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Eletrnica de
Potncia
ii
Contedo
iii
Eletrnica de Potncia - Cap. 1 J. A. Pomilio
A figura 1.1 mostra uma distribuio dos componentes semicondutores, indicando limites
aproximados (2004) para valores de tenso de bloqueio, corrente de conduo e freqncia de
comutao. Obviamente estes limites evoluem com o desenvolvimento tecnolgico e servem
como uma ilustrao para a verificao, numa primeira aproximao, das faixas de potncia em
que cada componente pode ser utilizado.
Tenso
Tiristores
IGCT
5kV
GTO e IGCT
4kV
3kV
Corrente
IGBT
2kV TBP 1kHz
10kHz
1kV MOSFET
100kHz
1MHz
2kA 4kA 6kA
Freqncia
Figura 1.1 Limites de operao de componentes semicondutores de potncia.
estveis, uma vez que, pelo compartilhamento dos eltrons externos pelos tomos vizinhos
(ligao covalente), tem-se um arranjo com 8 eltrons na camada de valncia, como ilustra a
figura 1.2.
eltrons
compartilhados
ncleos
atmicos
Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 oC), algumas destas ligaes so
rompidas (ionizao trmica), produzindo eltrons livres. O tomo que perde tal eltron se torna
positivo. Eventualmente um outro eltron tambm escapa de outra ligao e, atrado pela carga
positiva do tomo, preenche a ligao covalente. Desta maneira tem-se uma movimentao
relativa da carga positiva, chamada de lacuna, que, na verdade, devida ao deslocamento dos
eltrons que saem de suas ligaes covalentes e vo ocupar outras, como mostra a figura 1.3.
movimento
da lacuna
tomo
ionizado
eltron
ligao
rompida
qE g
ni Ce kT (1.1)
os tomos vizinhos a tal impureza tero suas ligaes covalentes incompletas ou com excesso de
eltrons, como mostra a figura 1.4.
Si Si Si Si Si Si
eltron
ligao em excesso
incompleta
Si Bo Si Si P Si
Si Si Si Si Si Si
Figura 1.4 Semicondutores dopados
Neste caso no se tem mais o equilbrio entre eltrons e lacunas, passando a existir um
nmero maior de eltrons livres nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da tabela
peridica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna.
Respectivamente, produzem-se os chamados materiais semicondutores tipo N e tipo P. Observe-
se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez que a quantidade total de
eltrons e prtons a mesma.
Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um eltron livre, tem-se a movimentao
da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas so os portadores majoritrios, sendo os eltrons os
portadores minoritrios.
J no material tipo N, a movimentao do eltron excedente deixa o tomo ionizado, o
que o faz capturar outro eltron livre. Neste caso os portadores majoritrios so os eltrons,
enquanto os minoritrios so as lacunas.
As dopagens das impurezas (1019/cm3 ou menos), tipicamente so feitas em nveis muito
menores que a densidade de tomos do material semicondutor (1023/cm3), de modo que as
propriedades de ionizao trmica no so afetadas.
Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de lacunas e de eltrons (po e
no, respectivamente) igual ao valor ni2 dado pela equao (1.1), embora aqui po no .
Alm da ionizao trmica, tem-se uma quantidade adicional de cargas livres, relativas
s prprias impurezas. Pelos valores indicados anteriormente, pode-se verificar que a
concentrao de tomos de impurezas muitas ordens de grandeza superior densidade de
portadores gerados por efeito trmico, de modo que, num material tipo P, po Na, onde Na a
densidade de impurezas aceitadoras de eltrons. J no material tipo N, no Nd, onde Nd a
densidade de impurezas doadoras de eltrons.
Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritrios proporcional ao
quadrado da densidade intrnseca, ni, e fortemente dependente da temperatura.
n i2
no , po Na (1.2)
po
n i2
po , no Nd (1.3)
no
1.1.3 Recombinao
Uma vez que a quantidade ni determinada apenas por propriedades do material e pela
temperatura, necessrio que exista algum mecanismo que faa a recombinao do excesso de
portadores medida que novos portadores so criados pela ionizao trmica.
Tal mecanismo inclui tanto a recombinao propriamente dita de um eltron com uma
lacuna em um tomo de Si, quanto a captura dos eltrons pela impureza ionizada ou,
adicionalmente, por imperfeies na estrutura cristalina. Tais imperfeies fazem com que os
tomos adjacentes no necessitem realizar 4 ligaes covalentes.
Pode-se definir o tempo de vida de um portador como o tempo mdio necessrio para
que o eltron ou a lacuna sejam neutralizados pela consecusso de uma ligao covalente. Em
muitos casos pode-se considerar o tempo de vida de um portador como uma constante do
material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potncia, esta no uma boa
simplificao.
Quando ocorre um significativo aumento na temperatura do semicondutor, tem-se um
aumento no tempo de recombinao do excesso de portadores, o que leva a um aumento nos
tempos de comutao dos dispositivos de tipo portadores minoritrios, como o transistor
bipolar e os tiristores.
Uma vez que este tempo de vida dos portadores afeta significantemente o
comportamento dos dispositivos de potncia, a obteno de mtodos que possam control-lo
importante. Um dos mtodos que possibilita o ajuste deste tempo a dopagem com ouro, uma
vez que este elemento funciona como um centro de recombinao, uma vez que realiza tal
operao com grande facilidade. Outro mtodo o da irradiao de eltrons de alta energia,
bombardeando a estrutura cristalina de modo a deform-la e, assim, criar centros de
recombinao. Este ltimo mtodo tem sido preferido devido sua maior controlabilidade (a
energia dos eltrons facilmente controlvel, permitindo estabelecer a que profundidade do
cristal se quer realizar as deformaes) e por ser aplicado no final do processo de construo do
componente.
Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de
corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de funcionamento, em
geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de maior
potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir maiores correntes) e maior
comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A figura 1.5 mostra, simplificadamente,
a estrutura interna de um diodo.
Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na
regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito maior que a
do restante do componente (devido concentrao de portadores).
Juno metalrgica
P + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ N_
+ + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ Anodo Catodo
+ +
+ + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ Difuso
_
0 Potencial
1u
Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios penetra na
regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a outra regio neutra do
dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada, variando, basicamente,
com a temperatura.
Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os portadores em trnsito
obtero grande velocidade e, ao se chocarem com tomos da estrutura, produziro novos
portadores, os quais, tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o aumento na
corrente, sem reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico de potncia que
destri o componente.
Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e reduo da
barreira de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V
para diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial positivo do
anodo e vice-versa, levando o componente conduo.
Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente desta
apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel desta regio
permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar menor o campo eltrico na
regio de transio (que ser mais larga, para manter o equilbrio de carga).
Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa
caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto maior for a
tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so altamente
dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com caracterstica hmica e no
semicondutor.
O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar
campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas).
No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja
carga aquela presente na prpria regio de transio.
Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+, por
difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que cresce a
corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons venham da regio
N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a
qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado
do diodo.
O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do de
uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.6. Suponha-se que se aplica uma tenso vi
ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar alguns aspectos da
forma de onda).
Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no houve
significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um pico de
tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram com a sobre-
tenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso para cerca de 1V.
Estes tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se
possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores
transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda
hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de portadores,
iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada s
indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa.
trr
t3
t1 dir/dt
dif/dt
Qrr
i=Vr/R
iD
Anodo
Vfp Von t4 t5
P+ 10e19 cm-3 10 u
vD
Vrp
_
-Vr t2
N 10e14 cm-3 Depende
da tenso
+Vr
vi
vD -Vr
250 u
N+ 10e19cm-3
substrato
iD
vi R
Catodo
Figura 1.6 - Estrutura tpica de diodo de potncia e formas de onda tpicas de comutao de
diodo de potncia.
(a) (b)
Figura 1.7 - Resultados experimentais das comutaes de diodo: (a) desligamento;
(b) entrada em conduo. Canal 1: Corrente; Canal 2: tenso vak
Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto
nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos.
O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de,
neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobre-tenses produzidas
por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de
minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta
variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados.
Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula, como o caso dos retificadores
com filtro capacitivo, praticamente no se observa o fenmeno da recombinao reversa.
contato Al Al contato
retificador hmico
SiO2
N+
Tipo N
Substrato tipo P
(a) (b)
Figura 1.8 - (a) Estrutura de diodo Schottky; (b) Forma de onda tpica no desligamento. Canal 1:
Corrente; Canal 2: tenso vak
1.4 Tiristor
Vcc Rc (carga)
J1 J2 J3
P N- P N+
A K Catodo
Anodo Vg CH
Gate G Rg
Vcc
Rc
A K
G
Rg
Vg
Figura 1.9 - Funcionamento bsico do tiristor e seu smbolo.
Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial diminuda
e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo na ausncia da
corrente de porta.
Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto J2
estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3 intermediria a regies de alta
dopagem, ela no capaz de bloquear tenses elevadas, de modo que cabe juno J1 manter o
estado de bloqueio do componente.
comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma associao
de dois transistores, conforme mostrado na figura 1.10.
Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik crescero. Como Ic2 = Ib1, T1
conduzir e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentar Ic2 e assim o dispositivo evoluir at a saturao,
mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos transistores forem
maior que 1. O componente se manter em conduo desde que, aps o processo dinmico de
entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um valor superior ao limite IL,
chamado de corrente de "latching".
Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que a corrente por ele caia abaixo do
valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial em J2.
Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma tenso negativa entre anodo
e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento por deslocar nos sentidos
adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no garante, sozinha, o desligamento.
Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao
reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um comportamento dos
GTOs, como se ver adiante.
A A Ia
Ib1
P T1
N N Ic1 Ic2
G P G
P
T2
N Ig Ib2
Ik
K
K
a) Tenso
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao aplicada
sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de transio tanto
para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo na ausncia de
corrente de gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas livres que penetram na regio de
transio (no caso, eltrons), as quais so aceleradas pelo campo eltrico presente em J2. Para
valores elevados de tenso (e, consequentemente, de campo eltrico), possvel iniciar um
processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se com tomos vizinhos,
provoquem a expulso de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenmeno, do
ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito similar ao de uma
injeo de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido o
limiar de IL, o dispositivo se manter em conduo. A figura. 1.11 mostra a caracterstica esttica
de um SCR.
Ij =
(
d C j Vak ) = C dVak + V
dC j
(1.4)
j ak
dt dt dt
Ia
Von
IL
Ig2 > Ig1 > Ig=0
IH
Vbr
Vak
Vbo
Vgk
Mxima tenso de gate
Limite de
baixa corrente
Mxima potncia
Instantnea de gate
6V
Vgm Limite de
alta corrente
Vgo
Reta de carga
do circuito de acionamento
0
0 Igm 0,5A Ig
Figura 1.12 - Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta.
Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta de
largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a corrente que
atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo.
Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se
que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (Vak > 0). A taxa de
crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes que circulam pelas
junes J1 e J3, em tal situao, no tem a capacidade de levar o tiristor a um estado de
conduo.
Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o
objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles.
d) Temperatura
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada dobra
aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevao da temperatura pode levar a uma
corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo.
e) Energia radiante
Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal,
produz considervel quantidade de pares eltrons-lacunas, aumentando a corrente de fuga
reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos
LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde a
isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos.
K
G
N N
P
G P G
N- P
N
N
P Catodo
dv/dt
di/dt
Tenso direta de bloqueio
Von
Corrente de fuga direta
Corrente de fuga reversa
Irqm
ton
Tenso reversa de bloqueio
toff
Figura 1.14 Tenses e correntes caractersticas de tiristor.
b) Comutao
Se, por um lado, fcil a entrada em conduo de um tiristor, o mesmo no se pode dizer
de sua comutao. Lembramos que a condio de desligamento que a corrente de anodo fique
abaixo do valor IH. Se isto ocorrer juntamente com a aplicao de uma tenso reversa, o bloqueio
se dar mais rapidamente.
No existe uma maneira de se desligar o tiristor atravs de seu terminal de controle,
sendo necessrio algum arranjo no nvel do circuito de anodo para reduzir a corrente principal.
S1
i(t)
L
vi(t) S2 vL R
200V
vi(t)
-200V
40A
i(t)
-40A
200V
vL(t)
-200V
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
vo
Vcc
L
S1 io(t) io
Vcc Carga 0
vo(t) Ressonante
A figura 1.18 mostra um circuito para comutao forada de SCR e as formas de onda
tpicas. A figura 1.19 mostra detalhes de operao do circuito auxiliar de comutao.
Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido
elevada constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulao. A tenso sobre o
capacitor negativa, com valor igual ao da tenso de entrada.
Em t1 o tiristor principal, Sp, disparado, conectando a fonte carga, levando o diodo Df
ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por Sp, Cr, D1 e Lr, a qual
permite a ocorrncia de uma ressonncia entre Cr e Lr, levando inverso na polaridade da
tenso do capacitor. Em t1 a tenso atinge seu mximo e o diodo D1 desliga (pois a corrente se
anula). O capacitor est preparado para realizar a comutao de Sp.
Quanto o tiristor auxiliar, Sa, disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser fornecida
atravs do caminho formado por Lr, Sa e Cr, levando a corrente por Sp a zero, ao mesmo tempo
em que se aplica uma tenso reversa sobre ele, de modo a deslig-lo.
D2
60A
iT
Sp
Lo
i +
T Cr
Vc
+
Lr iC
-60A
Df Ro
Sa i 200V
c Vo
Vcc vo
0
vC
D1
-200V
Figura 1.18 Topologia com comutao forada de SCR e formas de onda tpicas.
Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igual corrente da carga,
fazendo com que a variao de sua tenso assuma uma forma linear. Esta tenso cresce (no
sentido negativo) at levar o diodo de circulao conduo, em t4. Como ainda existe corrente
pelo indutor Lr, ocorre uma pequena oscilao na malha Lr, Sa, Cr e D2 e, quando a corrente por
Sa se anula, o capacitor se descarrega at a tenso Vcc na malha formada por Cr, D1, Lr, fonte e
Df.
60A
iT
-60A ic
200V
vo
0
vc
-200V
to t1 t2 t3 t4 t5
Figura 1.19 - Detalhes das formas de onda durante comutao.
a) O problema di/dt
Uma primeira medida capaz de limitar possveis danos causados pelo crescimento
excessivamente rpido da corrente de anodo construir um circuito acionador de gate adequado,
que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a expanso da rea
condutora.
Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o crescimento da corrente de
anodo durante a entrada em conduo do dispositivo.
Alm deste fato tem-se outra vantagem adicional que a reduo da potncia dissipada
no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tenso Vak ser reduzida pela queda
sobre a indutncia.
O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso
mais longo de disparo, ou ainda a uma seqncia de pulsos, para que seja assegurada a conduo
do tiristor.
b) O problema do dv/dt
A limitao do crescimento da tenso direta Vak, usualmente feita pelo uso de circuitos
RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 1.20.
No caso mais simples (a), quando o tiristor comutado, a tenso Vak segue a dinmica
dada por RC que, alm disso, desvia a corrente de anodo facilitando a comutao. Quando o
SCR ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no tiristor, limitado
pelo valor de R.
No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os
processos de carga e descarga de C. No 3o caso, o pico limitado por L, o que no traz eventuais
problemas de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em conduo do tiristor
para obter um Ia>IL, uma vez que se soma corrente de anodo proveniente da carga.
A energia acumulada no capacitor praticamente toda dissipada sobre o resistor de
descarga.
D L
D
R R2
R1
R
C
C
C
a) Impedncia srie
A idia adicionar impedncias em srie com cada componente a fim de limitar o
eventual desequilbrio. Se a corrente crescer num ramo, haver aumento da tenso, o que far
com que a corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores implica no aumento
das perdas, uma vez que dado o nvel elevado da corrente, a dissipao pode atingir centenas de
watts, criando problemas de dissipao e eficincia. Outra alternativa o uso de indutores
lineares.
b) Reatores acoplados
Conforme ilustrado na figura 1.21, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que
por SCR2, uma fora contra-eletro-motriz aparecer sobre a indutncia, proporcionalmente ao
desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR1. Ao mesmo tempo uma tenso
induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a corrente por SCR2. As mais importantes
caractersticas do reator so alto valor da saturao e baixo fluxo residual, para permitir uma
grande excurso do fluxo a cada ciclo.
.
.
.
.
(a)
.
.
(c)
SCR1
. . .
. . .
SCR2
(b) . .
. .
(d)
1.4.6.2 Disparo
H duas caractersticas do tiristor bastante importantes para boa diviso de corrente entre
os componentes no momento em que se deve dar o incio da conduo: o tempo de atraso (td) e a
mnima tenso de disparo (VONmin).
O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicao do sinal de
gate e a real conduo do tiristor.
A mnima tenso de disparo o valor mnimo da tenso direta entre anodo e catodo com
a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da caracterstica
esttica do tiristor, que quanto menor a tenso Vak, maior deve ser a corrente de gate para levar o
dispositivo conduo.
Diferenas em td podem fazer com que um componente entre em conduo antes do
outro. Com carga indutiva este fato no to crtico pela inerente limitao de di/dt da carga, o
que no ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Alm disso, como VONmin maior que a queda
de tenso direta sobre o tiristor em conduo, possvel que outro dispositivo no consiga entrar
em conduo.
1.4.6.3 Desligamento
Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga
manter o equilbrio de corrente mesmo que haja diferentes caractersticas entre os tiristores
(especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitncia do circuito
amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor que comea a
desligar.
I II III IV V VI
Recuperao
Bloqueio Conduo Conduo Conduo Bloqueio
reversa
1200V direto parcial direta reversa reverso
parcial
+ + + +
1.4.7.2 Disparo
Um mtodo que pode ser usado para minimizar o desequilbrio do estado II fornecer
uma corrente de porta com potncia suficiente e de rpido crescimento, para minimizar as
diferenas relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve ser tal que garanta a
continuidade da conduo de todos os tiristores.
1.4.7.3 Desligamento
Para equalizar a tenso no estado V, um capacitor ligado entre anodo e catodo de cada
tiristor. Se a impedncia do capacitor suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante de
tempo necessria, o crescimento da tenso no dispositivo mais rpido ser limitado at que todos
se recombinem. Esta implementao tambm alivia a situao no disparo, uma vez que realiza
uma injeo de corrente no tiristor, facilitando a entrada em conduo de todos os dispositivos.
Mas se o capacitor providencia excelente equalizao de tenso, o pico de corrente
injetado no componente no disparo pode ser excessivo, devendo ser limitado por meio de um
resistor em srie com o capacitor. interessante um alto valor de R e baixo valor de C para, com
o mesmo RC, obter pouca dissipao de energia. Mas se o resistor for de valor muito elevado
ser imposta uma tenso de rpido crescimento sobre o tiristor, podendo ocasionar disparo por
dv/dt. Usa-se ento um diodo em paralelo com o resistor, garantindo um caminho de carga para o
capacitor, enquanto a descarga se faz por R. O diodo deve ter uma caracterstica suave de
recombinao para evitar efeitos indesejveis associados s indutncias parasitas das ligaes.
Recomenda-se o uso de capacitores de baixa indutncia parasita. A figura 1.23 ilustra tais
circuitos de equalizao.
C R C R C R Equalizao
Dinmica
D D D
Rs Rs Rs
Equalizao esttica
Figura 1.23 - Circuito de equalizao de tenso em associao srie de tiristores.
a) Transformador de pulso
Neste caso, tm-se transformadores capazes de responder apenas em alta freqncia, mas
que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de microssegundos),
aps o que o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais largo, ele poder ser
obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixas no lado de sada.
Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de limitao de tenso no secundrio (onde est
conectado o gate), a fim de evitar sobre-tenses.
Quando se usar transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a
tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir consideravelmente
entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com o gate para evitar que um
tiristor com menor impedncia de gate drene o sinal de disparo, impedindo que os demais
dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia em srie pode ser um resistor ou um
capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento do pulso de corrente.
b) Acoplamento luminoso
O acoplamento tico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferncias
eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos bsicos de acopladores so
usados: os opto-acopladores e as fibras ticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo no qual o
emissor e o receptor esto integrados, apresentando uma isolao tpica de 2500 V. J para as
fibras ticas, o isolamento pode ser de centenas de kV.
A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para alimentar o
emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor.
Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de
equalizao), atravs de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado do
receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potncia durante todo o
perodo de conduo.
+Vcc +V
+
..
Req
Pulsos
Pulsos Req
1.4.8 Sobre-tenso
As funes gerais da proteo contra sobre-tenso so: assegurar, to rpido quanto
possvel, que qualquer falha em algum componente afete apenas aquele tiristor diretamente
associado ao componente; aumentar a confiabilidade do sistema; evitar reaes na rede (como
excitao de ressonncias). Estas sobre-tenses podem ser causadas tanto por aes externas
como por distribuio no homognea das tenses entre os dispositivos.
Em aplicaes onde as perdas provocadas pelos resistores de equalizao devem ser
evitadas, a distribuio de tenso pode ser realizada pelo uso de retificadores de avalanche
controlada, que tambm atuam no caso de sobre-tenses. Uma possvel restrio ao uso de
supressores de sobre-tenso (geralmente de xido metlico, os varistores), que a falha em um
certo componente (um curto em um tiristor) pode levar a uma sobrecarga nos demais
supressores, provocando uma destruio em cascata de todos.
A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da
tenso, superando o limite de dv/dt ou o valor da mxima tenso direta de bloqueio, deve-se
manter uma polarizao negativa no terminal da porta, aumentado o nvel de tenso suportvel.
1.4.9 Resfriamento
As caractersticas do tiristor so fornecidas a uma certa temperatura da juno. O calor
produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o
encapsulamento, deste para o dissipador e da para o meio de refrigerao (ar ou lquido).
Este conjunto possui uma capacidade de armazenamento de calor, ou seja, uma constante
de tempo trmica, que permite sobrecargas de corrente por perodos curtos. Tipicamente esta
constante da ordem de 3 minutos para refrigerao a ar.
A temperatura de operao da juno deve ser muito menor que o mximo especificado.
Ao aumento da temperatura corresponde uma diminuio na capacidade de suportar tenses no
estado de bloqueio. Tipicamente esta temperatura no deve exceder 120oC.
O sistema de refrigerao deve possuir redundncia, ou seja, uma falha no sistema deve
por em operao um outro, garantindo a troca de calor necessria. Existem vrias maneiras de
implementar as trocas: circulao externa de ar filtrado, circulao interna de ar (com trocador
de calor), refrigerao com lquido, etc. A escolha do tipo de resfriamento influenciada pelas
condies ambientais e preferncias do usurio.
O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60, por problemas de fraco
desempenho foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de dispositivos
semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje
ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez
que esto disponveis dispositivos para 5000V, 4000A.
Rg
Vcc J2 J3
P+ N- P N+
Entrada em conduo
J1
Regio de
Vg
Transio
A K
Rg
G
Rg
Vcc
P+ N- P N+
Desligamento
Rg
Vg
Figura 1.25 - Smbolo, processos de comutao e estrutura interna de GTO.
A figura do GTO foi obtida na AN-315, International Rectifier, 04/82.
n+ n+ n+
J3
p
J2
n-
J1
p+ p+ p+
n+ n+
anodo
Vdrxm - Tenso de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condies dadas, a mxima
tenso instantnea permissvel, em estado desligado, que no ultrapasse o dv/dt mximo,
aplicvel repetidamente ao GTO.
It - Corrente (RMS) de conduo: mxima corrente (valor RMS) que pode circular
continuamente pelo GTO.
Itcm - Corrente de conduo repetitiva controlvel: mxima corrente repetitiva, cujo valor
instantneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas condies.
I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente no-repetitiva, com respeito a um
pulso de curta durao. utilizado no dimensionamento dos fusveis de proteo.
di/dt: taxa de crescimento mxima da corrente de anodo.
Vgrm - Tenso reversa de pico de gate repetitiva: mxima tenso instantnea permissvel
aplicvel juno gate-catodo.
dv/dt: mxima taxa de crescimento da tenso direta de anodo para catodo.
IH - corrente de manuteno: Corrente de anodo que mantm o GTO em conduo mesmo na
ausncia de corrente de porta.
IL - corrente de disparo: corrente de anodo necessria para que o GTO entre em conduo
com o desligamento da corrente de gate.
tgt - tempo de disparo: tempo entre a aplicao da corrente de gate e a queda da tenso Vak.
tgq - tempo de desligamento: tempo entre a aplicao de uma corrente negativa de gate e a
queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf)
ts - tempo de armazenamento
t gq
Ifgm
ts
Ifg
Vr
tr
dIrg
Vrg (tenso negativa
dt do circuito de comando)
t w1 avalanche
Vgk
Ig Irg
Figura 1.27 - Formas de onda tpicas do circuito de comando de porta de GTO.
1.5.4.1 Desligamento
Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento da barreira de potencial na
juno reversamente polarizada, a corrente de anodo vai se concentrando em reas cada vez
menores, concentrando tambm os pontos de dissipao de potncia. Uma limitao da taxa de
crescimento da tenso, alm de impedir o gatilhamento por efeito dv/dt, implicar numa reduo
da potncia dissipada nesta transio.
O circuito mais simples utilizado para esta funo uma rede RCD, como mostrado na
figura 1.28.
Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o GTO, o capacitor se carrega
com a passagem da corrente da carga, com sua tenso vaiando de forma praticamente linear.
Assim, o dv/dt determinado pela capacitncia. Quando o GTO entrar em conduo, este
capacitor se descarrega atravs do resistor. A descarga deve ocorrer dentro do mnimo tempo em
conduo previsto para o GTO, a fim de assegurar tenso nula inicial no prximo desligamento.
A resistncia no pode ser muito baixa, a fim de limitar a impulso de corrente injetado no GTO.
D
R C
C V2
p cap = fs (1.5)
2
V
Io
carga Df
Lcarga Df
Ia
Io Ds
R
carga Ls
Rs
V
Vak
Ia V
Vak
Vak
Para reduzir este efeito, um circuito amaciador para o disparo pode ser necessrio, com o
objetivo de reduzir a tenso sobre o GTO em sua entrada em conduo, pode-se utilizar um
circuito amaciador formado, basicamente, por um indutor com ncleo saturvel, que atue de
maneira significativa apenas durante o incio do crescimento da corrente, mas sem armazenar
uma quantidade significativa de energia.
Rc
Vcc
J2 J1
N+ N- P N+
C - - E
- -
Vb
B
Rb
B E
N+ 10e19 cm-3 10 u
P 10e16 cm-3 5 a 20 u
C
Figura 1.31 Estrutura interna de TPB e seu smbolo
Ic Ic Vcbo
Ic
Ib>0 Ib=0
Vces Vceo
Ib<0
Ic segunda ruptura
primeira ruptura
Ib4
Ib3
Ib2 Ib<0
Ib1
Ib=0 Vce
log Ic
Ic max 1 us
10 us
100 us
A
Ic DC B
log Vce
Figura 1.34 - Aspecto tpico de AOS de TBP
A: Mxima corrente contnua de coletor
B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno)
C: Limite de segunda ruptura
D: Mxima tenso Vce
R
Vcc/R
Ib
corte
Vcc Vce
Figura 1.35 - Regio de quase-saturao do TBP.
quase-
saturao e-
regio ativa
saturao base virtual
Figura 1.36 - Distribuio da carga esttica acumulada no TBP
ganho de corrente
Vce = 2V (125 C)
Vce = 400 V (25 C)
Vce = 2 V (25 C)
log Ic
Figura 1.37 - Comportamento tpico do ganho de corrente em funo da tenso Vce, da
temperatura e da corrente de coletor.
a) Carga resistiva
A figura 1.38 mostra formas de onda tpicas para este tipo de carga. O ndice "r' se refere
a tempos de subida (de 10% a 90% dos valores mximos), enquanto "f" relaciona-se aos tempos
de descida. O ndice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de atraso.
b) Carga indutiva
Seja Io>0 e constante durante a comutao. A figura 1.39 mostra formas de onda tpicas
com este tipo de carga.
b.2) Bloqueio
Com a inverso da tenso Vbe (e de Ib), inicia-se o processo de desligamento do TBP.
Aps tsv comea a crescer Vce. Para que o diodo conduza preciso que Vce>Vcc. Enquanto isto
no ocorre, Ic=Io. Com a entrada em conduo do diodo, Ic diminui, medida que Id cresce (tfi).
Alm destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti: (tail time): Queda de Ic de
10% a 2%; tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic.
100%
90%
Sinal de base
10%
ton=ton(i)
toff=toffi
td=tdi ts=tsi tfi
tri
90%
Corrente de coletor
10%
ton(v) toff(v)
tdv tsv
tfv trv
+Vcc
90%
Tenso Vce
Vce(sat) 10%
CARGA RESISTIVA
Figura 1.38 - Caracterstica tpica de chaveamento de carga resistiva
Vb
Io
Lcarga Df
td
Ic
Io
R
carga
Vcc tti
Vce tsv
Ic Vcc
Vce
Io
log Ic
Lcarga Df
sem amaciador
Io
Cs
R
carga
Vcc
Ic
Cs Vcs Vcc log Vce
Vce
Ds Rs
Vcc
Vcc
Ic Ic
Vce Vce
Ic.Vcc
P P
tf
Figura 1.41 - Formas de onda no desligamento sem e com o circuito amaciador.
carga
Vcc
Ls
Rs Ds Df
T1
T2
T1 T2
capacitncias parasitas
A
i i carga
T3
T4
Ib1
Ib2
dib/dt
dib/dt
Ibr
Figura 1.46 - Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
D1
D2
D3
Figura 1.47 - Arranjo de diodos para evitar saturao.
1.7 MOSFET
Enquanto o TBP foi inventado no final dos anos 40, j em 1925 fora registrada uma
patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld, reproduzida na figura 1.48) que se referia
a um mtodo e um dispositivo para controlar o fluxo de uma corrente eltrica entre dois
terminais de um slido condutor. Tal patente, que pode ser considerada a precursora dos
Transistores de Efeito de Campo, no entanto, no redundou em um componente prtico, uma vez
que no havia, ento, tecnologia que permitisse a construo dos dispositivos. Isto se modificou
nos anos 60, quando surgiram os primeiros FETs, mas ainda com limitaes importantes em
termos de caractersticas de chaveamento. Nos anos 80, com a tecnologia MOS, foi possvel
construir dispositivos capazes de comutar valores significativos de corrente e tenso, em
velocidade superior ao que se obtinha com os TBP.
Vdd
Vgs
G
S +++++++++++++++
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - -- - - - - -
N+ -Id
----------------
- - - - - - - -- - - -- -Id D
N- G
N+ S
Smbolo
D
SiO2
metal
Id
regio
resistiva Vgs3
regio ativa
Vgs2
Vgs1
Vdso
Vds
vgs3>Vgs2>Vgs1
log Id
Id pico
Id cont
A
B C
aps td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantm em conduo e
Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a reduo de Vds ocorre um aparente
aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo com que a
variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se
mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg.
Vgg
V+
Io
Vgs Df
V+
Vth
Cgd
Id Id=Io Vdd
Vds Cds
Rg
Vds
Vds on Vgs
Vgg
Cgs Id
td
CARGA INDUTIVA
Figura 1.52 - Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva.
Na verdade, o que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que
drena corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia
entre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno. A
descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de acionamento,
reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd esteja
descarregado.
Os manuais fornecem informaes sobre as capacitncias operacionais do transistor
(Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 1.53, as quais se relacionam com as capacitncias do
componente por:
Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curto-circuitada
Crs = Cgd
Coss ~ Cds + Cgd
b) Desligamento
O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso
de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de
entrada.
Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de
armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.
C (nF)
C (nF)
4
Ciss 4
Cgs
3
3
Coss Cds
2
2
1
Crss 1 Cgd
0
0
0 10 20 30 40 Vds (V) 0 10 20 30 40 Vds (V)
Figura 1.53 - Capacitncias de transistor MOSFET
Gate (porta)
Emissor
SiO2
N+ N+
J3
metal
C
P
B
J2
N-
N+
J1
P+
Coletor
Figura 1.54 - Estrutura bsica de IGBT.
1.10 IGCT
Figura 1.55 IGCT e seu circuito de comando integrado ao dispositivo de potncia e circuito de
inversor com IGCT.
Embora existam alguns diodos realizados com outros materiais (Arseneto de Glio e
Carbeto de Silcio), o silcio atualmente praticamente o nico material utilizado para a
fabricao de componentes semicondutores de potncia. Isto se deve ao fato de que se tem
tecnologia para fazer o crescimento de monocristais de silcio com pureza e em dimetro
suficientes, o que ainda no possvel para outros materiais.
Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relao ao silcio,
mas que ainda no so produzidos em dimenses e grau de pureza necessrios fabricao de
componentes de potncia.
Arseneto de Glio (GaAs) um destes materiais. Por possui um maior gap de energia,
sempre em relao ao silcio, dispositivos construdos a partir deste material apresentam menor
corrente de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez que a
mobilidade dos portadores muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor
resistncia de conduo, especialmente nos dispositivos com conduo por portadores
majoritrios (MOSFET). Alm disso, por apresentar uma maior intensidade de campo eltrico de
ruptura, ele poderia suportar maiores tenses.
A tabela 1.1 mostra propriedades de diversos materiais a partir dos quais pode-se,
potencialmente, produzir dispositivos semicondutores de potncia.
Carbetos de Silcio so materiais sobre os quais se fazem intensas pesquisas. O gap de
energia maior que o dobro do Si, permitindo operao em temperaturas elevadas.
Adicionalmente apresenta elevada condutividade trmica (que baixa para GaAs), facilitando a
dissipao do calor produzido no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em relao
tanto ao Si quanto ao GaAs a intensidade de campo eltrico de ruptura, que aumentada em
uma ordem de grandeza.
Outro material de interesse potencial o diamante. Apresenta, dentre todos estes
materiais, o maior gap de energia, a maior condutividade trmica e a maior intensidade de
campo eltrico, alm de elevada mobilidade de portadores.
Uma outra anlise pode ser feita comparando o impacto dos parmetros mostrados na
tabela 1.I sobre algumas caractersticas de componentes (hipotticos) construdos com os novos
materiais. As tabelas 1.II a 1.IV mostram as variaes de alguns parmetros. Tomem-se os
valores do Si como referncia. Estas informaes foram obtidas em Mohan, Robbins e Undeland
(1994).
Tabela 1.III Dopagem e comprimento da regio de deriva necessrio para uma juno abrupta
suportar 1kV
Material Si GaAs SiC Diamante
Dopagem (cm-3) 1,3.1014 5,7.1014 1,1.1016 1,5.1017
Comprimento (m) 100 50 10 2
Tabela 1.IV Tempo de vida de portador (na regio de deriva) para uma juno pn com ruptura de
1000V
Material Si GaAs SiC Diamante
Tempo de vida 1,2 s 0,11 s 40 ns 7 ns
Muitos problemas tecnolgicos ainda devem ser solucionados para que estes materiais se
constituam, efetivamente, em alternativas para o Si. Silcio um material que vem sendo
estudado h quase meio sculo e com enormes investimentos. O mesmo no ocorre com os
demais materiais.
O GaAs vem sendo estudado nas ltimas 2 dcadas, mas com uma nfase em dispositivos
rpidos, seja para aplicaes computacionais, seja em comunicaes ticas. No existe ainda
tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimenso necessrias construo de
componentes de potncia. Alm disso, em relao ao Si, este material no possui um xido
natural (como o SiO2), dificultando a formao de camadas isolantes e de mscaras para os
processos litogrficos. Em 1994 a Motorola anunciou o lanamento comercial de diodo Schottky
de 600V. No entanto, embora para este componente especfico o aumento da tenso seja
significativo, as vantagens do GaAs sobre o Si so incrementais, quando comparadas com os
outros materiais.
Para componentes de SiC, em 2003 a Infineon passou a comercializar um diodo
Schottky, para 600V, com corrente at 12 A (SDP12S06). No est disponvel nenhum
componente de estrutura mais complexa, em nvel de potncia compatvel com as aplicaes de
interesse. O custo deste componente ainda muito elevado frente aos dispositivos de Si.
Quanto ao diamante, no existe ainda uma tecnologia para construo de "waffers" de
monocristal de diamante. Os mtodos existentes para produo de filmes finos levam a estruturas
policristalinas. A difuso seletiva de dopantes e a realizao de contatos hmicos ainda devem
ser objeto de profundas pesquisas.
Grafham, D.R. e Golden, F.b., editors: SCR Manual. General Electric, 6o ed., 1979, USA.
Rice, L.R., editor: SCR Designers Handbook. Westinghouse Electric Co., 1970, USA
Hoft, R.G., editor: SCR Applications Handbook. International Rectifiers, 1977, USA
Bimal K. Bose Power Electronics - A Technology Review, Proceedings of the IEEE, vol 80,
no. 8, August 1992, pp. 1303-1334.
Detemmerman, B.: Parallel and Serie Connection of GTOs in Traction Applications. I European
Conference on Power Electronics and Applications, 1985.
Hausles, M. e outros: Firing System and Overvoltage Protection for Thyristor Valves in Static
VAR Compensators. Brown Boveri Review, 4-1987, pp. 206-212
Miller, T.J.E.: Reactive Power Control in Electric Systems. John Wiley & Sons, 1982, USA
E. Duane Wolley: Gate Turn-off in p-n-p-n devices. IEEE Trans. On Electron Devices,
vol. ED-13, no.7, pp. 590-597, July 1966
Yasuhiko Ikeda: Gate Turn-Off Thyristors. Hitachi Review, vol 31, no. 4, pp 169-172, Agosto
1982
A. Woodworth: Understanding GTO data as an aid to circuit design. Electronic Components and
Applications, vol 3, no. 3, pp. 159166, Julho 1981
Steyn, C.G.; Van Wyk, J.D.: Ultra Low-loss Non-linear Turn-off Snubbers for Power Electronics
Switches. I European Conference on Power Electronics and Applications, 1985.
Arthur D. Evans, Designing with Field-Effect Transistors, McGraw-Hill, New York, 1981.
Uma vez que as fontes de alimentao so, tipicamente, de valor constante, sejam elas
CA ou CC, caso seja preciso variar a tenso aplicada sobre uma carga, necessrio o emprego de
algum dispositivo que seja capaz de "dosar" a quantidade de energia transferida.
Se o controle deve ser feito sobre a tenso, o dispositivo deve ter uma posio em srie
entre a fonte e a carga, como indicado na figura 2.1.
Pode-se ter um atuador linear, sobre o qual tem-se uma queda de tenso proporcional
sua impedncia. Este tipo de controle da tenso tem como inconveniente a perda de energia
sobre a resistncia srie.
A maneira mais eficiente e simples de manobrar valores elevados de potncia por meio
de chaves. Obviamente esta no uma variao contnua. No entanto, dada a caracterstica de
armazenadores de energia presentes em quase todas as aplicaes, a prpria carga atua como um
filtro, extraindo o valor mdio da tenso instantnea aplicada sobre ela.
Como uma chave ideal apresenta apenas os estados de conduo (quando a tenso sobre
ela nula) e de bloqueio (quando a corrente por ela nula), no existe dissipao de potncia
sobre ela, garantindo a eficincia energtica do arranjo.
Na maior parte dos casos, a freqncia de comutao da chave muito maior do que a
constante de tempo da carga.
+ Vr -
S
+ Rr + + +
Carga Vo Carga vo
Vi Vi
-
Vo=Vi-Vr Vo = vo
Vi Vi vo
Vo
Vo
Vr
t t
(a) (b)
Figura 2.1 Reguladores de tenso srie (a) e chaveado (b),
supondo uma tenso de entrada CC.
elementos interruptores, a entrada em conduo pode se dar quando tenso for nula, e o
desligamento ocorre quanto a corrente se anula. Em caso de uma carga resistiva, ambas
comutaes se do com corrente e tenso nulas. Tambm neste caso a carga fica conectada
rede durante diversos semiciclos.
Neste sistema, escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tenso de
alimentao. A preciso do ajuste da sada depende, assim, da base de tempo utilizada. Por
exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semiciclos. O ajuste da tenso aplicada carga
pode ter uma resoluo mnima de 1/120.
Um mtodo de se conseguir o controle usar um gerador de sinal triangular de freqncia
fixa que comparado com um sinal CC de controle. O sinal triangular estabelece a base de
tempo do sistema. O sinal de controle Vc vem do circuito de controle da varivel de interesse
(por exemplo, a temperatura de um forno). A potncia entregue carga varia proporcionalmente
a este sinal. A figura 2.2 ilustra este funcionamento.
Vrampa
Vc
T
t1
t1
O valor eficaz da tenso aplicada carga dado por: Vef = Vp , sendo Vp o valor de
2T
pico da tenso senoidal.
Embora os problemas de IEM em alta freqncia sejam muito reduzidos, podem surgir
outros, decorrentes de flutuao na tenso da rede, devido s comutaes da carga.
A norma internacional IEC 61000-3-3 estabelece limites para flutuaes de tenso em
baixa freqncia, como mostra a figura 2.3. Dependendo da freqncia com que se d a
comutao da carga, existe um valor mximo admissvel de variao de tenso no ponto de
acoplamento comum. Por exemplo, uma carga que produza uma flutuao na tenso de 1,5 %
poderia alterar seu estado entre ligado e desligado no mximo 7 vezes por minuto.
Uma das maneiras de verificar se uma carga de uso domstico fere a tais limitaes
utilizando-se de uma impedncia tpica, definida pela norma, e mostrada na figura 2.3.
Conhecida a potncia da carga, sabe-se qual ser a variao da tenso medida por M. Este um
mtodo analtico. Existem mtodos experimentais, que esto relacionados com esta norma, mas
se atm ao fenmeno de cintilao luminosa (flicker), que relaciona a flutuao da tenso
variao da intensidade luminosa de uma lmpada incandescente.
d (%)
L
~
G Ra jXa
EST
N
Rn jXn
S M
Figura 2.3 Relao entre a taxa de flutuao da tenso e o nmero de transies e impedncia
tpica definida pela norma
onde:
EST- equipamento sob teste
M- equipamento de medida
S- fonte de energia consistindo de um gerador G e uma impedncia de referncia Z, com os
elementos:
Ra= 0,24 Xa= 0,15 a 50 Hz
Rn= 0,16 Xn= 0,10 a 50 Hz
a) Carga resistiva
A ttulo de exemplo, tomemos o caso de um variador de tenso CA, alimentando uma
carga resistiva, cujo circuito e formas de onda esto mostrados na figura 2.4. Para uma carga
resistiva, o desligamento do SCR se dar no momento em que a corrente cai a zero. Obviamente
as formas de onda da tenso e da corrente na carga so as mesmas.
O valor da tenso eficaz aplicada carga resistiva :
( )
1 1 sin( 2)
Vo ef = V p sin( ) d = Vp +
2
(2.1)
2 2 4
onde:
vi(t)=Vp . sin ()
= t
o ngulo de disparo do SCR, medido a partir do cruzamento da tenso com o zero.
200V
100V
S1
i(t)
0V
Ro
vi(t) S2 v
o
-100V
. -200V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Figura 2.4 Circuito e forma de onda de variador de tenso CA alimentando carga resistiva.
A figura 2.5 mostra a variao da tenso eficaz de sada como funo do ngulo de
disparo, supondo conduo simtrica de ambas chaves. A componente fundamental e as
componentes harmnicas da tenso na carga esto mostradas tambm na figura 2.5 e so dadas
por:
sin( 2)
Vh1 = Vp + +
[cos(2) 1]
2 2
(2.2)
2 ( 2 ) 2
Tenso de sada
1
0.5
0 1 2 [rad]
Harmnica 1
0.8
0.6
0.4
Harmnica 3
0.2 Harmnica 5
Harmnica 7
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Figura 2.5 Valor eficaz da tenso de sada, normalizada em relao ao valor eficaz da tenso de
entrada (superior) e amplitude das harmnicas, normalizadas em relao amplitude da tenso
de entrada, para carga resistiva (inferior).
b) Carga indutiva
A figura 2.6 mostra topologia e formas de onda tpicas em um variador de tenso, para
alimentao monofsica, tendo como carga uma indutncia pura. Esta configurao tpica de
um Reator Controlado por Tiristor (RCT).
A operao, neste caso, s possvel para ngulos de disparo entre 90o e 180o. Se o
disparo ocorrer para um ngulo inferior a 90o, a corrente pelo indutor S1 no ter se anulado
quando ocorrer o pulso para S2, de modo que S2 no poder entrar em conduo. Aps alguns
instantes a corrente ir a zero, desligando S1, o qual, ao receber o novo pulso de disparo, entrar
novamente em conduo. Desta forma, ao invs de se ter uma corrente CA sobre a indutncia,
ela ser uma corrente unidirecional.
Uma alternativa para garantir uma corrente bidirecional , ao invs de enviar apenas um
pulso de disparo, manter o sinal de comando at o final de cada semiciclo. Isto faz com que o
controlador de tenso se comporte como um curto, mantendo uma corrente CA, mas sem
controle.
40A
i(t)
S1
i(t) Corrente na carga
extino de S1
L -40A
200V
vi(t) S2 v vo(t)
disparo de S2 Tenso na carga
o
disparo de S1
. -200V
Figura 2.6 Circuito e formas de onda de variador de tenso CA com carga indutiva.
Vi
i(t) = [ cos( ) cos(t )] (2.3)
L
sin( 2 )
Vo ef = Vi +
2
A figura 2.7 mostra a variao do valor desta tenso (normalizado em relao tenso de
entrada), como funo do ngulo de disparo.
As amplitudes das componentes fundamental e harmnicas (mpares) so mostradas na
figura 2.7 e valem, respectivamente, para as tenses:
2 Vi sin( 2 )
Vh1 = + (2.4)
2
sin ( )
I1 = V (2.6)
XL
para k=3,5,7...
0.5
0 1
/2 2 3 [rad]
1a 1
0.5 0.5
a
3
a
5 3
7a 0
5
2 2.5 3
/2
0
/2 2 2.5 3
Figura 2.7 Tenso eficaz, normalizada (superior) e amplitude (normalizada) das harmnicas da
tenso e da corrente sobre uma carga indutiva (inferior)
T L E
E D vo C R Vo
Vo
t
T t
Figura 2.8 Conversor abaixador de tenso e forma de onda da tenso sobre o diodo.
vp
vc vp
-
vo
vo
vc
+
Vo
Na figura 2.10 tem-se o espectro de uma onda MLP, onde se observa a presena de uma
componente contnua que reproduz o sinal modulante. As demais componentes aparecem nos
mltiplos da freqncia da portadora sendo, em princpio, relativamente fceis de filtrar dada sua
alta freqncia.
8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
0V
0Hz 50KHz 100KHz 150KHz 200KHz
no permite o controle da amplitude nem do valor eficaz da tenso de sada, a qual poderia ser
variada apenas se a tenso de entrada, E, fosse ajustvel.
O espectro de uma onda quadrada conhecido e apresenta todos os componentes
mpares, com decaimento de amplitude proporcional freqncia dos mesmos.
D2 T2 D1 T1 V
Ia S
+E
A
T2/T3 I
Vs Carga a
E
B Monofsica T1/T4
-E
D1 D2
D4 T4 D3 T3 D4 D3
Figura 2.11 Inversor monofsico e forma de onda quadrada de sada (carga indutiva).
T1/T4
-V D1/D4 T2/D1
o o
1.5A 0 120 o 180 o 300 o 360
0A
0Hz 1.0KHz 2.0KHz 3.0KHz 4.0KHz 5.0KHz 6.0KHz
Frequency
cada um acionado no momento adequado, de modo a tentar reproduzir uma forma de onda que se
aproxime de uma senide (ou de uma outra forma desejada).
Na figura 2.13 tem-se um diagrama esquemtico do conversor multinvel que utiliza
diversos inversores de onda quase-quadrada para obter o sinal multinvel.
Inversor onda
E V3
quase-quadrada
Inversor onda 3E
E V2
quase-quadrada
Vo
Inversor onda
E V1
quase-quadrada
Existem outras topologias que tambm permitem obter sinais deste tipo, sem recorrer
simples associao de conversores. Em 2.14 tem-se uma forma de onda deste tipo e o respectivo
espectro. Nota-se que a distoro harmnica reduzida, embora existam componentes espectrais
em baixa freqncia. Os filtros necessrios obteno de uma onda senoidal devem ter uma
freqncia de corte baixa, uma vez que as componentes harmnicas apresentam-se em mltiplos
da freqncia da rede. No entanto, a atenuao no precisa ser muito grande, uma vez que as
amplitudes das harmnicas so pequenas. Aumentando-se o nmero de pulsos as primeiras
harmnicas surgiro em freqncias mais elevadas. No caso de N nveis, as componentes so de
freqncias mltiplas de (2N+1).
1 11 13 23 25 ordem harmnica
Figura 2.14 Forma de onda e espectro de sinal multinvel.
Sinal MLP
Time
possvel ainda obter uma modulao a 3 nveis (positivo, zero e negativo). Este tipo de
modulao apresenta um menor contedo harmnico, como mostram a figura 2.16. A produo
de um sinal de 3 nveis ligeiramente mais complicada para ser gerado analogicamente. Uma
maneira de faz-lo, para um inversor monofsico, de acordo com a seguinte seqncia:
durante o semiciclo positivo, T1 permanece sempre ligado;
o sinal MLP enviado a T4 e o mesmo sinal barrado enviado a T2.
no semiciclo negativo, quem permanece conduzindo T3,
o sinal MLP enviado a T2 e o sinal barrado vai para T4.
A recuperao da onda de referncia facilitada pela forma do espectro. Note-se que,
aps a componente espectral relativa referncia, aparecem componentes nas vizinhanas da
freqncia de chaveamento. Ou seja, um filtro passa baixas com freqncia de corte acima da
freqncia da referncia perfeitamente capaz de produzir uma atenuao bastante efetiva em
componentes na faixa dos kHz. Na figura 2.16 tem-se tambm as formas de onda filtradas (filtro
LC, 2mH, 20F). Uma reduo ainda mais efetiva das componentes de alta freqncia obtida
com o uso de filtro de ordem superior.
O uso de um filtro no amortecido pode levar ao surgimento de componentes oscilatrias
na freqncia de ressonncia, que podem ser excitadas na ocorrncia de transitrios na rede ou
na carga. Em regime elas no se manifestam, uma vez que o espectro da onda MLP no as
excita. O uso de filtros amortecidos pode ser indicado em situaes em que tais transitrios
possam ser problemticos, com a inevitvel perda de eficincia do filtro. Os menores valores
dos elementos de filtragem tornam a resposta dinmica deste sistema mais rpida que as obtidas
com filtros aplicados s tcnicas de modulao anteriores.
400V
-400V
400V
-400V
10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
a) Formas de onda de tenso e de corrente em modulao MLP de 2 e de 3 nveis.
200V
0V
200V
0V
0Hz 5KHz 10KHz 15KHz 20KHz
Figura 2.16 b) Espectro dos sinais MLP de 2 e 3 nveis.
Neste caso opera-se a partir de um pulso de largura fixa, cuja taxa de repetio varivel.
A figura 2.17 mostra um pulso de largura fixa modulado em freqncia.
Um pulso modulado em freqncia pode ser obtido, por exemplo, pelo uso de um
monoestvel acionado por meio de um VCO, cuja freqncia seja determinada pelo sinal de
controle.
vo
E
Vo
0
t1 t2 t3
Figura 2.17 Pulso de largura modulado em freqncia.
mudana na carga
io Imax
Io
Imin
t
vo
E
0
t
Figura 2.18 Formas de onda de corrente e de tenso instantneas com controlador MLC.
A obteno de um sinal MLC pode ser conseguida com o uso de um comparador com
histerese, atuando a partir da realimentao do valor instantneo da corrente. A referncia de
corrente dada pelo erro da tenso de sada (atravs de um controlador integral). A figura 2.19
ilustra este sistema de controle. Na figura 2.20 v-se a forma de onda da tenso de sada,
aplicada carga e o respectivo espectro. Note-se o espalhamento devido ao fato de a freqncia
no ser constante.
possvel obter um sinal MLC com freqncia fixa caso se adicione ao sinal de entrada
do comparador uma onda triangular cujas derivadas sejam maiores do que as do sinal de
corrente. Assim os limites reais da variao da corrente sero inferiores ao estabelecido pelo
comparador. Pode-se ainda variar a banda de histerese, buscando minimizar a variao da
freqncia.
Em princpio o controle por histerese pode ser aplicado tambm no controle de tenso,
desde que a fonte tenha um comportamento de fonte de corrente.
V vo(t)
Inversor
sensor de
io
corrente
sinal sincronizador
comparador
com histerese
i*
Figura 2.20 - esquerda: Sinal MLC (superior), entrada do comparador com histerese e corrente
resultante (inferior). direita: Espectro de sinal MLC (superior) e da corrente de sada (inferior).
Uma alternativa, que tem como caracterstica o espalhamento do espectro, o uso de uma
freqncia de chaveamento no fixa, mas que varie, dentro de limites aceitveis, de uma forma,
idealmente, aleatria. Isto faz com que as componentes de alta freqncia do espectro no
estejam concentradas, mas apaream em torno da freqncia base, como se observa na figura
2.21. Note-se que o nvel relativo referncia, neste caso uma senide, no sofre alterao, uma
vez que independe da freqncia de chaveamento. Na mesma figura (parte b)), observa-se o sinal
modulado e o que se obtm aps uma filtragem das componentes de alta freqncia. Observe
que, como a freqncia varia ao longo do perodo da referncia, tem-se uma alterao na
atenuao proporcionada pelo filtro, que se torna menor na medida em que diminui a freqncia
de comutao.
a)
b)
Figura 2.21 a) - Espectro de sinal MLP (referncia CC) com portadora de freqncia varivel.
b) - Sinal modulado em largura de pulso com variao da freqncia da portadora (superior);
referncia CA e sinal recuperado aps filtragem (inferior)
Considerando, a ttulo de exemplo, o caso da modulao por onda quadrada, mas sem
perda de generalidade, possvel eliminar uma dada harmnica se a cada de ciclo for
introduzida uma comutao adicional, como mostrado na figura 2.22.
Para uma amplitude unitria, a forma de onda da fig. 2.22 expressa por:
v(t) =
4
{2 cos[(2n 1)] 1} sin[(2n 1)t ]
n =1 ( 2 n 1) (2.7)
v(t)
Note que se =0 tem-se a expresso da srie de Fourier de uma onda quadrada. Para
eliminar a 3a harmnica deve-se impor, no intervalo 0<</2 que:
2 cos(3) 1 = 0 (2.8)
isto significa =/9, para qualquer valor de t. O impacto sobre a componente fundamental de v(t)
que ocorre uma reduo de seu valor eficaz para 88%, em relao ao valor de onda quadrada.
possvel estender este mesmo enfoque para a eliminao de um nmero qualquer de
harmnicos. Uma expresso geral para v(t), considerando que existem h pulsos inseridos no
intervalo entre 0 e /2, :
h
( 1) k cos[( 2n 1) k ] sin[( 2n 1) t ]
4
v ( t ) = ( 1) h 1 + 2
n =1 ( 2 n 1) k =1 (2.9)
h
cos[2n 1) k ] =
1
( 1)
k =1
k
2 (2.10)
clock
+
vo
E
Vo
vo
E
integrador
vi v*
Q Q
comparador Ci
S R vi Rf
+
fc +
v*
clock referncia
clock
+
vo
E
Vo
vo
E
v*
clock
integrador
fc comparador vo
sinal
+ I v* de
+
S&H referncia erro
Este tpico baseia-se no material do prof. S. Buso, utilizado no curso sobre Controle
Digital de Conversores de Potncia, e pode ser encontrado na ntegra em :
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/Digital.html.
Um inversor trifsico, como o mostrado na figura 2.25, pode produzir trs tenses
independentes, V1, V2 e V3. Tais tenses podem apresentar apenas 2 nveis, dependendo de quais
interruptores estiverem conduzindo. Em relao ao ponto neutro, os valores mdios de tais
tenses podem variar entre +E/2 e -E/2, sendo E o valor da tenso no lado CC.
Se a fonte CC possuir um ponto mdio e a carga estiver a ele conectado (conexo estrela
com neutro), o potencial deste ponto no se altera. No entanto, se o neutro da carga no estiver
ligado, seu potencial variar, dependendo dos estados dos interruptores do inversor.
Qualquer conjunto de trs tenses pode ser representado por um vetor no plano definido
por eixos abc, deslocados 120 um do outro, como mostra a figura 2.26. Normalmente a
informao sobre o valor da tenso de neutro perdida, pois se situaria no eixo ortogonal ao
plano abc.
+
E
-
v1 v2 v3
V1 b
V3 V
V2
V1 a
V2 V3
V3 V2
c
V1
V 1 2 2
1 1
V =
V2
0 3
2
3
2 V3
(2.11)
V3
b 2/3 V
V
V3
V
V
V1 a
V1 V c V2
V2
Figura 2.27 - Vetor de tenso resultante no plano e transformao inversa
Os estados do inversor tambm podem ser representados por vetores, como o exemplo
mostrado na figura 2.28, para o estado chamado 100, no qual V1=E, V2=0 e V3=0.
V 010 V110
+ V1
V100
E V2
V 011
- V3
V001 V101
O vetor nulo, definido como os estados 111 ou 000, ou seja, quando os trs interruptores
superiores, ou os trs inferiores estivem simultaneamente fechados, so representados pelo ponto
na origem do plano.
A modulao vetorial realizada gerando, dentro de cada perodo de comutao, uma
seqncia de diferentes estados do inversor. Tal seqncia normalmente consiste de trs vetores,
um dos quais o vetor nulo. A soma das larguras de pulso relativas a cada estado deve satisfazer
restrio:
1 + 2 + 3 = 1 (2.13)
3 = 1 1 2 (2.14)
A figura 2.29 mostra o procedimento para definir os estados a serem utilizados, suas
respectivas larguras de pulso e os limites de V* que podem ser produzidos com esta tcnica, que
so os vetores contidos no hexgono.
V110
V110 V110
V* V*
V111 V111
1 V110 V*
V100 V100
V100
3V111 2V100
Figura 2.29 - Definio dos estados do inversor, respectivas larguras de pulso e seus limites
Diferentes estratgias podem ser utilizadas para gerar os vetores necessrios, como
mostra a figura 2.30. No caso (a), o estado V1=1 comum aos dois vetores, sendo mantido fixo
durante todo o perodo de comutao. As comutaes so realizadas nos ramos que produzem V2
e V3.
E
V1
E
V2
E
V3
V100 V110 V111 V100 V110 V111
2T 1T 3T 2T 1T 3T
T T
(a)
E
V1
E
V2
E
V3
V100 V110 V111 V111 V110 V100
2T 1T 3T 3T 1T 2T
T T
(b)
E
V1
E
V2
E
V3
V000 V100 V110 V111 V110 V100 V000
T/2 T 1T 3 T T 2T 3T/2
2 1
T T
(c)
Figura 2.30 - Possveis realizaes para obter V* (exemplo da fig. 2.27)
No caso (b) tem-se uma estratgia que minimiza as comutaes, o que reduz as perdas do
conversor. Note que V1 est sempre em 1, como no caso anterior. A diferena que cada
perodo adjacente espelhado, de modo a no ser preciso alterar o estado anterior dos
interruptores.
No caso (c) o estado nulo feito com o vetor 111 e com o vetor 000. Sua principal
caracterstica o fato dos pulsos de cada fase estarem centrados exatamente na passagem de um
ciclo de comutao para outro. Esta estratgia facilita a observao, por exemplo, do valor da
corrente de cada fase. Fazendo-se a observao precisamente neste instante tem-se uma
amostragem do valor mdio da corrente (supondo uma carga com caracterstica indutiva, que
normalmente ocorre), sem ser preciso qualquer tipo de processamento do valor amostrado. Pelo
fato de se estar distante dos momentos das comutaes, os eventuais rudos produzidos pelo
chaveamento tambm j tero sido amortecidos, como ilustra a figura 2.31.
A forma de onda obtida da estratgia (c) a mesma que se tem na modulao analgica
com onda triangular, usando um perodo 2T, como mostra a figura 2.32.
No entanto, apesar da simetria dos pulsos, o uso de modulao vetorial leva produo
inerente de uma terceira harmnica nas tenses de fase. Isto pode ser analisado como se o ponto
do vetor nulo no permanecesse no plano, mas se deslocasse ortogonalmente a ele. Observe-se
aqui que, sendo um sistema a trs fios, quando so definidas as tenses em duas fases, a terceira
est necessariamente definida.
corrente
rudo
valor mdio
T T
A figura 2.33 ilustra o fato de que a existncia de um nvel comum s 3 fases (no
exemplo, um nvel CC), no afeta a tenso de linha, que se mantm simtrica e equilibrada. O
efeito da terceira harmnica semelhante, como se v na mesma figura. Ou seja, as tenses de
fase possuem a terceira harmnica, mas ela no se apresenta na tenso de linha, por ser de modo
comum.
Esta terceira harmnica, ao reduzir o pico da tenso, permite que a componente
fundamental associada a esta onda tenha um valor de pico de 1,15E, ou seja, maior do que
existiria sem a terceira harmnica! Este fato est mostrado na figura 2.33.
V10 V 10
V N0
V 20
V 20 VN0
V 30
V30
V N0
VN0
V 23 V 12 V 31 V 23 V 12 V 31
1.15 E
E
V N0
E/2
V 10
0
Figura 2.34 - Efeito da presena de terceira harmnica na modulao vetorial
componente um valor de razo cclica de modo a requerer apenas dois estados. Isto se obtm
saturando a mxima (ou a mnima) largura de pulso em cada perodo de comutao, como
mostra a figura 2.35. Tambm neste caso obtm-se uma componente fundamental senoidal (se
for o caso) com amplitude 1,15 E. A reduo nos chaveamentos (diminuindo as perdas de
comutao) evidente.
+E V 10
0
+E V 20
0
+E V 30
E
0 V 10
+E V N0 V10avg
0
V 23 V12 V31
2.11.1 Saturao
Quando o vetor de referncia V* excede os limites do hexgono (figura 2.29) deve-se
arbitrar alguma estratgia para, ainda assim, possibilitar o comando do conversor.
Uma possibilidade reduzir o mdulo de V*, mantendo seu ngulo, at ser atingido o
limite do hexgono, como mostra a figura 2.36. A implementao desta estratgia (em um DSP,
por exemplo), exige uma operao de diviso, o que nem sempre est disponvel, ou
suficientemente rpida. Uma outra alternativa manter a maior componente (j feita a projeo
de V* nos vetores adjacentes) e reduzir a menor componente at que a resultante recaia no
hexgono. Neste caso no h operaes aritmticas significativas, sendo de fcil implementao.
No entanto tem-se um erro de amplitude e de fase no vetor gerado.
V* V*
V*sat
V*sat
Existem situaes em que uma das projees, por si s, j maior que a unidade, de
modo que as estratgias anteriores no podem ser aplicadas. Neste caso, escolhe-se o vetor mais
prximo de V* e este estado mantido por todo o perodo de comutao. O conversor passa a ter
um funcionamento de onda quase-quadrada. Esta situao ilustrada na figura 2.37. Na mesma
figura mostram-se as regies de saturao leve e de saturao profunda.
V*'
V*
Saturao leve
V=V'
Saturao profunda
(regio do crculo e externa)
V*"
O uso da segunda estratgia mostrada na figura 2.36 e desta ltima para a saturao
profunda tem a vantagem de permitir uma passagem suave de uma situao no-saturada para a
saturada, como mostra a figura 2.38.
0
Figura 2.38 - Passagem de modulao vetorial normal para saturada e com saturao profunda:
tenso MLP e corrente resultante em carga indutiva.
Francis Labrique e Joo Jos Esteves Santana: Electrnica de Potncia, Edio da Fundao
Calouste Gulbekian, Lisboa, 1991
Muhammad H. Rashid: Power Electronics: Circuits, Devices and Applications, 2nd Ed.
Prentice Hall International Editions, USA, 1993
K. M. Smedley and S. Cuk: One-Cycle Control of Switching Converters. Proc. of PESC 91,
pp. 888-896.
W. Tang and F. C. Lee: Charge Control: Modeling, Analysis and Design. Proc. of VPEC
Seminar, 1992, Blacksbourg, USA.
J. Holtz et. Alli: On Continuous Control of PWM Inverters in the Overmodulation Range
Including the Six-Step Mode. Proc. of IEEE IECON, 1992, pp. 307-312.
H. W. van der Broeck et alli: Analysis and Realization of a Pulsewidth Modulator Based on
Voltage Space Vectors. IEEE Trans. on Industry Applications, vol. 24, no. 1, Jan/Feb 1988, pp.
142-150.
Este captulo se inicia com uma reviso de alguns conceitos bsicos dos retificadores.
Este assunto j deve ter sido objeto de estudo em cursos de graduao, razo pela qual no se faz
uma anlise aprofundada dos mesmos. O foco deste tpico estudar novas estruturas de
retificadores e suas aplicaes.
O fornecimento de energia eltrica feito, essencialmente, a partir de uma rede de
distribuio em corrente alternada, devido, principalmente, facilidade de adaptao do nvel de
tenso por meio de transformadores.
Em muitas aplicaes, no entanto, a carga alimentada exige uma tenso contnua. A
converso CA-CC realizada por conversores chamados retificadores.
Os retificadores podem ser classificados segundo a sua capacidade de ajustar o valor da
tenso de sada (controlados x no controlados); de acordo com o nmero de fases da tenso
alternada de entrada (monofsico, trifsico, hexafsico, etc.); em funo do tipo de conexo dos
elementos retificadores (meia ponte x ponte completa).
Os retificadores no-controlados so aqueles que utilizam diodos como elementos de
retificao, enquanto os controlados utilizam tiristores ou transistores.
Usualmente topologias em meia ponte no so aplicadas. A principal razo que, nesta
conexo, a corrente mdia da entrada apresenta um nvel mdio diferente de zero. Tal nvel
contnuo pode levar elementos magnticos presentes no sistema (indutores e transformadores)
saturao, o que prejudicial ao sistema. Topologias em ponte completa absorvem uma corrente
mdia nula da rede, no afetando, assim, tais elementos magnticos.
A figura 3.1 mostra o circuito e as formas de onda com carga resistiva para um retificador
monofsico com topologia de meia-ponte, tambm chamado de meia-onda.
Vo
Tenso de entrada
0V
Figura 3.1 Topologia e formas de onda (com carga resistiva) de retificador monofsico no-
controlado, meia-onda.
entrada fique maior, recarregando o capacitor. A forma de onda da corrente de entrada muito
diferente de uma senide, apresentando pulsos de corrente nos momentos em que o capacitor
recarregado, como mostrado na figura 3.4.
Para o retificador com carga indutiva (fig. 3.2.C), a carga se comporta como uma fonte de
corrente. Dependendo do valor da indutncia, a corrente de entrada pode apresentar-se quase
como uma corrente quadrada, como mostrado na figura 3.5. Para valores reduzidos de
indutncia, a corrente tende a uma forma que depende do tipo de componente sua jusante. Se
for apenas uma resistncia, tende a uma senide. Se for um capacitor, tende forma de pulso,
mas apresentando uma taxa de variao (di/dt) reduzida.
+ + + +
Vr
Vp.sin(t) Vo=Vr Vp.sin(t) Vo Vp.sin(t) Vo
100V
0V
200V
Tenso na entrada
0V
-200V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Corrente de entrada
Tenso de entrada
Figura 3.4 Formas de onda para retificador monofsico no-controlado, onda completa, com
carga capacitiva.
Tenso de entrada
Corrente de entrada
resistivo dominante
Figura 3.5. Formas de onda no lado CA para retificador monofsico, onda-completa, no-
controlado, alimentando carga indutiva.
Lo
+ +
Vr
Co Vo
Tenso
Figura 3.7 Formas de onda no lado CA para retificador trifsico, onda-completa, no-controlado,
alimentando diferentes tipos de carga.
1
P T i
v ( t ) ii ( t ) dt
FP = = (3.1)
S VRMS I RMS
I1
FPV = cos 1 (3.3)
sen o
I RMS
onde I1 o valor eficaz da componente fundamental e 1 a defasagem entre esta componente da
corrente e a onda de tenso.
Neste caso, a potncia ativa de entrada dada pela mdia do produto da tenso (senoidal)
por todas as componentes harmnicas da corrente (no-senoidal). Esta mdia nula para todas as
harmnicas exceto para a fundamental, devendo-se ponderar tal produto pelo cosseno da
defasagem entre a tenso e a primeira harmnica da corrente. Desta forma, o fator de potncia
expresso como a relao entre o valor eficaz da componente fundamental da corrente e a corrente
eficaz de entrada, multiplicada pelo cosseno da defasagem entre a tenso e a primeira harmnica
da corrente.
I RMS = I12 + I 2n (3.4)
n=2
Define-se a Taxa de Distoro Harmnica TDH (em ingls, THD - Total Harmonic
Distortion) como sendo a relao entre o valor eficaz das componentes harmnicas da corrente e
o da fundamental:
I 2
n
n=2
TDH = (3.5)
I1
cos1
FP = (3.6)
1 + TDH 2
Podem ser citadas como desvantagens de um baixo FP e elevada distoro os seguintes fatos:
-
0
1.0A
100mA
10mA
1.0mA
0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz 1.2KHz 1.4KHz1.6KH
3.5 Normas IEC 61000-3-2: Distrbios causados por equipamento conectado rede pblica
de baixa tenso
Esta norma (cuja verso anterior era designada de IEC555-2) refere-se s limitaes das
harmnicas de corrente injetadas na rede pblica de alimentao. Aplica-se a equipamentos
eltricos e eletrnicos que tenham uma corrente de entrada de at 16 A por fase, conectado a
uma rede pblica de baixa tenso alternada, de 50 ou 60 Hz, com tenso fase-neutro entre 220 e
240 V. Para tenses inferiores, os limites no foram ainda estabelecidos (1990). A Emenda 14,
de janeiro de 2001 inseriu algumas alteraes nas definies das classes e nos mtodos de
medidas, devendo vigorar a partir de 2004.
Os equipamentos so classificados em quatro classes:
vac Carga
A figura 3.11 mostra as formas de onda relativas s correntes de entrada com filtro
capacitivo e com filtro LC. Pelos espectros de tais correntes nota-se a reduo significativa no
contedo harmnico da "onda quadrada" em relao "onda impulsiva". Note ainda a maior
amplitude da componente fundamental obtida no circuito com filtro capacitivo, devido sua
defasagem em relao tenso da rede.
50
tenso
C
LC
-50
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Time
20A
LC
0A
0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz 1.2KHz
Frequency
Fig. 3.11 Formas de onda e espectro da corrente de retificador monofsico com filtros capacitivo
e LC.
Io
vac
-20A
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Time
12A
0A
0Hz 0.2KHz 0.4KHz 0.6KHz 0.8KHz 1.0KHz
Frequency
0 Vac
120Hz
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms 70ms 80ms 90ms 100ms
.
Figura 3.14 Formas de onda e circuito com interruptor controlado na freqncia da rede
Vac Vo
Compensador de corrente
Iref
K A
A.B - Vref
Regulador erro
FPB C C2 B de Tenso - PI
+
Figura 3.15 Circuito de controle de conversor elevador de tenso operando como retificador de
alto fator de potncia, com controle da corrente mdia instantnea.
Corrente no interruptor
Corrente de entrada (no indutor)
Figura 3.16 Formas de onda tpicas da corrente pelo indutor e no interruptor e resultado
experimental em conversor elevador de tenso
3.5 Comutao
Para qualquer tipo de retificador, nos instantes em que ocorre a transferncia de corrente
de um par de diodos para outro, caso exista alguma indutncia na conexo de entrada, esta
transio no pode ser instantnea.
Quando a alimentao feita por meio de transformadores, devido indutncia de
disperso dos mesmos, este fenmeno se acentua, embora ocorra sempre, uma vez que as linhas
de alimentao sempre apresentam alguma caracterstica indutiva. Em tais situaes, durante
alguns instantes esto em conduo simultnea o diodo que est entrando em conduo e aquele
que est sendo desligado. Isto significa, do ponto de vista da rede, um curto-circuito aplicado
aps as indutncias de entrada, Li. A tenso efetiva na entrada do retificador ser a mdia das
tenses presentes nas fases. Tal distoro mostrada na figura 3.17, num circuito trifsico
alimentando carga indutiva. A soma das correntes pelas fases em comutao igual corrente
drenada pela carga. Quando termina o intervalo de comutao, a tenso retorna sua forma
normal (neste caso em que o di/dt em regime nulo).
Corrente de fase
Vi
Lf
+ +
Li
Vp.sin(t)
Vr Tenso de fase
Vo
intervalo de comutao
Figura 3.17 Topologia de retificador trifsico, no-controlado, com carga indutiva. Formas de
onda tpicas, indicando o fenmeno da comutao.
tenso Vi mostra-se significativamente distorcida. Note que a tenso Vi de linha igual tenso
presente no capacitor, fazendo com que tal tenso apresente um topo achatado. Qualquer outro
equipamento conectado nestes pontos ser, assim, alimentado por uma tenso distorcida.
tenso de sada
Vi corrente
0
+
Li
Cf Vo tenso de fase
tenso de linha
Figura 3.18 Topologia de retificador trifsico, no-controlado, com carga capacitiva e formas de
onda tpicas, indicando o fenmeno da comutao e da distoro da tenso.
+ + +
T1 D1 T1 T2 T1 T2
+ + +
vi(t) vo(t) vi(t) D3 vo(t) vi(t) vo(t)
T2 D2 D1 D2 T3 T4
- - -
forma plana. Vista da entrada, a corrente assume uma forma retangular, como mostram as figuras
a seguir.
vg1(t)
vg2(t)
vo(t)
iD1(t)
iD2(t)
iT1(t)
iT2(t)
Corrente de entrada
0
Figura 3.20 - Formas de onda de ponte retificadora semicontrolada assimtrica, com carga
altamente indutiva.
Vp
(1 + cos )
1
Vo = V p sin d = (3.7)
Vef =
1
(V p sin)2 d = V p 1 + sin(2) (3.8)
2 2 4
Para uma corrente de carga constante, de valor Io, a corrente eficaz na entrada :
1
= I o d = I o 1
2
I ef (3.9)
Com tais valores, possvel explicitar o fator de potncia desta carga visto pela rede:
P 2 (1 + cos )
FP = = (3.10)
S 2
FD1 = cos (3.11)
2
vg1(t)
vg2(t)
vo(t)
iT1(t)
iD2(t)
iT2(t)
iD1(t)
Corrente de entrada
0
Corrente da carga RL
0
200V Tenso na carga
Pulsos de disparo
-200V
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Figura 3.21 Formas de onda de ponte retificadora semi-controlada simtrica, com carga
altamente indutiva. Funcionamento normal (superior) e efeito da supresso dos pulsos de
comando (inferior).
Supondo vi(t) com a polaridade indicada, quando T1 for disparado, a corrente circular por
T1 e D3. Quando a tenso da fonte inverter a polaridade, D1 entrar em conduo e D2 bloquear.
A tenso na carga ser nula pois T1 e D1 conduziro, supondo que a corrente no se interrompa
(carga indutiva). Quando T2 for disparado, T1 bloquear. Diodos e tiristores conduzem, cada um
por 180o.
Note que se T2 no for disparado, e supondo que T1 continue a conduzir, em funo da
elevada constante de tempo eltrica da carga, no prximo semiciclo positivo a fonte ser novamente
acoplada carga fornecendo-lhe mais corrente. Ou seja, a simples retirada dos pulsos de disparo
no garante o desacoplamento entre carga e fonte. Para que isso ocorra necessrio diminuir o
ngulo de disparo para que a corrente se torne descontnua e assim T1 corte. Obviamente o mesmo
comportamento pode ocorrer com respeito ao outro par de componentes. Este comportamento
ilustrado na figura 3.21.
Isto pode ser evitado pela incluso do diodo de livre-circulao D3, o qual entrar em
conduo quando a tenso se inverter, desligando T1 e D1. A vantagem da montagem assimtrica
que os catodos esto num mesmo potencial, de modo que os sinais de acionamento podem estar
num mesmo potencial.
Io
iT 2 (t)= iT 3 (t)
0A
Io iT 1 (t)= iT 4 (t)
0A
20 0V v i(t)
0 vo(t)
-20 0V
0s 5m s 10 m s 15 m s 20 m s 25 m s 30 m s 35 m s 40m s
Figura 3.22 Formas de onda para ponte totalmente controlada, monofsica, alimentando carga
indutiva.
+
1 2V p
Vo =
V p sin d =
cos (3.12)
A tenso eficaz de sada igual ao valor eficaz da tenso de entrada (supondo conduo
contnua do conversor, ou seja, a ponte retificadora sempre est em funcionamento). A corrente
eficaz na entrada vale Io.
Com tais valores, possvel explicitar o fator de potncia desta carga visto pela rede:
P 2 2 cos
FP = = (3.13)
S
A corrente de entrada apresenta-se como uma onda quadrada, com sua componente
fundamental defasada de um ngulo em relao tenso. Durante os intervalos em que a
corrente e tenso na entrada apresentam sinais opostos, h um fluxo de energia da carga para a
fonte. Em regime permanente e com carga passiva, no entanto, o fluxo de potncia sempre da
fonte para a carga, ou seja, o ngulo de disparo deve ser inferior a 90.
+
ia(t)
T1 T2 La
+
vi(t) vo(t) Ra
D1 D2 Eg
-
(a) (b)
(c)
Figura 3.24. Formas de onda de retificador semicontrolado, acionando motor CC, em diferentes
valores de Eg (velocidade). De cima para baixo: vT1, iD1, ia, vo e vi.
Vp.sin(wt) Lf
Li + +
van(t)
vo(t) Vo
D1
a)
Vp.sin(wt) T1 Lf
+ +
Li
van(t)
vo(t)
Vo
b)
Figura 3.25 Retificador trifsico semicontrolado (a) e controlado (b).
3 2
Vo = Vlinha cos (3.14)
RMS
Uma corrente no lado CC de baixa ondulao reflete para o lado CA uma onda quase
quadrada, com conduo de 120 a cada 180, deslocada de um ngulo em relao tenso.
Neste caso pode-se determinar o espectro da corrente em relao corrente da carga, Io. A
corrente eficaz no lado CA 81,6% da corrente no lado CC.
A componente fundamental Ii1 = 0,78 Io , enquanto as harmnicas so dadas por:
I
Iih = i1 , onde n=6k+1, para k=1,2... (3.15)
n
3
FP = cos (3.16)
400
200
200
-200
200
200
-2 0 0
200
-2 0 0
200
-2 0 0
400
200
200
-200
16.7ms 20.0ms 25.0ms 30.0ms 35.0ms 40.0ms 45.0ms 50.0ms
200
-200
200
-200
16.7ms 20.0ms 25.0ms 30.0ms 35.0ms 40.0ms 45.0ms 50.0ms
200
-200
200
-200
16.7ms 20.0ms 25.0ms 30.0ms 35.0ms 40.0ms 45.0ms 50.0ms
Lo
+
Io
Vr
+
-
Vo
+
Vr
-
Figura 3.28 Associao em srie de retificadores no controlados. Circuito de 12 pulsos.
No circuito srie, a tenso CC total apresenta uma ondulao em 720Hz (da o nome 12
pulsos) e uma variao pico a pico de apenas 3% do valor CC. Aqui tambm, uma eventual
filtragem seria facilitada pela freqncia elevada e pela pequena amplitude das variaes.
Um caso tpico de aplicao da associao em srie de retificadores na transmisso de
energia em corrente contnua, em alta tenso (HVDC), como o caso da linha CC que conecta
Itaip a So Roque (SP), trazendo a energia comprada do Paraguai (originalmente em 50Hz). O
sistema opera, via dois cabos, que esto alimentados em +/- 600 kV, transmitindo uma potncia
Transformador de interfase
+
Io
Vr
+
-
Vo
+
Vr
600
Tenso total
400
Tenso em cada retificador
200
Tenso de fase
0
Corrente de fase
-200
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms
Figura 3.30 Formas de onda de associao em srie de retificadores.
0A
0Hz 0.5KHz 1.0KHz 1.5KHz 2.0KHz 2.5KHz 3.0KHz
Figura 3.31 Espectro da corrente na rede para retificador de 12 pulsos
Lo
isa va ia
S1 S2 S3
isb vb ib Co Ro
v
o Vo
isc vc ic
S4 S5 S6
Figura 3.32 Topologia do conversor CA-CC trifsico, operando em MLP, com sada de corrente.
Simultaneamente haver corrente apenas por 2 das 3 fases, uma vez que se 2 interruptores de
uma mesma semiponte conduzirem se colocaria em curto 2 das fases, como se pode concluir da
figura 3.32. No entanto, aps uma adequada filtragem das componentes de alta freqncia, a
corrente de sada, apresentar apenas o valor mdio que ter uma forma senoidal, se esta tiver
sido a forma do sinal de referncia usado para produzir os sinais de comando dos interruptores.
+Io
-Io
Figura 3.32 Forma de onda instantnea das correntes no lado CA.
va vb vc
t1 t1' t2 t3 t4 t5 t6 t7
Quando a chave S1 aberta, uma outra chave da semi-ponte superior deve ser fechada
para permitir a continuidade da corrente. Quando S5 aberta, outro interruptor da semi-ponte
negativa deve entrar em conduo. Para estas funes, S3 e S6 so usadas, uma vez que elas no
alteram as correntes pelas fases a e b. A forma senoidal desejada para a fase c resultado do fato
que a soma das correntes nas 3 fases nula. Quando S3 e S6 conduzirem simultaneamente, cria-
se um caminho de livre-circulao para a corrente CC. A figura 3.35 mostra os sinais de
comando para os interruptores e a forma de onda da tenso instantnea sobre o indutor CC, a
qual apresenta um comportamento de 3 nveis. Uma vez que a freqncia de chaveamento deve
ser muito maior do que a freqncia da rede, pode-se considerar que, dentro de cada ciclo de
chaveamento as tenses da rede so constantes.
As formas de onda mostradas correspondem ao intervalo t1<t<t2, no qual va>vb, em
mdulo e, conseqentemente, a>b.
S1
S5
S6
S3
5
1
va-vb
va-vc
v
o
Figura 3.35 Sinais de comando para os interruptores e tenso instantnea no lado CC.
i a = ( x1 x 4 ) Io
i b = ( x 2 x5 ) Io (3.17)
i c = ( x 3 x 6 ) Io
v o = ( x1 x 4 ) v a + ( x 2 x 5 ) v b + (x 3 x 6 ) v c (3.18)
i a = ( m1 m 4 ) Io
i b = ( m 2 m5 ) Io (3.19)
i c = ( m 3 m 6 ) Io
v o = ( m1 m 4 ) v a + ( m 2 m 5 ) v b + ( m 3 m 6 ) v c (3.20)
x4 =0
x2 =0
(3.21)
x3 = x1
x6 = x5
Para obter as correntes senoidais de entrada tem-se (note que estamos supondo corrente
em fase com a tenso, mas esta anlise vale para qualquer tipo de corrente):
m1 = M sin(t )
m 3 = 1 m1 = 1 M sin(t )
m5 = M sin(t 120 o ) (3.22)
m 6 = 1 m5 = 1 + M sin(t 120 ) o
m4 = m2 = 0
i a = Io M sin(t )
i b = Io M sin(t 120 o ) (3.23)
i c = Io M sin(t + 120 o )
3 Vp M
vo = cos (3.25)
2
Note que se o inversor fornece apenas energia reativa a tenso mdia no lado CC nula,
como de se esperar, j que se trata de um elemento puramente indutivo.
Generalizando um pouco mais, qualquer forma de corrente pode ser sintetizada, desde
que uma referncia adequada seja utilizada, o que torna esta topologia bastante prpria para a
implementao de filtros ativos de potncia.
A figura 3.36 mostra um resultado experimental de um conversor operando baseado neste
princpio. A corrente alternada sintetizada apresenta uma ondulao superposta, relativa
ressonncia do filtro de alta freqncia.
v a
i a
S. B. Dewan: Optimum Input and Output Filters for a Single-Phase Rectifier Power Supply.
IEEE Trans. On Industry Applications, vol. IA-17, no. 3, May/June 1981
A. R. Prasad, P. D. Ziogas and S. Manlas: A Novel Passive Waveshaping Method for Single-
Phase Diode Rectifier. Proc. Of IECON 90, pp. 1041-1050
R. Gohr Jr. and A. J. Perin: Three-Phase Rectifier Filters Analysis. Proc. Of Brazilian Power
Electronics Conference, COBEP 91,Florianpolis - SC, pp. 281-283.
I. Suga, M. Kimata, Y. Ohnishi and R. Uchida: New Switching Method for Single-phase AC to
DC converter. IEEE PCC 93, Yokohama, Japan, 1993.
C. de S e Silva, Power factor correction with the UC3854, Unitrode Application Note U-125,
Unitrode Corporation, USA, 1986.
Mohan, Undeland & Robbins, Power Electronics, IEEE Press, 2nd Edition, 1995.
Tw
J
Ra T
La
B
Vt +
Lf Rf
Eg +
ia - If Vf
-
Eg = Kv (4.1)
T = K t ia (4.2)
Onde:
Eg: fora contra-eletro-motriz de armadura
K: constante determinada por caractersticas construtivas da MCC (normalmente K=Kv=Kt)
: fluxo de entreferro
: velocidade angular da mquina
ia: corrente de armadura
J: momento de inrcia incluindo a carga mecnica.
T: torque
B: atrito
Do circuito eltrico da figura 4.1 obtm-se que a tenso terminal da mquina dada por:
d
v t (t) = E g + R a i a (t) + L a i a (t) (4.3)
dt
Vt R a I a
= (4.4)
K
Assim, a velocidade de uma MCC pode ser controlada atravs de 3 variveis: a tenso
terminal, o fluxo de entreferro e a resistncia de armadura.
O controle pela resistncia de armadura era feito em sistemas de trao, com resistncias
de potncia conectadas em srie com a armadura (e com o campo, j que se utilizava excitao
srie). Tais resistncias iam sendo curto-circuitadas medida que se desejava aumentar a tenso
terminal de armadura e, consequentemente, aumentar a velocidade da MCC. Era um controle
essencialmente manual, comandado pelo operador do veculo.
O controle da velocidade pelo fluxo de entreferro utilizado em acionamentos
independentes, mas quando se deseja velocidade acima da velocidade base da mquina. Ou seja,
tipicamente opera-se com campo pleno (para maximizar o torque) e, ao ser atingida a velocidade
base, pelo enfraquecimento do campo pode-se ter uma maior velocidade, s custas de uma
diminuio no torque.
A figura 4.2 ilustra um perfil tpico de acionamento.
velocidade
controle de
controle de campo
armadura potncia
torque
mximo
torque
velocidade
base velocidade
mxima
Figura 4.2. Controle de MCC pela armadura e pelo campo
uma alternativa com uso principalmente em trao, na qual as exigncias de resposta dinmica
so menores.
Do ponto de vista de um melhor desempenho sistmico, o controle atravs da tenso
terminal o mais indicado, uma vez que permite ajustes relativamente rpidos (sempre limitados
pela dinmica eltrica e mecnica do sistema), alm de, adicionalmente, possibilitar o controle
do torque, atravs do controle da corrente de armadura. o mtodo geralmente utilizado no
acionamento de MCC em processos industriais.
Tw(s)
vt (s)+ 1 ia(s) T(s) +
-
1 (s)
Conversor K.
Ra + s.La B + s.J
-
Eg(s)
K.
d
T( t ) = K i a ( t ) = J ( t ) + B ( t ) + Tw ( t ) (4.5)
dt
Tw o torque exercido pela carga acoplada ao eixo da mquina. Sendo suposto o linear
sistema, pode-se, a partir do modelo da figura 4.3, obter por superposio uma expresso para a
velocidade da mquina:
K R a + sL a
(s) = Vt (s) Tw (s) (4.6)
(R a + sL a )(B + sJ) + (K ) 2
(R a + sL a )(B + sJ ) + (K ) 2
(s) K
= (4.6.a)
Vt (s) (R a + sL a )(B + sJ ) + ( K ) 2
(s) (R a + sL a )
= (4.6.b)
Tw (s) (R a + sL a )(B + sJ ) + (K ) 2
Para ter-se uma viso mais clara sobre o comportamento dinmico da mquina CC,
consideremos que seu atrito viscoso seja desprezvel (B=0) e que a mquina esteja sem carga
mecnica e que a constante de tempo mecnica seja muito maior que a eltrica, o que permite
escrever:
(s) 1
(4.7)
Vt (s) (1 + m s ) ( a s + 1) K
La
a = (4.8)
Ra
JRa
m = (4.9)
(K )2
Dada a caracterstica de segunda ordem do sistema, pode-se obter os parmetros relativos
freqncia natural no-amortecida do sistema e ao coeficiente de amortecimento, dados
respectivamente por:
1
n (4.10)
m a
1
(4.11)
2 a
Para mquinas de grande porte, usadas, em geral, em trao, a constante de tempo eltrica
muito menor do que a constante de tempo mecnica, de modo que o sistema, do ponto de vista
do acionamento, pode ser considerado como de primeira ordem, desprezando a constante de
tempo eltrica. Isto j no ocorre para mquinas de pequeno porte, como as usadas em
automao industrial, nas quais o sistema, via de regra, efetivamente considerado como de
segunda ordem.
Velocidade angular Vt
IV I IV I
Torque Ia
III II III II
Diferentemente do que ocorre com as fontes chaveadas (tema do captulo 5), neste caso
no existe a preocupao com a filtragem da tenso antes de aplic-la carga. Assim, a tenso
terminal instantnea a prpria tenso sobre o diodo de circulao, enquanto a corrente filtrada
pela indutncia de armadura.
O comando usual por Modulao por Largura de Pulso, com uma freqncia de
chaveamento cujo perodo seja muito menor do que a constante de tempo eltrica da carga, a fim
de permitir uma reduzida ondulao na corrente e, portanto, no torque. Outra possibilidade,
usada quando se deseja um controle de torque mais preciso o controle por MLC (histerese)
Ra
E vt +
Eg
-
t1
Vt = E = E (4.12)
T
o chamado ciclo de trabalho, razo cclica ou largura de pulso.
I1 I1 tx
I Ia i
Io a
Ia
0
i
D
i
T
E E
Vt vt
Eg
0 t1 T=t2 t2
0 t1
Figura 4.6. Formas de onda tpicas nos modos de conduo contnua e descontnua
ia ( t ) = Io e
t
a
+
( E E ) 1 e
g
t
a
(4.13)
Ra
( t t 1 )
a Eg ( t t 1 )
a
ia ( t ) = I1 e
1 e (4.14)
R a
t E Eg
ia ( t ) = Io 1 +
t ( ) (4.15)
a Ra a
( t t1 ) E g t t1
ia ( t ) = I1 1 (4.16)
a Ra a
tx
Vt = E + E g (4.17)
T
(E Eg ) a T
t x = T t 2 = T (1 ) (4.18)
Eg a + (E Eg ) T
tx E
1 (4.19)
T Eg
E Eg a
2 + a
1 =0 (4.20)
( E E g ) T ( E E g ) T
Eg
(4.21)
E
No caso crtico, substituindo (4.21) em (4.19), tem-se que tx=0. A figura 4.7 mostra o
valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre a constante de tempo eltrica e o
perodo de chaveamento.
Nas figuras 4.8 e 4.9 tem-se as curvas caractersticas estticas do conversor para
diferentes tenses de armadura. Em 4.8, no modo descontnuo, a tenso terminal igual a Eg,
enquanto em 4.9, como a queda resistiva no desprezvel, o valor da tenso terminal sempre
superior tenso Eg.
Em termos de ums modelagem do conversor para uma anlise dinmica, se a operao
ocorrer no modo de conduo contnua, pode-se represent-lo por um ganho, o que j no
possvel no caso de conduo descontnua. Note-se que, nesta situao, o ganho incremental
(dVt/d) muito baixo, tendendo a zero para a>>T.
1
crit cond.
contnua
0.8
a /T=1
0.6
cond.
descontnua
0.4
a /T=10
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
100
Eg/E=0,8
80
Eg/E=0,6
60
Vt/E (%)
Eg/E=0,4
40
Eg/E=0,2
20
0
0.60 0.8 0.2
1 0.4
Figura 4.8. Caracterstica esttica do conversor para I quadrante para a/T=10.
100
Eg/E=0,8
80
Eg/E=0,6
60
Eg/E=0,4
Vt/E (%)
40
Eg/E=0,2
20
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Figura 4.9. Caracterstica esttica do conversor para I quadrante para a/T=1.
T T (1 ) T
a a a
E 1 e + e e
I = (4.22)
Ra T
a
1 e
2 E T (1 )
I = (4.23)
R a ( 2 a T)
ET
I max = (4.24)
4 La
A corrente mdia :
E Eg
Ia = (4.25)
Ra
If Ra
E vt +
Eg
i
T
-
Para que seja possvel corrente retornar fonte (supondo-a receptiva), necessrio que
a tenso terminal mdia tenha um valor maior do que a tenso da fonte. Isto pode ocorrer se
Eg>E ou ainda pela ao do prprio conversor.
O primeiro caso (Eg>E) ocorre, por exemplo, quando se faz controle de velocidade
atravs do enfraquecimento do campo. Ao se desejar freiar a MCC, eleva-se a corrente de
campo, aumentando Eg, possibilitando a transferncia de energia da mquina para a fonte. Isto
possvel at a velocidade base. Uma outra possibilidade a MCC girar, por ao de um torque
externo, acima da velocidade base (por exemplo, um veculo numa descida).
Nosso objetivo aqui, no entanto, analisar esta frenagem quando comandada pelo
conversor. As formas de onda mostradas na figura 4.11 referem-se operao nos modos de
conduo contnua e descontnua.
tx
I Ia
ia
Ii
If i f If
iT
E E
vt Eg
Eg
0 t1 t1 t2
0
Figura 4.11 Formas de onda tpicas de conversor classe B.
fazendo com que a energia acumulada na indutncia e aquela retirada da MCC sejam entregues
fonte. Quanto maior for o ciclo de trabalho, maior ser a corrente e, portanto, maior a energia
retirada da mquina.
Desprezando as quedas de tenso no transistor e no diodo, o valor mdio da tenso
terminal, em conduo contnua :
Vt = E (1 ) (4.26)
t Eg t
a
i a (t ) = Io e + 1 e a
(4.27)
R a
( t t 1 )
a
E Eg ( t t 1 )
a
i a (t ) = I1 e 1 e
(4.28)
R a
t Eg
i a ( t ) = Io 1 +
t ( ) (4.29)
a Ra a
(t t 1 ) E E g t t 1
i a (t ) = I 1 1 (4.30)
a Ra a
tx
Vt = E (t 2 T) + E g (4.31)
T
Eg a T
t x = T t 2 = T (1 ) + (4.32)
E g ( a T) E a
tx E
1 (4.33)
T E Eg
E (E E g ) a
a
2 + 1 =0 (4.34)
E g T EgT
Eg
1 (4.35)
E
A figura 4.12 mostra o valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre a
constante de tempo eltrica e o perodo de chaveamento.
Na figura 4.13 tem-se as curvas caractersticas estticas do conversor para diferentes
tenses de armadura. No modo de conduo descontnua, a tenso terminal tende a Eg, supondo
a queda resistiva no desprezvel, o valor da tenso terminal sempre inferior a esta tenso.
Em conduo contnua, a corrente mdia de armadura :
Eg E (1 )
Ia = (4.36)
Ra
0.8
a/T=1
0.6
0.4
a/T=10
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.12. Ciclo de trabalho crtico para conversor Classe B.
100
Vt/E (%)
80
Eg/E=0,6
60
Eg/E=0,4
40
Eg/E=0,2
20
Figura 4.13. Caracterstica de transferncia esttica de conversor Classe B (a/T=1).
D2
Ra
T1
E vt +
T2 Rd Eg
D3 -
T3
Figura 4.14 Conversor Classe C, com frenagem dinmica.
D2
T1
vt
E
ia La Ra
Eg
T4
D3
I1 I1 tx
I Ia
Io i
a
Ia
0
iD
i T
E E
Vt v Eg
t
-E -E
0 t1 T=t2
0 t1 t2
Figura 4.16. Formas de onda do conversor Classe D.
Vt = E ( 2 1) (4.37)
Note que para um ciclo de trabalho inferior a 50% ter-se-ia uma tenso terminal negativa.
Uma situao deste tipo poderia ocorrer em dois casos: transitoriamente, quando a largura de
i a ( t ) = Io e
t
a
+
( E Eg ) t
1 e
a
(4.38)
Ra
( t t 1 )
a
(E + E g ) ( t t 1 )
a
i a (t ) = I 1 e 1 e (4.39)
Ra
i a ( t ) = Io 1
t E Eg t ( )
+ (4.40)
a Ra a
(t t 1 ) (E + E g ) t t 1
i a ( t ) = I 1 1 (4.41)
a Ra a
t2 tx
Vt = E 2 + E g (4.42)
T T
( E Eg ) T a
t x = T t 2 = T (1 ) (4.43)
( E Eg ) T + ( E + Eg ) a
tx E Eg
1 1 + (4.44)
T E + Eg
2E (E + E g ) a
2 + 1
a
=0 (4.41)
( E E g ) T ( E E g ) T
E + Eg
(4.42)
2E
A figura 4.17 mostra o valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre a
constante de tempo eltrica e o perodo de chaveamento.
a/T=1
0.8
a/T=10
0.6
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.17. Ciclo de trabalho crtico para conversor Classe D.
100
Vt/E (%)
Eg/E=0,8
80
60
Eg/E=0,4
40
20
Eg/E=0
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Figura 4.18. Caracterstica esttica do conversor classe D para a>>T.
T1 D1 vt T2 D2
La Ra
E
ia
Eg
T3
D3
D4 T4
Vt = E ( 2 1) (4.43)
100
Vt/E (%)
Eg/E=0,6 Trao
60
Eg/E=0,2
20 Acionamento
Eg/E=0
0 de T1 e T4
Eg/E=-0,2
-20
Eg/E=-0,6
-60
Frenagem se Eg<0
-100
0 0.2 0.4 0.5 0.6 0.8 1
Figura 4.20. Caracterstica esttica (em trao, I quadrante e frenagem, II quadrante) do
conversor classe E para a>>T.
Vt = E (1 2 ) (4.44)
Ter-se- frenagem regenerativa, com um fluxo de potncia da MCC para a fonte, quando
o intervalo de conduo dos diodos for superior ao dos transistores. Isto ocorrer para um ciclo
de trabalho inferior a 50%. Sempre supondo Eg>0, para >0,5, a energia retirada da fonte
maior do que a devolvida, ou seja, o que se tem uma frenagem dinmica com a energia sendo
dissipada sobre a resistncia de armadura!
No intervalo em que a corrente de armadura cresce em mdulo (entre 0 e t1) a corrente
expressa por:
i a ( t ) = Io e
t
a
+
( E + Eg ) t
1 e
a
(4.45)
Ra
( t t 1 )
a
(E E g ) ( t t 1 )
a
i a (t ) = I 1 e 1 e
(4.46)
Ra
i a ( t ) = Io 1
(
t E + Eg t )
+ (4.47)
a Ra a
(t t 1 ) (E E g ) t t 1
i a ( t ) = I 1 1 (4.48)
a Ra a
0
I ia
Ia Ia
I1 tx
iD
i T
E E
Vt vt Eg
-E -E
0 t1 T=t2 0 t1 t2
Figura 4.21. Formas de onda do conversor Classe E, para frenagem.
t2 tx
Vt = E 2 + E g (4.49)
T T
( E + Eg ) T a
t x = T t 2 = T (1 ) (4.50)
( E + Eg ) T + ( E Eg ) a
tx E + Eg
1 1 + (4.51)
T E Eg
2E (E E )
g a
2 + a
1 =0 (4.52)
( E + E g ) T ( E + E g ) T
E Eg
(4.53)
2E
A figura 4.22 mostra o valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre a
constante de tempo eltrica e o perodo de chaveamento.
Na figura 4.23 tem-se as curvas caractersticas estticas do conversor para diferentes
tenses de armadura, supondo a queda resistiva desprezvel, ou seja, o valor da tenso terminal
igual tenso Eg.
Se a tenso Eg for negativa, isto significa que a MCC est girando no sentido oposto.
Neste caso o comando de T2/T3 implica numa operao de trao r. Para <0,5, no havendo
inverso no sentido da corrente, continua-se num procedimento de trao, mas com uma tenso
terminal positiva, o que significa que est sendo retirada energia acumulada na indutncia de
armadura e entregando-a fonte. Este procedimento s possvel transitoriamente.
1
0.8
0.6
a/T=1
0.4
a/T=10
0.2
0
0 20 40 60 80 100
Eg/E (%)
Figura 4.22. Ciclo de trabalho crtico para conversor Classe E, operando em frenagem.
100
Vt/E (%) Frenagem regenerativa
75 Se Eg>0
Eg/E=0,5
50
25
Eg/E=0
0
25
Eg/E=-0,5
Trao r
50 Se Eg<0
75
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Figura 4.23. Caracterstica esttica do conversor classe E para a>>T. Acionamento de T2/T3.
T1/T4
T2/T3
+E
vt
-E
Ia
Ia
Figura 4.24 Formas de onda de Conversor Classe E, com acionamento por deslocamento de fase.
Figura 4.25 Estrutura bsica de motor de mas parmanentes de dois plos e respectivas bobinas.
(extrado de http://www.basilnetworks.com/article/motors/analysis3.html em 8/2/2006).
Com a energizao seqncial de cada bobina cria-se um campo resultante que impe um
deslocamento no rotor, buscando o devido alinhamento, o que leva rotao do eixo.
Motores assim simples so normalmente utilizados em brinquedos e sistemas de baixo
custo, como ventiladores para computadores. No entanto o motor de 2 plos, embora possa
operar em elevadas velocidades, apresenta elevada ondulao de torque.
Com o aumento do nmero de plos possvel obter um comportamento mais plano do
torque embora, normalmente, isso implique numa reduo da velocidade. A figura 4.26 mostra
um motor com 4 plos.
A reduo da velocidade decorre da dificuldade de se conseguir desmagnetizar a bobina
antecessora ao mesmo tempo em que se alimenta a bobina seguinte. Observe que o campo ainda
produzido pela bobina anterior produz um torque que se ope rotao desejada.
A minimizao deste efeito exige que o conversor que alimenta o motor seja capaz de
levar a zero da meneira mais rpida possvel a corrente da bobina que est sendo desligada, o
que justifica o uso de topologias classe D.
Para motores com trs fases, que so os de menor custo e exigem menor quantidade de
dispositivos eletrnicos, a reduo da ondulao de torque pode ser obtida com um acionamento
que module a corrente das fases e que permita correntes negativas, o que se consegue com o
conversor classe E, ou, para uma quantidade menor de componentes, um conversor trifsico
como mostra a figura 4.27.
Figura 4.27 Inversor trifsico para acionamento de motor de 2 plos (3 enrolamentos de estator).
Figura obtida em 8/2/2006 em http://mag-net.ee.umist.ac.uk/reports/P11/p11.html
Figura 4.30 Circuito completo de acionamento e controle de motor de relutncia produzido pela
NEC. Imagem obtida em 14/2/2006 em:
http://www.eu.necel.com/applications/industrial/motor_control/030_general_motor_control/060_switched_reluctance/
Dewan, S. B.; Slemon, G. R. e Straughen, A.: Power Semiconductor Drives, John Wiley &
Sons, New York, USA, 1984.
Barton, T. H.: The Transfer Characteristics of a Chopper Drive. IEEE Trans. On Industry
Applications, vol. IA-16, no. 4, Jul/Aug 1980, pp. 489-495
Apresentam-se a seguir as estruturas circuitais bsicas que realizam a funo de, a partir
de uma fonte de tenso fixa na entrada, fornecer uma tenso de valor diferente e, eventualmente
varivel na sada. Neste caso, diferentemente do que se viu para os conversores para
acionamento de mquinas de corrente contnua, existe um filtro capacitivo na sada, de modo a
manter, sobre ele, a tenso estabilizada.
iT iL
T
L +
iD Ro
E vD D Co Vo
Io
Se a corrente pelo indutor no vai a zero durante a conduo do diodo, diz-se que o
circuito opera no modo de conduo contnua. Caso contrrio tem-se o modo descontnuo. Via
de regra, prefere-se operar no modo de conduo contnua devido a haver neste caso uma
relao bem determinada entre a largura de pulso e a tenso mdia de sada. A figura 5.2 mostra
as formas de onda tpicas de ambos os modos de operao.
tT t t2 tx Iomax
T
Io Io
i
L
Io
iD
i
T
E E
Vo vD
Vo
0
0 Fi
gura 5.2 Formas de onda tpicas nos modos de conduo contnua e descontnua
vL
V1
A1
t1
A2
V2
A1 = A 2
(5.1)
V1 t 1 = V2 ( t 1)
(E Vo) t T = Vo ( t T )
Vo t T (5.2)
=
E
A corrente do indutor ser descontnua quando seu valor mdio for inferior metade de
seu valor de pico (Io<Io/2). A condio limite dada por:
I o ( E Vo) t T ( E Vo)
Io = = = (5.3)
2 2L 2L
(E Vo) t T = Vo ( t T t x ) (5.4)
Vo
= (5.5)
E t
1 x
I o max
Ii = (corrente mdia de entrada) (5.6)
2
( E Vo) t T
I o max = (5.7)
L
Vo Ii I o max ( E Vo) 2
= = =
E Io 2 Io 2 Io L
Vo 2 L Ii
= 1 (5.8)
E E 2
E
Vo = (5.9)
2 L Io
1+
E 2
L Io
K= (5.10)
E
Vo 2
= 2 (5.11)
E + 2K
1 1 8 K
crit = (5.12)
2
0.75
K=.1
Vo/E K=.01 K=.05
0.5
0.25
Cond. contnua
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Figura 5.4 Caracterstica de controle do conversor abaixador de tenso nos modos de conduo
contnua e descontnua.
1
Cond. contnua
=0,8
0.8
=0,6
0.6
Vo/E =0,4
Cond. descontnua
0.4
=0,2
0.2
0
0
E.
Io 8L
Figura 5.5 Caracterstica de sada do conversor abaixador de tenso nos modos de conduo
contnua e descontnua.
5.1.3 Dimensionamento de L e de C
Da condio limite entre o modo de conduo contnua e descontnua, tem-se:
( E Vo)
I o min = (5.14)
2L
E (1 )
L min = (5.15)
2 Io(min)
Quanto ao capacitor de sada, ele pode ser definido a partir da variao da tenso
admitida, lembrando-se que enquanto a corrente pelo indutor for maior que Io (corrente na
carga, suposta constante) o capacitor se carrega e, quando for menor, o capacitor se descarrega,
levando a uma variao de tenso Vo.
1 Io Io
Q = = (5.16)
2 2 2 8
A variao da corrente :
(E Vo) t T E (1 )
Io = = (5.17)
L L
Q 2 E (1 )
Vo = = (5.18)
Co 8 L Co
Logo,
Vo (1 ) 2
Co = (5.19)
8 L Vo
E t T (Vo E)( t T )
Ii = = (5.20)
L L
E
Vo = (5.21)
1
limite, no qual as perdas nestes elementos resistivos se tornam maiores do que a energia
transferida pelo indutor para a sada.
vL
Io
L iD D
iL +
iT
Ro
E vT T Co Vo
Io i D Io
iT
Vo Vo
vT E
E
0 0
Figura 5.7 Formas de onda tpicas de conversor elevador de tenso.
Nota-se que a corrente de entrada a prpria corrente pelo indutor e que a corrente
mdia pelo diodo a corrente da carga (j que a corrente mdia pelo capacitor nula).
1 tx
Vo = E (5.22)
1 tx
E2 2
Vo = E + (5.23)
2 L Io
Vo 2
= 1+ (5.24)
E 2K
1 1 8 K
crit = (5.25)
2
K=.01
40
30
Vo/E cond. descontnua K=.02
20
10 K=.05
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Figura 5.8 Caracterstica esttica do conversor elevador de tenso nos modos de conduo
contnua e descontnua, para diferentes valores de K.
10
cond. contnua
6
=.8
Vo/E cond.
4 descontnua
=.6
2 =.4
=.2
0
0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
Io E.
8.L
Figura 5.9 Caracterstica de sada do conversor elevador de tenso.
5.2.3 Dimensionamento de L e de C
O limiar para a conduo descontnua dado por:
Ii E t T Vo (1 )
Ii = = = (5.26)
2 2L 2L
Ii ( t T ) E (1 )
Io = = (5.27)
2 2L
E (1 )
L min = (5.28)
2 Io(min)
Io(max)
Co = (5.29)
Vo
Neste conversor, a tenso de sada tem polaridade oposta da tenso de entrada. A figura
5.10 mostra o circuito.
Quando T ligado, transfere-se energia da fonte para o indutor. O diodo no conduz e o
capacitor alimenta a carga. Quando T desliga, a continuidade da corrente do indutor se faz pela
conduo do diodo. A energia armazenada em L entregue ao capacitor e carga. Tanto a
corrente de entrada quanto a de sada so descontnuas. A figura 5.11. mostra as formas de onda
nos modos de conduo contnua e descontnua (no indutor).
vT
D
iD
iT T
vL L Vo
E Co Ro
iL Io
+
E t T Vo ( t T )
= (5.30)
L L
E
Vo = (5.31)
1
tT tT t2 tx
I iL
Io i D Io
iT
E+Vo E+Vo
vT
E E
0
0
(a) (b)
Figura 5.11 Formas de onda do conversor abaixador-elevador de tenso operando em conduo
contnua (a) e descontnua (b).
E
Vo = (5.32)
1 tx
A corrente mxima de entrada, que a corrente pelo transistor, ocorre ao final do intervalo de
conduo do transistor:
E tT
Ii max = (5.33)
L
Ii max t T
Ii = (5.34)
2
Io Vo
Ii = (5.35)
E
E2 2
Vo = (5.36)
2 L Io
E2 2
Po = (5.37)
2L
Vo 2
= (5.38)
E 2K
1 1 8 K
crit = (5.39)
2
50
40 K=.01
cond. descontnua
30
Vo/E K=.02
20
10 K=.05
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Figura 5.12 Caracterstica esttica do conversor abaixador-elevador de tenso nos modos de
conduo contnua e descontnua, para diferentes valores de K.
Na figura 5.13 tem-se a variao da tenso de sada com a corrente de carga. Note-se que
a conduo descontnua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando exigncia da
garantia de um consumo mnimo. Existe um limite para Io acima do qual a conduo sempre
contnua e a tenso de sada no alterada pela corrente.
10
cond.
2
descontnua =.6
=.4
0 =.2
0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
Io E.
8.L
Figura 5.13 Caracterstica de sada do conversor abaixador-elevador de tenso.
5.3.3 Clculo de L e de C
O limiar entre as situaes de conduo contnua e descontnua dado por:
I L ( t T ) Vo ( t T ) (1 ) Vo (1 ) 2
Io = = = (5.40)
2 2L 2L
E (1 )
L min = (5.41)
2 Io(min)
Io(max)
Co = (5.42)
Vo
5.4 Conversor uk
I L1 VC1 I L2
+
L1 C1 L2 Ro
Co
E T D Vo
I1
Ix
i L2 i
L2
I2
vC1 -Ix
V1 tT t2 tx
tT
Assumindo que iL1 e iL2 so constantes, e como a corrente mdia por um capacitor nula
(em regime), tem-se:
I L2 t T = I L1 ( t T ) (5.43)
I L1 E = I L2 Vo (5.44)
E
Vo = (5.45)
1
5.4.1 Dimensionamento de C1
C1 deve ser tal que no se descarregue totalmente durante a conduo de T.
Considerando iL1 e iL2 constantes, a variao da tenso linear. A figura 5.16 mostra a tenso no
capacitor numa situao crtica.
v
C1
2VC1
V C1
tT t
Figura 5.16. Tenso no capacitor intermedirio numa situao crtica.
VC1 = E + Vo (5.46)
Na condio limite:
2 (E + Vo)
Io = I L2 = C1 (5.47)
tT
Io(max) (1 )
C1 min = (5.48)
2E
5.4.2 Dimensionamento de L1
Considerando C1 grande o suficiente para que sua variao de tenso seja desprezvel,
L1 deve ser tal que no permita que iL1 se anule. A figura 5.17 mostra a corrente por L1 numa
situao crtica.
L1 I L1max
E= (5.49)
tT
E+Vo
+ i
L1
L1
I
E L1max
t
T
Figura 5.17 Corrente por L1 em situao crtica.
I L1 max
Ii = I L1 = (5.50)
2
Quando T conduz:
E tT
L1 = (5.51)
2 Ii
E (1 )
L1min = (5.52)
2 Io(min)
5.4.3 Clculo de L2
Analogamente anlise anterior, obtm-se para L2:
E
L 2 min = (5.53)
2 Io(min)
E 2
Co = (5.54)
8 L 2 Vo
L1 D +
C1
Vo
E L2 Co
T Ro
O conversor Zeta, cuja topologia est mostrada na figura 5.19, tambm possui uma
caracterstica abaixadora-elevadora de tenso. Na verdade, a diferena entre este conversor, o
uk e o SEPIC apenas a posio relativa dos componentes.
Aqui a corrente de entrada descontnua e a de sada continua. A transferncia de
energia se faz via capacitor. A indutncia L1 pode ser a prpria indutncia de magnetizao na
verso isolada. A operao no modo descontnuo tambm se caracteriza pela inverso do sentido
da corrente por uma das indutncias. A posio do interruptor permite uma natural proteo
contra sobrecorrentes.
T C1 L2 Ro
L1 D Co
E Vo
5.7.1 Conversor uk
Neste circuito a isolao se faz pela introduo de um transformador no circuito.
Utilizam-se 2 capacitores para a transferncia da energia da entrada para a sada. A figura 5.20
mostra o circuito.
N1 N2
L1 L2
C1 C2
E T Co
V1 V2 D Vo
N2 E
Vo = (5.55)
N1 (1 )
O balano de carga deve se verificar para C1 e C2. Com N1=N2, C1=C2, tendo o dobro
do valor obtido pelo mtodo de clculo indicado anteriormente no circuito sem isolao. Para
outras relaes de transformao deve-se obedecer a N1.C1=N2.C2, ou V1.C1=V2.C2.
Note que quando T conduz a tenso em N1 VC1=E (em N2 tem-se VC1.N2/N1). Quando
D conduz, a tenso em N2 VC2=Vo (em N1 tem-se VC2.N1/N2). A corrente pelos enrolamentos
no possui nvel contnuo e o dispositivo comporta-se, efetivamente, como um transformador.
L1 D +
C1 T C1 L2 Ro
+
Lp Ls Co Lp Ls D Co
E T Vo E Vo
Ro
(a) (b)
Figura 21 Conversores SEPIC (a) e Zeta (b) isolados.
N2 E
Vo = (5.56)
N1 (1 )
D
T
E Co Vo
L1
N1 N2
Figura 5.22 Conversor fly-back
D2 D1 L
+
E T D3 Co
Vo
N1 N2 N3
E
T . Va
Vp
N1
.
A1
Vp
tT
N2 A2
D
Vb A1=A2
E( N1 + N 2) E( N1 + N 2)
Va = Vb = (5.57)
N1 N2
..
E
2 E
Vo = (5.58)
n
Vce1
T1
I c1
.. n:1
I D1 D1
. L io
. +
V1=E E/n Co Ro Vo
. .. .. .
E E/n
T2 I c2 I D2 D2
O ciclo de trabalho deve ser menor que 0,5 de modo a evitar a conduo simultnea dos
transistores. n a relao de espiras do transformador.
Os transistores devem suportar uma tenso com o dobro do valor da tenso de entrada.
Outro problema deste circuito refere-se possibilidade de saturao do transformador caso a
conduo dos transistores no seja idntica (o que garante uma tenso mdia nula aplicada ao
primrio). A figura 5.27 mostra algumas formas de onda do conversor.
T1/D2 D1/D2 T2/D1 D1/D2
V1 1
+E
-E
Ic1 2
I
D1
Vce1 2E
E
io
Io
transformador. Este capacitor deve ser escolhido de modo a evitar ressonncia com o indutor de
sada e, ainda, para que sobre ele no recaia uma tenso maior que um pequeno percentual da
tenso de alimentao (durante a conduo de cada transistor).
.
. . L
.
..
E/2 +
. .
T1
Co
.
Vo
E/2 .. .
T2 .
Figura 5.28 Conversor em meia-ponte
.
. .
. . L
.
. .. +
.
T1 T2
Co
Vo
E .. .
.
. .
T3 . T4 .
.
Figura 5.29 Conversor em ponte completa.
Pelas funes indicadas anteriormente, tanto para o conversor elevador de tenso quanto
para o abaixador-elevador (e para o uk, SEPIC e Zeta), quando o ciclo de trabalho tende
unidade, a tenso de sada tende a infinito. Nos circuitos reais, no entanto, isto no ocorre, uma
vez que as componentes resistivas presentes nos componentes, especialmente nas chaves, na
fonte de entrada e nos indutores, produzem perdas. Tais perdas, medida que aumenta a tenso
de sada e, consequentemente, a corrente, tornam-se mais elevadas, reduzindo a eficincia do
conversor. As curvas de Vo x se alteram e passam a apresentar um ponto de mximo, o qual
depende das perdas do circuito.
A figura 5.30 mostra a curva da tenso de sada normalizada em funo da largura do
pulso para o conversor elevador de tenso.
Se considerarmos as perdas relativas ao indutor e fonte de entrada, podemos redesenhar
o circuito como mostrado na figura 5.31.
Para tal circuito, a tenso disponvel para alimentao do conversor se torna (E-Vr),
podendo-se prosseguir a anlise a partir desta nova tenso de entrada. A hiptese que a
ondulao da corrente pelo indutor desprezvel, de modo a se poder supor Vr constante.
O objetivo obter uma nova expresso para Vo, em funo apenas do ciclo de trabalho e
das resistncias de carga e de entrada. O resultado est mostrado na figura 5.32.
40
Vo( d )
20
Vr
Ii
RL L Io
E E-Vr Co +
Ro Vo
E Vr
Vo = (5.59)
1
Vr = R L Ii
(5.60)
Vo = Ro Io
Io = Ii (1 ) (5.61)
R L Io R L Vo
Vr = = (5.62)
1 (1 ) Ro
R L Vo
E
(1 ) Ro E R L Vo
Vo = = (5.63)
1 1 Ro (1 ) 2
Vo 1
= (5.64)
E 2R
(1 ) + L
Ro
Vo( d )
2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
d
Figura 5.32 Caracterstica esttica de conversor elevador de tenso, no modo contnuo,
considerando as perdas devido ao indutor.
G. Chryssis: High Frequency Switching Power Supplies: Theory and design. McGraw-Hill,
New York, 1984.
E. R. Hnatek: Design of Solid State Power Supplies. Van Nostrand Reinhold, New York, 3rd
Edition, 1989.
Sero estudados neste captulo os conversores CC-CA que fornecem em suas sadas
tenses com freqncia fixa, para aplicao como fonte de tenso, especialmente em fontes de
alimentao ininterrupta (chamadas de no-break ou UPS - Uninterruptible Power Supplies,
em ingls).
Qualquer sistema no qual o fornecimento da energia eltrica no pode ser interrompido
deve prever uma fonte de emergncia para supri-lo. Quando a potncia instalada muito grande
tem-se, em geral, um sistema de acionamento imediato, alimentado a partir de baterias, e um
sistema motor-gerador que, por necessitar de alguns minutos para estar em condies ideais de
operao, no pode ser usado de imediato. Tal arranjo usado, por exemplo, em centrais
telefnicas, hospitais, etc.
Quando as cargas crticas so distribudas, como no caso de microcomputadores, podem-
se usar UPSs modulares, de acionamento imediato, e capazes de manter a operao do
equipamento por um tempo suficiente para que no sejam perdidas operaes que estavam em
curso (tipicamente os tempos so da ordem de dezenas de minutos).
Alm disso, os sistemas mais modernos devem ter a capacidade de trocar informaes
com os computadores, de forma a otimizar seu funcionamento, mas isto no ser tema deste
curso.
Interessam aqui as topologias empregadas na realizao dos conversores de potncia que,
a partir de uma fonte CC produzem uma sada alternada, seja ela senoidal ou no.
Figura 6.1 Envelope de tolerncia de tenso tpico para sistema computacional (adaptado da
norma IEEE 466). Curva CBEMA (acima) e curva ITIC (abaixo).
Uma outra definio em termos da tenso suprida a Distoro Harmnica Total (THD)
que tem um limite de 5%. Alm disso, para alimentao trifsica, tolera-se um desbalanceamento
entre as fases de 3 a 6%. No que se refere freqncia, tem-se um desvio mximo admissvel de
+0,5Hz (em torno de 60Hz), com uma mxima taxa de variao de 1Hz/s.
Retificador Inversor
Equipamento
Linha
Chave esttica
("by-pass")
Bateria
Retificador Inversor
Equipamento
Linha
Chave esttica
("by-pass")
Bateria
Linha B A Equipamento
L
Inversor
Carregador
Bateria
eficaz, mas que no traz maiores conseqncias. Dado o espectro da onda produzida, haver um
maior aquecimento em transformadores e indutores eventualmente presentes, mas que, dado o
curto prazo de atuao da UPS, em geral no causam maiores problemas.
Em sistemas de maior porte e criticidade so usados inversores com sada senoidal.
6.3.3 Paralelismo
Conectar em paralelo duas ou mais UPSs necessrio quando se deseja ampliar a
potncia instalada ou aumentar a confiabilidade do sistema.
No primeiro caso, o fator determinante o econmico, quando mais barato utilizar uma
UPS adicional para alimentar um acrscimo de carga do que trocar todo o sistema j existente.
No outro caso, para cargas muito crticas, a redundncia torna-se necessria.
As questes a serem consideradas so diversas:
deve-se garantir que as tenses de sada sejam idnticas e que as correntes sejam igualmente
distribudas;
em caso de falha de qualquer uma das UPS, as demais devem ser capazes de manter o
equipamento crtico em operao;
para manter a identidade das tenses, uma das UPS deve produzir a referncia para as demais;
em caso de falha, uma outra deve assumir tal funo.
6.4.1 Retificador
O retificador, alm de produzir a tenso cc que alimenta o inversor tem tambm como
funo manter as baterias carregadas.
As baterias sero adequadamente carregadas desde que a tenso de sada do retificador
seja um pouco superior tenso nominal das baterias, de modo a suprir as perdas devidas s
quedas resistivas presentes. Tenses menores no permitiro um processo adequado de recarga,
enquanto tenses muito elevadas podem produzir correntes excessivas, levando eletrlise.
Caso as baterias estejam muito descarregadas, possvel que o retificador tenha seu
limite de corrente atingido. Em tal caso, a recarga feita a corrente constante, at que a tenso
suba a nveis adequados.
Considerando adicionalmente a possibilidade de variao da tenso da linha, pode-se
concluir que o retificador deve ser do tipo controlado. A soluo mais simples e barata usar um
retificador a tiristores, com controle da tenso de sada atravs da variao do ngulo de disparo,
como mostrado na figura 6.3.
300V
Lf +
Vr
200V
Vr Cf Vo
100V
0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms
Baterias
Figura 6.3 Retificador controlado a tiristores com forma de onda de tenso tpica de sada.
Recortador
Retificador Inversor Retificador Inversor
MLP
Recortador
MLP
Vo
Vo
Figura 6.5 Retificador MLP e conversor elevador de tenso para correo de fator de potncia.
6.4.2 Inversor
O inversor o principal constituinte de uma UPS, uma vez que ele quem determina a
qualidade da energia fornecida carga.
Deve fornecer uma tenso alternada, com freqncia, forma e amplitude invariantes, a
despeito de eventuais alteraes na alimentao CC ou na carga.
A configurao bsica mostrada na figura 6.6, para um inversor trifsico. Uma sada
monofsica pode ser obtida utilizando-se apenas 2 ramos, ao invs de 3.
Vcc Vca
D2 T2 D1 T1 V
S
Ia
+E
A T2/T3 IA
Vs Carga
E
B Monofsica T1/T4
-E
D1 D2
D4 T4 D3 T3 D4 D3
Figura 6.7. Inversor monofsico e forma de onda quadrada de sada (carga indutiva).
T1/T4
-E D1/D4 T2/D1
o o
0 120 o 180 o 300 o 360
Figura 6.8 Forma de onda quase-quadrada.
Ld
Vi Cr Vo
possvel ainda obter uma modulao a 3 nveis (positivo, zero e negativo). Este tipo de
modulao apresenta um menor contedo harmnico, como mostra a figura 6.11. Um sinal de 3
nveis ligeiramente mais complicado para ser gerado analogicamente.
Uma maneira de faz-lo de acordo com a seguinte seqncia:
durante o semiciclo positivo, T1 permanece sempre ligado;
o sinal MLP enviado a T4 e o mesmo sinal barrado enviado a T2.
no semiciclo negativo, quem permanece conduzindo T3,
o sinal MLP enviado a T2 e o sinal barrado vai para T4.
Desta forma, na presena de uma carga indutiva (portanto com a corrente atrasada em
relao tenso), possvel manter sobre a carga uma onda efetivamente modulada em largura de
pulso, de modo que, depois de filtrada, recupere-se o sinal de referncia. Deve-se prever, neste caso,
um atraso nas bordas de subida em todas as comutaes do sinal MLP (e no apenas na passagem
de T1/T3). Estes atrasos introduzem uma pequena distoro no sinal MLP, uma vez que pulsos
muito estreitos sero absorvidos pelo atraso imposto e pelos atrasos normais do circuito acionador.
400V
-400V
400V
-400V
10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
200V
0V
200V
0V
0Hz 5KHz 10KHz 15KHz 20KHz
Figura 6.11. Formas de onda da tenso de fase e de linha em inversor trifsico em semi-ponte.
Indicam-se ainda os respectivos sinais MLP filtrados. Espectro dos sinais MLP de 2 e 3 nveis.
A obteno de uma sada que recupere a onda de referncia facilitada pela forma do
espectro. Note-se que, aps a componente espectral relativa referncia, aparecem componentes
nas vizinhanas da freqncia de chaveamento. Ou seja, um filtro passa baixas com freqncia de
corte acima e 50/60 Hz perfeitamente capaz de produzir uma atenuao bastante efetiva em
componentes na faixa dos kHz. Na figura 6.11 tem-se tambm as formas de onda filtradas. Uma
reduo ainda mais efetiva das componentes de alta freqncia obtida com o uso de filtro de
ordem superior.
O uso de um filtro no amortecido pode levar ao surgimento de componentes oscilatrias na
freqncia de ressonncia, que podem ser excitadas na ocorrncia de transitrios na rede ou na
carga. Em regime elas no se manifestam, uma vez que o espectro da onda MLP no as excita. Os
menores valores dos elementos de filtragem tornam a resposta dinmica deste sistema mais rpida
que as anteriores.
Quando se trata de um inversor trifsico, 2 arranjos podem ser feitos: utilizando 3 inversores
monofsicos (o que exige 12 transistores, e chamado de ponte completa) ou um arranjo chamado
de semiponte, com 6 transistores, como o mostrado na figura 6.13.
Vdc
2
a b c
N
Vdc
2
Figura 6.14 Inversor trifsico de 5 nveis com grampeamento por diodos e sinais de controle e de
sada.
Vna
V2 a
V1a
Figura 6.15. Conversor multinvel monofsico composto por clulas inversoras monofsicas em
cascata.
Na figura 6.16 tem-se um diagrama esquemtico do conversor e em 6.17 tem-se uma
forma de onda deste tipo. Nota-se que a distoro harmnica reduzida, embora existam
componentes espectrais em baixa freqncia. Os filtros necessrios obteno de uma onda
senoidal devem ter uma freqncia de corte baixa, uma vez que as componentes harmnicas
apresentam-se em mltiplos da freqncia da rede. No entanto, a atenuao no precisa ser muito
grande, uma vez que as amplitudes das harmnicas so pequenas.
Inversor onda
V3 quase-quadrada V3
ou PWM
Inversor onda
V1 V1
quase-quadrada
Circuito de Circuito de
Acionamento Acionamento
Inversor Rede
Detector de
Corrente zero
Carga
Figura 6.19 Tenso de sada e a corrente da rede com carga resistiva na transio da alimentao
da rede para baterias.
130
120
110
.
100
84 90 96 102 108 114 120 126 132 138 144 150
Figura 6.21. Regulao de tenso de sada em funo da tenso de entrada, com carga resistiva.
Figura 6.22. Tenso de sada e corrente da rede com carga resistiva na transio da alimentao
da rede para baterias.
Figura 6.24. Regulao de tenso de sada em funo da tenso de entrada, com carga resistiva.
David C. Griffith: Uninterruptible Power Supplies, Marcel Dekker, Inc., NY, USA
Uma mquina de induo trifsica possui enrolamentos de estator nos quais aplicada a
tenso alternada de alimentao. O rotor pode ser composto por uma gaiola curto-circuitada ou
por enrolamentos que permitam circulao de corrente. De qualquer forma, por efeito
transformador, o campo magntico produzido pelos enrolamentos do estator induz correntes no
rotor, de modo que, da interao de ambos campos magnticos ser produzido o torque que
levar a mquina rotao.
Dada a caracterstica trifsica da alimentao do estator e distribuio espacial dos
enrolamentos, o campo produzido pelo estator girante, ou seja, sua resultante possui um
movimento rotacional. O campo produzido pelas correntes induzidas no rotor ter a mesma
caracterstica, procurando sempre acompanhar o campo girante do estator.
Se o rotor girar na mesma velocidade do campo girante, no haver corrente induzida,
uma vez que no haver variao de fluxo pelas espiras do rotor. No havendo corrente, no
haver torque. Desta anlise qualitativa pode-se concluir que a produo de torque no eixo da
mquina deriva do fato de que a velocidade do rotor ser sempre diferente do que a velocidade do
campo girante. A figura 7.1 ilustra a formao do campo girante.
A corrente induzida no rotor possui uma freqncia que a diferena das freqncias
angulares do campo girante e do rotor. Assim, na partida, com a mquina parada, as correntes
sero de 60Hz (supondo esta a freqncia de alimentao da mquina). medida que a mquina
ganha velocidade, tal freqncia vai caindo, at chegar, tipicamente, a poucos Hz, quando atingir
a velocidade de regime.
A velocidade angular do campo girante depende, alm da freqncia de alimentao, do
chamado nmero de plos da mquina. O nmero de plos indica quantos enrolamentos,
deslocados espacialmente (simetricamente) no estator, so alimentados pela mesma tenso de
fase. Assim, se 3 enrolamentos (1 para cada fase) estiverem dispostos num arco de 180 graus e
outros 3 enrolamentos ocuparem os outros 180 graus do permetro do estator, diz-se que esta
uma mquina de 4 plos (ou 2 pares de plos).
f c b d f
a 0
a c e
S
g b
N
-1.0
a
c
c b c b
N S N
a a a a
S S
S N
N
b c b c
Sendo p o nmero de plos e a freqncia angular (em rd/s) das tenses de alimentao
da mquina, a velocidade de rotao do campo girante, chamada de velocidade sncrona, dada
por:
2
s = (7.1)
p
( t ) = m cos( m t + s t ) (7.2)
A tenso induzida por fase nos enrolamentos do rotor (supondo rotor bobinado):
d
e r (t) = N r = N r m ( s m ) sin[( s m ) t ] (7.3)
dt
e r ( t ) = s 2 E r sin( s s t ) (7.4)
( s m )
s= (7.5)
s
+ + + +
R 'r
s.Er R 'r Vs Es Er
s
I'r Is Ns Nr I'r
(b)
(a)
jXs Rs jXr
+ Im
Rr
Vs + s
Vm=Es Rm jXm
Is Ir
(c)
Figura 7.3 Modelos circuitais para motor de induo: a) circuito do rotor;
b) com rotor e estator separados, c) com rotor refletido ao lado do estator.
s E r
I 'r = (7.5)
R 'r + j s X 'r
Er
I 'r = (7.5.a)
R 'r
+ j X 'r
s
O modelo do rotor pode, ento, ser modificado, a fim de que o escorregamento afete
apenas a resistncia do rotor, como se v na figura 7.3.b, onde se inclui tambm um circuito
equivalente para o estator.
Refletindo o lado do rotor para o do estator, tem-se o circuito equivalente mostrado em
7.3.c. Indica-se nesta figura a reatncia de magnetizao, Xm e a resistncia relativa s perdas no
ferro da mquina, Rm. A resistncia do enrolamento do estator Rs e a reatncia de disperso, Xs.
As perdas no cobre podem ser estimadas por:
Ps = 3 I s2 R s (7.6)
Pr = 3 I 2r R r (7.7)
3 Vm2 3 Vs2
Pc = (7.8)
Rm Rm
A potncia presente no entreferro da mquina, que aquela que se transfere para o rotor,
:
Rr
Pg = 3 I 2r (7.9)
s
Pd = Pg Pr = Pg (1 s) (7.10)
O torque desenvolvido :
Pd Pg
Td = = (7.11)
m s
A potncia de entrada :
Pi = Pc + Ps + Pg = 3 Vs I s cos s (7.12)
Po = Pd Px (7.13)
A eficincia ser:
Po Pd Px
= = (7.14)
Pi Pc + Ps + Pg
1 s (7.15)
I jX R jXr
s s s
I
+ m Rr
Vs s
jXm
Zi I s= I r
X m ( X s + X r ) + j X m ( R s + R r s)
Zi = (7.16)
R s + R r s + j ( Xm + Xs + Xr )
R
Rs + r s
1 + tan 1 X m + X s + X r
m = tan (7.17)
Xs + Xr Rr
Rs + s
Vs
Ir = 1/ 2
(7.18)
2
2
s + ( X s + X r )
R
R s +
r
3 R r Vs2
Td = (7.19)
R 2 2
s s R s + r s + ( X s + X r )
A figura 7.5 mostra uma curva torque - velocidade tpica para um motor alimentado a
partir de uma fonte de tenso senoidal de freqncia e amplitude fixas. Existem 3 regies de
operao:
trao (0<s<1)
regenerao (s<0)
reverso (1<s<2)
2s s 0 s
Td m
Regenerao Trao Reverso
Tmm
Ts
0
s s m
m m
s
Tmr s
1 0.5 0 0.5 1 1.5 2
-sm sm
Figura 7.5 Caracterstica torque-velocidade de mquina de induo.
Rr
sm = (7.20)
[ R s2 + (Xs + Xr ) ]
2 1/ 2
3Vs2
Tmm = (7.21)
2
2 s R s + R s2 + ( X s + X r )
3Vs2
Tmr = (7.22)
2
2s R s + R s2 + ( X s + X r )
3R r Vs2
Td = (7.23)
R 2 2
s s r s + (Xs + Xr )
3R r Vs2
Ts =
[ ]
(7.24)
s ( R r ) + ( X s + X r )
2 2
Rr
sm = (7.25)
Xs + Xr
3 Vs2
Tmm = Tmr = (7.26)
2s (X s + X r )
Td 2 s sm
= 2 (7.27)
Tmm s m + s 2
Ts 2s
= 2 m (7.28)
Tmm s m + 1
Para s<1 e s2<<sm2, o torque normalizado pode, ainda, ser aproximado por:
Td 2s s m
= =2 (7.29)
Tmm s m s m s
s T
m = s 1 m d (7.30)
2 Tmm
0.5
0.5
0 0
0.2 0.4 0.6 0.8 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
s s
FP 0.5
0
0.05 0.1 0.15 0.2
s
Figura 7.7 Fator de potncia do motor.
5Rr
0.5
Rr
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 s
m
Figura 7.8 Caracterstica torque - velocidade para diferentes valores de resistncia de rotor.
Ld
Retificador
Estator Rx Estator
Id
Rotor Rx Rotor Vd R
Vdc
Rx
(a)
(b)
Ld
Retificador Retificador
Estator
Controlado
Id
Rotor Vd Vdc Trafo Rede
(c)
Figura 7.9 Controle de velocidade por variao da resistncia da armadura.
Td Torque da carga
1
100% Vs
0.5
75% Vs
50% Vs
A tenso do estator pode ser variada por meio de um controlador de tenso CA, formado
por tiristores, operando com controle de fase. Sua simplicidade justifica seu uso em sistemas de
baixa performance e potncia, como ventiladores e bombas centrfugas, que precisam de baixo
torque de partida. Outra possibilidade o uso de um inversor trifsico, operando com freqncia
constante e tenso ajustvel, seja variando a tenso CC, por uso de MLP. O fato de a tenso de
partida ser reduzida permite uma limitao na corrente de partida. A figura 7.11 mostra,
esquematicamente, os acionamentos.
Rede
estator estator
Controlador
Inversor
Vcc CA
Trifsico
(a) (b)
Figura 7.11 Controle da tenso de estator por inversor (a) e controlador CA (b).
s = b b (7.31)
b b m
s= = 1 m (7.32)
b b b b
3 R r Vs2
Td = (7.33)
R 2 2
s b b R s + r s + ( b X s + b X r )
Td/Tm
1.2
0.8
0.6
b=1
0.4
b=1.5
0.2
b=2 b=2.5
0
0.5 1 1.5 2 2.5
m = b * b b>1
Figura 7.12 Caracterstica torque - velocidade com controle da freqncia.
0.833
T( s , 1 ) 0.667
T( s , .8 ) 0.5
T( s , .6 )
0.333
0.167
0
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
m = b * b b<1
Figura 7.13 Caracterstica torque - velocidade com controle de tenso/freqncia.
Uma vez que a tenso nominal da mquina no deve ser excedida, este tipo de
acionamento aplica-se para velocidades abaixo da velocidade base. O acionador mais usual do
tipo inversor com controle MLP ou de onda quase-quadrada, que permita ajustar
simultaneamente tenso e freqncia. Um inversor de onda quadrada necessita de uma tenso no
barramento CC varivel. Para velocidades muito baixas pode-se ainda fazer uso de
cicloconversores (conversores CA-CA).
medida que a freqncia se reduz, o fluxo de entreferro tende a diminuir devido
queda de tenso na impedncia srie do estator, levando reduo na tenso aplicada sobre a
reatncia de magnetizao, o que conduz necessidade de se elevar a tenso em tais situaes
para se manter o torque.
jI i X m
Ir = (7.34)
Rs + Rr + j(X m + X s + X r )
s
3R r ( X m I i ) 2
Td = (7.34.a)
2
2
s s R s + R r + (X m + X s + X r )
s
3R r (X m I i ) 2
Ts =
[(R s + R r ) + (X m + X s + X r ) ]
(7.35)
2 2
s
Rr
sm = (7.36)
+ (Xm + Xs + Xr )
2
R 2s
3 L2m
Tm = I 2i (7.37)
2( L m + L r )
I1>I2>I3 I1
I2
I3
V-
V+
V+
Retificador Inversor
Icc L
Linha
Vcc
Motor ca
Figura 7.16 Estrutura bsica de sistema para acionamento em corrente de mquina ca.
Icc T1 T3 T5
C5
-Vca+
Sw
+Vab- +Vbc-
b c
a
C1 C3
D1 D3 D5
C
E
R Ls
B
E
A
E
D4 D6 N D2
-Vtr+
C4
+Vrs- +Vst-
C6 C2
T4 T6 T2
T3
T5 -Icc
T4 2
T6 2/3 Icc
T2
t1 Conexo tringulo
Figura 7.18. Conduo dos tiristores e formas de corrente na carga.
Icc T1 T3 T5 Icc T1 T5
C5 T3
C5
+ - + -
+ - + - + -
b c b c
a a
C1 C3 C1 C3
D1 D3 D5 D1 D3 D5
E E
C R Ls C R Ls
B B
E E
A A
E E
D4 D6 N D2 D4 D6 N D2
-Vtr+ -Vtr+
C4 C4
+Vrs- +Vst- +Vrs- +Vst-
C6 C2 C6 C2
T4 T6 T2 T4 T2
T6
(a) (b)
Icc T1 T3 T5 Icc T1 T3 T5
C5
C5
+ -
- + + - - + + -
b c b c
a a
C1 C3 C1 C3
D1 D3 D5 D1 D3 D5
E E
C R Ls C R Ls
B B
V BA E E
A A
E E
D4 D6 N D2 D4 D6 N D2
-Vtr+ -Vtr+
C4 C4
+Vrs- +Vst- +Vrs- +Vst-
C6 C2 C6 C2
T4 T6 T2 T4 T6 T2
(c) (d)
Figura 7.19. Estgios de operao do inversor fonte de corrente com tiristores.
Figura 7.20 Forma de onda tpica de tenso de linha para inversor de corrente a tiristores.
Icc
+ A + B + C
E E E
Icc
Carga
Cf
S. B. Dewan, G. R. Slemon and A. Straughen: Power Semiconductor Drives. John Wiley &
Sons., New York, 1984
iL L Io
+
E C vc
S D
carga
iL
v
C
Io
DS
Consideremos que a carga tem uma caracterstica indutiva, como um motor de induo.
Quando a tenso se anula, como a corrente iL menor do que a corrente Io, o diodo D conduz,
suprindo a diferena da corrente. Durante a conduo de D enviado o sinal de comando para S
o qual entra em conduo quando a corrente do indutor se torna maior do que a da carga. A
corrente tem uma variao linear neste intervalo. O interruptor desligado (sob tenso nula)
quando a energia acumulada em L for suficiente para garantir que, no prximo ciclo, a tenso
volte a se anular.
Os inconvenientes desta estrutura so basicamente dois:
A tenso mxima sobre os interruptores apresenta picos com o dobro do valor da tenso CC.
Sendo possvel realizar a comutao apenas nos instantes em que a tenso nula, este
conversor no se presta ao uso de MLP.
Como vantagem pode-se citar a sua grande simplicidade, sendo possvel aplic-la em
freqncias de at 100kHz (com IGBTs)
Como no se pode usar MLP, o controle feito por Modulao de Densidade de Pulsos -
MDP. Nesta tcnica, como mostra a figura 8.3., entregam-se carga "pacotes" de energia que
possuem uma durao constante (no caso igual ao perodo de ressonncia). A quantidade destes
"pacotes" em um certo perodo (relativo freqncia que se deseja na sada) permite alterar o
valor mdio da tenso sobre a carga. A polaridade determinada pela conduo dos interruptores
da semiponte superior (tenso positiva na sada) ou da semiponte inferior (tenso negativa na
sada). Assim, a variao da tenso discreta, enquanto em MLP contnua.
A tcnica MDP tanto mais eficiente quanto maior a freqncia de ressonncia em
relao freqncia fundamental que se quer na sada. Estudos indicam que para uma dada
freqncia de ressonncia, o contedo espectral do sinal de sada equivalente ao de um
conversor MLP com freqncia de chaveamento 10 vezes menor. Ou seja, um conversor deste
tipo operando a 50kHz produz sobre a carga um contedo harmnico semelhante ao de um
conversor operando em MLP a 5kHz.
+
Cc K.E Sc
i L i
L L
+
E C Vc
carga
O capacitor Cc pr-carregado com uma tenso K.E, onde K varia tipicamente entre 0,2
e 0,4 (ou seja, com uma sobre-tenso de 20% a 40%). Quando a tenso no capacitor ressonante
atinge este nvel, o diodo em antiparalelo com o transistor Sc entra em conduo. Cc muito
maior que C, de modo que a tenso fica limitada. O controle adequado de Sc permite controlar a
tenso sobre Cc.
iL
Vc
(1+K)E
Is
Sc
Sc C C D(Sc)
to t1 t2 t3 t4 T
Diodos
Figura 8.5. Formas de onda no circuito ressonante.
is
Dm
Cs Cs Cs
Sm Sr Dr
T1 T3 T5 carga RL
io
E
Lr Vlink
iL Cs Cs Cs
+
Ce Ve T2 T4 T6
Como se nota, o instante de entrada em conduo dos transistores da ponte deve ocorrer
durante o intervalo em que a tenso vlink nula e o seu desligamento pode ocorrer a qualquer
momento, garantindo um comando tipo MLP.
i L
Ir1
v
link
E
Ir2
Dr
Sm Sm e Sr Sr Diodos T1 Dm, Sm, Dr
Sr T2 Dr
to t1 t2 t3 T4 t4 t5
T6
T1/T4/T6 T1/T4/T6
Ressonncia
E (2 Ve E) C se
I r1 = I m1 + I 01 + (8.1)
Lr
onde I01 o valor da corrente Io (soma das correntes positivas pelas fases da carga) no instante
t1, a qual suposta constante no intervalo (t2-t1). Im1 uma margem que leva em conta as perdas
no circuito ressonante e tambm assegura uma corrente no indutor Lr que torne o intervalo (t2-
t1), no qual a tenso se reduz, curto o suficiente. Este mesmo parmetro usado para manter
constante a tenso Ve. Cse a capacitncia equivalente com a qual se realiza a ressonncia.
C se = 3 C s (8.2)
2 I r1 Lr
( t 4 t 2) = (8.3)
Ve
Lr deve ser escolhido como um compromisso entre um mnimo pico de corrente (valor
mnimo) e um intervalo (t4-t2) suficientemente longo ( mxima corrente), que permita ao
comando ligar os transistores da ponte.
Em algumas situaes a corrente de carga pode assumir valores baixos, seja nos
cruzamentos com o zero, seja pela variao da carga propriamente dita.
Correntes baixas significam que o processo de descarga dos capacitores de snubber (t2-
t1) se far lentamente, afetando a forma de onda aplicada carga, que no ser mais uma onda
quadrada, mas ter uma das bordas muito suavizada. Obviamente o controle MLP fica afetado.
Sintetizando, como vantagens deste circuito tm-se:
Controle MLP;
Reduo nas perdas do circuito ressonante;
Reduo na potncia reativa em circulao.
Com desvantagens cita-se:
Necessidade de monitorar a tenso Ve e as correntes iL e Io;
Distoro do controle MLP para baixas correntes de carga;
O instante de entrada em conduo dos transistores no livre.
Esta estrutura pertence famlia dos conversores com polo ressonante. Diferentemente
dos esquemas precedentes, neste caso cada ramo do inversor possui seu prprio circuito auxiliar
para a realizao de comutao suave, de modo que cada ramo livre para comutar a qualquer
instante, permitindo o uso de modulao MLP.
A desvantagem o maior nmero de componentes ativos e passivos.
A figura 8.8. mostra o esquema para uma fase.
Os capacitores em paralelo com os interruptores S1 e S2, C1 e C2, permitem um
desligamento sob tenso nula, a qualquer momento. O funcionamento da estrutura deve ser tal
que, antes da conduo dos interruptores, os diodos em antiparalelo conduzam, descarregando os
capacitores de snubber.
A sobre-corrente presente no indutor ressonante tipicamente de 1,3 a 1,8 p.u.. A
atuao do circuito auxiliar deve se reduzir a um intervalo de 1/10 a 1/20 do ciclo de
chaveamento, o que significa que o valor RMS, apesar do maior pico de corrente, bastante
reduzido.
D1
S1 C1
E/2 DA2 DA1 ir io
Cr/2
Cr/2
Lr
SA2 SA1 Vp
E/2
S2 C2
D2
SA2
SA1
S2
S1
i r
E
Io
0 v
p
to t2 t3 t5 t6 t7 T
t1 t4
to-t1: D2, SA2, DA1 t1-t2: S2, SA2, DA1 t2-t3: Ressonncia, DA1, SA2 t3-t4: D1, SA2, DA1 t4-t5: S1, SA2, DA1
t5-t6: S1 t6-t7: Ressonncia, SA1, DA2 t7-T:D2
Um outro enfoque para se obter comutao suave em topologias em ponte, estejam elas
operando como inversor ou retificador, pelo uso de um circuito auxiliar nico que nas
transies produzem uma tenso e/ou corrente nula pelo interruptor a ser ligado. Seu
funcionamento deve ser tal que seja garantida uma operao tipo MLP, ainda que dentro de
certos limites.
A figura 8.10. mostra um conversor que faz uso de um circuito auxiliar para permitir uma
entrada em conduo suave dos interruptores. O desligamento suave sempre obtido por causa
da presena dos capacitores em paralelo com as chaves. Uma estrutura trifsica tambm
possvel.
A fonte Vf constituda, na verdade, por um capacitor e uma carga resistiva. Sua funo
apenas de oferecer um caminho para a absoro de alguma energia remanescente nos indutores
La e Lb quando o interruptor auxiliar Sa aberto. Idealmente, Sa deve comutar sob corrente
nula.
O retificador mostrado opera como fonte de tenso. As indutncias de entrada so de
valor muito mais elevado do que as indutncias La e Lb, de modo que, durante o intervalo de
comutao pode-se considerar constante a corrente de entrada.
A figura 8.11. mostra algumas formas de onda para este conversor.
C2 D2 S2 v D1 S1
C1
La + C1
E La iLa i1 L1
Vf
Sa
Lb L2
v C4 D S4 C3 D3 S3
4
C4
Figura 8.10. Inversor MLP com circuito auxiliar para comutao suave
Vo v C1
0
Vo
v C4
Vo/2
i La
Ii
v La
-Vo/2
Sa
S1 e S4
S3
S2
to t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 T
at to: D1 e D4 t0-t1: D1, D4, Sa t1-t2: Sa, S1, S4 t2-t3: Ressonncia: capacitores, Sa
t3-t4: Sa, D2, D3 t4-t6: S2, S3 t6-t7: C1, C3, S2 t7-t8: D1, S2 t8-t9: C2, C4, D1 t9-T: D1, D4
Figura 8.11. Formas de onda do retificador com circuito auxiliar para comutao suave.
D. M. Divan: "The Resonant DC Link Converter: A New Concept in Static Power Conversion".
IEEE Trans. on Industry Applications, Vol 25, no. 2, Mar. 1989, pp. 317-325.
L. Malesani, P. Tenti, P. Tomasin and V. Toigo: "High Efficiency Quasi Resonant DC Link
Converter for Full-Range PWM". Proc. of APEC '92, Boston, USA.
O estudo que se segue se aplica aos inversores de corrente (aqueles que tem como
entrada uma fonte de corrente CC) e aos retificadores com sada em corrente. Os circuitos para a
realizao de comutao suave empregados em ambas aplicaes so, na maioria das vezes, os
mesmos. Eventualmente um mesmo circuito pode permitir a realizao de comutao suave em
ambas as pontes (retificador/inversor) quando conectadas num arranjo CA/CC/CA.
Tipicamente os inversores de corrente so aplicados no acionamento de grandes
mquinas de corrente alternada, especialmente as de construo mais antiga, cuja isolao no
suporta os elevados dv/dt produzidos por inversores de tenso. Devido alta potncia, em geral
se faz uso de GTOs.
Como caractersticas desejveis para estes circuitos de comutao suave pode-se citar:
Mnimo nmero de componentes adicionais, especialmente os ativos;
Comutao suave de todos os interruptores;
Independncia da corrente de sada e da tenso de entrada;
Funcionamento em MLP;
Mnima sobre-tenso em relao a um conversor MLP convencional.
Carga RL
Lb ( )
io
io
A operao em MLP pode ser obtida, no mais utilizando um link ressonante, mas com
um circuito auxiliar que garanta condies de comutao suave para os interruptores.
A figura 9.3. mostra um retificador com sada em corrente empregando um circuito para
comutao dos GTOs sob corrente nula. Um circuito anlogo, apenas com a inverso na
polaridade do circuito auxiliar pode ser usado para inversores.
Lr
S1 S2 S3
Sa2
D1
Vr - + Vo Io
Cr
Sa1 D2
S4 S5 S6
(1+K)Vp Vc
0
S1 e S6
Saux
(1+K)Vp
Vo
Vi
0
-(1+K)Vp
Figura 9.4. Formas de onda da tenso no capacitor, dos sinais de comando e da tenso de sada
Saux
S1 e S6
(1+K)Vp
Vi Vo
0
-(1+K)Vp
Io I L
to t1 t2 t3 t4 t5
Lr
Zo = (9.1)
Cr
(1+ K) Vp Vi
> Io (9.2)
Zo
K Vp
> Io (9.3)
Zo
O valor do capacitor deve garantir um dv/dt menor do que o mximo estabelecido para os
interruptores:
Io max
Cr >
( )
dv
dt MAX
(9.4)
(1 + K) Vp + Vp
Lr >
( )
(9.5)
di
dt MAX
Uma outra condio que deve ser atendida que os interruptores da ponte devem ser
desligados quando toda a corrente de sada estiver fluindo pelo capacitor (ou seja, aps t1) mas
antes que a tenso vC caia abaixo de Vi, o que levaria novamente a haver corrente pela ponte.
Seja Toff o tempo necessrio para o efetivo desligamento das chaves da ponte:
Io max Toff
Cr (9.6)
K Vp
Para assegurar um desligamento sob tenso nula para as chaves auxiliares, deve-se
assegurar que Cr tenha se descarregado totalmente durante o intervalo entre t1 e t2. Assim,
define-se um mnimo tempo que estes interruptores devem permanecer em conduo, que
aproximadamente igual ao intervalo (t2-t1). Para correntes de sada pequenas este intervalo pode
tornar-se excessivamente longo:
Cr (1 + K ) Vp
( t 2 t1) min = (9.7)
Io min
S1 S2 S3 D1
u1
D2
i1 Sr
u2 i2 u Id
+ d
v Cr Lr
C
u3 i3
iL
S4 S5 S6
Figura 9.6. Topologia do conversor operando como retificador com sada em corrente
O retificador controlado por MLP. No caso das formas de onda mostradas na seqncia,
utiliza-se uma estratgia MLP que permite a sntese de uma corrente senoidal de entrada ao
mesmo tempo em que fornece a tenso mdia desejada na sada. A tenso de sada do retificador
apresenta-se com 3 nveis. A corrente de entrada do retificador uma seqncia de pulsos de
amplitude Id na freqncia de chaveamento. A forma senoidal obtida aps uma adequada
filtragem.
Transies de uma tenso mais alta para uma menor ocorrem naturalmente de maneira
suave, uma vez que o GTO que entra em conduo se encontra reversamente polarizado, sendo
necessrio que antes de sua efetiva entrada em conduo o respectivo capacitor se descarregue.
Consideremos o intervalo indicado na figura 9.7., no qual a tenso ui1 positiva e a
maior em mdulo.
u i1
0V
u i2 u i3
A figura 9.8. mostra a forma da tenso de sada, ud, durante este intervalo. O ciclo de
trabalho, nesta simulao, foi feito constante por facilidade. Note-se a existncia de corrente
pelas 3 fases em cada perodo de chaveamento. O pico negativo presente na tenso de sada tem
amplitude pouco superior mxima tenso entre fases, bem como a sobre-tenso positiva.
A figura 9.9. mostra os sinais de comando para os interruptores e um detalhe da tenso
de sada durante um perodo de chaveamento.
Resonant
commutation
u d
u i1-u i2
u i1 -u i3
T
i1
0
i2 0
i3 0
Consideremos a situao mostrada nas figuras 9.8. e 9.9. em que conduzem inicialmente
S1 e S5. A tenso na sada a mxima tenso de linha de entrada (ui1-ui2). Quando S5 for
desligado, S6 deve entrar em conduo. Como ui2 est mais negativa que ui3, o GTO relativo a
S6 est com seu terminal de anodo mais negativo do que o terminal de catodo, ou seja, est
reversamente polarizado. A presena de um sinal de gate no o leva conduo. O que ocorre
com o desligamento de S5 que o capacitor C6 se descarrega (enquanto C5 se carrega) com a
passagem da corrente de sada at que, ao zerar sua tenso, permite a efetiva entrada em
conduo de S6.
O mesmo comportamento ocorre quando S6 desligado e S4 deve conduzir, realizando o
intervalo de livre-circulao.
Ou seja, transies de uma tenso maior para uma menor produzem naturalmente
comutaes suaves. O problema est na transio inversa, ou seja, na passagem para uma tenso
mais alta. Esta passagem se faz com o auxlio do circuito auxiliar, como descrito a seguir.
T
S1
S5
S6
S4
u d
0
S1 S5 S1 S6 S1 S4
Figura 9.9. Sinais de comando dos interruptores e tenso de sada durante perodo de
chaveamento.
iL
Id
0
u
C
u (S1)
0
-u i u (S5)
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
C1 C2 C3
D1
S1 S2 S3
D2
Sr
+
Id Id
uC
S4 S5 S6 -
C4 C5 C6
(a) (b)
Figura 9.11. Configurao do circuito nos intervalos (T0-T1) e (T1-T2)
Id Id
IL IL
(a) (b)
Figura 9.12. Configurao do circuito nos intervalos (T2-T4) e (T4-T5)
Id Id
(a) (b)
Figura 9.13. Configurao do circuito nos intervalos (T5-T6) e (T6-T7)
v* U (9.8)
td = T5-T4 (9.9)
Esta ltima condio determinada em funo do atraso previsto para o acionamento dos
GTOs devido ao processamento do sinal de comando.
O valor do pico de tenso na sada dado por:
u dp = v *2 + ( Z o I d ) 2 (9.10)
Impedncia ressonante:
Lr
Zo = (9.11)
Ce
Capacitncia equivalente:
Ce = C r + 32 Cs (9.12)
Freqncia de ressonncia:
1
o = (9.13)
L r .Ce
U
Zo = M2 1 (9.16)
I d max
Pode-se ento calcular m e determinar uma freqncia de ressonncia que satisfaa eq.
(9.9).
1
2 arcsin
m
o = (9.17)
t d
ud
u s1
iL
uC
Lf id
S1 S2 S3
iL carga
e1
+
Lr i1
Cr v e2
C
ud Sr i2
e3
D2
i3
S4 S5 S6
D1
Figura 9.16. Inversor de corrente com circuito auxiliar para comutao ZVS
T
S5
S1
S3
S2
ud S1 S5 S3 S5 S2 S5
0
u"
u' d
d
Figura 9.17. Formas de onda dos sinais de comando e da tenso de entrada do inversor, numa
situao de fluxo de potncia da carga para o retificador.
Y. Murai and T. A. Lipo: "High-Frequency Series Resonant DC Link Power Conversion". Proc.
of IEEE-IAS Annual Meet., 1988, pp. 772-779.
D. Ciscato, L. Malesani, L. Rossetto, P. Tenti, G.L. Basile, M. Pasti and F. Voelker: "PWM
Rectifier with Low DC Voltage Ripple for Magnet Supply". IEEE Trans. On Industry
Applications, vol. 28, no. 2, March/April 1992, pp. 414-420
Neste captulo sero estudados dois tipos de conversores que, a partir de uma tenso de
entrada alternada, produzem na sada uma tenso tambm alternada mas de caractersticas
distintas, seja em valor eficaz, seja em freqncia, ou em ambas.
Quando se altera apenas o valor da tenso CA, temos os chamados Variadores de Tenso,
enquanto os cicloconversores permitem produzir sada com freqncia distinta daquela presente
na entrada.
Vi.sin(wt) Vi.sin(wt)
carga carga
Quando a carga do tipo resistivo, tanto o incio da conduo quanto seu final podem
ocorrer em situaes em que tenso e corrente so nulas (incio e final de cada semiciclo da rede)
tem-se, ento, o chamado controle por ciclos inteiros. Sua vantagem o de praticamente eliminar
problemas de Interferncia Eletromagntica (IEM) devido a baixos valores de di/dt e dv/dt
produzidos por este tipo de modulao.
Escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tenso de alimentao. Dentro do
perodo escolhido, a durao do fornecimento de potncia carga varia desde um nmero mximo
inteiro de semiciclos at zero. A preciso do ajuste depende, assim, da base de tempo utilizada. Por
exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semiciclos. O ajuste da tenso aplicada carga pode
ter uma resoluo mnima de 1/120.
Um mtodo de se conseguir o controle usar um gerador de sinal triangular, de freqncia
fixa que comparado com um sinal CC de controle. O sinal dente de serra estabelece a base de
tempo do sistema. O sinal de controle CC vem do circuito de controle da temperatura. A potncia
entregue carga varia proporcionalmente a este sinal. A figura 10.2 ilustra este funcionamento.
Durante n ciclos a carga permanece conectada alimentao, enquanto fica m desconectada.
T
n m Vrampa
Vc
2
Vi2 [sin (t )] d (t )
n
Voef =
2
(10.1)
2(n + m) 0
Vi n
= = Vef (10.2)
2 n+m
onde Vi o valor de pico da tenso de entrada (senoidal); Vef o respectivo valor eficaz e a
relao entre o nmero de ciclos de alimentao da carga dividido pelo nmero total de ciclos
controlveis, podendo ser interpretada como a razo cclica do controlador.
Em termos do impacto deste tipo de controle sobre a qualidade da energia eltrica,
embora no se tenha problema de IEM, tem-se a produo de variao de tenso no alimentador
em virtude da carga estar ou no conectada. Isto pode, potencialmente, violar normas que versam
sobre este assunto (IEC 61000-3-3).
S1
i(t)
Ro
vi(t) S2 vo
Corrente na carga
Figura 10.3 - Circuito e forma de onda de variador de tenso CA monofsico alimentando carga
resistiva.
1 1 sin( 2 )
Vo ef = ( Vi sin()) 2 d = Vi + (10.3)
2 2 4
A figura 10.4 mostra a variao da tenso eficaz de sada como funo do ngulo de
disparo, supondo conduo simtrica de ambas chaves.
O fator de potncia dado pela relao entre a potncia ativa e a potncia aparente. Como
a carga resistiva, a potncia ativa aquela dissipada em R, dependendo, assim, do valor eficaz
da tenso de sada.
Como a corrente da fonte a mesma da carga, o fator de potncia simplesmente a
relao entre a tenso eficaz de sada e a tenso eficaz de entrada, ou seja, apresenta exatamente
o mesmo comportamento mostrado na figura 10.4.
0.5
0 1 2 [rad]
Figura 10.4 - Tenso de sada (sobre uma carga resistiva), normalizada em relao ao valor
eficaz da tenso de entrada.
sin( 2 ) [ cos( 2 ) 1]
2 2
Vh1 = Vi + + (10.4)
2 (2 ) 2
A variao das componentes harmnica da tenso na carga est mostrada na figura 10.5 e
sendo dada por:
Harmnica 1
0.8
0.6
0.4
Harmnica 3
0.2 Harmnica 5
Harmnica 7
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Figura 10.5 - Amplitude dos harmnicos de tenso (normalizado em relao amplitude da
tenso de entrada), para carga resistiva.
Vi
i(t) = [ cos( ) cos(t )] (10.6)
L
sin( 2 )
Vo ef = Vi + (10.7)
2
S1
i(t)
L
vi(t) S2 v
o
Figura 10.7 - Circuito e formas de onda de variador de tenso CA com carga indutiva.
Figura 10.8 Formas de onda para ngulo de disparo menor que 90o (pulso estreito).
A figura 10.9 mostra a variao do valor desta tenso (normalizado em relao tenso
de entrada), como funo do ngulo de disparo.
As amplitudes das componentes fundamental e harmnicas (mpares) so mostradas na
figura 10.10 e valem, respectivamente:
2Vi sin( 2 )
Vh1 = + (10.8)
2
0.5
0 1
/2 2 3 [rad]
Figura 10.9 Tenso de sada (valor eficaz), normalizada, para carga indutiva.
1a
0.5
a
3
a
5
a
7
0
/2 2 2.5 3
Componentes harmnicas normalizadas da corrente
1
0.5
3
5
0
/2
2 2.5 3
Figura 10.10 Amplitude (normalizada) das harmnicas da tenso e da corrente sobre uma carga
indutiva.
10.2.3 Carga RL
Quando a carga alimentada possui caracterstica resistivo-indutiva existe tambm uma
limitao em termos do mnimo ngulo de conduo, o qual depende da impedncia da carga, Z.
A figura 10.11 mostra circuito e formas de onda tpicas.
Considerando uma situao de conduo descontnua (na qual a corrente por cada um dos
tiristores vai a zero dentro de um semiciclo), temos que em t1 o tiristor S1, que est diretamente
polarizado, acionado. A corrente cresce e, mesmo com a inverso da polaridade da tenso de
entrada, o SCR continua conduzindo, at que sua corrente caia abaixo do valor de manuteno
(em t2). O outro tiristor, S2, recebe o pulso de comando em t3, iniciando o semiciclo negativo da
corrente, a qual se extinguir em t4.
Z = R 2 + (L)
2
(10.10)
L
= tg 1 (10.11)
R
S1
i(t)
L
vi(t) S2 v
o
R
200V
vi(t)
-200V
40A
i(t)
-40A
200V
vL(t)
-200V
t1 t2 t3 t4
Figura 10.11 - Variador de tenso ca monofsico e carga RL.
Vi 1 sin( 2 ) sin( 2 )
Vo ef = + (10.14)
2 2 2
Carga Carga
N N
(a) (b)
Carga
Carga
(d)
(c)
Figura 10.12 - Topologias de variadores de tenso trifsicos:
(a) Com carga em Y; (b) Com controlador em Y;
(c) Com variador e carga em ; (d) Com variador em .
Na situao mostrada na figura 10.14, como os tiristores deixam de conduzir antes que se
d o disparo da outra fase, o pulso de disparo de uma fase deve ser tambm enviado ao tiristor da
outra fase que deve conduzir, para que exista um caminho para a corrente.
Para ngulos de disparo maiores que 150 no existe conduo simultnea de 2 tiristores,
de modo que no existe corrente por nenhuma das fases.
20A
-20A
20A
-20A
20A
-20A
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
-20A
20A
-20A
20A
-20A
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
Para tenses de linha com amplitude Vi, as tenses eficazes em cada fase da carga, para
cada intervalo so:
Para 0 60o :
1/ 2 (10.15)
1 sin( 2 )
Vo ef = 3 Vi +
6 4 8
A conexo do variador de tenso em possvel quando se tem acesso aos terminais das
cargas. Uma vantagem que as correntes de fase so menores do que as correntes de linha, o que
reduz as exigncias relativas capacidade de corrente dos tiristores.
Para carga resistiva, a faixa de controle se estende de 0 a 180 graus. A tenso eficaz de
fase tem a mesma expresso do circuito monofsico, afinal, o controle feito sobre cada fase
individualmente. O ngulo de disparo medido em relao s tenses de linha.
1/ 2
Vi 1 sin( 2 )
Vo ef = + (10.18)
2 2
A figura 10.15 mostra formas de onda tpicas de uma corrente de fase e uma corrente de
linha resultante.
A corrente de fase possui, tipicamente, todos os harmnicos mpares. No entanto, como a
carga est em , as harmnicas mltiplas mpares da terceira harmnica no aparecem na
corrente de linha. Desta forma, a corrente de linha ser menor do que aquela obtida da relao
convencional de um circuito trifsico, ou seja, Ia < 3 Iab . A mesma figura mostra o espectro
das correntes, evidenciando a no existncia das harmnicas citadas.
40A
-40A
60A
-60A
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
40A
0A
50A
0A
0Hz 0.5KHz 1.0KHz 1.5KHz 2.0KHz 2.5KHz 3.0KHz
Figura 10.15 - Formas de onda de corrente de fase (superior) e corrente de linha (inferior) para
conexo em . Espectro das correntes de fase (superior) e de linha.
Corrente de fase
Quando o ngulo de disparo est na faixa entre 120 e 150 graus existem apenas intervalos
em que conduzem 2 fases. A corrente se apresenta em pulsos simtricos que se iniciam no
ngulo e se anula no instante , simtrico em relao ao ngulo de 150o. A figura 10.17 mostra
as formas de onda da tenso e da corrente de fase. O segundo pulso observado se deve ao fato de
que a operao correta do circuito exige um pulso longo de gate (com durao de 120 graus),
possibilitando um caminho de retorno para a corrente de uma das outras fases.
Para ngulos de disparo maiores que 150o no ocorre conduo.
10.3.3 Carga RL
De maneira anloga ao que foi descrito para o caso monofsico, a anlise de cargas RL
faz uso de mtodos numricos, devido impossibilidade de obteno de solues analticas. A
figura 10.18 mostra formas de onda tpicas, nas quais, para um dado ngulo de disparo tem-se
conduo de 2 ou de 3 fases, com o ngulo de anulamento da corrente sendo funo do ngulo de
disparo e do fator de potncia da carga.
10A
-10A
10A
-10A
10A
-10A
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
Figura 10.18 - Correntes de linha (conexo Y) em carga RL.
40 40
C=100uF L=100mH
0V
V1 Vm VL
Figura 10.20 Tenses ao longo da linha, sem compensao.
I(L1)
I(L2)
-10A
V1 Vm VL
Figura 10.21 Formas de onda de tenso e de corrente com atuao do CCT e manobra de carga.
I(L1)
I(L2)
I(RCT))
-10A
200V
-200V
20ms 50ms 100ms 150ms 200ms 250ms 300ms
V1 Vm VL
Figura 10.22 Formas de onda com CCT (fixo), desligamento de 50% da carga e atuao do
RCT.
4.0A
I(L2)
I(L1) I(RCT)
-4.0A
200V
-200V
250ms 260ms 270ms 280ms 290ms 300ms
10A
i(RCT)
I(L1)
I(L2)
I(filtro)
SEL>>
-10A
200V
-200V
220ms 240ms 260ms 280ms 300ms 315ms
-
+ +
Io
Vr Vo
Vr
+
-
Figura 10.25 Cicloconversor com entrada trifsica e sada monofsica.
A figura 10.26 mostra forma de onda sobre a carga (resistiva) em um cicloconversor com
entrada e sada monofsicas. Observe que o ngulo de disparo vai se alterando de modo que a
tenso mdia na carga acompanhe uma variao senoidal. Neste caso tem-se uma entrada em
50Hz e uma sada em 5 Hz.
A figura 10.27 mostra o espectro da tenso, podendo-se verificar a presena da
componente de 5 Hz e harmnicas significativas nos mltiplos de 100Hz (freqncia da rede
retificada).
No caso de uma carga RL (como um motor), a prpria indutncia da carga atua como um
elemento de filtragem, o que levar a uma reduo na ondulao da corrente. Por outro lado,
como se utilizam SCRs, os mesmos s desligam quando a corrente por eles se anula, de modo
que a tenso instantnea sobre a carga pode apresentar valores negativos, como se observa na
figura 10.28. A componente fundamental da corrente apresenta-se atrasada em relao tenso,
de modo que o fator de potncia menor do que um. Esta defasagem faz com que existam
intervalos de tempo, dentro de cada semiciclo da tenso na carga, em que existe fluxo de energia
da rede para a carga (quando tenso e corrente tm mesmas polaridades) e intervalos em que a
energia flui da carga para a rede (quando tenso e corrente tm polaridades opostas).
Figura 10.26 Formas de onda sobre a carga (resistiva) em cicloconversor com entrada e sada
monofsicas.
No caso de cargas trifsicas, pode-se fazer uso de trs conversores como o mostrado na
figura 10.25. A forma de onda da tenso de linha, supondo uma carga com caracterstica
indutiva, apresenta-se como mostra a figura 10.29. Dado o fato da entrada ser trifsica, a
ondulao da tenso entre fases apresenta-se com uma freqncia 6 vezes maior que a da rede
CA, de modo que se espera uma ondulao na corrente significativamente menor do que aquela
mostrada na figura 10.28. Pode-se ainda utilizar um arranjo como o mostrado na figura 10.30, no
qual utilizam-se apenas 18 SCRs, no entanto, a pulsao da tenso na carga ocorre numa
freqncia de apenas 3 vezes maior que a freqncia da rede.
Figura 10.29 Forma de onda de sada (1 fase) em cicloconversor com entrada trifsica.
Rede CA
Sra
Ssa D1 S1 S2 D2
a
Sta
G
r Srb
Ssb
s b
t Stb
Src
Ssc c
Stc
com que duas situaes igualmente crticas surjam: se Sa abrir antes que Sb entre em conduo,
surgir um pico de tenso, devido no existncia de um caminho para a corrente da carga. Por
outro lado, se Sb conduzir antes que Sa tenha bloqueado, tem-se um curto-circuito aplicado na
fonte, levando a um surto de corrente. Ambas situaes so potencialmente destrutivas para os
componentes.
O esforo atual dos pesquisadores que atuam nesta rea o de implementar tcnicas de
comutao que garantam a operao segura deste conversor.
Sa i i
a o
+
R
+
Sb
vi vo
L
i
b
P. C. Sem: Principles of Electric Machines and Power Electronics. John Wiley & Sons, 2nd
Ed., 1997
Muhammad H. Rashid: Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications. Prentice Hall,
Inc., 2nd Ed., 1993
M. Venturini: A new sine wave in, sine wave out, conversion technique eliminates reactive
elements. Proc. of Powercon 7, 1980.
J-H Youm e B-H Kwon: Switching technique for current controlled AC-to-AC converters.
IEEE Trans. on Industrial Electronics, vol. 46, no. 2, April 1999.
11.1 Introduo
O clculo das potncias deve ser feito, via de regra, pelo produto dos sinais de tenso e
corrente sobre o componente em questo.
Consideremos para fins de exemplo as formas de onda indicadas na figura 11.1. Os
valores da potncia mdia em cada sub-intervalo so calculados na seqncia.
Potncia
p=v.i
v
V1 I1
i Vo Io
0
t0 t4 t5
t1 t2 t3
T
Figura 11.1 Exemplo de sinais de tenso, corrente e potncia para clculo de potncia mdia
dissipada.
a) Intervalo (t1-t0)
i( t ) = Io (11.1)
v ( t ) = V1 (11.2)
t1
1
P1 = Io V1 dt (11.3)
T t0
Io V1 (t1 t 0)
P1 = (11.4)
T
b) Intervalo (t2-t1)
( I1 Io) ( t t1)
i( t ) = Io + (11.5)
( t 2 t1)
I1
i( t ) = t (11.6)
tq
onde tq = t2-t1.
v ( t ) = V1
1 V1 ( I1 Io) ( t 2 2 t12 )
P2 = V1 Io ( t 2 t1) V1 ( I1 Io) t1 + (11.7)
T 2 ( t 2 t1)
V1 I1 tq
P2 = (11.8)
2T
i (t) = I1
( t t 2)
v ( t ) = V1 + ( Vo V1) (11.9)
( t 3 t 2)
t
v ( t ) = V1 1 (11.10)
td
onde td = (t3 - t2)
1 I1 ( Vo V1) ( t 32 t 2 2 )
P3 = I1 V1 ( t 3 t 2) I1 ( Vo V1) t 2 + (11.11)
T 2 ( t 3 t 2)
Simplificadamente tem-se:
I1 V1 td
P3 = (11.12)
2T
i (t) = I1
v (t) = Vo
( t 4 t 3)
P4 = I1 Vo (11.13)
T
( t t 4)
i( t ) = I1 + ( Io I1) (11.14)
( t 5 t 4)
( t t 4)
v ( t ) = Vo + ( V1 Vo) (11.15)
( t 5 t 4)
1 ( t5 2 t 4 2 )
P5 = I1 Vo tj [I1 V1 + Io Vo 2 Vo I1] t 4 +
T 2 tj
Simplificadamente:
t
i( t ) = I1 1 (11.17)
tj
t
v ( t ) = V1 (11.18)
tj
tj
P5 = V1 I1 (11.19)
6T
P = P1 + P2 + P3 + P4 + P5 (11.20)
Pp1 = V1 I1 , em t = t2 (11.21)
V1 I1 ( t 4 + t 5)
Pp2 = , em t = (11.22)
2 2 2
claro que as linearizaes das curvas de corrente e tenso por si s constituem uma
simplificao e, portanto, implicam em erros. O uso de bom senso, atuando de maneira
moderadamente conservativa fundamental para um clculo seguro.
Alguns osciloscpios digitais possuem a funo produto e at mesmo a sua integral,
facilitando o clculo (o valor integrado deve ser dividido pelo perodo de chaveamento). Este o
mtodo mais indicado especialmente em regime chaveado. Para sinais contnuos, a potncia ,
obviamente, o produto dos valores de tenso e corrente. Na ausncia dos equipamentos e/ou
recursos citados, deve-se obter os sinais de tenso e corrente e aproxim-los, em partes, por
funes de fcil integrao.
11.2.1 Diodos
Usualmente a tenso de conduo dos diodos de potncia da ordem de 1 V, valor este
que aumenta quanto maior for a tenso do componente, devendo-se verificar o valor dos
manuais. O efeito da resistncia de conduo pode ser, em geral, desconsiderado. A dissipao
no estado bloqueado pode ser desprezada em funo de seu pequeno valor em comparao com
as perdas em conduo.
A figura 11.2 indica uma situao de aplicao tpica de diodos, qual seja, uma ponte
retificadora trifsica, operando, assim, em baixa freqncia de comutao. O fator dominante
aquele relativo s perdas em conduo. Para um clculo analtico aproximado da potncia mdia,
pode-se considerar a tenso de conduo constante (Vd) e utilizar-se o valor mdio da corrente.
Como a freqncia de comutao baixa, as perdas relativas a este termo podem ser
desprezadas.
A corrente mdia pode ser estimada, conhecida a potncia consumida pela carga,
lembrando-se que por cada diodo circula 1/3 da corrente total. Assim, para uma entrada de 200V
(valor eficaz), tem-se uma tenso retificada de cerca de 300V. Supondo uma carga de 150 , a
corrente mdia pelo diodo ser de 0,66A. Para uma queda de tenso de 2 V, tem-se uma potncia
mdia de 1,32W.
J para a determinao da potncia de pico, como se deve conhecer o valor de pico da
corrente, uma estimativa analtica mais difcil, uma vez que a forma da corrente depende da
impedncia da linha trifsica e ainda de eventuais indutncias parasitas das conexes, que podem
alterar o valor do pico da corrente.
Alguns catlogos de diodos fornecem grficos indicando a potncia ou energia dissipada
pelo componente em funo da forma de onda da corrente.
20W
potncia
C Carga
-0W
400V 20A
tenso
corrente
-10V -1A
0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms
Figura 11.2. Tenso, potncia e corrente em um diodo de uma ponte retificadora trifsica com
filtro capacitivo.
Pr = Q rrn Vr f (11.25)
trr
t3
t1 dir/dt
dif/dt
Qrr
i=Vr/R
iD
Vfp Von t4 t5
vD
Vrp
-Vr t2
11.2.2 Tiristores
Em geral os tiristores so empregados em circuitos conectados rede. Em funo do tipo
de carga alimentada sua corrente pode assumir diferentes formas. O clculo da potncia mdia
pode ser feito analogamente ao que foi indicado para os diodos, pois esta uma situao de pior
caso (ngulo de conduo de 180o). A queda de tenso em conduo em torno de 1,4 V,
devendo-se verificar nos manuais o valor correto.
11.2.3 Transistores
a) Em regime contnuo
Se o transistor (bipolar ou MOSFET) estiver operando em sua regio ativa, a potncia por
ele dissipada simplesmente o produto da corrente pela tenso. Caso os valores no sejam
constantes, a potncia mdia dissipada pode ser calculada pelo produto da corrente e tenso com
valores RMS.
b) Em regime chaveado
Formas de ondas tpicas de tenso e corrente pelo componente esto indicadas na figura
11.4. Os valores mdio e de pico podem ser calculados (estimados) de acordo com o que foi
indicado anteriormente, para formas de onda genricas. Note que, em relao s formas de onda
da figura 11.1, tem-se um agravante que a corrente de recombinao reversa do diodo, que se
soma corrente do transistor, aumentando significativamente o pico de potncia dissipada na
entrada em conduo do transistor.
200V 100A
tenso
corrente
L
0V 0A T
10KW
D C
Potncia
0W
20.0us 30.0us 40.0us 50.0us 60.0us 66.5us
Figura 11.4. Formas de onda tpicas de potncia em um transistor utilizado em fonte chaveada
com carga indutiva.
elevados di/dt e dv/dt e aos componentes indutivos e capacitivos (parasitas ou no) do circuito.
Medidas para reduo destes tempos ou tcnicas de chaveamento sem perdas podem ser
encontradas fartamente na bibliografia.
Os transistores MOSFET produzem menores perdas de chaveamento pois seus tempos de
subida e queda da corrente de dreno so menores que os obtidos para a corrente de coletor dos
transistores bipolares, sendo indicados para aplicaes em freqncias elevadas. No entanto
possuem maiores perdas de conduo que os transistores bipolares equivalentes. Suas perdas em
conduo podem ser preliminarmente aproximadas pelo produto da resistncia entre dreno e
fonte (RDS) pelo quadrado da corrente, ponderando-se pelo ciclo de trabalho. No entanto, como
RDS se altera (cresce) com a elevao da temperatura necessrio, em projetos mais acurados,
considerar tal efeito. Para IGBTs, como para os bipolares, faz-se o clculo utilizando a tenso
Vce e a corrente de coletor.
De acordo com esta equao, para melhorar a dissipao pode-se aumentar a rea do
dissipador ou aumentar o coeficiente individual de transporte de calor, o qual pode ser
melhorado alterando a geometria do dissipador, alterando a orientao do dissipador (deixando-o
em posio horizontal ou vertical, de modo a facilitar o fluxo do ar) ou forando passagem do ar
pelo dissipador (ventilao forada).
T 1
Rt = = (11.28)
P (h A )
T: diferena de temperatura entre regies de transferncia de calor
P: potncia mdia dissipada
3,3 Cf
Rtda = C f + 650 (11.29)
4 W A
o o
: condutncia trmica (a 77 C) [W/( C.cm)]
W: espessura do dissipador [mm]
A: rea do dissipador [cm2]
Cf: fator de correo devido posio e tipo de superfcie
Alumnio 2,08
Cobre 3,85
Lato 1,1
Ao 0,46
Mica 0,006
xido de berlio 2,10
O fator Cf varia com a posio do dissipador, sendo prefervel uma montagem vertical
horizontal por criar um efeito chamin.
0.6
0.4
0.2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
v (m/s)
Figura 11.5 Variao relativa de Rtda com ventilao forada.
R R
Tj tjc Tc tca Ta
R tcd R tda
P
Td
Figura 11.6. Equivalente eltrico para circuito trmico em regime permanente (incluindo
dissipador).
Exemplo 1:
P = 20 W
Rtjc = 2oC/W
Rtca = 10oC/W
Ta = 40oC
Tjmax = 120oC
Tc = Ta + P . Rtca = 240oC
Tj = Tc + P . Rtjc = 280oC
Rteq =
(Rtca Rtda )
(Rtca + Rtda )
Rteq = 2oC/W
Rtda = 2,5oC/W
Zt/Rt 1
=0.5
=0.1
0.1
=0.05
0.01 5
1 10 0 0.001 0.01 0.1 1
pulso nico tp
Figura 11.8. Curvas tpicas de impedncia trmica para picos de potncia.
Pd(t)
Pp
A1
t
Pj(t) A1=A2
tp Pulso normalizado
Pp
A2
T t
Pd ( t ) dt
1
tp = (11.32)
Pp 0
tp
=
T
Exemplo 2:
Rtjc = 2o C/W
Rtca = 5o C/W
Rtcd = 2o C/W
Rtda = 3o C/W
Ztjc = 0,05o C/W
Tjmax = 150o C
Ta = 40o C
P = 20W
Pp = 1000W
Tc = 90 oC
Exemplo 3:
Rtjc = 1oC/W
Rtca = 35oC/W
Rtcd = 0,7oC/W (isolador e pasta)
Ztjc = 0,01oC/W
P = 20W
Pp = 5 kW
Tjmax = 150oC
Ta = 40oC
Rtdamax = 2,58oC/W
Rtda = 2oC/W
Tc = Ta + Rteq . P = 90oC
Tjp = Tc + Ztjc . Pp = 140 oC >120o C
P.L. Hower Power Semiconductors Devices: An Overview, Proc. IEEE, vol. 76, no 4, April
1988
R.D.King er alli: Comparison of Power Darlinton, IGBT and MCT Switch Losses in ASD
PWM Inverters, PCIM, August 1990
D.S.Steinberg: Cooling Techniques for Electronic Equipment, John Wiley & Sons, Inc., 1980.