Cincias dos Materiais

Prof. MSc Gibran da Cunha Vasconcelos

2016
Clula Unitria
Consiste num pequeno grupos de tomos
que formam um modelo repetitivo ao
longo da estrutura tridimensional
(analogia com elos da corrente)
A clula unitria escolhida para
representar a simetria da estrutura
cristalina
Clula unitria

Os tomos so representados como esferas rgidas

Estrutura cristalina dos metais
Como a ligao metlica no-direcional no h restries quanto ao nmero e posies dos
vizinhos mais prximos.
A estrutura cristalina dos metais tm geralmente um nmero grande de vizinhos e alto
empacotamento atmico.
No caso das estruturas cbicas, os tomos podem ser agrupados em 3 diferentes tipos de
repetio: cbico simples, cbico de corpo centrado, e cbico de face centrada.
No caso das estruturas hexagonais, os tomos podem ser agrupados em 2 diferentes tipos de
repetio: hexagonal simples e compacto.
As estruturas cristalinas mais comuns em metais so: Cbica de corpo centrado, cbica de face
centrada e hexagonal compacta.
Sistema cbico simples
Essa a razo que os metais normalmente no
cristalizam na estrutura cbica simples (devido ao
baixo empacotamento atmico)
Apenas 1/8 de cada tomo cai dentro da clula
unitria, ou seja, a clula unitria contm apenas 1
tomo.

Parmetro de rede
Sistema cbico de corpo centrado (CCC)
Na estrutura CCC cada tomo dos vrtices do cubo
dividido com 8 clulas unitrias
J o tomo do centro pertence somente a sua clula
unitria.
H 2 tomos por clula unitria na estrutura
O Fe, Cr, W cristalizam em CCC
Sistema cbico face centrada (CFC)
Na estrutura CFC cada tomo dos vrtices do cubo
dividido com 8 clulas unitrias
J os tomos das faces pertencem somente a duas
clulas unitrias
H 4 tomos por clula unitria na estrutura CFC
o sistema mais comum encontrado nos metais (Al,
Fe, Cu, Pb, Ag, Ni,...)
Nmero de coordenao
Corresponde ao nmero de tomos vizinhos mais prximos
Para a estrutura cbica simples o nmero de coordenao 6.
Para a estrutura cbica de face centrada o nmero de coordenao 8.
Para a estrutura cfc o nmero de coordenao 12.
Relao entre o raio atmico e o parmetro de rede
No sistema cbico simples os tomos se tocam na face, ento o parmetro de rede (a)
corresponde a 2 vezes o raio atmico:

a= 2 R
Relao entre o raio atmico e o parmetro de rede
No sistema CFC, pelo teorema de Pitgoras, temos
que:

16R2 = a2 + a2
2a2= 16R2
a2 = 2 x 4R2
a = 2R(2)1/2
Relao entre o raio atmico e o parmetro de rede
No sistema CFC, pelo teorema de Pitgoras,
temos que:

16R2 = a2 + 2a2
16R2= 3a2
a=4R/(3)1/2
Fator de empacotamento atmico
Fator de empacotamento= Nmero de tomos x Volume dos tomos
Volume da clula unitria

Volume dos tomos (volume da esfera) = 4R3/3

Volume da clula unitria: = a3

Exemplo
Encontre o fator de empacotamento atmico para a estrutura cbica de corpo centrado (CCC).
Fator de empacotamento= Nmero de tomos x Volume dos tomos
Volume da clula unitria

2 x 4R3 27
Fator de empacotamento = = 0,68
3x64R3
 Clculo da densidade
O conhecimento da estrutura cristalina permite o clculo da densidade ():
a

=

n= nmero de tomos da clula unitria

A= peso atmico
Vc= Volume da clula unitria
NA= Nmero de Avogadro (6,02 x 1023 tomos/mol)
Exemplo
O Cobre tm raio atmico de 0,128nm (1,28 ), uma estrutura CFC, um peso atmico de 63,5
g/mol. Calcule a densidade do cobre.

Valor da densidade medida= 8,94 g/cm3

=
a = 2R(2)1/2
a=2x0,128x10-9x(2)1/2=3,609x10-8
463,5
=
Vc =a3=4,70x10-23 4,71023 6,231023

= 8,67
Sistema hexagonal simples
Os metais normalmente no cristalizam no
sistema hexagonal simples porque o fator de
empacotamento muito baixo
Entretanto, cristais com mais de um tipo de
tomo cristalizam neste sistema
Sistema hexagonal compacto
O sistema Hexagonal Compacto mais comum
nos metais (ex: Mg, Zn)
Na HC cada tomo de uma dada camada est
diretamente abaixo ou acima dos interstcios
formados entre as camadas adjacentes
Cada tomo tangencia 3 tomos da camada de
cima, 6 tomos no seu prprio plano e 3 na
camada de baixo do seu plano
O nmero de coordenao para a estrutura HC
12 e, portanto, o fator de empacotamento
o mesmo da CFC, ou seja, 0,74
Defeitos cristalinos
So irregularidade na rede cristalina com uma ou mais dimenses na ordem de um dimetro
atmico.
Defeitos pontuais: Esto envolvidos individualmente tomos deslocados, tomos extras ou falta
de tomos. So eles: vacncias (lacuna), tomos intersticiais ou tomos substitucionais;
Defeitos lineares: defeitos que envolvem a aresta de um plano extra de tomos, so as
discordncias;
Defeitos planares: superfcie interna, superfcie externa e interfaces (falhas de empilhamento,
contorno de fases, superfcies livres);
Defeitos volumtricos: estruturas amorfas ou no-cristalinas, poros, trincas ou incluses.
Defeitos pontuais
Lacuna: ausncia de um tomo em um ponto do reticulado cristalino.
Podem ser formadas durante a solidificao ou como resultado de vibraes atmicas.
Existe uma concentrao de equilbrio de lacunas:

= N. exp

N: nmero total de posies atmicas

NL: nmero de lacunas
QL: energia de ativao para formao de lacunas
K: constante de Boltzmann
T: temperatura absoluta
Defeitos pontuais
Defeitos lineares
Discordncias em cunha: ocorre uma poro extra de um plano de tomos, ou semi plano, cuja
aresta termina no interior do cristal. Ela movimenta-se no plano de deslizamento numa direo
perpendicular ao seu comprimento. A direo de deslizamento representada por um vetor-
deslizamento, ou vetor de Burger
Deformao plstica
O mecanismo de deformao plstica diferente para materiais cristalinos e materiais amorfos.
Nos materiais cristalinos o principal mecanismo de deformao plstica consiste no
escorregamento de planos atmicos por meio da movimentao de discordncias, j nos
materiais amorfos consiste no escoamento viscoso.

Deformao plstica produzida pela movimentao de uma discordncia em cunha

Defeitos lineares
Discordncia em hlice: considerada como sendo formada por uma tenso cisalhante que
aplicada para produzir a distoro. A designao 'hlice' para esse defeito do reticulado deriva
do fato de que os planos do reticulado do cristal formam uma espiral na linha da discordncia.
Elas normalmente se formam na superfcie de um cristal durante o seu crescimento
Defeitos bidimensionais
Interface: contorno entre duas fases diferentes.
Contornos de gro: contornos entre dois cristais slidos da mesma fase.
Superfcie externa: superfcie entre o cristal e o meio que o circunda
Contorno de macla: tipo especial de contorno de gro que separa duas regies com uma
simetria tipo espelho.
Falhas de empilhamento: ocorre nos materiais quando h uma interrupo na seqncia de
empilhamento, por exemplo na seqncia ABCABCABC.... dos planos compactos dos cristais CFC.
Defeitos bidimensionais
Quando o desalinhamento entre os gros vizinhos grande (maior que ~15), o contorno
formado chamado contorno de gro de alto ngulo. Se o desalinhamento pequeno (em
geral, menor que 5), o contorno chamado contorno de pequeno ngulo.

Contorno de pequeno ngulo resultante do

alinhamento de discordncias em cunha
Contornos de macla
A macla um tipo de defeito cristalino que pode ocorrer durante a solidificao, deformao
plstica, recristalizao ou crescimento de gro.
Tipos de macla: maclas de recozimento e maclas de deformao.
A maclao ocorre em um plano cristalogrfico determinado segundo uma direo
cristalogrfica especfica. Tal conjunto plano/direo depende do tipo de estrutura cristalina.
Difuso
A difuso ocorre no interior de slidos, lquidos
e gases.
Uma gota de tinta que se dilui na gua, um
exemplo de difuso no interior de um lquido.
O odor de um perfume que se espalha por
uma sala, um exemplo de transporte de
massa (conveco e difuso) no interior de um
gs.
Difuso
No interior dos slidos, a difuso ocorre por
movimentao atmica (no caso de metais),
de ctions e nions (no caso de cermicas) e
de macromolculas (no caso de polmeros).
A movimentao de cada tomo pode ser
descrita como sendo um caminho aleatrio
(random-walk) no espao. Por simplicidade
ser assumido uma movimentao
unidimensional.
Difuso

Um par de difuso zinco-cobre aps ser submetido a um tratamento trmico a

temperatura elevada, mostrando a zona de difuso com formao de liga.
Mecanismos de difuso
A difuso pode ocorrer de duas formas nos metais: a difuso por lacunas (ou difuso
substitucional) e a difuso intersticial.
Para ocorrer a movimentao de tomos so necessrias duas condies: (1) deve existir um
espao livre adjacente ao tomo; (2) o tomo deve possuir energia suficiente para quebrar as
ligaes qumicas que o une a seus tomos vizinhos; causar uma distoro no reticulado
cristalino durante seu deslocamento para a nova posio e formar ligaes qumicas com os
tomos de sua nova vizinhana.
Fluxo de difuso
Para quantificar a rapidez com que o fenmeno da difuso se processa no tempo usamos o
FLUXO DE DIFUSO (J).
O Fluxo de Difuso definido como sendo a massa (ou, de forma equivalente, o nmero de
tomos) M que se difunde por unidade de tempo atravs de uma rea unitria perpendicular
direo do movimento da massa.

=

A representa a rea atravs da qual a difuso est ocorrendo e t o intervalo de tempo de
difuso decorrido.
Em forma diferencial:
1
=

Fluxo de difuso
No caso da difuso unidimensional, a concentrao C dos tomos
que se difundem funo da posio x no interior do slido e do
tempo t de difuso.
Assim, em geral, C = f (x, t).
A curva ao lado, que representa C em funo da posio x no
interior de um slido num dado instante de tempo t,
denominada PERFIL DE CONCENTRAO.
Para cada t, o FLUXO DE DIFUSO num dado x proporcional ao
valor do gradiente dC/dx em x

= .

A constante de proporcionalidade D* chamada de COEFICIENTE

DE DIFUSO, e expressa em m2/s.
Primeira lei de Fick
Para processos de difuso em estado estacionrio, a equao que correlaciona o fluxo de
difuso J com o gradiente de concentrao dC/dx chamada de PRIMEIRA LEI DE FICK.

= .

O sinal negativo na equao acima indica que o fluxo ocorre na direo contrria do gradiente
de concentrao, isto , no sentido das concentraes altas para as concentraes baixas.
Na primeira lei de Fick, o POTENCIAL TERMODINMICO ou FORA MOTRIZ ("driving force") para
que ocorra o fenmeno de difuso o gradiente de concentrao.
Segunda lei de Fick
Para descrever a difuso em estado no-estacionrio unidimensional, utilizada a equao
diferencial parcial conhecida por segunda lei de Fick.
2
= 2

Quando so especificadas condies de contorno que correspondentes a um fenmeno fsico,

possvel se obter solues para segunda lei de Fick. Essas solues so funes C = f(x,t) que
representam as concentraes em termos tanto da posio quanto do tempo.
Para cementao, temos que:
0
= 1
0 2
Exemplo
Uma chapa de 5,0 mm de espessura de paldio usada como membrana difusional para
purificar hidrognio. A chapa mantida entre duas atmosferas de gs: de um lado da chapa
tem-se alta presso constante (com o gs impuro) e do outro lado uma atmosfera de baixa
presso, tambm constante. Se a concentrao de hidrognio no lado de alta presso (gs
impuro) da chapa for 1,5 kg/m3 e no lado de baixa presso for de 0,3 kg/m3 e o coeficiente de
difuso do hidrognio no Pd for 1x10-8m2/s. Calcule o fluxo de difuso do hidrognio na chapa.

1,50,3
= . = 108 = 2,4106 /2 1
0,005