Acet BJT PDF

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)
O transistor de juno bipolar (BJT)

E
C
n
Bipolar dois tipos de cargas, electres e

buracos, envolvidos nos fluxos de corrente
Emissor
Colector
Juno duas junes pn. Juno

base/emissor e juno base/colector
Base
Tipos tipos NPN e PNP.
C
p
Emissor
Colector
Terminais Base, Emissor e Colector

B
Base
Smbolos -
NPN
Colector
Base
Emissor
PNP
Base
Emissor
Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores
Colector
Lus Verssimo, Fevereiro de 2002
Fluxos de corrente num

transistor npn operando na ZAD
Injeco de electres
Injeco de buracos
iE
iC
A juno Emissor/Base directamente
iB B
polarizada
A juno Base/Colector inversamente
polarizada
VCB
VBE
A espessura da regio da base
tipicamente 150 vezes inferior
espessura do dispositivo.
E de portadores minoritrios
A polarizao directa da juno
(buracos) da base para o emissor
base/emissor causa um fluxo de
portadores maioritrios (electres) da A soma destes dois fluxos conduz
corrente de emissor IE.
regio n para a regio p.

transistor npn operando na ZAD
Injeco de electres
Injeco de buracos
O transistor construdo de tal forma que

praticamente toda a corrente constituda
pelo fluxo de electres do emissor para a
base. A regio do emissor muito mais
fortemente dopada do que a regio da
base.
A regio da base muito fina comparada
com a espessura das regies do emissor e
do colector. Os electres que fluem do
emissor para a base, atravessam esta
regio e so atrados para o colector,
iE
iB
VBE
iC
VCB
antes de haver tempo para a

recombinao com os buracos
na base. A corrente no colector
da mesma ordem de grandeza
da corrente no emissor.

transistor pnp operando na ZAD
Injeco de buracos
Injeco de electres
O transistor PNP opera de forma semelhante

ao descrito para o transistor NPN
iE
A tenso VEB polariza directamente a juno

EB. A tenso VBC polariza inversamente a
juno CB.
iB
VEB
iC
VBC
No transistor PNP as correntes so sobretudo devidas a correntes de buracos.

As correntes de difuso de electres livres da base para o emissor so muito
pequenas em comparao com as correntes de buracos em sentido contrrio.
A regio do emissor, tal como no transistor NPN, muito mais fortemente
dopada do que a regio da base. A espessura da base muita pequena em
comparao com as dimenses do dispositivo.
Transistor de juno bipolar (BJT)

(convenes)
C
vCB
iC
iB
vEB
vCE
vBE
iE
iB
vEC
vBC
iC
NPN
iE
PNP
Os sentidos de referncia adoptados para tenses e correntes aos terminais do

transistor so escolhidos de tal modo que, para o funcionamento na zona activa
directa, as correntes so positivas.
O funcionamento dos dois tipos de transistores muito semelhante; quando se
passa de um para outro, todos os resultados se mantm se se trocarem os
sentidos das tenses e correntes.
Transistor de juno bipolar (BJT)

(modos de operao)
Modo de
operao
Juno EB
Juno CB
Aplicaes
Zona Activa
Directa
(ZAD)
Polarizada
directamente
Polarizada
inversamente
Amplificadores
Zona de Corte
(ZC)
Polarizada
inversamente
Zona de
Saturao
(ZS)
Polarizada
directamente
Polarizada
inversamente
Polarizada
directamente
Interruptores
Portas lgicas
Circuitos TTL
Etc..
Transistor de juno bipolar (NPN)

(Equaes - resumo)
Zona Activa Directa (ZAD)
iC = . i B
i C = .i E
v BE v BE on
v CE > V CE sat
i E = ( + 1). i B
e
iC =
.i E
+1
= 0 , 7V
e
Zona de Saturao (ZS)

iC < . i B
v BE v BE on = 0 , 7 V
v CE = V CE sat 0 , 2 V
Zona de Corte (ZC)
i B = iC = i E = 0
v BE < 0 , 7 V

Modelos para sinais fortes
C
ISe
B
iC
vBE
VT
.iE
iB
iB
vBE
vBE
iE
iE
a) Fonte de corrente controlada por

tenso
iC
iB
iC
vBE
IS e
b) Fonte de corrente controlada por

corrente
C
vBE
VT
vBE
iE
.i B
iE
c) Fonte de corrente controlada por

tenso
iC
iB
d) Fonte de corrente controlada por

corrente
Transistor de juno bipolar (PNP)

Modelos para sinais fortes
iE
vEB
B
iB
iB
vEB
.iE
IS e V T
iC
iC
C
a) Fonte de corrente controlada por

tenso
b) Fonte de corrente controlada por

corrente
E
iE
iE
vEB
iE
vEB
ISe
iB
iC
v BE
VT
c) Fonte de corrente controlada por

tenso
vEB
.iB
iB
iC
d) Fonte de corrente controlada por

corrente
Curvas caractersticas do BJT (npn)

iB=f(vBE) para vCE constante
T1 T2 T3
iB
iB
T 1>T 2>T 3
iC
i C = I S . exp(
iB=
v BE
)
VT
IS
v
. exp( BE )
VT
0,5
0,5
0,8
0,8
vBE
vBE
Habitualmente considera-se
VBE=VBEon 0,7V
Efeito da temperatura na caracterstica

iB-vBE de um transistor npn.
vBE decresce aproximadamente 2mV/C.
Curvas caractersticas do BJT (npn)

iC=f(vCE) para iB constante
Zona de
saturao
iC
VBE
..
i B=.
iC
Zona activa
directa
i B=...
VCE
i B=...
iB=...
iB=...
vCE
-V A
VA tenso de Early
Zona de
corte
Anlise de circuitos dc com o BJT (npn)

- (Recta de carga esttica)
RC
5k
RB
Da malha de sada tem-se:
330k
VBB
VCC + R C I C + VCE = 0
IC =
VCC VCE
RC
ou
IC =
4V
1 VCC
+
RC RC
Equao de uma recta, em que:
IB
IC
VBB
+10V
B
E
IE
..
i B=.
iC
VCC
RC
iB=...
para I C = 0 ==> VCE = VCC

para VCE = 0 ==> I C =
VCC
RC
ICQ
PFR
iB=...
(1mA)
PFR - ponto de funcionamento em repouso
iB=...
PFR (VCEQ , I CQ )
VCEQ (5V)
iB=10A
VCC vCE

(Exemplos)
=100
VBEon=0,7V
+10V
RC
5k
RB
VB
+10V
+10V
iB
iC
VB
330k
RB
100k
RC
2,7k
5k
C
iB
iE
iC
iC
B
B
E
5V
4V
RC
RE
3,3k
iE
iE
RE
10k
-10V
a)
b)
c)
Transistor de juno bipolar (PNP)

(Exemplos)
=100
VEBon=0,7V
+10V
E
iB
RB
VB
+10V
+10V
6V
iE
RC
iC
10k
3,3k
RB
330k
RE
RE
VB
100k
iB
iE
B
C
5V
RC
5k
iE
2,7k
iC
iC
RC
5k
-10V
a)
b)
c)
Anlise de circuitos dc com o transistor

de juno bipolar (npn) - (Exemplo)
1. Malha de entrada
V BB + R B .I B + V BEon = 0
IB =
V BB VBEon
RB
IB =
4 0, 7
= 10 A
330 k
3. Malha de sada
VCC + R C .I C + VCE = 0
VCE = VCC R C .I C
VCE = 10 5k.1m
VCE = 5V
RC
5k
IB
RB
2. Equaes do BJT
I C = .I B
I C = 100 .10A = 1mA
VBB
I E = I C + I B = ( + 1).I B
4V
IC
IC
VBB
+10V
330k
IB
IE
I E = 101 .10A = 1,01mA

I E 1mA
Exemplos de polarizao dc de circuitos com BJTs

VCC
RC
RB
iB
C
B
E
iC
iE
V CC
IC
RC
RB
V CC
IB
V BE
V CE
E
Malha Base-Emissor
VCC + I B R B + VBE = 0
V VCE
I B = CC
RB
Malha Colector-Emissor
I C = .I B
VCC + I C R C + VCE = 0
VCE = VCC I C R C
Exemplos de polarizao dc de circuitos com BJTs

(polarizao por divisor de tenso)
V CC
RC
R B1
iB
C
B
R B2
V CC
RC
iC
iE
R TH
V TH
IB
C
B
V BE
R TH = R B1 // R B2
VTH =
R B2
.VCC
R B1 + R B2
Polarizao por divisor de tenso

(equivalente de Thvenin da malha Base-Emissor)
VCC
RB1
RTH
VTH
RB2
VTH
R B2
=
.VCC
R B1 + R B2
R TH = R B1 / / R B2
Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores
Lus Verssimo, Abril de 2002
Polarizao por divisor de tenso

e resistncia no Emissor
VCC
RC
RC
RB1
C
V TH
E
V BE
IB
RE
VTH + R TH I B + VBEon + R E IE = 0
VTH + R TH I B + VBEon + ( + 1)R E I B = 0
IB =
V CC
R TH
RB2
IC
VTH VBEon
R TH + ( + 1)R E
V BE
RE
IC = .IB
IE = ( + 1).IB
A introduo de uma
resistncia no emissor
traduz-se em circuitos com
boa estabilidade do seu
ponto de funcionamento
em repouso (PFR) e faz
com que a corrente IC seja
praticamente independente
do valor de b e a corrente
IB praticamente
independente de RB.
VCC + R CI C + VCE + R E I E = 0
VCE = VCC R C I C R E IE
VCE VCC (R C + R E ).IC
Polarizao com resistncia de rectroaco

colector-base e resistncia no emissor
VCC
RB
RC
RC
VCC
RB
RC
VCC
RB
VCE
VBE
RE
VCC + R C ( I C + I B ) + R B I B + VBE + R E I E = 0
VCC + ( + 1) R C I B ) + R B I B + VBE + ( + 1) R E I B = 0
IB =
RE
I C = .I B
VCC VBE
R B + ( + 1) R C + ( + 1) R E
RE
VCC + R C ( I C + I B ) + VCE + R E I E = 0
VCC + R C I E + VCE + R E I E = 0
VCE = VCC ( R C + R E ) I E
Polarizao com duas fontes de tenso

V CC
RC
RC
RB
IB
RB
RE
V EE
RE
V CC
RE
V EE
-V EE
R B I B + VBEon + ( + 1) R E I B VEE = 0
IB =
VEE VBEon
R B + ( + 1) R E
I C = .I B
VCC + R C I C + VCE + R E I E VEE = 0

VCE = VCC + VEE R C IC R E I E
Polarizao com fonte de corrente

V CC
RC
RC
V CB
V CC
RB
RB
I
-V EE
IE = I
I C = .IE IE
IB =
IE
+1
VCC + R C IC + VCB + R B IB = 0
VCE
VCE = VCB + VBE

= VCC R C IC R B IB + VBE
Verificao da zona de funcionamento

de um circuito com BJTs
Hiptese: ZAD
IB>0; IC = .IB;
VBE=VBEon=0,7V;
VCE>VCEsat
Calcular IB
(malha baseemissor)
IB>0
No
Sim
Zona de Corte
Calcular V CE
IB=0; IC =0; IE=0

VBE<0,7V
PFR(V CE, 0)
(malha colectoremissor)
No
VCE>VCEsat
Sim
Zona Activa Directa
PFR(V CEQ,ICQ)
Zona de Saturao
VCE=VCEsat =0,2V
PFR(V CEsat ,ICsat )
Parte-se da hiptese que o BJT est na ZAD;

Calcula-se IB a partir da malha de entrada, ou
base-emissor;
Se o valor obtido para IB for nulo ou negativo
conclui-se que o BJT est na ZC - Zona de Corte;
IB=0; IC=0 e IE=0; o VBE inferior a 0,7V.
Se o valor de IB for positivo calculamos IC=IB e
calculamos VCE a partir da malha colectoremissor.
Se o valor obtido para VCE for inferior ou igual a
VCEsat, conclumos que o BJT est na ZS- Zona
de saturao. VCE=VCEsat e h que calcular ICsat
da malha de sada (ICIB).
Se o valor de VCE for superior a VCEsat, ento o
BJT encontra-se mesmo na ZAD e VCEQ e ICQ so
os obtidos nos clculos anteriores.
Funcionamento do BJT no corte e saturao

Zona de Corte : Vi < 0,7V
V VBEon
IB = i
< 0 Vi 0,7 < 0
RB
IB = 0 IC = 0
5V
iC
0 < Vi < 5V
RC
4k
Vo
RB = 100k
Vi
iB
Zona de Saturao : Vi > 1,9 V

ICsat =
VCC VCEsat 5 0,2

=
= 1,2 mA
RC
4k
Vo(V)
Corte
I Csat 1,2mA
=
= 12A
100
V 0,7
= i
> 12 A
100 k
I Csat < .I Bsat I Bsat >

Vi VBEon
RB
it
vca
Zona a
I Bsat =
Vi > 100k.12 + 0,7 = 1,9 V

Saturao
Zona Activa Directa : 0,7 < Vi < 1,9V
0,2
0,7
1,9
Vi(V)
Funcionamento do BJT no corte e saturao

+10V
V VBEon
6 0,7
I B = BB
=
= 16A
( + 1)R E
101x3,3k
4,7k
I C = 100.16A = 1,6mA
VCE = VCC R C I C R E I E
VCE = 10 4,7k.1,6m 3,3.1, 6m
+6V
VCE = 2,8V < VCEsat = 0, 2V ZS

I Csat =
VCC VCEsat VRE 10 0, 2 5,3

=
= 0,96mA
RC
4, 7k
I Bsat = I Esat ICsat = 1, 6m 0,96m = 0,64mA
3,3k
O BJT como amplificador
IC
Condies DC
RC
As condies de polarizao DC obtm-se

considerando vbe=0
I C = I S exp( vBE / VT )
IB = IC /
VCC
IB
VCE
VBE
IE
IE = IC /
VCE = VCC RC I C
Condies DC; vbe=0
Sobreposio de um sinal AC tenso DC

Se for aplicada uma tenso AC de valor vbe, a tenso vBE, valor total
instantneo, :
iC
RC
vBE = VBE + vbe

Da mesma forma tem-se para a corrente iC:
iC = I S exp( vBE / VT ) = I S exp[( VBE + vbe ) / VT ] =
V CC
iB
v be
V BE
vBE
V CE
iE
I S exp( VBE / VT ).exp( vbe / VT ) = I C exp( vbe / VT )
Condies AC; vbe0


Utilizando a aproximao
ex 1 + x
Se vbe << VT tem se exp(
se
x << 1
vbe
v
) 1 + be
VT
VT
IC
vbe = IC + g m vbe
VT
I
tem se
ic = C .vbe
VT
iC = I C ( 1 + vbe / VT ) = IC +
como iC = I C + ic
Define se
gm =
ic
I
= C
vbe VT
gm designado por transcondutncia
iC I C 1 I C
= +
vbe
VT
1I
g
ib = C vbe = m vbe
VT
iB =
r =
vbe
=
ib
gm
ib =
1 IC
g
vbe = m vbe
VT
ou
r =
VT
IB

iC
iC
IC
PFR
t
vBE
VBE
Operao de um transistor
em sinais fracos: um sinal
fraco vbe com a forma
sinusoidal sobrepe-se
tenso VBE, o que d origem
a uma corrente no colector
em AC, ic, tambm de forma
sinusoidal que se sobrepe
corrente DC, IC; ic=gm.vbe.
vbe
t
O BJT como amplificador modelos para sinais pequenos

O modelo -hbrido
B
ic
ib
vbe
ic = g mvbe
vbe
g mvbe
ie
a)
com
gm =
IC
VT
ou
ic = .i b
ib =
v be
r
.i b
r
ie
b)
ic
ib
E
com
r =
VT
IB
As figuras a) e b) representam duas verses ligeiramente diferentes do modelo -hbrido

simplificado do transistor de juno bipolar operando com sinais pequenos:
Em a) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por tenso
[amplificador de transcondutncia]
Em b) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por corrente
[amplificador de corrente]

C
O modelo em T
ic = g mvbe
com
gm =
IC
VT
ou
ic = .ie
com
ie =
e
re =
VT
IE
vbe
re
g mvbe
ib
B
vbe
a)
ic
ie
.ie
ib
vbe
re
ic
ie
re
b)
As figuras a) e b) representam duas verses ligeiramente diferentes do modelo em T

simplificado do transistor de juno bipolar operando com sinais pequenos:
Em a) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por tenso
[amplificador de transcondutncia]
Em b) o BJT representado por uma fonte de corrente controlada por corrente
[amplificador de corrente]
Estes modelos explicitam a resistncia de emissor re em vez da resistncia de base r
tal como aparecia nos modelos -hbrido

Modelo -hbrido incluindo o efeito de Early
iC
i B=..
.
i B=..
.
ic
ib
vbe
gmvbe
ie
vbe
VA
ro
E
ic
ib
.ib
r
ie
ro
i B=..
.
i B=..
iB.=..
.
v
Fazendo incluir o efeito de Early nos modelos

-hbrido, ele traduz-se pela incluso de uma
resistncia ro, de valor aproximado VA/IC, entre
o colector e o emissor.
VA
ro
IC
O BJT como amplificador Parmetros dos modelos para sinais pequenos

Em termos das condies DC
gm =
IC
VT
r =
VT VT
=
IB
IC
re =
VT
IE
ro =
VA
IC
Em termos do parmetro gm
re =
gm gm
r =
gm
Em termos do parmetro re
gm =
re re
r = ( + 1 )re
gm +
1 1
=
r re
Relao entre os parmetros e

=
+1
+1=
1
1
O BJT como amplificador ganho de tenso

iC
A tenso total instantnea no colector do

transistor, vCE, :
RC
VCC
iB
vCE = VCC iC RC = VCC ( I C + ic )RC =

= ( VCC I C RC ) ic RC =
= VCE + vce
vbe
VCE
vBE
VBE
iE
Donde se conclui vce = ic RC
Como
ou
ic = g mvbe
tem se :
vce = g m RC vbe
vce
= g m RC
vbe
Ganho de tenso Av = g m RC
ic = ib
Como
vce = .RC ib =
ou
ib =
tem se :
.RC
vbe
r
vce
.RC
=
vbe
r
Ganho de tenso Av =
vbe
r
.RC
r
O BJT como amplificador anlise de circuitos em ac

Determinar o ponto de funcionamento em repouso do transistor e, em particular, o valor da
corrente de colector, IC. Esta anlise feita considerando apenas as fontes de tenso e
corrente dc e substituindo os condensadores por circuitos em aberto.
Calcular o valor dos parmetros necessrios para os modelos incrementais, para pequenos
sinais:
gm =
IC
,
VT
r =
VT
,
IB
re =
VT
,
IE
etc.
Representar o esquema incremental equivalente do circuito amplificador, substituindo as

fontes de tenso dc independentes por curto-circuitos e as fontes de corrente dc
independentes por circuitos em aberto.
Substituir cada um dos condensadores de bloqueamento e contorno por um curto-circuito.
Substituir o transistor por um dos modelos equivalentes para pequenos sinais. Utilizar-se-
o modelo que se entenda por mais conveniente para a anlise da configurao em questo.
Analisar o circuito resultante de acordo com as leis e regras da teoria dos circuitos, por
forma a obter o ganho de tenso, o ganho de corrente, a resitncia de entrada, etc..
O BJT como amplificador exemplo
VCC=+12V
Pretende-se determinar o ganho de tenso do

amplificador representado na figura; =100.
Determinemos em primeiro lugar o ponto de
funcionamento em repouso, fazendo vi=0.
VBB VBEon 3 0,7
=
= 0,023mA
RB
100k
IC = .IB = 100.0,023m = 2,3mA
VCE = VCC R C I C = 15 5k.2,3m = 3,5V
Transistor na ZAD : PFR(3,5V;2,3mA)
IB =
RC=5k
RB
vi
vo
100k
VBB
3V
VCC=+12V
Calculemos agora os parmetros para os

modelos para sinais pequenos
VT
25m
=
= 1087
I B 0,023m
V
25m
re = T =
= 10,8
IE 2,32m
I
2,3m
gm = C =
= 92mA / V
VT 25m
RC= 5k
RB
r =
VBB
100k
0,7V
3V
O BJT como amplificador exemplo (cont.)

VCC=+15V
Utilizemos o modelo -hbrido do transistor, utilizando o

parmetro , mas sem ro, e substituamos o circuito pelo seu
equivalente incremental.
R C=5k
RB
vi
Da anlise do circuito temos:
vo = RCic = RC.ib
vi
vi
ib =
vo = .RC
r + RB
r + RB
v
.RC
Av = o =
vi
r + RB
100 x5 k
Av =
= 4 ,95
1,087 k + 100k
vo
100k
VBB
3V
RB
vi
ic
ib
vbe
r
ie
O sinal () no ganho de tenso representa a

inverso de fase do sinal na sada em relao
ao sinal na entrada
.i b
RC
Circuito equivalente incremental

vo
O BJT como amplificador configuraes base

Consideram-se trs configuraes base para circuitos amplificadores com o
transistor de juno bipolar:
Configurao em emissor comum
Emissor massa em AC
Sinal de entrada entre a base e o emissor
Sinal de sada entre o colector e o emisor (massa)
Configurao em colector comum
Colecotr massa em AC
Sinal de entrada entre a base e o emissor
Sinal de sada entre o emissor e a massa
Configurao em base comum
Base massa em AC
Sinal de entrada entre o emissor e a base
Sinal de sada entre o colector e a base (massa)
Amplificador em Emissor-Comum
V CC
RS
CE condensador de contorno (bypass)
Co
Ci
RL
vs
A capacidade dos condensadores de acoplamento e

de contorno suficientemente elevada para que a
sua reactncia se possa considerar como um curtocircuito perante as restantes impedncias do circuito
para as frequncias de interesse.
O circuito equivalente para pequenos
sinais obtm-se substituindo o BJT pelo
seu modelo equivalente -hbrido,
eliminando as fontes de tenso DC e
curtocircuitando os condensadores Ci,
Co e CE.
RC
R B1
Ci, Co condensadores de acoplamento (bloqueiam

as componentes contnuas na entrada e na sada)
R B2
vo
CE
RE
a) Configurao tpica do amplificador monoestgio

em Emissor Comum com componentes discretos
RS
vs
Rin
RB
ib
vbe
ic
r
ie
C
g mvbe
RC
Ro
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do

amplificador em Emissor Comum do circuito a)
RL
vo
Amplificador em Emissor-Comum (cont.)

RS
Ganho de tenso (com gm)

vo = g mvbe RC // RL
r // RB
vbe =
vS
r // RB + RS
v
r // RB
Av = o = g m RC // RL .
vs
r // RB + RS
Ganho de tenso (com )

vo = ib RC // RL
1
r // RB
ib = .
v
r r // RB + RS S
v
.RC // RL
r // RB
Av = o =
.
vs
r
r // RB + RS
Resistncia de entrada
Ri = r // RB = r // RB 1 // RB 2
vs
Ri n
ib
vbe
RB
ic
r
ie
gmvbe
RC
RL
Ro
vo
a) Circuito equivalente incremental modelo -hbrido

com gm, desprezando ro face a R C e R L
RS
vs
Ri n
ib
vbe
RB
ic
r
ie
C
.ib
RC
RL
Ro
b) Circuito equivalente incremental modelo -hbrido

com , desprezando ro face a R C e R L
Resistncia de sada
Ro = RC
ou
Ro = ro // RC
vo
Amplificador em Emissor-Comum (cont.)

Rth
Ganho de tenso quando se substitui a

malha constituda por vs, RS e R B pelo seu
equivalente de Thvenin
RB
Rth = RB // RS
vth =
.v
RB + RS s
vth
vo = ib RC // RL
ib =
r + Rth
v
.R // RL
RB
Av = o = C
.
vs
r + Rth RB + RS
Ganho de tenso quando se

considera o efeito de Early (ro)
ib
vth
vbe
ic
r
ie
Av =
Rth
v th
RC//RL
vo
ib
vbe
vth
ib =
r + Rth
vo
.( ro // RC // RL )
RB
=
.
vs
r + Rth
RB + RS
.ib
a) Circuito equivalente para pequenos sinais substituindo a malha

constituida por vs , R S e R B pelo seu equivalente de Thvenin
ic
r
ie
vo = ib ( ro // RC // RL )
.ib
C
ro
RC//RL
a) Circuito equivalente para pequenos sinais quando se

considera o modelo -hbrido com o parmetro ro .
vo
Amplificador em colector comum (ou seguidor de emissor)

VCC
Ganho de tenso
R B1
vo = ie ( RE // RL ) = ( + 1 )ib ( RE // R L )
vb
ib =
r + ( + 1 )( RE // R L )
Av =
RS
Co
vs
vo
( + 1 ).( RE // RL )
=
vs r + ( + 1 )( RE // RL )
Se r << ( + 1 )( RE // RL )
v
ento Av = o 1
vs
E daqui o nome de seguidor de emissor
R B2
RE
RL
vo
a) Configurao tpica do amplificador em ColectorComum

ou Seguidor de Emissor com componentes discretos
RS
vs
RB
vb
r ib
ie
vbe
ic
.ib
RE
Ri = r + ( + 1 )( RE // RL )
Ci
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do

amplificador em ColectorComum do circuito a)
RL
vo
Amplificador em Emissor-Comum degenerado
VC C
RC
RB 1
Ganho de tenso
vo = ib RC // RL
vo = .RC // RL .
Av =
Ci
RS
ib =
RL
vs
vth
Rth + r + ( + 1 )RE 1
vo
RE 1
RB2
vth
Rth + r + ( + 1 )RE 1
CE
RE2
vo
.RC // RL
RB
=
.
vs
Rth + r + ( + 1 )RE 1 R B + RS
Co
a) Amplificador em EmissorComum degenerado
Rth
vth
ib
vbe
ic
r
ie
Ri = ( r + ( + 1 ) RE 1 ) // RB
C
.ib
RC//R L
vo
E
RE1
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador em

EmissorComum degenerado do circuito a)

Acet BJT PDF

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Acet BJT PDF

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

O transistor de juno bipolar (BJT)

Bipolar dois tipos de cargas, electres e

Juno duas junes pn. Juno

Tipos tipos NPN e PNP.

Terminais Base, Emissor e Colector

Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Fluxos de corrente num

Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Fluxos de corrente num

O transistor construdo de tal forma que

antes de haver tempo para a

Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Fluxos de corrente num

O transistor PNP opera de forma semelhante

A tenso VEB polariza directamente a juno

No transistor PNP as correntes so sobretudo devidas a correntes de buracos.

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Transistor de juno bipolar (BJT)

Os sentidos de referncia adoptados para tenses e correntes aos terminais do

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Transistor de juno bipolar (BJT)

Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Transistor de juno bipolar (NPN)

Zona Activa Directa (ZAD)

Zona de Saturao (ZS)

Zona de Corte (ZC)

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Transistor de juno bipolar (NPN)

a) Fonte de corrente controlada por

b) Fonte de corrente controlada por

c) Fonte de corrente controlada por

d) Fonte de corrente controlada por

Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Transistor de juno bipolar (PNP)

a) Fonte de corrente controlada por

b) Fonte de corrente controlada por

c) Fonte de corrente controlada por

d) Fonte de corrente controlada por

Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Curvas caractersticas do BJT (npn)

Efeito da temperatura na caracterstica

Electrnica II - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

Lus Verssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Curvas caractersticas do BJT (npn)

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Anlise de circuitos dc com o BJT (npn)