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RESSONADORES DE MICROONDAS

Os ressonadores de microondas são usados em uma variedade de aplicações,


incluindo filtros, osciladores, medidores de freqüência e amplificadores sintonizados.
Como a operação dos ressonadores de microondas é muito semelhante à dos
ressonadores de elementos agrupados da teoria de circuitos, começaremos revisando
as características básicas de circuitos ressonantes RLC em série e paralelos. Vamos
então discutir vários implementações de ressonadores em frequências de micro-ondas
utilizando elementos distribuídos como linhas de transmissão, guias de ondas
retangulares e circulares e cavidades dielétricas. Também discutiremos a excitação de
ressonadores usando aberturas e folhas atuais.

SÉRIE 6.1 E CIRCUITOS RESSONANTES PARALELOS

Nas freqüências próximas à ressonância, um ressonador de microondas pode ser


modelado por um circuito equivalente a um elemento fixo em série ou paralelo de RLC,
e, portanto, revisaremos agora algumas das propriedades básicas desses circuitos.

CIRCUITO RESSONANTE SÉRIE

Um circuito ressonante 𝑅𝐿𝐶 em série é mostrado na Figura 6.1a. A impedância de


entrada é

e a potência complexa entregue ao ressonador é


A potência dissipada pelo resistor 𝑅 é

a energia magnética média armazenada no indutor 𝐿 é

e a energia elétrica média armazenada no capacitor 𝐶 é

onde 𝑉𝑐 é a voltagem através do capacitor. Então o poder complexo de (6.2) pode ser
reescrito como

e a impedância de entrada de (6.1) pode ser reescrita como

A ressonância ocorre quando as energias magnéticas e elétricas armazenadas são


iguais, ou 𝑊𝑚 = 𝑊𝑒 . Então, a partir de (6.5) e (6.3a), a impedância de entrada na
ressonância é
que é puramente real. De (6.3b, c), 𝑊𝑚 = 𝑊𝑒 sugerimos que a freqüência de
ressonância, 𝜔0 , pode ser definida como

Outro parâmetro importante de um circuito ressonante é seu 𝑄, ou fator de qualidade,


que é definido como:

Assim, 𝑄 é uma medida da perda de um circuito ressonante - menor perda implica um


𝑄 maior.
As perdas do ressonador podem ser devidas a perda do condutor, perda dielétrica ou
perda de radiação, e são representadas pela resistência 𝑅 do circuito equivalente.
Uma rede de conexão externa pode introduzir perda adicional. Cada um desses
mecanismos de perda terá o efeito de reduzir 𝑄. O 𝑄 do ressonador em si,
desconsiderando os efeitos de carregamento externos, é chamado de
𝑄 𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑟𝑒𝑔𝑎𝑑𝑜, denotado como 𝑄0 . Para o circuito ressonante série da Figura 6.1a, o
𝑄 𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑟𝑒𝑔𝑎𝑑𝑜 pode ser avaliado a partir de (6.7), usando (6.3) e o fato de que
𝑊𝑚 = 𝑊𝑒 em ressonância, para dar

que mostra que 𝑄 𝑎𝑢𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎 𝑞𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑅 𝑑𝑖𝑚𝑖𝑛𝑢𝑖.


Em seguida, considere o comportamento da impedância de entrada deste ressonador
próximo à sua freqüência de ressonância [1]. Seja 𝜔 = 𝜔0 + 𝛥𝜔, onde 𝛥𝜔 é
pequeno. A impedância de entrada pode ser reescrita a partir de (6.1)

desde que 𝜔02 = 1 / 𝐿𝐶. Agora 𝜔2 – 𝜔02 = (𝜔 – 𝜔0 ) (𝜔 + 𝜔0 ) = 𝛥𝜔 (2𝜔 – 𝛥𝜔) ≈


2𝜔𝛥𝜔 para um pequeno 𝛥𝜔. Portanto,
Esta forma será útil para identificar circuitos equivalentes com ressonadores de
elementos distribuídos.
Alternativamente, um ressonador com perda pode ser modelado como um
ressonador sem perdas cuja freqüência ressonante, 𝜔0 , foi substituída por uma
freqüência ressonante efetiva complexa:

Isto pode ser visto considerando a impedância de entrada de um ressonador em série


sem perda, como dado por (6.9) com 𝑅 = 0:

Então substituindo a freqüência complexa de (6.10) por 𝜔0 dá

que é idêntico a (6.9). Este é um procedimento útil porque para a maioria dos
ressonadores práticos a perda é muito pequena, então o 𝑄 pode ser encontrado
usando o método de perturbação, começando com a solução para o caso sem perdas.
Então o efeito da perda pode ser adicionado à entrada impedância, substituindo 𝜔0
pela freqüência ressonante complexa dada em (6.10).
Finalmente, considere a
𝑙𝑎𝑟𝑔𝑢𝑟𝑎 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑓𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛á𝑟𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑚𝑒𝑖𝑎 𝑝𝑜𝑡ê𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑜 𝑟𝑒𝑠𝑠𝑜𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟. A Figura 6.1b mostra
a variação da magnitude da impedância de entrada versus frequência. Quando a
frequência é tal que | 𝑍𝑖𝑛 |2 = 2𝑅2 , então (6.2) a potência 𝑚é𝑑𝑖𝑎 (𝑟𝑒𝑎𝑙) fornecida ao
circuito é metade da que é fornecida na ressonância. Se 𝐵𝑊 é a largura de banda
fracionária, então 𝛥𝜔/𝜔0 = 𝐵𝑊/2 na borda da banda superior. Usando (6.9) dá

ou

CIRCUITO RESSONANTE PARALELO

O circuito ressonante 𝑅𝐿𝐶 paralelo, mostrado na Figura 6.2a, é o dual do circuito 𝑅𝐿𝐶
em série. A impedância de entrada é
e a potência complexa entregue ao ressonador é

A potência dissipada pelo resistor, 𝑅, é

a energia elétrica média armazenada no capacitor, 𝐶, é

e a energia magnética média armazenada no indutor, 𝐿, é


onde 𝐼𝑙 é a corrente através do indutor. Então o poder complexo de (6.13) pode ser
reescrito como

que é idêntico a (6.4). Da mesma forma, a impedância de entrada pode ser expressa
como

que é idêntico a (6.5).


Como no caso da série, a ressonância ocorre quando 𝑊𝑚 = 𝑊𝑒 . Então de (6.16) e
(6.14a) a impedância de entrada na ressonância é

que é uma impedância puramente real. De (6.14b) e (6.14c), 𝑊𝑚 = 𝑊𝑒 sugerimos que


a freqüência de ressonância, 𝜔0 , pode ser definida como

que é idêntico ao caso do circuito ressonante da série. Ressonância no caso de um


circuito 𝑅𝐿𝐶 paralelo é por vezes referido como uma antirressonância. A partir da
definição de (6.7), e os resultados em (6.14), o 𝑄 𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑟𝑒𝑔𝑎𝑑𝑜 do circuito ressonante
paralelo pode ser expresso como

desde 𝑊𝑚 = 𝑊𝑒 na ressonância. Este resultado mostra que o 𝑄 do circuito ressonante


paralelo aumenta à medida que 𝑅 aumenta.
Perto da ressonância, a impedância de entrada de (6.12) pode ser simplificada usando
a expansão em série, resultando que

Novamente, deixando 𝜔 = 𝜔0 + 𝛥𝜔, onde 𝛥𝜔 é pequeno, permite que (6.12) seja


reescrito como [1]
desde que 𝜔02 = 1/𝐿𝐶 . Quando 𝑅 = ∞ (6.19) reduz para

Como no caso ressonador em série, o efeito da perda pode ser explicado pela
substituição de 𝜔0 nessa expressão por uma freqüência ressonante efetiva complexa:

A Figura 6.2b mostra o comportamento da magnitude da impedância de entrada


versus frequência. As bordas de largura de banda de meia potência ocorrem nas
freqüências (𝛥𝑤/𝜔0 = 𝐵𝑊 / 2) de tal modo que

que, de (6.19), implica que

como no caso de ressonância em série.

Q CARREGADO E DESCARREGADO

O 𝑄 𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑟𝑒𝑔𝑎𝑑𝑜, Q 0 , definido nas seções anteriores é uma característica do


próprio ressonador, na ausência de qualquer efeito de carregamento causado por
circuitos externos. Na prática, no entanto, um ressonador é invariavelmente acoplado
a outros circuitos, que terão o efeito de reduzir o 𝑄 total ou carregado, 𝑄𝐿 , do circuito. A
Figura 6.3 mostra um ressonador acoplado a um
resistor de carga externo, 𝑅𝐿 . Se o ressonador for um circuito 𝑅𝐿𝐶 em série, o resistor
de carga 𝑅𝐿 adicionado em série com 𝑅, portanto a resistência efetiva em (6.8) é 𝑅 +
𝑅𝐿 . Se o ressonador é um circuito 𝑅𝐿𝐶 paralelo, o resistor de carga 𝑅𝐿 combina em
paralelo com 𝑅, então a resistência efetiva em (6.18) é 𝑅𝑅𝐿 / (𝑅 + 𝑅𝐿 ). Se definirmos
um 𝑄 𝑒𝑥𝑡𝑒𝑟𝑛𝑜, 𝑄𝑒 , como

então o Q carregado pode ser expresso como

A Tabela 6.1 resume os resultados acima para circuitos ressonantes em série e


paralelos.
6.2 - RESSONADORES DA LINHA DE TRANSMISSÃO

Como já vimos, os elementos de circuitos aglomerados ideais são muitas vezes


inatingíveis nas frequências de micro-ondas, pelo que os elementos distribuídos são
frequentemente utilizados. Nesta seção, estudaremos o uso de seções de linhas de
transmissão com vários comprimentos e terminações (geralmente de circuito aberto ou
curto) para formar ressonadores. Como estamos interessados no Q desses
ressonadores, devemos considerar as linhas de transmissão com perdas.

Linha λ / 2 em Curto-Circuito

Um comprimento de linha de transmissão com perdas, curto-circuitado em uma


extremidade, é mostrado na Figura 6.4. A linha tem uma impedância característica, Z0,
constante de propagação, β e atenuação

constante, α. Na freqüência de ressonância ω = ω0, o comprimento da linha é? = λ / 2.


De (2.91), a impedância de entrada é

Usando uma identidade para a tangente hiperbólica dá

Observe que Zin = jZ0 tan β? se α = 0 (uma linha sem perdas).


Na prática, é geralmente desejável usar uma linha de transmissão de baixa perda,
então assumimos que α? ? 1 e, em seguida, tanh α? ? α ?. Novamente, deixe ω = ω0
+ ω, onde ω é pequeno. Então, assumindo uma linha TEM, temos
onde vp é a velocidade de fase da linha de transmissão. Porque ? = λ / 2 = πvp / ω0
para ω = ω0, temos

e depois

Usando estes resultados em (6.24) dá

desde? ωα? / ω0? 1


A equação (6.25) é da forma

que é a impedância de entrada de um circuito ressonante RLC em série, como dado


por (6.9). Podemos identificar a resistência do circuito equivalente como

e a indutância do circuito equivalente como


A capacitância do circuito equivalente pode ser encontrada em (6.6) como

O ressonador da Figura 6.4 ressoa por ω = 0 (λ = λ / 2), e sua impedância de entrada


na ressonância é Zin = R = Z0α. Ressonância também ocorre para? = n / 2, n = 1, 2,
3,. . . . As distribuições de tensão para os modos ressonantes n = 1 e n = 2 são
mostradas na Figura 6.4. O Q descarregado deste ressonador pode ser encontrado
em (6.8) e (6.26) como

desde β? = π na primeira ressonância. Este resultado mostra que o Q diminui à


medida que a atenuação da linha aumenta, como esperado.

EXEMPLO 6.1 Q DE RESONATORES DE LINHA COAXIAL DE MEIA-ONDA

Um ressonador λ / 2 é feito de uma peça de linha coaxial de cobre com um raio interno
de 1 mm e um raio externo de 4 mm. Se a freqüência de ressonância for de 5 GHz,
compare o Q descarregado de um ressonador de linha coaxial preenchido com ar com
o de um ressonador de linha coaxial preenchido com Teflon.

Solução
Primeiro calculamos a atenuação da linha coaxial, usando os resultados dos Exemplos
2.6 ou 2.7. Do Apêndice F, a condutividade do cobre é σ = 5,813 × 107 S / m. A
resistividade da superfície a 5 GHz é

A atenuação devido à perda do condutor para a linha cheia de ar é

Para Teflon, r = 2,08 e tan δ = 0,0004, então a atenuação devido à perda do condutor
para a linha preenchida com teflon é

A perda dielétrica da linha cheia de ar é zero, mas a perda dielétrica da linha de Teflon
é

Finalmente, a partir de (6.27), os Qs descarregados podem ser calculados como

Assim, é visto que o Q da linha cheia de ar é quase o dobro do da linha de Teflon. O Q


pode ser aumentado ainda mais usando-se condutores prateados. ■

Linha λ / 4 de Curto Circuito


Um tipo paralelo de ressonância (antiresonância) pode ser alcançado usando uma
linha de transmissão de curto-circuito de comprimento λ / 4. A impedância de entrada
de uma linha curta de comprimento? é

onde o último resultado foi obtido pela multiplicação do numerador e do denominador


por −j cot β. Agora suponha isso? = λ / 4 em ω = ω0, e ω = ω0 + ω. Então, para uma
linha TEM,

e entao

Além disso, como antes, tanh α? ? α? para pequenas perdas. Usando estes resultados
em (6.28) dá

já que α? π? ω / 2ω0? 1. Este resultado é da mesma forma que a impedância de um


circuito RLC paralelo, como dado em (6.19):

Podemos identificar a resistência do circuito equivalente como


e a capacitância do circuito equivalente como

A indutância do circuito equivalente pode ser encontrada

O ressonador da Figura 6.4, portanto, possui uma ressonância de tipo paralelo para? =
λ / 4, com uma impedância de entrada na ressonância de Zin = R = Z0 / α. De (6.18) e
(6.30) o Q descarregado deste ressonador é

Desde a ? = π / 2β na ressonância.

Linha λ / 2 em Circuito Aberto

Um ressonador prático que é freqüentemente usado em circuitos de microstrip


consiste de um comprimento de circuito aberto de linha de transmissão, como
mostrado na Figura 6.5. Este ressonador se comportará como um circuito ressonante
paralelo quando o comprimento for λ / 2, ou múltiplos de λ / 2.
A impedância de entrada de uma linha de transmissão de perda com circuito aberto de
comprimento? é
Como antes, suponha isso? = λ / 2 em ω = ω0, e ω = ω0 + ω. Então,

e entao

e tanh α? ? α ?. Usando estes resultados em (6.32) dá

A comparação com a impedância de entrada de um circuito ressonante paralelo, como


dada por (6.19), sugere que a resistência do circuito RLC equivalente é

e a capacitância do circuito equivalente é


A indutância do circuito equivalente é

De (6.18) e (6.34) o Q descarregado é

Desde a ? = π / β na ressonância.

EXEMPLO 6.2 UM RESONATOR DE MICROSTRIP DE MEIA-ONDA

Considere um ressonador de microfita construído a partir de um comprimento λ / 2 de


50. linha microtira de circuito aberto. O substrato é o Teflon (? R = 2,08, tan? =
0,0004), com uma espessura de 0,159 cm, e os condutores s de cobre. Calcule o
comprimento requerido da linha para ressonância a 5 GHz e o Q descarregado do
ressonador.
Ignore campos de franjas no final da linha.

Solução
A partir de (3.197), a largura de uma linha de 50 microstrip neste substrato é
encontrada como sendo W = 0,508 cm, e a permitividade efetiva é e = 1,80. O
comprimento ressonante pode então ser calculado como

A constante de propagação é
De (3.199), a atenuação devido à perda do condutor é

onde usamos Rs do Exemplo 6.1. A partir de (3.198), a atenuação devida à perda


dielétrica é

Então de (6.35) o Q descarregado é

6.3 RESSONANTES DE CAVIDADE DE ONDAS RETANGULARES

Ressonadores de microondas também podem ser construídos a partir de seções


fechadas de guia de onda. Como a perda de radiação de um guia de ondas em aberto
pode ser significativa, os ressonadores de guia de ondas são geralmente curto-
circuitados em ambas as extremidades, formando assim uma caixa fechada ou
cavidade. A energia elétrica e magnética é armazenada dentro do compartimento da
cavidade e a energia é dissipada nas paredes metálicas da cavidade, bem como no
material dielétrico que pode preencher a cavidade.
O acoplamento a um ressonador de cavidade pode ser feito por uma pequena
abertura, ou por uma pequena sonda ou loop. Veremos que existem muitos modos
ressonantes possíveis para um ressonador de cavidade, correspondendo a variações
de campo ao longo das três dimensões da estrutura.
Vamos primeiro derivar as frequências ressonantes para um modo ressonante TE
ou TM geral de uma cavidade retangular, e então derivar uma expressão para o Q não
carregado do TE10? modo. Um tratamento completo do Q descarregado para modos
arbitrários de TE e TM pode ser feito usando o mesmo procedimento, mas não é
incluído aqui devido a seu comprimento e complexidade.

Frequências ressonantes

A geometria de uma cavidade retangular é mostrada na Figura 6.6. Consiste em um


comprimento, d, de guia de onda retangular em curto em ambas as extremidades (z =
0, d). Nós vamos encontrar o ressonante

freqüências desta cavidade sob a suposição de que a cavidade é sem perdas, então
determine o Q descarregado usando o método de perturbação descrito na Seção 2.7.
Embora pudéssemos começar com a equação de onda de Helmholtz e o método de
separação de variáveis para resolver os campos elétricos e magnéticos que
satisfazem as condições de contorno da cavidade, é mais fácil começar com os
campos dos modos de guia de onda TE ou TM, uma vez que já satisfazem as
condições de contorno necessárias nas paredes laterais (x = 0, a e y = 0, b) da
cavidade. Então, é necessário apenas impor as condições de contorno que Ex = Ey =
0 nas paredes finais em z = 0, d.
Na Tabela 3.2, os campos elétricos transversais (Ex, Ey) do modo de guia de
ondas retangulares TEmn ou TMmn podem ser escritos como

onde ¯e (x, y) é a variação transversal do modo, e A +, A− são amplitudes arbitrárias


das ondas de deslocamento para frente e para trás. A constante de propagação do
modo m, nth TE ou TM é

onde k = ω√μ? e μ e? são a permeabilidade e permissividade do material que enche a


cavidade.
Aplicando a condição que ¯Et = 0 em z = 0 a (6.36) implica que A + = −A− (como
devemos esperar para a reflexão de uma parede perfeitamente condutora). Então a
condição que
¯Et = 0 at z = d leva à equação

A única solução não trivial (A +? = 0) ocorre

o que implica que a cavidade deve ser um inteiro múltiplo de comprimento de onda de
meia guia na freqüência de ressonância. Nenhuma solução não trivial é possível para
outros comprimentos, ou para freqüências diferentes das freqüências ressonantes.
Um número de onda de ressonância para a cavidade retangular pode ser definido
como

Então podemos nos referir ao TEmn? ou TMmn? modo ressonante da cavidade, onde
os índices m, n,? indica o número de variações no padrão de onda estacionária nas
direções x, y, z, respectivamente. A frequência de ressonância do TEmn? ou TMmn?
modo é dado por

Se b <a <d, o modo ressonante dominante (frequência de ressonância mais baixa)


será o modo TE101, correspondendo ao modo de guia de onda dominante TE10 em
um guia curto de comprimento λg / 2, e é similar ao λ / 2 de curto-circuito ressonador
da linha de transmissão. O dominante
O modo ressonante TM é o modo TM110.

Q descarregado do TE10? Modo


Da Tabela 3.2, (6.36), e o fato de que A− = −A +, o total de campos para o TE10?
modo ressonante pode ser escrito como

Deixar E0 = −2 j A + e usar (6.38) permite que essas expressões sejam simplificadas


para

que mostram claramente que os campos formam ondas estacionárias dentro da


cavidade. Podemos agora calcular o Q descarregado deste modo encontrando as
energias elétrica e magnética armazenadas e a energia perdida nas paredes
condutoras e no enchimento dielétrico.
A energia elétrica armazenada é de (1,84),

enquanto a energia magnética armazenada é, a partir de (1,86),

Porque ZTE = kη / β, com β = β10 = k2 - (π / a) 2, a quantidade entre parênteses em


(6.43b) pode ser reduzida para

mostrando que We = Wm na ressonância. A condição de igual energia elétrica e


magnética armazenada na ressonância também se aplica aos circuitos ressonantes
RLC da Seção 6.1. Para pequenas perdas podemos encontrar a energia dissipada nas
paredes da cavidade usando a perturbação
método da Seção 2.7. Assim, a potência perdida nas paredes condutoras é dada por
(1.131)

onde Rs = √ωμ0 / 2σ é a resistividade superficial das paredes metálicas, e Ht é o


campo magnético tangencial na superfície das paredes. Usando (6.42b), (6.42c) em
(6.44) dá

onde foi feito uso da simetria da cavidade ao duplicar as contribuições das paredes em
x = 0, y = 0 ez = 0 para considerar as contribuições das paredes em x = a, y = be z =
d, respectivamente. As relações k = 2π / λ e ZTE = kη / β = 2dη / λ também foram
utilizadas na simplificação (6,45). Então, a partir de (6.7), o Q não carregado da
cavidade com paredes condutoras com perdas, mas dielétrico sem perdas, pode ser
encontrado como

Em seguida, calculamos a potência perdida no material dielétrico que pode preencher


a cavidade. Como discutido no Capítulo 1, um dielétrico com perdas tem uma
condutividade efetiva σ = ω?
?? = ω ?r ?0 tan δ, onde? = ? - j?
?? =? r? 0 (1 - j tan δ), e tan δ é a tangente de perda do material. A potência dissipada
no dielétrico é de (1,92),

onde ¯E é dado por (6.42a). Então de (6.7) o Q descarregado da cavidade com um


enchimento dielétrico com perdas, mas com paredes perfeitamente condutoras, é
A simplicidade desse resultado se deve ao fato de que a integral em (6.43a) para We
cancela com a integral idêntica em (6.47) para Pd. Este resultado, portanto, aplica-se a
Qd para um modo de cavidade ressonante arbitrário. Quando ambas as perdas de
parede e perdas dielétricas estão presentes, a perda total de energia é Pc + Pd, então
(6.7) dá o Q total descarregado como

EXEMPLO 6.3 PROJETO DE UM RESSONADOR DE CAVIDADE RETANGULAR

Uma cavidade de guia de ondas rectangular é feita a partir de um pedaço de guia de


ondas de cobre H WR-187, com a = 4,755 cm e b = 2,215 cm. A cavidade é
preenchida com polietileno
(? r = 2,25, tan? = 0,0004). Se a ressonância ocorrer em f = 5 GHz, encontre o
comprimento requerido, d, e o Q descarregado resultante para o valor de? = 1 e? = 2
modos ressonantes.

Solução
O número de onda k é

De (6.40) o comprimento requerido para a ressonância pode ser encontrado como (m


= 1, n = 0)

No Exemplo 6.1, a resistividade de superfície do cobre a 5 GHz é Rs = 1,84 × 10−2. A


impedância intrínseca é
Então de (6.46) o Q devido a perda do condutor é somente

De (6.48) o Q devido à perda dielétrica é apenas para ambos? = 1 e? = 2,

Então Qs totais descarregados são, de (6.49)

Note que a perda dielétrica tem o efeito dominante no Q; Q mais alto poderia ser
obtido usando uma cavidade cheia de ar. Estes resultados podem ser comparados
com os dos Exemplos 6.1 e 6.2, que utilizaram tipos similares de materiais na mesma
frequência. ■

6.4 RESSONADORES DE CAVIDADE DE ONDAS CIRCULARES