Infrared Physics & Technology 43(2002) 187-210

www.elsevier.com/locate/infrared

Detectores infravermelhos: Viso Geral

Antoni Rogalski *

Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908 Warsaw 49,
Poland

Resumo
Este artigo apresenta o progresso das tecnologias de detectores infravermelho (RI) durante os
200 anos de histria do seu desenvolvimento. Classificam-se dois tipos de detectores de IR
(fton detectores e detectores trmicos) e seus princpios bsicos de operao. Uma viso geral
do sistemas de detectores IR apresentada. descrito tambm os recentes e diferentes
progressos em tecnologias de IR. A discusso focalizada principalmente no rpido
desenvolvimento atual de detectores: HgCdTe heteroestrutura fotodiodos, quantum well
fotoresistores de AlGaAs/GaAs, e detectores trmicos. As perspectivas para as tendncias de
futuro-prximo em tecnologias de IR tambm so apresentadas.

Palavras chaves: Fton detectores; detectores Trmicos; Sistemas de Foco Plano; Detectores
bicolores.

1. Introduo
Observando os ltimos 1000 anos percebemos que a radiao infravermelho IR era desconhecida
at que aproximadamente 200 anos atrs quando o experimento de Herschels com termmetro
foi pela primeira vez documentado. Ele construiu um monochromator tosco usando um
termmetro como detector de forma que ele pudesse medir a distribuio da energia na luz solar.
Em abril de 1800 ele escreveu [1]: O termmetro N 1 subiu 7 graus em 10 minutos por uma
exposio para os raios cheios de cor vermelha. I drew back the stand ......o termmetro n 1
subiu, em 16 minutos , 8 3/8 graus quando seu centro estava 1/2 polegada fora dos raios
visveis.
A histria do surgimento da radiao infravermelha foi revisada aproximadamente 40 anos atrs
em duas conhecidas monografias [2,3].
Os passos mais importantes no desenvolvimento dos detectores de IR so os seguintes:

em 1921(1821) Seebeck descobriu o efeito termoeltrico e logo aps demonstrou o
primeiro termopar.

Em 1829 Nobili construiu a primeira termopilha conectando um nmero de termopares em
sries,

em 1933 (1833) Melloni modificou o desenho do termopar usando bismuto e antimnio [5].
O bolmetro de Langley surgiu em 1880 [6]. Langley usou dois finos rebites de platina, conectados
para formar dois braos da ponte Wheatstone. Langley continuou por mais 20 anos a desenvolver
seu bolmetro (tornando-se 400 vezes mais sensveis do que o primeiro). Seu ltimo bolmetro
pde detectar o calor de um animal a uma distncia de de milha. Assim, o princpio do
desenvolvimento de detectores de IR estava conectado com detectores trmicos[6]..
Os ftons detectores foram desenvolvidos no sculo XX. O primeiro fotocondutor de IR foi
desenvolvido por Theodore W. Case em 1917[7]. Em 1933 Kutzscher da Universidade de Berlim,
descobriu que sulfato de chumbo (da fonte natural da Sardenha) era fotocondutor e tinha
resposta em torno de aproximadamente 3 m [8].
Muitos materiais tm sido investigados no campo do IR. Observando a histria do
desenvolvimento da tecnologia de detectores de IR, um simples teorema, proposto por Norton [9],
pode ser demonstrado: Todos os fenmenos fsicos na faixa de aproximadamente 0.1-1 eV pode
ser usado para detectar o IR. Dentre estes efeitos esto: potncia termoeltrica (termopares),
converte em condutividade eltrica (bolometros), expanso dos gases (celula de Golay1),
piroeletricidade (detectores piroeltrico), fton condutor, efeito de Josephson2 (junes de
Josephson, SQUIDs3), emisso interna (PtSi barreiras de Schottky), absoro fundamental
(fotodetectores intrnsecos), absoro de impureza (fotodetectores extrnsecos), slidos baixo-
dimensionais (superlattice (SL) e detectores de quantum well (QW)), diferentes tipos de transies
de fase, etc.
A figura abaixo mostra as datas aproximadas do desenvolvimento dos materiais mencionados
[10].

Durante os anos da segunda guerra mundial observou-se o surgimento da moderna tecnologia de

detector IR. O Interesse era principalmente nos comprimentos de onda das duas janelas
atmosfricas 3-5 e 8-14 m, embora, atualmente exista um grande interesse em comprimentos de
ondas mais longos estimulados por aplicaes espaciais[10].

2. Classificao de detectores de IR
Os avanos na tecnologia de detectores IR est ligado principalmente aos semicondutores que
esto includos na classe dos ftons detectores. Nessa classe de detectores a radiao

1
So colunas de tubo aberto (capilares).
2
So chaves supercondutoras, semelhantes a transistores, que comutam 100 vezes mais rpido que os condutores
normais.
3
Consiste em duas junes Josephson acopladas em um anel. Se um SQUID for colocado em um campo magntico, a
voltagem associada com a corrente fluindo por ele muda de maneira caracterstica, dependendo da intensidade do
campo. O SQUID o dispositivo mais sensvel para medir campos magnticos.
absorvida no material pela interao com os eltrons. O sinal eltrico de sada observado resulta
da mudana de distribuio da energia eletrnica. Os ftons detectores mostram que o
comprimento de onda depende da resposta por unidade incidente de radiao. Um ganho de
sensibilidade foi percebido abaixando-se a temperatura de operao dos detectores (criogenia4),
este resfriamento foi um dos principais obstculos para um maior uso deste dispositivo.
Dependendo da natureza de interao, a classe de fton detectores subdividida em diferentes
tipos. Os mais importantes so: detectores intrnsecos, detectores extrnsecos, detectores
fotoemissor (silicide de metal barreiras de Schottky), e detectores de quantum well (QW). A tabela
1 mostra a comparao de vrios detectores de IR.

A segunda classe de detectores de IR constituda de detectores trmicos. Em um detector

trmico a radiao incidente em um material absorvida mudando sua temperatura, o resultado
muda algumas propriedades fsicas que usada para gerar um sinal eltrico de sada. O elemento
detector suspenso em intervalos, que so conectados para absorver o calor. O efeito trmico
geralmente dependente do comprimento de onda; o sinal depende da fora irradiante (ou da
capacidade de mudana), mas no mais do que o seu contedo espectral. Em detectores
piroeltricos uma mudana interna espontnea polarizada medida, ao passo que no caso de
bolometros uma mudana na resistncia eltrica medida. Em contraste com o fotodetector, o
detector trmico opera tipicamente em lugares que normalmente so caracterizados a
temperatura. Eles so caracterizados normalmente pela pouca sensibilidade e resposta lenta, mas
so baratos e fceis usar. A grande utilidade encontrada na tecnologia de IR foram os bolometros,
os detectores piroeltricos e as termopilhas.

4
Criogenia - produo de frio utilizando gases liquefeitos, nomeadamente o azoto lquido ou anidrido carbnico.
At os anos 90, os detectores trmicos foram menos explorados em sistemas comerciais e
militares em comparao com aos fotodetectores. A razo para esta disparidade que acredita-se
popularmente que os detectores trmicos so mais lentos e menos sensveis em comparao aos
fotodetectores. Como resultado, os esforos mundiais para desenvolver detectores trmicos eram
extremamente pequenos comparados a fotodetector. Na ltima dcada, todavia, tem sido
mostrado que imagens extremamente boas podem ser obtidas de um arranjo de detectores
trmicos conectados a tela de TV. A velocidade de detectores trmicos bastante adequada para
imagens no-escaneada com detectores bi-dimensionais (2D). A sensibilidade moderada de
detectores trmicos pode ser compensada por um grande nmero de elementos em 2D em
dispositivos eletronicamente escaneados. Com grandes dispositivos de detectores trmicos os
melhores valores de NEDT abaixo de 0.1 K, poderiam ser alcanados, porque o rudo efetivo tem
uma larguras de banda menor que 100 Hz.
Com o Resfriamento, dos dispositivos focais planos (FPAs) fabricados a partir de detectores
trmicos pde revolucionar o desenvolvimento de imagens trmicas. Recentemente, resultados
muito encorajadores tm sido obtidos com bolometros de cilcio microusinado [10,12] e
dispositivos de detectores piroeltricos [10,13].
3. Dispositivos focais planos
Vrias arquiteturas so usadas no desenvolvimento de IR FPAs. Em geral, elas podem ser
classificadas como hbrido e monoltico. O propsito central envolve perguntas sobre as
vantagens de desempenho versus produtividade final. Cada aplicao pode favorecer uma
abordagem diferente que depende das exigncias tcnicas, custos do projeto, e cronograma. No
modo monoltico, alguns dos circuitos multiplexer so feitos no prprio material detector em um
estgio externo de leitura. O elemento bsico de um dispositivo monoltico uma estrutura de
metal-isolante-semicondutor (MIS) como mostra na Fig.2(c). Um capacitor MIS detecta e integra a
imagem IR - gerada. Embora esforos tenham sido feitos para desenvolver FPAs monolticos
usando semicondutores de fendas, a nica tecnologia, que amadureceu at um nvel de uso
prtico foi a baseada em tecnologia de silcio FPA com detectores de barreiras de Schottky.

Detectores hbridos de FPAs e circuitos multiplexers so fabricados em diferentes camadas e

mantidos juntos entre si pelo flip-chip que os une (Fig.3) ou interconexo de lacuna (loophole) .
Neste caso ns podemos aperfeioar o material detector e o circuito multiplexer
independentemente. Outras vantagens do FPAs hbrido esto perto de preencher 100% do fator
de aumento da rea de processamento de sinal no circuito multiplexer. No flip-chip o arranjo de
detectores est tipicamente conectada atravs de contatos de presso por salincias de indium
aos blocos de circuito multiplex de silcio.

O dispositivo de detector pode ser iluminada do lado dianteiro ou traseiro (com ftons passando
atravs do detector de camadas transparentes). Em geral, a abordagem posterior muito
vantajosa. Em HgCdTe e FPAs hbrido, detectores fotovoltaico so formados em finas camadas
transparente epitaxial de HgCdTe na camada inferior CdTe ou CdZnTe. Para a tecnologia flipchip
de HgCdTe hbrida, o tamanho mximo do circuito na ordem de 10mm quadrados. Para resolver
este problema, a tecnologia tem sido desenvolvida com safira ou silcio como detectores em
camadas de HgCdTe.
Ao usar materiais opacos, as camadas devem ser reduzidas para 10 -20 m para obter eficincia
de quantum suficientes para reduzir o sinal eltrico. H uma grande atividade de pesquisa
direcionada para sistemas de detectores 2D salientando que consistem em mais de 106
elementos. IR FPAs tm nominalmente a mesma taxa de crescimento que memrias de acesso
aleatrio dinmica (RAM) circuitos integrados (ICs) ( conseqncia da Lei de Moores, que
assume que a habilidade do transistor e dobrar a integrao em cada IC aproximadamente a cada
18 meses) mas fica superado em tamanho antes de aproximadamente 5-10 anos. ROICs um
pouco semelhante ao dinmico RAM - somente estgios de leitura dinmica requerem um mnimo
de trs transistores por pixel comparado a um por clula de memria. Por conseguinte,
considerando que, vrios FPAs 64x64 esteja disponvel no incio de 1980, vrios produtores agora
vendem FPAs monoltico no formato 1040 x 1040 compatvel com televiso. A Fig.4 ilustra a
tendncia de tamanho de sistemas nos ltimos 25 anos e algumas projees do que evoluir na
prxima dcada.
Rockwell desenvolveu o maior comprimento de onda curta do mundo (SWIR) FPA IR de HgCdTe
para astronomia e aplicaes secundrias. O formato do dispositivo um hbrido 2048 x 2048
com uma unidade de clula medindo 18 x 18 m. A tabela 2 contm a descrio de IR FPAs que
esto comercialmente disponveis como produtos padronizados e/ou itens no catlogos dos
principais fabricantes.
H Dez anos atrs, os nicos elementos detectores de alta qualidade freqentemente custavam
acima de $2000, mas agora, a produo do mesmo IR de FPA custa menos de $1 por detector e
redues maiores so esperadas em um futuro prximo.

Dois tipos de circuitos de endereamento de silcio foram desenvolvidos: Chaves de CCDs e

(CMOS) semicondutor oxide-metal complementar. Os transportadores fotogeradores so primeiro
integrados no poo dado formando por um photogate e subseqentemente transferido para a
velocidade lenta (vertical) e por registros de deslocamentos (horizontal) rpido de CCD.
Uma alternativa atraente para o estgio de leitura de CCD so as fundies com chaves de
CMOS. Regras de projeto de 0.25 m esto em produo com pre-produo correndo em 0.18
m regras design. No momento, CMOS com caractersticas mnima 0.5 m tambm est
habilitando imagem de CMOS visvel monoltico.
4 - Viso Geral da Tecnologia de Detectores de Infravermelho
Durante as ltimas quarto dcadas mercrio, cdmio, telrio (HgCdTe), tem se tornado o mais
importante semicondutor para mdio e longo comprimento de onda (=3-30 m) de fotodetectores
IR. A regio de comprimento de ondas curtas tm sido dominada por III-IV combinaes de
(INGaAs, InASSb, InGaSb).
Houve numerosas tentativas de substituir o HgCdTe por materiais alternativos. No momento,
vrios outros sistemas de ligas metlicas so conhecidas incluindo ligas relacionadas ao mercrio
HgZnTe, HgMnTe, ligas com telrio e selnio, InAsSb, III-VI compostos com tlio e bismuto,
detectores livre-transportador e slidos baixo-dimensionais. As principais motivaes, acerca das
numerosas tentativas para substituir HgCdTe, so os problemas tecnolgicos deste material. Um
deles a fraca liga que une Hg-Te resultando em um aumento da instabilidades superficial e de
interface. Uniformidade e resistncia ainda so questionados. Contudo, HgCdTe permanece
como o principal detector na liga de semicondutores para IR. As mais importantes razes so:

Nenhum dos novos materiais oferecem vantagens fundamentais do que o HgCdTe.
Enquanto o mrito da figura, (/G) (onde o coeficiente de absoro e G a taxa de
gerao trmica) [16], de vrios semicondutores de abertura estreita parece ser muito
prximo ao HgCdTe, os detectores de transportador livre e ligas de GaAs/AlGaAs tm
vrios dispositivos na ordem de magnitude menores que /G.

HgCdTe mostra flexibilidade extrema, pode ser talhado para deteco otimizada em
qualquer regio de espectro de IR, equipamentos duplos e multicoloridos podem ser
facilmente construdos.

O desenvolvimento apresentado de fotodetectores de IR tem sido dominado por complexa
heteroetruturas de faixa-estreita. Entre vrias variveis de semicondutores de liga faixa-
estreita, o HgCdTe o nico material que alcana o espectro inteiro de IR e que tem
quase o mesmo parmetro de distncia de lacuna. A diferena de parmetro de lacuna
entre CdTe (Eg = 1.5 e V) e Hg 0,8 Cd 0,:2 Te (Eg = 0.1 e V) 0.2%. Substituindo uma
pequena Frao de Cd com Zn ou Te com Se pode compensar a m combinao residual
da lacuna. A independncia de parmetro da lacuna na composio a vantagem principal
do HgCdTe sobre qualquer outro material.
Heterojunes so utilizados para alcanar alto desempenho na prtica. Por exemplo, o
intervalo limitado no HgCdTe que absorve radiao de IR pode ser enterrado encapsulado em
aberturas mais profundas de HgCdTe prevenindo instabilidades devido as fracas ligaes de
Hg-Te.
Quando o rudo foto-background o rudo mecnico dominante, o detector est operando em
um modo ideal, e dito que exibe background e desempenho limitado (BLIP).
A temperatura do BLIP definida pelo dispositivo que est operando em uma temperatura em
que a corrente escura iguala ao fundo photocurrent, determinando um campo de viso (FOV),
em uma temperatura conhecida. No diagrama da Fig.5, so calculadas temperatura requerida
para operao de BLIP em 30 FOV, so mostrados como uma funo de interrupo do
comprimento de onda. Ns podemos ver que a temperatura operacional de 'bulk intrnsecos
no detectores de IR (HgCdTe e PbSnTe) mais alta do que para outros tipos de
fotodetectores. Detectores de HgCdTe com BLIP operam com refrigeradores termoeltricos
na escala de MWIR, mas os detectores de LWIR (8 c 12 m) operam a aproximadamente
100 K. Fotodiodos de HgCdTe mostram temperatura operacional mais alta comparada a
detectores extrnsecos, silcio, barreiras de Schottky e QWIPs. Contudo o resfriamento
requerido para QWIPs com interrupo do comprimento de onda abaixo de 10 m so menos
rigorosos comparado com detectores extrnsecos e dispositivos de barreiras-Schottky.

Recentemente, o interesse est mais focado em junes p-n fotodiodos heterostructure. Em

comparao com heterostructures, homojunctions tm uma voltagem menor de avaria e uma
corrente de fuga inversamente maior. Outro aspecto da concepo de fotodiodos a largura
da banda exigida para operao de alta velocidade.
Fotodiodos com seus baixos poderes de dissipao, e fcil multiplexao no chip de silcio do
plano focal e menor necessidade de rudo para os dispositivos e os circuitos de leitura, pode
ser montado em dispositivos 2D contendo um grande nmero de elementos, limitados
somente por tecnologias existentes.
O Epitaxy a tcnica preferda para obter materiais de dispositivo-qualidade. Entre as vrias
tcnicas epitaxial, o epitaxy lquido da fase (LPE) o mtodo mais maduro. O crescimento de
LPE deve ser realizado em temperatura relativamente alta de crescimento seguindo
interdiffusion e interfaces classificando os resultados. Os esforos mais recentes esto
apontados para tcnicas de baixas temperatura de crescimento: deposio de vapor qumico
metalorganic (MOCVD) e feixe molecular de epitaxy (MBE).
A arquitetura do detector de linha de base para SWIR InGaAs e HgCdTe P+-em-n
dispositivos (o smbolo P denota uma abertura mais larga). A Fig.6 mostra as sees
transversais do dispositivo heterostructure da camada dupla (DLPH) para ambos os tipos de
fotodiodos. Separadamente dos benefcios acima descritos, a incorporao de uma camada
ativa de faixa-estreita-abertura enterrado no DLPH reduz correntes de tunnelling e aumenta a
dureza de radiao de dose total, ambos so essenciais ao detector e atribui aplicaes de
detector remoto.
A espessura da regio de base deveria ser aperfeioada para uma unidade eficiente prxima
do quantum e uma baixa corrente escura. A espessura da regio da base deveria ser
otimizada para uma unidade prxima da eficincia do quantum e corrente baixa escura. Isto
alcanado com uma espessura bsica (tipicamente em torno de 5-7 m) ligeiramente mais alto
do que o coeficiente de absoro para um simples dispositivos de passagem. Baixas
informaes so benficas para uma baixa gerao trmica e uma alta eficincia quntica.
Como o comprimento de difuso na regio absorvente tipicamente maior que sua espessura,
qualquer transportador gerado na regio da base pode ser coletada dando crescimento a
fotocorrente.
4.1. InGaAs fotodiodos

A necessidade por uma alta velocidade de baixo-rudo de Inx Ga1-x As como fotodetectores
(InGaAs) para uso em sistemas de comunicao de ondas luminosas 1-1.7 m que operam na
regio do comprimento de onda (x = 0.53) bem estabilizado. A liga In0.53Ga 0.47As uma
lacuna igual ao substrato de InP. Tendo a corrente escura e o rudo mais baixos do que o
germnio da indireto-faixa-abertura, a competio do material prximo-IR, ambos os materiais
esto dirigindo-se a aplicaes fortalecidas que incluem baixo nvel de luz na viso noturna e
novas aplicaes tal como sensor remoto, alcance de deciso protetor ocular e controle de
processo. Mudando a composio da liga da camada de absoro InGaAs, a resposta do
fotodetector pode ser maximizado ao comprimento de onda desejvel do usurio final para
realar a relao do rudo do sinal.

A tecnologia de processamento do detector-InGaAs similar quela usada com silcio, mas a

fabricao do detector diferente. O material ativo do detector de InGaAs depositado sobre
um substrato usando o cloreto VPE ou tcnicas de MOCVD ajustadas para a espessura,
experincias, e outra necessidades. A Tecnologia Planar evoluiu de tecnologias atuais e mais
antigas, no momento extensamente usado devido a sua estrutura simples de processamento
como tambm a alta confiabilidade e baixo custo (veja Fig.6 (a)).
Os padres de fotodiodos In0.53 Ga0.47 tem detectividade radiativa limitada da temperatura de
~1013 cm Hz1/2 W-1. Com interrupo crescente de comprimento de onda, diminuio de
detectividade, como mostrado na figura 7. A qualidade mais elevada de fotodiodos de InGaAs
tem sido aumentada pelo MOCVD [19]. O seu desempenho compatvel com fotodiodos
HgCdTe.

O formato de arranjo linear de elementos 256, 512 e 1024 tem sido fabricados para sensores
ambientais de 0.8 a 2.6 m. O tamanho do pixel de 30 x 30 x 30 m2 (com espaamento de 50
m), 25 x 500 m2 para 13 x 500 m2 (com espaamento de 25 m). As ofertas ilimitadas dos
sensores 10 x 10 x 6 cm line-scan a varredura das cmeras que incorporam InGaAs linear
FPAs de at 512 elementos em um passo de 50 m. As cmeras de temperatura linear so
baseadas em 128 x 128 e 320 x 240 InGaAs FPAs.

4.2. Fotodiodos InSb

O material de InSb mais maduro que HgCdTe e a melhor qualidade dos substratos de
tamanho de 7 cm de dimetro esto comercialmente disponveis [20]. Fotodiodos de InSb tm
estado disponveis desde a segunda metade dos anos 50 e eles so geralmente fabricados
por difuso de impurezas e implantao de ions. Epistaxe no usada; ao contrrio, a tcnica
de manufaturamento padro comea com tipos-n de escolhas de camadas de cristal com
concentrao em torno de 1015cm-3. Wimmers et al. apresentou a posio da tecnologia do
fotodiodo de InSb para uma grande variedade linear e FPAs [21,22]. Fotodiodo tpico de InSb
do produto RA perto de 77K 2 x 106 cm2 a azero da polarizao 5 x 106 cm2 em ligeiras
polarizaes reversas de aproximadamente 100 mV. Estas caractersticas so benficas
quando o detector for usado no modo de capacidade de descarga. Enquanto o tamanho do
elemento diminui abaixo de 10-4 cm-2, alguma degradao ligeira ocorre na resistncia devido
ao vazamento de superfcie.
Os fotodiodos de InSb podem tambm ser operados na escala de temperatura acima de 77 K.
Naturalmente, os produtos do RA degradam nesta regio. Em 120 K, os produtos RA de
polarizao 104 cm2; so conseguidos ainda com ligeira polarizao reversa, fazendo a
operao do BLIP possvel. A eficincia quntica em fotodiodos de InSb otimizados para esta
faixa de temperatura permanece infetada at 160K. A Detectividade aumenta com fluxo
reduzido de background (FOV) como ilustrado na Fig.8. Os detectores fotovoltaicos de InSb
so amplamente usados para a astronomia ground-based IR e para aplicaes a bordo de
Telescpio Espacial Infravermelho. Recentemente Progressos impressionantes tm sido feito
na performance de InSb hbrido FPAs. Um arranjo de tamanho 1024 x 1024 possvel porque
o material do detector InSb diludo para <10 m (aps passivao e hibridizao da
superfcie para a leitura do chip) na qual permite acomodar a desigual combinao trmica do
InSb/silcio [23].

Dispositivos lineares de formatado na disposio de 64, 128 e 256 elementos so tambm

produzidos com os detectores de iluminao frontal para aplicao de alto conhecimento e
astronomia. O tamanho dos elementos dependem do formato e da escala do dispositivo de 20
x 20 a 200 x 200 m. As disposies criognica de refrigerao de InSb e de HgCdTe tm o
tamanho da disposio e o rendimento comparveis ao pixel na faixa espectral de MWIR.
Deste modo, o tunability do comprimento de onda e a grande eficincia do quantum fizeram o
HgCdTe o material preferido.
4.3. Fotodiodos de HgCdTe
fotodiodos de HgCdTe esto disponveis para cobrir a escala espectral de 1 a 20 m a Fig 9
ilustra a resposta espectral representativa de fotodiodos. A mudana espectral pode ser
adaptada por um ajustagem na composio da liga de HgCdTe.
As Tcnicas epistaxiais so as tcnicas preferidas para obter qualidade do dispositivo de
material HgCdTe para dispositivos IR. Crescimento epistaxial do dispositivo do detector
HgCdTe em substrato Si, maior do que CdZnTe tem emergido com uma particular promessa
de aproximao da escala de dimenses e atingir o custo efetivo de produo [24]. MBE
oferece potencialidades originais na engenharia de materiais inclusive equipamentos que
criam o mais baixo crescimento de temperatura, crescimento de grandes lacunas e potencial
para a mais sofisticada composio de perfis dopados. A temperatura de crescimento menor
de 200 C para MBE mas em torno de 350 C para MOCVD, tornando-o mais difcil de
controlar as dopagens do tipo-p do MOCVD devido formao de vazios de Hg.

Diferentes arquiteturas de fotodiodos HgCdTe tm sido fabricadas para serem compatveis

com as faces frontais e posterior iluminada da tecnologia de FPA hbrido[18,25]. A fabricao
de photodiodos de HgCdTe normalmente era baseada numa estrutura mais comum n+ - p e
P+ - n de estrutura DLHJ. Nestes photodiodos as camadas bsicas de tipo-p (ou camadas de
tipo-n) so intercaladas entre camadas de CdZnTe e altas dopagens (em estruturas n+ -p) ou
regies de aberturas mais largas (na estruture P+ -n). Devido a iluminao da parte traseira
(atravs de substrato de CdZnTe) e aos campos eltricos internos (que so '' bloqueados ''
para portadores minoritrios), influncia de recombinaes de superfcie no desempenho de
fotodiodos eliminado. Ambas geraes ptica e trmicas so suprimidas na regio n+ -
devida ao efeito Burstein-Moss e na regio P+ - devido a abertura da faixa. A influncia de
recombinao de superfcie tambm impedida pelo uso de passivation apropriado.
Passivation de HgCdTe tem sido feitas por vrias tcnicas que foi detalhadamente revisado
por Nemirovsky e Bahir [26]. Porm, recentemente a maioria dos laboratrios tem usado
CdTe ou CdZnTe (depositado pela evaporao de MBE, MOCVD, sputtering e de e-feixe) para
passivao de fotodiodo [27]. Por exemplo; o importante elemento da estrutura de DLHJ um
In-doped (Nd 1015 cm-3) a camada absortiva HgCdTe com uma fenda mais larga crescida por
LPE (MBE ou MOCVD), difuso de arsnico (ou implantao Na1018cm-3), uma camada de
passivao, contado do metal ao diodo, ndio para o emaranhado de leitura do multiplexo IC.
Isso aparece, que para os mais baixos nveis de informaes, realizvel de maneira
controlvel nas regies bsicas de fotodiodos (Na = 5 x 1015 cm-3 for n+p estrutura, e Nd = 5 x
1014 cm-3 for p+n estrutura), o desempenho de ambos os tipos de fotodiodos comparvel a
interrupo para um determinado comprimento de onda e de temperatura [28].
A dependncia da regio de base de difuso limitada de produto RoA em cortes de
comprimentos de onda para P-em-n LWIR HgCdTe fotodiodos em diferentes temperaturas so
mostrados na Fig.10.

Esta figura tambm inclui os dados do experimento reportado por vrios autores por DLHJ em
estruturas P-em-n. Os dados experimentais acima so situados sobre uma metade em ordem
debaixo das ltimas predies tericas. Com uma reduo da temperatura de operao de
fotodiodos, a discrepncia entre as curvas tericas e dados experimentais aumenta devido a
correntes adicionais nas junes (tais como tunnelling a corrente atual ou de superfcie do
escapamento) que no so consideradas. Os fotodiodos com desempenho mais baixo
geralmente contm defeitos metalrgico tais como agrupamentos de deslocao e voltas, pino
de furo, estriamentos, incluses de Te, e aterramento pesado. Deve-se observar que os
dados experimentais acima na escala de comprimento de onda muito longa (acima de 14 m)
em uma temperatura mais baixa (40 K) coincide muito bem com predies tericas.
Fig.11 apresenta uma comparao detalhada do desempenho de MWIR P-em-n em
fotodiodos de HgCdTe em CdZnTe e substratos de Si para comprimentos de onda que variam
de 3.5 a 5 m. O dispositivo com desempenho mais elevados so processadas dos epilayers
MBE-crescidos com a camada de cima de substratos de CdZnTe.
Os dispositivos de interrupo mais curtos (com c 3 m) so difuso-limitada abaixo de pelo
menos 125 K. Os dispositivos com comprimento de onda de interrupo mais longo (como c
5 m) parecem ser difuso-limitado abaixo de 110 K. Abaixo desta temperatura os dados
experimentais obscurecem o provvel comeo da gerao-recombinao e/ou limitaes da
corrente tunnelling.
At o presente, HgCdTe fotovoltaico FPAs tm sido baseado principalmente no material tipo-p.
Linear (240, 288, 480, e 960 elementos), escaneamento de arranjos 2D com demora de tempo
e integrao (TDI), e salientando formatos 2D de 32 x 32 at 2048 x 2048 tem sido feitos [18].
O Pixel classificado segundo o tamanho variando de 18 m quadrado a mais de 1 mm foram
demonstrado. Os melhores resultados foram obtidos usado arquitetura hbrida.

4.4. Detectores fotoemissivo de PtSi barreira Schottky

O detector de barreira-Schottky mais conhecido o detector de PtSi que pode ser usado para
a deteco de 3-5 m na escala espectral [30,31]. A Radiao transmitida pelo silicone de
tipo-p e absorvido no metal PtSi (no no semicondutor), produzindo aberturas quentes que
so emitidos ento sobre a barreira potencial no silicone, levando o silicide carregado
negativamente. A carga negativa de silicide transferida a um CCD pelo mtodo de injeo de
carga.
A eficincia de quantum foi melhorada diluindo a pelcula de PtSi e implementao de uma ''
cavidade ptica ''. Devido a uma baixa eficincia quntica, a temperatura operacional de
detectores de barreira-Schottky fotoemissivos mais baixa que outros tipos de fton
detectores de IR (veja Fig.5)
A fotoemisso de Schottky independente de alguns fatores como semicondutor dopinng,
minoritria tempo-de-vida de transportador, e composio da liga, e, em consequncia disto,
tem caractersticas de uniformidade espacial que so de longe superiores a essas outras
tecnologias de detectores. A uniformidade limitada somente pela definio geomtrica dos
detectores.
A maioria das barreiras-Schottky relatadas FPAs tm a arquitetura interlinear de transferncia
de CCD. Usando uma tecnologia de dispositivo de varredura da carga de 1.2 m, um grande
fator ocupao de 71% foi alcanado com um 26x20 pixel de m2 na 512 x512 estrutura
monoltica. O rudo equivalente a diferena de temperatura (NETD) foi estimado como 0.033
K com f/1.2 tica a 300 K. O elemento CSD FPA 1040 x 1040 tem o menor tamanho de pixel
(17 x 17 m2) entre IR FPAs 2D. A barreira-Schottky atual FPAs de PtSi fabricada
principalmente em processo de linhas ondulares de 150mm com tecnologia em torno de 1m
de litografia; a mais avanada tecnologia de Si processam ondulares de 200mm projetado com
0.25mm de regras.
Entretanto, o desempenho do PtSi monoltico das barreira-Schottky FPAs tem alcanado um
plat, e de agora em diante um lento progresso esperado. Vrias estruturas fotoemissivas de
semicondutor para deteco longa de IR foi discutido por Perera [32].

4.5. Fotocondutores extrnsecos

Os fotoresistores extrnseco so usados em uma larga escala do espectro de IR que estende
de alguns m a 300 m. Eles so os principais detectores operando na escala k > 20 m [33].
Os Detectores baseado em silcio e germnio tm encontrado maior aplicao quando
comparado com fotodetectores extrnseco de outros materiais. O Si tem diversas vantagens
sobre o Ge; por exemplo, trs ordens de solubilidades mais elevadas de impureza so
alcanados, conseqentemente podem ser fabricados detectores de silcio mais finos com
melhor resoluo de espao. O Si tem uma constante dielectric mais baixa do que Ge, e a
tecnologia relacionada a dispositivos de Si tem sido mais desenvolvida agora mais
completamente, incluindo mtodos contatando, passivao de superfcie e tecnologias
amadurecidas de MOS e de CCD. Alm do mais, os detectores de Si so caracterizados pela
rigidez maior em ambientes de radiao nuclear. A Fig.12 ilustra a resposta espectral para
diversos detectores extrnsecos.
A disponibilidade de um maior desenvolvimento de tecnologias de silcio MOS facilita a
integrao para um grande arranjo de detector com dispositivos de transferncia de carga
para processar o estgio de leitura e o sinal. A tecnologia well estabelecido tambm ajuda na
fabricao e arranjos de detectores uniformes e na formao de contatos de baixo-rudo.
Embora o grande potencial de silcio extrnseco FPAs para aplicaes terrestres fosse
examinado, o interesse diminuiu em favor de HgCdTe e InSb com as temperaturas deles/delas
operando mais convenientemente. O grande Interesse em dopagem de silcio continua para
aplicaes espaciais, particularmente em fluxo de baixo-conhecimento e para comprimentos
de onda de 13 a 20 m onde o controle de composicional difcil para HgCdTe. As energias
mais superficial de impureza em germnio permitem detectores com resposta espectral alm
de comprimento de onda de 100 m e um interesse principal ainda existe em germnio
extrnseco para comprimentos de onda alm de 20 m aproximadamente.
Para maximizar a eficincia de quantum e a detectividade de fotocondutores extrnseco, o
nvel dopagem deveria ser to alto quanto possvel. Esta idia percebida em dispositivos
bloqueados na faixa de impureza (BIB). A mais longa resposta espectral do BIB Si: Como
dispositivo comparado com o volume Si: Como dispositivo (veja Fig. 12) devido ao mais
elevado nvel de dopagem isso reduz em um eltron a energia que liga no anterior. Para uma
anlise detalhada do detector de BIB veja Szmulowicz e Madarsz [35].
Os Dispositivos de BIB feitos de silcio ou de germnio dopados so sensveis no comprimento
de onda na escala IR de 2 e 220 m. Os dispositivos BIB em grandes formatos de arranjos
esto agora se tornando comercialmente disponvel. Os melhores resultados tm sido
atingidos de dados para Si: As hbrido BIB FPAs produzido por Hughes Centro de Tecnologia
em Carlsbad [36,37] e Rockwell Centro de Cincia Internacional em Anaheim [38]. FPAs
hbrido com Si: Como os detectores de BIB que operam na escala de temperatura de 4-10 K
tem sido aperfeioado para baixa, moderada, e alto conhecimento de IR. O formato 256 x
256 com 30 pixels de m e formato 240 x 320 com 50 pixels de m esto disponveis
respectivamente para aplicaes de baixo e elevado conhecimento. Antinmio-dopado de
silcio (Si:Sb) em arranjos de 128 x 128 pixel Si:Sb tambm foram demonstrados em FPAs
hbrido que tm resposta de comprimentos de onda >40 m, tm sido demonstrado
primariamente para aplicaes em baixo e moderado conhecimento. Dispositivos de Germnio
BIB tm sido desenvolvidos em uma base experimental, mas eles ainda no foram
informados em grandes arranjos de formato 2D.

4.6. GaAs/AlGaAs QWIPs

Entre os diferentes tipos de fotodetectores IR quantum well (QWIPs), a tecnologia dos
detectores mltiplos de quantum well do GaAs / AlGaAs so os mais desenvolvidos [39,40].
A Tecnologia de QWIP baseada no sistema A3B5 no material well-developed que tem uma
grande base industrial com vrias aplicaes militares e comerciais. QWIP no pode competir
especialmente com fotodiodos de HgCdTe como o nico dispositivo especial em uma
elevadas de temperatura (>70 K) devido a limitaes fundamentais associadas com as
transies de intersubband Entretanto, a vantagem de HgCdTe menos distinta em escala de
temperatura abaixo de 50 K devido aos problemas envolvidos em um material de HgCdTe
(tipo-p dopado, Shockley-Read recombinao, tunnelling, trap-assisted, instabilidades de
superfcie e interface). Mesmo que o QWIP seja um fotocondutor, muitas de suas
propriedades tal como alta impedncia, tempo de resposta rpido, tempo de integrao longo,
e baixa potncia de consumo, well obedece a grandes exigncias de fabricao de FPAs.
Devido qualidade do material em baixas temperaturas, QWIP tem vantagens potenciais
sobre HgCdTe para aplicaes VLWIR de FPA em termos de tamanho de arranjo,
uniformidade, rendimento e custo de sistemas.

A Fig. 13 mostra duas configuraes usadas na fabricao de detector de QWIP FPAs. No

bound-to-continuum QWIP o photoelectron de quantum weel pode escapar para os contnuos
estados de transporte de quantidade sem ser exigido escavar pela barreira. Em
conseqncia, a polarizao da tenso requerida para coletar eficientemente os fotoeltrons
pode ser reduzida dramaticamente, pela abaixa da corrente ignorada. Parece que a corrente
ignorada diminui significativamente quando o primeiro estado excitado deixado cair do
contnuo ao topo well sem sacrificar a resposta. Em um transporte de minibanda QWIP (veja
Fig.13 (b)), a radiao IR absorvida nos poos de quantum dopados, excitando um eltron
na minibanda e transportando na minibanda at que esteja coletada ou recapturada em outro
poo de quantum. A minibanda QWIPs mostra fotocondutividade menor e um ganho de
bound-to-continuum QWIPs porque o transporte de eltron fotoexitados ocorre na minibanda
onde eltrons tm que transportar atravs de muitas heterobarrieras finas tendo por resultado
uma mais baixa mobilidade.
Rogalski [41] usou expresses analticas simples para os parmetros de detectores descritos
por Andersson [42]. A Fig.14 mostra a dependncia de detectividade em comprimento de onda
longas para tipo-n GaAs/AlGaAs QWIPs em temperaturas diferentes. O acordo satisfatrio
com dados experimentais em larga escala com interrupo de comprimento de onda 8 c
19 m e de temperatura 35 T 77 K tm sido obtido, considerando as amostras que tm
mtodo dopado diferente, mtodos diferentes de crescimento cristalino, larguras espectrais
diferentes, diferentes estados de excitamento, e at mesmo em um caso de diferentes
sistemas de materiais (InGaAs).

Um fator chave no desempenho de QWIP FPA o esquema de acoplamento de luz. Um

aspecto distinto do QWIPs que a fora ptica de absoro proporcional ao componente
normal de polarizao do campo-eltrico de um fton incidente aos quantum wells. Para uma
imagem, necessrio acoplar a luz uniformemente e arranjos 2D a esses detectores, assim
uma difrao que grating ou outra estrutura similar so fabricados tipicamente em um lado
dos detectores para redirecionar um fton normalmente incidente em ngulos de propagao
mais favorveis para absoro. Os pixels de arranjos 2D so mais finos, aproximadamente 5
m de espessura. O afinamento prende a luz de difrao dentro dos pixels iluminados,
crescendo a responsividade do sinal eltrico. O afinamento tambm permite extender e
acomodar a expanso trmica com o Si ROIC.
O diffracted de armadilhas emagrecendo iluminam dentro dos pixels iluminados, responsivity
crescente e crosstalk eliminando. O tambm emagrecendo permite para a ordem de detector
estirar e acomodar o mismatch de expanso trmico com o Si ROIC.

Gunapala e colaboradores no Laboratrio de Jato-propulso (JPL) demonstrou um 256 x 256

QWIP FPA em uma cmera manual fotogrfica Amber. O estado da arte atual para QWIP
FPA de tamanho 640 x 480 foi recentemente demonstrado por JPL [43,44] e Lockheed Martin
[45]. O NEDT mau medido da mquina fotogrfica de QWIP era 36 mK a uma temperatura
operacional de T = 70 K a 300K de conhecimento [44].

4.7. Detectores trmicos

Semicondutores de imagens IR usam refrigeradores criognicos ou termoeltricos, complexos

ticos IR, e materiais caros de sensoriamento. Os custos tpicos de refrigerao criognica de
imagens gira em torno de $50 000 restringindo suas instalaes a aplicaes militares crticas
permitindo conduzir operaes na escurido completa. Resultados muito encorajadores tm
sido obtido com dispositivos de bolometros micromachined de silcio e dispositivos de
detectores piroeltricos. Diversos pases tm demonstrado melhores imagens com NEDT de
100 mK, e o custo de sistemas simples s vezes mais debaixo de $10 000 [46]. Espera-se
que os custos de sistemas de imagens de alto-desempenho sero reduzidos a menos de
$1000 e que as cmeras de IR tomaro amplamente vivel em um futuro prximo. Embora
desenvolvido para aplicaes militares, o baixo custo de imagens IR pode ser usadas em
aplicaes no militares como: ajuda a motoristas, ajuda a aeronave, monitoramento de
processos industriais, servio comunitrio, fogos de artifcios, deteco de minas porttil, viso
noturna, vigilncia de fronteira, execuo de direito, resgate e salvamento, etc.

4.7.1. Bolometros de silcio Microusinado

O mais popular material termistor usado na fabricao de bolometros de silcio microusinado

o dixido de vandio, VO2. Do ponto de vista da aplicao da imagem de RI, provavelmente a
mais importante propriedade do VO2 o seu elevado coeficiente de resistncia a temperatura
negativa (TCR) em temperatura ambiente, o que excede 4% por grau com respeito escolha
do elemento do bolometros e cerca de 2% por FPA.

A estrutura final em pixel do microbolometro mostrada na Fig.15. O microbolometro consiste

em 0.5 m de espessura de Si3N4 suspenso aproximadamente 2 m acima da camada de
silcio que est por baixo. O uso de uma abertura de vcuo de 2.5 m, junto com uma
cavidade ressonante de onda de um quarto entre o bolometro e a camada que est por baixo,
pode produzir um refletor para ondas perto de 10 m.

A ponte suportada por duas pernas estreitas de Si3N4. As pernas de Si3N4 fornecem o
isolamento trmico entre o microbolometro e a camada inferior auxiliando no estgio de leitura
do dissipador de calor e a membrana condutoras para conexo eltrica. Um amplificador
bipolar de entrada normalmente requerido, e isto pode ser obtido com a tecnologia de
processamento de biCMOS. Encapsulado no centro da ponte de Si3N4 est uma fina camada
de (500 ) de policristallino VOx.

Honeywell licenciou esta tecnologia a diversas companhias para o desenvolvimento e a

produo de FPAs no resfriados para sistemas comerciais e militares. No presente momento,
as cmeras de microbolometros compactas 320 x 240 so produzidas por Raytheon, por
Boeing, e por Lockheed Martin nos estados unidos. O governo dos E. U. permitiu essa
fabricao para vender seus dispositivos aos pases estrangeiros, mas no para divulgar as
tecnologias industriais. Em anos recentes, diversos pases, incluindo o Reino Unido, o Japo,
a Koria, e o Frana esto determinados a desenvolver seus prprios sistemas de imagem
no resfriadas. Em conseqncia, embora os E.U. tenham uma significativa liderana, alguns
dos mais animadores e mais promissores desenvolvimentos para o baixar o custo dos
sistemas IR no resfriados podem vir de companhias, no americanas, por exemplo, o
microbolometros da srie FPAs com juno de p-n elaborados pela Eltrica Mitsubish [48].
Esta abordagem nica, baseada em uma verso toda-silcio de microbolometro.

Os dispositivos de 240 x 320 de 50 m microbolometros so fabricados sobre industria-

padro em bolachas de (4 in. de dimetro) com estgio de leitura completo dentro de circuitos
integrados monolticos de silcio por baixo. Radford et al. [49] tm relatado um dispositivo de
240 x 320 pixel com 50 m de pixels quadrados de xido de vandio, para que o NETD mdio
(1 sistema tico) seja 8.6 mK. O maior tamanho dos dispositivos foi descrito por Altman e por
colaboradores em Lockheed Martin [ 50 ]; eles relataram um FPA com 640 x 480 com 28 x 28
m2 pixels com NETD ( 1 sistema tico) de aproximadamente 60 mK.

No momento, diversos programas de pesquisa esto focados no aumento do nvel de

desempenho de mais de 109 cm Hz 1/2
W1. uma antecipao de que os novos materiais
formaro a base da prxima gerao de pelcula semicondutores de bolmetros. O material
mais promissor parece ser o silcio amorfo [51].

4.7.2 detectores piroeltricos

Os sistemas de imagens baseados em dispositivos piroeltricos, geralmente necessita ser

operado com moduladores ticos que corta ou direciona a radiao incidente. Esta pode ser
uma limitao importante para muitas aplicaes em que a operao sem corte altamente
desejvel (por exemplo, munies guiadas). Agora a maioria dos detectores ferroeltricos
foram operados bem-abaixo da temperatura de Curie TC, onde a polarizao no afetada
pelas mudanas na temperatura ambiente. , contudo, possvel operar o ferroeltricos a ou
acima do TC, com uma tendncia de aplicao de campo, no modo de um bolometros
dieltricos.

Diversos materiais tm sido examinados na modalidade de bolometros dieltricos. O Brio

estrncio titnio (BST) cermico um material relativamente bem-comportado com uma
permissividade muito alta. Os instrumentos de Texas (TI) melhoraram o desempenho de
FPAs piroeltricos usando uma tenso aplicada diagonal para manter e otimizar o efeito
piroeltricos prximo da transio de fase [52]. Fig.16 mostra detalhes da estrutura completa
do detector piroeltrico. Para o Reino Unido dispositivos de programa de liga tantalate
scandium (PST) tm sido o material escolhido [53].

Embora muitas aplicaes para essa tecnologia de dispositivo hbrido tenha sido identificadas,
empregando esses sistemas de imagens e estejam em produo macia, nenhum avano da
tecnologia hbrida esto previstas. A razo que a condutncia trmica das ligaes de
impacto to elevado que a disposio NETD ((1 sistema tico) est limitada a
aproximadamente 50 mK.. A tecnologia de sistemas Pireltricos conseqentemente esto se
movendo para a tecnologia monoltica de microestrutura de silcio. O processo monoltico deve
ter poucas etapas e ciclo de tempo mais curtos. A maioria dos ferroeltricos tendem a perder
suas propriedades interessantes enquanto a espessura reduzida. Entretanto, alguns
materiais ferroeltricos parecem manter suas propriedades melhor do que outras. Isto parece
particularmente verdadeiro para a liga de titnio (PbTiO3) e materiais relacionados, visto que,
o material usado em detectores hbridos o BST, no suportam bem suas propriedades em
forma de pelcula-fina. As vrias tcnicas para a deposio de pelculas finas ferroeltrica tm
sido investigadas, inclusive freqncia de rdio do magntron sputtering, o feixe de on duplo
sputtering, processar do solenide-sol-gel, e separao do laser.

5. Dispositivos focais IR de Banda-dupla

As potencialidades multicoloridas so altamente desejveis para o avano dos sistemas IR.

Os sistemas que captam dados em faixas espectral IR diferentes podem distinguir a
temperatura absoluta e assinaturas originais dos objetos na cena. Fornecendo esta nova
dimenso de contraste, a deteco multibanda permite tambm avanos no possesso de
obteno de cores para no futuro aprimorar a sensibilidade sobre os dispositivos de cor nica.
Atualmente, os sistemas multispectrais contam com pesadas tcnicas de imagem que tanto
dispersam o sinal ptico atravs mltiplo FPAs IR ou usam uma filtro de roda para separar
espectralmente a imagem focalizada em nico FPA. Conseqentemente, estas aproximaes
so caras em termos de tamanho, da complexidade, e exigncia de resfriamento. Os
fotodiodos e QWIPs de HgCdTe oferecem a capacidade multicolor na escala de MWIR e de
LWIR.

Progressos considerveis tm sido demonstrado recentemente nos detectores multispectral de

HgCdTe que empregam MBE e MOCVD para o crescimento da variedade dos dispositivos
[54-61]. Tambm a tecnologia de QWIP demonstra consideravelmente o progresso na
fabricao de FPAs multicolour [ 40.44.62-66 ]. Os dispositivos para a deteco seqencial e
simultnea de duas sub-faixa prximas espaadas na radiao de MWIR e de LWIR tm sido
demonstrados.

5.1. Faixa-Dupla HgCdTe FPAs

Os dispositivos detectores bicolor so baseadas geralmente em um projeto de tripla camada
heterojunction (TLHJ) baseados em n-P-N de HgCdTe.
Os detectores de TLHJ consistem em junes de parte de trs-para-parte de trs photovoltaic
p-n. Esta arquitetura de dispositivo percebida simplesmente colocando um comprimento de
onda mais longo de fotodiodo de HgCdTe logo depois de um fotodiodo de comprimento de
onda mais curto. A estrutura quaternria de dispositivo tambm usada [60].
Ambos os detectores so fabricados de modo seqencial e de modo simultneos em materiais
de vrias camadas. O modo de deteco determinada pelo processo de fabricao. As Figs.
17 e 18 mostram os elementos de sistemas de pilhas fotovoltaicas da unidade de duas-cores
em ambas as modalidades. O detector de modo-seqencial tem um nico impacto do ndio por
unidade de clula essa seletividade seqencial influencia as faixas espectrais associadas com
a tendncia de operar com fotodiodos.
Os problemas com dispositivos de polarizao-seletivas so os seguintes: sua construo no
permite a seleo independente da tenso de voltagem otimizada para cada fotodiodo, e pode
haver um sinal eltrico mdio substancial de comprimento de onda no detector de longo
comprimento de onda. Para superar os problemas do dispositivo de polarizao-seletivas, um
acesso independentemente do fotodiodo back-to-back dos detectores de faixa-dupla foram
propostos. O detector de maneira simultnea emprega um contato eltrico adicional ao tipo-
compartilhado da camada central de modo que cada juno possa ser acessada
independentemente com ambas os canais de sinal integrados simultaneamente. O fator
ocupado na faixa de onda longa reduzido da onda mdia, desde que alguma rea de juno
seja sacrificada para fornecer o contato camada enterrada do tampo, e a coincidncia
espacial alterada.
A etapa crtica na formao do dispositivo conectada in situ dopada tipo-p com a camada
dopada com propriedades estruturais e eltricas boas para impedir que o ganho interno gere o
sinal eltrico espectral. O esforo da engenharia na faixa-abertura consiste em aumentar o
modo de frao de CdTe e a efetiva espessura da camada do p-tipo para suprimir out-of-band
dos seus ganhos finais.
A Fig.19 mostra exemplos de respostas espectrais de dispositivos bicolor de MWIR/MWIR, de
MWIR/LWIR, e de LWIR/LWIR.

Fatores de preenchimento de 128 x 128 MWIR/MWIR FPAs to alta quanto 80% so atingidos
usando uma nica estrutura mesa para acomodar o impacto dos dois contatos de ndio
necessrios para cada unidade de clula com tamanho de 50 m [9]. O NEDT para ambas as
faixas so abaixo de 25 mK e a imagem adquirida foi temperaturas to altas quanto 180 K
sem nenhuma degradao visvel na qualidade da imagem. A cmera usada para estas
medidas teve uma lente 50 mm, 2.3.
Recentemente, Rockwell e Boeing estenderam a tecnologia planar de cor-nica DLHJ para
arquitetura bicolor [ 61 ].
Um seo-trasversal tpica da parte traseira esclarece o pixel como mostrado na Fig.20. A
faixa 1 se desenvolve primeiro absorvendo (comprimento de onda mais curto), a faixa 2 se
desenvolve no topo absorvendo (comprimento de onda mais longo).

Para prevenir a difuso do transporte entre as duas faixas, uma camada grossa de 1m da
larga-faixa-abertura separa estas camadas absorventes. Os diodos so formados
implantando arsnico como um tipo-p dopado e ativando com um recozer que d a operao
unipolar para ambas as faixas. A rea implantada da faixa 2 um anel concntrico ao redor
ondulao da faixa 1.
Porque o transporte lateral do comprimento de difuso maior do que o passo do pixel no
material de MWIR e na juno da faixa 1 menor, o pixel isolado cauterizado a seco uma
sulco em torno de cada pixel para reduzir o transporte do sinal eltrico. A estrutura inteira
tampada com uma camada ligeiramente mais larga que a faixa-abertura para reduzir a
recombinao de superfcie e para simplificar o passivation.
Duas-cores 128 x 128 FPAs com ponto baixo -1013 cm-2 s-1 e desempenho secundrio limitado
da detectivity foi obtida para dispositivos de MWIR (3-5 m) em T < 130 K e para dispositivos
de LWIR (8-10 m) em T 80 K.

5.2. QWIP Faixa-Dupla FPAs

O dispositivo capaz de detectar simultaneamente dois comprimentos de onda separados pode

ser fabricado pelo empilhamento vertical das diferentes camadas de QWIP durante o
crescimento epitaxial (veja Fig.21).
As provveis tenses separadas podem ser aplicadas simultaneamente a cada QWIP atravs
das camadas dopadas do contato que separam os heterostructuras mltiplas do detector do
poo de quantum.

A temperatura operacional tpica para detectores de QWIP est na regio de 40-100 K. A

influncia atravs de cada QWIP pode ser ajustada separadamente, embora seja desejvel
aplicar a mesma polarizao para ambas as cores. Como mostrado em Fig. 22, o
responsividade de QWIPs ao redor de 300-350 mA/W a uma temperatura 40 K e a uma
probabilidade operacional de +1.5 m aplicado ao contato comum. Parece que o
processamento do complexo bicolor no comprometeu a qualidade eltrica e tica de uma ou
outra cor no dispositivo bicolor.

Um fator chave no desempenho de QWIP FPA o esquema do acoplamento-luz. Diferentes

mecanismos de acoplamento-luz so usados em QWIPs.
A maioria das disposies de QWIP usam o 2D grating, que muito dependente do
comprimento de onda, e a eficincia comea mais baixa quando o tamanho do pixel comea
menor. Lockheed Martin usou 2D gratings retangulares e girados retangulares para seu bicolor
LW/LW FPAs. Embora os refletores aleatrios terem atingido eficincias relativamente
elevadas do quantum com grande estrutura do dispositivo de teste, no possvel conseguir a
eficincias elevadas similares do quantum com os refletores aleatrios nos pequenos pixels de
FPA devido a reduo da espessura no aspecto da radiao. Alm disso, difcil fabricar
refletores aleatrios para detectores de comprimento de onda mais curtas, relativo para
detectores de comprimento de ondas longas de devido ao fato de que tamanhos de
caractersticas de refletores aleatrios so linearmente proporcionais ao pico do comprimento
de onda dos detectores. Em conseqncia, a eficincia do quantum transforma-se um assunto
mais difcil para QWIP multicolor FPA do que para de uma nica cor.

Os detectores bicolor que cobrem janelas atmosfricas MWIR e de LWIR so especialmente

importantes em muitas aplicaes. Para cobrir MWIR percorrem uma camada de filtro
InGaAs/AlGaAs que usado no sistema material. InGaAs em pilha de MWIR produz alta
reduo no-plano que aumenta a resposta [67) Os MWIR/LWIR FPAs fabricados por Sanders
consistem em 8.6 m GaAs/ AlGaAs QWIP no topo de 4.7m de estrutura nica com filtro de
InGaAs/ GaAs/AlGaAs.O processo de fabricao de detectores permitiu preencher fatores de
85% e 80% para o MW e de LW. O primeiro FPAs com esta configurao teve um
operabilidade maior que 97%, e o valor NETD melhor do que 35 mK.

Recentemente, Gunapala et al.[64 ] demonstrou a primeira cmera de imagem latente bicolor

de 8-9 e de 14-15 lm baseada em 640 x 486 QWIP faixa -dupla FPA, que pudesse ser
processado com contatos duplos ou triplos para acessar o estgio de leitura multiplexer do
CMOS. O nico impacto do ndio por pixel usado somente no caso de interligao do estgio
de leitura (isto , fileiras impares para uma cor e as fileiras uniformes para a outra cor) que usa
um estgio de leitura multiplexer existente do CMOS de cor-nica. Entretanto, a desvantagem
que no fornece um fator de abastecimento cheio para ambas as faixas de comprimento de
onda.

A estrutura do dispositivo, mostrada na Fig.23, consiste em uma pilha de 30 perodos. (500

barreira de AlGaAs e um 60 GaAs well) muito da estrutura de LWIR (VLWIR) e de uma
segunda pilha de 18 perodos (500 barreira de AlGaAs e um 40 GaAs well)
de LWIR da estrutura separada pesadamente dopou a grossa camada intermediria de 0.5 m
do contato do GaAs. A estrutura de VLWIR QWIP foi projetada para ter bound-to-bound e pico
de absoro intersubband em m 14.5, visto que a estrutura de LWIR QWIP foi projetada
para ter um pico de absoro do intersubband do a bound-to-continuum em 8.5 m, desde que
a corrente photocurrent e escura da estrutura do dispositivo de LWIR relativamente pequena
comparada parcela de VLWIR da estrutura do dispositivo.

A Fig.24 mostra uma viso lateral esquemtica do interlace dual-faixa GaAs/AlGaAs FPA.
Duas estruturas peridicas diferentes peridicas diferentes foram projetadas em 2D para
acoplar independentemente a radiao de 8-9 e de 14-15 m em pixels dentro do detector e
fileiras uniformes e impares de FPAs.

O topo da espessura de 0.7 m camada superior do tampo do GaAs foi usada fabricar
gratings peridicos de acoplamento-luz 2D do detector para 8-9 m pixels, visto que gratings
peridicos de acoplamento-luz 2D do detector para 14- 15 m pixels foram fabricados com as
camadas de LWIR MQW. De tal maneira, este grating pequeno esquema de circuito todos de
detectores sensveis de 8-9 m em todas as fileiras impares de FPAs. O FPA foi back-
illuminated atravs da fina membrana de substrato ( 1000 ). O substrato muito fino adapta
o coeficiente da expanso trmica e da contrao do multiplexer do estgio de leitura do
silcio, elimina completamente o problema trmico da mau combinao entre o estgio de
leitura do silcio e a disposio baseada GaAs do detector, elimina completamente o sinal
eltrico do pixel-to-pixel, e finalmente, reala significativamente um acoplamento tico da
radiao IR em pixels de QWIP. O desempenho de FPAs faixa-dupla foi testado em uma
temperatura de 300 K, com /2 parada fria, e em 30 Hz de freqncia. O valor mdio da
eficincia do quantum operando na temperatura T=40 K e probabilidade VB = - 2 de 12.9% e
8.9% em LW e VLW na escala espectral respectivamente. O NEDT estimado de detectores
de LWIR e VLWIR e perto de 40 K so 36 e 44 mK, respectivamente.

6. Evoluo antecipada de tecnologia de IR no futuro prximo

As aplicaes futuras de sistemas detectores de IR requerem:

sensibilidade mais elevada de pixel,

crescimento mais amplo em densidade pixel a acima de 106 pixels

reduo de custo em imagem de dispositivos de sistemas IR atravs do uso de tecnologia
de sensores menos refrigerados combinado com integrao de detectores e funes de
processamento-sinal (com muito mais processo de sinal on-chip),

a reduo de custo em sistemas IR da disposio da imagem latente com o uso de menos
tecnologia de sensor refrigerando combinou com a integrao dos detetores e funes sinal-
processar (com muito mais processar de sinal da em-microplaqueta),

melhoria na funcionalidade de imagem de IR atravs do desenvolvimento de sensores de
multiespectrais.

Para reduzir o custo real dos sistemas de imagem IR, deve ser feito um exame das aes de
todos os elementos, que compe o custo para o usurio. O custo pode ser reduzido em trs
partes: A microplaqueta (detector + ROIC), o dewar, integrao e os testes. O usurio deve
adicionar o custo da mquina criognica que no desprezvel comparada ao componente
one's. Isto explica por que o custo de PtSi ou QWIPs no notadamente menor do que aquele
de fton detectores de mesma complexidade, embora as matrias-primas (silcio e GaAs)
sejam muito menos do que para HgCdTe. Uma possvel reduo no preo de compra
contrabalanada por um aumento significativo em custos de operao.

A maturidade de detectores uma funo do esforo acumulado da experincia e do

desenvolvimento, da complexidade do dispositivo requerido, e da dificuldade inerente
apresentada pela tecnologia do material. No presente momento, os fotodiodos de HgCdTe e
de silcio detectores extrnsecos de BIB no esto inteiramente amadurecidos. A tecnologia de
PtSi madura e alcanou um plat. Outras duas tecnologias de detectores tais como InSb e
bolmetros de silcio ainda esto evoluindo significativamente como as aplicaes para
maiores configuraes de dispositivos e menores tamanhos do pixel continuam a impulsionar
a tecnologia.

Os dispositivos de detectores trmicos aumentaro no tamanho e melhoraro na sensibilidade

trmica para um nvel que satisfaa a aplicaes de elevado desempenho em temperatura
ambiente. Supe-se que os dispositivos de microbolometros de silcio e dispositivos
pireltricos monolticas iro apressar os baixos-custos de mercados. Os atuais bolometros
resfriados FPAs tm alcanado NEDT menores que 10 mK com sistema tico 1, que abriro
as portas para o uso de sistemas ticos mais lentos e menos caros.

Supe-se que as vendas de equipamentos de imagem trmica de IR para o mercado de

automveis comearo a mudar rapidamente a relao relativa entre o governo militar e
mercados comerciais de IR. Hoje somente aproximadamente 10% do mercado comercial.
Depois de uma dcada o mercado comercial pode vir a crescer acima de 70% em volume e
40% em valor, em grande parte conectado com o volume de produo de imagens resfriadas
para conduo de automveis [ 9 ]. No grande volume de produo para motoristas de
automveis o custo de resfriamento de sistemas de imagens ir diminuir abaixo de $1000.
Naturalmente, estes sistemas cobriro outros segmentos da indstria do transporte:
caminhes, trens, navios, barcas, nibus, e avies.

Para as mesmas aplicaes que requerem detectores resfriados, a velocidade lenta da

resposta inaceitvel. Recentemente, vrios conceitos (por exemplo, dispositivo de
nonequilibrium [ 68 ], as multijunes de fotodiodos HgCdTe [ 69 ], imerso tica) e os novos
materiais (InAsSb, InAs/GaSb - baseado no tipo II superlattices)[ 11 ] foram propostos para
melhorar o desempenho dos detectores de fton que operam prximo da temperatura de
quarto. As medidas mostram a possibilidade para alcanar detectividade de 1 x 109 cm Hz1/2
W1 ao 8-9 m o alcance e potencialmente, dos dispositivos podem ser reunidos em grandes
FPAs.

Apesar da sria competio das tecnologias alternativas e de um progresso mais lento do que
esperado, HgCdTe pouco provvel de ser seriamente mudado para aplicaes de alto-
desempenho, aplicaes que requerem a capacidade multiespectral e resposta rpida. Os
recentes sucessos de competio de detectores de resfriamento cryogenically so para dupla
tecnologia, no fundamental emisso. O progresso constante da tecnologia epitaxial dixar o
dispositivos de HgCdTe muito mais disponvel no futuro prximo. A temperatura muito mais
alta de operao de HgCdTe, comparada aos dispositivos de barreira-Schottky e aos
dispositivos contnuos de baixo-dimensional, pode chegar a ser um argumento decisivo neste
caso.

Os limites fundamentais do desempenho de fotodiodos de HgCdTe ainda no foram

alcanados. O desenvolvimento continuado dos mtodos do epitaxy da fase de vapor in situ
(MBE e MOCVD) permitir a engenharia heterojunction da faixa-abertura de aumentar a
qualidade e a complexidade dos dispositivos. Tambm o desenvolvimento continuado do
crescimento epitaxial em substratos alternativas tais como o silcio reduzir o custo de
dispositivos 2D. O desenvolvimento de sistemas de faixa-dupla continuar e os detectores de
trs-faixa logo sero demonstrados em breve. Para fornecer imagem de alta resoluo do
spectroscopic, HgCdTe FPAs sero usados em Fourier-transforma (FT) os interfermetros. Os
fotodiodos substituiro fotoresistores para a deteco fora de 15 m desde que eles sejam
caracterizados atravs de respostas mais lineares.

A situao relativo a estruturas quantum well e superlattices no est claro; porm,

capacidades de descoberta sem igual podem surgir dos slidos baixo-dimensionais. A
situao de LWIR QWIPs est clara. Os resultados iniciais mostram a promessa para o
crescimento de QWIPs em bolachas de silcio e as aplicaes para a integrao com
eletrnica baseada-silcio.

Espera-se que o QWIP hand-held, cmera cost-effective encontrar imagens e aplicaes de

spectroscopy na faixa espectral de LWIR. As possibilidades poderosas de tecnologia de QWIP
so conectadas com as aplicaes de VLWIR FPA e com deteco multicor. Trs-faixas e
quatro-faixas FPAs sero demonstrados em futuro um futuro prximo.

Um conceito novo de detector IR tem estrutura microelectromechanical (MEMSs). Esta

tecnologia uma unio de photolithography e mecnicas.FPAs baseado em tecnologia MEMS
e em um sistema tico visvel de estado de leitura pode oferecer baixo-custo aos LWIR
sistemas da imagens [ 70 ]. Finalmente, desenvolvimento considervel da funo de
processamento de sinal para FPAs pode ser antecipado.