UFRGS – DELET – ENG 04 447 – Eletrônica I – LAB 3 – Diodo de Junção

Trazer para a aula: - 3 diodos 1N4148 ou 1N914 (ou equivalente) e os resistores necessários;
- data-sheet do diodo utilizado (no site da disciplina);
- multímetro.

1. Característica IDxVD do diodo de junção de silício

1.1. Monte o circuito (1) na proto-board, utilizando suas fontes de tensão ajustáveis internas.
1.2. Ajuste as fontes de forma a estabelecer diversas condições de operação no diodo, desde a região
reversa até a direta, preenchendo a tabela a seguir. Meça a tensão VD diretamente sobre o diodo, e
a corrente ID através da queda de tensão sobre o resistor R, sempre com o uso do voltímetro.
VD (V) -3,0 -1,0 0,0 0,3 0,4 0,5
ID (mA) 0,25 0,5 0,75 1,0 2,0 3,0

1.3. Trace em algum programa gráfico (p. ex. Excel ou MatLab) a curva VD x ID do diodo obtida.
1.4. Considerando a relação aproximada I D  I S exp VD nVT  , com VT = 26mV, faça uma regressão
exponencial com os dados medidos, apenas para valores em que ID > 0, e estime os parâmetros n
e IS do seu diodo.
1.5. Usando os valores de n e IS estimados para seu diodo, trace sobre a curva medida a curva teórica
 
obtida através da expressão completa I D  I S exp VD nVT   1 e compare-as entre si.

1.6. A resistência dinâmica do diodo pode ser estimada como rD  VD I D . Calcule este parâmetro
para cada faixa de valores medidos, traçando em gráfico rD x ID.Trace também sobre o mesmo
gráfico rD  VD I D usando a expressão dada no item 1.4 e os parâmetros n e IS medidos.
Circuito 1 Polaridade do diodo
R1 = 470Ω R = 1k
ID
VF1
+
D VD
–
VF2
R2 = 470Ω

2. Polarização de diodos – aproximações teóricas e resultados experimentais

2.1. Monte o circuito (2) na proto-board, alimentando-o com ±10V e meça, com o voltímetro, as tensões
sobre todos os componentes do circuito. Estime também as correntes nestes componentes (ponto
de operação de cada um).
2.2. Repita o procedimento para o circuito (3).
2.3. Compare os valores medidos com o resultado da análise teórica feita em aula (com o auxílio do
modelo “ideal” do diodo). Calcule o erro de cada grandeza e comente.
2.4. Analise teoricamente estes dois circuitos, utilizando o modelo de “queda de tensão fixa” para os
diodos em condução (use VD = 0,6V) e compare com os resultados experimentais. Comente.
+VCC= +10V +VCC= +10V

R2= 10k R2= 4k7

D1 D2 D1 D2

R1= 4k7 R1= 10k

–VDD= –10V –VDD= –10V

Circuito 2 Circuito 3