CAPÍTULO 7

CONCLUSÕES E PERSPECTIVAS

Os nitretos desencadearam uma busca acelerada pelo controle de suas propriedades quando
estes são preparados na forma de filmes finos, devidos as sua implicaçoes tecnológicas imedia-
tas.
Este tese investigou a preparação do nitreto magnético FeN por sputtering dc reativo em
função da concentração do gás reativo (N2 ). O aumento da concentração do gás produziu:

• Diminuição da taxa de deposição

• Alteração da morfologia da superfície dos filmes, onde em concentrações maiores houve

um aumento da rugosidade e do tamanho médios dos grão, produzindo efeitos diretos nas
suas propriedades elétricas e magnéticas

• Aumento de duas ordens de grandeza da resistividade nos filmes crecidos a 100% de N2

em relação ao filme com menor concentração 16, 6%.

• Alargamento das linhas de FMR até o limite do filme magnético (83, 3%), pelo aumento
dos tempos de ralaxação do sistema devido ao aumento dos grãos e rugosidade

Este trabalho mostra também que controle do crescimento de fases de FeN continua sendo
um grande desafio aos pesquisadores, e complementando muitos outros [85, 86, 87, 88, 89] está

115
mostrado que foi crescido fases de FeN (amorfo) a baixa potência e a temperatura ambiente pela
técnica de sputtering DC a partir do alvo de Fe puro em uma mistura de Ar/N2 com diferentes
concentrações. Nestes filme foi encontrado resultados diversos dos apresentados na literatura
mas coerentes entre si no contexto da análise de estrutura, morfológica e propriedades elétrica
e magnéticas.
Para o futuro cabe um controle preciso sobre outras variáveis que foram desprezadas como
o fluxo gasoso ( gás de sputtering + reativo) que modifica diretame o comportamento dinâmico
do plasma, das tensões e corrente sobre o alvo e como afetam as propriedades dos mesmos.
A reprodutibilidade da depopsição por sputtering está relacionada diretamento ao controle dos
parâmetros: potência (W/m2) e tensão sobre o alvo.
Na linha dos nitretos semicondutores de gap largo foi mostrado que é possível crecer filmes
de Nitreto de Alumínio pela técnica de sputtering RF, não reativo, a partir do alvo puro de AlN
a baixa potência, ainda não relatado na literatura especializada, a baixas taxas de deposição
produzindo filmes com estrutura de superfície suave. Esta tese mostra também que mesmo em
pequenas concentrações os elementos adsorvidos nas partes metálicas da câmara de deposição
podem produzir contaminações significativas nos filmes modificando sua propriedades elétrica
e magnéticas. Neste contexto foi confirmado a contaminação dos filmes de AlN, por materiais
magnéticos (Fe, Cr) de deposições anteriores, produzindo o que chamamos de semicondutores
magnéticos diluídos (DMS) comprovados pelo caráter aletório da colocação dos íons na rede
do AlN e/ou por deformações nesta nas curvas de magnetização FC e ZFC. Outra contribui-
ção deste trabalho decorrente desta contaminação é que se produz magnetoresistência com alta
resistividade fugindo do convencional que é resistividade metálica.
Para o futuro deste material temos duas linhas:

• Produzir o AlN livre de contaminantes na forma de dispositivos, o mais simples possível

e investigar o seu comportamento elétrico, óptico e piezoelétrico

• Produzir o AlN controlando a concentração dos contaminante (dopantes) magnéticos e

estudar quais alterações são produzidas em sua proprieades elétrica e magnéticas

Para a tecnologia Peltier, o domínio das sua características elétricas/térmicas produziu um

sistema com aplicação imediata, uma Adega, passada para a indústria local. Isto nos impele a

116
caminhar na direção de dominar as técnicas de produção dos termoelementos agregando valor
econômico à produção científica.

117
 APÊNDICE A

SPUTTERING YIELDS - S

118
 APÊNDICE B

CALCULANDO A CARGA TÉRMICA

A eficiencia de um sistema de refrigeração está relacionada com a sua capacidade de dissipar

o calor retirado do sistema para o ambiente. Por isso determinar as fontes de calor que atuam
no sistema a ser refrigerado é de fundamental importância, pois determinará a quantidade de
calor a ser bombeada pelo módulo peltier e o dimensionamento do dissipador de calor da face
quente.
Descobrir e minimizar estas cargas térmicas nos permitirá alcançar o nível de refrigeração
desejado e a potência necessária para alcançá-la. Aqui será mostrado como estimar as cargas
ativa e passiva.

B.1 Carga térmica ativa

Esta fonte está relacionada a presença de dispositivos na região refrigerada e esta carga é
representada pela potência dissipada por efeito Joule.

V2
QA = = V I, (B.1)
R
sendo,

119
 QA - potência ativa em W,

V - a tensão de alimentação do dispositivo (V),

R - resistência do dispositivo (Ω) e

I - corrente no dispositivo (A) .

B.2 Carga térmica passiva

B.2.1 Carga térmica passiva - irradiação

Dois objetos em diferentes temperaturas trocam calor por emissão de radiação eletromagné-
tica, isto é chamado de radiação térmica. Em geral estas cargas são deprezíveis. Este tipo de
carga térmica se torna significativo quando temos pequenas cargas ativas e altas diferenças de
temperatura principalmente quando operadas no vácuo.
A carga devido a efeitos irradiativos é dado por:

4
QR = F.e.s.A(Tamb − TF4 ), (B.2)

sendo,

QR - potência de irradiação em W,

F - fator de forma (pior caso = 1),

e - emissividade (pior caso = 1),

s - constante de Stefan-Boltzmann (5, 667X10−8 W/m2 K 4 ),

A - área da superfície refrigerada (m2 ),

Tamb - temperatura ambiente (K) e

TF - temperatura da face fria do peltier (K).

120
B.2.2 Carga térmica passiva - convecção

A passagem de um fluido (líquido ou gás) por um objeto a uma temperatura diferente ocor-
rerá uma troca de calor. A quantidade de calor trocado dependerá do fluxo do fluido. A carga
térmica convectiva em módulos Peltier resultam em geral da convecção natural isto é sem o uso
de ventiladores. A sua contribuição é mais importante em sistemas gasosos em que a carga ativa
é pequena e/ou grandes diferenças de temperatura. Quantitativamente é representada pela eq.
B.3

Qconv = h.A(Tar − TF ), (B.3)

sendo,

Qconv - carga térmica de conveccção W,

h - coeficiente para transferência de calor convectiva (W/m2o C). Valor típico para uma
superfície plana no ar 21, 7 W/m2 .o C ,

A - área da superfície exposta a convecção (m2 ),

Tar - temperatura do ar circulante (o C) ,

TF - temperatura da superfície (o C) e

B.2.3 Carga térmica passiva - condução

A carga térmica de condução é em geral baixa quando se usa materiais que são isolantes
térmico e ocorre através das portas e paredes da região refrigerada, no entanto podem ocorrer
perdas mais significativas se tivermos fios, parafusos, etc passando da região refrigerada para o
exterior. Quantitativamente é representada pela eq. B.4

k.A.∆T
Qcond = , (B.4)
L
sendo,

121
Qcond - carga térmica de condução W,

k - condutividade térmica do material (W/m.o C),

A - área da secção transversal que ocorre a condução (m2 ),

∆T - diferença de temperatura entre os extremos do caminho térmico de condução (o C) ,

L - Comprimento do caminho térmico em que se dá a condução (o C) e

A tabela B.1 mostra a condutividade térmica para os materiais mais comuns.

Material k (W/m.o C) @ 25o C

Cobre 386
Alumínio 250
Bronze 109
Ferro 80
Maganina 22, 2

Tabela B.1: Condutividade térmica para os materiais mais utilizados

B.2.4 Carga térmica passiva - condução e convecção combinados

Quando o sistema é hermeticamente fechado ocorre o efeito combinado de convecção e

condução resulando em perdas dadas por :

x 1
Qpass = A.∆T.( + )−1 , (B.5)
k h
sendo,

Qpass - carga térmica passiva de condução/convecção combinados W,

A - área total externa (m2 ),

x - espessura da isolação (m),

k - condutividade térmica do material (W/m.o C),

122
 h - coeficiente para transferência de calor convectiva (W/m2 .o C)

∆T - diferença de temperatura (o C),

A tabela B.2 mostra os coeficientes de tranferência de calor por convecção para o fluido
mais utilizado, o ar e a tabela B.3 a condutividade térmica para os materiais isolantes térmico
mais utilizados.

Material h (W/m2 .o C)

Ar - convecção natural 2 − 25
Ar - convecção forçada 25 − 250

Tabela B.2: Coeficiente de tranferência da calor por convecção

Material k (W/m.o C)

Acrílico 0, 2
PVC 0, 19
Madeira 0, 12 − 0, 17
Isopor 0, 037
Poliestireno 0, 037
Poliuretano 0, 039
Espuma poliuretano 0, 02

Tabela B.3: Condutividade térmica dos materiais isolantes térmicos mais comuns e que foram
utilizados nesta trabalho

123
 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] PIERSON, Hugh O., HANDBOOK OF REFRACTORY CARBIDES AND NITRIDES: pro-
perties, characteristics,processing and applications, NOYES PUBLICATIONS (1996).

[2] MONROY, E., F OMNÈS, F. and CALLE, F. (2003)- Wide-bandgap semiconductor ultra-
violet photodetectors Semicond. Sci. Technol., 18,R33R51.

[3] KÖHLER, U., AS, D.J., SCHÖTTKER, B., FREY, T., LISCHKA, K., SCHEINER, J.,
SHOKHOVETS, S., GOLDHAHN, R. (1999) J. Appl. Phys., 85, 404.

[4] NAKAMURA, S. (1999) Semicond. Sci. Technol., 14, R27.

[5] LI, Z.Q., CHEN, H., LIU, H.F., WAN, L., ZHANG, M.H., HUANG, Q., ZHOU, J.M., YANG,
N., TAO,K., HAN, Y.J., LUO, Y. (2000) Appl. Phys. Lett., 76, 3765.

[6] CHEN, G.D., SMITH, M., LIN, J.Y., JIANG, X.X., WEI, S.-H., ASIF KHAN, M. , SUN, C.J.
(1996) Appl. Phys. Lett., 68, 2784.

[7] MONEMAR, B. (1999) J. Mater. Sci., 10, 227.

[8] JAIN, S.C., WILLANDER, M., NARAYAN, J., VAN OVERSTRAETEN, R. (2000) J. Appl.
Phys., 87, 965.

[9] LIMA, A.P., TABATA, A., LEITE, J.R., KAISER, S., SCHIKORA, D., SCHÖTTKER, B.,
FREY, T., AS, D.J.,LISCHKA, K. (1999) J. Cryst. Growth, 201/202, 396.

124
[10] MUÑOZ, M., HUANG, Y.S., POLLAK, F.H. , YANG, H. (2003) J. Appl. Phys., 93, 2549.

[11] STAMPFL, C. , VAN DE WALLE, C.G. (1999) Phys. Rev. B, 59, 5521.

[12] KAWASHIMA, T., YOSHIKAWA, H., ADACHI, S., FUKE, S. ,OHTSUKA, K. (1997) J. Appl.
Phys., 82, 3528.

[13] LEE, I.H., LEE, J.J., KUNG, P., SANCHEZ, F.J. , RAZEGHI, M. (1999) Appl. Phys. Lett.,
74, 102.

[14] NEUGEBAUER, J. , VAN DE WALLE, C.G. (1996) Appl. Phys. Lett., 69, 503.

[15] SCHUBERT, E.F., GOEPFERT, I.D., GRIESHABER, W. , REDWING, J.M. (1997) Appl.
Phys. Lett.,71, 921.

[16] YOSHIKAWA, M., KUNZER, M., WAGNER, J., OBLOH, H., SCHLOTTER, P., SCHMIDT,
R., HERRES, N. ,KAUFMANN, U. (1999) J. Appl. Phys., 86, 4400.

[17] NAKAMURA, S., SENOH, M., IWASA, N., NAGAHAMA, S., YAMADA, T., MATSUSHITA,
T., KIYOKO, H. ,SUGIMOTO, Y. (1996) Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74.

[18] NAKAMURA, S., SENOH, M., NAGAHAMA, S., IWASA, N., YAMADA, T., MATSUSHITA,
T., SUGIMOTO, Y. , KIYOKO, H. (1997) Appl. Phys. Lett., 70, 868.

[19] NAKAMURA, S. ,FASOL, G. (1997) The Blue Laser Diode, Springer, Berlin.

[20] NURMIKKOY, A. and GUNSHORZ, R.L. , (1997) Blue and green semiconductor lasers: a
status report, Semicond. Sci. Technol., 12,13371347.

[21] NAKAMURA, (1999)- InGaN-based violet laser diodes, Semicond. Sci. Technol., 14,
R27R40.S.

[22] GOLDBERG, Y. A.,(1999) -Semiconductor near-ultraviolet photoelectronics, Semicond.

Sci. Technol., 14,R41R60.

[23] AKASAKI, J. I., AMANO, H. (1997), Crystal growth and conductivity control of group III
nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters - Jpn. J.
Appl. Phys., 36, 53935408.

125
[24] PANKOVE, I.,MILLER, E. A., RICHMAN, D.,BERKEYHEISER,J. E.,(1971), Electrolumi-
nescence in GaN. - J. Lumin., 4, 6366.

[25] NAKAMURA, S. et al. (1995), Superbright green InGaN SQW structure LEDs - Jpn. J.
Appl. Phys., 34, L1332L1335 .

[26] PONCE, F. A., BOUR, D. P. (1997), Nitride-based semiconductors for blue and green light-
emitting devices - Nature, 386, 351359 .

[27] HAN, J. et al. (1998), AlGaN/GaN quantum well ultraviolet light emitting diodes - Appl.
Phys. Lett., 73, 16881690.

[28] NISHIDA, T.,KOBAYASHI, N. (1999), 346 nm emission from AlGaN multi-quantum-well

light emitting diode - Phys. Status Solidi A, 176, 4548.

[29] ADIVARAHAN, V. et al.(2004), 250 nm AlGaN light-emitting diodes - Appl. Phys. Lett.,
85,21752177.

[30] HIRAYAMA, H. (2005), Quaternary InAlGaN-based high efficiency ultraviolet light-

emitting diodes - J. Appl. Phys., 97, 091101.

[31] DADGAR, A.,CHRISTEN, J., RIEMANN, T., RICHTER, S., BLASING, J., DIEZ, A., KROST,
A., ALAM, A. and HEUKEN, M., (2001),- Appl. Phys. Lett., 78, 2211.

[32] AKIYAMA, M., KAWARADA, Y. and KAMINISHI, K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L843
(1984).

[33] RUMYANTSEV, S., SHUR, M. S. and LEVINSHTEIN, M. E., (2005), Quaternary InAlGaN-
based high efficiency ultraviolet light-emitting diodes - J. Appl. Phys., 97, 091101.

[34] CHAKRABORTY, A., HASKELL,B., KELLER, S., SPECK, J., DENBAARS, S., NAKAMURA,
S. and MISHRA,U. Jpn. J. Appl. Phys., 44, L173 (2005)

[35] OKAMOTO, K., OHTA, H., CHICHIBU, S., ICHIHARA, J., TAKASU, H. Jpn. J. Appl. Phys.,
46, L187 (2007).

[36] AADACHI, Sadao, Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors, Wiley Series in
material for electronics and optoelectronics applications (2005).

126
[37] STRITE, S., MORKOÇ, H. J. Vac. Sci Tech., B10, 1237 (1992).

[38] TSUBOUCHI, K., MIKOSHIBA, N. IEEE Trans. Sonics Ultrasonics, 32, 634 (1985).

[39] AARDAHL, C. L., ROGERS, J. W., YUN, H. K., ONO, Y., TWEET, D. C. and HSU, S. T.,
Thin Solid Films, 346, 174 (1999).

[40] GEROVA, E. V., INANOV, N. A., KIROV, K. I., Thin Solid Films, 81, 201 (1981).

[41] FATHIMULLA, A., LAKHANI, A. A.,J. Appl. Phys., 54, 4586 (1986)..

[42] QUAY, Rüdiger, Gallium Nitride Electronics, Springer Series in Materials Sciences
(2008).

[43] RUIZ, E. , ALVAREZ,S. and ALEMANY,P. (1994) Phys. Rev. B, 49, 7115.

[44] GORCZYCA, I. , CHRISTENSEN, N.E., PELTZER Y B LANCÁ, E.L., RODRIGUEZ, C.O.

(1995) Phys. Rev. B, 51,17 11936.

[45] GROZA, Joanna R. editor, MATERIALS PROCESSING HANDBOOK, CRC PRESS

(2007).

[46] MATSUNAMI,N., YAMAMURA,Y., ITIKAWA, Y., ITOH, N., KAZUMATA, Y., MIYAGAWA,
S., MORITA, K., SHIMIZU, R. and TAWARA, H., Energy Dependence of the Yields of
Ion-Induced Sputtering of Monatomic Solids, IPPJ-AM-32 (Institute of Plasma Physics,
Nagoya University, Japan), (1983).

[47] SAFI, I.,Surface and Coatings Technology, 127, 203-219 (2000).

[48] MATTOX, Donald M., Handbook of physical vapor deposition (PVD) processing, Noyes
Publications (1998).

[49] DING, X.Z. , ZHANG, F.M., SUN, Y.L.,ZHOU, Y.L. YAN, J.S., SHEN, H.L.,WANG, X.,
LIU, X.H, SHEN, D.F Surf. Coat. Technol, 103/104 156 (1998).

[50] DING, X.Z. , ZHANG,F.M, YAN, J.S.,SHEN, H.L., WANG, X., LIU, X.H, SHEN, D.F J.
Appl. Phys, 82 (1997) 5154.

[51] COEY, J.M.D. , SMITH,P.A.I J. of Mag. and Mag. Materials, 200 (1999) 405-424.

127
[52] JACK, K.H. Proc. r. Soc. London, Ser A, 208 (1951) 200.

[53] JACK, K.H. Proc. r. Soc. London, Ser A, 208 (1951) 216.

[54] KIM, T.K. Appl. Phys. Lett., 20 (1972) 492.

[55] WRIEDT, H.A., GOKCEN, N.A., NAFZIGER, R.H Bull Alloy Phase Diagr, 8 (1997) 355.

[56] TAKAHASHI, H., SHOJI, H., TAKAHASHI, M. J. Magn. Magn. Mater., 174 (1997) 57.

[57] WANG, S., KRYDER,M.H. J. Appl. Phys., 67 (1990) 5134.

[58] TERADA, N., HOSHI,Y. , YAMANAKA,S.IEEE Trans. Magn., 20 (1984) 1451.

[59] RUSAK, M.A. , JAHNES,C.V ,KLOKHOLM,E. , LEE, J.W., RE, M.E., WEBB, B.C., J. of
Mag. and Mag. Materials, 104-107 (1992) 1853.

[60] HUANG, M.Q. , WALLACE,W.E ,SIMIZU,S. , SANKAR, S.G., J. of Mag. and Mag. Mate-
rials, 135 (1994) 226.

[61] SUGITA, Y. , TAKAHASHI,H. ,KOMURO,M. , MITSUOKA, K., SAKUMA, A., J. Appl.

Phys., 76 (1994) 6637.

[62] BREWER, M.A. , ESCHER,C.J. ,KRISHNAN, K.M. , KOBAYASHI, T., NAKANISHI, A., J.
Appl. Phys., 81 (1997) 4128.

[63] OKAMOTO, S., KITAKAMI,O.,SHIMODA, Y., J. Appl. Phys., 79 (1996) 1678.

[64] COEY, J.M.D., O’DONNELL,K.,QI, Q.,TOUCHAIS, E., JACK, K.H., J. Phys.: Condens.
Matter, 6 (1994) L23.

[65] BEZDICKA, P., KLARIKOVA,A., PASEKA, I. , ZAVETA, K., J. Alloys Compounds, 274
(1998) 10.

[66] SUGITA, Y. , TAKAHASHI,H. ,KOMURO,M. , IGARASHI, M., IMURA, R., KAMBE, T., J.
Appl. Phys., 79 (1996) 5576.

[67] KOMURA, M. , HOSHIYA,H. , MITSUOKA,M. , KOZONO, Y., HANAZONO, M., SUGITA,

Y. , J. Appl. Phys., 67 (1990) 5126.

128
[68] SHINNO,H., SAITO, K., Surf. Coat. Technol., 103-104 (1998) 129.

[69] NAKAJIMA, K., OKAMOTO,S. J. Appl. Phys., 65 (1989) 4357.

[70] OKAMOTO, S., KITAKAMI,O.,SHIMODA, Y., J. Appl. Phys., 79 (1996) 5250.

[71] YAO, Z.Y. , JIANG,H., LIU,Z.K. , HUANG,D.D., Q IN,F.G., ZHU,S.C., UN,Y.X., J. of Mag.
and Mag. Materials, 177-181 (1998) 1291.

[72] WEBER, T., WIT,L. de, SARIS, F.W.,SCHAAF, P., Thin Solid Films, 279 (1996) 216.

[73] OKAMOTO, S., KITAKAMI,O., SHIMADA, Y., J. Appl. Phys., 85 (1999) 4952.

[74] KERR, J., On rotation of the plane of polarization by reflection from the pole of a magnet,
Phil. Mag., 3 332 (1877).

[75] GONÇALVES, Charlie S., Montagem e construção de um magnetômetro a efeito Kerr

magneto-óptico, Dissertação de mestrado, DFTE/UFRN (2006).

[76] GRIFFITHS, J. H. E. , Nature, 158 670 (1946).

[77] YAGER, W.A. , BOZORTH, R.M. , Phys. Rev., 72 80 (1947).

[78] KITTEL, C. , Phys. Rev., 71 270 (1947).

[79] KITTEL, C. , Phys. Rev., 73 155 (1948).

[80] MOURA, J.A.S., Ressonância ferromagnética em filmes finos de Ag/Ni & Fe/Cu, Tese de
mestrado, DF/UFPE (1994).

[81] http://gwyddion.net/documentation/user guide/data-analysis.html (2008).

[82] GIESSIBL, F.J, Rev. Mod. Phys., 75 3 (2003) 949-983.

[83] WELLER, R. A., Rev. Sci. Instrum., 72 9 (2001) 3580-3586.

[84] AVILÉS, F., CEH, O., OLIVA, A. I., Surface Review and Letters, 12 1 (2005) 101106.

[85] WANG, X., et al. Appl. Surf. Sci., 220 (2003) 30-39.

[86] GUPTA, M., GUPTA, A., CHAUDHARI, S.M., , et al. Vacuum, 60 (2001) 395.

129
[87] RISSANEN, L., SCHAAF, P., NEUBAUER, M., , et al. Appl. Surf. Sci., 138/139 (1999) 261.

[88] RISSANEN, NEUBAUER, M., LIEB, K.P., , et al. J. Alloy. Comp., 274 (1998) 74.

[89] MIOLA, E.J., DE S OUA, S.D., NASCENTE, P.A.P., , et al. Appl. Surf. Sci., 144/145 (1999)
272.

[90] HUI, JIA, et al. Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 19 (2009) 353-358.

[91] RAMAN, C.V. A new radiation Indian Journal of Physics 2, (1928) 387-398.

[92] RAMAN, C.V. A change in wavelenght in light scattering Nature 121, (1928) 619-620.

[93] LIDE, D. R. (ed), Handbook of Chemistry and Physics, 76th edn (1996) Boca Raton, FL:
Chemical Rubber Company.

[94] STRASSBURG, M. , SENAWIRATNE, J., DIETZ, N., HABOECK, H., HOFFMAN, A.,
VOVESKI, V., DALMAU, R., SCHLESSER, R. and SITAR, Z., J. Appl. Phys., 96,5870
(2004), DOI:10.1063/1.1801159.

[95] OLIVEIRA, Ivo de Castro, ESTUDO DAS PRPRIEDADES DE FILMES FINOS DE NI-
TRETO DE ALUMÍNIO PRODUZIDOS POR PROCESSO DE MAGNETRON SPUTTE-
RING EM REGIMES CONTÍNUOS (DC) E ALTERNADO (RF), Tese de Doutorado, ITA
(2004).

[96] FOX, M., Optical properties of solids, Oxford master series in condensed matter physics
(OUP) (2008).

[97] KAZAN, M. , RUFFLLÉ, B., ZGHEIB, Ch., MASRI, P., Diamond & Related Materials, 15,
(2006) 1525-1534.

[98] DAVYDOVAZAN, V. Yu. , KITAEV, E., GONCHARUK, I.N.., SMIRNOV, A.N., GRAUL,
J., SENCHINOVA, O., UFFMANN, D., SMIRNOV, M. B., MIRGORODSKI, A.P. and
EVARESTOV, R.A. PhysicalReview B, 58 19, (1998) 12899 - 12907.

[99] KUMAR, D. , ANTIFAKOS, J., BLAMIRE, M.G., BARBER, Z.H.,Appl. Phys. Lett., 84,
(2004) 5004.

130
[100] WU,S.Y., LIU, H.X., GU, L., SINGH,R.K., BUDD, L., SCHILFGAARDE, M. van,
MC C ARTNEY, M.R., SMITH, D.J., NEWMAN, N., Appl. Phys. Lett., 82, (2003) 3047.

[101] KO, K.Y., BARBER, Z.H., BLAMIRE,J. Appl. Phys., 100, (2006) 083905.

[102] FRAZIER, R. M., THALER, G. T., GILA, B. P., STAPLETON, J., OVERBERG, M. E.,
ABERNATHY, C. R., PEARTON, S. J., REN, F. and ZAVADA, J. M., J. Electronic Mate-
rials,34, 4 (2005).DOI:10.1007/s11664-005-0112-7.

[103] AKINAGA, H., OHNO, H., IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 1, 1

(2002).

[104] CHOWDHURY, I., PRASHER, R., LOFGREEN, K., CHRYSLER, G., NARASIMHAN, S.,
MAHAJAN, R., KOESTER, D., ALLEY, R. and VENKATASUBRAMANIAN, V., Nature Na-
notechnology, On-chip cooling by superlattice-based thin-film thermoelectrics 4,235 -
238 (2009).DOI:10.1038/nnano.2008.417.

[105] TRITT, Terry M. (ed), Recent Trends in Thermoelectric Materials Research I - Semicon-
ductors and semimetals, Academic Press (2001).

[106] NOLAS, G. S., GOLDSMID ,,H. J. J. Appl. Phys., 85 (1999) 4066. DOI:10.1063/1.370311
.

[107] Thermoelectric Cooling Systems Design Guide, 1998 Marlow Industries, Inc (1998).

131