2.9.1
EFEITO DE DISTORO CAMPO ESTTICO
13
2.9.2
EFEITO DE DISTORO CAMPO VARIVEL
14
2.9.3
MOLCULAS COM MOMENTO DE DIPOLO PERMANENTE
15
2.9.4
COMPORTAMENTO DO DIELTRICO NO CAMPO ELTRICO E A SUSCEPTIBILIDADE
ELTRICA
17
2.9.5
SUSCETIBILIDADE, CONSTANTE DIELTRICA E PERMISSIVIDADE
21
2.10
LEI DE GAUSS
23
2.11
DIFERENA DE POTENCIAL ELTRICO E POTENCIAL ELTRICO
24
2.12
CAPACITNCIA
26
2.13
CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS COM ISOLANTE ESTRATIFICADO 28
2.14
EXEMPLOS.
2.15
DISPOSITIVOS COM MATERIAIS ISOLANTES DISPOSTOS EM CAMADAS
LONGITUDINAIS
31
35
INTERPRETAO ATMICA DAS PROPRIEDADES DOS DIELTRICOS
3.1
INTRODUO
3.2
COMPORTAMENTO DIELTRICO DOS ISOLANTES - POLARIZAO DO
37
37
DIELTRICO
37
3.2.1
POLARIZAO NOS DIELTRICOS POLARES
37
3.2.2
POLARIZAO NOS DIELTRICOS NO POLARES
38
3.3
POLARIZAO NOS CAPACITORES
39
3.4
MECANISMOS E EFEITOS DA POLARIZAO NOS DIELTRICOS
41
3.4.1
POLARIZAO ELETRNICA PE
41
3.4.2
POLARIZAO INICA PI
42
3.4.3
POLARIZAO POR ORIENTAO DE DIPOLOS (DIPOLAR) - PO
43
3.4.4
POLARIZAO DE CARGAS ESPACIAIS (ESTRUTURAL) - PS
43
3.4.5
POLARIZAO ESPONTNEA - PT
43
3.5
RESPOSTA EM FREQNCIA DOS DIELTRICOS
44
3.6
MODELAGEM DE UM CIRCUITO DIELTRICO
44
3.7
TCNICAS DE MEDIO DOS PARMETROS DOS DIELTRICOS
47
3.7.1
MEDIDA DA RESISTNCIA DE ISOLAMENTO
47
3.7.2
ENSAIO DE ABSORO DIELTRICA
49
3.7.3
ENSAIO DE FATOR DE PERDAS(TG )
51
3.8
O USO DO MEGHMETRO
56
3.8.1
PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
56
3.8.2
OBSERVAES FINAIS A RESPEITO DOS MEGAOHMMETROS
61
3.8.3
MEDIO DA RESISTNCIA DE ISOLAMENTO
63
3.8.4
EXEMPLOS DE UTILIZAO DO MEGHMETRO COM O TERMINAL GUARDA:
68
3.9
4
SUMRIO
RUPTURA DOS DIELTRICOS
69
71
4.1
INTRODUO
71
4.2
RUPTURA NOS GASES
71
4.2.1
TRANSIO ENTRE AS DESCARGAS NO SUSTENTADAS AO ROMPIMENTO.
72
4.2.2
A FORA DE CAMPO DE ROMPIMENTO (EB)
72
4.2.3
DESCARGAS PARCIAIS
73
4.2.4
DESCARGAS ATRAVS DO EFEITO CORONA
93
4.3
DESCARGAS NOS SLIDOS
95
4.4
DESCARGAS NOS LQUIDOS
98
4.5
5
SUMRIO
GERAO DE ALTAS TENSES
99
100
5.1
INTRODUO
100
5.2
GERAO DE ALTAS TENSES EM CORRENTE CONTNUA
100
5.2.1
5.3
RETIFICAO DE TENSES EM AC
GERAO DE ALTAS TENSES ALTERNADAS
101
106
5.3.1
TRANSFORMADORES UTILIZADOS PARA TESTE
107
5.3.2
CIRCUITOS SRIE RESSONANTES.
110
5.3.3
TENSES DE IMPULSO
114
5.4
6
SUMRIO
TCNICAS DE MEDIO DE ALTAS TENSES
6.1
INTRODUO
6.2
MEDIES DE TENSES DE PICO ATRAVS DE FENDAS DE
117
119
119
CENTELHAMENTO
119
6.3
126
DIVISORES DE TENSO
6.3.1
DIVISORES DE TENSO RESISTIVOS
128
6.3.2
DIVISORES DE TENSO CAPACITIVOS
133
6.3.3
DISTORO CAUSADA PELO BRAO DE BAIXA TENSO
133
6.4
7
SUMRIO
CONSIDERAES FINAIS
133
134
ANEXO 1 ENSAIO DE UM TRANSFORMADOR TRIFSICO DA COMPANHIA DE

ELETRICIDADE DE PERNAMBUCO.
135
1 INTRODUO
1.1 CONSIDERAES INICIAIS

As altas tenses so particularmente interessantes em equipamentos
que trabalham com potncias elevadas e no transporte de energia, no
primeiro caso pelo fato de diminuir a corrente e o aquecimento dos
materiais daqueles, e no ltimo caso pelo fato de minimizar as perdas - que
so to menores quanto maiores forem as respectivas tenses. Em
contrapartida, tenses elevadas geram grandes complicaes no que diz
respeito isolao dos equipamentos, e, elevando muito a gravidade dos
danos
quando
um
acidente
acontece.
Somado
complicaes,
complexidade de um modelamento matemtico se torna tanto maior quanto

mais elevada for a tenso, portanto, o estado da arte atual dessas tcnicas
basicamente composto por aproximaes, por novas tecnologias ou
processamentos numricos computacionais. Por essas razes, tcnicas de
alta tenso so desenvolvidas e pesquisas relacionadas a elas so feitas
extensivamente.
Esta apostila visa em primeira instncia consolidao da disciplina de
Tcnicas de Alta Tenso oferecida pela Universidade Estadual do Oeste do
Paran Unioeste, aos alunos do curso de Engenharia Eltrica que esto
matriculados na nfase de Sistemas de Potncia. Atualmente, essa
disciplina lecionada pelo Professor e Engenheiro Marcelo Fabiano Latini,
gerente do Laboratrio Eletromecnico da Usina Hidreltrica de Itaipu
Binacional (SMIL.DT / IB), onde as aulas so ministradas, e por essa razo
existe a possibilidade de se fazer um link direto da teoria e da prtica de
tcnicas de alta tenso.
O SMIL.DT acreditado atualmente nos padres internacionais de
resistncia, tenso, freqncia, grandezas mecnicas, entre outras, com
preciso e exatido suficientes para que seja um laboratrio respeitvel, e
responsvel pela padronizao industrial de equipamentos da IB.
Nesta primeira edio desta apostila, se pretende auxiliar estudantes e

profissionais a conhecer tcnicas bsicas de gerao e medio de altas
tenses, conhecer fisicamente os mecanismos bsicos de conduo e
ruptura de dieltricos, os procedimentos e efeitos da polarizao, e os
mtodos de calibrao de equipamentos.
1.2 PESQUISAS
DESENVOLVIDAS
PELO
LABORATRIO
ELETROMECNICO DA ITAIPU BINACIONAL

Alm da disciplina em que o SMIL.DT d suporte, o laboratrio
incentivado pelo convnio da IB com a Unioeste e pela parceria entre PTI /
ITAI / ITAIPU fomenta vrias pesquisas, em andamento podemos citar:
Modelagem matemtica do rotor da Unidade 9A pela Acadmica Suzana
Mensh, a Modelagem matemtica do acelermetro Piezoeltrico pelo
Acadmico Andr Pasqual, ambas coordenadas pelo Professor e Mestre
Geraldo Brito, dentre outras.
1.3 ESTRUTURA DOS CAPTULOS
O segundo captulo tem carter introdutrio. Dessa maneira so

abordados os conceitos fsicos relevantes tenso elevada caractersticas
eletrostticas, leis fsicas, definies, etc.
O terceiro captulo se contm basicamente no efeito de polarizao e
suas implicaes, pois o entendimento deste proporciona vrias concluses
em relao aos materiais isolantes, comportamento das tenses, etc. Alm
disso, este captulo possui duas sees direcionadas a definio e ao
procedimento dos principais ensaios que so efetuados nos setores
industriais na avaliao da condio de isolamento de um equipamento a
IB possui um programa de manuteno que responsvel pela execuo
destes ensaios, programa que coordenado pelo Sistema de Operao e
Manuteno da IB (SOM), assim como
a descrio
equipamentos que so utilizados nessas medies.
minuciosa dos
quarto
conseqncias
captulo
do
volta
rompimento
sua
dos
ateno
isolamentos.
principais
Neste
causas
captulo
so
apresentadas as tcnicas de avaliao e anlise desses fatos.

O captulo quinto voltado para os equipamentos e procedimentos de
gerao de altas tenses, dando nfase na aplicao industrial destes
equipamentos. O sexto captulo ento, voltado medio dessas tenses,
tambm descrevendo os equipamentos e as diferentes tcnicas de medio,
e tambm acrescentando sees que evidenciam as aplicaes industriais
de tais equipamentos.
CONCEITOS INTRODUTRIOS.
2.1 INTRODUO
Os equipamentos eltricos que trabalham submetidos a altas tenses
geram grandes preocupaes no que se trata de seu isolamento, que pode
ser representado por modelos de circuitos eletrostticos, principalmente
capacitncias.
Esse captulo tem o intuito de apresentar os conceitos bsicos de
eletricidade esttica, das leis de Coulomb e Gauss, o conceito de
capacitncias e as aplicaes na engenharia de eletricidade.
2.2 CARGA ELTRICA
Os tomos so formados basicamente por eltrons, prtons e

nutrons. Por conveno, eltrons possuem cargas negativas e prtons
positivas, assim a carga eltrica lquida de um corpo igual a diferena
entre a quantidade de seus eltrons e prtons, de forma que um corpo com
excesso de eltrons tenha uma carga negativa e com excesso de prtons
uma carga positiva.
A unidade SI de carga eltrica o Coulomb[C], que a carga
necessria de dois corpos carregados com carga de sinais opostos para que
haja uma fora de atrao entre eles igual um Newton quando separados
por uma distncia de 1 metro.
Um Coulomb de carga negativa equivale ao excesso de 6,25 x 1018
eltrons em relao ao nmero de prtons.
2.3 LEI DE COLOUMB
A fora eletrosttica existente entre duas cargas pontuais, Q1 e Q2,

separadas por uma distncia R e situadas no vcuo, dada pela lei de
Coulomb e igual :
F = k0 *
Q1 * Q2
[N ]
R2
Equao
2.1
onde Q1 e Q2 so as cargas lquidas dos corpos em Coulombs[C], R a

distncia de separao entre os dois corpos em metros [m] e k0 uma
constante de proporcionalidade influenciada pela permissividade do meio
( 0 , permissividade do vcuo, neste caso) e igual :
2
1 N .m 2
9 N .m
9
.
10
2
4. . 0 C 2
C
Equao 2.2
Observa-se que com o aumento da permissividade do meio a fora

eletrosttica entre dois corpos diminui. A permissividade de um meio
sempre maior que a do
vcuo, que por definio igual a um.
Preenchendo-se, ento, o meio com qualquer material, est se aumentando

a permissividade do meio (a permissividade do ar muito prxima da do
vcuo, porm mesmo assim ainda maior).
O valor da constante k0 est relacionada com duas equaes
fundamentais da eletricidade, a fora representada pela lei de Coulomb
(Equao 2.1), e a fora entre correntes, representada pela equao
(Equao 2.3), que indica a existncia de uma fora entre duas correntes
paralelas, e diretamente proporcional duas vezes o produto de suas
correntes e sua indutncia mtua e inversamente proporcional sua
distncia de separao;
F= K m
2 I I
L [N ]
R
Equao 2.3
onde Km a constante de proporcionalidade entre a fora e as

variveis correlatas.
6
Tanto k0 como Km correspondem a foras eltricas e magnticas,
porm existe apenas um grau de liberdade porque h apenas uma nova
quantidade fsica, a carga eltrica, relacionada com a corrente pela equao
i = dq/dt. Assim podemos escolher um valor arbitrrio apenas para uma
constante.
A dcima primeira conferncia geral sobre pesos e medidas, reunida
em 1960, decidiu adotar Km = 10-7, e escolheu Ampre como unidade
fundamental de corrente, que uma vez definido, o Coulomb aquela
quantidade de carga que flui atravs de qualquer seo reta de um
condutor em um segundo, quando a corrente um Ampre.
Dessa forma, as duas constantes esto relacionadas por uma terceira
constante, a velocidade da luz[C], k0 = Km.C2 = 10-7.C2.
2.4 MTODO EXPERIMENTAL UTILIZADO POR COULOMB

Os primeiros registros de evidncias da existncia de propriedades
eltricas da matria foram feitos por Tales de Mileto aproximadamente em
600 AC, na observao de que quando mbar era atritado com substncias
secas, passava atrair corpos leves.
O termo eletrizado foi difundido ento como propriedade que o
mbar absorvia quando era atritado com outros objetos secos, uma vez que
em grego mbar se chama Elektron.
Somente em meados do sculo XVIII foram deliberadas o que hoje se
chamam de cargas eltricas por um cientista chamado Du Fay, na
observao de que cargas eltricas semelhantes se repeliam e cargas
eltricas diferentes atraiam-se, baseado em concluses obtidas a partir das
cargas absorvidas pelo atrito entre vidro e seda e entre resina e l,
denominando-se como positiva a carga absorvida pelo vidro quando atritado
com seda uma vez chamada carga vtrea; e como carga negativa a
absorvida pela resina quando atritada com l uma vez tambm chamada
carga resinosa.
Charles A. Coulomb, engenheiro militar francs, nascido em 1736 e
falecido em 1806, tendo trabalhado tambm nove anos na ndia, foi
responsvel pela quantificao da fora existente entre dois corpos com
7
carga eltrica lquida, formulando a primeira lei fundamental estabelecida
no campo da eletricidade.
Suas observaes partiram da construo de uma balana de toro
que leva seu nome, e representada pela Figura 2.1. O princpio de
funcionamento
seguinte:
duas
esferas
esto
equilibradas
nas
extremidades de uma haste horizontal suspensas por um fio. Uma vez que
a esfera a est eletrizada, quando a esfera b, tambm eletrizada
aproximada de a, a fora que se manifesta entre as esferas gira a haste,
provocando uma toro no fio, que pode ser medida a partir da indicao do
medidor do ngulo de toro do fio. Um relatrio das experincias de
Coulomb foi apresentado Academia de cincias da Frana em 1785, sendo
o desenho da Figura 2.1 ao lado uma cpia do prprio desenho feito por
Coulomb da balana de toro no relatrio citado, balana qual podia medir
foras de at 10-8 [N].
Figura 2.1 Balana de toro utilizada por Coloumb.

Tabela 2.1 - Evoluo do expoente de "d" na Equao 2.1
Teste da lei de Coulomba
Pesquisadores
Data
Aproximao
8
Benjamim Franklinc
1755
-----
Joseph Priestley
1767
"...de acordo com o quadrado da distncia..."
John Robinsonb
1769
menor ou igual 0,06
Henry Cavendish
1773
menor ou igual 0,02
Charles A. Coulomb
1785
Alguns por cento, no mximo
James Clerk Maxwell
1873
Menor ou igual 5.10-5
1936
1971
Samuel J. Plimptone e
Williard E. Lawtonc,d
Edwin R. Williams,
James E. Faller e
Henry A. Hillc,e
a Valores de n supondo que o expoente de R na equao 1.1 seja igual (2 + n)

b os resultados de Robinson e de Cavendish s foram tornados pblicos aps
Coloumb haver publicado seus resultados
c essas so as experincias da "lei de Gauss", enquanto que as demais so da de Coulomb
d - trabalho realizado no Worcester Polytechnic Institute
e trabalho realizado na Wesleyan University
As
experincias
realizadas
por Coulomb verificaram a hiptese
levantada pelos cientistas da poca, em que a fora existente entre dois

corpos carregados eletricamente proporcional ao inverso do quadrado da
distncia (F 1/R2), que exemplificada cronologicamente na Tabela 2.1.
2.5 INFLUNCIA DO MEIO

Como foi dito anteriormente, se os corpos carregados forem separados
por outro material que no ar (e.g. leo, gua), se observa que a fora de
interao entre os corpos sofre uma reduo que representada na Equao
2.1 pela constante de proporcionalidade, denominada constante dieltrica
do meio.
Essa constante funo da permissividade do meio, e pode ser
interpretada como grau de polarizao que as partculas de um material
podem obter sob a influncia de um campo eltrico, como segue:
Se entre duas placas carregadas com cargas de sinais opostos forem
separadas por um determinado material, o campo eltrico existente entre
as duas placas tende a polarizar as partculas desse material, de forma que
na superfcie das placas em contato com o mesmo apaream cargas de
sinais opostos as das placas, de acordo com a Figura 2.2, cargas que so
chamadas cargas de polarizao de forma que uma carga livre existente
entre as duas placas sofra a ao de duas foras, F0 devido as cargas
9
existentes nas placas A e B e Fp devido as cargas de polarizao, sendo que
a fora resultante seja ento, F = F0 - Fp.
Figura 2.2- Polarizao nas extremidades do dieltrico
Dessa forma, a fora resultante sobre a carga sempre menor quando

imersa em um material onde existam cargas de polarizao do que no
vcuo, o que leva a concluir que a constante dieltrica do meio seja uma
caracterstica que permite medir seu grau de polarizao quando sob efeito
de um campo eltrico.
2.6 CAMPO ELTRICO

O campo eltrico E definido, em qualquer ponto, em termos da fora
eletrosttica F que seria exercida sobre uma carga teste positiva qo colocada
naquele ponto, de acordo com a Equao 2.4 subseqente:
F
E=
qo
V
m
Equao 2.4
Uma forma de visualizarmos a direo, sentido e mdulo de um campo

eltrico pela construo de linhas de campo eltrico, que sempre se
originam em cargas positivas e se extinguem sobre cargas negativas, e
onde o mdulo do campo pode ser representado nesse caso pela
concentrao das linhas de campo.
O mdulo do campo eltrico criado por uma carga puntiforme sobre
uma carga de prova positiva qo, de acordo com a lei de Coulomb, igual a:
E=
q
4 0 R 2
V
m
Equao 2.5
10
e este campo aponta radialmente para fora da carga puntiforme se ela
for positiva e radialmente para dentro da carga puntiforme se ela for
negativa.
2.7 REFRAO DO CAMPO ELTRICO

Ao passar de um meio (permissividade 1), para outro (permissividade
2), o campo eltrico sofre uma variao de direo. Este efeito se chama
refrao do campo eltrico e semelhante ao que ocorre em raios
luminosos na passagem por meios de ndices de refrao diferentes. Quanto
maior a variao de permissividade, maior ser a variao angular do vetor
campo eltrico. Esse efeito pode ser representado pela Figura 2.3, na pgina
a seguir:
Figura 2.3 - Refrao do campo eltrico, as linhas de campo podem ser

observadas em branco
2.8 CAMPO ELTRICO EM QUINAS E BORDAS

Em dispositivos eltricos que possuem quinas e bordas, os campos
eltricos podem se tornar infinitamente grandes com pequenas tenses, de
forma que dispositivos isolantes com cantos pontiagudos podem se tornar
11
no
adequados.
Muitas
vezes,
no
entanto,
essas
circunstncias
desfavorveis no podem ser evitadas na prtica, no entanto, se pode

atravs das linhas de fluxo representar o traado do campo, e sua
intensidade com a tcnica de elementos finitos1, e dividir esses dispositivos
de acordo com o traado que possuem:
-
Primeiro
grupo:
Canto
situado
paralelamente
um
plano.
Dispositivos com essa configurao de canto podem ser representados pela

Figura 2.4, e, a configurao de campo eltrico na Figura 2.4, onde se pode
obter uma idia da intensidade de campo, de acordo com a escala

esquerda da figura, onde as cores avermelhadas so de intensidade
mxima, as de cores azuladas de intensidade mnima e as regies em preto
so onde no existe campo eltrico.
Figura 2.4 a) e b) - Modelo do dispositivo e configurao do campo eltrico
- Segundo grupo: ngulos retos. Dispositivos com essa configurao

podem ser representados pela Figura 2.5 e suas configuraes de campo
eltrico de acordo com a Figura 2.5, sendo feitas as mesmas consideraes
do primeiro grupo:
12
Figura 2.5 a) e b) - Modelo do dispositivo e configurao do campo eltrico

correspondente1
2.9 SUSCEPTIBILIDADE ELTRICA UMA VISO MICROSCPICA

Quando um material inico ou com carga lquida sofre o efeito de um
campo eltrico h uma tendncia de que as cargas diferentes sejam
separadas, efeito ao qual se d o nome de polarizao (ver cap. 2). Mas,
mesmo nos materiais onde no h carga lquida, se um campo eltrico for
aplicado, pode haver a polarizao por separao de cargas.Aos materiais
que podem ser polarizados se d o nome de dieltrico.
A polarizao de um material ento definida como o momento de
dipolo eltrico do meio por unidade de volume. Assim se p o momento
dipolo induzido em cada tomo ou molcula e n o nmero de tomos ou
molculas por unidade de volume a polarizao : P = n p [C/m2], que pode
ser provada atravs da Equao 2.4. Em geral P proporcional ao campo
eltrico aplicado (E).
Assim, a polarizao da matria pode ser escrita de acordo com a
Equao 2.6:
Os modelos da
Figura 2.5 so resultados de simulaes feitas pelo Engenheiro Jos Simo utilizando
o software EFcad - desenvolvido e patenteado pela UFSC.
13
C
P = e E o 2
m
Equao 2.6
onde e a suscetibilidade eltrica da matria e um nmero puro.

A suscetibilidade eltrica e, que descreve a resposta de um meio
ao de um campo eltrico externo, est, naturalmente, relacionada com as
propriedades dos tomos e molculas do meio, embora, essa quantidade
seja de carter macroscpico. Como vimos os tomos adquirem um
momento dipolo eltrico induzido p diante de um campo eltrico externo
E.
Podemos admitir que p proporcional a E, cujo resultado foi
confirmado atravs de experincias, e podemos escrever: p = o E ,

onde uma constante caracterstica de cada tomo, chamada
polarizabilidade; expressa em [m3]. Se existe n tomos ou molcula por
unidade de volume, a polarizao do meio : P = n p = n o E., que
comparando com a equao da suscetibilidade eltrica do material temos a
Equao 2.7.
e = n.a[admensional ]
Equao 2.7
Desta forma, o clculo da suscetibilidade eltrica reduz-se ao clculo

da polarizabilidade dos tomos (ou molculas) da substncia. Isso equivale
a determinar o movimento de um campo externo sobre o movimento dos
eltrons atmicos. Mas para isso necessrio o conhecimento sobre o
movimento eletrnico em um tomo o que envolve as leis da mecnica
quntica.
2.9.1 Efeito de distoro campo esttico
Quando as molculas de uma substncia no tm um momento de

dipolo eltrico permanente, a polarizao provm inteiramente do efeito de
distoro produzido pelo campo eltrico sobre as rbitas eletrnicas.
Podemos descrever esse efeito como um deslocamento do centro da
distribuio de carga eletrnica em relao ao ncleo. Tal efeito produz um
14
dipolo eltrico induzido que, nos tomos, e na maioria das molculas,
paralelo ao campo eltrico aplicado.
Cada tomo(ou molcula) tem uma srie de freqncias caractersticas
1n, que corresponde s freqncias da radiao eletromagntica que a
substncia pode emitir ou absorver. Essas freqncias constituem o
espectro eletromagntico da substncia. Quando o campo eltrico
constante, a polarizabilidade atmica, denominada polarizabilidade esttica,
dada pela Equao 2.8.
i =
e2
0 me
f
[admensional ]
i
Equao 2.8
Onde
se
refere
qualquer
das
freqncias
do
espectro
eletromagntico da substncia e a somatria estende-se sobre todas as

freqncias.
As
quantidades
designadas
por
i;
so
chamadas
de
intensidade de oscilador da substncia. Estas so todas positivas e menores

do que um, e representam a proporo relativa na qual cada uma das
freqncias do espectro contribui para a polarizabilidade do tomo.
Usando a equao (1.6) encontramos que a suscetibilidade eltrica
esttica est de acordo com a equao (1.8).
e =
ne 2
0 me
fi
2
i
= 3,19 x 10 3 n
i
fi
i2
[admensional ]
Equao 2.9
Essa expresso relaciona uma propriedade macroscpica, e , s

propriedades atmicas n, i e i da substncia.
2.9.2 Efeito de distoro campo varivel
Se um campo dependente do tempo, podemos esperar um resultado

diferente
para
polarizabilidade
atmica,
nesse
caso
chamada
polarizabilidade dinmica, porque a distoro do movimento eletrnico, sob

um campo eltrico dependente do tempo, ser naturalmente diferente da
de um campo eltrico esttico. Suponhamos que o campo eltrico oscila
com uma freqncia definida . Esse campo oscilatrio sobrepor uma
perturbao oscilatria ao movimento natural dos eltrons. Quando o
15
amortecimento no considerado, usando as tcnicas da mecnica
quntica, o resultado do clculo fornece a suscetibilidade dinmica de
acordo com a Equao 2.10.
e =
ne 2
0 me
2
i
fi
[admensional ]
2
Equao 2.10
Considerando a constante dieltrica ou permissividade relativa do

meio, que : r = 1 + e, no caso dinmico pode ser expressa pela Equao
2.11.
r =1 +
ne 2
0 me
2
i
fi
[admensional ]
2
Equao 2.11
Essas equaes podem ser discutidas na Figura 2.6, onde r est em

termos de , e se pode observar as freqncias caractersticas 1, 2i de
cada substncia. Essa variao tem uma enorme influncia sobre o
comportamento tico e eltrico da substncia.
Figura 2.6
2.9.3 Molculas com momento de dipolo permanente
As polarizabilidades discutidas no item anterior so "induzidas" porque

advm de uma distoro do movimento eletrnico por um campo externo.
Entretanto, quando existe um dipolo eltrico permanente, um outro efeito
entra em ao. Consideremos um gs polar cujas molculas tm um
momento de dipolo permanente Po. Na ausncia de qualquer campo eltrico
externo, esses momentos de dipolo so orientados ao acaso e no se
16
observa qualquer momento de dipolo macroscpico ou coletivo. Entretanto,
quando se aplica um campo eltrico esttico, este tende a orientar todos os
dipolos eltricos ao longo da direo do campo, de acordo com a Figura 2.7.
Figura 2.7
O alinhamento poderia ser perfeito na ausncia de todas as interaes

moleculares, porm as colises moleculares tendem a desordenar os dipolos
eltricos. O desarranjo no completo porque o campo eltrico aplicado
favorece a orientao na direo do campo em relao orientao
contrria. Conseqentemente, o valor mdio da componente do momento
de dipolo eltrico de uma molcula paralela ao campo eltrico dado pela
Equao 2.12.
2
Pmed
P
C
= 0 E 2
3TK m
Equao 2.12
onde k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta do

gs. Observe que Pmed decresce quando a temperatura aumenta. Essa
dependncia da temperatura ocorre porque a agitao molecular aumenta
com um aumento da temperatura; quanto mais rapidamente as molculas
se movem, mais efetivas elas se tornam na compensao do efeito de
alinhamento do campo eltrico aplicado. Isso produz um decrscimo na
mdia do momento de dipolo ao longo da direo do campo.
Comparando a Equao 2.11 com a Equao 2.12, obtemos a mdia ou a
polarizabilidade efetiva de uma molcula; como = (po)2/3.o.k.T e, se
existe n molculas por unidade de volume, a suscetibilidade efetiva e=
n. :
17
e =
np
2
o
3 0 KT
Equao 2.13
Resumindo,
observa-se
pelas
formulas
desenvolvidas
que
na
polarizao os fatores preponderantes so: a Intensidade do campo eltrico,

a temperatura e o tipo de constituio molecular do isolante.
2.9.4 Comportamento do Dieltrico no campo eltrico e a susceptibilidade

eltrica
Sempre que um corpo, condutor ou dieltrico, colocado em um

campo eltrico, h nele uma redistribuio de cargas. Se o corpo for um
condutor, os eltrons livres se distribuem, formando um volume (superfcie)
equipotencial, em cujo interior o campo nulo.
As cargas nas faces do condutor so denominadas cargas induzidas.
No condutor em si, no h excesso de cargas. Em qualquer ponto, no
interior do condutor, o campo nulo. Nos espaos entre condutor e as
placas, o campo o que existia antes da insero do condutor.
Vejamos agora como se comporta um dieltrico quando colocado entre
duas placas. Podemos dizer que em um dieltrico existem molculas de
polares e no polares conforme Figura 2.7.
a) uma molcula no polar se torna polar quando um dipolo induzido
sob a ao de um campo externo;
b) uma molcula polar, ou dipolo permanente, se orienta segundo a
direo do campo;
c) molculas polares, em um dieltrico submetido a um campo E,
dirigindo da. Esquerda para a direita.
18
Figura 2.8
Na Figura 2.8, temos o campo originado no dieltrico pelas cargas

induzidas superficiais. Esse campo oposto ao campo das duas placas
paralelas, mas, como no dieltrico, as cargas no podem se deslocar
livremente, o campo originado no chega a se igualar ao campo das duas
placas. Portanto, o campo no interior do dieltrico est enfraquecido, mas
no nulo.
Figura 2.9
Numa esfera condutora pode ser feita a mesma anlise. Alguns

materiais, tais como a maioria dos metais, contm partculas carregadas
que podem se mover mais ou menos livremente atravs do meio. Esses
materiais so chamados condutores. Na presena de um campo eltrico,
eles so tambm polarizados, mas de uma maneira que, essencialmente,
difere da dos dieltricos.
A menos que as cargas mveis num condutor sejam devidamente
removidas, elas se acumulam sobre a superfcie at que o campo por elas
19
produzido cancele completamente o campo aplicado externo no interior do
condutor, produzindo, dessa forma, o equilbrio (Figura 2.9). Conclumos,
ento, que no interior de um condutor que est em equilbrio eltrico o
campo eltrico nulo. Pela mesma razo, o campo eltrico na superfcie
deve ser perpendicular mesma, porque, se houver uma componente
paralela, as cargas se movero ao longo da superfcie do condutor. Alm
disso, todos os pontos de um condutor que est em equilbrio devem estar
a um mesmo potencial, porque o campo, no interior do condutor, nulo.
Figura 2.10
Se o campo eltrico, no interior do condutor, nulo, temos tambm

que div E = 0, e portanto a lei de Gauss, na forma diferencial, div E=
/o d = 0 e, desse modo, a densidade de carga no volume do
condutor zero. Isso significa que toda a carga eltrica de um condutor em
equilbrio est na sua superfcie. Com essa afirmao queremos dizer
realmente que a carga resultante distribuda sobre uma seo da
superfcie tendo uma espessura de diversas camadas atmicas, no uma
superfcie no sentido geomtrico.
Vamos agora relacionar o campo eltrico na superfcie de um condutor
com a carga eltrica superficial. Para isso vamos considerar um condutor de
forma arbitrria, como o da Figura 2.10. Para determinar o campo eltrico
num ponto muito prximo, mas externo, superfcie do condutor,
construmos uma superfcie cilndrica rasa semelhante a uma pastilha, com
uma das bases um pouco externa superfcie do condutor e a outra base
20
em uma profundidade tal que toda a carga da superfcie esteja no interior
do cilindro e possamos dizer que o campo eltrico ali nulo. O fluxo eltrico
atravs dessa superfcie composto de trs termos. O fluxo atravs da base
interna zero, porque o campo nulo. O fluxo atravs do lado zero,
porque o campo tangente a essa superfcie. Portanto permanece apenas o
fluxo atravs de sua base externa.
Figura 2.11
Dado que a rea da base S, temos E= ES. Por outro lado, se

a densidade de carga superficial do condutor, a carga do interior do
cilindro q=.S. Portanto, aplicando a lei de Gauss, E =q/o
vem:
E.S = .S /o ou seja:
E=
V
0 m
Equao 2.14
A expresso da Equao 2.14 d o campo eltrico num ponto externo,

mas muito prximo superfcie de um condutor carregado, enquanto que,
no interior, o campo nulo. Portanto, enquanto a superfcie de um condutor
carregado atravessada, o campo eltrico varia da maneira ilustrada na
Figura 2.11.
21
Figura 2.12
A Figura 2.12 mostra a fora por unidade de rea sobre as cargas da

superfcie de um condutor. Estas cargas esto sujeitas a uma fora
repulsiva devida s outras cargas. A fora por unidade de rea, ou presso
eltrica, pode ser calculada multiplicando-se o campo eltrico mdio pela
carga por unidade de rea. O campo eltrico mdio seria: Emed= /2o.
Portanto, a presso eltrica : Fs = Emed = 2/2o.
Qualquer que seja a forma do condutor, os princpios fsicos so os
mesmos; as expresses matemticas do campo so relativamente simples
para a esfera ou elipsoidal, porm para outras formas se tornam
extremamente complexas.
Todo o estudo feito pode ento ser aplicado a uma esfera isolante.
Como no caso da Figura 2.12, as cargas induzidas superficiais enfraquecem
o campo no interior da esfera, mas no o torna nulo. O campo no interior
da esfera dieltrica e dos materiais em geral depende das caractersticas do
material isolante, denominando assim Ee sendo o campo externo e Ed o
campo no dieltrico, que se relacionam por Er = Ee - Ed.
2.9.5 Suscetibilidade, constante dieltrica e permissividade
Considerando a Figura 2.11 e desprezando o efeito das bordas,

densidade superficial das cargas induzidas uniforme. Podemos definir
como sendo a densidade de carga nas placas e i a densidade superficial
das cargas induzida no dieltrico.
22
As cargas induzidas neutralizam, parcialmente, as cargas livres das
placas, reduzindo a densidade superficial efetiva de para i.
Portanto, o campo eltrico resultante no interior do dieltrico ser:
ER =
( i ) =
i V
0 0 m
Equao 2.15
onde E
= /o a componente de campo devido as cargas nas
placas, Ed=i/o a componente de campo devido as cargas induzidas; i

depende da intensidade de campo E ( que induziu as cargas) e da
natureza do dieltrico, Er o campo resultante. Desenvolvendo a equao
acima temos:
i
ER
=E- i
i = E E E ,
R 0
R
=
1 0 Chamando i de e ou seja, de suscetibilidade, temos :
ER
ER
e =
o mas E = = +
o
e o
o
E
E
R
R
ER =
+ 1 o
o
V
m
No entanto, so feitas as seguintes observaes: quanto maior for e

de uma substncia, tanto maior ser a carga induzida por um dado campo;
para temperatura constante e campos pouco intensos, e uma constante,
logo, a densidade superficial de carga induzida proporcional ao campo
resultante; no vcuo, e = 0; Ke =KR a constante dieltrica relativa
de uma substncia; tanto e como Ke variam com a temperatura e
intensidade de campo; e o a permissividade do dieltrico no vcuo, se Ke
= 1, ento = o.
As
propriedades
dieltricas
de
uma
substncia
ficam
bem
determinadas quando se conhece e ou Ke, ou e o so ligadas

pelas relaes:
ke =
= 1+ e
o
o
Equao 2.16
23
C2
2
N .m
= o + e = k e o
Equao 2.17
e = o =
ER
(C 2 / N .m 2 )
Equao 2.18
Finalmente, alguns valores das constantes discutidas podem ser

exemplificados pela Tabela 2.2.
Tabela 2.2 Comparao entre os valores das constantes.
Substncia
KR
Vcuo
Vidro
35 a 80.10-12
5 a 10
Mica
18 a 45.10-12
3a6
Borracha
13 a 290.10-12
2,5 a 35
gua
708.10-12
81
Ar
1,00059
Vapor dgua
1,00705
2.10 LEI DE GAUSS

A
lei
de
Gauss
da
eletricidade
uma
forma
alternativa
de
representao da lei de Coulomb, ou seja, constituem modos equivalentes

de descrever as relaes entre a carga e o campo eltrico em condies
estticas. A lei de Gauss dada como
0 = q[C ]
Equao 2.19
onde q a carga lquida dentro de uma superfcie imaginria

fechada, chamada de superfcie gaussiana, o fluxo lquido do campo
eltrico (=E*A, para uma rea A conhecida) atravs da superfcie e a
constante multiplicando a permissividade.
A lei de Gauss, se utilizada com certos argumentos de simetria, pode
implicar em resultados importantes em situaes eletrostticas, com certa
simplicidade, a saber:
24
As cargas em excesso sob um condutor isolado esto totalmente
localizadas sobre a superfcie externa do condutor.
O campo eltrico prximo superfcie de um condutor carregado
perpendicular a superfcie e tem mdulo E =
[V ] , onde a
o
densidade de carga por unidade de rea.

O campo eltrico num ponto, criado por uma linha infinita de carga,
com densidade linear de carga constante e igual , est numa
direo perpendicular linha de carga e tem mdulo E =
[V ] , onde
2 o r
r a distncia perpendicular da linha ao ponto.

O campo eltrico criado por uma chapa infinita (ou plano infinito)
de carga com densidade superficial de carga constante perpendicular
ao plano da chapa e tem mdulo E =
[V ] .
2 o
O campo eltrico fora de uma casca esfrica de carga, de raio R e

carga total q, tem direo radial e mdulo E =
q
[V ] , e a carga
4 o R 2
se comporta como concentrada no centro da casca para pontos fora

desta, e com E = 0 exatamente dentro da mesma.
O campo eltrico dentro de uma esfera uniformemente carregada
tem direo radial e mdulo
E=
q
.r[V ] , sendo R o raio da
4 o R 3
esfera e r a distncia do centro da esfera.
2.11 DIFERENA DE POTENCIAL ELTRICO E POTENCIAL ELTRICO

A variao de energia potencial eltrica de uma carga puntiforme
quando ela se move de um ponto inicial i e um ponto final f inserida num
campo eltrico, igual ao negativo do trabalho realizado para moviment-la
nesse trajeto, ou seja,
U = U f U i = Wif [J ]
Equao 2.20
25
de modo que se for definido como sendo zero a energia potencial da
carga no infinito, a energia potencial de uma carga num ponto igual ao
negativo do trabalho que um campo eltrico realizou para trazei-la desde o
infinito para o ponto em questo, definindo assim a energia potencial de
uma carga puntiforme eltrica.
A partir da, a diferena de potencial eltrico entre dois pontos,
definida como sendo a variao da energia potencial eltrico da carga
dividida por uma carga de prova sob a qual o campo eltrico realiza
trabalho, ou seja,
V = V f Vi =
Wif
qo
[V ]
Equao 2.21
Onde qo a carga de prova sob qual o campo realiza trabalho.

Dessa forma, o potencial eltrico em um ponto igual ao negativo do
trabalho que um campo eltrico exerceu para trazer a carga de prova do
infinito at o ponto em questo, sob a carga de prova.
As superfcies equipotenciais so superfcies onde todos os pontos
possuem o mesmo potencial eltrico. Em muitas circunstncias, as
superfcies equipotenciais podem ser representadas simetricamente em
relao aos dispositivos energizados, para efeito de facilidade de clculo,
uma vez que o trabalho realizado por um campo para movimentar uma
carga de prova entre duas superfcies equipotenciais independente do
caminho a ser tomado, e dependendo do grau de simetria, o campo
funo apenas de uma distncia em uma direo. Outra considerao a ser
feita que o campo eltrico sempre perpendicular s superfcies
equipotenciais.
O campo eltrico e a diferena de potencial entre um ponto inicial i e
um ponto final f so relacionados por:
f
V f Vi = E .d s
i
[V ]
Es =
V V
s m
Equao 2.22
Para os engenheiros, o potencial de terra sempre tomado como

referncia, uma vez que para o uso da energia da eletricidade suficiente
26
saber a diferena de potencial entre dois pontos. Assim, para efeito de
simplificao pode-se fazer Vi = 0, que implica em Vf = V.
Como considerao final sobre potencial eltrico, pode-se dizer que
uma carga em excesso colocada sobre um condutor estar, no equilbrio,
localizada sobre a superfcie externa do condutor, levando todo o condutor,
inclusive a superfcie e os pontos internos ao mesmo potencial eltrico.
2.12 CAPACITNCIA
A energia potencial eltrica pode ser armazenada em forma de campo
eltrico, em dispositivos condutores que podem manter esses campos
estticos. Normalmente esses dispositivos so denominados capacitores e
so representados por duas placas metlicas paralelas, onde existe uma
relao entre a carga armazenada nas suas placas e a diferena de
potencial entre elas, que uma constante de proporcionalidade chamada
capacitncia, representada pela Equao 2.23:
q = CV
C=
q
[F ]
V
Equao 2.23
A unidade da capacitncia o Farad, e 1 Farad = 1 Coulomb por 1

Volt.
A capacitncia de um capacitor pode ser determinada teoricamente
utilizando a lei de Gauss (calculando o campo criado por uma carga
hipottica, e calculando a diferena de potencial entre as placas atravs da
distncia entre as superfcies equipotenciais), sendo possvel notar que ela
unicamente funo da permissividade do meio que est entre as placas
carregadas, e da geometria do capacitor (quanto maior a superfcie onde se
depositam cargas, maior a capacitncia).
A energia potencial eltrica armazenada em um capacitor carregado
pode ser determinada sabendo que igual ao trabalho exercido para
carregar o capacitor, e est de acordo com a Equao 2.24.
q2 1
U=
= CV 2 [J ]
2C 2
Equao 2.24
27
Tabela 2.3 Propriedades de alguns dieltricos.
Material
Constante dieltrica
Rigidez dieltrica (kV - mm)
Ar (1 atm)
1,00054
Poliestireno
2,6
24
Papel
3,5
16
leo de transformador
4,5
Pirex
4,7
Mica
5,4
Porcelana
6,5
Silcio
12
Germnio
16
Etanol
25
gua(20C)
80,4
gua(25C)
78,5
Cermica
130
Titanato de estrncio
310
14
Para o vcuo, = unidade
Como a capacidade de armazenar energia potencial eltrica

proporcional capacitncia e esta depende tambm da permissividade do
meio, so usados dieltricos (elementos no condutores que possuem
permissividades maiores que a do vcuo) para aumentar a isolao ou a
capacidade
de
armazenamento
de
energia
de
dispositivos
que
se
comportam como capacitores. Michael Faraday, que criou o conceito de

capacitncia, percebeu, em 1837 que aumentando o isolamento eltrico
entre as duas placas de um capacitor, a capacitncia aumentava por um
fator numrico, que chamou de constante dieltrica (), uma vez
comentada anteriormente. A intensidade mxima de campo eltrico que um
dieltrico pode suportar sem sofrer ruptura conhecida como rigidez
dieltrica e alguns valores de rigidezes e constantes dieltricas podem ser
vistos na Tabela 2.3.
comum equipamentos sofrerem solicitaes eltricas da ordem de 1
a 5 pu ou mais. Deste modo, os equipamentos so fabricados com isolantes
eltricos possuindo um coeficiente de segurana principalmente nas partes
mais solicitadas pelos campos eltricos estressantes. De um modo geral, na
Figura 2.13 temos um isolante entre duas placas metlicas separados pela
distncia dab, e aumentando-se gradualmente a tenso entre as duas
28
placas, chega um momento em que o isolante perfurado por uma
descarga eltrica. A tenso em que ocorre a perfurao conhecida como
tenso de perfurao(Vp).
Figura 2.13
De acordo com a Equao 2.25 a intensidade de campo eltrico no

instante da perfurao ou ruptura :
Ep =
V p kV
d ab cm
Equao 2.25
Esta intensidade de campo ento conhecida como intensidade de

campo de perfurao ou rigidez dieltrica, e o coeficiente de segurana
definido como a razo entre a tenso de ruptura e a tenso nominal de
funcionamento do equipamento, como segue:
Cs =
Vp
Vn
[admensional ]
Equao 2.26
2.13 CAPACITOR
DE
PLACAS
PARALELAS
COM
ISOLANTE
ESTRATIFICADO
Consideramos um capacitor de placas em que o isolante est

constitudo por trs camadas de distintos materiais. Cada camada paralela
as placas p1 e p2 da Figura 2.14. Estamos considerando que as camadas
esto dispostas de tal forma que as superfcies de separao coincidam com
as superfcies equipotenciais. Assim, as linhas de campo sero normais s
interfaces dieltricas. Estamos considerando tambm que as camadas
dieltricas so isolantes ideais. Um isolante ideal aquele que cuja rigidez
29
dieltrica independente da forma dos eletrodos e da sua prpria
espessura.
Se entre as superfcies de contato das camadas isolante se intercala
uma folha metlica fina cuja superfcie S seja igual a das placas p1 e p2
(Figura 2.14), no se introduz variao alguma no campo eltrico por ser
equipotenciais estas superfcies de contato.
Figura 2.14 - o campo eltrico entre os materiais no modificado quando um

material condutor colocado entre eles.
Assim sendo, podem-se considerar as trs camadas de isolante como

sendo trs capacitores conectados em srie conforme a Figura 2.15, abaixo:
Figura 2.15
cujas respectivas capacitncias so:
C1 = 1 0
e a capacitncia total,
S
;
a1
C2 = 2 0
S
a2
C3 =3 0
S
a3
30
1
a3
a1
a2
1
1
1
1
+
+
=
+
+
=
=
1 o s 2 o s 1 o s o s
C C1 C 2 C 3
a1
a
a2
+ 3 [F]
+
2
3
1
fazendo
Assim a capacitncia total poder ser fornecida por C = o
s
onde
k
C dada em [F], S em [cm2] e sendo o = 8,84.1014, e k conforme

definido anteriormente.
Designando por U1, U2 e U3 as diferenas de tenso que
correspondem, respectivamente, a cada uma das camadas isolantes e U a
tenso total entre as placas p1 e p2, resulta em:
UC =U1C1 =U 2C2 =U3C3

De onde se deduz que para a primeira camada isolante a tenso U1
ser:
U1 =
0 Sa 1
a1
C
U =
U =
U
C1
K 1 0 S
1K
Analogamente, para a segunda camada,
U2 =
a2
U
2K
E, de forma geral, para a nsima camada
Un =
an
U
nK
Sendo homogneo o campo eltrico em cada camada, a intensidade do

campo na primeira ser:
E1 =
U1
U
=
a1 1 K
Dividindo U1 por U2 temos:
U 1 a1 2 k
U
a
=
1 = 1 2
U 2 a2 1 k
U 2 a2 1
Ou
seja,
os
esforos
dieltricos
U 1 a2 2
=
a1 U 2 1
nas
camadas
inversamente proporcionais a suas constantes dieltricas.
E1 2
=
E2 1
isolantes
so
31
2.14 EXEMPLOS.
E-1) Duas placas metlicas de superfcie igual a 400 cm2 cada uma,
onde sobre cada qual se existe uma camada de cristal de 0,5 cm de
espessura, sendo as camadas de cristais separadas por uma camada de ar
de 1 cm, de acordo com a Figura 2.16. Entre elas existe uma tenso eltrica
de 40 kV. A constante dieltrica do cristal nove (9) e a do ar um (1).
Pede-se determinar: a) O esforo dieltrico no cristal; b) O esforo
dieltrico no ar;
c) a capacitncia total; d) O esforo dieltrico no ar
supondo retiradas as camadas de cristal.
Figura 2.16 placas paralelas separadas por

camadas de cristais e uma camada de ar
Resoluo:
a) K =
a1
a2
a3
0,5 1 0,5 10
+ +
=
9 1 9
9
O esforo o mesmo para as duas camadas do cristal, a saber:
E1 = E 2 =
40 . 9
U
=
= 4 kV . / cm . , valor este muito aceitvel para o
1 K 9 . 10
cristal.
b) O esforo no ar :
E2 =
2K
40 .9
= 36 KV . / cm .
1 .10
32
Como a tenso de perfurao eltrica do ar de 30 [kV/cm], resulta
que se produzir descarga ao chegar nesta tenso.
U = E2 2 K = 30 .1.
c) C = o
10
= 33,3 KV . , ou seja, no alcanar a tenso de 40kV.
9
s 8,84 . 400 . 9
=
= 7,16 . 10 11 [ F ]
14
k
10 . 10
d) Retirando as duas camadas de cristal haver uma separao de ar

de a = 2 cm entre as placas metlicas, sendo ento o esforo dieltrico
de:
E=
U 40
=
= 20kV . cm , valor este perfeitamente aceitvel para o ar,
a
2
resultando que houve uma melhora dieltrica do dispositivo ao se retirar s

camadas de cristal. Este um fato muito relevante, pois nem sempre ao
acrescentarmos materiais isolantes em um dispositivo qualquer estamos
melhorando suas condies dieltricas.
Em alta Tenso devemos ter
sempre em conta ao fato que podemos piorar as condies de um

dispositivo isolante ao utilizar materiais estratificados (em camadas).
A Figura 2.17 representa o traado das linhas equipotenciais e as
intensidades dos campos eltricos nos dois materiais em questo, o cristal
em azul e o ar em preto e com as intensidade de campo de 4 kV/m e 36
kV/m respectivamente.
Figura 2.17 linhas equipotenciais do capacitor

do exemplo E-1.
33
Questionamentos:
a) a presena do isolante (camadas de cristal) no dispositivo garantir

a rigidez dieltrica do mesmo?
b) Voc se sentiria mais seguro se o dispositivo no tivesse as duas
camadas isolantes de cristal?
E-2) Duas placas metlicas circulares de 10 cm de raio se encontram

separadas por uma distncia de 3 cm de acordo com a Figura 2.18. Entre as
placas h uma camada de cristal e um intervalo de ar. A descarga de
perfurao deve ocorrer com uma tenso de 60kV. A constante dieltrica do
cristal igual a sete (7) e a do ar um (1). A rigidez dieltrica do ar 30
kV. Determinar: a) a espessura de camada de ar; b) a espessura da
camada de cristal; c) A tenso com relao placa da direita; d) A
capacidade total.
Figura 2.18 Exemplo E-2.
Soluo:
Ea =
mas k =
aa
a k
ac
k=
U
Ea a
60
= 2,
30 . 1
como a c = a - a a logo, K =
Explicitando aa na equao acima temos:
aa
aa
34
aa =
k c a aa
c a
2 . 7 .1 - 3 .1
= 1,833[cm]
7 1
b) ac = a aa = 3 1, 833 = 1,167 [cm]. Pelo resultado notamos

que indiferente a camada de cristal esta ou no em contato com a placa
metlica.
c) Conforme a Figura 2.19 subseqente, a camada de cristal est

encostada na placa da esquerda. A distribuio de tenso no cristal e no ar
ser:
Uc =
ac
c k
1,167
. 60 = 5 kV
7.2
O esforo dieltrico no cristal ser:
Ec =
Uc
a
5
= 3,43kV / cm
1,167
A diferena de tenso no ar : U a =
aa
a k
U=
1,833
. 60 = 55 kV
1.2
Figura 2.19 Resoluo de E-2, c).
d) agora com vocs
35
2.15 DISPOSITIVOS COM MATERIAIS ISOLANTES DISPOSTOS EM

CAMADAS LONGITUDINAIS
Entre as placas P1 e P2 da Figura 2.20 h vrios materiais isolantes

de distintas constantes e rigidezes dieltricas, cujas superfcies de contatos
seguem os sentidos das linhas de fora. Como todos os elementos isolantes
esto submetidos na mesma tenso, lgico supor que ao elevar-se esta se
produza perfurao transversalmente da camada isolante de menor
rigidez.
Figura 2.20
A prtica ensina que a perfurao se produz seguindo a superfcie de

contato de dois elementos isolantes contnuos em que a rigidez nesta
superfcie menor que em qualquer dos elementos que separa. A rigidez
dieltrica desta superfcie de contatos se designa com o nome de rigidez
dieltrica longitudinal.
Quando os dois elementos isolantes contnuos tm estados fsicos
distintos, como no caso de porcelana e ar ou vidro e leo, a descarga pela
superfcie
de
contatos
se
chama
extra-perfurao,
rigidez
correspondente, extra-rigidez.
A extra-rigidez, ou rigidez longitudinal no pode ser deduzida das
rigidezes e constantes dieltricas das substancias em contatos.
36
Na Figura 2.20, C um cilindro de porcelana rodeado de ar. A tenso
entre as placas P1 e P2 elevada at produzir a descarga. A tenso
correspondente a esta se designa de tenso de extra-perfurao U2 Sendo
L a distncia da trajetria de descarga de extra-perfurao, a rigidez
correspondente ser:
Ee =
Ue V
L cm
Equao 2.27
Onde Ee dado em Volts por centmetro [V/cm], quando Ee est

em Volts [V] e L em centmetros [cm]. Isto considerando que a hiptese
de que a tenso na superfcie de contato decresce gradualmente de uma
para outra placa. Esta situao no se cumpre exatamente na prtica.
Quanto maior as dimenses dos eletrodos (placas) em relao a distncia
L mais se aproxima a tenso real da tenso ideal ou seja, decrescer
gradualmente.
Figura 2.21 Representao de um dispositivo

onde existe extra-rigidez.
SUMRIO
De uma forma geral, os dieltricos apresentam uma caracterstica

chamada rigidez dieltrica, que a capacidade de isolamento em [kV/cm],
e que mede quo bom tal dieltrico.
Um capacitor tem sua capacitncia representada pelas equaes do
tpico 26 que culminam na concluso de que os esforos dieltricos que
podem
ser
submetidos
determinados
proporcionais s suas constantes dieltricas.
isolantes
so
inversamente
37
3 INTERPRETAO
ATMICA
DAS
PROPRIEDADES
DOS
DIELTRICOS
3.1 INTRODUO
O termo dieltrico dado ao material onde so considerados aspectos

eletrostticos, ou seja, propriedades especficas mensurveis, tais como rigidez
dieltrica, absoro dieltrica, constante dieltrica e fator de potncia, ao
contrrio de isolante, que sugere apenas que o material um mau condutor de
eletricidade.
Sendo assim, o mtodo mais comum de checar as condies de isolao de
dispositivos de alta tenso, a medio destas caractersticas dos dieltricos em
corrente alternada e freqncia industrial. O presente captulo trata-se de
esclarecer os principais conceitos de ensaios dieltricos para medio da
qualidade do isolante, tais como fator de perdas e fator de potncia do
isolamento.
3.2 COMPORTAMENTO DIELTRICO DOS ISOLANTES - POLARIZAO DO

DIELTRICO
Se aplicarmos um campo eltrico sobre um material constitudo por cargas

eltricas de ambas polaridades, existe uma tendncia das cargas com sinais
opostos de se moverem em sentidos contrrios, fenmeno que conhecido como
polarizao. Como tanto materiais naturalmente polares como naturalmente
apolares podem ser polarizados, podemos classificar os dieltricos no que se diz
respeito sua polarizao, como segue:
3.2.1 Polarizao nos dieltricos polares
38
Alguns dieltricos, como a molcula de gua da Figura 3.1, possuem um
momento de dipolo eltrico permanente.
Figura 3.1 molcula com dipolo eltrico

permanente H2O
Tais materiais (chamados de dieltricos polares) tendem a se alinhar como

campo eltrico externo como nos mostra a Figura 3.2. Pelo fato de as molculas
estarem em constante agitao trmica, este alinhamento no completo, mas
aumenta quando cresce a intensidade do campo aplicado ou quando a
temperatura diminui.
Figura 3.2 Alinhamento das molculas com

a aplicao do campo eltrico.
3.2.2 Polarizao nos dieltricos no polares
No caso de dieltricos no polares, como no caso do tomo eletricamente

neutro representado pela Figura 3.3, se submetido a um campo eltrico, h uma
tendncia de esticar o tomo, separando o centro de carga negativa e o centro
de carga positiva, apresentando o que se chama de dipolo eltrico induzido,
representado na Figura 3.3. No caso de um material dieltrico ento, sendo os
39
centros de cargas separados na ao de um campo eltrico, se depositam
cargas sob as placas com sinal contrrio da carga daquelas.
Figura 3.3 a) um atmo em sua configurao

natural, b) com dipolo induzido.
3.3 POLARIZAO NOS CAPACITORES

Como
os
dieltricos
so
utilizados
como
isolantes,
ou
seja,
ficam
submetidos a grandes tenses de trabalho, eles apresentam, ou podem ser feitos

para apresentar uma configurao de dipolo eltrico, podendo ser polarizados.
Nos capacitores, por exemplo, a densidade de carga superficial D igual
ao produto do mdulo do campo eltrico aplicado sobre ele e da constante
dieltrica do material que est entre as placas, concordando com a Equao 3.1:
D = .E
C
m2

Equao 3.1
De onde se percebe que a quantidade de carga sobre as placas do capacitor

aumenta com o aumento da constante dieltrica do meio. Algumas vezes D
tambm chamado de deslocamento dieltrico.
A exemplo do primeiro captulo, novamente o aumento da capacitncia
pode ser explicado usando um modelo simplificado de polarizao dentre de um
material dieltrico. Considere o capacitor da Figura 3.4, na situao de vcuo,
dentro do qual uma carga +Q0 est armazenada na placa superior, e Q0 na
placa inferior. Quando um dieltrico introduzido e um campo eltrico
aplicado, o slido introduzido dentro das placas torna-se polarizado, como na
Figura 3.4. Como resultado desta polarizao, h um acmulo adicional de carga
negativa de magnitude Q na superfcie do dieltrico prxima da placa

positivamente carregada, e de forma similar, uma carga adicional +Q na
superfcie adjacente placa negativa.
40
Para a regio do dieltrico mais distante destas superfcies, os efeitos de
polarizao no so importantes. Assim se cada placa e suas superfcies
adjacentes do dieltrico forem consideradas como uma simples entidade, a carga
induzida pelo dieltrico (+Q ou Q) pode ser considerada como anulando
alguma das cargas que originalmente existiam na placa para a condio de vcuo
(+Q0 ou Q0).
Figura 3.4 mecanismo de polarizao dos

dieltricos.
Com relao fonte, eltrons so obrigados a fluir para a placa negativa de

forma a restabelecer a tenso, e assim a carga em cada placa agora Q0 + Q ,
tendo sido incrementada de um montante Q .
Na presena de um dieltrico, a densidade de carga superficial nas placas
do capacitor pode ser representada por:
D = .E + P
C
m2

Equao 3.2
Onde P a polarizao, ou o incremento de densidade de carga em

relao densidade de carga no vcuo, devido presena do dieltrico, podendo
41
ainda ser entendia como P = Q/ A, onde A a rea de cada placa. As
unidades de P so as mesmas da densidade de carga por rea, ou seja, [C/m2].
A polarizao P pode ser considerada como o momento dipolar total por
unidade de volume do material dieltrico, ou como uma polarizao do campo
eltrico dentro do dieltrico, que resulta de um alinhamento mtuo de muitos
dipolos atmicos ou moleculares com o campo externo aplicado. Para muitos
materiais dieltricos, P proporcional E atravs da relao:
P = 0 ( R 1).E
C
m2

Equao 3.3
Sendo, neste caso, R independente da magnitude do campo eltrico.
3.4 MECANISMOS E EFEITOS DA POLARIZAO NOS DIELTRICOS

Podemos resumir tudo que foi dito at aqui da seguinte forma: os isolantes
eltricos tm um nmero reduzido de eltrons ou ons mveis, permitindo uma
nfima passagem de corrente eltrica quando sob efeito de um campo eltrico,
que por sua vez, provoca um deslocamento dos centros de cargas formando um
dipolo eltrico (que apresenta um momento de dipolo que definido pela
equao (2.3) e um vetor que vai da carga negativa para a carga positiva) e
assim denominados dieltricos.
p = q.d [ J ]
Equao 3.4
Onde q a carga lquida do dipolo em Coulombs e d a distncia entre os

centros de cargas do dipolo em metros. O campo eltrico gera ento um torque
que implica numa tendncia de alinhar as cargas, fenmeno conhecido como
polarizao, que nos isolantes se apresentam de formas diferentes, podendo ser
classificadas como segue.
3.4.1 Polarizao eletrnica Pe
a polarizao a nvel atmico, ou seja, quando um campo eltrico

aplicado sob um isolante h um ligeiro deslocamento dos eltrons que circundam
42
o ncleo na direo do eletrodo positivo e por sua vez o ncleo ligeiramente
deslocado em direo ao eletrodo negativo. Como os centros de cargas no so
coincidentes h a formao de um pequeno dipolo. Apesar de haver tantos
momentos dipolares quanto o nmero de tomos presentes, o momento dipolar
resultante, e, baixo de forma que a polarizao eletrnica resultante, tambm
baixa e dada pela Equao 3.5:
C
Pe = e
m
Equao 3.5
A resposta da polarizao eletrnica rpida, e a freqncias elevadas, da

ordem de 1016 Hz, ela responde rapidamente s mudanas que ocorrem no
campo eltrico. A remoo do campo eltrico aplicado provoca um retorno dos
eltrons do ncleo para a posio original. Este tipo de polarizao est presente
em todos os isolantes.
3.4.2 Polarizao Inica Pi
Este tipo de polarizao envolve o deslocamento de ons positivos e

negativos sob a ao de um campo eltrico aplicado e o tipo mais comum nos
materiais cermicos, e est representada pela Figura 3.5 O campo eltrico
aplicado ao material pode provocar um deslocamento comparativamente grande
em algumas estruturas, porm muito menor do que 1,0 ngstron e assim,
desenvolver constantes dieltricas relativamente altas, devido polarizao
inica. A polarizao inica mais vagarosa do que a polarizao eletrnica sob
a ao de um campo eltrico varivel aplicado. A resposta mxima da ordem
de 1013 Hz.
Figura 3.5 Polarizao inica, material sem o

efeito do campo eltrico e sob efeito do campo
eltrico.
43
3.4.3 Polarizao por orientao de dipolos (dipolar) - Po
a polarizao das molculas polares, e na maioria das vezes, no podem

ser orientados a menos que e mo haja destruio da estrutura dos cristais, como
nas cermicas, se tornando assim importante somente nos polmeros. Est
representada pela Figura 3.6.
Figura 3.6 Polarizao por orientao de

dipolos.
3.4.4 Polarizao de cargas espaciais (estrutural) - Ps
a polarizao de cargas estranhas que se situam nas interfaces. Em

outras palavras estas cargas so cargas randomicamente causadas por radiao
csmica, deteriorao trmica, ou so aquelas absorvidas no material durante o
processamento. Seu valor e a freqncia de resposta depende mais da geometria
dos
contaminantes
do
que
das
outras
propriedades
do
material.
Est
representada pela Figura 3.7
Figura 3.7 Polarizao de cargas espaciais.
3.4.5 Polarizao espontnea - Pt
Polarizao causada principalmente da tendncia natural de degradao do

isolamento, da fadiga do dieltrico e da temperatura, caracterizada apenas em
uma quantidade pequena de materiais utilizados em isolao eltrica.
44
3.5 RESPOSTA EM FREQNCIA DOS DIELTRICOS
Como cada polarizao individual tem diferentes respostas de freqncia, a

polarizao total funo da freqncia como na ilustrao esquemtica da
Figura 3.8. A variao na polarizao refletida pelas constantes dieltricas.
Figura 3.8 Polarizao versus freqncia. As

polarizaes com resposta mais rpida
prosseguem nas freqncias mais elevadas.
Cada
uma
das
polarizaes
citadas
reversvel
essencialmente
proporcional ao campo eltrico aplicado, para pequenos campos e baixas

freqncias podendo-se at escrever que P / E = mdulo constante.
3.6 MODELAGEM DE UM CIRCUITO DIELTRICO

Um circuito dieltrico pode ser modelado pelo modelo representativo da
Figura 3.9 como segue:
Figura 3.9
O circuito pode ser interpretado como sendo, o ramo composto por C e

Ri, aquele que representa a permissividade do material, ou seja, associado s
perdas energticas por absoro na massa do material pois durante a
45
ocorrncia da polarizao, o choque entre as partculas, transforma energia
cintica em energia trmica, com conseqente elevao da temperatura, que se
interpreta como perdas - e s capacitncias de polarizao; e o ramo composto
por Rf como aquele que representa a condutncia do dieltrico, ou seja, as
cargas condutoras livres existentes no dieltrico eltrons e ons, apesar de
serem poucas, esto sempre presentes e fazem com que diminutas correntes
apaream na aplicao de um campo eltrico.
Assim, a corrente de fuga de um dieltrico, de acordo com a Figura 3.9,tem
duas componentes:
- A que flui atravs da seo transversal do isolante (na Figura 3.9 igual
i1);
- A que flui pela superfcie do isolante (na Figura 3.9 igual i2).
No dieltrico ideal Ri seria zero e Rf seria infinito, porm tais condies
nunca so observadas na prtica, e os parmetros determinados por essas
correntes so a rigidez dieltrica e a resistncia superficial de descarga,
respectivamente. Os valores de C, Ri e Rf so influenciados por fatores
como temperatura, freqncia e fadiga (do material) do dieltrico.
Na maioria dos dieltricos, a polarizao se apresenta linear com relao ao
campo eltrico aplicado, porm s vezes essa linearidade no se apresenta e se
pode fazer uma analogia a no linearidade ao fenmeno da saturao no
magnetismo.
As caractersticas relevantes na escolha de um isolante eltrico so
resistncia de isolamento, poder dieltrico, resistncia de impulso de tenso,
absoro dieltrica, perdas por fuga, resistncia de ruptura e resistncia de
isolao favorveis.
Como uma vez determinado, existem cinco tipos de polarizaes, de acordo
com o tipo de material dieltrico que constitui o isolante:
Polarizao eletrnica todos os dieltricos;
Polarizao inica slidos, cujas partculas so ons;
Polarizao dipolar em dieltricos com estrutura qumica dipolar;
Polarizao estrutural ocorre em slidos cristalinos amorfos, como o

vidro;
Polarizao
espontnea
ocorrendo
tendncias naturais do material;
devido
temperatura
46
Sendo assim, se pode constituir um modelo mais realista do dieltrico, de
acordo com a Figura 3.10, onde Qo a carga que um capacitor possui no vcuo
e Qe resultante da polarizao eletrnica, cargas que esto sempre presentes.
As demais cargas (Qi,Qd e Qs) resultantes das polarizaes inica, dipolar e
estrutural respectivamente, dependem do tipo de dieltrico a ser analisado. J
Co representa a capacitncia obtida quando todo o material entre as placas do
capacitor retirado, Ce aparece com o preenchimento desse espao com
qualquer dieltrico e Ci, Cd e Cs, dependem do material. Observe que essas
ltimas trs possuem um resistor em srie, que indica a dificuldade de
polarizao, acarretando em perdas Joule. O resistor Rf, por sua vez,
representa a condutncia do dieltrico, a exemplo da Figura 3.9.
De acordo com a Figura 3.10 e sua interpretao, classificam-se os
dieltricos nos seguintes grupos:
Grupo 1: dieltricos com polarizao eletrnica predominante, incluindo
todos os materiais amorfos e cristalinos slidos (cujas molculas apresentam
fraco momento dipolar como polistirol, enxofre ou parafina), e os lquidos e
gases com comportamento semelhante, como o benzol e o hidrognio.
Figura 3.10
Grupo 2: dieltrico que possuem principalmente polarizaes inica e

eletrnica, estando neste grupo isolantes cristalinos com composio inica,
como quartzo, sal, mica e xido de alumnio.
Grupo 3: neste grupo incluem-se os dieltricos que possuem principalmente
polarizao estrutural e eletrnica, podendo apresentar alguma polarizao
47
inica, citando-se os dieltricos orgnicos, como celulose, resinas sintticas
termofixas e materiais como vidros e isolantes cristalinos como mica e porcelana.
Grupo 4: grupo onde pertencem materiais dieltricos como o askarel, o leo
e ricno e produtos geralmente lquidos ou pastosos, por apresentarem
principalmente polarizaes dipolar e eletrnica.
Grupo 5: caracterizado por dieltricos que apresentam principalmente as
polarizaes expontnea e eletrnica, incluindo apenas os dieltricos conhecidos
como sais de Seignette, tomando como exemplo o metatitanato de bno.
3.7 TCNICAS DE MEDIO DOS PARMETROS DOS DIELTRICOS

3.7.1 Medida da resistncia de isolamento
3.7.1.1 Resistncia de isolamento Superficial.

a medida da resistncia sob a superfcie de um isolante, por definio,
feita entre dois lados opostos de um quadrado de um centmetro de lado, feita
com o meghmetro, de acordo com a Figura 3.11. Na prtica, costuma-se
colocar dois condutores sob tenso, afastados por um (1) cm de uma placa do
isolante para a anlise, e, a partir da fuga, se estabelecer o valor da resistncia,
que sozinha e desta forma determinada, indica valores para uma mera
comparao.
importante salientar que a resistncia superficial varia significativamente
com a umidade relativa do ar, pois esta pode reter partculas condutoras
existentes na atmosfera, provocando o aumento da corrente de fuga.
Figura 3.11
48
3.7.1.2 Resistncia de isolamento volumtrica.

Resistncia de Isolamento Volumtrica - a resistividade volumtrica
medida entre duas faces opostas de um cubo de aresta unitria, e expressa em
megohm x centmetro, e tambm medida com o meghmetro.
Na maioria dos casos prticos, a poro de fuga pelo interior do dieltrico
bem menor que a que ocorre pela pelcula superficial, a no ser no caso do
produto volume versus resistividade ser menor do que 1014[ohms] por
centmetro e o isolante est num ambiente com umidade inferior a 25%.
A resistncia interna para tenses alternadas freqentemente menor do
que para tenses contnuas e decresce progressivamente, via de regra, com o
aumento da freqncia devido s perdas no dieltrico, e, em materiais como
ardsia e mrmore, ou demais materiais porosos, fazem com que o produto
volume versus resistividade decresa sensivelmente com a tenso de teste
aplicada.
3.7.1.3 Valores da Resistncia de Isolamento

De acordo com as definies acima, podese fazer uma comparao da
qualidade dos isolantes de acordo com a tabela 2.1.
Tabela 3.1 Comparativo entre os ensaios de resistncias de
isolamento dos diferentes materiais isolantes
Material
Resistncia superficial em
Megaohms
Resistncia volumtrica
em Megaohms por
50% de
70% de
90% de
umidade
umidade
umidade
Celulide
6.108
2.108
105
5.1010
Fibra de vidro
2.104
3.103
2.103
5.103
Mica incolor
2.107
4.105
8.103
2.1011
Porcelana
6.105
7.103
5.10
3.108
centmetro
A medio da resistncia de isolamento de materiais isolantes, ou seja, do

isolamento de mquinas eltricas e equipamentos realizada em corrente
contnua atravs do instrumento denominado Meghmetro (ver O USO DO
MEGHMETRO).
49
O ensaio de resistncia de isolamento um timo meio de deteco e
preveno de defeitos na isolao de equipamentos eltricos. Atravs dele podese determinar preventivamente se a isolao est deteriorada, antes que ocorra
um defeito.
3.7.2 Ensaio de absoro dieltrica
O ensaio de absoro dieltrica feito aplicando-se o meghmetro aos

terminais da isolao que se deseja medir, lendo-se a resistncia de isolamento a
cada minuto at completar 10 minutos. Esse ensaio fornece mais informaes
sobre a condio da isolao do que o teste de medio de resistncia de
isolamento, e feito quando no se tem nenhum registro anterior da condio
desta isolao, proporcionando assim um diagnstico inicial preciso sobre a
mesma.
A partir dos valores lidos, monta-se um grfico, que pode ser analisado da
seguinte maneira (de forma prtica): curvas elevando-se ininterruptamente
indicam enrolamentos, limpas e secas, ou isolaes em bom estado de
conservao e funcionamento, enquanto que curvas ligeiramente achatadas
indicam enrolamentos sujos e midos ou isolaes em mau estado de
conservao. O ensaio feito normalmente com meghmetros de 500 a 5000
Volts, e pouco interferido pela temperatura ambiente, porm aconselhvel
ensaiar as mquinas logo aps a parada da mesma, para evitar o ponto de
orvalho, ou a condensao de umidade na isolao.
A Figura 3.12 exemplifica algumas curvas tpicas da variao da resistncia
com o tempo de ensaio, para enrolamentos de armadura de mquinas classe B.
50
Figura 3.12 Curvas tpicas mostrando a variao

da resistncia de isolamento com o tempo para
isolamento de classe B.
A razo entre duas leituras imediatas de resistncia durante o ensaio

chamada razo de absoro dieltrica, e a razo entre a ltima e a primeira
leituras, ou seja, entre a leitura da resistncia aos 10 minutos de ensaio pela
leitura da resistncia de 1 minuto de ensaio chamada de ndice de polarizao.
Essas razes proporcionam um quantidade avalivel da condio da isolao
com respeito a umidade e outros contaminantes.
Os valores recomendados do IP, que determinam se os enrolamentos de
mquina esto limpos e secos so:
isolao classe A 1,5 ou mais;
isolao classe B 2,O ou mais;
para isolao classe F 2,5 ou mais.
Se o ndice de polarizao for menor do que 1, indica a necessidade de um

imediato recondicionamento.
A
Tabela
3.2
exemplifica
valores
das
razes,
dos
ndices,
as
correspondentes condies da isolao que as mesmas indicam.

Tabela 3.2 Condio da isolao indicada pelas razes de absoro dieltrica e ndice
de polarizao pela aplicao de uma tenso de 500V CC.
Condio da
Isolao
Perigoso
Razo de Absoro
Dieltrica
-----
ndice de
Polarizao
Menor que 1
51
Ruim
Menor que 1,1
Menor que 1,5
Questionvel
1,1 a 1,25
1,5 a 2
Regular
1,25 a 1,4
2a3
Boa
1,4 a 1,6
3a4
Excelente
Acima 1,6
acima de 4*
(*) Em muitos casos valores aproximadamente 20% maior do que os mostrados indicam um
enrolamento seco e quebradio que falham sob condio de choques ou durante o incio de
funcionamento (na partida).
3.7.3 Ensaio de fator de perdas(tg )
Quando um campo eltrico altera a orientao anterior das molculas de um

isolante, uma parte da energia fornecida pelo campo eltrico transformada em
energia trmica, denominadas perdas. Duas anlises podem ser feitas para o
estudo dessas perdas:
Para um campo contnuo, gerado por uma fonte CC, no h polarizao
peridica
qualidade
do
isolante
ensaiado
fica
determinada
pelo
estabelecimento da resistividade transversal e pela resistncia superficial.

Para um campo alternado, as perdas podem ser determinadas pelo ensaio
de tangente delta (tg ), que definido como uma forma da medida da potncia
real consumida pelo isolamento e determinada pelo fator de potncia. Como o
ngulo do fator de potncia () inversamente proporcional s perdas no
isolamento quanto menor maior o fator de potncia e maior as perdas
define-se , por conveno, como sendo o complemento de , de forma que este
novo ngulo seja proporcional as perdas.
Figura 3.13 Definio de fator de perdas.
52
Dos modelos comentados de dieltricos nas pginas antecedentes, esperase que o isolante ideal seja representado por um capacitor puro e a defasagem
entre a tenso e a corrente de ensaio de isolamento seja de exatamente 90o,
porm na prtica isso no realizvel, e, de acordo com a norma PV 130 da
ABNT, cada isolante possui uma temperatura limite - pelos quais eles so
classificados que pode ser atingida se as perdas se tornarem excessivamente
grandes.
Figura 3.14 Dieltrico ideal com fator de perdas igual a zero.
De uma forma rpida, o ensaio de tangente delta pode ser estimado, se ao

invs de medirmos o fator de potncia da isolao sob determinadas condies
de ensaio, utilizarmos as aproximaes:
3.7.3.1 Ensaio de tg nos isolantes gasosos

As perdas dieltricas nos gases, desde que o campo eltrico que o isolante
est submetido seja menor que o campo de ionizao, so muito pequenas,
podendo, nesse caso, se considerar penosamente um isolante gs como um
isolante ideal.
Dessa forma, as perdas existentes so conseqncia da condutividade
eltrica, ao invs de um consumo de energia efetivo na polarizao do dieltrico,
e, essa condutividade de valor bastante baixo, mesmo em altas freqncias,
podendo, genericamente, o valor de tg ser calculado a partir da Equao 3.6.
tg ( ) =
1,8 x1012
[
f
]
Equao 3.6
53
Onde a constante dieltrica, f a freqncia em hertz [hz], e a
resistividade do isolante, neste caso, normalmente em torno de 1017 e 1018
[.cm].
3.7.3.2 Ensaio de tg nos isolantes lquidos

Nos lquidos no polares, as perdas dieltricas so provenientes unicamente
das correntes de descarga devido condutividade eltrica do material, sendo
assim, o acrscimo de molculas polares afeta significantemente a condutividade
deste isolante, e o valor do ensaio depende da temperatura e da intensidade do
campo a que submetido o isolante a ser ensaiado.
O valor de tg pode ento, ser obtido pela da Equao 3.7.
1,8 x1012
tg ( ) =
[
f t
]
Equao 3.7
Onde t a resistividade transversal do isolante, nas condies de uso.

Nos lquidos polares, as perdas so mais sensveis s variaes de
temperatura, freqncia e tambm so sensveis s variaes de viscosidade.
Perdas quais, que so somadas s perdas devidas condutividade, que na
temperatura ambiente fica em torno de 10-12 e 10-13 [1.cm-1].
Na prtica, os leos isolantes so geralmente misturas entre leos polares e
apolares, como o caso mais comum de leo isolante de transformadores. Uma
comparao entre os isolantes pode ser feita baseado em valores prticos, onde
os valores de tg para leo mineral de capacitores um composto muito puro e
no polar igual a 2 x 10-4 a 20 oC e freqncia igual a 106 [Hz], enquanto
igual a 0,015 para leo de rcino um isolante principalmente polar sob as
mesmas condies.
3.7.3.3 Ensaio de tg nos isolantes slidos

O fator de perdas em isolantes slidos pode ser previsto combinando o tipo
de estrutura do slido cristalino ou amorfo e o tipo do isolante sob o ponto de
vista qumico orgnico ou inorgnico.
Isolantes slidos que apresentam exclusivamente polarizao eletrnica,
tem perdas desprezveis, podendo ser tomado como exemplo, a parafina e o
polistirol, que so recomendados para uso em altas freqncias, sendo que as
54
perdas existentes mesmo que desprezveis so originrias das impurezas
existentes no isolante.
Nos materiais inorgnicos onde h predominncia de polarizao eletrnica
e inica, as perdas apesar de continuarem baixas so funes da freqncia,
e podem ser calculadas de acordo com a Equao 3.8.
tg ( ) =
1,8 x1012. tr
xf
[]
Equao 3.8
Onde tr a condutividade transversal do material.
Nos materiais amorfos, inorgnicos onde h principalmente as polarizaes

eletrnica, inica e estrutural, as perdas so abordadas sob os seguintes
aspectos:
As perdas que pouco dependem da temperatura e que se elevam
proporcionalmente freqncia, porm o tg independe da freqncia.
Perdas que variam exponencialmente com a temperatura e dependem
pouco da freqncia com tg decrescendo com a elevao da freqncia.
Uma visualizao prtica de como o ngulo varia com a temperatura para
os materiais imediatamente citados, dada pela Figura 3.15.
Nos
isolantes
inorgnicos
policristalinos,
predominam
freqentemente
caractersticas de materiais semicondutores, destacando-se, neste caso, xido de

ferro, carbono e isolantes porosos como mrmore, que possuem elevada
hidroscopia,
por
isso,
so
muito
sensveis
presente
de
umidade.
Normalmente possuem diferentes valores de perdas, devido aos processos de

fabricao, j que so tambm muito sensveis no que se diz respeito a
impurezas.
55
Figura 3.15 Variao do ngulo d com a

temperatura, para materiais orgnicos.
Nos isolantes orgnicos, na existncia de molculas polares, as perdas

esto em funo da polarizao estrutural, resultante de deslocamentos
dipolares, devido a vazios internos, com conseqente elevao da temperatura,
j nos isolantes orgnicos polares, a temperatura dita as perdas, existindo uma
temperatura crtica especfica para cada material. Geralmente possuem valores
de fator de perdas bastante elevados, no podendo ser utilizados em altas
freqncias.
Uma visualizao prtica de como o fator de perdas varia com a
temperatura para os materiais orgnicos polares, dada pela Figura 3.16.
Figura 3.16 Variao do fator de perdas de

acordo com a temperatura do papel (orgnicos
polares).
Os papis tm seu fator de perdas determinado principalmente pelo

impregnante que utilizado junto com ele, e os isolantes com polarizao
instantnea, como os sais de Seignette, o fator de perdas que depende
56
excessivamente da temperatura, e se caracterizam por ter perdas relativamente
elevadas.
3.8 O USO DO MEGHMETRO
O meghmetro um instrumento porttil, robusto e de fcil manuseio,

projetado e desenvolvido para efetuar medies de resistncias elevadas em
equipamentos
ou acessrios
eltricos
como
motores, transformadores,
geradores, cabos de fora e de controle e barramentos, sendo utilizado nos

ensaios de resistncia de isolamento, fator de perda ou tangente delta, tenses
de ruptura (fase de fabricao) e descargas parciais entre outros, porm nenhum
destes ensaios conclusivo isoladamente e nem possui um valor absoluto. Por
norma, o ensaio de tenso aplicada s realizado aps a realizao do ensaio de
resistncia de isolamento e com resultados satisfatrios (de acordo com valores
da IM.LA.215-R05). O meghmetro pode ser: manual, motorizado, eltrico e
eletrnico, possui uma fonte de tenso contnua interna que pode gerar vrios
nveis: 100, 500, 1000, 2500, 5000 e 10000 V.
3.8.1 Princpio de funcionamento
3.8.1.1 Quocientmetros
O megaohmmetro um instrumento cuja deflexo proporcional ao
quociente de duas correntes. Em geral estes instrumentos so chamados de
quocientmetros
ou
ainda
instrumentos
de
bobina
cruzada.
Consta
essencialmente de duas bobinas retangulares, rigidamente presas uma a outra, e

formando entre si um ngulo de 90o como mostra a figura abaixo. So
instrumentos desprovidos de conjugado antagonista, portanto no possuindo
molas, sendo o equilbrio do conjunto mvel conseguido pela ao oposta dos
conjugados motores atuantes sobre as respectivas bobinas referidas.
Sejam duas bobinas A1 e A2 colocadas na induo magntica B de um
im permanente, e percorridas respectivamente pelas correntes contnuas I1 e
I2. O conjugado motor sobre este conjunto mvel :
C M = 1 I1 cos 2 I 2 cos ( 90 )[ N .m]

Equao 3.9
57
Onde 1 o fluxo mximo abraado pela bobina A1 e 2 o fluxo mximo
abraado pela bobina A2.
No equilbrio temos CM = 0, logo:
tg =
1 I1
I
= k. 1
2 I2
I2
Equao 3.10
Da, da Figura 3.17 onde se conclui que o desvio funo do quociente

I1/I2.
Figura 3.17
3.8.1.2 Circuito simplificado do meghmetro
O princpio de funcionamento do meghmetro est de acordo com a Figura

3.18, sou seja, um resistor de resistncia R invarivel, prprio do instrumento,
posto em srie com a bobina A, chamada bobina de controle. A resistncia

X a medir ligada aos terminais T e L do instrumento, ficando em
conseqncia em srie com a bobina B, chamada bobina defletora.
58
Figura 3.18
Com esta providncia, qualquer que seja a velocidade do gerador M, a

tenso E nele originada far circular correntes inversamente proporcionais a
R e X considerando-se as resistncias das bobinas desprezveis em relao a
estas:
I1 =
I
E
E
X
, I2 = 1 =
R
X
I2 R
Equao 3.11
Mas, para o quocientmetro deste tipo se tem =k.I1/I2, e levando-se em

considerao a relao das correntes na Figura 3.18 chega-se ento a =k.X/R.
Portanto, como R fixa, a deflexo ser proporcional X qualquer que
seja o valor da tenso E do gerador.
A escala do instrumento pode ento ser graduada diretamente em valores
da resistncia posta nos seus terminais, sendo valores j expressos em
megaohms.
Observar em = k.I1/I2 que, quanto maior for a corrente I2, mais
prxima do zero ser a indicao do ponteiro, o que coerentemente
corresponde a um valor pequeno da resistncia X. Quando X for zero, a
corrente I2 ter valor mximo e ento o ponteiro indicar zero.
Na
realidade,
os
fabricantes
aconselham
trabalhar
com
gerador
imprimido-lhe uma velocidade adequada para com isto obter um resultado mais
estvel na medio. Na placa de identificao do instrumento vem indicado o
nmero timo de rotaes por minuto em que o operador deve girar a manivela,
situando-se na ordem de grandeza de 120 a 160 rpm.
59
Os megaohmmetros feitos para medirem resistncia da ordem de 1.000
megaohms, ou maiores, so providos de trs terminais, e no de apenas dois
como foi indicado na Figura 3.18. Estes trs terminais (Figura 3.19) so bem
distinguidos atravs de letras externamente nas caixa de madeira ou plstico que
contem o instrumento (L line ou linha, E earth ou terra e G guard ou
guarda).
Figura 3.19 Circuito esquemtico do Meghmetro
A resistncia X a medir deve ser ligada entre os terminais T e L.

O terminal "guarda previsto para desviar do quocientmetros as correntes
"estranhas, isto , forar a circularem pelo gerador, e no pelo quocientmetro,
as correntes que durante a mesma operao percorrem outras resistncias que
esto intrinsecamente ligadas a resistncia a medir, evitando assim que o
instrumento indique um valor que no corresponda quele que se est realmente
querendo medir. Por exemplo, na Figura 3.19, deseja-se medir a resistncia X12.
Se o "guarda" G no estiver ligado ao ponto 3, a bobina defletora ser
percorrida por I2+I3 e consequentemente o valor indicado pelo ponteiro na
escala corresponder ao equivalente X12 em paralelo com X13+X23, portanto
um valor menor do que o verdadeiro valor de X12. Ao passo que, estando ligado
o "guarda", como mostra a Figura 3.19, a corrente I3 circular atravs do
gerador M, no influindo na indicao do instrumento.
Devemos sempre tomar o cuidado de consultar o manual do instrumento
que se quer utilizar, j que alguns meghmetros possuem o Guarda na Alta
tenso, ou seja, a tenso aplicada ao enrolamento que se deseja guardar,
deixando-o no mesmo potencial do enrolamento que ser testado, o que elimina
60
correntes de fuga pois no h diferena de potencial entre os enrolamentos.
Neste caso deve-se tambm verificar se o enrolamento que ser guardado pode
ser submetido tenso de teste.
Para que fique bem entendido o uso do "guarda, vamos exemplificar o caso
de um transformador com enrolamento de alta tenso (A), enrolamento de baixa
tenso (B) e carcaa (C). Entre os enrolamentos (A) e (B) h uma resistncia de
isolamento RAB, como tambm entre cada um deles e a carcaa (C) h RAC, e
RBC, respectivamente.
Medio de RAB (Figura 3.20), excluda RAC e RBC:
Figura 3.20
Medio de RAC (Figura 3.21), excluda RAB e RBC:
Figura 3.21
Medio de RBC (Figura 2.22), excludas RAB e RAC:
61
Figura 3.22
Disto se conclui que, para o uso correto do "guarda", aconselhvel ento

que o operador faa um pequeno esquema para cada equipamento eltrico a
ensaiar tendo em vista a resistncia que deseja medir e as que devem ser
excludas em cada medio.
3.8.2 Observaes finais a respeito dos megaohmmetros

1a) G' um anel de material condutor (Figura 3.19) que circunda o
terminal L, sem com ele fazer contato eltrico, tendo a finalidade de desviar do
quocientmetros as correntes que possam circular atravs da prpria caixa
isolante que contm o instrumento, quando este est em operao.
2a) R' uma resistncia limitadora (Figura 3.19), prpria do instrumento,
ajustada por ocasio da sua fabricao para faz-lo indicar "zero" quando os
terminais T e L so curtos-circuitados. Ela de cerca de 100.000 ohms e
1,65
megaohms
para
os
instrumentos
de
menor
de
maior
porte,
respectivamente. Sendo E a tenso do gerador, a tenso V aplicada

resistncia X a medir ser:
V = X .I 2
V = E
X + R'
E = ( X + R' ).I 2
Equao 3.12
62
A expresso acima mostra que, quanto maior for X em relao R
maior ser a tenso a que ficar submetida, isto , mais prximo estar V de
E.
3) A corrente mxima que os megaohmmetros podem fornecer curtocircuitando os seus terminais T e L, da ordem de dois a trs [mA].
4a) A "classe de exatido" dos megaohmmetros definida em relao ao
comprimento linear sobre a escala que pode ser varrido pelo ponteiro em torno
do valor verdadeiro da resistncia medida. Por exemplo: um megaohmmetro de
"classe de exatido" mais ou menos 0,85 mm significa que o seu ponteiro poder
indicar, na escala, qualquer valor dentro da faixa de mais ou menos 0,85 [mm]
em torno do valor verdadeiro da resistncia medida.
5) So encontrados no mercado megaohmmetros com geradores para:
500, 1.000, 1.500, 2.000, 2.500 e 5.000 [Volts], sendo que muitos deles so
feitos para operarem com vrias tenses atravs da simples mudana de uma
chave comutadora. H megaohmmetros de acionamento somente manual, como
tambm h outros com possibilidade de duplo acionamento, manual ou
motorizado, sendo nestes ltimos empregado um pequeno motor eltrico
monofsico (cerca de 1/20 a 1/16 [cv], 1.725 [rpm], 110 ou 220 V, 60 [Hz])
para movimentar o gerador. Eles so utilizados sobre tudo em medies em que
a tenso aplicada resistncia sob ensaio no pode variar e tambm o tempo de
ensaio deve ser longo para se obter um resultado correto.
6) Os megaohmmetros de maior responsabilidade devem trabalhar com o
mostrador em posio nivelada, sendo para isto providos de um nvel de bolha e
de apoios ajustveis, os quais devem ser regulados antes do incio da medio.
7) Depois de nivelado, aciona-se o gerador, sem nada introduzir nos
terminais do instrumento, para se ajustar o ponteiro no infinito, o que
conseguido girando levemente o boto, externo caixa, marcado ajuste do
infinito. Esta operao faz alterar o conjugado motor que atua sobre a "bobina
de controle" A (Figura 3.19) graas ao deslocamento suave de uma lmina
ferromagntica no entreferro do im permanente em que est a referida bobina.
8) interessante observar ainda que o megaohmmetro pode tambm ser
utilizado como fonte de corrente contnua entre os terminais T e G. A
corrente mxima que pode da ser retirada vem normalmente indicada nas
caractersticas do instrumento fornecidas pelo seu fabricante.
63
9) Alm dos megaohmmetros a magneto, existem os megaohmmetros a
retificador em que o gerador substitudo por um retificador de onda completa.
Alguns deles so previstos para funcionamento com retificador e tambm com
gerador de acionamento manual, podendo o operador utilizar uma fonte ou
outra, e no as duas ao mesmo tempo.
10) Est consagrado pelo uso o nome de "MEGGER" para todos os
instrumentos deste tipo, qualquer que seja o seu fabricante: Evershed & Vignolos
Limited
(Inglaterra),
James
G.
Biddle
Co.(U.S.A.),
Yokogawa
(Japo);
Schlumberger (Frana), etc. Entretanto, MEGGER na realidade uma marca e

no um tipo de instrumento.
3.8.3 Medio da resistncia de isolamento
Na prtica industrial emprega-se corrente contnua para medio da

resistncia de isolamento dos equipamentos eltricos, sendo o megaohmmetro o
instrumento mais utilizado, sobretudo o tipo motorizado em virtude da
necessidade de ser mantida uma tenso aplicada constante durante um perodo
de tempo relativamente longo. um ensaio no destrutivo.
Observa-se que, durante um certo tempo a partir do incio do ensaio, os
valores lidos no megaohmmetro aumentam, para depois tornarem-se estveis,
isto , o ponteiro no mais se desloca.
Este fenmeno perfeitamente normal uma vez que esto em presena
dois elementos condutores separados por meio isolante, constituindo portanto
um capacitor. Assim sendo, a Figura 3.23 esquematiza o circuito eltrico
equivalente do espcime sob ensaio ao qual se aplica a tenso contnua V,
originada pelo gerador M, fazendo circular a corrente total It que pode ser
considerada como tendo duas componentes:
Figura 3.23
64
1) A corrente Ir que circula atravs do isolante, cuja resistncia de
isolamento RX se quer medir, chamada de "corrente de conduo". Esta
"corrente de conduo" no varia durante o tempo de ensaio. Nos capacitores
usuais RX a resistncia de fuga.
2) A corrente I que por sua vez pode ser considerada tambm como
tendo duas componentes:
A componente Ic responsvel pela carga da capacitncia natural do
espcime sob ensaio, chamada de "corrente de carga". Esta capacitncia
depende da forma e das dimenses do equipamento ensaiado. A "corrente de
carga" decresce durante o tempo de ensaio proporo que a capacitncia
armazena carga (Figura 3.24), tornando-se desprezvel num tempo relativamente
curto: cerca de 15 segundos de ensaio para os equipamentos usuais.
Figura 3.24 a) e b), respectivamente
A componente Ia responsvel pela energia necessria "polarizao do

dieltrico", chamada de "corrente de absoro dieltrica". A "corrente de
absoro" decresce muito lentamente durante o tempo de ensaio proporo
que o dieltrico se polariza (Figura 3.24), tornando-se desprezvel num tempo
relativamente longo: cerca de 10 minutos a vrias horas, dependendo do tipo e
do estado do dieltrico.
A fim de que a carga da capacitncia e a polarizao do dieltrico no
estejam sofrendo variaes durante o ensaio, a tenso aplicada ao espcime
deve ser mantida constante.
A deflexo do megaohmmetro dada pela expresso:
= k.
I1
X
=k
I2
R
Equao 3.13
Nestes ensaios, a corrente I2 a prpria corrente It:
65
I2 = It = Ic + Ia + Ir
Equao 3.14
Conforme foi dito acima, as correntes Ic e Ia tendem a serem

desprezveis. De modo que It tende para Ir e conseqentemente a indicao
do instrumento tende a ser o valor de RX:
= k.
I1
R
=k X
Ir
R
Equao 3.15
Neste ponto ressaltamos trs observaes importantes sobre resistncia de

isolamento:
A resistncia de isolamento depende do tipo de equipamento eltrico, do
seu projeto, dos materiais isolantes empregados na isolao, da temperatura, e
de outros fatores.
Quando a temperatura aumenta, a resistncia de isolamento diminui. Para
se acompanhar o comportamento da resistncia de isolamento ao longo dos
anos, aconselhvel medi-la periodicamente, sempre mesma temperatura, ou
considerar uma temperatura de referncia e converter para esta os valores
medidos sob qualquer outra temperatura, cujos fatores de correo esto
indicados na Tabela 2.3.
A respeito dos valores mnimos aceitveis para a resistncia de isolamento,
h vrias "filosofias" relacionadas a cada tipo de equipamento eltrico.
conveniente que o interessado consulte as Normas Tcnicas especficas, como
tambm as indicativas dos seus fabricantes.
Sendo os transformadores os equipamentos eltricos mais utilizados nas
empresas industriais e concessionrias de servios eltricos, ressaltaremos
alguns dados a respeito dos mesmos.
1) A ABNT-NB-108 (reimpressa em 1977) sugere na Tabela 3.3 os valores
mnimos aceitveis de resistncia de isolamento para transformadores imersos
em leo:
Tabela 3.3 Resistncia de isolamento diferentes temperaturas

Tenso nominal do enrolamento(kV)
Resistncia de isolamento (M)
Temperatura (graus centgrados)
20
30
40
50
60
66 e acima
1200
600
300
150
75
22 a 44
1000
500
250
125
65
66
6,6 a 19
800
400
200
100
50
Abaixo de 6,6
450
200
100
50
25
2) A ABNT sugere tambm a frmula seguinte:
R=
2,65.V
[ ]
N
f
Equao 3.16
Onde R a resistncia de isolamento a 75oC, em [M], V a tenso

nominal do enrolamento sob ensaio, em [kV], N a potncia nominal do
transformador, em [kVA], e f a freqncia nominal, em [Hz].
Tabela 3.4 Fatores de correo
Temp. (C)
Fator de correo
0,25
27
0,268
0,287
Temp. (C) Fator de correo
Temp. (C)
Fator de correo
1,61
54
10,9
28
1,73
55
11,2
29
1,85
56
12
0,306
30
1,98
57
12,87
0,331
31
2,12
58
13,79
0,354
32
2,27
59
14,78
0,38
33
2,43
60
15,85
0,407
34
2,61
61
16,98
0,436
35
2,8
62
18,2
0,46
36
63
19,5
10
0,5
37
3,21
64
20,9
11
0,54
38
3,44
65
22,4
12
0,57
39
3,69
66
24
13
0,62
40
3,95
67
25,75
14
0,66
41
4,23
68
27,61
15
0,71
42
4,54
69
29,61
16
0,76
43
4,87
70
31,75
17
0,81
44
5,22
71
34,35
18
0,87
45
5,6
72
36,85
19
0,93
46
5,99
73
39,4
20
47
6,41
74
42,28
21
1,07
48
6,86
75
44,7
22
1,14
49
7,34
76
48,73
23
1,23
50
7,85
77
52,2
24
1,31
51
8,65
78
56
25
1,4
52
9,34
79
59,6
26
1,51
53
10,1
80
63,75
67
3) A Tabela 3.4 mostra os fatores de correo pelos quais se devem
multiplicar o valor da resistncia de isolamento de um transformador imerso em
leo, medida a uma temperatura qualquer, para convert-lo no valor equivalente
a 20C.
4a) Na realidade, o valor absoluto da resistncia de isolamento no tem
muito significado, conforme se vem constatando na prtica. A melhor sistemtica
a medio peridica desta resistncia e a comparao destes valores com os
resultados anteriores, convertidos sempre aos equivalentes a uma mesma
temperatura. Se h disparidades, ento e provvel que problemas estejam para
vir e providncias imediatas devem ser tomadas no sentido de san-los antes
que o pior acontea.
Nos transformadores, estas medies so realizadas mais ou menos de seis
em seis meses e, em cada ensaio, so feitas pelo menos oito leituras: entre os
enrolamentos de alta tenso e baixa tenso com o guarda ligado massa ATBT (GLM); entre o enrolamento de alta tenso e a massa com o guarda ligado
ao enrolamento de baixa tenso AT-M (GLB); e finalmente entre o enrolamento
de baixa tenso e a massa com o guarda ligado ao enrolamento de alta tenso
BT-M (GLA). Um exemplo real est mostrado no Anexo 1, o qual pode servir
como sugesto de modelo de relatrio de campo para outros usurios, inclusive
como ficha de arquivo para guardar os resultados. Para que o ensaio no se
prolongue por muito tempo, consideram-se como importantes os valores obtidos
a 30[s], 1[min] e 10[min], definindo-se os ndices de absoro e polarizao, j
comentados durante os tpicos precedentes.
Nos transformadores nacionais, consideram-se como aceitveis os ndices
em torno de 1,25 e 2,00 para absoro e polarizao, respectivamente.
No exemplo do Anexo1 v-se que os ndices encontrados no ensaio AT-M
(GLB) apresentam-se inferiores aos valores aqui citados como aceitveis. Mas
isto no deve causar preocupao uma vez que, neste ensaio, as leituras obtidas
permaneceram estveis a partir de trs minutos, o que indica estar em situao
normal o isolamento. Neste mesmo exemplo, aplicando-se a equao (2.13),
encontra-se como valor mnimo aceitvel para R no lado de alta tenso (AT): R =
11,56 megaohms 75C ou R = 517 megaohms a 20C.
No Anexo 1 v-se que todos os resultados encontrados nas medies so
superiores a este mnimo aceitvel, como tambm superiores ao mnimo a 20C
68
sugerido na referida tabela. Est portanto o transformador, novo como ,
considerado em bom estado, sob o ponto de vista de isolamento.
3.8.4 Exemplos de utilizao do meghmetro com o terminal guarda:
Finalizando a demonstrao de como se utiliza o megmetro, so

demonstrados a seguir ensaios que so feitos como tcnicas preditivas em alta
tenso, representados pelas respectivas figuras.
A Figura 3.25 representa um ensaio de resistncia de isolamento entre os
enrolamentos de transformadores.
Figura 3.25
A Figura 3.26 representa um ensaio de resistncia de isolamento entre o

enrolamento secundrio e a carcaa de transformadores.
Figura 3.26
A Figura 3.27 representa um ensaio de resistncia de isolamento da bucha

de um transformador, exemplificando um ensaio onde pode se ter uma idia do
condicionamento da isolao fase-terra de um transformador.
69
Figura 3.27
E, finalmente, a Figura 3.28 representa um ensaio de resistncia de

isolamento de um cabo de fora, verificando tambm a sua condio de
isolamento.
Figura 3.28
3.9 SUMRIO
As condies de isolamento dos equipamentos que funcionam sob altas
tenses pode ser determinada a partir de ensaios utilizando equipamentos de
medida principalmente o megmetro e/ou fazendo ensaios qumicos.
A teoria dos dieltricos baseada no seu aspecto microscpico, de forma
que os ensaios afirmam algo sob a propriedade e condies dos materiais
utilizados para o isolamento. importante salientar que a condio e as
caractersticas so afetadas pela polarizao intrnseca e as diferentes maneiras
de polarizao de cada dieltrico.
Os ensaios que mais tomam forma praticamente e so mais utilizados nas
tcnicas de alta tenso so os de resistncia de isolamento (medida DC) e fator
de perdas ou tangente delta (medida AC), sendo que o ltimo mais conclusivo
70
a cerca de que pode dar tambm indicao da resposta em freqncia dos
isoladores.
71
4 RUPTURA DOS DIELTRICOS
4.1 INTRODUO
As faltas eltricas acontecem normalmente devido ao rompimento dos
dieltricos, total ou parcialmente. Dois motivos acarretam esse tipo de
acontecimento: o mau condicionamento do dieltrico ou o excessivo campo
eltrico sob o isolante num determinado ponto.
O rompimento dos dieltricos sempre causa prejuzos, seja pelo fato de
perda de energia, deteriorao do isolante ou mesmo dano ao equipamento. O
presente captulo tem o intuito de apresentar as formas principais de descargas
nos dieltricos, dando nfase aos gases, e, as descargas parciais, quanto s
formas de deteco, tcnicas de preveno e eliminao.
4.2 RUPTURA NOS GASES

A ruptura dos gases regida pelas leis elementares dos gases, entre elas a
lei de Boyle e Mariotte e a de Gay-Lussac, de onde derivada a principal lei
fundamental da teoria dos gases (pV = nRT). Maxwell provou verdadeira tal
teoria alguns sculos mais tarde.
A temperatura ambiente e presses normais, os gases so timos isolantes
eltricos, com condutncias da ordem de 10-17[A/cm2], corrente que resulta da
radiao csmica e substncias radioativas presentes na terra. Essas radiaes
podem transformar sua energia cintica em energia potencial sob as molculas
dos gases, ionizando-os, e esta, a principal forma de ruptura eltrica dos
gases. Por exemplo, se um gs estiver submetido a uma diferena de potencial
muito grande, e este for ionizado, h uma tendncia natural e forte de
movimento de cargas de um eletrodo para o outro, causando o rompimento do
dieltrico e a conduo de eletricidade atravs do isolante.
72
Um cientista chamado Townsend fez observaes a respeito da ruptura dos
gases: um dieltrico sobre uma ddp tem um movimento de eltrons entre o
catodo e o anodo que aumenta at uma estabilizao da corrente, denominada
corrente de ionizao. Essa corrente mantida at que a tenso alcance tal
valor de tenso que a corrente aumenta exponencialmente com a tenso, e da
se d a ruptura do isolante ou conduo atravs do dieltrico.
Essa ionizao acontece devida fotoionizao causada por radiao,
interao entre tomos que tem sua vida decada em fraes de segundo (metaestados) e os tomos do dieltrico e devido a fatores trmicos. Dito isso, se pode
esperar que alguma deionizao seja causada pela recombinao dos eltrons ao
dieltrico e pela formao de ons negativos, o que tambm verdade.
4.2.1 Transio entre as descargas no sustentadas ao rompimento.
Townsend props um mecanismo de ruptura que explica a conduo atravs

dos gases, que est de acordo com a Equao 4.1, de onde h uma transio da
corrente de ionizao ou corrente escura para uma descarga auto-sustentvel.
Esse ponto onde A corrente I se torna indeterminada ou o denominador se
torna igual a 0, de acordo com a Equao 4.2.
I = I0
ed
[ A]
1 (ed 1)
Equao 4.1
onde I0 a corrente inicial, I a corrente instantnea passando atravs do

ctodo, o segundo coeficiente de Townsend [em nmero de eltrons que
liberados pelo ctodo devido a incidncia de ons positivos], d o comprimento
do dieltrico [m], e a inclinao da reta.
(ed 1) = 1[n de ltrons]

Equao 4.2
4.2.2 A fora de campo de rompimento (Eb)
Uma fora de campo eltrico de rompimento pode ser definida a partir do

estudo de Townsend, e est de acordo com a equao (3.3).
73
Vb
E
= b =
( pd )
p
B
V
[
]
Apd
cm.Torr
ln
ln(1 + 1 / )
Equao 4.3
Onde Eb o campo eltrico sobre o dieltrico, tambm denominado por

fora de campo de rompimento, p a presso sobre o dieltrico, d o
comprimento do dieltrico o coeficiente de Townsend j citado, e A e B
so constantes de ionizao dos gases, A em par de ons [cm-1*Torr-1] e B
em [V/cm*Torr].
A Equao 4.3 mostra que essa fora diminuda com o aumento do
comprimento do dieltrico (d), com a presso mantida constante, porm,
principalmente funo do produto (p.d) e incrementada lentamente com o
decrscimo da presso e acrscimo do comprimento do dieltrico.
4.2.3 Descargas parciais
Quando estudamos vrios fenmenos que ocorrem nos sistemas eltricos,

comeam a surgir alguns problemas de unidades e nomenclaturas que podem
acarretar alguma confuso.
Assim, antes de comearmos a falar sobre as descargas parciais (DP),
conveniente fazermos alguns comentrios gerais sobre a utilizao dos termos
tcnicos que normalmente so encontrados na literatura.
Em alta tenso todos sabem que quando temos aplicado um determinado
valor de tenso por sobre um arranjo qualquer, automaticamente teremos
tenses induzidas em outros objetos prximos, ionizao das molculas de ar
nas superfcies condutoras, geram-se sinais eletromagnticos e forma-se uma
distribuio de campo eltrico no espao em volta do arranjo pois este est
diretamente relacionado com a tenso aplicada.
Conforme a intensidades e o mapeamento deste campo eltrico que
surgem os diversos fenmenos com os quais nos preocupamos em determinar as
influncias e intensidade. Desse modo surgem os diversos problemas nos
sistemas de transmisso tais como perda de energia, interferncia nas
freqncias auditivas, ondas curtas de rdio (SW Short Wave) e TV, corona
visual, descargas parciais, como veremos agora, e at mesmo descargas
disruptivas quando o campo eltrico suficientemente alto para promover
74
ionizao de todo um percurso at outro elemento porventura existente nas
proximidades.
O campo eletromagntico o responsvel inicial de todos os fenmenos e
conforme o problema que queiramos resolver, nomenclaturas adequadas e
grandezas so utilizadas de modo mais conveniente.
Figura 4.1 Processo das descargas
Todos os fenmenos anteriormente descritos ocorrem devido ''ionizao''

das molculas de ar em regies onde o campo eltrico torna-se crtico e por isto
este termo no empregado para retratar nenhum dos itens acima. A
''ionizao'' apenas representa a separao dos componentes de uma molcula
neutra, conforme o quadro representado pela Figura 4.2.
75
Figura 4.2-a, b e c exemplificando, respectivamente, o diagrama da Figura 4.1.
Observe que o termo ''descargas parciais'' utilizado tanto para o caso de

descargas nas cavidades de um material isolante (slido, gs (bolha), leo),
quanto nas superfcies condutoras.
Assim, uma descarga parcial (DP) uma descarga eltrica localizada, ou
seja, que no chega a percorrer o caminho dentro de um material isolante
colocado entre dois eletrodos.
Quando temos uma determinada tenso aplicada aos terminais de um
dieltrico (ar, leo, gs, fenolite, resinas, etc.) podem ocorrer descargas em
partes deste dieltrico nos pontos onde houver maior intensidade de campo
eltrico ou onde a constante dieltrica for menor, como no caso de pequenas
bolhas de ar no interior de um isolante slido.
No caso de dieltricos slidos estas descargas so produzidas pela ionizao
de pequenas cavidades de ar no interior do dieltrico; no caso dos lquidos, pela
ionizao de bolhas de gs no seu interior; no caso do ar pela ionizao das
molculas de ar que se encontram nos pontos de maior gradiente de potencial.
As DPS podem ocorrer em qualquer ponto do dieltrico; na juno de dois
dieltricos diferentes ou adjacentes ao condutor; podem tambm ocorrer
seguidamente em vrias pontos do dieltrico.
A necessidade do ensaio de DPS vem do fato que estas descargas so uma
fonte contnua de deteriorao do material isolante, ou seja, modificam suas
propriedades dieltricas, alm de poderem, dependendo de sua intensidade,
gerar interferncias em recepo de rdio, TV e sistemas digitais em geral.
Dependendo da intensidade das DPS, a vida til do material ser reduzida.
Inclusive, um dos itens a que se propes o ensaio de DPS o de determinar a
76
relao existente entre as grandezas que regem as DPS e a vida til do
dieltrico. Outro motivo a utilizao cada vez mais freqente dos materiais
polimricos que envelhecem mais rapidamente sob os efeitos da ionizao,
conjuntamente com razes econmicas que tendem a minimizar as espessuras
isolantes.
4.2.3.1 Meios de deteco
Descargas do origem a muitos fenmenos, os quais podem ser utilizados

em seu diagnstico, e compe o diagrama da Figura 4.3.
Figura 4.3 Fenmenos produzidos pelas descargas parciais.
A deteco do fenmeno eltrico mais freqentemente realizada, com

vistas medio de perdas dieltricas e deteco de impulsos eltricos. Os
mtodos de deteco no eltricos ultimamente tem sido utilizados com bons
resultados, destacando-se o mtodo acstico aceleromtrico.
3.1.2.2 Caractersticas da DPs
As DPs tem como caracterstica ocorrer sempre em pequenas regies do

isolante, ter curta durao em relao ao ciclo da senide (da ordem de nano
segundos), tem frente muito ngreme e formas de onda discretas no tempo,
podendo ser tratadas como funo impulso, so repetitivas e ocorrem
seguidamente em vrios pontos do dieltrico - em alguns casos aleatrias
77
dependentes da configurao ( 4 a 10 ciclos) -, a grandeza utilizada para a
medio das DPS a carga q medida normalmente em pico Coulombs; que
est diretamente associada deteriorao do dieltrico (a taxa de repetio, ou
seja, o nmero de DPS por unidade de tempo, tambm importante), mas
tambm pode ser medida em [V] o que no muito freqente visto a grande
influncia na leitura da capacitncia do objeto que se est ensaiando, promovem
elevao de temperatura do fludo e eroses pelo choque mecnico entre
eltrons e molculas da parede da cavidade e, finalmente, e incitam perdas de
energia nas cavidades.
4.2.3.2 Sinal gerado por uma descarga parcial
Para efeito de medio e anlise, pode ser feita uma comparao entre os
sinais usuais gerados pelas tenses na rea da engenharia e o sinal de uma
descarga parcial, de acordo com a Figura 4.4.
78
Figura 4.4 Comparao entre sinais eltricos comuns e sinais gerados pelas DPs.
4.2.3.3 Circuito de representao de uma descarga parcial
Seja um dieltrico entre os terminais do qual est sendo aplicada uma

tenso V tal qual mostra a Figura 4.5.
79
Figura 4.5 Representao de uma cavidade em um dieltrico: I corresponde poro

defeituosa do dieltrico e II corresponde a parte no-defeituosa.
Na Figura 4.6 a alta tenso sobre o dieltrico dada por Va e a tenso

sobre a cavidade dada por Vc. Quando a tenso Vc alcana a tenso de
ruptura U+ a descarga ocorre na cavidade; U+ dada pela curva de Paschen.
A tenso cai para V+ (usualmente menor que 100V) quando a descarga se
extingue. A queda da tenso ocorre em menos de 10-7[s]. Este tempo
extremamente pequeno se comparado com a durao de um ciclo de uma
senide e.g. em 50Hz (20ms).
Aps a extino, a tenso sobre a cavidade sobe novamente. Esta tenso
determinada pela sobreposio do campo eltrico principal e o campo eltrico
superficial das cargas existentes nas paredes da cavidade, deixadas aps a
ltima descarga.
Quando a tenso sobre a bolha alcana U+ uma nova descarga ocorre.
Isto ocorre diversas vezes seguidas da queda de tenso Va, sobre a amostra e
a queda da tenso Vc para U- antes que uma nova descarga ocorra. Esta a
maneira como grupos recorrentes de descargas aparecero.
Figura 4.6 Comportamento das DPs em uma cavidade.
80
Conforme as caractersticas do material, existir em seu interior uma certa
quantidade de cavidades de vrias formas e dimenses preenchidas com ar ou
gases.
Costuma-se, para efeito simplificado e de anlise, considerar uma nica
cavidade de contorno plano, pois as vrias partes do dieltrico podem ser
simuladas idealmente por capacitores de placas paralelas e resistncias.
Pode-se ento, modelar o circuito equivalente do dieltrico para explicar a
descarga, de acordo com a Figura 4.7.
Figura 4.7 Circuito eltrico que representa o dieltrico.
Na Figura 4.7 a capacitncia C2 representa a capacitncia da cavidade. C1

a capacitncia total em srie com C2 e C o restante da capacitncia em
paralelo com o conjunto C1 e C2. Para cada capacitncia existe tambm uma
resistncia correspondente, que normalmente costumam ser desprezadas (R, R1
e R2), de onde ainda pode se fazer uma simplificao resultando no circuito da
Figura 4.8.
Figura 4.8 Circuito eltrico simplificado.
81
No caso de corrente contnua tambm podemos utilizar este circuito
apenas acrescentando R1 sem a qual no haver no circuito nem correntes de
fuga nem de deslocamento.
A tenso nos terminais da cavidade (V2), em funo dos parmetros do
circuito e da tenso aplicada externamente, dada pela Equao 4.4:
V2 = V
c1
[V ]
c1 + c2
Equao 4.4
Uma descarga parcial significa um curto circuito atravs da capacitncia C2,

o que acarretar numa diminuio da tenso nos terminais do dieltrico de V e
uma queda de tenso nos terminais de C2 de V2 = V2.
Pode-se determinar o valor de V em funo de V2 e dos parmetros do
circuito atravs do equilbrio de cargas antes e aps a descarga parcial, de
acordo com as equaes (3.5) e (3.6):
q antes = V (C +
C1 .C 2
)[C ]
C1 + C 2
Equao 4.5
q aps = C + C1 (V V )[C ]
Equao 4.6
Da igualdade qantes=qaps e de acordo com a Equao 4.4, conclumos que a

variao da tenso nos terminais (V) do Objeto sob Teste (OT) proporcional
tenso nos terminais da cavidade (V2 = V2) e funo das capacitncias do
dieltrico (C1 e C), de acordo com a equao(3.7).
V = V2
C1
[V ]
C1 + C
Equao 4.7
Procuramos medir uma grandeza que esteja diretamente associada vida

til do dieltrico e que seja pouco sensvel s variaes de capacitncia do
circuito de ensaios. A carga q2, que a carga gerada nos terminais da cavidade
devido DP a grandeza mais indicada, porm esta carga no pode ser medida
na prtica. Define-se ento uma carga q, chamada de carga aparente, a qual,
caso seja injetada instantaneamente nos terminais do OT, produzir uma queda
de tenso igual quela provocada pela DP. Esta carga aparente q pode ser
medida.
82
A carga acumulada nos terminais da cavidade (q2) dada pela equao
(3.8) como segue:
q 2 = V2 (C 2 +
C.C1
)[C ]
C1 + C
Equao 4.8
Que corresponde ao equivalente de Thevelin nos terminais de C2.

Em relao ordem de grandeza dos parmetros podemos considerar que:
C 2 >> C1 , C >> C1
q 2 = V2 (C 2 +
C1
) V2 (C 2 + C1 ) V2 C 2 = V2 C 2 [C ]
1 + C1 / C
Equao 4.9
A carga produzida nos terminais do dieltrico (q) devido DP na cavidade

dada pela Equao 4.10:
q 2 = V2 (C 2 +
C1 .C 2
C1
) = V (C +
) V2 (C + C1 ) q = V2 C1 = V2 C1 [C ]
C1 + C 2
1 + C1 / C 2
Equao 4.10
A relao entre a carga que medimos nos terminais do dieltrico (q) e a

carga real produzida nos terminais da cavidade (q2) :
C V
C
q
= 1 2 = 1[ ]
q 2 C 2 V2 C 2
Equao 4.11
Como consideramos as capacitncias como sendo de placas paralelas

temos:
C1 =
A
h
e C2 = 0
A
[C ]
d
Equao 4.12
Onde A a rea dos capacitores C1 e C2, d a altura do capacitor

representativo da cavidade, h a altura do capacitor em srie com a cavidade,
a permissividade do dieltrico e o a permissividade do ar.
Dessas relaes, temos:
q
d
=
[ ]
q2 0 h
Equao 4.13
83
Percebe-se ento, que a carga aparente (q) aumenta quando a cavidade
aumenta; quando a espessura do dieltrico diminui ou quando a relao entre a
permissividade do isolante e do gs aumenta.
Os valores limites da carga aparente (q) devem ser diferentes para cada
equipamento ou isolante ensaiado.
4.2.3.4 Circuito de medio
Basicamente so trs circuitos de ensaio de DPs.

O primeiro circuito tem a impedncia de medio em srie com o capacitor
de acoplamento, utilizado nos casos que o OT possui uma extremidade
aterrada, de acordo com a Figura 4.9.
Figura 4.9 Circuito com impedncia em srie com capacitor de acoplamento.
O segundo circuito tem a impedncia de medio em srie com o OT, e

utilizado nos casos onde o lado de baixa do OT fica isolado da terra e tem a
vantagem de suprimir perturbaes que diminuem na razo de C/Ck onde C
a capacitncia do OT e Ck a capacitncia de acoplamento, de acordo com a
Figura 4.10.
Figura 4.10 Circuito onde a impedncia de medio fica em srie com o OT.
84
O
terceiro
ltimo
circuito,
tambm
chamado
de
equilibrado
ou
balanceado, est de acordo com a Figura 4.11, e utilizado quando tanto o lado
de baixa do OT quanto do capacitor de acoplamento esto isolados da terra
atravs das impedncias de medio Zm1 e Zm2, indicado para ensaios de
corrente contnua e apresenta poucos problemas de interferncias externas.
Figura 4.11 Circuito utilizado quando tanto o lado de baixa do OT, quanto o capacitor
esto isolados da terra.
Um circuito de ensaio completo pode ser como o esquematizado na Figura

4.12, onde o filtro F serve para impedir a passagem dos possveis pulsos de
corrente de alta freqncia provenientes da fonte AC.

O capacitor Ck de acoplamento evita que a tenso AC passe para a
impedncia de medio e constitui um caminho preferencial para os pulsos de
corrente correspondentes as DPs.
Figura 4.12 Circuito de ensaio.
A impedncia de medio (Zm) pode ser resistiva' (aperidica) ou indutiva

(oscilatria), de acordo como segue:
85
4.2.3.4.1
Circuito com impedncia resistiva representado pela Figura 4.13:
Figura 4.13 Circuito com impedncia resistiva.
Onde q a carga aparente, Ci a capacitncia do OT, R a resistncia

de medio e Cp a capacitncia parasita.
A tenso nos terminais da impedncia de medio :
VR (t ) = k .q.e t / [V ]
Equao 4.14
Onde K = 1/ [Ci(1+Cp/Ck) + Cp], = R(Cp + Cs), Cs =Ci.Ck/(Ci+Ck) e

Cp uma capacitncia parasita de valor desprezvel.
Para t = 0 temos:
VR (0) =
q
[V ]
Ci
Equao 4.15
Logo, vemos que a tenso Vr varia diretamente com a carga aparente.
4.2.3.4.2
Circuito com impedncia indutiva representado pela Figura 4.14:
Figura 4.14 Circuito com impedncia indutiva.
86
Onde L a indutncia de medio e R a resistncia de amortecimento.
A tenso nesse caso oscilante e dada por:
V L ( t ) = k . q .e t / 2 cos t [ V ]
Equao 4.16
Onde funo de R, L, Cp, Ci e Ck.

Percebe-se que em ambos os itens (4.2.3.4.1 e 4.2.3.4.2) os valores iniciais
da tenso so idnticos.
Seja ento um circuito simplificado conforme Figura 4.15:
Figura 4.15 Diagrama simplificado do circuito de ensaio.
Onde I2(t) a corrente na resistncia (R) devido a DP, q a carga

aparente real no objeto sob ensaio e qm a carga aparente registrada atravs
da impedncia de medio.
Dessa maneira, temos ento (Equao 4.17 - Equao 4.20):
Ci = C +
C1C 2
[F ]
C1 + C 2
Equao 4.17
VR (t ) = R.i2 (t )[V ]
Equao 4.18
V R ( 0) =
q
[V ]
Ci
Equao 4.19
V R (t ) =
q t / RCS
e
[V ]
Ci
Equao 4.20
Logo:
87
t
i2 (t ) =
q
. Rcs [ A]
R.C i
Equao 4.21
E o medidor registrar uma carga (qm) igual :
q m = 0 i2 (t )dt = q
Cs
Ck
=q
[C ]
Ci
Ci + Ck
Equao 4.22
Assim, a carga aparente medida (qm) menor que a carga aparente real (q)
e ser tanto menor quanto maior for a capacitncia do OT.
Para a realizao de ensaios requerido qm 0,5.q[C], ou seja, devemos
ter
normalmente
Ci
Ck[F],
para
que
no
tenhamos
problemas
de
interferncias.
4.2.3.5 Calibrao do circuito
A calibrao consiste em injetar no circuito de ensaio uma determinada

carga escolhida (qc) e medir a indicao correspondente no osciloscpio ou
instrumento de medio.
O calibrador consiste essencialmente de uma fonte de corrente contnua
(Ec) com uma pequena capacitncia em srie (Cc), e duas calibraes podem ser
feitas, como segue:
4.2.3.5.1
Calibrao direta.
Pode ser representada pela Figura 4.16:
Figura 4.16 Calibrao direta do circuito de ensaio.
88
A carga injetada nos terminais de alta do OT, estando o circuito
desenergizado e ajusta-se no medidor, uma escala correspondente carga que
foi escolhida.
4.2.3.5.2
Calibrao indireta.
A calibrao indireta pode ser representada pelo circuito da Figura 3.19:
Figura 4.17 Calibrao indireta do circuito de ensaio.
Neste caso, o mesmo valor de carga injetado nos terminais da impedncia

de medio. A calibrao indireta feita para que se tenha o valor de escala
conhecido na tela do medidor durante todo o ensaio, podendo ser verificado se
necessrio.
4.2.3.6 Interferncias externas nas medies
Quando efetuamos as medies, devemos atentar para algumas possveis

interferncias que possam vir a ocorrer, pois embora o local possa ser blindado
eletromagneticamente, isto sempre possvel de acontecer.
Algumas formas tpicas de interferncias causadas por diversas situaes
tais como, motores, lmpadas fluorescentes, contatos ruins, retificadores,
objetos flutuantes, etc. podem facilmente ser verificadas experimentalmente em
laboratrio.
Tambm podemos determinar os ciclos positivos e negativos na base
elptica pela utilizao de eletrodos ponta-plano.
89
4.2.3.7 Comentrios sobre a realizao de ensaio de acordo com a Norma IEC-270
parte de alta tenso do circuito de ensaio aps o filtro (capacitor de

acoplamento e ligaes) devem estar isentas de corona (descargas parciais) at
a tenso mxima de ensaio de DPs.
O OT deve estar limpo, seco e temperatura ambiente, no tendo sofrido
solicitaes mecnicas, trmicas ou eltricas anteriores ao ensaio.
As partes externas do OT que possam gerar ''descargas parciais'', tais como
salincias pontiagudas, devem ser protegidas eletricamente por intermdio de
torides.
A tenso de ensaio fornecida normalmente pela norma do equipamento ou
especificao do cliente.
O rudo ambiente deve ser no mximo 50% do nvel especificado de
descargas parciais. Caso haja, e se for provado, a existncia de algum pulso
aprecivel de origem externa, este pode ser desprezado.
No caso de medies de nvel baixos de DPs (10 p[C]), o rudo poder ser
maior que 50% do nvel especificado porm no superior a este.
Nenhum rudo deve ser subtrado do valor de DP registrado.
Os rudos podem variar desde alguns p[C] para ambientes blindados at
centenas de p[C] em reas no blindadas.
As medies das DPS so realizadas, segundo a norma, com trs finalidades
possveis, sendo elas: a)verificar se o OT no ultrapassa um determinado nvel
de DP numa tenso especificada; b)determinar os valores de tenso nos quais
um determinado valor de DP ultrapassado em tenso crescente ou extinguido
em tenso decrescente e c)determinar a intensidade da DP numa tenso
especfica.
O que fazemos normalmente e determinar, para alguns valores de tenso,
os valores correspondentes das DPs. um procedimento similar quele utilizado
na medio de RI (Rdio Interferncia), a menos do intervalo de leitura que
neste caso de dez segundos.
Pode ser traada ento uma curva de tenso k[V] versus carga p[C].
Registram-se normalmente as temperaturas de bulbo seco e mido e a
presso atmosfrica, embora no sejam feitas correes para a tenso de
ensaio.
90
4.2.3.8 Princpios de deteco eltrica das descargas parciais
4.2.3.8.1
Diagramas bsicos
As descargas parciais provocam impulsos de corrente pelos terminais do

objeto sob teste, ou em operao. Estes impulsos so muitos rpidos da ordem
de nano segundos. A medio de descargas parciais, pelo processo eltrico,
consiste em detectar estes impulsos. Existe uma grande variedade de circuitos
para deteco destes impulsos. Porm todos estes circuitos podem ser reduzidos
no diagrama bsico mostrado na Figura 4.18:
Figura 4.18 Circuito de deteco de descargas parciais
Onde HV a fonte de alta tenso, a o objeto sob teste ou amostra

afetada pelas DPs, Z a impedncia atravs do qual impulsos de tenso
ocorrem causados pelos impulsos de corrente (i) em a, k o capacitor de
acoplamento que deve facilitar a passagem de altas freqncias, A um
amplificador de sinais e o o instrumento de medio ou deteco: auto falante,
voltmetro, osciloscpio, analisador de espectro, etc.
4.2.3.8.2
Impedncia de deteco (Z)
A impedncia Z pode ser conectada ao objeto sob ensaio de dois modos

diferentes, em srie com o objeto sob teste ou em srie com o capacitor de
acoplamento.
Ambos os modos so eletricamente iguais, porm deve-se ter o cuidado no
caso da capacitncia do objeto ser muito grande, pois desta forma, a corrente
de carga do objeto tambm ser
medio.
grande e poder danificar a impedncia da
91
Neste caso ser prefervel a ligao em srie com o acoplador k. Alm
disso, na prtica, em muito casos, a ligao em srie com o objeto em teste no
possvel de ser feita como o caso dos geradores da Itaipu Binacional.
A impedncia Z constituda geralmente de uma resistncia R em
paralelo com uma capacitncia parasita C, ou por um circuito RLC. a
impedncia de medio que determina a faixa de freqncia em que a medio
ser feita.
No caso do circuito RC o pulso de corrente originado pelas descargas
parciais provocam na impedncia de medio Z uma tenso impulsiva,
unidirecional mostrado na Figura 4.19, cuja expresso matemtica calculada pela
transformada de Laplace dada pela Equao 4.23:
V=
q
. ( t / Rm ) [V ]
c
(1 + )a + c
k
Equao 4.23
Que, de modo simplificado pode ser considerada igual a uma funo de q

e Cn como na Equao 4.24.
t
V=
q Rm
. [V ]
Cn
Equao 4.24
Onde Cn o capacitor relacionado pela Equao 4.25:
C n = (1 +
C
) a + C[ F ]
k
Equao 4.25
E, onde q a magnitude das descargas causadas pelos impulsos, e

igual a b*V; onde a, c e k so mostrados na Figura 4.19.
Figura 4.19 Resposta ao impulso com impedncia igual RC.
92
Para uma impedncia de medio constituda de tenso de um circuito
RLC, o impulso de tenso ser atenuado como se pode ver na Figura 4.20, mas
ter o mesmo valor de pico como no caso da impedncia RC, cujo valor dado
pela Equao 4.26.
V =
q
C
(1 +
)a + C
k
t
) cos t
2 Rm
[V ]
Equao 4.26
Onde
1
1
[rad ]
2
LM 4 R M 2
Equao 4.27
Figura 4.20 Resposta ao impulso de tenso de uma impedncia RLC.
Notas:
Das equaes acima percebemos que a amplitude do impulso de tenso
proporcional amplitude q das descargas.
Pode-se ainda observar que a amplitude da tenso independente de R.
No obstante, R influencie na constante de tempo e quanto menor R menor a
constante de tempo e mais agudo ser o impulso de tenso o que poder
dificultar a amplificao do sinal.
Se a capacitncia do objeto (a) for muito grande em relao ao capacitor de
acoplamento (K) e as capacitncias parasitas (C) a amplitude do impulso de
tenso ser basicamente determinada por (a), de acordo com a Equao 4.28.
q
V `= [V ] se a >> c e k
a
Equao 4.28
93
Exemplo E 3.1: Considerando a = 1,8 nF (uma fase do gerador da IB.), k
= 80 mF (capacitor de acoplamento Siemens) e c = 10 pF (capacitncia
parasita) calcular as tenses relacionadas.
Resoluo:
V =
q
k[V ]
0,18 6
(1,8 +
)10
k
V=
V=
V=
q
k[V ]
c
(1 + )a + c
k
q
10
(1 + x10 3 )1,8 x10 6 + 10 x10 12
k
(1 + 10 x10
V=
12
k[V ]
q
k[V ]
)1,8 x10 6 + 10 x10 12
kx10 9
q
180
(1,8 +
x10 3 )10 6
k
k[V ]
Para k = 80 [nF]
V1 =
q.10 6
= 1,008[kV ]
1,802
Para k = 10 [nF]
q.10 6
V2 =
= 1,008[kV ]
1,802
Podemos ainda, ver a importncia do capacitor de acoplamento (k),
percebendo que ele diminui o denominador da equao, caso contrrio a
amplitude do impulso de tenso ser pequena.
4.2.4 Descargas atravs do efeito Corona
Nos campos eltricos uniformes ou quase uniformes a ionizao usualmente

leva ao completo rompimento do dieltrico. Nos campos no uniformes, no
entanto, vrias manifestaes luminosas e sonoras so observadas muito antes
de ocorrer o completo rompimento do dieltrico.
94
Esses fenmenos so conhecidos como Coronas. Esses efeitos so
responsveis por considerveis perdas de energia nas linhas de transmisso e
leva a deteriorao da isolao pela ao combinada das descargas eltricas a
composio qumica de certos isolantes.
O campo eltrico crtico para o efeito do fenmeno visual corona, para
tenses ac, expresso pela teoria desenvolvida por Peek, para aplicao sobre
cabos cilndricos suspensos no ar, de acordo com a Equao 4.29:
Ec
= 31,53 +
9,63
.r
Equao 4.29
Onde Ec o mdulo do campo eltrico, r o raio do cabo e a

densidade relativa do ar.
Estes fenmenos normalmente interferem nos sistemas de comunicao,
porm so muito utilizados industrialmente nos dispositivos de impresso de alta
velocidade, precipitadores eletrostticos, contadores Giser, etc.
Os fenmenos corona visuais apresentam diferena de acordo com a
polaridade onde acontecem, sendo branco-azulados e formando superfcies sobre
o cabo nas polaridades positivas e aparecendo sobre o formato de manchas
brilhantes avermelhadas distribudos ao longo do cabo na polaridade negativa.
No entanto, tanto tenses ac como dcs produzem os mesmos efeitos.
Nos coronas positivos, as descargas se do na forma de fluxos de
corrente, com a curiosa caracterstica de nunca se cruzarem. Essas descargas
vo diminuindo at a extino quando alcanam pontos no dieltrico de menor
campo eltrico.
Nos coronas negativos, os fenmenos visuais ocorrem sob a forma de
pulsos muito regulares que recebem o nome de pulsos de Trichel, por terem
sido minuciosamente estudados pelo cientista Trichel. Esses pulsos tem sua
freqncia aumentada com o aumento da tenso, e dependem tambm da
presso, do comprimento do dieltrico e do raio do ctodo. A Figura 4.21
demonstra o aumento da freqncia dos pulsos de Trichel com o aumento da
tenso, para vrios valores de raios diferentes de catodo.
95
Figura 4.21 Relao entre a tenso e a freqncia dos pulsos de Trichel.
4.3 DESCARGAS NOS SLIDOS

Os isolantes slidos esto sempre presentes na alta tenso, seja como
suporte mecnico ou mesmo na separao dos condutores, porm, mesmo com
o fato de que foram formuladas vrias teorias no sculo passado tentando
explicar o rompimento dos isoladores slidos, essa teoria ainda se encontra
bastante crua e no conclusiva. Isso porque, esses isoladores sofrem a ao de
correntes que, ao contrrio dos gases, vm de vrias fontes de polarizao,
inica, eletrnica e por movimento de dipolos, que muito lenta, e, essas
correntes no apresentam diferenas do ponto de vista de medio, dificultando
o estudo de cada tipo separadamente.
Nas baixas temperaturas, se aceita que na maioria dos slidos, a conduo
se d de acordo com a Equao 4.30:
=A
u
kT
Equao 4.30
Onde A e u so constantes empricas.
96
A temperatura um fator relevante, quando nos referimos isolao nas
cermicas, principalmente nos vidros, que provavelmente so de origem
eletrnica ou inica. Acredita-se que a conduo d-se pelo fato que h injeo
de eltrons na banda proibida dos tomos do isolante, atravs dos portadores
nos eletrodos ou do prprio acmulo de eltrons proveniente da polarizao,
sendo ejetados pelo efeito de emisso Schottky, permitindo assim, a conduo
atravs do isolador slido.
Se o material for homogneo e as condies de temperatura forem
rigorosamente controladas, so observadas tenses eltricas muito elevadas,
que surgem com tenses abaixo do limite de isolamento do isolante, duram na
ordem de 10-8[segundos], s so dependente da tenso aplicada e da
temperatura e so conhecidas como foras eltricas intrnsecas. Isso explicado,
supondo que o stress que uma regio determinada do dieltrico muito maior
que nas outras, de acordo com a Figura 4.22.
Figura 4.22 Mecanismos de falhas nos slidos.
Essas
tenses
causam
descargas
danificam
isolamento,
sendo
conhecidas como rompimento intrnseco.

As descargas por avalanche seguem um processo similar as descargas por
avalanche nos gases, isto , um eltron ou on livre ganha energia atravs da
ao do campo eltrico e perde energia na coliso com eltrons dos demais
tomos, se a energia absorvida for maior que a perdida nas colises, e a energia
97
das colises for suficiente para retirar eltrons das bandas adjacentes de seus
tomos, este processo pode desencadear uma avalanche.
O rompimento mecnico caracterstico daqueles slidos que podem se
deformar significantemente, de forma a alterar sua configurao mecnica, sem
que haja uma fratura. Isso acontece devido a que a presso mecnica exercida
sobre o isolante pode ser muito alta, devido a atrao dos eletrodos.
Segundo Stark e Garton, a espessura inicial, chamada mdulo de Young
Y, decresce para um valor igual a d [m] quando uma tenso de mdulo igual
a V aplicada, de acordo com a Equao 4.31.
V2 = d2
2Y
0 r
ln
d0 2
[V ]
d
Equao 4.31
Onde o primeiro quociente representa as permissividades do ar e relativa

respectivamente, d0 a espessura inicial de uma espcime de material Young,
que decresce a uma espessura d depois da descarga.
Quando um isolante percorrido por correntes de fuga, devido a
polarizao, calor est sendo gerado continuamente no isolante, a condutividade
() normalmente aumenta com o aumento de temperatura, podendo ocasionar
descargas trmicas.
Estas descargas so representadas por uma certa instabilidade, ou seja, h
uma tendncia de desencadear cada vez mais eltrons, pois a conduo de um
eltron aumenta um pouco mais a temperatura formando uma reao em cadeia.
A teoria das descargas eltricas explicada sob a teoria de condutividade
calorfica dos materiais, a capacidade de dissipao e o sistema de refrigerao
de tais sistemas.
Quando um dieltrico slido tem uma falha, como, por exemplo, uma bolha
de ar em sua construo, h uma tendncia de que sobre essa bolha a
intensidade de campo seja ainda maior que no dieltrico em si, sendo uma fonte
bastante
grande
de
descargas,
conhecidas
por
descargas
por
eroso.
98
4.4 DESCARGAS NOS LQUIDOS
O mecanismo de ruptura nos lquidos ainda mais obscuro e desconhecido

do que o mecanismo nos gases ou mesmo nos slidos. Das vrias teorias
surgidas atravs dos anos, muitas so contraditrias, de forma que no se pode
ainda formar uma teoria conclusiva aos lquidos.
Dois ramos de teorias diferentes, no entanto, podem ser citados: um
explica a ruptura dos dieltricos lquidos como uma extenso da teoria dos
gases, baseado na avalanche de eltrons ocasionada atravs da ionizao dos
tomos causada pela coliso de eltrons com muita energia nestes.
Esta teoria se mostra razovel para lquidos de extrema pureza, onde a
polarizao eletrnica e inica. Quando h, no entanto, uma quantidade muito
grande de impurezas, o lquido tende a ter uma corrente crescente com o campo,
que depois estabilizada, e por final, quando o campo aplicado muito elevado,
tende a uma instabilidade, ocorrendo da a avalanche.
O outro ramo de pensamento tenta explicar fisicamente o comportamento
dos lquidos, partindo da para a explicao das razes e das caractersticas da
conduo nos lquidos. Muitos cientistas da atualidade tm publicado vrios
trabalhos a respeito, mas essa teoria ainda se apresenta bastante incerta.
Sabe-se, entretanto, que nos lquidos, existe a ruptura eletrnica, e que
preferencial a ruptura trmica. Ela depende, do campo eltrico aplicado E, do
caminho livre do eltron , e do quanta de energia h perdido na ionizao
da molcula. De acordo com a Equao 4.32, c uma constante arbitrria.
eE = ch
Equao 4.32
Impurezas slidas, suspensas nos lquidos tambm ocasionam rupturas

dieltricas. Isso porque estas podem ter cargas lquidas, e ocasionar avalanches.
Uma explicao plausvel e aceita, a de que essa partcula carregada levada
ao lugar onde o campo eltrico maior e grad E igual a zero. Outras partculas
slidas carregadas so levadas a essa regio, que por possuir o campo mais
elevado, tm um campo praticamente uniforme. Nesse campo, as partculas vo
se alinhando, de maneira a se dispor na forma de cabea-com-rabo, formando
certas pontes no dieltrico, podendo seguir da a ruptura do dieltrico.
99
Um outro tipo de ruptura conhecido como ruptura de cavidade causado
por incluses de gases dentro dos dieltricos lquidos, na forma de bolhas. Essas
bolhas causam mudanas na temperatura e na presso do dieltrico, dissociao
de lquidos em slidos devido coliso dos eltrons e vaporizao do lquido
devido as descargas do tipo corona, nos pontos de irregularidade dos eletrodos.
A Equao 4.33 representa como esse processo se torna uma descarga.
Eb =
3E0 V
[ ]
liq. + 2 m
Equao 4.33
Onde E0 a fora de ruptura, e o quociente igual permissividade do

lquido somada de dois.
Da Equao 4.33 quando Eb se torna igual ao campo de ionizao do gs,
descargas vo ocorrer, podendo causar a decomposio do lquido e podendo
assim, causar o rompimento do isolante.
4.5 SUMRIO
O rompimento dos dieltricos uma grande preocupao no caso de
equipamentos de alta tenso. Eles so responsveis pelo desgaste dos isolantes,
e indicadores de possveis defeitos futuros, no deixando de se levar em conta
um defeito mais grave.
Por isso, se tornam parte importante do estudo de equipamentos de alta
tenso.
100
5 GERAO DE ALTAS TENSES
5.1 INTRODUO
Geradores de altas tenses so fabricados com o intuito de produzir tenses
acima das tenses nominais, mesmo das tenses j consideradas de alta.
Isso porque, normalmente essas tenses so utilizadas na realizao de
testes, de cunho cientfico ou prtico, no caso de se desejar informaes sobre a
isolao de determinado equipamento.
Esses testes so sempre feitos acima das tenses nominais de trabalho,
especificadas por normas nacionais e internacionais.
5.2 GERAO DE ALTAS TENSES EM CORRENTE CONTNUA
Altas tenses em corrente contnua so usualmente produzidas para

pesquisas puramente cientficas, ou no caso de testes da capacitncia de cabos
muito longos, onde tais testes consumiriam correntes muito altas em corrente
alternada, ou mesmo na fsica aplicada e equipamentos mdicos como raios-x.
De acordo com a norma internacional a tenso gerada igual ao seu valor
aritmtico mdio, de acordo com a Equao 5.1, ou seja, a integral da tenso
durante um perodo, dividida pelo prprio perodo, e isso se aplica pelo fato de
que os sinais DC de altas tenses possurem um ripple, que por definio, igual
a mdia entre o valor de pico e o menor valor, de acordo com a Equao 5.2,
enquanto que o fator de ripple a razo entre o ripple e o valor mdio da
tenso, ou seja, igual a V/Vmed e, para efeitos de teste, no deve exceder trs
por cento.
101
T
Vmed
1
= V (t )dt[V ]
T0
Equao 5.1
V =
1
(Vmax Vmin )[V ]
2
Equao 5.2
5.2.1 Retificao de tenses em AC
O fato do desenvolvimento dos retificadores semicondutores substituiu a

retificao de altas tenses geradas em AC por vlvula, piscinas de mercrio e
retificadores mecnicos onde o sistema auxiliar de aquecimento do catodo
dificultava sua aplicao.
A retificao monofsica pode ser feita atravs de simples retificadores
semicondutores, sempre construdos em Silcio, que normalmente no suportam
tenses reversas maiores que 2500[V], porm, sem apresentar problemas em
relao a conexo destes dispositivos em srie at atender a condio desejada.
5.2.1.1 Circuitos retificadores simples.
Um retificador monofsico de meia onda representado pela Figura 5.1.
Figura 5.1 Elementos de um gerador de alta tenso DC.
Sua interpretao facilitada se for negligenciadas a reatncia de disperso

do transformador e a resistncia de conduo do diodo que so muitas vezes
102
menores que a dos aparelhos onde sero feitos os testes, normalmente em seu
isolamento e, considerando o capacitor como sendo ideal.
Quando o diodo conduz, o capacitor carrega at a tenso mxima da fonte,
e tende a se manter carregado enquanto a tenso da fonte menor que a tenso
do mesmo. Dessa forma, o diodo deve ser dimensionado de forma a suportar
uma tenso duas vezes maior que a tenso de pico da fonte.
Quando o circuito conectado a carga, a tendncia de que o capacitor
descarregue sobre aquela, carga qual, que pode ser aproximada pela Equao
5.3:
Q = i L (t )dt =
T
1
I
. V (t )dt = IT = [C ]
RL T
f
Equao 5.3
Onde I representa o valor mdio da corrente DC fluindo pela carga.

Com o ripple includo, a tenso sobre a carga varia entre o Vmax e o Vmin,
onde Vmin = Vmax 2..V, enquanto que a carga fornecida durante o perodo
pode ser, sem inserir grandes erros, igual da Equao 5.3, uma vez que o
tempo de carga T << T. O ripple poderia ser calculado exatamente se o
tempo de descarga fosse considerado diferente do perodo atravs da relao
T(1-), mas como normalmente = 0, o ripple pode ser calculado como
abaixo:
Q = 2VC = IT ; 2 =
IT
I
=
[C ]
2C 2 fC
Equao 5.4
Levando-se em considerao que a carga ento funo do valor mximo

da tenso da fonte e da carga, e, mostra que f.C um importante parmetro
de fabricao.
Deve-se, durante o projeto, levar em considerao um rompimento da
carga, ocasionando um curto-circuito, para dimensionar os componentes, de
forma que os semicondutores devem resistir a essa corrente de curto.
Usualmente, esses geradores produzem tenses na ordem de Megavolts (e.g
gerador de Prinz, de 1,2 MV, 60 mA).
Retificadores bifsicos tambm so construdos a partir de transformadores
com tap central, e talvez a principal considerao de projeto que deve ser feita,
de que os diodos devem resistir tambm a duas vezes a tenso de pico da fonte
senoidal.
103
Figura 5.2 Forma de onda de um retificador monofsico de meia

onda de alta tenso.
5.2.1.2 Circuitos retificadores em cascata.
Circuitos dobradores de tenso foram projetados para se obter uma tenso

muito mais alta que a dos retificadores de meia onda monofsicos citados no
item anterior. O primeiro deles foi projetado por Greinacher, fsico, em 1920,
sendo melhorado em 1932 por Cockcroft e Walton, com a finalidade de produzir
ons positivos com alta energia.
De acordo com a Figura 5.3 percebe-se que a idia utilizar capacitores
como dobradores de tenso a fim de se obter uma tenso de sada DC muito
maior que a amplitude da fonte senoidal de entrada.
O procedimento o seguinte: se os terminais do circuito esto inicialmente
abertos, no primeiro semiciclo positivo Cn carrega a Vmax, e no semiciclo seguinte
negativo atinge 2Vmax, se, inicialmente o ponto n est aterrado, o capacitor Cn
tambm carregado com 2Vmax, no prximo semiciclo positivo o ponto n atinge
novamente Vmax e ento o capacitor Cn-s carregado com Vmax e assim
sucessivamente at o estgio desejado.
104
Figura 5.3 Circuito dobrador de n estgios
As formas de onda podem ser observadas de forma lgica, de acordo com a

Figura 4.4.
Figura 5.4 Formas de onda de um dobrador de n estgios.
105
Deve-se observar que os potenciais dos ns esquerda oscilam de forma
senoidal, respondendo a tenso da fonte de alimentao, os potenciais dos
capacitores da direita se mantm constantes em relao ao terra, e com
magnitude de 2Vmax cada observe que somente se soma 2Vmax por estgio
com exceo de Cn que submetido a no mximo Vmax, os diodos devem ser
projetados para suportar no mnimo 2Vmax tenso a qual esto submetidos
e, a tenso obtida na sada, na condio de idealidade, 2.n.Vmax.
Quando uma carga colocada nos terminais do gerador, no entanto, essa
tenso sempre menor que 2nVmax, pela queda de tenso causada pela
corrente que percorre a carga V0 - e pelo ripple existente 2..V.
Para o clculo do ripple, supe-se que uma quantidade de eltrons q
transmitida carga pelos capacitores, igual a q = I/f = IT, assim, o ripple deve
ser igual somatria da energia transferida por todos os capacitores a carga,
porm, como capacitores menores seriam submetidos a tenses muito elevadas
se a carga fosse rompida, os capacitores so projetados para ser todos iguais, o
ripple pode ser representado pela Equao 5.5.
A queda de tenso V0 pode ser analisada considerando a queda do
primeiro estgio, n. Supondo que os elementos de circuito so idias, Cn
carregar com Vmax, mas devido a descarga desse capacitor Cn ser carregado
com
Vcn max = 2.Vmax
n.q
= 2.Vmax Vn [V ]
Cn '
Equao 5.5
Onde n.q a descarga do capacitor. Da mesma forma, Cn carrega Cn1,
que est sujeito ao mesmo efeito de descarregamento, assim:
Vc ( n1) = 2.Vmax
n.q n.q
n.q
= 2.Vcn max
[V ]
Cn ' Cn
Cn '
Equao 5.6
E assim sucessivamente, de forma que, se os capacitores tiverem a mesma

capacitncia
as
quedas
de
tenso
em
atravs
de
cada
estgio
ser
aproximadamente:
Vn = ( q )n; Vn1 = ( q )[2n + (n 1)][V ]

c
c
Equao 5.7
E sabendo que q = I/f, encontramos:
106
V0 =
1 2.n 3 n 2 n
(
+
)[V ]
fC 3
2 6
Equao 5.8
Apesar de que os menores capacitores so responsveis por todo o V0

como no caso do ripple, capacitores no valor de Cn so usados por
convenincia, diminuindo Vn numa quantidade de 0.5.nq/c por estgio
resultando finalmente em:
V0 =
1 2.n 3 n
(
)[V ]
fC 3
6
Equao 5.9
De onde para casos onde n for maior ou igual a 4, o termo n/6 pode
ser desconsiderado.
5.3 GERAO DE ALTAS TENSES ALTERNADAS
Normalmente os testes nos equipamentos so feitos com a tenso nominal

dos equipamentos, salvo em enrolamentos de transformadores e isolaes de
sistemas complexos. Como a maioria dos equipamentos eltricos, ao menos os
de alta tenso e normalmente mais caros, funcionam normalmente sob tenso
alternada e testes com tenses similares devem ser feitos sobre estes.
admitido no sinal AC gerado, correntes harmnicas de aproximadamente
cinco por cento, ou seja, o valor RMS no deve ser menor que noventa e cinco
por cento ou menor que cento e cinco por cento do valor de pico sobre raiz de
dois.
Normalmente os testes em alta tenso so aplicados sobre equipamentos
que apresentam caractersticas capacitivas, de forma que esses equipamentos
devem possuir a capacidade de dissipao de potncia igual a Pn = k Vn2Ct,
onde Vn a tenso RMS sobre o equipamento e k um fator de segurana,
chegando, no mximo a 2 em tenses maiores ou iguais a 1 MV. Capacitncias
caractersticas dos equipamentos esto de acordo com a Tabela 5.1.
As correntes RMS podem ser facilmente calculadas atravs da lei de Ohm e
devem estar na faixa de algumas dezenas de miliampres para tenses de
algumas centenas de kVA at ampres para tenses de milhares de volts. Como
os testes no so de longa durao, geralmente at 15 min, no deve haver
107
problemas com refrigerao, mesmo em fontes compactas, uma vez que as
constantes trmicas so relativamente grandes e h uma certa demora para que
a temperatura chegue a um valor crtico.
Tabela 5.1 Capacitncias caractersticas de elementos de alta tenso.

Isolao de postes ou de cabos suspensos
algumas dezenas de pF
Buchas
100-1000 pF
Tranformadores de potencial
200-500 pF
Transformadores de potncia
> 1000 kVA
1000 pF
< 1000 kVA
1000-10000 pF
Cabos de alta tenso

Papel impregnado em leo
250-300 pF/m
Isolados por gases
60 pF/m
Substao isolada a SF6
1000-10000 pF
Deve-se, ao testar equipamentos em alta tenso, saber que normalmente

os defeitos que sero observados nos testes no so de origem de curto-circuito,
uma vez que as correntes que so geradas internamente nos testes so pouco
elevadas, mas normalmente causadas pelo potencial elevado em determinados
pontos da isolao, sendo assim importante o levantamento dos pontos onde os
campos eltricos possuem valores mais crticos, e numa situao extrema,
aplicar-se-o resistores de atenuao, entre 10 e 100kOhms, que normalmente
so bastante caros.
Finalmente, duas maneiras so as mais eficientes na gerao de altas
tenses: os transformadores e os circuitos ressonantes.
5.3.1 Transformadores utilizados para teste
Transformadores geradores de altas tenses s se diferenciam aos

transformadores monofsicos de potencial no que diz respeito a densidade de
fluxo, que no primeiro muito menor, para evitar elevadas correntes parasitas
que aumentam o nmero de harmnicas e causam defeitos isolao.
Sua representao pode ser exemplificada pela Figura 5.5, que mostra
sees transversais de transformadores, de onde se pode ver que sua construo
muito similar aos transformadores monofsicos de potencial, sendo que, uma
108
das poucas diferenas da bucha isolante 6, utilizada para isolar as altas
tenses. Tenses menores que 1 kV podem ser utilizadas na transformao, que
podem ser aplicadas a um enrolamento, como na Figura 5.1, ou mesmo a
configuraes de enrolamento, paralelo ou srie, de acordo com a proposta de
funcionalidade. No lugar da bucha, pode ser utilizado tambm um cabo coaxial,
se este facilita a conexo da alta tenso ao equipamento a ser testado. Os
enrolamentos so dispostos de forma trapezoidal em volta ao ncleo de ferro e
suas bobinas so fortemente isoladas entre si (com papel Kraft, por exemplo).
Figura 5.5 Sees transversais dos transformadores utilizados

para testes em alta tenso.
Se tenses maiores que 100 kV forem necessrias, tcnicas como utilizao

de dois enrolamentos acoplados ao mesmo ncleo de ferro, de forma que fiquem
em srie, de acordo com a Figura 5.2, ou transformadores em cascata so
utilizados. Nas tenses entre 300 e 500 kV os transformadores em cascata
apresentam
muitas
vantagens,
como,
por
exemplo,
poderem
apresentar
desacoplamento dos estgios da cascata, proporcionando entre outros fatores,

um manuseio mais fcil, mas um pr-requisito que devem ter de utilizar dois
enrolamentos de alta tenso em srie em cada ncleo, conforme anteriormente
comentado.
109
Figura 5.6 Utilizao de dois elementos em srie sobre um

ncleo magntico
Uma utilizao de transformadores em cascata pode ser representada pela

Figura 5.7, de onde se pode perceber que a tenso de um dos dois enrolamentos
do secundrio dos transformadores colocada em srie com o primrio do

prximo estgio, e o outro enrolamento do secundrio de um utilizado para
fornecer tenso ao primrio do prximo estgio.
Figura 5.7 Diagrama esquemtico de transformadores em cascata.
110
A principal desvantagem de utilizar transformadores para gerao de altas
tenses a potncia consumida pelo conjunto, que pode se relevar muito
elevada. A fonte poderia ficar muito carregada, pois deve fornecer a potncia
consumida por todos os estgios. Podem ser necessrios ainda, reatores a ser
utilizados em paralelo com o aparelho a ser testado e, filtros para reduzir a
quantidade de harmnicos, equipamentos auxiliares, que normalmente no so
baratos.
A sobrecarga dos estgios iniciais dos transformadores em cascata pode
resultar uma alta impedncia de entrada aos transformadores em cascata. Se
desconsideramos as perdas devido as reatncias de disperso e magnetizao, a
impedncia equivalente pode ser calculada de acordo com a Equao 5.10:
n
X res = [ X hv + (n v) 2 X ev + (n + 1 v) 2 X pv ][]
v =1
Equao 5.10
Onde Xhv a impedncia de alta tenso, Xpv a do primrio e Xev as de

excitao.
Como os equipamentos que so testados so estritamente representados
por capacitncias, o circuito equivalente pode ser representado por um circuito
simples formado atravs do equivalente de um transformador ligado a uma
capacitncia. Os transformadores em cascata so o mtodo mais utilizado pelo
mundo na gerao de altas tenses de teste, e quanto ao circuito ressonante
desses, se a carga nominal estiver presente, uma tenso com freqncia bem
abaixo da ressonante deve aparecer na sada do ltimo estgio, se, no entanto,
pouco mais de meia tenso nominal for colocada sob o primeiro estgio, a tenso
de sada oscilar sobre a freqncia de ressonncia e tenses maiores que a
nominal
so
facilmente
geradas,
se
tornando
assim,
impedncia
do
transformador em cascata e do equipamento a ser testado, parmetros

importantes.
5.3.2 Circuitos srie ressonantes.
Enquanto
nos
transformadores
em
cascata,
ressonncias
teriam
conseqncias desastrosas, alguns circuitos podem ser construdos com a

inteno de se obter uma ressonncia.
111
Dessa forma, se produz uma ressonncia que controlada para resultar na
freqncia fundamental para que no ocorra nenhuma ressonncia no desejada.
A Figura 5.8 mostra o esquema bsico dos circuitos sries ressonantes utilizados
para gerar altas tenses, sintonizados na freqncia desejada. Nessa figura, Ct
a capacitncia pura da carga, e a freqncia da fonte conhecida, se um
transformador de elevao utilizado, e a condio de ressonncia for
encontrada em relao a impedncia do secundrio do transformador, a energia
armazenada inicialmente na carga totalmente compensada, no entanto, o
transformador carrega toda a corrente da carga, o que uma grande
desvantagem.
Figura
5.8
um
circuito
srie
ressonante
utilizando
transformadores em cascata, como os j citados. Os indutores so ajustados de

acordo a se obter um alto fator de qualidade de acordo com a Equao 5.10
dentro, claro, dos limites de variao das indutncias.
Figura 5.8 Circuitos srie-ressonantes.
Esses geradores passaram a ser construdos com mais freqncia no final

dos anos 60, quando se desenvolveu a tecnologia de ncleo varivel das
112
indutncias, eliminando assim a necessidade de transformador elevador, de
acordo com a Figura 5.8.
A corrente nominal de projeto do transformador de acoplamento pode ser
to baixa quanto V/Q, onde Q o pior fator de qualidade do circuito,
enquanto que a tenso pode ser encontrada a partir da condio de ressonncia
do circuito, no discutida aqui.
Esses circuitos apresentam algumas vantagens, enumeradas a seguir:
A forma de onda de sada melhorada, pela eliminao de tenses em
freqncias diferentes da fundamental e tambm pela atenuao das harmnicas
que existem na fonte.
Normalmente esses equipamentos no consomem mais do que 5% da
potncia consumida por outros equipamentos de teste com fator de potncia
igual a um, e, analogamente, os kVA consumidos, so ento muito menores.
Se ocorrer uma falha na isolao do espcime de teste, o arco formado
apenas pela potncia armazenada na capacitncia, no apresentando, muitas
vezes potncia suficiente para danificar o equipamento, e o arco existente logo
extinguido.
Os transformadores de acoplamento podem ser utilizados sem os problemas
das altas impedncias de entrada dos circuitos com transformadores em srie.
Circuitos de auto-sintonizao podem ser facilmente desenvolvidos, para
cargas onde a capacitncia varia ao longo do tempo.
O peso dos circuitos ressonantes em srie normalmente chegam de 3 a 6
kg/kVA, enquanto nos transformadores em srie esto em torno de 10 a 20
kg/kVA (no incluindo o equipamento necessrio de controle e regulao).
Quando a capacitncia da carga estiver fora dos limites de ressonncia para
freqncia da rede, um inversor de freqncia pode ser utilizado para ajustar a
freqncia da fonte freqncia de ressonncia, de acordo com a Figura 5.9,
onde a indutncia Ln representa todas as indutncias dos reatores em srie ou
paralelo.
113
Figura 5.9 Conversor de freqncia utilizado junto com o gerador de alta tenso.
Um critrio de projeto a mxima corrente atravs do circuito, de forma

que o transformador no fique saturado ou cause sobre-aquecimento nas
bobinas, e est de acordo com a Equao 5.11 a seguir:
In =
Vn
C
= Vn ( n ) 2 [ A]
2fLn
Ln
Equao 5.11
Onde a resistncia muito menor que a impedncia indutiva, de forma que

pode ser desconsiderada.
A indutncia deve, se ajustada de acordo com a freqncia de ressonncia
Equao 5.12 resultando na Equao 5.13 onde Cn igual capacitncia
equivalente do espcime a ser testado.
f =
1
[ Hz ]
2Ln C n
Equao 5.12
Ln =
1
(2 ) 2 Cn
Equao 5.13
Pode-se prever a corrente e a freqncia de funcionamento do circuito

quando a capacitncia da espcime a ser testada modificada, de acordo com as
Equao 5.14 e Equao 5.15 que demonstram as relaes de freqncia, corrente
e tenso.
114
I
f
Ct
=
=
In fn
Cn
Equao 5.14
Vt
=
Vn
1
Ct
Cn
Equao 5.15
Onde o ndice n representa os valores nominais de funcionamento do

circuito srie ressonante e o ndice t representa os valores a serem testados.
Circuitos srie ressonantes ainda apresentam uma quantidade menor de
circuitos de teste nos laboratrios mundiais, porm vm dando terreno e tm se
mostrados muito importantes para testes na faixa de MV ou unidos a conjuntos
de testes com raios-X.
5.3.3 Tenses de impulso
So consideradas impulsivas, tenses com as seguintes formas de onda:
Figura 5.10 -Forma de onda plena para o impulso de tenso.
115
Figura 5.11 - Onda de tenso escarpada na frente.
Onde Up o valor de pico da tenso assumido com tolerncias de 3%,

T1 o tempo de frente (0 at o pico mximo de tenso igual 1,67*T), T2
tempo de cauda da onda. Estes parmetros so determinados pelos tempos ta
e tb.Os valores de T1 e T2 so T1/T2 =250 30% / 2500 20%[s] para
impulso atmosfrico e T1/T2 =250 30% / 2500 20%[s] para impulso de
manobra. Finalmente, d o pico de tenso reversa e deve ser menor que
*Up.
Somente so permitidas oscilaes nas formas de onda para freqncias
maiores que 500 kHz e cujas amplitudes no ultrapassem 5% do valor mdio de
pico de tenso e sobre tenses com tempo de durao menor de 1s sobre a
forma de onda. Essas deformaes so provocadas pelas indutncias naturais
dos cabos, instrumentos de medida e dos equipamentos sob testes.
As formas de onda sem oscilaes podem ser calculadas pela utilizao de
uma funo composta por dois termos exponenciais que descrevem a dinmica
do circuito ou obtidas atravs da modelagem matemtica do circuito de ensaio
considerando a impedncia do transformador infinita.
Nas formas de onda que apresentam oscilaes e sobretenses permitidas
os parmetros so calculados pela aproximao da curva real por uma curva
mdia, atravs do mtodo dos mnimos quadrados.
Os circuitos que geram essas formas de onda so conhecidos como
geradores de Marx e podem ser representados pela Figura 5.12:
116
Figura 5.12 Circuito representativo de um Gerador de Marx
Segundo a Norma NBR 7570, para ensaios em transformadores de potncia

deve-se aplicar um impulso de tenso entre 50% e 75% da tenso plena,
determinada pela NBI (ndices bsicos de isolao) e trs subseqentes impulsos
no valor de tenso plena. A representa a disposio dos equipamentos durante o
ensaio:
Figura 5.13 Forma de ligao para o ensaio de impulso.
117
Os nveis de tenso utilizados em ensaios de impulso de tenso atmosfrico
e de manobra foram, de acordo com a NBR 6930, so:
Figura 5.14 Tenses normalizadas para ensaios de impulso.
Segundo o procedimento usual de aplicao das tenses que descrito na

NBR 5380, para ensaios em transformadores de potncia devem ser aplicadas
uma seqncia de impulsos a cada um dos enrolamentos do transformador. Para
os terminais que no estiverem sob ensaio, devem ser curto-circuitados atravs
de uma impedncia de baixo valor, como um derivador de medio de corrente,
como mostrado na Figura 5.13.
5.4 SUMRIO
Ao longo do capitulo foram mostrados os principais mtodos utilizados nas
indstrias de eletricidade para gerao de energia eltrica de alta tenso e
118
deliberados
seus
respectivos
geradores
mostrando
funcionamento
dos
circuitos.
Uma nfase especial foi dada a gerao de tenses impulsivas, baseada no
trabalho desenvolvido pelo Engenheiro Rman Kuiava durante o perodo de
estgio junto ao laboratrio eletromecnico da Hidreltrica Itaipu Binacional.
119
6 TCNICAS DE MEDIO DE ALTAS TENSES
6.1 INTRODUO
A medio de altas tenses apresenta algumas inconvenincias a que
alguns especialistas em eletricidade podem no estar acostumados, isto porque,
podem acontecer nesses equipamentos fenmenos como sobre-aquecimento,
descargas visuais ou mesmo na tentativa de controlar a configurao do campo
eltrico, que quanto maior, se torna mais instvel.
O presente captulo mostra as mais usuais formas de medio de altas
tenses pelo mundo, e as dificuldades em classific-las em grupos, pois
dependem de muitos parmetros, alguns muito importantes em uns medidores e
desprezveis em outros, aleatoriamente.
6.2 MEDIES
DE
TENSES
DE
PICO
ATRAVS
DE
FENDAS
DE
CENTELHAMENTO
Fendas de centelhamento podem ser utilizadas na medio de tenses de
algumas dezenas de kV, mas envolve um complicado modelo fsico para serem
bem compreendidas.
O mtodo no direto, consistindo na formao de um arco atravs da
isolao, produzido por um centelhamento, e, por isso a fonte deve poder
fornecer tal curto-circuito. Tais medies contm um grau razovel de incerteza,
porm so de grande confiabilidade e simplicidade, sendo um bom mtodo para
os laboratrios que desejam as duas qualidades citadas.
A geometria dessas fendas de centelhamento tem grande influncia sobre o
resultado e durante muito tempo foram utilizados medidores esfricos que
somente h alguns anos se foram unidos aos haste/haste. Estes medidores
podem ser utilizadas para medio de tenses dc, ac e impulsivas.
120
Nos medidores de fendas esfricas, estas so espacialmente idnticas e tm
sua separao limitada, para que um campo eltrico homogneo e manipulvel
exista entra as esferas, eliminando o efeito Corona antes do rompimento do
dieltrico. Para que haja uma boa medio, a configurao de campo eltrico
deve ser quase que totalmente devido geometria da fenda e a densidade e
composio do ar deve ser bem conhecida.
A Figura 6.1 representa um desses equipamentos, que podem aparecer
tambm com uma construo horizontal, desde que uma das esferas esteja
aterrada. Os parmetros A e B devem ser determinados a fim de se obter um
campo eltrico dentro dos limites estabelecidos, de forma que B determina a
distncia da esfera exterior com intuito que tambm no haja qualquer perigo de
descarga sob objetos que esto por perto, ocupando a posio de importantes
parmetros de construo, que esto de acordo com a Tabela 6.1. O ponto de
fasca ou centelhamento mostrado por P e no deve ser maior que os limites da
esfera D, podendo ser informado atravs de tabelas.As esferas devem ser suaves
e o dimetro no deve exceder dois por cento do nominal em qualquer ponto. A
regio de centelhamento livre de irregularidades na superfcie e as demais
regies, assim como tambm ela, deve estar livre de qualquer defeito ou
depsito de substncias no condutoras. Umidades relativas maiores que 90%
fazem a medio perder a preciso e a eficincia, pois lquidos podem se
condensar nas superfcies da esfera.
Nas medidas dc, o efeito do p se intensifica, devendo assim, ser includo
uma incerteza de 5 %. Os valores das tenses funo no linear da distncia
entre as esferas centrais, de acordo com a Tabela 6.3, que foi obtida atravs da
interpolao de valores, que podem ser calculados atravs de polinmios de
sexto grau ou menos.
Tabela 6.1 Relaes mnimas de construo, parmetros A e B.

Dimetro da esfera - D [mm]
Valor mnimo de A
Valor mximo de A
Valor mnimo de B
62,5
7D
9D
14S
125
12
250
10
500
750
1000
3,5
121
1500
2000
Figura 6.1 Representao esquemtica de um medidor de esferas de centelhamento

vertical.
122
Tabela 6.2 Valores de tenso de acordo com a distncia entre esferas - 1 parte
Esfera de fendas com uma esfera aterrada
Valores de pico das tenses de descarga (50% para testes de impulso), vlidas para:
Tenses alternadas, tenso impulsiva luminosa negativa, tenses impulsivas de

chaveamento negativo e tenses dc de qualquer polaridade.
Condies ambientais: temperatura igual 20oC e presso igual 101,3 kPa (760
mmHg).
Tenso de pico [kV]
Espao entre as esferas de fendas
Dimetro da esfera [cm]

6,25
12,5
25
17,2
16,8
10
31,9
31,7
15
45,5
45,5
20
58,5
59
25
69,5
72,5
72,5
30
79,5
85
86
35
87,5*
97
99
40
95*
108
112
45
101*
119
125
50
107*
129
137
55
112*
138
149
60
116*
146
161
65
154
173
70
161*
184
80
174*
206
90
185*
226
100
195*
244
110
203*
261
120
212*
275
125
214*
282
175
342*
200
366*
225
385*
250
400*
123
Tabela 6.2 Valores de tenso de acordo com a distncia entre esferas 2 parte
Esfera de fendas com uma esfera aterrada
Valores de pico das tenses de descarga (50% para testes de impulso), vlidas para:
Tenses alternadas, tenso impulsiva luminosa negativa, tenses impulsivas de

chaveamento negativo e tenses dc de qualquer polaridade.
Condies ambientais: temperatura igual 20oC e presso igual 101,3 kPa (760
mmHg).
Espao entre as esferas de fendas
Tenso de pico [kV]

Dimetro da esfera [cm]
50
75
100
150
200
50
138
138
138
138
75
202
203
203
203
203
100
263
265
266
266
266
125
320
327
330
330
330
150
373
387
390
390
390
175
420
443
443
450
450
200
460
492
510
510
510
225
530
585
615
630
630
250
585*
665
710
745
750
300
630*
735
800
850
855
350
670*
800
875
955
975
400
700*
850*
945
1050
1080
450
730*
895*
1010
1130
1180
500
970*
1110*
1280
1340
600
1025*
1200*
1390
1480
700
1040*
1230*
1440
1540
750
1260*
1490*
1600
800
1320*
1580*
1720
900
1360*
1660*
1840
1000
1730*
1940*
1200
1800*
2020*
1300
1870*
2100*
1400
1920*
2180*
1500
1960*
2250*
1600
2320*
1700
2370*
1800
2410*
1900
2460*
124
Para as medidas de tenses impulsivas tambm deve ser includa uma
incerteza de 3 %, e no so vlidas para tenses menores que 10 kV. Nas
medidas onde as esferas esto separadas por distncias menores que 0.05D no
se podem fazer aproximaes, pela dificuldade de se regular as esferas com
preciso.
Essas esferas apresentam uma capacitncia, de forma que se aconselha a
utilizao de resistores de proteo da ordem de 0,1 a 1 Mega Ohms para
tenses dc e ac em freqncia industrial. Para tenses impulsivas, a tenso deve
diminuir e, os resistores de proteo devem ser omitidos, ou utilizados at no
mximo a 500 ohms.
Esse processo de medio no definitivo. Normalmente, se trata de fazer
uma relao entre a medio feita pelas esferas e a indicao de um osciloscpio
ou voltmetro acoplado ao sistema de controle, logo quando as medies forem
feitas nesses equipamentos, a tenso aplicada no deve ser muito maior que a
necessria para causar a ruptura do dieltrico e no deve apresentar uma taxa
de subida maior do que o aparelho acoplado ao sistema de controle possa ler. Se
este ltimo aparelho, no entanto, no puder ser utilizado, a medio pode ser
totalmente confiada aos medidores de esfera de fendas, desde que estes estejam
regulados
adequadamente
sejam
feitas
as
verificaes
das
condies
ambientais.
Nas medies impulsivas, devero ser feitas no menos que 6 medies,
em degraus no maiores que 2 % da distncia esperada para a descarga eltrica,
e o intervalo entre as medies no deve ser menor que 5 segundos e o valor
obtido deve partir da interpolao dos valores obtidos.
Caso
as
condies
ambientais
sejam
diferentes
das
ensaiadas
apresentadas nas tabelas, deve ser utilizado um fator de correo, sobre a

tenso medida, de forma que a tenso seja igual ao fator de correo (kd) vezes
a tenso das tabelas apresentadas anteriormente; de acordo com a Tabela 6.3,
onde a densidade relativa do ar pode ser calculada de acordo com a Equao 6.1,
subseqente:
p (273 + t0 ) p T
=
p0 (273 + t ) p0 T0
Equao 6.1
125
onde p so as presses e t as temperaturas e, os ndices zero, so para as
condies padres.
Tabela 6.3 - Fatores de correo das

tenses nas tabelas anteriores
kd
0,7
0,72
0,75
0,77
0,8
0,82
0,85
0,86
0,9
0,91
0,95
0,95
1,05
1,05
1,1
1,09
1,15
1,13
Todo o estudo sobre medies por esfera de fendas foi desenvolvido nos
EUA, entre as dcadas de 1930 e 1950, de forma que se deve levar em
considerao que as normas vigentes esto de acordo com a IEC e aprovado pelo
Comit Americano em 1958. No devem haver muitas variaes dos valores
tabelados, porm, vale ressaltar que as condies ambientais brasileiras pode
diferenciar sensivelmente das americanas, e posteriormente, durante a extensa
utilizao dos aparelhos, foram feitas novas ressaltas no que diz respeito a
correntes de surto, radiao provocada por descargas impulsivas e umidade
relativa do ar, mas, mesmo assim, no devem haver variaes considerveis dos
valores tabelados.
Quanto as medies feitas atravs de fendas de centelhamento com
geometria de haste/haste, estas so muito mais recentes. Primeiramente foram
utilizadas para medies de descargas sob tenses impulsivas, mas logo foi
obtida uma relao, para eletrodos com dimetro de 20 [mm] e terminais
arredondados, de acordo com a Figura 6.1, que pode ser utilizada para tenses
dc, de acordo com a Equao 6.2.
Vb = ( A + B.S ) * 4 5,1.10 2 (h + 8,65)[kV ]

Equao 6.2
126
Onde S a distncia entre os eletrodos, h a umidade absoluta [g/m3],
e A e B so constantes iguais a 20 [kV] e 5,1 kV/cm respectivamente para
polaridade positiva e iguais a 15 [kV] e 5,45 kV/cm respectivamente para
polaridade negativa.
6.3 DIVISORES DE TENSO

Os divisores de tenso so talvez a forma mais eficiente de se fazer
medies em altas tenses. So utilizados normalmente, divisores capacitivos,
resistivos e hbridos. Sistemas divisores indutivos so muito pouco utilizados e s
no geram grandes problemas para medies de tenses abaixo de 1 kV. Acima
de uma centena de kVs, estes sistemas se apresentam extremamente
problemticos, de forma que normalmente so descartadas construes de tais
equipamentos; e, no sero explicados aqui.
Os divisores capacitivos e indutivos so relativamente grandes, para que
condies seguras de operao sejam atendidas. Normalmente, cada MV
necessita de 2,5 a 3 metros para tenses dc, 2 a 2,5 metros para tenses
impulsivas luminosas, mais do que 5 metros por MV (RMS) para tenses ac e
maiores que 4 metros por MV de tenses impulsivas de chaveamento.
Esses divisores, apesar de muito utilizados apresentam grandes dificuldades
de representao atravs de modelos matemticos, j que, mesmo que os
capacitores e resistores responsveis pela diviso propriamente dita, ou partes
ativas, sejam conhecidos, o mesmo no pode ser dito das outras capacitncias
ou resistncia existentes em vrios pontos desconhecidos (e.g. entre um
terminal e um objeto prximo), que so tratadas como elementos de circuito
perdidos, dos quais no se tem uma localizao conclusiva. No dificilmente,
esses elementos assumem diferentes valores em todos os pontos dos divisores,
ficando impossvel ter um modelo conclusivo sobre tais capacitncias perdidas.
Um modelo no linear seria tambm muito difcil de ser construdo, pois contaria
com um nmero muito grande de elementos de valores diferentes.
Um modelo adotado para a representao desses equipamentos, no
entanto, aceito pela comunidade da engenharia, e, consta de se construir um
modelo com um grande nmero de parmetros concentrados, de acordo com a
127
Figura 6.2, onde existe n setores responsveis pela reduo da tenso at um
valor igual a V2, que pode ser lido.
Figura 6.2 Modelo aceito do divisor de alta tenso.
Assim, o valor n por definio chamado de razo de tenso ou fator de

escala, e igual a V/V2. Assim, a impedncia total do grupo de impedncias
dada pelas equaes Equao 6.3 e Equao 6.4:
Z l = Z l = n.Z l []
Equao 6.3
Zq =
Z q
1
=
[]
Zq n
Equao 6.4
128
Para que sejam calculadas a resposta em freqncia e a resposta ao
degrau, feita uma analogia forma que resulta em parmetros distribudos de
uma linha de transmisso, resultando assim em:
n. sinh
ht ( s ) = n.
V2
=
V
sinh
1
n
Z l (s)
Z q (s)
Z l (s)
Z q (s)
Equao 6.5
E,
gt ( s) =
1 1
ht ( s )
L s
Equao 6.6
6.3.1 Divisores de tenso resistivos
Os divisores resistivos podem ser representados pela Figura 5.3. Percebe-se

que existem indutores no circuito do modelo matemtico, representados na
Figura 5.3 pelas indutncias L, isso porque existe um campo magntico inerente
a circulao de corrente pelo resistor, de forma que se estas indutncias forem
desconsideradas, podem surpreender na medio os efeitos de acoplamento,
tanto dessas indutncia com a carga a ser acoplada ao medidor, como com as
capacitncias existentes pelo fato do dieltrico do ar que cerca o equipamento,
representados na Figura 6.3 pelas capacitncias Cp s Em ambos os casos
(indutncias
capacitncias),
desconsider-las,
seria
mesmo
desconsiderar o efeito da permissividade e da permeabilidade do ar.
que
129
Figura 6.3 Circuito equivalente do divisor resistivo de tenso,

utilizado nas medies de alta tenso.
Analogamente ao que foi dito na introduo deste tpico, a funo de

transferncia dos divisores resistivos representada pela Equao 6.7.
sinh
ht ( s ) = n
1
( R + sL) sCe
n 1 + ( R + sL) sC p
sinh
( R + sL) sCe
1 + ( R + sL) sC p
Equao 6.7
No caso da resposta ao degrau, a Equao 6.5 pode ser simplificada

considerando n>>1, nas equaes que so utilizadas adiante. No caso mais
geral a resposta est de acordo com a Equao 6.8:
g t = 1 + 2e at (1) k
k =1
cosh(bk t ) +
1+
Cp
Ce
a
sinh(bk t )
bk
k 2 2
Equao 6.8
Onde
a=
R
k 2 2
; bk = a 2
; e k = 1,2,3,..., .
Ce 2 2
2L
LCe (1 +
k )
Cp
Equao 6.9
130
Para medies de tenses DC, esses divisores se tornam ideais, uma vez
que a para s=0 nas equaes anteriores obtemos diretamente os valores da
diviso de tenso atravs da Equao 6.10:
V2 =
V
V .R2
=
+ R2 [V ]
n (n 1) R
Equao 6.10
As medies de tenses AC dependem do decrescimento de ht(s) com a

freqncia, porm, nos divisores de tenses feitos de resistores com altos
valores hmicos, os valores de L/R so menores do que 1 microssegundo e
tambm Cp<<Ce, de forma que podem ser feitas as aproximaes das
equaes Equao 6.11 e Equao 6.12.
1
sRCe
n
ht ( s ) n
sinh sRCe
sinh
Equao 6.11
g t = 1 + 2 (1) k e
k 2 2
t
sRCe
k =1
Equao 6.12
A Equao 6.11 pode ser utilizada para calcular a largura de banda atravs
da amplitude da resposta em freqncia do modelo, |gt(s)|, fazendo |gt(s)| igual
a 0,707 aproximadamente, mostrando a forma simples da Equao 6.13.
fB =
1.46
[ Hz ]
sRCe
Equao 6.13
Analogamente, o tempo de resposta T0 pode ser calculado utilizando

conceitos de atraso de transporte, resultando na Equao 6.14:
T0 =
RCe
T
6
Equao 6.14
Pode, ainda, ser feita outra aproximao. Considerando desprezvel o atraso

de transporte, e sabendo que dgt/dt=0 para t=0[s], o modelo representativo
muito simplificado, de acordo com a Figura 6.4 Modelo mais simplificado para o
circuito do divisor resistivo de alta tenso..
131
Figura 6.4 Modelo mais simplificado para o circuito do divisor

resistivo de alta tenso.
De acordo com a Figura 6.4 Modelo mais simplificado para o circuito do divisor
resistivo de alta tenso., a resposta ao degrau pode ser representada pelas
equaes Equao 6.15 e Equao 6.16, e o valor de CE (valor da capacitncia

no distribuda em relao ao potencial de terra) pode ser relacionado de acordo
como segue:
T0 =
RCe RC E
2
=
; C E = Ce
6
4
3
Equao 6.15
4
1.46
=
; C E = 0,44Ce
2RC E RCe
Equao 6.16
Considerando que seja feita uma comparao entre a largura de banda dos
dois sistemas para o seguinte valor da freqncia de banda:
fB =
1
[ Hz ]
2t
Equao 6.17
A Figura 6.5 Comparao entre as respostas ao degrau, de acordo com a

Equao
6.7.
representa a diferena entre ambas as respostas, feita as
aproximaes anteriormente citadas.
132
Figura 6.5 Comparao entre as respostas ao degrau, de acordo

com a Equao 6.7.
Onde L=Cp=0 e na Equao 6.11 onde CE=2/3.Ce.

O dimensionamento de um medidor divisor indutivo pode ser feito atravs
das equaes Equao 6.18 e Equao 6.19, sabendo que se tratam apenas de
aproximaes, de onde podem ser calculadas a largura de banda, tenso de
teste, assim como capacitncias e resistncias.
Ce
H
R
V
(10 15)
;
(1 2)
;
[ pF ]
[m] [G]
[ MV ]
Equao 6.18
50...150
fB =
HV
f B em Hz
com H em m
V em MV
Equao 6.19
Um divisor resistivo utilizado para medio de tenses dc pode ser

projetado para funcionar razoavelmente a uma largura de banda de 50 Hz, mas
para testes AC, essa largura deve ser projetada para pelo menos uma freqncia
de corte superior a 1000 Hz, para evitar as fugas. Num circuito para medio de
tenses impulsivas, a banda de freqncia deve ser, no entanto, muito maior,
uma vez que um impulso pode excitar uma gama grade de freqncias.
bom salientar, que no projeto de tais divisores resistivos, o ripple deve
ser um parmetro muito importante, uma vez que oscilaes muito elevadas
podem implicar em um equipamento fora das normas adotadas. Outro problema
a ser levado em considerao de que muitas vezes o aquecimento dos
133
resistores pode ser muito elevado, pois a energia armazenada nos resistores se
eleva proporcionalmente a V2, e quase toda essa energia no transmitida ao
dieltrico que o cerca devido ao pouco tempo que a tenso alcana seu valor
nominal. Por isso se torna praticamente impossvel produzir divisores resistivos
para tenses maiores que 1,5 e 2 [MV], e resistores concentrados com valores
maiores que 10 a 20 [kOhms], e com uma parcela muito pequena indutiva, que
no deixa a corrente se elevar muito rapidamente.
Para medio de tenses impulsivas, a diviso de resistores em uma
quantidade de elementos de menor valor vlida, desde que se mantenha a
relao L/R no muito baixa, o que tambm bastante prejudicial. A reduo
da capacitncia entre os eletrodos e o potencial de terra tambm melhora a
eficincia dos modelos e dos medidores, e pode ser obtida aumentando o
tamanho do condutor sob o potencial de alta tenso, o que uma tcnica que
vem sendo utilizada largamente e apresenta cada vez melhores resultados. Essa
tcnica foi introduzida por Bellaschi. Esse mtodo apresenta tambm duas
desvantagens: a resposta ao degrau se torna muito sensvel aos equipamentos
que esto nas proximidades, e a interao entre a capacitncia do equipamento
de medio e do equipamento onde ser efetuada a medio pode trazer
complicaes para o mtodo de divisores resistivos.
6.3.2 Divisores de tenso capacitivos
6.3.3 Distoro causada pelo brao de baixa tenso
6.4 SUMRIO
As medies de altas tenses sofrem principalmente das dificuldades de
calibrao. difcil se obter uma calibrao com erro bastante reduzido, uma vez
que os parmetros eltricos do circuito de alta tenso so difceis de se
determinar.
Foram ento, apresentados neste captulo, alguns modelos e tcnicas de
medio utilizadas em alta tenso atualmente.
134
7 CONSIDERAES FINAIS
As tcnicas de operao de equipamentos que funcionam expostos a altas
tenses e a teoria envolvida e exposta neste trabalho so de cunho tanto prtico
quanto estudantil, sendo aceita por grande parte da comunidade cientfica.
Procurou-se com ele, abordar parte da cincia que envolve as principais
ocorrncias no trabalho de um engenheiro que trabalha na manuteno de
equipamentos de alta tenso.
Ainda h de ser includa, uma abordagem voltada a prtica, incluindo
tpicos
de
ensaios
usuais
de
laboratrios,
metodologias,
normas
procedimentos, sugestivamente alm de ensaios como tangente delta e

resistncia de isolamento, captulos abordando a metrologia, rastreabilidade e
calibrao de equipamentos e a interferncia eletromagntica.
Espera-se, que com o auxlio dos tcnicos do laboratrio eletromecnico da
Usina Hidreltrica de Itaipu Binacional este trabalho venha a ser posteriormente
enriquecido, de acordo com a evoluo da disciplina, que relativamente nova.
135
ANEXO 1 Ensaio de um transformador trifsico da companhia de

eletricidade de Pernambuco.
COMPANHIA DE ELETRICIDADE DE PERNAMBUCO
MEDIO DE RESISTNCIA DE ISOLAMENTO
SUBESTAO: Boa Viagem
DATA: 17/08/1978
INCIO: 9h
CONDIES DO AMBIENTE: Boas
TEMPERATURA: 28C
INSTRUMENTO EMPREGADO: Megger motorizado, Biddle

N: 1.823.920, 2500 V, 50.000 megaohms (max.)
EQUIPAMENTO SOB ENSAIO: Transformador trifsico
POTNCIA: 15 MVA
RELAO DE TENSO: 69 / 13.8 kV
FABRICANTE: ITEL SP
N SRIE: 31.281
DATA DO ENSAIO ANTERIOR: Novo

RESULTADOS OBTIDOS:
AT BT (GLM)
AT M (GLB)
BT M (GLA)
TEMPO
MAGAOHMS
TEMPO
MAGAOHMS
TEMPO
MAGAOHMS
30 s
2.500
30 s
1.750
30 s
1.200
45 s
3.500
45 s
2.000
45 s
1.350
1 min
4.000
1 min
2.000
1 min
1.500
2 min
6.500
2 min
2.150
2 min
2.250
3 min
8.000
3 min
2.250
3 min
3.000
4 min
10.000
4 min
2.250
4 min
3.500
5 min
10.500
5 min
2.250
5 min
4.750
10 min
20.000
10 min
2.250
10 min
5.000
VALORES CORRIGIDOS PARA 20C
(FATOR DE CORREO: 1,73)
30 s
4.325
30 s
3.027
30 s
2.076
45 s
6.055
45 s
3.460
45 s
2.335
1 min
6.920
1 min
3.400
1 min
2.595
2 min
11.245
2 min
3.719
2 min
3.892
3 min
13.840
3 min
3.892
3 min
5.190
4 min
17.300
4 min
3.892
4 min
6.055
5 min
18.165
5 min
3.892
5 min
8.217
10 min
34.600
10 min
3.892
10 min
8.650
IA = 1,60
IA = 1,14
IA = 1,25
IP = 5,00
IP = 1,12
IP = 3,33
OBSRVAES:
GLM = guarda ligado massa;
GLA = guarda ligado AT;
IA = ndice de absoro (60s / 30s);
GLB = guarda ligado BT;
IP = ndice de polarizao (10min / 1 min).

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UNIVERSIDADE ESTADUAL DO OESTE DO PARAN UNIOESTE

CENTRO DE ENGENHARIAS E CINCIAS EXATAS CECE

Jonas Roberto Pesente.

Foz do Iguau, 2004.

Apostila elaborada durante o projeto de

Coordenador: Professor Marcelo Fabiano Latini

Foz do Iguau, 2004

Dedico este trabalho minha me.

entendimento dos algoritmos de comunicao, ao Engenheiro Jos Simo

equipamentos, ao Engenheiro Marcelo Latini por ser veculo de minha

Question of science and progress dont speak as loud as my heart.

As atividades desenvolvidas durante o perodo de extenso se

Seqencialmente, foram construdas cercas de conteno com a fim de

Tabela 2.1 - Evoluo do expoente de "d" na Equao 2.1 ____________________________________ 7

LISTA DE SIGLAS E ABREVIATURAS

PESQUISAS DESENVOLVIDAS PELO LABORATRIO ELETROMECNICO

ESTRUTURA DOS CAPTULOS

MTODO EXPERIMENTAL UTILIZADO POR COULOMB

REFRAO DO CAMPO ELTRICO

CAMPO ELTRICO EM QUINAS E BORDAS

SUSCEPTIBILIDADE ELTRICA UMA VISO MICROSCPICA

EFEITO DE DISTORO CAMPO ESTTICO

EFEITO DE DISTORO CAMPO VARIVEL

MOLCULAS COM MOMENTO DE DIPOLO PERMANENTE

COMPORTAMENTO DO DIELTRICO NO CAMPO ELTRICO E A SUSCEPTIBILIDADE

SUSCETIBILIDADE, CONSTANTE DIELTRICA E PERMISSIVIDADE

DIFERENA DE POTENCIAL ELTRICO E POTENCIAL ELTRICO

CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS COM ISOLANTE ESTRATIFICADO 28

DISPOSITIVOS COM MATERIAIS ISOLANTES DISPOSTOS EM CAMADAS

INTERPRETAO ATMICA DAS PROPRIEDADES DOS DIELTRICOS

COMPORTAMENTO DIELTRICO DOS ISOLANTES - POLARIZAO DO

POLARIZAO NOS DIELTRICOS POLARES

POLARIZAO NOS DIELTRICOS NO POLARES

POLARIZAO NOS CAPACITORES

MECANISMOS E EFEITOS DA POLARIZAO NOS DIELTRICOS

POLARIZAO POR ORIENTAO DE DIPOLOS (DIPOLAR) - PO

POLARIZAO DE CARGAS ESPACIAIS (ESTRUTURAL) - PS

RESPOSTA EM FREQNCIA DOS DIELTRICOS

MODELAGEM DE UM CIRCUITO DIELTRICO

TCNICAS DE MEDIO DOS PARMETROS DOS DIELTRICOS

MEDIDA DA RESISTNCIA DE ISOLAMENTO

ENSAIO DE ABSORO DIELTRICA

ENSAIO DE FATOR DE PERDAS(TG )

OBSERVAES FINAIS A RESPEITO DOS MEGAOHMMETROS

MEDIO DA RESISTNCIA DE ISOLAMENTO

EXEMPLOS DE UTILIZAO DO MEGHMETRO COM O TERMINAL GUARDA:

RUPTURA NOS GASES

TRANSIO ENTRE AS DESCARGAS NO SUSTENTADAS AO ROMPIMENTO.

A FORA DE CAMPO DE ROMPIMENTO (EB)

DESCARGAS ATRAVS DO EFEITO CORONA

DESCARGAS NOS SLIDOS

DESCARGAS NOS LQUIDOS

GERAO DE ALTAS TENSES EM CORRENTE CONTNUA

TRANSFORMADORES UTILIZADOS PARA TESTE

CIRCUITOS SRIE RESSONANTES.

MEDIES DE TENSES DE PICO ATRAVS DE FENDAS DE

DIVISORES DE TENSO RESISTIVOS

DIVISORES DE TENSO CAPACITIVOS

DISTORO CAUSADA PELO BRAO DE BAIXA TENSO

ANEXO 1 ENSAIO DE UM TRANSFORMADOR TRIFSICO DA COMPANHIA DE

1.1 CONSIDERAES INICIAIS

complexidade de um modelamento matemtico se torna tanto maior quanto

Nesta primeira edio desta apostila, se pretende auxiliar estudantes e