PSI2306 – ELETRÔNICA – 1o.

Semestre 2010
LISTA ADICIONAL DE EXERCÍCIOS
Matéria para a prova:
Itens: 8.1, 8.2, 8.3, 8.4, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4, 14.5, 14.6.
1o. Exercício (Prova 2003): Dado o circuito equivalente de pequenos sinais de um amplificador
realimentado conforme mostrado na figura abaixo:
(a) Determine o valor de "β".
(b) Determine o ganho total realimentado (AR =
vo/ve).
(c) Determine a resistência de entrada do circuito
da figura 1 (Rer = ve/ie).
(d) Determine a resistência de saída do circuito da
figura 1 (Rsr = vo/io para ve = 0).

R1 = 100kΩ, R2 = 10kΩ, R3 = 10kΩ, Ri = 5kΩ, Re = 600 Ω, Ro = 1kΩ, RL = 10kΩ, Av = 150.

2o. Exercício (Prova 2006): Dado o circuito realimentado conforme mostrado na figura abaixo:

CC3
IC = 2 mA, RE = 19000Ω, Cπ = 10 pF
RS = 12,5Ω, R1 = R2 =500 kΩ, Cμ = (100/95)
R4 pF
gm = IC/VT , RC = RL = 38 kΩ, rπ = 5000Ω
VT = 25 mV, R3 = 1000Ω, ro = ∞
R3 β=gm.rπ, R4 = 18000Ω, rμ = ∞
RS
VS VBE = 0,7 V, 1000Ω // 18000Ω = 950Ω
rx = 0

Equações fundamentais: Modelo π-híbrido:

A
AR = , R er = R e (1 + βA ) ,
1 + βA
Ro
R or = , ωHR = ω H (1 + βA)
1 + βA

Em freqüências médias, pede-se:

(a) Baseado no circuito realimentado, desenhe o circuito equivalente “A” sob efeito das cargas da malha
de realimentação “β” substituindo adequadamente o modelo π-híbrido. (b) Utilizando o circuito
equivalente “A” sob efeito das cargas da malha de realimentação “β”, determine o ganho, resistência de
entrada e resistência de saída (A, Re e Ro). (c) Determine o ganho total realimentado (AR = vo/vs).
(d) Determine as resistências de entrada e de saída do circuito realimentado (Rer e Ror).
Em altas freqüências, pede-se:
(e) Determine a freqüência de corte superior (em “rad/s”) do circuito equivalente “A” sob efeito das
cargas da malha de realimentação “β”. (f) Determine a freqüência de corte superior (em “rad/s”) do
circuito realimentado.
3o. Exercício (Prova 2005): Dado o estágio de saída classe AB utilizando uma malha de polarização com
dois diodos conforme mostrado na figura abaixo. Sabendo-se que os diodos tem a mesma área de junção
dos transistores de saída e VCC = 10V, RL = 100 Ω, βN = 20 e VCEsat = VECsat = 0, pede-se:

(a) Para Ipolarização = 1,0 mA, qual o valor da corrente quiescente IQ de polarização dos transistores QN e
QP? (Considere adequadamente as correntes de base)
(b) Sabendo-se que é necessário assegurar ao menos uma corrente de 0,4 mA nos diodos e considerando
que Ipolarização foi mudado para 0,8 mA, quais os valores máximos possíveis positivo (V+) e negativo(V-),
dos níveis de sinal de saída ?
(c) Para obter um nível de pico de sinal de saída positivo igual a 10 V e assegurar uma corrente pelo
menos 0,4 mA nos diodos, que valor mínimo de Ipolarização é necessário se βN for mudado para 10 ? Para
esse valor obtido, qual o valor da corrente quiescente IQ ?
(d) Determine a potência máxima fornecida pela fonte de alimentação (Pcc) do circuito e determine o
rendimento máximo(ηmax) (Deduza as equações da potência e do rendimento)
(e) Determine a potência máxima dissipada em cada transistor (Ptr). (Deduza a expressão da potência
máxima).
4o Exercício (Prova REC 2005) Dado o estágio de saída classe AB utilizando uma malha de polarização
com circuito multiplicador de VBE conforme mostrado na figura abaixo. Sabendo-se que
ISQ1 = 1,1 x 10-15 A e ISQN = ISQP = 2,1 x 10-13 A e também sendo dados VCC = 30V, RL = 10 Ω,
R2 = 5kΩ, R1 = 7kΩ, βN = 20 e VCEsat = VECsat = 0, IC ≈ IS.e VBE/VT, VT = 25 mV, pede-se

(a) Para VBB = 1,2 V, qual o valor da corrente de polarizaçào Ipolarização. do circuito? (Considere
adequadamente as correntes de coletor de Q1, de base de QN e nos resistores R1 e R2. Despreze a corrente
na base de Q1); (b) Determine a potência máxima fornecida pela fonte de alimentação (PS) do circuito e a
potência máxima dissipada em cada transistor (Ptr).
5o. Exercício (Prova SUB 2006) O seguinte circuito implementa o estágio de saída de um amplificador
(classe B). Considerando o sinal de entrada fornecido, pede-se:
Vi corrente média sobre uma
+VCC
-------
carga RL num semiciclo
2 de senóide de amplitude V
QN corta I = V / (π RL)
QP conduz

QN conduz potência média sobre uma

QP corta carga RL num ciclo
de senóide de amplitude V
-VCC
------- P = V2 / (2 RL)
2

(a) Calcule a potência média fornecida por cada uma das duas fontes (PS+ e PS-). Calcule também a
potência média fornecida para a carga (PL). (b) Calcule a potência média dissipada por cada transistor e o
rendimento do sistema (η= PL/PS). (c) Qual a vantagem desta configuração (classe B) quando comparada
à classe A?
Considere agora que o circuito foi modificado, passando a ser classe AB, conforme indicado na figura.
BE T
Vi IC = IS eV /V
+ VCC
+10 V IQ = IN IP
IRef Onde IN e IP são IC
QN corta respectivamente de QN e QP
QP conduz QN
São dados:
QN conduz IRef = 5mA
QP corta RL = 100 Ohms
Vo
VBB = 1,3 V (quiescente)
-10 V

ritério de
Observe que quando Vo = 0 temos a condição quiescente, na qual há uma pequena corrente (comparada
à máxima corrente que pode circular por estes transistores de potência!) circulando pelos dois
transistores. Nesta situação os dois tem a mesma tensão VBE = 0,65 V aplicadas às suas junções base-
emissor. Escolha um transistor, ou seja calcule sua corrente de fundo de escala IST, de modo que a
corrente nesta situação (quiescente) seja IC = IQ = 1 mA. Calcule então a relação entre ISD e IST, ou seja a
relação das áreas de junção base-emissor destes dois dispositivos necessária para suportar a correta
operação deste circuito.
6o. Exercício (Prova 2007): Dado o estágio de saída classe AB utilizando uma malha de polarização com
dois diodos conforme mostrado na figura abaixo. Sabendo-se que os diodos tem a mesma área de junção
dos transistores de saída e VCC = 10V, RL = 100 Ω, βN = βP = 19 e VCEsat = VECsat = 0, pede-se:
(a) Para Ipolarização = 10 mA, qual o valor da corrente quiescente IQ de polarização dos transistores QN e QP?
(Considere adequadamente as correntes de base). (b) Sabendo-se que é necessário assegurar ao menos
uma corrente de 4 mA nos diodos e considerando que Ipolarização foi mudado para 8 mA, quais os valores
máximos possíveis positivo (V+) e negativo(V-) para os níveis de sinal de saída ? (Expresse o resultado
final como função do número π. Sabe-se que a corrente média associada à meia senoide que cada
transistor conduz é Ipico/π). (c) Determine a potência fornecida pela fonte de alimentação (Ps) do circuito
e determine o rendimento de transferência de potência (η) para um sinal de saída senoidal limitado em
±8V.
7o. Exercício (Prova 2008): Dado o circuito realimentado conforme mostrado na figura abaixo:
VCC

RB1 RC1 RB2 RC2

RS C2 C3
RL vo
C1
vs

R2
C4
R1

IE = IE1 = IE2 = 1 mA, RC = RC1 = RC2 = 10 kΩ, RB = RB1 = RB2 = 500 kΩ, C1 = C2 = C3 = C4 = ∞,
R1 = 100Ω, R2 = 9900Ω, RL = 500 kΩ e RS = 12500Ω.
gm = IC/VT, VT = 25 mV, βcc = IC/IB = 99, α ≅ 1.
Malha de realimentação “β”:
100Ω⎢⎢9900Ω ≅ 100Ω,
5kΩ ⎢⎢500kΩ ≅ 5kΩ,
10kΩ ⎢⎢500kΩ ≅ 10kΩ, Modelo T: R11
R22
12,5kΩ ⎢⎢500kΩ ≅ 12,5kΩ βvo
vo
Equações fundamentais:
A
Af = , R if = R i (1 + β A ) , R11 = R1 ⎢⎢R2
1 + βA
R22 = R1 + R2
Ro
R of = , ω HR = ω H (1 + β A ) β = R1/(R1 + R2)
1 + βA
(a) Baseado no circuito realimentado, desenhe o circuito equivalente “A” sob efeito das cargas da malha
de realimentação “β” substituindo adequadamente o modelo T em freqüências médias.
(b) Utilizando o circuito equivalente “A” sob efeito das cargas da malha de realimentação “β”, determine
o ganho, resistência de entrada e resistência de saída (A, Ri e Ro).
(c) Determine o ganho total realimentado (Af = vo/vs) e as resistências de entrada e de saída do circuito
realimentado (Rif e Rof).
8o. Exercício (Prova 2006) Dado o circuito amplificador classe AB abaixo:

RL

Sabe-se que VCC = 15,5V, os transistores T1 e T2 apresentam a mesma área de junção base-emissor,
D1 e D2 são idênticos entre si e CE, C1, C2, CS podem ser considerados curtos-circuitos na frequência
em que o circuito opera. Os transistores T1 e T2 entram no limiar da condução para VBE1 = VEB2 =
0,5V, βT1 = 19, βT2 = 19, VCEsat é desprezível e a corrente dos diodos D1 ou D2 é igual a 4 mA para
VD = 0,5V onde VD é a queda de tensão direta em D1 ou D2. Adotar VBE1 = VEB2 = 0,6V quando os
transistores T1 e T2 estiverem conduzindo.
Sabe-se também que o resistor R3 serve para compensar uma pequena assimetria de corrente entre os
diodos D1 ou D2 mantendo o potencial quiescente no ponto A aproximadamente igual a zero volts. Além
disso, a área de junção dos diodos é cinco vezes maior que a área de junção base-emissor dos transistores
T1 e T2.
Dados:
^ ^
V .I I P
PL = o o , PS = VCC . I Cmedio , I Cmedio = C max , η = L .
2 π PS
Pede-se:
a) Quando ve(t) = 0 (situação de repouso), determine os valores de R1 e R2 de forma que os transistores
fiquem no limiar de condução.
b) Qual o valor de R3 que assegura uma corrente elétrica através do diodo D1 aproximadamente
constante durante a excursão de ve(t) de 0 a 10,5V.
c) Sabendo-se que RL = 15,5Ω, determine a potência máxima dissipada em RL (PL).
d) Determine a potência máxima fornecida pela fonte de alimentação (PS) do circuito e determine o
rendimento máximo(ηmax).
e) Determine a potência máxima dissipada em cada transistor (Ptr) e dimensione área de um radiador de
calor de forma que a temperatura na junção do transistor não ultrapasse 150 oC. Sabe-se que:
Tamb. = 25oC (temperatura ambiente), RL = 1,55 Ω.
θj-c = 4oC/W (resistência térmica entre a junção e a carcaça do transistor)
θc-d = 0,3 oC/W (resistência térmica entre a carcaça do transistor e o dissipador)
θc-a = 30 oC/W (resistência térmica entre a carcaça do transistor e o ambiente)
e é dado o gráfico da resistência térmica do radiador de calor para o ambiente (θd-a) como função da área
do radiador de calor:
8
7
6
θ d-a ( oC/W)

5
4
3
2
1
0
0 100 200 300 400 500
Area (cm 2)
e) Qual seria a temperatura na junção caso não fosse colocado nenhum dissipador? quais seriam as
consequências?