GUIA NBR S410/1997 Figura 37G - Corrente de dupla falta, Ia., em esquema IT com massas aterradas em eletrodos distintos (reprosentadas apenas as fases envolvidas) No caso ilustrado na figura 37G, as tensdes de contato presumidas, provocadas pela corrente de dupla falta, la, serdo: = na massa (1) - Ui + na massa (2) - Uz = lar. Raz Como em um esquema TT, 0 seccionamento automatico devera ser proporcionado por dispositives OR (ver 5.1.3.1.5 (b) e 5.1.3.1.6 (f)). Observe-se, no entanto, que é necessério garantir a nao atuagao dos DR quando da ocorréncia de uma primeira falta. Para isso, a corrente convencional de nao atuago, ym, de cada dispositivo (ver 6.3.3.2.1.G(c)) devera ser igual ou superior @ corrente de falta no circuito respectivo, provocada por uma primeira falta fase-massa, ura 38G mostra um esquema IT, com massas aterradas no mesmo eletrodo, indicadas as massas (1) © sedes de faltas fase-massa envolvendo fases distintas, e 0 percurso da corrente de dupla-falta, Is. A cdancia, Z., desse percurso, sera: 9 Fy +Auy Ay +r +Apy +Rp2 +R)? #(2Xq > + Xin Xia +X + Xia + Xp Xp + Kyou onde « Pe, Xe S40, respectivamente, a resisténcia e a reatancia internas da fonte: = Rus, Xu 40, respectivamente, a resisténcia ea reatancia da fase 1 do circuito de distribuicao principal. no trecho percorrido por Iai, = Rua, Xis 840, respectivamente, a resisténcia ea reat&ncia da fase 3 do circuito de distribuigao principal. no trecho percorrido por la = Ry.Xq 840, respectivamente, a resistencia e a reatancia da fase 3 do circuito terminal que alimenta a carga (1); + Riz. Xia $80, respectivamente, a resisténcia e a reaténcia da fase 3 do circuito terminal que alimenta 2 carga (1); - Ry, Xo1 So, respectivamente, a resisténcia e a reatancia do condutor de protegao da carga (massa) (1) ~ Res, Xoo S40, respectivamente. a resisténcia e a reatancia do condutor de prote¢ao da carga (massa) (2); = Fun, Aun Sd0, respectivamente. a resisténcia e a reatdncia ao conautor ae protegdo principal. entre us pontos Me N.-GUTA NBR 54101077 GUIA NBR 5410/1997, 33 URzs Zs u 13, fe (a0) jura 38G — Corrente de dupla falta, ly, em esquema IT com massas aterradas no mesmo eletrodo Considerando M ¢ N como pontos de referéncia (Ver 5.1.3.1.4.G (a)), pode-se escrever para Zs (Rr +Rys +Rpy +Rp2)? +(Xn +Xe2 + Xp, sendo ¢ um fator de correco definido em §.1.3.1.4 G(a). Desprezando as reaténcias dos condutores dos circuitos terminais e fazendo Boer De ia vird, para Zs dir yd+m)+Ra(+m,)] e Acorrente de dupla falta, ly, serd Ig = z s onde U 6 a tensdo de linha da fonte. . Considerando a expresso de Zs, tem-se, para lu,Se © risco de contato simultaneo enire as auas massas sob talta for desprezado. por improvavel, a tensao de contato presumida a ser considerada sera a que aparece, quando da ocorréncia da segunda falta, entre uma das massas sob falta ¢ o terminal de alerramento principal (B, na tigura 386), ou, o que da no mesmo, o respectivo ponto de referéncia, isto é, para a massa (1), por exemplo Ur= mR ‘Tomando a expressao de ly @ fazendo tem-se, para a tensao de contato presumida: m,zoU z0+m,)+0>m,) ‘Admitindo a instala¢ao como TN, com uma fase aterrada, a corrente de uma falta direta tase-massa em (1), serd (ver §.1.3.1.4.G(a)): ou Ryd+m,) Na e, analogamente, em (2), cu Rad+m,) admitindo-se que o fator c seja o mesmo que o considerado no caso da dupla falta, As relagées entre a corrente de dupla falta, la, ¢ as correntes de falta ly, € lez, Serdo: ly ___z+m,) Iq 20+m,)+d+m,) epee la 20+m,)+(1+m,) observando-se que: 'sto @, @ corrente de dupla falta, I, serd sempre superior & metade das correntes de falta (Unica) direta, em qualquer das duas massas envolvidas, considerando-se um esquema TN. Assim, pode-se dizer que, em um esquema IT com as massas interligadas. a condigao de protecéo por Seccionamento automatico da alimentagdo, por ocasiao de uma segunda falta fase-massa, 6 salisteila se o dispositive de protegao (a sobrecorrente) de cada citcuito assegurar © seccionamento de uma corrente, no Iminimo, igual 4 metade da corrente de falta direta fase-massa que cicularia se a instalaga0 sequisse o esquema TN, em um tempo maximo obtido da curva Le (ver 5.1.3.1.0.G(c)), para a tensao de contatoGUIA NBR 5410/1997 55 presumida (entre a massa sob falta ¢ 0 terminal de aterramento principal) Portanto, 0 dispositivo de protecao deve ser tal que a corrente de dupia talta, ly, se (ver 5.1.3.1.4 (a) Zs assegure sua operagao em um tempo que nao exceda o fixado pela curva Le, fungao da tensao de contato presumida, ou a Ss, nos casos previstos na nota de §.1.3.1.3. Na equagao: + U éa tensao de linha; ~ Zs 6 a impedancia do percurso da corrente de falta do esquema TN (ver 5.1.8.1.4.G(a)). Chamando de |, a corrente que assegura a atuagao do dispositive de protegao nas condigdes indicadas, tem- se: u 1, $0,5—— Zs ‘0u, como indica a Norma, u 2055 ‘Como alternativa ao uso da curva Lc, pode ser utllizada, na determinagao dos tempos maximos de seccionamento, a tabela 21, obtida de modo andlogo & do esquema TN (ver 5.1.8.1.4.G(d)).. As expressdes da corrente de dupla falta, Ia, e da tenséo de contato presumida, Us, podem ser escritas (desprezando-se as reatdncias): (Essas expresses podem ser obtidas das expressdes anteriores de lay e Us, fazendo-se m: = mz=mez=1,) Na equagao acima: ~ Ry a resisténcla do condutor fase do circuito terminal considerado (a jusante do ponto de referéncia), @ ~ Rp a resisténcia do condutor de protegao respectivo. ‘Quando, por necessidade imperiosa, o neutro for distribuido, as condigées de dupla falta, uma das quais neutro-massa, S80 as mais destavorévels, porque dao origem & menor corrente de dupla falta, la, € essa Corrente, tomada igual & metade da corrente de falta neutro-massa no esquema TN, é determinante para a Protegao contra contatos indiretos. Se as condi¢des de protegao so satisfeitas para uma dupla falta fase- Neutto, elas o serao melhor para uma dupla falta tase-fase No caso de neutto distribuido, a tensdo U deve ser substituida nas equagbes por Uo, tensdo fase-neutro.56, GUIA NBR $4100/1997 a 8) Em um esquema IT, a protege contra contatas indiretos deve ser realizada por = dispositive DA. quanuo as massas sav atetiauas, siulviguaIMente Lu por yrupos, aterramento distintos: 1 eleirodos Ge ~ dispositivos a sobrecorrente, quando as massas sao interligadas ¢ ligadas ao mesmo eletrodo de aterramento. No caso de massas interligadas, pode-se determinar 0 comprimento maximo de um circuito terminal, fax, para que seja atendida a condicéo de protecao contra contatos indiretos. A partir da expressao correspondente do esquema TN (ver 5.1.3.1.4.G(e)), tem-se: = sem neutro distribuido: cu. s——s, pl, (+m) Cia 0) - com neutro distribuido: Us pl, +m onde: -U éa tensao de linha da fonte; ~ Uo é a tensao de fase da fonte; ~ m 6a relagdo entre as segdes nominais do condutor fase e do condutor de protegdo do circuito terminal (admitidos do mesmo material ~ p 6a resistividade do material dos condutores; + © 6um fator de correcao definido em §.1.3.1.4 Gla) = S, 6 a segao nominal do condutor fase do circuito; + la € a corrente que garante a aluagao do dispositive de protegéio em um tempo maximo, dado na tabela 21, ou em até Ss, nos casos previstos na nota de 5.1.3.1.3.ESQUEMA TN _ PERCURSO DE COPRENTE. 2E FAL) FASE-MASSA @) . 2, mparvdnen v0 PEecurso ___ I, = Y, /: 2 « 2, MEDIDA [@ALCULADA (eazeveo 0 & PossiVel. Q00, PEs ESTNEREM. NA MESMA LINHA LAS CON- DU7ORIA FASEESQUEMA TN Bes %e) . (@.X PE _ SO’ CONS/DERANDO. 0 PERCURSE DE L, PELO COMdUTOREA - Y= QUEDA ENTRE Bx @) aLZ det [Bre | UU = QUEDA ENE MEO _,U=sI2_-. £ mecOmmr; 2 Us =i [Re oa ea 23ea” “Pe le +h +a.) (KtX, +X, )° = SIMPLIFICACAO 20 CALEULO DE ae LICGACAO EQpPoTEN CIAL (surcerteni™ne) EWTRE UM ELEMENTO CONDUTOR ESTRANHO PROXIMO AM E UM PONTO 20 PE 20 CIRCUITO QU ALIMENTH 0 GQUPAMENTO C/MASH M __ PONTO Re~ FERENCIA P| ESQUEMA TN LIMPLIFICACAO 20 CALOUOD DE Z, (conr) |, ELEMEN?IO CONDUIOR, ESTRAN HO ARMADUEA 20 CONCRETO PROKIMA 20 2) DO C/RCUIPO , PONTO P___ TERMINAL, DE ATERRAMENTO DO 2D 1 Z, CALCUADA APENAA C/ A MPEDANEIA 20 CT DEM (REshRERANDO AS REATANEIAA__CON SIDERANDO APENKA ae Ie a FATOR, DE cokeaeko aoe 2.) | | |ESQUEMIA TN SIMPLIFICACAD DO HLCULO VE Z, (cour) 2-£(%,* Ser) ar f C= 06 __ PASTANIE 0A FON dee TE, @=/__ PUNO A FONTE . K00m™ -SE, Ere CERAL 229,P “yb Uno nono P__ ¢) Reg Qes Ss PREZANDO x eC OS, 7B St. a (cond! 4 MUITO conus) PODE-SE. DISPENSAR A LIGA AO EQUIPCTENCIAL SUPLETIENMRESQUEMA TN —EXPRESSAO DE YU, COM AS SIMPLIFICAGOLA —fe Pe . Z= % = et aL Be i, eee ES OPER. au — Aa el ml & 7 1 PEE ie mae, Lei tas leet ea tacn tel S, a F Kuee/® ama 47] Sage Lem 5 ae ea eeee (1/70 comum) —_ a=/ eee Somers 2F« . . . ESQUEMA TN _ APLIGACHO A EDIFICAGAO DE PEQUENO PORTEESQUEMA TN -LIMIMAGOES AO USO 20 TN-© __ ROMPIMENTO 20 NEV- 7Ro (PEN) caL0cA A eAeenEA (oassA) VE LQUIPAMEN 70 L1GALO ENTRE FASE & NEY) ~ TRO No LOTENCIAL QA FASE »SOMENTE, EX INSTRLACOKA FI} | XAS E £ 20M S > /Ouui? (Cx) 00 V6 sus? (06) ~NAO AWMITE, O USO VE DASPOSITIVO DR, 2qEXSQUEMA TN = CONICS MRd SECCIONAMENTS AUTOMATICO DA ALI - MENTACAO i ~L,>T —_T = Caerenre @ a a a a \ u i a | ASSEGURA A ATUAGAO 20 kS ae POSITVO2E PROTEMO NUM z Tempo & Esfecrredo (MAx/- Mo) QUANDO Y So fa bat /24<4, ae E 2A S/TUAGKO (/ TEMPO CT __ FUNEAO DE oh au 2)| EsavemMA 7 , —GONLIHO AAKA SESSIONAMENTO AUTOMATICO 2A) ALI MENTACAO (CONT) ath iE | | ke dw eof (4) + # ie » 6 —» CURVA TEMPO -CORREN ab | » U (@xceutadd) _» 2UevA TE WO OP L_ — S/MPLIFICAGIO DO PROCER/MENTO . ExPRESSIO Ue U_M_ PERMITE OBTER TEM c 07M z PO A PARTIR DE UyESQUEMA TN | _NSYMPLIFICACAO 20 PROCERIMENTO Cour) | ~ Gee a aa Selacols; OoE6éSec/ PM 1Sgucgs VALORES EXTREM GD 08 (¢=96,m= /) lo,A5Y (es /,m=9) . NORMA DA’ TABELA QE TEMPOS, FUNGKO DE UY EDA SITUACKHO, QUE CORRESSONIEM APO oO X/PMADAMENTE A O,4U, (22 99,m=1) seESQUEMA TN —AQWMITEM-SIE TEMPOS DE ATE SS NO CASO ECHR CU/TOS QUE NAO ALIMENTEM_0/RETAIMENTE €QU1. 4 eS PAMENTOA movers /PoerA Tes (Gs & CTs Que SO ALIPIENTUA, EQUIPAMENTO FIXO . POUCO PROVAVELS FALTAS FASE-MASSA ~PEQUENA PROBABIL/ONDE Xe CONTATO Sf TAIS EQLU/PAMENTOD 2URANTE FALTXI ~ SQUIPLAMENTSD PODEAL SIR, FACIMENTE LARGA — | Da (NAO SO SEGURA A] mao) . U, Reddaa4 DEVK A” LEP 'ESQUEMIA TN —CONDIGDIEA YE PROTEGKO 263 VARITD @/@RU/7TD DE UMA INSTALASAO TN (mM) (m) (m) (mM) (s) el 0 (LEL YESNECESSARIA SE Roe Ss z v./ Y oD Quatio de distinigso Principal ov divisionario. 2 Ammentagdo renores ou iguais a 5sESQUEMA TN -CRITER/O 2E 2/MENSIONAMENTS YE CIRCUIT (ez) EAL FUNGAO 24 PROTECKO CONTRA CONMITSD INDI. RETOD . HIPOTESIA __ PEs NAS MESMAS LINHA ELETRI CAS BQ) REAPKCTIVID CONDUTO Rica FASE +HKNK) LELS EM NIVEL DE (AMEND QUE A RESISTEN IA 20 PE ENTRIE OD E TAP < 3s df g )ESQUEMA TN _CRITERIO DA PROTEEAO CONTRA CONTATOD INDIRETO (eon)ESQUEMA TN — UTHIZAGAO DE DISPOSITIVO DR Ee. TN oF