SERVIO NACIONAL DE APRENDIZAGEM INDUSTRIAL Escola de Educao Profissional Senai

Plnio Gilberto Kreff

ELETRNICA INDUSTRIAL

Professor: Carlos Ricardo dos Santos Barbosa, Gustavo Grams Teixeira Unidade
Curricular: Manuteno Eletrnica Curso: Tcnico em Eletrnica

So Leopoldo 2009
SUMRIO

1 ESTUDO DOS
TIRISTORES ........................................................................
03 1.1 CLASSIFICAO DOS
TIRISTORES ....................................................... 03 2 SCR-
RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO ...................................... 04 2.1
ESTRUTURA E SIMBOLOGIA DO SCR ....................................................
04 2.2 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO
SCR............................................ 05 2.3 AS CORRENTES IL E
IH ........................................................................... 08
2.4 CARACTERSTICAS
DINMICAS ............................................................. 09 2.5
CLASSIFICAO DOS
TIRISTORES ....................................................... 12 2.6 O EFEITO
dI /
dt ................................................................................
......... 12 2.7 O EFEITO dV/
dt ................................................................................
........ 14 2.7.1 Circuito
Snubber............................................................................
.......... 15 2.8 MTODOS DE DISPARO DE UM
SCR ..................................................... 17 2.9 MTODOS DE
BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR .......................... 17 2.9.1 Comutao
natural ...........................................................................
....... 18 2.9.2 Comutao
Forada ...........................................................................
..... 18 2.10 INFLUNCIA DE COMPONENTES PASSIVOS ENTRE GATE-
CTODO .............................................................. 19 2.11
CARACTERSTICAS ANODO-CTODO DO SCR .................................. 20 2.12
EFEITOS
DESTRUTIVOS........................................................................
23 2.13 TIRISTORES EM PARALELO E EM
SRIE ............................................ 24 2.13.1 Tiristores em
Paralelo...........................................................................
. 24 2.13.1.1 Equilbrio de Corrente Mediante
Triagem ........................................... 25 2.13.1.2 Equilbrio de
Corrente Mediante Resistncia ..................................... 25 2.13.1.3
Equilbrio de Corrente Mediante Indutncia .......................................
26 2.13.2 Tiristores em
Srie .............................................................................
... 28 2.13.2.1 Equilbrio das Tenses em
Regime .................................................... 28 2.13.2.2 Equilbrio
de Tenses no Transitrio .................................................. 29
2.14 SOBRECARGA EM
TIRISTORES ........................................................... 30 2.14.1
Corrente Inrush (Corrente de
Pico) ....................................................... 30
2.14.2 Flashover
(Disparo) .........................................................................
...... 31 3 TRIAC (TRIODE ALTERNATING
CURRENT) ............................................. 32 3.1 ESTRUTURA INTERNA E
SMBOLO DO TRIAC ...................................... 33 3.2 CIRCUITO EQUIVALENTE
DO TRIAC USANDO SCR ............................. 34 3.3 CURVA CARACTERSTICA E
FUNCIONAMENTO ................................... 35 3.4 TIPOS DE
TRIAC .............................................................................
.......... 36 3.5
POTNCIA ..........................................................................
....................... 37 3.6
APLICAES ........................................................................
.................... 37 3.7 VANTAGENS DO TRIAC SOBRE O
SCR ................................................. 38 3.8 DESVANTAGEM DO TRIAC
SOBRE SCR ............................................... 38 4 DIAC (DIODE
ALTERNATING CURRENT) .................................................. 39 4.1
CURVA CARACTERSTICA E FUNCIONAMENTO ................................... 39 4.2
EQUIVALENTE A DIODO
ZENER ............................................................. 40 4.3
APLICAES ........................................................................
.................... 41 5 ETAPAS DE
ACOPLAMENTO .....................................................................
43 5.1 TRANSFORMADOR DE
PULSO ............................................................... 44 5.1.1
Caractersticas e
Funcionamento ............................................................ 45 5.2
ACOPLADORES
PTICOS ...................................................................... 48
5.3 ACOPLAMENTO PARA ONDA QUADRADA............................................. 49
6 TCA
785 ...............................................................................
......................... 51 6.1 CARACTERSTICAS PRINCIPAIS DO TCA
785 ....................................... 51 6.2 DESCRIO E FUNCIONAMENTO DO TCA
785..................................... 51 6.3 FORMAS DE ONDA NO TCA
785 ............................................................. 54 6.3.1
COMPARAO: SADA Q X SADA Q ...................................................
55 7 RELS DE ESTADO
SLIDO ...................................................................... 56
1 ESTUDO DOS TIRISTORES

Tiristores

so

dispositivos

semicondutores

(na

realidade

Chaves

Semicondutoras) constitudos por quatro ou mais camadas semicondutoras, como por

exemplo, P, N, P, N. O Tiristor um dispositivo Biestvel que pode ser chaveado
do estado de corte para o de conduo e vice-versa, sendo que a posio da chave em
cada um desses estados depende de realimentao regenerativa associada com a sua
estrutura.

1.1 CLASSIFICAO DOS TIRISTORES

SCR (Silicon Controlled Rectifier): Retificador Controlado de Silcio TRIAC (Triode

Alternating Current): Triodo de Corrente Alternada GTO (Gate Turn-Off): Tiristor
bloquevel pelo Gate SCS (Silicon Controlled Swiches): Chave Controlada de Silcio
LASCR (Light Ativated Silicon Controlled Rectifier): SCR ativado por Radiao
Luminosa. Os Tiristores so ainda classificados quanto a sua capacidade de conduo
como:

Unidirecionais, quando tem polaridade definida (nodo e ctodo), caso do SCR.

Bidirecionais, quando conduzem a corrente em ambas as direes, caso do Triac.
2 SCR- RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO

O diodo controlado de silcio (Silicon Controlled Rectifier- SCR) sem dvida o

dispositivo de maior interesse, atualmente, da famlia de dispositivos PNPN. Ele
surgiu pela primeira vez em 1956,e foi desenvolvido por um grupo de engenheiros do
Bell Telephone Laboratory. Algumas das reas de maior interrese de aplicaes do
SCR incluem controles e rels, fontes de tenso regulada, chaves estticas,
controle de motores, choppers, inversores, cicloconversores, carregadores de
baterias, circuitos de proteo, controles de aquecedores e controles de fase. Nos
ltimos anos, tem sido projetados SCRs para controlar potncias de ordem de 10 MW,
com capacidades individuais da ordem de 2000 A com 1800 V. a faixa de freqncia
atinge at 50 KHZ, permitindo algumas aplicaes em altas freqncias tais como
aquecimento por induo e purificao ultra- snica.

2.1 ESTRUTURA E SIMBOLOGIA DO SCR

A estrutura do SCR consiste em quatro camadas de silcio, sendo duas camadas do

tipo N e duas camadas do tipo P, montadas alternadamente dando origem a trs
junes.

As duas regies internas apresentam dopagem fraca, enquanto as duas regies mais
externas (laterais) apresentam dopagem mais intensa. As duas regies
5

externas so denominadas de nodo ( + ) e Ctodo ( - ). Nestes plos so inseridos

terminais que servem para conduzir a corrente de carga atravs do Tiristor. O
acionamento do tiristor, por sua vez, realizado atravs de um terminal inserido
em uma das regies internas do componente, que apresenta dopagem fraca. Este
terminal denominado Gate, Porta ou ainda Eletrodo de Controle.

2.2 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO SCR

Para se entender o funcionamento do SCR, recorre-se ao seu circuito equivalente com

polarizao direta :

Analogia a Diodos

Atravs das figuras acima, podemos observar que, ao aplicarmos um potencial

positivo ao nodo (+) e negativo ao ctodo (-) os diodos D1e D3 so polarizados
diretamente enquanto D2 est polarizado em sentido reverso. Para tenses VF
positivas, a corrente igual ao fluxo de portadores minoritrios de D2 (impedncia
alta) at atingirmos a sua Tenso de Ruptura (VRRM impedncia baixa). Neste
momento haver conduo plena e a tenso nodo - ctodo cair.

Para tenses VF negativas, o SCR comandado pela caracterstica dos diodos D1 e D3

polarizados reversamente.
6

No se obtm a conduo do SCR fazendo-se a tenso VF igual a Tenso de Ruptura de

D2, pois isto pode danificar o componente. Normalmente, dependendo da corrente que
se fizer circular do Gate para o ctodo, o SCR passa a conduzir para diferentes
valores da tenso VF. A aplicao de um potencial positivo entre Gate e ctodo
polariza esta juno no sentido de conduo. Os eltrons do cristal tipo N do
ctodo difundem-se atravs desta juno. Sendo o cristal tipo P do Gate muito
estreito, eles so atrados pelo potencial da juno seguinte, que repele as
lacunas mas favorvel aos eltrons. Com isto tm-se a conduo de nodo para
ctodo, com eltrons vindo do ctodo ( K) e indo para o nodo (A) e, atravs do
efeito avalanche isto permanece, independentemente do Gate, at que a tenso de
nodo se reduza. Este fluxo de eltrons, associado tenso entre nodo e ctodo
(VAK), pode ter Energia para realizar a ruptura ou quebra de ligaes covalentes,
por reao em cadeia. Isto justifica o fato de, para valores de VAK altos, o fluxo
de eltrons que circula no Gate poder ser pequeno. Alternadamente, pode-se explicar
o comportamento interno do SCR pelo modelo idealizado equivalente com dois
transistores, um NPN e outro PNP.

FIG. 06 - Detalhe da transformao da estrutura de um SCR para a analogia com dois

Transistores.

Ao aplicarmos ao nodo um potencial positivo em relao ao ctodo teremos as

junes J1 e J3 diretamente polarizadas e J2 inversamente polarizada. Com isto
ambos os transistores esto na regio de corte pois T1 no tem corrente de base (
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IB1 = IC2 = 0, logo T2 em corte ) e T2 no tem corrente de base tambm ( IB2 = IC1
= 0, logo T1 em corte). Conforme o modelo de dois transistores, eles so acoplados

regenerativamente e cada um excita o outro at a saturao, a partir do momento em

que um pulso positivo inicial aplicado ao terminal Gate em relao ao terminal
Catodo (base de T2 em relao ao emissor de T2). Uma vez disparado o sistema este
s entrar em corte se a corrente IA for interrompida e, novamente acionado requer
um outro pulso positivo no Gate. Suponhamos que o SCR est no estado de corte, isto
, IA = 0 quando um pulso positivo aplicado a base do base do transistor 2,
este conduz, fazendo com que IC2 aumente, ora como IB1 = IC2 , o transistor 1 ser
forado para a conduo , fazendo com que IC1 aumente, finalmente como IB2 = IC1, o
transistor 2 conduzir fortemente, o ciclo se repetir e rapidamente o SCR entrar
em conduo, sendo a corrente IA limitada pela carga, mesmo que o pulso original
aplicado base do transistor 2 seja retirado, o SCR continuar no estado de
conduo, enquanto for mantida a corrente IA ( significa V e RL fixos ). para que
seja
8

2.3 AS CORRENTES IL E IH

Existem dois parmetros associados corrente de anodo do SCR que merecem

considerao. A primeira delas IL (LATCHING CURRENT), denominada CORRENTE DE
ENGATAMENTO ou TRANCA. Como geralmente disparamos um SCR com pulsos no gate
necessitamos saber o tempo mnimo de durao destes pulsos (tempo de turn-on). S
podemos zerar a corrente no gate quando a corrente andica for igual ou maior que
IL (IA IL). A segunda corrente IH (HOLDING CURRENT), denomina-se CORRENTE DE
MANUTENO. Esta corrente menor valor que deve fluir no anodo sem que o SCR
bloqueie. bom colocar que IL aproximadamente igual a 2 IH. O tempo necessrio
para o pulso no gate o tempo necessrio para que a IA seja, igual ou maior a IL,
dependendo da carga controlada pelo SCR, bem como do circuito de disparo.

5 IG MN 2 IG MN

10 20 30 40 50
Corrente de Latching em funo da corrente de gate.

Durao do pulso(s)

A corrente de engatamento depende da durao do sinal de comando e da intensidade

da corrente de gate, como visto no grfico acima. Um circuito indutivo limita a
subida da corrente, nesse caso ser necessrio ter impulsos mais longos que nos
circuitos puramente resistivos.
9

2.4 CARACTERSTICAS DINMICAS

Quando se aplica um pulso positivo de tenso no gate do tiristor e este esteja

polarizado diretamente, a tenso VAK no cai instantaneamente,existe um tempo de
atraso para caracterizar a troca de estado chamado TEMPO DE DISPARO (tgt). O tempo
de disparo (tgt) compreende o comeo da subida do sinal do gate (10%) e o instante
em que a tenso de Anodo vale 10% o seu valor inicial e, este tempo pode ser
dividido em dois outros tempos:

td (DELAY TIME) TEMPO DE ATRASO a subida de corrente, o tempo calculado entre o

comeo da subida do sinal de gate (10%) e o instante em que a tenso Andica Vale
90% da seu valor inicial.

tr(RISE TIME) TEMPO DE SUBIDA DA CORRENTE. a diferena entre o tempo de disparo

e o tempo de atraso.

tr = tgt - td

Conclui-se que para garantir o disparo do tiristor o pulso de corrente no gate deve
ter durao mnima igual ou superior a tgt.
10

Curva Dinmica de disparo

Dados: VG = TENSO DE GATE t = TEMPO VAK = TENSO ANODO-CATODO td = DELAY TIME

(TEMPO DE RETARDO) tr = RISE TIME (TEMPO DE SUBIDA) tgt = TEMPO DE DISPARO (GATE)

O tempo de atraso na subida (tr), diminui quando se aumenta: - A amplitude e a

subida da corrente de gate. (Fig. 1A); - A tenso Anodo - Katodo ( Fig. 1 B); - A
temperatura. O tempo de subida (tr) depende da amplitude e subida da corrente de
anodo ( dIA / dt) (Fig. 1C), bem como a temperatura. Esses so parmetros que
influem na velocidade de Propagao do plasma sendo que praticamente no h
influncia de gate.
11

Fig. 1A

Fig. 1B

V AK (V) 30 50 A

500 A

10

12

GT

Fig. 1.C(s)

Os tiristores de uma srie apresentam valores de tempo de disparo bastante

diferentes. Nas montagens que exigem preciso no instante de disparo, por exemplo,
tiristores colocados em srie ou paralelo, os pulsos devem ter amplitude de cinco
vezes o valor mnimo, com o tempo de subida na ordem de 0,5 s. Normalmente tgt
varia de 1 s a 6 s sendo que o pulso de disparo deve durar pelo menos 10 s,
preferencialmente na faixa de 20 s a 100 s. Aps o disparo do tiristor o gatilho
no ter mais nenhuma ao. O tiristor se desativa ao final do ciclo de Alternncia
Positiva ou quando se aplica sobre ele uma Tenso VAK menor que zero (0). O tempo
de corte (tQ) (TURN OFF TIME) definido como tempo de corrido entre o instante em
que a corrente principal (Corrente Anodo-Catodo) cai a zero, devido a comutao do
circuito externo, e o instante onde o tiristor pode novamente suportar uma
determinada tenso de Anodo sem entrar em conduo.
12

2.5 CLASSIFICAO DOS TIRISTORES

- TIRISTORES RPIDOS: tq menor 10 s 800 VAK - TIRISTORES NORMAIS: Tq at 100 s

30 VAK a 350 VAK. Logo o OFF TIME que limita em freqncia um TIRISTOR.

2.6 O EFEITO dI / dt

O efeito dI / dt pode ser descrito do seguinte modo: assim que o SCR disparado
ele no entra em conduo plena instantaneamente. Inicialmente, a zona de conduo
se restringe a uma rea prxima da porta, e esta rea vai se propagando, com
velocidade finita. Assim, dever ir existindo uma rea proporcional a medida em que
a corrente vai aumentando com o tempo. Entretanto, se a um SCR for imposta uma taxa
de crescimento da sua corrente Andica (dIA / dt) maior que a especificada, haver
uma densidade de corrente muito elevada, que provocar aquecimento localizado (HOT
SPOT) na pastilha de silcio, danificando o SCR. Portanto a taxa de d IA / d t deve
ser limitada a um valor seguro para o SCR considerado. Na prtica, o crescimento da
corrente andica pode ser limitada com a adio de um indutor em srie com SCR
(Anodo do SCR).

Esta tcnica de limitao de d IA /d t muito utilizada. Principalmente quando o

SCR trabalha em sistemas de Potncia. Deve-se tambm tomar cuidado com a reduo de
d I/d t, porque se esta taxa baixar muito devido ao indutor adicional o disparo SCR
ficar comprometido. Assim
13

sendo, a corrente andica levar mais tempo para alcanar o valor de latching
(corrente de engate), necessitando-se neste caso de um pulso de disparo com durao
maior. Estas condies so vlidas tambm para o TRIAC, porque o princpio de
funcionamento deste dispositivo baseado no mesmo princpio de funcionamento do
SCR, podendo, entretanto, ser disparado nos dois sentidos. Exemplo de clculo do
indutor: Segundo Faraday: = Onde: o fluxo magntico no indutor e equivalente
ao valor da indutncia vezes a intensidade de corrente. Logo: =-L ou L = e = LI

Exemplo prtico:

x 127

Considerando o circuito acima, supondo dI/dt mx = 100A/s.

L = -

L = - (-

)=
14

2.7 O EFEITO d V/ dt

Sabe-se que o funcionamento de um SCR pode ser compreendido mais facilmente

utilizando-se o modelo, onde faz uma analogia desse dispositivo com dois
transistores bipolares um NPN e PNP. As figuras 1A e 1B mostram a constituio
bsica de um SCR e a interligao dos dois transistores do referido modelo
equivalente para efeito anlise.

FIGURA.1.A

Constituio fisica bsica do SCR

Quando o SCR polarizado diretamente a juno (J2) (Juno PN do centro)

inicialmente polarizada em sentido inverso apresenta uma capacitncia, representada
por C na Figura Com a aplicao BRUSCA da tenso (degrau de tenso, por
exemplo, entre Anodo e Catodo, flui pela Capacitncia C uma corrente dada:

I = C.
15

Se esta corrente for suficiente para estabelecer a condio de disparo, o SCR

conduz mesmo que a corrente de porta seja nula. Assim, pode-se concluir que
variaes muito rpidas de tenso entre anodo e catodo podero disparar o SCR
aleatriamente. Colocando-se um resistor em paralelo entre a porta e o catodo a
sensibilidade e este efeito pode ser enormemente diminudo porque o resistor
adicional oferece um caminho para passagem, de corrente capacitiva. Outra maneira
de contornar o problema amortecer a subida de tenso, ou seja, limitar d v/ d
t. Este amortecimento pode ser conseguido utilizando-se um circuito RC, conhecido
por circuito SNUBBER, no que concerne ao amortecimento da tenso aplicada (ligado
em paralelo com Anodo e Catodo).

2.7.1 Circuito Snubber

Amortecimento de Tenso (Limitao de d v / d t).

Ao de circuito SNUBBER ao amortecimento da tenso aplicada.

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O circuito SNUBBER, alm de limitar d v/ d t facilita tambm o disparo do SCR sob

cargas indutivas, aparece quando o pulso de disparo termina antes que a corrente
atravs da carga tenha atingido o valor de LATCHING. O SNUBBER reduz este risco,
porque este fornece um pulso de corrente (descarga de C) que se soma corrente de
carga, aumentando as chances de se alcanar o valor de LATCHING. A Figura mostra a
contribuio do SNUBBER na formao de Corrente Andica total, nesta Figura
aparecem duas correntes notveis. So elas:

A CORRENTE DE LATCHING B CORRENTE DE HOLDING

Efeito do SNUBBER na formao da CORRENTE ANDICA.

17

2.8 MTODOS DE DISPARO DE UM SCR

Um SCR disparado (entra em conduo) quando aumenta a corrente de anodo IA,

atravs de uma das seguintes maneiras: Corrente de Gatilho IGK: o procedimento
normal de disparo do SCR. Sobretemperatura: O aumento brusco da temperatura aumenta
o nmero de pares eltrons-lacunas no semicondutor provocando maior corrente de
fuga, o que pode levar o SCR ao estado de conduo. O disparo por aumento de
temperatura deve ser evitado. Sobretenso: Se a tenso direta nodo-ctodo VAK for
maior que o valor da tenso de ruptura direta mxima VDRM (VBO), fluir uma
corrente de fuga suficiente para levar o SCR ao estado de conduo. Degrau de
Tenso dv/dt (V/t): Se a taxa de crescimento da tenso nodoctodo VAK no tempo
for alta (subida muito rpida da tenso VAK) pode levar o SCR ao estado de
conduo. Luz ou Radiao: Se for permitida a penetrao de energia luminosa (luz)
ou radiante (ftons, raios gama,nutrons, prtons, eltrons ou raios X) nas junes
do semicondutor, haver maior combinao de pares eltrons-lacunas, provocando
maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao estado de conduo. o caso do
SCR ativado por luz, chamado foto-SCR ou LASCR (Light-Activated Silicon Controlled
Rectifier).

2.9 MTODOS DE BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR

O desligamento de um SCR chamado de Bloqueio ou Comutao. O SCR uma chave de

reteno, ou seja, uma vez disparado e conduzindo, o gatilho perde o controle. A
nica forma de bloquear um SCR reduzir a corrente de nodo IA para um valor menor
que o valor da corrente de manuteno IH durante um certo tempo. Este o tempo
necessrio para o desligamento do SCR, toff.
18

Devemos portanto lembrar: Diodos e SCRs somente bloqueiam quando praticamente

extinta a corrente entre nodo-ctodo e no por aplicao de tenso reversa. Para
um SCR comutar, ou seja, passar do estado de conduo para o estado de no
conduo, tambm chamado de bloqueio, a Corrente de nodo IA deve ser reduzida a um
valor abaixo do valor da corrente de manuteno IH, durante um certo tempo. O tempo
de desligamento da ordem de 50 a 100s para os SCR normais e de 5 a 10s para os
SCR rpidos.

2.9.1 Comutao natural

A Comutao Natural acontece quando a Corrente de nodo IA for reduzida a um valor

abaixo da Corrente de Manuteno IH.

2.9.2 Comutao Forada:

Em circuitos de corrente contnua a tenso permanece positiva no nodo. Como a

corrente no diminui naturalmente, deve-se provocar a reduo da Corrente de nodo
atravs da Comutao Forada. H duas formas para isso:
19

Desviando-se a corrente por um caminho de menor impedncia provocando IA < IH;

Aplicando-se tenso reversa e forando-se a operao na regio de polarizao
reversa. Note que isso tambm far IA < IH.

2.10 INFLUNCIA DE COMPONENTES PASSIVOS ENTRE GATE-CTODO

Elementos passivos podem influenciar na caracterstica de disparo de tiristores

quando colocados entre o gate e o ctodo do mesmo.

a) Efeitos de uma resistncia entre gate e ctodo. Reduz a sensibilidade do gate.

Os tiristores de baixa potncia e grande sensibilidade so disparados com correntes
baixas. Coloca-se uma resistncia entre gate e ctodo para evitar disparos
intempestivos devido a pequenas correntes de fuga originadas pelo aquecimento do
dispositivo e dv/dt. Aumenta as correntes de holding (IH) e de latching (IL),
pois h um desvio de corrente para o circuito de gate. Aumenta o limite de dI/dt,
pois a corrente originada por esse efeito pode ser desviada para o circuito de
gate. Aumenta a tenso de breakover. Reduz o tq do tiristor. Aps conduzir, o
tiristor precisa permanecer durante um intervalo de tempo tq com tenso negativa
para garantir a efetivao do seu bloqueio antes de receber tenso positiva.
20

b) Efeito de um capacitor entre gate e ctodo: Aumenta o limite de dv/dt,

produzindo o mesmo efeito da resistncia. Reduz a sensibilidade do gate aos
rudos de alta freqncia. Inconveniente: Durante a conduo do tiristor, o gate se
comporta como uma fonte que carrega o capacitor. No estado bloqueado, a descarga do
capacitor pode provocar disparos parasitas. c) Efeitos de uma indutncia entre gate
e ctodo: Aumenta o limite dv/dt. Reduz a sensibilidade do gate aos rudos de
baixa freqncia. Aumenta as corrente de holding e de latching. Reduz o tq do
tiristor. Inconveniente: a corrente negativa que aparece no circuito de gate, pode
provocar o bloqueio do tiristor quando a corrente de nodo for pequena.

2.11 CARACTERSTICAS ANODO-CTODO DO SCR

As caractersticas tenso x corrente de um SCR, para o caso de no haver qualquer

sinal aplicado ao gatilho, mostrado na figura abaixo:
21

IA = corrente de nodo VAK = tenso de nodo-ctodo VRRM = mxima tenso reversa

(repetitiva) IH = corrente de manuteno VDRM = mxima tenso de bloqueio
(repetitiva) V(BO) = tenso de disparo IDRM = corrente de bloqueio no sentido
direto IRRM = corrente de bloqueio no sentido reverso Quando o SCR polarizado
inversamente, sua caracterstica semelhante a de um diodo comum polarizado
inversamente. Na polarizao inversa, o SCR apresenta uma impedncia muito alta, e
s uma pequena corrente reversa, IRRM, flui atravs dele. Esta corrente permanece
pequena at que a tenso aplicada atinja a tenso inversa de Breakdown, VRRM.
Quando esta atingida, rompe-se o potencial da juno intermediria, e a corrente
aumenta bruscamente, do ctodo para o nodo ( o principio utilizado no diodo
Zener, porem, no Zener reversvel enquanto que no SCR podemos danificar o
dispositivo). Quando polarizado diretamente, o SCR eletricamente biestvel, isto
, possui dois estados estveis, podendo apresentar impedncia elevada ou
22

impedncia muito baixa. Na situao de impedncia elevada (desligado, corte ou

bloqueio) na polarizao direta, uma pequena corrente direta do bloqueio (IDRM)
circula pelas junes PNPN, a qual praticamente do mesmo valor que a corrente
reversa de bloqueio (I
RRM).

Conforme se aumenta o valor de tenso, com um

determinado valor, a corrente aumenta rapidamente e o SCR se comuta para o estado

ligado. Essa tenso em que a corrente passa a aumentar rapidamente chamada de
tenso direta de Breakover ou tenso de disparo (V(BO)). Quando a tenso direta
excede o valor de Breakover, a diferena de potencial sobre o SCR decresce
abruptamente para um valor muito pequeno, sendo limitada a corrente pelo circulo
externo (carga) e permanece assim na condio de ligado at que IAIH, quando a
corrente de manuteno ento retornar para a condio de desligado. A tenso de
Breakover pode ser controlada pela injeo de um pequeno sinal no gate. Quando a
corrente de gate ( I
GT)

for zero, a tenso de Breakover

alta e, conforme a corrente de gate aumenta, a tenso de disparo diminui at que o

dispositivo conduza.

Curvas caractersticas de VBO em funo de IG

23

A justificativa reside no fato de que uma quantidade maior de portadores na regio

de gatilho permite que o fenmeno de avalanche que d incio ao processo
regenerativo que mantm o SCR em conduo, ocorra em um valor da tenso VAK. Quando
a corrente de gate muito alta, pode ocorrer a descarga (Breakover) em uma
tenso to baixa que a caracterstica do SCR se assemelha a um simples diodo P-N.
Uma vez disparado, o gate no ter mais controle sobre a corrente de nodo. O nico
processo para levar o dispositivo novamente no estado de bloqueio, ser reduzido
sua corrente de nodo a um valor menor que IH.

2.12 EFEITOS DESTRUTIVOS

Os efeitos destrutivos so os motivos pelos quais pode-se danificar um tiristor.

Efeito dI/dt: com um fraco sinal de gate, o efeito dI/dt pode causar aquecimento
localizado na juno gate-ctodo pois com pequeno nmero de portadores
majoritrios, o canal de conduo inicial tambm pequeno. Sobretenso: causada
pelo excesso de tenso entre nodo-ctodo, tanto direta quando reversa. Degradao
trmica: esta ocorre quando existe elevada corrente de fuga que aumenta
exponencialmente com a temperatura. Corrente de surto: nem toda rea de ctodo
possui um contato com a base metlica ( dissipador), para certos tiristores. Assim
o calor gerado devido corrente de surto (dI/dt) no ser transmitido pela rea
sem contato com a base metlica. Dependendo do calor, esta rea ser danificada.
Potncia excessiva no gate: elevando-se demais o sinal de disparo, este poder
curto-circuitar a juno gate-ctodo. Polarizao negativa no gate: aplicando-se um
pulso de tenso negativa no gate, este drena corrente do nodo (quando em
polarizao direta) ou do ctodo (quando em polarizao reversa), destruindo a
regio de carga especial central de SCR.
24

2.13 TIRISTORES EM PARALELO E EM SRIE

Para se obter correntes elevada (acima de mil ampres), tiristores ou diodos so

ligados em paralelo. O nmero de tiristores em paralelo no determinado somente
pela condio de carga em regimento contnuo, mas tambm pelas condies de falha
ou sobrecarga do circuito.

2.13.1 Tiristores em Paralelo

Quando tiristores so ligados em paralelo, deve-se certificar que as correntes que

os atravessam so, tanto quanto possvel, iguais. Se dois tiristores esto em
paralelo entre os pontos A e B, a tenso VAB evidentemente a mesma para os
elementos, mas as correntes dependem da impedncia dos circuitos e, sobretudo, das
caractersticas estticas dos mesmos.

Tiristores em paralelo

O problema da associao em paralelo de tiristores devido basicamente

repartio de corrente nos estados de conduo, bloqueio e disparo. Entre os
mtodos utilizados para balancear a corrente nos tiristores destacam-se trs que
sero descritos a seguir:
25

2.13.1.1 Equilbrio de Corrente Mediante Triagem

impossvel igualar os semicondutores para todas as correntes e temperaturas a

juno. Dessa forma, so escolhidos elementos com mesma queda de tenso para a
corrente nominal e para a temperatura da juno correspondente a essa corrente.
Esse procedimento no evita as dificuldades de manuteno como por exemplo, a
substituio de um elemento. Alm do que, mediante uma sobrecarga acidental, a
repartio de corrente certamente no ser uniforme. Para os tiristores em
particular, a disperso dos tempos de disparo deve ser conduzida atravs de triagem
sobre esse parmetro e de maximizao de corrente de gate. Convm lembrar que os
sinal de gate devem permanecer at que todas as unidades entrem em conduo.

2.13.1.2 Equilbrio de Corrente Mediante Resistncia

Pode-se inserir uma resistncia de baixo valor em srie com o semicondutor de

maneira a equilibrar as correntes, pois a queda de tenso Ri predomina sobre as
diferenas de caractersticas. Esse procedimento poderia dispensar a triagem
precedente, mas requer um novo balanceamento a cada substituio de um elemento.
Evidentemente, constitui uma soluo que deteriora o regimento da instalao.
26

Equilbrio de corrente por resistncia

2.13.1.3 Equilbrio de Corrente Mediante Indutncia

No adianta equilibrar os circuitos com indutncias puras, pois estas seriam

eficazes somente durante a subida de corrente e inoperantes para corrente
constante. O procedimento mais interessante consiste em equilibrar as correntes por
acoplamento de indutncias. A restrio maior desse mtodo ser quanto ao custo de
peso, para o caso de vrios elementos em paralelo. No caso de tiristores, existe
ainda o problema de que se uma unidade dispara primeiro, a tenso terminal diminui
( 1V), e os demais elementos, por insuficincia

de tenso, retardaro a disparar, ou ainda, no conseguiro entrar em conduo. Por

isso, a indutncia em srie L com cada tiristor deve tambm conter a tenso
terminal durante algum tempo.
27

Equilbrio de corrente por indutncia

A diferena ocorre entre o primeiro e o ltimo elemento disparado vale:

I =

AB

Sendo t a disperso entre os tempos de disparo. Para diminuir as discrepncias em

corrente, desejvel que as indutncias sejam ligeiramente resistivas para, aps o
disparo, exercerem o papel das resistncias discutidas anteriormente. Um dos
problemas da conexo em paralelo de tiristores ocorre quando a corrente de carga
cai para um valor baixo, acarretando o bloqueio de um ou mais tiristores. Se
ocorrer um aumento de corrente subseqente, os tiristores que permaneceram em
conduo sofrero sobrecarga. Esse problema pode ser resolvido por pulsos contnuos
no gate durante a conduo.
28

2.13.2 Tiristores em Srie

Quando a tenso de alimentao de um circuito a semicondutores for maior do que a

tenso nominal do semicondutor, dois ou mais desses dispositivos devem ser
colocados em srie para repartir a tenso. No funcionamento em srie de tiristores
deve-se verificar que as tenses a que esto sujeitos seja compatvel com as
caractersticas. A tenso deve ser repartida igualmente entre os dispositivos. Isso
constitui um problema difcil da associao em srie de semicondutores, pois as
sobretenses em jogo so muito altas. Ser tomado como exemplo o tiristor nas duas
condies de funcionamento: regime e transitrio. As precaues a serem tomadas
esto relacionadas com estas duas condies.

2.13.2.1 Equilbrio das Tenses em Regime

Por regime subentende-se que o tiristor esta em estado de bloqueio (direto ou

inverso) ou em estado de conduo . Durante a conduo, no existe problema de
repartio de tenso visto que todos os tiristores conduzem. Durante o bloqueio,
direto ou inverso, o tiristor apresenta uma impedncia bastante elevada (da ordem
de M), e suficiente repartir a tenso colocando uma resistncia (de alguns k)
em paralelo com cada elemento para obter um divisor potenciomtrico, a corrente que
circula pela resistncia maior do que a corrente de fuga dos tiristores. A
repartio da tenso ser, ento, independente da corrente de fuga.
29

2.13.2.2 Equilbrio de Tenses no Transitrio

A condio de transitrio significa que o tiristor est conduzindo ou bloqueando.

Para se obter o equilbrio dinmico das tenses, uma pequena resistncia (no
indutiva) e um capacitor, ligados em srie, so colocados em paralelo com tiristor.
Quando um tiristor comea a conduzir (ou entra em extino), isso constitui um
degrau de tenso que se repercute sobre os outros elementos em srie, mas com
variao atenuada pelos circuitos RC. A tenso nos terminais dos elementos no
disparados sobe com certa inclinao, em funo da tenso e dos valores de RS e CS.
A resistncia RS deve limitar a descarga do capacitor CS atravs do tiristor quando
este entra em conduo.

Equilbrio de tenses na conexo em srie de tiristores

Todos os tiristores devem ser disparados ao mesmo tempo quando os sinais de gate
so aplicados simultaneamente. Para isso, a amplitude dos sinais de gate deve ser a
mxima permitida. E, tambm, uma indutncia colocada em srie com o circuito para
atrasar a subida da corrente de nodo at que todas as unidades conduzam.
30

Finalmente, uma triagem precedente dos elementos junto ao fabricante deve garantir
tempos de disparo, bem como de extino, muito prximos.

2.14 SOBRECARGA EM TIRISTORES

O tiristor pode sofrer dois tipos de sobre-cargas quando em uma lmpada

Incandescente a carga controlada, alm do efeito d i / d t e dos efeitos
destrutivos j estudados.

2.14.1 Corrente Inrush (Corrente de Pico)

A corrente inrush acontece pelo fato da resistncia a frio do filamento da lmpada

ser muito menor que a resistncia a quente, por exemplo, se o TRIAC disparado no
instante da mxima tenso da rede, a corrente INRUSH pode atingir de 10 a 15 vezes
a corrente normal de operao. Fig.4. Porm se o disparo for feito no instante em
que a tenso prximo de zero esta corrente atinge no mximo 5 vezes a corrente
normal.
31

2.14.2 Flashover (Disparo)

Ocorre quando o filamento da lmpada se rompe. Devido a ionizao existir um arco

voltaico entre os dois terminais do filamento que se rompeu e a corrente limitada
pela impedncia da rede. Fig.5.

hxl nominal

Para amenizarmos efeitos INRUSH e FLASHOVER algumas j vem com resistores e

fusveis.
3 TRIAC (TRIODE ALTERNATING CURRENT)

TRIAC

(TRIODE

ALTERNATING

CURRENT),

um

dispositivo

semicondutor bidirecional, construdo de trs terminais (TRI), para corrente

Alternada (A.C.). Sendo dos trs terminais dois de potncia (A1 e A2) e um de
controle (GATE), que pode receber tanto pulsos positivos como pulsos negativos para
o tiristor entrar em conduo. O Triac utilizado como comutador de corrente
alternada sendo que com maior eficincia nos controladores de onda completa, tanto
em controle de potncia por ciclo integral como por fase. O princpio de
funcionamento do Triodo para Atuao em Corrente Alternada o mesmo do SCR.
33

3.1 ESTRUTURA INTERNA E SMBOLO DO TRIAC

Assim como no SCR, emprega-se aqui uma pastilha mono cristalina de silcio, na qual
se difundem quantidade de outros elementos a fim de se criar vrias regies de
tipos P e N. Observando-se a figura abaixo, nota-se a primeira vista que entre
A1 e A2, existe um elemento PNPN em paralelo com um PNPN e ainda uma ilha
de material tipo N prximo ao GATE.

Pela estrutura interna, podemos observar que o terminal de gate est prximo de A,
que considerado o terminal de referncia para qualquer tipo de ligao. Os
terminais A1 e A2 esto conectados nas duas regies P e N ao mesmo tempo, da
bidirecionalidade.
34

3.2 CIRCUITO EQUIVALENTE DO TRIAC USANDO SCR

Como podemos observar na figura 2 o triac pode ser representado por dois SCRs em
antiparalelo. Quando um SCR encontra-se cortado o outro encontra-se em conduo e
viceversa. Logo ele conduzir nos dois semiciclos da corrente alternada. A vantagem
do uso do triac em relao a dois SCRs em anti-paralelo a simplicidade do
circuito de disparo. A substituio imediata de um triac por dois SCRs conforme a
figura A no possvel pois este modelo apresenta duas falhas: 1 - No temos como
explicar o disparo por pulsos negativo; 2 - Como nos SCRs a referncia o
catado, teramos que curto cicuit-los para termos uma nica referncia. Porm de
acordo com a figura B utilizam-se transformador de pulso para isolarmos
eletricamente os gate do SCR possvel a substituio de um triac por 2 SCRs.

Fig. A

Fig. B Circuito Equivalente Do Triac Usando Scr

35

3.3 CURVA CARACTERSTICA E FUNCIONAMENTO

Independentemente do quadrante de operao 1 ou 3 o TRIAC pode ser disparado por

pulsos positivos ou negativos no seu gatilho de controle. Em quanto no houver
sinal no gate, o triac permanece em estado de bloqueio desde que a tenso entre
seus terminais de potncia no ultrapasse a tenso de disparo discreto (VBO). Ao
ser ultrapassada a VBO, este entra em conduo sendo a corrente atravs dele
limitada somente pela impedncia do circuito. Variando-se a corrente de gate pode-
se variar VBO, isto , a tenso de disparo do triac e desta maneira modular a sua
conduo.

IL IH VA VBO

1H IL

CURVA CARACTERSTICA DO TRIAC

Quando a polarizao, costuma se dizer que o triac opera nos quatro quadrantes.
Tomando como referncia o terminal A1. Os quatro quadrantes so definidos pela
polaridade de A2 e do gate conforme fig.3.
36

QUADRANTE I II III IV

A2 V >0 V>0 V<0 V<0

G V>0 V<0 V<0 V>0

OBS: Comportamento em relao a A1 (terminal ref.) Os quadrantes nos quais o TRIAC

mais sensvel, so aqueles que o A2 e gate apresentam mesma polaridade.

3.4 TIPOS DE TRIAC

A TRIACS que admitem tanto pulsos positivos como negativos no seu gate (em
relao a A1). B TRIACS que s admitem no gate pulsos de mesma polaridade que A2
(em relao a A1).
37

3.5 POTNCIA

O TRIAC quando em conduo apresenta uma tenso entre seus terminais em torno de
2v. Esta tenso multiplicada pela corrente conduzida nos d, a quantidade de calor
que o mesmo est dissipando.

P = 2v . 1

3.6 APLICAES

O TRIAC assim como o SCR so eficientes controladores de potncia no acionamento de

cargas resistivas como lmpadas incandescentes, resistncias de fornos, ebulidores
e outras, como tambm em cargas indutivas como motores universais, de induo,
sistemas de proteo, alarmes, etc. O controle pode ser por fase ou por ciclo
integral, a diferena est na simplificao e custo reduzido no uso do TRIAC.
Apesar da bidirecionalidade do TRIAC , o mesmo no compete com o SCR quando se
trata de controle de grandes correntes.
38

CONTROLE DE POTNCIA POR FASE

3.7 VANTAGENS DO TRIAC SOBRE O SCR

Relao custo benefcio, bidirecionalidade.

3.8 DESVANTAGEM DO TRIAC SOBRE SCR

Apesar da bidirecionalidade do triac, o mesmo no complete com o SCR quando se

trata do controle de grandes correntes pois h SCR para quase 10KA em quanto os
triacs no ultrapassam poucas centenas de Ampre.
4 DIAC (DIODE ALTERNATING CURRENT)

Possui dois terminais de funcionamento T1 e T2 funcionando como um diodo avalanche

bidirecional passando do bloqueio conduo com qualquer polaridade de tenso
aplicada a seus terminais. Possui trs camadas semicondutoras, mas no tem o
comportamento do transistor devido a sua dopagem.

4.1 CURVA CARACTERSTICA E FUNCIONAMENTO

O DIAC atua como uma chave que liga quando a tenso de seus terminais alcana a
tenso de disparo VBO, sendo que depois de disparado a tenso em seus terminais cai
para um determinado valor, pois o DIAC entra na regio de resistncia negativa e
tente a se estabilizar. O DIAC possui sua tenso de disparo (VBO) situa-se entre 27
a 42 volts podendo variar 10% destes valores.
40

Curvas caractersticas do DIAC e Zener

4.2 EQUIVALENTE A DIODO ZENER

O DIAC pode ser considerado como dois diodos zener em oposio conectadas em srie.
Se a tenso for aplicada ao DIAC, por exemplo o sentido direto do diodo D1, a
corrente ser a pequena corrente de fuga inversa do diodo D2 Quando a tenso
aumenta haver somente um ligeiro aumento na corrente at que a tenso de ruptura
do diodo D2 seja alcanada. A corrente aumenta rapidamente e a tenso cai ao valor
de trabalho (Vw). Nesta condio o DIAC esta conduzindo e a corrente s ser
limitada pelo circuito externo. Quando a tenso aplicada for removida o DIAC
retorna ao estado de no conduo. Se a tenso do DIAC for no sentido direto do
diodo D2, uma ao semelhante ocorre, porm, com sentido contrrio.

Circuito Equivalente do Diac a Diodo Zener

41

4.3 APLICAES

O DIAC geralmente utilizado para disparo tiristores, para proteo de

instrumentos contra sobre tenso e gerao de dente de serra. Veja na figura a
disposio de um Triac com um DIAC. tambm chamado de quadrac.

O Diac serve como elemento de disparo do Triac por apresentar uma tenso fixa de
conduo, permitindo dessa forma maior preciso no ngulo de disparo do TRIAC. O
circuito abaixo apresenta, dupla rede defasadora, isto , duas constantes de tempo
permitindo maior faixa de atuao no controle de potncia por fase.

Fig. 7 Controle de Potncia por Fase com o Diac

As vantagens de se utilizar dupla rede defasadora RC consiste na possibilidade de

se atingir ngulos de disparo maiores e desta maneira operar com baixssimas
42

tenses sobre a carga. A diminuio do fenmeno de histerese tambm se faz notar

aumentando a estabilidade no disparo do tiristor. Quando a rede defasadora RC
simples a histerese notada mais nitidamente para grandes ngulos de disparo. Em
cada disparo do TRIAC o capacitor da rede RC (deslocador de fase) se descarrega
numa dada proporo. Por ele no se obtm um deslocamento de fase completo pois em
cada semi-ciclo soma-se o efeito de cruzamento do ngulo de disparo at chegar a um
equilbrio no circuito, portanto, no se pode chegar a ngulos de disparo prximos
de 180 , ou seja, no se pode diminuir a potncia sobre a carga a um valor menor
do que um mnimo determinado. Em um circuito com dupla rede defasadora podese
teoricamente chegar a ngulos de disparo de 270 , isto , 90 no semi-ciclo segui
nte e portanto o fenmeno da histerese muito menos notado.
5 ETAPAS DE ACOPLAMENTO

De acordo com os pargrafos anteriores, o sinal de gate deve possuir uma

caracterstica VG x IG que no passe pela zona de disparo incerto. A corrente de
gate deve ser suficiente para que a corrente no tiristor atinja o valor da corrente
de latching. No necessrio manter a corrente de gate no seu valor de pico por
toda a durao do sinal. Essa corrente pode decrescer, sem inconvenientes, alguns
s depois de seu incio, desde que o ponto de funcionamento no entre na zona de
disparo incerto (IG < IGmin). O perfil tpico de corrente de gate ilustrado no
grfico abaixo:
IG/IG min 5

1 t (us) 0,1 0,5

Perfil tpico da corrente de gate

Em geral, o sinal de gate obtido a partir de uma tenso quadrada cuja elaborao
estudaremos durante o curso. O circuito de gerao do sinal de comando deve ser
isolado do circuito do tiristor atravs de um transformador de pulso ou de um opto-
acoplador. Na figura abaixo, temos o primeiro caso. O diodo D1 protege o tiristor,
permitindo um caminho de desmagnetizao do transformador e impedindo a aplicao
de tenso reversa no gate. A resistncia R2 compe a caracterstica VGxIG.
44

5.1 TRANSFORMADOR DE PULSO

Componente utilizado na transferncia de sinal eltrico, atravs do acoplamento

magntico, sempre que haja necessidade de isolamento eltrico entre os circuitos
acoplados.
45

5.1.1 Caractersticas e Funcionamento

Um dos requisitos mais importantes o acoplamento entre os enrolamentos primrio e

secundrio. necessrio que o tempo de subida do pulso eltrico de sada no seja
diminudo pelo transformador assim como o tempo de descida.

Relao de transformao de tenses no transformador de pulso

Existem, portanto, duas constantes de tempo. A primeira corresponde subida de

potencial e vale L2R2, sendo L2 a indutncia de disperso refletida no primrio e
R2 a resistncia total do circuito secundrio. importante reduzir ao mximo a
indutncia de disperso para que di/dt seja mximo. A segunda constante de tempo
corresponde a descida de potncia, vale LM/R1, sendo LM a indutncia do primrio e
R1, sua resistncia. Essa constante de tempo caracteriza a capacidade de transmitir
sinais de longa durao.
46

FRMULAS PARA DIMENSIONAR O TRAFO DE PULSO

V.t = n1.
Sendo: V = TENSO DO PRIMRIO T = TENSO DE DISPOSIO DO SINAL N1 = N DE ESPIRAS
DO PRIMRIO = FLUXO MAGNTICO Para aumentar a durao do sinal a transmitir
diminuindo-se a tenso do primrio. Isto , pode ser feito colocando-se um resistor
no primrio. Se a montagem necessita de sinais de longa durao ( 1ms), n1.
grande, o que acarreta um valor elevado de LM (indutncia prpria do primrio),
aumenta tambm L2 (indutncia de disperso total). Logo, o transformador para
sinais longos ser maior e ter um tempo de subida menos apropriado. Para um T.P.
dado (n1 e fixos), pode-se aumentar a durao do sinal a transmitir diminuindo-se
a tenso V do primrio. Isto pode ser feito colocando-se um resistor no primrio em
vez de no secundrio. Os T.P. usuais tem produtos V.t que raramente ultrapassam
1000Vs. Nestas condies, difcil conseguir sinais com durao maior de 1ms.
Para sinais longos, outra alternativa dada na prxima figura, o capacitor na base
do transistor amortece as bordas do pulso de entrada de tal maneira que o pico de
tenso na sada menos agudo porm mais largo.
47

Circuito para disparo de longa durao e formas de onda.

O disparo por pulsos muitas vezes mais conveniente que por disparo CC, pois h
reduo na potncia dissipada na juno gate- catodo e, a possibilidade de obter
isolao entre o circuito de disparo e a etapa de potncia. Os tiristores
normalmente so especificados em termos de valores CC de tenso e corrente que
provocaro o disparo dos mesmos. Para pulsos longos, com durao mnima de 100s,
os valores CC so aplicveis, para pulsos curtos, os valores de IGT e VGT aumentam.
Outra caracterstica desejada que a isolao entre enrolamentos seja elevada (na
ordem de Kv), para evitar que as tenses envolvidas causem danos ao prprio
transformador. Este requisito conflitante com o forte acoplamento necessrio
transmisso de sinais.
48

5.2 ACOPLADORES PTICOS

NC = NO CONECTADO

Duas so as vantagens dos opto- acopladores em relao ao transformador de pulso:

O isolamento entre a entrada e sada do componente de dezenas a centenas de
megaohms; A transmisso do sinal unidirecional, no necessitando de componentes
externos de proteo como ocorre com o T.P. quando se usa diodos. O inconveniente
dos acopladores pticos a necessidade de uma fonte extra ligada ao gate para
prover, por exemplo, a corrente do transistor como ilustra a figura:

Acoplamento optico no disparo do SCR

50

5.3 ACOPLAMENTO PARA ONDA QUADRADA

Nos casos em que no necessrio o isolamento entre o circuito de disparo e a

etapa de potncia e, o sinal de disparo de forma quadrada, conveniente fazer o
interfaceamento como mostra a figura.

Interface de acoplamento e formas de onda de entrada sobre o gate.

O pico de corrente no gate determinado pelo valor de R1 pois inicialmente o

capacitor encontra-se descarregado. O tempo de descida da corrente at a
estabilizao em torno de IG min dependente da constante de tempo do circuito R1C
e o valor estvel de corrente dado pela soma de R1 e R2 pois neste instante o
capacitor encontra-se carregado. O tempo de descarga do capacitor determinado por
R2,, que normalmente desprezvel visto que largura do pulso de disparo (Ton) da
ordem de 100s, isto , bem menor que o intervalo de tempo entre dois pulsos que
da ordem de 8,3ms no pior dos casos.

Para calcular o circuito parte- se de R1, que dado por:

R1 =
50

A soma de R1 com R2 : R1 + R2 =

O tempo de carga do capacitor deve ser de 4 a 5 constantes de tempo R1C: 5R1C

0,5. 10-6

C=

=
6 TCA 785

O TCA 785 um circuito integrado dedicado a circuitos de disparo de tiristores.

Quando h necessidades de preciso no disparo, sincronismo com a rede de
alimentao, simplificao do projeto e outras vantagens, o uso deste C.I. mostrase
bastante vantajoso.

6.1 CARACTERSTICAS PRINCIPAIS DO TCA 785

Largo campo de aplicao devido possibilidade de controle externo; Operao

em circuitos trifsicos utilizando-se 3 CIs; Compatvel com LSL, TTL, MOS, CMOS;
Duas sadas com correntes de 55mA e duas sadas complementares; Durao de
pulso de disparo determinado por capacitor externo; Deteco de passagem de
tenso por zero volts; Indicado tambm como chave de ponto zero e conversor
tenso-freqncia; Possibilidade de inibio dos pulsos de disparo; Faixa de
tenso de alimentao de 8V a 18V; Consumo interno de corrente de 5 mA.

6.2 DESCRIO E FUNCIONAMENTO DO TCA 785

O diagrama em bloco representado na figura abaixo. O circuito alimentado por

fonte de tenso interna de 3,1 V, assegurando independncia dos parmetros
essenciais das variaes de tenso de alimentao VS (8 a 18V). O consumo de
corrente (cerca de 5 mA) aproximadamente constante para toda a faixa de tenso de
alimentao. A tenso regulada levada ao pino 8
52

atravs de uma resistncia interna possibilitando nos circuitos trifsicos iguais

condies para o controle de todas fases, atravs da ligao paralela dos CIs,
para melhorar a supresso de RF um capacitor pode ser colocado entre o pino 8 e
terra.

Diagrama interno do TCA 785

A sincronizao obtida atravs de um detector de zero (pino 5) altamente

sensvel, conectado a um registrador de sincronismo. O gerador de rampa (cujo
controle est na unidade lgica) consiste essencialmente de uma fonte controlada de
corrente constante, que carrega linearmente um capacitor externo (pino 10, C10
0,5 nF). A corrente desta fonte determinada por uma resistncia externa (pino 9,
R9 = 20 at 500 k), o tempo de subida da rampa assim determinado pela combinao
RC. Operando com chave de ponto zero, a lgica do registrador de sincronismo gera a
informao na sada do detector de zero, para ser fornecida ao circuito seguinte
somente se o capacitor da rampa C10 estiver completamente descarregado. O
comparador de controle compara a tenso da rampa com a de controle V11 (pino 11) e
provoca a sada de pulsos de disparo via unidade lgica. Pulsos positivos de
aproximadamente 30s, que podem ter durao alterada atravs do capacitor externo
no pino 12, aparecem na sada A1 (pino 14) e A2 (pino 15). Se o pino 12
53

ligado a terra, a largura de pulso pode atingir at 180 , as sadas A1 e A2 so

afetadas por meia onda, onde a sada A2 fornece pulsos de disparo somente se a
tenso de sincronizao for positiva e a sada A1 somente se a tenso de
sincronizao for negativa. As duas sadas (A1 e A2) so seguidor de emissor e com
corrente de 55 mA. As correspondentes sadas invertidas A1 e A2 so em coletor
aberto com corrente mxima de 1,5 mA. Se o pino 13 for ligado terra, a largura do
pulso pode atingir at 180. Algumas sadas podem ser inibidas atravs do pino 6,
conectando-se este terra. Para aplicaes com TRIACs pode-se usar sada Z (pino
7) que a soma lgica NOR das funes A1 e A2. Caractersticas da Pinagem do TCA
785. PINOS FUNO - PINO 01 O V - Terra. - PINO 02 Sada complementar de A2
coletor aberto Imx. 1,5 mA.. - PINO 03 Sada U - coletor aberto. - PINO 04
Sada complementar de A1 - coletor aberto Imx. 1,5 mA. - PINO 05 Detector de
zero para sincronizao. - PINO 06 Inibidor de disparo levando a 0 V. - PINO 07
Sada Z- soma lgica NOR de A1 e A2 - PINO 08 Tenso estabilizada interna 3,1
V. - PINO 09 Rp controla a corrente de carga de cp ( 20 k Rp 500K). - PINO
10 Cp capacitor de formao da rampa (Cp 500 nF). - PINO 11 Tenso de
controle comparada tenso da rampa em cada cruzamento muda a sada. - PINO
12 Capacitor de controle da largura do pulso de disparo (+ 500 s/nF). - PINO 13
Comutao para pulso longo dos pinos 2 e 4 comuta com 0 V. - PINO 14 Sada A1
semi-ciclo negativo seguidor de emissor Imz. 55 mA. - PINO 15 Sada A2
semi-ciclo positivo seguidor de emissor Imx. 55 mA. - PINO 16 Alimentao
8 V Vcc 18 V.
54

6.3 FORMAS DE ONDA NO TCA 785

Grficos: Tenso de Entrada x Tenso de Rampa x Largura de Pulso

55

6.3.1 COMPARAO: SADA Q X SADA Q

Grficos : Nveis de tenso nas sadas do TCA 785

7 RELS DE ESTADO SLIDO

So chaves semicondutoras utilizadas quando se requer confiabilidade, elevada

velocidade de operao, dimenses fsicas e peso reduzidas. especialmente
aconselhvel aplicar os SSRs em caso de presena de materiais inflamveis,
atmosferas gasosas explosivas e outras situaes nas quais indesejvel o
faiscamento dos rels convencionais, cotactoras ou chaves de comando. O disparo do
SSRs normalmente se faz em tenso nula e o bloqueio quando cessa a corrente, no
caso mais comum quando se trabalha em CA e desta forma se evita a emisso de RFI
(RDIO FREQUENCY INTERFERENCE). Vantagens dos SSRs sobre Rels Eletromecnicos:

Inexistncia de partes mveis e nem parte metlicas sujeitas a corroso; No h

aparecimento de Arco Voltaico e nem de RFI; Elevada Velocidade de Comutao;
Disparo em tenso nula aumenta a vida da carga,facilmente observvel em lmpada de
tungstnio;

Expectativa de vida til 20 vezes maior que as eletrnicas; Imunidade contra

choques e vibraes,possibilitando instalao em qualquer posio;

Facilidade de adaptao a controle eletrnico com nveis TTL ou CMOS.

Desvantagens dos SSRs em relao aos Rels Eletromecnicos. Sujeito falhas sob
condies de sobre tenso ou sobre corrente; No proporciona isolao completa
(corrente de fuga) quando bloqueado e nos casos onde aparece o SNUBBER, a isolao
diminui; Existe queda de tenso de cerca de 1 a 2 volts quando em conduo.
57

O circuito da figura a cima mostra a configurao tpica e em blocos de aplicao

deste tipo de controle de potncia. O circuito de controle que permite ou no o
disparo dos tiristores, normalmente composto por sensores, amplificadores,
comparadores ou mesmo temporizadores. Para dimensionar os tiristores deve-se tomar
cuidado pois a corrente eficaz sobre cada SCR no metade da corrente eficaz sobre
a carga mais sim dada pela equao:

IRMS(SCR) = I RMS(carga) 2

Os SSRs so tambm chamados de ZERO CROSSING SWITCH ou CONTROLE ON-OFF POR CICLO
INTEGRAL. Neste tipo de controle liga-se os tiristores por vrios ciclos completos
e desliga-se por alguns tambm completos. Note que a potncia sobre a carga
controlada pela relao TON e TOFF. Isto , relao de trabalho. Os tiristores so
sempre disparados quando a tenso passa por zero, tendose assim um crescimento da
corrente proporcional ao crescimento da tenso, isto , senoidalmente. Com isso no
se gera RFI e temos sempre a corrente em fase com a tenso, para o caso de cargas
resistivas. Note que o controle da potncia por ciclo integral idntico a
utilizao de estado slido, apresentando mesmas vantagens e desvantagens.
Normalmente falase em ciclo integral quando envolve o disparo de tiristores em
intervalos de tempo compatveis ao perodo da rede de CA e, em SSR quando os tempos
de conduo so maiores.
58

importante considerar o parmetro dI/dt neste caso, pois este parmetro mede a
variao da corrente no intervalo de tempo dt, isto , a derivada da corrente.
Considerando um corrente senoidal dada por:

I(t)= Ip.sen.wt A primeira derivada dado por:

dI/dt=Ip.w.cos.wt Para cada t pequeno ou prximo de zero, o cosseno vale

aproximadamente I, garantindo um dI/dt muito pequeno quando comparado com dI/dt do
caso da potncia ser controlada por fase.
59

FORMULRIO DE ELETRNICA DE POTNCIA Tenso de disparo V( ) = Vp . sen ngulo de

disparo = arc sen Corrente RMS

IRMS =

FRMULAS PARA SCR Tenso Mdia VM = Vp Tenso Eficaz VRMS = Corrente RMS IRMS =
Potncia na carga PL =

FRMULAS PARA TRIAC Tenso Eficaz na carga VRMS = Tenso Eficaz na carga (indutiva)
VRMS =

Dimensionamento Clculo da Potncia dissipada no SCR PSCR = VAK . IRMS (MX) VBO <
Vp Clculo da Potncia dissipada no TRIAC Pdis = VA1A2 . IRMS (MX) VBO< Vp