Prof.

Luiz Antonio do Nascimento

Faculdade Nossa Cidade

•Organização Funcional de um
Computador
•Unidade que realiza •Central
as operações lógicas Sistema Central Processing Unit
e aritméticas
CPU •“Cérebro” do
•Comanda as outras
operações
Computador
ULA

•Unidade •Unidade
de Entrada UC de Saída
•(Input) •Microprocessador •(Output)

•CLOCK

Memória •Velocidade de
Principal transferência de
dados
•Armazena dados e
programas necessários
para a realização de
•Memória um trabalho
Auxiliar

•LCC/2006

Memória ROM
 ROM (Read-Only Memory)
 Memória Somente Leitura.
 Memória que permite apenas a leitura dos
dados e não volátil (não perde informação na
ausência de energia).
 Os dados são gravados apenas uma vez. As
informações não podem ser apagadas ou
alteradas, apenas lidas pelo computador,
exceto por meio de procedimentos especiais.

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 Memória ROM
 Os principais tipos são:
 PROM
 EPROM
 EEPROM
 EAROM
 Flash
 CD-ROM
 DVD-ROM

Memória ROM
 PROM (Programmable Read-Only Memory)

 Um dos primeiros tipos de memória ROM em

que a gravação de dados é realizada por meio
de uma reação física com elementos elétricos.

 Os dados gravados na memória PROM não

podem ser apagados ou alterados.

Memória ROM
 EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)

 Permite que dados sejam regravados no

dispositivo. Isso é feito com a memória fora da
placa através de um aparelho que emite luz
ultravioleta.

 Os dados gravados precisam ser apagados

por completo. Somente depois disso é que
uma nova gravação pode ser feita.

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 Memória ROM
 EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)

 Permite a regravação de dados.

 Os processos para apagar e gravar dados

são feitos eletricamente, fazendo com que não
seja necessário mover o dispositivo de seu
lugar para um aparelho especial para que a
regravação ocorra como no EPROM.

Memória ROM
 EAROM (Electrically-Alterable Programmable Read-Only Memory)

 Tipo de EEPROM onde os dados gravados

podem ser alterados aos poucos, razão pela
qual esse tipo é geralmente utilizado em
aplicações que exigem apenas reescrita parcial
de informações.

Memória ROM
 Flash

 Tipo de EEPROM onde o processo de

gravação e regravação de dados é muito
rápido.

 As memórias Flash são mais duráveis e

podem guardar um volume elevado de dados
do que as memórias EEPROM.

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 Memória ROM
 CD-ROM
 Categoria de discos ópticos onde os dados
são gravados apenas uma vez, seja de fábrica,
como os CDs de músicas, ou com dados do
usuário, quando o próprio efetua a gravação.
 Existe algumas categorias:
• CD-RW – permite regravação
• CD–R – mais lento e frágil. Adequado para
vídeo e música.
• CD+R – mais rápido e resistente.
Adequado para dados.
 Armazena 700 MB a uma taxa de
transferência de (56x) 8.4 Mbps.

Memória ROM
 DVD-ROM
 Categoria de discos ópticos onde os dados
são gravados apenas uma vez, seja de fábrica,
como os DVDs de músicas, ou com dados dos
usuários, quando o próprio efetua a gravação.
 Existe a categoria DVD-RW que permite a
regravação de dados.
 Armazena 4.7 GB a uma taxa de
transferência de 11.1 Mbps.

Memória ROM
 Blu-Ray
 Categoria de discos ópticos onde os dados
são gravados apenas uma vez, seja de fábrica,
como os DVDs de músicas, jogos (Play
Station) ou com dados dos usuários, quando o
próprio efetua a gravação ou regravação.
 No início Blue-Ray e depois Blu-Ray por
causa de registro. (cor de mesma forma que
números não podem patentear como os 2x86,
3x86 e 4x86 para Pentium).
 Armazena 25 GB a uma taxa de
transferência de 54 Mbps.

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 Memória ROM
 HD-DVD
 Categoria de discos ópticos onde os dados
são gravados apenas uma vez, seja de fábrica,
como os DVDs de músicas, jogos (Xbox 360
em 2006) ou com dados dos usuários, quando
o próprio efetua a gravação.
 Declínio a partir de 2008 quando a Toshiba
parou de fabricar driver e a Microsoft de
utilizar no Xbox 360.
 Armazena 15 GB a uma taxa de
transferência de 36,55 Mbps.

Memória RAM
 RAM (Random-Access Memory)
 Memória de Acesso Aleatório.
Memória rápida (só mais lenta que a Cache)
que permite leitura e gravação temporária dos
dados e volátil (perde informação na ausência
de energia).
 Memória onde são carregados os programas
e os dados em execução.
 Há dois padrões de memória RAM a
estática SRAM e a dinâmica DRAM.

Memória RAM
 SRAM (Static Random-Access Memory)
 Memória Estática.
 Memória mais rápida e cara e em pequena
quantidade.
 Utilizada como Memória Cache.
 Não necessita de pulsos (refresh) para
manter o seu conteúdo.
Tamanho entre 64 KB a 8 MB.
 Velocidade medida em Tempo de acesso:
• 10 a 15 ns (nano-segundos ou bilionésimos de segundo).

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 Memória RAM
 DRAM (Dynamic Random-Access Memory)
 Memória Dinâmica.
 Memória rápida e em pentes de memória
(pode ser aumentada em um computador).
 Necessita de pulsos (refresh) para manter o
seu conteúdo.
 Tempo de acesso em torno de 60 ns
(nano-segundo).
 Frequência em torno de 1333 MHz

Memória RAM
 Temporização e Latência
 Indicam quanto tempo o controlador
de memória gasta com as operações de
leitura e escrita.
 Vaores de latência (tCL-tRCD-tRP-
tRAS-CR).
 Esses parâmetros costumam ser
informados pelo fabricante em um
etiqueta colada ao pente de memória.

Memória RAM
 Temporização e Latência
 Valores de latência:
• tCL (CAS Latency): indica em ciclos de clock
qual o período que há entre a requisição de
um dado pelo processador e a entrega deste
pela memória.

• tRCD (RAS to CAS Delay): indica em ciclos de

clock, o intervalo que há entre a ativação da
linha e da coluna de um determinado dado.

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 Memória RAM
 Temporização e Latência
 Valores de latência:
•tRP (RAS Precharge): intervalo em clocks que
informa o tempo gasto entre desativar o
acesso a uma linha e ativar o acesso a
outra.
• tRAS (Active to Precharge Delay): indica o intervalo
em clocks, necessário entre um comando de
ativar linha e a próxima ação do mesmo
tipo.
• CR (Command Rate): intervalo que há entre a
ativação do sinal e qualquer outro comando.

Memória RAM
 Encapsulamento
 Forma física dos chips de memória.
• DIP (Dual In-line Package): um dos primeiros
tipos de encapsulamento que podia ser
soldadp usados em memórias (XT e 286).

Memória RAM
 Encapsulamento

• SOJ (Small Outline J-Lead): utilizado em módulos

SIMM e sua forma de fixação em placas é
feita através de solda.

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 Memória RAM
 Encapsulamento

• TSOP (Thin Small Outline Package): cerca de 1/3

menor que o SOJ. Aplicado em módulos de
memória SDRAM e DDR.

Memória RAM
 Encapsulamento
• CSP (Chip Scale Package): mais recente, fino e
não utiliza pinos de contato. Utiliza um tipo
de encaixe chamado BGA (Ball Grid Array).
Utilizado em módulos como DDR2 e DDR3.

Memória RAM
 Módulos de Memória

• Mósulos de memórias ou pente de

memória são pequenas placas onde são
instalados os encapsulamentos de memória.

• Essas placas são encaixadas na placa-mãe

por meio de encaixes (slots) de acordo com
o tipo de pente de memória.

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 Memória RAM
 Tipos de Pentes de Memória
 SIPP (Single In-Line Pins Package): um dos primeiros
tipos que chegaram ao mercado. É formato por
chips com encapsulamento DIP. Eram soldados
na placa-mãe.

Memória RAM
 Tipos de Pentes de Memória
 SIMM (Single In-Line Memory Module): pente encaixado
na placa-mãe.
 Modelos com 30 vias (1 MB a 16 MB) e 72
vias (4 MB a 64 MB).

Memória RAM
 Tipos de Pentes de Memória
 DIMM (Double In-Line Memory Module): terminais de
contatos em ambos os lados do pente. Primeira
versão SDR SDRAM tinha 168 pinos. Versão de
184 vias utilizada em memórias DDR, e
módulos de 240 vias em DDR2 e DDR3. Modelo
reduzido para notebooks chamado SODIMM
(Small Outline DIMM).

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 Memória RAM
 Tecnologias de Memória
 FPM (Fast-Page Mode): uma das primeiras
tecnologias de memória RAM. Memórias
FPM utilizavam módulos SIMM, tanto de
30 quanto de 72 vias.

Memória RAM
 Tecnologias de Memória
 EDO (Extended Data Output): a sucessora da
tecnologia FPM. Aplicado em módulos
SIMM e DIMM de 168 vias.

Memória RAM
 Tecnologias de Memória
 SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory):
Desvinculada ao clock do processador.
Passou a considerar a frequencia da
memória (66 MHz, 100 MHz e 133 MHz
também chamadas de PC66, PC100 e
PC133) SDR SDRAM.

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 Memória RAM
 Tecnologias de Memória
 DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM): Evolução à
SDR porque são capazes de lidar com o dobro
de dados em cada ciclo de clock.
 DDR2 SDRAM: evolução das memórias DDR.
Sua principal característica é a capacidade de
trabalhar com quatro operações por ciclo de
clock (dobro da DDR).
DDR3 SDRAM: evolução das memórias
DDR2. Novamente, aqui dobra-se a quantidade
de operações por ciclo de clock (oito).

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