Universidade Estadual Paulista – UNESP

Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira - FEIS

Departamento de Engenharia Elétrica - DEE

Transistor de Efeito de Campo - FET

Ilha Solteira - 2019

MOSFET do tipo Enhancement

ou Intensificação/Enriquecimento
sem tensão de gate
 oxide capacitance, Cox

Parâmetro de transcondutância:

Capacitância/área do óxido:

Parâmetro de transcondutância:

Capacitância/área do óxido:
 •

Múltiplos símbolos: Sedra & Smith

(a) Circuit symbol for the n-channel enhancement-type MOSFET. (b) Modified circuit symbol with an arrowhead
on the source terminal to distinguish it from the drain and to indicate device polarity (i.e., n channel). (c)
Simplified circuit symbol to be used when the source is connected to the body or when the effect of the body
on device operation is unimportant.

Múltiplos símbolos: Malvino

S
 Tipos de MOSFET:

Dados no NMOS: Vt=1 V

= 0,5 mA/V2
 Condição para estrangulamento
do canal induzido

4.0 Vt+4.0

NMOS: 3.0
Vt=1V
=0.5 mA/V2 Vt+3.0
2.0

1.0 Vt+2.0

Vt+1.0

2 4 6 8

NMOS:
Vt=1V
=0.5 mA/V2
NMOS:
Vt=1V
=0.5 mA/V2

NMOS:
Vt=1V
=0.5 mA/V2
 o MOSFET se comporta como
uma pequena resistência

NMOS:
Vt=1V
= 1 mA/V2

Resistência dreno-fonte:

NMOS:
Vt=1V
= 1 mA/V2
NMOS:
Vt=1V
=0.5 mA/V2

NMOS:
Vt=1V
=0.5 mA/V2
triodo

NMOS:
Vt=1V
=0.5 mA/V2

Sumary:
 com efeito Early
NMOS:
Vt=1V
1.00 •
=0.5 mA/V2

0.75

0.50

0.25

Curvas aproximadas por partes:

sem efeito Early

=Vt
=Vt
 MOSFET do tipo Enhancement
em Circuitos DC

ADENDO:
 :
12

ID 5
4

VG
+
VGS _
6 5
IS

(continua...)

m k

a)
(continua...)
b)

#####
MOSFET do tipo Enhancement:
Circuitos Amplificadores

Recordação: amplificação com o TBJ

Tensão
de saída
amplificada
 : Análise gráfica

•
Amplificador •
elementar:

D
G

S•
 .

termo quadrático termo linear

precisa ser muito

menor que 1%

a corrente drenada é
proporcional à tensão de controle.

gm =

tensão em excesso ou tensão efetiva

•
min
 id
ig=0

is

vd

• •
separar a porção AC do
amplificador elementar
Modelo-T para pequenos sinais:

= is

= is
Modelo-T:

MOSFET do tipo Enhancement:

Efeito Early
(para o NMOS operando na região de saturação)

iD é função de vDS
manter cte.

(tensão em excesso)

A
 (a fim de que vDS varie levemente com iD)

ig=0 id

Modelo-π para
pequenos sinais:

is

Nota:
O valor DC da corrente de
dreno é obtida resolvendo-se o
circuito DC sem levar em conta o
efeito Early.
Ou seja, o efeito Early não precisa
ser levado em conta na análise DC.

Modelo-Τ para pequenos sinais:

MOSFET do tipo Enhancement:
Configuração Fonte Comum

=+10V

=3k5

+
vDS
−
C1 e
=2M3

=2mA
C1

= −10V ig
 =+10V

=3k5

IG=0 +
VDS
+ −
VGS − VS
=2M3 (para ID em mA)
=2mA

=−10V

Reta de carga:

(para VGS = 4V)

(o ponto Q está no centro

• da reta de carga)

•
de fonte (ver TBJ).
Resistência de entrada:

2,3

(obter-se-ia-se Zi = vi /ii = vi /0 = infinito)

Resistência de saída:

2,3 2,3

Ganho total=-7v2=-7(-7v1)=+49v1=+49vs

Caso contrário haverá perda por acoplamento na carga!

 :

MOSFET do tipo Enhancement:

Fonte de Corrente DC
 ADENDO:

Inserir a
carga aqui.

• ° Vo • ° Vo
≡
Ideia central:
vGS é o mesmo para ambos os NMOS
Inserir a
carga aqui.

• ° Vo
• ° Vo
≡
 (Dados VDD e RD, é
necessário calcular VGS )

(Uma equação em VGS)

=5V
 =5V

(Usado em microeletrônica para polarizar diferentes circuitos dentro de um mesmo CI)

+VDD

Fora da Inserir a
pastilha carga aqui

+ +
VDS2 VDS3=VD3−(−VSS)
− −
MOSFET do tipo Enhancement:
MOSFET com Canal P
 Multiplos símbolos: Sedra & Smith

(a) Circuit symbol for the p-channel enhancement-type MOSFET. (b) Modified symbol with an arrowhead on the source
lead. (c) Simplified circuit symbol for the case where the source is connected to the body.

Multiplos símbolos: Malvino

D
 E-MOSFET com canal-N × canal-P

• •
Vtp Vtn

Sketches of the iD–vGS characteristics for MOSFETs of enhancement type, of both polarities
(operating in saturation).
Note that the characteristic curves intersect the vGS axis at Vt.
Also note that for generality somewhat different values of |Vt| are shown for n-channel and
p-channel devices.
Inserir a Inserir a
carga aqui carga aqui
 Cross-section of a CMOS integrated circuit.

Note that the PMOS transistor is formed in a separate n-type region, known as an n well.
Another arrangement is also possible in which an n-type body is used and the n device is
formed in a p well. Not shown are the connections made to the p-type body and to the n well;
the latter functions as the body terminal for the p-channel device.
MOSFET do tipo Enhancement:
Amplificador com Carga Ativa
 Torna-se necessário que o
valor da fonte DC seja no
mínimo igual a 10V.

Torna-se necessário
uma fonte DC no
mínimo igual a 100V.

+VSS +VSS
Fonte de
corrente
PMOS Usar
espelho PMOS PMOS
Polariza e PMOS
é carga ativa

R
NMOS
RG
RG
−VDD −VDD
−VDD
 •

Além disso, Q1, Q2 e Q3 são casados: r01=r02=r03

 vGS

Importante: sinais vgs2=vgs3=0V

para a fonte de corrente DC.

• • • •
= 0 ampéres = 0 ampéres

• • •

• °
•

• •

• •
Ganho elevado!
 Elevadíssimo!

Valor grande!
MOSFET do tipo Enhancement:
Modo de Chaveamento

−Vt=1.4V
(mA)

VDD/RD −Vt=1.0V
ON

0.500 −

0.250 − −Vt=0,75V

0.125 − −Vt=0.5V
OFF
−
−

0.5 1.0 (V)

 −Vt=1.4V
(mA)

VDD/RD −Vt=1.0V
ON

0.500 −

0.250 − −Vt=0,75V

0.125 − −Vt=0.5V
vGS≤Vt , cut OFF

−
−
0.5 1.0 (V)

(ponto A)

≈ 0 volt
SW
(ponto C)

−Vt=1.4V
(mA)

VDD/RD −Vt=1.0V
ON

0.500 −

0.250 − −Vt=0,75V

0.125 − −Vt=0.5V
vGS=0, cut
−
−

0.5 1.0 (V)

B B

Ponto C: queda de tensão vDS pequena (≈curto)

 SW

Curvas lineares por partes:

6 > vGS5

5 > vGS4

4 > vGS3

3 > vGS2

pequenos
2 > vGS1 valores
de vGS
1
Fabricantes costumam estabelecer um ponto Qtest na região ôhmica (triodo) de uma curva
característica típica, na qual VGS= VGS(on).
Os valores ID(on) e VDS(on) são medidos neste ponto de teste, a partir do qual o fabricante
determina o valor de RDS(on):

SW

A tabela abaixo se refere a E-MOSFETs de pequenos sinais.

Os valores típicos de Vt (chamado de Vth na tabela) estão entre 1,5 e 3 volts.
Os valores de RDS(on) variam entre 0,3 e 28 ohms, o que evidencia que o E-MOSFET possui
baixa resistência quando operando na região ôhmica.
Quando polarizado na região de corte, possui uma resistência muito elevada, aproximando-se
de um circuito aberto.
Portanto, E-MOSFETs possuem excelentes taxas on/off.
No circuito a seguir, a corrente de saturação de dreno é:
A tensão de corte de dreno é VDD.

Atenção: no ponto Q a corrente de dreno satura (sat), independentemente de VGS, contudo,

o NMOS opera na região de triodo. Cuidado com a nomenclatura!
Quando VGS=0, o ponto Q está sobre o extremo inferior da reta de carga. Quando o ponto
VG= VDS(on), o ponto Q está no estremo superior da reta de carga.
O ponto Q deve operar abaixo do ponto Qtest, com o dispositivo operando na região ôhmica:

Nesta situação, o valor da tensão VDS é muito pequena (≈mV), e o dispositivo se comporta
aproximadamente como um curto-circuito; esta aproximação é tanto melhor quanto menor
for ID(sat).

rDS ≈ 0

SW

RD
 =5V
VGSP −

+
VGSN −

=5V
VGSP −

+
VGSN −
 i
5
VCTLE =0
0
+ rDS (ou rD) i =0
−

−
VCTLE =0
+
Exemplo: Multiplexador

Um multiplexador analógico direciona um ou mais sinais de entrada para a linha de saída.

Cada MOSFET age como uma chave série. Os sinais de controle (V1, V2 e V3) comuta os
MOSFETs entre os estados ON e OFF. Quando um sinal de controle está alto, seu sinal de
saída é transmitido para a saída.

Normalmente somente um dos sinais de controle é alto, assegurando que apenas uma das
entradas seja transmitida para a saída.

MOSFET do tipo Depleção

MOSFET do tipo Depleção (D-MOSFET): Simbologia para canal N

Linha reta=canal físico

(a) Circuit symbol for the n-channel depletion-type MOSFET. (b) Simplified circuit symbol applicable for the case
the substrate (B) is connected to the source (S).

modo intensificação

modo depleção

(este corresponde ao valor de Vt)

MOSFET do tipo Depleção (D-MOSFET): Simbologia para canal P

Agora Vt é positivo.

(a) Circuit symbol for the p-channel depletion-type MOSFET. (b) Simplified circuit symbol applicable for the case
the substrate (B) is connected to the source (S).
D-MOSFET canal-P: as equações para iD=f(vGS,vDS) permanecem válidas,
porém, com os devidos ajustes de sinais.

D-MOSFET com canal-N × canal-P

Vt negative Vt positive

Sketches of the iD–vGS characteristics for MOSFETs of enhancement and depletion types, of
both polarities (operating in saturation).
Note that the characteristic curves intersect the vGS axis at Vt.
Also note that for generality somewhat different values of |Vt| are shown for n-channel and
p-channel devices.

Canal-P: E-MOSFET × D-MOSFET

FET de Junção - JFET
A seta no símbolo do JFET está relacionada com o diodo pn entre porta e fonte, quer no
tipo-n quer no tipo-p.
Em muitas aplicações de baixa frequência, a fonte e o dreno são intercambiáveis, por que
pode-se usar qualquer extremo como fonte e o outro como dreno. Por isso, os símbolos (a)
e (b) são usados com alguma regularidade.
Os terminais de fonte e dreno não são intercambiáveis em altas frequências, devido as
diferenças das capacitâncias parasitas entre porta e dreno, e, entre porta e fonte. Neste
caso, o símbolo assimétrico (b) é preferido por técnicos e engenheiros eletrônicos.
Como o diodo porta-fonte sempre opera reversamente, a corrente de porta é aproximada-
mente nula, tornando a resistência de entrada da ordem de centenas de megaohms.

JFET canal-n com IDSS=8mA e Vp=-4V.

(No livro do Malvino Vt é chamado de Vp)

1 W
I DSS = K n′ Vt 2
2 L
JFET canal-n com IDSS=8mA e Vp=-4V.
D-MOSFET canal-P: as equações para iD=f(vGS,vDS) permanecem válidas,
porém, com os devidos ajustes de sinais.

JFET com canal-N × canal-P

n-channel p-channel
JFET JFET

Sketches of the iD–vGS characteristics for FETs of enhancement, depletion and JFET types, of
both polarities (operating in saturation).
Note that the characteristic curves intersect the vGS axis at Vt (or Vp).
Also note that for generality somewhat different values of |Vt| (or|Vp|) are shown for n-
channel and p-channel devices.

Canal-P: E-MOSFET, D-MOSFET and JFET

Transcondutância do JFET
= -VGG
(fixo)

+
_
+
_
 Q2 •

Q1 •

(VTH ,RTH )

• ° VD
IG=0
+
VGS _ •
° VS Obs: como IG=0, não circula corrente através de RTH

Thévenin
 A diferença entre os valores de ID
para Q1 e Q2 é muito pequena.

+
ID=IC VGS
_
≡
+ I0
VBE _ +
_
 = I0

Circuitos de Polarização:
E-MOSFET × D-MOSFET × JFET
 Não há
intersecção!

linha de
autopolarização

Vt
FIM